JP2000294491A - 光源装置 - Google Patents
光源装置Info
- Publication number
- JP2000294491A JP2000294491A JP11099805A JP9980599A JP2000294491A JP 2000294491 A JP2000294491 A JP 2000294491A JP 11099805 A JP11099805 A JP 11099805A JP 9980599 A JP9980599 A JP 9980599A JP 2000294491 A JP2000294491 A JP 2000294491A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light source
- light
- excitation light
- light sources
- source device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70041—Production of exposure light, i.e. light sources by pulsed sources, e.g. multiplexing, pulse duration, interval control or intensity control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/7005—Production of exposure light, i.e. light sources by multiple sources, e.g. light-emitting diodes [LED] or light source arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
Abstract
る光源装置を提供する。 【解決手段】 本発明による光源装置は、放射光を放出
する複数の光源(1a〜1h)と、1個又はそれ以上の
反射面(2a)を有し、各光源(1a〜1h)から放出
された放射光を前記光源の共通の光路(L)に沿って出
射させる回転反射体(2)と、この回転反射体(2)の
反射面(2a)の位置を検出する位置検出装置(5)
と、位置検出装置からの出力信号に基き、前記複数の光
源を回転反射体の位置に同期して駆動させるための同期
信号を発生するタイミング制御回路(6)と、タイミン
グ制御回路からの出力信号に基づき、前記光源を順次パ
ルス駆動させる電源回路(7)とを具えることを特徴と
する
Description
スレートが高く高輝度の放射パルスを放出することがで
きる光源装置に関するものである。
いては、解像度を一層高くするため露光光として遠紫外
光が広く用いられている。遠紫外光を発生する光源とし
ては、パルス駆動するエキシマレーザが広く用いられて
いる。一方、露光時の処理速度を高めスループットを改
善するため露光光源のパルスレートを高くすることが重
要な課題になっており、特にパルス光源を用いるスキャ
ン方式の露光装置においては、スループットを改善する
観点より光源のパルスレートを一層高くすることが強く
要請されている。一方、エキシマレーザのパルスレート
は高々200Hz程度であるため、そのパルスレートを
高くすることが強く要請されており、パルスレートを高
くする方法として、例えばエキシマレーザのチューブ内
のガス流速を高速にする試みがなされている。
は、高速観察或いは高速検査する場合、照明光源の輝度
が不足する場合があるため、照明光源として高輝度の光
源の開発が要請されている。
スレートを高くする方法として、チューブ内のガス流速
を高くする方法が提案されているが、ガス流速の改善だ
けでは限界があり、所望のパルスレートまで高くできな
いのが実状である。しかも、ガス流速を高くしようとす
るとレーザ装置の構造が複雑化しその製造コストも大幅
に高価になってしまう。
る方法とてし、入力電力を大きくすることが考えられる
が、入力電力を高くしても光源の発光アークのサイズが
大きくなるだけで輝度の向上にはあまり寄与しないのが
実情である。また、光源の発光レートを高くすることも
考えられるが、発光レートを高くすると時間平均輝度は
高くなるが、時間平均入力電力が制限されているため最
大発光レートも制限されてしまう事が多い。
トを一層高くすることができる光源装置を提供すること
にある。
発生することができる光源装置を提供することにある。
放出する複数の光源と、1個又はそれ以上の反射面を有
し、各光源から放出された光を前記光源の共通の光路に
沿って出射させる回転反射体と、この回転反射体の反射
面の位置を検出する位置検出装置と、位置検出装置から
の出力信号に基き、前記複数の光源を回転反射体の位置
に同期して駆動させるための同期信号を発生するタイミ
ング制御回路と、タイミング制御回路からの出力信号に
基づき、前記光源を順次パルス駆動させる電源回路とを
具えることを特徴とする。
に配置され時間的に変移して発光する複数を光源を時間
的及び空間的に同期させることにより、これら複数の光
源が空間的に同一の位置に存在するのと等価になると言
う認識に基づいている。このような認識に基づき、本発
明では、異なる位置に配置された複数の光源を空間的に
同期させるため、種々の方向から入射した光を同一の光
路に沿って出射させる回転反射体を用いる。また、時間
的に同期させるために回転反射体の反射面の位置を検出
する位置検出装置を用い、この位置検出装置からの位置
情報に基づき、時間的に同期した同期信号を発生する。
そして、この同期信号に基づいて光源駆動用の電源から
パルス状の駆動信号を発生して各光源を順次駆動する。
この結果、複数の光源から順次出射した複数のパルス光
を順次共通の光路に沿って出射させることができ、設け
た光源の数の倍数だけパルスレートが増倍され、光源装
置としての実効パルスレートを増大することができる。
同時に、光源装置の発光レートが増大することに伴い時
間平均輝度も増大し、この結果照明用光源装置としての
実効輝度も増大する。
赤外光、可視光、紫外光、X線等の種々の波長域の電磁
波を含み、紫外光にはDUV,VUV及びEUVの全て
の紫外域の電磁放射を含むものである。また、「光源」
の用語は、赤外光、可視光、紫外光、X線等の種々の波
長域の電磁波を発生する光源を意味するものとする。
を放出できる全ての光源を用いることができ、キセノン
フラッシュランプ、エキシマレーザ、YAG等の固体レ
ーザ等の種々の光源を用いることができる。特に、キセ
ノンフラッシュランプは高密度プラズマを発生させて1
3nm程度の遠紫外域の放射も発生することができるの
で、一層高い分解能が要求される露光装置用の光源装置
として極めて好適である。
光源でもよく、或いは異なる波長の光を放出する光源と
することもできる。例えば紫外光を放出する光源と赤外
光を放出する光源とすることができる。この場合、回転
反射体の同期を切り換えことにより波長選択を行うこと
ができ、例えば処理すべきターゲットの用途に応じて紫
外光又は赤外光だけを連続して出射させることができ、
或いは紫外光と赤外光とを交互に出射させることもでき
る。
有するモノゴンミラーや複数の反射面を有するポリゴン
ミラーを用いることができる。さらに、これらの回転反
射体の反射面は、アルミニウム層や銀層がコートされた
反射面及び誘電体多層膜が形成されている反射面等を用
いることができ、用いる放射の波長域に応じて適切な選
択することができる。さらに、回転反射体の反射面に波
長選択性を持たせることも可能であり、特定の波長域の
放射光だけを反射させ又は透過させることも可能であ
る。従って、用いる光源の波長域と組み合わせることに
より、特定の波長光を一方向に出射させ別の波長光を別
の方向に出射させることも可能である。
数の光源を、一平面内に円環状にほぼ等間隔で配置し、
回転反射体を前記円環の中心に配置し、前記光源の共通
の光路を前記円環の中心を通り前記平面と直交する軸線
としたことを特徴とする。このように構成することによ
り、多数の光源を隣接した配置することができ、空間的
な有効利用を図ることができ、高いパルスレートの放射
光を出射させることができる小型の光源装置を実現する
ことができる。
起光を放出する励起光源と、入射する励起光を励起光の
波長とは異なる波長の放射光に変換する複数のターゲッ
ト材料と、1個又はそれ以上の反射面を有し、前記励起
光源から放出された励起光を前記ターゲット材料に入射
させると共に各ターゲット材料から放出された光を前記
ターゲット材料の共通の光路に沿って出射させる回転反
射体と、この回転反射体の反射面の位置を検出する位置
検出装置と、位置検出装置からの出力信号に基き、前記
励起光源を各ターゲットの位置に同期して駆動させる同
期信号を発生するタイミング制御回路と、タイミング制
御回路からの出力信号に基づき、前記励起光源をパルス
駆動させる電源回路とを具えることを特徴とする。この
実施例は、赤外光をVUV,EUVの紫外域の放射に波
長変換して高パルスレートで出射させるのに好適であ
る。この場合、励起光源として例えばNd添加YAGレ
ーザやエキシマレーザを用いることができる。また、タ
ーゲットとして錫、タンタル、キセキンのガスジェット
等の種々の波長変換材料を用いることができる。さら
に、回転反射体の反射面として、例えばEUVの紫外光
を出射させる場合モリブデンとシリコンとの誘電体多層
膜を用いることができる。尚、ターゲットに励起光が入
射して波長変換が行われる際、高速分子、分子クラスタ
等の飛散分子が発生する可能性がある。この場合、回転
反射体を1個の反射面を有するモノゴンミラーで構成す
れば、デブリ等は光の移動速度よりもはるかに遅いた
め、たとえ高速分子等の飛散分子が発生しても反射面以
外の側面や裏面に付着するため、反射面が汚染される可
能性を顕著に低減することができる。
例の構成を示す線図であり、図1Aは全体構成を示す線
図であり、図1Bは複数の光源及び回転反射体の配置構
成を示す線図的平面図である。図1Bに示すように、本
例では8個の光源1a〜1hを一平面内に円環状にほぼ
等間隔で配置し(図1Aにおいては、2個の光源1c及
び1gだけを示す)、この円環の中心に回転反射体2を
配置する。光源として、発生する放射光の用途に応じて
種々の光源を用いることができ、例えばNd添加YAG
レーザ、エキシマレーザ、キセノンランプ等の種々の光
源を用いることができる。
転反射体2の反射面2aに入射する。回転反射体2は直
角プリズム3とモータ4とを有し、直角プリズム3をモ
ータ4の回転軸に結合し、モータの回転により直角プリ
ズム3を等速度で回転させる。光路に対して45°の角
度をなす直角プリズム3の斜面に反射面2aを形成す
る。この反射面2aは、アルミニウム又は銀をコートし
た反射面で構成することができ、或いは誘電体多層膜で
構成することもできる。尚、例えばキセノンランプのよ
うに光源1a〜1hがブロードなスペクトル領域の放射
光を放射する場合、反射面2aに波長選択性を持たせて
特定の波長域の光だけを反射させ、各種処理用の光ビー
ムとして利用することもできる。
反射し、各光源の共通の光路Lに沿出射し、各種の処理
に利用される。
わち直角プリズム3の反射面の角度位置を検出する位置
検出器5を結合する。この位置検出器として例えばエン
コーダを用いることができる。位置検出器5により検出
された反射面2aの位置情報はタイミング制御回路6に
供給する。このタイミング制御回路6は、位置検出器か
らの反面2aに関する位置情報に基づき、8個の光源1
a〜1hを回転反射体の反射面の位置に同期して駆動さ
せるための同期信号を発生する。すなわち、各光源1a
〜1hの配置位置を座標系として予め記憶しておき、回
転反射体3の反射面の基準角度座標からの変位量に基づ
き、対応する光源を順次駆動する同期信号を発生する。
例えば、光源1aの角度位置を基準とした場合、反射面
2aがこの角度位置から45°の角度進んだ位置に到達
したことを位置検出器5が検出したとき、反射面2aは
光源1bと対向する位置に存在し、タイミング制御回路
6は同期信号を電源回路7供給する。そして、電源回路
7は光源1bにパルス状の駆動信号を供給して光源1b
を駆動する。この結果、光源1bから放出されたパルス
光が各光源に共通の光路Lに沿って出射する。次に、反
射面が90°の角度に進んだ位置に到達したことを検出
したとき、タイミング制御回路からの同期信号に基づ
き、電源回路7から光源1cに駆動信号を供給して光源
1cを駆動し、光源1cからのパルス光を共通の光路L
に沿って出射させる。
で動作するエキシマレーザを用いる場合、8個のエキシ
マレーザを順次駆動することにより8倍に増倍された周
波数、すなわち1.6kHzの繰り返し周波数で紫外光
をパルス発生させることができる。
を示す線図である。本例では、パルスレートの増倍に加
えて波長変換も併せて行う光源装置について説明する。
励起光源10からパルス状の励起光を発生する。本例で
は、励起光源として赤外光を放出するYAGレーザを用
いる。この励起光はレンズ11により集束し、ビームス
プリッタ12を透過する。このビームスプリッタ12は
赤外光については透過性を有し紫外光については反射性
を有するビームスプリッタとし、例えばモリブデンとシ
リコンとの誘電体多層膜で構成することができる。
は、図1に示す実施例と同様な回転反射体13に入射
し、この回転反射体の反射面13aで反射し、波長変換
を行うターゲット14に集束ビームとして入射する。図
2Bに示すように、8個のターゲット14a〜14hを
同一平面内に円環状にほぼ等間隔で配置し、その円の中
心に回転反射体13を配置する。回転反射体13は、単
一の反射面13aを有するモノゴンミラーで構成する。
このモノゴンミラーは直角プリズム15とモータ16を
有し、直角プリズムをモータ16の回転軸に結合する。
モータ16に位置検出器17を連結して反射面13aの
位置を検出し、図1の実施例と同様にタイミング制御回
路18に供給する。タイミング制御回路からの同期信号
を電源回路19に供給し、回転反射体の反射面が各ター
ゲット14a〜14hの位置と対向する位置に到達する
毎に励起光源に駆動信号を供給し、パルス状の励起光を
発生させる。尚、EUVの紫外光を発生させる場合、図
2の一点鎖線で規定される内部は真空に維持し、その真
空チャンバの光の光路には窓を設ける必要がある。
ノンのガスジェット等の種々の材料を用いることができ
る。ターゲット材料14に励起光が集束した状態で入射
すると、ターゲット材料の表面に高密度プラズマが発生
し、このプラズマから例えば13nm程度の波長のEU
V或いはVUVの波長域の紫外光或いはX線が発生す
る。本発明では、この波長変換された紫外光又はX線を
有用な放射光として利用する。ターゲット材料14から
放出された放射光は回転反射体13の反射面に入射し、
この反射面で反射し、各ターゲット材料の共通の光路L
に沿って出射する。そして、励起光源10と回転反射体
13との間に配置したビームスプリッタ12で反射し外
部に出射する。このように構成すれば、ターゲット材料
が順次励起されて13nm程度のEUVを高パルスレー
トで発生させることができ、LSIの製造に用いられる
露光装置の光源装置として極めて有益である。さらに、
有用な利点として、励起光の入射による高密度プラスマ
の発生と共にデブリ等の飛散物が発生するが、これら飛
散物の移動速度は相対的に遅いため、これらのデブリン
等の汚染物が発生しても、反射面13aは回転移動して
いるためモノゴンミラーの反射面以外の側面や裏面側に
付着するので、反射面を汚染する不具合を解消すること
ができる。また、一旦励起した後次のターゲット材料が
励起される間にターゲット材料が冷却されるので、十分
な緩和時間を確保することができる利点がある。
ず、種々の変形や変更が可能である。例えば、本発明は
パルス光を放出する光源装置において繰り返し周波数を
増大することが望まれる全ての光源装置に適用でき、L
SIの製造に用いられる露光装置だけでなく、放射光を
用いてターゲットを処理し或いは検査並びに観察するた
めの光源装置にも適用することができる。例えば、例え
ばプリント回路基板に微細な孔を形成するレーザ処理装
置においては、パルス発振するレーザ光源から放出され
るレーザパルスの繰り返し周波数を増大し処理速度を高
めることが強く要請されているため、このような技術分
野においても本発明を有益に利用することができる。特
に、繰り返し周波数が200Hz程度のエキシマレーザ
を数個組み合わせることにより1kHz以上の繰り返し
周波数で紫外光パルスを発生することが可能になり、ス
ループットを改善する上で極めて有益である。
図である。
明による光源装置の実施例を示す線図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 光を放出する複数の光源と、1個又はそ
れ以上の反射面を有し、各光源から放出された光を前記
光源の共通の光路に沿って出射させる回転反射体と、こ
の回転反射体の反射面の位置を検出する位置検出装置
と、位置検出装置からの出力信号に基き、前記複数の光
源を回転反射体の位置に同期して駆動させるための同期
信号を発生するタイミング制御回路と、タイミング制御
回路からの出力信号に基づき、前記光源を順次パルス駆
動させる電源回路とを具えることを特徴とする光源装
置。 - 【請求項2】 前記複数の光源を、一平面内に円環状に
ほぼ等間隔で配置し、前記回転反射体を前記円環の中心
に配置し、前記光源の共通の光路を前記円環の中心を通
り前記平面と直交する軸線としたことを特徴とする請求
項1に記載の光源装置。 - 【請求項3】 励起光を放出する励起光源と、入射する
励起光を励起光の波長とは異なる波長の放射光に変換す
る複数のターゲット材料と、1個又はそれ以上の反射面
を有し、前記励起光源から放出された励起光を前記ター
ゲット材料に入射させると共に各ターゲット材料から放
出された放射光を前記ターゲット材料の共通の光路に沿
って出射させる回転反射体と、この回転反射体の反射面
の位置を検出する位置検出装置と、位置検出装置からの
出力信号に基き、前記励起光源を各ターゲットの位置に
同期して駆動させる同期信号を発生するタイミング制御
回路と、タイミング制御回路からの出力信号に基づき、
前記励起光源をパルス駆動させる電源回路とを具えるこ
とを特徴とする光源装置。 - 【請求項4】 前記複数のターゲット材料を、一平面内
に円環状にほぼ等間隔で配置し、前記回転反射体を前記
円環の中心に配置し、前記光源の共通の光路を前記円環
の中心を通り前記平面と直交する軸線としたことを特徴
とする請求項3に記載の光源装置。 - 【請求項5】 前記励起光源を前記共通の光路の延長線
上に配置し、励起光源と前記回転反射体との間に励起光
とターゲットから放出された放射光とを分離するビーム
スプリッタを配置したことを特徴とする請求項4に記載
の光源装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP09980599A JP4332648B2 (ja) | 1999-04-07 | 1999-04-07 | 光源装置 |
US09/976,144 US6665326B2 (en) | 1999-04-07 | 2001-10-15 | Light source device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP09980599A JP4332648B2 (ja) | 1999-04-07 | 1999-04-07 | 光源装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000294491A true JP2000294491A (ja) | 2000-10-20 |
JP4332648B2 JP4332648B2 (ja) | 2009-09-16 |
Family
ID=14257099
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP09980599A Expired - Lifetime JP4332648B2 (ja) | 1999-04-07 | 1999-04-07 | 光源装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6665326B2 (ja) |
JP (1) | JP4332648B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002274500A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-25 | Nec Corp | 高速移動物体衝突検出装置 |
JP2003344948A (ja) * | 2002-05-24 | 2003-12-03 | Olympus Optical Co Ltd | 照明装置及び画像投影装置 |
JP2005181579A (ja) * | 2003-12-18 | 2005-07-07 | Olympus Corp | 照明装置及びそれを用いた表示装置 |
US6991336B2 (en) | 2002-08-07 | 2006-01-31 | Olympus Corporation | Illumination apparatus and projector display apparatus |
JP2006162857A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-06-22 | Olympus Corp | 光学装置及び照明装置 |
US7128423B2 (en) | 2002-05-24 | 2006-10-31 | Olympus Corporation | Illumination apparatus, and image capturing apparatus and projector apparatus using this illumination apparatus |
US7178923B2 (en) | 2002-10-21 | 2007-02-20 | Olympus Corporation | Illumination apparatus and image projection apparatus |
JP2007220933A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Ushio Inc | 露光装置 |
KR100895227B1 (ko) * | 2001-12-13 | 2009-05-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 연x선 광원장치 및 euv 노광장치 및 조명방법 |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6998785B1 (en) * | 2001-07-13 | 2006-02-14 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Liquid-jet/liquid droplet initiated plasma discharge for generating useful plasma radiation |
GB0201496D0 (en) * | 2002-01-23 | 2002-03-13 | Seos Ltd | Illumination apparatus |
US6975783B2 (en) | 2003-02-19 | 2005-12-13 | Northrop Grumman Corporation | Switch control with light beams |
US7230258B2 (en) * | 2003-07-24 | 2007-06-12 | Intel Corporation | Plasma-based debris mitigation for extreme ultraviolet (EUV) light source |
US20050243042A1 (en) * | 2004-07-01 | 2005-11-03 | Shivji Shiraz M | Method and apparatus for LED based display |
JP2006023627A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Olympus Corp | 照明装置及び画像投影装置 |
US20070118593A1 (en) * | 2004-07-26 | 2007-05-24 | Shiraz Shivji | Positioning system and method for LED display |
US20060114172A1 (en) * | 2004-11-26 | 2006-06-01 | Giotti, Inc. | Method and apparatus for LED based modular display |
US8231707B2 (en) * | 2008-09-30 | 2012-07-31 | Los Alamos National Security, Llc | Gas separation using ultrasound and light absorption |
JP2011054376A (ja) | 2009-09-01 | 2011-03-17 | Ihi Corp | Lpp方式のeuv光源とその発生方法 |
CN102484045B (zh) * | 2009-09-01 | 2014-12-17 | 株式会社Ihi | 等离子体光源系统 |
JP2013519211A (ja) | 2010-02-09 | 2013-05-23 | エナジェティック・テクノロジー・インコーポレーテッド | レーザー駆動の光源 |
US9687575B2 (en) | 2010-06-01 | 2017-06-27 | Bluemorph, Llc | UV devices, systems and methods for UV sterilization |
US9387268B2 (en) | 2010-06-01 | 2016-07-12 | Alexander Farren | Compositions and methods for UV sterilization |
US11260138B2 (en) | 2010-06-01 | 2022-03-01 | Bluemorph, Llc | UV sterilization of container, room, space or defined environment |
US10046073B2 (en) | 2010-06-01 | 2018-08-14 | Bluemorph, Llc | Portable UV devices, systems and methods of use and manufacturing |
ES2763325T3 (es) | 2011-06-01 | 2020-05-28 | Bluemorph Llc | Esterilización UV de recipientes |
CN104345569B (zh) * | 2013-07-24 | 2017-03-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 极紫外光刻机光源系统及极紫外曝光方法 |
IL234729B (en) | 2013-09-20 | 2021-02-28 | Asml Netherlands Bv | A light source operated by a laser and a method using a mode mixer |
IL234727B (en) | 2013-09-20 | 2020-09-30 | Asml Netherlands Bv | A light source operated by a laser in an optical system corrected for deviations and the method of manufacturing the system as mentioned |
US9465273B2 (en) * | 2013-11-20 | 2016-10-11 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Photonic micro-structured vacuum-ultraviolet radiation source based on solid-state frequency conversion |
US9741553B2 (en) | 2014-05-15 | 2017-08-22 | Excelitas Technologies Corp. | Elliptical and dual parabolic laser driven sealed beam lamps |
US10186416B2 (en) | 2014-05-15 | 2019-01-22 | Excelitas Technologies Corp. | Apparatus and a method for operating a variable pressure sealed beam lamp |
JP6707467B2 (ja) | 2014-05-15 | 2020-06-10 | エクセリタス テクノロジーズ コーポレイション | レーザ駆動シールドビームランプ |
US10057973B2 (en) | 2015-05-14 | 2018-08-21 | Excelitas Technologies Corp. | Electrodeless single low power CW laser driven plasma lamp |
US10008378B2 (en) | 2015-05-14 | 2018-06-26 | Excelitas Technologies Corp. | Laser driven sealed beam lamp with improved stability |
US9576785B2 (en) | 2015-05-14 | 2017-02-21 | Excelitas Technologies Corp. | Electrodeless single CW laser driven xenon lamp |
US10109473B1 (en) | 2018-01-26 | 2018-10-23 | Excelitas Technologies Corp. | Mechanically sealed tube for laser sustained plasma lamp and production method for same |
CN108181239B (zh) * | 2018-02-07 | 2023-09-12 | 张哲夫 | 一种多通道荧光定量pcr仪的光学系统 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4088898A (en) * | 1976-10-06 | 1978-05-09 | Jersey Nuclear-Avco Isotopes, Inc. | Rotating optical frequency chirp device |
US4968148A (en) * | 1984-03-01 | 1990-11-06 | Molecular Devices Corporation | Single source multi-site photometric measurement system |
US5434600A (en) * | 1990-06-25 | 1995-07-18 | Schoonscan, Inc. | Illumination module for bandwise imaging device |
US5216245A (en) * | 1991-10-04 | 1993-06-01 | General Motors Corporation | Multi-color optical shaft position sensor |
JPH0727988A (ja) * | 1993-07-08 | 1995-01-31 | Canon Inc | 光走査装置 |
US5727789A (en) * | 1994-06-27 | 1998-03-17 | Jdr, Inc. | Arrow location apparatus |
KR100422887B1 (ko) * | 1995-03-16 | 2005-02-02 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치및방법 |
-
1999
- 1999-04-07 JP JP09980599A patent/JP4332648B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-10-15 US US09/976,144 patent/US6665326B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4545972B2 (ja) * | 2001-03-16 | 2010-09-15 | 日本電気株式会社 | 高速移動物体衝突検出装置 |
JP2002274500A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-25 | Nec Corp | 高速移動物体衝突検出装置 |
KR100895227B1 (ko) * | 2001-12-13 | 2009-05-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 연x선 광원장치 및 euv 노광장치 및 조명방법 |
US7128423B2 (en) | 2002-05-24 | 2006-10-31 | Olympus Corporation | Illumination apparatus, and image capturing apparatus and projector apparatus using this illumination apparatus |
JP2003344948A (ja) * | 2002-05-24 | 2003-12-03 | Olympus Optical Co Ltd | 照明装置及び画像投影装置 |
US6899435B2 (en) | 2002-05-24 | 2005-05-31 | Olympus Corporation | Illumination apparatus and image projection apparatus using the illumination apparatus |
US7322705B2 (en) | 2002-05-24 | 2008-01-29 | Olympus Corporation | Illumination apparatus, and image capturing apparatus and projector apparatus using this illumination apparatus |
US7083288B2 (en) | 2002-05-24 | 2006-08-01 | Olympus Corporation | Illumination apparatus and image projection apparatus using the illumination apparatus |
US6991336B2 (en) | 2002-08-07 | 2006-01-31 | Olympus Corporation | Illumination apparatus and projector display apparatus |
US7080909B2 (en) | 2002-08-07 | 2006-07-25 | Olympus Corporation | Illumination apparatus and projector display apparatus |
US7178923B2 (en) | 2002-10-21 | 2007-02-20 | Olympus Corporation | Illumination apparatus and image projection apparatus |
US7213929B2 (en) | 2002-10-21 | 2007-05-08 | Olympus Corporation | Illumination apparatus and image projection apparatus |
US7234823B2 (en) | 2002-10-21 | 2007-06-26 | Olympus Corporation | Illumination apparatus and image projection apparatus |
US7452087B2 (en) | 2002-10-21 | 2008-11-18 | Olympus Corporation | Illumination apparatus and image projection apparatus |
JP2005181579A (ja) * | 2003-12-18 | 2005-07-07 | Olympus Corp | 照明装置及びそれを用いた表示装置 |
JP2006162857A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-06-22 | Olympus Corp | 光学装置及び照明装置 |
JP2007220933A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Ushio Inc | 露光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4332648B2 (ja) | 2009-09-16 |
US20020080834A1 (en) | 2002-06-27 |
US6665326B2 (en) | 2003-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4332648B2 (ja) | 光源装置 | |
KR102127548B1 (ko) | 극자외광의 발생을 위한 시스템 및 방법 | |
KR102013479B1 (ko) | Euv 투영 리소그래피 투영 노광 장치용 조명 시스템 | |
US6690764B2 (en) | X-ray sources that maintain production of rotationally symmetrical x-ray flux during use | |
WO2016147910A1 (ja) | ターゲット撮像装置、極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成システム | |
KR102445980B1 (ko) | 원통형-대칭 요소 상에 코팅된 타겟 물질을 가진 플라즈마-기반 광원 | |
US9625810B2 (en) | Source multiplexing illumination for mask inspection | |
JP2002176006A (ja) | レーザ加工装置及び方法 | |
TWI534555B (zh) | 微影裝置、極紫外線(euv)輻射產生裝置及器件製造方法 | |
JP4424748B2 (ja) | リソグラフィ装置、デバイス製造方法および放射線システム | |
JP4387975B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
KR102048129B1 (ko) | 투영 노광 장치용 가용 출력 빔을 생성하기 위한 euv 광원 | |
US7002164B2 (en) | Source multiplexing in lithography | |
JP2000089000A (ja) | X線発生装置 | |
US11374379B2 (en) | Laser system, extreme ultraviolet light generation apparatus, and extreme ultraviolet light generation method | |
US9706632B2 (en) | EUV light source and exposure apparatus | |
US7218651B2 (en) | Arrangement for the generation of a pulsed laser beam of high average output | |
JP2003282424A (ja) | 極端紫外光発生装置 | |
JPH04228280A (ja) | パルス状レーザー放射によりワークピースの加工を監視する方法および装置 | |
JP2004319263A (ja) | 光源装置、及び画像表示装置 | |
JP2001035688A (ja) | 軟x線発生装置及びこれを備えた露光装置及び軟x線の発生方法 | |
JP5180854B2 (ja) | 光源装置および当該光源装置を備える露光装置 | |
TWI818774B (zh) | 具有光束定位裝置的euv光源 | |
JP2004227952A (ja) | X線発生装置及び発生方法 | |
JP3531245B2 (ja) | 照明装置及び露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060329 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080903 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080930 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090326 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090331 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090423 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090602 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090603 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120703 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130703 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |