JP2000293817A

JP2000293817A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法

Info

Publication number: JP2000293817A
Application number: JP11096329A
Authority: JP
Inventors: Akira Awane; 明阿波根; Masaya Sakaguchi; 昌也坂口; Hiroyasu Tsuji; 弘恭辻; Satoru Mitani; 覚三谷
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1999-04-02
Filing date: 1999-04-02
Publication date: 2000-10-20
Also published as: US6407885B1

Abstract

(57)【要約】【課題】狭ヘッドトラック幅にも拘わらず強い記録磁
界を生じて、高Ｈｃ記録媒体に対しても充分な記録性能
を有する薄膜磁気ヘッドとその製造方法を提供する。【解決手段】下部記録チップ部と共通シールド部で下
部磁極を構成し、上部記録チップ部とヨーク部で上部磁
極を構成する。下部及び上部記録チップ部は高Ｂｓ磁性
材、ヨーク部は高ρ磁性材、共通シールド部にはパーマ
ロイ等の磁性材を使用し、上部記録チップ部の長さを下
部記録チップ部の長さ（ヘッドギャップデプスと同じ）
より長くし、狭ヘッドトラック幅でもヨーク部との接触
領域を大きくできる構成とする。また、ギャップ部を介
して対向する上部及び下部記録チップ部を一括加工して
ヘッドトラック幅を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
（ＨＤＤ）等の磁気記録媒体に対して高密度の記録・再
生を行う装置に適用される薄膜磁気ヘッド及びその製造
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気ディスク装置等の磁気記録媒
体に対する記録容量の大容量化の必要性が増してきてお
り、高記録密度化への取り組みが強化されつつある。

【０００３】以下、従来の薄膜磁気ヘッドについて図面
を用いて説明する。

【０００４】例えば磁気ディスク装置（ＨＤＤ）におけ
る信号の記録再生に使用される薄膜磁気ヘッドは、図４
６に示すような所謂ＭＲインダクティブ複合ヘッドと呼
ばれているものが多い。下部シールド部４６０１上にＭ
Ｒ膜或いはＧＭＲ膜４６０２が形成され、その両側にハ
ード膜４６０３を形成し、更にその上面から後方に電極
４６０４が成膜形成されており、これらの第一の結合体
４６０５が磁気記録媒体に記録された信号を再生する役
目をなす再生部である。また、共通シールド部４６０６
と下部記録チップ部４６０７で形成される下部磁極と、
その上に絶縁層(図示せず)を介して巻線コイル４６０８
が形成され、上部記録チップ部４６０９とヨーク部４６
１０とからなる上部磁極が、ギャップ部４６１１を介し
て下部記録チップ部４６０７と上部記録チップ部４６０
９と対向するように構成された第二の結合体４６１２が
信号を磁気記録媒体に記録する役目をなす記録部であ
る。ここで、共通シールド部４６０６は記録部の下部磁
極の一部を構成すると共に、再生部のシールドとしての
役目も有するものであるため、共通シールドと呼ばれて
いる。

【０００５】更に、上述の第二の結合体４６１２である
記録部について、図４７を用いて説明する。共通シール
ド部４７０１の上に、スパッタリング法等の薄膜形成法
により、下部記録チップ部４７０２、ギャップ部４７０
３、上部記録チップ部４７０４、第一層目の巻線コイル
４７０５、第二層目の巻線コイル４７０６、ヨーク部４
７０７を順次積層して形成される。下部記録チップ部４
７０２と上部記録チップ部４７０４には高Ｂｓ磁性材
を、ヨーク部４７０７には高ρ磁性材を素材とすること
が一般的に多く、ギャップ部４７０３の素材はＳｉＯ₂
等の絶縁体であり、巻線コイル４７０５，４７０６は銅
等の導電材を素材としている。この巻線コイル４７０
５，４７０６が配設されている共通シールド部４７０１
とヨーク部４７０７の対向部分には絶縁材４７０８が充
填されている。巻線コイル４７０５，４７０６は後方部
で共通シールド部４７０１に接しているヨーク部４７０
７を周回するように巻かれており、記録時に巻線コイル
４７０５，４７０６に通電することによって、ギャップ
部４７０３の外側に磁界を発生させて磁気記録媒体に信
号を記録する。

【０００６】以下の記述において、前述の記録部を薄膜
磁気ヘッドと呼ぶことにする。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来構成の薄膜磁気ヘッドは、上部磁極を構成する上部記
録チップ部とヨーク部とはそのヘッドトラック幅とヘッ
ドギャップデプスの領域しか接触していないため、ヨー
ク部から上部記録チップ部に充分な磁束が供給されず、
上部記録チップ部及び下部記録チップ部のＢｓ（飽和磁
束密度）を大きくしても、磁気飽和の影響で記録磁界は
強くなりにくい。したがって、高記録密度化のために進
化してきた高Ｈｃ記録媒体に記録するには不十分な記録
磁界しか得られないという問題があった。一方で、高記
録密度を実現するために狭小なヘッドトラック幅にすれ
ば、上述の上部記録チップ部とヨーク部の接触領域が一
層小さくなり、更に記録磁界が弱まることになり、高Ｈ
ｃ記録媒体に対する有効性を一層弱体化するという課題
があった。

【０００８】本発明は、上記の課題を解決し、上部記録
チップ部とヨーク部との接触領域を大きくし、ヘッドト
ラック幅が狭小になっても、従来の薄膜磁気ヘッドより
も強い記録磁界を得て、記録効率を向上させ、高Ｈｃ記
録媒体に対しても充分対応でき、高記録密度の実現を図
ることができるようにすると共に、上部記録チップ部、
ギャップ部及び下部記録チップ部を一括加工することに
よって狭小なヘッドトラック幅を高精度に実現した薄膜
磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的とす
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の薄膜磁気ヘッドは、高Ｂｓ磁性層の下部記録
チップ部が先端部上面に成膜された共通シールド部と下
部記録チップ部とから成る下部磁極と、下部記録チップ
部の上面に成膜されたギャップ部と、下部記録チップ部
に対向し、ギャップ部を介して成膜された高Ｂｓ磁性層
の上部記録チップ部と、下部磁極と一部で接触し且つそ
の先端部で上部記録チップ部と連結された高ρ磁性層の
ヨーク部とから成る上部磁極と、下部磁極と上部磁極と
の接触部と上部記録チップ部との間の、下部磁極と上部
磁極の対向部分を通り、ヨーク部の後方部分を周回する
ように配設された巻線コイルとを備え、かつ、上部記録
チップ部の長さが下部記録チップ部の長さよりも長くな
るようにした構成を有している。

【００１０】この構成によって、高Ｂｓ磁性層で形成さ
れた上部記録チップ部の長さが下部記録チップ部の長さ
よりも長く構成されているので、上部記録チップ部とヨ
ーク部の接触領域を大きくすることができ、ヨーク部か
ら充分な磁束の供給がなされ、強い記録磁界を得ること
ができる。また、上部磁極のヨーク部を高ρ磁性層で形
成しているため、高周波数に対しても良好な特性が得ら
れる。

【００１１】また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、上部記
録チップ部との連結部におけるヨーク部の幅が、上部記
録チップ部と下部記録チップ部とで構成されるヘッドト
ラック幅よりも大きくなるようにした構成を有してい
る。

【００１２】この構成によって、高ρ磁性層で形成され
るヨーク部の幅は大きいため、ヨーク部先端の磁気飽和
は緩和され、ヨーク部先端まで多くの磁束が供給され、
上部記録チップ部を通して強い記録磁界を得ることがで
き、記録効率を向上させることができる。

【００１３】また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、上部記
録チップ部と連結されたヨーク部の先端の端面が、上部
記録チップ部の先端の端面よりも内側にあるようにした
構成を有している。

【００１４】この構成によって、ヘッドギャップ部で発
生するフリンジが抑止され、トラックピッチの狭小化を
可能にし、面記録密度を向上させることができる。

【００１５】また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、巻線コ
イルが配設される部分に凹部を有する共通シールド部か
らなる構成を有している。

【００１６】この構成によって、上部磁極と下部磁極で
構成される磁極のインダクタンスが小さくなり、高周波
数特性を向上させることができる。

【００１７】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、表面が滑らかな平面を有する共通シールド部の上面
に絶縁層を成膜する第１の工程と、第１の工程で成膜さ
れた絶縁層を削除されるべき端面の稜線が直線になるよ
うにドライエッチングにより削除し、共通シールド部の
上面を露出させる第２の工程と、露出した共通シールド
部と絶縁層の上面に下部高Ｂｓ磁性層を薄膜形成する第
３の工程と、共通シールド部の上面に薄膜形成された絶
縁層と下部高Ｂｓ磁性層の上面を、共通シールド部の上
面に平行に研磨する第４の工程と、更に、第４の工程で
研磨された下部高Ｂｓ磁性層と絶縁層の上にギャップ層
を積層成膜する第５の工程と、更に、ギャップ層の上面
に上部高Ｂｓ磁性層を積層成膜する第６の工程と、第２
の工程で削除された絶縁層の端面を構成する稜線に略垂
直な２つの平面上にあり且つ前記２つの平面の間隔を所
定のヘッドトラック幅となるように設定された左右側面
と、下部高Ｂｓ磁性層が成膜されている側にあり且つ左
右側面及び共通シールド部の上面に略垂直な平面上にあ
る前面と、絶縁層が成膜されている側にあり且つ共通シ
ールド部の上面に平行な平面との交線が前面と略平行な
平面上にある後面と、下部高Ｂｓ磁性層及び前記絶縁層
の下面と、上部高Ｂｓ磁性層の上面の６つの面で囲まれ
た立体物を形成するように、かつ立体物の一部を構成す
る下部高Ｂｓ磁性層及び絶縁層の下面の周囲の外側にあ
る平面は下部高Ｂｓ磁性層及び絶縁層の下面に接する共
通シールド部の上面と略同一平面上にある共通シールド
部の上面が露出するようにドライエッチングにて削除し
て、所定のヘッドトラック幅を一括形成する第７の工程
と、露出した共通シールド部の上面と、前記立体物の上
面、左右側面、前面及び後面とに下地絶縁層を成膜形成
する第８の工程と、立体物の上に積層された下地絶縁層
の上面の高さに略等しい厚みを有するように、立体物の
後部の共通シールド部の上に成膜された下地絶縁層の上
面に第一層目の巻線コイルをメッキ形成する第９の工程
と、第一層目の巻線コイルが完全に覆われるように下部
絶縁層を全面に成膜する第１０の工程と、共通シールド
部の上面に平行に、かつ前記立体物の一部を構成する上
部高Ｂｓ磁性層及び第一層目の巻線コイルが露出するよ
うに全体を平面研磨する第１１の工程と、第一層目の巻
線コイルの中心部に共通シールド部が露出するようにド
ライエッチングにより下部絶縁層及び下地絶縁層を削除
する第１２の工程と、露出している上部高Ｂｓ磁性層と
第１２の工程で露出された共通シールド部の露出部分は
その露出状態が保持され、かつ第一層目の巻線コイルの
最も内側にある巻線の上部に穴が設けられるようにフォ
トレジストを塗布して中間絶縁層を形成する第１３の工
程と、中間絶縁層の上面に、その最も内側の巻線が第一
層目の巻線コイルの内側の巻線の上に設けられた穴の上
にあるようにして第二層目の巻線コイルをメッキ形成す
る第１４の工程と、第二層目の巻線コイルを覆い、かつ
露出した上部高Ｂｓ磁性層及び共通シールド部の露出状
態は略保持されるようにしてフォトレジストを塗布して
上部絶縁層を形成する第１５の工程と、それらの上に高
ρ磁性層を成膜形成する第１６の工程と、高ρ磁性層の
上部高Ｂｓ磁性層に接する部分の幅は上部高Ｂｓ磁性層
の幅と略同等の幅とし、それより後方の幅は上部高Ｂｓ
磁性層よりも広い幅を有するようにドライエッチングに
より削り取ってヨーク部を形成する第１７の工程とを有
している。

【００１８】この方法によって、下部高Ｂｓ磁性層、ギ
ャップ層及び上部高Ｂｓ磁性層が順次積層成膜され、そ
れらが一括して加工されてヘッドトラック幅を形成する
ことになり、非常に高い精度で狭ヘッドトラック幅を得
ることができ、トラックピッチを狭小化することが可能
になり、面記録密度の向上に優れた効果が得られる。ま
た、下部高Ｂｓ磁性層と絶縁層が直列に配置され、その
上にギャップ層を介して上部高Ｂｓ磁性層が形成される
ので、下部高Ｂｓ磁性層よりも長い上部高Ｂｓ磁性層が
容易に作成することができ、ヨーク部との接触領域を大
きくして強い記録磁界を有する薄膜磁気ヘッドを作成す
ることができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、高Ｂｓ磁性層の下部記録チップ部が先端部上面に成
膜された共通シールド部と下部記録チップ部とから成る
下部磁極と、下部記録チップ部の上面に成膜されたギャ
ップ部と、下部記録チップ部に対向し、ギャップ部を介
して成膜された高Ｂｓ磁性層の上部記録チップ部と、下
部磁極と一部で接触し且つその先端部で上部記録チップ
部と連結された高ρ磁性層のヨーク部とから成る上部磁
極と、下部磁極と上部磁極との接触部と上部記録チップ
部との間の、下部磁極と上部磁極の対向部分を通り、ヨ
ーク部の後方部分を周回するように配設された巻線コイ
ルとを備え、かつ、前記上部記録チップ部の長さが下部
記録チップ部の長さよりも長いことを特徴としたもので
あり、高Ｂｓ磁性層で形成された上部記録チップ部の長
さが下部記録チップ部の長さよりも長く構成されている
ので、狭ヘッドトラック幅になっても上部記録チップ部
とヨーク部との接触領域を大きくすることができ、ヨー
ク部から充分なる磁束が供給され、強い記録磁界を得る
ことができる。また、上部磁極のヨーク部を高ρ磁性層
で形成しているため、高周波数に対しても良好な特性を
得ることができるという作用を有している。

【００２０】また、本発明の請求項２に記載の発明は、
請求項１のヨーク部において、上部記録チップ部との連
結部における前記ヨーク部の幅が、上部記録チップ部と
下部記録チップ部とで構成されるヘッドトラック幅より
も大きいことを特徴としたものであり、高ρ磁性層で形
成されるヨーク部先端の磁気飽和は緩和され、ヨーク部
先端まで多くの磁束が供給され、上部記録チップ部を通
して強い記録磁界を得ることができ、記録効率を向上さ
せることができる。

【００２１】また、本発明の請求項３に記載の発明は、
請求項１のヨーク部において、上部記録チップ部と連結
されたヨーク部の先端の端面が、上部記録チップ部の先
端の端面よりも内側にあることを特徴としたものであ
り、ヘッドギャップ部でのフリンジの発生を抑止し、ト
ラックピッチの狭小化を可能にし、面記録密度を向上さ
せる作用を有している。

【００２２】また、本発明の請求項４に記載の発明は、
請求項１の上部記録チップ部において、上部記録チップ
部の先端部はヘッドトラック幅を有し、上部記録チップ
部の後方部分ではヘッドトラック幅よりも大きな幅を有
することを特徴としたものであり、高ρ磁性層で形成さ
れるヨーク部と高Ｂｓ磁性層で形成される上部記録チッ
プ部との接触領域が大きくなり、ヨーク部から充分な磁
束の供給がなされ、強い記録磁界を得ることができ、記
録効率を向上させる作用を有している。

【００２３】また、本発明の請求項５に記載の発明は、
請求項１の下部記録チップ部において、共通シールド部
に接する下部記録チップ部の長さが、ギャップ部に接す
る下部記録チップ部の長さより小さいことを特徴とした
ものであり、下部記録チップ部の後方の端面は逆テーパ
ーとなる傾斜面となり、下部記録チップ部の傾斜面への
上部記録チップ部からの漏洩磁束は、下部記録チップ部
の後方の端面が垂直になっている場合よりも、小さくな
り、記録効率を向上させる作用を有する。

【００２４】また、本発明の請求項６に記載の発明は、
請求項１の下部記録チップ部において、下部記録チップ
部の先端部近傍ではヘッドトラック幅に等しい平行な直
線部を有し、先端部の逆の端部に向かって先細りになる
ように形成したことを特徴としたものであり、上部記録
チップ部と下部記録チップ部との間に生ずる磁束が下部
記録チップ部の幅の大きい側即ち対向する両記録チップ
部の先端部に集まり、先端部での記録磁界が強められ、
記録効率を向上させる作用を有している。

【００２５】また、本発明の請求項７に記載の発明は、
請求項１の共通シールド部において、巻線コイルが配設
される部分に凹部を有する共通シールド部を有すること
を特徴としたものであり、上部磁極と下部磁極で構成さ
れる磁極のインダクタンスが小さくなり、高周波数特性
を向上させる作用を有する。

【００２６】また、本発明の請求項８に記載の発明は、
請求項１の共通シールド部において、下部記録チップ部
に接する共通シールド部の面と、下部記録チップ部の左
右両側にある共通シールド部の面とに段差を設け、それ
ら２つの面を傾斜を有する面で夫々を連結したことを特
徴としたものであり、記録効率を高めて記録磁界を強め
る作用を有している。

【００２７】また、本発明の請求項９に記載の発明は、
表面が滑らかな平面を有する共通シールド部の上面に絶
縁層を成膜する第１の工程と、第１の工程で成膜された
絶縁層を削除されるべき端面の稜線が直線になるように
ドライエッチングにより削除し、共通シールド部の上面
を露出させる第２の工程と、露出した共通シールド部と
絶縁層の上面に下部高Ｂｓ磁性層を薄膜形成する第３の
工程と、共通シールド部の上面に薄膜形成された絶縁層
と下部高Ｂｓ磁性層の上面を、共通シールド部の上面に
平行に研磨する第４の工程と、更に、第４の工程で研磨
された下部高Ｂｓ磁性層と絶縁層の上にギャップ層を積
層成膜する第５の工程と、更に、ギャップ層の上面に上
部高Ｂｓ磁性層を積層成膜する第６の工程と、第２の工
程で削除された絶縁層の端面を構成する稜線に略垂直な
２つの平面上にあり且つ前記２つの平面の間隔を所定の
ヘッドトラック幅となるように設定された左右側面と、
下部高Ｂｓ磁性層が成膜されている側にあり且つ左右側
面及び共通シールド部の上面に略垂直な平面上にある前
面と、絶縁層が成膜されている側にあり且つ共通シール
ド部の上面に平行な平面との交線が前面と略平行な平面
上にある後面と、下部高Ｂｓ磁性層及び絶縁層の下面
と、上部高Ｂｓ磁性層の上面の６つの面で囲まれた立体
物を形成するように、かつ立体物の一部を構成する下部
高Ｂｓ磁性層及び絶縁層の下面の周囲の外側にある平面
は下部高Ｂｓ磁性層及び絶縁層の下面に接する共通シー
ルド部の上面と略同一平面上にある共通シールド部の上
面が露出するようにドライエッチングにて削除して、所
定のヘッドトラック幅を一括形成する第７の工程と、露
出した共通シールド部の上面と、立体物の上面、左右側
面、前面及び後面とに下地絶縁層を成膜形成する第８の
工程と、立体物の上に積層された下地絶縁層の上面の高
さに略等しい厚みを有するように、立体物の後部の共通
シールド部の上に成膜された下地絶縁層の上面に第一層
目の巻線コイルをメッキ形成する第９の工程と、第一層
目の巻線コイルが完全に覆われるように下部絶縁層を全
面に成膜する第１０の工程と、共通シールド部の上面に
平行に、かつ立体物の一部を構成する上部高Ｂｓ磁性層
及び第一層目の巻線コイルが露出するように全体を平面
研磨する第１１の工程と、第一層目の巻線コイルの中心
部に共通シールド部が露出するようにドライエッチング
により下部絶縁層及び下地絶縁層を削除する第１２の工
程と、露出している上部高Ｂｓ磁性層と第１２の工程で
露出された共通シールド部の露出部分はその露出状態が
保持され、かつ第一層目の巻線コイルの最も内側にある
巻線の上部に穴が設けられるようにフォトレジストを塗
布して中間絶縁層を形成する第１３の工程と、中間絶縁
層の上面に、その最も内側の巻線が第一層目の巻線コイ
ルの内側の巻線の上に設けられた穴の上にあるようにし
て第二層目の巻線コイルをメッキ形成する第１４の工程
と、第二層目の巻線コイルを覆い、かつ露出した上部高
Ｂｓ磁性層及び共通シールド部の露出状態は略保持され
るようにしてフォトレジストを塗布して上部絶縁層を形
成する第１５の工程と、それらの上に高ρ磁性層を成膜
形成する第１６の工程と、高ρ磁性層の前記上部高Ｂｓ
磁性層に接する部分の幅は上部高Ｂｓ磁性層の幅と略同
等の幅とし、それより後方の幅は上部高Ｂｓ磁性層より
も広い幅を有するようにドライエッチングにより削り取
ってヨーク部を形成する第１７の工程とを有することを
特徴としたものであり、ヘッドトラック幅として下部高
Ｂｓ磁性層に直列に位置した絶縁層と、ギャップ層と、
上部高Ｂｓ磁性層が同時に一括加工されるため、高密度
記録に必要な狭小のヘッドトラック幅を非常に精度良く
形成することができる。更に、ヨーク部から充分な磁束
が供給されるように、ヨーク部と上部高Ｂｓ磁性層との
接触領域を大きくすることができるように上部高Ｂｓ磁
性層の奥行き方向の長さは下部高Ｂｓ磁性層の長さ即ち
ヘッドギャップデプスよりも長くすることができ、高Ｈ
ｃ記録媒体に対応した効率の高い、強い磁界を有する薄
膜磁気ヘッドを作成することができる。また、上部磁極
を構成するヨーク部に高ρ磁性層を使用するため線記録
密度の向上に必要な高周波特性の向上を図ることもでき
る等々の効果が得られる薄膜磁気ヘッドを作成すること
ができるという作用を有している。

【００２８】また、本発明の請求項１０に記載の発明
は、請求項９の第１７の工程において、上部高Ｂｓ磁性
層に接する高ρ磁性層の幅が上部高Ｂｓ磁性層の幅より
も大きな幅を有するようにドライエッチングにより削除
してヨーク部を形成する第１７の工程を有することを特
徴としたものであり、ヨーク部と上部高Ｂｓ磁性層の接
触領域が大きくなり、ヨーク部から充分な磁束が供給さ
れて強い磁界が得られ、記録効率の高い薄膜磁気ヘッド
を作成することができるという作用を有している。

【００２９】また、本発明の請求項１１に記載の発明
は、請求項９の第１７の工程において、高ρ磁性層の前
部端面が、下部高Ｂｓ磁性層の前面と下部高Ｂｓ磁性層
が絶縁層に接する面との間にあり、かつ高ρ磁性層の上
部高Ｂｓ磁性層に接する部分は上部高Ｂｓ磁性層の幅と
略同等の幅とし、それより後方の幅は上部高Ｂｓ磁性層
よりも広い幅を有するようにドライエッチングにより削
除してヨーク部を形成する第１７の工程を有することを
特徴としたものであり、フリンジを減少させることがで
き、サイドイレーズ幅が小さくなり、記録トラックピッ
チを狭小化させる効果を有する薄膜磁気ヘッドを作成す
ることができるという作用を有している。

【００３０】また、本発明の請求項１２に記載の発明
は、請求項９の第１７の工程において、高ρ磁性層の前
部端面が、下部高Ｂｓ磁性層の前面と下部高Ｂｓ磁性層
が絶縁層に接する面との間にあり、かつ上部高Ｂｓ磁性
層に接する高ρ磁性層の幅が上部高Ｂｓ磁性層よりも広
い幅を有するようにドライエッチングにより削除してヨ
ーク部を形成する第１７の工程を有することを特徴とし
たものであり、ヨーク部先端の磁気飽和は緩和され、ヨ
ーク部先端まで多くの磁束が供給され、上部記録チップ
部を通して強い記録磁界を得ることができ、しかもフリ
ンジを減少させ、記録効率が良く、狭トラックピッチで
記録密度を向上させ得る薄膜磁気ヘッドを作成すること
ができるという作用を有している。

【００３１】また、本発明の請求項１３に記載の発明
は、請求項９の第７の工程において、第２の工程で削除
された絶縁層の端面を構成する稜線に略垂直な２つの平
面上にあり且つ前記２つの平面の間隔を所定のヘッドト
ラック幅となるように設定された第１の左右側面と、そ
の間隔が前記ヘッドトラック幅よりも広い幅を有する第
２の左右側面と、下部高Ｂｓ磁性層が成膜されている側
にあり且つ前記第１の左右側面及び共通シールド部に略
垂直な平面上にある前面と、絶縁層が成膜されている側
にあり且つ前記共通シールド部の上面に平行な平面との
交線が前面に略平行な平面上にある後面と、第１の左右
側面と第２の左右側面とを夫々つなぐ左右中間面と、下
部高Ｂｓ磁性層及び絶縁層の下面と、上部高Ｂｓ磁性層
の上面の１０面で囲まれ、かつ共通シールド部の上面と
平行な断面が略凸形形状を有する立体物を形成するよう
に、かつ立体物の一部を構成する下部高Ｂｓ磁性層及び
絶縁層の下面の周囲の外側にある平面は共通シールド部
の上面が露出するようにドライエッチングにて削除し
て、所定のヘッドトラック幅を一括形成する第７の工程
を有することを特徴としたものであり、ヘッドトラック
幅を一括加工して形成するので、狭ヘッドトラック幅で
も精度高く加工することができ、面記録密度を向上させ
ることができ、一方、上部高Ｂｓ磁性層とヨーク部の接
触領域を大きくすることができ、ヨーク部から充分な磁
束が効率良く供給され、強い磁界を発生させることがで
きる。また、狭ヘッドトラック幅にしてもヘッドギャッ
プデプスを長くすることなく上部高Ｂｓ磁性層を長くす
ることができ、大きな接触領域が得られる作用を有す
る。

【００３２】また、本発明の請求項１４に記載の発明
は、請求項９の第７の工程において、第２の工程で削除
された絶縁層の端面を構成する稜線に略垂直な２つの平
面上にあり且つ２つの平面の間隔を所定のヘッドトラッ
ク幅となるように設定された左右側面と、下部高Ｂｓ磁
性層が成膜されている側にあり且つ共通シールド部に略
垂直な平面上にある前面と、絶縁層が成膜されている側
にあり且つ共通シールド部の上面に平行な平面との交線
が前面と略平行な平面上にある後面と、下部高Ｂｓ磁性
層及び絶縁層の下面と、上部高Ｂｓ磁性層の上面の６つ
の面で囲まれた立体物を形成するように、かつ前記立体
物の一部を構成する前記下部高Ｂｓ磁性層及び前記絶縁
層の下面の周囲の外側にある平面は前記共通シールド部
の上面が露出し、かつ前記後面を含む平面と前記下部高
Ｂｓ磁性層及び前記絶縁層の下面に接する前記共通シー
ルド部の上面である第１の平面との交線より後方の部分
の前記共通シールド部の上面である第２の平面は第１の
平面に対して段差を持たせるように掘り込まれ、第１の
平面より低い位置に第２の平面があるようにドライエッ
チングにて削除し、前記所定のヘッドトラック幅を一括
形成する第７の工程を有することを特徴としたものであ
り、ヘッドトラック幅を一括して加工するので、高い精
度でヘッドトラック幅を形成することができ、面記録密
度を向上させると共に、磁極のインダクタンスが小さく
なり高周波数特性を向上させた薄膜磁気ヘッドを作成す
ることができるという作用を有する。

【００３３】また、本発明の請求項１５に記載の発明
は、請求項９の第７の工程において、第２の工程で削除
された絶縁層の端面を構成する稜線に略垂直な２つの平
面上にあり且つ２つの平面の間隔を所定のヘッドトラッ
ク幅となるように設定された第１の左右側面と、その間
隔がヘッドトラック幅よりも広い幅を有する第２の左右
側面と、下部高Ｂｓ磁性層が成膜されている側にあり且
つ第１の左右側面及び共通シールド部に略垂直な平面上
にある前面と、絶縁層が成膜されている側にあり且つ共
通シールド部の上面に平行な平面との交線が前面と略平
行な平面上にある後面と、第１の左右側面と第２の左右
側面とを夫々つながぐ左右中間面と、下部高Ｂｓ磁性層
及び絶縁層の下面と、上部高Ｂｓ磁性層の上面の１０面
で囲まれ、かつ共通シールド部の上面と平行な断面が略
凸形形状を有する立体物を形成するように、かつ立体物
の一部を構成する下部高Ｂｓ磁性層及び絶縁層の下面の
前、左及び右の外側にある平面は共通シールド部の上面
が露出し、かつ後面を含む平面と下部高Ｂｓ磁性層及び
絶縁層の下面に接する共通シールド部の上面である第１
の平面との交線より後方の部分にある共通シールド部の
上面である第２の平面は第１の平面に対して段差を持た
せるように掘り込まれ、第２の平面が第１の平面より低
い位置にあるようにドライエッチングにて削除し、所定
のヘッドトラック幅を一括形成する第７の工程を有する
ことを特徴としたものであり、ヘッドトラック幅を一括
して加工するので、高い精度でヘッドトラック幅を形成
することができ、面記録密度を向上させることができ
る。また、上部高Ｂｓ磁性層の後方部分はヘッドトラッ
ク幅よりも広く形成されているので、ヨーク部との接触
領域が大きくなり、ヨーク部から充分に磁束の供給を受
けて強い磁界が得られると共に、磁極のインダクタンス
が小さくなり高周波数特性を向上させた薄膜磁気ヘッド
を作成することができるという作用を有する。

【００３４】また、本発明の請求項１６に記載の発明
は、請求項９の第７の工程において、第２の工程で削除
された絶縁層の端面を構成する稜線に略垂直な２つの平
面上にあり且つ２つの平面の間隔を所定のヘッドトラッ
ク幅となるように設定された左右側面と、下部高Ｂｓ磁
性層が成膜されている側にあり且つ左右側面及び共通シ
ールド部に垂直な平面上にある前面と、絶縁層が成膜さ
れている側にあり且つ共通シールド部の上面に平行な平
面との交線が前面と略平行な平面上にある後面と、下部
高Ｂｓ磁性層及び前記絶縁層の下面と、上部高Ｂｓ磁性
層の上面の６つの面で囲まれた立体物を形成するよう
に、かつ立体物の一部を構成する下部高Ｂｓ磁性層及び
絶縁層の下面に接する共通シールド部の上面である第１
の平面と立体物の一部を構成する下部高Ｂｓ磁性層及び
絶縁層の下面の前、左及び右の外側にある共通シールド
部の上面である第３の平面とに段差を設け、且つ第１の
平面が第３の平面よりも高い位置にあるようにし、第１
の平面と第３の平面とを傾斜のある面でつなぐようにド
ライエッチングによって削除し、所定のヘッドトラック
幅を一括形成する第７の工程を有することを特徴とした
ものであり、ヘッドトラック幅を一括して加工するの
で、高い精度でヘッドトラック幅を形成することがで
き、面記録密度を向上させ、また強い記録磁界を有する
薄膜磁気ヘッドを作成することができるという作用を有
している。

【００３５】また、本発明の請求項１７に記載の発明
は、請求項９の第７の工程において、第２の工程で削除
された絶縁層の端面を構成する稜線に略垂直な２つの平
面上にあり且つ２つの平面の間隔を所定のヘッドトラッ
ク幅となるように設定された第１の左右側面と、その間
隔がヘッドトラック幅よりも広い幅を有する第２の左右
側面と、下部高Ｂｓ磁性層が成膜されている側にあり且
つ第１の左右側面及び共通シールド部に略垂直な平面上
にある前面と、絶縁層が成膜されている側にあり且つ共
通シールド部の上面に平行な平面との交線が前面と略平
行な平面上にある後面と、第１の左右側面と第２の左右
側面とを夫々つながぐ左右中間面と、下部高Ｂｓ磁性層
及び前記絶縁層の下面と、上部高Ｂｓ磁性層の上面の１
０面で囲まれ、かつ共通シールド部の上面と平行な断面
が略凸形形状を有する立体物を形成するように、かつ立
体物の一部を構成する下部高Ｂｓ磁性層及び絶縁層の下
面に接する共通シールド部の上面である第１の平面と立
体物の一部を構成する下部高Ｂｓ磁性層及び絶縁層の下
面の前、左及び右の外側にある第３の平面とに段差を設
け、かつ第１の平面が第３の平面よりも高い位置にある
ようにし、第１の平面と第３の平面とを傾斜のある面で
つなぐようにドライエッチングによって削除し、所定の
ヘッドトラック幅を一括形成する第７の工程を有するこ
とを特徴としたものであり、ヘッドトラック幅を一括し
て加工するので、高い精度でヘッドトラック幅を形成す
ることができ、面記録密度を向上させることができる。
また、上部高Ｂｓ磁性層の後方部分はヘッドトラック幅
よりも広く形成されているので、ヨーク部との接触領域
が大きくなり、ヨーク部から充分に磁束の供給を受けて
強い磁界が得られる薄膜磁気ヘッドを作成できるという
作用を有している。

【００３６】また、本発明の請求項１８に記載の発明
は、請求項９の第７の工程において、第２の工程で削除
された絶縁層の端面を構成する稜線に略垂直な２つの平
面上にあり且つ２つの平面の間隔を所定のヘッドトラッ
ク幅となるように設定された左右側面と、下部高Ｂｓ磁
性層が成膜されている側にあり且つ左右側面及び共通シ
ールド部に略垂直な平面上にある前面と、絶縁層が成膜
されている側にあり且つ共通シールド部の上面に平行な
平面との交線が前面と略平行な平面上にある後面と、下
部高Ｂｓ磁性層及び絶縁層の下面と、上部高Ｂｓ磁性層
の上面の６つの面で囲まれた立体物を形成するように、
かつ立体物の一部を構成する下部高Ｂｓ磁性層及び絶縁
層の下面と接する共通シールド部の上面である第１の平
面と後面を含む平面との交線より後方の部分は共通シー
ルド部が掘り込まれて、第１の平面より低い位置にある
ように第１の段差を設けて第２の平面を形成するように
し、且つ第１の平面と立体物の一部を構成する下部高Ｂ
ｓ磁性層及び絶縁層の下面の前、左及び右の外側にある
第３の平面とに第２の段差を設け、第１の平面と第３の
平面とを傾斜面でつなぐようにドライエッチングにより
削除し、所定のヘッドトラック幅を一括形成する第７の
工程を有することを特徴としたものであり、ヘッドトラ
ック幅を一括して加工するので、高い精度でヘッドトラ
ック幅を形成することができ、面記録密度を向上させる
と共に、磁極のインダクタンスが小さくなり高周波数特
性を向上させた薄膜磁気ヘッドを作成することができる
という作用を有する。

【００３７】また、本発明の請求項１９に記載の発明
は、請求項９の第７の工程において、第２の工程で削除
された絶縁層の端面を構成する稜線に略垂直な２つの平
面上にあり且つ２つの平面の間隔を所定のヘッドトラッ
ク幅となるように設定された第１の左右側面と、その間
隔が前記ヘッドトラック幅よりも広い幅を有する第２の
左右側面と、下部高Ｂｓ磁性層が成膜されている側にあ
り且つ第１の左右側面及び共通シールド部に略垂直な平
面上にある前面と、絶縁層が成膜されている側にあり且
つ共通シールド部の上面に平行な平面との交線が前面と
略平行な平面上にある後面と、第１の左右側面と第２の
左右側面とを夫々つながぐ左右中間面と、下部高Ｂｓ磁
性層及び絶縁層の下面と、上部高Ｂｓ磁性層の上面の１
０面で囲まれ、かつ共通シールド部の上面と平行な断面
が略凸形形状を有する立体物を形成するように、かつ立
体物の一部を構成する下部高Ｂｓ磁性層及び絶縁層の下
面に接する共通シールド部の上面である第１の平面と後
面を含む平面との交線より後方の部分は共通シールド部
が掘り込まれて、第１の平面より低い位置にあるように
第１の段差を設けて第２の平面を形成するようにし、か
つ第１の平面と立体物の一部を構成する下部高Ｂｓ磁性
層及び絶縁層の下面の前、左及び右の外側にある第３の
平面とに第２の段差を設け、かつ第１の平面が第２の平
面よりも高い位置にあるようにし、第１の平面と第３の
平面とを傾斜面でつなぐようにドライエッチングにより
削除し、所定のヘッドトラック幅を一括形成する第７の
工程を有することを特徴としたものであり、ヘッドトラ
ック幅を一括して加工するので、高い精度でヘッドトラ
ック幅を形成することができ、面記録密度を向上させる
ことができる。また、上部高Ｂｓ磁性層の後方部分はヘ
ッドトラック幅よりも広く形成されているので、ヨーク
部との接触領域が大きくなり、ヨーク部から充分に磁束
の供給を受けて強い磁界が得られると共に、磁極のイン
ダクタンスが小さくなり高周波数特性を向上させた薄膜
磁気ヘッドを作成することができるという作用を有す
る。

【００３８】また、本発明の請求項２０に記載の発明
は、請求項９の第２の工程において、第１の工程で成膜
された絶縁層を削除されるべき端面の稜線が直線になる
ように、且つ絶縁層の削除されるべき端面が共通シール
ド部の上面に対して傾斜した面になるようにドライエッ
チングによって削除し、共通シールド部の上面を露出さ
せる第２の工程を有することを特徴としたものであり、
絶縁層の前方に直列に並び絶縁層の前方の端面に接する
下部高Ｂｓ磁性層の後部の端面は逆テーパーを有するこ
とに成り、下部高Ｂｓ磁性層の後部端面と上部高Ｂｓ磁
性層との間に生ずる漏洩磁束を減少させ、記録効率を向
上させる薄膜磁気ヘッドを作成することができるという
作用を有する。

【００３９】また、本発明の請求項２１に記載の発明
は、請求項９の第２の工程において、絶縁層の削除され
るべき端面の稜線の一部に所定のヘッドトラック幅に略
等しい幅の開口部を有し、先細りになったＶ字状の形状
の削除されるべき部分を有するように、第１の工程で成
膜された絶縁層をドライエッチングによって削除し、共
通シールド部をＶ字状形状の部分を含めて露出させる第
２の工程を有することを特徴としたものであり、下部高
Ｂｓ磁性層はその先端部がヘッドトラック幅を有し、そ
れと逆の方向即ち奥の方向の部分では先細りになってい
る５角形の形状となり、先端部での幅が広くなっている
ことによってその先端部で磁束を強めることになり、記
録効率のよい薄膜磁気ヘッドを作成することことができ
るという作用を有している。

【００４０】また、本発明の請求項２２に記載の発明
は、請求項９の第２の工程において、絶縁層の削除され
るべき端面の稜線の一部に所定のヘッドトラック幅に略
等しい幅の開口部を有し、先細りになったＶ字状の形状
の削除されるべき部分を有するように、かつ絶縁層の削
除されるべき端面が少なくともＶ字状形状の部分におい
て共通シールド部の上面に対して傾斜した面になるよう
に第１の工程で成膜された絶縁層をドライエッチングに
よって削除し、共通シールド部を前記Ｖ字状形状の部分
を含めて露出させる第２の工程を有することを特徴とし
たものであり、下部高Ｂｓ磁性層はその先端部がヘッド
トラック幅を有し、それと逆の方向即ち奥の方向の部分
では先細りになっている５角形の形状となり、先端部で
の幅が広くなっていることによってその先端部で磁束を
強めることになり、記録効率のよい薄膜磁気ヘッドが作
成されることになる。また、絶縁層の前方の端面に接し
て、その前方に下部高Ｂｓ磁性層が直列に並んだ形にな
り、絶縁層の端面に接している下部高Ｂｓ磁性層の後部
端面は、絶縁層の端面に接しているところで逆テーパー
を有する端面となり、下部高Ｂｓ磁性層の後部端面と上
部高Ｂｓ磁性層との間に生ずる漏洩磁束を減少させ、記
録効率を向上させる薄膜磁気ヘッドを作成することがで
きるという作用を有している。

【００４１】また、本発明の請求項２３に記載の発明
は、請求項９〜請求項２２のいずれかに記載の製造方法
によって作成されたことを特徴としたものであり、上部
磁極を上部高Ｂｓ磁性層と高ρ磁性層で形成されるヨー
ク部で構成し、一方の下部磁極を下部高Ｂｓ磁性層とパ
ーマロイ等の磁性層で形成された共通シールド部で構成
しており、更に上部高Ｂｓ磁性層の長さを下部高Ｂｓ磁
性層の長さ即ちヘッドギャップデプスよりも長くしたこ
とによって、強い磁界を発生させ、また、上部高Ｂｓ磁
性層との接触部におけるヨーク部の幅を広くしたり、或
いは、上部高Ｂｓ磁性層の形状を後方部分でヘッドトラ
ック幅よりも広くして、上部磁極を構成するヨーク部と
上部高Ｂｓ磁性層の接触領域を大きくすることによっ
て、ヨーク部から充分な磁束が供給されて強い記録磁界
を得、狭ヘッドトラック幅にしても上部高Ｂｓ磁性層の
長さを長くすることでヨーク部との接触領域を大きく保
つことができ、また、ヘッドトラック幅を一括加工によ
って形成することができ、狭ヘッドトラック幅でも精度
良く形成される等の効果を得る作用を有している。

【００４２】以下、本発明の実施の形態について、図面
を用いて説明する。

【００４３】（実施の形態１）図１及び図２は、本発明
の実施の形態１を示す薄膜磁気ヘッドの構成概要図で、
図１は薄膜磁気ヘッドの中央断面図であり、図２は薄膜
磁気ヘッドを一部断面にした斜視図である。

【００４４】図１において、パーマロイ或いはＣｏ系ア
モルファス等を素材とする共通シールド部１の先端部上
面に、Ａｌ₂Ｏ₃或いはＳｉＯ₂等を素材とする前部絶縁
層２とＦｅＮ等を素材とする高Ｂｓ磁性層の下部記録チ
ップ部３とを順次成膜形成し、前記共通シールド部１と
前記下部記録チップ部３とで下部磁極を構成する。前記
前部絶縁層２と前記下部記録チップ部３との上面にＡｌ
₂Ｏ₃或いはＳｉＯ₂等を素材とするギャップ部４を形成
し、更に前記ギャップ部４の上面にＦｅＮ等を素材とす
る高Ｂｓ磁性層の上部記録チップ部５を前記下部記録チ
ップ部３に対向するように形成する。更に、銅或いはＡ
ｌ等を素材とする第一層目の巻線コイル６、第二層目の
巻線コイル７を形成する。ＦｅＭｇＯ等を素材とする高
ρ磁性層のヨーク部８はその先端部で前記上部記録チッ
プ部５と連結し、他方で前記共通シールド部１に接触し
ており、前記記録チップ部５と前記ヨーク部８とで上部
磁極を構成する。更に前記共通シールド部１に接触する
部分の近傍で前記第一層目の巻線コイル６と前記第二層
目の巻線コイル７がヨーク部８を周回するように形成さ
れている。前記共通シールド部１と前記ヨーク部８が対
向し、前記第一層目の巻線コイル６及び前記第二層目の
巻線コイル７が配設された部分にはＡｌ₂Ｏ₃或いはＳｉ
Ｏ₂等を素材とする絶縁体９が充填されている。

【００４５】図２の斜視図に示されるように、前記ヨー
ク部８は前記上部記録チップ部５と連結される先端部に
おいて前記上部記録チップ部５と前記下部記録チップ部
３で構成されるヘッドトラック幅２０と略同じ幅を有
し、前記上部記録チップ部５と接する部分より後方では
前記ヘッドトラック幅２０よりも大きな幅を有するよう
にしてあり、前記第一層目の巻線コイル６及び第二層目
の巻線コイル７による磁束を有効に発生させることがで
きる。

【００４６】また、前記上部記録チップ部５の奥行き方
向の長さ１１は前記下部記録チップ３の奥行き（以下、
ヘッドギャップデプス１０）よりも長くしている。

【００４７】以上のように本実施の形態によれば、前記
上部記録チップ部５の長さをヘッドギャップデプス１０
よりも長くしているため、高Ｂｓ磁性層の前記上部記録
チップ部５とヨーク部８の接触領域が大きくなり、ヨー
ク部８から充分な磁束が供給されることになり、強い記
録磁界が得られる。また、前記ヘッドトラック幅２０を
狭ヘッドトラック幅になるようにしても、前述の接触領
域を大きくすることができ、強い磁界を確保できる。ま
た、前記ヨーク部８は高ρ磁性層で形成されているた
め、高周波数特性は改善され、線記録密度の向上に効果
を発揮する。

【００４８】また、前記共通シールド部１上に前記前部
絶縁層２、前記下部記録チップ部３、前記ギャップ部
４、前記上部記録チップ部５を順次成膜した後、ドライ
エッチングにより一括して加工することにより、ヘッド
トラック幅２０は狭小な幅であっても非常に精度良く形
成することができるという優れた効果がある。

【００４９】また、図３に薄膜磁気ヘッドの先端部の主
要部の概略斜視図を示すように、ヨーク部３１の幅３４
がヘッドトラック幅２０より大きく形成することによっ
て、ヨーク部３１の先端まで高磁束が供給され、高Ｂｓ
磁性層の前記上部記録チップ部５により強い磁界を発生
させることになる。

【００５０】尚、図２におけるヨーク部８或いは図３に
おけるヨーク部３１の後方部の両側面２１と２２或いは
３２と３３は夫々略平行な面に描かれているが、平行な
面に限ることはなく、前記ヘッドトラック幅２０よりそ
の幅が大きければ良い。

【００５１】また、図４にヨーク部と上部記録チップ部
の連結部分の概要断面図を示すように、ヨーク部４１の
先端部の端面４２を前記上部記録チップ部５の先端部の
端面４３に対し後部内側に位置するように設けることに
よって、フリンジが小さくなり、記録できるトラックピ
ッチを小さくすることができ、面記録密度の向上を図る
ことができる。

【００５２】（実施の形態２）図５〜図７は本発明の実
施の形態２を示す薄膜磁気ヘッドの共通シールド部、下
部記録チップ部、ギャップ部及び上部記録チップ部の形
状概略構成斜視図及び部分構成断面図である。図５は主
に下部記録チップ部と上部記録チップ部の形状を示す概
略斜視図であり、図６は図５の要素で構成される部分断
面図、図７は上部記録チップ部の他の形状を示す図であ
る。

【００５３】図６において、前部絶縁層５２の前に前記
前部絶縁層５２と夫々の端面同士が接するように下部記
録チップ部５３が成膜形成され、その上にギャップ部５
４が積層成膜され、更にその上に上部記録チップ部５５
が積層成膜されるのは前述の実施の形態１と同じであ
る。次に、ヘッドトラック幅５６を形成する際に、その
先端部では所定の前記ヘッドトラック幅５６になり、か
つその後方部では前記ヘッドトラック幅５６よりも大き
な幅５７になるようにドライエッチングによって削除
し、図５の斜視図に示されるように前記上部記録チップ
部５５は凸形の形状になるように形成される。その他の
構成は前述の実施の形態１と同じである。

【００５４】以上のように本実施の形態によれば、狭ヘ
ッドトラック幅に形成しても前記上部記録チップ部とヨ
ーク部の接触領域を大きくすることができ、前述の実施
の形態１と同様に強い磁界が得られることになる。

【００５５】尚、図７に斜視図で示すように、ヘッドト
ラック幅５６から後方の幅５７に至る部分は面７１およ
び７２のように斜めに形成しても良い。また、図８
（ａ）に示すように前記ヘッドトラック幅５６の後方の
幅の広い部分の側面８１及び８２は平行な平面である必
要はない。また、図８（ｂ）に示すように、ヘッドトラ
ック幅５６から後方の部分は面８３、面８４及び面８５
で囲むようにして後方の幅を広げただけのものにしても
良い。

【００５６】（実施の形態３）図９は本発明の実施の形
態３を示す薄膜磁気ヘッドの先端部の断面図である。図
９に示すように、前部絶縁層９２が前記共通シールド部
１に成膜され、ドライエッチング等で端部が傾斜面９３
で示されるように前記共通シールド部１に対して傾斜さ
せて削除され、その傾斜面９３に接して、かつその前方
に下部記録チップ部９４が形成される。その上にギャッ
プ部４が積層され、更にその上に上部記録チップ部５が
成膜形成される。ヨーク部８、巻線コイル６および７、
絶縁体９については前述の実施の形態１と同じ構成及び
素材で形成されている。図９に示されるように、前記下
部記録チップ部９４は前記共通シールド部１に接する面
の長さ９６が前記ギャップ部４に接する面の長さ９７よ
りも短く、前記傾斜面９３に接する前記下部記録チップ
部９４の端面は逆テーパーになった面となる。

【００５７】本実施の形態の構成によれば、前記下部記
録チップ部９４の傾斜面９３への前記上部記録チップ部
５からの漏洩磁束９５は、前記下部記録チップ部９４と
前記前部絶縁層９２の当接面が垂直になっている場合よ
りも、小さくなり、記録効率が向上することになる。前
述の実施の形態１及び２と同じ効果が得られることはい
うまでもない。

【００５８】（実施の形態４）図１０は本発明の実施の
形態４を示す図であり、前部絶縁層が成膜され、下部記
録チップ部の成膜のためにドライエッチング等によって
その前方が削り取られた状態を示す斜視図である。図１
０について説明する。前記共通シールド部１の上面に前
記前部絶縁層１０２が成膜され、次に図１１で示される
前記下部記録チップ部１１３が成膜されるようにその前
方がドライエッチング等で削除され、かつ、形成される
べき前記下部記録チップ部に接する面１０５にヘッドト
ラック幅と略等しい幅１０３の開口部１０４を持ち、そ
の内側（前記下部記録チップ部が形成される側と逆の方
向）に先細りとなったＶ字状の形状の切り込みが設けら
れるように同時に削除される。次に、図１１に示すよう
に、前記Ｖ字状の形状を含む削除部分に前記下部記録チ
ップ部１１３が成膜され、その上面を研磨し、更にその
上面にギャップ部４及び上部記録チップ部５を積層成膜
し、ヘッドトラック幅１１４を一括加工して形成する
と、前記下部記録チップ部１１３の形状は破線で示すよ
うな先端部ではヘッドトラック幅に略等しい間隔の平行
部を有し、他方の先端部とは逆の方の端部では先細りに
なったＶ字状の形状の５角形となる。

【００５９】以上のように本実施の形態によれば、上部
記録チップ部５と下部記録チップ部１１３との間に生ず
る磁束が下部記録チップ部１１３の幅の大きい側即ち対
向する両記録チップ部の先端部に集まり、先端部での記
録磁界が強められるという効果が得られ、かつ狭小なヘ
ッドトラック幅を精度良く一括加工でき、前述の実施の
形態１と同じ効果が得られる。

【００６０】(実施の形態５)図１２は本発明の実施の形
態５を示す薄膜磁気ヘッドの先端部分の概略断面図であ
る。前部絶縁層２及び下部記録チップ部３の下面に接す
る共通シールド部１２１の上面１２２に対して、その後
方の巻線コイル６及び７が配設される部分の下方の前記
共通シールド部１２１の上面１２３が下の位置にあるよ
うに段差を持たせ、前記共通シールド部１２１に凹部を
形成する。ギャップ部４、上部記録チップ部５、ヨーク
部８、絶縁体９については前述の実施の形態１と同じで
ある。

【００６１】以上のように本実施の形態によれば、下部
記録チップ部３と共通シールド部１２１からなる下部磁
極と、上部記録チップ部５とヨーク部８からなる上部磁
極で構成される磁路のインダクタンスが小さくなり、高
周波特性の向上が図ることができる。また、前述の実施
の形態１と同じ効果を有することはいうまでもない。

【００６２】また、図１３に先端部の斜視図を示すよう
に、前部絶縁層２及び下部記録チップ部３の下面に接す
る共通シールド部１３１の上面１３２と前記絶縁層２及
び前記下部記録チップ部３の下面の周囲の外側にある前
記共通シールド部１３１の上面１３３とに段差を設け、
前記上面１３２と他の前記上面１３３とを傾斜面１３４
及び１３５で連結する。ギャップ部４、上部記録チップ
部５、巻線コイル（図示せず）、絶縁体（図示せず）、
ヨーク部の構成と夫々の素材については前述の実施の形
態と同じである。尚、前記傾斜面１３４及び１３５は図
に示すような平面でなく、Ｒその他の曲面で連結しても
よい。このような構成においても、前述の実施の形態１
と同じ効果を有する。

【００６３】尚、前述の実施の形態１〜５において、図
４８にその断面図を示すように、上部記録チップ部４８
１の長さをヘッドギャップデプス１０よりも長く、かつ
絶縁体９の傾斜部４８２及びヨーク部４８３の共通シー
ルド部１と対向する部分４８４に及ぶ部分まで長くして
も、その効果は前述の実施の形態１〜５と同じ効果が得
られることはいうまでもない。

【００６４】（実施の形態６）図１４〜図３４は本発明
の実施の形態６を説明する薄膜磁気ヘッドの製造工程を
示す図である。以下、図１４〜図３４を用いて薄膜磁気
ヘッドの製造方法を各製造工程順に説明する。

【００６５】第１工程として、図１４に示すように、パ
ーマロイ或いはＣｏ系アモルファス等を素材とし、滑ら
かな表面を持つ共通シールド部１４１の上面にＡｌ₂Ｏ₃
或いはＳｉＯ₂等を素材とする絶縁層１４２をスパッタ
リング法等の薄膜形成法により成膜する。

【００６６】次に、第２の工程として、図１５に示すよ
うに、前記第１の工程で前記共通シールド部１４１の上
面に成膜された絶縁層１４２の前部１５１を、その稜線
１５３が直線になるように、ドライエッチング等の方法
により削除し、前記共通シールド部１４１を露出させ
る。図１５の破線で示された部分１５２が第２の工程で
削除された部分を示す。

【００６７】次に、第３の工程として、図１６に示すよ
うに、更に上面全体をＦｅＮ等を素材とする下部高Ｂｓ
磁性層１６３を前記絶縁層と同じ厚さになるようにスパ
ッタリング法等の薄膜形成法によって形成する。

【００６８】次に、第４の工程として、図１７に示すよ
うに、前記共通シールド部１４１上に成膜された前記絶
縁層１４２および前記下部高Ｂｓ磁性層１６３の上面を
前記共通シールド部１４１の上面に平行になるように、
ＣＭＰ等の方法により研磨する。研磨後の上面１７１が
前記共通シールド部１４１の上面に平行で、前記絶縁層
１４２の前に前記下部高Ｂｓ磁性層１６３が直列に並ん
だ形のものを得る。

【００６９】次に、第５の工程として、図１８に示すよ
うに、更に上面１７１全体を覆うようにＡｌ₂Ｏ₃或いは
ＳｉＯ₂等を素材とするギャップ層１８４をスパッタリ
ング等によって積層成膜する。

【００７０】次に、第６の工程として、図１９に示すよ
うに、ＦｅＮ等を素材とする上部高Ｂｓ磁性層１９５を
スパッタリング法等の薄膜形成法によって積層成膜す
る。

【００７１】次に、第７の工程として、図２０に示すよ
うに、前記第２の工程で削除された前記絶縁層の端面を
構成する稜線即ち前記下部高Ｂｓ磁性層１６３と前記絶
縁層１４２の夫々の上面が接する稜線１５３（紙面では
隠れている線）に略垂直な２つの平面上にあり、かつそ
の２つの平面の間隔が所定のヘッドトラック幅２０４に
なるように設定された左右側面２０１及び２０２と、前
記稜線１５３に対して前方の前記下部高Ｂｓ磁性層１６
３が成膜されている側にあり且つ前記左右側面２０１，
２０２及び前記共通シールド部１４１の上面に略垂直な
平面上にある前面２０６と、前記稜線１５３に対して後
方の前記絶縁層１４２が成膜されている側にあり且つ前
記共通シールド部１４１の上面に平行な平面との交線が
前記前面２０６と略平行な平面上にある後面２０３と、
直列に並んだ前記下部高Ｂｓ磁性層１６３及び前記絶縁
層１４２の下面と、前記上部高Ｂｓ磁性層１９５の上面
の６つの面で囲まれた立体物２０７を形成するように、
また前記立体物２０７の一部を構成する直列に並んだ前
記下部高Ｂｓ磁性層１６３及び前記絶縁層１４２の下面
の周囲の外側は直列に並んだ前記下部高Ｂｓ磁性層１６
３及び前記絶縁層１４２の夫々の下面に接する前記共通
シールド部１４１の上面（第１の工程における共通シー
ルド部１４１の上面と同じ）と略同一平面になるよう
に、最低限の削り取り量で前記共通シールド部１４１が
露出するようにドライエッチング等によって削除する。
前記立体物２０７の一部を構成する前記ギャップ層１８
４部における左側面２０１と右側面２０２の距離がヘッ
ドトラック幅２０４を形成し、図１９における前記上部
高Ｂｓ磁性層１９５、前記ギャップ層１８４、前記下部
高Ｂｓ磁性層１６３及び前記絶縁層１４２が一括加工さ
れて図２０における前記ヘッドトラック幅２０４を形成
することになる。また、図２０における前記稜線１５３
と前記前面２０６との距離２０５が所定のヘッドギャッ
プデプスよりも大きくなるように前記前面２０６の位置
を設定する。尚、前記立体物２０７を構成する前記上部
高Ｂｓ磁性層１９５、前記ギャップ層１８４、前記下部
高Ｂｓ磁性層１６３及び前記絶縁層１４２が、夫々前述
の実施の形態１における上部記録チップ部、ギャップ
部、下部記録チップ部及び前部絶縁層を形成することに
なる。

【００７２】次に、第８の工程として、図２１に一部を
破断面にして示すように、前記共通シールド部１４１の
露出した部分の上面及び前記立体物２０７の上面、左右
側面、前面及び後面を覆うようにＡｌ₂Ｏ₃或いはＳｉＯ
₂等を素材とする下地絶縁層２１１をスパッタリング法
等によって成膜する。

【００７３】次に、第９の工程として、図２２の斜視図
で示すように、前記第８の工程で成膜形成された下地絶
縁層２１１の上に、かつ前記立体物２０７の後方の位置
に、前記立体物２０７上に成膜された前記下地絶縁層２
１１の上面の高さに略等しくなるように、第一層目の巻
線コイル６を金属メッキ形成する。前記第一層目の巻線
コイル６の中心部２２１は後述のヨーク部が形成される
に充分な空間を有するようにしておく。

【００７４】次に、第１０の工程として、図２３の断面
図及び図２４の斜視図に示すように、前記第一層目の巻
線コイル６が完全に覆われるように、Ａｌ₂Ｏ₃或いはＳ
ｉＯ ₂等を素材とする下部絶縁層２３１をスパッタリン
グ法等によって成膜する。

【００７５】次に、第１１の工程として、図２５の断面
図に示すように、前記下部絶縁層２３１で覆われた上面
をＣＭＰ等の処理で、前記上部高Ｂｓ磁性層１９５及び
前記第一層目の巻線コイル６が露出するように、かつ前
記共通シールド部１４１の上面に平行になるように平面
研磨する。

【００７６】次に、第１２の工程として、図２６に示す
ように、前記第一層目の巻線コイル６の中心部に前記共
通シールド部１４１が露出するように、前工程で積層さ
れた前記下地絶縁層２１１及び前記下部絶縁層２３１を
ドライエッチングによって削除する。本工程で形成され
た空間２６２には後述のヨーク部が成膜され共通シール
ド部とヨーク部が接触部分に成る。

【００７７】次に、第１３の工程として、図２７に断面
図、図２８に斜視図で示すように、前記第１１の工程で
研磨されて露出した前記上部高Ｂｓ磁性層１９５の上面
と前工程で露出した前記共通シールド部１４１の上面が
露出した状態を保持したまま、更に、前記第一層目の巻
線コイル６の最も内側にある巻線２７１の上部に貫通す
る穴２７２が設けられるように、フォトレジストを塗布
して、Ａｌ₂Ｏ₃或いはＳｉＯ₂等を素材とした中間絶縁
層２７３を形成する。尚、前記穴２７２の形状は円形、
四角形或いはその他いかなる形状であってもよいが、２
本の巻線に跨らないようにすることが必要である。

【００７８】次に、第１４の工程として、図２９に断面
図、図３０に斜視図で示すように、前記中間絶縁層２７
３に設けられた前記穴２７２の上に第二層目の巻線コイ
ル７の最も内側にある巻線２９１がくるようにして前記
中間絶縁層２６１の上面に第二層目の巻線コイル７を金
属メッキ形成する。

【００７９】次に、第１５の工程として、図３１の断面
図に示すように、第１１の工程及び第１２の工程で夫々
露出した前記上部高Ｂｓ磁性層１９５の上面及び前記共
通シールド部１４１の上面は、露出した状態を維持し、
かつ一方前記第二層目の巻線コイル７が完全に覆われる
ようにフォトレジストを塗布してＡｌ₂Ｏ₃或いはＳｉＯ
₂等を素材とした上部絶縁層３１１を形成する。

【００８０】次に、第１６の工程として、図３２の断面
図に示すように、露出した状態の前記上部高Ｂｓ磁性層
１９５、前工程で形成された前記上部絶縁層３１１及び
露出した状態の前記共通シールド部１４１の夫々の上面
全体にＦｅＭｇＯ等を素材とした高ρ磁性層３２１をス
パッタリング法等の薄膜形成法によって成膜形成する。
成膜された前記３２１は前記第１１の工程で露出した前
記上部高Ｂｓ磁性層１９５の上面と接触し、その後方で
は前記第１２の工程で露出した前記共通シールド部１４
１の上面と接触する。

【００８１】次に、第１７の工程として、図３３に斜視
図で示すように、前記上部高Ｂｓ磁性層１９５に接触し
た部分の前記高ρ磁性層３２１の幅は前記上部高Ｂｓ磁
性層１９５の幅と略同等の幅とし、その後方では前記上
部高Ｂｓ磁性層１９５の幅より大きくなるように、前記
高ρ磁性層３２１をドライエッチング等の方法によって
削除し、ヨーク部８を形成する。図３３において前記ヨ
ーク部８の後方部分は略平行な側面３３１，３３２を持
つように描かれているが、平行な面でなくてもよい。

【００８２】上述の工程によってウエハー上に形成され
た薄膜磁気ヘッドをバー状に切り出し、前記稜線１５３
に平行で、前記立体物２０７の左右側面２０１，２０２
及び前記共通シールド部１４１の上面に垂直になるよう
に、かつ前記稜線１５３からの距離が所定のヘッドギャ
ップデプスになるように前記バーの前面を平面研磨す
る。

【００８３】更に、前記ウエハーから切り出され、前面
を研磨されたバーから一個一個の薄膜磁気ヘッドが切り
出され、外形を整形加工して薄膜磁気ヘッドが作成され
る。

【００８４】上述の各工程を経て製造された薄膜磁気ヘ
ッドの断面図を図３４に示す。前述の第７の工程で形成
された立体物を構成する下部高Ｂｓ磁性層１６３と共通
シールド部１４１で構成される下部磁極３４１（斜線で
示された部分）と、前記下部高Ｂｓ磁性層１６３に直列
に位置した前記絶縁層１４２と、前記ギャップ層１８４
と、前記上部高Ｂｓ磁性層１９５と前記ヨーク部８で構
成される上部磁極３４２（太線で示された部分）と、前
記ヨーク部８の後方部の前記共通シールド部１４１に接
触する部分の近傍で前記ヨーク部８を周回するように巻
かれた前記第一層目の巻線コイル６及び第二層目の巻線
コイル７と、前記ヨーク部８と前記共通シールド部１４
１が平行に対抗している部分に充填された前記下地絶縁
層２１１、前記下部絶縁層２３１、中間絶縁層２７３及
び上部絶縁層３１１で構成される絶縁体とからなる薄膜
磁気ヘッドが作成される。

【００８５】以上のように本実施の形態によれば、上述
の第７の工程により、ヘッドトラック幅として前記下部
高Ｂｓ磁性層１６３に直列に位置した前記絶縁層１４２
と、前記ギャップ層１８４と、前記上部高Ｂｓ磁性層１
９５が同時に一括加工されるため、高密度記録に必要な
狭小のヘッドトラック幅を非常に精度良く形成すること
ができる。更に、強い磁界を得るために上部高Ｂｓ磁性
層１９５の奥行き方向の長さは下部高Ｂｓ磁性層１６３
の長さ即ちヘッドギャップデプスよりも必ず長くなり、
高Ｈｃ記録媒体に対応した効率の高い、強い磁界を有す
る薄膜磁気ヘッドを作成することができる。また、上部
磁極を構成するヨーク部に高ρ磁性層を使用するため記
録密度の向上に必要な高周波特性の向上を図ることもで
きる等々の効果が得られる薄膜磁気ヘッドを作成するこ
とができる。

【００８６】尚、前述の第１７の工程において、図３５
に前面及び右側面を断面にした斜視図で示すように、前
記ヨーク部８の幅３５１を、ヘッドトラック幅即ち前記
ギャップ層１８４を介して対向する前記上部高Ｂｓ磁性
層１９５と前記下部高Ｂｓ磁性層１６３の幅３５２より
も幅広になるように形成することによって、ヨーク部８
と前記上部高Ｂｓ磁性層１９５の接触領域が大きくな
り、ヨーク部８から充分な磁束が供給されて強い磁界が
得られ、記録効率の高い薄膜磁気ヘッドを作成すること
ができる。

【００８７】また、前述の第１７の工程において、図３
６（右側面は断面図）に示すように、前記上部高Ｂｓ磁
性層１９５の前面３６２の平面上にある下部高Ｂｓ磁性
層（図示せず）の前面とその後方で直列の位置にある前
記絶縁層(図示せず)に接する面との間にあり、更にウエ
ハーから切り出されたバーに所定のヘッドギャップデプ
スを形成する加工をしてできる面３６３よりも後方の位
置に、前記ヨーク部の先端面３６１があるようにし、か
つその幅３６４が前記上部高Ｂｓ磁性層１９５の幅３６
５と略同等の幅を有するようにドライエッチングによっ
て削除して、前記ヨーク部８を形成すれば、フリンジを
減少させることができ、サイドイレーズ幅が小さくな
り、記録トラックピッチを狭小化させる効果を有する薄
膜磁気ヘッドを作成することができる。また、図３７
（右側面は断面図）に示すように、前記ヨーク部８の幅
３７１を前記上部高Ｂｓ磁性層１９５の幅３６５より大
きくしたヨーク部８を形成するようにしてもよい。この
ようにヨーク部８を形成すれば、ヨーク部８と前記上部
高Ｂｓ磁性層１９５の接触領域は大きくなり、狭ヘッド
トラック幅にしても大きな前記接触領域を得るようにす
ることができ、フリンジを減少させ、記録効率が良く、
狭トラックピッチで記録密度を向上させ得る薄膜磁気ヘ
ッドを作成することができる。

【００８８】(実施の形態７)図３８は本発明の実施の形
態７を示す斜視図である。前述の実施の形態６の第７の
工程において、直列に並んだ前記下部高Ｂｓ磁性層１６
３と前記絶縁層３８２の夫々の上面が接する稜線１５３
（紙面では隠れた線）に略垂直な２つの平面上にあり且
つ２つの平面の間隔が所定のヘッドトラック幅３８０１
になるように設定された第１の左右側面３８０及び３８
１と、その間隔が前記第１の左右側面３８０と３８１と
の間隔即ちヘッドトラック幅３８０１よりも広い幅３８
０２を有している第２の左右側面３８３及び３８４と、
前記稜線１５３に対して前記下部高Ｂｓ磁性層１６３が
成膜された側にあり且つ所定のヘッドギャップデプスよ
りも大きな距離を有する位置にあり且つ前記第１の左右
の側面３８０，３８１と前記共通シールド部１４１の上
面の夫々に略垂直な平面上にある前面３８５と、前記稜
線１５３に対して前記絶縁層３８２が成膜された側にあ
り且つ前記共通シールド部１４１の上面に平行な平面と
の交線が前記前面３８５に略平行な平面上にある後面３
８６と、前記第１の左右側面３８０，３８１と前記第２
の左右側面３８３，３８４とを夫々つなぐ左右中間面３
８７及び３８８と、前記下部高Ｂｓ磁性層１６３及び前
記絶縁層３８２の夫々の下面、前記上部高Ｂｓ磁性層３
８９の上面との１０面で囲まれており、従って前記共通
シールド部１４１の上面に平行な面で切った断面は略凸
形形状を有する立体物３８００が形成されるように、ま
た前記下部高Ｂｓ磁性層１６３と前記絶縁層３８２の夫
々の下面の周囲の外側は前記下部高Ｂｓ磁性層１６３と
前記絶縁層３８２の夫々の下面に接する前記共通シール
ド部１４１の上面（第１の工程での共通シールド部の上
面）と略同一平面になるように最低限の削り取り量で前
記共通シールド部１４１が露出するようにドライエッチ
ング等の方法によって削除する。第１の左右側面３８０
と３８１の距離がヘッドトラック幅を形成し、前記上部
高Ｂｓ磁性層３８９、前記ギャップ層３８０４、前記下
部高Ｂｓ磁性層１６３及び前記絶縁層３８２が一括加工
されて前記ヘッドトラック幅３８０１を形成することに
なる。また、前記稜線１５３と前記前面３８５との距離
３８０５は所定のヘッドギャップデプスよりも長くなる
ように前記前面３８５の位置を設定する。

【００８９】前述の実施の形態６の第７の工程を本実施
の形態７に置き換え、その他の工程は前述の実施の形態
６と同じ工程で薄膜磁気ヘッドを作成する。

【００９０】以上のように本実施の形態によれば、ヘッ
ドトラック幅を一括加工して形成するので、狭ヘッドト
ラック幅でも精度高く加工することができ、面記録密度
を向上させることができ、一方、上部高Ｂｓ磁性層とヨ
ーク部の接触領域を大きくすることができ、ヨーク部か
ら充分な磁束が効率良く供給され、強い磁界を発生させ
ることができる。また、狭ヘッドトラック幅にしてもヘ
ッドギャップデプスを長くすることなく上部高Ｂｓ磁性
層を長くすることができ、大きな接触領域が得られるよ
うにすることができる。

【００９１】また、上記の如き、前述の実施の形態６の
第７の工程に置き換えることのできる他の例について以
下に述べる。

【００９２】他の一例として、図３９の右後方から見た
斜視図で示すように、立体物２０７の後面２０３と共通
シールド部１４１の上面との交線３９１より後方にある
前記共通シールド部１４１は下部高Ｂｓ磁性層１６３に
接する前記共通シールド部１４１の上面（第１の平面）
より低い位置にあるように段差３９２(第１の段差)を有
して掘り込まれて第２の平面を形成するように、前記立
体物２０７の形成と同時にドライエッチングによって削
除し、前記所定のヘッドトラック幅を一括形成する。前
述の実施の形態６の第７の工程をこのような工程に置き
換え、その他の工程は前述の実施の形態６と同じ工程に
することによって、前述の実施の形態６と同じような効
果が得られ、また磁極のインダクタンスが小さくなり高
周波数特性を向上させた薄膜磁気ヘッドを作成すること
ができる。

【００９３】また、他の一例として、図４０の右前方か
ら見た斜視図に示すように、前記立体物２０７の一部を
構成する前記下部高Ｂｓ磁性層１６３及び前記絶縁層１
４２の夫々の下面に接する前記共通シールド部１４１の
上面である第１の平面と、前記立体物２０７の一部を構
成する前記下部高Ｂｓ磁性層１６３及び前記絶縁層１４
２の夫々の下面の前、左及び右の外側にある第３の平面
とに段差４０１（第２の段差）を設け、且つ前記第１の
平面が前記第３の平面よりも高い位置にあるようにし、
前記第１の平面と前記第３の平面とを傾斜のある面４０
２及び４０３でつなぐようにドライエッチングによって
削除し、前記所定のヘッドトラック幅を一括形成する。
前述の実施の形態６の第７の工程をこのような工程に置
き換え、その他の工程は前述の実施の形態６と同じ工程
にすることによって、前述の実施の形態６と同じような
効果が得られる薄膜磁気ヘッドを作成することができ
る。

【００９４】なお、前記第１の平面と前記第３の平面と
を平面４０２及び４０３でつなぐように述べているが、
面４０２および４０３は平面でなく、Ｒ面或いは他の曲
面であっても良い。

【００９５】また、他の例としては、周囲が６面で構成
された立体物２０７の形状(図２０)、或いは、前部は所
定のヘッドトラック幅を有し且つ後部はヘッドトラック
幅よりも大きくし、前記共通シールド部の上面に平行な
断面が凸形形状になった周囲が１０面で囲まれた立体物
３８００の形状（図３８）にすることと、立体物を構成
する下部高Ｂｓ磁性層及び絶縁層の夫々の下面に接する
共通シールド部の上面である第１の平面に対して立体物
の後方の共通シールド部の上面である第２の平面が第１
の段差を有するように掘り込まれた共通シールド部の形
状(図３９)にすることと、前記第１の平面と前記下部高
Ｂｓ磁性層及び前記絶縁層の夫々の下面の周囲の外側に
ある共通シールド部の上面である第３の平面とに第２の
段差を持たせて掘り込んだ前記共通シールド部の形状
(図４０)にすることとを、図４１〜図４４に示すよう
に、夫々組み合わせた立体物及び共通シールド部の形状
にすることで、前述の実施の形態６の第７の工程に置き
換えることができる。

【００９６】これら第７の工程の置き換えの例について
以下に述べる。

【００９７】図４１は、１０面で囲まれた立体物３８０
０と第１の段差３９２を有するように掘り込まれた共通
シールド部の組み合わせであり、前述の実施の形態７に
おける１０面で囲まれた立体物３８００の形成と同時
に、下部高Ｂｓ磁性層１６３及び絶縁層３８２の夫々の
下面に接する共通シールド部の上面である第１の平面に
対して前記第１の平面と前記立体物３８００の後面３８
６を含む平面との交線の後方の共通シールド部の上面で
ある第２の平面が低い位置にあるように段差を持たせて
ドライエッチングによって削除し、所定のヘッドトラッ
ク幅を一括加工して形成する。

【００９８】また、図４２の斜視図にて示すように、１
０面で囲まれた立体物３８００と第２の段差４０１を有
するように掘り込まれた共通シールド部との組み合わせ
であり、上述の実施の形態７における１０面で囲まれた
立体物３８００を形成すると同時に、前記立体物３８０
０を構成する下部高Ｂｓ磁性層１６３及び絶縁層３８２
の夫々の下面に接する共通シールド部の上面である第１
の平面に対して前記立体物３８００を構成する下部高Ｂ
ｓ磁性層１６３及び絶縁層３８２の夫々の下面の周囲の
外側の共通シールド部の上面である第３の平面が低い位
置にあるように第２の段差を持たせてドライエッチング
によって削除され、所定のヘッドトラック幅を形成す
る。

【００９９】また、図４３の右後方から見た斜視図に示
すように、６面で囲まれた立体物２０７と第１の段差３
９２及び第２の段差４０１を有するように掘り込まれた
共通シールド部の組み合わせであり、前述の実施の形態
６の第７の工程における６面で囲まれた立体物２０７を
形成すると同時に、前記立体物２０７を構成する下部高
Ｂｓ磁性層１６３及び絶縁層１４２の夫々の下面に接す
る共通シールド部の上面である第１の平面に対して前記
第１の平面と前記立体物２０７の後面４３１を含む平面
との交線４３２の後方の共通シールド部の上面である第
２の平面が低い位置にあるように第１の段差を持たせ、
かつ前記第１の平面に対して前記立体物２０７を構成す
る下部高Ｂｓ磁性層１６３及び絶縁層１４２の夫々の下
面の前及び左右の外側にある共通シールド部の上面であ
る第３の平面が低い位置にあるように第２の段差を持た
せてドライエッチングによって削除し、所定のヘッドト
ラック幅を一括加工して形成する。

【０１００】また、図４４に右後方から見た斜視図で示
すように、１０面で囲まれた立体物３８００と第１の段
差３９２及び第２の段差４０１を有するように掘り込ま
れた共通シールド部の組み合わせであり、上述の実施の
形態７における１０面で囲まれた立体物３８００の形成
と同時に、下部高Ｂｓ磁性層１６３及び絶縁層３８２の
夫々の下面に接する共通シールド部の上面である第１の
平面に対して前記第１の平面と前記立体物３８００の後
面３８６を含む平面との交線４４１の後方の共通シール
ド部の上面である第２の平面が低い位置にあるように第
１の段差を持たせ、かつ前記立体物２０７を構成する下
部高Ｂｓ磁性層１６３及び絶縁層１４２の夫々の下面の
前及び左右の外側にある共通シールド部の上面である第
３の平面が低い位置にあるように第２の段差を持たせて
ドライエッチングによって削除し、所定のヘッドトラッ
ク幅を一括加工して形成する。

【０１０１】上述の４例の夫々を第７の工程として前記
実施の形態６における第７の工程に置き換えることによ
っても、前述の実施の形態６と同じような効果をもたら
し、高密度記録に有効な薄膜磁気ヘッドを作成すること
ができる。

【０１０２】尚、本実施の形態において、図３８、図４
１、図４２及び図４４に示す１０面で囲まれた立体物３
８００の第２の左右側面は略平行な平面で構成された図
になっているが、略平行な平面に限ることはなく、図８
（ａ）或いは図８（ｂ）に示すような形状を有する立体
物に形成してもあってもよい。

【０１０３】また、前記第１の平面と前記第３の平面を
つなぐ面は平面に限らず、Ｒ面等の曲面であってもよ
い。

【０１０４】(実施の形態８)図４５は本発明の実施の形
態８を示す断面図である。前述の実施の形態６の第２の
工程において、共通シールド部１４１の上面に成膜され
た絶縁層１４２を、その稜線が直線になるように削除し
た前記絶縁層１４２の端面４５１が前記共通シールド部
１４１の上面に対し傾斜した面になるようにドライエッ
チングによって削除する第２の工程を前述の実施の形態
６の第２の工程に置き換え、第２の工程以外の工程は前
述の実施の形態６と同じ工程で薄膜磁気ヘッドを作成す
る。

【０１０５】以上のように本実施の形態によれば、前述
の第４の工程で研磨された工程完了品は前記絶縁層１４
２の端面４５１に接して、その前方に下部高Ｂｓ磁性層
（図示せず）が直列に並んだ形になり、前記絶縁層１４
２の端面４５１に接している前記下部高Ｂｓ磁性層の後
部端面は、前記絶縁層１４２の端面４５１に接している
ところで逆テーパーを有する端面となり、前記下部高Ｂ
ｓ磁性層の後部端面と上部高Ｂｓ磁性層（図示せず）と
の間に生ずる漏洩磁束を減少させ、記録効率を向上させ
る薄膜磁気ヘッドを作成することができる。

【０１０６】また、前述の実施の形態６の第２の工程に
置き換えることのできる他の例について以下に述べる。

【０１０７】他の一例として、図１０の斜視図に示すよ
うに、絶縁層１０２の削除されるべき端面の稜線１０６
の一部に所定のヘッドトラック幅１０３に略等しい幅の
開口部１０４を有し、奥のほうへ先細りになったＶ字状
の形状の削除されるべき部分を有するように、第１の工
程で成膜された絶縁層をドライエッチングによって削除
し、共通シールド部を前記Ｖ字状形状の部分を含めて露
出させる工程を置き換えの第２の工程にして前述の実施
の形態６の第２の工程と置き換える。前記置き換えの第
２の工程以外は前述の実施の形態６と同じ工程とするこ
とによって、前述の実施の形態６と同じような効果が得
られ、更に、下部高Ｂｓ磁性層はその先端部がヘッドト
ラック幅を有し、それと逆の方向即ち奥の方向の部分で
は先細りになっている５角形の形状となり、先端部での
幅が広くなっていることによってその先端部で磁束を強
めることになり、記録効率のよい薄膜磁気ヘッドが作成
されることになる。

【０１０８】また、他の一例として、絶縁層の少なくと
も前記Ｖ字状形状の部分の端面を図４５に示すような傾
斜面となるようにドライエッチングによって削除する第
２の工程で前述の実施の形態６の第２の工程を置き換え
ることによって、下部高Ｂｓ磁性層の後部端面と上部高
Ｂｓ磁性層との間に発生する漏洩磁束を小さくすること
ができ、記録効率を向上させ、更に下部高Ｂｓ磁性層の
先端部分のほうがその幅が広くなっているため、先端部
で強い磁界が得られる薄膜磁気ヘッドを作成することが
できる。

【０１０９】尚、実施の形態１〜８において、上部記録
チップ部（上部高Ｂｓ磁性層）、ギャップ部(ギャップ
層)及び前部絶縁層（絶縁層）の夫々の後部端面で構成
される後面（例えば、図２０における後面２０３或いは
図３８における後面３８６）は、共通シールド部の上面
に対して傾斜しているような図になっているが、共通シ
ールド部の上面に対して略垂直な面であっても良いとい
うことはいうまでもない。

【０１１０】

【発明の効果】以上のように本発明は、上部磁極を高Ｂ
ｓ磁性層で形成される上部記録チップ部と高ρ磁性層で
形成されるヨーク部で構成し、一方の下部磁極を高Ｂｓ
磁性層で形成される下部記録チップ部とパーマロイ等の
磁性層で形成された共通シールド部で構成しており、更
に、上部記録チップ部の長さを下部記録チップ部の長さ
即ちヘッドギャップデプスよりも長くしたことによっ
て、強い磁界を発生させ、高周波数特性を良くするとい
う優れた効果が得られる。

【０１１１】また、本発明は、上部記録チップ部との接
触部におけるヨーク部の幅を広くしたり、或いは、上部
記録チップ部の形状を後方部分でヘッドトラック幅より
も広くして、上部磁極を構成するヨーク部と上部記録チ
ップ部の接触領域を大きくしたり、或いは、下部記録チ
ップ部の形状を先端部分ではヘッドトラック幅を有し、
後方部分は先細りになるような形状にしたり或いは、下
部記録チップ部とそれに直列に並んだ位置にある前部絶
縁層に接する共通シールド部の上面部分と、少なくとも
その上面部分の左右の外側にある共通シールド部の上面
との間で段差を設ける等によって、効率良く記録磁界を
強める効果が得られる。

【０１１２】また、本発明は、ヨーク部の上部記録チッ
プ部に接している部分の端面が上部記録チップ部の先端
部の端面より内側にあるように設けることによって、フ
リンジの発生を抑止したり、或いは、前部絶縁層の端面
に接する下部記録チップ部の端面を逆テーパーとなるよ
うに形成することによって、下部記録チップ部の後部端
面と上部記録チップ部との間の漏洩磁束の発生を抑止す
る等の記録効率を向上させる効果が得られる。

【０１１３】また、本発明は、巻線コイルが巻かれる部
分の下方にある共通シールド部を掘り込み、下部記録チ
ップとそれに直列に並んだ前部絶縁層の下面に接する共
通シールド部の上面と、その後方にある共通シールド部
とに段差を設けることによって、インダクタンスを小さ
くし、高周波特性を良くする効果が得られる。

【０１１４】更に、本発明は、ギャップ部を介して対向
する上部高Ｂｓ磁性層と下部高Ｂｓ磁性層とを一括加工
して、ヘッドトラック幅を形成するため、狭小なヘッド
トラック幅であっても、高い精度でヘッドトラック幅を
形成することができるという優れた効果が得られる。

【０１１５】また、強い記録磁界を得たり、高周波数特
性を改善したり、フリンジの発生を抑止したり、漏洩磁
束を減少させたりするための、ヨーク部の形状、上部高
Ｂｓ磁性層の形状、下部高Ｂｓ磁性層の形状及び共通シ
ールド部の形状を容易に形成することができるという効
果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１における構成概要断面図

【図２】本発明の実施の形態１における右側面側を断面
にした構成概要斜視図

【図３】本発明の実施の形態１における他の一例を説明
のための主要部概要斜視図

【図４】本発明の実施の形態１における他の一例の説明
のための先端部断面図

【図５】本発明の実施の形態２における記録チップ部形
状構成斜視図

【図６】本発明の実施の形態２における記録チップ部先
端部の断面図

【図７】本発明の実施の形態２における他の一例の記録
チップ部形状斜視構成図

【図８】（ａ）本発明の実施の形態２における第２の側
面の他の一例を示す上面図（ｂ）本発明の実施の形態２における第２の側面の他の
一例を示す上面図

【図９】本発明の実施の形態３における先端部断面図

【図１０】本発明の実施の形態４における下部絶縁層の
斜視図

【図１１】本発明の実施の形態４における記録チップ部
の斜視図

【図１２】本発明の実施の形態５における共通シールド
部の形状を示す断面図

【図１３】本発明の実施の形態５における他の一例の共
通シールド部の形状を示す斜視図

【図１４】本発明の実施の形態６における第１の工程を
示す斜視図

【図１５】本発明の実施の形態６における第２の工程を
示す斜視図

【図１６】本発明の実施の形態６における第３の工程を
示す斜視図

【図１７】本発明の実施の形態６における第４の工程を
示す断面図

【図１８】本発明の実施の形態６における第５の工程を
示す斜視図

【図１９】本発明の実施の形態６における第６の工程を
示す斜視図

【図２０】本発明の実施の形態６における第７の工程を
示す斜視図

【図２１】本発明の実施の形態６における第８の工程を
示す斜視図

【図２２】本発明の実施の形態６における第９の工程を
示す斜視図

【図２３】本発明の実施の形態６における第１０の工程
を示す断面図

【図２４】本発明の実施の形態６における第１０の工程
を示す斜視図

【図２５】本発明の実施の形態６における第１１の工程
を示す断面図

【図２６】本発明の実施の形態６における第１２の工程
を示す断面図

【図２７】本発明の実施の形態６における第１３の工程
を示す断面図

【図２８】本発明の実施の形態６における第１３の工程
を示す斜視図

【図２９】本発明の実施の形態６における第１４の工程
を示す断面図

【図３０】本発明の実施の形態６における第１４の工程
を示す斜視図

【図３１】本発明の実施の形態６における第１５の工程
を示す断面図

【図３２】本発明の実施の形態６における第１６の工程
を示す断面図

【図３３】本発明の実施の形態６における第１７の工程
を示す斜視図

【図３４】本発明の実施の形態６における作成された薄
膜磁気ヘッドを示す断面図

【図３５】本発明の実施の形態６における第１７の工程
の他の一例の斜視図

【図３６】本発明の実施の形態６における第１７の工程
の他の例の斜視図

【図３７】本発明の実施の形態６における第１７の工程
の他の例の斜視図

【図３８】本発明の実施の形態７における１０面で囲ま
れた立体物の斜視図

【図３９】本発明の実施の形態７における６面立体物と
第１の段差を有する共通シールド部を示す右後方から見
た斜視図

【図４０】本発明の実施の形態７における６面立体物と
第２の段差を有する共通シールド部を示す斜視図

【図４１】本発明の実施の形態７における１０面立体物
と第１の段差を有する共通シールド部を示す右後方から
見た斜視図

【図４２】本発明の実施の形態７における１０面立体物
と第２の段差を有する共通シールド部を示す斜視図

【図４３】本発明の実施の形態７における６面立体物と
第１及び第２の段差を有する共通シールド部を示す右後
方から見た斜視図

【図４４】本発明の実施の形態７における１０面立体物
と第１及び第２の段差を有する共通シールド部を示す右
後方から見た斜視図

【図４５】本発明の実施の形態８における絶縁層の断面
図

【図４６】従来例のＭＲインダクティブ複合ヘッドの斜
視図

【図４７】従来例のＭＲインダクティブ複合ヘッドの記
録部の断面図

【図４８】本発明の実施の形態５における上部記録チッ
プ部の長い他の一例を示す断面図

【符号の説明】

１、１２１、１３１、１４１、４６０６、４７０１共
通シールド部２、５２、９２、１０２前部絶縁層３、５３、９４、１１３、４６０７、４７０２下部記
録チップ部４、５４、４６１１、４７０３ギャップ部５、５５、４６０９、４７０４上部記録チップ部６、４７０５第一層目の巻線コイル７、４７０６第二層目の巻線コイル８、３１、４１、４６１０、４７０７ヨーク部９絶縁体１０、２０５ヘッドギャップデプス１１上部記録チップ部の奥行き方向の長さ２０、５６、１１４、２０４、３５２、３６４、３８０
１ヘッドトラック幅２１、３２ヨーク部左側面２２、３３ヨーク部右側面３３、３５１、３７１ヨーク幅４２、３６１ヨーク部先端部の端面４３、１０５、４５１端面５７、１０３、３６４、３６５、３８０２幅７１、７２、８３、８４、８５、１０５、３６３面８１、８２、２０１、２０２、３３１、３３２、３８
０、３８１、３８３、３８４側面９３、１３４、１３５傾斜面９５漏洩磁束９６、９７接する面の長さ１０４開口部１０６、１５３稜線１２２、１２３、１３２、１３３、１７１上面１４２、３８２絶縁層１６３下部高Ｂｓ磁性層１８４ギャップ層１９５、３８９上部高Ｂｓ磁性層２０３、３８６後面２０６、３６２、３８５前面２０７、３８００立体物２１１下地絶縁層２２１中心部２３１下部絶縁層２６２空間２７１、２９１巻線２７２穴２７３中間絶縁層３１１上部絶縁層３２１高ρ磁性層３４１下部磁極３４２上部磁極３８７、３８８中間面３９１交線３９２第１の段差４０１第２の段差４６０１下部シールド部４６０２ＭＲ膜（或いはＧＭＲ膜）４６０３ハード膜４６０４電極４６０５第一の結合体４６０８巻線コイル４６１２第二の結合体４７０８絶縁材

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者辻弘恭大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者三谷覚大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 5D033 BA03 BA07 BA13 CA01 DA02 DA04 DA08 DA31

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】高Ｂｓ磁性層の下部記録チップ部が先端
部上面に成膜された共通シールド部から成る下部磁極
と、前記下部記録チップ部の上面に成膜されたギャップ
部と、前記下部記録チップ部に対向し、前記ギャップ部
を介して成膜された高Ｂｓ磁性層の上部記録チップ部
と、前記下部磁極と一部で接触し且つその先端部で前記
上部記録チップ部と連結された高ρ磁性層のヨーク部と
から成る上部磁極と、前記下部磁極と前記上部磁極との
接触部と前記上部記録チップ部との間の、前記下部磁極
と前記上部磁極の対向部分を通り、前記ヨーク部の後方
部分を周回するように配設された巻線コイルとを備え、
前記上部記録チップ部の長さが前記下部記録チップ部の
長さよりも長いことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】上部記録チップ部との連結部におけるヨ
ーク部の幅が、前記上部記録チップ部と前記下部記録チ
ップ部とで構成されるヘッドトラック幅よりも大きいこ
とを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】上部記録チップ部と連結された前記ヨー
ク部の先端の端面が、前記上部記録チップ部の先端の端
面よりも内側にあることを特徴とする請求項１或いは請
求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】上部記録チップ部の先端部は前記ヘッド
トラック幅を有し、前記上部記録チップ部の後方部分で
は前記上部記録チップ部と前記下部記録チップ部とで構
成されるヘッドトラック幅よりも大きな幅を有すること
を特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の薄
膜磁気ヘッド。
【請求項５】共通シールド部に接する前記下部記録チ
ップ部の長さが、前記ギャップ部に接する前記下部記録
チップ部の長さより小さいことを特徴とする請求項１〜
請求項４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】下部記録チップ部を、その先端部近傍で
は前記上部記録チップ部と前記下部記録チップ部とで構
成されるヘッドトラック幅に等しい平行な直線部を有
し、前記先端部の逆の端部に向かって先細りになるよう
に形成したことを特徴とする請求項１〜請求項５のいず
れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】巻線コイルが配設される部分に凹部を有
する前記共通シールド部からなる請求項１〜請求項６の
いずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】下部記録チップ部に接する前記共通シー
ルド部の面と、前記下部記録チップ部の左右両側にある
前記共通シールド部の面とに段差を設けたことを特徴と
する請求項１〜請求項７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘ
ッド。
【請求項９】表面が滑らかな平面を有する共通シール
ド部の上面に絶縁層を成膜する第１の工程と、前記第１
の工程で成膜された前記絶縁層を削除されるべき端面の
稜線が直線になるようにドライエッチングにより削除
し、前記共通シールド部の上面を露出させる第２の工程
と、露出した前記共通シールド部と前記絶縁層の上面に
下部高Ｂｓ磁性層を薄膜形成する第３の工程と、前記共
通シールド部の上面に薄膜形成された前記絶縁層と前記
下部高Ｂｓ磁性層の上面を、前記共通シールド部の上面
に平行に研磨する第４の工程と、更に、前記第４の工程
で研磨された前記下部高Ｂｓ磁性層と前記絶縁層の上に
ギャップ層を積層成膜する第５の工程と、更に、前記ギ
ャップ層の上面に上部高Ｂｓ磁性層を積層成膜する第６
の工程と、前記第２の工程で削除された前記絶縁層の端
面を構成する稜線に略垂直な２つの平面上にあり且つ前
記２つの平面の間隔を所定のヘッドトラック幅となるよ
うに設定された左右側面と、前記下部高Ｂｓ磁性層が成
膜されている側にあり且つ前記左右側面及び前記共通シ
ールド部の上面に略垂直な平面上にある前面と、前記絶
縁層が成膜されている側にあり且つ前記共通シールド部
の上面に平行な平面との交線が前記前面と略平行な平面
上にある後面と、前記下部高Ｂｓ磁性層及び前記絶縁層
の下面と、前記上部高Ｂｓ磁性層の上面の６つの面で囲
まれた立体物を形成するように、かつ前記立体物の一部
を構成する前記下部高Ｂｓ磁性層及び前記絶縁層の下面
の周囲の外側にある平面は前記下部高Ｂｓ磁性層及び前
記絶縁層の下面に接する前記共通シールド部の上面と略
同一平面上にある前記共通シールド部の上面が露出する
ようにドライエッチングにて削除して、所定のヘッドト
ラック幅を一括形成する第７の工程と、露出した前記共
通シールド部の上面と、前記立体物の上面、左右側面、
前面及び後面とに下地絶縁層を成膜形成する第８の工程
と、前記立体物の上に積層された前記下地絶縁層の上面
の高さに略等しい厚みを有するように、前記立体物の後
部の前記共通シールド部の上に成膜された前記下地絶縁
層の上面に第一層目の巻線コイルをメッキ形成する第９
の工程と、前記第一層目の巻線コイルが完全に覆われる
ように下部絶縁層を全面に成膜する第１０の工程と、前
記共通シールド部の上面に平行に、かつ前記立体物の一
部を構成する前記上部高Ｂｓ磁性層及び前記第一層目の
巻線コイルが露出するように全体を平面研磨する第１１
の工程と、前記第一層目の巻線コイルの中心部に前記共
通シールド部が露出するようにドライエッチングにより
前記下部絶縁層及び前記下地絶縁層を削除する第１２の
工程と、露出している前記上部高Ｂｓ磁性層と前記第１
２の工程で露出された前記共通シールド部の露出部分は
その露出状態が保持され、かつ前記第一層目の巻線コイ
ルの最も内側にある巻線の上部に穴が設けられるように
フォトレジストを塗布して中間絶縁層を形成する第１３
の工程と、前記中間絶縁層の上面に、その最も内側の巻
線が前記第一層目の巻線コイルの内側の巻線の上に設け
られた前記穴の上にあるようにして第二層目の巻線コイ
ルをメッキ形成する第１４の工程と、前記第二層目の巻
線コイルを覆い、かつ露出した前記上部高Ｂｓ磁性層及
び前記共通シールド部の露出状態は略保持されるように
してフォトレジストを塗布して上部絶縁層を形成する第
１５の工程と、それらの上に高ρ磁性層を成膜形成する
第１６の工程と、前記高ρ磁性層の前記上部高Ｂｓ磁性
層に接する部分の幅は前記上部高Ｂｓ磁性層の幅と略同
等の幅とし、それより後方の幅は前記上部高Ｂｓ磁性層
よりも広い幅を有するようにドライエッチングにより削
り取ってヨーク部を形成する第１７の工程と、を有する
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】第１７の工程において、前記上部高Ｂ
ｓ磁性層に接する前記高ρ磁性層の幅が前記上部高Ｂｓ
磁性層の幅よりも大きな幅を有するようにドライエッチ
ングにより削除してヨーク部を形成する第１７の工程を
有する請求項９に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】第１７の工程において、前記高ρ磁性
層の前部端面が、前記下部高Ｂｓ磁性層の前面と前記下
部高Ｂｓ磁性層が前記絶縁層に接する面との間にあり、
かつ前記高ρ磁性層の前記上部高Ｂｓ磁性層に接する部
分は前記上部高Ｂｓ磁性層の幅と略同等の幅とし、それ
より後方の幅は前記上部高Ｂｓ磁性層よりも広い幅を有
するようにドライエッチングにより削除してヨーク部を
形成する第１７の工程を有する請求項９に記載の薄膜磁
気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】第１７の工程において、前記高ρ磁性
層の前部端面が、前記下部高Ｂｓ磁性層の前面と前記下
部高Ｂｓ磁性層が前記絶縁層に接する面との間にあり、
かつ前記上部高Ｂｓ磁性層に接する前記高ρ磁性層の幅
が前記上部高Ｂｓ磁性層よりも広い幅を有するようにド
ライエッチングにより削除してヨーク部を形成する第１
７の工程を有する請求項９に記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法。
【請求項１３】第７の工程において、前記第２の工程
で削除された前記絶縁層の端面を構成する稜線に略垂直
な２つの平面上にあり且つ前記２つの平面の間隔を所定
のヘッドトラック幅となるように設定された第１の左右
側面と、その間隔が前記ヘッドトラック幅よりも広い幅
を有する第２の左右側面と、前記下部高Ｂｓ磁性層が成
膜されている側にあり且つ前記第１の左右側面及び前記
共通シールド部に略垂直な平面上にある前面と、前記絶
縁層が成膜されている側にあり且つ前記共通シールド部
の上面に平行な平面との交線が前記前面に略平行な平面
上にある後面と、前記第１の左右側面と前記第２の左右
側面とを夫々つなぐ左右中間面と、前記下部高Ｂｓ磁性
層及び前記絶縁層の下面と、前記上部高Ｂｓ磁性層の上
面の１０面で囲まれ、かつ前記共通シールド部の上面と
平行な断面が略凸形形状を有する立体物を形成するよう
に、かつ前記立体物の一部を構成する前記下部高Ｂｓ磁
性層及び前記絶縁層の下面の周囲の外側にある平面は前
記共通シールド部の上面が露出するようにドライエッチ
ングにて削除して、所定のヘッドトラック幅を一括形成
する第７の工程を有する請求項９〜請求項１２のいずれ
かに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１４】請求項９の第７の工程において、前記
第２の工程で削除された前記絶縁層の端面を構成する稜
線に略垂直な２つの平面上にあり且つ前記２つの平面の
間隔を所定のヘッドトラック幅となるように設定された
左右側面と、前記下部高Ｂｓ磁性層が成膜されている側
にあり且つ前記共通シールド部に略垂直な平面上にある
前面と、前記絶縁層が成膜されている側にあり且つ前記
共通シールド部の上面に平行な平面との交線が前記前面
と略平行な平面上にある後面と、前記下部高Ｂｓ磁性層
及び前記絶縁層の下面と、前記上部高Ｂｓ磁性層の上面
の６つの面で囲まれた立体物を形成するように、かつ前
記立体物の一部を構成する前記下部高Ｂｓ磁性層及び前
記絶縁層の下面の周囲の外側にある平面は前記共通シー
ルド部の上面が露出し、かつ前記後面を含む平面と前記
下部高Ｂｓ磁性層及び前記絶縁層の下面に接する前記共
通シールド部の上面である第１の平面との交線より後方
の部分の前記共通シールド部の上面である第２の平面は
前記第１の平面に対して段差を持たせるように掘り込ま
れ、前記第１の平面より低い位置に第２の平面があるよ
うにドライエッチングにて削除し、前記所定のヘッドト
ラック幅を一括形成する第７の工程を有する請求項９〜
請求項１２のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
【請求項１５】請求項９の第７の工程において、前記
第２の工程で削除された前記絶縁層の端面を構成する稜
線に略垂直な２つの平面上にあり且つ前記２つの平面の
間隔を所定のヘッドトラック幅となるように設定された
第１の左右側面と、その間隔が前記ヘッドトラック幅よ
りも広い幅を有する第２の左右側面と、前記下部高Ｂｓ
磁性層が成膜されている側にあり且つ前記第１の左右側
面及び前記共通シールド部に略垂直な平面上にある前面
と、前記絶縁層が成膜されている側にあり且つ前記共通
シールド部の上面に平行な平面との交線が前記前面と略
平行な平面上にある後面と、前記第１の左右側面と前記
第２の左右側面とを夫々つながぐ左右中間面と、前記下
部高Ｂｓ磁性層及び前記絶縁層の下面と、前記上部高Ｂ
ｓ磁性層の上面の１０面で囲まれ、かつ前記共通シール
ド部の上面と平行な断面が略凸形形状を有する立体物を
形成するように、かつ前記立体物の一部を構成する前記
下部高Ｂｓ磁性層及び前記絶縁層の下面の前、左及び右
の外側にある平面は前記共通シールド部の上面が露出
し、かつ前記後面を含む平面と前記下部高Ｂｓ磁性層及
び前記絶縁層の下面に接する前記共通シールド部の上面
である第１の平面との交線より後方の部分にある前記共
通シールド部の上面である第２の平面は前記第１の平面
に対して段差を持たせるように掘り込まれ、前記第２の
平面が前記第１の平面より低い位置にあるようにドライ
エッチングにて削除し、前記所定のヘッドトラック幅を
一括形成する第７の工程を有する請求項９〜請求項１２
のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１６】請求項９の第７の工程において、前記
第２の工程で削除された前記絶縁層の端面を構成する稜
線に略垂直な２つの平面上にあり且つ前記２つの平面の
間隔を所定のヘッドトラック幅となるように設定された
左右側面と、前記下部高Ｂｓ磁性層が成膜されている側
にあり且つ前記左右側面及び前記共通シールド部に垂直
な平面上にある前面と、前記絶縁層が成膜されている側
にあり且つ前記共通シールド部の上面に平行な平面との
交線が前記前面と略平行な平面上にある後面と、前記下
部高Ｂｓ磁性層及び前記絶縁層の下面と、前記上部高Ｂ
ｓ磁性層の上面の６つの面で囲まれた立体物を形成する
ように、かつ前記立体物の一部を構成する前記下部高Ｂ
ｓ磁性層及び前記絶縁層の下面に接する前記共通シール
ド部の上面である第１の平面と前記立体物の一部を構成
する前記下部高Ｂｓ磁性層及び前記絶縁層の下面の前、
左及び右の外側にある前記共通シールド部の上面である
第３の平面とに段差を設け、かつ前記第１の平面が前記
第３の平面よりも高い位置にあるようにし、前記第１の
平面と前記第３の平面とを傾斜のある面でつなぐように
ドライエッチングによって削除し、前記所定のヘッドト
ラック幅を一括形成する第７の工程を有する請求項９〜
請求項１２のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
【請求項１７】請求項９の第７の工程において、前記
第２の工程で削除された前記絶縁層の端面を構成する稜
線に略垂直な２つの平面上にあり且つ前記２つの平面の
間隔を所定のヘッドトラック幅となるように設定された
第１の左右側面と、その間隔が前記ヘッドトラック幅よ
りも広い幅を有する第２の左右側面と、前記下部高Ｂｓ
磁性層が成膜されている側にあり且つ前記第１の左右側
面及び前記共通シールド部に略垂直な平面上にある前面
と、前記絶縁層が成膜されている側にあり且つ前記共通
シールド部の上面に平行な平面との交線が前記前面と略
平行な平面上にある後面と、前記第１の左右側面と前記
第２の左右側面とを夫々つなぐ左右中間面と、前記下部
高Ｂｓ磁性層及び前記絶縁層の下面と、前記上部高Ｂｓ
磁性層の上面の１０面で囲まれ、かつ前記共通シールド
部の上面と平行な断面が略凸形形状を有する立体物を形
成するように、かつ前記立体物の一部を構成する前記下
部高Ｂｓ磁性層及び前記絶縁層の下面に接する前記共通
シールド部の上面である第１の平面と前記立体物の一部
を構成する前記下部高Ｂｓ磁性層及び前記絶縁層の下面
の前、左及び右の外側にある第３の平面とに段差を設
け、かつ前記第１の平面が前記第３の平面よりも高い位
置にあるようにし、前記第１の平面と前記第３の平面と
を傾斜のある面でつなぐようにドライエッチングによっ
て削除し、前記所定のヘッドトラック幅を一括形成する
第７の工程を有する請求項９〜請求項１２のいずれかに
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１８】請求項９の第７の工程において、前記
第２の工程で削除された前記絶縁層の端面を構成する稜
線に略垂直な２つの平面上にあり且つ前記２つの平面の
間隔を所定のヘッドトラック幅となるように設定された
左右側面と、前記下部高Ｂｓ磁性層が成膜されている側
にあり且つ前記左右側面及び前記共通シールド部に略垂
直な平面上にある前面と、前記絶縁層が成膜されている
側にあり且つ前記共通シールド部の上面に平行な平面と
の交線が前記前面と略平行な平面上にある後面と、前記
下部高Ｂｓ磁性層及び前記絶縁層の下面と、前記上部高
Ｂｓ磁性層の上面の６つの面で囲まれた立体物を形成す
るように、かつ前記立体物の一部を構成する前記下部高
Ｂｓ磁性層及び前記絶縁層の下面と接する前記共通シー
ルド部の上面である第１の平面と前記後面を含む平面と
の交線より後方の部分は前記共通シールド部が掘り込ま
れて、前記第１の平面より低い位置にあるように第１の
段差を設けて第２の平面を形成するようにし、且つ前記
第１の平面と前記立体物の一部を構成する前記下部高Ｂ
ｓ磁性層及び前記絶縁層の下面の前、左及び右の外側に
ある第３の平面とに第２の段差を設け、前記第１の平面
と前記第３の平面とを傾斜面でつなぐようにドライエッ
チングにより削除し、前記所定のヘッドトラック幅を一
括形成する第７の工程を有する請求項９〜請求項１２の
いずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１９】請求項９の第７の工程において、前記
第２の工程で削除された前記絶縁層の端面を構成する稜
線に略垂直な２つの平面上にあり且つ前記２つの平面の
間隔を所定のヘッドトラック幅となるように設定された
第１の左右側面と、その間隔が前記ヘッドトラック幅よ
りも広い幅を有する第２の左右側面と、前記下部高Ｂｓ
磁性層が成膜されている側にあり且つ前記第１の左右側
面及び前記共通シールド部に略垂直な平面上にある前面
と、前記絶縁層が成膜されている側にあり且つ前記共通
シールド部の上面に平行な平面との交線が前記前面と略
平行な平面上にある後面と、前記第１の左右側面と前記
第２の左右側面とを夫々つながぐ左右中間面と、前記下
部高Ｂｓ磁性層及び前記絶縁層の下面と、前記上部高Ｂ
ｓ磁性層の上面の１０面で囲まれ、かつ前記共通シール
ド部の上面と平行な断面が略凸形形状を有する立体物を
形成するように、かつ前記立体物の一部を構成する前記
下部高Ｂｓ磁性層及び前記絶縁層の下面に接する前記共
通シールド部の上面である第１の平面と前記後面を含む
平面との交線より後方の部分は前記共通シールド部が掘
り込まれて、前記第１の平面より低い位置にあるように
第１の段差を設けて第２の平面を形成するようにし、か
つ前記第１の平面と前記立体物の一部を構成する前記下
部高Ｂｓ磁性層及び前記絶縁層の下面の前、左及び右の
外側にある第３の平面とに第２の段差を設け、かつ前記
第１の平面が前記第２の平面よりも高い位置にあるよう
にし、前記第１の平面と前記第３の平面とを傾斜面でつ
なぐようにドライエッチングにより削除し、前記所定の
ヘッドトラック幅を一括形成する第７の工程を有する請
求項９〜請求項１２のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド
の製造方法。
【請求項２０】請求項９の第２の工程において、前記
第１の工程で成膜された前記絶縁層を削除されるべき端
面の稜線が直線になるように、且つ前記絶縁層の削除さ
れるべき端面が前記共通シールド部の上面に対して傾斜
した面になるようにドライエッチングによって削除し、
前記共通シールド部の上面を露出させる第２の工程を有
する請求項９〜請求項１９のいずれかに記載の薄膜磁気
ヘッドの製造方法。
【請求項２１】請求項９の第２の工程において、前記
絶縁層の削除されるべき端面の稜線の一部に所定のヘッ
ドトラック幅に略等しい幅の開口部を有し、先細りにな
ったＶ字状の形状の削除されるべき部分を有するよう
に、前記第１の工程で成膜された前記絶縁層をドライエ
ッチングによって削除し、前記共通シールド部を前記Ｖ
字状形状の部分を含めて露出させる第２の工程を有する
請求項９〜請求項１９のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。
【請求項２２】請求項９の第２の工程において、前記
絶縁層の削除されるべき端面の稜線の一部に所定のヘッ
ドトラック幅に略等しい幅の開口部を有し、先細りにな
ったＶ字状の形状の削除されるべき部分を有するよう
に、かつ前記絶縁層の削除されるべき端面が少なくとも
前記Ｖ字状形状の部分において前記共通シールド部の上
面に対して傾斜した面になるように前記第１の工程で成
膜された前記絶縁層をドライエッチングによって削除
し、前記共通シールド部を前記Ｖ字状形状の部分を含め
て露出させる第２の工程を有する請求項９〜請求項１９
のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２３】請求項９〜請求項２２のいずれかに記
載の製造方法によって作成された薄膜磁気ヘッド。