JP2000292294A - 密閉容器の内部圧力検出用センサ - Google Patents
密閉容器の内部圧力検出用センサInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の歪センサの欠点を除去し、構造が簡単
で、歪の大きさをインダクタンスの変化に変換し、容易
に周波数の変化に変換することが可能な歪センサを提供
すること。 【解決手段】 上底部及び下底部を有する筒状の密閉容
器の内部圧力変化を前記上底部あるいは前記下底部を構
成する上底板あるいは下底板に形成した歪センサにより
検出する方式の密閉容器の内部圧力検出センサにおい
て、前記歪みセンサ１は、円板あるいは正方形を含む多
角形の非磁性体板２のほぼ中央部に形成されている。
で、歪の大きさをインダクタンスの変化に変換し、容易
に周波数の変化に変換することが可能な歪センサを提供
すること。 【解決手段】 上底部及び下底部を有する筒状の密閉容
器の内部圧力変化を前記上底部あるいは前記下底部を構
成する上底板あるいは下底板に形成した歪センサにより
検出する方式の密閉容器の内部圧力検出センサにおい
て、前記歪みセンサ１は、円板あるいは正方形を含む多
角形の非磁性体板２のほぼ中央部に形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、筒状の密閉容器の
内部圧力を電気的に検出するための歪センサに関し、特
に、密閉容器の内部圧力の上昇により生ずる上底板ある
いは下底板の変形を、上底板あるいは下底板に形成した
インダクタのインダクタンスの変化により検出する方式
の歪センサに関する。
内部圧力を電気的に検出するための歪センサに関し、特
に、密閉容器の内部圧力の上昇により生ずる上底板ある
いは下底板の変形を、上底板あるいは下底板に形成した
インダクタのインダクタンスの変化により検出する方式
の歪センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の板の変形を検出する手段
として、歪により抵抗値が変化するいわゆる歪ゲージが
良く知られている。
として、歪により抵抗値が変化するいわゆる歪ゲージが
良く知られている。
【０００３】図４（ａ）は従来技術による密閉容器の内
部圧力検出用センサの構造例を示す斜視図である。ま
た、図４（ｂ）は、（ａ）の歪みセンサの斜視図であ
る。図４（ａ）を参照すると、内部圧力検出用センサ
は、円筒状容器３１の上底板３１ｂの中央部に、歪セン
サ３３を接着した構造を備えている。
部圧力検出用センサの構造例を示す斜視図である。ま
た、図４（ｂ）は、（ａ）の歪みセンサの斜視図であ
る。図４（ａ）を参照すると、内部圧力検出用センサ
は、円筒状容器３１の上底板３１ｂの中央部に、歪セン
サ３３を接着した構造を備えている。
【０００４】図４（ｂ）に示すように、歪センサ３３
は、Ｆｅ−Ｎｉ系合金の薄膜パターンで構成されるいわ
ゆる歪ゲージが用いられている場合である。
は、Ｆｅ−Ｎｉ系合金の薄膜パターンで構成されるいわ
ゆる歪ゲージが用いられている場合である。
【０００５】図４（ａ）及び（ｂ）により、歪センサ
（以下、歪みゲージと呼ぶ）３３による密閉容器３１の
内部圧力検出の原理を説明する。
（以下、歪みゲージと呼ぶ）３３による密閉容器３１の
内部圧力検出の原理を説明する。
【０００６】密閉容器３１の内部圧力が通常状態から増
加すると、容器の側面３１ａ及び上底部３１ｂと下底部
３１ｃが膨らむように変形する。
加すると、容器の側面３１ａ及び上底部３１ｂと下底部
３１ｃが膨らむように変形する。
【０００７】一方、密閉容器３１の内部圧力が通常状態
から減少すると、容器の側面３１ａ及び上底部３１ｂと
下底部３１ｃが凹むに変形する。
から減少すると、容器の側面３１ａ及び上底部３１ｂと
下底部３１ｃが凹むに変形する。
【０００８】ここで、図４において、歪ゲージ３３を接
着した上底板３１ｂの板厚を側面３１ａ及び下底板３１
ｃに比べて安全な範囲で少し薄くすると、内部圧力の変
化は上底板３１ｂの変形に集中させることが出きる。
着した上底板３１ｂの板厚を側面３１ａ及び下底板３１
ｃに比べて安全な範囲で少し薄くすると、内部圧力の変
化は上底板３１ｂの変形に集中させることが出きる。
【０００９】ここで、歪ゲージ３３は、図４（ｂ）に、
矢印で示した方向の歪が加わった場合に、薄膜パターン
で形成されている導体の抵抗値が変化するセンサであ
り、密閉容器３１の内部圧力が変化した場合に、まず上
底板３１ｂが変形し、これに接着されている歪ゲージ３
３も同じように変形し、その結果、歪ゲージの端子３
４，３５間の電気抵抗が変化し、密閉容器３１の内部圧
力を検出することが出きる。
矢印で示した方向の歪が加わった場合に、薄膜パターン
で形成されている導体の抵抗値が変化するセンサであ
り、密閉容器３１の内部圧力が変化した場合に、まず上
底板３１ｂが変形し、これに接着されている歪ゲージ３
３も同じように変形し、その結果、歪ゲージの端子３
４，３５間の電気抵抗が変化し、密閉容器３１の内部圧
力を検出することが出きる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の技術に
よる内部圧力検出用センサにおいて、歪ゲージ３３は、
ポリイミドなどの薄い基板３６の上に、歪により抵抗値
が変化する金属薄膜３２を蒸着などの手段により形成さ
れている。実際に歪の検出を行う場合には、このポリイ
ミドなどの薄い基板３６を、歪を検出しようとする板に
接着剤を用いて接着する必要があり、接着位置や接着層
のバラツキの為に特性が変化すると言う欠点があった。
よる内部圧力検出用センサにおいて、歪ゲージ３３は、
ポリイミドなどの薄い基板３６の上に、歪により抵抗値
が変化する金属薄膜３２を蒸着などの手段により形成さ
れている。実際に歪の検出を行う場合には、このポリイ
ミドなどの薄い基板３６を、歪を検出しようとする板に
接着剤を用いて接着する必要があり、接着位置や接着層
のバラツキの為に特性が変化すると言う欠点があった。
【００１１】また、このような板の変形を検出する別の
手段として、変形を検出する方の板の材質を金属とし、
この金属板と対向する別の金属板を配置して、検出用の
板の変形にともなう対向する間隔の変化を二つの電極間
の静電容量の変化として検出する方法がある。
手段として、変形を検出する方の板の材質を金属とし、
この金属板と対向する別の金属板を配置して、検出用の
板の変形にともなう対向する間隔の変化を二つの電極間
の静電容量の変化として検出する方法がある。
【００１２】しかし、この方法では、別に配置した金属
板と検出用の金属板の位置関係を精度良く保つ必要があ
り、構造的に複雑になると言う欠点があった。
板と検出用の金属板の位置関係を精度良く保つ必要があ
り、構造的に複雑になると言う欠点があった。
【００１３】そこで、本発明の技術的課題は、従来の歪
センサの欠点を除去し、構造が簡単で、歪の大きさをイ
ンダクタンスの変化に変換し、容易に周波数の変化に変
換することが可能な歪センサを提供することにある。
センサの欠点を除去し、構造が簡単で、歪の大きさをイ
ンダクタンスの変化に変換し、容易に周波数の変化に変
換することが可能な歪センサを提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上底部
及び下底部を有する筒状の密閉容器の内部圧力変化を前
記上底部あるいは下底部を構成する上底板あるいは下底
板に形成した歪センサにより検出する方式の密閉容器の
内部圧力検出センサにおいて、前記歪みセンサは、円板
あるいは正方形を含む多角形の非磁性体板のほぼ中央部
に形成されていることを特徴とする密閉容器の内部圧力
検出用センサが得られる。
及び下底部を有する筒状の密閉容器の内部圧力変化を前
記上底部あるいは下底部を構成する上底板あるいは下底
板に形成した歪センサにより検出する方式の密閉容器の
内部圧力検出センサにおいて、前記歪みセンサは、円板
あるいは正方形を含む多角形の非磁性体板のほぼ中央部
に形成されていることを特徴とする密閉容器の内部圧力
検出用センサが得られる。
【００１５】また、本発明によれば、前記密閉容器の内
部圧力検出用センサにおいて、前記歪センサは、前記非
磁性体板の中央部に絶縁層を介して少なくとも一個の磁
歪を有する磁性薄膜からなるコイルを形成して構成され
ていることを特徴とする密閉容器の内部圧力検出用セン
サが得られる。
部圧力検出用センサにおいて、前記歪センサは、前記非
磁性体板の中央部に絶縁層を介して少なくとも一個の磁
歪を有する磁性薄膜からなるコイルを形成して構成され
ていることを特徴とする密閉容器の内部圧力検出用セン
サが得られる。
【００１６】また、本発明によれば、前記いずれかの密
閉容器の内部圧力検出用センサにおいて、前記コイル
は、前記非磁性体板のほぼ中央部に形成され、その形状
がラセン状であることを特徴とする密閉容器の内部圧力
検出用センサが得られる。
閉容器の内部圧力検出用センサにおいて、前記コイル
は、前記非磁性体板のほぼ中央部に形成され、その形状
がラセン状であることを特徴とする密閉容器の内部圧力
検出用センサが得られる。
【００１７】さらに、本発明によれば、前記いずれかの
密閉容器の内部圧力検出用センサにおいて、前記コイル
は、前記非磁性板のほぼ中央部に形成され、その形状が
ミアンダーライン状コイルを円形に形成されていること
を特徴とする密閉容器の内部圧力検出用センサが得られ
る。
密閉容器の内部圧力検出用センサにおいて、前記コイル
は、前記非磁性板のほぼ中央部に形成され、その形状が
ミアンダーライン状コイルを円形に形成されていること
を特徴とする密閉容器の内部圧力検出用センサが得られ
る。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１９】図１（ａ）は、本発明の実施の形態による
密閉容器の内部圧力検出用センサにおいて基本部分を成
す歪検出用コイルの構造を示す平面図、図１（ｂ）は
（ａ）の断面図（ｂ）である。図１（ａ），（ｂ）にお
いて、歪ゲージ１は、非磁性材料から成る基板２の主面
に絶縁層４介して磁歪を有する金属磁性薄膜によりミア
ンダーライン状のコイル５を形成し、コイル５の両端部
を引き出し、外部接続用の端子６，７を形成して構成さ
れている。ただし、コイル５の形状はミアンダーライン
状に限定されるものではなく、ラセン状のコイル５も含
まれる。
密閉容器の内部圧力検出用センサにおいて基本部分を成
す歪検出用コイルの構造を示す平面図、図１（ｂ）は
（ａ）の断面図（ｂ）である。図１（ａ），（ｂ）にお
いて、歪ゲージ１は、非磁性材料から成る基板２の主面
に絶縁層４介して磁歪を有する金属磁性薄膜によりミア
ンダーライン状のコイル５を形成し、コイル５の両端部
を引き出し、外部接続用の端子６，７を形成して構成さ
れている。ただし、コイル５の形状はミアンダーライン
状に限定されるものではなく、ラセン状のコイル５も含
まれる。
【００２０】図１（ａ），（ｂ）において、基板２に外
力が作用し基板２が変形した場合、磁歪を有する金属磁
性薄膜の透磁率が変化し、ミアンダーライン状コイル５
のインダクタンスが発生した歪の大きさに対応して変化
する。その結果、インダクタンスの変化から発生した歪
の大きさを検出できる。歪ゲージ１をＬＣ発振回路のＬ
素子として組込むことにより、歪の大きさを容易に発振
周波数の変化に変換することができる。
力が作用し基板２が変形した場合、磁歪を有する金属磁
性薄膜の透磁率が変化し、ミアンダーライン状コイル５
のインダクタンスが発生した歪の大きさに対応して変化
する。その結果、インダクタンスの変化から発生した歪
の大きさを検出できる。歪ゲージ１をＬＣ発振回路のＬ
素子として組込むことにより、歪の大きさを容易に発振
周波数の変化に変換することができる。
【００２１】図１（ａ），（ｂ）のミアンダーライン状
コイル５が形成された基板２を、線状導体８の長さ方向
と直角な方向に屈曲させた場合と、これと平行な方向に
屈曲させた場合のインダクタンスの変化は、磁歪を有す
る磁性薄膜の異方性を含む材料特性により異なるが、コ
イル５の形状を図１（ａ），（ｂ）に示したような構造
にした場合には、一つの軸方向の変形に対しては感度の
良い歪センサとして作用するが、それと直交する軸方向
の変形に対しては感度が格段に悪くなる。
コイル５が形成された基板２を、線状導体８の長さ方向
と直角な方向に屈曲させた場合と、これと平行な方向に
屈曲させた場合のインダクタンスの変化は、磁歪を有す
る磁性薄膜の異方性を含む材料特性により異なるが、コ
イル５の形状を図１（ａ），（ｂ）に示したような構造
にした場合には、一つの軸方向の変形に対しては感度の
良い歪センサとして作用するが、それと直交する軸方向
の変形に対しては感度が格段に悪くなる。
【００２２】以下に述べるような密閉容器の上底板の場
合、周辺が固定された状態で変形する板材の変形歪を検
出するためには、その歪分布に合わせたコイル形状とす
る必要がある。
合、周辺が固定された状態で変形する板材の変形歪を検
出するためには、その歪分布に合わせたコイル形状とす
る必要がある。
【００２３】例えば、図４（ａ）に示した密閉容器３１
において、断面形状が正方形や円形の場合、上底板３１
ｂは、その中央部の歪が最大値を示し、その向きは放射
状でその大きさはほぼ同心円状の等高線で表される歪分
布を示す。
において、断面形状が正方形や円形の場合、上底板３１
ｂは、その中央部の歪が最大値を示し、その向きは放射
状でその大きさはほぼ同心円状の等高線で表される歪分
布を示す。
【００２４】従って、このような歪分布をする変形をイ
ンダクタンスの変化として効率良く検出するためには、
この歪分布と用いた磁歪材料の異方性が、歪の向きと平
行な方向の透磁率の変化が大きいか、歪の向きと直角な
方向の透磁率の変化が大きいかによって、コイルの導体
の方向とと歪の方向を合わせる必要がある。つまり、コ
イル自身を磁歪を有する金属磁性薄膜を用いて作る場合
は、歪の向きと平行な方向の透磁率の変化が大きい場合
すなわち透磁率の変化が上底板３１ｂの中心に対して放
射状である場合は、図１（ａ），（ｂ）に示したミアン
ダーライン状のコイル５を丸めて円形状にしたコイルが
適しており、歪の向きと直角な方向の透磁率の変化が大
きい場合すなわち、透磁率の変化が上底板３１ｂの中心
に対して同心円状である場合は、同心円状のコイルが適
している。
ンダクタンスの変化として効率良く検出するためには、
この歪分布と用いた磁歪材料の異方性が、歪の向きと平
行な方向の透磁率の変化が大きいか、歪の向きと直角な
方向の透磁率の変化が大きいかによって、コイルの導体
の方向とと歪の方向を合わせる必要がある。つまり、コ
イル自身を磁歪を有する金属磁性薄膜を用いて作る場合
は、歪の向きと平行な方向の透磁率の変化が大きい場合
すなわち透磁率の変化が上底板３１ｂの中心に対して放
射状である場合は、図１（ａ），（ｂ）に示したミアン
ダーライン状のコイル５を丸めて円形状にしたコイルが
適しており、歪の向きと直角な方向の透磁率の変化が大
きい場合すなわち、透磁率の変化が上底板３１ｂの中心
に対して同心円状である場合は、同心円状のコイルが適
している。
【００２５】図２（ａ）は、以上の考えに従って発明さ
れた本発明の第２の実施の形態による同心円状のコイル
を用いた密閉容器の内部圧力検出用センサの構造を示す
平面図，（ｂ）は（ａ）の断面図である。
れた本発明の第２の実施の形態による同心円状のコイル
を用いた密閉容器の内部圧力検出用センサの構造を示す
平面図，（ｂ）は（ａ）の断面図である。
【００２６】図２（ａ）において、歪みゲージ１０は、
非磁性金属円板２’の表面に絶縁層４’を介してその中
心が前記非磁性金属円板２’の中心にほぼ一致する、磁
歪を有する金属薄膜のラセン状のコイル９が形成されて
いる。ラセン状コイル９の内側の端子１１は、ラセン状
コイル９の上に形成された絶縁層４’の上を通って、線
状導体８として外側に引出されて外部接続端子１２，１
３に接続されている。
非磁性金属円板２’の表面に絶縁層４’を介してその中
心が前記非磁性金属円板２’の中心にほぼ一致する、磁
歪を有する金属薄膜のラセン状のコイル９が形成されて
いる。ラセン状コイル９の内側の端子１１は、ラセン状
コイル９の上に形成された絶縁層４’の上を通って、線
状導体８として外側に引出されて外部接続端子１２，１
３に接続されている。
【００２７】図２（ａ），（ｂ）の非磁性金属円板２’
を密閉容器の上底板３１ｂ（図４（ａ）参照）として用
いることにより、密閉容器内部の圧力の変化により生ず
る上底板３１ｂの変形をラセン状コイル９のインダクタ
ンスの変化として効率良く検出することができる。
を密閉容器の上底板３１ｂ（図４（ａ）参照）として用
いることにより、密閉容器内部の圧力の変化により生ず
る上底板３１ｂの変形をラセン状コイル９のインダクタ
ンスの変化として効率良く検出することができる。
【００２８】図３（ａ）は、以上の考えに従って発明さ
れた本発明の第３の実施の形態による歪検出用センサの
構造を示す平面図、図３（ｂ）は（ａ）の断面図であ
る。
れた本発明の第３の実施の形態による歪検出用センサの
構造を示す平面図、図３（ｂ）は（ａ）の断面図であ
る。
【００２９】図３（ａ），（ｂ）において、歪みゲージ
２０は、非磁性金属円板２’’の表面に絶縁層４’’を
介して、磁歪を有する磁性薄膜を形成したコイルを備え
ている。このコイルは、図１（ａ），（ｂ）に示したミ
アンダライン状コイルを丸めて前記非磁性金属円板
２’’の中心に合わせて円形に配置された歪検出用ミア
ンダライン状コイル１４からなる。
２０は、非磁性金属円板２’’の表面に絶縁層４’’を
介して、磁歪を有する磁性薄膜を形成したコイルを備え
ている。このコイルは、図１（ａ），（ｂ）に示したミ
アンダライン状コイルを丸めて前記非磁性金属円板
２’’の中心に合わせて円形に配置された歪検出用ミア
ンダライン状コイル１４からなる。
【００３０】図３（ａ），（ｂ）の非磁性金属円板２を
密閉容器の上底板３１ｂ（図４参照）として用いること
により、密閉容器３１内部の圧力の変化により生ずる上
底板３１ｂの変形を歪検出用ミアンダライン状コイル１
４のインダクタンスの変化として効率良く検出すること
ができる。
密閉容器の上底板３１ｂ（図４参照）として用いること
により、密閉容器３１内部の圧力の変化により生ずる上
底板３１ｂの変形を歪検出用ミアンダライン状コイル１
４のインダクタンスの変化として効率良く検出すること
ができる。
【００３１】
【発明の効果】以上に示したように、本発明によれば、
構造が簡単で、ＬＣ発振回路回路を構成するこによっ
て、歪の大きさをインダクタンスの変化に変換し、容易
に周波数の変化に変換することが可能な密閉容器の内部
圧力検出用センサを提供することができる。
構造が簡単で、ＬＣ発振回路回路を構成するこによっ
て、歪の大きさをインダクタンスの変化に変換し、容易
に周波数の変化に変換することが可能な密閉容器の内部
圧力検出用センサを提供することができる。
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施の形態による密閉
容器の内部圧力検出用センサにおいて基本部分を成す歪
検出用コイルの構造を示す平面図である。（ｂ）は
（ａ）の断面図である。
容器の内部圧力検出用センサにおいて基本部分を成す歪
検出用コイルの構造を示す平面図である。（ｂ）は
（ａ）の断面図である。
【図２】（ａ）は本発明の第２の実施の形態による密閉
容器の内部圧力検出用センサの構造を示す平面図であ
る。（ｂ）は（ａ）の断面図である。
容器の内部圧力検出用センサの構造を示す平面図であ
る。（ｂ）は（ａ）の断面図である。
【図３】（ａ）は本発明の第２の実施の形態による密閉
容器の内部圧力検出用センサの構造を示す平面図であ
る。（ｂ）は（ａ）の断面図である。
容器の内部圧力検出用センサの構造を示す平面図であ
る。（ｂ）は（ａ）の断面図である。
【図４】（ａ）従来技術による密閉容器の内部圧力検出
用センサとして歪センサを用いた場合の動作説明に供せ
られる斜視図である。（ｂ）は（ａ）の歪みセンサの斜
視図である。
用センサとして歪センサを用いた場合の動作説明に供せ
られる斜視図である。（ｂ）は（ａ）の歪みセンサの斜
視図である。
１，１０，２０，３３ 歪ゲージ ２， ２’，２’’ 基板 ４，４’，４’’ 絶縁層 ５ ミアンダーライン状コイル ６，７ 端子 ８ 線状導体 ９ ラセン状コイル １１ ラセン状コイル９の内側の端子 １２，１３ 外部接続用の端子 １４ 歪検出用ミアンダライン状コイル ３１ 密閉容器 ３２ 上底板 ３４，３５ 端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 若生 直樹 宮城県仙台市太白区郡山六丁目７番１号 株式会社トーキン内 Ｆターム(参考） 2F055 AA11 BB19 CC14 DD19 EE11 EE21 FF43 GG11
Claims (4)
- 【請求項１】上底部及び下底部を有する筒状の密閉容器
の内部圧力変化を前記上底部あるいは下底部を構成する
上底板あるいは下底板に形成した歪センサにより検出す
る方式の密閉容器の内部圧力検出センサにおいて、前記
歪みセンサは、円板あるいは正方形を含む多角形の非磁
性体板のほぼ中央部に形成されていることを特徴とする
密閉容器の内部圧力検出用センサ。 - 【請求項２】 請求項１記載の密閉容器の内部圧力検出
用センサにおいて、前記歪センサは、前記非磁性体板の
中央部に絶縁層を介して少なくとも一個の磁歪を有する
磁性薄膜からなるコイルを形成して構成されていること
を特徴とする密閉容器の内部圧力検出用センサ。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の密閉容器の内部圧
力検出用センサにおいて、前記コイルは、前記非磁性体
板のほぼ中央部に形成され、その形状がラセン状である
ことを特徴とする密閉容器の内部圧力検出用センサ。 - 【請求項４】 請求項１又は２記載の密閉容器の内部圧
力検出用センサにおいて、前記コイルは、前記非磁性板
のほぼ中央部に形成され、その形状がミアンダーライン
状コイルを円形に形成されていることを特徴とする密閉
容器の内部圧力検出用センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11097567A JP2000292294A (ja) | 1999-04-05 | 1999-04-05 | 密閉容器の内部圧力検出用センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11097567A JP2000292294A (ja) | 1999-04-05 | 1999-04-05 | 密閉容器の内部圧力検出用センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000292294A true JP2000292294A (ja) | 2000-10-20 |
Family
ID=14195822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11097567A Withdrawn JP2000292294A (ja) | 1999-04-05 | 1999-04-05 | 密閉容器の内部圧力検出用センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000292294A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6960911B2 (en) | 2002-01-29 | 2005-11-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Strain sensor |
| JP2008523385A (ja) * | 2004-12-08 | 2008-07-03 | エムディーティー カンパニー リミテッド | 磁歪効果を利用した可変インダクター型のｍｅｍｓ圧力センサー |
| JP2009047580A (ja) * | 2007-08-21 | 2009-03-05 | Dainippon Printing Co Ltd | 圧力センサ |
| EP2053372A3 (en) * | 2007-10-24 | 2010-08-04 | Delphi Technologies, Inc. | Means and method of sensing pressure using magnetostrictive electrical conductors |
| JP7479927B2 (ja) | 2020-05-19 | 2024-05-09 | 公益財団法人電磁材料研究所 | 振動センサ |
-
1999
- 1999-04-05 JP JP11097567A patent/JP2000292294A/ja not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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