JP2000284720A - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents
表示装置及び表示装置の製造方法Info
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- JP2000284720A JP2000284720A JP11086799A JP8679999A JP2000284720A JP 2000284720 A JP2000284720 A JP 2000284720A JP 11086799 A JP11086799 A JP 11086799A JP 8679999 A JP8679999 A JP 8679999A JP 2000284720 A JP2000284720 A JP 2000284720A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 遮光層の反射率を低下させる。
【解決手段】 表示媒体を挟持する二枚の基板１，９
の少なくとも一方の基板に、画素領域を除く少なくとも
一部の領域に導電性の遮光層５を設け、遮光層５上に低
反射率の樹脂吸光層４を設けた。
の少なくとも一方の基板に、画素領域を除く少なくとも
一部の領域に導電性の遮光層５を設け、遮光層５上に低
反射率の樹脂吸光層４を設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は表示装置及びその製
造方法に係わり、特に表示媒体により表示を行う表示装
置及びその製造方法に関するものである。
造方法に係わり、特に表示媒体により表示を行う表示装
置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は一般に少なくとも一方が
透明である一対の基板の片方に液晶表示素子を有し、対
向する基板上にはカラー表示する為の色層を各画素に対
応して設け、両基板を一定間隔に保ちながら対向させて
その外周域を接着剤でシールして形成したセルに、予め
設けておいた注入口から液晶を充填後、注入口を封口剤
にて塞ぐことで液晶パネルとしている。従来の液晶パネ
ルでは、カラーフィルタ基板において各画素間は混色表
示防止等の目的でいわゆるブラックマトリクスと呼ばれ
る遮光層で仕切られ、さらに表示領域の外周には、バッ
クライトや外光の漏れ光を遮閉する為にやはり遮光層が
施されている。一方の液晶表示素子基板（いわゆるＴＦ
Ｔ基板）上では、複数の行電極及び複数の列電極で構成
されるマトリクス配線の各交点に非線形素子を介して画
素電極が接続されており、上記非線形素子部及び画素電
極周縁部を含むマトリクス配線上を覆うように遮光層が
設けられ、それぞれＴＦＴ動作への悪影響や、横電界と
段差形状に起因する液晶分子の配向乱れからくる画質劣
化を防止している。
透明である一対の基板の片方に液晶表示素子を有し、対
向する基板上にはカラー表示する為の色層を各画素に対
応して設け、両基板を一定間隔に保ちながら対向させて
その外周域を接着剤でシールして形成したセルに、予め
設けておいた注入口から液晶を充填後、注入口を封口剤
にて塞ぐことで液晶パネルとしている。従来の液晶パネ
ルでは、カラーフィルタ基板において各画素間は混色表
示防止等の目的でいわゆるブラックマトリクスと呼ばれ
る遮光層で仕切られ、さらに表示領域の外周には、バッ
クライトや外光の漏れ光を遮閉する為にやはり遮光層が
施されている。一方の液晶表示素子基板（いわゆるＴＦ
Ｔ基板）上では、複数の行電極及び複数の列電極で構成
されるマトリクス配線の各交点に非線形素子を介して画
素電極が接続されており、上記非線形素子部及び画素電
極周縁部を含むマトリクス配線上を覆うように遮光層が
設けられ、それぞれＴＦＴ動作への悪影響や、横電界と
段差形状に起因する液晶分子の配向乱れからくる画質劣
化を防止している。
【０００３】上記の上下両基板上或は場合によってはい
ずれか一方の基板上に施される遮光層は、特に高精細液
晶ディスプレイの場合はフォトリソグラフィー工程を経
て、例えばＣｒやＴｉ等の金属膜を高精度パターニング
して形成され、他の印刷法等による樹脂遮光手段は精度
的に劣るという理由で採用されなかった。
ずれか一方の基板上に施される遮光層は、特に高精細液
晶ディスプレイの場合はフォトリソグラフィー工程を経
て、例えばＣｒやＴｉ等の金属膜を高精度パターニング
して形成され、他の印刷法等による樹脂遮光手段は精度
的に劣るという理由で採用されなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記高
精細液晶パネルに用いられた遮光層では通常光に対して
高い反射率を有する金属膜が用いられた為、バックライ
ト光又は外光等の表示用光源や外界の諸光源からの入射
光を該遮光層表面で高率で反射し表示特性の劣化を招く
という欠点が有った。
精細液晶パネルに用いられた遮光層では通常光に対して
高い反射率を有する金属膜が用いられた為、バックライ
ト光又は外光等の表示用光源や外界の諸光源からの入射
光を該遮光層表面で高率で反射し表示特性の劣化を招く
という欠点が有った。
【０００５】一方、高反射率を有する表面の反射低減手
段として、一般的にホーニング、サンドブラストその他
の機械的粗面化やプラズマ改質法、イオンエッチング等
の物理的粗面化、或は酸、アルカリ等による化学的粗面
化による光拡散性付与が考えられるが、液晶パネル基板
上の遮光層に対しては、これらいずれの手段も拡散光に
よる２次的コントラスト低下を伴うことや、粗面化処理
の際、基板上の非遮光部分へのダメージや、そのダメー
ジ防止目的の為にはマスキング等の余分な複雑工程の追
加が必要になる等の理由で採用されなかった。遮光層の
表面反射率低減の別な手段として、光吸収性の低反射性
樹脂が考えられるが、先に述べた印刷や静電塗装等の簡
易的手段では重ね合わせ精度、パターニング精度、断面
平坦性の点で高精細液晶ディスプレイには適用困難であ
り、又フォトリソグラフィーによる高精度な樹脂遮光手
段はコスト、生産性等の面で採用が見送られて来た。
段として、一般的にホーニング、サンドブラストその他
の機械的粗面化やプラズマ改質法、イオンエッチング等
の物理的粗面化、或は酸、アルカリ等による化学的粗面
化による光拡散性付与が考えられるが、液晶パネル基板
上の遮光層に対しては、これらいずれの手段も拡散光に
よる２次的コントラスト低下を伴うことや、粗面化処理
の際、基板上の非遮光部分へのダメージや、そのダメー
ジ防止目的の為にはマスキング等の余分な複雑工程の追
加が必要になる等の理由で採用されなかった。遮光層の
表面反射率低減の別な手段として、光吸収性の低反射性
樹脂が考えられるが、先に述べた印刷や静電塗装等の簡
易的手段では重ね合わせ精度、パターニング精度、断面
平坦性の点で高精細液晶ディスプレイには適用困難であ
り、又フォトリソグラフィーによる高精度な樹脂遮光手
段はコスト、生産性等の面で採用が見送られて来た。
【０００６】本発明の目的は、少なくとも一方が透明な
一対の基板で構成される高精細液晶ディスプレイにおい
て、カラーフィルター基板の画素間及び表示領域外周域
及び表示素子基板のマトリクス配線と非線形素子、さら
には画素電極周縁部を覆う金属遮光層表面に低反射率の
樹脂吸光層をローコストで高精度に重ね合わせること
で、表示特性を改善するものである。
一対の基板で構成される高精細液晶ディスプレイにおい
て、カラーフィルター基板の画素間及び表示領域外周域
及び表示素子基板のマトリクス配線と非線形素子、さら
には画素電極周縁部を覆う金属遮光層表面に低反射率の
樹脂吸光層をローコストで高精度に重ね合わせること
で、表示特性を改善するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の表示装置は、表
示媒体を挟持する二枚の基板の少なくとも一方の基板
に、画素領域を除く少なくとも一部の領域に導電性の遮
光層を設け、該遮光層上に低反射率の樹脂吸光層を設け
たことを特徴とする。
示媒体を挟持する二枚の基板の少なくとも一方の基板
に、画素領域を除く少なくとも一部の領域に導電性の遮
光層を設け、該遮光層上に低反射率の樹脂吸光層を設け
たことを特徴とする。
【０００８】また本発明の表示装置は、表示媒体を挟持
する二枚の基板の少なくとも一方の基板に、画素領域を
除く少なくとも一部の領域に導電性の遮光層を設け、該
遮光層を電極に利用して該遮光層上に電着法により低反
射率の樹脂吸光層を積層したことを特徴とする。
する二枚の基板の少なくとも一方の基板に、画素領域を
除く少なくとも一部の領域に導電性の遮光層を設け、該
遮光層を電極に利用して該遮光層上に電着法により低反
射率の樹脂吸光層を積層したことを特徴とする。
【０００９】上記構成において低反射性樹脂層は該遮光
層に入射する非選択光を吸収しコントラスト低下等を防
止し表示特性向上をもたらす。
層に入射する非選択光を吸収しコントラスト低下等を防
止し表示特性向上をもたらす。
【００１０】本発明に適用される低反射性樹脂層として
は、液晶表示装置に用いる場合は、１００℃以上の液晶
パネル製造プロセス温度に耐えられる少なくとも一種以
上の樹脂が可能で、光吸収性の顔料等の着色剤とともに
溶媒に溶解又は分散させて、予め外部電気回路に接続さ
れた上記導電性遮光層上に電気泳動法により被着され
る。上記樹脂の具体例としては、エポキシ系、アクリル
系、メタクリル系、エステル系、フェノール系、イミド
系、アミド系、ポリアミドイミド系等のポリマー単独又
は複数の混合体が挙げられる。また着色剤としては低反
射樹脂層として反射率１０％以下を示す電着用溶媒に溶
解又は分散可能な一般的な顔料その他の着色剤が適用可
能である。
は、液晶表示装置に用いる場合は、１００℃以上の液晶
パネル製造プロセス温度に耐えられる少なくとも一種以
上の樹脂が可能で、光吸収性の顔料等の着色剤とともに
溶媒に溶解又は分散させて、予め外部電気回路に接続さ
れた上記導電性遮光層上に電気泳動法により被着され
る。上記樹脂の具体例としては、エポキシ系、アクリル
系、メタクリル系、エステル系、フェノール系、イミド
系、アミド系、ポリアミドイミド系等のポリマー単独又
は複数の混合体が挙げられる。また着色剤としては低反
射樹脂層として反射率１０％以下を示す電着用溶媒に溶
解又は分散可能な一般的な顔料その他の着色剤が適用可
能である。
【００１１】本発明によれば、既成のプロセスで形成さ
れたディスプレイ基板上の金属等の導電性の遮光膜の全
部又は一部分を電着塗装用の電極に利用して電着液中に
溶解又は分散した樹脂と分散させた顔料等の黒色着色材
を電気泳動法によって被着させることで均一な樹脂吸光
層を高精度に良好な平坦性をもってローコストで形成で
きる。そしてここに形成した電着塗装面は黒色顔料分散
樹脂層として作用する為、液晶表示特性劣化に特に影響
が大だった金属遮光層の可視光反射率を１％以下に低下
できるので、液晶パネルの反射率を従来の３分の１から
１／５まで改善できる。
れたディスプレイ基板上の金属等の導電性の遮光膜の全
部又は一部分を電着塗装用の電極に利用して電着液中に
溶解又は分散した樹脂と分散させた顔料等の黒色着色材
を電気泳動法によって被着させることで均一な樹脂吸光
層を高精度に良好な平坦性をもってローコストで形成で
きる。そしてここに形成した電着塗装面は黒色顔料分散
樹脂層として作用する為、液晶表示特性劣化に特に影響
が大だった金属遮光層の可視光反射率を１％以下に低下
できるので、液晶パネルの反射率を従来の３分の１から
１／５まで改善できる。
【００１２】ここで本発明の表示装置は液晶ディスプレ
イの他に、エレクトロクロミックディスプレイにも適用
可能である。
イの他に、エレクトロクロミックディスプレイにも適用
可能である。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１４】（第１の実施例）図１は本発明の第１の実
施例を示す断面図であり、図１（ａ）はカラーフィルタ
ー断面模式図で、図１（ｂ）はＴＦＴ部分の断面模式図
である。
施例を示す断面図であり、図１（ａ）はカラーフィルタ
ー断面模式図で、図１（ｂ）はＴＦＴ部分の断面模式図
である。
【００１５】図１（ａ）において、１はガラス基板、２
はＣｒ遮光層（ブラックマトリクス）、３はＲ，Ｇ，Ｂ
のカラー層、４は黒色樹脂吸光層、５は表示領域外周の
Ｃｒ遮光層、６は平坦化層、７は透明導電層（ＩＴ
Ｏ）、８は配向膜を表す。またカラーフィルターにおい
て、画素領域、カラー層３，Ｃｒ遮光層２からなる領域
は表示領域を構成する。
はＣｒ遮光層（ブラックマトリクス）、３はＲ，Ｇ，Ｂ
のカラー層、４は黒色樹脂吸光層、５は表示領域外周の
Ｃｒ遮光層、６は平坦化層、７は透明導電層（ＩＴ
Ｏ）、８は配向膜を表す。またカラーフィルターにおい
て、画素領域、カラー層３，Ｃｒ遮光層２からなる領域
は表示領域を構成する。
【００１６】上記図１（ａ）に示す構成において、黒色
樹脂吸光層４はＣｒ遮光層２，５を電極として、エポキ
シ系樹脂と黒色顔料が電着法を用いて該Ｃｒ遮光層２，
５上に積層された皮膜で形成されており、これにより遮
光層表面の反射率が０．５％に改善された。
樹脂吸光層４はＣｒ遮光層２，５を電極として、エポキ
シ系樹脂と黒色顔料が電着法を用いて該Ｃｒ遮光層２，
５上に積層された皮膜で形成されており、これにより遮
光層表面の反射率が０．５％に改善された。
【００１７】次に図１（ｂ）において、９は液晶ディス
プレイの基板、１０は第１の絶縁層、１１は層間絶縁
膜、１２は第２の絶縁層、１３は平坦化層、１４は第３
の絶縁層、１５はＴｉ遮光層、１６は黒色樹脂吸光層、
１７は蓄積容量を構成する層、１８はＩＴＯの透明電
極、１９はゲート酸化膜、２０はソース電極、２１はド
レイン電極を表わす。
プレイの基板、１０は第１の絶縁層、１１は層間絶縁
膜、１２は第２の絶縁層、１３は平坦化層、１４は第３
の絶縁層、１５はＴｉ遮光層、１６は黒色樹脂吸光層、
１７は蓄積容量を構成する層、１８はＩＴＯの透明電
極、１９はゲート酸化膜、２０はソース電極、２１はド
レイン電極を表わす。
【００１８】上記図１（ｂ）に示す構成において、黒色
樹脂吸光層１６はＴｉ遮光膜１５を電極として、電着法
にて該遮光層上に積層されたものであり、これによりＴ
ｉ遮光層表面の反射率が０．５％程度まで低下したこと
が確認された。
樹脂吸光層１６はＴｉ遮光膜１５を電極として、電着法
にて該遮光層上に積層されたものであり、これによりＴ
ｉ遮光層表面の反射率が０．５％程度まで低下したこと
が確認された。
【００１９】本実施例を実行した場合、開口率４０％の
液晶パネルのパネル反射率は従来方式のパネルに比して
１／５に低下した。
液晶パネルのパネル反射率は従来方式のパネルに比して
１／５に低下した。
【００２０】なお、本実施例の液晶表示装置の配線は後
述する図２（ａ）に示すものと同様である。
述する図２（ａ）に示すものと同様である。
【００２１】（第２の実施例）図２（ａ）はＴＦＴを用
いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の配線模式図
であり、複数の信号線と走査線からなるマトリクス配線
の各交差点にＴＦＴが設けられ、そのソース電極又はド
レイン電極の一方が画素電極に接続されている。図２
（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ′に沿って切断した断面を
対向基板を含めて示した図であり、基板１と基板９の間
に液晶２２を挟持し、そのＴＦＴ基板９の側から光照射
を行う透過型として使用した場合を表している。なお、
図１と同一構成部材については同一符号を付する。
いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の配線模式図
であり、複数の信号線と走査線からなるマトリクス配線
の各交差点にＴＦＴが設けられ、そのソース電極又はド
レイン電極の一方が画素電極に接続されている。図２
（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ′に沿って切断した断面を
対向基板を含めて示した図であり、基板１と基板９の間
に液晶２２を挟持し、そのＴＦＴ基板９の側から光照射
を行う透過型として使用した場合を表している。なお、
図１と同一構成部材については同一符号を付する。
【００２２】図２（ｂ）において、この表示装置をカラ
ー表示する為、基板１側に赤（Ｒ），緑（Ｇ），青
（Ｂ）のカラーフィルター３を設けてある。尚、図中６
は平坦化層、７はＩＴＯ、２３は透明電極を使用した画
素電極、２４は信号線電極を示し、配向膜や両基板の外
側に配置した偏光板は図示を省略してある。
ー表示する為、基板１側に赤（Ｒ），緑（Ｇ），青
（Ｂ）のカラーフィルター３を設けてある。尚、図中６
は平坦化層、７はＩＴＯ、２３は透明電極を使用した画
素電極、２４は信号線電極を示し、配向膜や両基板の外
側に配置した偏光板は図示を省略してある。
【００２３】本実施例では、一部画素周縁部を含むマト
リクス配線部及びＴＦＴ部を総括的にカバーするＣｒ金
属遮光層２をカラーフィルター基板１の対向面側に予め
設置し、該金属遮光層２を電極としてイミド系樹脂と黒
色顔料カーボンブラックを金属遮光層２上に０．５ミク
ロンの厚みで電着塗装膜４を積層した後電着塗装膜４上
に高精度にアライメントされたカラーフィルターを作成
した例を示している。
リクス配線部及びＴＦＴ部を総括的にカバーするＣｒ金
属遮光層２をカラーフィルター基板１の対向面側に予め
設置し、該金属遮光層２を電極としてイミド系樹脂と黒
色顔料カーボンブラックを金属遮光層２上に０．５ミク
ロンの厚みで電着塗装膜４を積層した後電着塗装膜４上
に高精度にアライメントされたカラーフィルターを作成
した例を示している。
【００２４】本実施例においては、金属遮光層上の電着
法樹脂遮光層はカラーフィルター側のみ実施されており
ＴＦＴ基板側はＣｒ遮光層のみであるが、従来行われて
いるＣｒ遮光層のみの場合と比較してパネル反射率が１
／３に低下したことを確認できた。
法樹脂遮光層はカラーフィルター側のみ実施されており
ＴＦＴ基板側はＣｒ遮光層のみであるが、従来行われて
いるＣｒ遮光層のみの場合と比較してパネル反射率が１
／３に低下したことを確認できた。
【００２５】（比較例）図３は一般的なアクティブマト
リクス型液晶表示セルの断面模式図であり、図３におい
て、１及び９は透明基板でそれぞれカラーフィルター及
びＴＦＴを搭載している。なお、図１と同一構成部材に
ついては同一符号を付する。
リクス型液晶表示セルの断面模式図であり、図３におい
て、１及び９は透明基板でそれぞれカラーフィルター及
びＴＦＴを搭載している。なお、図１と同一構成部材に
ついては同一符号を付する。
【００２６】基板１上にはＣｒ遮光層（ブラックマトリ
クス）２及びＲ，Ｇ，Ｂの各カラー層３や表示領域外周
のＣｒ遮光層５、平坦化層６、透明導電層（ＩＴＯ）７
が設置されている（但し、配向膜、偏光板は図示してい
ない）。一方の基板９上にはＴＦＴ部（図示せず）と信
号線電極２４、画素電極（ＩＴＯ）２３及び信号線電極
と一部画素電極周縁部を覆う領域にＴｉ遮光層２５が配
置されている（配向膜は不図示である）。上記カラーフ
ィルター基板１と上記ＴＦＴ基板９の間は適切なギャッ
プを保ちながらシール剤２６で貼り合わされ、その間隙
に液晶２２を挟持して液晶表示パネルを構成している。
クス）２及びＲ，Ｇ，Ｂの各カラー層３や表示領域外周
のＣｒ遮光層５、平坦化層６、透明導電層（ＩＴＯ）７
が設置されている（但し、配向膜、偏光板は図示してい
ない）。一方の基板９上にはＴＦＴ部（図示せず）と信
号線電極２４、画素電極（ＩＴＯ）２３及び信号線電極
と一部画素電極周縁部を覆う領域にＴｉ遮光層２５が配
置されている（配向膜は不図示である）。上記カラーフ
ィルター基板１と上記ＴＦＴ基板９の間は適切なギャッ
プを保ちながらシール剤２６で貼り合わされ、その間隙
に液晶２２を挟持して液晶表示パネルを構成している。
【００２７】本比較例は上記カラーフィルター基板１と
上記ＴＦＴ基板９上の遮光層はそれぞれ金属Ｃｒ、金属
Ｔｉで構成されておりその表面に何らの黒色樹脂層を持
たない液晶パネルであり開口率４０％の場合のパネル反
射率は５５％を示した。
上記ＴＦＴ基板９上の遮光層はそれぞれ金属Ｃｒ、金属
Ｔｉで構成されておりその表面に何らの黒色樹脂層を持
たない液晶パネルであり開口率４０％の場合のパネル反
射率は５５％を示した。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
対向する基板に設けられた既設の導電性遮光層を電極に
利用して、該遮光層表面上に電着法により低反射率の樹
脂吸光層を積層したことにより、 （１）パネル反射率が大幅に低下し、コントラスト比の
向上と共に表示特性の改善が得られる。
対向する基板に設けられた既設の導電性遮光層を電極に
利用して、該遮光層表面上に電着法により低反射率の樹
脂吸光層を積層したことにより、 （１）パネル反射率が大幅に低下し、コントラスト比の
向上と共に表示特性の改善が得られる。
【００２９】（２）アライメントや平坦性の面で遮光層
の精度低下を伴わずに表示特性が改善されるので高精細
液晶表示装置に適用できる。
の精度低下を伴わずに表示特性が改善されるので高精細
液晶表示装置に適用できる。
【００３０】（３）新規な電極パターン形成が不要なの
でローコストで高い表示性能が得られる。
でローコストで高い表示性能が得られる。
【図１】本発明の第１の実施例に係るＴＦＴカラー液晶
ディスプレイのカラーフィルター及びＴＦＴ断面図であ
る。
ディスプレイのカラーフィルター及びＴＦＴ断面図であ
る。
【図２】本発明の第２の実施例に係るＴＦＴカラー液晶
ディスプレイで、（ａ）はＴＦＴを用いたアクティブマ
トリクス型液晶ディスプレイの配線説明図で（ｂ）は
（ａ）図のＡ−Ａ′に沿って切断した同液晶パネル断面
図である。
ディスプレイで、（ａ）はＴＦＴを用いたアクティブマ
トリクス型液晶ディスプレイの配線説明図で（ｂ）は
（ａ）図のＡ−Ａ′に沿って切断した同液晶パネル断面
図である。
【図３】従来のＴＦＴカラー液晶ディスプレイの断面図
である。
である。
１ 透明基板 ２ Ｃｒ遮光層（ブラックマトリクス） ３ 赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）カラー層 ４ 電着樹脂吸光層 ５ 表示領域外周のＣｒ遮光層 ６ 平坦化層 ７ 透明電極（ＩＴＯ） ８ 配向膜 ９ 透明基板 １０ 第１の絶縁層 １１ 層間絶縁膜 １２ 第２の絶縁層 １３ 平坦化層 １４ 第３の絶縁層 １５ Ｔｉ遮光層 １６ 電着樹脂吸光層 １７ 蓄積容量 １８ 透明電極（ＩＴＯ） １９ ゲート酸化膜 ２０ ソース電極 ２１ ドレイン電極 ２２ 液晶 ２３ 画素電極（ＩＴＯ） ２４ 信号線 ２５ Ｔｉ遮光層 ２６ シール剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H091 FA02Y FA34Y FB02 FB08 FB12 FC06 FD06 GA02 GA13 GA16 LA03 LA12 2H092 JA46 JB52 JB54 JB57 JB58 NA01 NA27 PA08 PA09 5C094 AA06 BA03 BA43 BA52 CA19 EA04 ED15 FB20
Claims (8)
- 【請求項１】 表示媒体を挟持する二枚の基板の少なく
とも一方の基板に、画素領域を除く少なくとも一部の領
域に導電性の遮光層を設け、該遮光層上に低反射率の樹
脂吸光層を設けたことを特徴とする表示装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の表示装置において、一
方の基板には非線形素子を有し、前記遮光層および樹脂
吸光層は該非線形素子を覆っていることを特徴とする表
示装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の表示装置において、一
方の基板にはカラー表示のための色層を有し、前記遮光
層および樹脂吸光層は該色層間に設けられていることを
特徴とする表示装置。 - 【請求項４】 請求項１に記載の表示装置において、前
記表示媒体は液晶であることを特徴とする表示装置。 - 【請求項５】 表示媒体を挟持する二枚の基板の少なく
とも一方の基板に、画素領域を除く少なくとも一部の領
域に導電性の遮光層を設け、該遮光層を電極に利用して
該遮光層上に電着法により低反射率の樹脂吸光層を積層
したことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 【請求項６】 請求項５に記載の表示装置の製造方法に
おいて、一方の基板には非線形素子を有し、前記遮光層
および樹脂吸光層は該非線形素子を覆っていることを特
徴とする表示装置の製造方法。 - 【請求項７】 請求項５に記載の表示装置の製造方法に
おいて、一方の基板にはカラー表示のための色層を有
し、前記遮光層および樹脂吸光層は該色層間に設けられ
ていることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 【請求項８】 請求項５に記載の表示装置の製造方法に
おいて、前記表示媒体は液晶であることを特徴とする表
示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11086799A JP2000284720A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
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| JP11086799A JP2000284720A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006098723A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | ディスプレイパネル |
| KR20150026180A (ko) * | 2013-09-02 | 2015-03-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 제조방법 |
| WO2021056743A1 (zh) * | 2019-09-24 | 2021-04-01 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
-
1999
- 1999-03-29 JP JP11086799A patent/JP2000284720A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006098723A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | ディスプレイパネル |
| KR20150026180A (ko) * | 2013-09-02 | 2015-03-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR102116443B1 (ko) * | 2013-09-02 | 2020-05-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 제조방법 |
| WO2021056743A1 (zh) * | 2019-09-24 | 2021-04-01 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
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