JP2000282215A - レ−ザアシスト高速フレ−ム溶射法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 大気中での溶射を実現。基材と皮膜との密着
性の向上。緻密な皮膜を形成。所要厚の溶射皮膜を確実
に形成。 【解決手段】 溶射ガン１にて高温，高速燃焼炎に溶射
材料を載せ溶融あるいは半溶融状態で溶射基材６／３６
に衝突させるＨＶＡＦ高速フレ−ム溶射と、この溶射皮
膜を溶融するＹＡＧレ−ザ照射５１とを同時並行実行
し、第１パス溶射では高速フレ−ムが皮膜を形成する位
置に同時にＹＡＧレ−ザＬbc１を照射し、第２パス以降
では高速フレ−ム溶射の直後にＹＡＧレ−ザＬbc２を照
射する。このような溶射の前に、溶射ガンキャリッジ２
で担持したレ−ザ距離計測ヘッド５にて基材上の複数点
の各距離を計測し、溶射作業中も皮膜表面の距離を計測
して、溶射前との差すなわち溶射皮膜厚を算出してそれ
が目標値以上になったかを判定する。ヘッド５をア−ム
３２で支持し１８０°旋回駆動する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、溶射ガンにて高
温，高速燃焼炎に溶射材料を載せ溶射基材に衝突させる
高速フレ−ム溶射とこの溶射皮膜を溶融するＹＡＧレ−
ザ照射とを同時に並行して行なう溶射に関する。

【０００２】

【従来の技術】金属表面等（基材）に各種機能皮膜を形
成する溶射法には、ガス溶射，アーク溶射，プラズマ溶
射，高速フレーム溶射等がある。これらの目的とする形
成皮膜の性質は、耐摩耗性，潤滑性，耐熱性，滑り性等
である。溶射温度が低温のガス溶射やアーク溶射は、比
較的低融点の金属溶射に向き、高温のプラズマ溶射は高
融点材料のセラミックス，Ｍｏ粉末の溶射も可能であ
る。高速フレーム溶射は、燃焼を利用した高速流（ジェ
ット）により、粉末を基材を衝突させ皮膜を形成するも
のである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】以上何れの溶射法にお
いても、皮膜への気孔の形成は免れなく、皮膜の緻密
性，基材との密着性等に難があった。またプラズマ溶射
は、高融点材料の溶射が可能であるが、大気中での溶融
においては、空気の巻き込みによる飛行粉末の酸化が発
生するので、その皮膜は本来の高融点材料の性質を得ら
れないという欠点があった。これらを改善する一方法と
して、プラズマ溶射にＣＯ₂ レーザまたはＹＡＧレーザ
を組み合わせた複合（ハイブリッド）溶射法が行われて
いる。これらの実施例は、何れも研究・実験室レベルで
の試みで、理想的な皮膜を得るために、皮膜の酸化を避
ける目的で減圧チャンバー内で空気を排除あるいは不活
性ガス（Ａｒ等）に置換した雰囲気にて溶射を行ってい
る。このため減圧チャンバーが必要であり、大型な溶射
対象物の場合は大型の減圧チャンバーが必要であり、減
圧に要する時間がかかる上、バッチ生産にならざる得な
い。更に不活性ガスに置換する場合は、減圧チャンバー
の大きさに応じたガスを消費する。

【０００４】本発明は、大気中での溶射を実現し、皮膜
の基材との密着性を高くすることを第１の目的とし、緻
密な皮膜を形成することを第２の目的とし、所要厚の溶
射皮膜を確実に形成することを第３の目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】高速フレーム溶射法は、
溶射材粉末を燃焼を利用した高速・高温気流に乗せ、溶
融あるいは半溶融（粉末の融点による）で基材に衝突さ
せるものである。高速フレーム溶射法には、燃焼の酸化
剤として酸素を使用するＨＶＯＦ(High Velocity Oxy F
uel)、および、空気を使用するＨＶＡＦ(High Velocity
Air Fuel)があり、それぞれ特徴を持っているが、皮膜
の緻密性は比較的良好である。酸素を助燃剤として使用
するＨＶＯＦと比較し、ＨＶＡＦによる溶射は、空気を
助燃剤とするため溶射皮膜の酸化がきわめて少なく、大
気中であっても良好な皮膜を得られる。

【０００６】しかし、ＨＶＡＦの燃焼温度は２４００°
Ｋ程度であるので、ＨＶＡＦ高速フレ−ム溶射は、高融
点材料の溶射には不向きである。ＨＶＡＦで高融点材料
を溶射した場合、材料粉末を溶融出来ずその形成皮膜は
末溶融粉末が積層した状態であり、基材との密着性に欠
け、粉末粒子間の緻密性、結合性もない。そこでレ−ザ
ビ−ム照射を併用する。この併用により、高融点金属の
Ｍｏ（モリブテン），Ｗ（タングステン），高融点セラ
ミックスのＺｒＯ₂（ジルコニア），ＭｇＯ（マグネシ
ア），ＡＬ₂Ｏ₃（アルミナ）の、酸化のない緻密性，基
材との密着性等に優れた高機能な皮膜を得ることが出来
る。

【０００７】ＹＡＧレーザはパワーを光ファイバ（ファ
イバーコア径はφ0.6〜1.0mm）で伝送できる波長である
ため、集光させる先端（光学レンズ系を持ち、レーザビ
ームを集光させ照射する。通常レーザ加工ヘッドとい
う。）を自由に、フレキシブルに移動させることが出来
る。このような特徴を持つＨＶＡＦとＹＡＧレーザを組
み合わせたレーザアシスト高速フレーム溶射法（複合、
ハイブリッド）により、高機能な溶射皮膜（皮膜の緻密
性，基材の密着性等）をシンプルなシステムにより得る
ことが出来る。

【０００８】ところで、溶射皮膜にレ−ザ照射をする場
合、皮膜形成後表面温度が低下してから皮膜表面にレー
ザ照射を行うと、急熱のため割れを生じる。第１パスの
高速フレーム溶射のときその溶射位置にレ−ザ照射を同
時に行なうことにより、割れや気孔の形成がなく溶射皮
膜の基材との密着性が向上する。第２パス以降では溶射
直後にレーザ照射する。この場合も割れを生じることな
く、緻密な皮膜表面となる。ＨＶＡＦの標準的溶射条件
は、速度200mm/sec，形成皮膜厚15μm/１パスである。
同時に移動するＹＡＧレーザビームの出力は、この速度
に対応する出力である必要がある。また照射範囲を広げ
るため焦点位置をずらす（デフォーカス）必要がある。
以上のことから、単位面積当たりの必要投入熱量からＹ
ＡＧレーザの出力は４〜５ＫＷを必要とする。この高容
量のレ−ザビ−ムは、コア径φ1.0mmの光ファイバでレ
−ザ照射ヘッドに導びくことができる。

【０００９】高速フレ−ム溶射ガンに対するレーザ照射
ヘッドの角度を溶射皮膜層により変更することにより、
更に効果が出る。即ち、レーザ照射ヘッドの溶射ガンに
対する角度調整機構を設け、例えば１パス目は溶射皮膜
を形成する位置に皮膜形成と同時にＹＡＧレ−ザを照射
し、第２パス以降では高速フレ−ム溶射によって溶射皮
膜を形成した直後に該溶射皮膜にＹＡＧレ−ザを照射す
る。このための角度変更は段階的でも、連続的でも良
い。

【００１０】更にレーザアシスト高速フレーム溶射法を
実際の溶射対象物に適用するためには、溶射走査方向が
自由であるのが好ましい。

【００１１】

【発明の実施の形態】（１）本発明の第１実施態様で
は、溶射ガン(1)にて高温，高速燃焼炎に溶射材料を載
せ溶融あるいは半溶融状態で溶射基材(6/36)に衝突させ
る高速フレ−ム溶射と、この溶射皮膜を溶融するＹＡＧ
レ−ザ照射(51)とを同時に並行して行ない、高速フレ−
ム溶射によって溶射皮膜を形成する位置に皮膜形成と同
時にＹＡＧレ−ザを照射する。なお、理解を容易にする
ためにカッコ内には、図面に示し後述する実施例の対応
要素又は対応事項の符号を、参考までに付記した。以下
も同様である。

【００１２】これによれば、割れや気孔の形成がなく溶
射皮膜の基材との密着性が向上する。 （２）本発明の第２実施態様では、溶射ガン(1)にて高
温，高速燃焼炎に溶射材料を載せ溶融あるいは半溶融状
態で溶射基材(6/36)に衝突させる高速フレ−ム溶射と、
この溶射皮膜を溶融するＹＡＧレ−ザ照射(51)とを同時
に並行して行ない、第１パスの高速フレ−ム溶射のとき
はそれによって溶射皮膜を形成する位置に皮膜形成と同
時にＹＡＧレ−ザを照射し、第２パス以降では高速フレ
−ム溶射によって溶射皮膜を形成した直後に該溶射皮膜
にＹＡＧレ−ザを照射する。

【００１３】これによれば、第１パスの溶射で割れや気
孔の形成がなく溶射皮膜の基材との密着性が向上する。
第２パス以降では、緻密な皮膜表面となる。 （３）本発明の第３実施態様では、溶射作業に先立っ
て、高速フレ−ム溶射ガン(1)およびＹＡＧレ−ザ照射
ヘッド(51)を支持する部材(2)および溶射基材(6/36)の
少くとも一方(2)を他方(6/36)に対して相対的に駆動し
て、前記支持部材(2)で担持した距離測定器(5)にて溶射
基材(6/36)の複数点の各距離を計測し；溶射作業中は、
溶射ガン(1)が噴射する高速フレ−ムが溶射基材(6/36)
を走査するように、前記支持部材(2)および溶射基材(6/
36)の少くとも一方を他方に対して相対的に駆動すると
共に、高速フレ−ムおよびＹＡＧレ−ザが走査した溶射
基材表面の距離を距離測定器(5)にて計測し、溶射作業
に先立って計測した値，今回の計測値および溶射皮膜厚
目標値に従って溶射皮膜厚が目標値に達したかを判定す
る。

【００１４】これによれば、溶射作業前の溶射基材(6/3
6)の距離計測値と溶射を開始した後の距離計測値との差
が溶射皮膜厚であり、この差を溶射皮膜厚目標値と比較
すると、差≧目標値をもって所要の膜厚が得られたとす
ることができる。溶射作業前および溶射作業中の距離計
測がいずれも自動的に行なわれ、しかも上述の差≧目標
値の判定を溶射作業中にリアルタイムで実行するので、
溶射皮膜厚管理労力が激減し、所要厚の溶射皮膜を確実
に形成することができる。 （４）高温，高速燃焼炎に溶射材料を載せ溶融あるいは
半溶融状態で溶射基材(6/36)に衝突させる高速フレ−ム
溶射ガン(1)；該溶射ガン(1)を支持する部材(2)；該支
持部材(2)で支持されたＹＡＧレ−ザ照射ヘッド(51)；
前記高速フレ−ム溶射ガン(1)が噴射する高速フレ−ム
が溶射基材(6/36)を走査するように、前記支持部材(2)
および溶射基材(6/36)の少くとも一方(2)を他方(6/36)
に対して相対的に駆動する走査手段(図3)；および、該
ＹＡＧレ−ザ照射ヘッド(51)を、その指向線(Lbc1/Lbc
2)が、前記高速フレ−ム溶射ガン(1)が噴射する高速フ
レ−ムの溶射基材上の衝突点に交わる姿勢と、走査移動
に関して該衝突点より後方で溶射皮膜と交わる姿勢に設
定するための、姿勢制御手段(53,30)；を備えるレ−ザ
アシスト高速フレ−ム溶射装置。 （５）前記ＹＡＧレ−ザ照射ヘッド(51)がレ−ザを照射
した溶射皮膜厚を検出するために、前記支持部材(2)で
支持した計測器(5)；を更に備えるレ−ザアシスト高速
フレ−ム溶射装置。 （６）溶射ガン(1)に対してはその噴射ノズルを中心に
回動自在に、ガン支持部材(2)で支持され、前記計測器
(5)を支持する部材(32)；を更に備えるレ−ザアシスト
高速フレ−ム溶射装置。

【００１５】これによれば、溶射ガン(1)をｘ方向に走
査する場合には溶射ガン(1)と計測器(5)がｘ方向に並び
しかも走査方向に関して溶射ガン(1)よりも後方に位置
するように、計測器支持部材(32)の回動角を設定するこ
とができ、また、溶射ガン(1)をｙ方向走査に変更する
ときは、溶射ガン(1)と計測器(5)がｙ方向に並びしかも
走査方向に関して溶射ガン(1)よりも後方に位置するよ
うに、計測器支持部材(32)の回動角を設定することがで
きるので、走査方向の選択自由度が高くなる。 （７）前記計測器支持部材(32)を溶射ガン(1)の噴射ノ
ズルを中心に回動駆動する電動機構(図7)；を更に備え
るレ−ザアシスト高速フレ−ム溶射装置。

【００１６】これによれば、例えば長いｙ往走査の次に
短いｘ往走査をし次に長いｙ復走査をして次に短いｘ往
走査をして、このようｙ往走査＋ｘ往走査＋ｙ復走査を
繰返して弓形軌跡で走査する場合、あるいはジグザグ走
査する場合、ｙ往走査の終り点（又はｙ復走査の始点）
で計測器支持部材(32)を１８０度回動させることによ
り、ｙ往走査で走査の後方にあった計測器(5)をｙ復走
査でも走査の後方に自動的に駆動することができる。

【００１７】本発明の他の目的および特徴は、図面を参
照した以下の実施例の説明より明らかになろう。

【００１８】

【実施例】−第１実施例− 図１に、本発明の第１実施例の外観を示す。この実施例
では、床の上方に２本の水平ｙ梁４ａ，４ｂがあり、こ
れらにｙ方向に移動自在に水平ｘ梁３が結合し、この水
平ｘ梁３に、ｘ方向に移動自在にガンキャリッジ２が結
合し、このキャリッジ２で、ＨＶＡＦ高速フレ−ム溶射
ガン１が支持されている。キャリッジ２と水平ｘ梁３に
は、キャリッジ２をｘ方向に駆動する電動ｘ駆動装置が
装備されているが、その機構の図示は省略した。該電動
ｘ駆動装置の電気モ−タは、図２上では単にＭと表記し
て、図３上ではＭｘと表記している。

【００１９】また、水平ｘ梁３と水平ｙ梁４ａ，４ｂに
は、水平ｘ梁３をｙ方向に駆動する電動ｙ駆動装置が装
備されているが、その機構の図示も省略した。該電動ｙ
駆動装置の電気モ−タは、図２上では単にＭと表記し
て、図３上ではＭｙと表記した。これらｘ，ｙ駆動装置
によって高速フレ−ム溶射ガン１（の下向きのＨＶＡＦ
高速フレ−ム噴射ノズル）を、所定位置の所定サイズの
ｘ，ｙ平面上の任意点に位置決めすることができる。

【００２０】ガンキャリッジ２にはア−ム３２が固着さ
れており、このア−ム３２の先端にレ−ザ距離計の計測
ヘッド５が固定され、ア−ム３２の中程にＹＡＧレ−ザ
照射ヘッド５１があって、ア−ム３２で支持されてい
る。溶射ガン１の下向きの噴射ノズルの中心線がある
ｙ，ｚ平面上にヘッド５１のレ−ザ照射指向線（中心
線）があり、しかも該ｙ，ｚ平面上に計測ヘッド５のね
らい線（ヘッド５の中心線）もある。

【００２１】このｙ，ｚ平面上でヘッド５１のレ−ザ照
射指向線がｘ軸を中心に回動しうるように、ＹＡＧレ−
ザ照射ヘッド５１は、ｘ方向に延びるピンを中心に回動
可であり、通常はソレノイド（電磁コイル装置）５３の
圧縮コイルスプリングの反発力でプランジャが押され、
このプランジャに連結したア−ムを介してヘッド５１が
回動強制され、これによってヘッド５１のレ−ザ照射指
向線はＬｂｃ２の位置となっている。ヘッド５１のこの
姿勢が、２パス目以降の溶射を行なうときに設定される
待機姿勢である。ソレノイド５３に通電があると電気コ
イルが発生する磁力によってプランジャが、圧縮コイル
スプリングの反発力に抗して下方向に引き込まれ、これ
によりヘッド５１が反時計方向に回動してそのレ−ザ照
射指向線はＬｂｃ１の位置となる。この指向線Ｌｂｃ１
は、溶射対象の基材であるロ−ル６の表面と、溶射ガン
１のノズル中心に対向する位置で、交わる。ヘッド５１
のこの姿勢が、１パス目の溶射を行なうときに設定され
る初期姿勢である。

【００２２】図１に示す実施例では、床に、図示しない
ロ−ル支持スタンドがあり、それに電動回転駆動機構付
の軸チャックがあり、該軸チャックによって、溶射基材
であるロ−ル６の軸７ａ，７ｂが固定支持されている。
電動回転駆動機構の電気モ−タ（図２，図３上のＭｒ）
によって軸チャックが回転駆動され、これにより溶射基
材であるロ−ル６が回転する。ＨＶＡＦ高速フレ−ム溶
射ガン１は、ロ−ル６のドラム状周面の、最上部（頂
点）の上方にある。

【００２３】レ−ザ距離計の計測ヘッド５の距離計測の
ねらい線（ヘッド５の中心線）は、ロ−ル６の中心線と
直交する。溶射時はロ−ル６が、符号７ａの近くの矢印
の方向（以下これを反時計方向と称す）に回転駆動さ
れ、そのときガン１のノズルに対向したロ−ル面は、ロ
−ル６が角度Ｄｒ（°）回転したときに計測ヘッド５の
ねらい線に達し、そしてそれを横切る。すなわち計測ヘ
ッド５は、溶射基材であるロ−ル６の回転すなわち溶射
基材の走査、に関して後方（回転角度でＤｒ°後方）に
位置する。レ−ザ照射ヘッド５１は、第１パス溶射のと
きにはガン１のノズルに対向したロ−ル面をねらう（Ｌ
bc１）が、第２パス以降の溶射のときには、ガン１のノ
ズルに対向したロ−ル面と計測ヘッド５の距離計測点の
間のロ−ル面をねらう（Ｌbc２）。

【００２４】図１に示す溶射機構は、図２に示す溶射シ
ステムの一部であり、中継箱３０の電気装置によって走
査駆動される。中継箱３０の電気装置にはホストとして
パソコン４１が接続されており、このパソコン４１が、
溶射スケジュ−ルに従って溶接条件および制御指令を中
継箱３０の電気装置に与える。

【００２５】図３に、中継箱３０の電気要素の概要を示
す。上述の、ガン１のｘ，ｙ駆動機構には、それぞれに
運動範囲を定める始端リミットスイッチＬｘｏ，Ｌｙｏ
および終端リミットスイッチＬｘｅ，Ｌｙｅが備わって
おり、ガン１が各機構の始端相当位置にあるときに始端
リミットスイッチが開、終端リミットスイッチは閉であ
り、ガン１が始端相当位置と終端相当位置の間にあると
きには両スイッチ共に閉、ガン１が各機構の終端相当位
置にあるときに始端リミットスイッチは閉、終端リミッ
トスイッチは開である。

【００２６】上述のｘ，ｙ移動機構および基材回転駆動
機構それぞれの電気モ−タＭｘ，Ｍｙ，およびＭｒの回
転軸には、ロ−タリエンコ−ダＲｘ，ＲｙおよびＲｒが
結合されており、これらは電気モ−タの所定小角度の回
転につき１個の電気パルスを発生する。また、基材回転
駆動機構には、ロ−ル６の１回転につき１個の電気パル
スを発生する回転角度基点検出用のロ−タリエンコ−ダ
Ｒｈが備わっている。

【００２７】ガン１を走査駆動しているとき、マイクロ
プロセッサを含むコントロ−ラ２１ｘ，２１ｙが、電気
モ−タＭｘ，Ｍｙを正転付勢しているときにはロ−タリ
エンコ−ダＲｘ，Ｒｙが発生する電気パルスをカウント
アップし、逆転付勢しているときにはロ−タリエンコ−
ダＲｘ，Ｒｙが発生する電気パルスをカウントダウン
し、始端リミットスイッチＬｘｏ，Ｌｙｏが開のときに
はカウント値をクリアする（カウントデ−タを０を示す
ものにする）。例えば、コントロ−ラ２１ｘは、それ自
身に電源が投入されると、始端リミットスイッチＬｘｏ
が開（ガン１のｘ位置が始端位置）であるかをチェック
し、それが閉（始端位置にない）であると、モ−タドラ
イバ２２ｘにモ−タ逆転付勢を指示し、モ−タドライバ
２２ｘが逆転通電回路を閉じる。この逆転通電回路に始
端リミットスイッチＬｘｏが含まれておりそれが閉であ
るので、電気モ−タＭｘに逆転電流が流れ電気モ−タＭ
ｘが逆回転する。この逆回転で始端リミットスイッチＬ
ｘｏが開になると、逆転通電回路が開となって電気モ−
タＭｘへの逆転電流が遮断されて電気モ−タＭｘが停止
する。一方コントロ−ラ１ｘは、始端リミットスイッチ
Ｌｚｏが閉から開に切換わると、モ−タドライバ２２ｘ
への逆転指示を解除し、ｘ移動位置レジスタ（マイクロ
プロセッサの内部ＲＡＭの１領域）をクリアする。ここ
で溶射ガン１のｘ移動位置がｘ移動範囲の始端にあり、
ｘ移動位置レジスタのデ−タは０（基点）を示すものに
なっていることになる。コントローラ２１ｙの動作も２
１ｘのものと同様であり、モータドライバ２２ｙの動作
も２２ｘのものと同様である。

【００２８】ロ−ル６を回転駆動しているとき、マイク
ロプロセッサを含むコントロ−ラ２１Ｒが、ロ−タリエ
ンコ−ダＲｒが発生する電気パルスをカウントアップ
し、ロ−タリエンコ−ダＲｈが電気パルスを発生すると
カウント値を０に初期化する。カウント値は、ロ−ル６
の、回転角度基点からの回転角度を表わす。パソコン４
１の、ソレノイド５３のオン／オフ指令は、ＣＰＵ２４
およびコントロ−ラ２１Ｒを介してソレノイドドライバ
２２Ｓに与えられ、ドライバ２２Ｓが、オン指令のとき
にはソレノイド５３に通電し、オフ指令が与えられると
通電を停止する。

【００２９】コントローラ２１ｃはＣＰＵ２４の指示に
応じて、レ−ザ照射ヘッド５１に接続した光ファイバに
レ−ザを出射するＹＡＧレ−ザ光源１６には、電流・電
圧および電源オン（通電）／オフ（通電停止）ならびに
レ−ザ照射オン（出射）／オフ（停止）を指定する信号
を与え、ＨＶＡＦ高速フレ−ム溶射ガン１にジェット燃
料および酸化気体（主に空気）を圧送する流体供給装置
１７には、流量，圧力およびオン（供給）／オフ（停
止）を指示する信号を与え、溶射皮膜の原料である溶射
材粉体をガン１に送給する粉体送給装置１８には供給速
度およびオン（供給）／オフ（供給停止）を指示する信
号を与える。ＣＰＵ２４には、入出力（Ｉ／Ｏ）ポート
２３を介してコントローラ２１ｘ，２１ｙ，２１Ｒおよ
び２１ｃ、ならびに操作ペンダント８が選択的に接続さ
れる。この接続は、システムコントローラ２５を介して
ＣＰＵ２４が指定する。ＣＰＵ２４のアドレスバス，デ
ータバスにはＲＯＭ２６およびＲＡＭ２７が接続されて
いる。システムコントローラ２５は、ＣＰＵ２４が指示
する制御信号をＲＯＭ２６，ＲＡＭ２７および操作ペン
ダント８に与える。

【００３０】再度図２を参照する。パソコン４１には２
次元ディスプレイ４２ならびにキ−ボ−ドおよびマウス
４３が接続されており、これら全体のコンピュ−タシス
テムが制御盤として構成され、パソコン４１に、オペレ
−タ入力に対応して溶射スケジュ−ルを生成し、溶射ス
ケジュ−ルに従って溶射機構を駆動し溶射を行なうプロ
グラム、が格納されている。

【００３１】図４に、該プログラムによって実現する機
能を、オペレ−タの作業フロ−に従って示す。制御盤４
０に電源が投入されてパソコン４１が電源オン応答の初
期化を終えると、該プログラムが起動されて、ディスプ
レイに、溶射作業メニュ−が表示される。該メニュ−上
の主な項目は、 溶射条件作成編集（溶射条件作成，溶射条件編集） 目標厚，ピッチ入力 溶射前計測 溶射 計測デ−タの編集 である。オペレ−タは、パソコン４１の表示メニュ−の
「溶射条件作成編集」を選択して、その中のサブメニュ
−の「溶射条件作成」又は「溶射条件編集」で溶射条件
を生成又は編集して今回の溶射作業用に登録し、次に
「目標厚，ピッチ入力」を選択して、溶射皮膜厚目標
値，溶射のｘ軸スタ−ト位置Ｘｓ，エンド位置Ｘｅ，周
方向サンプリングピッチＰｒおよびｘ方向サンプリング
ピッチＰｘを入力する。

【００３２】次に操作ペンダント８の入力キ−を操作し
て溶射ガン１をｘ軸スタ−ト位置Ｘｓに設定し、そして
「溶射前計測」を選択しその実行（スタ−ト）を指示す
る。これに応答してパソコン４１が、「溶射前距離計
測」５を実行する。すなわち溶射前距離計測のプログラ
ムを起動し、レ−ザ距離計（ヘッド５＋計測回路５ｐ
ｃ）による、ロ−ル６周面の距離計測を行なって計測値
を溶射前計測値テ−ブル（パソコン４１内部のメモリの
一領域）に書込む。この内容は、図５を参照して後述す
る。この計測を終了するとパソコン４１は、自動的に
「目標距離演算」６を実行して、溶射前計測値テ−ブル
の各計測値を順次に読出して読出し値から溶射皮膜目標
値を減算した値を目標値テ−ブルに書込む。これを終了
するとパソコン４１が、目標距離設定の完了を報知す
る。

【００３３】オペレ−タが「溶射」を選択しその実行
（スタ−ト）を指示すると、パソコン４１が「溶射」７
を実行する。この内容は、図６を参照して後述する。
「計測デ−タの編集」８は、オペレ−タの指示（対話入
力）に応じて、溶射前距離（溶射前計測値テ−ブルのデ
−タ）および溶射各パスｉ直後の距離（ｉテ−ブルのデ
−タ）を出力用に編集し、および又は、それらのデ−タ
に基づいて各パスの溶射皮膜厚および全パスの総皮膜厚
を算出し出力用に編集するものであり、編集前，後のデ
−タをディスプレイ４２に表示し、プリント出力指示に
応じて外部接続のプリンタでプリントアウトする。

【００３４】図５を参照して「溶射前距離計測」５の内
容を説明する。この処理に進むとパソコン４１は、入力
ボ−ド４３又は操作ペンダント８から計測スタ−ト指示
が与えられるのを待ち、その間操作ペンダント８から溶
射ガン１のｘ，ｙ駆動入力があるとこれに応答した溶射
ガン駆動をＣＰＵ２４に許可する（ステップ５１，５
２）。以下、カッコ内には、ステップという語を省略し
て、ステップＮｏ．数字のみを記す。

【００３５】計測スタ−ト指示があるとパソコン４１
は、溶射条件の中のロ−ル回転速度（指定値）Ｖroでの
定速回転駆動を中継箱３０に指示し、ＣＰＵ２４がコン
トロ−ラ２１Ｒにこの定速回転を指定する（ステップ５
３）。コントロ−ラ２１Ｒは、ロ−ラ６の回転駆動を開
始し、その回転速度が略Ｖroに達して定速制御をスタ−
トしたときに、速度レディを、ＣＰＵ２４に報知し、Ｃ
ＰＵ２４が通信コントロ−ラ９を介してこれをパソコン
４１に報知する（ステップ５４）。これに応答してパソ
コン４１は、中継箱３０（のＣＰＵ２４）にＸｓへの溶
射ガン駆動を指示し（ステップ５５）、ロ−タリエンコ
−ダＲｈが、角度基点パルスＰＲｈを発生するのを待ち
（５６）、それが発生するとロ−タリエンコ−ダＲｒが
発生するパルスＰＲｒのカウントアップを開始し（５
７）、カウント値がＤｒになるのを待つ（５８）。すな
わち、ロ−ル６の周方向基点位置（回転角基点）が計測
ヘッド５のねらい線に達するのを待つ。

【００３６】カウント値がＤｒになると、パソコン４１
は、溶射条件のｘ方向溶射ガン駆動速度（指定値）Ｖxo
での定速回転駆動を中継箱３０に指示する（５９）。次
に、ロ−タリエンコ−ダＲｒ，Ｒｘが発生するパルスに
応答してその発生数をカウントアップする、パソコン自
身のＲｒ，Ｒｘ割込み処理、を許可（設定）し（６
０）、溶射前計測値テ−ブルの書込みアドレスＡｄを初
期化する（６１）。そして書込みアドレスＡｄを、書込
み第１アドレスに進めてそこに、レ−ザ距離計（５＋５
pc）の計測距離デ−タを書込む（６２）。Ｒｒ，Ｒｘ割
込み処理を許可したことにより、ロ−タリエンコ−ダＲ
ｒが１パルス発生するとカウントレジスタＣＲｒのカウ
ントデ−タが１インクレメントされ、ロ−タリエンコ−
ダＲｘが１パルス発生するとカウントレジスタＣＲｘの
カウントデ−タが１インクレメントされる。レジスタＣ
Ｒｒのカウントデ−タはロ−ル６の回転量を示し、レジ
スタＣＲｘのカウントデ−タは、溶射ガン１のｘ方向の
移動量を示す。

【００３７】その後は、ロ−ル６の、周方向に１ピッチ
（Ｐｒ°）分の回転量毎に、この回転量デ−タ（レジス
タＣＲｒのデ−タＣＲｒ）を初期化して（６３，６
４）、溶射前計測値テ−ブルの書込みアドレスＡｄを次
に進めてそこに、レ−ザ距離計（５＋５pc）の計測距離
デ−タを書込む（６５）。この繰返しにより、ロ−ル６
の一周（第１ライン）上の、ヘッド５／ロ−ル表面間距
離デ−タが、Ｐｒピッチで溶射前計測値テ−ブルに書込
まれる。

【００３８】この一周分の書込を終えたときに、ロ−タ
リエンコ−ダＲｈが１パルスを発生し、レジスタＣＲｘ
のデ−タの値ＣＲｘが１となる。これに応答してパソコ
ン４１は、ロ−タリエンコ−ダＲｒが発生するパルスの
カウントアップ（パルスＰＲｒ割込み）を禁止し（６
７，６８）、レジスタＣＲｘのデ−タが、ｘ方向ピッチ
Ｐｘに等しくなるのを待ち（６９）、そうなるとレジス
タＣＲｒ，ＣＲｘをクリアして（７０）、パルスＰＲｒ
割込みを許可し（７１）、溶射前計測値テ−ブルの書込
みアドレスＡｄを進めて、そこにレ−ザ距離計（５＋５
ｐｃ）の計測距離デ−タを書込む（６２）。

【００３９】その後は、ロ−ル６の、周方向に１ピッチ
（Ｐｒ°）分の回転量毎に、この回転量デ−タ（レジス
タＣＲｒのデ−タＣＲｒ）を初期化して（６３，６
４）、溶射前計測値テ−ブルの書込みアドレスＡｄを次
に進めてそこに、レ−ザ距離計（５＋５pc）の計測距離
デ−タを書込む（６５）。この繰返しにより、ロ−ル６
の一周（第２ライン）上の、ヘッド５／ロ−ル表面間距
離デ−タが、Ｐｒピッチで溶射前計測値テ−ブルに書込
まれる。上記第１ラインと第２ラインのｘ方向距離がｘ
ピッチＰｘである。

【００４０】パソコン４１は、上述の各一周の計測距離
値の溶射前計測値テ−ブルの書込みを、溶射ガン１（ヘ
ッド５）がｘ軸のＸｅ位置になるまで繰返す。そしてＸ
ｅ位置になるとパソコン４１は、溶射ガン１のｘ駆動を
停止し、ロ−ル６の回転駆動を停止する。

【００４１】次にパソコン４１は、「目標距離演算」６
（図４）に進んで、溶射前計測値テ−ブルの計測値を順
次に読出して計測値より溶射皮膜目標値を差し引いた値
を距離目標値として目標値テ−ブル（パソコン４１内の
メモリの一領域）に書込む。

【００４２】次に、図６を参照して「溶射」７の内容を
説明する。ここではまず、溶射ガン１より高速フレ−ム
（燃焼ジェット）の噴射を開始しかつ溶射条件にて溶射
材粉体の送給を行なって溶射材フレ−ムを噴射させる
（７３，７４）。そしてスタ−ト指示があると、ロ−ル
６を溶射条件の中の回転速度Ｖroで回転駆動する（７
５，７６）。

【００４３】ロ−ル６の回転速度がＶroに達すると、ソ
レノイド５３に通電してレ−ザ照射ヘッド５１を第１パ
ス用の初期姿勢（Ｌbc１）に設定し、第１パス溶射後計
測値テ−ブルを、距離計測値の書込みに定め（７７，７
８）、溶射ガン１を開始位置Ｘｓに駆動し（７９）、レ
ジスタＰＦＦをクリアする（８０）。なお以後において
レジスタＰＦＦのデ−タ０は、溶射皮膜厚目標値以上の
溶射が終わっていることを意味し、デ−タ１は、溶射皮
膜厚目標値未満（溶射の継続要）を意味する。

【００４４】その後は、ヘッド５１からのＹＡＧレ−ザ
の出射を開始し（８２）、そして上述の溶射前距離計測
のときと同様に、溶射ガン１（およびヘッド５１，５）
を、溶射条件の中のｘ駆動速度Ｖxoでｘ方向に駆動し
（８１〜８４）、ロ−ル６の周方向にＰｒピッチで、距
離計測値を第１パス溶射後計測値テ−ブルに書込み（８
５〜８８）、同時に対応位置の距離目標値を目標値テ−
ブルより読出して（８９）、今回の距離計測値＞距離目
標値（溶射皮膜目標厚の溶射が完了していない）かをチ
ェックして（９０）、そうであるとレジスタＰＦＦに１
（溶射継続要）を書込む（９１）。以下、上述の溶射前
距離計測のときと同様に、周方向Ｐｒピッチ、ｘ方向Ｐ
ｘピッチで上述の距離計測値のテ−ブルへの書込みと距
離計測値＞距離目標値のチェックを行なう（８７〜１０
０）。

【００４５】そして溶射ガン１がエンド位置Ｘｅに達す
るとパソコン４１は、ヘッド５１からのレ−ザ出射は停
止し、ソレノイド５３の通電を停止してレ−ザ照射ヘッ
ド５１を、第２パス以降用の待機姿勢に戻し、次パス用
の溶射後計測値テ−ブルを指定する（１０１）。そして
レジスタＰＦＦのデ−タをチエックして（１０２）、そ
れが１（溶射皮膜目標厚の溶射が完了していない）であ
ると、溶射ガン１を開始位置Ｘｓに戻して再度上述の、
ステップ８０以下の、１パス溶射処理（８０〜１０１）
を行なう。１パス溶射処理の開始時にレジスタＰＦＦを
クリアして（８０）、そのデ−タを０（溶射皮膜目標厚
の溶射が完了）に設定するが、１パス溶射（開始点Ｘｓ
〜Ｘｅ）のサンプリング点の１つでも溶射が未完（距離
計測値＞距離目標値）であると、そこでレジスタＰＦＦ
に１（溶射未完）を書込む（９０，９１）ので、その場
合には次パスの溶射に進む（１０１−１０２−７９）。
１パス溶射のサンプリング点のすべてで距離計測値≦距
離目標値（溶射皮膜厚が目標値以上）であるとステップ
９１のレジスタＰＦＦへのデ−タ１の書込みは実行しな
いので、レジスタＰＦＦのデ−タが０（溶射皮膜厚が目
標値以上）に留まる。このときには、該パスを終了した
時点で、溶射を停止する（１０２，１０３）。

【００４６】「計測デ−タの編集」８では、パソコン４
１がディスプレイ４２に、計測デ−タの編集メニュ−を
表示する。その中に、パス毎溶射皮膜厚演算および総皮
膜厚演算があり、オペレ−タが総皮膜厚演算を指定する
と、パソコン４１はまず最終パス（ｉが最大値）の距離
計測値テ−ブルと溶射前距離計測値テ−ブルとを指定し
て、両テ−ブル上の対応サンプリング点（同一Ａｄ）の
計測値の差すなわち総皮膜厚を算出して総皮膜厚テ−ブ
ルに書込むと共にディスプレイに表示する。パス毎溶射
皮膜厚演算が指定され、パスＮｏ．ｊが入力されると、
パソコン４１は、ｉ＝ｊの距離計測値テ−ブルとｉ＝ｊ
−１の距離計測値テ−ブルを指定して、両テ−ブル上の
対応サンプリング点の計測値の差すなわち第ｊパス溶射
皮膜厚を算出して第ｊパス皮膜厚テ−ブルに書込むと共
にディスプレイに表示する。オペレ−タは、ディスプレ
イに表示中のテ−ブル（デ−タ群）およびメモリ上のテ
−ブル（デ−タ群）を指定してディスプレイ上でレイア
ウトおよび量表示形態（数字表示，グラフ表示）を編集
し、プリント指示することができる。

【００４７】−第２実施例− 第２実施例の機構概要を図７に示す。この第２実施例
は、溶射基材３６を溶射ガン１でｘ，ｙ２次元走査する
態様である。図７に示すようにｙ方向に一列に、ＨＶＡ
Ｆ高速フレ−ム溶射ガン１，レ−ザ照射ヘッド５１およ
びレ−ザ距離計測ヘッド５を配列し、それらを支持する
水平ｙ梁２を、ｘ方向には比較的に高速で往復走査しつ
つｙ方向には低速で＋ｙ（一方向）走査することによ
り、あるいは、＋ｘ方向の往走査の終点で＋ｙ方向に所
定短距離駆動し、そして−ｘ方向に復走査し、その終点
で＋ｙ方向に所定短距離駆動し、そして＋ｘ方向の往走
査をするという具合にｘ駆動とｙ駆動を交互に繰返すこ
とにより、溶射対象材である基材３６に対する溶射２次
元走査が実現する。この場合、２パス目以降のレ−ザ照
射指向線Ｌｂｃ２の基材との交点は、図７に示す位置よ
りも、溶射ガン１のノズル直下に近付けることができる
ので、第１パスと第２パス目以降のいずれでも、溶射ガ
ン１の溶射点に対して所望位置にレ−ザ照射点を定める
ことができる。

【００４８】しかしレ−ザ距離計測ヘッド５による距離
計測点はｙ方向にかなりずれ、ある位置を溶射してから
その位置の距離計測値が得られるまでに、数回又は数十
回分のｘ方向往復走査の遅れを生ずる。この遅れを短縮
するためには、溶射ガン１の走行の後方に距離計測のた
めのヘッド５を位置決めしなければならない。上述のよ
うに溶射２次元走査する場合、＋ｘ方向の走査を終えて
＋ｙ方向に所定短距離駆動し、そして−ｘ方向に走査す
るときには、レ−ザ距離計の距離計測ヘッド５を支持す
るア−ム３２を、溶射ガン１の噴射ノズルを中心に１８
０度回転駆動する必要がある。

【００４９】このような回転駆動を自動で円滑かつ高速
で行なうために、第２実施例（図７）では、リング状の
平歯車を、溶射ガン１廻りには回動自在にして溶射ガン
キャリッジ２で吊り支持し、平歯車にヘッド支持ア−ム
３２を固着し、平歯車に噛合う小径ギアを電気モ−タＭ
ｒで回転駆動するようにした。

【００５０】この第２実施例の溶射システムは、大略で
図２に示すものと同様であるが、図２上の回転駆動機構
１２を、図７に示すア−ム３２を回転駆動する機構（上
述の平歯車，小径ギアおよび電気モ−タＭｒ）に置換し
たものとなる。第２実施例の溶射システムで用いられる
中継箱３０も図３に示すものと同様であるが、図３上の
モ−タＭｒおよびロ−タリエンコ−ダＲｒ，Ｒｈは、図
７上に示すものとなる。

【００５１】図８に、ｘ方向一走査毎にヘッド支持ア−
ム３２を１８０度旋回駆動する態様の平面図を示す。図
８上に実線で示すように、＋ｘ方向に走査移動するとき
にはア−ム３２をｘ軸に平行かつ走査移動方向に関して
溶射ヘッド１の後方とし、−ｘ方向に走査移動するとき
には図８上に仮想線（２点鎖線）で示すように、ア−ム
３２を、溶射ヘッド１を中心に１８０度旋回駆動した位
置とすることにより、ｘ走査各ラインの溶射後の距離を
該ラインの溶射中に計測することができる。

【００５２】この態様での「溶射前距離計測」５は、溶
射作業のときと同じく、溶射ガン１を溶射軌跡に沿って
自動駆動しつつ、設定位置でア−ム３２を１８０°旋回
駆動し、設定されたサンプリングピッチでレ−ザ距離計
（ヘッド５＋計測回路５pc）の計測値を読込んでメモリ
に書込む。ただし、溶射ガン１は溶射付勢しない。ヘッ
ド５１はレ−ザを出射しない。また、サンプリング領域
を溶射領域始点（Ｘｓ，Ｙｓ）と終点（Ｘｅ，Ｙｓ）を
対角コ−ナとする矩形領域とし、その外は計測値サンプ
リングのマスク領域とする。そして溶射ガン１のｘ，ｙ
位置からヘッド５のｘ，ｙ位置を算出して、ヘッド位置
が該矩形領域内にあることを条件に、距離計測値を読込
む。

【００５３】この態様での「溶射」７は、溶射ガン１よ
り溶射流を噴射しヘッド５１からレ−ザを出射しつつ溶
射ガン１をｘ，ｙ２次元走査し、かつ、上記「溶射前距
離計測」５と同じ態様でレ−ザ距離計（ヘッド５＋計測
回路５pc）の計測値を読込んでメモリに書込むと共に、
目標距離と比較する。第２実施例の溶射システムのその
他の構成および機能は、上述の第１実施例の溶射システ
ムと同様である。

【００５４】なお、すでに触れたが、図７に示すよう
に、溶射ガン１を＋ｘ方向に往走査しその終点で＋ｙ方
向に短距離駆動し、そして−ｘ方向に復走査しその終点
で＋ｙ方向に短距離駆動し、この走査を繰返してｘ，ｙ
２次元走査する場合、溶射ガン１の走査方向（＋ｘ／−
ｘ）が変わっても、ヘッド５を走査方向の後方に置くた
めの旋回駆動は不要である。この態様のみでよい場合に
は、ヘッド支持ア−ム３２を溶射ガンキャリッジ２に固
定し、ア−ム３２を回転駆動するための機構は省略す
る。これにより、溶射ガン１周りの機構が簡易になる。

【００５５】なお、図７および図８に２点鎖線で示す、
溶射ガン１用の走査領域を、始点（Ｘｓ，Ｙｓ）と終点
（Ｘｅ，Ｙｓ）を対角コ−ナとする矩形領域に設定して
その外を距離計測値サンプリングのマスク領域とする
と、溶射ガン１が実質上該矩形領域内で移動するので、
溶射ガン１／ヘッド５間距離分該矩形領域の境界から内
側の領域の距離計測が行なわれない。この距離計測をも
行なうためには、溶射ガン１を、該矩形領域よりも溶射
ガン１／ヘッド５間距離分外側まで余分に移動させれば
よい。しかし、溶射ガン１の走査移動領域（前記矩形領
域）の一部の溶射皮膜厚計測値が得られなくても、溶射
装置の実用性は損なわれない。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１実施例の機構の概要を示す斜視
図である。

【図２】 図１に示す機構を駆動する溶射システムの構
成を示すブロック図である。

【図３】 図２に示す中継箱３０の電気要素と図１に示
す機構に組込まれた電気モ−タおよびロ−タリエンコ−
ダとの組合せ構成を示すブロック図である。

【図４】 図２に示す溶射システムを使用するオペレ−
タの作業フロ−に従って、図２に示すパソコン４１の機
能を示すフロ−チャ−トである。

【図５】 図４に示す「溶射前距離計測」５の内容を示
すフロ−チャ−トである。

【図６】 図４に示す「溶射」７の内容を示すフロ−チ
ャ−トである。

【図７】 本発明の第２実施例の機構の概要を、簡便な
距離計測を行なう態様に設定した状態で示す斜視図であ
る。

【図８】 図７に示す機構を、溶射から距離計測までの
遅れを短縮する態様で示す平面図である。

【符号の説明】

１：溶射溶射ガン ２：溶射ガ
ンキャリッジ ３：ｘ梁 ４ａ，４
ｂ：ｙ梁 ５：距離計測ヘッド ６：ロ−ル
（溶射基材） ７ａ，７ｂ：軸 Ｍ，Ｍｘ，
Ｍｙ，Ｍｒ：電気モ−タ Ｒx,Ｒy,Ｒr,Ｒh：ロ−タリエンコ−ダ Ｌxo,Ｌxe,Ｌyo,Ｌye：リミットスイッチ ３２：ヘッド支持ア−ム ３６：溶射
基材 ５１：レ−ザ照射ヘッド ５３：ソレ
ノイド

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０１Ｂ 11/00 Ｇ０１Ｂ 11/00 Ｂ (72)発明者 市 村 治 通 千葉県習志野市東習志野７丁目６番１号 日鐵溶接工業株式会社機器事業部内 Ｆターム(参考） 2F065 AA06 BB06 FF11 GG04 MM04 MM14 4E068 BB00 CA09 CB02 CC01 4K031 AB09 CB07 CB33 CB34 CB42 CB43 DA07 EA01 EA03 EA12

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】溶射ガンにて高温，高速燃焼炎に溶射材料
   を載せ溶融あるいは半溶融状態で溶射基材に衝突させる
   高速フレ−ム溶射と、この溶射皮膜を溶融するＹＡＧレ
   −ザ照射とを同時に並行して行ない、高速フレ−ム溶射
   によって溶射皮膜を形成する位置に皮膜形成と同時にＹ
   ＡＧレ−ザを照射する、レ−ザアシスト高速フレ−ム溶
   射法。
2. 【請求項２】溶射ガンにて高温，高速燃焼炎に溶射材料
   を載せ溶融あるいは半溶融状態で溶射基材に衝突させる
   高速フレ−ム溶射と、この溶射皮膜を溶融するＹＡＧレ
   −ザ照射とを同時に並行して行ない、第１パスの高速フ
   レ−ム溶射のときはそれによって溶射皮膜を形成する位
   置に皮膜形成と同時にＹＡＧレ−ザを照射し、第２パス
   以降では高速フレ−ム溶射によって溶射皮膜を形成した
   直後に該溶射皮膜にＹＡＧレ−ザを照射する、レ−ザア
   シスト高速フレ−ム溶射法。
3. 【請求項３】溶射作業に先立って、高速フレ−ム溶射ガ
   ンおよびＹＡＧレ−ザ照射ヘッドを支持する部材および
   溶射基材の少くとも一方を他方に対して相対的に駆動し
   て、前記支持部材で担持した距離測定器にて溶射基材の
   複数点の各距離を計測し；溶射作業中は、溶射ガンが噴
   射する高速フレ−ムが溶射基材を走査するように、前記
   支持部材および溶射基材の少くとも一方を他方に対して
   相対的に駆動すると共に、高速フレ−ムおよびＹＡＧレ
   −ザが走査した溶射基材表面の距離を距離測定器にて計
   測し、溶射作業に先立って計測した値，今回の計測値お
   よび溶射皮膜厚目標値に従って溶射皮膜厚が目標値に達
   したかを判定する；請求項１又は請求項２記載の、レ−
   ザアシスト高速フレ−ム溶射法。
4. 【請求項４】高温，高速燃焼炎に溶射材料を載せ溶融あ
   るいは半溶融状態で溶射基材に衝突させる高速フレ−ム
   溶射ガン；該溶射ガンを支持する部材；該支持部材で支
   持されたＹＡＧレ−ザ照射ヘッド；前記高速フレ−ム溶
   射ガンが噴射する高速フレ−ムが溶射基材を走査するよ
   うに、前記支持部材および溶射基材の少くとも一方を他
   方に対して相対的に駆動する走査手段；および、該ＹＡ
   Ｇレ−ザ照射ヘッドを、その指向線が、前記高速フレ−
   ム溶射ガンが噴射する高速フレ−ムの溶射基材上の衝突
   点に交わる姿勢と、走査移動に関して該衝突点より後方
   で溶射皮膜と交わる姿勢に設定するための、姿勢制御手
   段；を備えるレ−ザアシスト高速フレ−ム溶射装置。
5. 【請求項５】前記ＹＡＧレ−ザ照射ヘッドがレ−ザを照
   射した溶射皮膜厚を検出するために、前記支持部材で支
   持した計測器；を更に備える請求項４記載のレ−ザアシ
   スト高速フレ−ム溶射装置。