JP2000281646A - テトラヒドロピリジンジカルボン酸又はその誘導体並びにその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 還元剤を用いて、還元的付加反応時、特異な
官能基Ｙを導入することができ、還元剤を用いず電極還
元反応を利用して副生成物の生成を抑えつつ高選択的に
特定の二重結合を還元することにより、高収率で工業的
に安価に種々のテトラヒドロピリジンジカルボン酸又は
その誘導体を得る。 【解決手段】 Ｎ原子上に置換基Ｘを有するジヒドロピ
リジンジカルボン酸又はその誘導体を還元することによ
って得られる下記一般式（Ｉ）で表されるテトラヒドロ
ピリジンジカルボン酸又はその誘導体 【化１】 〔Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立して水酸基、アルコキ
シ基、アミノ基、Ｎ−アルキルアミノ基又はＮ−ジアル
キルアミノ基を示し、Ｙは、水素原子、アシル基、トリ
アルキルシリル基、アリールジアルキルシリル基又はジ
アリールアルキルシリル基を示し、［Ｃ_５Ｈ_５Ｎ−Ｘ］
は、Ｎ原子上に置換基Ｘを有するテトラヒドロピリジン
環を示し、Ｘは、水素原子、アシル基、アルキル基、又
はアラルキル基を示す。〕

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、生理活性物質と
して、また医薬や農薬の中間体等として有用なテトラヒ
ドロピリジンジカルボン酸又はその誘導体、及びその化
合物の還元的反応による新規な製造法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電極反応を利用する有機合成化学
が省エネルギー、省資源、無公害プロセスとして注目さ
れている。

【０００３】有機電極反応に関する文献としては、例え
ば「有機電解合成」（１９８１年講談社サイエンティフ
ィック発行 鳥居滋著）、「化学と教育」（１９９７年
４５巻３号 １２４乃至１３３頁）、M.R.Rifi and F.
H.Covitz,"Introductionto Organic Electrochemistr
y"、A.J.Fry,"Synthetic Organic Electrochemistry",2
nd Ed.,John Wiley,New York(1989)、Organic Electroc
hemistry,An Introduction and a Guide",3rd Ed.,by
H.Lund and M.M.Baizer,Marcel Dekker(1991)等が挙げ
られる。

【０００４】特許文献としては、電極酸化反応によるｐ
−アセトキシベンズアルデヒド又はそのアセタールの製
造方法（特開昭５６−８７６８３号公報）；２，６−ジ
−tert−ブチル−４−メチルフェノールの間接電解酸化
反応（特開昭６２−１３５８５号公報）；カプラー及び
塩基存在下に、ｐ−ニトロソアニリン、ニトロソフェノ
ール又はそれらの誘導体を、電極反応でカップリングさ
せ、インドアニリン系染料やインドフェノール系染料を
合成する方法（特開平６−２６３９９３号公報）；電解
還元反応によるメチル置換パラアニシジン類の製造方法
（特公昭５７−１５６７３号公報）；電極還元反応によ
る１，２−ジヒドロフタル酸類の製造法（特開平４−２
８８０３９号公報）等が挙げられる。また、化学増刊８
６（化学同人発行），Electroorganic Chemistry，１５
７乃至１７４頁には、「特許から見たElectroorganic C
hemistryの可能性」が掲載されており、さらにToppics
Curent Chemistry,148, Springerverlag Electrochemis
try,D.Degner.には、多数の特許情報が掲載されてい
る。

【０００５】一方、生理薬理活性物質の探索は、多様化
するウイルス、菌類に対して薬学や農薬学や病理学の見
地から、重要な課題となっている。そのような化合物の
基本骨格は種々知られており、例えば、アミノ酸誘導
体、ビタミンＢ６のアミノピリジン誘導体、抗生物質で
あるeverninomicin誘導体等は生理薬理活性物質の一つ
である。

【０００６】また、下記構造のニフェジピン（Niphedip
ine）を含むジヒドロピリジンジカルボン酸誘導体の多
くは、冠血管拡張剤としてよく知られている。

【０００７】

【化５】 このような化合物の中間体である１，４−ジヒドロピリ
ジンジカルボン酸エステルは、ピリジン−３，５−ジカ
ルボン酸エステルを、例えば水素化アルミニウムリチウ
ムで還元することにより得ることができる。

【０００８】一般に、ポリヒドロピリジン類は、ピリジ
ン誘導体を、アルミニウムアマルガム、水素化アルミニ
ウムリチウム、無水酢酸と亜鉛粉末等の還元剤を用いて
還元することにより製造される。

【０００９】また、特開平９−２０２７９２号公報に
は、脂肪族又は脂環族カルボニル化合物とクロロシラン
とを、マグネシウムのような金属触媒を用いて非プロト
ン性極性溶媒中で反応させるシリルエノールエーテル化
合物の製造方法が提案されている。また、特開平８−２
１７７８０号公報には、マグネシウム金属触媒を用いて
芳香族カルボニル化合物とクロロシランとを非プロトン
性極性溶媒中で反応させるトリアルキルシリルトリアキ
ルシロキシメチレン化合物の製造方法が提案されてい
る。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来法
でのポリヒドロピリジンポリカルボン酸又はその誘導体
の製法は、工業的生産の点で、還元剤の取扱上の安全性
確保、反応後の廃棄物処理等の環境保全の課題、特に反
応の収率及び選択性等において経済効率上の課題を有し
ていた。また、ピリジン誘導体を前記のアルミニウムア
マルガムや水素化アルミニウムリチウム等の一般的還元
剤を用いる場合と、特殊水素添加を除いた特殊な場合で
は、テトラヒドロ体、ヘキサヒドロ体の３種の混合物が
得られ、ジヒドロ体やテトラヒドロ体の選択的製造は困
難であった。更に、テトラヒドロピリジンポリカルボン
酸又はその誘導体に特異な官能基を導入する技術は困難
であった。

【００１１】一方、有機合成の新しい有力な手段として
の有機電極反応は、反応の収率及び選択性等の点で優位
性を持つ場合が多く、反応形態も多様である。本発明者
らは、そのような有利な電極還元反応を利用したジヒド
ロピリジンジカルボン酸誘導体の製造方法を提案してい
る（特願平１０−７８４６２）。

【００１２】本発明は、従来技術に存した上記のような
課題に鑑み行われたものであって、その目的とするとこ
ろは、省エネルギー、省資源、無公害性の観点から、取
扱性が比較的容易な還元剤を用いて、又は還元剤を用い
ず電極還元反応を利用して、副生物の生成を抑えつつ選
択的に特定の二重結合を還元することにより、ジヒドロ
ピリジンジカルボン酸又はその誘導体から良好な収率で
工業的に安価に種々のテトラヒドロピリジンジカルボン
酸又はその誘導体を高選択的に得る方法、還元的反応時
にテトラヒドロピリジン環にアシル基やアルキルシリル
基のような特異な官能基を導入する方法、及び新規テト
ラヒドロピリジンジカルボン酸又はその誘導体を提供す
ることを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】（Ａ） 本発明のテトラ
ヒドロピリジンジカルボン酸又はその誘導体は、下記一
般式（Ｉ）で表されるものである（請求項１）。

【００１４】

【化６】 〔一般式（Ｉ）中、Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立して
水酸基、アルコキシ基、アミノ基、Ｎ―アルキルアミノ
基又はＮ-ジアルキルアミノ基を示し、Ｙは、水素原
子、アシル基（好ましくはアセチル基）、トリアルキル
シリル基、アリールジアルキルシリル基、ジアリールア
ルキルシリル基（好ましくはトリアルキルシリル基）を
示し、［Ｃ_５Ｈ_５Ｎ−Ｘ］は、Ｎ原子上に置換基Ｘを有
するテトラヒドロピリジン環を示し、Ｘは、水素原子、
アシル基（好ましくはアセチル基）、アルキル基（好ま
しくはメチル基）、又はアラルキル基（好ましくはベン
ジル基）を示す。〕 （A-1） 上記一般式（Ｉ）で表されるテトラヒドロピ
リジンジカルボン酸又はその誘導体は、異性体として、
１，２，３，４−テトラヒドロ体、１，２，３，６−テ
トラヒドロ体及び３，４，５，６−テトラヒドロ体があ
るが、好ましいものとしては、１，２，３，４−テトラ
ヒドロピリジンジカルボン酸エステル又はその誘導体を
挙げることができる（請求項２）。特に好ましくは下記
式（１）乃至（５）で表されるテトラヒドロピリジンジ
カルボン酸エステル又はその誘導体である。

【００１５】

【化７】 〔式（１）、（２）、（３）におけるＡｃはアセチル基
を示し、式（５）におけるＢｚはベンジル基を示す。〕

【００１６】（Ｂ） 本発明の上記一般式（Ｉ）で表さ
れるテトラヒドロピリジンジカルボン酸又はその誘導体
の製造方法は、Ｎ原子上に置換基Ｘを有するジヒドロピ
リジンジカルボン酸又はその誘導体に還元的付加反応を
行わせる工程を有する（請求項３）。

【００１７】（B-1） 上記（Ｂ）の製造方法における
還元的付加反応は、マグネシウム金属の存在下で行わせ
ることが望ましい（請求項４）。また上記製造方法にお
ける還元的付加反応は、水素化ホウ素化合物の存在下で
行わせることが望ましい（請求項５）。

【００１８】（B-1-1） この場合、Ｎ原子上に置換基
Ｘとしてアシル基、アルキル基、又はアラルキル基を有
するジヒドロピリジンジカルボン酸又はその誘導体に還
元的付加反応を行わせる工程においてジヒドロピリジン
環の炭素二重結合位（好ましくは４位）をアシル化、ト
リアルキルシリル化、アリールジアルキルシリル化又は
ジアリールアルキルシリル化するものとすることができ
る（請求項７）。

【００１９】（B-2） また、上記（Ｂ）の製造方法に
おけるＮ原子上に置換基Ｘ（例えば水素原子）を有する
ジヒドロピリジンジカルボン酸又はその誘導体について
の還元的付加反応は、電極還元反応により行わせること
が望ましい（請求項６）。

【００２０】（B-3） 上記（Ｂ）、（B-1）、（B-1-
1）又は（B-2）の製造方法におけるジヒドロピリジンジ
カルボン酸又はその誘導体は、下記一般式（II）で表さ
れるものとすることができる（請求項８）。

【化８】 〔一般式（II）中、Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立して
水酸基、アルコキシ基、アミノ基、Ｎ―アルキルアミノ
基又はＮ-ジアルキルアミノ基を示し、［Ｃ_５Ｈ_４Ｎ−
Ｘ］は、Ｎ原子上に置換基Ｘを有するジヒドロピリジン
環を示し、Ｘは、水素原子、アシル基（好ましくはアセ
チル基）、アルキル基（好ましくはメチル基）、又はア
ラルキル基（好ましくはベンジル基）を示す。〕

【００２１】（B-4） 上記（Ｂ）、（B-1）、（B-1-
1）、（B-2）又は（B-3）の製造方法におけるＮ原子上
に置換基Ｘを有するジヒドロピリジンジカルボン酸又は
その誘導体は、ジヒドロピリジン−２，３−ジカルボン
酸エステル、ジヒドロピリジン−２，４−ジカルボン酸
エステル、ジヒドロピリジン−２，５−ジカルボン酸エ
ステル、ジヒドロピリジン−２，６−ジカルボン酸エス
テル、ジヒドロピリジン−３，４−ジカルボン酸エステ
ル、若しくは、ジヒドロピリジン−３，５−ジカルボン
酸エステル、又はこれらのＮ−アセチル化物、Ｎ−ベン
ジル化物、若しくはＮ−アルキル化物、或いはこれらに
対応するジカルボン酸アミド類、又はジカルボン酸類と
することができる。

【００２２】（B-5） 上記（B-2）の製造方法は、溶媒
及び支持電解質の存在下、下記式（II−１）で表される
ジヒドロピリジンジカルボン酸又はその誘導体

【化９】 〔式（II−１）中、Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立して
水酸基、アルコキシ基、アミノ基、Ｎ―アルキルアミノ
基又はＮ-ジアルキルアミノ基を示し、［Ｃ_５Ｈ_４Ｎ−
Ｘ］は、Ｎ原子上に置換基として水素原子を有するジヒ
ドロピリジン環を示す。〕を、電極還元反応させ、下記
式（Ｉ−１）で表されるテトラヒドロピリジンジカルボ
ン酸又はその誘導体

【００２３】

【化１０】 〔式（Ｉ−１）中、Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立して
水酸基、アルコキシ基、アミノ基、Ｎ―アルキルアミノ
基又はＮ-ジアルキルアミノ基を示し、Ｙは水素原子を
示し、［Ｃ_５Ｈ_５Ｎ−Ｘ］は、Ｎ原子上に置換基として
水素原子を有するテトラヒドロピリジン環を示す。〕を
製造するものとすることができる（請求項１０）。

【００２４】（B-6） 上記（Ｂ）、（B-1）、（B-1-
1）、（B-2）、（B-3）、（B-4）又は（B-5）の製造方
法は、Ｎ原子上に置換基Ｘを有するジヒドロピリジンジ
カルボン酸又はその誘導体を得る工程を有するものとす
ることができる（請求項１１）。

【００２５】

【発明の実施形態】本発明のテトラヒドロピリジンジカ
ルボン酸又はその誘導体の製造方法において用いるＮ原
子上に置換基Ｘを有するジヒドロピリジンジカルボン酸
又はその誘導体、すなわち基質（出発原料又は原料中間
体）は、前記一般式（II）で表されるものとすることが
でき、その例としては、Ｚ^１及びＺ^２が水酸基であるジ
ヒドロピリジンジカルボン酸類、Ｚ^１及びＺ^２がアミノ
基（−ＮＨ_２）、Ｎ−アルキルアミノ基［例えば、−Ｎ
Ｈ（炭素数１乃至４のアルキル）、又はＮ−ジアルキル
アミノ基［例えば、−Ｎ（炭素数１乃至４のアルキル）
_２］であるジヒドロピリジンジカルボン酸アミド類、Ｚ
^１及びＺ^２がアルコキシ基であるジヒドロピリジンジカ
ルボン酸エステル類が挙げられ。好ましい例としては、
Ｚ^１及びＺ^２が、炭素数１乃至４のアルコキシ基であ
る、ジヒドロピリジン−２，３−ジカルボン酸エステ
ル、ジヒドロピリジン−２，４−ジカルボン酸エステ
ル、ジヒドロピリジン−２，５−ジカルボン酸エステ
ル、ジヒドロピリジン−２，６−ジカルボン酸エステ
ル、ジヒドロピリジン−３，４−ジカルボン酸エステ
ル、及びジヒドロピリジン−３，５−ジカルボン酸エス
テルを挙げることができる。特に好ましい例としては、
１，２−ジヒドロピリジン−２，３−ジカルボン酸エス
テル、１，４−ジヒドロピリジン−２，６−ジカルボン
酸エステル、及び１，２−ジヒドロピリジン−３，４−
ジカルボン酸エステル、並びにそれらのＮ−アシル化物
（好ましくはＮ−アセチル化物）、それらのＮ−アラル
キル化物（好ましくはＮ−ベンジル化物）、及びＮ−ア
ルキル化物（好ましくはＮ−メチル化物）を挙げること
ができる。

【００２６】一般式（II）のジヒドロピリジンジカルボ
ン酸又はその誘導体においては、カルボン酸エステル基
（カルボアルコキシ基）におけるアルコキシ基の例とし
て、炭素数４以下の直鎖又は分岐鎖アルコキシ基、例え
ばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポ
キシ基、ブトキシ基等を挙げることができる。また場合
によっては、これらにおけるジヒドロピリジン環に１乃
至２個のメチル基やエチル基のようなアルキル基を更に
有していてもよい。

【００２７】このようなジヒドロピリジンジカルボン酸
又はその誘導体（基質）の合成は、例えば特願平１０−
７８４６２号に記載のように、ピリジンジカルボン酸又
はその誘導体を電極還元反応させることにより行い得
る。

【００２８】例えば、１，２−ジヒドロピリジン−２，
３−ジカルボン酸エステルの合成（後記合成例１）は、
次のi)乃至iv)により行い得る。 i) 陽極にカーボン電極、陰極にプラチナ板を用いて電
極反応に使用するセルを作成する。 ii) 陽極には隔膜を使用し、この中に、溶媒及び支持電
解質［例えば、５％w/wのｐ−トルエンスルホン酸テト
ラエチルアンモニウム塩（Ｅｔ_４ＮＯＴｓ）メタノール
溶液］を入れる。 iii)隔膜の外の陰極側には、被還元反応基質（ピリジン
ジ−２，３−ジカルボン酸エステル）と溶媒及び支持電
解質（例えば、５％w/wＥｔ_４ＮＯＴｓメタノール溶
液）と必要に応じて塩基（例えば、塩化アンモニウム
等）を入れる。 iv) 反応条件下で通電し、電極反応終了後、生成物を分
離する。

【００２９】また、１，４−ジヒドロピリジン−２，６
−ジカルボン酸エステル等の電極還元反応による合成も
上記と同様に行い得る（後記合成例３）。

【００３０】上記一般式（Ｉ）及び一般式（II）におけ
るＮ原子上の置換基Ｘの具体例としては、水素原子；ア
セチル基、プロピオニル基、ブチリル基、バレリル基等
の炭素数２乃至４のアシル基；メチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の炭素数４以下
の直鎖又は分岐鎖アルキル基；ベンジル基、フェニルエ
チル基、α,α'−ジメチルベンジル基等のアラルキル基
を挙げることができる。

【００３１】Ｎ原子上に置換基としてアシル基を有する
基質、例えばＮ−アセチル−１，２−ジヒドロ−２，３
−ピリジンジカルボン酸エステルの合成は、次のように
行うことができる。すなわち、水素化ナトリウム（Ｎａ
Ｈ）のＤＭＦ溶液を調製して−４０℃に冷却し、これに
対し１，２−ジヒドロピリジン−２，３−ジカルボン酸
エステルのＤＭＦ溶液を滴下して−４０℃で１０分間攪
拌する。その後、これに対し塩化アセチルのＤＭＦ溶液
を滴下して−４０℃で約１時間攪拌し、更に室温で約１
時間攪拌する。その後、反応液を氷水中に注ぎ、ジエチ
ルエーテルで数回抽出し、得られた有機層を飽和食塩水
で洗浄する。それを無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、
溶媒を留去した後、ヘキサン／酢酸エチル混合溶媒中で
再結晶させる（後記合成例２）。

【００３２】Ｎ原子上に置換基としてアルキル基を有す
る基質、例えばＮ−メチル−１，４−ジヒドロ−３，４
−ピリジンジカルボン酸エステルの合成は、３，４−ピ
リジンジカルボン酸エステルを臭化メチルと反応させ
て、Ｎ−メチル−３，４−ジカルボメトキシ−ピリジニ
ウムブロマイドを調製し、これを上記と同様に電極還元
反応させることにより得られる。

【００３３】Ｎ原子上に置換基としてアラルキル基を有
する基質、例えばＮ−ベンジル−１，４−ジヒドロ−
３，４−ピリジンジカルボン酸エステルの合成は、３，
４−ピリジンジカルボン酸エステルを臭化ベンジルと反
応させて、Ｎ−ベンジル−３，４−ジカルボメトキシ−
ピリジニウムブロマイドを調製し、これを上記と同様に
電極還元反応させることにより得られる（後記合成例
４）。

【００３４】本発明の製造方法に従いＮ原子上に置換基
Ｘを有するジヒドロピリジンジカルボン酸又はその誘導
体を還元することにより、選択的にピリジン環に二重結
合（−Ｃ＝Ｃ−）を１個有するテトラヒドロ誘導体のみ
が、すなわち本発明のテトラヒドロピリジンジカルボン
酸又はその誘導体が、効率的に得られる。

【００３５】本発明の製造方法において、Ｎ原子上の置
換基Ｘの役割は重要である。置換基Ｘが水素原子の場
合、それなりに酸性度を有しているため、一般に不安定
であると同時に求電子反応だけでなく求核反応にも不向
きである。そのため置換基Ｘの効果は大きい。本発明の
製造方法における還元的付加反応において還元剤として
マグネシウム金属又は水素化ホウ素化合物を用いる方
法、及び還元剤を用いない電極還元方法が好ましい。こ
のような還元剤を用いる場合に基質であるジヒドロピリ
ジンジカルボン酸又はその誘導体におけるＮ原子上の置
換基Ｘとして好ましいのは、アシル基（特にアセチル
基）、アラルキル基（特にベンジル基）、及びアルキル
基（特にメチル基）である。また電極還元方法による場
合に置換基Ｘとして好ましいのは、水素（Ｈ）、アシル
基（特にアセチル基）、アラルキル基（特にベンジル
基）、及びアルキル基（特にメチル基）である。

【００３６】還元剤としてマグネシウム金属を用いる方
法及び水素化ホウ素化合物を用いる方法においては、基
質として特にＮ−Ｘ−１，２−ジヒドロピリジン−２，
３−ジカルボン酸エステルを用いることが好ましい。水
素化ホウ素化合物の例としては、水素化ホウ素［例え
ば、一価の重合体（ＢＨ）_Ｘ、ボリン（ＢＨ_３）、ジボ
ラン（Ｂ_２Ｈ_６）等］、水素化ホウ素金属［例えば、水
素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム、水素化
ホウ素リチウム、水素化ホウ素アルミニウム等］等が挙
げられる。

【００３７】還元剤を必要としない電極還元方法では、
基質として特に１，２−ジヒドロピリジン−２，３−ジ
カルボン酸エステル及び１，４−ジヒドロピリジン−
２，６−ジカルボン酸エステルが好ましい。

【００３８】また、本発明のテトラヒドロピリジンジカ
ルボン酸又はその誘導体は、ヒドロピリジン環に特異な
官能基Ｙ［アシル基（特にアセチル基）又はトリアルキ
ルシリル基、アリールジアルキルシリル基、又はジアリ
ールアルキルシリル基］を有するものであってもよい。

【００３９】官能基Ｙの具体例としては、アセチル基、
プロピオニル基、ブチリル基、バレリル基、ベンゾイル
基等の炭素数２乃至７のアシル基；トリメチルシリル
基、トリエチルシリル基、フェニルジメチルシリル基、
第３級ブチルジメチルシリル基、ジフェニルメチルシリ
ル基等のアルキル（炭素数１乃至４）置換又はフェニル
アルキル（炭素数１乃至４）置換シリル基が挙げられ
る。

【００４０】ヒドロピリジン環に官能基Ｙを導入するた
めのアシル化剤としては、無水酢酸、塩化アセチル、塩
化プロピオニル、塩化ベンゾイル等を使用することがで
き、トリアルキルシリル化剤としては、トリメチルクロ
ロシラン、トリエチルクロロシラン等を使用することが
できる。アシル化剤及びトリアルキルシリル化剤の使用
量は、基質であるジヒドロピリジンジカルボン酸又はそ
の誘導体に対して、モル比で２乃至１５倍量、好ましく
は５乃至１０倍量である。

【００４１】本発明の製造方法においては、官能基Ｙの
導入は、基質に還元的付加反応を行わせる工程において
同時進行的に行なうことができる。還元剤としてマグネ
シウム金属又は水素化ホウ素化合物を用いる場合には、
ジヒドロピリジン環の窒素原子（Ｎ）は予め水素原子以
外の置換基Ｘ［アシル基、アラルキル基、又はアルキル
基］で保護しておくことが望まれる。アセチル化剤等の
アシル化剤やトリアルキルシリル化剤等のアルキルシリ
ル化剤によるＮ−アシル化やＮ−シリル化などの置換反
応を防ぐと共に、反応条件下における出発物質や生成物
の安定性を増大させるためである。還元剤を必要としな
い電極還元反応の場合には、ジヒドロピリジン環のＮ原
子上の置換基Ｘは、水素原子（Ｈ）であってもよく、ア
シル基、アラルキル基、又はアルキル基であってもよ
い。

【００４２】電極還元反応による本発明のテトラヒドロ
ピリジンジカルボン酸又はその誘導体の合成は、前記ジ
ヒドロピリジンジカルボン酸又はその誘導体の合成にお
ける電極還元反応と同様に行うことができる。

【００４３】すなわち、溶媒及び支持電解質の存在下、
上記式（II−１）で表されるジヒドロピリジンジカルボ
ン酸又はその誘導体を、電極還元反応させ、上記式（Ｉ
−１）で表されるテトラヒドロピリジンジカルボン酸又
はその誘導体を製造することができる。

【００４４】その好適な例として、下記式の左に示され
る１，４−ジヒドロ−２，６−ピリジンジカルボン酸ジ
メチルを電極還元反応させることにより、下記式の右に
示される２，６−ジカルボメトキシ−１，４，５，６−
テトラヒドロピリジンを選択的に得る例を挙げることが
できる（実施例３）。

【００４５】

【化１１】 この種電極反応で使用する溶媒は、一般に、（１）被還
元物質に対する親和性、（２）支持電解質の溶解力、
（３）極性（高い誘電率）、（４）電気化学安定性、
（５）コスト、（６）反応溶媒としての可能性及び取扱
性等を考慮して選択される。

【００４６】このような条件を満たす好ましい溶媒とし
ては、メタノール（ＭｅＯＨ）、エタノール（ＥｔＯ
Ｈ）等のアルコール系溶媒；ジメチルホルムアミド（Ｄ
ＭＦ）、ピロリドン類等のアミド系溶媒；テトラヒドロ
フラン（ＴＨＦ）、ジオキサン、トリオキサン、グライ
ム等のエーテル系溶媒；スルホラン；これら２種以上の
混合液；これらの１種のものの混合水溶液又は２種以上
のものの混合水溶液等が挙げられる。

【００４７】溶媒にイオン導電性を与えるための支持電
解質としては、第４級アルキルアンモニウム塩（例え
ば、ｐ−トルエンスルホン酸テトラエチルアンモニウム
塩；第４級アルキルアンモニウムハライド；第４級アル
キルアンモニウムカチオンのＯＴｓ塩、ＯＭｓ塩、ＢＦ
_４酸塩、ＣｌＯ_４酸塩、ＰＦ_６塩、ＯＡｃ酸塩、各種ハ
ロゲン塩）等の有機塩が挙げられる。また、溶媒の誘電
率が高い場合には、前記有機塩以外に、ＫＦ、ＬｉＣｌ
Ｏ_４、ＬｉＣｌ等の無機塩；硫酸、塩酸、リン酸、過塩
素酸等の鉱酸；及び水酸化カリウム、水酸化ナトリウ
ム、炭酸ナトリウム等の塩基等も使用できる。

【００４８】溶媒と支持電解質の組合せとしては、種々
の組合せが可能であるが、良好な選択率と電流効率で生
成物が得られる溶媒／支持電解質系であることが好まし
い。そのような溶媒／支持電解質系としては、例えば、 ＭｅＯＨ（メタノール）／Ｅｔ_４ＮＯＴｓ（ｐ−トルエ
ンスルホン酸テトラエチルアンモニウム塩）； ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）−ＭｅＯＨ
（メタノール）／Ｅｔ_４ＮＯＴｓ； 酢酸又は酢酸水溶液／Ｅｔ_４ＮＯＴｓ； メタノール又はメタノール水溶液／硫酸； ピロリドン水溶液／Ｅｔ_４ＮＯＴｓ； グライム水溶液／Ｒ_４ＮＣｌ_２Ｏ_４（Ｒはアルキル
基）、又はＢｕ_４ＮＢｒ； ＬｉＣｌ／ＣＨ_３ＮＨ_２、Ｃ_２Ｈ_５ＮＨ_２、Ｈ_２ＮＣＨ
_２ＣＨ_２ＮＨ_２、又はアミノピリジン等の低級脂肪アミ
ン； ＬｉＣｌ／ＨＭＰＡ（ヘキサメチルホスホリックアミ
ド）−ＥｔＯＨ（混合液）； 等が挙げられる。

【００４９】電極還元反応は、陰極で還元的に生成する
溶媒和電子、又は陰極からある被還元物質への電子移動
により生成するアニオン種の、二重結合への付加により
成り立つ。溶媒和電子は、通常、液体アンモニア中でナ
トリウムやリチウム等のアルカリ金属により生成する
が、電極還元法を用いればはるかに容易に発生させるこ
とができる。

【００５０】電極還元反応においては、溶媒和電子は、
このような溶媒／支持電解質の反応系の中で室温常圧下
で通電を行うだけで発生するので、アルカリ金属／液体
アンモニアの系に比べて反応条件がより温和であり、操
作もはるかに簡便であり、安全性もきわめて高い。ま
た、溶媒和電子は高い反応性をもち、芳香環の不活性な
二重結合への水素付加が容易に起こる。

【００５１】電極反応の方式は、定電流法と定電位法の
何れを用いることもできるが、装置の簡便さ及び反応時
間算出の容易さの点で定電流法が好ましい。

【００５２】陽極の材料としては、銀、プラチナ等の貴
金属、各種カーボン材料、酸化チタンや酸化ルビジウム
などの金属酸化物を被覆したチタン、酸化鉛／鉛、マグ
ネタイト及びフェライト等が挙げられる。一方、陰極と
しては、カーボン材料及び各種金属（例えば、鉛、亜
鉛、銅など）を用いることができる。

【００５３】本発明の製造方法は、無隔膜法でも行うこ
とができるが、生成するテトラヒドロピリジン酸の再酸
化を防止する確率を向上させるという理由で、隔膜法で
行うことが好ましい。隔膜の素材としては、ガラスフィ
ルタ、素焼材料、多孔性樹脂製フィルタ、及び各種イオ
ン交換膜等が挙げられる。

【００５４】本発明の製造方法におけるピリジンジカル
ボン酸又はその誘導体から反応基質（原料）としてのジ
ヒドロピリジンジカルボン酸又はその誘導体への電極還
元反応、及びそのジヒドロピリジンジカルボン酸又はそ
の誘導体から本発明のテトラヒドロピリジンジカルボン
酸又はその誘導体への電極還元反応では、反応スケール
を容易に拡大することが可能である。この発明に用いる
反応基質としてのジヒドロピリジンジカルボン酸ジメチ
ル５ｍｏｌスケールでの反応系を例にとると、陽極側に
は、溶媒５乃至２０Ｌ（リットル）及び支持電解質０．
３乃至７．０ｍｏｌ、隔膜の外の陰極側には、溶媒２０
乃至８０Ｌ及び支持電解質１乃至２０ｍｏｌを使用し、
０乃至５０℃の温度で、５乃至４０Ａで１０乃至２５０
時間通電することにより反応させることができる。

【００５５】後記実施例及び合成例に示すように、本発
明における基質としてのジヒドロピリジンジカルボン酸
又はその誘導体、或いは基質の原料としてのピリジンジ
カルボン酸又はその誘導体は、電極還元反応により選択
的に還元され、高収率で、目的のテトラヒドロピリジン
ジカルボン酸又はその誘導体、或いは本発明における基
質としてのジヒドロピリジンジカルボン酸又はその誘導
体を与える。

【００５６】本発明の１，２，３，４−テトラヒドロピ
リジン誘導体は、全て新規である。そのうち特にＮ−ア
セチル−４−トリメチルシリル−２，３−ジカルボメト
キシ−１，２，３，４−テトラヒドロピリジン（実施例
２）、２，６−カルボメトキシ−１，２，３，４−テト
ラヒドロピリジン（実施例３）、及びＮ−アセチル−
２，３−ジカルボメトキシ−１，２，３，４−テトラヒ
ドロピリジン（実施例４）は、本発明の製造方法により
良好な収率で得られた。これらのテトラヒドロピリジン
誘導体の分子構造は、二重結合の位置及び還元時に官能
基Ｙを導入した場合の官能基Ｙの位置も含め、種々の分
光学的手段（ＮＭＲ、ＩＲ、ＧＣ−ＭＳ）により確認し
た。

【００５７】

【発明の効果】本発明の製造方法によれば、ジヒドロピ
リジンジカルボン酸又はその誘導体について特定の還元
剤を用いて或いは還元剤を用いずに電極還元反応を利用
して還元的付加反応を行わせることにより、副生物の生
成を抑えつつ高選択的に特定の二重結合を還元すること
ができ、それにより、工業的に安価に且つ良好な収率で
種々のテトラヒドロピリジンジカルボン酸又はその誘導
体を得ることができる。また、その還元的付加反応時に
特異な官能基を導入することもできる。また本発明によ
り、新規テトラヒドロピリジンジカルボン酸又はその誘
導体を提供することができる。

【００５８】

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれらに限定されるものではない。

【００５９】合成例１（１，２−ジヒドロピリジン−
２，３−ジカルボン酸ジメチル）

【００６０】陽極にカーボン電極（表面積１．５ｃｍ^２
の炭素棒）、陰極にプラチナ板（１２ｃｍ^２）を用い、
素焼陶器製隔膜付きの電解層中で、隔膜の内側である陽
極側に５％w/wのｐ−トルエンスルホン酸テトラエチル
アンモニウム塩／メタノール（ＭｅＯＨ）溶液（８ｍ
ｌ）を入れ、隔膜の外側である陰極側には、ピリジン−
２，３−ジカルボン酸ジメチル０．９７ｇ（５ｍｍｏ
ｌ）、５％w/wのｐ−トルエンスルホン酸テトラエチル
アンモニウム塩／ＭｅＯＨ溶液（３２ｍｌ）及び塩化ア
ンモニウム０．２５ｇを入れた。

【００６１】温度を５乃至１０℃に保ち、定電流条件
（０．２Ａ）で７Ｆ／ｍｏｌの通電を行った。その後、
陰極液を飽和炭酸水素水ナトリウム水２００ｍｌに注
ぎ、酢酸エチル１５０ｍｌで３回抽出した。得られた有
機層を水５０ｍｌ及び飽和食塩水５０ｍｌでそれぞれ１
回洗浄した後、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥させ
た。乾燥剤を常圧濾過で除去した後、酢酸エチルを減圧
下留去することにより、オイル状の１，２−ジヒドロピ
リジン−２，３−ジカルボン酸ジメチルを０．８２ｇ
（収率８３％）得た。

【００６２】合成例２（Ｎ−アセチル−１，２−ジヒド
ロ−２，３−ピリジンジカルボン酸ジメチル）

【００６３】反応容器にＮａＨ（６０％ Oil suspensio
n）１．４６ｇをとり、ヘキサン５ｍｌで２回デカンテ
ーションして油分を洗浄除去した。これにＤＭＦ２０ｍ
ｌを加え、−４０℃に冷却した。これに対し、合成例１
で得た１，２−ジヒドロピリジン−２，３−ジカルボン
酸ジメチル４ｇ（０．０２０３ｍｏｌ）のＤＭＦ溶液２
０ｍｌを滴下ロートで滴下した。−４０℃で１０分間攪
拌した後、これに対し塩化アセチル１．９１ｇ（０．０
２４４ｍｏｌ）のＤＭＦ溶液１０ｍｌを滴下し、−４０
℃で約１時間攪拌し、更に室温で約１時間攪拌した。そ
の反応液を氷水２５０ｍｌ中に注ぎ、ジエチルエーテル
１５０ｍｌで３回抽出した。得られた有機層を飽和食塩
水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶
媒を留去し、これをヘキサン／酢酸エチル混合溶媒中で
再結晶させることにより、Ｎ−アセチル−１，２−ジヒ
ドロ−２，３−ピリジンジカルボン酸ジメチル２．５２
ｇ（収率５２％）を黄色結晶として得た。

【００６４】合成例３（１，４−ジヒドロピリジン−
２，６−ジカルボン酸ジメチル）

【００６５】合成例１における陰極側のピリジン−２，
３−ジカルボン酸ジメチルに代えて、ピリジン−２，６
−ジカルボン酸ジメチルを用いる以外は合成例１と同様
に処理した。得られた生成物を、シリカゲルを充填剤と
するカラムクロマトグラフィーにより精製することによ
り、０．９２ｇの１，４−ジヒドロピリジン−２，６−
ジカルボン酸ジメチルを白色固体として得た（収率９２
％）。

【００６６】合成例４（Ｎ−ベンジル−１，４−ジヒド
ロ−３，４−ピリジンジカルボン酸ジメチル）

【００６７】ピリジン−３，４−ジカルボン酸ジメチル
１．８ｇ（０．００９２ｍｏｌ）を２−プロパノール１
ｍｌに溶かし、それに臭化ベンジル３．９ｇ（０．０２
３ｍｏｌ）を加え、室温で１８時間攪拌した。これに対
し酢酸エチル３０ｍｌを加え、析出した固体を濾取し、
それを酢酸エチル１０ｍｌで洗浄してＮ−ベンジル−
３，４−ジカルボメトキシピリジウムブロマイド２．４
ｇを白色結晶として得た（収率９１％）。

【００６８】陽極にカーボン電極（表面積１．５ｃｍ^２
の炭素棒）、陰極にＳＵＳ板（１２ｃｍ^２）を用い、素
焼陶器製隔膜付きの電解層中で、隔膜の内側である陽極
側に、５％w/wのｐ−トルエンスルホン酸テトラエチル
アンモニウム塩／メタノール（ＭｅＯＨ）溶液（８ｍ
ｌ）を入れ、隔膜の外側である陰極側には、前述のよう
にして得たＮ−ベンジル−３，４−ジカルボメトキシピ
リジウムブロマイド１．８３ｇ（５ｍｍｏｌ）、５％w/
wのｐ−トルエンスルホン酸テトラエチルアンモニウム
塩／ＭｅＯＨ溶液（３２ｍｌ）及び塩化アンモニウム
０．２５ｇを入れた。

【００６９】温度を５乃至１０℃に保ち、定電流条件
（０．２Ａ）で６Ｆ／ｍｏｌの通電を行った。その後、
陰極液を飽和炭酸水素水ナトリウム水２００ｍｌに注
ぎ、酢酸エチル１５０ｍｌで３回抽出した。得られた有
機層を水５０ｍｌ及び飽和食塩水５０ｍｌでそれぞれ１
回洗浄した後、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥させ
た。乾燥剤を常圧濾過で除去した後、酢酸エチルを減圧
下留去することにより、２．０５ｇの薄茶色オイル状の
Ｎ−ベンジル−１，４−ジヒドロ−３，４−ピリジンジ
カルボン酸ジメチルを得た。得られた生成物を、シリカ
ゲルを充填剤とするカラムクロマトグラフィー（ヘキサ
ン／酢酸エチル＝３／１）により精製分離することによ
り、１．６８ｇのＮ−ベンジル−１，４−ジヒドロ−
３，４−ピリジンジカルボン酸ジメチルを白色固体とし
て得た（収率８０％）。

【００７０】実施例１（Ｎ−アセチル−４−アセチル−
２，３−ジカルボメトキシ−１，２，３，４−テトラヒ
ドロピリジンの合成）

【００７１】合成例２で得たＮ−アセチル−２，３−ジ
カルボメトキシ−１，２−ジヒドロピリジン０．７ｇ
（２．５ｍｍｏｌ）と削状金属マグネシウム０．３ｇ
（１２．５ｍｍｏｌ）を、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド（ＤＭＦ）１５ｍｌ中に分散させ、これに対し、ＤＭ
Ｆ５ｍｌに無水酢酸２．５５ｇ（２５ｍｍｏｌ）を溶か
した溶液を滴下した。これを室温で１４時間攪拌後、飽
和炭酸水素水１００ｍｌに注ぎ、酢酸エチル１００ｍｌ
で２度抽出を行った。得られた有機層を、水２０ｍｌ及
び飽和食塩水２０ｍｌでそれぞれ１回洗浄した後、無水
硫酸マグネシウム上で乾燥させた。乾燥剤を減圧濾過で
除去した後、酢酸エチルを減圧下留去することにより、
０．７５ｇの黄色オイルを得た。これを、シリカゲルを
充填剤とするカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢
酸エチル＝１／２）により分離することにより、０．０
４ｇのＮ−アセチル−４−アセチル−２，３−ジカルボ
メトキシ−１，２，３，４−テトラヒドロピリジン（Ｃ
_１３Ｈ_１７ＮＯ_６＝２８３）を無色オイルとして得た
（収率６％）。

【００７２】この化合物の^１Ｈ−ＮＭＲ、^１３Ｃ−ＮＭ
Ｒ、ＩＲ及びＧＣ−ＭＳ分析の結果を表１に示す。

【００７３】この化合物のＧＣ−ＭＳスペクトル（図
１）は、ｍ／ｅ＝２８３の分子イオンピークを示した。
なお、図１におけるｍ／ｅ＝１９８の分子イオンピーク
は、測定時にアセチル基（−ＣＯＣＨ_３＝４３）２つが
外れたものを示している。

【００７４】実施例２（Ｎ−アセチル−４−トリメチル
シリル−２，３−ジカルボメトキシ−１，２，３，４−
テトラヒドロピリジンの合成）

【００７５】合成例２で得たＮ−アセチル−２，３−ジ
カルボメトキシ−１，２−ジヒドロピリジン０．７ｇ
（２．５ｍｍｏｌ）と削状金属マグネシウム０．３ｇ
（１２．５ｍｍｏｌ）を、ＤＭＦ１５ｍｌ中に分散さ
せ、これに対し、ＤＭＦ５ｍｌにトリメチルクロロシラ
ン２．７ｇ（２５ｍｍｏｌ）を溶かした溶液を氷浴下
（５℃）で滴下した。これを５℃で１７時間攪拌後、飽
和炭酸水素水１００ｍｌに注ぎ、酢酸エチル１００ｍｌ
で２度抽出を行った。得られた有機層を、水２０ｍｌ及
び飽和食塩水２０ｍｌでそれぞれ１回洗浄した後、無水
硫酸マグネシウム上で乾燥させた。乾燥剤を減圧濾過で
除去した後、酢酸エチルを減圧下留去することにより、
０．８０ｇの黄色オイルを得た。これを、シリカゲルを
充填剤とするカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢
酸エチル＝１／２）により分離することにより、０．５
ｇのＮ−アセチル−４−トリメチルシリル−２，３−ジ
カルボメトキシ−１，２，３，４−テトラヒドロピリジ
ン（Ｃ_１４Ｈ_２３ＮＯ_５Ｓｉ＝３１３）を無色オイルと
して得た（収率６４％）。

【００７６】この化合物の^１Ｈ−ＮＭＲ、^１３Ｃ−ＮＭ
Ｒ、ＩＲ及びＧＣ−ＭＳ分析の結果を表１に示す。

【００７７】この化合物のＧＣ−ＭＳスペクトル（図
２）は、ｍ／ｅ＝３１３の分子イオンピークを示した。
なお、図２におけるｍ／ｅ＝２５４及び１９６の分子イ
オンピークは、それぞれ測定時にカルボン酸エステル基
（カルボメトキシ基：−ＣＯＯＣＨ_３＝５９）が１つ及
び２つ外れたものを示している。

【００７８】実施例３（２，６−ジカルボメトキシ−
１，４，５，６−テトラヒドロピリジンの合成）

【００７９】陽極にカーボン電極（表面積１．５ｃｍ^２
の炭素棒）、陰極にプラチナ板（１２ｃｍ^２）を用い、
素焼陶器製隔膜付きの電解層中で、隔膜の内側である陽
極側に、ｐ−トルエンスルホン酸テトラエチルアンモニ
ウム塩１．６ｇとＤＭＦ／メタノール（ＭｅＯＨ）
（９：１）の混合溶媒（８ｍｌ）を入れ、隔膜の外側で
ある陰極側には合成例３で得た１，４−ジヒドロピリジ
ン−２，６−ジカルボン酸ジメチル０．９８ｇ（５ｍｍ
ｏｌ）、塩化アンモニウム０．２５ｇ、ｐ−トルエンス
ルホン酸テトラエチルアンモニウム塩１．６ｇ、及びＤ
ＭＦ／ＭｅＯＨ（９：１）の混合溶媒（３２ｍｌ）を加
えた。

【００８０】温度を５乃至１０℃に保ち、定電流条件
（０．２Ａ）で４．０Ｆ／ｍｏｌ通電を行った。その
後、陰極液を飽和炭酸水素水２００ｍｌに注ぎ、酢酸エ
チル１５０ｍｌで３回抽出した。得られた有機層を水５
０ｍｌ及び飽和食塩水５０ｍｌでそれぞれ１回洗浄した
後、無水硫酸マグネシウム上で乾燥させた。乾燥剤を常
圧濾過で除去した後、酢酸エチルを減圧下留去すること
により、１．７２ｇの薄茶色オイルを得た。これを、シ
リカゲルを充填剤とするカラムクロマトグラフィー（ヘ
キサン／酢酸エチル＝２０／３）により分離することに
より、０．４２ｇの２，６−ジカルボメトキシ−１，
４，５，６−テトラヒドロピリジン（Ｃ_９Ｈ_{１ ３}ＮＯ_４
＝１９９）を白色結晶として得た（収率４３％）。

【００８１】この化合物の^１Ｈ−ＮＭＲ、^１３Ｃ−ＮＭ
Ｒ、ＩＲ及びＧＣ−ＭＳ分析の結果を表１に示す。

【００８２】この化合物のＧＣ−ＭＳスペクトル（図
３）は、ｍ／ｅ＝１９９の分子イオンピークを示した。
なお、図３におけるｍ／ｅ＝１４０の分子イオンピーク
は、測定時に１つのカルボン酸エステル基（カルボメト
キシ基：−ＣＯＯＣＨ_３＝５９）が外れたものを示して
いる。

【００８３】実施例４（Ｎ−アセチル−２，３−ジカル
ボメトキシ−１，２，３，４−テトラヒドロピリジンの
合成）

【００８４】合成例２で得たＮ−アセチル−２，３−ジ
カルボメトキシ−１，２−ジヒドロピリジン０．４８ｇ
（２．０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に
溶かし、水素化ホウ素ナトリウム水（２０ｍｌ）を加
え、室温で１４時間攪拌した。反応液を氷水２０ｍｌと
飽和塩化アンモニウム水２０ｍｌの混合液に注ぎ、酢酸
エチル１００ｍｌで２度抽出を行った。得られた有機層
を飽和食塩水３０ｍｌで１回洗浄した後、無水硫酸マグ
ネシウム上で乾燥させた。乾燥剤を減圧濾過で除去した
後、酢酸エチルを減圧下留去することにより、０．６ｇ
の黄色オイルを得た。これを、シリカゲルを充填剤とす
るカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝
１／１）により分離することにより、０．３９ｇのＮ−
アセチル−２，３−ジカルボメトキシ−１，２，３，４
−テトラヒドロピリジン（Ｃ_１１Ｈ _１５ＮＯ_４＝２４
１）を無色オイルとして得た（収率８１％）。

【００８５】この化合物の^１Ｈ−ＮＭＲ、^１３Ｃ−ＮＭ
Ｒ、ＩＲ及びＧＣ−ＭＳ分析の結果を表１に示す。

【００８６】この化合物のＧＣ−ＭＳスペクトル（図
４）は、ｍ／ｅ＝２４１の分子イオンピークを示した。
なお、図４におけるｍ／ｅ＝１４０の分子イオンピーク
は、測定時にＮ原子上のアセチル基と一つのカルボメト
キシ基（−ＣＯＯＣＨ_３＝５９）が外れたものを示して
いる。

【００８７】実施例５（Ｎ−ベンジル−３，４−ジカル
ボメトキシ−１，２，３，４−テトラヒドロピリジンの
合成）

【００８８】実施例４で用いたＮ−アセチル−２，３−
ジカルボメトキシ−１，２−ジヒドロピリジン（２．０
ｍｍｏｌ）を合成例４で得たＮ−ベンジル−１，４−ジ
ヒドロ−３，４−ピリジンジカルボン酸ジメチルに代え
た他は、実施例４と同様に処理して、下記Ｎ−ベンジル
−３，４−ジカルボメトキシ−１，２，３，４−テトラ
ヒドロピリジンを得た。

【００８９】

【化１２】 （上記式中、Ｂｚは、ベンジル基を示す。）

【００９０】

【表１】 （表１中、Ａｃはアセチル基を示す。）

【００９１】表１中の各実施例におけるＧＣ−ＭＳ、^１
Ｈ−ＮＭＲ、^１３Ｃ−ＮＭＲ、ＩＲの各分析結果は次の
通りである。

【００９２】ＧＣ−ＭＳ(1)：図１に示す。

【００９３】ＧＣ−ＭＳ(2)：図２に示す。

【００９４】ＧＣ−ＭＳ(3)：図３に示す。

【００９５】ＧＣ−ＭＳ(4)：図４に示す。

【００９６】実施例１−データ

【００９７】^１Ｈ−ＮＭＲ(1)：（ＣＤＣｌ_３,４００Ｍ
Ｈｚ）δ２．１７（ｓ,３Ｈ）,２．１３−２．１５
（ｍ,１Ｈ）,３．６０（ｓ,３Ｈ）,３．６６（ｓ,３
Ｈ）,４．７８（ｄ,Ｊ＝８．２８Ｈｚ,１Ｈ）, ５．８
０（ｍ,１Ｈ）, ６．６４（ｄ,Ｊ＝８．３２Ｈｚ,１
Ｈ）；

【００９８】^１３Ｃ−ＮＭＲ(1)：（ＣＤＣｌ_３,４００
ＭＨｚ）δ２１．３５,２１．２９,４１．７２，４６．
１９,５１．９３,５２．５５,５２．９７,１０３．２
３,１２６．５２,１６８．３３,１６９．５９,１７０．
７８,２０６．０９ｐｐｍ；

【００９９】ＩＲ(1)：（ｎｅａｔ）２９５０，１７４
０，１６７５，１６４０，１２５０，１２２０，１０１
０，３４５；

【０１００】実施例２−データ

【０１０１】^１Ｈ−ＮＭＲ(2)：（ＣＤＣｌ_３，４００
ＭＨｚ）δ−０．０１（ｓ,９Ｈ）,２．０４（ｂｓ, １
Ｈ）, ２．１８（ｓ, ３Ｈ）, ３．１８−３．１２
（ｍ, １Ｈ）, ３．６４（ｓ, ３Ｈ）,３．６６（ｓ,
３Ｈ）, ４．９５−４．９９（ｍ,１Ｈ）, ５．３６−
５．３７（ｍ, １Ｈ）, ６．５４（ｄ, Ｊ＝８．３２Ｈ
ｚ,１Ｈ）；

【０１０２】^１３Ｃ−ＮＭＲ(2)：（ＣＤＣｌ_３，４０
０ＭＨｚ）δ-１．２２,２１．１０,２５．０１,４２．
５８,５１．３６,５２．００,５３．１９,１０８．６
２,１２２．４５,１６７．９１,１６０．００,１７０．
３６ｐｐｍ；

【０１０３】ＩＲ(2)：（ｎｅａｔ）２９５０,１７５
０,１６８０,１６５０,１３８０，１２５０,１２２０,
１０２０；

【０１０４】実施例３−データ

【０１０５】^１Ｈ−ＮＭＲ(3)：（ＣＤＣｌ_３，４００
ＭＨｚ）δ１．９３−１．９６（ｍ,１Ｈ）,２．１１−
２．１５（ｍ, １Ｈ）, ２．２１−２．２７（ｍ,２
Ｈ）, ３．７５（ｓ,３Ｈ）, ３．７８（ｓ, ３Ｈ）,
３．９２,３．９３（ｍ,１Ｈ）, ４．４１（ｂｓ,１
Ｈ）, ５．７１（ｔ,ｊ＝４．１４Ｈｚ,１Ｈ）；

【０１０６】^１３Ｃ−ＮＭＲ(3)：（ＣＤＣｌ_３，４０
０ＭＨｚ）δ２１．４１,２４．３３,５２．２９,５
２．５７,５３．６７,１０７．３９,１３２．９６,１６
４．８９,１７３．４９ｐｐｍ；

【０１０７】ＩＲ(3)：（ｎｅａｔ）３４２０，２９５
０，１７４０，１７２０，１６４５，１４４０,１２７
０,１２２０；

【０１０８】実施例４−データ

【０１０９】^１Ｈ−ＮＭＲ(4)：（異性体のため解析で
きず。）

【０１１０】^１３Ｃ−ＮＭＲ(4)：（異性体のため解析
できず。）

【０１１１】ＩＲ(4)：（ｎｅａｔ）２９５０，１７４
５，１６８０，１６５０，１４２０，１３８０,１２２
０,１０１５；

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施例１で得られたテトラヒドロピリジンジ
カルボン酸誘導体のＧＣ−ＭＳスペクトルを示す。

【図２】 実施例２で得られたテトラヒドロピリジンジ
カルボン酸誘導体のＧＣ−ＭＳスペクトルを示す。

【図３】 実施例３で得られたテトラヒドロピリジンジ
カルボン酸誘導体のＧＣ−ＭＳスペクトルを示す。

【図４】 実施例４で得られたテトラヒドロピリジンジ
カルボン酸誘導体のＧＣ−ＭＳスペクトルを示す。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 前川 博史 新潟県長岡市深沢町1769−１ 深沢町宿舎 ２−506 (72)発明者 山▲崎▼ 康寛 大阪府寝屋川市讃良東町８番１号 オリヱ ント化学工業株式会社内 Ｆターム(参考） 4C054 AA03 BB01 BB03 CC02 CC04 DD01 DD33 EE01 EE33 FF01 FF14 FF33 4H049 VN01 VP01 VQ59 VR24 VS12 VT05 VT40 VT43 VT44 VT49 VU01 VU06 VU36 VW01 VW33 4K021 AC17 BA12 DB31 DB36 DB40

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】下記一般式（Ｉ）で表されるテトラヒドロ
   ピリジンジカルボン酸又はその誘導体。 【化１】 〔一般式（Ｉ）中、Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立して
   水酸基、アルコキシ基、アミノ基、Ｎ−アルキルアミノ
   基又はＮ−ジアルキルアミノ基を示し、Ｙは、水素原
   子、アシル基、トリアルキルシリル基、アリールジアル
   キルシリル基又はジアリールアルキルシリル基を示し、
   ［Ｃ_５Ｈ_５Ｎ−Ｘ］は、Ｎ原子上に置換基Ｘを有するテ
   トラヒドロピリジン環を示し、Ｘは、水素原子、アシル
   基、アルキル基、又はアラルキル基を示す。〕
2. 【請求項２】上記一般式（Ｉ）で表されるテトラヒドロ
   ピリジンジカルボン酸又はその誘導体が、１，２，３，
   ４−テトラヒドロピリジンジカルボン酸エステル又はそ
   の誘導体である請求項１記載のテトラヒドロピリジンジ
   カルボン酸又はその誘導体。
3. 【請求項３】Ｎ原子上に置換基Ｘを有するジヒドロピリ
   ジンジカルボン酸又はその誘導体に還元的付加反応を行
   わせる工程を有する請求項１又は２記載のテトラヒドロ
   ピリジンジカルボン酸又はその誘導体の製造方法。
4. 【請求項４】還元的付加反応をマグネシウム金属の存在
   下で行わせる請求項３記載のテトラヒドロピリジンジカ
   ルボン酸又はその誘導体の製造方法。
5. 【請求項５】還元的付加反応を水素化ホウ素化合物の存
   在下で行わせる請求項３記載のテトラヒドロピリジンジ
   カルボン酸又はその誘導体の製造方法。
6. 【請求項６】還元的付加反応を電極還元反応により行わ
   せる請求項３記載のテトラヒドロピリジンジカルボン酸
   又はその誘導体の製造方法。
7. 【請求項７】Ｎ原子上に置換基Ｘとしてアシル基、アル
   キル基、又はアラルキル基を有するジヒドロピリジンジ
   カルボン酸又はその誘導体に還元的付加反応を行わせる
   工程においてジヒドロピリジン環の炭素二重結合位をア
   シル化、トリアルキルシリル化、アリールジアルキルシ
   リル化又はジアリールアルキルシリル化する請求項４又
   は５記載のテトラヒドロピリジンジカルボン酸又はその
   誘導体の製造方法。
8. 【請求項８】ジヒドロピリジンジカルボン酸又はその誘
   導体が下記一般式（II）で表されるものである請求項
   ３、４、５、６又は７記載のテトラヒドロピリジンジカ
   ルボン酸又はその誘導体の製造方法。 【化２】 〔一般式（II）中、Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立して
   水酸基、アルコキシ基、アミノ基、Ｎ―アルキルアミノ
   基又はＮ-ジアルキルアミノ基を示し、［Ｃ_５Ｈ_４Ｎ−
   Ｘ］は、Ｎ原子上に置換基Ｘを有するジヒドロピリジン
   環を示し、Ｘは、水素原子、アシル基、アルキル基、又
   はアラルキル基を示す。〕
9. 【請求項９】Ｎ原子上に置換基Ｘを有するジヒドロピリ
   ジンジカルボン酸又はその誘導体が、ジヒドロピリジン
   −２，３−ジカルボン酸エステル、ジヒドロピリジン−
   ２，４−ジカルボン酸エステル、ジヒドロピリジン−
   ２，５−ジカルボン酸エステル、ジヒドロピリジン−
   ２，６−ジカルボン酸エステル、ジヒドロピリジン−
   ３，４−ジカルボン酸エステル、若しくは、ジヒドロピ
   リジン−３，５−ジカルボン酸エステル、又はこれらの
   Ｎ−アセチル化物、Ｎ−ベンジル化物、若しくはＮ−ア
   ルキル化物である請求項３、４、５、６、７又は８記載
   のテトラヒドロピリジンジカルボン酸又はその誘導体の
   製造方法。
10. 【請求項１０】溶媒及び支持電解質の存在下、下記式
    （II−１）で表されるジヒドロピリジンジカルボン酸又
    はその誘導体 【化３】 〔式（II−１）中、Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立して
    水酸基、アルコキシ基、アミノ基、Ｎ―アルキルアミノ
    基又はＮ-ジアルキルアミノ基を示し、［Ｃ_５Ｈ_４Ｎ−
    Ｘ］は、Ｎ原子上に置換基として水素原子を有するジヒ
    ドロピリジン環を示す。〕を、電極還元反応させ、下記
    式（Ｉ−１）で表されるテトラヒドロピリジンジカルボ
    ン酸又はその誘導体 【化４】 〔式（Ｉ−１）中、Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立して
    水酸基、アルコキシ基、アミノ基、Ｎ―アルキルアミノ
    基又はＮ-ジアルキルアミノ基を示し、Ｙは水素原子を
    示し、［Ｃ_５Ｈ_５Ｎ−Ｘ］は、Ｎ原子上に置換基として
    水素原子を有するテトラヒドロピリジン環を示す。〕を
    製造する請求項６記載のテトラヒドロピリジンジカルボ
    ン酸又はその誘導体の製造方法。
11. 【請求項１１】Ｎ原子上に置換基Ｘを有するジヒドロピ
    リジンジカルボン酸又はその誘導体を得る工程を有する
    請求項３、４、５、６、７、８、９又は１０記載のテト
    ラヒドロピリジンジカルボン酸又はその誘導体の製造方
    法。