JP2000281461A - セラミック配線基板の製造方法 - Google Patents
セラミック配線基板の製造方法Info
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- JP2000281461A JP2000281461A JP11093840A JP9384099A JP2000281461A JP 2000281461 A JP2000281461 A JP 2000281461A JP 11093840 A JP11093840 A JP 11093840A JP 9384099 A JP9384099 A JP 9384099A JP 2000281461 A JP2000281461 A JP 2000281461A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 無電解銅めっき処理の前処理としてセラミッ
ク基板に触媒付与処理を施したとしても、その後の加熱
処理においてセラミック基板を灰色に変色させず、ＤＢ
Ｃ基板の商品価値を高めることができるセラミック配線
基板の製造方法を提供すること。 【解決手段】 セラミック基板２０に全面銅めっき処理
を施した後、セラミック基板２０に銅板２１、２５を接
合炉中で接合させる工程を有するセラミック配線基板の
製造方法において、全面銅めっき処理を施す際の触媒と
してＡｇ含有触媒を使用する。
ク基板に触媒付与処理を施したとしても、その後の加熱
処理においてセラミック基板を灰色に変色させず、ＤＢ
Ｃ基板の商品価値を高めることができるセラミック配線
基板の製造方法を提供すること。 【解決手段】 セラミック基板２０に全面銅めっき処理
を施した後、セラミック基板２０に銅板２１、２５を接
合炉中で接合させる工程を有するセラミック配線基板の
製造方法において、全面銅めっき処理を施す際の触媒と
してＡｇ含有触媒を使用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はセラミック配線基板
の製造方法、より詳細には、セラミック基板に全面銅め
っき処理を施した後、前記セラミック基板に銅板を接合
炉中で接合させる工程を有するセラミック配線基板の製
造方法に関し、特に高速、大電力スイッチングモジュー
ル用基板等として使用されるＤＢＣ（Direct Bonding C
opper ）基板と呼称されるセラミック配線基板の製造方
法に関する。
の製造方法、より詳細には、セラミック基板に全面銅め
っき処理を施した後、前記セラミック基板に銅板を接合
炉中で接合させる工程を有するセラミック配線基板の製
造方法に関し、特に高速、大電力スイッチングモジュー
ル用基板等として使用されるＤＢＣ（Direct Bonding C
opper ）基板と呼称されるセラミック配線基板の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＤＢＣ基板はＧＴＲ（Giant Transisto
r）やＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor
）等の高速、大電力スイッチングモジュール用基板と
して用いられ、例えば図１に示した構造を有している。
r）やＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor
）等の高速、大電力スイッチングモジュール用基板と
して用いられ、例えば図１に示した構造を有している。
【０００３】図中、２０はアルミナ等からなるセラミッ
ク基板を示しており、セラミック基板２０の上面にはＳ
ｉチップ２２搭載用及び配線用として使用されるＣｕ板
２１が接合され、セラミック基板２０の下面には熱拡散
用及び反り防止用として使用されるＣｕ板２５が接合さ
れている。Ｃｕ板２１の上面中央部にはＳｉチップ２２
がはんだ層２３を介して接着され、Ｃｕ板２１の配線部
２１ａとＳｉチップ２２の接続パッド（図示せず）とは
ワイヤ２４を用いたワイヤボンディングにより接続され
ている。Ｃｕ板２５の下面にははんだ層２６を介してヒ
ートシンクとしてのＣｕ板２７が接着されている。
ク基板を示しており、セラミック基板２０の上面にはＳ
ｉチップ２２搭載用及び配線用として使用されるＣｕ板
２１が接合され、セラミック基板２０の下面には熱拡散
用及び反り防止用として使用されるＣｕ板２５が接合さ
れている。Ｃｕ板２１の上面中央部にはＳｉチップ２２
がはんだ層２３を介して接着され、Ｃｕ板２１の配線部
２１ａとＳｉチップ２２の接続パッド（図示せず）とは
ワイヤ２４を用いたワイヤボンディングにより接続され
ている。Ｃｕ板２５の下面にははんだ層２６を介してヒ
ートシンクとしてのＣｕ板２７が接着されている。
【０００４】セラミック基板２０にＣｕ板２１、Ｃｕ板
２５を接合させる際には、ＯＦＣ（Oxygen Free Coppe
r）状態のＣｕ板２１、Ｃｕ板２５に大気中、３００℃
程度の温度で予備酸化処理を施し、その表面にＣｕ2 Ｏ
層を形成しておき、その後図２に示したようにＭｏ板３
１とＭｏメッシュ３２とからなる治具３０の上にセラミ
ック基板２０とＣｕ板２１、Ｃｕ板２５とを合わせて載
置し、治具３０を金属製のベルト３３にセットする。そ
して図２に示した状態で治具３０をＤＢＣ接合炉に通
し、１１００℃程度の温度で加熱処理を施し、Ｃｕ板２
１、Ｃｕ板２５中に含まれる酸素を利用してＣｕ−Ｏ共
晶液相を接合剤として用い、Ｃｕ板２１、Ｃｕ板２５を
セラミック基板２０に強固に接合させている。
２５を接合させる際には、ＯＦＣ（Oxygen Free Coppe
r）状態のＣｕ板２１、Ｃｕ板２５に大気中、３００℃
程度の温度で予備酸化処理を施し、その表面にＣｕ2 Ｏ
層を形成しておき、その後図２に示したようにＭｏ板３
１とＭｏメッシュ３２とからなる治具３０の上にセラミ
ック基板２０とＣｕ板２１、Ｃｕ板２５とを合わせて載
置し、治具３０を金属製のベルト３３にセットする。そ
して図２に示した状態で治具３０をＤＢＣ接合炉に通
し、１１００℃程度の温度で加熱処理を施し、Ｃｕ板２
１、Ｃｕ板２５中に含まれる酸素を利用してＣｕ−Ｏ共
晶液相を接合剤として用い、Ｃｕ板２１、Ｃｕ板２５を
セラミック基板２０に強固に接合させている。
【０００５】セラミック基板２０とＣｕ板２１、Ｃｕ板
２５とを接合させる際に、セラミック基板２０とＣｕ板
２１、Ｃｕ板２５との間にボイドが生じることがあり、
このボイドが存在している状態でＤＢＣ基板に電圧を印
加すると、このボイドの部分から部分放電を生じ、この
部分放電が人体に悪影響を与える。
２５とを接合させる際に、セラミック基板２０とＣｕ板
２１、Ｃｕ板２５との間にボイドが生じることがあり、
このボイドが存在している状態でＤＢＣ基板に電圧を印
加すると、このボイドの部分から部分放電を生じ、この
部分放電が人体に悪影響を与える。
【０００６】このため、前記ボイドの発生を抑えるため
に、セラミック基板２０とＣｕ板２１、Ｃｕ板２５とを
接合させる前に、セラミック基板２０の表面全面に無電
解銅めっき処理を施しておくことが通常行われている。
このようにセラミック基板２０に全面無電解銅めっき処
理を施しておくと、セラミック基板２０とＣｕ板２１、
Ｃｕ板２５とを接合させる際に、セラミック基板２０と
Ｃｕ板２１、Ｃｕ板２５との間にボイドが発生しにくく
なる。
に、セラミック基板２０とＣｕ板２１、Ｃｕ板２５とを
接合させる前に、セラミック基板２０の表面全面に無電
解銅めっき処理を施しておくことが通常行われている。
このようにセラミック基板２０に全面無電解銅めっき処
理を施しておくと、セラミック基板２０とＣｕ板２１、
Ｃｕ板２５とを接合させる際に、セラミック基板２０と
Ｃｕ板２１、Ｃｕ板２５との間にボイドが発生しにくく
なる。
【０００７】また、無電解銅めっきの付きを良くするた
めに、前記無電解銅めっき処理の前処理として通常セラ
ミック基板２０には、触媒の付与処理が施されており、
この触媒として現在のところ、Ｓｎ−Ｐｄ系触媒が使用
されている。
めに、前記無電解銅めっき処理の前処理として通常セラ
ミック基板２０には、触媒の付与処理が施されており、
この触媒として現在のところ、Ｓｎ−Ｐｄ系触媒が使用
されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記Ｓ
ｎ−Ｐｄ系触媒を使用した場合、めっき処理後もセラミ
ック基板２０には前記Ｓｎ−Ｐｄ系触媒がコロイドとな
って付着した状態で残存しており、セラミック基板２０
とＣｕ板２１、Ｃｕ板２５とを接合させる際の加熱処理
により、セラミック基板２０とＳｎ−Ｐｄ系コロイドと
が反応してしまい、セラミック基板２０表面を灰色に変
色させてしまう。その後、配線形成のためにＣｕ板２１
にエッチング処理を施すと、セラミック基板２０の一部
が露出することになるが、この露出面は灰色に変色した
状態のままであり、ＤＢＣ基板の商品価値を下げてしま
うといった課題があった。
ｎ−Ｐｄ系触媒を使用した場合、めっき処理後もセラミ
ック基板２０には前記Ｓｎ−Ｐｄ系触媒がコロイドとな
って付着した状態で残存しており、セラミック基板２０
とＣｕ板２１、Ｃｕ板２５とを接合させる際の加熱処理
により、セラミック基板２０とＳｎ−Ｐｄ系コロイドと
が反応してしまい、セラミック基板２０表面を灰色に変
色させてしまう。その後、配線形成のためにＣｕ板２１
にエッチング処理を施すと、セラミック基板２０の一部
が露出することになるが、この露出面は灰色に変色した
状態のままであり、ＤＢＣ基板の商品価値を下げてしま
うといった課題があった。
【０００９】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
って、無電解銅めっき処理の前処理としてセラミック基
板に触媒の付与処理を施したとしても、その後の加熱処
理においてセラミック基板を灰色に変色させず、ＤＢＣ
基板の商品価値を高めることができるセラミック配線基
板の製造方法を提供することを目的としている。
って、無電解銅めっき処理の前処理としてセラミック基
板に触媒の付与処理を施したとしても、その後の加熱処
理においてセラミック基板を灰色に変色させず、ＤＢＣ
基板の商品価値を高めることができるセラミック配線基
板の製造方法を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段及びその効果】上記目的を
達成するために、本発明に係るセラミック配線基板の製
造方法（１）は、セラミック基板に全面銅めっき処理を
施した後、前記セラミック基板に銅板を接合炉中で接合
させる工程を有するセラミック配線基板の製造方法にお
いて、前記全面銅めっき処理を施す際の触媒としてＡｇ
含有触媒を使用することを特徴としている。
達成するために、本発明に係るセラミック配線基板の製
造方法（１）は、セラミック基板に全面銅めっき処理を
施した後、前記セラミック基板に銅板を接合炉中で接合
させる工程を有するセラミック配線基板の製造方法にお
いて、前記全面銅めっき処理を施す際の触媒としてＡｇ
含有触媒を使用することを特徴としている。
【００１１】上記セラミック配線基板の製造方法（１）
によれば、前記全面銅めっき処理を施す際の触媒として
Ａｇ含有触媒を使用することにより、Ｓｎ−Ｐｄ系コロ
イドに起因した変色をセラミック基板に生じなくさせる
ことができる。しかも銅めっき処理の均一性も確保する
ことができ、ＤＢＣ基板の商品価値を高めることができ
る。
によれば、前記全面銅めっき処理を施す際の触媒として
Ａｇ含有触媒を使用することにより、Ｓｎ−Ｐｄ系コロ
イドに起因した変色をセラミック基板に生じなくさせる
ことができる。しかも銅めっき処理の均一性も確保する
ことができ、ＤＢＣ基板の商品価値を高めることができ
る。
【００１２】また、本発明に係るセラミック配線基板の
製造方法（２）は、上記セラミック配線基板の製造方法
（１）において、前記セラミック基板がアルミナ基板、
ジルコニア分散アルミナ基板あるいは窒化アルミ基板の
うちの一種であることを特徴としている。
製造方法（２）は、上記セラミック配線基板の製造方法
（１）において、前記セラミック基板がアルミナ基板、
ジルコニア分散アルミナ基板あるいは窒化アルミ基板の
うちの一種であることを特徴としている。
【００１３】前記セラミック基板がアルミナ基板である
場合、ＤＢＣ基板を安価なものとすることができる。ま
た、前記セラミック基板がジルコニア分散アルミナ基板
である場合、誘電率が高く、しかも曲げ強度が強いこと
から薄く形成されることが多く、部分放電に関しては不
利であると言われているが、上記課題を解決することに
より、ジルコニア分散アルミナ基板の特徴である、薄く
て熱抵抗が小さく、窒化アルミ基板を用いた場合よりも
安価なＤＢＣ基板を提供することができるといった特徴
を活すことができる。また、前記セラミック基板が窒化
アルミ基板である場合、熱伝導率が大きいので、大電力
用に適したＤＢＣ基板を提供することができる。
場合、ＤＢＣ基板を安価なものとすることができる。ま
た、前記セラミック基板がジルコニア分散アルミナ基板
である場合、誘電率が高く、しかも曲げ強度が強いこと
から薄く形成されることが多く、部分放電に関しては不
利であると言われているが、上記課題を解決することに
より、ジルコニア分散アルミナ基板の特徴である、薄く
て熱抵抗が小さく、窒化アルミ基板を用いた場合よりも
安価なＤＢＣ基板を提供することができるといった特徴
を活すことができる。また、前記セラミック基板が窒化
アルミ基板である場合、熱伝導率が大きいので、大電力
用に適したＤＢＣ基板を提供することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に係る
セラミック配線基板の製造方法を説明する。
セラミック配線基板の製造方法を説明する。
【００１５】実施の形態に係るセラミック配線基板の製
造方法が従来のセラミック配線基板の製造方法と相違す
るのは、前処理を含んだ全面銅めっき処理工程において
であり、その他の工程は従来のセラミック配線基板の製
造方法と同様である。従って、ここでは主に前処理を含
んだ全面銅めっき処理工程について説明する。
造方法が従来のセラミック配線基板の製造方法と相違す
るのは、前処理を含んだ全面銅めっき処理工程において
であり、その他の工程は従来のセラミック配線基板の製
造方法と同様である。従って、ここでは主に前処理を含
んだ全面銅めっき処理工程について説明する。
【００１６】まず、パンチング、焼成工程を終了したセ
ラミック基板にアルカリ溶液を用いた脱脂処理を施す。
アルカリ溶液としては市販のアルカリ脱脂溶液、ＮａＯ
Ｈ溶液、オルトケイ酸ナトリウム溶液等が挙げられ、ア
ルカリ脱脂処理工程における処理温度は５０〜８０℃の
範囲が好ましく、処理時間は３〜１０分の範囲が好まし
い。
ラミック基板にアルカリ溶液を用いた脱脂処理を施す。
アルカリ溶液としては市販のアルカリ脱脂溶液、ＮａＯ
Ｈ溶液、オルトケイ酸ナトリウム溶液等が挙げられ、ア
ルカリ脱脂処理工程における処理温度は５０〜８０℃の
範囲が好ましく、処理時間は３〜１０分の範囲が好まし
い。
【００１７】次に、銅めっきの付きを良くするために、
セラミック基板に表面粗化のためのエッチング処理を施
す。エッチング処理溶液は酸性フッ化アンモニア溶液の
濃度２０〜２５０ｇ／リットル、またはフッ化水素酸溶
液の濃度１〜２０ｇ／リットル、処理温度は室温〜６０
℃の範囲が好ましく、処理時間は３０秒〜２０分の範囲
が好ましい。
セラミック基板に表面粗化のためのエッチング処理を施
す。エッチング処理溶液は酸性フッ化アンモニア溶液の
濃度２０〜２５０ｇ／リットル、またはフッ化水素酸溶
液の濃度１〜２０ｇ／リットル、処理温度は室温〜６０
℃の範囲が好ましく、処理時間は３０秒〜２０分の範囲
が好ましい。
【００１８】次に触媒付与処理工程を１段階、あるいは
２段階に分けて行う。１段階で行う場合は、キャタリス
トＡＥ−２７溶液中のＡｇ濃度を４００〜６００ｍｇ／
リットルとし、処理温度を室温〜６０℃の範囲に設定
し、処理時間を１〜１０分の範囲で設定して行う。
２段階に分けて行う。１段階で行う場合は、キャタリス
トＡＥ−２７溶液中のＡｇ濃度を４００〜６００ｍｇ／
リットルとし、処理温度を室温〜６０℃の範囲に設定
し、処理時間を１〜１０分の範囲で設定して行う。
【００１９】次に無電解銅めっき処理工程を、市販の無
電解銅めっき液（奥野製薬工業（株）ＯＰＣ−７５０）
溶液中のＣｕ濃度を２０００〜３５００ｍｇ／リットル
とし、処理温度を室温〜６０℃の範囲に設定し、処理時
間を１０〜６０分の条件で行い、厚さ０．３〜１μｍの
無電解Ｃｕ膜を形成する。
電解銅めっき液（奥野製薬工業（株）ＯＰＣ−７５０）
溶液中のＣｕ濃度を２０００〜３５００ｍｇ／リットル
とし、処理温度を室温〜６０℃の範囲に設定し、処理時
間を１０〜６０分の条件で行い、厚さ０．３〜１μｍの
無電解Ｃｕ膜を形成する。
【００２０】その後は通常の銅板接合工程、銅マスキン
グ工程、銅エッチング工程を施してＤＢＣ基板を製造す
る。ＯＦＣからなるＣｕ板の予備酸化処理は大気中、２
５０〜３００℃の温度範囲で行い、セラミック基板と前
記Ｃｕ板とのＤＢＣ接合処理は、Ｎ2 雰囲気中、１０６
５〜１０８３℃の温度範囲で行なう。
グ工程、銅エッチング工程を施してＤＢＣ基板を製造す
る。ＯＦＣからなるＣｕ板の予備酸化処理は大気中、２
５０〜３００℃の温度範囲で行い、セラミック基板と前
記Ｃｕ板とのＤＢＣ接合処理は、Ｎ2 雰囲気中、１０６
５〜１０８３℃の温度範囲で行なう。
【００２１】銅マスキング工程ではマスキングテ−プと
して住友スリ−エム（株）製のめっき用マスキングテ−
プＮｏ．４８４等を用い、銅エッチング工程では、エッ
チング液として３０％硝酸溶液、塩化第２銅溶液（３０
０ｇ／リットル）、塩酸溶液（１００ｇ／リットル）等
を用いる。
して住友スリ−エム（株）製のめっき用マスキングテ−
プＮｏ．４８４等を用い、銅エッチング工程では、エッ
チング液として３０％硝酸溶液、塩化第２銅溶液（３０
０ｇ／リットル）、塩酸溶液（１００ｇ／リットル）等
を用いる。
【００２２】
【実施例及び比較例】以下、本発明に係るセラミック配
線基板の製造方法の実施例、及び比較例を説明する。セ
ラミック基板としては変色しやすいジルコニア分散アル
ミナ基板を用いた。実施例 （ａ）アルカリ脱脂処理 アルカリ溶液：上村工業（株） アサヒクリ−ナ−Ｃ４０００ 濃度：５０ｇ／リットル 処理温度： ６５℃ 処理時間： ５分 （ｂ）エッチング処理 エッチング処理溶液：酸性フッ化アンモニア溶液 ２００ｇ／リットル 処理温度： ２５℃ 処理時間： １０分 （ｃ）触媒付与処理 処理溶液：奥野製薬工業（株）キャタリストＡＥ−２７溶液 Ａｇ濃度：５００ｍｇ／リットル 処理温度： ３５℃ 処理時間： ５分 （ｄ）無電解銅めっき処理 処理溶液：奥野製薬工業（株）ＯＰＣ−７５０溶液 Ｃｕ濃度：３０００ｍｇ／リットル 処理温度： ２３℃ 処理時間： ６０分 Ｃｕ膜の厚さ：１μｍ （ｅ）予備酸化処理 処理温度： ３００℃ 雰囲気： 大気 （ｆ）ＤＢＣ接合処理 処理温度： １０７５℃ 雰囲気： Ｎ2 比較例 （ｃ）触媒付与処理工程を 処理溶液：奥野製薬工業（株）ＯＰＣ−８０キャタリスト溶液 濃度：５０ミリリットル／リットル 処理温度： ２５℃ 処理時間： ５分 の条件で行った他は、実施例の場合と同様の条件で行っ
た。評価 銅エッチング工程を施して銅板及び無電解Ｃｕ膜をエッ
チングにより除去し、銅板及び無電解Ｃｕ膜剥離後のセ
ラミック基板表面における変色の有無により評価を行な
った。その結果を下記に示す。
線基板の製造方法の実施例、及び比較例を説明する。セ
ラミック基板としては変色しやすいジルコニア分散アル
ミナ基板を用いた。実施例 （ａ）アルカリ脱脂処理 アルカリ溶液：上村工業（株） アサヒクリ−ナ−Ｃ４０００ 濃度：５０ｇ／リットル 処理温度： ６５℃ 処理時間： ５分 （ｂ）エッチング処理 エッチング処理溶液：酸性フッ化アンモニア溶液 ２００ｇ／リットル 処理温度： ２５℃ 処理時間： １０分 （ｃ）触媒付与処理 処理溶液：奥野製薬工業（株）キャタリストＡＥ−２７溶液 Ａｇ濃度：５００ｍｇ／リットル 処理温度： ３５℃ 処理時間： ５分 （ｄ）無電解銅めっき処理 処理溶液：奥野製薬工業（株）ＯＰＣ−７５０溶液 Ｃｕ濃度：３０００ｍｇ／リットル 処理温度： ２３℃ 処理時間： ６０分 Ｃｕ膜の厚さ：１μｍ （ｅ）予備酸化処理 処理温度： ３００℃ 雰囲気： 大気 （ｆ）ＤＢＣ接合処理 処理温度： １０７５℃ 雰囲気： Ｎ2 比較例 （ｃ）触媒付与処理工程を 処理溶液：奥野製薬工業（株）ＯＰＣ−８０キャタリスト溶液 濃度：５０ミリリットル／リットル 処理温度： ２５℃ 処理時間： ５分 の条件で行った他は、実施例の場合と同様の条件で行っ
た。評価 銅エッチング工程を施して銅板及び無電解Ｃｕ膜をエッ
チングにより除去し、銅板及び無電解Ｃｕ膜剥離後のセ
ラミック基板表面における変色の有無により評価を行な
った。その結果を下記に示す。
【００２３】セラミック基板の変色の発生数 実施例 ０／１０ 比較例 １０／１０
【図１】ＤＢＣ基板の構造を示す側断面図である。
【図２】接合時における炉への搬入状態を示す側面図で
ある。
ある。
２０ セラミック基板 ２１ Ｃｕ板（配線用） ２５ Ｃｕ板（反り防止） ３０ 治具
Claims (2)
- 【請求項１】 セラミック基板に全面銅めっき処理を施
した後、前記セラミック基板に銅板を接合炉中で接合さ
せる工程を有するセラミック配線基板の製造方法におい
て、前記全面銅めっき処理を施す際の触媒としてＡｇ含
有触媒を使用することを特徴とするセラミック配線基板
の製造方法。 - 【請求項２】 前記セラミック基板がアルミナ基板、ジ
ルコニア分散アルミナ基板あるいは窒化アルミ基板のう
ちの一種であることを特徴とする請求項１記載のセラミ
ック配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11093840A JP2000281461A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | セラミック配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11093840A JP2000281461A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | セラミック配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000281461A true JP2000281461A (ja) | 2000-10-10 |
Family
ID=14093604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11093840A Pending JP2000281461A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | セラミック配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000281461A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103635022A (zh) * | 2012-08-24 | 2014-03-12 | 无锡华润安盛科技有限公司 | 智能功率模块的塑封过程中所使用的预热装置 |
| CN109071365A (zh) * | 2016-02-26 | 2018-12-21 | 贺利氏德国有限两合公司 | 铜-陶瓷复合物 |
-
1999
- 1999-03-31 JP JP11093840A patent/JP2000281461A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103635022A (zh) * | 2012-08-24 | 2014-03-12 | 无锡华润安盛科技有限公司 | 智能功率模块的塑封过程中所使用的预热装置 |
| CN109071365A (zh) * | 2016-02-26 | 2018-12-21 | 贺利氏德国有限两合公司 | 铜-陶瓷复合物 |
| US11021406B2 (en) | 2016-02-26 | 2021-06-01 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Copper-ceramic composite |
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