JP2000281451A - セラミックス共晶体の製造方法 - Google Patents

セラミックス共晶体の製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】組織が均一で緻密なセラミックス共晶体、とく
に希土類アルミネート系化合物含有共晶体の有利な製造
方法を提案すること。 【解決手段】アルミナと希土類アルミネート系化合物と
からなる共晶粉を、放電プラズマ装置を用いて、真空中
あるいは非酸化性雰囲気中において5〜100MPaの圧力
と、1300〜1700℃の温度条件に1〜120 分間保持して結
晶成長させることにより、希土類アルミネート系共晶組
織焼結体を得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックス共晶
体の製造方法に関し、とくに希土類アルミネートとアル
ミナあるいは希土類酸化物との共晶体粉末からその共晶
組織焼結体 (以上か、単に「共晶体」という) を製造す
る方法に関し、特に、従来の材料に比べ破壊されにく
く、多目的に利用できる緻密質セラミックス共晶体を提
供しようとするものである。本発明にかかるセラミック
ス共晶体材料は、エンジン部品、ガスタービン翼、ガス
タービン用部品、耐腐食性装置部品、るつぼ、ボールミ
ル部品、高温炉用熱交換器、耐熱材料、高空飛翔体用耐
熱材、燃焼管、ダイカスト用部品、絶縁材料、核融合炉
材料、原子炉用材料、工具、熱遮断材料、電子回路用基
板、シール材、継手やバルブ用部品、ポンプ、ノズル、
ローラ、ガイドレール、軸受その他の広い分野で用いら
れるものである。
【0002】
【従来の技術】従来、セラミックス共晶体、例えばアル
ミナと希土類アルミネート化合物との共晶体は、単結晶
作成技術の1つであるブリッヂマン法を用いて製造して
いる。即ち、試料をモリブデンあるいはタングステンの
るつぼに入れて高温で溶融した後、下部からゆっくり冷
却し、下部から上部へと共晶体を連続的に成長させる一
方向性凝固法によって所望の成形体としている (D.Viec
hnicki and F.Schmid, J.Mater. Sci., 4(1969) 84〜8
8) 。しかも、この共晶体は、1700℃まで強度を維持す
る優れた高温材料である (Y.Waku, H.Ohtsubo, N.Nakag
awa ans Y.Kohtoku,J.Mater.Sci., 31(1996) 4663〜467
0) 。
【0003】このような一方向凝固法による共晶体の製
造方法では、試料の大きさがるつぼの大きさによって制
約されるという問題があった。しかも、形状が円筒形に
限られるため、実際の用途に適合させるためには、さら
に所定の形状に加工する必要があった。しかも、この既
知の方法による試料合成は、ゆっくりした冷却が不可欠
になることから、共晶体を大きく成長させるためには長
い時間をかける必要があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述した共晶体組織
は、原理的にはその成分組成の原料を溶融し、固化すれ
ば得られるものである。例えば、水冷銅容器に試料を入
れ、アークあるいは電子ビームを用いて溶解すると、共
晶体が短時間で得られる。しかしながら、この方法で
は、溶解が均一に行われないため、共晶組織が不均一
で、多くのポアも含まれ、ひび割れも多く発生するとい
う問題があった。そのために、大きな成形体を製造する
こともまた困難であった。一方、大きい炉に、共晶組成
の原料を入れ、アークを用いて中心部分のみを溶解する
と、比較的均一な組織の共晶体を得ることができるが、
この場合でも、ひび割れが発生しやすく、大きい塊を得
ることは困難であった。
【0005】また、これらの方法の適用によって得られ
た共晶体を粉砕すれば、共晶体の粉体を得ることができ
る。この粉体を結晶成長あるいは焼結すれば、任意の形
状の共晶体を得ることは可能である。しかしながら、従
来の焼結技術では、共晶体粉を結晶成長させて大きい形
状の共晶体とすることはできなかった。なお、ここでい
う従来の焼結技術とは、無加圧焼結法、ホットプレス
法、熱間静水圧プレス (HIP)法の3種類を意味して
いる。このうち、無加圧焼結法とは単に加熱して焼結す
る方法であり、ホットプレス法とHIP法は、焼結を促
進するために加熱しながら圧力を加える方法であり、無
加圧焼結法に比べるとより低温で焼結することができる
利点がある。ここで、ホットプレス法とHIP法との違
いは、加圧力を高くすることができるか否かにある。
【0006】以上に述べた3つの方法は、物質の拡散を
熱あるいは熱と圧力によって促進し焼結を行う技術であ
る。しかしながら、共晶体は構成する2つの単結晶が絡
み合った構造をしており、共晶粉を原料にして大きい共
晶体の塊を得るためには、2つの単結晶を別々に成長さ
せる必要があった。これは、通常の多結晶体の焼結とは
異なる現象である。従って、従来の焼結方法によって
は、共晶体粉の各結晶を区別して結合するようなことが
できず、それ故に、偶然に同じ結晶が隣り合わせた部分
だけ結合するために、結果的に多くのポアが残り、ひい
ては焼結体の緻密化を阻害するという致命的な欠点があ
った。
【0007】本発明の目的は、組織が均一で緻密なセラ
ミックス共晶体、とくに希土類アルミネート系化合物含
有共晶体の有利な製造方法を提案することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を実現する方法
として、本発明は基本的に、下記の要旨構成に係る製造
方法を提案する。即ち、本発明は、セラミックス共晶粉
を、放電プラズマ装置を用いて、真空中あるいは非酸化
性雰囲気中において、5〜100MPaの加圧下で、500 〜20
00℃の温度に1〜120 分間保持して結晶成長させること
を特徴とするセラミックス共晶体の製造方法を提案す
る。
【0009】とくに、本発明では、アルミナと希土類ア
ルミネート系化合物とからなる共晶粉を、放電プラズマ
装置を用いて、真空中あるいは非酸化性雰囲気中におい
て、5〜100MPaの加圧下で、1300〜1700℃の温度に1〜
120 分間保持して結晶成長させることにより、希土類ア
ルミネート系共晶組織焼結体を得ることを特徴とする希
土類アルミネート系化合物含有共晶体の製造方法であ
る。
【0010】なお、本発明は、出発材料である上記共晶
粉が、Al2O3 とLn3Al5O12 、Al2O3とLnAlO3、Ln2O3 とL
n3Al5O12 、Ln2O3 とLnAlO3、Ln2O3 とLn4Al2O9のうち
から選ばれるいずれか1種のアルミナ−希土類アルミネ
ート系化合物とからなる共晶粉、またはMgAl2O4-LnAl
O3、MgO-Al2O3 、MgO-CaO 、Al2O3-Nb2O5 、CaO-Al
2O3、Al2O3-ZrO2、B4C-SiC 、B4C-TiB2、B4C-YB6 、PbO
-Fe2O3 、PbO-Nb2O5 、PbO-V2O5、PbO-GeO2、BaO-W
O3 、V2O5-BaO、Bi2O3-GeO2、V2O5-ZnO、PbO-WO3 、PbO
-ZnO 、Bi2O3-Fe2O3 、V2O5-Cr2O3、Li2WO4-WO3、V2O5-
MnO、V2O5-NiO、V2O5-CuO、Bi2O3-Al2O3 、V2O5-CaO、B
i2O3-Mn2O3 、Bi2O3-TiO2、CaO-WO3 、SrO-WO3 、MgO-W
O3 、Fe2O3-Ln2O3 およびNb2O3-Bi2O3 のうちから選ば
れるいずれか1種の共晶粉であることが好ましい。
【0011】また、本発明において得られるセラミック
ス共晶体のうち、とくに希土類アルミネート系共晶体
は、Al2O3 とLn3Al5O12 系共晶体、Al2O3 −LnAlO3系共
晶体、Ln2O3 −Ln3Al5O12 系共晶体、Ln2O3 −LnAlO3
共晶体、Ln2O3 −Ln4Al2O9系共晶体、MgAl2O4 −LnAlO3
共晶体、MgO −Al2O3 共晶体、MgO −CaO 共晶体、Al2O
3 −Nb2O5 共晶体、CaO −Al2O3 共晶体、およびAl2O3
−ZrO2共晶体などが該当する。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明の特徴の1つは、原料の焼
結方法にある。本発明者らが着目した焼結方法として、
放電プラズマシステム (以下、このシステムを単に「S
PS」と略記する) 法がある。このSPS法で使われる
装置, 即ち放電プラズマ装置は、基本的にホットプレス
装置に類似するが、その違いは電源と加熱方法にある。
ホットプレス法は、真空容器内に組み込まれた黒鉛ヒー
ターに交流を流して試料の加熱を行う方法である。これ
に対し、SPS法では、上記ヒーターはなく、試料を詰
めた黒鉛型をホットプレスと同じ真空容器中に設置し、
上下からラムにより加圧すると同時に、この上・下ラム
を通じて黒鉛型にミリ秒以下の間隔でパルス直流を流
し、その黒鉛型を抵抗体として温度を上げるか、焼結の
初期に直流パルス電流を流し、その後の大部分は矩形波
を乗せた連続直流を流すか、あるいは初めから矩形波を
乗せた連続直流を流すことによって加熱する方法であ
る。ここで使われているパルス直流を発生する電源は、
放電加工機のそれに類似している。
【0013】すなわち、一般的な放電加工機は、電極間
の間隙に放電させたときに発生する熱プラズマを利用し
て導電体を加工する装置である。一方、SPS法という
のは、電気回路中にプラズマを発生させるための間隙は
存在しない。通電したとき、電流の大部分は試料を囲む
黒鉛型を流れるが、このとき黒鉛型の中に充填された粉
体 (たとえそれが絶縁体でも) の表面に漏れ電流が流れ
る。そして、この電流がパルス直流であるとき、あるい
は矩形波を乗せた直流であれば、前記粉体間にはエネル
ギーの小さい放電プラズマが発生する。本発明では、ま
ず、この放電プラズマにより、粉体の昇温とこの粉体に
吸着しているガスが除去され、該粉体 (金属あるいは非
酸化物セラミックス) の酸化物皮膜の一部が破壊されて
焼結される。従って、本発明法では、従来法では焼結で
きなかった試料でも緻密に焼結できるようになるのであ
る。
【0014】さらにSPS法では、直流が黒鉛に直流が
流れているため、粉体は方向の一定した電場の中に存在
し、イオンの拡散は電場によって加速される。従って、
粉体試料が部分的に正負に電荷分離しているときには、
正と負の結合により配向性を示すようになる。
【0015】そこで、共晶体の粉体を黒鉛型に入れ、S
PS装置に設置して加圧しながらパルス直流あるいは矩
形波を加えた連続直流を流すと、共晶体の粉体は実に緻
密に結晶成長していくことがわかった。すなわち、本発
明の如き処理によって得られた共晶体の結晶成長が促進
され緻密化する理由は、2つの結晶のうちのどちらかが
正と負に電荷が分離していれば、電場中でそれが配向
し、正と負との結合が起こることで同じ結晶同士が結合
し、結晶成長して共晶体として大きくなるためと推定さ
れる。なお、正と負として電荷分離を起こしやすいの
は、酸素欠陥が生成しやすい化合物であり、Al2O3 と希
土類アルミネートの例では希土類アルミネート系化合物
の方であると考えられる。
【0016】本発明において、出発原料として用いるセ
ラミック共晶粉としては、MgAl2O4-LnAlO3、MgO-Al
2O3 、MgO-CaO 、Al2O3-Nb2O5 、CaO-Al2O3 、Al2O3-Zr
O2、 B4C-SiC 、B4C-TiB2、B4C-YB6 、PbO-Fe2O3 、PbO-
Nb2O5 、PbO-V2O5、PbO-GeO2、BaO-WO3 、V2O5-BaO、Bi
2O3-GeO2、V2O5-ZnO、PbO-WO3 、PbO-ZnO 、Bi2O3-Fe2O
3、V2O5-Cr2O3、Li2WO4-WO3、V2O5-MnO、V2O5-NiO、V2O
5-CuO、Bi2O3-Al2O3 、V2O5-CaO、Bi2O3-Mn2O3 、Bi2O3
-TiO2、CaO-WO3 、SrO-WO3 、MgO-WO3 、Fe2O3-Ln 2O3
およびNb2O3-Bi2O3 のうちから選ばれる1種の共晶粉が
用いられる。また、その他には、希土類アルミネート系
化合物、即ち、Ln3Al5O12 , LnAlO3, Ln4Al2O9 (Lnは希
土類元素Sc, Y , La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, D
y, Ho, Er, Tm, Yb, Lu) の3種類の化合物が例示され
る。 Ln3Al5O12 化合物を作る元素は、Ln=Sc, Y ,Dy,
Ho, Er, Tm, Yb, Luである。 LnAlO3化合物を作る元素は、Ln=La, Pr, Nd, Sm,
Eu, Gd, Dy, Ho, Erである。 Ln4Al2O9化合物を作る元素は、Ln=Y ,Gd, Dy, H
o, Er, Tm, Ybである。
【0017】例えば、希土類アルミネート系化合物を含
む共晶粉の例としては、Al2O3 −Ln3Al5O12 共晶粉、
ただし、LnはSc, Y ,Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu、Al2O
3 −LnAlO3共晶粉、ただし、LnはLa, Pr, Nd, Sm, Eu,
Gd、Al2O3 −Ln3Al5O12 共晶粉、ただし、LnはSc, Y
,Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu、Ln2O3 −Ln3Al5O12
晶粉、ただし、LnはLu、Ln2O3 −LnAlO3粉、ただし、
LnはLa, Pr, Nd, Sm, Eu、Ln2O3 −Ln4Al2O9共晶粉、
ただし、LnはY,Gd, Dy, Ho, Er, Tm, Yb、で知られて
いる。
【0018】本発明において、原料に用いる代表的な配
合は、アルミナ (Al2O3 ) 粉と上記希土類酸化物粉であ
る。この両者を混合して混合粉体を作る。この混合粉体
をSPSのるつぼ内に詰め、通電してそのまま溶融す
る。次いで、この混合粉体を成型し、1000〜1500℃の温
度で仮焼して焼結体とし、るつぼに入れて溶融するか、
アーク溶解炉で溶融するか、電子ビームを用いて溶融す
るか、マイクロウェーブを用いて溶融して共晶体の塊を
得る。次に、こうして得られたこの共晶体塊を粉砕して
原料となる共晶体粉を調整する。次に、その共晶体粉を
黒鉛るつぼに詰め、放電プラズマ装置を適用して、真空
中あるいは非酸化性雰囲気中で、5〜100 MPa の圧力を
加えながら、1300〜1700℃の温度に1〜120 分間保持し
て、結晶成長させて緻密な共晶体を製造する。
【0019】上記の処理条件において、加圧力を5〜10
0 MPa とする理由は、5 MPa では黒鉛型の密着性が悪く
て電気が流れず、100 MPa 以上では黒鉛型が破壊してし
まうためである。また、結晶成長させる温度は、1300℃
以下では成長速度が遅くて緻密な共晶体を製造すること
ができず、1700℃ではすでに緻密な共晶体が生成してい
るため、あるいは溶融してしまうため、それ以上に温度
を上げる必要はない。そして、最高温度に保持する時間
が1分以下では十分に結晶成長して緻密な共晶体となる
には短く、120 分以上保持しても結晶成長が終了し、緻
密化に対する効果はなくなるため、1〜120 分間が適当
である。
【0020】上述したように、出発原料として用いる共
晶粉にはいろいろの種類があり、その融点にも大きな幅
がある。例えば、V2O5−CuO 共晶体の融点は620 ℃であ
り、W2B5−B4C 共晶体の融点は2200℃である。これらの
共晶体粉を黒鉛るつぼに詰め、放電プラズマ装置を適用
して、真空中あるいは非酸化性雰囲気中で、5〜100MPa
の圧を加えながら、500 〜2000℃の温度に1〜120 分
間保持して、結晶成長させて緻密なそれぞれの共晶体を
製造する。この方法において、温度が 500℃以下では結
晶の結合が十分ではなく緻密な共晶体が得られず、2000
℃以上ではこれ以上に温度をかけても結晶の結合が進行
しないか、試料が溶融してしまうため、500 〜2000℃の
温度に加熱することが適当である。
【0021】
【実施例】実施例1 Al2O3 −Y3Al5O12共晶系について、Al2O3:82 mol%とY2
O3:18 mol%とを、アルコールを用いた湿式ボールミル
方で20時間混合し、乾燥し、成形した後、空気中で1300
℃で2時間仮焼して成形体を作製した。この成形体をア
ーク溶解炉で溶融し、共晶塊を合成した。この共晶塊を
超硬合金製の容器に入れ、遊星ボールミルで2時間かけ
て粉砕し、これをHNO3−H3PO4 の混酸でWCを除去して共
晶粉を得た。この共晶粉を、直径50mmの黒鉛型中に詰
め、放電プラズマ装置にセットし、真空にしてから30MP
a で加圧しながら、始めに2000Aの電流を流し、10分間
かけて3800Aまで増大し、試料が収縮しない温度の1640
℃に10分間保持して共晶体を得た。このようにして製造
した共晶体の写真を図1に示す。写真に明らかなよう
に、一方向凝固で得られるものとは異なる共晶織で、Al
2O3 −Y3Al5O12複合材料の組織とは全く異なっている。
この共晶体の密度は 4.31 g/cm2 であり、曲げ強度は45
0 MPa で、一方向凝固で得られたものと同じである。
【0022】
【表1】
【0023】実施例2 Al2O3 とPrAlO3とについて、Al2O3 −PrAlO3共晶と Pr2
O3−PrAlO3共晶とについて、表1に示すAl2O3 粉と Pr2
O3粉とを、アルコールを使った湿式ボールミル法で24時
間混合し、その後に乾燥して混合粉体を得た。この混合
粉体を成形し、空気中で1400℃で仮焼した後、アーク溶
解炉を用いて溶融して共晶組織の溶融体を得たのち、こ
の溶融体を冷却し粉砕した。このようにして得られた原
料共晶粉を、50mm直径の黒鉛型に詰め、放電プラズマ装
置に設置し、真空にしてからN2 ガス置換し、1気圧の
2 ガス雰囲気中で15分間で表1に示される温度まで上
げ、その温度に5分間保持して緻密な Al2O3−PrAlO3
よび Pr2O3−PrAlO3共晶体を得た。Al2O3 −PrAlO3のか
さ密度は 5.0g/cm3 であり、曲げ強度は600 MPa であ
った。Pr2O3 −PrAlO3共晶体のかさ密度は6.75g/cm3
であり、曲げ強度は550 MPa であった。
【0024】実施例3 Al2O3 −GdAlO3共晶体を合成するために、77 mol%のAl
2O3 と23 mol%のGd2O 3 粉とをアルコールを用いた湿式
ボールミル法で24時間混合し、乾燥した後成型し、空気
中で1300℃で2時間仮焼した。この仮焼体をアーク溶解
炉で溶解し共晶組織の塊を得て、これを粉砕して原料共
晶粉とした。この共晶粉を50mm直径の黒鉛型に詰め、放
電プラズマ装置に設置し、真空にしてから電流を流し、
室温から徐々に温度を上げ、試料の収縮が停止した1620
℃まで20分で昇温し、この温度に10分間保持してAl2O3
−GdAlO3共晶体を得た。この共晶体の走査型電子顕微鏡
によって得られた写真を図2に示す。この共晶体のかさ
密度は5.64g/cm3 であり、ほぼ一方向凝固法で得られ
たものに一致している。室温の曲げ強度は550 MPa で、
これもほぼ一方向凝固法で作られたものに一致してい
る。
【0025】実施例4 Nd2O3 とAl2O3 とから Nd2O3−NdAlO3共晶体と、Al2O3
−NdAlO3共晶体とを合成するために、下記の表2に示す
割合でAl2O3 粉と Nd2O3粉とを、エタノールを用いた湿
式ボールミル混合法で12時間混合した。これを乾燥して
成型した後、1200℃で2時間焼成して成形体とした。こ
の成形体をアーク溶解炉を用いて溶融して溶融体を得た
のち冷却凝固させ、次いで炭化タングステン製のボール
ミルで粉砕し、アルカリ溶液で洗浄して共晶粉を得た。
この共晶粉を50mm直径の黒鉛型につめ、放電プラズマ装
置に設置して真空にしてから、表2に示す温度に30分で
昇温し、その温度に30分間保持してAl2O3 −NdAlO3共晶
体と Nd2O3−NdAlO3共晶体とを得た。Al2O3 −NdAlO3
晶体のかさ密度は5.10g/cm3 であり、曲げ強度は600
MPaであった。Nd2O3 −NdAlO3共晶体のかさ密度は6.70
g/cm3 で、曲げ強度は450MPa であった。
【0026】
【表2】
【0027】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、緻
密質希土類アルミネート系化合物を含むセラミックス共
晶体を有利にかつ確実に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、Al2O3 −Y3Al5O12共晶体の走査型電子
顕微鏡写真である。
【図2】図2は、Al2O3 −GdAlO3共晶体の走査型電子顕
微鏡写真である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平井 敏雄 宮城県仙台市泉区高森3−4−91 (72)発明者 鴇田 正雄 東京都港区西新橋三丁目20番4号 住友石 炭鉱業株式会社内 Fターム(参考) 4G031 AA03 AA04 AA05 AA06 AA07 AA09 AA12 AA13 AA14 AA16 AA18 AA19 AA21 AA23 AA25 AA27 AA29 AA32 AA35 AA36 AA37 AA38 BA18 BA19 BA20 CA01 GA08 GA11 GA12

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 セラミックス共晶粉を、放電プラズマ装
    置を用いて、真空中あるいは非酸化性雰囲気中におい
    て、5〜100MPaの加圧下で、500 〜2000℃の温度に1〜
    120 分間保持して結晶成長させることを特徴とするセラ
    ミックス共晶体の製造方法。
  2. 【請求項2】 アルミナと希土類アルミネート系化合物
    とからなる共晶粉を、放電プラズマ装置を用いて、真空
    中あるいは非酸化性雰囲気中において5〜100MPaの圧力
    と、1300〜1700℃の温度条件に1〜120 分間保持して結
    晶成長させることにより、希土類アルミネート系共晶組
    織焼結体を得ることを特徴とする希土類アルミネート系
    化合物含有共晶体の製造方法。
  3. 【請求項3】 出発材料である上記共晶粉が、Al2O3
    Ln3Al5O12 、Al2O3とLnAlO3、Ln2O3 とLn3Al5O12 、Ln2
    O3 とLnAlO3、Ln2O3 とLn4Al2O9のうちから選ばれるい
    ずれか1種のアルミナ−希土類アルミネート系化合物と
    からなる共晶粉、または、MgAl2O4-LnAlO3、MgO-Al
    2O3 、MgO-CaO 、Al2O3-Nb2O5 、CaO-Al2O 3 、Al2O3-Zr
    O2、 B4C-SiC 、B4C-TiB2、B4C-YB6 、PbO-Fe2O3 、PbO-
    Nb2O5 、PbO-V2O5、PbO-GeO2、BaO-WO3 、V2O5-BaO、Bi
    2O3-GeO2、V2O5-ZnO、PbO-WO3 、PbO-ZnO 、Bi2O3-Fe2O
    3 、V2O5-Cr2O3、Li2WO4-WO3、V2O5-MnO、V2O5-NiO、V2
    O5-CuO、Bi2O3-Al2O3 、V2O5-CaO、Bi2O3-Mn2O3 、Bi2O
    3-TiO2、CaO-WO3 、SrO-WO3、MgO-WO3 、Fe2O3-Ln2O3
    およびNb2O3-Bi2O3 のうちから選ばれる1種のセラミッ
    ク共晶粉であることを特徴とする請求項1または2に記
    載の製造方法。
  4. 【請求項4】 希土類アルミネート系共晶体が、Al2O3
    −Ln3Al5O12 共晶体、Al2O3 −LnAlO3共晶体、Ln2O3
    Ln3Al5O12 共晶体、Ln2O3 −LnAlO3共晶体、Ln2O3 −Ln
    4Al2O9共晶体、MgAl2O4 −LnAlO3共晶体、MgO −Al2O3
    共晶体、MgO−CaO 共晶体、Al2O3 −Nb2O5 共晶体、CaO
    −Al2O3 共晶体、およびAl2O3 −ZrO2共晶体のうちか
    ら選ばれるいずれか1種であることを特徴とする請求項
    2に記載の製造方法。
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