JP2000278934A - 電力変換器の主回路構造 - Google Patents

電力変換器の主回路構造

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将一 久田
Satoru Ito
知 伊東
Kiyoshi Nakada
仲田  清
Eiichi Toyoda
豊田  瑛一
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Abstract

(57)【要約】 【課題】電力変換器内のゲート回路の温度上昇を防ぎ、
その誤動作や寿命が短くなるなどの問題を解決すること
にある。 【解決手段】少なくとも2個の半導体素子1,2と、そ
の一方の半導体素子1のコレクタ端子と直流電源の正極
を接続する正側導体3と、その他方の半導体素子2のエ
ミッタ端子と直流電源の負極を接続する負側導体5と、
その一方の半導体素子1のエミッタ端子およびその他方
の半導体素子2のコレクタ端子を交流側に接続する交流
側導体4と、前記導体を固定する固定具と、フィルタコ
ンデンサと、フィルタコンデンサと正側導体を接続する
正側フィルタコンデンサ接続導体14と、フィルタコン
デンサと負側導体を接続する負側フィルタコンデンサ接
続導体15と、半導体素子を駆動するゲート回路からな
る電力変換器において、前記ゲート回路を電力変換器下
部に配置する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、鉄道車両用の電力
変換器など電力変換器一般の実装構造、特に電力変換器
の主回路構造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、電力変換器内の機器の配置は、特
別な配慮なしに決定されることが多かった。このため、
ある部品の発熱により、別の部品の温度が過度に上昇す
ることがあった。特に、ゲート回路は、比較的小さく、
軽い部品であるため、余ったスペースに配置されがち
で、電力変換器の上部におかれることが多かった。この
ような場合、電力変換器内上部は温度上昇が大きいた
め、ゲート回路は、温度上昇のために誤動作を起こした
り、寿命が短くなるなどの問題があった。
【0003】特開平9−233847 号公報記載のように、回
路素子にヒートパイプを取り付けることで、このような
問題を解決することができるが、ヒートパイプが新たに
必要になるために、部品数が増え、コストが上昇する
上、実装上の制約にもなる。
【0004】また、別の問題として、ゲート回路は余っ
たスペースに配置されがちで手が届きにくいため、保守
の面で問題となることが多かった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、簡単
な構成で電力変換器内の部品相互間の温度上昇の影響を
低減すること、特にゲート回路の温度上昇を防ぎ、パワ
ーユニットの誤動作や寿命が短くなるなどの問題を解決
すること、また、ゲート回路に手が届くように配置する
ことで保守を容易にすることにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題は、半導体素子
を冷却するヒートブロック、その手前に少なくとも2個
の半導体素子、その手前に平行平板の導体、その手前に
フィルタコンデンサを配置し、ゲート回路を電力変換器
内下部に配置することにより解決される。
【0007】上記手段を用いることにより、特別な部品
を追加することなく電力変換器内の部品相互間の温度上
昇の影響を低減し、特にゲート回路の温度上昇を防ぎ、
ゲート回路の誤動作,寿命が短くなるなどの問題を解決
することができる。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を用
いて説明する。
【0009】図1は、本発明の実施形態を側面から見た
図を示す。
【0010】1はIGBT素子(正側)、2はIGBT
素子(負側)、3は正側導体(以下、導体Pと称す
る)、4は交流側導体(以下、導体Uと称する)、5は
負側導体(以下、導体Nと称する)、6〜12,6a,
6b,6c,7a,7b,7c,8a,8b,8c,9
a,9b,9c,10a,10b,10c,11a,11
bはボルト、13はフィルタコンデンサ(以下FCと称
する)、14はFCと正側導体をつなぐ正側コンデンサ
接続導体(以下導体CPと称する)、15はFCと負側
導体をつなぐ負側コンデンサ接続導体(以下導体CNと
称する)、16はIGBT素子駆動用のゲート回路、1
7はヒートブロック、18〜20は絶縁板である。IG
BT素子1のコレクタ端子をPC,エミッタ端子をPE
と称する。同様に、IGBT素子2のコレクタ端子,エ
ミッタ端子をそれぞれNC,NEと称する。
【0011】図1において、IGBT1,2とフィルタ
コンデンサ10は正側導体3,交流側導体4,負側導体
5,正側コンデンサ接続導体11,負側コンデンサ接続
導体12によって接続されており、ゲート回路13はフ
ィルタコンデンサ10の下部に配置され、フィルタコン
デンサの下に台21が配置される。
【0012】電力変換器は、一般に図示しない箱に収め
れており、半導体素子などの発熱により箱内の空気があ
たためられ、箱内温度が上昇する。あたためられた空気
は、箱の上の方に移動するため、上部の方ほど温度上昇
が大きい。したがって、温度上昇の小さい電力変換器内
下部にゲート回路を配置することにより、ゲート回路の
温度上昇を防ぐことができる。
【0013】本図で、IGBT1,2,導体3〜5は、
いずれも上下方向に並んでおり、1つの部品の熱が他の
部品に影響することはほとんどない。また、上部には導
体14,15などが配置されているが、これらは、温度
が多少上昇しても、動作にはほとんど支障しない。
【0014】図2は、図1でヒートブロック14が上部
に配置され、フィルタコンデンサに足22を付加したと
きの実施例である。導体5の上に4,4の上に3,3の
上にIGBT1,2が配されており、下の部品の熱がそ
れよりも上の部品に影響しやすいという欠点のある構成
だが、実装の都合上、ヒートブロックを上に配する必要
がある場合など、このような構成をとることがある。こ
の場合も、ゲート回路13をフィルタコンデンサ10の
下部に配置することにより、同様な効果が得られる。
【0015】なお、この例ではフィルタコンデンサ本体
に足を取り付けているが、図1のような台を使用しても
もちろん同様な効果が得られる。
【0016】ここでは一例として、3端子のIGBTを
示したが、2端子のIGBT、またはIGBTを2並
列,3並列にして用いても本発明の効果は変わらない。
【0017】
【発明の効果】以上、本発明によれば、ゲート回路を電
力変換器内下部に配置することにより、特別な部品追加
なく、部品相互間の温度上昇の影響を防止でき、特に従
来のものよりもゲート回路の温度上昇を防ぐことがで
き、ゲート回路の誤動作や寿命が短くなるなどの問題を
解決することができる。これにより、ゲート回路単体だ
けでなく電力変換器全体としての信頼性も向上すること
ができる上、コスト低減が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の第一の実施形態を示す正面
図、(b)は(a)の側面図である。
【図2】本発明の第二の実施形態を示す側面図である。
【符号の説明】
1,2…IGBT素子、3…導体P、4…導体U、5…
導体N、6〜12,6a,6b,6c,7a,7b,7
c,8a,8b,8c,9a,9b,9c,10a,1
0b,10c,11a,11b…ボルト、13…フィル
タコンデンサ、14…導体CP、15…導体CN、16
…ゲート回路、17…ヒートブロック、18〜20…絶
縁板、21…台、22…フィルタコンデンサの足。
フロントページの続き (72)発明者 仲田 清 茨城県ひたちなか市市毛1070番地 株式会 社日立製作所水戸工場内 (72)発明者 豊田 瑛一 茨城県ひたちなか市市毛1070番地 株式会 社日立製作所水戸工場内 Fターム(参考) 5H006 AA05 CA01 HA01 HA08 5H007 AA06 CA01 HA03 HA05 5H740 BA11 BB06 PP02 PP05

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】少なくとも2個の半導体素子と、その一方
    の半導体素子のコレクタ端子と直流電源の正極を接続す
    る正側導体と、その他方の半導体素子のエミッタ端子と
    直流電源の負極を接続する負側導体と、その一方の半導
    体素子のエミッタ端子およびその他方の半導体素子のコ
    レクタ端子を交流側に接続する交流側導体と、前記導体
    を固定する固定具と、フィルタコンデンサと、フィルタ
    コンデンサと正側導体を接続する正側フィルタコンデン
    サ接続導体と、フィルタコンデンサと負側導体を接続す
    る負側フィルタコンデンサ接続導体と、半導体素子を駆
    動するゲート回路と、半導体素子を冷却するヒートブロ
    ックからなる電力変換器において、前記ゲート回路を前
    記電力変換器の下側の半導体素子の上面より下に配置す
    ることを特徴とする電力変換器の主回路構造。
  2. 【請求項2】半導体素子を冷却するヒートブロックと、
    その手前に少なくとも2個の半導体素子を縦置きに配置
    し、その手前に平行平板の導体を縦置きに配置し、その
    手前にフィルタコンデンサを配置する電力変換器の主回
    路構造において、ゲート回路を電力変換器の下側の半導
    体素子の上面より下で、かつ、フィルタコンデンサの下
    部に配置することを特徴とする電力変換器の主回路構
    造。
  3. 【請求項3】請求項1または2において、フィルタコン
    デンサを台の上に置き、その下にゲート回路を配置する
    ことを特徴とする電力変換器の主回路構造。
  4. 【請求項4】請求項1または2において、フィルタコン
    デンサに足をつけて、その下にゲート回路を配置するこ
    とを特徴とする電力変換器の主回路構造。
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