JP2000278082A - 弾性表面波デバイスとその製造方法 - Google Patents
弾性表面波デバイスとその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 接続電極と外部引出端子との電気的接続を確
実に得ることのできる弾性表面波デバイスとその製造方
法を提供することを目的とする。 【解決手段】 表面にアルミニウム膜を形成した水晶あ
るいはＬｉＮｂＯ3を用いて形成した圧電基板１のアル
ミニウム膜の表面を陽極酸化により酸化させて１０〜３
７ｎｍの厚みの酸化アルミニウム膜４を形成し、この上
に所望の形状のＩＤＴ電極２及びこのＩＤＴ電極２に電
気的に接続される接続電極３のレジストパターンを形成
し、フォトリソ法によりＩＤＴ電極２及び接続電極３を
形成して弾性表面波素子を得、外部引出端子６を有する
パッケージ５内に接着剤９を用いて弾性表面波素子を固
定し、接続電極３と外部引出端子６とをワイヤ７を超音
波接合することにより、電気的に接続し、パッケージ５
の開口部をリッド８で半田などの封止剤１０を用いて封
止した。
実に得ることのできる弾性表面波デバイスとその製造方
法を提供することを目的とする。 【解決手段】 表面にアルミニウム膜を形成した水晶あ
るいはＬｉＮｂＯ3を用いて形成した圧電基板１のアル
ミニウム膜の表面を陽極酸化により酸化させて１０〜３
７ｎｍの厚みの酸化アルミニウム膜４を形成し、この上
に所望の形状のＩＤＴ電極２及びこのＩＤＴ電極２に電
気的に接続される接続電極３のレジストパターンを形成
し、フォトリソ法によりＩＤＴ電極２及び接続電極３を
形成して弾性表面波素子を得、外部引出端子６を有する
パッケージ５内に接着剤９を用いて弾性表面波素子を固
定し、接続電極３と外部引出端子６とをワイヤ７を超音
波接合することにより、電気的に接続し、パッケージ５
の開口部をリッド８で半田などの封止剤１０を用いて封
止した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は例えば通信機器など
に用いる弾性表面波デバイスとその製造方法に関するも
のである。
に用いる弾性表面波デバイスとその製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ショート不良を防止するためにＩ
ＤＴ電極の表面を酸化させて金属酸化膜を形成した弾性
表面波デバイスが製造されている。
ＤＴ電極の表面を酸化させて金属酸化膜を形成した弾性
表面波デバイスが製造されている。
【０００３】従来の弾性表面波デバイスの製造方法につ
いて以下に説明する。
いて以下に説明する。
【０００４】まず、圧電基板の上面にアルミニウムを主
成分とするＩＤＴ電極とこのＩＤＴ電極に電気的に接続
した接続電極とを形成して弾性表面波素子を形成する。
次に、陽極酸化によりＩＤＴ電極の表面を酸化させて金
属酸化膜を形成する。次いで、外部引出端子を有するパ
ッケージ内に弾性表面波素子を収納し、接続電極と外部
引出端子とをワイヤにより電気的に接続する。次いでパ
ッケージの開口部をリッドで封止して弾性表面波デバイ
スを得る。
成分とするＩＤＴ電極とこのＩＤＴ電極に電気的に接続
した接続電極とを形成して弾性表面波素子を形成する。
次に、陽極酸化によりＩＤＴ電極の表面を酸化させて金
属酸化膜を形成する。次いで、外部引出端子を有するパ
ッケージ内に弾性表面波素子を収納し、接続電極と外部
引出端子とをワイヤにより電気的に接続する。次いでパ
ッケージの開口部をリッドで封止して弾性表面波デバイ
スを得る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この方法によるとＩＤ
Ｔ電極だけでなく接続電極の表面も同様に酸化されて金
属酸化膜で覆われることとなる。また、一般的にショー
ト不良防止するためにＩＤＴ電極の表面の金属酸化膜の
厚みはかなり厚くなる。従って接続電極と外部引出端子
とをワイヤで接続する際、接続電極とワイヤとの電気的
及び機械的な接続強度が十分に得られないという問題点
を有していた。
Ｔ電極だけでなく接続電極の表面も同様に酸化されて金
属酸化膜で覆われることとなる。また、一般的にショー
ト不良防止するためにＩＤＴ電極の表面の金属酸化膜の
厚みはかなり厚くなる。従って接続電極と外部引出端子
とをワイヤで接続する際、接続電極とワイヤとの電気的
及び機械的な接続強度が十分に得られないという問題点
を有していた。
【０００６】そこで本発明は、接続電極とワイヤとが電
気的及び機械的に確実に接続された弾性表面波デバイス
とその製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
気的及び機械的に確実に接続された弾性表面波デバイス
とその製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の弾性表面波デバイスは、外部引出端子を有す
るパッケージと、このパッケージ内に収納された圧電基
板上に少なくともＩＤＴ電極及びこのＩＤＴ電極に電気
的に接続された接続電極を形成した弾性表面波素子と、
前記外部引出端子と前記接続電極とを電気的に接続する
ワイヤとを備え、前記圧電基板は水晶あるいはＬｉＮｂ
Ｏ3を用いて形成し、前記ＩＤＴ電極及び前記接続電極
の表面を１０〜３７ｎｍの金属酸化膜で覆った構成とし
たものであり、この金属酸化膜はＩＤＴ電極のショート
不良防止できる厚みであると共に、接続電極とワイヤと
の電気的及び機械的な接続強度が十分に得られる厚みで
あるので上記目的を達成することができる。
に本発明の弾性表面波デバイスは、外部引出端子を有す
るパッケージと、このパッケージ内に収納された圧電基
板上に少なくともＩＤＴ電極及びこのＩＤＴ電極に電気
的に接続された接続電極を形成した弾性表面波素子と、
前記外部引出端子と前記接続電極とを電気的に接続する
ワイヤとを備え、前記圧電基板は水晶あるいはＬｉＮｂ
Ｏ3を用いて形成し、前記ＩＤＴ電極及び前記接続電極
の表面を１０〜３７ｎｍの金属酸化膜で覆った構成とし
たものであり、この金属酸化膜はＩＤＴ電極のショート
不良防止できる厚みであると共に、接続電極とワイヤと
の電気的及び機械的な接続強度が十分に得られる厚みで
あるので上記目的を達成することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、外部引出端子を有するパッケージと、このパッケー
ジ内に収納された圧電基板上に少なくともＩＤＴ電極及
びこのＩＤＴ電極に電気的に接続された接続電極を形成
した弾性表面波素子と、前記外部引出端子と前記接続電
極とを電気的に接続するワイヤとを備え、前記圧電基板
は水晶あるいはＬｉＮｂＯ3を用いて形成し、前記ＩＤ
Ｔ電極及び前記接続電極の表面を１０〜３７ｎｍの金属
酸化膜で覆って構成した弾性表面波デバイスであり、Ｉ
ＤＴ電極のショート不良防止ができると共に、接続電極
とワイヤとの電気的及び機械的な接続強度が十分に得ら
れるものである。
は、外部引出端子を有するパッケージと、このパッケー
ジ内に収納された圧電基板上に少なくともＩＤＴ電極及
びこのＩＤＴ電極に電気的に接続された接続電極を形成
した弾性表面波素子と、前記外部引出端子と前記接続電
極とを電気的に接続するワイヤとを備え、前記圧電基板
は水晶あるいはＬｉＮｂＯ3を用いて形成し、前記ＩＤ
Ｔ電極及び前記接続電極の表面を１０〜３７ｎｍの金属
酸化膜で覆って構成した弾性表面波デバイスであり、Ｉ
ＤＴ電極のショート不良防止ができると共に、接続電極
とワイヤとの電気的及び機械的な接続強度が十分に得ら
れるものである。
【０００９】請求項２に記載の発明は、外部引出端子を
有するパッケージと、このパッケージ内に収納された圧
電基板上に少なくともＩＤＴ電極及びこのＩＤＴ電極に
電気的に接続された接続電極を形成した弾性表面波素子
と、前記外部引出端子と前記接続電極とを電気的に接続
するワイヤとを備え、前記圧電基板はＬｉＴａＯ3を用
いて形成し、前記ＩＤＴ電極及び前記接続電極の表面は
３０〜９０ｎｍの金属酸化膜で覆って構成した弾性表面
波デバイスであり、ＩＤＴ電極のショート不良防止がで
きると共に、接続電極とワイヤとの電気的及び機械的な
接続強度が十分に得られるものである。
有するパッケージと、このパッケージ内に収納された圧
電基板上に少なくともＩＤＴ電極及びこのＩＤＴ電極に
電気的に接続された接続電極を形成した弾性表面波素子
と、前記外部引出端子と前記接続電極とを電気的に接続
するワイヤとを備え、前記圧電基板はＬｉＴａＯ3を用
いて形成し、前記ＩＤＴ電極及び前記接続電極の表面は
３０〜９０ｎｍの金属酸化膜で覆って構成した弾性表面
波デバイスであり、ＩＤＴ電極のショート不良防止がで
きると共に、接続電極とワイヤとの電気的及び機械的な
接続強度が十分に得られるものである。
【００１０】請求項３に記載の発明は、水晶あるいはＬ
ｉＮｂＯ3を用いて形成した圧電基板の表面にアルミニ
ウムを主成分とする金属膜を形成する第１の工程と、次
に前記金属膜の表面を酸化して酸化膜を形成する第２の
工程と、次いで前記金属膜及び前記酸化膜を所望の形状
にＩＤＴ電極及びこのＩＤＴ電極に接続された接続電極
に加工して弾性表面波素子を得る第３の工程と、その後
前記弾性表面波素子を外部引出端子を有するパッケージ
内に収納し前記接続電極とこの外部引出端子とをワイヤ
で接続する第４の工程とを備え、前記第２の工程におい
て形成する酸化膜の厚みを１０〜３７ｎｍとする弾性表
面波デバイスの製造方法であり、ＩＤＴ電極のショート
不良防止ができると共に、接続電極とワイヤとの電気的
及び機械的な接続強度を十分に有する弾性表面波デバイ
スを得ることができる。
ｉＮｂＯ3を用いて形成した圧電基板の表面にアルミニ
ウムを主成分とする金属膜を形成する第１の工程と、次
に前記金属膜の表面を酸化して酸化膜を形成する第２の
工程と、次いで前記金属膜及び前記酸化膜を所望の形状
にＩＤＴ電極及びこのＩＤＴ電極に接続された接続電極
に加工して弾性表面波素子を得る第３の工程と、その後
前記弾性表面波素子を外部引出端子を有するパッケージ
内に収納し前記接続電極とこの外部引出端子とをワイヤ
で接続する第４の工程とを備え、前記第２の工程におい
て形成する酸化膜の厚みを１０〜３７ｎｍとする弾性表
面波デバイスの製造方法であり、ＩＤＴ電極のショート
不良防止ができると共に、接続電極とワイヤとの電気的
及び機械的な接続強度を十分に有する弾性表面波デバイ
スを得ることができる。
【００１１】請求項４に記載の発明は、ＬｉＴａＯ3を
用いて形成した圧電基板の表面にアルミニウムを主成分
とする金属膜を形成する第１の工程と、次に前記金属膜
の表面を酸化して酸化膜を形成する第２の工程と、次い
で前記金属膜及び前記酸化膜を所望の形状にＩＤＴ電極
及びこのＩＤＴ電極に接続された接続電極に加工して弾
性表面波素子を得る第３の工程と、その後前記弾性表面
波素子を外部引出端子を有するパッケージ内に収納し前
記接続電極とこの外部引出端子とをワイヤで接続する第
４の工程とを備え、前記第２の工程において形成する酸
化膜の厚みを３０〜９０ｎｍとする弾性表面波デバイス
の製造方法であり、ＩＤＴ電極のショート不良防止がで
きると共に、接続電極とワイヤとの電気的及び機械的な
接続強度を十分に有する弾性表面波デバイスを得ること
ができる。
用いて形成した圧電基板の表面にアルミニウムを主成分
とする金属膜を形成する第１の工程と、次に前記金属膜
の表面を酸化して酸化膜を形成する第２の工程と、次い
で前記金属膜及び前記酸化膜を所望の形状にＩＤＴ電極
及びこのＩＤＴ電極に接続された接続電極に加工して弾
性表面波素子を得る第３の工程と、その後前記弾性表面
波素子を外部引出端子を有するパッケージ内に収納し前
記接続電極とこの外部引出端子とをワイヤで接続する第
４の工程とを備え、前記第２の工程において形成する酸
化膜の厚みを３０〜９０ｎｍとする弾性表面波デバイス
の製造方法であり、ＩＤＴ電極のショート不良防止がで
きると共に、接続電極とワイヤとの電気的及び機械的な
接続強度を十分に有する弾性表面波デバイスを得ること
ができる。
【００１２】請求項５に記載の発明は、水晶あるいはＬ
ｉＮｂＯ3を用いて形成した圧電基板の表面にアルミニ
ウムを主成分とするＩＤＴ電極及びこのＩＤＴ電極に接
続された接続電極を形成する第１の工程と、次に前記Ｉ
ＤＴ電極及び前記接続電極の表面を酸化させて金属酸化
膜を形成する第２の工程と、次いで前記弾性表面波素子
を外部引出端子を有するパッケージ内に収納し前記接続
電極とこの外部引出端子とをワイヤで接続する第３の工
程とを備え、前記第２の工程で形成する金属酸化膜の厚
みを１０〜３７ｎｍとする弾性表面波デバイスの製造方
法であり、ＩＤＴ電極のショート不良防止ができると共
に、接続電極とワイヤとの電気的及び機械的な接続強度
を十分に有する弾性表面波デバイスを得ることができ
る。
ｉＮｂＯ3を用いて形成した圧電基板の表面にアルミニ
ウムを主成分とするＩＤＴ電極及びこのＩＤＴ電極に接
続された接続電極を形成する第１の工程と、次に前記Ｉ
ＤＴ電極及び前記接続電極の表面を酸化させて金属酸化
膜を形成する第２の工程と、次いで前記弾性表面波素子
を外部引出端子を有するパッケージ内に収納し前記接続
電極とこの外部引出端子とをワイヤで接続する第３の工
程とを備え、前記第２の工程で形成する金属酸化膜の厚
みを１０〜３７ｎｍとする弾性表面波デバイスの製造方
法であり、ＩＤＴ電極のショート不良防止ができると共
に、接続電極とワイヤとの電気的及び機械的な接続強度
を十分に有する弾性表面波デバイスを得ることができ
る。
【００１３】請求項６に記載の発明は、ＬｉＴａＯ3を
用いた形成した圧電基板の表面にアルミニウムを主成分
とするＩＤＴ電極及びこのＩＤＴ電極に接続された接続
電極を形成する第１の工程と、次に前記ＩＤＴ電極及び
前記接続電極の表面を酸化させて金属酸化膜を形成する
第２の工程と、次いで前記弾性表面波素子を外部引出端
子を有するパッケージ内に収納し前記接続電極とこの外
部引出端子とをワイヤで接続する第３の工程とを備え、
前記第２の工程で形成する金属酸化膜の厚みを３０〜９
０ｎｍとする弾性表面波デバイスの製造方法であり、Ｉ
ＤＴ電極のショート不良防止ができると共に、接続電極
とワイヤとの電気的及び機械的な接続強度を十分に有す
る弾性表面波デバイスを得ることができる。
用いた形成した圧電基板の表面にアルミニウムを主成分
とするＩＤＴ電極及びこのＩＤＴ電極に接続された接続
電極を形成する第１の工程と、次に前記ＩＤＴ電極及び
前記接続電極の表面を酸化させて金属酸化膜を形成する
第２の工程と、次いで前記弾性表面波素子を外部引出端
子を有するパッケージ内に収納し前記接続電極とこの外
部引出端子とをワイヤで接続する第３の工程とを備え、
前記第２の工程で形成する金属酸化膜の厚みを３０〜９
０ｎｍとする弾性表面波デバイスの製造方法であり、Ｉ
ＤＴ電極のショート不良防止ができると共に、接続電極
とワイヤとの電気的及び機械的な接続強度を十分に有す
る弾性表面波デバイスを得ることができる。
【００１４】以下本発明の一実施の形態について図面を
参照しながら説明する。
参照しながら説明する。
【００１５】図１は実施の形態１，２における弾性表面
波デバイスの断面図であり、１は圧電基板、２はＩＤＴ
電極、３は接続電極、４は酸化アルミニウム膜、５はパ
ッケージ、６は外部引出端子、７はワイヤ、８はリッ
ド、９は接着剤、１０は封止剤である。
波デバイスの断面図であり、１は圧電基板、２はＩＤＴ
電極、３は接続電極、４は酸化アルミニウム膜、５はパ
ッケージ、６は外部引出端子、７はワイヤ、８はリッ
ド、９は接着剤、１０は封止剤である。
【００１６】また、図２、図３、図４はそれぞれ圧電基
板１を水晶、ＬｉＮｂＯ3、ＬｉＴａＯ3で形成した場合
のショート不良発生率とワイヤボンド接続抵抗とを示す
特性曲線図である。図５は、ワイヤボンド接続抵抗の測
定方法を説明するための断面図である。
板１を水晶、ＬｉＮｂＯ3、ＬｉＴａＯ3で形成した場合
のショート不良発生率とワイヤボンド接続抵抗とを示す
特性曲線図である。図５は、ワイヤボンド接続抵抗の測
定方法を説明するための断面図である。
【００１７】（実施の形態１）まず、表面にアルミニウ
ム膜を形成した圧電基板１のアルミニウム膜の表面を陽
極酸化により酸化させて酸化アルミニウム膜４を形成す
る。次に、この上に所望の形状のＩＤＴ電極２及びこの
ＩＤＴ電極２に電気的に接続される接続電極３のレジス
トパターンを形成し、フォトリソ法によりＩＤＴ電極２
及び接続電極３を形成して弾性表面波素子を得る。
ム膜を形成した圧電基板１のアルミニウム膜の表面を陽
極酸化により酸化させて酸化アルミニウム膜４を形成す
る。次に、この上に所望の形状のＩＤＴ電極２及びこの
ＩＤＴ電極２に電気的に接続される接続電極３のレジス
トパターンを形成し、フォトリソ法によりＩＤＴ電極２
及び接続電極３を形成して弾性表面波素子を得る。
【００１８】次いで、外部引出端子６を有するパッケー
ジ５内に接着剤９を用いて弾性表面波素子を固定し、接
続電極３と外部引出端子６とをワイヤ７を超音波接合す
ることにより電気的に接続する。次いでパッケージ５の
開口部をリッド８で半田などの封止剤１０を用いて封止
して弾性表面波デバイスを得る。
ジ５内に接着剤９を用いて弾性表面波素子を固定し、接
続電極３と外部引出端子６とをワイヤ７を超音波接合す
ることにより電気的に接続する。次いでパッケージ５の
開口部をリッド８で半田などの封止剤１０を用いて封止
して弾性表面波デバイスを得る。
【００１９】（実施の形態２）まず、圧電基板１の表面
にアルミニウムを主成分とするＩＤＴ電極２及びこのＩ
ＤＴ電極２に電気的に接続される接続電極３を形成して
弾性表面波素子を得る。
にアルミニウムを主成分とするＩＤＴ電極２及びこのＩ
ＤＴ電極２に電気的に接続される接続電極３を形成して
弾性表面波素子を得る。
【００２０】次いで陽極酸化によりＩＤＴ電極２及び接
続電極３の表面を酸化させて酸化アルミニウム膜４を形
成する。その後、外部引出端子６を有するパッケージ５
内に接着剤９で弾性表面波素子を固定し、接続電極３と
外部引出端子６とをワイヤ７により電気的に接続する。
次いでパッケージ５の開口部をリッド８で封止して弾性
表面波デバイスを得る。
続電極３の表面を酸化させて酸化アルミニウム膜４を形
成する。その後、外部引出端子６を有するパッケージ５
内に接着剤９で弾性表面波素子を固定し、接続電極３と
外部引出端子６とをワイヤ７により電気的に接続する。
次いでパッケージ５の開口部をリッド８で封止して弾性
表面波デバイスを得る。
【００２１】以下本発明のポイントについて記載する。
【００２２】（１）図２〜図４においてショート不良の
発生率は、多量の金属粉末をＩＤＴ電極２の表面に散布
した弾性表面波デバイス（サンプル数５０）を、２４０
℃のリフロー炉を５回通過させた後の数値である。ま
た、ワイヤボンド接続抵抗は図５に示すように、パッケ
ージ５に弾性表面波素子を収納し、表面に酸化アルミニ
ウム膜４を形成した接続電極３と外部引出端子６（二ヵ
所）とをワイヤ７（二本）でそれぞれ接続したときの外
部引出端子６間の抵抗値を測定したものである。このと
きの接続電極３の厚みは２３０ｎｍ、ワイヤ７は直径３
５μｍのアルミニウムワイヤである。
発生率は、多量の金属粉末をＩＤＴ電極２の表面に散布
した弾性表面波デバイス（サンプル数５０）を、２４０
℃のリフロー炉を５回通過させた後の数値である。ま
た、ワイヤボンド接続抵抗は図５に示すように、パッケ
ージ５に弾性表面波素子を収納し、表面に酸化アルミニ
ウム膜４を形成した接続電極３と外部引出端子６（二ヵ
所）とをワイヤ７（二本）でそれぞれ接続したときの外
部引出端子６間の抵抗値を測定したものである。このと
きの接続電極３の厚みは２３０ｎｍ、ワイヤ７は直径３
５μｍのアルミニウムワイヤである。
【００２３】図２、図３を見るとわかるように、圧電基
板１の材料として水晶及びＬｉＮｂＯ3を用いた場合
は、酸化アルミニウム膜４の厚みは１０〜３７ｎｍ、好
ましくは１４〜３５ｎｍとすることにより、酸化アルミ
ニウム膜４を形成しない場合と比較するとショート不良
発生率を小さく、かつワイヤボンド接続抵抗が１Ω程度
と接続電極３とワイヤ７との電気的及び機械的接続を十
分にすることができる。
板１の材料として水晶及びＬｉＮｂＯ3を用いた場合
は、酸化アルミニウム膜４の厚みは１０〜３７ｎｍ、好
ましくは１４〜３５ｎｍとすることにより、酸化アルミ
ニウム膜４を形成しない場合と比較するとショート不良
発生率を小さく、かつワイヤボンド接続抵抗が１Ω程度
と接続電極３とワイヤ７との電気的及び機械的接続を十
分にすることができる。
【００２４】また、図４を見るとわかるように、圧電基
板１材料としてＬｉＴａＯ3を用いた場合は、酸化アル
ミニウム膜４の厚みは３０〜９０ｎｍ、好ましくは３５
〜７０ｎｍとすることにより、酸化アルミニウム膜４を
形成しない場合と比較するとショート不良発生率を小さ
く、かつワイヤボンド接続抵抗が１Ω程度と接続電極３
とワイヤ７との電気的及び機械的接続を十分にすること
ができる。
板１材料としてＬｉＴａＯ3を用いた場合は、酸化アル
ミニウム膜４の厚みは３０〜９０ｎｍ、好ましくは３５
〜７０ｎｍとすることにより、酸化アルミニウム膜４を
形成しない場合と比較するとショート不良発生率を小さ
く、かつワイヤボンド接続抵抗が１Ω程度と接続電極３
とワイヤ７との電気的及び機械的接続を十分にすること
ができる。
【００２５】（２）実施の形態１のように、ＩＤＴ電極
２及び接続電極３を形成する前に、酸化アルミニウム膜
４を形成した弾性表面波デバイスは、ＩＤＴ電極２及び
接続電極３の側面には酸化アルミニウム膜４は形成され
ない。しかしながら一般的にショート不良の原因となる
異物は、ＩＤＴ電極２を構成する櫛電極の間隔と比較す
ると十分に大きいため、櫛電極間に異物が混入してショ
ート不良となることは非常に少ないため、ＩＤＴ電極２
の側面には酸化アルミニウム膜４が形成されていなくて
も構わない。
２及び接続電極３を形成する前に、酸化アルミニウム膜
４を形成した弾性表面波デバイスは、ＩＤＴ電極２及び
接続電極３の側面には酸化アルミニウム膜４は形成され
ない。しかしながら一般的にショート不良の原因となる
異物は、ＩＤＴ電極２を構成する櫛電極の間隔と比較す
ると十分に大きいため、櫛電極間に異物が混入してショ
ート不良となることは非常に少ないため、ＩＤＴ電極２
の側面には酸化アルミニウム膜４が形成されていなくて
も構わない。
【００２６】
【発明の効果】以上本発明によると、接続電極と外部引
出端子との電気的接続を確実に取ることのできる弾性表
面波デバイスを提供することができる。
出端子との電気的接続を確実に取ることのできる弾性表
面波デバイスを提供することができる。
【図１】本発明の一実施の形態における弾性表面波デバ
イスの断面図
イスの断面図
【図２】図１に示す弾性表面波デバイスにおいて圧電基
板として水晶基板を用いた場合のショート不良発生率と
ワイヤボンド接続抵抗とを示す特性曲線図
板として水晶基板を用いた場合のショート不良発生率と
ワイヤボンド接続抵抗とを示す特性曲線図
【図３】図１に示す弾性表面波デバイスにおいて圧電基
板としてＬｉＮｂＯ3基板を用いた場合のショート不良
発生率とワイヤボンド接続抵抗とを示す特性曲線図
板としてＬｉＮｂＯ3基板を用いた場合のショート不良
発生率とワイヤボンド接続抵抗とを示す特性曲線図
【図４】図１に示す弾性表面波デバイスにおいて圧電基
板としてＬｉＴａＯ3基板を用いた場合のショート不良
発生率とワイヤボンド接続抵抗とを示す特性曲線図
板としてＬｉＴａＯ3基板を用いた場合のショート不良
発生率とワイヤボンド接続抵抗とを示す特性曲線図
【図５】ワイヤボンド接続抵抗の測定方法を説明するた
めの断面図
めの断面図
１ 圧電基板 ２ ＩＤＴ電極 ３ 接続電極 ４ 酸化アルミニウム膜 ５ パッケージ ６ 外部引出端子 ７ ワイヤ ８ リッド ９ 接着剤 １０ 封止剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村上 弘三 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5J097 AA26 AA28 DD01 DD24 DD29 FF01 FF05 HA02 HA04 HA07 HA09 KK01 KK10
Claims (6)
- 【請求項１】 外部引出端子を有するパッケージと、こ
のパッケージ内に収納された圧電基板上に少なくともＩ
ＤＴ電極及びこのＩＤＴ電極に電気的に接続された接続
電極を形成した弾性表面波素子と、前記外部引出端子と
前記接続電極とを電気的に接続するワイヤとを備え、前
記圧電基板は水晶あるいはＬｉＮｂＯ3を用いて形成
し、前記ＩＤＴ電極及び前記接続電極の表面は１０〜３
７ｎｍの金属酸化膜で覆って構成した弾性表面波デバイ
ス。 - 【請求項２】 外部引出端子を有するパッケージと、こ
のパッケージ内に収納された圧電基板上に少なくともＩ
ＤＴ電極及びこのＩＤＴ電極に電気的に接続された接続
電極を形成した弾性表面波素子と、前記外部引出端子と
前記接続電極とを電気的に接続するワイヤとを備え、前
記圧電基板はＬｉＴａＯ3を用いて形成し、前記ＩＤＴ
電極及び前記接続電極の表面は３０〜９０ｎｍの金属酸
化膜で覆って構成した弾性表面波デバイス。 - 【請求項３】 水晶あるいはＬｉＮｂＯ3を用いて形成
した圧電基板の表面にアルミニウムを主成分とする金属
膜を形成する第１の工程と、次に前記金属膜の表面を酸
化して酸化膜を形成する第２の工程と、次いで前記金属
膜及び前記酸化膜を所望の形状にＩＤＴ電極及びこのＩ
ＤＴ電極に接続された接続電極に加工して弾性表面波素
子を得る第３の工程と、その後前記弾性表面波素子を外
部引出端子を有するパッケージ内に収納し前記接続電極
とこの外部引出端子とをワイヤで接続する第４の工程と
を備え、前記第２の工程において形成する酸化膜の厚み
を１０〜３７ｎｍとする弾性表面波デバイスの製造方
法。 - 【請求項４】 ＬｉＴａＯ3を用いて形成した圧電基板
の表面にアルミニウムを主成分とする金属膜を形成する
第１の工程と、次に前記金属膜の表面を酸化して酸化膜
を形成する第２の工程と、次いで前記金属膜及び前記酸
化膜を所望の形状にＩＤＴ電極及びこのＩＤＴ電極に接
続された接続電極に加工して弾性表面波素子を得る第３
の工程と、その後前記弾性表面波素子を外部引出端子を
有するパッケージ内に収納し前記接続電極とこの外部引
出端子とをワイヤで接続する第４の工程とを備え、前記
第２の工程において形成する酸化膜の厚みを３０〜９０
ｎｍとする弾性表面波デバイスの製造方法。 - 【請求項５】 水晶あるいはＬｉＮｂＯ3を用いて形成
した圧電基板の表面にアルミニウムを主成分とするＩＤ
Ｔ電極及びこのＩＤＴ電極に接続された接続電極を形成
する第１の工程と、次に前記ＩＤＴ電極及び前記接続電
極の表面を酸化させて金属酸化膜を形成する第２の工程
と、次いで前記弾性表面波素子を外部引出端子を有する
パッケージ内に収納し前記接続電極とこの外部引出端子
とをワイヤで接続する第３の工程とを備え、前記第２の
工程で形成する金属酸化膜の厚みを１０〜３７ｎｍとす
る弾性表面波デバイスの製造方法。 - 【請求項６】 ＬｉＴａＯ3を用いて形成した圧電基板
の表面にアルミニウムを主成分とするＩＤＴ電極及びこ
のＩＤＴ電極に接続された接続電極を形成する第１の工
程と、次に前記ＩＤＴ電極及び前記接続電極の表面を酸
化させて金属酸化膜を形成する第２の工程と、次いで前
記弾性表面波素子を外部引出端子を有するパッケージ内
に収納し前記接続電極とこの外部引出端子とをワイヤで
接続する第３の工程とを備え、前記第２の工程で形成す
る金属酸化膜の厚みを３０〜９０ｎｍとする弾性表面波
デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11085825A JP2000278082A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 弾性表面波デバイスとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11085825A JP2000278082A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 弾性表面波デバイスとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000278082A true JP2000278082A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=13869640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11085825A Pending JP2000278082A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 弾性表面波デバイスとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000278082A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020066631A (ko) * | 2001-02-13 | 2002-08-21 | 엘지이노텍 주식회사 | 세라믹 리드를 사용한 쏘필터 |
-
1999
- 1999-03-29 JP JP11085825A patent/JP2000278082A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020066631A (ko) * | 2001-02-13 | 2002-08-21 | 엘지이노텍 주식회사 | 세라믹 리드를 사용한 쏘필터 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050620 |