JP2000275609A - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】薄膜トランジスタを使用してなる周辺回路一体
型のアクティブマトリクス型液晶表示装置に関し、デー
タ線と画素電極との間に接続されるデータ電圧書込み用
の薄膜トランジスタのオフ電流を小さくして画素電極の
電位変動を抑え、歩留りの向上を図ると共に、同一ライ
ンの隣接する画素を異なる駆動極性で駆動できるように
してフリッカの発生を抑え、高品質の画像を表示する。 【解決手段】ラインごとに、データ電圧保持時、奇数番
目の画素のＮチャネル薄膜トランジスタ３
７_2m-1,2n-1、３８_2m-1,2n-1の接続部と、偶数番目の画
素のＮチャネル薄膜トランジスタ３７_2m-1,2n、３８
_2m-1,2nの接続部とを、異なる電位にクランプする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、能動素子として薄
膜トランジスタを使用した周辺回路を液晶表示パネルに
形成してなる周辺回路一体型のアクティブマトリクス型
液晶表示装置に関する。

【０００２】現在のアクティブマトリクス型液晶表示装
置の研究開発においては、低コスト化が大きな課題とさ
れており、低コスト化を目指した開発競争が熾烈を極め
ている。このような状況の中において、低温プロセスで
ポリシリコンを形成する技術が注目を浴びている。なぜ
なら、低温プロセスでポリシリコンを形成する技術は安
価なガラス基板上に周辺回路を作成することを可能とす
るので、従来のような駆動用ＩＣの実装を不要とし、大
幅なコスト削減が期待できるからである。

【０００３】しかし、低温プロセスで形成したポリシリ
コンを使用して作成した薄膜トランジスタはオフ電流が
大きいことから、各画素に形成すべきデータ電圧書込み
用のスイッチング素子として、このような薄膜トランジ
スタを使用すると、そのオフ電流の影響で画素電極の電
位が変動して欠陥となる確率が高く、これが歩留りを低
くしているという問題点があった。

【０００４】したがって、各画素に形成すべきデータ電
圧書込み用のスイッチング素子として、低温プロセスに
よるポリシリコン薄膜トランジスタを形成する場合に
は、そのオフ電流の影響による画素電極の電位変動を如
何にして小さく抑えるかということが重要となる。

【０００５】

【従来の技術】図１１はアクティブマトリクス型液晶表
示装置の第１従来例の一部分を示す回路図である。図１
１中、１はデータドライバからデータ信号が出力される
データ線、２はゲートドライバから走査用のゲート信号
が出力されるゲート線、３は画素であり、４は画素電極
５とコモン電極との間の液晶容量、６は画素電極５と補
助容量線との間に形成された補助容量、７〜９はデータ
電圧書込み用のＮチャネル薄膜トランジスタである。

【０００６】第１従来例のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、データ線１と画素電極５との間に３個のＮ
チャネル薄膜トランジスタ７〜９を直列に接続し、Ｎチ
ャネル薄膜トランジスタ７〜９のオフ電流を小さくする
ことにより、画素電極５の電位変動を小さく抑えるとい
うものである。

【０００７】図１２はアクティブマトリクス型液晶表示
装置の第２従来例の一部分を示す回路図である。第２従
来例のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、Ｎチャ
ネル薄膜トランジスタ７、８の接続点とコモン電極との
間に容量１１を形成し、その他については、第１従来例
のアクティブマトリクス型液晶表示装置と同様に構成し
たものであり、データ電圧保持時、データ電圧を容量１
１でも保持することにより、Ｎチャネル薄膜トランジス
タ８、９のオフ電流を小さくし、画素電極５の電位変動
を小さく抑えるというものである。

【０００８】図１３はアクティブマトリクス型液晶表示
装置の第３従来例の一部分を示す回路図である。図１３
中、１３はデータ線、１４はゲート線、１５はクランプ
用配線、１６はクランプ用配線１５とコモン電極との間
に形成されたクランプ用容量である。

【０００９】また、１７は画素であり、１８は画素電極
１９とコモン電極との間の液晶容量、２０は画素電極１
９と補助容量線との間に形成された補助容量、２１、２
２はＮチャネル薄膜トランジスタ、２３はＰチャネル薄
膜トランジスタである。

【００１０】また、２４はクランプ用信号供給回路であ
り、２５はクランプ用信号Ｌが印加されるクランプ用共
通配線、２６はゲート線１４の電位によりオン、オフが
制御されるＮチャネル薄膜トランジスタである。

【００１１】第３従来例のアクティブマトリクス型液晶
表示装置では、ゲート線１４が高電位になると、Ｎチャ
ネル薄膜トランジスタ２１、２２＝ＯＮ、Ｐチャネル薄
膜トランジスタ２３＝ＯＦＦとなり、画素電極１９にデ
ータ電圧が印加され、データ電圧の書込みが行われると
共に、Ｎチャネル薄膜トランジスタ２６＝ＯＮとなり、
クランプ用容量１６はクランプ用信号電圧に充電され
る。

【００１２】そして、データ電圧の書込み後、ゲート線
１４が接地電位とされ、データ電圧保持時とされると、
Ｎチャネル薄膜トランジスタ２１、２２、２６＝ＯＦ
Ｆ、Ｐチャネル薄膜トランジスタ２３＝ＯＮとなり、Ｎ
チャネル薄膜トランジスタ２１、２２の接続点の電位
は、クランプ用容量１６が保持しているクランプ用信号
電圧にクランプされる。

【００１３】ここに、画素１７が正極性駆動される場合
の黒表示電圧及び白表示電圧をそれぞれコモン電圧Ｖｃ
（たとえば、８〜１０Ｖ）に対してＶｂ（たとえば、５
Ｖ）及びＶｗ（たとえば、２Ｖ）、画素１７が負極性駆
動される場合の黒表示電圧及び白表示電圧をそれぞれコ
モン電圧Ｖｃに対して−Ｖｂ及び−Ｖｗとすると、クラ
ンプ信号Ｌは、画素１７が正極性駆動される場合には、
コモン電圧Ｖｃに対して（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧と
され、画素１７が負極性駆動される場合には、コモン電
圧Ｖｃに対して−（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧とされる
ものである。

【００１４】すなわち、第３従来例のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置は、データ電圧保持時、Ｎチャネル
薄膜トランジスタ２１、２２の接続点を一定の電位にク
ランプし、Ｎチャネル薄膜トランジスタ２１、２２の接
続点の電位と画素電極１９の電位との差を小さくするこ
とにより、Ｎチャネル薄膜トランジスタ２２のオフ電流
を小さくし、画素電極１９の電位変動を小さく抑えると
いうものである。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】図１１に示す第１従来
例のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、データ線
１と画素電極５との間に３個のＮチャネル薄膜トランジ
スタ７〜９を直列接続することにより、Ｎチャネル薄膜
トランジスタ７〜９のオフ電流を小さくするようにして
いるが、欠陥画素の許容値が何十万個に１個という製品
基準を満たすことは困難であるという問題点を有してい
た。

【００１６】図１２に示す第２従来例のアクティブマト
リクス型液晶表示装置は、データ線１と画素電極５との
間に３個のＮチャネル薄膜トランジスタ７〜９を直列接
続すると共に、Ｎチャネル薄膜トランジスタ７、８の接
続点とコモン電極との間に容量１１を設けているが、そ
れでも、なお、欠陥画素の許容値が何十万個に１個とい
う製品基準を満たすことは困難であるという問題点を有
していた。

【００１７】図１３に示す第３従来例のアクティブマト
リクス型液晶表示装置は、Ｎチャネル薄膜トランジスタ
２１、２２の接続点の電位を一定の電位にクランプする
ことにより、Ｎチャネル薄膜トランジスタ２２のオフ電
流を小さくしているが、同一のゲート線に接続された画
素は、全て同一のクランプ用配線に接続されているの
で、同一ラインの画素は、その駆動極性を同一としなけ
ればならず、このため、フリッカが発生するという問題
点があった。

【００１８】本発明は、かかる点に鑑み、データ線と画
素電極との間に接続されるデータ電圧書込み用の薄膜ト
ランジスタのオフ電流を小さくして画素電極の電位変動
を抑え、歩留りの向上を図ることができると共に、同一
ラインの隣接する画素を異なる駆動極性で駆動すること
ができるようにしてフリッカの発生を抑え、高品質の画
像を表示することができるようにしたアクティブマトリ
クス型液晶表示装置を提供することを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス型液晶表示装置は、データ線と画素電極との間に
データ電圧書込み用の複数個の薄膜トランジスタを直列
接続すると共に、データ電圧書込み用の複数個の薄膜ト
ランジスタのゲートをゲート線に接続してなる画素をマ
トリクス状に配列したアクティブマトリクス型液晶表示
装置であって、ラインごとに、データ電圧保持時、奇数
番目の画素のデータ電圧書込み用の複数個の薄膜トラン
ジスタの直列接続部の所定の１箇所と、偶数番目の画素
のデータ電圧書込み用の複数個の薄膜トランジスタの直
列接続部の所定の１箇所とを、異なる電位にクランプす
ることができるクランプ手段を備えているというもので
ある。

【００２０】本発明によれば、ラインごとに、データ電
圧保持時、奇数番目の画素のデータ電圧書込み用の複数
個の薄膜トランジスタの直列接続部の所定の１箇所と、
偶数番目の画素のデータ電圧書込み用の複数個の薄膜ト
ランジスタの直列接続部の所定の１箇所とを、異なる電
位にクランプすることができるクランプ手段を備えてい
るので、同一ラインの奇数番目の画素と偶数番目の画素
とを異なる極性で駆動しても、奇数番目の画素のデータ
電圧書込み用の複数個の薄膜トランジスタの直列接続部
の所定の１箇所と画素電極との間の電位差を小さくする
電位にクランプすることができると共に、偶数番目の画
素のデータ電圧書込み用の複数個の薄膜トランジスタの
直列接続部の所定の１箇所と画素電極との間の電位差を
小さくする電位にクランプすることができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、図１〜図１０を参照して、
本発明の第１実施形態〜第４実施形態について、画素数
を２Ｘ(横）×２Ｙ(縦) 、例えば、６４０（横）×４８
０（縦）とするアクティブマトリクス型液晶表示装置を
例にして説明する。なお、本明細書では、Ａ_Z は、原則
として、Ａ［Ｚ］と表記する。

【００２２】第１実施形態・・図１〜図３ 図１は本発明の第１実施形態の一部分を示す回路図であ
る。図１中、２８は画像表示領域であり、２９［２ｎ−
１］は左端から２ｎ−１番目のデータ線、２９［２ｎ］
は左端から２ｎ番目のデータ線、３０［２ｍ−１］は第
２ｍ−１ラインのゲート線、３０［２ｍ］は第２ｍライ
ンのゲート線、３１［２ｍ−１］、３２［２ｍ−１］は
第２ｍ−１ラインのクランプ用配線、３１［２ｍ］、３
２［２ｍ］は第２ｍラインのクランプ用配線である。但
し、ｎは１以上、２［Ｘ］／２以下の整数、ｍは１以
上、２［Ｙ］／２以下の整数である。

【００２３】また、３３［２ｍ−１，２ｎ−１］は第２
ｍ−１ラインの左端から２ｎ−１番目の画素であり、３
４［２ｍ−１，２ｎ−１］は画素電極３５［２ｍ−１，
２ｎ−１］とコモン電極との間の液晶容量、３６［２ｍ
−１，２ｎ−１］は画素電極３５［２ｍ−１，２ｎ−
１］と補助容量線との間に形成された補助容量、３７
［２ｍ−１，２ｎ−１］、３８［２ｍ−１，２ｎ−１］
はデータ電圧書込み用のＮチャネル薄膜トランジスタ、
３９［２ｍ−１，２ｎ−１］はクランプ電圧印加用のＰ
チャネル薄膜トランジスタである。

【００２４】ここに、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７
［２ｍ−１，２ｎ−１］、３８［２ｍ−１，２ｎ−１］
は、データ線２９［２ｎ−１］と画素電極３５［２ｍ−
１，２ｎ−１］との間に直列接続され、ゲートドライバ
からゲート線３０［２ｍ−１］に出力されるゲート信号
（走査信号）Ｇ［２ｍ−１］によりオン、オフが制御さ
れるように構成されている。

【００２５】また、Ｐチャネル薄膜トランジスタ３９
［２ｍ−１，２ｎ−１］は、ソースをクランプ用配線３
１［２ｍ−１］に接続され、ドレインをＮチャネル薄膜
トランジスタ３７［２ｍ−１，２ｎ−１］、３８［２ｍ
−１，２ｎ−１］の接続点に接続され、ゲートドライバ
からゲート線３０［２ｍ−１］に出力されるゲート信号
Ｇ［２ｍ−１］によりオン、オフが制御されるように構
成されている。

【００２６】また、３３［２ｍ−１，２ｎ］は第２ｍ−
１ラインの左端から２ｎ番目の画素であり、３４［２ｍ
−１，２ｎ］は画素電極３５［２ｍ−１，２ｎ］とコモ
ン電極との間の液晶容量、３６［２ｍ−１，２ｎ］は画
素電極３５［２ｍ−１，２ｎ］と補助容量線との間に形
成された補助容量、３７［２ｍ−１，２ｎ］、３８［２
ｍ−１，２ｎ］はデータ電圧書込み用のＮチャネル薄膜
トランジスタ、３９［２ｍ−１，２ｎ］はクランプ電圧
印加用のＰチャネル薄膜トランジスタである。

【００２７】ここに、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７
［２ｍ−１，２ｎ］、３８［２ｍ−１，２ｎ］は、デー
タ線２９［２ｎ］と画素電極３５［２ｍ−１，２ｎ］と
の間に直列接続され、ゲートドライバからゲート線３０
［２ｍ−１］に出力されるゲート信号Ｇ［２ｍ−１］に
よりオン、オフが制御されるように構成されている。

【００２８】また、Ｐチャネル薄膜トランジスタ３９
［２ｍ−１，２ｎ］は、ソースをクランプ用配線３２
［２ｍ−１］に接続され、ドレインをＮチャネル薄膜ト
ランジスタ３７［２ｍ−１，２ｎ］、３８［２ｍ−１，
２ｎ］の接続点に接続され、ゲートドライバからゲート
線３０［２ｍ−１］に出力されるゲート信号Ｇ［２ｍ−
１］によりオン、オフが制御されるように構成されてい
る。

【００２９】また、３３［２ｍ，２ｎ−１］は第２ｍラ
インの左端から２ｎ−１番目の画素であり、３４［２
ｍ，２ｎ−１］は画素電極３５［２ｍ，２ｎ−１］とコ
モン電極との間の液晶容量、３６［２ｍ，２ｎ−１］は
画素電極３５［２ｍ，２ｎ−１］と補助容量線との間に
形成された補助容量、３７［２ｍ，２ｎ−１］、３８
［２ｍ，２ｎ−１］はデータ電圧書込み用のＮチャネル
薄膜トランジスタ、３９［２ｍ，２ｎ−１］はクランプ
電圧印加用のＰチャネル薄膜トランジスタである。

【００３０】ここに、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７
［２ｍ，２ｎ−１］、３８［２ｍ，２ｎ−１］は、デー
タ線２９［２ｎ−１］と画素電極３５［２ｍ，２ｎ−
１］との間に直列接続され、ゲートドライバからゲート
線３０［２ｍ］に出力されるゲート信号Ｇ［２ｍ］によ
りオン、オフが制御されるように構成されている。

【００３１】また、Ｐチャネル薄膜トランジスタ３９
［２ｍ，２ｎ−１］は、ソースをクランプ用配線３１
［２ｍ］に接続され、ドレインをＮチャネル薄膜トラン
ジスタ３７［２ｍ，２ｎ−１］、３８［２ｍ，２ｎ−
１］の接続点に接続され、ゲートドライバからゲート線
３０［２ｍ］に出力されるゲート信号Ｇ［２ｍ］により
オン、オフが制御されるように構成されている。

【００３２】また、３３［２ｍ，２ｎ］は第２ｍライン
の左端から２ｎ番目の画素であり、３４［２ｍ，２ｎ］
は画素電極３５［２ｍ，２ｎ］とコモン電極との間の液
晶容量、３６［２ｍ，２ｎ］は画素電極３５［２ｍ，２
ｎ］と補助容量線との間に形成された補助容量、３７
［２ｍ，２ｎ］、３８［２ｍ，２ｎ］はデータ電圧書込
み用のＮチャネル薄膜トランジスタ、３９［２ｍ，２
ｎ］はクランプ電圧印加用のＰチャネル薄膜トランジス
タである。

【００３３】ここに、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７
［２ｍ，２ｎ］、３８［２ｍ，２ｎ］は、データ線２９
［２ｎ］と画素電極３５［２ｍ，２ｎ］との間に直列接
続され、ゲートドライバからゲート線３０［２ｍ］に出
力されるゲート信号Ｇ［２ｍ］によりオン、オフが制御
されるように構成されている。

【００３４】また、Ｐチャネル薄膜トランジスタ３９
［２ｍ，２ｎ］は、ソースをクランプ用配線３２［２
ｍ］に接続され、ドレインをＮチャネル薄膜トランジス
タ３７［２ｍ，２ｎ］、３８［２ｍ，２ｎ］の接続点に
接続され、ゲートドライバからゲート線３０［２ｍ］に
出力されるゲート信号Ｇ［２ｍ］によりオン、オフが制
御されるように構成されている。

【００３５】第２ｍ−１ライン及び第２ｍラインの他の
奇数番目の画素並びに他のラインの奇数番目の画素は、
画素３３［２ｍ−１，２ｎ−１］、［２ｍ，２ｎ−１］
と同様に構成され、第２ｍ−１ライン及び第２ｍライン
の他の偶数番目の画素並びに他のラインの偶数番目の画
素は、画素３３［２ｍ−１，２ｎ］、［２ｍ，２ｎ］と
同様に構成されている。

【００３６】また、４０は画像表示領域２８の外側に形
成されたクランプ用信号供給回路であり、４１はクラン
プ用信号Ｌ１が印加されるクランプ用共通配線、４２は
クランプ用信号Ｌ２が印加されるクランプ用共通配線、
４３［２ｍ−１］、４４［２ｍ−１］、４３［２ｍ］、
４４［２ｍ］はＮチャネル薄膜トランジスタである。

【００３７】ここに、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４３
［２ｍ−１］は、ドレインをクランプ用共通配線４１に
接続され、ソースをクランプ用配線３１［２ｍ−１］に
接続され、ゲートをゲート線３０［２ｍ−１］に接続さ
れ、ゲートドライバからゲート線３０［２ｍ−１］に出
力されるゲート信号Ｇ［２ｍ−１］によりオン、オフが
制御されるように構成されている。

【００３８】また、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４４
［２ｍ−１］は、ドレインをクランプ用共通配線４２に
接続され、ソースをクランプ用配線３２［２ｍ−１］に
接続され、ゲートをゲート線３０［２ｍ−１］に接続さ
れ、ゲートドライバからゲート線３０［２ｍ−１］に出
力されるゲート信号Ｇ［２ｍ−１］によりオン、オフが
制御されるように構成されている。

【００３９】また、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４３
［２ｍ］は、ドレインをクランプ用共通配線４１に接続
され、ソースをクランプ用配線３１［２ｍ］に接続さ
れ、ゲートをゲート線３０［２ｍ］に接続され、ゲート
ドライバからゲート線３０［２ｍ］に出力されるゲート
信号Ｇ［２ｍ］によりオン、オフが制御されるように構
成されている。

【００４０】また、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４４
［２ｍ］は、ドレインをクランプ用共通配線４２に接続
され、ソースをクランプ用配線３２［２ｍ］に接続さ
れ、ゲートをゲート線３０［２ｍ］に接続され、ゲート
ドライバからゲート線３０［２ｍ］に出力されるゲート
信号Ｇ［２ｍ］によりオン、オフが制御されるように構
成されている。

【００４１】第２ｍ−１ライン以外の奇数ラインについ
ても、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４３［２ｍ−１］、
４４［２ｍ−１］と同様のＮチャネル薄膜トランジスタ
が設けられており、第２ｍライン以外の偶数ラインにつ
いても、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４３［２ｍ］、４
４［２ｍ］と同様のＮチャネル薄膜トランジスタが設け
られている。

【００４２】また、４５［２ｍ−１］、４６［２ｍ−
１］、４５［２ｍ］、４６［２ｍ］は画像表示領域２８
の外側に形成されたクランプ用容量であり、クランプ用
容量４５［２ｍ−１］は、クランプ用配線３１［２ｍ−
１］とコモン電極とで形成され、クランプ用容量４６
［２ｍ−１］は、クランプ用配線３２［２ｍ−１］とコ
モン電極とで形成され、クランプ用容量４５［２ｍ］
は、クランプ用配線３１［２ｍ］とコモン電極とで形成
され、クランプ用容量４６［２ｍ］は、クランプ用配線
３２［２ｍ］とコモン電極とで形成されている。

【００４３】第２ｍ−１ライン以外の奇数ラインについ
ても、クランプ用容量４５［２ｍ−１］、４６［２ｍ−
１］と同様のクランプ用容量が設けられており、第２ｍ
ライン以外の偶数ラインについても、クランプ用容量４
５［２ｍ］、４６［２ｍ］と同様のクランプ用容量が設
けられている。

【００４４】なお、本発明の第１実施形態においては、
第ｊラインのクランプ手段は、Ｐチャネル薄膜トランジ
スタ３９［ｊ，１］〜３９［ｊ，２Ｙ］と、クランプ用
配線３１［ｊ］、３２［ｊ］と、クランプ用容量４５
［ｊ］、４６［ｊ］とで構成されている。但し、ｊ＝
１、２・・・２［Ｙ］である。

【００４５】図２は本発明の第１実施形態の駆動方法の
一例を示す波形図であり、図２Ａはゲートドライバから
ゲート線３０［１］、３０［２］、３０［２Ｙ］に出力
されるゲート信号Ｇ［１］、Ｇ［２］、Ｇ［２Ｙ］、図
２Ｂはデータドライバから奇数番目のデータ線２９
［１］〜２９［２Ｘ−１］に出力されるデータ信号Ｄ
［１］〜Ｄ［２Ｘ−１］及び偶数番目のデータ線２９
［２］〜２９［２Ｘ］に出力されるデータ信号Ｄ［２］
〜Ｄ［２Ｘ］、図２Ｃはクランプ用信号Ｌ１、Ｌ２、図
２Ｄはクランプ用配線３１［１］、３２［１］の電位Ｊ
１［１］、Ｊ２［１］及びクランプ用配線３１［２
Ｙ］、３２［２Ｙ］の電位Ｊ１［２Ｙ］、Ｊ２［２Ｙ］
を示している。

【００４６】すなわち、本発明の第１実施形態の駆動方
法の一例は、奇数フレームでは、奇数番目のデータ線２
９［１］〜２９［２Ｘ−１］を正極性駆動、偶数番目の
データ線２９［２］〜２９［２Ｘ］を負極性駆動し、偶
数フレームでは、奇数番目のデータ線２９［１］〜２９
［２Ｘ−１］を負極性駆動、偶数番目のデータ線２９
［２］〜２９［２Ｘ］を正極性駆動するというものであ
る。

【００４７】奇数フレームの場合、奇数番目のデータ線
２９［１］〜２９［２Ｘ−１］には、黒表示電圧及び白
表示電圧をそれぞれコモン電圧Ｖｃに対してＶｂ及びＶ
ｗとする正極性駆動用のデータ信号Ｄ［１］〜Ｄ［２Ｘ
−１］がデータドライバから出力され、偶数番目のデー
タ線２９［２］〜２９［２Ｘ］には、黒表示電圧及び白
表示電圧をそれぞれコモン電圧Ｖｃに対して−Ｖｂ及び
−Ｖｗとする負極性駆動用のデータ信号Ｄ［２］〜Ｄ
［２Ｘ］が出力される。

【００４８】また、クランプ用信号Ｌ１は、コモン電圧
Ｖｃに対して（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧、クランプ用
信号Ｌ２は、コモン電圧Ｖｃに対して−（Ｖｂ＋Ｖｗ）
／２なる電圧とされ、クランプ用容量４５［１］〜４５
［２Ｙ］は、ゲート信号Ｇ［１］〜Ｇ［２Ｙ］が順に高
電位ＶＧになるのに同期して順にコモン電圧Ｖｃに対し
て（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧に充電されると共に、ク
ランプ用容量４６［１］〜４６［２Ｙ］は、ゲート信号
Ｇ［１］〜Ｇ［２Ｙ］が順に高電位ＶＧになるのに同期
して順にコモン電圧Ｖｃに対して−（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２
なる電圧に充電される。

【００４９】ここに、たとえば、ゲート信号Ｇ［２ｍ−
１］が高電圧ＶＧとされると、画素３３［２ｍ−１，２
ｎ−１］においては、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７
［２ｍ−１，２ｎ−１］、３８［２ｍ−１，２ｎ−１］
＝ＯＮ、Ｐチャネル薄膜トランジスタ３９［２ｍ−１，
２ｎ−１］＝ＯＦＦとなり、データ線２９［２ｎ−１］
上の正極性駆動用のデータ信号Ｄ［２ｎ−１］が画素電
極３５［２ｍ−１，２ｎ−１］に印加され、画素３３
［２ｍ−１，２ｎ−１］に対する書込みが行われる。

【００５０】また、画素３３［２ｍ−１，２ｎ］におい
ては、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７［２ｍ−１，２
ｎ］、３８［２ｍ−１，２ｎ］＝ＯＮ、Ｐチャネル薄膜
トランジスタ３９［２ｍ−１，２ｎ］＝ＯＦＦとなり、
データ線２９［２ｎ］上の負極性駆動用のデータ信号Ｄ
［２ｎ］が画素電極３５［２ｍ−１，２ｎ］に印加さ
れ、画素３３［２ｍ−１，２ｎ］に対する書込みが行わ
れる。

【００５１】また、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４３
［２ｍ−１］＝ＯＮとなり、クランプ用容量４５［２ｍ
−１］は、クランプ用信号Ｌ１により、コモン電圧Ｖｃ
に対して（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧に充電されると共
に、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４４［２ｍ−１］＝Ｏ
Ｎとなり、クランプ用容量４６［２ｍ−１］は、クラン
プ用信号Ｌ２により、コモン電圧Ｖｃになる電圧−（Ｖ
ｂ＋Ｖｗ）／２に充電される。

【００５２】次に、ゲート信号Ｇ［２ｍ−１］が接地電
圧とされ、ゲート信号Ｇ［２ｍ］が高電圧ＶＧとされる
と、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４３［２ｍ−１］、４
４［２ｍ−１］＝ＯＦＦとなると共に、画素３３［２ｍ
−１，２ｎ−１］においては、Ｎチャネル薄膜トランジ
スタ３７［２ｍ−１，２ｎ−１］、３８［２ｍ−１，２
ｎ−１］＝ＯＦＦ、Ｐチャネル薄膜トランジスタ３９
［２ｍ−１，２ｎ−１］＝ＯＮとなり、Ｎチャネル薄膜
トランジスタ３７［２ｍ−１，２ｎ−１］、３８［２ｍ
−１，２ｎ−１］の接続点の電位は、コモン電圧Ｖｃに
対して（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧にクランプされる。

【００５３】また、画素３３［２ｍ−１，２ｎ］におい
ては、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７［２ｍ−１，２
ｎ］、３８［２ｍ−１，２ｎ］＝ＯＦＦ、Ｐチャネル薄
膜トランジスタ３９［２ｍ−１，２ｎ］＝ＯＮとなり、
Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７［２ｍ−１，２ｎ］、
３８［２ｍ−１，２ｎ］の接続点の電位は、コモン電圧
Ｖｃに対して−（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧にクランプ
される。

【００５４】また、画素３３［２ｍ，２ｎ−１］におい
ては、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７［２ｍ，２ｎ−
１］、３８［２ｍ，２ｎ−１］＝ＯＮ、Ｐチャネル薄膜
トランジスタ３９［２ｍ，２ｎ−１］＝ＯＦＦとなり、
データ線２９［２ｎ−１］上の正極性駆動用のデータ信
号Ｄ［２ｎ−１］が画素電極３５［２ｍ，２ｎ−１］に
印加され、画素３３［２ｍ，２ｎ−１］に対する書込み
が行われる。

【００５５】また、画素３３［２ｍ，２ｎ］において
は、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７［２ｍ，２ｎ］、
３８［２ｍ，２ｎ］＝ＯＮ、Ｐチャネル薄膜トランジス
タ３９［２ｍ，２ｎ］＝ＯＦＦとなり、データ線２９
［２ｎ］上の負極性駆動用のデータ信号Ｄ［２ｎ］が画
素電極３５［２ｍ，２ｎ］に印加され、画素３３［２
ｍ，２ｎ］に対する書込みが行われる。

【００５６】また、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４３
［２ｍ］＝ＯＮとなり、クランプ用容量４５［２ｍ］
は、クランプ用信号Ｌ１により、コモン電圧Ｖｃに対し
て（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧に充電されると共に、Ｎ
チャネル薄膜トランジスタ４４［２ｍ］＝ＯＮとなり、
クランプ用容量４６［２ｍ］は、クランプ用信号Ｌ２に
より、コモン電圧Ｖｃに対して−（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２な
る電圧に充電される。

【００５７】次に、ゲート信号Ｇ［２ｍ］が接地電圧と
され、ゲート信号Ｇ［２ｍ＋１］が高電圧ＶＧとされる
と、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４３［２ｍ］、４４
［２ｍ］＝ＯＦＦとなると共に、画素３３［２ｍ，２ｎ
−１］においては、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７
［２ｍ，２ｎ−１］、３８［２ｍ，２ｎ−１］＝ＯＦ
Ｆ、Ｐチャネル薄膜トランジスタ３９［２ｍ，２ｎ−
１］＝ＯＮとなり、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７
［２ｍ，２ｎ−１］、３８［２ｍ，２ｎ−１］の接続点
の電位は、コモン電圧Ｖｃに対して（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２
なる電圧にクランプされる。

【００５８】また、画素３３［２ｍ，２ｎ］において
は、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７［２ｍ，２ｎ］、
３８［２ｍ，２ｎ］＝ＯＦＦ、Ｐチャネル薄膜トランジ
スタ３９［２ｍ，２ｎ］＝ＯＮとなり、Ｎチャネル薄膜
トランジスタ３７［２ｍ，２ｎ］、３８［２ｍ，２ｎ］
の接続点の電位は、コモン電圧Ｖｃに対して−（Ｖｂ＋
Ｖｗ）／２なる電圧にクランプされる。

【００５９】これに対して、偶数フレームの場合、奇数
番目のデータ線２９［１］〜２９［２Ｘ−１］には、黒
表示電圧及び白表示電圧をそれぞれコモン電圧Ｖｃに対
して−Ｖｂ及び−Ｖｗとする負極性駆動用のデータ信号
Ｄ［１］〜Ｄ［２Ｘ−１］がデータドライバから出力さ
れ、偶数番目のデータ線２９［２］〜２９［２Ｘ］に
は、黒表示電圧及び白表示電圧をそれぞれコモン電圧Ｖ
ｃに対してＶｂ及びＶｗとする正極性駆動用のデータ信
号Ｄ［２］〜Ｄ［２Ｘ］が出力される。

【００６０】また、クランプ用信号Ｌ１は、コモン電圧
Ｖｃに対して−（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧、クランプ
用信号Ｌ２は、コモン電圧Ｖｃに対して（Ｖｂ＋Ｖｗ）
／２なる電圧とされ、クランプ用容量４５［１］〜４５
［２Ｙ］は、ゲート信号Ｇ［１］〜Ｇ［２Ｙ］が順に高
電位ＶＧになるのに同期して順にコモン電圧Ｖｃに対し
て（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧に充電されると共に、ク
ランプ用容量４６［１］〜４６［２Ｙ］は、ゲート信号
Ｇ［１］〜Ｇ［２Ｙ］が順に高電位ＶＧになるのに同期
して順にコモン電圧Ｖｃに対して（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２な
る電圧に充電される。

【００６１】ここに、たとえば、ゲート信号Ｇ［２ｍ−
１］が高電圧ＶＧとされると、画素３３［２ｍ−１，２
ｎ−１］においては、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７
［２ｍ−１，２ｎ−１］、３８［２ｍ−１，２ｎ−１］
＝ＯＮ、Ｐチャネル薄膜トランジスタ３９［２ｍ−１，
２ｎ−１］＝ＯＦＦとなり、データ線２９［２ｎ−１］
上の負極性駆動用のデータ信号Ｄ［２ｎ−１］が画素電
極３５［２ｍ−１，２ｎ−１］に印加され、画素３３
［２ｍ−１，２ｎ−１］に対する書込みが行われる。

【００６２】また、画素３３［２ｍ−１，２ｎ］におい
ては、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７［２ｍ−１，２
ｎ］、３８［２ｍ−１，２ｎ］＝ＯＮ、Ｐチャネル薄膜
トランジスタ３９［２ｍ−１，２ｎ］＝ＯＦＦとなり、
データ線２９［２ｎ］上の正極性駆動用のデータ信号Ｄ
［２ｎ］が画素電極３５［２ｍ−１，２ｎ］に印加さ
れ、画素３３［２ｍ−１，２ｎ］に対する書込みが行わ
れる。

【００６３】また、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４３
［２ｍ−１］＝ＯＮとなり、クランプ用容量４５［２ｍ
−１］は、クランプ用信号Ｌ１により、コモン電圧Ｖｃ
に対して−（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧に充電されると
共に、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４４［２ｍ−１］＝
ＯＮとなり、クランプ用容量４６［２ｍ−１］は、クラ
ンプ用信号Ｌ２により、コモン電圧Ｖｃに対して（Ｖｂ
＋Ｖｗ）／２なる電圧に充電される。

【００６４】次に、ゲート信号Ｇ［２ｍ−１］が接地電
圧とされ、ゲート信号Ｇ［２ｍ］が高電圧ＶＧにされる
と、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４３［２ｍ−１］、４
４［２ｍ−１］＝ＯＦＦとなると共に、画素３３［２ｍ
−１，２ｎ−１］においては、Ｎチャネル薄膜トランジ
スタ３７［２ｍ−１，２ｎ−１］、３８［２ｍ−１，２
ｎ−１］＝ＯＦＦ、Ｐチャネル薄膜トランジスタ３９
［２ｍ−１，２ｎ−１］＝ＯＮとなり、Ｎチャネル薄膜
トランジスタ３７［２ｍ−１，２ｎ−１］、３８［２ｍ
−１，２ｎ−１］の接続点の電位は、コモン電圧Ｖｃに
対して−（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧にクランプされ
る。

【００６５】また、画素３３［２ｍ−１，２ｎ］におい
ては、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７［２ｍ−１，２
ｎ］、３８［２ｍ−１，２ｎ］＝ＯＦＦ、Ｐチャネル薄
膜トランジスタ３９［２ｍ−１，２ｎ］＝ＯＮとなり、
Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７［２ｍ−１，２ｎ］、
３８［２ｍ−１，２ｎ］の接続点の電位は、コモン電圧
Ｖｃに対して（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧にクランプさ
れる。

【００６６】また、画素３３［２ｍ，２ｎ−１］におい
ては、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７［２ｍ，２ｎ−
１］、３８［２ｍ，２ｎ−１］＝ＯＮ、Ｐチャネル薄膜
トランジスタ３９［２ｍ，２ｎ−１］＝ＯＦＦとなり、
データ線２９［２ｎ−１］上の負極性駆動用のデータ信
号Ｄ［２ｎ−１］が画素電極３５［２ｍ，２ｎ−１］に
印加され、画素３３［２ｍ，２ｎ−１］に対する書込み
が行われる。

【００６７】また、画素３３［２ｍ，２ｎ］において
は、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７［２ｍ，２ｎ］、
３８［２ｍ，２ｎ］＝ＯＮ、Ｐチャネル薄膜トランジス
タ３９［２ｍ，２ｎ］＝ＯＦＦとなり、データ線２９
［２ｎ］上の正極性駆動用のデータ信号Ｄ［２ｎ］が画
素電極３５［２ｍ，２ｎ］に印加され、画素３３［２
ｍ，２ｎ］に対する書込みが行われる。

【００６８】また、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４３
［２ｍ］＝ＯＮとなり、クランプ用容量４５［２ｍ］
は、クランプ用信号Ｌ１により、コモン電圧Ｖｃに対し
て（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧に充電されると共に、Ｎ
チャネル薄膜トランジスタ４４［２ｍ］＝ＯＮとなり、
クランプ用容量４６［２ｍ］は、クランプ用信号Ｌ２に
より、コモン電圧Ｖｃに対して（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる
電圧に充電される。

【００６９】次に、ゲート信号Ｇ［２ｍ］が接地電圧と
され、ゲート信号Ｇ［２ｍ＋１］が高電圧ＶＧとされる
と、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４３［２ｍ］、４４
［２ｍ］＝ＯＦＦとなると共に、画素３３［２ｍ，２ｎ
−１］においては、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７
［２ｍ，２ｎ−１］、３８［２ｍ，２ｎ−１］＝ＯＦ
Ｆ、Ｐチャネル薄膜トランジスタ３９［２ｍ，２ｎ−
１］＝ＯＮとなり、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７
［２ｍ，２ｎ−１］、３８［２ｍ，２ｎ−１］の接続点
の電位は、コモン電圧Ｖｃに対して−（Ｖｂ＋Ｖｗ）／
２なる電圧にクランプされる。

【００７０】また、画素３３［２ｍ，２ｎ］において
は、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７［２ｍ，２ｎ］、
３８［２ｍ，２ｎ］＝ＯＦＦ、Ｐチャネル薄膜トランジ
スタ３９［２ｍ，２ｎ］＝ＯＮとなり、Ｎチャネル薄膜
トランジスタ３７［２ｍ，２ｎ］、３８［２ｍ，２ｎ］
の接続点の電位は、コモン電圧Ｖｃに対して（Ｖｂ＋Ｖ
ｗ）／２なる電圧にクランプされる。

【００７１】このように、本発明の第１実施形態の駆動
方法の一例によれば、奇数番目のデータ線と偶数番目の
データ線とを異なる極性で、かつ、フレームごとに極性
を反転することにより、同一ラインの奇数番目の画素と
偶数番目の画素とを異なる極性で駆動するようにして
も、奇数番目の画素のデータ電圧書込み用の２個のＮチ
ャネル薄膜トランジスタの接続部と画素電極との間の電
位差を小さくすることができると共に、偶数番目の画素
のデータ電圧書込みの２個のＮチャネル薄膜トランジス
タの接続部と画素電極との間の電位差を小さくすること
ができる。

【００７２】図３は本発明の第１実施形態の駆動方法の
他の例を示す波形図であり、図３Ａはゲートドライバか
らゲート線３０［１］、３０［２］、３０［２Ｙ］に出
力されるゲート信号Ｇ［１］、Ｇ［２］、Ｇ［２Ｙ］、
図３Ｂはデータドライバから奇数番目のデータ線２９
［１］〜２９［２Ｘ−１］に出力されるデータ信号Ｄ
［１］〜Ｄ［２Ｘ−１］及び偶数番目のデータ線２９
［２］〜２９［２Ｘ］に出力されるデータ信号Ｄ［２］
〜Ｄ［２Ｘ］、図３Ｃはクランプ用信号Ｌ１、Ｌ２、図
３Ｄはクランプ用配線３１［１］、３２［１］の電位Ｊ
１［１］、Ｊ２［１］及びクランプ用配線３１［２
Ｙ］、３２［２Ｙ］の電位Ｊ１［２Ｙ］、Ｊ２［２Ｙ］
を示している。

【００７３】すなわち、本発明の第１実施形態の駆動方
法の他の例は、奇数フレームでは、奇数ラインの奇数番
目のデータ線２９［１］〜２９［２Ｘ−１］を正極性駆
動、奇数ラインの偶数番目のデータ線２９［２］〜２９
［２Ｘ］を負極性駆動、偶数ラインの奇数番目のデータ
線２９［１］〜２９［２Ｘ−１］を負極性駆動、偶数ラ
インの偶数番目のデータ線２９［２］〜２９［２Ｘ］を
正極性駆動し、偶数フレームでは、奇数ラインの奇数番
目のデータ線２９［１］〜２９［２Ｘ−１］を負極性駆
動、奇数ラインの偶数番目のデータ線２９［２］〜２９
［２Ｘ］を正極性駆動、偶数ラインの奇数番目のデータ
線２９［１］〜２９［２Ｘ−１］を正極性駆動、偶数ラ
インの偶数番目のデータ線２９［２］〜２９［２Ｘ］を
負極性駆動するというものである。

【００７４】奇数フレームの場合において、奇数ライン
の画素に対するデータ電圧の書込みが行われる場合に
は、奇数番目のデータ線２９［１］〜２９［２Ｘ−１］
は、黒表示電圧及び白表示電圧をそれぞれコモン電圧Ｖ
ｃに対してＶｂ及びＶｗとする正極性駆動用のデータ信
号Ｄ［１］〜Ｄ［２Ｘ−１］がデータドライバから出力
され、偶数番目のデータ線２９［２］〜２９［２Ｘ］に
は、黒表示電圧及び白表示電圧をそれぞれコモン電圧Ｖ
ｃに対して−Ｖｂ及び−Ｖｗとする負極性駆動用のデー
タ信号Ｄ［２］〜Ｄ［２Ｘ］が出力される。

【００７５】また、偶数ラインの画素に対するデータ電
圧の書込みが行われる場合には、奇数番目のデータ線２
９［１］〜２９［２Ｘ−１］には、黒表示電圧及び白表
示電圧をそれぞれコモン電圧Ｖｃに対して−Ｖｂ及び−
Ｖｗとする負極性駆動用のデータ信号Ｄ［１］〜Ｄ［２
Ｘ−１］がデータドライバから出力され、偶数番目のデ
ータ線２９［２］〜２９［２Ｘ］には、黒表示電圧及び
白表示電圧をそれぞれコモン電圧Ｖｃに対してＶｂ及び
Ｖｗとする正極性駆動用のデータ信号Ｄ［２］〜Ｄ［２
Ｘ］が出力される。

【００７６】また、奇数ラインの画素に対するデータ電
圧の書込みが行われる場合には、クランプ用信号Ｌ１
は、コモン電圧Ｖｃに対して（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電
圧、クランプ用信号Ｌ２は、コモン電圧Ｖｃに対して−
（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧とされ、偶数ラインの画素
に対するデータ電圧の書込みが行われる場合には、クラ
ンプ用信号Ｌ１は、コモン電圧Ｖｃに対して−（Ｖｂ＋
Ｖｗ）／２なる電圧、クランプ用信号Ｌ２は、コモン電
圧Ｖｃに対して（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧とされる。

【００７７】この結果、奇数ラインのクランプ用容量４
５［１］〜４５［２Ｙ−１］は、奇数ラインのゲート信
号Ｇ［１］〜Ｇ［２Ｙ−１］が順に高電位ＶＧになるの
に同期して順にコモン電圧Ｖｃに対して（Ｖｂ＋Ｖｗ）
／２なる電圧に充電されると共に、偶数ラインのクラン
プ用容量４５［２］〜４５［２Ｙ］は、ゲート信号Ｇ
［２］〜Ｇ［２Ｙ］が順に高電位ＶＧになるのに同期し
て順にコモン電圧Ｖｃに対して−（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２な
る電圧に充電される。

【００７８】また、奇数ラインのクランプ用容量４６
［１］〜４６［２Ｙ−１］は、奇数ラインのゲート信号
Ｇ［１］〜Ｇ［２Ｙ−１］が順に高電位ＶＧになるのに
同期して順にコモン電圧Ｖｃに対して−（Ｖｂ＋Ｖｗ）
／２なる電圧に充電されると共に、偶数ラインのクラン
プ用容量４６［２］〜４６［２Ｙ］は、ゲート信号Ｇ
［２］〜Ｇ［２Ｙ］が順に高電位ＶＧになるのに同期し
て順にコモン電圧Ｖｃに対して（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる
電圧に充電される。

【００７９】ここに、たとえば、ゲート信号Ｇ［２ｍ−
１］が高電圧ＶＧとされると、画素３３［２ｍ−１，２
ｎ−１］においては、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７
［２ｍ−１，２ｎ−１］、３８［２ｍ−１，２ｎ−１］
＝ＯＮ、Ｐチャネル薄膜トランジスタ３９［２ｍ−１，
２ｎ−１］＝ＯＦＦとなり、データ線２９［２ｎ−１］
上の正極性駆動用のデータ信号Ｄ［２ｎ−１］が画素電
極３５［２ｍ−１，２ｎ−１］に印加され、画素３３
［２ｍ−１，２ｎ−１］に対する書込みが行われる。

【００８０】また、画素３３［２ｍ−１，２ｎ］におい
ては、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７［２ｍ−１，２
ｎ］、３８［２ｍ−１，２ｎ］＝ＯＮ、Ｐチャネル薄膜
トランジスタ３９［２ｍ−１，２ｎ］＝ＯＦＦとなり、
データ線２９［２ｎ］上の負極性駆動用のデータ信号Ｄ
［２ｎ］が画素電極３５［２ｍ−１，２ｎ］に印加さ
れ、画素３３［２ｍ−１，２ｎ］に対する書込みが行わ
れる。

【００８１】また、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４３
［２ｍ−１］＝ＯＮとなり、クランプ用容量４５［２ｍ
−１］は、クランプ用信号Ｌ１により、コモン電圧Ｖｃ
に対して（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧に充電されると共
に、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４４［２ｍ−１］＝Ｏ
Ｎとなり、クランプ用容量４６［２ｍ−１］は、クラン
プ用信号Ｌ２により、コモン電圧Ｖｃに対して−（Ｖｂ
＋Ｖｗ）／２なる電圧に充電される。

【００８２】次に、ゲート信号Ｇ［２ｍ−１］が接地電
圧とされ、ゲート信号Ｇ［２ｍ］が高電圧ＶＧにされる
と、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４３［２ｍ−１］、４
４［２ｍ−１］＝ＯＦＦとなると共に、画素３３［２ｍ
−１，２ｎ−１］においては、Ｎチャネル薄膜トランジ
スタ３７［２ｍ−１，２ｎ−１］、３８［２ｍ−１，２
ｎ−１］＝ＯＦＦ、Ｐチャネル薄膜トランジスタ３９
［２ｍ−１，２ｎ−１］＝ＯＮとなり、Ｎチャネル薄膜
トランジスタ３７［２ｍ−１，２ｎ−１］、３８［２ｍ
−１，２ｎ−１］の接続点の電位は、コモン電圧Ｖｃに
対して（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧にクランプされる。

【００８３】また、画素３３［２ｍ−１，２ｎ］におい
ては、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７［２ｍ−１，２
ｎ］、３８［２ｍ−１，２ｎ］＝ＯＦＦ、Ｐチャネル薄
膜トランジスタ３９［２ｍ−１，２ｎ］＝ＯＮとなり、
Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７［２ｍ−１，２ｎ］、
３８［２ｍ−１，２ｎ］の接続点の電位は、コモン電圧
Ｖｃに対して−（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧にクランプ
される。

【００８４】また、画素３３［２ｍ，２ｎ−１］におい
ては、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７［２ｍ，２ｎ−
１］、３８［２ｍ，２ｎ−１］＝ＯＮ、Ｐチャネル薄膜
トランジスタ３９［２ｍ，２ｎ−１］＝ＯＦＦとなり、
データ線２９［２ｎ−１］上の負極性駆動用のデータ信
号Ｄ［２ｎ−１］が画素電極３５［２ｍ，２ｎ−１］に
印加され、画素３３［２ｍ，２ｎ−１］に対する書込み
が行われる。

【００８５】また、画素３３［２ｍ，２ｎ］において
は、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７［２ｍ，２ｎ］、
３８［２ｍ，２ｎ］＝ＯＮ、Ｐチャネル薄膜トランジス
タ３９［２ｍ，２ｎ］＝ＯＦＦとなり、データ線２９
［２ｎ］上の正極性駆動用のデータ信号Ｄ［２ｎ］が画
素電極３５［２ｍ，２ｎ］に印加され、画素３３［２
ｍ，２ｎ］に対する書込みが行われる。

【００８６】また、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４３
［２ｍ］＝ＯＮとなり、クランプ用容量４５［２ｍ］
は、クランプ用信号Ｌ１により、コモン電圧Ｖｃに対し
て−（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧に充電されると共に、
Ｎチャネル薄膜トランジスタ４４［２ｍ］＝ＯＮとな
り、クランプ用容量４６［２ｍ］は、クランプ用信号Ｌ
２により、コモン電圧Ｖｃに対して（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２
なる電圧に充電される。

【００８７】次に、ゲート信号Ｇ［２ｍ］が接地電圧と
され、ゲート信号Ｇ［２ｍ＋１］が高電圧ＶＧとされる
と、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４３［２ｍ］、４４
［２ｍ］＝ＯＦＦとなると共に、画素３３［２ｍ，２ｎ
−１］においては、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７
［２ｍ，２ｎ−１］、３８［２ｍ，２ｎ−１］＝ＯＦ
Ｆ、Ｐチャネル薄膜トランジスタ３９［２ｍ，２ｎ−
１］＝ＯＮとなり、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７
［２ｍ，２ｎ−１］、３８［２ｍ，２ｎ−１］の接続点
の電位は、コモン電圧Ｖｃに対して−（Ｖｂ＋Ｖｗ）／
２なる電圧にクランプされる。

【００８８】また、画素３３［２ｍ，２ｎ］において
は、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７［２ｍ，２ｎ］、
３８［２ｍ，２ｎ］＝ＯＦＦ、Ｐチャネル薄膜トランジ
スタ３９［２ｍ，２ｎ］＝ＯＮとなり、Ｎチャネル薄膜
トランジスタ３７［２ｍ，２ｎ］、３８［２ｍ，２ｎ］
の接続点の電位は、コモン電圧Ｖｃに対して（Ｖｂ＋Ｖ
ｗ）／２なる電圧にクランプされる。

【００８９】これに対して、偶数ラインの場合におい
て、奇数ラインの画素に対するデータ電圧の書込みが行
われる場合には、奇数番目のデータ線２９［１］〜２９
［２Ｘ−１］には、黒表示電圧及び白表示電圧をそれぞ
れコモン電圧Ｖｃに対して−Ｖｂ及び−Ｖｗとする負極
性駆動用のデータ信号Ｄ［１］〜Ｄ［２Ｘ−１］がデー
タドライバから出力され、偶数番目のデータ線の２９
［２］〜２９［２Ｘ］には、黒表示電圧及び白表示電圧
をそれぞれコモン電圧Ｖｃに対してＶｂ及びＶｗとする
正極性駆動用のデータ信号Ｄ［２］〜Ｄ［２Ｘ］が出力
される。

【００９０】また、偶数ラインの画素に対するデータ電
圧の書込みが行われる場合には、奇数番目のデータ線２
９［１］〜２９［２Ｘ−１］には、黒表示電圧及び白表
示電圧をそれぞれコモン電圧Ｖｃに対してＶｂ及びＶｗ
とする正極性駆動用のデータ信号Ｄ［１］〜Ｄ［２Ｘ−
１］がデータドライバから出力され、偶数番目のデータ
線の２９［２］〜２９［２Ｘ］には、黒表示電圧及び白
表示電圧をそれぞれコモン電圧Ｖｃに対して−Ｖｂ及び
−Ｖｗとする負極性駆動用のデータ信号Ｄ［２］〜Ｄ
［２Ｘ］が出力される。

【００９１】また、奇数ラインの画素に対するデータ電
圧の書込みが行われる場合には、クランプ用信号Ｌ１
は、コモン電圧Ｖｃに対して−（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる
電圧、クランプ用信号Ｌ２は、コモン電圧Ｖｃに対して
（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧とされ、偶数ラインの画素
に対するデータ電圧の書込みが行われる場合には、クラ
ンプ用信号Ｌ１は、コモン電圧Ｖｃに対して（Ｖｂ＋Ｖ
ｗ）／２なる電圧、クランプ用信号Ｌ２は、コモン電圧
Ｖｃに対して−（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧とされる。

【００９２】この結果、奇数ラインのクランプ用容量４
５［１］〜４５［２Ｙ−１］は、奇数ラインのゲート信
号Ｇ［１］〜Ｇ［２Ｙ−１］が順に高電位ＶＧになるの
に同期して順にコモン電圧Ｖｃに対して−（Ｖｂ＋Ｖ
ｗ）／２なる電圧に充電されると共に、偶数ラインのク
ランプ用容量４５［２］〜４５［２Ｙ］は、ゲート信号
Ｇ［２］〜Ｇ［２Ｙ］が順に高電位ＶＧになるのに同期
して順にコモン電圧Ｖｃに対して（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２な
る電圧に充電される。

【００９３】また、奇数ラインのクランプ用容量４６
［１］〜４６［２Ｙ−１］は、奇数ラインのゲート信号
Ｇ［１］〜Ｇ［２Ｙ−１］が順に高電位ＶＧになるのに
同期して順にコモン電圧Ｖｃに対して（Ｖｂ＋Ｖｗ）／
２なる電圧に充電されると共に、偶数ラインのクランプ
用容量４６［２］〜４６［２Ｙ］は、ゲート信号Ｇ
［２］〜Ｇ［２Ｙ］が順に高電位ＶＧになるのに同期し
て順にコモン電圧Ｖｃに対して−（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２な
る電圧に充電される。

【００９４】ここに、たとえば、ゲート信号Ｇ［２ｍ−
１］が高電圧ＶＧとされると、画素３３［２ｍ−１，２
ｎ−１］においては、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７
［２ｍ−１，２ｎ−１］、３８［２ｍ−１，２ｎ−１］
＝ＯＮ、Ｐチャネル薄膜トランジスタ３９［２ｍ−１，
２ｎ−１］＝ＯＦＦとなり、データ線２９［２ｎ−１］
上の負極性駆動用のデータ信号Ｄ［２ｎ−１］が画素電
極３５［２ｍ−１，２ｎ−１］に印加され、画素３３
［２ｍ−１，２ｎ−１］に対する書込みが行われる。

【００９５】また、画素３３［２ｍ−１，２ｎ］におい
ては、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７［２ｍ−１，２
ｎ］、３８［２ｍ−１，２ｎ］＝ＯＮ、Ｐチャネル薄膜
トランジスタ３９［２ｍ−１，２ｎ］＝ＯＦＦとなり、
データ線２９［２ｎ］上の正極性駆動用のデータ信号Ｄ
［２ｎ］が画素電極３５［２ｍ−１，２ｎ］に印加さ
れ、画素３３［２ｍ−１，２ｎ］に対する書込みが行わ
れる。

【００９６】また、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４３
［２ｍ−１］＝ＯＮとなり、クランプ用容量４５［２ｍ
−１］は、クランプ用信号Ｌ１により、コモン電圧Ｖｃ
に対して−（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧に充電されると
共に、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４４［２ｍ−１］＝
ＯＮとなり、クランプ用容量４６［２ｍ−１］は、クラ
ンプ用信号Ｌ２により、コモン電圧Ｖｃに対して（Ｖｂ
＋Ｖｗ）／２なる電圧に充電される。

【００９７】次に、ゲート信号Ｇ［２ｍ−１］が接地電
圧とされ、ゲート信号Ｇ［２ｍ］が高電圧ＶＧにされる
と、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４３［２ｍ−１］、４
４［２ｍ−１］＝ＯＦＦとなると共に、画素３３［２ｍ
−１，２ｎ−１］においては、Ｎチャネル薄膜トランジ
スタ３７［２ｍ−１，２ｎ−１］、３８［２ｍ−１，２
ｎ−１］＝ＯＦＦ、Ｐチャネル薄膜トランジスタ３９
［２ｍ−１，２ｎ−１］＝ＯＮとなり、Ｎチャネル薄膜
トランジスタ３７［２ｍ−１，２ｎ−１］、３８［２ｍ
−１，２ｎ−１］の接続点の電位は、コモン電圧Ｖｃに
対して−（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧にクランプされ
る。

【００９８】また、画素３３［２ｍ−１，２ｎ］におい
ては、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７［２ｍ−１，２
ｎ］、３８［２ｍ−１，２ｎ］＝ＯＦＦ、Ｐチャネル薄
膜トランジスタ３９［２ｍ−１，２ｎ］＝ＯＮとなり、
Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７［２ｍ−１，２ｎ］、
３８［２ｍ−１，２ｎ］の接続点の電位は、コモン電圧
Ｖｃに対して（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧にクランプさ
れる。

【００９９】また、画素３３［２ｍ，２ｎ−１］におい
ては、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７［２ｍ，２ｎ−
１］、３８［２ｍ，２ｎ−１］＝ＯＮ、Ｐチャネル薄膜
トランジスタ３９［２ｍ，２ｎ−１］＝ＯＦＦとなり、
データ線２９［２ｎ−１］上の正極性駆動用のデータ信
号Ｄ［２ｎ−１］が画素電極３５［２ｍ，２ｎ−１］に
印加され、画素３３［２ｍ，２ｎ−１］に対する書込み
が行われる。

【０１００】また、画素３３［２ｍ，２ｎ］において
は、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７［２ｍ，２ｎ］、
３８［２ｍ，２ｎ］＝ＯＮ、Ｐチャネル薄膜トランジス
タ３９［２ｍ，２ｎ］＝ＯＦＦとなり、データ線２９
［２ｎ］上の負極性駆動用のデータ信号Ｄ［２ｎ］が画
素電極３５［２ｍ，２ｎ］に印加され、画素３３［２
ｍ，２ｎ］に対する書込みが行われる。

【０１０１】また、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４３
［２ｍ］＝ＯＮとなり、クランプ用容量４５［２ｍ］
は、クランプ用信号Ｌ１により、コモン電圧Ｖｃに対し
て（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧に充電されると共に、Ｎ
チャネル薄膜トランジスタ４４［２ｍ］＝ＯＮとなり、
クランプ用容量４６［２ｍ］は、クランプ用信号Ｌ２に
より、コモン電圧Ｖｃに対して−（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２な
る電圧に充電される。

【０１０２】次に、ゲート信号Ｇ［２ｍ］が接地電圧と
され、ゲート信号Ｇ［２ｍ＋１］が高電圧ＶＧとされる
と、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４３［２ｍ］、４４
［２ｍ］＝ＯＦＦとなると共に、画素３３［２ｍ，２ｎ
−１］においては、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７
［２ｍ，２ｎ−１］、３８［２ｍ，２ｎ−１］＝ＯＦ
Ｆ、Ｐチャネル薄膜トランジスタ３９［２ｍ，２ｎ−
１］＝ＯＮとなり、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７
［２ｍ，２ｎ−１］、３８［２ｍ，２ｎ−１］の接続点
の電位は、コモン電圧Ｖｃに対して（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２
なる電圧にクランプされる。

【０１０３】また、画素３３［２ｍ，２ｎ］において
は、Ｎチャネル薄膜トランジスタ３７［２ｍ，２ｎ］、
３８［２ｍ，２ｎ］＝ＯＦＦ、Ｐチャネル薄膜トランジ
スタ３９［２ｍ，２ｎ］＝ＯＮとなり、Ｎチャネル薄膜
トランジスタ３７［２ｍ，２ｎ］、３８［２ｍ，２ｎ］
の接続点の電位は、コモン電圧Ｖｃに対して−（Ｖｂ＋
Ｖｗ）／２なる電圧にクランプされる。

【０１０４】このように、本発明の第１実施形態の駆動
方法の他の例によれば、奇数番目のデータ線と偶数番目
のデータ線とを異なる極性で、かつ、ラインごとに極性
を反転することにより、同一ラインの奇数番目の画素と
偶数番目の画素とを異なる極性で駆動するようにして
も、奇数番目の画素のデータ電圧書込み用の２個のＮチ
ャネル薄膜トランジスタの接続部と画素電極との電位差
を小さくすることができると共に、偶数番目の画素のデ
ータ電圧書込みの２個のＮチャネル薄膜トランジスタの
接続部と画素電極との電位差を小さくすることができ
る。

【０１０５】したがって、本発明の第１実施形態によれ
ば、奇数番目のデータ線と偶数番目のデータ線とを異な
る極性で、かつ、フレームごとに極性を反転するように
駆動する場合であっても、あるいは、ラインごとに極性
を反転するように駆動する場合であっても、データ線と
画素電極との間に接続されているデータ電圧書込み用の
２個のＮチャネル薄膜トランジスタのオフ電流を小さく
して、画素電極の電位変動を抑え、歩留りの向上を図る
ことができると共に、フリッカの発生を抑え、高品質の
画像を表示することができる。

【０１０６】第２実施形態・・図４〜図６ 図４は本発明の第２実施形態の一部分を示す回路図であ
る。図４中、４８［２ｍ−１，２ｎ−１］は画素電極３
５［２ｍ−１，２ｎ−１］とクランプ用配線３２［２ｍ
−１］との間に形成された補助容量、４８［２ｍ−１，
２ｎ］は画素電極３５［２ｍ−１，２ｎ］とクランプ用
配線３１［２ｍ−１］との間に形成された補助容量、４
８［２ｍ，２ｎ−１］は画素電極３５［２ｍ，２ｎ−
１］とクランプ用配線３２［２ｍ］との間に形成された
補助容量、４８［２ｍ，２ｎ］は画素電極３５［２ｍ，
２ｎ］とクランプ用配線３１［２ｍ］との間に形成され
た補助容量である。

【０１０７】また、４９はクランプ用信号Ｌ３が印加さ
れるクランプ用共通配線、５０はクランプ用信号Ｌ４が
印加されるクランプ用共通配線であり、クランプ用配線
３１［２ｍ−１］は、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４３
［２ｍ−１］を介してクランプ用共通配線４１に接続さ
れ、クランプ用配線３２［２ｍ−１］は、Ｎチャネル薄
膜トランジスタ４４［２ｍ−１］を介してクランプ用共
通配線４２に接続され、クランプ用配線３１［２ｍ］
は、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４３［２ｍ］を介して
クランプ用共通配線４９に接続され、クランプ用配線３
２［２ｍ］は、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４４［２
ｍ］を介してクランプ用共通配線５０に接続されてい
る。

【０１０８】すなわち、本発明の第２実施形態において
は、クランプ用共通配線４１、４２のほかに、クランプ
用信号Ｌ３を供給するためのクランプ用共通配線４９
と、クランプ用信号Ｌ４を供給するためのクランプ用共
通配線とが設けられ、奇数ラインのクランプ用配線３１
［１］〜３１［２Ｙ−１］は、Ｎチャネル薄膜トランジ
スタ４３［２ｍ−１］を介してクランプ用共通配線４１
に接続され、クランプ用配線３２［１］〜３２［２Ｙ−
１］は、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４４［２ｍ−１］
を介してクランプ用共通配線４２に接続され、偶数ライ
ンのクランプ用配線３１［２］〜３１［２Ｙ］は、Ｎチ
ャネル薄膜トランジスタ４３［２ｍ］を介してクランプ
用共通配線４９に接続され、クランプ用配線３２［２］
〜３２［２Ｙ］は、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４４
［２ｍ］を介してクランプ用共通配線５０に接続されて
いる。

【０１０９】また、奇数ラインの奇数番目の画素には、
その画素電極とクランプ用信号Ｌ２が供給されるクラン
プ用配線との間に補助容量が設けられ、奇数ラインの偶
数番目の画素には、その画素電極とクランプ用信号Ｌ１
が供給されるクランプ用配線との間に補助容量が設けら
れ、偶数ラインの奇数番目の画素には、その画素電極と
クランプ用信号Ｌ４が供給されるクランプ用配線との間
に補助容量が設けられ、偶数ラインの偶数番目の画素に
は、その画素電極とクランプ用信号Ｌ３が供給されるク
ランプ用配線との間に補助容量が設けられている。その
他については、図１に示す本発明の第１実施形態と同様
に構成されている。

【０１１０】図５は本発明の第２実施形態の駆動方法の
一例を示す波形図であり、図５Ａはゲートドライバから
ゲート線３０［１］、３０［２］、３０［２Ｙ］に出力
されるゲート信号Ｇ［１］、Ｇ［２］、Ｇ［２Ｙ］、図
５Ｂはデータドライバから奇数番目のデータ線２９
［１］〜２９［２Ｘ−１］に出力されるデータ信号Ｄ
［１］〜Ｄ［２Ｘ−１］及びデータドライバから偶数番
目のデータ線２９［２］〜２９［２Ｘ］に出力されるデ
ータ信号Ｄ［２］〜Ｄ［２Ｘ］、図５Ｃはクランプ用信
号Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、図５Ｄはクランプ用配線３
１［１］、３２［１］の電位Ｊ１［１］、Ｊ２［１］及
びクランプ用配線３１［２Ｙ］、３２［２Ｙ］の電位Ｊ
１［２Ｙ］、Ｊ２［２Ｙ］を示している。

【０１１１】すなわち、本発明の第２実施形態の駆動方
法の一例は、奇数フレームでは、奇数番目のデータ線２
９［１］〜２９［２Ｘ−１］を正極性駆動、偶数番目の
データ線２９［２］〜２９［２Ｘ］を負極性駆動し、偶
数フレームにおいては、奇数番目のデータ線２９［１］
〜２９［２Ｘ−１］を負極性駆動、偶数番目のデータ線
２９［２］〜２９［２Ｘ］を正極性駆動するというもの
である。

【０１１２】ここに、本発明の第２実施形態の駆動方法
の一例においては、クランプ用信号Ｌ３をクランプ用信
号Ｌ１と同相とし、クランプ用信号Ｌ４をクランプ用信
号Ｌ２と同相としているので、データ信号の画素に対す
る書込みについては、本発明の第１実施形態の駆動方法
の一例により本発明の第１実施形態を駆動する場合と同
様に、本発明の第２実施形態を駆動することができる。

【０１１３】したがって、奇数番目のデータ線と偶数番
目のデータ線とを異なる極性で、かつ、フレームごとに
極性を反転することにより、同一ラインの奇数番目の画
素と偶数番目の画素とを異なる極性で駆動するようにし
ても、奇数番目の画素のデータ電圧書込み用の２個のＮ
チャネル薄膜トランジスタの接続部と画素電極との電位
差を小さくすることができると共に、偶数番目の画素の
データ電圧書込みの２個のＮチャネル薄膜トランジスタ
の接続部と画素電極との電位差を小さくすることができ
る。

【０１１４】また、奇数フレームにおいて、画素３３
［２ｍ−１，２ｎ−１］が正極性駆動される場合には、
画素電極３５［２ｍ−１，２ｎ−１］には正極性駆動用
のデータ信号Ｄ［２ｎ−１］が印加されると共に、クラ
ンプ用配線３２［２ｍ−１］は−（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２と
され、補助容量４８［２ｍ−１，２ｎ−１］の電極間の
電圧差は、液晶容量３４［２ｍ−１，２ｎ−１］の電極
間の電圧差よりも大きくなるので、画素３３［２ｍ−
１，２ｎ−１］の正極性駆動時の電荷保持特性を向上さ
せることができる。

【０１１５】また、画素３３［２ｍ−１，２ｎ］が負極
性駆動される場合には、画素電極３５［２ｍ−１，２
ｎ］には負極性駆動用のデータ信号Ｄ［２ｎ］が印加さ
れると共に、クランプ用配線３１［２ｍ−１］は、コモ
ン電圧Ｖｃに対して（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧とさ
れ、補助容量４８［２ｍ−１，２ｎ］の電極間の電圧差
は、液晶容量３４［２ｍ−１，２ｎ］の電極間の電圧差
よりも大きくなるので、画素３３［２ｍ−１，２ｎ］の
負極性駆動時の電荷保持特性を向上させることができ
る。

【０１１６】また、画素３３［２ｍ，２ｎ−１］が正極
性駆動される場合には、画素電極３５［２ｍ，２ｎ−
１］には正極性駆動用のデータ信号Ｄ［２ｎ］が印加さ
れると共に、クランプ用配線３２［２ｍ］は、コモン電
圧Ｖｃに対して−（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２とされ、補助容量
４８［２ｍ，２ｎ−１］の電極間の電圧差は、液晶容量
３４［２ｍ，２ｎ−１］の電極間の電圧差よりも大きく
なるので、画素３３［２ｍ，２ｎ−１］の正極性駆動時
の電荷保持特性を向上させることができる。

【０１１７】また、画素３３［２ｍ，２ｎ］が負極性駆
動される場合には、画素電極３５［２ｍ，２ｎ］には負
極性駆動用のデータ信号Ｄ［２ｎ］が印加されると共
に、クランプ用配線３１［２ｍ］は、コモン電圧Ｖｃに
対して（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧とされ、補助容量４
８［２ｍ，２ｎ］の電極間の電圧差は、液晶容量３４
［２ｍ，２ｎ］の電極間の電圧差よりも大きくなるの
で、画素３３［２ｍ，２ｎ］の負極性駆動時の電荷保持
特性を向上させることができる。

【０１１８】また、偶数フレームにおいて、画素３３
［２ｍ−１，２ｎ−１］が負極性駆動される場合には、
画素電極３５［２ｍ−１，２ｎ−１］には負極性駆動用
のデータ信号Ｄ［２ｎ−１］が印加されると共に、クラ
ンプ用配線３２［２ｍ−１］は、コモン電圧Ｖｃに対し
て（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧とされ、補助容量４８
［２ｍ−１，２ｎ−１］の電極間の電圧差は、液晶容量
３４［２ｍ−１，２ｎ−１］の電極間の電圧差よりも大
きくなるので、画素３３［２ｍ−１，２ｎ−１］の負極
性駆動時の電荷保持特性を向上させることができる。

【０１１９】また、画素３３［２ｍ−１，２ｎ］が正極
性駆動される場合には、画素電極３５［２ｍ−１，２
ｎ］には正極性駆動用のデータ信号Ｄ［２ｎ］が印加さ
れると共に、クランプ用配線３１［２ｍ−１］は、コモ
ン電圧Ｖｃに対して−（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧とさ
れ、補助容量４８［２ｍ−１，２ｎ］の電極間の電圧差
は、液晶容量３４［２ｍ−１，２ｎ］の電極間の電圧差
よりも大きくなるので、画素３３［２ｍ−１，２ｎ］の
正極性駆動時の電荷保持特性を向上させることができ
る。

【０１２０】また、画素３３［２ｍ，２ｎ−１］が負極
性駆動される場合には、画素電極３５［２ｍ，２ｎ−
１］には負極性駆動用のデータ信号Ｄ［２ｎ−１］が印
加されると共に、クランプ用配線３２［２ｍ］は、コモ
ン電圧Ｖｃに対して（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧とさ
れ、補助容量４８［２ｍ，２ｎ−１］の電極間の電圧差
は、液晶容量３４［２ｍ，２ｎ−１］の電極間の電圧差
よりも大きくなるので、画素３３［２ｍ，２ｎ−１］の
負極性駆動時の電荷保持特性を向上させることができ
る。

【０１２１】また、画素３３［２ｍ，２ｎ］が正極性駆
動される場合には、画素電極３５［２ｍ，２ｎ］には負
極性駆動用のデータ信号Ｄ［２ｎ］が印加されると共
に、クランプ用配線３１［２ｍ，２ｎ］は、コモン電圧
Ｖｃに対して−（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧とされ、補
助容量４８［２ｍ，２ｎ］の電極間の電圧差は、液晶容
量３４［２ｍ，２ｎ］の電極間の電圧差よりも大きくな
るので、画素３３［２ｍ，２ｎ］の正極性駆動時の電荷
保持特性を向上させることができる。

【０１２２】図６は本発明の第２実施形態の駆動方法の
他の例を示す波形図であり、図６Ａはゲートドライバか
らゲート線３０［１］、３０［２］、３０［２Ｙ］に出
力されるゲート信号Ｇ［１］、Ｇ［２］、Ｇ［２Ｙ］、
図６Ｂはデータドライバから奇数番目のデータ線２９
［１］〜２９［２Ｘ−１］に出力されるデータ信号Ｄ
［１］〜Ｄ［２Ｘ−１］及びデータドライバから偶数番
目のデータ線２９［２］〜２９［２Ｘ］に出力されるデ
ータ信号Ｄ［２］〜Ｄ［２Ｘ］、図６Ｃはクランプ用信
号Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、図６Ｄはクランプ用配線３
１［１］、３２［１］の電位Ｊ１［１］、Ｊ２［１］及
びクランプ用配線３１［２Ｙ］、３２［２Ｙ］の電位Ｊ
１［２Ｙ］、Ｊ２［２Ｙ］を示している。

【０１２３】すなわち、本発明の第２実施形態の駆動方
法の他の例は、奇数フレームでは、奇数ラインの奇数番
目のデータ線２９［１］〜２９［２Ｘ−１］を正極性駆
動、奇数ラインの偶数番目のデータ線２９［２］〜２９
［２Ｘ］を負極性駆動、偶数ラインの奇数番目のデータ
線２９［１］〜２９［２Ｘ−１］を負極性駆動、偶数ラ
インの偶数番目のデータ線２９［２］〜２９［２Ｘ］を
正極性駆動し、偶数フレームでは、奇数ラインの奇数番
目のデータ線２９［１］〜２９［２Ｘ−１］を負極性駆
動、奇数ラインの偶数番目のデータ線２９［２］〜２９
［２Ｘ］を正極性駆動、偶数ラインの奇数番目のデータ
線２９［１］〜２９［２Ｘ−１］を正極性駆動、偶数ラ
インの偶数番目のデータ線２９［２］〜２９［２Ｘ］を
負極性駆動するというものである。

【０１２４】本発明の第２実施形態の駆動方法の他の例
においては、クランプ用信号Ｌ４をクランプ用信号Ｌ１
と同相とし、クランプ用信号Ｌ３をクランプ用信号Ｌ２
と同相としているので、データ信号の画素に対する書込
みについては、本発明の第１実施形態の駆動方法の他の
例により本発明の第１実施形態を駆動する場合と同様
に、本発明の第２実施形態を駆動することができる。

【０１２５】したがって、奇数番目のデータ線と偶数番
目のデータ線とを異なる極性で、かつ、ラインごとに極
性を反転することにより、同一ラインの奇数番目の画素
と偶数番目の画素とを異なる極性で駆動するようにして
も、奇数番目の画素のデータ電圧書込み用の２個のＮチ
ャネル薄膜トランジスタの接続部と画素電極との電位差
を小さくすることができると共に、偶数番目の画素のデ
ータ電圧書込みの２個のＮチャネル薄膜トランジスタの
接続部と画素電極との電位差を小さくすることができ
る。

【０１２６】また、奇数フレームにおいて、画素３３
［２ｍ−１，２ｎ−１］が正極性駆動される場合には、
画素電極３５［２ｍ−１，２ｎ−１］には正極性駆動用
のデータ信号Ｄ［２ｎ−１］が印加されると共に、クラ
ンプ用配線３２［２ｍ−１］は、コモン電圧Ｖｃに対し
て−（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧とされ、補助容量４８
［２ｍ−１，２ｎ−１］の電極間の電圧差は、液晶容量
３４［２ｍ−１，２ｎ−１］の電極間の電圧差よりも大
きくなるので、画素３３［２ｍ−１，２ｎ−１］の正極
性駆動時の電荷保持特性を向上させることができる。

【０１２７】また、画素３３［２ｍ−１，２ｎ］が負極
性駆動される場合には、画素電極３５［２ｍ−１，２
ｎ］には負極性駆動用のデータ信号Ｄ［２ｎ］が印加さ
れると共に、クランプ用配線３１［２ｍ−１］は、コモ
ン電圧Ｖｃに対して（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧とさ
れ、補助容量４８［２ｍ−１，２ｎ］の電極間の電圧差
は、液晶容量３４［２ｍ−１，２ｎ］の電極間の電圧差
よりも大きくなるので、画素３３［２ｍ−１，２ｎ］の
負極性駆動時の電荷保持特性を向上させることができ
る。

【０１２８】また、画素３３［２ｍ，２ｎ−１］が負極
性駆動される場合には、画素電極３５［２ｍ，２ｎ−
１］には負極性駆動用のデータ信号Ｄ［２ｎ−１］が印
加されると共に、クランプ用配線３２［２ｍ］は、コモ
ン電圧Ｖｃに対して（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧とさ
れ、補助容量４８［２ｍ，２ｎ−１］の電極間の電圧差
は、液晶容量３４［２ｍ，２ｎ−１］の電極間の電圧差
よりも大きくなるので、画素３３［２ｍ，２ｎ−１］の
負極性駆動時の電荷保持特性を向上させることができ
る。

【０１２９】また、画素３３［２ｍ，２ｎ］が正極性駆
動される場合には、画素電極３５［２ｍ，２ｎ］には正
極性駆動用のデータ信号Ｄ［２ｎ］が印加されると共
に、クランプ用配線３１［２ｍ］は、コモン電圧Ｖｃに
対して−（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧とされ、補助容量
４８［２ｍ，２ｎ］の電極間の電圧差は、液晶容量３４
［２ｍ，２ｎ］の電極間の電圧差よりも大きくなるの
で、画素３３［２ｍ，２ｎ］の正極性駆動時の電荷保持
特性を向上させることができる。

【０１３０】また、偶数フレームにおいて、画素３３
［２ｍ−１，２ｎ−１］が負極性駆動される場合には、
画素電極３５［２ｍ−１，２ｎ−１］には負極性駆動用
のデータ信号Ｄ［２ｎ−１］が印加されると共に、クラ
ンプ用配線３２［２ｍ−１］は、コモン電圧Ｖｃに対し
て（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧とされ、補助容量４８
［２ｍ−１，２ｎ−１］の電極間の電圧差は、液晶容量
３４［２ｍ−１，２ｎ−１］の電極間の電圧差よりも大
きくなるので、画素３３［２ｍ−１，２ｎ−１］の負極
性駆動時の電荷保持特性を向上させることができる。

【０１３１】また、画素３３［２ｍ−１，２ｎ］が正極
性駆動される場合には、画素電極３５［２ｍ−１，２
ｎ］には正極性駆動用のデータ信号Ｄ［２ｎ］が印加さ
れると共に、クランプ用配線３１［２ｍ−１］は、コモ
ン電圧Ｖｃに対して−（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧とさ
れ、補助容量４８［２ｍ−１，２ｎ］の電極間の電圧差
は、液晶容量３４［２ｍ−１，２ｎ］の電極間の電圧差
よりも大きくなるので、画素３３［２ｍ−１，２ｎ］の
正極性駆動時の電荷保持特性を向上させることができ
る。

【０１３２】また、画素３３［２ｍ，２ｎ−１］が正極
性駆動される場合には、画素電極３５［２ｍ，２ｎ−
１］には正極性駆動用のデータ信号Ｄ［２ｎ−１］が印
加されると共に、クランプ用配線３２［２ｍ］は、コモ
ン電圧Ｖｃに対して−（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧とさ
れ、補助容量４８［２ｍ，２ｎ−１］の電極間の電圧差
は、液晶容量３４［２ｍ，２ｎ−１］の電極間の電圧差
よりも大きくなるので、画素３３［２ｍ，２ｎ−１］の
正極性駆動時の電荷保持特性を向上させることができ
る。

【０１３３】また、画素３３［２ｍ，２ｎ］が負極性駆
動される場合には、画素電極３５［２ｍ，２ｎ］には負
極性駆動用のデータ信号Ｄ［２ｎ］が印加されると共
に、クランプ用配線３１［２ｍ］は、コモン電圧Ｖｃに
対して（Ｖｂ＋Ｖｗ）／２なる電圧とされ、補助容量４
８［２ｍ，２ｎ］の電極間の電圧差は、液晶容量３４
［２ｍ，２ｎ］の電極間の電圧差よりも大きくなるの
で、画素３３［２ｍ，２ｎ］の負極性駆動時の電荷保持
特性を向上させることができる。

【０１３４】このように、本発明の第２実施形態によれ
ば、奇数番目のデータ線と偶数番目のデータ線とを異な
る極性で、かつ、フレームごとに極性を反転するように
駆動する場合であっても、あるいは、ラインごとに極性
を反転するように駆動する場合であっても、データ線と
画素電極との間に接続されているデータ電圧書込み用の
２個のＮチャネル薄膜トランジスタのオフ電流を小さく
し、画素電極の電位変動を抑え、歩留りの向上を図るこ
とができると共に、フリッカの発生を抑え、高品質の画
像を表示することができ、しかも、画素の電荷保持特性
の向上を図ることができる。

【０１３５】第３実施形態・・図７、図８ 図７は本発明の第３実施形態の一部分を示す回路図であ
り、図７においては、クランプ用配線３１［２ｍ］は、
Ｎチャネル薄膜トランジスタ４３［２ｍ］を介してクラ
ンプ用共通配線４２に接続され、クランプ用配線３２
［２ｍ］は、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４４［２ｍ］
を介してクランプ用共通配線４１に接続されている。

【０１３６】すなわち、本発明の第３実施形態において
は、奇数ラインのクランプ用配線３１［１］〜３１［２
Ｙ−１］は、それぞれ、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４
３［１］〜４３［２Ｙ−１］を介してクランプ用共通配
線４１に接続され、奇数ラインのクランプ用配線３２
［１］〜３２［２Ｙ−１］は、それぞれ、Ｎチャネル薄
膜トランジスタ４４［１］〜４４［２Ｙ−１］を介して
クランプ用共通配線４２に接続され、偶数ラインのクラ
ンプ用配線３１［２］〜３１［２Ｙ］は、それぞれ、Ｎ
チャネル薄膜トランジスタ４３［２］〜４３［２Ｙ］を
介してクランプ用共通配線４２に接続され、偶数ライン
のクランプ用配線３２［２］〜３２［２Ｙ］は、それぞ
れ、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４４［２］〜４４［２
Ｙ］を介してクランプ用共通配線４１に接続されてい
る。

【０１３７】また、画素電極３５［２ｍ−１，２ｎ−
１］とクランプ用配線３２［２ｍ−１］との間には補助
容量４８［２ｍ−１，２ｎ−１］が形成され、画素電極
３５［２ｍ−１，２ｎ］とクランプ用配線３１［２ｍ−
１］との間には補助容量４８［２ｍ−１，２ｎ］が形成
され、画素電極３５［２ｍ，２ｎ−１］とクランプ用配
線３２［２ｍ］との間には補助容量４８［２ｍ，２ｎ−
１］が形成され、画素電極３５［２ｍ，２ｎ］とクラン
プ用配線３１［２ｍ］との間には補助容量４８［２ｍ，
２ｎ］が形成されている。

【０１３８】すなわち、本発明の第３実施形態において
は、奇数ラインの奇数番目の画素には、その画素電極と
クランプ用信号Ｌ２が供給されるクランプ用配線との間
に補助容量が設けられ、奇数ラインの偶数番目の画素に
は、その画素電極とクランプ用信号Ｌ１が供給されるク
ランプ用配線との間に補助容量が設けられ、偶数ライン
の奇数番目の画素には、その画素電極とクランプ用信号
Ｌ１が供給されるクランプ用配線との間に補助容量が設
けられ、偶数ラインの偶数番目の画素には、その画素電
極とクランプ用信号Ｌ２が供給されるクランプ用配線と
の間に補助容量が設けられている。その他については、
図１に示す本発明の第１実施形態と同様に構成されてい
る。

【０１３９】図８は本発明の第３実施形態の駆動方法を
示す波形図であり、図８Ａはゲートドライバからゲート
線３０［１］、３０［２］、３０［２Ｙ］に出力される
ゲート信号Ｇ［１］、Ｇ［２］、Ｇ［２Ｙ］、図８Ｂは
データドライバから奇数番目のデータ線２９［１］〜２
９［２Ｘ−１］に出力されるデータ信号Ｄ［１］〜Ｄ
［２Ｘ−１］及びデータドライバから偶数番目のデータ
線２９［２］〜２９［２Ｘ］に出力されるデータ信号Ｄ
［２］〜Ｄ［２Ｘ］、図８Ｃはクランプ用信号Ｌ１、Ｌ
２、図８Ｄはクランプ用配線３１［１］、３２［１］の
電位Ｊ１［１］、Ｊ２［１］及びクランプ用配線３１
［２Ｙ］、３２［２Ｙ］の電位Ｊ１［２Ｙ］、Ｊ２［２
Ｙ］を示している。

【０１４０】すなわち、本発明の第３実施形態の駆動方
法は、奇数フレームでは、奇数ラインの奇数番目のデー
タ線２９［１］〜２９［２Ｘ−１］を正極性駆動、奇数
ラインの偶数番目のデータ線２９［２］〜２９［２Ｘ］
を負極性駆動、偶数ラインの奇数番目のデータ線２９
［１］〜２９［２Ｘ−１］を負極性駆動、偶数ラインの
偶数番目のデータ線２９［２］〜２９［２Ｘ］を正極性
駆動し、偶数フレームでは、奇数ラインの奇数番目のデ
ータ線２９［１］〜２９［２Ｘ−１］を負極性駆動、奇
数ラインの偶数番目のデータ線２９［２］〜２９［２
Ｘ］を正極性駆動、偶数ラインの奇数番目のデータ線２
９［１］〜２９［２Ｘ−１］を正極性駆動、偶数ライン
の偶数番目のデータ線２９［２］〜２９［２Ｘ］を負極
性駆動するというものである。

【０１４１】ここに、本発明の第３実施形態において
は、奇数ラインのクランプ用配線３１［１］〜３１［２
Ｙ−１］及びクランプ用配線３２［１］〜３２［２Ｙ−
１］をそれぞれクランプ用共通配線４１及びクランプ用
共通配線４２に接続し、偶数ラインのクランプ用配線３
１［２］〜３１［２Ｙ］及びクランプ用配線３２［２］
〜３２［２Ｙ］をそれぞれクランプ用共通配線４２及び
クランプ用共通配線４１に接続するとしているので、本
発明の第３実施形態の駆動方法によれば、データ電圧の
書込みについては、本発明の第２実施形態の駆動方法の
他の例により本発明の第２実施形態を駆動する場合と同
様に、本発明の第３実施形態を駆動することができる。

【０１４２】また、本発明の第３実施形態においては、
奇数ラインの奇数番目の画素に、その画素電極とクラン
プ用信号Ｌ２が供給されるクランプ用配線との間に補助
容量を設け、奇数ラインの偶数番目の画素に、その画素
電極とクランプ用信号Ｌ１が供給されるクランプ用配線
との間に補助容量を設け、偶数ラインの奇数番目の画素
に、その画素電極とクランプ用信号Ｌ１が供給されるク
ランプ用配線との間に補助容量を設け、偶数ラインの偶
数番目の画素に、その画素電極とクランプ用信号Ｌ２が
供給されるクランプ用配線との間に補助容量を設けてい
るので、本発明の第２実施形態と同様に、画素の電荷保
持特性を向上させることができる。

【０１４３】すなわち、本発明の第３実施形態によれ
ば、奇数番目のデータ線と偶数番目のデータ線とを異な
る極性で、かつ、ラインごとに極性を反転するように駆
動する場合には、データ線と画素電極との間に接続され
ているデータ電圧書込み用の２個のＮチャネル薄膜トラ
ンジスタのオフ電流を小さくし、画素電極の電位変動を
抑え、歩留りの向上を図ることができると共に、フリッ
カの発生を抑え、高品質の画像を表示することができ、
しかも、画素の電荷保持特性の向上を図ることができ
る。

【０１４４】第４実施形態・・図９、図１０ 図９は本発明の第４実施形態の一部分を示す回路図であ
り、図９においては、Ｐチャネル薄膜トランジスタ３９
［２ｍ，２ｎ−１］のソースは、クランプ用配線３２
［２ｍ］に接続され、Ｐチャネル薄膜トランジスタ３９
［２ｍ，２ｎ］のソースは、クランプ用配線３１［２
ｍ］に接続されている。

【０１４５】すなわち、本発明の第４実施形態において
は、偶数ラインの奇数番目のＰチャネル薄膜トランジス
タ３９［２ｊ，１］〜３９［２ｊ，２Ｘ−１］のソース
はクランプ用配線３２［２ｊ］に接続され、偶数ライン
の偶数番目のＰチャネル薄膜トランジスタ３９［２ｊ，
２］〜３９［２ｊ，２Ｘ］のソースはクランプ用配線３
１［２ｊ］に接続されている。

【０１４６】また、補助容量４８［２ｍ，２ｎ−１］
は、画素電極３５［２ｍ，２ｎ−１］とクランプ用配線
３１［２ｍ］との間に設けられ、補助容量４８［２ｍ，
２ｎ］は、画素電極３５［２ｍ，２ｎ］とクランプ用配
線３２［２ｍ］との間に設けられている。

【０１４７】すなわち、本発明の第４実施形態において
は、偶数ラインの奇数番目の補助容量４８［２ｊ，１］
〜４８［２ｊ，２Ｘ−１］は、偶数ラインの奇数番目の
画素３３［２ｊ，１］〜３３［２ｊ，２Ｘ−１］の画素
電極３５［２ｊ，１］〜３５［２ｊ，２Ｘ−１］とクラ
ンプ用配線３１［２ｊ］との間に設けられ、偶数ライン
の偶数番目の補助容量４８［２ｊ，２］〜４８［２ｊ，
２Ｘ］は、偶数ラインの偶数番目の画素３３［２ｊ，
２］〜３３［２ｊ，２Ｘ］の画素電極３５［２ｊ，２］
〜３５［２ｊ，２Ｘ］とクランプ用配線３２［２ｊ］と
の間に設けられている。

【０１４８】また、クランプ用配線３１［２ｍ］は、そ
れぞれ、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４３［２ｍ］を介
してクランプ用共通配線４１に接続され、クランプ用配
線３２［２ｍ］は、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４４
［２ｍ］を介してクランプ用共通配線４２に接続されて
いる。

【０１４９】すなわち、本発明の第４実施形態において
は、偶数ラインのクランプ用配線３１［２］〜３１［２
Ｙ］は、それぞれ、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４３
［２］〜４３［２Ｙ］を介してクランプ用共通配線４１
に接続され、偶数ラインのクランプ用配線３２［２］〜
３２［２Ｙ］は、それぞれ、Ｎチャネル薄膜トランジス
タ４４［２］〜４４［２Ｙ］を介してクランプ用共通配
線４２に接続されている。その他については、図３に示
す本発明の第３実施形態と同様に構成されている。

【０１５０】図１０は本発明の第４実施形態の駆動方法
を示す波形図であり、図１０Ａはゲートドライバからゲ
ート線３０［１］、３０［２］、３０［２Ｙ］に出力さ
れるゲート信号Ｇ［１］、Ｇ［２］、Ｇ［２Ｙ］、図１
０Ｂはデータドライバから奇数番目のデータ線２９
［１］〜２９［２Ｘ−１］に出力されるデータ信号Ｄ
［１］〜Ｄ［２Ｘ−１］及びデータドライバから偶数番
目のデータ線２９［２］〜２９［２Ｘ］に出力されるデ
ータ信号Ｄ［２］〜Ｄ［２Ｘ］、図１０Ｃはクランプ用
信号Ｌ１、Ｌ２、図１０Ｄはクランプ用配線３１
［１］、３２［１］の電位Ｊ１［１］、Ｊ２［１］及び
クランプ用配線３１［２Ｙ］、３２［２Ｙ］の電位Ｊ１
［２Ｙ］、Ｊ２［２Ｙ］を示している。

【０１５１】すなわち、本発明の第４実施形態の駆動方
法は、奇数フレームでは、奇数ラインの奇数番目のデー
タ線２９［１］〜２９［２Ｘ−１］を正極性駆動、奇数
ラインの偶数番目のデータ線２９［２］〜２９［２Ｘ］
を負極性駆動、偶数ラインの奇数番目のデータ線２９
［１］〜２９［２Ｘ−１］を負極性駆動、偶数ラインの
偶数番目のデータ線２９［２］〜２９［２Ｘ］を正極性
駆動し、偶数フレームでは、奇数ラインの奇数番目のデ
ータ線２９［１］〜２９［２Ｘ−１］を負極性駆動、奇
数ラインの偶数番目のデータ線２９［２］〜２９［２
Ｘ］を正極性駆動、偶数ラインの奇数番目のデータ線２
９［１］〜２９［２Ｘ−１］を正極性駆動、偶数ライン
の偶数番目のデータ線２９［２］〜２９［２Ｘ］を負極
性駆動するというものである。

【０１５２】ここに、本発明の第４実施形態において
は、偶数ラインの奇数番目のＰチャネル薄膜トランジス
タ３９［２ｊ，１］〜３９［２ｊ，２Ｘ−１］のソース
は、クランプ用配線３２［２ｊ］に接続され、偶数ライ
ンの偶数番目のＰチャネル薄膜トランジスタ３９［２
ｊ，２］〜３９［２ｊ，２Ｘ］のソースは、クランプ用
配線３１［２ｊ］に接続されると共に、偶数ラインのク
ランプ用配線３１［２］〜３１［２Ｙ］は、それぞれ、
Ｎチャネル薄膜トランジスタ４３［２］〜４３［２Ｙ］
を介してクランプ用共通配線４１に接続され、偶数ライ
ンのクランプ用配線３２［２］〜３２［２Ｙ］は、それ
ぞれ、Ｎチャネル薄膜トランジスタ４４［２］〜４４
［２Ｙ］を介してクランプ用共通配線４２に接続されて
いるので、本発明の第４実施形態の駆動方法によれば、
データ電圧の書込みについては、本発明の第３実施形態
の駆動方法で本発明の第３実施形態を駆動する場合と同
様に、本発明の第４実施形態を駆動することができる。

【０１５３】また、本発明の第４実施形態においては、
偶数ラインの奇数番目の補助容量４８［２ｊ，１］〜４
８［２ｊ，２Ｘ−１］は、偶数ラインの奇数番目の画素
３３［２ｊ，１］〜３３［２ｊ，２Ｘ−１］の画素電極
３５［２ｊ，１］〜３５［２ｊ，２Ｘ−１］とクランプ
用配線３１［２ｊ］との間に設けられ、偶数ラインの偶
数番目の補助容量４８［２ｊ，２］〜４８［２ｊ，２
Ｘ］は、偶数ラインの偶数番目の画素３３［２ｊ，１］
〜３３［２ｊ，２Ｘ−１］の画素電極３５［２ｊ，２］
〜３５［２ｊ，２Ｘ］とクランプ用配線３２［２ｊ］と
の間に設けられているので、本発明の第３実施形態と同
様に、画素の電荷保持特性を向上させることができる。

【０１５４】すなわち、本発明の第４実施形態によれ
ば、本発明の第３実施形態と同様に、奇数番目のデータ
線と偶数番目のデータ線とを異なる極性で、かつ、ライ
ンごとに極性を反転するように駆動する場合には、デー
タ線と画素電極との間に接続されているデータ電圧書込
み用の２個のＮチャネル薄膜トランジスタのオフ電流を
小さくし、画素電極の電位変動を抑え、歩留りの向上を
図ることができると共に、フリッカの発生を抑え、高品
質の画像を表示することができ、しかも、画素の電荷保
持特性の向上を図ることができる。

【０１５５】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ライン
ごとに、データ電圧保持時、奇数番目の画素のデータ電
圧書込み用の複数個の薄膜トランジスタの直列接続部の
所定の１箇所と、偶数番目の画素のデータ電圧書込み用
の複数個の薄膜トランジスタの直列接続部の所定の１箇
所とを、異なる電位にクランプすることができるクラン
プ手段を備えるとしたことにより、同一ラインの奇数番
目の画素と偶数番目の画素とを異なる極性で駆動して
も、奇数番目の画素のデータ電圧書込み用の複数個の薄
膜トランジスタの直列接続部の所定の１箇所と画素電極
との電位差を小さくすることができると共に、偶数番目
の画素のデータ電圧書込み用の複数個の薄膜トランジス
タの直列接続部の所定の１箇所と画素電極との電位差を
小さくすることができるので、画素電極の電位変動を抑
え、歩留りの向上を図ることができると共に、フリッカ
を抑え、高品質の画像を表示することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態の一部分を示す回路図で
ある。

【図２】本発明の第１実施形態の駆動方法の一例を示す
波形図である。

【図３】本発明の第１実施形態の駆動方法の他の例を示
す波形図である。

【図４】本発明の第２実施形態の一部分を示す回路図で
ある。

【図５】本発明の第２実施形態の駆動方法の一例を示す
波形図である。

【図６】本発明の第２実施形態の駆動方法の他の例を示
す波形図である。

【図７】本発明の第３実施形態の一部分を示す回路図で
ある。

【図８】本発明の第３実施形態の駆動方法を示す波形図
である。

【図９】本発明の第４実施形態の一部分を示す回路図で
ある。

【図１０】本発明の第４実施形態の駆動方法を示す波形
図である。

【図１１】アクティブマトリクス型液晶表示装置の第１
従来例の一部分を示す回路図である。

【図１２】アクティブマトリクス型液晶表示装置の第２
従来例の一部分を示す回路図である。

【図１３】アクティブマトリクス型液晶表示装置の第３
従来例の一部分を示す回路図である。

【符号の説明】

（図１、図４、図７、図９） ２８ 画像表示領域 ２９_2n-1、２９_2n データ線 ３０_2m-1、３０_2m ゲート線 ３１_2m-1、３１_2m クランプ用配線 ３２_2m-1、３２_2m クランプ用配線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 JA24 JB44 JB61 KA04 NA01 NA29 QA06 2H093 NA16 NA31 NC21 NC34 ND10 ND53 NF04 5C006 AC28 AF44 BB16 BC06 BC12 BC20 EB04 FA23 5C080 AA10 BB05 DD06 DD24 DD25 DD27 EE17 FF11 GG08 JJ03 JJ04

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】データ線と画素電極との間にデータ電圧書
   込み用の複数個の第１導電型の薄膜トランジスタを直列
   接続すると共に、前記データ電圧書込み用の複数個の第
   １導電型の薄膜トランジスタのゲートをゲート線に接続
   してなる画素をマトリクス状に配列したアクティブマト
   リクス型液晶表示装置であって、 ラインごとに、データ電圧保持時、奇数番目の画素のデ
   ータ電圧書込み用の複数個の第１導電型の薄膜トランジ
   スタの直列接続部の所定の１箇所と、偶数番目の画素の
   データ電圧書込み用の複数個の第１導電型の薄膜トラン
   ジスタの直列接続部の所定の１箇所とを、異なる電位に
   クランプすることができるクランプ手段を備えているこ
   とを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
2. 【請求項２】前記クランプ手段は、 対応ラインの画素に対するデータ電圧書込み時、各々、
   所定電位に充電される第１及び第２のクランプ用配線
   と、 奇数番目の画素ごとに設けられ、第１のチャネル端電極
   を前記第１のクランプ用配線に接続し、第２のチャネル
   端電極を対応画素のデータ電圧書込み用の複数個の第１
   導電型の薄膜トランジスタの直列接続部の所定の１箇所
   に接続し、ゲートを対応ラインのゲート線に接続した第
   ２導電型の薄膜トランジスタと、 偶数番目の画素ごとに設けられ、第１のチャネル端電極
   を前記第２のクランプ用配線に接続し、第２のチャネル
   端電極を対応画素のデータ電圧書込み用の複数個の第１
   導電型の薄膜トランジスタの直列接続部の所定の１箇所
   に接続し、ゲートを対応ラインのゲート線に接続した第
   ２導電型の薄膜トランジスタを備えていることを特徴と
   する請求項１記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
   置。
3. 【請求項３】第１及び第２のクランプ用信号の各々が印
   加される第１及び第２のクランプ用共通配線と、 ラインごとに設けられ、第１のチャネル端電極を前記第
   １のクランプ用共通配線に接続し、第２のチャネル端電
   極を前記第１のクランプ用配線に接続し、ゲートを対応
   ラインのゲート線に接続した第１導電型の薄膜トランジ
   スタと、 ラインごとに設けられ、第１のチャネル端電極を前記第
   ２のクランプ用共通配線に接続し、第２のチャネル端電
   極を前記第２のクランプ用配線に接続し、ゲートを対応
   ラインのゲート線に接続した第１導電型の薄膜トランジ
   スタを備えていることを特徴とする請求項２記載のアク
   ティブマトリクス型液晶表示装置。
4. 【請求項４】各ラインの奇数番目の画素ごとに、画素電
   極と前記第２のクランプ用配線との間に設けられた補助
   容量と、 各ラインの偶数番目の画素ごとに、画素電極と前記第１
   のクランプ用配線との間に設けられた補助容量を備えて
   いることを特徴とする請求項２記載のアクティブマトリ
   クス型液晶表示装置。
5. 【請求項５】第１、第２、第３及び第４のクランプ用信
   号の各々が印加される第１、第２、第３及び第４のクラ
   ンプ用共通配線と、 奇数ラインごとに設けられ、第１のチャネル端電極を前
   記第１のクランプ用共通配線に接続し、第２のチャネル
   端電極を前記第１のクランプ用配線に接続し、ゲートを
   対応ラインのゲート線に接続した第１導電型の薄膜トラ
   ンジスタと、 奇数ラインごとに設けられ、第１のチャネル端電極を前
   記第２のクランプ用共通配線に接続し、第２のチャネル
   端電極を前記第２のクランプ用配線に接続し、ゲートを
   対応ラインのゲート線に接続した第１導電型の薄膜トラ
   ンジスタと、 偶数ラインごとに設けられ、第１のチャネル端電極を前
   記第３のクランプ用共通配線に接続し、第２のチャネル
   端電極を前記第１のクランプ用配線に接続し、ゲートを
   対応ラインのゲート線に接続した第１導電型の薄膜トラ
   ンジスタと、 偶数ラインごとに設けられ、第１のチャネル端電極を前
   記第４のクランプ用共通配線に接続し、第２のチャネル
   端電極を前記第２のクランプ用配線に接続し、ゲートを
   対応ラインのゲート線に接続した第１導電型の薄膜トラ
   ンジスタを備えていることを特徴とする請求項４記載の
   アクティブマトリクス型液晶表示装置。
6. 【請求項６】第１及び第２のクランプ用信号の各々が印
   加される第１及び第２のクランプ用共通配線と、 奇数ラインごとに設けられ、第１のチャネル端電極を前
   記第１のクランプ用共通配線に接続し、第２のチャネル
   端電極を前記第１のクランプ用配線に接続し、ゲートを
   対応ラインのゲート線に接続した第１導電型の薄膜トラ
   ンジスタと、 奇数ラインごとに設けられ、第１のチャネル端電極を前
   記第２のクランプ用共通配線に接続し、第２のチャネル
   端電極を前記第２のクランプ用配線に接続し、ゲートを
   対応ラインのゲート線に接続した第１導電型の薄膜トラ
   ンジスタと、 偶数ラインごとに設けられ、第１のチャネル端電極を前
   記第２のクランプ用共通配線に接続し、第２のチャネル
   端電極を前記第１のクランプ用配線に接続し、ゲートを
   対応ラインのゲート線に接続した第１導電型の薄膜トラ
   ンジスタと、 偶数ラインごとに設けられ、第１のチャネル端電極を前
   記第１のクランプ用共通配線に接続し、第２のチャネル
   端電極を前記第２のクランプ用配線に接続し、ゲートを
   対応ラインのゲート線に接続した第１導電型の薄膜トラ
   ンジスタを備えていることを特徴とする請求項４記載の
   アクティブマトリクス型液晶表示装置。
7. 【請求項７】前記クランプ手段は、 対応ラインの画素に対するデータ電圧書込み時、各々、
   所定電位に充電される第１及び第２のクランプ用配線を
   備え、 前記クランプ手段のうち、奇数ラインのクランプ手段
   は、 奇数番目の画素ごとに設けられ、第１のチャネル端電極
   を前記第１のクランプ用配線に接続し、第２のチャネル
   端電極を対応画素のデータ電圧書込み用の複数個の第１
   導電型の薄膜トランジスタの直列接続部の所定の１箇所
   に接続し、ゲートを対応ラインのゲート線に接続した第
   ２導電型の薄膜トランジスタと、 偶数番目の画素ごとに設けられ、第１のチャネル端電極
   を前記第２のクランプ用配線に接続し、第２のチャネル
   端電極を対応画素のデータ電圧書込み用の複数個の第１
   導電型の薄膜トランジスタの直列接続部の所定の１箇所
   に接続し、ゲートを対応ラインのゲート線に接続した第
   ２導電型の薄膜トランジスタを備え、 前記クランプ手段のうち、偶数ラインのクランプ手段
   は、 奇数番目の画素ごとに設けられ、第１のチャネル端電極
   を前記第２のクランプ用配線に接続し、第２のチャネル
   端電極を対応画素のデータ電圧書込み用の複数個の第１
   導電型の薄膜トランジスタの直列接続部の所定の１箇所
   に接続し、ゲートを対応ラインのゲート線に接続した第
   ２導電型の薄膜トランジスタと、 偶数番目の画素ごとに設けられ、第１のチャネル端電極
   を前記第１のクランプ用配線に接続し、第２のチャネル
   端電極を対応画素のデータ電圧書込み用の複数個の第１
   導電型の薄膜トランジスタの直列接続部の所定の１箇所
   に接続し、ゲートを対応ラインのゲート線に接続した第
   ２導電型の薄膜トランジスタを備えていることを特徴と
   する請求項１記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
   置。
8. 【請求項８】奇数ラインの奇数番目の画素ごとに、画素
   電極と前記第２のクランプ用配線との間に設けられた補
   助容量と、 奇数ラインの偶数番目の画素ごとに、画素電極と前記第
   １のクランプ用配線との間に設けられた補助容量と、 偶数ラインの奇数番目の画素ごとに、画素電極と前記第
   １のクランプ用配線との間に設けられた補助容量と、 偶数ラインの偶数番目の画素ごとに、画素電極と前記第
   ２のクランプ用配線との間に設けられた補助容量とを備
   えていることを特徴とする請求項７記載アクティブマト
   リクス型液晶表示装置。
9. 【請求項９】第１及び第２のクランプ用信号の各々が印
   加される第１及び第２のクランプ用共通配線と、 各ラインごとに設けられ、第１のチャネル端電極を前記
   第１のクランプ用共通配線に接続し、第２のチャネル端
   電極を前記第１のクランプ用配線に接続し、ゲートを対
   応ラインのゲート線に接続した第１導電型の薄膜トラン
   ジスタと、 各ラインごとに設けられ、第１のチャネル端電極を前記
   第２のクランプ用共通配線に接続し、第２のチャネル端
   電極を前記第２のクランプ用配線に接続し、ゲートを対
   応ラインのゲート線に接続した第１導電型の薄膜トラン
   ジスタを備えていることを特徴とする請求項８記載のア
   クティブマトリクス型液晶表示装置。