JP2000273426A

JP2000273426A - 熱伝導性接着剤および接着方法ならびに半導体装置

Info

Publication number: JP2000273426A
Application number: JP11085107A
Authority: JP
Inventors: Masayuki Hida; 雅之飛田
Original assignee: Polymatech Co Ltd
Current assignee: Polymatech Co Ltd
Priority date: 1999-03-29
Filing date: 1999-03-29
Publication date: 2000-10-03

Abstract

(57)【要約】【課題】電気製品に使用される半導体素子や電源、光源
などの部品から発生する熱を効果的に放散させる熱伝導
性接着剤および接着方法ならびに放熱特性に優れる半導
体装置【解決手段】熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の反磁性充
填材と接着性高分子とを配合してなる熱伝導性接着剤、
被着体間に、前記熱伝導性接着剤を介在させ、外部磁場
によって熱伝導性接着剤中の反磁性充填材を一定方向に
配向させた状態で接着させること接着方法および半導体
素子と伝熱部材間に、前記熱伝導性接着剤を介在させ、
外部磁場によって熱伝導性接着剤中の反磁性充填材を一
定方向に配向させた状態で接着させた構造の半導体装置

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は高い熱伝導性が要求
される熱伝導性接着剤および接着方法ならびに半導体装
置に関する。さらに詳しくは、電気製品に使用される半
導体素子や電源、光源などの部品から発生する熱を効果
的に放散させる熱伝導性接着剤および接着方法ならびに
放熱性に優れる半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、発熱する半導体素子や電子部
品と放熱させる伝熱部材とを接合させる目的で接着性高
分子をマトリックスとした熱伝導性接着剤が使用されて
いる。これらの接着剤には、熱伝導性を高めるために、
銀、銅、金、アルミニウム、ニッケルなどの熱伝導率の
大きい金属や合金、化合物、あるいは酸化アルミニウ
ム、酸化マグネシウム、酸化ケイ素、窒化ホウ素、窒化
アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素などのセラミッ
クス製の粉末状の充填剤、カーボンブラックやダイヤモ
ンドなどの粉粒体形状や繊維形状の熱伝導性充填剤が配
合されている。

【０００３】熱伝導性充填材として炭素繊維を接着性高
分子に配合する熱伝導性接着剤は公知である。たとえ
ば、特開昭６３−３０５５２０号公報では、炭素系の微
粉末や炭素繊維を充填したダイボンド材料が提唱されて
いる。特開平６−２１２１３７号公報では、熱伝導特性
を改良する目的で、特定構造の炭素繊維、すなわちメソ
フェーズピッチを基材とした３次元構造の炭素繊維を充
填した接着性材料が開示されている。また、特開平９−
３２４１２７号公報は、特定の高分子材料を熱処理して
得られるグラファイトを使用した半導体素子用ダイボン
ド材である。

【０００４】さらに、特開平５−２０９１５７号公報、
特開平６−２９９１２９号公報によれば、含有させる炭
素繊維や金属繊維の構造を、かたまり状や糸まり状、あ
るいは織布や不織布の形状に特定することによって放熱
特性を一層改善した電子デバイス用接着剤が提案されて
いる。一方、特開昭６２−１９４６５３号公報、特開昭
６３−６２７６２号公報によれば、ニッケルなどの磁性
体粉末を含む接着剤を磁場中で厚み方向に配向させて熱
伝導率を向上させる接着方法が開示されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、最近の半導体
素子をはじめとする電子部品、電気製品の高密度化、高
性能化に伴う発熱量は著しく増大する傾向にあり、上述
したように様々な熱伝導性充填剤を応用した従来の改善
方法によっても十分に高い熱伝導特性を有する接着剤が
得られなかった。磁性体粉末を含む接着剤を磁場中で厚
み方向に配向させる従来の方法、すなわち、通常の粉末
状あるいは針状のニッケル系や鉄系では、その素材自体
の熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋにも満たないので、磁場
で配向させても接着剤として十分な高い熱伝導率を発現
することはできなかった。

【０００６】すなわち、より一層高度な熱伝導特性を有
する接着剤が開発されないために、半導体素子などの電
子部品からの多大な発熱によって、電気化学的なマイグ
レーションが加速されたり、配線やパッド部の腐食が促
進されたり、発生する熱応力によって構成材料にクラッ
クが生じたり、破壊したり、構成材料の接合部の界面が
剥離して電子部品の寿命を損なう様々なトラブルが発生
していた。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、上述の課題を
解決する目的で、電気製品に使用される半導体素子や電
源、光源などの部品から発生する熱を効果的に放散させ
る熱伝導性接着剤および接着方法ならびに放熱特性に優
れる半導体装置を提供するものである。

【０００８】すなわち、本発明は、熱伝導率が２０Ｗ／
ｍ・Ｋ以上の反磁性充填材と接着性高分子とを配合して
なることを特徴とする熱伝導性接着剤である。さらに本
発明は、被着体間に、熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の
反磁性充填材と接着性高分子とを配合してなる熱伝導性
接着剤を介在させ、外部磁場によって熱伝導性接着剤中
の反磁性充填材を一定方向に配向させた状態で接着させ
ることを特徴とする接着方法である。

【０００９】さらに本発明は、半導体素子と伝熱部材間
に、熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の反磁性充填材と接
着性高分子とを配合してなる熱伝導性接着剤を介在さ
せ、外部磁場によって熱伝導性接着剤中の反磁性充填材
を一定方向に配向させた状態で接着させた構造を特徴と
する半導体装置である。

【００１０】反磁性充填材とは、比磁化率が負、すなわ
ち磁場を加えると磁場と反対方向に磁化される磁性を有
する充填材を意味する。具体的にはビスマス、銅、金、
銀、水銀、石英およびこれらの合金や化合物、水、グラ
ファイト、炭素繊維、塩類、多数の有機化合物などが存
在する。金属のなかではビスマスの反磁性が最大である
ことが知られているけれども、ビスマスの熱伝導率は２
０Ｗ／ｍ・Ｋ未満なので本発明で使用する反磁性充填材
としては好ましくない。水や塩類、有機化合物も適さな
い。反磁性充填材の反磁性は、強磁性体の磁性と比較す
ると非常に弱いけれども、本発明の熱伝導性接着剤なら
びに半導体装置では、熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の
反磁性充填材が接着性高分子中に一定方向に配向してな
ることを特徴とする。熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の
反磁性充填材としては、特に銅、金、銀、グラファイト
が好適である。なかでも、少なくとも一定方向の熱伝導
率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の反磁性を有するグラファイ
トを用いると特に熱伝導率の大きい優れた熱伝導性接着
剤ならびに放熱特性に優れる半導体装置を得ることがで
きる。

【００１１】熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の反磁性充
填材は、接着性高分子に多量に充填するほど接着剤の熱
伝導率が大きくなるけれども、実際には多量に充填する
と接着剤としての粘度が高くなりすぎたり混入した気泡
が除去しにくいなどの不具合を生じる場合がある。従っ
て、使用する熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の反磁性充
填材および接着性高分子や配合剤の種類、目的とする最
終製品の特性によって任意に決定することができるけれ
ども、熱伝導性接着剤中の熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以
上の反磁性充填材の濃度は、５〜８０体積％が好まし
い。５体積％よりも少ないと熱伝導率が小さく、８０体
積％を越える高濃度に充填するのは非常に困難である。
さらに好ましくは１０〜６０体積％、さらに好ましくは
１５〜５０体積％の範囲が実用的である。

【００１２】反磁性体として使用するグラファイトの結
晶構造は六方晶系であり、結晶方位に依存して磁化率が
大きくなる。基底面（ｃ面）の法線方向をｃ軸、それに
垂直にａ軸、ｂ軸をとると、常温での磁化率は結晶方位
によって約７０倍の差異がある。この反磁性磁化率の異
方性を利用して高分子中にグラファイトを一定方向に配
向することができる。

【００１３】グラファイトの形状や大きさなどについて
は特定するものではない。原料についてはピッチ系やメ
ソフェーズピッチ系を主原料として溶融紡糸、不融化、
炭化などの処理工程後に２０００〜３０００℃あるいは
３０００℃を越える高温で熱処理したグラファイト構造
の発達した炭素繊維の方が繊維長さ方向の熱伝導率が大
きくて好ましい。さらに気相成長法によって得られるグ
ラファイト化した炭素繊維や、膨張性黒鉛やポリイミド
などの高分子フィルムなどを２４００℃以上の高温で熱
処理して得られるグラファイトフィルムあるいはグラフ
ァイトフィルムを粉砕した粉粒体形状のグラファイト、
球状やウィスカー形状のグラファイトなどを使用するこ
ともできる。

【００１４】使用するグラファイトの熱伝導率は、少な
くとも１方向の熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上である
ことが好ましい。２００Ｗ／ｍ・Ｋ未満であると、得ら
れる熱伝導性接着剤の放熱特性が劣るので好ましくな
い。グラファイト化炭素繊維の場合は、通常は繊維長さ
方向の熱伝導率の方が大きくて垂直方向の熱伝導率はそ
の数１０分の１と小さい。繊維長さ方向の熱伝導率は２
００Ｗ／ｍ・Ｋ以上が好適で、好ましくは４００Ｗ／ｍ
・Ｋ以上、さらに好ましくは８００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であ
る。

【００１５】グラファイト化炭素繊維の場合の平均直径
としては５〜２０μｍ、平均長さは５〜８００μｍの範
囲が高分子マトリックスへ容易に充填でき、得られる熱
伝導性接着剤の熱伝導率が大きくなるので好ましい。平
均直径が５μｍよりも小さい場合や、平均長さが８００
μｍよりも長い場合は、高分子マトリックスに高濃度で
配合することが困難になる。また、平均直径が２０μｍ
を越えるグラファイト化炭素繊維は、その生産性が低下
するので好ましくない。平均長さが５μｍよりも短いと
かさ比重が小さくなり、生産性をはじめ製造工程中の取
扱い性や作業性に問題が生じることがあり好ましくな
い。なお、これらのグラファイトは、あらかじめ電解酸
化などによる公知の酸化処理を施して差し支えない。

【００１６】熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の反磁性充
填材を充填するマトリックスとなる接着性高分子として
は、エポキシ系、ポリイミド系、アクリル系、ポリ酢酸
ビニルなどのビニル系、ウレタン系、シリコーン系、オ
レフィン系、ポリアミド系、ポリアミドイミド系、フェ
ノール系、アミノ系、ビスマレイミド系、ポリイミドシ
リコーン系、飽和および不飽和ポリエステル系、ジアリ
ルフタレート系、尿素系、メラミン系、アルキッド系、
ベンゾシクロブテン系、ポリブタジエンやクロロプレン
ゴム、ニトリルゴムなどの合成ゴム系、天然ゴム系、ス
チレン系熱可塑性エラストマーなどの公知の樹脂やゴム
からなる液体状あるいは固体状の材料が好ましい。

【００１７】硬化形態については、熱硬化性、熱可塑
性、紫外線や可視光硬化性、常温硬化性、湿気硬化性な
ど公知のあらゆる硬化形態の接着性高分子を使用でき
る。なかでも、電子部品を構成する材料の各種金属やセ
ラミックス、各種プラスチックやゴム、エラストマーと
の接着性が良好なエポキシ系、ポリイミド系、アクリル
系、ウレタン系、シリコーン系より選ばれる少なくとも
１種の接着性高分子が好適である。

【００１８】また、反磁性充填材の表面処理を目的とし
て、反磁性充填材の表面を公知のカップリング剤やサイ
ジング剤で処理することによって接着剤高分子との濡れ
性を向上させたり充填性を改良することが可能である。
さらに、本発明の熱伝導性接着剤には、チキソトロピー
性付与剤、分散剤、硬化剤、硬化促進剤、遅延剤、粘着
付与剤、可塑剤、難燃剤、酸化防止剤、安定剤、着色剤
など公知の添加剤を配合することができる。さらに、粉
末形状や繊維形状の金属やセラミックス、具体的には、
銀、銅、金、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒
化アルミニウム、炭化ケイ素などや金属被覆樹脂などの
従来の熱伝導性接着剤に使用されている充填剤や、ニッ
ケルなどの強磁性体を被覆したグラファイトなどを併用
することも可能である。また、接着剤の粘度を低下させ
るためには、揮発性の有機溶剤や反応性可塑剤を添加す
ると効果的である。

【００１９】本発明の接着方法は、被着体間に、熱伝導
率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の反磁性充填材と接着性高分子
からなる熱伝導性接着剤を介在させ、外部磁場によって
熱伝導性接着剤中の熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の反
磁性充填材を一定方向に配向させた状態で接着させるこ
とを特徴とする接着方法である。外部磁場によって、接
着剤中の熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の反磁性充填材
を磁力線に沿って配向させることによって、配向した熱
伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の反磁性充填材の熱伝導性
を生かして接着剤の熱伝導率を向上させることができ
る。被着体の間隙方向すなわち接着剤の厚み方向に反磁
性充填材を立てるように揃えて配向させるには、厚み方
向に永久磁石や電磁石のＮ極とＳ極を対向させ磁力線の
向きが所望の反磁性充填材の配向方向に対応するように
設置する。一方、接着剤の面内方向の熱伝導性を向上さ
せる場合には、厚み方向に対して垂直の方向に磁石のＮ
極とＳ極を対向させれば反磁性充填材を面内方向に揃え
て配向させることができる。

【００２０】あるいは、磁石のＮ極とＮ極、またはＳ極
とＳ極を厚み方向に対向させても反磁性充填材を面内方
向に揃えることができる。また、磁石については必ずし
も両側に対向させる必要はなく、片側のみに配置した磁
石によっても接着剤中の反磁性充填材を配向させること
が可能である。外部磁場として使用する磁場発生手段と
しては永久磁石でも電磁石でも差し支えないけれども、
磁束密度としては０．０５テスラ〜３０テスラの範囲が
実用的な反磁性充填材の配向が達成できる。また、本発
明では磁性としては非常に弱い反磁性を利用するもので
あるので、より高磁場を用いて、反磁性充填材を十分に
配向させてから、熱硬化反応や冷却させてマトリックス
の接着性高分子を固化させて被着体を接着させる必要が
ある。

【００２１】

【発明の実施の形態】本発明の熱伝導性接着剤は、接着
性高分子中に所定量の熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の
反磁性充填材を混合して均一に分散させることによって
製造することができる。混合分散するときには、減圧あ
るいは加圧して混入した気泡を除去する工程を加えるこ
とが好ましい。熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の反磁性
充填材が、導電性があり、電気絶縁性が要求される用途
の場合には、反磁性充填材の最表面に電気絶縁性被覆層
を製膜させれば良い。

【００２２】また、少なくとも一方の被着体面にエポキ
シやポリイミド、シリコーン、ポリベンゾシクロブテ
ン、ポリブタジエンなどの高分子系の電気絶縁性層、あ
るいは酸化ケイ素や窒化ケイ素、酸化アルミニウム、窒
化アルミニウム、炭化ケイ素などのセラミックス系の電
気絶縁性層を形成してから、熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ
以上の反磁性充填材と接着性高分子からなる熱伝導性接
着剤を介在させ、外部磁場によって熱伝導性接着剤中の
熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の反磁性充填材を一定方
向に配向させた状態で接着させることによっても電気絶
縁性を要求される用途に適用できる。

【００２３】半導体素子と伝熱部材間に、本発明の熱伝
導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の反磁性充填材と接着性高分
子からなる熱伝導性接着剤を介在させ、外部磁場によっ
て熱伝導性接着剤中の反磁性充填材を一定方向に配向さ
せた状態で接着させることによって図７（６）のような
本発明の半導体装置を製造することができる。なお、熱
伝導性接着剤は、スクリーン印刷やパッド印刷、ディス
ペンサー塗布、ポッティング、スプレー塗装などの公知
の方法によって被着体間に介在させることができる。伝
熱部材としては、通常の放熱器や冷却器、ヒートシン
ク、ヒートスプレッダー、ダイパッド、プリント基板、
冷却ファン、ヒートパイプ、筐体などが挙げられる。

【００２４】以下、実施例をあげて本発明をさらに詳細
に説明する。

【実施例１】反磁性充填材として繊維長さ方向の熱伝導
率が１０００Ｗ／ｍ・Ｋの短繊維状のグラファイト（株
式会社ペトカ製メルブロンミルド：直径９μｍ、長さ
１００μｍ）１５体積％と、アミン系硬化剤を含むビス
フェノールＦ型エポキシ樹脂製の接着性高分子８５体積
％を混合して熱伝導性接着剤を調製した。アルミニウム
製の厚み１ｍｍ、縦２０ｍｍ、横２０ｍｍの板状の金型
内に調製した熱伝導性接着剤を充填し、厚み方向に磁束
密度０．６テスラのＮ極とＳ極が対向する磁場雰囲気で
加熱硬化させた。硬化物の熱伝導率は１．８Ｗ／ｍ・Ｋ
であった。

【００２５】

【実施例２〜１２】実施例１と同様に、表１に記す配合
組成の熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の反磁性充填材お
よび接着性高分子からなる熱伝導性接着剤を調製し、ア
ルミニウム製の厚み１ｍｍ、縦２０ｍｍ、横２０ｍｍの
板状の金型内に充填し、厚み方向に磁石のＮ極とＳ極が
対向する表１の磁束密度の磁場雰囲気で加熱硬化させ
た。硬化物の熱伝導率を表１に記した。なお、表１で使
用した反磁性充填材の銅は直径５０μｍ、長さ２００μ
ｍの短繊維状のもの、接着性高分子として用いた材料
は、エポキシはアミン系硬化剤を含むビスフェノールＦ
型エポキシ樹脂、シリコーンは付加型の２液性シリコー
ンゴム、ポリイミドは加熱硬化型の液状ポリイミド、ア
クリルはシアノアクリレート系接着剤である。

【００２６】

【比較例１】反磁性充填材として繊維長さ方向の熱伝導
率が７Ｗ／ｍ・Ｋの炭素繊維（三菱レイヨン株式会社製
パイロフィルＴＲ：直径７μｍ、長さ１００μｍ）１
５体積％、アミン系硬化剤を含むビスフェノールＦ型エ
ポキシ樹脂製の接着性高分子８５体積％を混合して熱伝
導性接着剤を調製した。アルミニウム製の厚み１ｍｍ、
縦２０ｍｍ、横２０ｍｍの板状の金型内に充填し、厚み
方向に磁束密度０．６テスラのＮ極とＳ極が対向する磁
場雰囲気で加熱硬化させた。硬化物の熱伝導率は０．３
Ｗ／ｍ・Ｋであった。

【００２７】

【比較例２〜３】比較例１と同様に、表１に記す配合組
成の充填材と接着性高分子からなる熱伝導性接着剤を調
製し、アルミニウム製の厚み１ｍｍ、縦２０ｍｍ、横２
０ｍｍの板状の金型内に充填して加熱硬化させた。硬化
物の熱伝導率を表１に記した。

【００２８】

【実施例１３】図５（１）に記すプリント基板１に実装
したボールグリッドアレイ型の半導体パッケージ２上
に、本発明の実施例２のシリコーン系熱伝導性接着剤３
をディスペンサーで塗布した（図５（２））。図５
（３）のように熱伝導性接着剤３の上部に放熱器１を配
置して加圧し、図５（４）のように磁束密度０．８テス
ラの永久磁石１１のＮ極とＳ極を対向させた状態で熱伝
導性接着剤３を加熱硬化させて半導体装置図５（５）を
調製した。装置に通電して６分後の熱抵抗を測定した結
果、０．２１℃／Ｗであった。硬化した熱伝導性接着剤
中の反磁性充填材は図５（６）のように厚み方向に揃っ
て配向していた。

【００２９】

【比較例４】実施例１３と同様に、プリント基板に実装
したボールグリッドアレイ型の半導体パッケージ上に、
表１の比較例２のシリコーン系熱伝導性接着剤を塗布し
た。熱伝導性接着剤の上部に放熱器４を配置して加圧
し、熱伝導性接着剤を加熱硬化させて半導体装置を製造
した。実施例１３と同様に、装置に通電して６分後の熱
抵抗を測定した結果、０．４３℃／Ｗであった。硬化し
た熱伝導性接着剤中の反磁性充填材は図６のようにラン
ダムに分散していた。

【００３０】

【実施例１４】図７（１）に記すリードフレーム６のダ
イパッド７上に、本発明の実施例１のエポキシ系熱伝導
性接着剤３をスクリーン印刷した（図７（１））。図７
（２）のように熱伝導性接着剤３の上部に半導体チップ
８を配置して加圧し、図７（３）のように磁束密度０．
８テスラの永久磁石１１のＮ極とＳ極を対向させた状態
で熱伝導性接着剤３を加熱硬化させた。さらにボンディ
ングワイヤー９で半導体チップ８の電極部とリードフレ
ーム１１のリード部を電気的に接続し（図７（４））、
エポキシ系封止剤１０でトランスファーモールドして半
導体装置（図７（５））を製造した。装置に通電して６
分後の熱抵抗を測定した結果、０．２３℃／Ｗであっ
た。硬化した熱伝導性接着剤中の反磁性充填材は図７
（６）のように厚み方向に揃って配向していた。

【００３１】

【比較例５】実施例１４と同様に、リードフレームのダ
イパッド上に表２の比較例１のエポキシ系熱伝導性接着
剤をスクリーン印刷した。熱伝導性接着剤の上部に半導
体チップを配置して加圧し、熱伝導性接着剤を加熱硬化
させて半導体装置を製造した。実施例１４と同様に、装
置に通電して６分後の熱抵抗を測定した結果、０．４６
℃／Ｗであった。硬化した熱伝導性接着剤中の反磁性充
填材は図８のようにランダムに分散していた。

【表１】

【００３２】

【発明の効果】表１に記したように本発明の熱伝導率が
２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の反磁性充填材と接着性高分子から
構成される熱伝導性接着剤は、熱伝導率が大きくて放熱
性が良好である。さらに、本発明の接着方法によって、
発熱量が大きい半導体パッケージとヒートシンクなどの
放熱器との接着、あるいは半導体チップとダイパッド部
との接着に応用することが可能になり、放熱特性に優れ
る有用な半導体装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の熱伝導性接着剤を使用した半導体装置
の例（ボールグリッドアレイ型半導体パッケージ２と放
熱器４の接着に使用）

【図２】本発明の熱伝導性接着剤を使用した半導体装置
の例（チップサイズ半導体パッケージ２とプリント基板
１の接着に使用）

【図３】本発明の熱伝導性接着剤を使用した半導体装置
の例（ピングリッドアレイ型半導体パッケージ２とヒー
トシンク５の接着に使用）

【図４】本発明の熱伝導性接着剤を使用した半導体装置
の例（半導体チップ８とダイパッド７の接着に使用）

【図５】図１の本発明の半導体装置を製造する方法およ
び反磁性充填材の配向状態を示す概略図

【図６】従来の充填材を含む熱伝導性接着剤を使用した
半導体装置の例

【図７】図４の本発明の半導体装置を製造する方法およ
び反磁性充填材の配向状態を示す概略図

【図８】従来の充填材を含む熱伝導性接着剤を使用した
半導体装置の例

【符号の説明】

１プリント基板２半導体パッケージ３熱伝導性接着剤４放熱器５ヒートシンク６リードフレーム７ダイパッド８半導体チップ９ボンディングワイヤー１０封止剤１１磁石１２熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の反磁性充填材１３従来の充填材

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ０９Ｊ 175/04 Ｃ０９Ｊ 175/04 179/08 179/08 Ｚ 183/04 183/04

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】熱伝導率が、２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の反磁
性充填材と接着性高分子とを配合してなることを特徴と
する熱伝導性接着剤
【請求項２】熱伝導性接着剤中の反磁性充填材の濃度
が、５〜８０体積％である請求項１に記載の熱伝導性接
着剤
【請求項３】反磁性充填材が、少なくとも１方向の熱
伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上のグラファイトである請
求項１あるいは２に記載の熱伝導性接着剤
【請求項４】接着性高分子が、エポキシ系、ポリイミ
ド系、アクリル系、ウレタン系あるいはシリコーン系よ
り選ばれる少なくとも１種である請求項１、２あるいは
３に記載の熱伝導性接着剤
【請求項５】被着体間に、熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ
以上の反磁性充填材と接着性高分子とを配合してなる熱
伝導性接着剤を介在させ、外部磁場によって熱伝導性接
着剤中の反磁性充填材を一定方向に配向させた状態で接
着させることを特徴とする接着方法
【請求項６】熱伝導性接着剤中の反磁性充填材の濃度
が、５〜８０体積％である請求項５に記載の接着方法
【請求項７】反磁性充填材が、少なくとも１方向の熱
伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上のグラファイトである請
求項５あるいは６に記載の接着方法
【請求項８】接着性高分子がエポキシ系、ポリイミド
系、アクリル系、ウレタン系あるいはシリコーン系より
選ばれる少なくとも１種である請求項５、６あるいは７
に記載の接着方法
【請求項９】少なくとも一方の被着体面に電気絶縁性
層を形成した請求項５、６、７あるいは８に記載の接着
方法
【請求項１０】半導体素子と伝熱部材間に、熱伝導率
が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の反磁性充填材と接着性高分子と
を配合してなる熱伝導性接着剤を介在させ、外部磁場に
よって熱伝導性接着剤中の反磁性充填材を一定方向に配
向させた状態で接着させた構造を特徴とする半導体装置
【請求項１１】熱伝導性接着剤中の反磁性充填材の濃
度が、５〜８０体積％である請求項１０に記載の半導体
装置
【請求項１２】反磁性充填材が、少なくとも１方向の
熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上のグラファイトである
請求項１０あるいは１１に記載の半導体装置
【請求項１３】接着性高分子がエポキシ系、ポリイミ
ド系、アクリル系、ウレタン系あるいはシリコーン系よ
り選ばれる少なくとも１種である請求項１０、１１ある
いは１２に記載の半導体装置
【請求項１４】少なくとも一方の被着体面に電気絶縁
性層を形成した請求項１０、１１、１２あるいは１３に
記載の半導体装置