JP2000269169A

JP2000269169A - 半導体装置の製造方法及び埋め込み配線の形成方法

Info

Publication number: JP2000269169A
Application number: JP7405299A
Authority: JP
Inventors: Yukiteru Matsui; 之輝松井; Fukugaku Minami; 学南幅; Hiroyuki Yano; 博之矢野
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1999-03-18
Filing date: 1999-03-18
Publication date: 2000-09-29
Anticipated expiration: 2019-03-18
Also published as: JP3784988B2

Abstract

(57)【要約】【課題】研磨時にスクラッチ等によるエロージョンの
進行を抑え、被加工膜の効率のよい平坦化を可能にす
る。【解決手段】高分子粒子及び高分子粒子上に吸着され
た無機粒子を含む凝集体を含有するスラリーを用いた半
導体の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に係り、特に、ＤＲＡＭや、高速ロジックＬＳＩに
搭載する埋め込み配線を化学的機械的研磨を用いて形成
する方法及びこの技術を用いた半導体の製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置製造分野では、微細化
および高密度化が進み、種々の微細加工技術が研究開発
されている。その中でも化学的機械的研磨技術（ＣＭ
Ｐ）は、埋め込み金属配線（ダマシン配線）を形成する
上で欠かすことのできない重要な技術である。

【０００３】従来技術で、金属を化学的機械的研磨によ
り研磨する技術（メタルＣＭＰ）を行う場合、アルミナ
やシリカといった無機粒子をベースとしたスラリが用い
られてきた。この場合、エロージョンを制御するため弾
性変化の小さい硬質研磨パッドが用いられるが、研磨粒
子自体の弾性が乏しいため、また配線にスクラッチが生
じてしまう問題がある。さらに、このスクラッチに砥粒
が集中し、スクラッチ部分が拡大されるためエロージョ
ンを抑制することができなかった。

【０００４】一方、樹脂のような高分子粒子を用いたス
ラリの検討も進められている。高分子粒子は、無機粒子
に比べて柔らかい特徴がある。従って、粒子自体に弾性
があるため、硬質研磨パッドを用いてもスクラッチは生
じない利点がある。しかし、粒子の研磨能力がほとんど
ないため、高分子粒子単独を用いたスラリは実用的なレ
ベルではなかった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の第１の目的
は、研磨時にスクラッチ等によるエロージョンの進行を
抑え、被加工膜の効率のよい平坦化を可能にする機械的
化学的研磨用スラリーを用いた半導体の製造方法を提供
することにある。

【０００６】また、本発明の第２の目的は、研磨時にス
クラッチ等によるエロージョンの進行を抑制し、被加工
膜を効率良く平坦化し、良好な埋め込み配線を形成する
方法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、第１に、高分
子粒子及び該高分子粒子上に吸着された無機粒子を含む
凝集体を含有する化学的機械的研磨用スラリーを用いる
ことを特徴とする半導体の製造方法を提供する。

【０００８】本発明は、第２に、高分子粒子、該高分子
粒子上に吸着された界面活性剤、該界面活性剤上に吸着
された無機粒子を含む凝集体を含有する化学的機械的研
磨用スラリーを用いることを特徴とする半導体の製造方
法を提供する。

【０００９】本発明は、第３に、高分子粒子及び該高分
子粒子上に吸着された無機粒子を含む凝集体を含有する
化学的機械的研磨用スラリーを用いることを特徴とする
埋め込み配線の形成方法を提供する。

【００１０】本発明は、第４に、高分子粒子、該高分子
粒子上に吸着された界面活性剤、該界面活性剤上に吸着
された無機粒子を含む凝集体を含有する化学的機械的研
磨用スラリーを用いることを特徴とする埋め込み配線の
形成方法を提供する。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明者は、金属層の化学的機械
的研磨に使用されるスラリーの研磨粒子に着目し、その
改良を行なうことにより、本発明をなすに至った。本発
明では、研磨粒子として、高分子粒子と無機粒子とを混
合して使用し、かつ所望の研磨作用に応じて、高分子粒
子と無機粒子との好適な組み合わせを適用する。

【００１２】まず、第１及び第２の発明について、順に
説明する。これらは、各々高分子粒子と無機粒子との異
なる組み合わせを有するスラリーを用いた半導体の製造
方法に関する。

【００１３】第１の発明に用いられる化学的機械的研磨
用スラリーは、高分子粒子及び該高分子粒子上に吸着さ
れた無機粒子を含む凝集体を含有する半導体の製造方法
に関する。この高分子粒子は、好ましくは、その表面に
アニオン部または非イオン部を有するアニオン系、カチ
オン系、両性系、あるいは非イオン系の官能基を有す
る。また、無機粒子は、好ましくは、アルミナ、シリ
カ、ベンガラ、セリア、カーボン、及び二酸化マンガン
からなる群から選択される少なくとも１種が使用され
る。

【００１４】第１の発明では、高分子粒子に対し、その
官能基と表面電位の異なる無機粒子を組み合わせて使用
する。例えば高分子粒子が、アニオン系官能基を有する
場合には、例えばアルミナ等の正電荷を有する無機粒子
を組み合わせることができる。また、例えば高分子粒子
が、カチオン系官能基を有する場合には、例えばシリカ
等の負電荷を有する無機粒子を組み合わせることができ
る。

【００１５】図１に、研磨工程における第１の発明にか
かるスラリー中の高分子粒子と無機粒子との状態を表す
モデル図を示す。図中、１は高分子粒子、２は無機粒
子、３は研磨バフ、４は金属層、５は絶縁層を表す。図
示するように、第１の発明によれば、高分子粒子１と、
無機粒子２との表面電位が異なるため、スラリー中に、
高分子粒子１表面上に無機粒子２が吸着した凝集体が得
られる。

【００１６】この凝集体は、表面の硬質の無機粒子２が
十分な研磨能力を示し、かつ高分子粒子１の適度な弾性
がスクラッチの発生、及びエロージョンの進行を防ぐ。

【００１７】また、アルミナ粒子が吸着していない過剰
の高分子粒子（研磨力のない粒子）がアルミニウム層に
吸着したり、砥粒に入り込み、過剰な研磨を妨げるダミ
ー砥粒効果を表すことによって、エロージョンを格段に
抑制することができると考えられる。

【００１８】また、研磨粒子の実効的な粒子径が大きく
なるため、研磨効率が上がり、効率よく良好な平坦化を
行なうことができる。また、スラリー中に無機粒子２の
みを適用すると、無機粒子２がバフ３の間に入り込み、
使用される無機粒子２の一部が研磨に寄与しないことが
あり得るが、第１の発明に用いられる凝集体は、適度な
大きさを有することにより、バフ３の間に入り込み難い
ので、効率よく研磨に寄与することができる。

【００１９】高分子粒子の官能基の具体例としては、例
えばカルボン酸型、スルホン酸型、硫酸エステル型、リ
ン酸エステル型、アミン塩型、第４級アンモニウム塩
型、エーテル型、エステル型、アルカノールアミド型、
カルボキシベタイン型、及びグリシン型官能基があげら
れる。

【００２０】また、高分子粒子は、その一次粒径が５０
〜１００００Ａであることが好ましい。

【００２１】上述の第１の発明に用いられるスラリー
は、高分子粒子のもつ官能基によって、無機粒子を吸着
させる組合わせが用いられているが、高分子粒子が官能
基をもたない場合でも、界面活性剤を添加することによ
って同様の現象を起こすことができる。

【００２２】第２の発明にかかる製造方法に用いられる
化学的機械的研磨用スラリーは、高分子粒子、高分子粒
子上に吸着された界面活性剤、界面活性剤を介して、高
分子粒子上に吸着された無機粒子を含む凝集体を含有す
る。

【００２３】第２の発明に使用される高分子粒子として
は、好ましくは、官能基をもたないものを利用する。

【００２４】第２の発明に使用される無機粒子は、第１
の発明に使用し得る無機粒子から選択することができ
る。

【００２５】第２の発明に使用されるスラリーは、第１
の発明にかかるスラリーと同様の作用を示し、このスラ
リー中には、高分子粒子表面上に界面活性剤を介して無
機粒子が吸着した凝集体が得られ、表面が硬質の無機粒
子が十分な研磨能力を示し、一方で、高分子粒子の適度
な弾性がスクラッチの発生、及びエロージョンの進行を
防ぐ。また、凝集体を構成することにより、研磨粒子の
実効的な粒子径が大きくなるため、研磨効率が上がり、
効率よく良好な平坦化を行なうことができる。さらに、
この凝集体は、適度な大きさを有することにより、研磨
バフの間に入り込み難いので、効率よく研磨に寄与する
ことができる。

【００２６】また、界面活性剤は、アニオン系、非イオ
ン部を有するアニオン系、カチオン系、両性系、非イオ
ン系界面活性剤から選択することができる。

【００２７】この界面活性剤に好ましく用いられる官能
基の具体例としては、例えばカルボン酸型、スルホン酸
型、硫酸エステル型、リン酸エステル型、アミン塩型、
第４級アンモニウム塩型、エーテル型、エステル型、ア
ルカノールアミド型、カルボキシベタイン型、及びグリ
シン型官能基等があげられる。

【００２８】なお、本発明において、研磨対象とするメ
タルとしては、例えばアルミ、銅、タングステン、チタ
ン、ニオブ、タンタル、銀、バナジウム、ルテニウム、
プラチナ、およびこれらの酸化物、窒化物、ホウ化物、
それらの合金等があげられる。

【００２９】また、本発明に用いられるスラリーには、
必要に応じて、酸化剤を添加することができる。酸化剤
を添加することにより、機械的研磨に化学的作用が加わ
るため、研磨速度が向上する。このような酸化剤として
は、過酸化水素、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、リン
酸、硝酸、及び硝酸二アンモニウムセリウムからなる群
から選択される標準電極電位−３Ｖ〜＋３Ｖの酸化剤が
好ましく用いられる。

【００３０】第３及び４の発明は、各々、第１及び第２
の発明にかかる半導体の製造方法に対応する。

【００３１】第３の発明にかかる埋め込み配線の形成方
法は、第１の発明にかかるスラリーを用いて被加工物を
研磨する工程を具備する。

【００３２】第４の発明にかかる埋め込み配線の形成方
法は、第２の発明にかかるスラリーを用いて被加工物を
研磨する工程を具備する。

【００３３】

【実施例】以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明
する。

【００３４】図２ないし図４、アルミニウムダマシン配
線の形成方法の一例を示す。

【００３５】まず、図２に示すように、図示しない半導
体素子が設けられた基板１００上に、深さ４０００Ａの
溝１０５のパターニングを施し、絶縁膜１０１を形成
し、次いで、ニオブライナ１０２を３００Ａ堆積し、こ
の後にアルミニウム膜１０３を６０００Ａ堆積した。

【００３６】次に、フィールド上のＡｌ膜１０３および
Ｎｂライナ１０２をＣＭＰにより除去した。

【００３７】その後、図３に示すように、Ａｌ膜１０３
を除去するポリッシュと、図４に示すように、Ｎｂライ
ナ１０２を除去するセカンドステップポリッシュの２ス
テップポリッシュを行なった。

【００３８】実施例１以下に示すスラリーを用いて、ポリッシュを行なった。

【００３９】（１）ポリッシュまず、ポリッシュ用のスラリーとしては、アニオン系官
能基を有する高分子粒子と、正電荷を有する無機粒子と
を使用した。その組成を下記に示す。

【００４０】ポリッシュ用のスラリーポリメチルメタクリレート（一次粒子径２０００Ａ）（官能基…カルボキシル基）０.５重量部アルミナ粒子（一次粒子径２００Ａ）３.０重量部（ゼータ電位ｐＨ２で＋３５ｍＶ、ｐＨで＋３４ｍＶ）水残部ｐＨ７上記スラリーを用いて、荷重３００ｇ／ｃｍ^２、トップ
リング回転数６０ｒｐｍ、テーブル回転数１００ｒｐｍ
の条件でファーストポリッシュを行なったところ、２０
００Ａ／分のＡｌ研磨速度が得られた。

【００４１】比較として、上記ポリメチルメタクリレー
ト単独及びアルミナ粒子単独をそれぞれ研磨粒子として
混入したスラリーを作成し、同条件でアルミニウム研磨
速度を測定した。その結果を図５に示す。

【００４２】図５から明らかなように、高分子粒子、あ
るいはアルミナ単独ではほとんど研磨能力はないこと
が、両者を混合すると研磨能力は大幅に上昇することが
確認された。

【００４３】図６に、アルミナ粒子の粒子径と、これを
単独で含むスラリーを用いた研磨における研磨速度との
関係を表すグラフ図を表す。このグラフに示すように、
スラリー中のアルミナ粒子の粒子径が大きくなるほど研
磨速度が上昇する傾向にある。これに対し、本発明のス
ラリーに使用される高分子粒子は、スラリ中でマイナス
に帯電し、これにゼロもしくはプラスに帯電しているア
ルミナ粒子が吸着されてその実効的な粒径が大きくなっ
ているので、アルミナ粒子と同様に、研磨速度が上昇す
ると考えられる。図７に得られた凝集体のモデル図を示
す。図中、１２０はポリメチルメタクリレート粒子、１
２１はアルミナ粒子を各々示す。

【００４４】単純に大粒径のアルミナを用いた場合、ス
クラッチとトレードオフの関係にあるため、残念ながら
実用的レベルではない。

【００４５】一方、高分子粒子はスクラッチと研磨速度
に粒子径依存性はほとんどない。しかしながら、無機粒
子と混合した場合、スクラッチ低減と、スラリー分散性
（安定性）の観点から、以下に述べる理由により好まし
い粒子径が存在する。

【００４６】図８に、上述のポリメチルメタクリレート
の粒子径と、無機粒子を混入してスラリーを形成して研
磨を行なった場合のスクラッチの発生数との関係、及び
この粒子径と、このスラリー中の粒子の沈降速度との関
係を表すグラフ図を示す。

【００４７】グラフ８１に示すように、高分子粒子径が
５０Ａ以下になると、クッション効果が弱まり、無機粒
子によるスクラッチを回避できなくなる。一方、グラフ
８２に示すように、高分子粒子径が１００００Ａ以上に
なるとホモ凝集の発生が顕著になり、沈殿しやすくなる
ため、スラリの分散性が悪化する。したがって、無機粒
子とミックスした場合の実用的な高分子粒子径は５０〜
１００００Ａである。

【００４８】また、本スラリでは、高分子粒子のクッシ
ョン効果により、比較的硬質のパットで研磨してもスク
ラッチが入ることはない。

【００４９】図９に、上記スラリーと、アルミナ粒子及
び酸化剤を用いたスラリーについて、種々のライン幅の
被加工物を研磨したときに発生するエロージョンの深さ
を測定した結果を表すグラフ図を示す。

【００５０】図示するように、本発明のスラリーを使用
すると、そのライン幅が増加しても、エロージョンがほ
とんど進行しないことがわかった。

【００５１】実施例２以下に示すスラリーを用いて、ポリッシュを行なった。

【００５２】（１）ポリッシュここでは、ポリッシュ用のスラリーとしては、カチオン
系官能基を有する高分子粒子と、負電荷を有する無機粒
子とを使用した。その組成を下記に示す。

【００５３】ポリッシュ用のスラリーポリスチレン（一次粒径２０００Ａ）（官能基…アミノ基）０．５重量部シリカ粒子（一次粒子径２００Ａ）３．０重量部ｐＨ７水残部上記スラリーを用いる以外は実施例１と同様にして、ポ
リッシュを行ない、その研磨速度を測定した。なお、比
較のため、シリカ粒子単独、及びポリスチレン粒子単独
を使用したスラリーについても同様の測定を行なった。
得られた結果を図１０に示す。

【００５４】図示するように、シリカ粒子単独を用いた
スラリでも１５００Ａ／分程度の高研磨速度が得られ、
第２の発明にかかるスラリーを用いると、さらに高い３
５００Ａ／分の研磨速度が実現し得る。

【００５５】これは、実施例１と同様に、スラリー中で
アミノ基の存在によりプラスに帯電しているポリスチレ
ン粒子の表面に、マイナスに帯電しているシリカ粒子が
吸着することにより凝集体が形成され、シリカの実効的
な粒子径が増大するためであると考えられる。図１１に
この凝集体のモデル図を示す。図中、１２２はポリスチ
レン粒子、１２３はシリカ粒子を各々示す。

【００５６】また、実施例１と同様に、柔らかい高分子
粒子のクッション効果により硬いパットで研磨してもス
クラッチを生じない。さらに、実施例１と同様にエロー
ジョンの進行を抑制する効果があった。

【００５７】なお、実施例１および２ではアニ才ン系お
よびカチオン系官能基を有する高分子粒子と、アルミナ
粒子およびシリカ粒子のコンビネーションについて説明
したが、有機の官能基としては、非イオン部を有するア
ニオン系、カチオン系で、これらと相反する表面電荷を
もつ無機粒子、たとえばアルミナ、シリカあるいはベン
ガラなどの組み合わせでも同様の効果が得られる。

【００５８】実施例３以下に示すスラリーを用いてポリッシュを行なった。

【００５９】（１）ポリッシュまず、ポリッシュ用のスラリーとしては、官能基を持た
ない高分子粒子と、アニオン性界面活性剤と、無電荷ま
たは正電荷に帯電された無機粒子とを使用した。その組
成を下記に示す。

【００６０】ポリッシュ用のスラリーポリスチレン（一次粒子径２０００Ａ）（官能基…カルボキシル基）０.５重量部アルミナ粒子（一次粒子径２００Ａ）３.０重量部ドデシル硫酸ナトリウム０．０５重量部水残部ｐＨ７上記スラリーを用いる以外は、実施例１と同様にしてポ
リッシュを行なった。

【００６１】図１２に、スラリー中の凝集体のモデル図
を示す。

【００６２】このスラリーでは、高分子粒子１２４表面
に親油部が吸着し、この高分子粒子１２４はマイナスに
帯電する。そして、無電荷もしくはプラスに帯電したア
ルミナ粒子１２１が親水部に吸着し、高分子粒子１２４
と無機粒子１２１がこの界面活性剤１２５を介して吸着
している。

【００６３】結果、官能基を持たないポリスチレン粒子
１２４とアルミナ粒子１２５は凝集しているので、実施
例１のスラリーと同様の効果が得られる。

【００６４】実施例４ここでも、実施例１で述べたＡｌダマシン配線の形成方
法におけるポリッシュ用のスラリについて説明する。

【００６５】以下に示すスラリーを用いて、ポリッシュ
を行なった。

【００６６】（１）ポリッシュここでは、ポリッシュ用のスラリーとしては、カチオン
系官能基を有する高分子粒子と、負電荷を有する無機粒
子とを使用した。その組成を下記に示す。

【００６７】ポリッシュ用のスラリーポリスチレン（一次粒径２０００Ａ）（官能基…アミノ基）０．５重量部シリカ粒子（一次粒子径２００Ａ）３．０重量部過酸化水素（酸化剤）１．０重量部ｐＨ５上記スラリーを用いる以外は実施例１と同様にして、ポ
リッシュを行なった。

【００６８】このスラリーは、酸化剤を添加したため、
酸化剤無添加のスラリーと比較して、研磨時に化学的作
用が加わるため、その相互作用によって研磨速度がさら
に向上した。

【００６９】なお、上記実施例は、これに限定されるも
のでなく、研磨時の荷重、トップリングおよびターンテ
ーブルの回転数等は、適宜、変更可能である。

【００７０】また、本発明における使用ｐＨ領域は好ま
しくはpＨ３〜１２の範囲であり、Ａｌダマシン配線形
成の場合、特に好ましくはｐＨ約７である。

【００７１】

【発明の効果】本発明の方法を用いると、研磨時に、ス
クラッチ等によるエロージョンの進行を抑え、被加工膜
の効率のよい平坦化が可能となる。

【００７２】このため、スクラッチフリーかつエロージ
ョンの小さい埋め込み配線を安定して形成することが可
能となり、信頼性の高い半導体装置が容易に得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の発明にかかるスラリー中の高分子粒子
と無機粒子との状態を表すモデル図

【図２】アルミニウムダマシン配線の形成工程の一例
を表す図

【図３】アルミニウムダマシン配線の形成工程の一例
を表す図

【図４】アルミニウムダマシン配線の形成工程の一例
を表す図

【図５】第１の発明にかかるスラリーの一例を用いた
研磨の速度を表すグラフ図

【図６】アルミナ粒子の粒子径と、研磨速度との関係
を表すグラフ図

【図７】第１の発明にかかるスラリー中の凝集体の一
例のモデル図

【図８】スクラッチ発生数を表すグラフ図

【図９】エロージョンの深さを表すグラフ図

【図１０】第１の発明にかかるスラリーの他の一例を
用いた研磨の速度を表すグラフ図

【図１１】第１の発明にかかるスラリー中の凝集体の
他の一例のモデル図

【図１２】第２の発明にかかるスラリー中の凝集体の
一例のモデル図

【符号の説明】

１，１１…高分子粒子２，１２…無機粒子３…バフ４…金属層５…絶縁層１００…半導体基板１０１…パターニングを施した絶縁膜１０２…Ｎｂライナ１０３…Ａｌ膜１０５…配線溝

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者矢野博之神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地株式会社東芝横浜事業所内Ｆターム(参考） 3C058 AA07 CB02 CB03 CB10 DA02 DA12 4F071 AA22 AA31 AA40 AA41 AA50 AB03 AB17 AB18 AB22 AB23 AB25 AB26 AC06 AC09 AC10 AC12 AC13 AC14 AC15 AH19 DA17 DA18 4J002 BC021 BG051 CB001 CC031 CC181 CC211 CG001 DA018 DE037 DE098 DE118 DE148 DF027 DG037 DH027 DJ018 EV186 FD207 FD208 FD316 GQ05 GT00 5F033 HH08 HH17 MM01 MM12 QQ48 QQ50 XX01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】高分子粒子及び該高分子粒子上に吸着さ
れた無機粒子を含む凝集体を含有する化学的機械的研磨
用スラリーを用いることを特徴とする半導体装置の製造
方法。
【請求項２】前記高分子粒子は、アニオン系、カチオ
ン系、両性系、非イオン系官能基から選択される官能基
を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】前記官能基は、カルボン酸型、スルホン
酸型、硫酸エステル型、リン酸エステル型、アミン塩
型、第４級アンモニウム塩型、エーテル型、エステル
型、アルカノールアミド型、カルボキシベタイン型、及
びグリシン型官能基からなる群から選択されることを特
徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】高分子粒子、該高分子粒子上に吸着され
た界面活性剤、該界面活性剤上に吸着された無機粒子を
含む凝集体を含有する化学的機械的研磨用スラリーを用
いた半導体装置の製造方法。
【請求項５】前記界面活性剤は、アニオン系、非イオ
ン部を有するアニオン系、カチオン系、両性系、非イオ
ン系界面活性剤から選択されることを特徴とする請求項
４に記載の方法。
【請求項６】前記界面活性剤の官能基は、カルボン酸
型、スルホン酸型、硫酸エステル型、リン酸エステル
型、アミン塩型、第４級アンモニウム塩型、エーテル
型、エステル型、アルカノールアミド型、カルボキシベ
タイン型、およびグリシン型官能基からなる群から選択
される請求項５に記載の方法。
【請求項７】前記高分子粒子は、メタクリル樹脂、フ
ェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ポリスチレ
ン樹脂、ポリアセタール樹脂、及びポリカーボネイト樹
脂からなる粒子からなる群から選択されることを特徴と
する請求項１または４に記載の方法。
【請求項８】前記高分子粒子は、一次粒径が５０〜１
００００Ａであることを特徴とする請求項１または４に
記載の方法。
【請求項９】前記無機粒子は、アルミナ、シリカ、ベ
ンガラ、セリア、カーボン、及び二酸化マンガンからな
る群から選択される少なくとも１種の材料からなること
を特徴とする請求項１または４に記載の方法。
【請求項１０】過酸化水素、ペルオキソ二硫酸アンモ
ニウム、リン酸、硝酸、及び硝酸二アンモニウムセリウ
ムからなる群から選択される標準電極電位−３Ｖ〜＋３
Ｖの酸化剤をさらに含むことを特徴とする請求項１また
は４に記載の方法。
【請求項１１】高分子粒子及び該高分子粒子上に吸着
された無機粒子を含む凝集体を含有する化学的機械的研
磨用スラリーを用いることを特徴とする埋め込み配線の
形成方法。
【請求項１２】前記高分子粒子は、アニオン系、カチ
オン系、両性系、非イオン系官能基から選択される官能
基を有することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】前記官能基は、カルボン酸型、スルホ
ン酸型、硫酸エステル型、リン酸エステル型、アミン塩
型、第４級アンモニウム塩型、エーテル型、エステル
型、アルカノールアミド型、カルボキシベタイン型、及
びグリシン型官能基からなる群から選択されることを特
徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】高分子粒子、該高分子粒子上に吸着さ
れた界面活性剤、該界面活性剤上に吸着された無機粒子
を含む凝集体を含有する化学的機械的研磨用スラリーを
用いた埋め込み配線の製造方法。
【請求項１５】前記界面活性剤は、アニオン系、非イ
オン部を有するアニオン系、カチオン系、両性系、非イ
オン系界面活性剤から選択されることを特徴とする請求
項１４に記載の方法。
【請求項１６】前記界面活性剤の官能基は、カルボン
酸型、スルホン酸型、硫酸エステル型、リン酸エステル
型、アミン塩型、第４級アンモニウム塩型、エーテル
型、エステル型、アルカノールアミド型、カルボキシベ
タイン型、およびグリシン型官能基からなる群から選択
される請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】前記高分子粒子は、メタクリル樹脂、
フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ポリスチ
レン樹脂、ポリアセタール樹脂、及びポリカーボネイト
樹脂からなる粒子からなる群から選択されることを特徴
とする請求項１２または１４に記載の方法。
【請求項１８】前記高分子粒子は、一次粒径が５０〜
１００００Ａであることを特徴とする請求項１１または
１４に記載の方法。
【請求項１９】前記無機粒子は、アルミナ、シリカ、
ベンガラ、セリア、カーボン、及び二酸化マンガンから
なる群から選択される少なくとも１種の材料からなるこ
とを特徴とする請求項１１また１４に記載の方法。
【請求項２０】過酸化水素、ペルオキソ二硫酸アンモ
ニウム、リン酸、硝酸、及び硝酸二アンモニウムセリウ
ムからなる群から選択される標準電極電位−３Ｖ〜＋３
Ｖの酸化剤をさらに含むことを特徴とする請求項１１ま
たは１４に記載の方法。