JP2000269154A - 加熱装置 - Google Patents
加熱装置Info
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- JP2000269154A JP2000269154A JP11076158A JP7615899A JP2000269154A JP 2000269154 A JP2000269154 A JP 2000269154A JP 11076158 A JP11076158 A JP 11076158A JP 7615899 A JP7615899 A JP 7615899A JP 2000269154 A JP2000269154 A JP 2000269154A
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- heating
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 枚葉式の加熱装置において、被処理基板を収
納する容器の、基板挿入口とそれを除く内周面との熱吸
収度を同程度にすることによって、被処理基板の周方向
での加熱温度を等しくし、被処理基板に対して均一な処
理を行うこと。 【解決手段】 チャンバー２１の側壁部の、ウエハ挿入
口２３の部分を除いた内周面２２に、その周方向に沿っ
て溝２４を設け、ウエハ挿入口２３の部分を除いた内周
面２２の熱吸収度がウエハ挿入口２３の部分の熱吸収度
と同程度になるようにし、それによってチャンバー２１
内の熱線がチャンバー２１の側壁部の、ウエハ挿入口２
３を含む全ての内周面２２において均一に吸収されるよ
うにし、ウエハＷの周方向での加熱温度を等しくする。
納する容器の、基板挿入口とそれを除く内周面との熱吸
収度を同程度にすることによって、被処理基板の周方向
での加熱温度を等しくし、被処理基板に対して均一な処
理を行うこと。 【解決手段】 チャンバー２１の側壁部の、ウエハ挿入
口２３の部分を除いた内周面２２に、その周方向に沿っ
て溝２４を設け、ウエハ挿入口２３の部分を除いた内周
面２２の熱吸収度がウエハ挿入口２３の部分の熱吸収度
と同程度になるようにし、それによってチャンバー２１
内の熱線がチャンバー２１の側壁部の、ウエハ挿入口２
３を含む全ての内周面２２において均一に吸収されるよ
うにし、ウエハＷの周方向での加熱温度を等しくする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板挿入口を介し
て容器内に被処理基板を１枚ずつ入れて加熱処理する加
熱装置に関する。
て容器内に被処理基板を１枚ずつ入れて加熱処理する加
熱装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造プロセスの一つと
して、半導体ウエハ（以下、ウエハとする）に種々の処
理を施した後にその処理による特性の均一化を図るなど
のために行うアニール処理がある。この処理を行うため
の従来の枚葉式加熱装置は、図５及び図６にそれぞれ側
面断面及び平面断面を模式的に示すように、ウエハＷを
収納する容器であるチャンバー１１と、ウエハ挿入口１
２と、ゲートバルブ１３を備えており、ウエハＷを、図
示しないロードロック室からゲートバルブ１３及びウエ
ハ挿入口１２を介してチャンバー１１内に１枚ずつ挿入
し、それを載置台１４上に載置して、チャンバー１１の
下側に配置された図示しないランプ等よりなる加熱手段
により加熱するようになっている。
して、半導体ウエハ（以下、ウエハとする）に種々の処
理を施した後にその処理による特性の均一化を図るなど
のために行うアニール処理がある。この処理を行うため
の従来の枚葉式加熱装置は、図５及び図６にそれぞれ側
面断面及び平面断面を模式的に示すように、ウエハＷを
収納する容器であるチャンバー１１と、ウエハ挿入口１
２と、ゲートバルブ１３を備えており、ウエハＷを、図
示しないロードロック室からゲートバルブ１３及びウエ
ハ挿入口１２を介してチャンバー１１内に１枚ずつ挿入
し、それを載置台１４上に載置して、チャンバー１１の
下側に配置された図示しないランプ等よりなる加熱手段
により加熱するようになっている。
【０００３】その際チャンバー１１内は所定の雰囲気、
例えば不活性ガス雰囲気に保たれ、チャンバー１１の天
井部分に設けられたガス供給手段１５によってチャンバ
ー１１内に不活性ガスを導入しながら、図示しない排気
手段により排気を行う。
例えば不活性ガス雰囲気に保たれ、チャンバー１１の天
井部分に設けられたガス供給手段１５によってチャンバ
ー１１内に不活性ガスを導入しながら、図示しない排気
手段により排気を行う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の加熱装
置では、例えば熱源となる複数のランプを、ウエハＷの
中心点を中心として同心円状に配列しており、ウエハＷ
の直径方向に加熱量を調節することができるようになっ
ており、それによってウエハ面内における温度分布を均
一化することができるようになっている。しかしチャン
バー１１のウエハ挿入口１２を除く他の内周面では熱線
が反射されるのに対して、ウエハ挿入口１２では熱線が
吸収されてしまうため、チャンバー１１内で、ウエハ挿
入口１２に近い部分の温度が他の部分よりも低くなって
しまう。そのためウエハＷの周方向で加熱温度が異な
り、ウエハ面内の処理が不均一となるという問題点があ
る。
置では、例えば熱源となる複数のランプを、ウエハＷの
中心点を中心として同心円状に配列しており、ウエハＷ
の直径方向に加熱量を調節することができるようになっ
ており、それによってウエハ面内における温度分布を均
一化することができるようになっている。しかしチャン
バー１１のウエハ挿入口１２を除く他の内周面では熱線
が反射されるのに対して、ウエハ挿入口１２では熱線が
吸収されてしまうため、チャンバー１１内で、ウエハ挿
入口１２に近い部分の温度が他の部分よりも低くなって
しまう。そのためウエハＷの周方向で加熱温度が異な
り、ウエハ面内の処理が不均一となるという問題点があ
る。
【０００５】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は、枚葉式の加熱装置において被処
理基板を収納する容器の、基板挿入口とそれを除く内周
面との熱吸収度が同程度になるようにすることによっ
て、被処理基板の周方向での加熱温度の均一性を高く
し、被処理基板に対して均一な処理を行うことができる
加熱装置を提供することにある。
のであり、その目的は、枚葉式の加熱装置において被処
理基板を収納する容器の、基板挿入口とそれを除く内周
面との熱吸収度が同程度になるようにすることによっ
て、被処理基板の周方向での加熱温度の均一性を高く
し、被処理基板に対して均一な処理を行うことができる
加熱装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る加熱装置
は、被処理基板を収納する容器と、被処理基板を加熱す
るための加熱手段と、被処理基板を出し入れするために
前記容器の側壁部の一部に設けられた基板挿入口と、前
記容器の側壁部の、基板挿入口を除く内周面の熱吸収度
を前記基板挿入口の熱吸収度と同程度にするために、基
板挿入口を除く前記内周面周方向に沿って設けられた熱
吸収手段と、を具備することを特徴とする。
は、被処理基板を収納する容器と、被処理基板を加熱す
るための加熱手段と、被処理基板を出し入れするために
前記容器の側壁部の一部に設けられた基板挿入口と、前
記容器の側壁部の、基板挿入口を除く内周面の熱吸収度
を前記基板挿入口の熱吸収度と同程度にするために、基
板挿入口を除く前記内周面周方向に沿って設けられた熱
吸収手段と、を具備することを特徴とする。
【０００７】この発明において、前記熱吸収手段は、前
記容器の側壁部の内周面に設けられた溝により構成され
ているとしてもよいし、また前記加熱手段は、被処理基
板の中心を中心とする同心円状の複数の領域毎に単位面
積当たりの加熱量が調整可能な構成とすることができ
る。
記容器の側壁部の内周面に設けられた溝により構成され
ているとしてもよいし、また前記加熱手段は、被処理基
板の中心を中心とする同心円状の複数の領域毎に単位面
積当たりの加熱量が調整可能な構成とすることができ
る。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１及び図２は、それぞれ本発明
に係る加熱装置の一例を示す側面断面図及び平面断面図
である。この加熱装置は、被処理基板であるウエハＷを
一枚ずつ収納するチャンバー２１の側壁部の内周面２２
に、基板挿入口であるウエハ挿入口２３の部分を除き、
その周方向に沿って熱吸収手段をなす例えば溝２４が設
けられているものである。この溝２４における熱吸収度
はウエハ挿入口２３における熱吸収度と同程度になって
おり、従ってチャンバー２１の床部中央の開口部２０の
下側に配置されたランプ３１等の加熱手段３から、その
開口部２０を下側から塞ぐ透過窓４１を介してチャンバ
ー２１内に供給された熱線は、チャンバー２１の側壁部
の、ウエハ挿入口２３を含む全ての内周面２２において
均一に吸収される。
に係る加熱装置の一例を示す側面断面図及び平面断面図
である。この加熱装置は、被処理基板であるウエハＷを
一枚ずつ収納するチャンバー２１の側壁部の内周面２２
に、基板挿入口であるウエハ挿入口２３の部分を除き、
その周方向に沿って熱吸収手段をなす例えば溝２４が設
けられているものである。この溝２４における熱吸収度
はウエハ挿入口２３における熱吸収度と同程度になって
おり、従ってチャンバー２１の床部中央の開口部２０の
下側に配置されたランプ３１等の加熱手段３から、その
開口部２０を下側から塞ぐ透過窓４１を介してチャンバ
ー２１内に供給された熱線は、チャンバー２１の側壁部
の、ウエハ挿入口２３を含む全ての内周面２２において
均一に吸収される。
【０００９】溝２４は光学的に黒体とし、溝２４内に入
った光が溝２４の外に出ないようにすることが好まし
く、例えば溝２４の高さと奥行きとの比が１：３、すな
わち例えば高さ及び奥行きがそれぞれ５ｍｍ及び１５ｍ
ｍ程度であるのが好ましい。また溝２４の形状は、溝２
４における熱吸収度がウエハ挿入口２３における熱吸収
度と同程度であれば特に問わない。なお溝２４内を黒色
にして溝２４の外に出る光を少なくするようにしてもよ
いし、溝２４内の表面を例えば細かい凹凸を付けた荒れ
た面としてもよい。
った光が溝２４の外に出ないようにすることが好まし
く、例えば溝２４の高さと奥行きとの比が１：３、すな
わち例えば高さ及び奥行きがそれぞれ５ｍｍ及び１５ｍ
ｍ程度であるのが好ましい。また溝２４の形状は、溝２
４における熱吸収度がウエハ挿入口２３における熱吸収
度と同程度であれば特に問わない。なお溝２４内を黒色
にして溝２４の外に出る光を少なくするようにしてもよ
いし、溝２４内の表面を例えば細かい凹凸を付けた荒れ
た面としてもよい。
【００１０】またチャンバー２１の天井部には、ガス供
給手段としてシャワーヘッドなどと呼ばれるガス供給部
５１が設けられている。ガス供給部５１は、例えばガス
供給管５４，５５から供給されたガスを、ガス拡散部５
２の多数のガス噴射口５３からチャンバー２１内に供給
するようになっている。このガス供給手段は、例えばこ
の加熱装置を用いて不活性ガス雰囲気下でアニール処理
を行う場合には不活性ガスを供給し、またこの成膜装置
がＣＶＤ（化学気相成長）法による成膜処理に使用され
る場合には成膜ガス等の供給に供される。ガス供給手段
により供給されたガスは、チャンバー２１に設けられた
図示しない排気手段を介して排気される。ガス供給部５
１の側壁部及びガス拡散部５２は、温調用の流体を通流
させるための流体通路５６を有している。
給手段としてシャワーヘッドなどと呼ばれるガス供給部
５１が設けられている。ガス供給部５１は、例えばガス
供給管５４，５５から供給されたガスを、ガス拡散部５
２の多数のガス噴射口５３からチャンバー２１内に供給
するようになっている。このガス供給手段は、例えばこ
の加熱装置を用いて不活性ガス雰囲気下でアニール処理
を行う場合には不活性ガスを供給し、またこの成膜装置
がＣＶＤ（化学気相成長）法による成膜処理に使用され
る場合には成膜ガス等の供給に供される。ガス供給手段
により供給されたガスは、チャンバー２１に設けられた
図示しない排気手段を介して排気される。ガス供給部５
１の側壁部及びガス拡散部５２は、温調用の流体を通流
させるための流体通路５６を有している。
【００１１】ウエハ挿入口２３は、ゲートバルブ６１に
より塞がれており、このゲートバルブ６１が開くと図示
しないロードロック室の内部に連通接続する。チャンバ
ー２１内にはウエハＷを保持する保持アーム６２及びそ
れを昇降させるリフタ６３が設けられ、一方ロードロッ
ク室内にはウエハＷを搬送するための図示しない搬送ア
ームが設けられており、ゲートバルブ６１が開いた時に
その搬送アームと保持アーム６２との間でウエハＷの受
け渡しが行われる。
より塞がれており、このゲートバルブ６１が開くと図示
しないロードロック室の内部に連通接続する。チャンバ
ー２１内にはウエハＷを保持する保持アーム６２及びそ
れを昇降させるリフタ６３が設けられ、一方ロードロッ
ク室内にはウエハＷを搬送するための図示しない搬送ア
ームが設けられており、ゲートバルブ６１が開いた時に
その搬送アームと保持アーム６２との間でウエハＷの受
け渡しが行われる。
【００１２】チャンバー２１内には、ウエハＷを載置す
るための載置台２５が、開口部２０を塞ぐように設けら
れている。開口部２０において、載置台２５と透過窓４
１とにより囲まれた空間には、不活性ガス供給口４２を
介して図示しない不活性ガス供給手段により不活性ガ
ス、例えば窒素ガスが供給され得るようになっており、
例えばこの加熱装置がＣＶＤ装置として使用される場合
に、窒素ガスをバッファプレート４３のガス孔を介し
て、ウエハＷの下面近傍に均一に供給することによっ
て、チャンバー２１内から成膜ガス等が透過窓４１側に
流入するのを防ぎ、透過窓４１の表面で成膜が起こらな
いようにしている。
るための載置台２５が、開口部２０を塞ぐように設けら
れている。開口部２０において、載置台２５と透過窓４
１とにより囲まれた空間には、不活性ガス供給口４２を
介して図示しない不活性ガス供給手段により不活性ガ
ス、例えば窒素ガスが供給され得るようになっており、
例えばこの加熱装置がＣＶＤ装置として使用される場合
に、窒素ガスをバッファプレート４３のガス孔を介し
て、ウエハＷの下面近傍に均一に供給することによっ
て、チャンバー２１内から成膜ガス等が透過窓４１側に
流入するのを防ぎ、透過窓４１の表面で成膜が起こらな
いようにしている。
【００１３】ランプ３１は、例えばモータ３２により回
転駆動される回転テーブル３３上に配列されている。図
３は、ランプ３１の配列の一例を示す平面図である。図
３に示す例では、ランプ３１は、ウエハの中心点に相当
する点を中心とし、互いに半径の異なる例えば３つの同
心円のそれぞれの周３４，３５，３６に沿って配置され
ている。最も内側の円周３４に沿っては、例えば２個の
ランプ３１が設けられており、真ん中の円周３５に沿っ
ては、例えば６個のランプ３１が設けられており、最も
外側の円周３６に沿っては、例えば１５個のランプ３１
が設けられている。なお同心円の数及び各円周上のラン
プ３１の数は、上記説明の数に限定されない。
転駆動される回転テーブル３３上に配列されている。図
３は、ランプ３１の配列の一例を示す平面図である。図
３に示す例では、ランプ３１は、ウエハの中心点に相当
する点を中心とし、互いに半径の異なる例えば３つの同
心円のそれぞれの周３４，３５，３６に沿って配置され
ている。最も内側の円周３４に沿っては、例えば２個の
ランプ３１が設けられており、真ん中の円周３５に沿っ
ては、例えば６個のランプ３１が設けられており、最も
外側の円周３６に沿っては、例えば１５個のランプ３１
が設けられている。なお同心円の数及び各円周上のラン
プ３１の数は、上記説明の数に限定されない。
【００１４】ランプ３１は、各円周３４，３５，３６毎
に独立して、あるいは１つずつ独立して単位面積当たり
の加熱量を制御することができるようになっており、３
つの円周３４，３５，３６上のランプ３１によって、図
４に模式的に示すように例えば３つの輪状加熱領域３
７，３８，３９が形成される。そして図示しない制御装
置により、最も内側の輪状加熱領域３７よりもそのすぐ
外側の輪状加熱領域３８の方が単位面積当たりの加熱量
が大きくなるように制御し、更にその外側の輪状加熱領
域３９の方が単位面積当たりの加熱量が大きくなるよう
に制御する。それによって、ウエハＷの中心から外周に
向かって徐々に単位面積当たりの加熱量が大きくなり、
ウエハＷの面内温度分布が均一になる。
に独立して、あるいは１つずつ独立して単位面積当たり
の加熱量を制御することができるようになっており、３
つの円周３４，３５，３６上のランプ３１によって、図
４に模式的に示すように例えば３つの輪状加熱領域３
７，３８，３９が形成される。そして図示しない制御装
置により、最も内側の輪状加熱領域３７よりもそのすぐ
外側の輪状加熱領域３８の方が単位面積当たりの加熱量
が大きくなるように制御し、更にその外側の輪状加熱領
域３９の方が単位面積当たりの加熱量が大きくなるよう
に制御する。それによって、ウエハＷの中心から外周に
向かって徐々に単位面積当たりの加熱量が大きくなり、
ウエハＷの面内温度分布が均一になる。
【００１５】次に上述実施の形態の作用について述べ
る。まず図示しない搬送アームによりチャンバー２１内
にウエハＷを搬入し、リフタ６３の保持アーム６２上に
受け渡す。そして図示しない排気手段によりチャンバー
２１内の排気を行いながら、ガス供給管５４，５５よ
り、所定流量のＮ2 ガスをガス供給部５１を介してチャ
ンバー２１内に導入し、常圧下でランプ３１によりウエ
ハＷを、例えば５００℃程度に加熱し、アニール処理を
行う。
る。まず図示しない搬送アームによりチャンバー２１内
にウエハＷを搬入し、リフタ６３の保持アーム６２上に
受け渡す。そして図示しない排気手段によりチャンバー
２１内の排気を行いながら、ガス供給管５４，５５よ
り、所定流量のＮ2 ガスをガス供給部５１を介してチャ
ンバー２１内に導入し、常圧下でランプ３１によりウエ
ハＷを、例えば５００℃程度に加熱し、アニール処理を
行う。
【００１６】上述実施の形態によれば、チャンバー２１
の側壁部の、ウエハ挿入口２３の部分を除いた内周面２
２に、その周方向に沿って溝２４を設け、ウエハ挿入口
２３の部分を除いた内周面２２の熱吸収度がウエハ挿入
口２３の熱吸収度と同程度になるようにしたため、チャ
ンバー２１内の熱線がチャンバー２１の側壁部の、ウエ
ハ挿入口２３を含む全ての内周面２２において均一に吸
収されるので、ウエハＷの周方向での加熱温度の均一性
が高くなり、ウエハＷに対して均一な処理を行うことが
できる。
の側壁部の、ウエハ挿入口２３の部分を除いた内周面２
２に、その周方向に沿って溝２４を設け、ウエハ挿入口
２３の部分を除いた内周面２２の熱吸収度がウエハ挿入
口２３の熱吸収度と同程度になるようにしたため、チャ
ンバー２１内の熱線がチャンバー２１の側壁部の、ウエ
ハ挿入口２３を含む全ての内周面２２において均一に吸
収されるので、ウエハＷの周方向での加熱温度の均一性
が高くなり、ウエハＷに対して均一な処理を行うことが
できる。
【００１７】以上において本発明は、チャンバー２１の
側壁部の内周面に沿って溝２４を設けずに黒色の帯状着
色部分を設けてもよい。また加熱手段として、ウエハＷ
の直径方向で温度調節することができる同心円状のヒー
タを用いてもよく、そのヒータはチャンバー内のウエハ
載置部に埋め込まれていてもよい。またアニール処理に
限らず、ＣＶＤによる成膜処理にも適用でき、その場合
には例えば頻繁にクリーニングガスでチャンバー２１内
の壁面をクリーニングする必要がある。
側壁部の内周面に沿って溝２４を設けずに黒色の帯状着
色部分を設けてもよい。また加熱手段として、ウエハＷ
の直径方向で温度調節することができる同心円状のヒー
タを用いてもよく、そのヒータはチャンバー内のウエハ
載置部に埋め込まれていてもよい。またアニール処理に
限らず、ＣＶＤによる成膜処理にも適用でき、その場合
には例えば頻繁にクリーニングガスでチャンバー２１内
の壁面をクリーニングする必要がある。
【００１８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、被処理基
板を収納する容器の側壁部の、基板挿入口を含む全ての
内周面において熱吸収度が均一になるので、被処理基板
の周方向での加熱温度が等しくなり、被処理基板に対し
て均一な処理を行うことができる。
板を収納する容器の側壁部の、基板挿入口を含む全ての
内周面において熱吸収度が均一になるので、被処理基板
の周方向での加熱温度が等しくなり、被処理基板に対し
て均一な処理を行うことができる。
【図１】本発明に係る加熱装置の一例を示す側面断面図
である。
である。
【図２】その加熱装置の平面断面図である。
【図３】その加熱装置のランプの配置例を示す平面図で
ある。
ある。
【図４】そのランプ配置により形成される加熱領域を示
す模式図である。
す模式図である。
【図５】従来の枚葉式加熱装置の側面断面を示す模式図
である。
である。
【図６】従来の枚葉式加熱装置の平面断面を示す模式図
である。
である。
Ｗ ウエハ（被処理基板） ３ 加熱手段 ２１ チャンバー（容器） ２３ ウエハ挿入口（基板挿入口） ２４ 溝（熱吸収手段）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 伸明 東京都港区赤坂五丁目３番６号 東京エレ クトロン株式会社内 (72)発明者 重岡 隆 神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番41 号 東京エレクトロン東北株式会社相模事 業所内
Claims (3)
- 【請求項１】 被処理基板を収納する容器と、 被処理基板を加熱するための加熱手段と、 被処理基板を出し入れするために前記容器の側壁部の一
部に設けられた基板挿入口と、 前記容器の側壁部の、基板挿入口を除く内周面の熱吸収
度を前記基板挿入口の熱吸収度と同程度にするために、
基板挿入口を除く前記内周面に設けられた熱吸収手段
と、を具備することを特徴とする加熱装置。 - 【請求項２】 前記熱吸収手段は、前記容器の側壁部の
内周面に周方向に沿って設けられた溝により構成されて
いることを特徴とする請求項１記載の加熱装置。 - 【請求項３】 前記加熱手段は、被処理基板の中心を中
心とする同心円状の複数の領域毎に単位面積当たりの加
熱量が調整可能であることを特徴とする請求項１または
２記載の加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07615899A JP4435322B2 (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | 加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07615899A JP4435322B2 (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | 加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000269154A true JP2000269154A (ja) | 2000-09-29 |
| JP4435322B2 JP4435322B2 (ja) | 2010-03-17 |
Family
ID=13597256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07615899A Expired - Fee Related JP4435322B2 (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | 加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4435322B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009231661A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
| JP2009260025A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
-
1999
- 1999-03-19 JP JP07615899A patent/JP4435322B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009231661A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
| JP2009260025A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4435322B2 (ja) | 2010-03-17 |
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