JP2000266968A - 光半導体モジュール - Google Patents

光半導体モジュール

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JP2000266968A
JP2000266968A JP11072851A JP7285199A JP2000266968A JP 2000266968 A JP2000266968 A JP 2000266968A JP 11072851 A JP11072851 A JP 11072851A JP 7285199 A JP7285199 A JP 7285199A JP 2000266968 A JP2000266968 A JP 2000266968A
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Japan
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chip
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lens
fixing ring
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Minoru Sone
稔 曽根
Motoyasu Morinaga
素安 森永
Hideto Furuyama
英人 古山
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Abstract

(57)【要約】 【課題】モジュール内の光半導体素子を気密封止すると
ともにモジュールの信頼性を維持し、小型でかつ簡単に
製作でき光ファイバと光半導体素子との光結合を高くす
る。 【解決手段】光半導体素子と集光レンズとを直接対面さ
せ集光レンズの焦点距離が短い高結合レンズを使用して
光ファイバと光半導体素子との結合を高め、集光レンズ
を保持するレンズホルダーとLDが搭載されているパッ
ケージとをレーザー溶接で固定するとともにレーザー溶
接された個所を固定リングで覆い被せレンズホルダーと
固定リングおよびパッケージと固定リングとの隙間を半
田で気密封止する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は光半導体素子と光フ
ァイバとを光結合した光通信用モジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】光通信用モジュールに搭載されている光
半導体素子は信頼性を向上させるために、パッケージ内
に固定され不活性ガス中に機密封止されて用いられてい
る。このような光通信用モジュールを図4を用いて説明
する。
【0003】パッケージ47中に、半導体レーザダイオ
ード(LD)チップ41と、このLDチップ41の光パ
ワーを検知するためのフォトダイオード(PD)チップ
51が配置されている。LDチップ41は、サブマウン
ト44により固定され、LDキャリアー52上に搭載さ
れている。またPDチップ51は、PDキャリア53上
に、搭載されている。LDチップ41から照射された光
は、PDチップ51の受光面に、入射するように配置さ
れている。
【0004】パッケージ47は、LDチップ41から照
射された光を外部に取り出すための開口部47aが形成
され、この部分はガラス板49により、ろう剤50によ
って、機密封止されている。パッケージ47の外部に
は、内部に、集光レンズ43を有するレンズホルダー4
5が接続され、一端をパッケージ47と半田により固定
されている。この集光レンズホルダー45の他端には、
シングルモード光ファイバを内蔵するフェルール42を
固定するフェルールホルダー46が接続されている。パ
ッケージ47は、蓋48によって、窒素雰囲気で機密封
止されている。
【0005】次に、このような光通信用モジュールの製
造方法を説明する。先ず、パッケージ47中に形成され
たLDキャリア52の所定の位置にサブマウント44を
AuGe(融点356℃)で固定し、このサブマウント
44上面にLDチップ41をAuSn(融点280℃)
で固定する。
【0006】次に、このLDチップ41に通電するため
のAuワイヤをLDチップ41上の電極とLDキャリア
52上の電極とにボンディングする。次に、PDキャリ
ア53上に、PDチップ51をAuSn(融点280
℃)で固定する。PDキャリア53上の電極とPDチッ
プ51上の電極を、Auワイヤによってワイヤボンディ
ングする。
【0007】次に、PDチップ51が搭載されたPDキ
ャリア53をLDチップ41からの光が受光面に入射す
るようにパッケージ47中に配置し、AuSn(融点2
80℃)で固定する。次に、LDキャリア42とパッケ
ージ47のリードおよびPDキャリア53とパッケージ
47のリードとをワイヤボンディングする。
【0008】次に、窒素ガス中で、パッケージ47に蓋
48を被せシーム溶接し、LDチップ41とPDチップ
51を機密封止する。ガラス窓50は予めパッケージ4
7の開口部47aを塞ぐように半田付けされている。
【0009】次に、パッケージ47の光取り出し穴47
aに、LDチップ41を発光させ、カメラで光ビームの
位置をモニターしながら光ビームが所定の位置になるよ
うに、集光レンズ43が内蔵されたレンズホルダー45
の位置を調節する。レンズホルダー45の位置を決定し
た後、パッケージ47とレンズホルダー45の境界部を
レーザー溶接で固定する。
【0010】次に、フェルールホルダー46に光ファイ
バのフェルール42を入れた状態でレンズホルダー45
端面にフェルールホルダー46を接触させ、LD41を
発光させ光ファイバへの光出力が所望の値になるように
調芯する。その後、レーザー溶接でレンズホルダー45
とフェルールホルダー46およびフェルールホルダー4
6と光ファイバーのフェルール42とを固定し、光半導
体モジュールが形成される。
【0011】上記のようにして形成された光半導体モジ
ュールでは、パッケージ47のLD光取り出し口が、ガ
ラス板49で気密封止されているので、集光レンズ43
とLDチップ41の距離が大きくなり、LDチップ41
から照射された光を効率よく光ファイバーに集光させる
ことが難しいという問題が生じる。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】光半導体モジュール
は、光ファイバからの光出力が大きことが要求される。
そのためには、LDチップと光ファイバとの光結合性を
良くする必要があるが、LDチップを機密封止するため
のガラス板のために、LDチップと集光レンズ間の距離
が大きくなり、十分な集光特性を得られないという問題
がある。
【0013】上記問題を解決するために、本発明は、L
Dチップを十分に気密封止することができ、かつLDか
ら発せられた光を効率良く光ファイバに入射できる小形
で低価格の光半導体モジュールを提供することを目的と
する。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、一部に開口部を有する筐体と、前記筐体
中に配置された光半導体素子と、突出部が前記開口部か
ら前記筐体内に入るように配置され、前記筐体と溶接さ
れたレンズホルダーと、前記レンズホルダーの前記突出
部中に配置され、前記筐体内の前記光半導体素子と対向
するように配置された集光レンズと、前記前記レンズホ
ルダーと前記筐体が接続された部分を覆うように配置さ
れ、半田により固定された固定リングとを具備すること
を特徴とする光半導体モジュールを提供する。
【0015】また、本発明は、前記固定リングと前記レ
ンズホルダーとの境界部および前記固定リングと前記筐
体との境界部には半田溜まりとなる溝が形成されたこと
を特徴とする光半導体モジュールを提供する。
【0016】
【発明の実施の形態】以下本発明実施例を図面によって
詳述する。 (実施例1)図1は本発明の実施例1の光半導体モジュ
ールの断面図である。
【0017】この光半導体モジュールは、一部に開口部
7aを有する筐体(パッケージ)7と、前記パッケージ
7中に配置された光半導体素子(LDチップ)1と、突
出部が前記開口部7aから前記パッケージ7内に入るよ
うに配置され、前記パッケージ7と、溶接部18に溶接
されたレンズホルダー5と、前記レンズホルダー5の前
記突出部中に配置され、前記パッケージ7内の前記LD
チップ3と対向するように配置された集光レンズ3と、
前記前記レンズホルダー5と前記パッケージ7が接続さ
れた部分を覆うように配置され、半田16、17により
固定された固定リング15とからなる。
【0018】また、シングルモード光ファイバを内蔵す
るフェルール2を固定したフェルールホルダー6が、レ
ンズホルダー5と接続されている。また、LDチップ1
はサブマウント4により固定され、LDキャリア10に
よって、パッケージ7内部に固定されている。また、パ
ッケージ7内部には、LDチップ1からの光を検知する
モニターPD9が配置され、このモニターPD9は、P
Dキャリア11により固定されている。また、パッケー
ジ7内部は、蓋8および固定リング15、フェルールホ
ルダー6により、機密封止されている。
【0019】次に、この光半導体モジュールの製造方法
を以下に示す。先ず、パッケージ7に形成されているL
Dキャリア10の所定の位置にサブマウント4をAuG
e(融点356℃)で固定する。次に、このサブマウン
ト4上にLDチップ1をAuSn(融点280℃)で固
定する。次に、このLDチップ1に通電するためのAu
ワイヤをLDチップ1上の電極とLDキャリア10上の
電極との間にボンディングする。次に、PDキャリア1
1にPDチップ9をAuSn(融点280℃)で固定
し、PDチップ9上の電極とPDキャリア11上の電極
をAuワイヤによりボンディング接続する。次に、この
PDチップ9が搭載されたPDキャリア11をパッケー
ジ7内に配置し、LDチップ1からの光が受光面に入射
するように、AuSn(融点280℃)で固定する。次
に、LDキャリア10とパッケージ7のリードおよびP
Dキャリア11とパッケージ7のリードとをワイヤボン
ディングする。
【0020】次に、突出部に集光レンズ3がついたレン
ズホルダー5を、突出部がパッケージ内に入るように穴
7aに設置し、LDチップ1を発光させカメラを使用し
て光ビームの位置をモニターしながら光ビームが所定の
位置になるようにレンズホルダー5の位置を調節する。
この場合レンズホルダー5の外径は光取り出し穴7aよ
り大きくなっているので、レンズホルダー5はLD発光
点像の位置調心のために移動ができるようになってい
る。レンズホルダー5の位置を決定した後パッケージ7
とレンズホルダー5の境界部をレーザー溶接(溶接部1
8)で固定する。
【0021】次に、図2に示すように、レンズホルダー
5にレーザ溶接部を覆い被せるようにして固定リング1
5を入れ、固定リング15の円周上横面とレンズホルダ
ー5の境界部の隙間に半田16および固定リング15と
パッケージ7が接する隙間に半田17を溶かし各隙間を
気密封止する。12はLDチップ1とPDチップ9に接
続される配線である。
【0022】次に、パッケージ7を窒素ガス中に置き、
蓋8を被せシーム溶接し、LDチップ1とPDチップ9
を窒素雰囲気で機密封止する。次に、フェルールホルダ
ー6に光ファイバのフェルール2を入れた状態でレンズ
ホルダー5の端面にフェルールホルダー2を接触させ、
LDチップ1を発光させ光ファイバへの光出力が所望の
値になるようにフェルールホルダー2を調芯する。次
に、レーザー溶接でレンズホルダー5とフェルールホル
ダー6およびフェルールホルダー6と光ファイバのフェ
ルール2とを固定する。
【0023】上記のようにして作成された光半導体モジ
ュールでは、レンズホルダー5の突出部がパッケージ7
内に入っており、集光レンズ3とLDチップ1とがすぐ
近くに対向配置されている。このようにすることでLD
チップ1から照射される光を効率よく光ファイバないに
集光できるので、光の利用効率が高くなる。その結果集
光レンズを焦点距離の短いレンズを使用できLDチップ
と光ファイバの結合効率を高めることができる。また、
焦点距離の短いレンズを使用できるためLDチップと光
ファイバとの距離が短くでき、モジュールをより小型化
することにも寄与できる。
【0024】また、パッケージ7の機密化は、レンズホ
ールダー5とパッケージ7の接続部を囲むように固定リ
ング15を半田付けすることによって行っており、信頼
性も高い。
【0025】また、LDチップ1を発光させ、光が最適
になる位置に調芯した後、レンズホルダー5をレーザ溶
接でパッケージ7に固定されるので、固定の際のずれは
きわめて少なく光ファイバへの光入射量は大きくするこ
とができる。
【0026】また、光ファイバはフェルールホルダー
6、レンズホルダー5を介してパッケージ7にレーザー
溶接で固定されているので製作されたモジュールの光結
合の安定性は高くなっている。
【0027】また、半田だけではモジュール製作後の温
度変化によってレンズホルダが動き光ファイバ出力が落
ちてしまうといった問題点が起こるが、本発明では、レ
ンズホルダー5とパッケージ7とをレーザー溶接と半田
により固定しているのでこのような問題はない。 (実施例2)次に、本発明の実施例2の光半導体モジュ
ールの説明をする。図3はこの光半導体モジュールの断
面図である。
【0028】実施例1の光半導体モジュールと同一の部
分には同一の符号を付しその詳しい説明は省略する。実
施例1の光半導体モジュールとの違いは、固定リング1
5に半田が溜まるための溝を形成した点である。
【0029】1はLDチップ、2はシングルモード光フ
ァイバ、3はLDチップ1から発光した光をシングルモ
ードファイバ2に集光するための非球面レンズ、4はL
Dチップ1を固定するサブマウント、5は非球面レンズ
3を保持するレンズホルダー、6はレンズホルダー5に
光ファイバ2を固定するためのフェルールホルダー、7
は光半導体モジュールの外囲器となるパッケージ、8は
パッケージの蓋、9はLDチップ1からの光を検知する
PDチップ、10はLDが固定されたサブマウントをパ
ッケージに固定するためのLDキャリヤ、11はPDチ
ップ9をパッケージ7に固定するためのPDキャリア、
15はレンズホルダー円周横面およびパッケージの両者
に接する固定リング、16はレンズホルダー円周横面と
固定リングとの間を気密封止する半田(融点186
℃)、17は固定リングとパッケージとの間隙を気密封
止する半田(融点186℃)、7aはパッケージ7内の
サブキャリア10に固定されたLDチップ1からの光を
外部に取り出すための光取り出し穴である。
【0030】また、固定リング15には、レンズホルダ
ー5の円周横面と固定リング15との間を気密封止する
半田を溜める溝15aとパッケージ7と固定リング15
との間を機密封止する半田をためる溝15bが形成され
ている。また非球面レンズ3はあらかじめレンズホルダ
ー5にろう付けされ気密封止されている。
【0031】本実施例では、固定リング15に溝を形成
してはんだ付けしているので、パッケージ7内部をさら
に機密化することができ、信頼性が高くなる。次に、こ
の光半導体モジュールの組み立て方法を説明する。実施
例1とは、レンズホルダー5をパッケージ7にレーザ溶
接するところまで同様である。
【0032】レンズホルダー5を溶接した後、固定リン
グ15をレンズホルダー5に入れる。固定リング15と
レンズホルダー5との境界部および固定リング15とパ
ッケージとの境界部には溝15aおよび15bが形成さ
れ、それぞれの溝にはあらかじめ半田(融点186℃)
が付着されている。
【0033】次に、パッケージ7の温度を上げこの半田
を溶かし固定リング15とレンズホルダー5との境界部
および固定リング15とパッケージ7境界部の気密封止
をする。
【0034】次に、窒素ガス雰囲気でパッケージ7にパ
ッケージ蓋8をシーム溶接しLDチップ1とPDチップ
9を窒素ガスで封じる。次に、フェルール2をフェルー
ルホルダー6に入れフェルールホルダー6をレンズホル
ダー5に接触させる。LDを発光させ光ファイバとの調
心を行った後レンズホルダー5とフェルールホルダー6
およびフェルールホルダー6と光ファイバとをレーザー
溶接で固定する。
【0035】以上のようにして組み立てられた光半導体
モジュールでは実施例1と同様の効果が得られる。ま
た、実施例2では、固定リング15に半田を溜める溝が
形成されているので、さらに固定リング15とレンズホ
ルダー5および固定リング15とパッケージ7との気密
封止の作業が簡単に行なうことができ、半田が少量です
むという効果がある。また、溝のために固定リング15
の円周上の封止部分に半田が均一にいきわたるため気密
封止歩留まりが良いことやモジュール製作後の温度変化
に対するレンズホルダーのずれはさらに小さくなりより
信頼性の高いモジュールが得られる。以上説明してきた
実施例では気密封止をPbSn半田で行ったが他の種類
の半田たとえばInPb、InPbAg、BiSn、I
nなど行ってもよい。
【0036】
【発明の効果】本発明は、LDチップの気密封止を高め
信頼性を向上できる。また、LDチップから発せられた
光を光ファイバへ効率よく入射できる。また、1個の集
光レンズだけで行うことができるため小型化できる。ま
た、光学系の部品がレーザー溶接で固定されているため
光学系のずれは少なく信頼性が高くなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例1にかかる光半導体モジュー
ルの断面図。
【図2】 本発明の実施例1にかかる光半導体モジュー
ルの斜視図。
【図3】 本発明の実施例2にかかる光半導体モジュー
ルの断面図。
【図4】 従来の光半導体モジュールの断面図。
【符号の説明】
1…LDチップ 2…フェルール 3…非球面レンズ 4…サブマウント 5…レンズホルダー 6…フェルールホルダー 7…パッケージ 8…蓋 9…PDチップ 10…LDキャリアー 11…PDキャリアー 12…配線 15…固定リング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 古山 英人 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝川崎事業所内 Fターム(参考) 2H037 AA01 BA03 CA16 DA05 DA16 DA36 5F041 AA06 AA47 DA57 DA64 DA77 EE04 EE15 FF14 5F073 AB27 AB28 BA01 EA29 FA02 FA08 FA22 FA29

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一部に開口部を有する筐体と、 前記筐体中に配置された光半導体素子と、 突出部が前記開口部から前記筐体内に入るように配置さ
    れ、前記筐体と溶接されたレンズホルダーと、 前記レンズホルダーの前記突出部中に配置され、前記筐
    体内の前記光半導体素子と対向するように配置された集
    光レンズと、 前記前記レンズホルダーと前記筐体が接続された部分を
    覆うように配置され、半田により固定された固定リング
    とを具備することを特徴とする光半導体モジュール。
  2. 【請求項2】前記固定リングと前記レンズホルダーとの
    境界部および前記固定リングと前記筐体との境界部には
    半田溜まりとなる溝が形成されたことを特徴とする請求
    項1記載の光半導体モジュール。
JP11072851A 1999-03-18 1999-03-18 光半導体モジュール Pending JP2000266968A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002156562A (ja) * 2000-11-21 2002-05-31 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザモジュール及びその製造方法
JP2013115149A (ja) * 2011-11-25 2013-06-10 Kyocera Corp 素子収納用パッケージおよび光半導体装置

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JP2002156562A (ja) * 2000-11-21 2002-05-31 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザモジュール及びその製造方法
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