JP2000260066A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】透明樹脂基板と透明誘電体層との密着性が高
く、高屈折率の透明誘電体層となるためＣ／Ｎ比が向上
し、またスパッタリング法によって成膜する際に発火等
の危険がないものとする。 【解決手段】透明樹脂基板１上に光記録層３と反射層５
とを積層した光記録媒体Ｍ１であって、光記録層３の少
なくとも一方の界面に、組成式ＺｎＳ−Ｓｉ_aＯ_b Ｎ_c
（ａ＝３８〜４５ａｔ（原子）％，ｂ＝４４〜５８ａｔ
％，ｃ＝５〜２０ａｔ％，ａ＋ｂ＋ｃ＝１００ａｔ％）
で表される、第一，第二透明誘電体層２，４を設けた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ディスク状の透明
樹脂基板上に相変化型の光記録層、或いはカー効果等の
磁気光学効果によって情報を再生する光磁気記録層が設
けられた光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、温度によって結晶質と非晶質の２
状態に相変化可能な光記録層を有する相変化型の光記録
媒体の場合、プラスチック等からなるディスク状の透明
樹脂基板上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂ 等から成る第一透明誘
電体層、ＧｅＴｅ等の相変化型の光記録層、ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ₂ 等から成る第二透明誘電体層、Ａｌ等からなる反
射層を順次積層したものが提案されている。

【０００３】また、光記録媒体の一種である光磁気記録
媒体の場合、プラスチック等からなるディスク状の透明
樹脂基板上に、サイアロン（Ｓｉ，Ａｌ，Ｏ，Ｎの非晶
質膜），Ｓｉ₃ Ｎ₄ ，ＳｉＯ₂ 等の第一透明誘電体層、
ＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅ
Ｃｏ等からなる少なくとも１層の光磁気記録層、第一透
明誘電体層と同様の組成である第二透明誘電体層、Ａ
ｌ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｌ−Ｔｉ合金等からなる反射層から
構成されたものが提案されている。

【０００４】相変化型の光記録媒体の場合、前記第一，
第二透明誘電体層は、主に耐熱性の保護層として形成さ
れ、この保護層によりレーザ光を効率良く吸収させると
共に、耐候性に優れた光記録媒体としている。

【０００５】また光磁気記録媒体の場合、前記第一，第
二透明誘電体層は、光磁気記録層に入射した再生用の光
が光磁気記録層で反射されカー効果によって反射光の偏
光方向が回転する際に、第一，第二透明誘電体層で反射
光を多重反射させることによってカー回転角を増大させ
Ｃ／Ｎ比等を向上させる、所謂カー回転角エンハンスメ
ント効果を高めるために設けられる。また、第一，第二
透明誘電体層は、酸化により腐食し易い光磁気記録層を
保護し、酸化防止の目的で設けている。

【０００６】上記の相変化型の光記録媒体において、例
えば、ＺｎＳ等のカルコゲン化合物とＳｉ酸化物と２０
モル％未満の炭素を含むターゲットを用いて、スパッタ
リング法により誘電体薄膜を形成することにより、記録
特性の長期信頼性、繰返記録特性に優れるといったもの
が提案されている（従来例１：特開平９−７１８６１号
公報参照）。

【０００７】また従来例２として、相変化型の光記録媒
体において、ＺｎＳ等の金属のカルコゲン化合物と、Ｓ
ｉＯ₂ 等の酸化物，Ｓｉ₃ Ｎ₄ 等の窒化物又はＳｉＣ等
の炭化物とを主成分とするターゲットを用いて成膜され
た耐熱保護層を形成することにより、スポット径の大き
いレーザ光を照射してもクラックが発生せず、環境変化
に大して安定なものが公知である（特開昭６３−１４３
２５４号公報）。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例１，２ではＺｎＳ−ＳｉＯ₂ 等の誘電体薄膜を形成
しているが、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂ はスパッタリング法で成
膜した後大気に晒した際に発火し易いという欠点があ
り、製造後のメンテナンス時に爆発の危険が伴ってい
た。また、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂ 膜は屈折率が低いため光反
射率も低下し易く、またカー回転角エンハンスメント効
果も劣化していた。ＺｎＳ−ＳｉＯＮ膜の場合、透明樹
脂基板との密着性が悪いという問題点があった。

【０００９】また、ＺｎＳ−ＳｉＯＣ膜の場合、共有結
合した成分がないと密着性が低下していた。ＺｎＳ−Ｓ
ｉＮ膜の場合、発火し易く、密着性及びＣ／Ｎ比が低下
していた。そして、ＺｎＳ−ＳｉＣ膜の場合、Ｃ／Ｎ比
等の特性の低下が起こっていた。

【００１０】このように、ＺｎＳ−ＳｉＯＮ膜及びＺｎ
Ｓ−ＳｉＯＣ膜に関し、上記各問題点を解消する最適な
組成比について言及したものはなかった。

【００１１】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は透明樹脂基板と透明誘電体
層との密着性が高く、高屈折率の透明誘電体層となるた
めカー回転角等のエンハンスメント効果及びＣ／Ｎ比が
向上し、またスパッタリング法によって成膜した後大気
に晒した際に発火等の危険がなく、更に耐候性に優れた
ものとすることにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の光記録媒体は、
透明樹脂基板上に光記録層と反射層とを積層した光記録
媒体であって、前記光記録層の少なくとも一方の界面
に、組成式ＺｎＳ−Ｓｉ_a Ｏ_b Ｎ_c （ａ＝３８〜４５ａ
ｔ（原子）％，ｂ＝４４〜５８ａｔ％，ｃ＝５〜２０ａ
ｔ％，ａ＋ｂ＋ｃ＝１００ａｔ％）で表される透明誘電
体層を設けたことを特徴とする。

【００１３】本発明は上記構成により、Ｎが所定量含ま
れることで製造時の発火が抑制されると共に、透明誘電
体層と透明樹脂基板との密着性及び透明誘電体層の屈折
率が向上し、その結果Ｃ／Ｎ比及びカー回転角等のエン
ハンスメント効果が向上する。

【００１４】上記密着性向上及び発火抑制の効果につい
て詳細に説明する。ＺｎＳ−Ｓｉ_aＯ_b Ｎ_c からなる透
明誘電体層は、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂ ターゲットを使用して
雰囲気ガスとしてＮ₂ ガスを流しながら反応性スパッタ
リング法により成膜するが、成膜中にＮ₂ とＯ₂ が共有
結合しＮＯ₂ が生成する。透明誘電体層中のＮＯ₂ は、
図２（ａ），（ｂ）に示すような２状態のＮＯ₂ が共鳴
し存在しているのでラジカルな状態となり、基板との密
着性が向上する。即ち、（ａ）において、Ｎの二重結合
（右側）と一本の結合（左側）が入れ替わり（ｂ）のよ
うな状態に随時変化し、（ｂ）は（ａ）の状態に随時変
化しており、これが基板に積層される際に、Ｏの余った
結合手が基板のＣ，Ｏと共有結合して密着性が向上する
ことになる。尚、図２において点印は不対電子を示す。

【００１５】また、ＮＯ₂ は強酸化剤であるためＮＯ₂
中の酸素が一部のＺｎＳのＳと共有結合してＳＯ_X を形
成する。一方、全ての酸素はＮ₂ を添加することによ
り、単独では存在しなくなる。そして、発火はＺｎＳの
Ｓが成膜後大気中のＯ₂ と反応して起こるため、Ｓが単
独で存在しなければ大気中での発火は起こらなくなる。

【００１６】本発明において、好ましくは、透明誘電体
層中のＳ，Ｏ，Ｎの結合状態による組成比について、Ｓ
−Ｏ共有結合比Ｋsoが７０〜９０％、Ｎ−Ｏ共有結合比
Ｋnoが１０〜３０％、且つＫso＋Ｋno＝１００％であ
る。これにより、透明樹脂基板と透明誘電体層との密着
性、Ｃ／Ｎ比、エンハンスメント効果が更に向上する。

【００１７】また、本発明の光記録媒体は、透明樹脂基
板上に光記録層と反射層とを積層した光記録媒体であっ
て、前記光記録層の少なくとも一方の界面に、組成式Ｚ
ｎＳ−Ｓｉ_d Ｏ_e Ｃ_f （ｄ＝３７〜４７ａｔ（原子）
％，ｅ＝４６〜６０ａｔ％，ｆ＝３〜９ａｔ％，ｄ＋ｅ
＋ｆ＝１００ａｔ％）で表される透明誘電体層を設けた
ことを特徴とする。

【００１８】本発明は上記構成により、Ｏと単結合して
いるＣ、所謂ラジカルなＣＯ₂ の割合が増加し、透明樹
脂基板表面のＣ，Ｏと透明誘電体層中のＳｉ，Ｃ，Ｏと
が共有結合することになり、密着性が向上すると共にＣ
／Ｎ比も改善される。

【００１９】本発明において、好ましくは、透明誘電体
層中のＣ，Ｏの結合状態によるＣの組成比について、単
原子として存在するＣの組成比Ｃ１がＣ１＝０〜２０ａ
ｔ％、Ｏと単結合しているＣの組成比Ｃ２がＣ２＝８０
〜１００ａｔ％、ＣＯ₂ として存在するＣの組成比Ｃ３
がＣ３＝０〜２０ａｔ％、且つＣ１＋Ｃ２＋Ｃ３＝１０
０ａｔ％である。これにより、透明樹脂基板と透明誘電
体層との密着性、Ｃ／Ｎ比、エンハンスメント効果が更
に向上する。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明の光記録媒体について以下
に説明する。図１は本発明の光記録媒体Ｍ１の部分断面
図であり、同図において、１はポリカーボネート，ポリ
アセタール，ポリメチルメタクリレート等のプラスチッ
クからなる透明樹脂基板（以下、基板と略す）、２は第
一透明誘電体層、３はＧｅＳｂＴｅ等の相変化型の光記
録層、４は第一透明誘電体層２と同様のものから成る第
二透明誘電体層、５はＡｌ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｌ−Ｔｉ合
金，Ａｌ−Ｃｒ合金等からなる反射層である。前記第
一，第二透明誘電体層２，４は、光記録層３の少なくと
も一方の界面に設層されていれば良い。

【００２１】本発明の第一透明誘電体層２と第二透明誘
電体層４は、ＺｎＳ−Ｓｉ_a Ｏ_b Ｎ_c （ａ＝３８〜４５
ａｔ（原子）％，ｂ＝４４〜５８ａｔ％，ｃ＝５〜２０
ａｔ％，ａ＋ｂ＋ｃ＝１００ａｔ％）、又はＺｎＳ−Ｓ
ｉ_d Ｏ_e Ｃ_f （ｄ＝３７〜４７ａｔ（原子）％，ｅ＝４
６〜６０ａｔ％，ｆ＝３〜９ａｔ％，ｄ＋ｅ＋ｆ＝１０
０ａｔ％）からなる。

【００２２】まず、ＺｎＳ−Ｓｉ_a Ｏ_b Ｎ_c の場合につ
いて説明する。前記組成式において、ｂが４４ａｔ％未
満ではＳ−Ｏ共有結合が少なくなり発火性が劣化し、５
８ａｔ％を超えると未反応のＯ₂ が残留してしまい発火
性の点で不適である。また、ｃが５ａｔ％未満ではＮ−
Ｏ共有結合ができにくくなり、２０ａｔ％を超えると密
着性が低下する。Ｓｉの組成比ａについて、Ｓｉ自体は
増減しても特に発火性等の特性には関係なく、よってａ
の範囲はｂ，ｃの範囲から相対的に決まるものである。

【００２３】本発明において、第一透明誘電体層２及び
第二透明誘電体層４中のＳ，Ｏ，Ｎの結合状態による組
成比について、Ｓ−Ｏ共有結合比Ｋsoが７０〜９０％、
Ｎ−Ｏ共有結合比Ｋnoが１０〜３０％、且つＫso＋Ｋno
＝１００％であるのが良い。

【００２４】前記Ｋsoが７０ａｔ％未満では発火性が悪
くなり、９０ａｔ％を超えると密着性が低下する。Ｋno
が１０ａｔ％未満では密着性が低下し、３０ａｔ％を超
えるても密着性が低下する。

【００２５】上記の各共有結合比Ｋso，Ｋnoは、Ｘ線光
電子分光分析法（X-Ray Photoelectron Spectroscopy：
ＸＰＳ）で測定することができる。また、Ｋso，Ｋnoを
上記範囲になるように第一透明誘電体層２及び第二透明
誘電体層４を成膜するには、スパッタリング法で成膜す
る際のＮ₂ ガス流量、パワー密度を制御することで調整
できる。例えば成膜時の雰囲気ガス中のＮ₂ ガス分圧を
０．２Ｐａ程度、パワー密度を６４Ｗ／ｍ² 程度とする
ことで、上記範囲内のものとなる。

【００２６】上記第一透明誘電体層２の厚さは、７００
〜１５００Åが良く、７００Å未満では耐酸化性の保護
層として機能しなくなり、１５００Åを超えると第一透
明誘電体層２の光反射率が大きくなりＣ／Ｎ比が低下す
る。第二透明誘電体層４の厚さは５０〜４００Åがよ
く、５０Å未満では耐酸化性の保護層としての役割、エ
ンハンスメント効果及び光記録層３の体積変化に対する
保護効果が低下し、４００Åを超えるとエンハンスメン
ト効果が低下しＣ／Ｎ比が劣化する。

【００２７】本発明の第一透明誘電体層２及び第二透明
誘電体層４は、以下のようにして成膜する。ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ₂ を主成分とするターゲットを用いて、Ｎ₂ ガス中
で反応性スパッタリング法により成膜する。この場合、
成膜速度の大きいＤＣ（直流）スパッタリングが好まし
い。

【００２８】次に、ＺｎＳ−Ｓｉ_d Ｏ_e Ｃ_f の場合につ
いて以下に説明する。前記組成式において、ｄが３７ａ
ｔ％未満又は４７ａｔ％を超えるとＣ／Ｎ比が低下す
る。ｅが４６ａｔ％未満では、酸素不足で発火性及び密
着性が悪化し、６０ａｔ％を超えるとＣ／Ｎ比等の特性
が低下する。また、ｆが３ａｔ％未満ではＣ−Ｏ共有結
合が少ないため密着性が低下し、９ａｔ％を超えると屈
折率が小さくなりＣ／Ｎ比等の特性が低下する。

【００２９】本発明において、第一透明誘電体層２及び
第二透明誘電体層４中のＣ，Ｏの結合状態によるＣの組
成比について、単原子として存在するＣの組成比Ｃ１が
Ｃ１＝０〜２０ａｔ％、Ｏと単結合しているＣの組成比
Ｃ２がＣ２＝８０〜１００ａｔ％、ＣＯ₂ として存在す
るＣの組成比Ｃ３がＣ３＝０〜２０ａｔ％、且つＣ１＋
Ｃ２＋Ｃ３＝１００ａｔ％であるのが良い。

【００３０】前記Ｃ１が２０ａｔ％を超えると、第一透
明誘電体層２及び第二透明誘電体層４中の酸素が解離し
て光記録層３を酸化し易くなり、Ｃ／Ｎ比が劣化する。
また、Ｃ３が２０ａｔ％を超えると、ＳｉとＮが直接共
有結合する割合が増すためＳｉと基板１間を結合する原
子にＣ，Ｏが入らないことになり、密着性が劣化する。
Ｃ２が８０ａｔ％未満では、Ｃ１，Ｃ２が増加し上記の
如くＣ／Ｎ比、密着性が劣化する。

【００３１】上記の各組成比Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、Ｘ線
光電子分光分析法（ＸＰＳ）で測定することができる。
上記Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３を上記範囲になるように第一透明
誘電体層２及び第二透明誘電体層４を成膜するには、ス
パッタリング法で成膜する際のＣＯ₃ ガス流量、パワー
密度を制御することで調整できる。例えば成膜時の雰囲
気ガス中のＣＯ₃ ガス分圧を０．３〜０．４Ｐａ程度、
パワー密度を６４Ｗ／ｍ² 程度とすることで、上記範囲
内のものとなる。

【００３２】上記第一透明誘電体層２の厚さは、７００
〜１５００Åが良く、７００Å未満では耐酸化性の保護
層として機能しなくなり、１５００Åを超えると第一透
明誘電体層２の光反射率が大きくなりＣ／Ｎ比が低下す
る。第二透明誘電体層４の厚さは５０〜４００Åがよ
く、５０Å未満では耐酸化性の保護層としての役割、エ
ンハンスメント効果及び光記録層３の体積変化に対する
保護効果が低下し、４００Åを超えるとエンハンスメン
ト効果が低下しＣ／Ｎ比が劣化する。

【００３３】本発明の第一透明誘電体層２及び第二透明
誘電体層４は、以下のようにして成膜する。ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ₂ を主成分とするターゲットを用いて、ＣＯ₂ ガス
中で反応性スパッタリング法により成膜する。この場
合、成膜速度の大きいＤＣ（直流）スパッタリングが好
ましい。また雰囲気ガスとしては酸化を促進する酸素ガ
スよりもＣＯ₂ ガスが好ましい。ＣＯ₂ は成膜時に発生
するプラズマ中において、そのＯ₂ が解離することは少
なく、そのため磁性層が酸化されることが殆どない。

【００３４】また、ＣＯ₂ を使用することで基板１と第
一，第二透明誘電体層２，４との密着性が高まるが、そ
れは基板１表面のＣ，ＯとＺｎＳ−ＳｉＯＣのＣ，Ｏと
が共有結合することによる。即ち、通常はＯ＝Ｃ＝Ｏと
いう２つの結合手で結合した（２重結合した）ＣＯ
₂ が、プラズマ中でＣ，Ｏ間の２つの結合手が１つにな
り、ラジカルな状態となり、基板１表面のＣ，ＯとＺｎ
Ｓ−ＳｉＯＣのＣ，Ｏとの間に入り込み共有結合させる
ことにより、密着性を高めているものと考えられる。

【００３５】上記実施形態では、光記録層３が相変化型
のものについて説明したが、光記録層３が光磁気記録層
であるものについても本発明は適用できる。この場合、
光磁気記録層はＣｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ等の遷移
金属元素と、Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ等の
希土類元素との非晶質合金であり、例えばＴｂＦｅ，Ｔ
ｂＦｅＣｏ，ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ等からな
る。

【００３６】また従来、基板１上に光記録層３、反射層
５を順次積層し、基板１の裏面側から再生用のレーザ光
を入射する構成を採っていたが、本発明は、基板１上に
反射層５、光記録層３を順次積層し、基板１の光記録層
３側から再生用のレーザ光を入射する構成のものにも適
用できる。

【００３７】本発明において、光記録層３等の各層を基
板１の両面に積層する（この場合、基板１上に反射層
５、光記録層３の順に積層する）、又は片面に各層を積
層した２枚の基板１を貼り付けることにより、２倍の記
録密度としても良い。

【００３８】かくして、本発明は、基板と透明誘電体層
との密着性が高く、高屈折率の透明誘電体層となるため
エンハンスメント効果及びＣ／Ｎ比が向上し、またスパ
ッタリング法によって成膜後に大気中で発火する等の危
険がなく、更に耐候性に優れたものとなるという作用効
果を有する。

【００３９】尚、本発明は上記の実施形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何等差し支えない。

【００４０】

【実施例】本発明の実施例を以下に説明する。

【００４１】（実施例１）図１の光記録媒体Ｍ１を以下
のように構成した。ポリカーボネートからなるディスク
状の基板１を約１００℃でベークして、静止対向型の直
流スパッタリング装置内に設置し、所定の真空度まで排
気し、基板１の一主面にＺｎＳ−Ｓｉ_a Ｏ_b Ｎ_c からな
り厚さ１０００Åの第一透明誘電体層２、Ｇｅ₂ Ｓｂ₂
Ｔｅ₅ からなる厚さ２００Åの光記録層３、ＺｎＳ−Ｓ
ｉ_a Ｏ_b Ｎ_c からなり厚さ１０００Åの第二透明誘電体
層４、Ａｌ₉₅Ｃｒ₅ からなる厚さ１０００Åの反射層を
順次成膜した。

【００４２】上記第一透明誘電体層２及び第二透明誘電
体層４を成膜する際に、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂ を主成分とす
るターゲットを用いて、Ｎ₂ ガス中で反応性スパッタリ
ング法により成膜した。この場合、成膜速度の大きいＤ
Ｃ（直流）スパッタリングによって行った。

【００４３】このような光記録媒体Ｍ１において、第
一，第二透明誘電体層２，４の組成比を種々に変化させ
た場合の密着性、再生時のＣ／Ｎ比、屈折率ｎ、発火性
を測定した結果を表１に示す。

【００４４】

【表１】

【００４５】表１において、Ｓ−Ｏ共有結合比Ｋso、Ｎ
−Ｏ共有結合比Ｋno、Ｏ−Ｏ共有結合比ＫooはＸＰＳ法
により測定したものである。また、密着性の評価は、製
造後に８０℃で相対湿度９０％の雰囲気中に５００時間
設置したときに、第一透明誘電体層２，第二透明誘電体
層４に剥離や気泡が全く生じなかったものを１００％と
し、剥離や気泡が生じた場合、単位面積（１０ｍｍ×１
０ｍｍ）において剥離や気泡の占有面積を差し引いた面
積を％で示すことで行った。発火性については、成膜時
に一度でも発火したものをバツ印、全く発火しなかった
ものを丸印とした。

【００４６】表１より、本発明のＮＯ．１〜７は、密着
性、Ｃ／Ｎ比、屈折率ｎ、発火性のいずれにおいても高
い特性を示した。

【００４７】一方、比較例のＮＯ．８〜１３では、Ｎ成
分がない又はＫno＝０％のため発火性が不良であり、Ｎ
Ｏ．１４，１５では、Ｎ添加量が多すぎたため密着性が
悪く、ＮＯ．１６はＮ量が少ないためＫnoも少なく密着
性が低下した。ＮＯ．１７は酸素量が多いためＫso，Ｋ
noの生成割合が少なく、発火性及び密着性が劣化した。

【００４８】（実施例２）図１の光記録媒体Ｍ１を以下
のように構成した。ポリカーボネートからなるディスク
状の基板１を約１００℃でベークして、静止対向型の直
流スパッタリング装置内に設置し、所定の真空度まで排
気し、基板１の一主面にＺｎＳ−Ｓｉ_d Ｏ_e Ｃ_f からな
り厚さ１０００Åの第一透明誘電体層２、Ｇｅ₂ Ｓｂ₂
Ｔｅ₅ からなる厚さ３００Åの光記録層３、ＺｎＳ−Ｓ
ｉ_d Ｏ_e Ｃ_f からなり厚さ３００Åの第二透明誘電体層
４、Ａｌからなる厚さ１０００Åの反射層を順次成膜し
た。

【００４９】上記第一透明誘電体層２及び第二透明誘電
体層４を成膜する際に、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂ を主成分とす
るターゲットを用いて、ＣＯ₂ ガス中で反応性スパッタ
リング法により成膜した。この場合、成膜速度の大きい
ＤＣ（直流）スパッタリングによって行った。

【００５０】このような光記録媒体Ｍ１において、第
一，第二透明誘電体層２，４の組成比を種々に変化させ
た場合の密着性、再生時のＣ／Ｎ比、屈折率ｎ、発火性
を測定した結果を表２に示す。

【００５１】

【表２】

【００５２】表２において、単原子として存在するＣの
組成比Ｃ１、Ｏと単結合しているＣの組成比Ｃ２、ＣＯ
₂ として存在するＣの組成比Ｃ３はＸＰＳ法により測定
したものである。また、密着性の評価は、製造後に８０
℃で相対湿度９０％の雰囲気中に５００時間設置したと
きに、第一透明誘電体層２又は第二透明誘電体層４に剥
離や気泡が全く生じなかったものを１００％とし、剥離
や気泡が生じた場合、単位面積（１０ｍｍ×１０ｍｍ）
において剥離や気泡の占有面積を差し引いた面積を％で
示すことで行った。

【００５３】表２に示すように、本発明のＮＯ．１〜６
では、密着性、Ｃ／Ｎ比、ｎ、発火性共に高い値を示し
た。これに対し、比較例のＮＯ．７〜１７について、Ｎ
Ｏ．７〜１１ではＯの含有量が４６ａｔ％未満であり、
特に密着性及び発火性が劣化した。ＮＯ．１２はＣの含
有量が３ａｔ％未満で共有結合が殆どないため密着性が
低下し、ＮＯ．１３はＣの含有量が３ａｔ％未満だがＣ
１〜Ｃ３が本発明の範囲内であるため密着性はやや良い
が発火性が悪い。ＮＯ．１４はＣの含有量が９ａｔ％を
超えており、屈折率が小さくなりＣ／Ｎ比が低下した。

【００５４】また、ＮＯ．１５はＳｉの含有量が４７ａ
ｔ％を超え、Ｏの含有量が４６ａｔ％未満であるが、Ｃ
１〜Ｃ３が本発明の範囲内であるため密着性及びＣ／Ｎ
比がやや低下した。ＮＯ．１６はＯの含有量が４６ａｔ
％未満で、Ｃ２が８０％未満であり、密着性及びＣ／Ｎ
比が低下した。ＮＯ．１６はＳｉの含有量が４７ａｔ％
を超え、Ｏの含有量が４６ａｔ％未満で、Ｃの含有量が
９ａｔ％を超えており、Ｃ／Ｎ比が大幅に低下した。

【００５５】

【発明の効果】本発明は、光記録層の少なくとも一方の
界面に、組成式ＺｎＳ−Ｓｉ_a Ｏ_b Ｎ_c （ａ＝３８〜４
５ａｔ（原子）％，ｂ＝４４〜５８ａｔ％，ｃ＝５〜２
０ａｔ％，ａ＋ｂ＋ｃ＝１００ａｔ％）で表される透明
誘電体層を設けたことにより、Ｎが所定量含まれること
で製造時の発火が抑制されると共に、透明誘電体層の屈
折率が向上し、その結果Ｃ／Ｎ比、カー回転角等のエン
ハンスメント効果等が向上する。また、基板と透明誘電
体層との密着性も改善される。

【００５６】また本発明は、組成式ＺｎＳ−Ｓｉ_d Ｏ_e
Ｃ_f （ｄ＝３７〜４７ａｔ（原子）％，ｅ＝４６〜６０
ａｔ％，ｆ＝３〜９ａｔ％，ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００ａｔ
％）で表される透明誘電体層を設けたことにより、基板
表面のＣ，Ｏと透明誘電体層中のＳｉ，Ｃ，Ｏとが共有
結合することになり、密着性が向上する。また、本発明
の透明誘電体層は高い屈折率を有しているので、光磁気
記録媒体の場合高いカー回転角等のエンハンスメント効
果が得られ、その結果Ｃ／Ｎ比等が改善されるという作
用効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光記録媒体Ｍ１の部分断面図である。

【図２】（ａ），（ｂ）は本発明の透明誘電体層中での
ＮＯ₂ の２状態を示す分子構造図である。

【符号の説明】 １：透明樹脂基板 ２：第一透明誘電体層 ３：光記録層 ４：第二透明誘電体層 ５：反射層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K029 AA11 AA24 BA41 BC00 BC08 BD00 BD09 BD12 5D029 LA14 LA16 LA17 LA19 LC30

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】透明樹脂基板上に光記録層と反射層とを積
   層した光記録媒体であって、前記光記録層の少なくとも
   一方の界面に、組成式ＺｎＳ−Ｓｉ_a Ｏ_b Ｎ_c （ａ＝３
   ８〜４５ａｔ（原子）％，ｂ＝４４〜５８ａｔ％，ｃ＝
   ５〜２０ａｔ％，ａ＋ｂ＋ｃ＝１００ａｔ％）で表され
   る透明誘電体層を設けたことを特徴とする光記録媒体。
2. 【請求項２】透明樹脂基板上に光記録層と反射層とを積
   層した光記録媒体であって、前記光記録層の少なくとも
   一方の界面に、組成式ＺｎＳ−Ｓｉ_d Ｏ_e Ｃ_f （ｄ＝３
   ７〜４７ａｔ（原子）％，ｅ＝４６〜６０ａｔ％，ｆ＝
   ３〜９ａｔ％，ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００ａｔ％）で表される
   透明誘電体層を設けたことを特徴とする光記録媒体。
3. 【請求項３】透明誘電体層中のＳ，Ｏ，Ｎの結合状態に
   よる組成比ついて、Ｓ−Ｏ共有結合比Ｋsoが７０〜９０
   ％、Ｎ−Ｏ共有結合比Ｋnoが１０〜３０％、且つＫso＋
   Ｋno＝１００％である請求項１記載の光記録媒体。
4. 【請求項４】透明誘電体層中のＣ，Ｏの結合状態による
   Ｃの組成比について、単原子として存在するＣの組成比
   Ｃ１がＣ１＝０〜２０ａｔ％、Ｏと単結合しているＣの
   組成比Ｃ２がＣ２＝８０〜１００ａｔ％、ＣＯ₂ として
   存在するＣの組成比Ｃ３がＣ３＝０〜２０ａｔ％、且つ
   Ｃ１＋Ｃ２＋Ｃ３＝１００ａｔ％である請求項２記載の
   光記録媒体。