JP2000258376A - マイクロヒータ及びマイクロヒータの作製方法 - Google Patents
マイクロヒータ及びマイクロヒータの作製方法Info
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- JP2000258376A JP2000258376A JP6319299A JP6319299A JP2000258376A JP 2000258376 A JP2000258376 A JP 2000258376A JP 6319299 A JP6319299 A JP 6319299A JP 6319299 A JP6319299 A JP 6319299A JP 2000258376 A JP2000258376 A JP 2000258376A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高品質、高歩留りで作製されたマイクロブリ
ッジ及び機能性薄膜を備え、多機能センサへの発展が可
能なマイクロヒータを提供する。 【解決手段】 マイクロブリッジ１が、熱酸化ＳｉＯ2
膜１１と、その上に加熱部３を形成すべく形成された加
熱用金属配線１５と、その加熱用金属配線１５と熱酸化
ＳｉＯ2 膜１１上にスパッタリング法により形成された
中層ＳｉＯ2 膜１２と、その上に形成されたＳｉＮ膜１
３と、そのＳｉＮ膜１３上に形成された電極用金属配線
１６，１７と、その電極用金属配線１６，１７とＳｉＮ
膜１３上にスパッタリング法により形成された上層Ｓｉ
Ｏ2 膜１４と、電極用金属配線１６，１７の一部を露出
すべく上層ＳｉＯ2 膜１４の一部を除去して形成された
開口部１８とからなる積層構造を有し、所定の被測定対
象に感応して電気特性が変化する機能性薄膜４が開口部
１８に部分的に成膜されてなる。
ッジ及び機能性薄膜を備え、多機能センサへの発展が可
能なマイクロヒータを提供する。 【解決手段】 マイクロブリッジ１が、熱酸化ＳｉＯ2
膜１１と、その上に加熱部３を形成すべく形成された加
熱用金属配線１５と、その加熱用金属配線１５と熱酸化
ＳｉＯ2 膜１１上にスパッタリング法により形成された
中層ＳｉＯ2 膜１２と、その上に形成されたＳｉＮ膜１
３と、そのＳｉＮ膜１３上に形成された電極用金属配線
１６，１７と、その電極用金属配線１６，１７とＳｉＮ
膜１３上にスパッタリング法により形成された上層Ｓｉ
Ｏ2 膜１４と、電極用金属配線１６，１７の一部を露出
すべく上層ＳｉＯ2 膜１４の一部を除去して形成された
開口部１８とからなる積層構造を有し、所定の被測定対
象に感応して電気特性が変化する機能性薄膜４が開口部
１８に部分的に成膜されてなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロブリッジ
内に加熱部を有し、前記マイクロブリッジの上面に所定
の被測定対象に感応して電気特性が変化する機能性薄膜
を有するマイクロヒータ及びその作製方法に関する。
内に加熱部を有し、前記マイクロブリッジの上面に所定
の被測定対象に感応して電気特性が変化する機能性薄膜
を有するマイクロヒータ及びその作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のマイクロヒータにおい
て、マイクロブリッジの構造体であるＳｉＯ2 膜を熱酸
化法やＣＶＤ法等の種々の方法で成膜していた。また、
機能性薄膜として、例えば、金属酸化物や導電性高分子
等のガス感応膜があり、これらの機能性薄膜を形成する
場合、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法等で機能性
薄膜を基板全体に形成し、フォトリソグラフィ技術によ
り不要部分を薬液によるウェットエッチング、または、
プラズマによるドライエッチングにより除去する方法が
ある。
て、マイクロブリッジの構造体であるＳｉＯ2 膜を熱酸
化法やＣＶＤ法等の種々の方法で成膜していた。また、
機能性薄膜として、例えば、金属酸化物や導電性高分子
等のガス感応膜があり、これらの機能性薄膜を形成する
場合、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法等で機能性
薄膜を基板全体に形成し、フォトリソグラフィ技術によ
り不要部分を薬液によるウェットエッチング、または、
プラズマによるドライエッチングにより除去する方法が
ある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、マイク
ロブリッジの構造体であるＳｉＯ2 膜を熱酸化法で成膜
する場合、膜厚が厚いと、マイクロブリッジの加工に至
るまでに発生する約８００℃〜１０００℃の高温の熱工
程で加わる熱応力がマイクロブリッジ形成後に残留応力
となってマイクロブリッジを破損する虞がある。他方、
かかる高温処理を必要としないスパッタリング法でＳｉ
Ｏ2 膜を成膜した場合、熱酸化法によって成膜した場合
と異なり、膜自体に欠陥が多いため、マイクロブリッジ
を形成すべくＳｉ基板をＳｉ異方性エッチングする際に
ピンホールが発生しやすいという問題があり、マイクロ
ブリッジ作製の歩留り並びに信頼性を低下させる虞があ
った。また、上記した機能性薄膜の形成方法では、機能
性薄膜に薬液やプラズマによるダメージを与え、機能性
薄膜の品質及び信頼性の劣化や、製造歩留りの低下を来
す虞があった。
ロブリッジの構造体であるＳｉＯ2 膜を熱酸化法で成膜
する場合、膜厚が厚いと、マイクロブリッジの加工に至
るまでに発生する約８００℃〜１０００℃の高温の熱工
程で加わる熱応力がマイクロブリッジ形成後に残留応力
となってマイクロブリッジを破損する虞がある。他方、
かかる高温処理を必要としないスパッタリング法でＳｉ
Ｏ2 膜を成膜した場合、熱酸化法によって成膜した場合
と異なり、膜自体に欠陥が多いため、マイクロブリッジ
を形成すべくＳｉ基板をＳｉ異方性エッチングする際に
ピンホールが発生しやすいという問題があり、マイクロ
ブリッジ作製の歩留り並びに信頼性を低下させる虞があ
った。また、上記した機能性薄膜の形成方法では、機能
性薄膜に薬液やプラズマによるダメージを与え、機能性
薄膜の品質及び信頼性の劣化や、製造歩留りの低下を来
す虞があった。
【０００４】本発明は、上記実情に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、高歩留りでマイクロブリッジを作
製でき、更には、高品質、高信頼度の機能性薄膜を作製
でき、複数の機能性薄膜を備えた多機能センサへの発展
が可能なマイクロヒータ及びその作製方法を提供する点
にある。
であり、その目的は、高歩留りでマイクロブリッジを作
製でき、更には、高品質、高信頼度の機能性薄膜を作製
でき、複数の機能性薄膜を備えた多機能センサへの発展
が可能なマイクロヒータ及びその作製方法を提供する点
にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
の本発明に係るマイクロヒータの第一の特徴構成は、特
許請求の範囲の欄の請求項１に記載した通り、マイクロ
ブリッジ内に加熱部を有し、前記マイクロブリッジの上
面に所定の被測定対象に感応して電気特性が変化する機
能性薄膜を有するマイクロヒータであって、前記マイク
ロブリッジが、熱酸化ＳｉＯ2 膜と、その熱酸化ＳｉＯ
2 膜上に形成された加熱用金属配線と、その加熱用金属
配線と前記熱酸化ＳｉＯ2 膜上にスパッタリング法によ
り形成された中層ＳｉＯ2 膜と、その中層ＳｉＯ2 膜上
に形成されたＳｉＮ膜と、そのＳｉＮ膜上に形成された
電極用金属配線と、その電極用金属配線と前記ＳｉＮ膜
上にスパッタリング法により形成された上層ＳｉＯ2 膜
と、前記電極用金属配線の一部を露出すべく前記上層Ｓ
ｉＯ2 膜の一部を除去して形成された開口部とからなる
積層構造を有し、前記機能性薄膜が前記開口部に部分的
に成膜されてなる点にある。
の本発明に係るマイクロヒータの第一の特徴構成は、特
許請求の範囲の欄の請求項１に記載した通り、マイクロ
ブリッジ内に加熱部を有し、前記マイクロブリッジの上
面に所定の被測定対象に感応して電気特性が変化する機
能性薄膜を有するマイクロヒータであって、前記マイク
ロブリッジが、熱酸化ＳｉＯ2 膜と、その熱酸化ＳｉＯ
2 膜上に形成された加熱用金属配線と、その加熱用金属
配線と前記熱酸化ＳｉＯ2 膜上にスパッタリング法によ
り形成された中層ＳｉＯ2 膜と、その中層ＳｉＯ2 膜上
に形成されたＳｉＮ膜と、そのＳｉＮ膜上に形成された
電極用金属配線と、その電極用金属配線と前記ＳｉＮ膜
上にスパッタリング法により形成された上層ＳｉＯ2 膜
と、前記電極用金属配線の一部を露出すべく前記上層Ｓ
ｉＯ2 膜の一部を除去して形成された開口部とからなる
積層構造を有し、前記機能性薄膜が前記開口部に部分的
に成膜されてなる点にある。
【０００６】本明細書において、マイクロブリッジと
は、ブリッジ状の中空で支持される微小構造物体として
所謂マイクロマシーニング技術で加工されたものをい
う。また、マイクロマシーニング技術は、Ｓｉ単結晶の
エッチング速度に結晶軸異方性があることを利用してＳ
ｉ基板を所定のエッチャントで所定方向にエッチングす
るＳｉ異方性エッチング技術を使用する。尚、マイクロ
ブリッジを平面視した大きさは、概ね数１０μｍから数
１００μｍ角程度であるが、その大きさは目安であっ
て、マイクロブリッジであるか否かを決定するものでは
ない。
は、ブリッジ状の中空で支持される微小構造物体として
所謂マイクロマシーニング技術で加工されたものをい
う。また、マイクロマシーニング技術は、Ｓｉ単結晶の
エッチング速度に結晶軸異方性があることを利用してＳ
ｉ基板を所定のエッチャントで所定方向にエッチングす
るＳｉ異方性エッチング技術を使用する。尚、マイクロ
ブリッジを平面視した大きさは、概ね数１０μｍから数
１００μｍ角程度であるが、その大きさは目安であっ
て、マイクロブリッジであるか否かを決定するものでは
ない。
【０００７】同第二の特徴構成は、特許請求の範囲の欄
の請求項２に記載した通り、マイクロブリッジ内に加熱
部を有し、前記マイクロブリッジの上面に所定の被測定
対象に感応して電気特性が変化する機能性薄膜を有する
マイクロヒータであって、前記マイクロブリッジが、熱
酸化ＳｉＯ2 膜と、その熱酸化ＳｉＯ2 膜上に形成され
た加熱用金属配線と、その加熱用金属配線と前記熱酸化
ＳｉＯ2 膜上に形成されたＳｉＮ膜と、そのＳｉＮ膜上
に形成された電極用金属配線と、その電極用金属配線と
前記ＳｉＮ膜上にスパッタリング法により形成された上
層ＳｉＯ2 膜と、前記電極用金属配線の一部を露出すべ
く前記上層ＳｉＯ2 膜の一部を除去して形成された開口
部とからなる積層構造を有し、前記機能性薄膜が前記開
口部に部分的に成膜されてなる点にある。
の請求項２に記載した通り、マイクロブリッジ内に加熱
部を有し、前記マイクロブリッジの上面に所定の被測定
対象に感応して電気特性が変化する機能性薄膜を有する
マイクロヒータであって、前記マイクロブリッジが、熱
酸化ＳｉＯ2 膜と、その熱酸化ＳｉＯ2 膜上に形成され
た加熱用金属配線と、その加熱用金属配線と前記熱酸化
ＳｉＯ2 膜上に形成されたＳｉＮ膜と、そのＳｉＮ膜上
に形成された電極用金属配線と、その電極用金属配線と
前記ＳｉＮ膜上にスパッタリング法により形成された上
層ＳｉＯ2 膜と、前記電極用金属配線の一部を露出すべ
く前記上層ＳｉＯ2 膜の一部を除去して形成された開口
部とからなる積層構造を有し、前記機能性薄膜が前記開
口部に部分的に成膜されてなる点にある。
【０００８】この目的を達成するための本発明に係るマ
イクロヒータの作製方法の特徴構成は、特許請求の範囲
の欄の請求項３に記載した通り、前述の第一または第二
の特徴構成を有するマイクロヒータの作製方法であっ
て、Ｓｉ基板上に前記積層構造を形成した後に、前記マ
イクロブリッジ部分の側方開口部を形成すべく前記上層
ＳｉＯ2 膜から前記熱酸化ＳｉＯ2 膜までの積層膜の前
記側方開口部に相当する部分をエッチングで除去する工
程と、前記Ｓｉ基板を、前記側方開口部から前記マイク
ロブリッジの下方側にかけて異方性エッチングしてマイ
クロブリッジを形成する工程と、前記機能性薄膜を前記
開口部上に部分的に成膜する工程とを順次実行する点に
ある。
イクロヒータの作製方法の特徴構成は、特許請求の範囲
の欄の請求項３に記載した通り、前述の第一または第二
の特徴構成を有するマイクロヒータの作製方法であっ
て、Ｓｉ基板上に前記積層構造を形成した後に、前記マ
イクロブリッジ部分の側方開口部を形成すべく前記上層
ＳｉＯ2 膜から前記熱酸化ＳｉＯ2 膜までの積層膜の前
記側方開口部に相当する部分をエッチングで除去する工
程と、前記Ｓｉ基板を、前記側方開口部から前記マイク
ロブリッジの下方側にかけて異方性エッチングしてマイ
クロブリッジを形成する工程と、前記機能性薄膜を前記
開口部上に部分的に成膜する工程とを順次実行する点に
ある。
【０００９】以下に上記特徴構成による作用並びに効果
を説明する。上記本発明に係るマイクロヒータの第一の
特徴構成によれば、上部に前記熱酸化ＳｉＯ2 膜が形成
されているＳｉ基板の内の上方にマイクロブリッジが形
成される部分をＳｉ異方性エッチングによりマイクロマ
シーニング加工する際に、熱酸化で成膜された前記熱酸
化ＳｉＯ2 膜の場合はスパッタリングで形成されたＳｉ
Ｏ2 膜と異なりＳｉ異方性エッチング時にピンホールが
生じないため、ピンホールに起因するマイクロブリッジ
作製の歩留り並びに信頼性の低下を防止できるのであ
る。また、前記熱酸化ＳｉＯ2 膜は膜厚が厚いと、マイ
クロブリッジの加工に至るまでに発生する熱工程で加わ
る熱応力がマイクロブリッジ形成後に残留応力となって
マイクロブリッジを破損する虞があるが、スパッタリン
グで形成された前記中層及び上層ＳｉＯ2 膜はかかる熱
応力の問題がないため、前記熱酸化ＳｉＯ2 膜の膜厚を
薄くし、その薄くした膜厚分を前記中層及び上層ＳｉＯ
2 膜とすることで、マイクロブリッジ自体の強度維持に
必要な厚みを確保できるのである。また、前記電極用金
属配線の保護膜である前記上層ＳｉＯ2 膜の一部をエッ
チングにより除去して前記開口部を形成する際に前記Ｓ
ｉＮ膜はエッチングストッパとして機能し、当該エッチ
ングにより前記中層ＳｉＯ2 膜がエッチングされて前記
加熱用金属配線が露出してしまうのを未然に回避できる
のである。このようにして形成された前記開口部に、前
記機能性薄膜を形成することで、その機能性薄膜と前記
電極用金属配線が接触し、前記機能性薄膜の被測定対象
を電気特性の変化として検出できるセンサを容易に構成
することができるのである。更に、マイクロブリッジの
積層構造が、前記開口部に前記機能性薄膜を形成する時
には、既に前記電極用金属配線の保護膜である前記上層
ＳｉＯ2 膜と前記開口部とを有しマイクロブリッジとし
て完成してるため、その開口部に前記機能性薄膜を部分
的に成膜することで、成膜後に前記機能性薄膜に対して
ダメージを与えるマイクロブリッジ形成や前記機能性薄
膜のパターニングに要する薬液処理やプラズマ処理等が
不要となり、高品質、高信頼度の機能性薄膜を高歩留り
で成膜することができるのである。以上の結果、マイク
ロブリッジの破損を効果的に防止できる単体のマイクロ
ヒータを高歩留りで作製でき、しかも、その上部にセン
サを容易且つ高歩留りに形成できるのである。更には、
単体歩留りが高いため、本発明にかかるマイクロヒータ
を同一基板上に複数個を並列配置したアレイ型マイクロ
ヒータ等も高歩留りで作製できるのである。
を説明する。上記本発明に係るマイクロヒータの第一の
特徴構成によれば、上部に前記熱酸化ＳｉＯ2 膜が形成
されているＳｉ基板の内の上方にマイクロブリッジが形
成される部分をＳｉ異方性エッチングによりマイクロマ
シーニング加工する際に、熱酸化で成膜された前記熱酸
化ＳｉＯ2 膜の場合はスパッタリングで形成されたＳｉ
Ｏ2 膜と異なりＳｉ異方性エッチング時にピンホールが
生じないため、ピンホールに起因するマイクロブリッジ
作製の歩留り並びに信頼性の低下を防止できるのであ
る。また、前記熱酸化ＳｉＯ2 膜は膜厚が厚いと、マイ
クロブリッジの加工に至るまでに発生する熱工程で加わ
る熱応力がマイクロブリッジ形成後に残留応力となって
マイクロブリッジを破損する虞があるが、スパッタリン
グで形成された前記中層及び上層ＳｉＯ2 膜はかかる熱
応力の問題がないため、前記熱酸化ＳｉＯ2 膜の膜厚を
薄くし、その薄くした膜厚分を前記中層及び上層ＳｉＯ
2 膜とすることで、マイクロブリッジ自体の強度維持に
必要な厚みを確保できるのである。また、前記電極用金
属配線の保護膜である前記上層ＳｉＯ2 膜の一部をエッ
チングにより除去して前記開口部を形成する際に前記Ｓ
ｉＮ膜はエッチングストッパとして機能し、当該エッチ
ングにより前記中層ＳｉＯ2 膜がエッチングされて前記
加熱用金属配線が露出してしまうのを未然に回避できる
のである。このようにして形成された前記開口部に、前
記機能性薄膜を形成することで、その機能性薄膜と前記
電極用金属配線が接触し、前記機能性薄膜の被測定対象
を電気特性の変化として検出できるセンサを容易に構成
することができるのである。更に、マイクロブリッジの
積層構造が、前記開口部に前記機能性薄膜を形成する時
には、既に前記電極用金属配線の保護膜である前記上層
ＳｉＯ2 膜と前記開口部とを有しマイクロブリッジとし
て完成してるため、その開口部に前記機能性薄膜を部分
的に成膜することで、成膜後に前記機能性薄膜に対して
ダメージを与えるマイクロブリッジ形成や前記機能性薄
膜のパターニングに要する薬液処理やプラズマ処理等が
不要となり、高品質、高信頼度の機能性薄膜を高歩留り
で成膜することができるのである。以上の結果、マイク
ロブリッジの破損を効果的に防止できる単体のマイクロ
ヒータを高歩留りで作製でき、しかも、その上部にセン
サを容易且つ高歩留りに形成できるのである。更には、
単体歩留りが高いため、本発明にかかるマイクロヒータ
を同一基板上に複数個を並列配置したアレイ型マイクロ
ヒータ等も高歩留りで作製できるのである。
【００１０】上記第二の特徴構成によれば、前記ＳｉＮ
膜の１層が上記第一の特徴構成における前記中層ＳｉＯ
2 膜と前記ＳｉＮ膜の２層と置換した以外は同じ構造で
あるので、上記第一の特徴構成と同様の作用効果を奏す
ることができるのである。
膜の１層が上記第一の特徴構成における前記中層ＳｉＯ
2 膜と前記ＳｉＮ膜の２層と置換した以外は同じ構造で
あるので、上記第一の特徴構成と同様の作用効果を奏す
ることができるのである。
【００１１】上記本発明に係るマイクロヒータの作製方
法の特徴構成によれば、マイクロブリッジ形成後に前記
機能性薄膜を部分的に成膜するために、成膜後の機能性
薄膜に対してダメージを与える薬液処理やプラズマ処理
等が、全て前記機能性薄膜を成膜する前に終了している
ため、高品質、高信頼度の機能性薄膜を高歩留りで成膜
することができるのである。特に、上述したアレイ型マ
イクロヒータ等において、多種の機能性薄膜を個々のマ
イクロヒータに設ける場合においても、夫々の機能性薄
膜にダメージがないため、多機能センサを容易に作製す
ることができるのである。
法の特徴構成によれば、マイクロブリッジ形成後に前記
機能性薄膜を部分的に成膜するために、成膜後の機能性
薄膜に対してダメージを与える薬液処理やプラズマ処理
等が、全て前記機能性薄膜を成膜する前に終了している
ため、高品質、高信頼度の機能性薄膜を高歩留りで成膜
することができるのである。特に、上述したアレイ型マ
イクロヒータ等において、多種の機能性薄膜を個々のマ
イクロヒータに設ける場合においても、夫々の機能性薄
膜にダメージがないため、多機能センサを容易に作製す
ることができるのである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。本発明に係るマイクロヒータは、
図１及び図２に示すように、マイクロブリッジ１と周辺
部２からなり、前記マイクロブリッジ１内に加熱部３を
有し、そのマイクロブリッジ１の上部にガス感応膜等の
所定の被測定対象に感応して電気特性が変化する機能性
薄膜４を形成可能な構成となっている。前記マイクロブ
リッジ１となる部分及び前記周辺部２は結晶面（１０
０）のＳｉ基板５に形成され、前記Ｓｉ基板５の内の上
部に前記マイクロブリッジ１が形成される部分が後述す
るＳｉ異方性エッチングによって除去されて空隙部６が
形成され、前記周辺部２の４カ所の支持部７で側方から
中空支持される前記マイクロブリッジ１が形成される。
また、前記マイクロブリッジ１と前記周辺部２は、前記
支持部７を除き、側方開口部８で相互に分離されてい
る。
に基づいて説明する。本発明に係るマイクロヒータは、
図１及び図２に示すように、マイクロブリッジ１と周辺
部２からなり、前記マイクロブリッジ１内に加熱部３を
有し、そのマイクロブリッジ１の上部にガス感応膜等の
所定の被測定対象に感応して電気特性が変化する機能性
薄膜４を形成可能な構成となっている。前記マイクロブ
リッジ１となる部分及び前記周辺部２は結晶面（１０
０）のＳｉ基板５に形成され、前記Ｓｉ基板５の内の上
部に前記マイクロブリッジ１が形成される部分が後述す
るＳｉ異方性エッチングによって除去されて空隙部６が
形成され、前記周辺部２の４カ所の支持部７で側方から
中空支持される前記マイクロブリッジ１が形成される。
また、前記マイクロブリッジ１と前記周辺部２は、前記
支持部７を除き、側方開口部８で相互に分離されてい
る。
【００１３】図１に示すように、前記マイクロブリッジ
１は、下から順に熱酸化ＳｉＯ2 膜１１、中層ＳｉＯ2
膜１２、ＳｉＮ膜１３、上層ＳｉＯ2 膜１４からなる４
層絶縁膜を有し、加熱用金属配線１５が前記熱酸化Ｓｉ
Ｏ2 膜１１と前記中層ＳｉＯ 2 膜１２の間に形成され、
前記機能性薄膜４の電気特性を検出するための１対の電
極用金属配線１６，１７が前記ＳｉＮ膜１３上に形成さ
れ、前記上層ＳｉＯ2膜１４の一部が開口して前記電極
用金属配線１６，１７を露出させる開口部１８が形成さ
れた積層構造となっている。図２に示すように、前記加
熱部３を形成する前記加熱用金属配線１５は電気抵抗を
大きくするため蛇行形状にパターニングされ、その両端
部が夫々前記４カ所の支持部７の内の２カ所を介して前
記周辺部２に延設されている。また、前記１対の電極用
金属配線１６，１７は夫々櫛形状にパターニングされ、
その櫛形部分が前記開口部１８内で噛合対向するよう配
置されている。そして、前記各電極用金属配線１６，１
７は前記４カ所の支持部７の内の他の２カ所を介して前
記周辺部２に延設されている。前記加熱用金属配線１５
の両端部及び前記各電極用金属配線１６，１７は夫々、
図１に示す前記周辺部２に形成された電極パッド１５
ａ，１５ｂ，１６ａ，１７ａと接続している。
１は、下から順に熱酸化ＳｉＯ2 膜１１、中層ＳｉＯ2
膜１２、ＳｉＮ膜１３、上層ＳｉＯ2 膜１４からなる４
層絶縁膜を有し、加熱用金属配線１５が前記熱酸化Ｓｉ
Ｏ2 膜１１と前記中層ＳｉＯ 2 膜１２の間に形成され、
前記機能性薄膜４の電気特性を検出するための１対の電
極用金属配線１６，１７が前記ＳｉＮ膜１３上に形成さ
れ、前記上層ＳｉＯ2膜１４の一部が開口して前記電極
用金属配線１６，１７を露出させる開口部１８が形成さ
れた積層構造となっている。図２に示すように、前記加
熱部３を形成する前記加熱用金属配線１５は電気抵抗を
大きくするため蛇行形状にパターニングされ、その両端
部が夫々前記４カ所の支持部７の内の２カ所を介して前
記周辺部２に延設されている。また、前記１対の電極用
金属配線１６，１７は夫々櫛形状にパターニングされ、
その櫛形部分が前記開口部１８内で噛合対向するよう配
置されている。そして、前記各電極用金属配線１６，１
７は前記４カ所の支持部７の内の他の２カ所を介して前
記周辺部２に延設されている。前記加熱用金属配線１５
の両端部及び前記各電極用金属配線１６，１７は夫々、
図１に示す前記周辺部２に形成された電極パッド１５
ａ，１５ｂ，１６ａ，１７ａと接続している。
【００１４】次に、前記マイクロブリッジ１の作製工程
を、図３及び図４に示す工程図に基づいて説明する。前
記マイクロブリッジ１の作製工程は、図３（イ）〜
（ニ）及び図４（ホ）〜（チ）に示す各工程からなり、
当該各工程を順次実行することにより前記マイクロブリ
ッジ１と前記周辺部が同時に形成される。
を、図３及び図４に示す工程図に基づいて説明する。前
記マイクロブリッジ１の作製工程は、図３（イ）〜
（ニ）及び図４（ホ）〜（チ）に示す各工程からなり、
当該各工程を順次実行することにより前記マイクロブリ
ッジ１と前記周辺部が同時に形成される。
【００１５】図３（イ）に示すように、前記Ｓｉ基板５
の表面を熱酸化して膜厚１０００Åの前記熱酸化ＳｉＯ
2 膜１１を形成する（第１工程）。
の表面を熱酸化して膜厚１０００Åの前記熱酸化ＳｉＯ
2 膜１１を形成する（第１工程）。
【００１６】引き続き、図３（ロ）に示すように、前記
熱酸化ＳｉＯ2 膜１１上にＰｔ（１０００Å）／Ｔｉ
（２００Å）を成膜し、前記加熱用金属配線１５と前記
電極パッド１５ａ，１５ｂをリフトオフ法等によりパタ
ーニングし、更に、前記電極パッド１５ａ，１５ｂと前
記加熱用金属配線１５の内の前記周辺部２の配線用にＡ
ｕ（３０００Å）／Ｃｒ（１００Å）を成膜し、前記電
極パッド１５ａ，１５ｂと前記周辺部２の配線パターン
をリフトオフ法等によりパターニングする（第２工
程）。
熱酸化ＳｉＯ2 膜１１上にＰｔ（１０００Å）／Ｔｉ
（２００Å）を成膜し、前記加熱用金属配線１５と前記
電極パッド１５ａ，１５ｂをリフトオフ法等によりパタ
ーニングし、更に、前記電極パッド１５ａ，１５ｂと前
記加熱用金属配線１５の内の前記周辺部２の配線用にＡ
ｕ（３０００Å）／Ｃｒ（１００Å）を成膜し、前記電
極パッド１５ａ，１５ｂと前記周辺部２の配線パターン
をリフトオフ法等によりパターニングする（第２工
程）。
【００１７】引き続き、図３（ハ）に示すように、前記
熱酸化ＳｉＯ2 膜１１、前記加熱用金属配線１５、前記
電極パッド１５ａ，１５ｂ上にスパッタリング法により
膜厚４５００Åの前記中層ＳｉＯ2 膜１２と膜厚１５０
０Åの前記ＳｉＮ膜１３を順番に成膜する（第３工
程）。
熱酸化ＳｉＯ2 膜１１、前記加熱用金属配線１５、前記
電極パッド１５ａ，１５ｂ上にスパッタリング法により
膜厚４５００Åの前記中層ＳｉＯ2 膜１２と膜厚１５０
０Åの前記ＳｉＮ膜１３を順番に成膜する（第３工
程）。
【００１８】引き続き、図３（ニ）に示すように、前記
ＳｉＮ膜１３上にＰｔ（１０００Å）／Ｔｉ（２００
Å）を成膜し、前記電極用金属配線１６，１７と前記電
極パッド１６ａ，１７ａをパターニングし、更に、前記
電極パッド１６ａ，１７ａと前記電極用金属配線１６，
１７の内の前記周辺部２の配線用にＡｕ（３０００Å）
／Ｃｒ（１００Å）を成膜し、前記電極パッド１６ａ，
１７ａと前記周辺部２の配線パターンをパターニングす
る（第４工程）。
ＳｉＮ膜１３上にＰｔ（１０００Å）／Ｔｉ（２００
Å）を成膜し、前記電極用金属配線１６，１７と前記電
極パッド１６ａ，１７ａをパターニングし、更に、前記
電極パッド１６ａ，１７ａと前記電極用金属配線１６，
１７の内の前記周辺部２の配線用にＡｕ（３０００Å）
／Ｃｒ（１００Å）を成膜し、前記電極パッド１６ａ，
１７ａと前記周辺部２の配線パターンをパターニングす
る（第４工程）。
【００１９】引き続き、図４（ホ）に示すように、前記
ＳｉＮ膜１３、前記電極用金属配線１６，１７、前記電
極パッド１６ａ，１７ａ上にスパッタリング法により膜
厚３０００Åの前記上層ＳｉＯ2 膜１４を成膜する（第
５工程）。
ＳｉＮ膜１３、前記電極用金属配線１６，１７、前記電
極パッド１６ａ，１７ａ上にスパッタリング法により膜
厚３０００Åの前記上層ＳｉＯ2 膜１４を成膜する（第
５工程）。
【００２０】引き続き、図４（ヘ）に示すように、前記
電極用金属配線１６，１７の前記櫛形部分を露出させる
べく、前記上層ＳｉＯ2 膜１４の前記開口部１８に相当
する部分をウェットエッチングで除去して、前記開口部
１８を形成する（第６工程）。尚、前記第３工程で形成
された前記ＳｉＮ膜１３がエッチングストッパとして働
くのである。
電極用金属配線１６，１７の前記櫛形部分を露出させる
べく、前記上層ＳｉＯ2 膜１４の前記開口部１８に相当
する部分をウェットエッチングで除去して、前記開口部
１８を形成する（第６工程）。尚、前記第３工程で形成
された前記ＳｉＮ膜１３がエッチングストッパとして働
くのである。
【００２１】引き続き、図４（ト）に示すように、前記
４層絶縁膜１１、１２、１３、１４の内の前記マイクロ
ブリッジ１の前記側方開口部８となる部分と前記電極パ
ッド１５ａ，１５ｂ，１６ａ，１７ａのボンディング用
の開口窓をＲＩＥ（反応性イオンエッチング）でエッチ
ングして、前記側方開口部８を形成し、前記Ｓｉ基板５
の表面を露出させ、前記電極パッド１５ａ，１５ｂ，１
６ａ，１７ａの中央部を露出させる（第７工程）。
４層絶縁膜１１、１２、１３、１４の内の前記マイクロ
ブリッジ１の前記側方開口部８となる部分と前記電極パ
ッド１５ａ，１５ｂ，１６ａ，１７ａのボンディング用
の開口窓をＲＩＥ（反応性イオンエッチング）でエッチ
ングして、前記側方開口部８を形成し、前記Ｓｉ基板５
の表面を露出させ、前記電極パッド１５ａ，１５ｂ，１
６ａ，１７ａの中央部を露出させる（第７工程）。
【００２２】引き続き、図４（チ）に示すように、前記
Ｓｉ基板５を、ＴＭＡＨ（tetramethylammonium hydrox
ide）により前記側方開口部８の前記Ｓｉ基板５の露出
部分から異方性エッチングして前記空隙部６を形成する
（第８工程）。尚、前記空隙部６は前記側方開口部８の
外周辺より内側で（１１１）面に囲まれる部分に形成さ
れる。ここで、前記空隙部６の大きさ、つまり、前記マ
イクロブリッジ１の大きさは図２に示すように、１５０
μｍである。
Ｓｉ基板５を、ＴＭＡＨ（tetramethylammonium hydrox
ide）により前記側方開口部８の前記Ｓｉ基板５の露出
部分から異方性エッチングして前記空隙部６を形成する
（第８工程）。尚、前記空隙部６は前記側方開口部８の
外周辺より内側で（１１１）面に囲まれる部分に形成さ
れる。ここで、前記空隙部６の大きさ、つまり、前記マ
イクロブリッジ１の大きさは図２に示すように、１５０
μｍである。
【００２３】
【表１】
【００２４】ここで、前記第１工程と前記第３工程にお
ける前記熱酸化ＳｉＯ2 膜１１、前記中層ＳｉＯ2 膜１
２、前記ＳｉＮ膜１３の膜厚とブリッジの大きさとブリ
ッジの破損と関係につき実験した結果を表１に示す。
尚、夫々の膜は単層で独立して形成されたものである。
また、表１中、〇はブリッジの破損なし、×はブリッジ
の破損ありを示す。表１に示す実験結果より、前記熱酸
化ＳｉＯ2 膜１１の膜厚は１０００Åが好ましく、前記
中層ＳｉＯ2 膜１２と前記ＳｉＮ膜１３の膜厚は設計自
由度があることが分かる。
ける前記熱酸化ＳｉＯ2 膜１１、前記中層ＳｉＯ2 膜１
２、前記ＳｉＮ膜１３の膜厚とブリッジの大きさとブリ
ッジの破損と関係につき実験した結果を表１に示す。
尚、夫々の膜は単層で独立して形成されたものである。
また、表１中、〇はブリッジの破損なし、×はブリッジ
の破損ありを示す。表１に示す実験結果より、前記熱酸
化ＳｉＯ2 膜１１の膜厚は１０００Åが好ましく、前記
中層ＳｉＯ2 膜１２と前記ＳｉＮ膜１３の膜厚は設計自
由度があることが分かる。
【００２５】また、前記マイクロブリッジ１の作製工程
を、前記第１工程において前記熱酸化ＳｉＯ2 膜１１の
膜厚のみを２５００Åと厚くして、前記第２工程以降を
全く同様に処理してマイクロブリッジを作製したとこ
ろ、前記支持部７と接続するアーム部分にひび割れの発
生が確認された。
を、前記第１工程において前記熱酸化ＳｉＯ2 膜１１の
膜厚のみを２５００Åと厚くして、前記第２工程以降を
全く同様に処理してマイクロブリッジを作製したとこ
ろ、前記支持部７と接続するアーム部分にひび割れの発
生が確認された。
【００２６】次に、前記マイクロブリッジ１の作製工程
後、前記第６工程で形成された前記開口部１８に前記機
能性薄膜４を部分的に成膜する工程について説明する。
前記機能性薄膜４として、所定のガスに反応する金属酸
化物や導電性高分子等のガス反応膜を前記開口部１８に
形成する。尚、前記ガス反応膜の候補としては表２に示
すものが候補として挙げられる。
後、前記第６工程で形成された前記開口部１８に前記機
能性薄膜４を部分的に成膜する工程について説明する。
前記機能性薄膜４として、所定のガスに反応する金属酸
化物や導電性高分子等のガス反応膜を前記開口部１８に
形成する。尚、前記ガス反応膜の候補としては表２に示
すものが候補として挙げられる。
【００２７】前記機能性薄膜４が金属酸化物の場合は、
前記開口部１８より僅かに大きな開口を有するメタルマ
スクを用いて蒸着法により前記開口部１８及びその周縁
部に金属酸化物からなる前記機能性薄膜４を膜厚２００
０Åに蒸着形成する。これにより、全面に前記機能性薄
膜４を成膜してエッチングによりパターニングするため
のフォトマスクが不要になるとともに、当該エッチング
で前記機能性薄膜４に対してダメージが与えられる危険
性が回避される。また、ＣＶＤ法で金属酸化物を析出さ
せる方法に比べて、原料が固体であるため、装置の設置
及び維持管理に要するコスト等の低減が図れる。
前記開口部１８より僅かに大きな開口を有するメタルマ
スクを用いて蒸着法により前記開口部１８及びその周縁
部に金属酸化物からなる前記機能性薄膜４を膜厚２００
０Åに蒸着形成する。これにより、全面に前記機能性薄
膜４を成膜してエッチングによりパターニングするため
のフォトマスクが不要になるとともに、当該エッチング
で前記機能性薄膜４に対してダメージが与えられる危険
性が回避される。また、ＣＶＤ法で金属酸化物を析出さ
せる方法に比べて、原料が固体であるため、装置の設置
及び維持管理に要するコスト等の低減が図れる。
【００２８】また、前記機能性薄膜４が導電性高分子膜
の場合は、導電性高分子の電解液をマイクロピペットで
前記開口部１８に滴下し、前記電極用金属配線１６，１
７間に電流を流すことによる電解重合法により前記機能
性薄膜４を前記開口部１８に部分的に形成することがで
きる。
の場合は、導電性高分子の電解液をマイクロピペットで
前記開口部１８に滴下し、前記電極用金属配線１６，１
７間に電流を流すことによる電解重合法により前記機能
性薄膜４を前記開口部１８に部分的に形成することがで
きる。
【００２９】
【表２】
【００３０】以上の要領で作製された前記機能性薄膜４
は、例えば、ガス等の被測定対象物に反応して電気抵抗
や容量等の電気特性が変化するのを、前記電極用金属配
線１６，１７間の電圧や電流の変化として検出でき、そ
の電気信号を前記電極パッド１６ａ，１７ａから外部に
出力できるのである。また、このようにガス等の被測定
対象物に対するセンサとして機能させる場合に、前記機
能性薄膜４を所定温度条件下において制御する場合、前
記機能性薄膜４が形成されている前記マイクロブリッジ
１が前記Ｓｉ基板５から断熱分離され熱容量が小さいた
め、当該温度制御が高速且つ制御性良く行えるのであ
る。
は、例えば、ガス等の被測定対象物に反応して電気抵抗
や容量等の電気特性が変化するのを、前記電極用金属配
線１６，１７間の電圧や電流の変化として検出でき、そ
の電気信号を前記電極パッド１６ａ，１７ａから外部に
出力できるのである。また、このようにガス等の被測定
対象物に対するセンサとして機能させる場合に、前記機
能性薄膜４を所定温度条件下において制御する場合、前
記機能性薄膜４が形成されている前記マイクロブリッジ
１が前記Ｓｉ基板５から断熱分離され熱容量が小さいた
め、当該温度制御が高速且つ制御性良く行えるのであ
る。
【００３１】以下、本発明の別実施形態を列記する。 〈１〉前記マイクロブリッジ１の作製工程中、前記第３
工程において、前記熱酸化ＳｉＯ2 膜１１、前記加熱用
金属配線１５、前記電極パッド１５ａ，１５ｂ上にスパ
ッタリング法により前記ＳｉＮ膜１３のみを成膜しても
構わない。この場合、前記ＳｉＮ膜１３は、前記中層Ｓ
ｉＯ2 膜１２と同様にマイクロブリッジの支持体として
機能するとともに、前記第６工程におけるウェットエッ
チング処理に対するエッチングストッパとして機能す
る。
工程において、前記熱酸化ＳｉＯ2 膜１１、前記加熱用
金属配線１５、前記電極パッド１５ａ，１５ｂ上にスパ
ッタリング法により前記ＳｉＮ膜１３のみを成膜しても
構わない。この場合、前記ＳｉＮ膜１３は、前記中層Ｓ
ｉＯ2 膜１２と同様にマイクロブリッジの支持体として
機能するとともに、前記第６工程におけるウェットエッ
チング処理に対するエッチングストッパとして機能す
る。
【００３２】〈２〉上記各実施の形態では、前記Ｓｉ基
板５上に単独のマイクロヒータを作製する場合について
説明したが、複数のマイクロヒータを、例えば、前記マ
イクロブリッジ１を２次元的に複数配置して、アレイ状
に作製するようにしても構わない。この場合、前記マイ
クロブリッジ１の作製工程中、前記第２、第４、第６及
び第７工程において、前記加熱用金属配線１５、前記電
極パッド１５ａ，１５ｂ、前記電極用金属配線１６，１
７、前記電極パッド１６ａ，１７ａ、前記開口部１８及
び前記側方開口部８のパターニングを、複数の前記マイ
クロブリッジ１の配置に対応させて各パターニング用の
フォトマスクを変更し、夫々複数組形成するようにしな
ければならない。
板５上に単独のマイクロヒータを作製する場合について
説明したが、複数のマイクロヒータを、例えば、前記マ
イクロブリッジ１を２次元的に複数配置して、アレイ状
に作製するようにしても構わない。この場合、前記マイ
クロブリッジ１の作製工程中、前記第２、第４、第６及
び第７工程において、前記加熱用金属配線１５、前記電
極パッド１５ａ，１５ｂ、前記電極用金属配線１６，１
７、前記電極パッド１６ａ，１７ａ、前記開口部１８及
び前記側方開口部８のパターニングを、複数の前記マイ
クロブリッジ１の配置に対応させて各パターニング用の
フォトマスクを変更し、夫々複数組形成するようにしな
ければならない。
【００３３】〈３〉上記各実施の形態において、前記熱
酸化ＳｉＯ2 膜１１、前記中層ＳｉＯ 2 膜１２、前記Ｓ
ｉＮ膜１３並びに前記上層ＳｉＯ2 膜１４の各膜厚及び
前記マイクロブリッジ１の大きさは、上記した数値例に
限定されるものではない。但し、前記マイクロブリッジ
１の大きさが５０〜１５０μｍ乃至それ以上の場合は、
前記熱酸化ＳｉＯ2 膜１１の膜厚は、前記マイクロブリ
ッジ１の大きさに応じて１０００Å付近の値が好まし
い。
酸化ＳｉＯ2 膜１１、前記中層ＳｉＯ 2 膜１２、前記Ｓ
ｉＮ膜１３並びに前記上層ＳｉＯ2 膜１４の各膜厚及び
前記マイクロブリッジ１の大きさは、上記した数値例に
限定されるものではない。但し、前記マイクロブリッジ
１の大きさが５０〜１５０μｍ乃至それ以上の場合は、
前記熱酸化ＳｉＯ2 膜１１の膜厚は、前記マイクロブリ
ッジ１の大きさに応じて１０００Å付近の値が好まし
い。
【００３４】〈４〉更に、上記各実施の形態において、
前記加熱用金属配線１５及び前記電極パッド１５ａ，１
５ｂのＰｔ／Ｔｉ及びＡｕ／Ｃｒの各膜厚、前記電極用
金属配線１６，１７及び前記電極パッド１６ａ，１７ａ
のＰｔ／Ｔｉ及びＡｕ／Ｃｒの各膜厚、または、前記機
能性薄膜４を膜厚は、上記した数値例に限定されるもの
ではない。
前記加熱用金属配線１５及び前記電極パッド１５ａ，１
５ｂのＰｔ／Ｔｉ及びＡｕ／Ｃｒの各膜厚、前記電極用
金属配線１６，１７及び前記電極パッド１６ａ，１７ａ
のＰｔ／Ｔｉ及びＡｕ／Ｃｒの各膜厚、または、前記機
能性薄膜４を膜厚は、上記した数値例に限定されるもの
ではない。
【図１】本発明に係るマイクロヒータの一実施の形態の
縦断面図
縦断面図
【図２】本発明に係るマイクロヒータのマイクロブリッ
ジ部分を示す平面図
ジ部分を示す平面図
【図３】本発明に係るマイクロヒータのマイクロブリッ
ジ作製工程の前半工程を示す工程図
ジ作製工程の前半工程を示す工程図
【図４】本発明に係るマイクロヒータのマイクロブリッ
ジ作製工程の後半工程を示す工程図
ジ作製工程の後半工程を示す工程図
１ マイクロブリッジ ２ 周辺部 ３ 加熱部 ４ 機能性薄膜 ５ Ｓｉ基板 ６ 空隙部 ７ 支持部 ８ 側方開口部 １１ 熱酸化ＳｉＯ2 膜 １２ 中層ＳｉＯ2 膜 １３ ＳｉＮ膜 １４ 上層ＳｉＯ2 膜 １５ 加熱用金属配線 １５ａ、１５ｂ 電極パッド １６、１７ 電極用金属配線 １６ａ、１７ａ 電極パッド １８ 開口部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 000205627 大阪府 大阪府大阪市中央区大手前２丁目１番22号 (72)発明者 田島 基史 兵庫県尼崎市浜１丁目１番１号 株式会社 クボタ技術開発研究所内 (72)発明者 中井 健人 東京都品川区上大崎２丁目10番43号 ホー チキ株式会社内 (72)発明者 吉池 信幸 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 櫻井 芳昭 大阪府大阪市中央区谷町４丁目８―30― 1404 Ｆターム(参考） 2G046 AA04 AA10 AA12 AA23 AA25 BA01 BB02 BB04 BC03 BE03 DB04 DB05 EA11 FA01 FB02 FE38
Claims (3)
- 【請求項１】 マイクロブリッジ内に加熱部を有し、前
記マイクロブリッジの上面に所定の被測定対象に感応し
て電気特性が変化する機能性薄膜を有するマイクロヒー
タであって、 前記マイクロブリッジが、熱酸化ＳｉＯ2 膜と、その熱
酸化ＳｉＯ2 膜上に形成された加熱用金属配線と、その
加熱用金属配線と前記熱酸化ＳｉＯ2 膜上にスパッタリ
ング法により形成された中層ＳｉＯ2 膜と、その中層Ｓ
ｉＯ2 膜上に形成されたＳｉＮ膜と、そのＳｉＮ膜上に
形成された電極用金属配線と、その電極用金属配線と前
記ＳｉＮ膜上にスパッタリング法により形成された上層
ＳｉＯ2膜と、前記電極用金属配線の一部を露出すべく
前記上層ＳｉＯ2 膜の一部を除去して形成された開口部
とからなる積層構造を有し、 前記機能性薄膜が前記開口部に部分的に成膜されてなる
マイクロヒータ。 - 【請求項２】 マイクロブリッジ内に加熱部を有し、前
記マイクロブリッジの上面に所定の被測定対象に感応し
て電気特性が変化する機能性薄膜を有するマイクロヒー
タであって、 前記マイクロブリッジが、熱酸化ＳｉＯ2 膜と、その熱
酸化ＳｉＯ2 膜上に形成された加熱用金属配線と、その
加熱用金属配線と前記熱酸化ＳｉＯ2 膜上に形成された
ＳｉＮ膜と、そのＳｉＮ膜上に形成された電極用金属配
線と、その電極用金属配線と前記ＳｉＮ膜上にスパッタ
リング法により形成された上層ＳｉＯ2膜と、前記電極
用金属配線の一部を露出すべく前記上層ＳｉＯ2 膜の一
部を除去して形成された開口部とからなる積層構造を有
し、 前記機能性薄膜が前記開口部に部分的に成膜されてなる
マイクロヒータ。 - 【請求項３】 請求項１または２記載のマイクロヒータ
の作製方法であって、 Ｓｉ基板上に前記積層構造を形成した後に、前記マイク
ロブリッジ部分の側方開口部を形成すべく前記上層Ｓｉ
Ｏ2 膜から前記熱酸化ＳｉＯ2 膜までの積層膜の前記側
方開口部に相当する部分をエッチングで除去する工程
と、前記Ｓｉ基板を、前記側方開口部から前記マイクロ
ブリッジの下方側にかけて異方性エッチングしてマイク
ロブリッジを形成する工程と、前記機能性薄膜を前記開
口部に部分的に成膜する工程とを順次実行することを特
徴とするマイクロヒータの作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6319299A JP2000258376A (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | マイクロヒータ及びマイクロヒータの作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6319299A JP2000258376A (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | マイクロヒータ及びマイクロヒータの作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000258376A true JP2000258376A (ja) | 2000-09-22 |
Family
ID=13222127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6319299A Pending JP2000258376A (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | マイクロヒータ及びマイクロヒータの作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000258376A (ja) |
Cited By (8)
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|---|---|---|---|---|
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-
1999
- 1999-03-10 JP JP6319299A patent/JP2000258376A/ja active Pending
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