JP2000256897A - 基板メッキ装置及び基板メッキ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板に対する電解メッキ処理を高速かつ均一
に行う。 【解決手段】 基板保持機構１と上部カップ１０とによ
り形成されたメッキ反応槽１２に電解メッキ液Ｑを満た
した後、メッキ反応槽１２への電解メッキ液Ｑの供給を
継続しつつ、基板保持機構１と上部カップ１０とを所定
量離間させて基板保持機構１に保持された基板Ｗの周囲
に電解メッキ液Ｑを排出するための隙間８０を形成し、
基板保持機構１を回転させながら、陽電極１４と陰電極
との間に給電した状態で電解メッキ処理を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示装置用のガラス基板などの基板に対してメッキ処
理を施す基板メッキ装置及び基板メッキ方法に係り、特
には、基板の処理面に電解メッキ液でメッキ層を形成す
る技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種の基板メッキ装置として、
例えば、特開平１−２９４８８８号公報に示すようなも
のがある。

【０００３】この公報に開示された従来の基板メッキ装
置は、図１９に示すように、メッキ層を形成する処理面
ＷＦを上方に向けて基板Ｗを静止状態で保持する基板ス
テージ２００や、基板ステージ２００に保持された基板
Ｗの処理面ＷＦに対して電気的に接続する陰電極（カソ
ードコンタクト部）２１０、基板ステージ２００に保持
された基板Ｗの上部に電解メッキ液を貯留するカップ部
２２０、カップ部２２０に貯留された電解メッキ液に浸
漬され、基板ステージ２００に保持された基板Ｗの処理
面ＷＦに対向配置される陽電極（アノード）２３０、カ
ップ部２２０に電解メッキ液を供給するための電解メッ
キ液の貯留タンク２４１やポンプ２４２、供給管２４３
などからなる電解メッキ液供給機構２４０、陽電極２３
０から陰電極２１０へ向けて電流が流れるように給電す
る電源２５０などを備えている。なお、図１９中の符号
２６０は、基板Ｗの搬入、搬出に用いる昇降のみ可能な
基板押し上げ台を示す。

【０００４】この従来装置による電解メッキ処理は、処
理面ＷＦを上方に向けて基板Ｗを保持した状態で基板ス
テージ２００をカップ部２２０内に収容し、基板Ｗが静
止保持された状態でカップ部２２０内に電解メッキ液を
供給しつつ、カップ部２２０の上部から電解メッキ液を
オーバーフローで排出することで、カップ部２２０内に
貯留される電解メッキ液を入れ替えながら、陽電極２３
０と陰電極２１０との間に給電することで行われてい
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、基板Ｗの処理面ＷＦへのメッキ層の形
成は、基板Ｗの処理面ＷＦへのメッキ層形成イオン（銅
メッキであれば、Cu²⁺）の移動が起き易ければそれだけ
活発に行われることになる。

【０００６】ところで、従来装置の構成では、基板Ｗの
処理面ＷＦへのメッキ層形成イオンの移動は、カップ部
２２０内への電解メッキ液の供給とカップ部２２０内か
らの電解メッキ液の排出とにより形成されるカップ部２
２０内での電解メッキ液の流れ（図１９中に矢印で示
す）に依存することになる。ここで、従来装置における
カップ部２２０内での電解メッキ液の流れを解析する
と、基板ステージ２００に保持された基板Ｗの処理面Ｗ
Ｆ上に電解メッキ液が静止した境界層が比較的厚く形成
されることが判明した。この境界層内では、メッキ層形
成イオンの移動が起き難いので、従来装置はメッキ層の
形成が活発に行われず、その結果、メッキ層の形成に長
時間を要することになる。

【０００７】また、従来装置では、基板ステージ２００
に保持された基板Ｗの処理面ＷＦ上に形成される境界層
の厚みが基板Ｗの処理面ＷＦ上で不均一でもある。その
ため、基板Ｗの処理面ＷＦへのメッキ層形成イオンの移
動にバラツキが生じ、基板Ｗの処理面ＷＦに形成された
メッキ層の厚みが不均一になっている。

【０００８】すなわち、従来装置は、電解メッキ処理に
長時間を要する上に、形成されたメッキ層が不均一であ
るという欠点を有している。

【０００９】また、従来装置のように、基板Ｗの処理面
ＷＦを上方に向けて保持し、その処理面ＷＦの上部に電
解メッキ液を貯留して電解メッキ処理を行う構成におい
ては、基板押し上げ台２６０の昇降により基板Ｗをカッ
プ部２２０に対して搬入、搬出するためには、基板Ｗの
上方に配置されている陽電極２３０を上昇させる必要が
あり、その際に、陽電極２３０が大気にさらされること
が避けられない。例えば、陽電極２３０が銅の溶解性電
極である場合、陽電極２３０が大気にさらされると、陽
電極２３０の表面に形成されたブラックフィルムと呼ば
れる皮膜層が電極表面から流れ出たり変質したりするな
どして再現性のある電解メッキ処理を行えないという問
題も生じている。

【００１０】さらに、従来装置には、基板Ｗを洗浄する
ための機構を備えていないので、例えば、電解メッキ処
理を終えた基板Ｗを洗浄するためには、電解メッキ装置
と別個に設けられた洗浄装置に電解メッキ処理を終えた
基板Ｗを搬送する搬送機構が必要である。また、電解メ
ッキ装置から洗浄装置に搬送する基板Ｗには電解メッキ
液が付着しているので、搬送機構は耐薬性を持たせて構
成する必要があるし、電解メッキ装置から洗浄装置への
基板Ｗの移動領域を、電解メッキ液が滴下してもよい構
造にしなければならない。そのため、構成の複雑化、フ
ットプリントの増大、コスト高などを招いている。

【００１１】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、電解メッキ処理に要する時間を短縮す
るとともに、均一なメッキ層が形成できる基板メッキ装
置及び基板メッキ方法を提供することを主目的とする。

【００１２】また、本発明の別の目的は、陽電極を保護
して再現性のある電解メッキ処理を実現し得る基板メッ
キ装置を提供することにある。

【００１３】さらに、本発明の別の目的は、電解メッキ
処理と洗浄処理とを好適に実施し得る基板メッキ装置及
び基板メッキ方法を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、基板に対してメッキ処理
を施す基板メッキ装置であって、メッキ層を形成する処
理面を上方に向けて基板を保持する基板保持手段と、前
記基板保持手段に保持された基板の処理面に対して電気
的に接続する陰電極と、前記基板保持手段を回転させる
回転手段と、前記基板保持手段に保持された基板の上部
に電解メッキ液を貯留するメッキ反応槽と、前記メッキ
反応槽に貯留された電解メッキ液に浸漬され、前記基板
保持手段に保持された基板の処理面に対向配置される陽
電極と、前記メッキ反応槽に電解メッキ液を供給する電
解メッキ液供給手段と、前記陽電極から前記陰電極へ向
けて電流が流れるように給電する給電手段と、を備えた
ことを特徴とするものである。

【００１５】請求項２に記載の発明は、上記請求項１に
記載の基板メッキ装置において、前記メッキ反応槽は、
下方が開口され、前記基板保持手段の上部を覆う上部カ
ップを備え、前記基板保持手段と前記上部カップとを相
対的に接離させる接離手段を備え、かつ、前記メッキ反
応槽に電解メッキ液を満たした後、前記メッキ反応槽へ
の電解メッキ液の供給を継続しつつ、前記基板保持手段
と前記上部カップとを所定量離間させて前記基板保持手
段に保持された基板の周囲に電解メッキ液を排出するた
めの隙間を形成し、前記基板保持手段を回転させなが
ら、前記陽電極と前記陰電極との間に給電した状態で電
解メッキ処理を行うことを特徴とするものである。

【００１６】請求項３に記載の発明は、上記請求項１ま
たは２に記載の基板メッキ装置において、前記陽電極の
周りの電解メッキ液を保持する電解メッキ液保持手段を
さらに備えたことを特徴とするものである。

【００１７】請求項４に記載の発明は、上記請求項３に
記載の基板メッキ装置において、前記電解メッキ液保持
手段は、前記陽電極の側方及び上方を囲う囲い部材と、
前記陽電極の下方に配置された複数の微小開口孔が形成
された仕切り板とで形成された液保持空間内に前記陽電
極を収容したことにより構成したことを特徴とするもの
である。

【００１８】請求項５に記載の発明は、上記請求項１な
いし４のいずれかに記載の基板メッキ装置において、前
記基板保持手段に保持された基板に洗浄液を供給する洗
浄液供給手段をさらに備えたことを特徴とするものであ
る。

【００１９】請求項６に記載の発明は、上記請求項５に
記載の基板メッキ装置において、前記基板保持手段の周
囲に配設され、電解メッキ液回収部と洗浄液回収部とが
形成された液回収部と、前記基板保持手段と前記液回収
部との位置関係を変位させて、排出された液を前記電解
メッキ液回収部で回収する状態と前記洗浄液回収部で回
収する状態とで切り換える切換え手段と、をさらに備え
たことを特徴とするものである。

【００２０】請求項７に記載の発明は、上記請求項１な
いし６のいずれかに記載の基板メッキ装置において、前
記基板保持手段に保持された基板の上方の防滴位置に位
置されて上方から前記基板保持手段に保持された基板へ
の電解メッキ液の滴下を防止する防滴部材と、前記防滴
位置と前記防滴位置から外れた待機位置との間で前記防
滴部材を移動させる移動手段と、をさらに備えたことを
特徴とするものである。

【００２１】請求項８に記載の発明は、上記請求項５に
記載の基板メッキ装置において、前記基板保持手段に保
持された基板の上方の防滴位置に位置されて上方から前
記基板保持手段に保持された基板への電解メッキ液の滴
下を防止する防滴部材と、前記防滴位置と前記防滴位置
から外れた待機位置との間で前記防滴部材を移動させる
移動手段とをさらに備え、前記洗浄液供給手段は、前記
防滴部材の下部に設けられた洗浄液供給ノズルであるこ
とを特徴とするものである。

【００２２】請求項９に記載の発明は、基板に対してメ
ッキ処理を施す基板メッキ方法であって、メッキ層を形
成する処理面を上方に向けて基板を保持する基板保持手
段と、下方が開口され、前記基板保持手段の上部を覆う
上部カップとを離間させた状態で、処理面を上方に向け
て前記基板保持手段に基板を保持させる基板搬入工程
と、 前記上部カップと前記基板保持手段とを近接さ
せ、前記上部カップの下端部と前記基板保持手段と閉じ
合わされて形成されたメッキ反応槽に電解メッキ液を供
給して、前記メッキ反応槽に電解メッキ液を満たす電解
メッキ液充填工程と、前記メッキ反応槽への電解メッキ
液の供給を継続しつつ、前記基板保持手段と前記上部カ
ップとを所定量離間させて前記基板保持手段に保持され
た基板の周囲に電解メッキ液を排出するための隙間を形
成し、前記基板保持手段を回転させながら、前記基板保
持手段に保持された基板の処理面に対向配置されるよう
に前記上部カップ内に配設された陽電極と前記基板保持
手段に保持された基板の処理面に対して電気的に接続さ
れた陰電極との間に給電した状態で電解メッキ処理を行
う電解メッキ処理工程と、メッキ層が形成された基板を
前記基板保持手段から取り出す基板搬出工程と、を備え
たことを特徴とするものである。

【００２３】請求項１０に記載の発明は、上記請求項９
に記載の基板メッキ方法において、前記電解メッキ処理
工程と前記基板搬出工程の間に、前記基板保持手段と前
記上部カップとを離間させ、前記基板保持手段を回転さ
せながら、前記基板保持手段に保持された基板に洗浄液
を供給して基板を洗浄する洗浄処理工程と、洗浄液の供
給を停止した後、前記基板保持手段を回転させて基板を
乾燥させる乾燥処理工程と、を備えたことを特徴とする
ものである。

【００２４】

【作用】請求項１に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。メッキ層を形成する処理面を上方に向けて基板が基
板保持手段に保持されると、その基板の処理面に対して
陰電極が電気的に接続され、陽電極が対向配置される。
そして、電解メッキ液供給手段によってメッキ反応槽に
電解メッキ液が供給され、基板保持手段に保持された基
板の上部に電解メッキ液が貯留される。このとき、陽電
極はメッキ反応層に貯留された電解メッキ液に浸漬され
る。そして、回転手段によって基板保持手段及びそれに
よって保持された基板を回転させながら、給電手段によ
り陽電極と陰電極との間に給電した状態で電解メッキ処
理が行われる。

【００２５】このように、電解メッキ処理中、基板保持
手段（基板）を回転させることで、基板の処理面上に基
板の中心から周囲に向かう電解メッキ液の流れが強制的
に形成され、基板の処理面上に形成される境界層を薄
く、かつ、均一にすることができる。

【００２６】請求項２に記載の発明の作用は次のとおり
である。すなわち、下方が開口され、基板保持手段の上
部を覆う上部カップと基板保持手段とが接離手段によっ
て近接され、メッキ反応槽に電解メッキ液が満たされた
後、メッキ反応槽への電解メッキ液の供給を継続しつ
つ、接離手段により基板保持手段と上部カップとを所定
量離間させて基板保持手段に保持された基板の周囲に電
解メッキ液を排出するための隙間を形成する。そして、
基板保持手段（基板）を回転させながら、陽電極と陰電
極との間に給電した状態で電解メッキ処理が行われる。

【００２７】基板保持手段（基板）を回転させることに
伴って、基板の処理面上には基板の中心から周囲へ向か
う電解メッキ液の流れが形成されるが、上述したよう
に、基板保持手段に保持された基板の周囲に電解メッキ
液を排出するための隙間を形成したことにより、基板保
持手段（基板）の回転に伴う電解メッキ液の流れに逆ら
うことなく自然に基板の周囲の隙間から電解メッキ液を
メッキ反応槽外に排出することができ、メッキ反応槽内
の電解メッキ液の流れを乱すことがない。

【００２８】また、仮に、基板保持手段と上部カップと
を接触させた状態で基板保持手段を回転させようとする
と、上部カップを基板保持手段と一体的に回転させる場
合は、基板保持手段の回転の負担が大きくなるし、ま
た、上部カップを停止させ、基板保持手段を回転させる
場合は、特別な回転シール機構が必要になる。これに対
して、上述したように基板保持手段と上部カップとを離
間させて非接触にしたことで上部カップと無関係に基板
保持手段を回転させることができる。

【００２９】請求項３に記載の発明によれば、電解メッ
キ液保持手段によって陽電極の周りの電解メッキ液が保
持され、陽電極が電解メッキ液に浸漬された状態が常時
維持される。

【００３０】請求項４に記載の発明によれば、請求項３
に記載の電解メッキ液保持手段が以下のように構成され
る。

【００３１】すなわち、陽電極の側方及び上方を囲う囲
い部材と、陽電極の下方に配置された複数の微小開口孔
が形成された仕切り板とで形成された液保持空間内に陽
電極が収容される。これにより、電解メッキ液の表面張
力により、液保持空間内の電解メッキ液が仕切り板に形
成された微小開口孔から下方に排出されることが防止さ
れ、陽電極の周りの液保持空間内の電解メッキ液が保持
され、陽電極が電解メッキ液内に浸漬された状態が常時
維持される。なお、電解メッキ処理中は、仕切り板に形
成された微小開口孔を介して電解メッキ液を流通させる
ことができ、電解メッキ処理に支障はない。

【００３２】請求項５に記載の発明によれば、洗浄液供
給手段により基板保持手段に保持された基板に洗浄液が
供給されて基板が洗浄される。なお、基板の洗浄は、回
転手段によって基板保持手段（基板）を回転させながら
行ってもよい。また、洗浄液の供給を停止した後、回転
手段によって基板保持手段（基板）を回転させること
で、洗浄後の基板を乾燥させることもできる。

【００３３】請求項６に記載の発明によれば、電解メッ
キ処理時は、切換え手段によって基板保持手段と液回収
部との位置関係を変位させて、排出された液を電解メッ
キ液回収部で回収する状態に切り換え、基板保持手段
（基板）の回転に伴って基板保持手段（基板）の周囲に
飛散される電解メッキ液が電解メッキ液回収部で回収さ
れる。また、洗浄処理時や乾燥処理時は、切換え手段に
よって基板保持手段と液回収部との位置関係を変位させ
て、排出された液を洗浄液回収部で回収する状態に切り
換え、基板保持手段（基板）の回転に伴って基板保持手
段（基板）の周囲に飛散される洗浄液が洗浄液回収部で
回収される。

【００３４】請求項７に記載の発明によれば、基板の洗
浄や乾燥、搬入、搬出を行う際には、移動手段によって
防滴部材が基板保持手段に保持された基板の上方の防滴
位置に位置されて上方から基板保持手段に保持された基
板への電解メッキ液の滴下を防止する。また、電解メッ
キ処理を行う際は、移動手段によって防滴部材が待機位
置に移動される。

【００３５】請求項８に記載の発明によれば、防滴位置
に位置された防滴部材の下部に設けられている洗浄液供
給ノズルから基板保持手段に保持された基板に洗浄液が
供給されて基板が洗浄される。

【００３６】請求項９に記載の発明は、請求項２に記載
の発明に係る基板メッキ装置を用いた基板メッキ方法で
あって、その作用は次のとおりである。

【００３７】すなわち、まず、メッキ層を形成する処理
面を上方に向けて基板を保持する基板保持手段と、下方
が開口され、基板保持手段の上部を覆う上部カップとを
離間させた状態で、処理面を上方に向けて基板保持手段
に基板が保持される（基板搬入工程）。

【００３８】次に、上部カップと基板保持手段とを近接
させ、上部カップの下端部と基板保持手段とが閉じ合わ
さて形成されたメッキ反応槽に電解メッキ液を供給し
て、メッキ反応槽に電解メッキ液が満たされる（電解メ
ッキ液充填工程）。

【００３９】そして、メッキ反応槽への電解メッキ液の
供給を継続しつつ、基板保持手段と上部カップとを所定
量離間させて基板保持手段に保持された基板の周囲に電
解メッキ液を排出するための隙間を形成し、基板保持手
段（基板）を回転させながら、基板保持手段に保持され
た基板の処理面に対向配置されるように上部カップ内に
配設された陽電極と基板保持手段に保持された基板の処
理面に対して電気的に接続された陰電極との間に給電し
た状態で電解メッキ処理が行われる（電解メッキ処理工
程）。

【００４０】電解メッキ処理の後、メッキ層が形成され
た基板は基板保持手段から取り出される（基板搬出工
程）。

【００４１】請求項１０に記載の発明は、請求項５に記
載の発明に係る基板メッキ装置を用いた基板メッキ方法
であって、その作用は次のとおりである。

【００４２】すなわち、電解メッキ処理工程を終える
と、次に、基板保持手段と上部カップとを離間させ、基
板保持手段を回転させながら、基板保持手段に保持され
た基板に洗浄液を供給して基板を洗浄する（洗浄処理工
程）。

【００４３】そして、基板の洗浄を終えると、洗浄液の
供給を停止し、基板保持手段を回転させて基板を乾燥さ
せ（乾燥処理工程）、基板が乾燥すると、その基板は基
板保持手段から取り出される（基板搬出工程）。

【００４４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図１は本発明の一実施例に係る基
板メッキ装置の全体構成を示す図である。

【００４５】この実施例装置は、メッキ層を形成する処
理面ＷＦを上方に向けて基板Ｗを保持する基板保持手段
に相当する基板保持機構１を備えている。

【００４６】この基板保持機構１は、回転手段に相当す
る電動モーター２に連動連結されて鉛直方向の軸芯周り
で回転される回転軸３の上部に基板Ｗよりも大径の円板
状のベース部材４が一体回転可能に連結され、ベース部
材４の上面周辺部に基板Ｗの周縁部を保持する保持部材
５が３本以上設けられている。

【００４７】ベース部材４は導電性の材料で形成されて
いる。このベース部材４に設けられた回転軸３との連結
部４ａには、給電ブラシ６によって、基板保持機構１の
回転中でもブラシ給電されるようになっている。なお、
回転軸３は絶縁部３ａによって上部と下部とが電気的に
絶縁されており、給電ブラシ６からの給電が電動モータ
ー２に影響しないように構成されている。

【００４８】各保持部材５は、偏芯した鉛直方向の軸芯
周りで回転可能に構成され、この軸芯から離れた外周部
に基板Ｗの周縁部を係止するための凹部５ａが形成され
ている。また、各保持部材５は、凹部５ａの天井面側に
設けられた陰電極７だけが給電ブラシ６と導通するよう
になっており、基板Ｗが各保持部材５に係止されて保持
されると、基板Ｗの処理面ＷＦと陰電極７とが電気的に
接続されて基板Ｗの処理面ＷＦだけに通電できるように
なっている。

【００４９】基板保持機構１は、第１の昇降機構８によ
って昇降可能に構成されている。この第１の昇降機構８
は、ボールネジなどで構成される周知の１軸方向駆動機
構によって実現されている。

【００５０】基板保持機構１の上方には、下方が開口さ
れ、基板保持機構１の上部を覆う有蓋円筒状の上部カッ
プ１０が設けられている。この上部カップ１０も、周知
の１軸方向駆動機構によって実現された第２の昇降機構
１１によって昇降可能に構成されている。第１、第２の
昇降機構８、１１によって基板保持機構１と上部カップ
１０とが近接され、基板保持機構１のベース部材４の上
面と上部カップ１０の下端部とが閉じ合わされることに
より、基板保持機構１に保持された基板Ｗの上部に電解
メッキ液を貯留するメッキ反応槽１２が形成されるよう
になっている。なお、上部カップ１０の下端部にはシー
ル部材１３が設けられ、後述する電解メッキ液充填工程
の際に、ベース部材４の上面と上部カップ１０の下端部
との接合部分から電解メッキ液が漏れ出ないようになっ
ている。第１、第２の昇降機構８、１１は請求項２に記
載の発明における接離手段に相当し、第１の昇降機構８
は請求項６に記載の発明における切換え手段にも相当す
る。

【００５１】上部カップ１０内には、基板保持機構１に
保持された基板Ｗの処理面ＷＦに対向配置されるように
円板状の陽電極１４が配設されている。

【００５２】上述した給電ブラシ６は電源ユニット１５
の陰極側に、上記陽電極１４は電源ユニット１５の陽極
側にそれぞれ接続されている。従って、基板Ｗの処理面
ＷＦは、陰電極７だけがベース部材４と導通させる導電
部（図示省略）、ベース部材４、連結部４ａ、給電ブラ
シ６、導線１６を介して陰極となり、陽電極１４は、導
線１７を介して陽極となるように給電され、請求項１に
記載の発明における給電手段が実現されている。

【００５３】また、本実施例では、以下のような構成に
より陽電極１４の周りの電解メッキ液を保持する電解メ
ッキ液保持手段に相当する電解メッキ液保持機構２０が
設けられている。

【００５４】すなわち、まず、上部カップ１０内には、
陽電極１４の下方に位置させて複数の微小開口孔２１が
形成された仕切り板２２が設けられ、この仕切り板２２
と、陽電極１４の側方及び上方を囲う囲い部材に相当す
る上部カップ１０の側壁及び天井面とによって液保持空
間２３が形成され、この液保持空間２３内に陽電極１４
が収容された状態にする。

【００５５】また、上部カップ１０の天井部分に電解メ
ッキ液の供給口２４を設け、この供給口２４から、ま
ず、液保持空間２３に電解メッキ液が供給され、仕切り
板２２に形成された微小開口孔２１からメッキ反応槽１
２内に電解メッキ液を供給させるように構成している。

【００５６】このような構成により、後述するように、
電解メッキ処理を終えて液保持空間２３への電解メッキ
液の供給を停止するとともに、メッキ反応槽１２内の電
解メッキ液を排出しても、電解メッキ液の表面張力によ
り、液保持空間２３内の電解メッキ液が仕切り板２２に
形成された微小開口孔２１から下方に排出されることが
防止され、陽電極１４の周りの液保持空間２３内の電解
メッキ液が保持され、陽電極１４が電解メッキ液内に浸
漬された状態を常時維持することができる。

【００５７】なお、仕切り板２２に形成する微小開口孔
２１の孔径は、液保持空間２３内の電解メッキ液が微小
開口孔２１から下方に排出されないような電解メッキ液
の表面張力が得られる孔径とし、電解メッキ液の粘度や
仕切り板２２の材質などに応じて設定される。

【００５８】上部カップ１０の天井面には、メッキ反応
槽１２内と大気と連通させて、メッキ反応槽１２内に電
解メッキ液を供給できるようにするためのエア抜き部２
５が設けられている。

【００５９】上部カップ１０の天井部分に設けられた電
解メッキ液の供給口２４には、以下のような電解メッキ
液供給手段に相当する電解メッキ液供給機構３０により
電解メッキ液が供給されるようになっている。

【００６０】すなわち、供給口２４は、貯留タンク３１
内の電解メッキ液Ｑを供給する供給管３２が接続されて
いる。供給管３２には、貯留タンク３１内の電解メッキ
液Ｑを送液するポンプ３３や開閉弁３４が介装されてい
るとともに、供給管３２途中には、帰還管３５が分岐さ
れている。帰還管３５の先端は貯留タンク３１に接続さ
れ、その管路途中には開閉弁３６も設けられている。こ
の実施例では、装置の稼働中は常時ポンプ３３を駆動さ
せている。そして、メッキ反応槽１２に電解メッキ液Ｑ
を供給しないときには、開閉弁３４を閉、開閉弁３６を
開にして、供給管３２の一部と帰還管３５とを介して貯
留タンク３１内の電解メッキ液Ｑを供給口２４近くまで
送液した状態で循環させている。そして、メッキ反応槽
１２に電解メッキ液Ｑを供給するときには、開閉弁３４
を開、開閉弁３６を閉に切り換えて、供給口２４に電解
メッキ液Ｑをすぐに供給できるようにしている。なお、
上述した供給管３２の一部と帰還管３５とを介した電解
メッキ液Ｑの循環中に図示しない温度調整機構により電
解メッキ液Ｑの温度を所定温度（範囲）に維持するよう
に温調したり、図示しない濃度調整機構により電解メッ
キ液Ｑの濃度を所定濃度（範囲）に維持するように構成
してもよい。

【００６１】貯留タンク３１には液補充管３７や回収管
３８も接続されている。貯留タンク３１内の電解メッキ
液Ｑの貯留量が減少すると、図示しない液補充機構によ
って液補充管３７を介して電解メッキ液Ｑが貯留タンク
３１に補充されるようになっている。また、後述する液
回収部４０に形成された電解メッキ液回収部４１によっ
て電解メッキ処理中に回収された電解メッキ液Ｑは回収
管３８を介して貯留タンク３１に戻されるようになって
いる。

【００６２】基板保持機構１の周囲には、電解メッキ液
回収部４１と洗浄液回収部４２とが形成されるととも
に、電解メッキ液回収部４１の回収口４３と洗浄液回収
部４２の回収口４４とが上下方向に設けられた液回収部
４０が固設されている。

【００６３】この液回収部４０は、円筒状の内壁４５
と、円筒状の仕切り壁４６と、円筒状の外壁４７と、仕
切り壁４６の上部に設けられた傾斜部４８と、外壁４７
の上部に設けられた傾斜部４９とで構成されている。内
壁４５と、仕切り壁４６及び傾斜部４８の内側面とによ
って囲まれる空間が洗浄液回収部４２となり、仕切り壁
４６及び傾斜部４８の外側面と、外壁４７及び傾斜部４
９とによって囲まれる空間が電解メッキ液回収部４１と
なっている。また、内壁４５の上端部と傾斜部４８の先
端部との間の開口が洗浄液回収部４２の回収口４４とな
り、傾斜部４８の先端部と傾斜部４９の先端部との間の
開口が電解メッキ液回収部４１の回収口４３となってい
る。

【００６４】後述する電解メッキ処理時は、第１の昇降
機構８によって液回収部４０に対して基板保持機構１が
昇降されて液回収部４０に形成された電解メッキ液回収
部４１の回収口４３を基板保持機構１の周囲に位置さ
せ、基板保持機構１及びそれによって保持された基板Ｗ
の回転に伴って基板保持機構１（基板Ｗ）の周囲に飛散
される電解メッキ液Ｑが電解メッキ液回収部４１の回収
口４３を介して傾斜部４９の内側面で受け止められ、電
解メッキ液回収部４１に回収される。なお、電解メッキ
液回収部４１の底部には、回収管３８に接続された液排
出口５０が設けられ、電解メッキ液回収部４１で回収さ
れた電解メッキ液Ｑは液排出口５０、回収管３８を介し
て貯留タンク３１に戻される。

【００６５】また、後述する洗浄処理時や乾燥処理時
は、第１の昇降機構８によって液回収部４０に対して基
板保持機構１が昇降されて液回収部４０に形成された洗
浄液回収部４２の回収口４４を基板保持機構１の周囲に
位置させ、基板保持機構１（基板Ｗ）の回転に伴って基
板保持機構１（基板Ｗ）の周囲に飛散される洗浄液が洗
浄液回収部４２の回収口４４を介して傾斜部４８の内側
面で受け止められ、洗浄液回収部４２で回収される。な
お、洗浄液回収部４２の底部には、廃棄管５１に接続さ
れた液排出口５２が設けられ、洗浄液回収部４２で回収
された洗浄液は液排出口５２、廃棄管５１を介して廃棄
されるようになっている。

【００６６】また、本実施例では、基板保持機構１に保
持された基板Ｗの上方であって、この実施例では、離間
された基板保持機構１と上部カップ１０との間の防滴位
置に位置されて上方から基板保持機構１に保持された基
板Ｗへの電解メッキ液Ｑの滴下を防止する円板状の防滴
部材６０と、防滴位置とそこから外れた待機位置（図１
に示す防滴部材６０の位置）との間で防滴部材６０を移
動させる移動手段に相当する移動機構６１とを備えてい
る。

【００６７】本実施例では、防滴部材６０は、防滴位置
に位置しているとき水平姿勢をとり、待機位置に位置し
ているとき起立姿勢をとるように構成している。このよ
うな姿勢転換を伴う防滴部材６０の移動を行う移動機構
６１は、例えば、図２に示すような構成で実現すること
ができる。

【００６８】すなわち、固定フレームに取り付けられた
回転軸６２、６３に回動自在に連結された支持部材６
４、６５の基端部に防滴部材６０が支持されている。そ
して、支持部材６５の先端部には、エアシリンダ６６の
ロッド６７が連結されていて、エアシリンダ６６のロッ
ド６７を伸縮させることにより、図２（ｂ）に示すよう
に、姿勢転換を伴う防滴部材６０の移動が行われる。

【００６９】このように防滴部材６０が待機位置に位置
しているときは起立姿勢をとるように構成したことによ
り、装置のフットプリントを小さくすることができる。

【００７０】図１に戻って、防滴部材６０の下部には、
基板保持機構１に保持された基板Ｗに洗浄液を供給する
洗浄液供給ノズル７０が設けられている。洗浄液供給ノ
ズル７０には、洗浄液供給管７１を介して図示しない洗
浄液供給源から洗浄液が供給されるようになっている。
洗浄液供給ノズル７０からの洗浄液の供給とその停止の
切換えは、洗浄液供給管７１に介装された開閉弁７２の
開閉によって行われる。なお、洗浄液供給ノズル７０、
洗浄液供給管７１、及び開閉弁７２は、請求項５に記載
の発明における洗浄液供給手段に相当する。

【００７１】上記実施例装置の各部の制御は図示を省略
した制御部によって行われる。この制御部は各部を制御
して以下のように装置を動作させて基板Ｗの処理面ＷＦ
にメッキ層を形成する。

【００７２】次に、上記構成を有する実施例に係る基板
メッキ装置の動作を図３に示すフローチャートや図４な
いし図１０に示す動作説明図を参照して説明する。

【００７３】ステップＳ１：処理面ＷＦを上方に向けて
基板Ｗを基板保持機構１に保持させる（基板搬入工
程）。

【００７４】具体的には、第１の昇降機構８によって基
板保持機構１を上昇させて、基板保持機構１のベース部
材４を液回収部４０の傾斜部４９の先端部よりも上方に
位置させるとともに、第２の昇降機構１１によって上部
カップ１０を上昇させて、基板保持機構１と上部カップ
１０とを離間させて、基板搬送アーム（図示省略）が進
入できるようにし、また、各保持部材５の凹部５ａが外
側を向くように各保持部材５を回転させて基板Ｗを受け
入れられる状態にし、さらに、移動機構６１によって防
滴部材６０を防滴位置に移動させる（図４（ａ））。

【００７５】次に、基板Ｗの処理面ＷＦが上方を向くよ
うに支持した状態で基板搬送アームを進入させ、基板Ｗ
の周縁部の高さを各保持部材５の凹部５ａの高さに一致
する高さに位置させる。そして、各保持部材５を回転さ
せて基板Ｗの周縁部を係止して保持するとともに、基板
搬送アームを退避させる（図４（ｂ））。

【００７６】なお、図４（ａ）、（ｂ）では、液保持空
間２３に電解メッキ液Ｑが保持されている状態を示して
いるが、液保持空間２３に電解メッキ液Ｑを保持するた
めのイニシャル処理については後述する。

【００７７】ステップＳ２：メッキ反応槽１２を形成し
てメッキ反応槽１２に電解メッキ液Ｑを満たす（電解メ
ッキ液充填工程）。

【００７８】具体的には、移動機構６１によって防滴部
材６０を待機位置に移動させ、また、第１の昇降機構８
によって基板保持機構１を下降させて、基板保持機構１
の周囲に液回収部４０に形成された電解メッキ液回収部
４１の回収口４３を配置させるとともに、第２の昇降機
構１１によって上部カップ１０を下降させて、基板保持
機構１と上部カップ１０とを近接させて、基板保持機構
１のベース部材４の上面と上部カップ１０の下端部とを
閉じ合わせてメッキ反応槽１２を形成する（図５
（ａ））。

【００７９】次に、開閉弁３４を閉から開、開閉弁３６
を開から閉に切り換えて、供給口２４からの電解メッキ
液Ｑの供給を開始する。これにより、電解メッキ液Ｑ
は、液保持空間２３に供給され、仕切り板２２に形成さ
れた微小開口孔２１から押し出されるようにしてメッキ
反応槽１２に供給される。予め決めておいた時間が経過
すると、メッキ反応槽１２に電解メッキ液Ｑが満たされ
る（図５（ｂ））。

【００８０】ステップＳ３：図６に示すように、メッキ
反応槽１２への電解メッキ液Ｑの供給を継続しつつ、第
２の昇降機構１１によって基板保持機構１と上部カップ
１０とを所定量離間させて基板保持機構１に保持された
基板Ｗの周囲に電解メッキ液Ｑを排出するための隙間８
０を形成し、電動モーター２を駆動して基板保持機構１
及びそれによって保持された基板Ｗを回転させながら、
電源ユニット１５を作動させて陽電極１４と陰電極７と
の間に給電した状態で電解メッキ処理を行う（電解メッ
キ処理工程）。

【００８１】これにより、基板Ｗの処理面ＷＦが陰極
（−）に、陽電極１４が陽極（＋）になり、基板Ｗの処
理面ＷＦと陽電極１４との間に満たされている電解メッ
キ液Ｑが電気分解され、例えば、電解メッキ液Ｑが硫酸
銅メッキ液である場合には、処理面ＷＦに銅が析出して
処理面ＷＦに銅のメッキ層が形成される。

【００８２】なお、上記電解メッキ処理の間、基板保持
機構１（基板Ｗ）の回転に伴って隙間８０から周囲に飛
散される電解メッキ液Ｑは液回収部４０に形成された電
解メッキ液回収部４１で回収されて貯留タンク３１に戻
される。

【００８３】ステップＳ３の電解メッキ処理を予め決め
られた時間行うと、開閉弁３４を開から閉、開閉弁３６
を閉から開に切り換えて、供給口２４からメッキ反応槽
１２への電解メッキ液Ｑの供給を停止し、電動モーター
２の駆動を停止して基板保持機構１（基板Ｗ）の回転を
一旦停止する。

【００８４】ステップＳ４：洗浄処理の準備を行う。具
体的には、第２の昇降機構１１によって上部カップ１０
を上昇させて、基板保持機構１と上部カップ１０とを離
間させてメッキ反応槽１２内の電解メッキ液Ｑを電解メ
ッキ液回収部４１に排出させ、次に、第１の昇降機構８
によって基板保持機構１を下降させて、基板保持機構１
の周囲に液回収部４０に形成された洗浄液回収部４２の
回収口４４を配置させるとともに、移動機構６１によっ
て防滴部材６０を防滴位置に移動させる（図７）。

【００８５】なお、基板保持機構１と上部カップ１０と
を離間させることにより、メッキ反応槽１２内の電解メ
ッキ液Ｑは電解メッキ液回収部４１に排出されるが、上
述したように液保持空間２３内の電解メッキ液Ｑは保持
される。

【００８６】ステップＳ５：図８に示すように、電動モ
ーター２を駆動して基板保持機構１（基板Ｗ）を回転さ
せながら、開閉弁７２を閉から開に切り換えて洗浄液供
給ノズル７０から基板保持機構１に保持された基板Ｗ
（処理面ＷＦ）に洗浄液Ｒを供給して基板Ｗを洗浄する
（洗浄処理工程）。

【００８７】ステップＳ５の洗浄処理を予め決められた
時間行うと、開閉弁７２を開から閉に切り換えて、洗浄
液供給ノズル７０から基板Ｗへの洗浄液Ｒの供給を停止
する。

【００８８】ステップＳ６：図９に示すように、基板保
持機構１（基板Ｗ）を高速回転させて、基板Ｗに付着す
る洗浄液Ｒを振り切り乾燥する（乾燥処理工程）。

【００８９】なお、上記ステップＳ５、Ｓ６の洗浄処理
及び乾燥処理の間、基板保持機構１（基板Ｗ）の回転に
伴って基板Ｗから周囲に飛散される洗浄液Ｒは液回収部
４０に形成された洗浄液回収部４２で回収されて廃棄さ
れる。

【００９０】ステップＳ６の乾燥処理を予め決められた
時間行うと、電動モーター２の駆動を停止して基板保持
機構１（基板Ｗ）の回転を停止する。

【００９１】ステップＳ７：乾燥させた基板Ｗを基板保
持機構１から取り出す（基板搬出工程）。

【００９２】具体的には、第１の昇降機構８によって基
板保持機構１を上昇させて、基板保持機構１のベース部
材４を液回収部４０の傾斜部４９の先端部よりも上方に
位置させる（図１０（ａ））。

【００９３】次に、空の基板搬送アームを進入させ、保
持部材５に保持されている基板Ｗを支持すると、各保持
部材５の凹部５ａが外側を向くように各保持部材５を回
転させて基板Ｗの保持を解除して、基板Ｗを基板搬送ア
ームに引き渡す。そして、処理済の基板Ｗを支持した基
板搬送アームを退避させて基板Ｗが装置から搬出される
（図１０（ｂ））。これで、図４（ａ）の状態に戻り、
続けて処理するときは上記処理を繰り返す。

【００９４】次に、液保持空間２３に電解メッキ液Ｑが
保持されていない状態から、液保持空間２３に電解メッ
キ液Ｑを保持するイニシャル処理については図１１に示
すフローチャートや図１２ないし図１４に示す動作説明
図を参照して説明する。

【００９５】図１２に示す状態を初期状態とする。 ステップＴ１：上記ステップＳ２の電解メッキ液充填工
程と同じに動作により、メッキ反応槽１２を形成してメ
ッキ反応槽１２に電解メッキ液Ｑを満たす（図１３）。
このとき、電解メッキ液Ｑは、まず、液保持空間２３内
に満たされ、液保持空間２３内に電解メッキ液Ｑが満た
されると仕切り板２２に形成された微小開口孔２１から
絞り出されるようにメッキ反応槽１２に電解メッキ液Ｑ
が供給されていく。

【００９６】ステップＴ２：上記ステップＳ４と同様の
動作により、メッキ反応槽１２内の電解メッキ液Ｑを電
解メッキ液回収部４１に排出させる。これにより、液保
持空間２３内に電解メッキ液Ｑが保持される（図１
４）。図１４に示す状態から、第１の昇降機構８によっ
て基板保持機構１を昇降させて、基板保持機構１のベー
ス部材４を液回収部４０の傾斜部４９の先端部よりも上
方に位置させると、図４（ａ）に示す状態となる。

【００９７】以上の構成及び動作より明らかなように、
この実施例によれば、以下のような効果が得れる。

【００９８】基板保持機構１及びそれによって保持され
た基板Ｗを回転させながら電解メッキ処理を行うように
構成したので、基板Ｗの回転によって、図６に示す矢印
のように、基板Ｗの処理面ＷＦ上に基板Ｗの中心から周
囲に向かう電解メッキ液Ｑの流れが強制的に形成され、
基板保持機構１に保持された基板Ｗの処理面ＷＦ上に形
成される境界層を薄く、かつ、均一にすることができ、
基板Ｗの処理面ＷＦにメッキ層形成イオンが移動し易く
なるとともに、基板Ｗの処理面ＷＦへのメッキ層形成イ
オンの移動を均一化できる。従って、メッキ層の形成に
要する時間を短縮することができるとともに、均一なメ
ッキ層を基板Ｗの処理面ＷＦに形成することができる。

【００９９】また、上部カップ１０と基板保持機構１と
により形成されるメッキ反応槽１２内に電解メッキ液Ｑ
を満たした後、メッキ反応槽１２への電解メッキ液Ｑの
供給を継続しつつ、基板保持機構１と上部カップ１０と
を所定量離間させて基板保持機構１に保持された基板Ｗ
の周囲に電解メッキ液Ｑを排出するための隙間８０を形
成し、基板保持機構１を回転させながら、陽電極１４と
陰電極７との間に給電した状態で電解メッキ処理を行う
ように構成したので、基板保持機構１（基板Ｗ）の回転
に伴う電解メッキ液Ｑの流れに逆らうことなく自然に基
板Ｗの周囲の隙間８０から電解メッキ液Ｑをメッキ反応
槽１２外に排出することができ、メッキ反応槽１２内の
電解メッキ液Ｑの流れを乱すことがない。従って、基板
保持機構１に保持された基板Ｗの処理面ＷＦ上に形成さ
れる境界層が厚くなったり不均一になったりすることを
抑制できる。また、メッキ反応槽１２内で電解メッキ液
Ｑによる乱流などが形成されることも抑制できるので、
メッキ反応槽１２内で気泡が発生したり、気泡が基板Ｗ
の処理面ＷＦへ流れるようなことも抑制でき、気泡によ
るメッキ層形成欠陥なども抑制することができる。さら
に、上部カップ１０と無関係に基板保持機構１を回転さ
せることができるので、簡単な構成で基板保持機構１を
回転させることもできる。

【０１００】また、陽電極１４の周りの電解メッキ液Ｑ
を保持する電解メッキ液保持機構２０を備えたので、陽
電極１４が電解メッキ液Ｑ内に浸漬された状態を常時維
持することができる。従って、陽電極１４が大気にさら
されることを防止することができ、陽電極１４の表面に
形成された皮膜層が流れ出たり変質したりすることなど
を防止できて、再現性のある電解メッキ処理を実施する
ことができる。

【０１０１】さらに、上記実施例の電解メッキ液保持機
構２０は、陽電極１４の側方及び上方を囲う上部カップ
１０の側壁及び天井面と、陽電極１４の下方に配置され
た複数の微小開口孔２１が形成された仕切り板２２とで
形成された液保持空間２３内に陽電極１４を収容したこ
とにより構成したので、簡単な構成で電解メッキ液保持
機構２０を実現することができる。

【０１０２】また、基板保持機構１に保持された基板Ｗ
に洗浄液Ｒを供給する洗浄液供給手段を備えたので、電
解メッキ処理や洗浄処理、さらには、洗浄処理の後の乾
燥処理を、基板Ｗを搬送することなく１つの装置内で行
うことができる。

【０１０３】さらに、基板保持機構１の周囲に配設さ
れ、電解メッキ液回収部４１と洗浄液回収部４２とが形
成された液回収部４０と、基板保持機構１と液回収部４
０との位置関係を変位させて、排出された液を電解メッ
キ液回収部４１で回収する状態と洗浄液回収部４２で回
収する状態とで切り換える第１の昇降機構８とを備えた
ので、電解メッキ液Ｑと洗浄液Ｒを分離回収することが
できる。

【０１０４】また、基板保持機構１に保持された基板Ｗ
の上方の防滴位置に位置されて上方から基板保持機構１
に保持された基板Ｗへの電解メッキ液Ｑの滴下を防止す
る防滴部材６０と、防滴位置とそこから外れた待機位置
との間で防滴部材６０を移動させる移動機構６１とを備
えたので、図４、図８、図９、図１０に示すように、基
板Ｗの洗浄や乾燥、搬入、搬出などの際に、基板Ｗに電
解メッキ液Ｑが滴下することを防止でき、基板Ｗの洗浄
や乾燥、搬入、搬出などを好適に行うことができる。

【０１０５】さらに、基板保持機構１に保持された基板
Ｗに洗浄液Ｒを供給する洗浄液供給ノズル７０を防滴部
材６０の下部に設けたので、洗浄機能及び防滴機能を備
えた基板メッキ装置をコンパクトに構成することができ
る。

【０１０６】なお、本発明は上記実施例の構成に限定さ
れず、例えば、以下のように変形実施することができ
る。

【０１０７】上記実施例の基板保持機構１は、基板Ｗを
保持すると同時に陰電極７と基板Ｗの処理面ＷＦとが電
気的に接続されるように構成したが、陰電極７と基板Ｗ
の処理面ＷＦとを電気的に接続する機構と基板Ｗの保持
機構とを別個の機構によって実現してもよい。

【０１０８】また、基板Ｗの保持は、周縁部を保持する
構成に限らず、例えば、ベース部材４に基板Ｗの下面を
真空吸着保持する構成などであってもよい。

【０１０９】さらに、上記実施例では、接離手段を、基
板保持機構１側の昇降と上部カップ１０側の昇降とによ
り実現したが、いずれか一方だけを昇降させることで実
現してもよい。

【０１１０】また、上記実施例では、切換え手段を、液
回収部４０を固定し、基板保持機構１側だけを昇降させ
ることにより実現したが、基板保持機構１を固定し、液
回収部４０側だけを昇降させたり、基板保持機構１側と
液回収部４０側との双方を昇降させたりすることで実現
してもよい。

【０１１１】さらに、上記実施例では、基板保持機構１
と上部カップ１０とによりメッキ反応槽１２を形成する
構成であったが、本発明はその構成に限定されず、基板
保持機構がメッキ反応槽の構成要素と無関係に構成され
た装置であっても請求項１に記載の発明は同様に適用で
きる。

【０１１２】また、上記実施例の電解メッキ液保持機構
２０は、仕切り板２２に形成した微小開口孔２１におけ
る電解メッキ液Ｑの表面張力を利用したものであった
が、例えば、図１５に示すように、複数の開口２６がそ
れぞれ形成された２枚の仕切り板２７を重ねて配置し、
メッキ反応槽１２内に電解メッキ液を供給するときに
は、図１５（ａ）に示すように、２枚の仕切り板２７の
各開口２６の位置を一致させ、液保持空間２３に電解メ
ッキ液を保持するときには、２枚の仕切り板２７を相対
的に変位（回転でも水平移動でもよい）させ、図１５
（ｂ）に示すように、２枚の仕切り板２７の各開口２６
の位置をずらせるようにして液保持空間２３に電解メッ
キ液を保持するように構成することもできる。

【０１１３】さらに、上記実施例や図１５に示す変形例
では、陽電極１４の側方及び上方を囲う囲い部材を、上
部カップ１０の側壁及び天井面で形成したが、図１６に
示すように、独立した囲い部材２８を設けて液保持空間
２３を形成してもよい。

【０１１４】また、上記実施例や図１５に示す変形例で
は、メッキ反応槽１２への電解メッキ液Ｑの供給を液保
持空間２３を介して行うように構成したが、メッキ反応
槽１２への電解メッキ液Ｑの供給と液保持空間２３への
電解メッキ液Ｑの供給とを別個の供給系統で実現しても
よい。

【０１１５】さらに、上記実施例では、電解メッキ処理
の後の基板Ｗの洗浄について説明したが、基板Ｗが基板
保持機構１に保持された後、電解メッキ処理の前に基板
Ｗを洗浄するようにしてもよい。この前洗浄も図８に示
すように行えばよい。

【０１１６】また、上記実施例では、防滴部材６０を単
なる板状部材で構成したが、例えば、図１７に示すよう
に、防滴部材６０の上面に、上から滴下してきた電解メ
ッキ液Ｑを回収するための回収凹部６８を設けるととも
に、回収凹部６８で回収された電解メッキ液Ｑを回収管
６９を介して貯留タンク３１に戻すように構成してもよ
い。

【０１１７】さらに、例えば、基板Ｗの洗浄や乾燥、搬
入、搬出に際に、基板保持機構１から離間された上部カ
ップ１０を基板保持機構１（基板Ｗ）の上方から外れた
位置に退避させるように構成すれば、防滴部材６０を省
略してもよい。

【０１１８】また、上記実施例では、装置のフットプリ
ントを小さくするために防滴部材６０が待機位置に位置
されているとき起立姿勢をとるように構成したが、例え
ば、水平姿勢の防滴部材６０を単に水平移動させて防滴
位置とその側方の待機位置との間で移動させるように構
成してもよい。

【０１１９】上記実施例では、洗浄液供給ノズル７０を
防滴部材６０の下部に設けているが、例えば、図１８
（ａ）に示すように、洗浄液供給ノズル７０を基板保持
機構１の周辺部に固定配置してもよいし、図１８（ｂ）
に示すように、基板保持機構１に保持された基板Ｗの上
方の実線で示す洗浄位置と、そこから外れた二点鎖線で
示す待機位置との間で移動可能に構成した洗浄液供給ノ
ズル７０を設けてもよい。

【０１２０】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に記載の発明によれば、基板保持手段を回転させる回
転手段を備え、基板保持手段及びそれによって保持され
た基板を回転させながら電解メッキ処理を行うように構
成したので、基板保持手段に保持された基板の処理面上
に形成される境界層を薄く、かつ、均一にすることがで
き、メッキ層の形成に要する時間を短縮することができ
るとともに、均一なメッキ層を基板の処理面に形成する
ことができる。

【０１２１】請求項２に記載の発明によれば、下方が開
口され、基板保持手段の上部を覆う上部カップと基板保
持手段とにより形成されるメッキ反応槽に電解メッキ液
を満たした後、メッキ反応槽への電解メッキ液の供給を
継続しつつ、基板保持手段と上部カップとを所定量離間
させて基板保持手段に保持された基板の周囲に電解メッ
キ液を排出するための隙間を形成し、基板保持手段を回
転させながら、陽電極と陰電極との間に給電した状態で
電解メッキ処理を行うように構成したので、基板保持手
段（基板）の回転に伴う電解メッキ液の流れに逆らうこ
となく自然に基板の周囲の隙間から電解メッキ液をメッ
キ反応槽外に排出することができ、メッキ反応槽内の電
解メッキ液の流れを乱すことがない。従って、請求項１
に記載の発明をより好適に実現することができる。ま
た、メッキ反応槽内で電解メッキ液による乱流などが形
成されることを抑制できるので、メッキ反応槽内で気泡
が発生したり、気泡が基板の処理面に流れるようなこと
も抑制でき、気泡によるメッキ層形成欠陥なども抑制す
ることができる。さらに、上部カップと無関係に基板保
持手段を回転させることができるので、簡単な構成で基
板保持手段を回転させることもできる。

【０１２２】請求項３に記載の発明によれば、陽電極の
周りの電解メッキ液を保持する電解メッキ液保持手段を
備えたので、陽電極が電解メッキ液内に浸漬された状態
を常時維持することができる。従って、陽電極が大気に
さらされることを防止することができ、陽電極の表面に
形成された皮膜層が流れ出たり変質したりすることなど
を防止できて、再現性のある電解メッキ処理を実施する
ことができる。

【０１２３】請求項４に記載の発明によれば、請求項３
に記載の発明における電解メッキ液保持手段を、陽電極
の側方及び上方を囲う囲い部材と、陽電極の下方に配置
された複数の微小開口孔が形成された仕切り板とで形成
された液保持空間内に陽電極を収容したことにより構成
したので、簡単な構成で電解メッキ液保持手段を実現す
ることができる。

【０１２４】請求項５に記載の発明によれば、基板保持
手段に保持された基板に洗浄液を供給する洗浄液供給手
段を備えたので、電解メッキ処理や洗浄処理、さらに
は、洗浄処理の後の乾燥処理を、基板を搬送することな
く１つの装置内で行うことができる。

【０１２５】請求項６に記載の発明によれば、基板保持
手段の周囲に配設され、電解メッキ液回収部と洗浄液回
収部とが形成された液回収部と、基板保持手段と液回収
部との位置関係を変位させて、排出された液を電解メッ
キ液回収部で回収する状態と洗浄液回収部で回収する状
態とで切り換える切換え手段とを備えたので、電解メッ
キ液と洗浄液を分離回収することができる。

【０１２６】請求項７に記載の発明によれば、基板保持
手段に保持された基板の上方の防滴位置に位置されて上
方から基板保持手段に保持された基板への電解メッキ液
の滴下を防止する防滴部材と、防滴位置とそこから外れ
た待機位置との間で防滴部材を移動させる移動手段とを
備えたので、基板の洗浄や乾燥、搬入、搬出などの際
に、基板に電解メッキ液が滴下することを防止でき、基
板の洗浄や乾燥、搬入、搬出などを好適に行うことがで
きる。

【０１２７】請求項８に記載の発明によれば、基板保持
手段に保持された基板に洗浄液を供給する洗浄液供給ノ
ズルを防滴部材の下部に設けたので、洗浄機能及び防滴
機能を備えた基板メッキ装置をコンパクトに構成するこ
とができる。

【０１２８】請求項９に記載の発明によれば、請求項２
に記載の発明に係る基板メッキ装置を用いた電解メッキ
処理を好適に行うことができる。

【０１２９】請求項１０に記載の発明によれば、請求項
５に記載の発明に係る基板メッキ装置を用いた電解メッ
キ処理や洗浄処理、乾燥処理を好適に行うことができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る基板メッキ装置の全体
構成を示す図である。

【図２】実施例装置の移動機構の一例を示す図である。

【図３】実施例装置の動作を示すフローチャートであ
る。

【図４】基板搬入工程の動作説明図である。

【図５】電解メッキ液充填工程の動作説明図である。

【図６】電解メッキ処理工程の動作説明図である。

【図７】洗浄処理の準備の動作説明図である。

【図８】洗浄処理工程の動作説明図である。

【図９】乾燥処理工程の動作説明図である。

【図１０】基板搬出工程の動作説明図である。

【図１１】液保持空間内に電解メッキ液を保持するため
のイニシャル処理の手順を示すフローチャートである。

【図１２】イニシャル処理を行う際の初期状態を示す図
である。

【図１３】イニシャル処理においてメッキ反応槽に電解
メッキ液を満たした状態を示す図である。

【図１４】イニシャル処理においてメッキ反応槽内の電
解メッキ液を排出した状態を示す図である。

【図１５】電解メッキ液保持機構の変形例を示す図であ
る。

【図１６】液保持空間を形成する囲い部材の変形例を示
す図である。

【図１７】防滴部材の変形例を示す図である。

【図１８】洗浄液供給ノズルの変形例を示す図である。

【図１９】従来の基板メッキ装置の構成を示す図であ
る。

【符号の説明】

１：基板保持機構 ２：電動モーター ７：陰電極 ８：第１の昇降機構 １０：上部カップ １１：第２の昇降機構 １２：メッキ反応槽 １４：陽電極 １５：電源ユニット ２０：電解メッキ液保持機構 ２１：微小開口孔 ２２：仕切り板 ２３：液保持空間 ３０：電解メッキ液供給機構 ４０：液回収部 ４１：電解メッキ液回収部 ４２：洗浄液回収部 ６０：防滴部材 ６１：移動機構 ７０：洗浄液供給ノズル ８０：電解メッキ液を排出するための隙間 Ｗ：基板 ＷＦ：基板の処理面

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２５Ｄ 21/08 Ｃ２５Ｄ 21/08 21/10 ３０２ 21/10 ３０２ (72)発明者 村岡 祐介 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 (72)発明者 村山 博美 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 Ｆターム(参考） 4K024 AA09 BB09 BB12 CB01 CB02 CB08 CB11 CB18 CB19 CB26 DB10 GA16

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に対してメッキ処理を施す基板メッ
   キ装置であって、 メッキ層を形成する処理面を上方に向けて基板を保持す
   る基板保持手段と、 前記基板保持手段に保持された基板の処理面に対して電
   気的に接続する陰電極と、 前記基板保持手段を回転させる回転手段と、 前記基板保持手段に保持された基板の上部に電解メッキ
   液を貯留するメッキ反応槽と、 前記メッキ反応槽に貯留された電解メッキ液に浸漬さ
   れ、前記基板保持手段に保持された基板の処理面に対向
   配置される陽電極と、 前記メッキ反応槽に電解メッキ液を供給する電解メッキ
   液供給手段と、 前記陽電極から前記陰電極へ向けて電流が流れるように
   給電する給電手段と、 を備えたことを特徴とする基板メッキ装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板メッキ装置におい
   て、 前記メッキ反応槽は、下方が開口され、前記基板保持手
   段の上部を覆う上部カップを備え、 前記基板保持手段と前記上部カップとを相対的に接離さ
   せる接離手段を備え、かつ、 前記メッキ反応槽に電解メッキ液を満たした後、前記メ
   ッキ反応槽への電解メッキ液の供給を継続しつつ、前記
   基板保持手段と前記上部カップとを所定量離間させて前
   記基板保持手段に保持された基板の周囲に電解メッキ液
   を排出するための隙間を形成し、前記基板保持手段を回
   転させながら、前記陽電極と前記陰電極との間に給電し
   た状態で電解メッキ処理を行うことを特徴とする基板メ
   ッキ装置。
3. 【請求項３】 請求項１または２に記載の基板メッキ装
   置において、 前記陽電極の周りの電解メッキ液を保持する電解メッキ
   液保持手段をさらに備えたことを特徴とする基板メッキ
   装置。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の基板メッキ装置におい
   て、 前記電解メッキ液保持手段は、前記陽電極の側方及び上
   方を囲う囲い部材と、前記陽電極の下方に配置された複
   数の微小開口孔が形成された仕切り板とで形成された液
   保持空間内に前記陽電極を収容したことにより構成した
   ことを特徴とする基板メッキ装置。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかに記載の基
   板メッキ装置において、 前記基板保持手段に保持された基板に洗浄液を供給する
   洗浄液供給手段をさらに備えたことを特徴とする基板メ
   ッキ装置。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の基板メッキ装置におい
   て、 前記基板保持手段の周囲に配設され、電解メッキ液回収
   部と洗浄液回収部とが形成された液回収部と、 前記基板保持手段と前記液回収部との位置関係を変位さ
   せて、排出された液を前記電解メッキ液回収部で回収す
   る状態と前記洗浄液回収部で回収する状態とで切り換え
   る切換え手段と、 をさらに備えたことを特徴とする基板メッキ装置。
7. 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれかに記載の基
   板メッキ装置において、 前記基板保持手段に保持された基板の上方の防滴位置に
   位置されて上方から前記基板保持手段に保持された基板
   への電解メッキ液の滴下を防止する防滴部材と、 前記防滴位置と前記防滴位置から外れた待機位置との間
   で前記防滴部材を移動させる移動手段と、 をさらに備えたことを特徴とする基板メッキ装置。
8. 【請求項８】 請求項５に記載の基板メッキ装置におい
   て、 前記基板保持手段に保持された基板の上方の防滴位置に
   位置されて上方から前記基板保持手段に保持された基板
   への電解メッキ液の滴下を防止する防滴部材と、 前記防滴位置と前記防滴位置から外れた待機位置との間
   で前記防滴部材を移動させる移動手段とをさらに備え、 前記洗浄液供給手段は、前記防滴部材の下部に設けられ
   た洗浄液供給ノズルであることを特徴とする基板メッキ
   装置。
9. 【請求項９】 基板に対してメッキ処理を施す基板メッ
   キ方法であって、 メッキ層を形成する処理面を上方に向けて基板を保持す
   る基板保持手段と、下方が開口され、前記基板保持手段
   の上部を覆う上部カップとを離間させた状態で、処理面
   を上方に向けて前記基板保持手段に基板を保持させる基
   板搬入工程と、 前記上部カップと前記基板保持手段とを近接させ、前記
   上部カップの下端部と前記基板保持手段と閉じ合わされ
   て形成されたメッキ反応槽に電解メッキ液を供給して、
   前記メッキ反応槽に電解メッキ液を満たす電解メッキ液
   充填工程と、 前記メッキ反応槽への電解メッキ液の供給を継続しつ
   つ、前記基板保持手段と前記上部カップとを所定量離間
   させて前記基板保持手段に保持された基板の周囲に電解
   メッキ液を排出するための隙間を形成し、前記基板保持
   手段を回転させながら、前記基板保持手段に保持された
   基板の処理面に対向配置されるように前記上部カップ内
   に配設された陽電極と前記基板保持手段に保持された基
   板の処理面に対して電気的に接続された陰電極との間に
   給電した状態で電解メッキ処理を行う電解メッキ処理工
   程と、 メッキ層が形成された基板を前記基板保持手段から取り
   出す基板搬出工程と、 を備えたことを特徴とする基板メッキ方法。
10. 【請求項１０】 請求項９に記載の基板メッキ方法にお
    いて、 前記電解メッキ処理工程と前記基板搬出工程の間に、 前記基板保持手段と前記上部カップとを離間させ、前記
    基板保持手段を回転させながら、前記基板保持手段に保
    持された基板に洗浄液を供給して基板を洗浄する洗浄処
    理工程と、 洗浄液の供給を停止した後、前記基板保持手段を回転さ
    せて基板を乾燥させる乾燥処理工程と、 を備えたことを特徴とする基板メッキ方法。