JP2000256706A - 多孔質体溶浸方法 - Google Patents

多孔質体溶浸方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 組成及び性質にバラツキを生じることなく、
しかも溶浸複合製品の経費のかかる機械加工も必要とし
ないケイ素溶浸法の提供。 【解決手段】 少なくとも若干乃至約１０重量％の六方
晶窒化ホウ素とケイ素とを含んでなる混合物を形成す
る。ケイ素で濡れるか又はケイ素と反応する成分を含ん
でなる物体を上記混合物と接触させ、接触させた物体に
混合物からのケイ素を溶浸せしめる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術的背景】本発明は、合衆国エネルギー省と
の契約番号ＤＥＦＣ ０２−９２−ＣＥ４１０００によ
る合衆国政府の援助の下になされたものである。合衆国
政府は本発明に関し所定の権利を有する。
【０００２】本発明はある材料の多孔質体にケイ素を溶
浸する方法に関する。
【０００３】板状及び繊維状材料は各種複合材料におけ
る充填剤及び補強剤として作用させるため溶浸によって
導入されるのが普通である。炭化ケイ素（ＳｉＣ）及び
／又は炭素（Ｃ）を含む多孔質体へのケイ素の溶浸は、
反応焼結炭化ケイ素もしくは「ケイ素化」炭化ケイ素複
合材料の一般的製造方法である。かかる複合材料の具体
例はケイ素／炭化ケイ素（Ｓｉ／ＳｉＣ）セラミックス
及び強靱化セラミックマトリックス複合体である。ケイ
素溶浸法の利点の一つはニアネットシェイプで製品を製
造できることである。ニアネットシェイプとは、溶浸／
緻密化法の際にプリフォームの寸法にほとんど或いは全
く変化が起こらないことを意味する。ニアネットシェイ
プ法では最低限の機械加工だけで製品を製造することが
できる。
【０００４】溶浸法の重要な側面は、ケイ素を多孔質プ
リフォームと接触させるプロセスである。ケイ素はプリ
フォームと直接接触させることができる。別の方法で
は、炭素繊維ウィックを用いて、被溶浸材料に液体ケイ
素を液溜めから毛細管作用によって移送する。これらの
プロセスには幾つかの短所がある。プリフォームとケイ
素を直接接触させる場合、多孔質体表面に過剰のケイ素
を残さずに多孔質体に完全に溶浸するにはケイ素量の非
常に精密な計量が必要とされる。異なる技術により或い
は異なる比率の出発原料で製造される多孔質体では、十
分に溶浸するのに異なるレベルのケイ素が必要とされ
る。各プロセス変更には、試行錯誤によりケイ素量を調
整することが必要とされる。溶浸にケイ素−ホウ素アロ
イを使用する場合、溶融時にケイ化ホウ素（例えばＢ3
Ｓｉ、Ｂ4Ｓｉ及びＢ6Ｓｉ等）が生成する。これらのケ
イ化ホウ素は溶浸プロセス時に上記アロイに完全には溶
解しない。その結果、かかるホウ化物の付着性残渣が物
体の表面に残り、機械加工で取り除かなければならな
い。ウィックを使用する場合、溶浸体の表面よりもウィ
ックに残渣が残る。しかし、ウィックは溶浸体に強く付
着しており、これを取り除くのに機械加工が必要とされ
る。また、今度はウィック自体の大きさのバラツキも考
慮に入れなければならないので、ケイ素レベルの調整に
関連した問題はますます悪くなる。物体が大きかったり
複雑な形状のものであったりすると、ケイ素の溶浸が不
均一に起こり、組成及び性質にバラツキが生じかねな
い。
【０００５】ケイ素溶浸のもう一つの問題は、ケイ素が
凝固時に膨張するという事実によって引き起こされる。
ケイ素が膨張すると、過剰のケイ素が物体表面から押し
出され金属ケイ素のこぶができてしまう。ケイ素のこぶ
は物体を許容差の範囲外のものとしてしまい、この場合
も溶浸後に経費のかかる機械加工が必要となる。
【０００６】そこで、組成及び性質にバラツキを生じる
ことなく、しかも溶浸複合製品の経費のかかる機械加工
も必要としないケイ素溶浸法を提供することが求められ
ている。
【０００７】
【発明の概要】本発明は物体にケイ素を溶浸する方法に
関する。ケイ素と少なくとも若干乃至約１０重量％の六
方晶窒化ホウ素とを含んでなる混合物を形成する。ケイ
素で濡れるか又はケイ素と反応する成分を含んでなる物
体を上記混合物と接触させ、接触させた物体に混合物か
らのケイ素を溶浸せしめる。上記の「少なくとも若干乃
至約１０重量％」という記載には、約０．１重量％もの
僅かな六方晶窒化ホウ素が包含され、さらには約１．０
重量％〜約１０重量％の六方晶窒化ホウ素が包含され、
約４重量％〜約１０重量％の六方晶窒化ホウ素も包含さ
れる。
【０００８】別の態様では、本発明は、物体にケイ素を
溶浸する方法に関し、当該方法は、ケイ素で濡れるか又
はケイ素と反応する成分を含んでなる物体を、六方晶窒
化ホウ素とケイ素のスラリーでコートすることを含んで
なる。コートした物体に次いで上記スラリーからのケイ
素を溶浸せしめる。
【０００９】
【発明の詳しい説明】ケイ素粉末と調節された量の六方
晶窒化ホウ素粉末の混合物中に多孔質体を埋込むことに
よってケイ素を多孔質体に溶浸することができる。Ｍｏ
ｒｅｌｏｃｋの米国特許第４７３７３２８号には、ケイ
素と反応する物質を含んでなる多孔質体を、ケイ素と六
方晶窒化ホウ素粉末からなる粉末混合物中に埋込むこと
による複合体の製造方法が開示されている。このＭｏｒ
ｅｌｏｃｋの米国特許では、ケイ素−窒化ホウ素（Ｓｉ
−ＢＮ）混合物について１０体積％〜９０体積％のケイ
素（窒化ホウ素（ＢＮ）９０．６重量％〜９．６重量％
に相当）という限定条件が教示されている。今回、５０
重量％〜１０重量％の窒化ホウ素（ＢＮ）を含有する圧
密化ケイ素−窒化ホウ素Ｓｉ−ＢＮ混合物では、炭化ケ
イ素／炭素（ＳｉＣ／Ｃ）へのケイ素（Ｓｉ）の溶浸は
起こらないことが判明した。ケイ素の溶浸は、窒化ホウ
素（ＢＮ）レベルが約１０％未満のレベルに制御された
ときだけに、起こる。
【００１０】さらに、Ｍｏｒｅｌｏｃｋの米国特許で
は、多孔質プリフォームの接触方法を鋳型又はダイ内部
でのドライ圧密化を用いるものに特定している。本発明
では、溶浸を行うのにケイ素−窒化ホウ素（Ｓｉ−Ｂ
Ｎ）の水性スラリーを用いてプリフォームをコートすれ
ばよい。
【００１１】本発明は、ケイ素溶浸を実施するための改
良法を提供し、過剰の金属ケイ素のない清浄な表面の物
体を与える。粉末の形態のケイ素溶浸材を少なくとも若
干乃至約１０重量％の窒化ホウ素粉末と混合する。六方
晶窒化ホウ素（ＢＮ）は約９．６重量％未満の量で存在
し得る。好ましい実施態様では、窒化ホウ素粉末は混合
物の約１重量％〜約９．５重量％の量で存在し、最も好
ましくは混合物の約５重量％〜約９．０重量％の量で存
在する。ケイ素はホウ素のような他のアロイ成分を含ん
でいてもよいが、望ましい複合体を製造するのに少なく
とも十分な量で粉末混合物中に存在すべきである。好ま
しくは、ケイ素（Ｓｉ）は全混合物の約９９重量％〜約
８０重量％の範囲で存在する。
【００１２】混合物は様々な技術で形成し得る。例え
ば、２種類の粉末を単に一緒に混ぜ合わせてもよい。２
種類の粉末の少なくとも相当均一な混合物を形成し、好
ましくは均一又は実質的に均一な混合物を形成する。本
発明の別の態様では、混合物を水と混ぜ合わせてスラリ
ーを形成し、これをプリフォームの表面に浸漬コート又
はスプレーコートする。このプリフォームを次いで溶浸
熱処理に付して、ケイ素を融解させ多孔質体中に溶浸せ
しめる。真空圧、加熱炉温度及び溶浸時間は、上記Ｍｏ
ｒｅｌｏｃｋの米国特許の技術で用いられているのと同
一もしくは実質的に同一であり、その開示内容は文献の
援用によって本明細書の内容の一部をなす。
【００１３】本発明のすべての態様において、溶浸材ミ
ックス中の過剰のケイ素又は凝固時に物体表面に押し出
されるケイ素は表面に残って窒化ホウ素（ＢＮ）粉末と
混ざる。溶浸後、物体表面に残る材料はすべて脆い窒化
ホウ素（ＢＮ）混合物であり、容易に掻き取ることがで
きる。加えて、プリフォームのコートをスプレーコート
又は浸漬コートで実施する態様では、プリフォームの表
面全体にわたりケイ素を導入するのが容易であり、均一
で迅速な溶浸法が提供される。
【００１４】ケイ素粉末の粒度は広範囲に変更し得る
が、好ましくは約１００メッシュを超えない、すなわち
約１５０ミクロン以下のものであるべきである。本明細
書中に記載のメッシュはＵＳメッシュサイズである。大
きな粒子は合体して物体に溶浸しない傾向がある。好ま
しくは、ケイ素粉末の粒度は約２００メッシュ、すなわ
ち約７５ミクロン以下である。六方晶窒化ホウ素（Ｂ
Ｎ）粉末の粒度は変更し得るが、好ましくは約１００メ
ッシュを超えない、すなわち約１５０ミクロン以下であ
る。大きな粒子は、ケイ素を合体させて物体への溶浸を
阻害してしまいかねない。好ましくは、六方晶窒化ホウ
素（ＢＮ）粉末の粒度は約３２５メッシュ、すなわち約
４５ミクロン以下である。
【００１５】ある実施態様では、被溶浸材料の５体積％
以上はケイ素で濡れるか又はケイ素と反応する成分から
なる。ケイ素は、ケイ素と反応する物質に対して親和性
を有しており、そうした成分に向かって移行する。こう
した反応性成分はケイ素を多孔質体に溶浸させるのに必
要とされる。反応性成分の代表的なものには、元素態炭
素、並びにモリブデン、チタン、クロム、タングステ
ン、銀及びアルミニウム等の金属がある。本明細書中で
用いる「元素態炭素」という用語には、グラファイトを
始めとするあらゆる形態の非ダイヤモンド系元素態炭素
が包含される。
【００１６】ケイ素で濡れるかケイ素と反応する成分
は、被溶浸材料の約５体積％〜約１００体積％の範囲の
量で存在し得る。かかる成分の具体的量は所望とする個
々の複合体に応じて異なる。通例、ケイ素で濡れるかケ
イ素と反応する成分は、被溶浸材料の約１０体積％以上
の量、又は２０体積％以上の量、又は５０体積％以上の
量で存在する。
【００１７】材料のうちケイ素との反応性をもたない部
分は、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化ホウ素（ＢＮ）及
び窒化アルミニウム等のセラミック材料を含み得る。ダ
イヤモンドもその粒度によっては非反応性成分として存
在し得る。微細な粒度のものはケイ素と反応して炭化ケ
イ素を生じる可能性がある。
【００１８】被溶浸材料は多種多様な形態をとり得る。
例えば、粒子の形態でも、フィラメントの形態でも、布
の形態でも、或いはこれらの混合形態でもよい。本明細
書中におけるフィラメントという用語には繊維及びウィ
スカーも包含される。
【００１９】被溶浸材料は様々な技術で多孔質体へと成
形し得る。好ましくは、多孔質体は複合体の望ましい大
きさ及び形状のものである。例えば、多孔質体は押出成
形、射出成形、ダイプレス成形、静水圧プレス成形又は
鋳込み成形することで所望の大きさ及び形状の多孔質体
を作製することができる。滑剤、バインダー、その他賦
形に使用される同様の材料も多孔質体とともに使用し得
る。かかる材料は、溶浸温度未満の温度（好ましくは５
００℃未満）で加熱すると、有害な残渣を残さずに蒸発
する種類のものであるべきである。別法として、被溶浸
材料は、粉末混合物からなる鋳型のキャビティ内に充填
することで充填材料もしくは束縛材料(constrained mat
erial)とすることもできる。
【００２０】多孔質体もしくは充填材料は、当該物体の
約１０体積％超乃至約９５体積％の開放気孔率を有す
る。具体的な気孔率は所望とする複合体に応じて異な
る。具体的には、気孔率は約１５体積％〜約８０体積
％、又は約３０体積％〜約６０体積％の範囲で変動し得
る。物体の開放気孔率とは、物体の表面に通じていて周
囲雰囲気が内部表面に接近できる気孔もしくはボイドを
意味する。開放気孔率は様々な金属組織学の常法によっ
て求めることができる。好ましくは、溶浸される充填材
料すなわち多孔質体は閉鎖気孔を全く有していないか、
或いは有意な量の閉鎖気孔を有していない。多孔質体も
しくは充填材料中の気孔は、大きなケイ素ポケットが生
じないように、均一もしくは少なくとも相当均一に分布
しているべきである。大きなケイ素ポケットは溶浸体す
なわち複合体の機械的性質を低下させるおそれがある。
気孔の大きさは約２０００ミクロンまでとし得る。最良
の結果を得るには、気孔はサブミクロンの大きさであ
る。
【００２１】六方晶窒化ホウ素（ＢＮ）とケイ素粉末の
混合物は様々な形態で使用することができ、該混合物は
様々な技術で被溶浸材料と接触させることができる。例
えば、上述の通り、粉末混合物は粉末をプレスした形態
のものでもよいし、或いは最終的溶浸体又は複合体に望
まれる大きさ及び形状のキャビティをもつ鋳型の形態で
あってもよい。多孔質体又は圧縮材料と接触させるとき
は、溶浸前の上記粉末混合物は好ましくは当該粉末混合
物の約５０体積％未満、さらに好ましくは約４０体積％
未満、最も好ましくは約３０体積％未満の気孔率を有す
る。
【００２２】一つの実施態様では、多孔質体にケイ素を
溶浸して複合体を形成するための本発明の方法では、材
料の約５体積％以上がケイ素で濡れるかケイ素と反応す
る成分からなる材料を準備する。この材料はケイ素の融
点よりも高い融点をもつ。この材料から約１０体積％超
乃至約９０体積％の範囲内の開放気孔率を有する多孔質
体を形成する。この多孔質体を、ケイ素と六方晶窒化ホ
ウ素を含んでなる粉末混合物で六方晶窒化ホウ素の量が
当該混合物の少なくとも若干乃至約１０重量％であるよ
うな粉末混合物と接触させる。こうして接触させた多孔
質体を、次いで、非酸化性部分真空中で、ケイ素は流体
となるが多孔質体の融点よりは低い温度に加熱する。流
体ケイ素を、次いで、閉塞ガスを多孔質体から除去する
のに少なくとも十分な部分真空にて多孔質体に溶浸せし
め、複合体を生じさせる。
【００２３】別の実施態様では、粉末混合物を、所望の
複合体製品の大きさ及び形状を有するキャビティをもつ
鋳型へと賦形する。材料の約５体積％以上がケイ素で濡
れるかケイ素と反応する成分からなる材料を準備する。
この材料は粒子、フィラメント、布の形態又はこれらの
混合形態であり、ケイ素の融点よりも高い融点をもつ。
この材料を上記キャビティに充填して、キャビティ内部
で、約１０体積％超乃至約９０体積％の範囲内の開放気
孔率を有する充填材料すなわち多孔質体を生じせしめ
る。次に、多孔質体を、上述の実施態様と同様に、非酸
化性部分真空中でケイ素は流体となるが多孔質体の融点
よりは低い温度に加熱して複合体を生じさせる。
【００２４】本発明の方法を実施するに当たり、六方晶
窒化ホウ素（ＢＮ）及び元素態ケイ素粉末の混合物を作
って多孔質体の表面又は充填材料の表面と接触させる。
溶融ケイ素はこの方法で用いる温度では六方晶窒化ホウ
素（ＢＮ）粉末を濡らさないので、ケイ素は合体せず、
蒸気又は液体の流れによって多孔質体又は束縛材料の表
面に容易に移動してそこで該材料の表面と反応及び／又
は材料表面を濡らす。窒化ホウ素（ＢＮ）は、多孔質体
又は材料にケイ素が表面液滴を形成せずに均一に溶浸で
きるようにする。
【００２５】別の実施態様では、多孔質体を支持するた
めの支持手段、好ましくはグラファイトその他の元素態
炭素を用い、多孔質体を上記粉末混合物でコートする。
得られるアセンブリを次いで溶浸温度に加熱する。支持
体を六方晶窒化ホウ素（ＢＮ）のような離型剤でプレコ
ートすることもできる。
【００２６】本発明の別の実施態様を実施するに当た
り、多孔質体をその表面に露出した部分が全く残らない
ように粉末混合物中に浸漬又は粉末混合物で包む。別の
実施態様では、多孔質体を粉末混合物の鋳型に充填し、
このアセンブリ全体を約０．１ｔｏｒｒに減圧した真空
炉内に入れて加熱する。冷えて大気圧に戻したら、アセ
ンブリを炉から取り出して、分解してケイ素溶浸部分を
粉末混合物から取り外す。
【００２７】本プロセスに使用する炉は元素態炭素で作
成した炭素炉とすることができる。この溶浸法は酸素の
存在下では液体ケイ素が酸化されて固体シリカを生じる
ので実施することができない。炭素炉は酸素と反応して
一酸化炭素（ＣＯ）又は二酸化炭素（ＣＯ2）を生成す
ることでスカベンジャーとして作用し、非酸化性雰囲気
をもたらす。さらに、非酸化性雰囲気を担保すべく、元
素態炭素のような酸素スカベンジャーを炉に加えること
もできる。
【００２８】以下の実施例は本発明の例示である。
【００２９】
【実施例】実施例１ −３２５メッシュのケイ素（Ｓｉ）粉末と−３２５メッ
シュの窒化ホウ素（ＢＮ）粉末を５０Ｓｉ／５０ＢＮ、
６０Ｓｉ／４０ＢＮ、７０Ｓｉ／３０ＢＮ、８０Ｓｉ／
２０ＢＮ、９０Ｓｉ／１０ＢＮ及び９５Ｓｉ／５ＢＮの
重量比でドライブレンディングすることによってＳｉ−
ＢＮペレットを調製した。これらの混合粉末を１／４イ
ンチ鋼製ダイの中で１００００ｐｓｉの圧力でドライプ
レスしてペレットに成形した。これらのペレットをカー
ボンフェルト（ＮａｔｉｏｎａｌＥｌｅｃｔｒｉｃ Ｃ
ａｒｂｏｎ Ｃｏ．製のタイプＷＤＦカーボンフェル
ト）片の上に置いて、真空炉中で１４３０℃に加熱し
た。冷却後、各カーボンフェルト片の質量を測定した。
元のペレットに存在していたケイ素のうちカーボンフェ
ルトに実際に溶浸したものの百分率を計算した。結果を
以下の表１に示す。５０％、４０％及び３０％の窒化ホ
ウ素（ＢＮ）では、カーボンフェルトに浸透したＳｉは
実際上ないに等しく、換言すればフェルトへの溶浸は全
く起こらなかった。２０％及び１０％の窒化ホウ素（Ｂ
Ｎ）では、利用可能なケイ素（Ｓｉ）のうちのわずか２
０％しかフェルトに溶浸しなかった。５％の窒化ホウ素
（ＢＮ）では、ペレットから利用可能なＳｉの７０％近
くがカーボンフェルトに溶浸した。ケイ素−窒化ホウ素
（Ｓｉ−ＢＮ）のペレットの残存物は脆性であった。
【００３０】
【表１】
【００３１】この実施例は、セラミックを溶浸するのに
重量％未満のＢ粉末混合物で改善された結果が得られる
ことを実証している。実施例２ ９５ｇのケイ素（Ｓｉ）粉末（−１００メッシュ）と６
ｇの窒化ホウ素（ＢＮ）粉末（−３２５メッシュ）と６
０ｇの水を混合してスラリーを調製した。これに、０．
８４ｇのＲｏｈｍ ＆ Ｈａａｓ社製Ｄｕｒａｍａｘ
Ｄ−３０１９分散剤及び１．６ｇのＲｏｈｍ ＆ Ｈａ
ａｓ社製Ｄｕｒａｍａｘ Ｂ−１０３５アクリルエマル
ジョン型バインダーを加えた。次いで、多孔質複合体プ
リフォーム棒を上記スラリーに浸漬して該棒をケイ素−
窒化ホウ素（Ｓｉ−ＢＮ）混合物でコートし、乾燥させ
た。ケイ素−窒化ホウ素（Ｓｉ−ＢＮ）混合物の量がケ
イ素−窒化ホウ素（Ｓｉ−ＢＮ）混合物と多孔質プリフ
ォームの質量比にして０．８〜１．４となるまで浸漬を
繰り返した。コートしたプリフォームを次いで１４３０
℃にゆっくりと（５℃／分）加熱し、この温度に２０分
間保った後、室温に冷却した（５℃／分）。棒の表面の
残存物は掻き取りによって容易に取り除かれ、当初の多
孔質プリフォームと同様の表面仕上げが得られた。溶浸
棒の密度及び開放気孔度を以下の表２に示す。
【００３２】
【表２】
【００３３】このデータは、１〜１．４の溶浸材ミック
スとプリフォームの質量比において、緻密で低気孔度の
溶浸体が得られることを示している。上記質量比が１を
下回るときに限って、溶浸体の密度が低下し、解放気孔
度が上昇した。この結果は、清浄な表面を有する緻密な
溶浸体を得るのに溶浸材ミックスの使用量を精密に制御
する必要がないことを実証している。
【００３４】溶浸をＳｉだけで実施するときは、Ｓｉ／
プリフォームの質量比は正確に制御しなければならな
い。質量比が低すぎると気孔度の高いものが得られ、質
量比が高すぎると表面に過剰のＳｉが残り機械加工が必
要となるからである。この実施例は、清浄な表面を有す
る緻密な溶浸体を与えるのに本発明の方法が広範な質量
比で役立つことを示している。従って、本発明の溶浸方
法はケイ素（Ｓｉ）を単独で使用する場合に比べて質量
比の多少の誤差に対する許容度が大きい。ケイ素−窒化
ホウ素（Ｓｉ−ＢＮ）混合物は高質量比のＳｉ／プリフ
ォームの使用を可能にし、高密度が保証される。残存す
る表面の堆積物は実質的に窒化ホウ素（ＢＮ）であり、
これは脆性であるので容易に除去される。
【００３５】実施例３ ９１ｇのＳｉ粉末（−３２５メッシュ）と６ｇのＢＮ粉
末（−３２５メッシュ）と３ｇのホウ素粉末（＜１ミク
ロン）を７０ｇの水及び１ｇのＲｏｈｍ ＆Ｈａａｓ社
製Ｄｕｒａｍａｘ Ｄ−３０１９分散剤と混合してスラ
リーを調製した。これらの成分は磁気攪拌機を用いて均
一になるまで混合した。多孔質プリフォーム棒を上記ス
ラリーに浸漬して該棒をＳｉ−ＢＮ混合物でコートし、
乾燥させた。ケイ素−窒化ホウ素（Ｓｉ−ＢＮ）混合物
の量が所望のレベルになるまで浸漬を繰り返した。Ｓｉ
−ＢＮ混合物の質量と多孔質プリフォームの質量の比は
１．０及び１．５に調整した。コートした棒を次いで上
記と同様に加熱してケイ素を溶浸せしめた。この場合
も、溶浸後の棒の表面の残存物はすべて掻き取りによっ
て容易に取り除かれ、棒は十分に溶浸されていた（２つ
の棒共に密度２．７ｇ／ｃｃ超及び開放気孔度３％未満
であった）。これらの結果は、原料粉末の粒度が異なっ
ていて、しかもＢを加えて溶浸用のＳｉ−Ｂアロイを形
成したときも本技術がうまくいくことを実証している。

Claims (31)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 物体にケイ素を溶浸する方法であって、 ケイ素と少なくとも若干乃至約１０重量％の窒化ホウ素
    とを含んでなる混合物を形成し、 ケイ素で濡れるか又はケイ素と反応する成分を含んでな
    る上記物体を上記混合物と接触させ、かつ上記で接触さ
    せた物体に上記混合物からのケイ素を溶浸せしめること
    を含んでなる、方法。
  2. 【請求項２】 上記物体との接触が、上記混合物のスラ
    リーを上記物体に浸漬コート又はスプレーコートするこ
    とを含んでなる、請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 上記物体との接触が、上記物体を上記ケ
    イ素と窒化ホウ素の粉末混合物中に埋込むことを含んで
    なる、請求項１記載の方法。
  4. 【請求項４】 溶浸後の上記物体から脆い窒化ホウ素
    （ＢＮ）表面皮膜を掻き取ることをさらに含んでなる、
    請求項３記載の方法。
  5. 【請求項５】 上記物体との接触が、上記物体を上記ケ
    イ素と窒化ホウ素の粉末混合物中に埋込むことを含んで
    なる、請求項１記載の方法。
  6. 【請求項６】 上記物体が上記のケイ素で濡れるか又は
    ケイ素と反応する成分を約５体積％以上含んでなる、請
    求項１記載の方法。
  7. 【請求項７】 上記のケイ素で濡れるか又はケイ素と反
    応する成分が元素態炭素、金属及びそれらの混合物から
    なる群から選択される、請求項１記載の方法。
  8. 【請求項８】 上記金属がモリブデン、チタン、クロ
    ム、タングステン、銀及びアルミニウムからなる群から
    選択される、請求項７記載の方法。
  9. 【請求項９】 上記物体が、当該物体の約１０体積％超
    乃至約９５体積％の開放気孔率を有する、請求項１記載
    の方法。
  10. 【請求項１０】 非酸化性部分真空中で、ケイ素は流体
    となるが上記物体の融点よりは低い溶浸温度に加熱する
    ことにより、上記の接触させた物体に上記混合物からの
    ケイ素を溶浸せしめる、請求項１記載の方法。
  11. 【請求項１１】 上記部分真空が、溶浸流体ケイ素をブ
    ロックしかねないガスを上記物体から除去するのに少な
    くとも十分である、請求項１０記載の方法。
  12. 【請求項１２】 上記物体を支持手段内で上記混合物と
    接触させる、請求項１０記載の方法。
  13. 【請求項１３】 上記物体をグラファイトのキャビティ
    内部において上記混合物で包む、請求項１０記載の方
    法。
  14. 【請求項１４】 上記の接触させた物体に上記混合物か
    らのケイ素を溶浸して、上記物体に窒化ケイ素の多孔質
    堆積層を残す、請求項１記載の方法。
  15. 【請求項１５】 上記ケイ素が約１５０ミクロン以下の
    粒度を有し、かつ上記六方晶窒化ホウ素が約１５０ミク
    ロン以下の粒度を有する、請求項１記載の方法。
  16. 【請求項１６】 上記混合物が約９．６重量％未満の窒
    化ホウ素を含んでなる、請求項１記載の方法。
  17. 【請求項１７】 上記混合物が約１重量％以上約９．５
    重量％未満の窒化ホウ素を含んでなる、請求項１記載の
    方法。
  18. 【請求項１８】 上記混合物が約５重量％以上約９重量
    ％未満の窒化ホウ素を含んでなる、請求項１記載の方
    法。
  19. 【請求項１９】 上記混合物が約９９重量％〜約８０重
    量％のＳｉを含んでなる、請求項１記載の方法。
  20. 【請求項２０】 上記物体が、当該物体の約１５体積％
    〜約８０体積％の開放気孔率を有する、請求項１記載の
    方法。
  21. 【請求項２１】 上記物体が上記のケイ素で濡れるか又
    はケイ素と反応する成分を約１０体積％以上含んでな
    る、請求項１記載の方法。
  22. 【請求項２２】 上記物体の残余が、炭化ケイ素、窒化
    ケイ素、窒化ホウ素及び窒化アルミニウムからなる群か
    ら選択されるセラミック材料を含んでなる、請求項２１
    記載の方法。
  23. 【請求項２３】 上記物体がケイ素／炭化ケイ素（Ｓｉ
    ／ＳｉＣ）複合体を含んでなる、請求項１記載の方法。
  24. 【請求項２４】 物体にケイ素を溶浸する方法であっ
    て、 ケイ素で濡れるか又はケイ素と反応する成分を含んでな
    る上記物体を、六方晶窒化ホウ素とケイ素のスラリーで
    コートし、かつ上記でコートした物体に上記スラリーか
    らのケイ素を溶浸せしめることを含んでなる、方法。
  25. 【請求項２５】 ケイ素と少なくとも若干乃至約１０重
    量％の六方晶窒化ホウ素とを含んでなる粉末混合物をか
    ら上記スラリーを形成することを含んでなる、請求項２
    ４記載の方法。
  26. 【請求項２６】 上記物体を浸漬コート又はスプレーコ
    ートによりコートする、請求項２４記載の方法。
  27. 【請求項２７】 物体にケイ素を溶浸する方法であっ
    て、 液体中に分散したケイ素粉末と六方晶窒化ホウ素粉末と
    を含んでなるスラリーを形成し、 ケイ素で濡れるか又はケイ素と反応する成分を含んでな
    る上記物体を上記スラリーと接触させ、かつ上記で接触
    させた物体に上記スラリーからのケイ素を溶浸せしめる
    ことを含んでなる、方法。
  28. 【請求項２８】 上記スラリーが水と分散剤を含んでな
    る、請求項２７記載の方法。
  29. 【請求項２９】 多孔質体を上記スラリー中に浸漬して
    該多孔質体をＳｉ−ＢＮ混合物でコートし、多孔質体を
    乾燥することをさらに含んでなる、請求項２７記載の方
    法。
  30. 【請求項３０】 請求項１記載の方法の生成物。
  31. 【請求項３１】 請求項２７記載の方法の生成物。
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