JP2000256336A - 芳香族アミン誘導体塩酸塩水和物及びその製造方法 - Google Patents

芳香族アミン誘導体塩酸塩水和物及びその製造方法

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JP2000256336A
JP2000256336A JP11055148A JP5514899A JP2000256336A JP 2000256336 A JP2000256336 A JP 2000256336A JP 11055148 A JP11055148 A JP 11055148A JP 5514899 A JP5514899 A JP 5514899A JP 2000256336 A JP2000256336 A JP 2000256336A
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aromatic amine
amine derivative
tert
tetramethylbutyl
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Hideto Miyamoto
宮本  秀人
Nobushige Itaya
信重 板谷
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Sumika Fine Chemicals Co Ltd
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Sumika Fine Chemicals Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 写真薬中間体として有用な、ヒドロキノン誘
導体から導かれる芳香族アミン誘導体の簡便かつ工業的
に優れた製造方法を提供する。 【解決手段】 式(III) で示される芳香族ニトロ化合物
を有機溶媒中で水素化還元し、式(II)で示される芳香
族アミン誘導体の有機溶媒溶液を得て、この溶液に、塩
酸を加えて、式(I)で示される芳香族アミン誘導体2
塩酸塩1水和物を得る。式(I)、(II)及び(III) に
おいて、Rは、tert−ブチル基又は 1,1,3,3−テトラメ
チルブチル基を表す。 【化1】

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、5−アミノ−N−
〔5−ヘキサデシルオキシ−2−ヒドロキシ−4−(1,
1,3,3−テトラメチルブチル) フェニル〕−2−(4−
モルホルニル)ベンゼンスルホンアミド2塩酸塩1水和
物及び5−アミノ−N−〔5−ヘキサデシルオキシ−2
−ヒドロキシ−4−tert−ブチルフェニル〕−2−(4
−モルホルニル)ベンゼンスルホンアミド2塩酸塩1水
和物から選ばれるヒドロキノン誘導体から導かれる芳香
族アミン誘導体、及びそれらの製造方法に関する。前記
ヒドロキノン誘導体から導かれる芳香族アミン誘導体
は、写真薬中間体として有用である。
【0002】
【従来の技術】従来、5−アミノ−N−〔5−ヘキサデ
シルオキシ−2−ヒドロキシ−4−(1,1,3,3−テトラメ
チルブチル) フェニル〕−2−(4−モルホルニル)ベ
ンゼンスルホンアミドや、5−アミノ−N−〔5−ヘキ
サデシルオキシ−2−ヒドロキシ−4−tert−ブチルフ
ェニル〕−2−(4−モルホルニル)ベンゼンスルホン
アミドは、対応する5−ニトロ体を還元して5−アミノ
体に変換して、これをフリーアミノ体として取り出して
製造されている。
【0003】しかしながら、これらフリーアミノ体化合
物は濾過性が悪く、取り出し収率が低い。また、フリー
アミノ体化合物は、その性質上、経時安定性にも優れて
いるとは言えない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の目的
は、上記従来技術の問題点を解決し、前記ヒドロキノン
誘導体から導かれる芳香族アミン誘導体の簡便かつ工業
的に優れた製造方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討し
た結果、5−アミノ−N−〔5−ヘキサデシルオキシ−
2−ヒドロキシ−4−(1,1,3,3−テトラメチルブチル)
フェニル〕−2−(4−モルホルニル)ベンゼンスルホ
ンアミドや、5−アミノ−N−〔5−ヘキサデシルオキ
シ−2−ヒドロキシ−4−tert−ブチルフェニル〕−2
−(4−モルホルニル)ベンゼンスルホンアミドを、フ
リーアミノ体としてではなく、新規な2塩酸塩1水和物
に変換して取り出すことにより、高収率が達成でき、し
かも前記2塩酸塩1水和物は経時安定性にも優れること
を見出し、本発明を完成するに至った。
【0006】すなわち、本発明は、下記式(I):
【化7】 (式(I)において、Rは、tert−ブチル基又は 1,1,
3,3−テトラメチルブチル基を表す。)で示される芳香
族アミン誘導体2塩酸塩1水和物である。
【0007】また、本発明は、下記式(II):
【化8】 (式(II)において、Rは、tert−ブチル基又は 1,1,
3,3−テトラメチルブチル基を表す。)で示される芳香
族アミン誘導体の有機溶媒溶液に、塩酸を加えることを
特徴とする、下記式(I):
【化9】 (式(I)において、Rは、tert−ブチル基又は 1,1,
3,3−テトラメチルブチル基を表す。)で示される芳香
族アミン誘導体2塩酸塩1水和物の製造方法である。
【0008】本発明の製造方法において、下記式(III)
【化10】 (式(III) において、Rは、tert−ブチル基又は 1,1,
3,3−テトラメチルブチル基を表す。)で示される芳香
族ニトロ化合物を有機溶媒中で水素化還元し、前記式
(II)で示される芳香族アミン誘導体の有機溶媒溶液を
得て、得られた前記芳香族アミン誘導体の有機溶媒溶液
に、塩酸を加えることにより、前記式(I)で示される
芳香族アミン誘導体2塩酸塩1水和物を製造することが
できる。塩酸を、前記式(III) で示される芳香族ニトロ
化合物1モルに対して、2〜3モル使用することが好ま
しい。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明において、式(I)で示さ
れる芳香族アミン誘導体2塩酸塩1水和物は、式(III)
で示される芳香族ニトロ化合物を有機溶媒中で水素化還
元し、式(II)で示される芳香族アミン誘導体の有機溶
媒溶液を得て、得られた芳香族アミン誘導体の有機溶媒
溶液に塩酸を加えて、前記芳香族アミン誘導体を塩酸塩
化することによって得ることができる(化11の反応ス
キーム:Rは、tert−ブチル基又は 1,1,3,3−テトラメ
チルブチル基を表す。)
【0010】
【化11】
【0011】式(III) で示される芳香族ニトロ化合物の
有機溶媒中での水素化還元は、特に限定されるものでは
ないが、例えば、酢酸エチル溶液中、水素化還元触媒存
在下、加熱攪拌することによって行うことができる。前
記水素化還元触媒としては、例えば、ラネーニッケル、
パラジウムカーボン等の金属触媒を用いることができる
が、安価に入手できるラネーニッケルが望ましい。ま
た、例えば金属触媒がラネーニッケルの場合は、例え
ば、式(III) で示される芳香族ニトロ化合物0.1モル
に対して、5〜20g程度の量用いるとよい。有機溶媒
としては、特に限定されるものではないが、例えば、酢
酸エチル、トルエン等を用いるとよい。水素化還元反応
は、例えば、水素による加圧下、10〜60℃程度に加
熱して行うことができる。
【0012】次に、得られた式(II)で示される芳香族
アミン誘導体の有機溶媒溶液に塩酸を滴下する。芳香族
アミン誘導体の2塩酸塩1水和物(式(I))が結晶と
して析出し、これを濾別する。この場合の塩酸使用量
は、前記式(III) で示される芳香族ニトロ化合物1モル
に対して、2モル以上とすることが好ましく、2〜3モ
ルとすることがより好ましい。塩酸使用量が2モル未満
では、前記芳香族アミン誘導体を十分に塩酸塩化できな
い場合もあり、また3モルも用いれば十分に塩酸塩化で
きる。
【0013】前記式(III) で示される芳香族ニトロ化合
物は、例えば、次式(IV)で示される2−アミノ−4−ヘ
キサデシルオキシ−5−(1,1,3,3−テトラメチルブチ
ル) フェノール又は2−アミノ−4−ヘキサデシルオキ
シ−5−tert−ブチルフェノールと、次式(V)で示さ
れる2−モルホリノ−5−ニトロベンゼンスルホニルク
ロリドとを縮合させることによって得ることができる
(化12の反応スキーム:Rは、tert−ブチル基又は
1,1,3,3−テトラメチルブチル基を表す。)
【0014】
【化12】
【0015】この縮合反応は、例えば、有機溶媒中、式
(IV)のアミノ化合物に脱酸剤存在下、式(V)のスルホ
ニルクロリドを添加することによって行うとよい。ある
いは、有機溶媒中、式(IV)のアミノ化合物に式(V)の
スルホニルクロリドを添加し、これに脱酸剤を添加して
もよい。式(V)のスルホニルクロリドは、特に限定さ
れるものではないが、式(IV)のアミノ化合物1モルに対
して、0.9〜1.5モル程度用いるとよく、好ましく
は1.0〜1.2モル程度用いる。脱酸剤としては、ピ
リジン、トリエチルアミン等を用いることができる。使
用する脱酸剤の量は、特に限定されるものではないが、
式(IV)のアミノ化合物1モルに対して、1.0〜3.0
モル程度用いるとよく、好ましくは1.1〜2.0モル
程度用いる。
【0016】縮合反応で得られた式(III) の芳香族ニト
ロ化合物の有機溶媒溶液を、適宜、酸、アルカリで処理
した後、前記芳香族ニトロ化合物を単離することなく、
水素化還元反応に供することができる。
【0017】本発明の製造方法により得られる5−アミ
ノ−N−〔5−ヘキサデシルオキシ−2−ヒドロキシ−
4−(1,1,3,3−テトラメチルブチル) フェニル〕−2−
(4−モルホルニル)ベンゼンスルホンアミド2塩酸塩
1水和物及び5−アミノ−N−〔5−ヘキサデシルオキ
シ−2−ヒドロキシ−4−tert−ブチルフェニル〕−2
−(4−モルホルニル)ベンゼンスルホンアミド2塩酸
塩1水和物は、写真薬の製造中間体としてとりわけ有用
な化合物である。
【0018】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明するが、本発明はこれら実施例により何ら限定され
るものではない。
【0019】[実施例1]反応は窒素雰囲気下で行っ
た。攪拌機、温度計及び滴下ロートを取り付けた300
mlの4つ口フラスコに、2−アミノ−4−ヘキサデシ
ルオキシ−5−(1,1,3,3−テトラメチルブチル) フェノ
ールの酢酸エチル溶液128.8g〔(2−アミノ−4
−ヘキサデシルオキシ−5−(1,1,3,3−テトラメチルブ
チル) フェノール含量20.8重量%(26.8g、5
8.1ミリモル)〕を仕込み、2−モルホリノ−5−ニ
トロベンゼンスルホニルクロリド19.6g(63.9
ミリモル)を0〜10℃の温度範囲で添加し、同温度範
囲で30分間攪拌した後、ピリジン6.9g(87.2
ミリモル)を滴下した。
【0020】反応液を0〜10℃で2時間攪拌した後、
これに水109mlと35%塩酸9.1g(87.3ミ
リモル)を流入した。攪拌後、静置し、分液した。有機
層を、水109mlで洗浄し、次いで3%苛性ソーダ水
120mlで洗浄し、最後に再び水101mlで洗浄し
た。得られた酢酸エチル溶液に酢酸エチル70g、活性
炭1.3gを加えて活性炭処理し、酢酸エチル溶液とし
て目的物を得た。
【0021】得量は180.0gで、5−ニトロ−N−
〔5−ヘキサデシルオキシ−2−ヒドロキシ−4−(1,
1,3,3−テトラメチルブチル) フェニル〕−2−(4−
モルホルニル)ベンゼンスルホンアミド含量23.5重
量%(42.3g、57.8ミリモル)であり、収率9
9.5%であった。
【0022】得られた酢酸エチル溶液180.0gを、
苛性ソーダによってpH=7〜8に調整し、ラネーニッ
ケル5.8g及び活性炭0.9gを加えた。
【0023】次に、系内を充分水素置換した後、10〜
50℃で加圧下水素化還元した。還元終了は水素の吸収
がなくなった時とし、還元終了後、さらに60℃に昇温
し、1時間攪拌し、還元を確実にした。
【0024】反応混合物を圧濾することによって触媒及
び活性炭を除去し、濾液に水45ml及び35%塩酸
6.1g(58.5ミリモル)を流入し、25〜35℃
で分液した。
【0025】さらにこの酢酸エチル溶液に、35%塩酸
18.2g(174.5ミリモル)を滴下したところ、
結晶が析出した。この結晶を濾別し、酢酸エチル33g
で3回かけ洗いをした後、減圧下、50〜60℃で乾燥
し、灰白色の結晶43.1gを得た。収率は5−ニトロ
−N−〔5−ヘキサデシルオキシ−2−ヒドロキシ−4
−(1,1,3,3−テトラメチルブチル) フェニル〕−2−
(4−モルホルニル)ベンゼンスルホンアミドに対して
94.0%であった。
【0026】目的物5−アミノ−N−〔5−ヘキサデシ
ルオキシ−2−ヒドロキシ−4−(1,1,3,3−テトラメチ
ルブチル) フェニル〕−2−(4−モルホルニル)ベン
ゼンスルホンアミド2塩酸塩1水和物: 融点:151.2℃(融け終わり) 水分:2.42% 塩酸含量:9.1% IR(KBr)ν(cm-1):3417,3182,2
918,2853,2590,1605,1505,1
448,1325,1138,879,528
【0027】[実施例2]実施例1で用いた2−アミノ
−4−ヘキサデシルオキシ−5−(1,1,3,3−テトラメチ
ルブチル) フェノール(58.1ミリモル)の代わり
に、2−アミノ−4−ヘキサデシルオキシ−5−tert−
ブチルフェノール(23.6g、58.1ミリモル)を
用いて、実施例1と同様の操作を行い、灰白色の結晶3
8.8gを得た。収率は、中間体5−ニトロ−N−〔5
−ヘキサデシルオキシ−2−ヒドロキシ−4−tert−ブ
チルフェニル〕−2−(4−モルホルニル)ベンゼンス
ルホンアミドに対して91.0%であった。
【0028】目的物5−アミノ−N−〔5−ヘキサデシ
ルオキシ−2−ヒドロキシ−4−tert−ブチルフェニ
ル〕−2−(4−モルホルニル)ベンゼンスルホンアミ
ド2塩酸 塩1水和物: 融点:155.6℃ 水分:2.91% 塩酸含量:9.9% IR(KBr)ν(cm-1):3443,3234,2
920,2853,2589,1604,1506,1
458,1410,1321,1197,1115,8
79,527
【0029】以上のように、前記式(I)で示される芳
香族アミン誘導体2塩酸塩1水和物が高収率で得られ
た。反応の操作は、種々変形が可能である。
【0030】
【発明の効果】本発明の製造方法によれば、写真薬中間
体として有用な5−アミノ−N−〔5−ヘキサデシルオ
キシ−2−ヒドロキシ−4−(1,1,3,3−テトラメチルブ
チル)フェニル〕−2−(4−モルホルニル)ベンゼン
スルホンアミド2塩酸塩1水和物及び5−アミノ−N−
〔5−ヘキサデシルオキシ−2−ヒドロキシ−4−tert
−ブチルフェニル〕−2−(4−モルホルニル)ベンゼ
ンスルホンアミド2塩酸塩1水和物から選ばれるヒドロ
キノン誘導体から導かれる芳香族アミン誘導体を高収率
で得ることができる。前記芳香族アミン誘導体の2塩酸
塩1水和物は、従来のフリーアミノ体化合物に比べ、経
時安定性にも優れており、この点においても工業的に非
常に有利である。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記式(I): 【化1】 (式(I)において、Rは、tert−ブチル基又は 1,1,
    3,3−テトラメチルブチル基を表す。)で示される芳香
    族アミン誘導体2塩酸塩1水和物。
  2. 【請求項2】 下記式(II): 【化2】 (式(II)において、Rは、tert−ブチル基又は 1,1,
    3,3−テトラメチルブチル基を表す。)で示される芳香
    族アミン誘導体の有機溶媒溶液に、塩酸を加えることを
    特徴とする、下記式(I): 【化3】 (式(I)において、Rは、tert−ブチル基又は 1,1,
    3,3−テトラメチルブチル基を表す。)で示される芳香
    族アミン誘導体2塩酸塩1水和物の製造方法。
  3. 【請求項3】 下記式(III) : 【化4】 (式(III) において、Rは、tert−ブチル基又は 1,1,
    3,3−テトラメチルブチル基を表す。)で示される芳香
    族ニトロ化合物を有機溶媒中で水素化還元し、下記式
    (II): 【化5】 (式(II)において、Rは、tert−ブチル基又は 1,1,
    3,3−テトラメチルブチル基を表す。)で示される芳香
    族アミン誘導体の有機溶媒溶液を得て、得られた前記芳
    香族アミン誘導体の有機溶媒溶液に、塩酸を加えること
    を特徴とする、下記式(I): 【化6】 (式(I)において、Rは、tert−ブチル基又は 1,1,
    3,3−テトラメチルブチル基を表す。)で示される芳香
    族アミン誘導体2塩酸塩1水和物の製造方法。
  4. 【請求項4】 塩酸を、前記式(III) で示される芳香族
    ニトロ化合物1モルに対して、2〜3モル使用する、請
    求項3に記載の製造方法。
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