JP2000256305A - 光学活性アミン化合物の製造法 - Google Patents
光学活性アミン化合物の製造法Info
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- JP2000256305A JP2000256305A JP11063214A JP6321499A JP2000256305A JP 2000256305 A JP2000256305 A JP 2000256305A JP 11063214 A JP11063214 A JP 11063214A JP 6321499 A JP6321499 A JP 6321499A JP 2000256305 A JP2000256305 A JP 2000256305A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光学活性アミン化合物の製造法を提供するこ
と。 【解決手段】 一般式（１） （式中、Ａ1およびＡ2は、アルキル、アラルキル等）で
示されるイミン化合物と、一般式（２） （式中、Ａ3アルキル等）で示される有機スズ化合物と
を、一般式（３） （式中、Ａ4は、アルキル基等、Ａ5はアルキル等）で示
される光学活性３級ホスフィン化合物を配位子とする遷
移金属錯体の存在下に、反応させる一般式（４） （式中、Ａ1、Ａ2、Ａ3は前記と同じ意味を表わし、＊
は不斉炭素であることをを表わす。）で示される光学活
性アミン化合物の製造法。
と。 【解決手段】 一般式（１） （式中、Ａ1およびＡ2は、アルキル、アラルキル等）で
示されるイミン化合物と、一般式（２） （式中、Ａ3アルキル等）で示される有機スズ化合物と
を、一般式（３） （式中、Ａ4は、アルキル基等、Ａ5はアルキル等）で示
される光学活性３級ホスフィン化合物を配位子とする遷
移金属錯体の存在下に、反応させる一般式（４） （式中、Ａ1、Ａ2、Ａ3は前記と同じ意味を表わし、＊
は不斉炭素であることをを表わす。）で示される光学活
性アミン化合物の製造法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、イミン化合物の不
斉アルキル化反応により光学活性アミン化合物を得る製
造法に関する。
斉アルキル化反応により光学活性アミン化合物を得る製
造法に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】光学
活性なアミン化合物は、医薬、農薬等の製造に用いられ
る有用な化合物である。入手容易なアルデヒドとスルホ
ンアミドより容易に製造しうるイミン化合物を出発原料
とし、かかる光学活性なアミン化合物を得る方法として
は、例えば、ビニルアニオンの付加反応（Angew. Chem.
Int. Ed. Engl. 1993, 32, 578）が知られている。し
かしながら、この反応は−１１０℃という冷却設備を必
要とし、不斉源を等量以上必要とするため非効率である
上、アニオンの生成に強塩基性条件が必要であるために
塩基性条件下で不安定な化合物を用いることができず、
必ずしも充分なものとは言い難いものであった。
活性なアミン化合物は、医薬、農薬等の製造に用いられ
る有用な化合物である。入手容易なアルデヒドとスルホ
ンアミドより容易に製造しうるイミン化合物を出発原料
とし、かかる光学活性なアミン化合物を得る方法として
は、例えば、ビニルアニオンの付加反応（Angew. Chem.
Int. Ed. Engl. 1993, 32, 578）が知られている。し
かしながら、この反応は−１１０℃という冷却設備を必
要とし、不斉源を等量以上必要とするため非効率である
上、アニオンの生成に強塩基性条件が必要であるために
塩基性条件下で不安定な化合物を用いることができず、
必ずしも充分なものとは言い難いものであった。
【０００３】
【課題を解決するための手段】かかる問題点を解決する
ために、鋭意検討した結果、種々のイミン化合物と有機
スズ化合物とを、光学活性なホスフィン化合物を配位子
とする遷移金属触媒の存在下に、不斉アルキル化反応さ
せることによって、優れた収率、光学純度で目的とする
光学活性アミン化合物を得る方法を見いだし本発明に至
った。
ために、鋭意検討した結果、種々のイミン化合物と有機
スズ化合物とを、光学活性なホスフィン化合物を配位子
とする遷移金属触媒の存在下に、不斉アルキル化反応さ
せることによって、優れた収率、光学純度で目的とする
光学活性アミン化合物を得る方法を見いだし本発明に至
った。
【０００４】すなわち、本発明は、一般式（１） （式中、Ａ1およびＡ2は、それぞれ独立に、ハロゲン原
子、低級アルコキシ基もしくはニトロ基で置換されてい
てもよいアルキル基；ハロゲン原子、低級アルキル基、
低級アルコキシ基、ニトロ基もしくは低級ハロゲン化ア
ルキル基で置換されていてもよいアラルキル基；また
は、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ニトロ基もしくは低級ハロゲン化アルキル基で置換
されていてもよいアリール基を示す。）で示されるイミ
ン化合物と、一般式（２） （式中、Ａ3はハロゲン原子、低級アルコキシ基もしく
はニトロ基で置換されていてもよいアルキル基；ハロゲ
ン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ニトロ基
もしくは低級ハロゲン化アルキル基で置換されていても
よいアリル基；ハロゲン原子、低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基、ニトロ基もしくは低級ハロゲン化アルキル
基で置換されていてもよいアラルキル基；または、ハロ
ゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ニトロ
基もしくは低級ハロゲン化アルキル基で置換されていて
もよいアリール基を示す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は、同一また
は相異なり、水素原子、アルキル基またはアルコキシ基
を示す。）で示される有機スズ化合物とを、一般式
（３） （式中、Ａ4は、ハロゲン原子もしくは低級アルコキシ
基で置換されていてもよいアルキル基；ハロゲン原子、
低級アルキル基、低級アルコキシ基もしくは低級ハロゲ
ン化アルキル基で置換されていてもよいアラルキル基；
または、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキ
シ基もしくは低級ハロゲン化アルキル基で置換されてい
てもよいアリール基を示す。Ａ5はハロゲン原子もしく
は低級アルコキシ基で置換されていてもよいアルキル
基；ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基
もしくは低級ハロゲン化アルキル基で置換されていても
よいアラルキル基；ハロゲン原子、低級アルキル基、低
級アルコキシ基もしくは低級ハロゲン化アルキル基で置
換されていてもよいアリール基；または、ハロゲン原
子、低級アルキル基、低級アルコキシ基もしくは低級ハ
ロゲン化アルキル基で置換されていてもよいアルコキシ
基を示す。）で示される光学活性３級ホスフィン化合物
を配位子とする遷移金属錯体の存在下に、反応させるこ
とを特徴とする一般式（４） （式中、Ａ1、Ａ2、Ａ3は前記と同じ意味を表わし、＊
は不斉炭素であることをを表わす。）で示される光学活
性アミン化合物の製造法を提供するものである。
子、低級アルコキシ基もしくはニトロ基で置換されてい
てもよいアルキル基；ハロゲン原子、低級アルキル基、
低級アルコキシ基、ニトロ基もしくは低級ハロゲン化ア
ルキル基で置換されていてもよいアラルキル基；また
は、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ニトロ基もしくは低級ハロゲン化アルキル基で置換
されていてもよいアリール基を示す。）で示されるイミ
ン化合物と、一般式（２） （式中、Ａ3はハロゲン原子、低級アルコキシ基もしく
はニトロ基で置換されていてもよいアルキル基；ハロゲ
ン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ニトロ基
もしくは低級ハロゲン化アルキル基で置換されていても
よいアリル基；ハロゲン原子、低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基、ニトロ基もしくは低級ハロゲン化アルキル
基で置換されていてもよいアラルキル基；または、ハロ
ゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ニトロ
基もしくは低級ハロゲン化アルキル基で置換されていて
もよいアリール基を示す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は、同一また
は相異なり、水素原子、アルキル基またはアルコキシ基
を示す。）で示される有機スズ化合物とを、一般式
（３） （式中、Ａ4は、ハロゲン原子もしくは低級アルコキシ
基で置換されていてもよいアルキル基；ハロゲン原子、
低級アルキル基、低級アルコキシ基もしくは低級ハロゲ
ン化アルキル基で置換されていてもよいアラルキル基；
または、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキ
シ基もしくは低級ハロゲン化アルキル基で置換されてい
てもよいアリール基を示す。Ａ5はハロゲン原子もしく
は低級アルコキシ基で置換されていてもよいアルキル
基；ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基
もしくは低級ハロゲン化アルキル基で置換されていても
よいアラルキル基；ハロゲン原子、低級アルキル基、低
級アルコキシ基もしくは低級ハロゲン化アルキル基で置
換されていてもよいアリール基；または、ハロゲン原
子、低級アルキル基、低級アルコキシ基もしくは低級ハ
ロゲン化アルキル基で置換されていてもよいアルコキシ
基を示す。）で示される光学活性３級ホスフィン化合物
を配位子とする遷移金属錯体の存在下に、反応させるこ
とを特徴とする一般式（４） （式中、Ａ1、Ａ2、Ａ3は前記と同じ意味を表わし、＊
は不斉炭素であることをを表わす。）で示される光学活
性アミン化合物の製造法を提供するものである。
【０００５】また、本発明は、下記一般式（５） （式中、Ａ6がハロゲン原子、低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基もしくは低級ハロゲン化アルキル基で置換さ
れていてもよいアラルキル基；または、ハロゲン原子、
低級アルキル基、低級アルコキシ基もしくは低級ハロゲ
ン化アルキル基で置換されていてもよいアリール基を示
す。Ａ4は前記と同じ意味を表わす。）で示される光学
活性３級ホスフィン化合物をも提供するものである。
ルコキシ基もしくは低級ハロゲン化アルキル基で置換さ
れていてもよいアラルキル基；または、ハロゲン原子、
低級アルキル基、低級アルコキシ基もしくは低級ハロゲ
ン化アルキル基で置換されていてもよいアリール基を示
す。Ａ4は前記と同じ意味を表わす。）で示される光学
活性３級ホスフィン化合物をも提供するものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳しく説明
する。一般式（１）で示されるイミン化合物において、
Ａ1のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、
ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、イソプロピル基、
ｔ−ブチル基、イソアミル基、シクロペンチル基、シク
ロヘキシル基、シクロヘプチル基等が挙げられ、これら
のアルキル基を置換する置換基のハロゲン原子として
は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子が挙げ
られ、低級アルコキシ基としては、例えば、メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ｉ−プロ
ポキシ基、ｔ−ブトキシ基等が挙げられる。Ａ1のアラ
ルキル基としては、ベンジル基、１−フェネチル基、２
−フェネチル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフチル
メチル基等が挙げられ、これらのアラルキル基を置換す
る置換基のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原
子、臭素原子、沃素原子が挙げられ、低級アルキル基と
しては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イ
ソプロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基等が挙げられ、
低級アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ｉ−プロポキシ
基、ｔ−ブトキシ基等が挙げられ、低級ハロゲン化アル
キル基としては、例えば、モノクロロメチル基、ジクロ
ロメチル基、トリクロロメチル基、フルオロメチル基、
トリフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチ
ル基等が挙げられる。Ａ1のアリール基としては、フェ
ニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナントリル
基等が挙げられ、これらのアリール基を置換する置換基
のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素
原子、沃素原子が挙げられ、低級アルキル基としては、
例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、ブチル基、ｔ−ブチル基等が挙げられ、低級アル
コキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基、ブトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブ
トキシ基等が挙げられ、低級ハロゲン化アルキル基とし
ては、例えば、モノクロロメチル基、ジクロロメチル
基、トリクロロメチル基、フルオロメチル基、トリフル
オロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基等が
挙げられる。尚、Ａ1のアルキル基、アラルキル基、ア
リール基を置換する置換基の数、位置については特に限
定されない。また、Ａ2のアルキル基、アラルキル基、
アリール基は、Ａ1について例示したものと同様のもの
を例示することができる。
する。一般式（１）で示されるイミン化合物において、
Ａ1のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、
ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、イソプロピル基、
ｔ−ブチル基、イソアミル基、シクロペンチル基、シク
ロヘキシル基、シクロヘプチル基等が挙げられ、これら
のアルキル基を置換する置換基のハロゲン原子として
は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子が挙げ
られ、低級アルコキシ基としては、例えば、メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ｉ−プロ
ポキシ基、ｔ−ブトキシ基等が挙げられる。Ａ1のアラ
ルキル基としては、ベンジル基、１−フェネチル基、２
−フェネチル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフチル
メチル基等が挙げられ、これらのアラルキル基を置換す
る置換基のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原
子、臭素原子、沃素原子が挙げられ、低級アルキル基と
しては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イ
ソプロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基等が挙げられ、
低級アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ｉ−プロポキシ
基、ｔ−ブトキシ基等が挙げられ、低級ハロゲン化アル
キル基としては、例えば、モノクロロメチル基、ジクロ
ロメチル基、トリクロロメチル基、フルオロメチル基、
トリフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチ
ル基等が挙げられる。Ａ1のアリール基としては、フェ
ニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナントリル
基等が挙げられ、これらのアリール基を置換する置換基
のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素
原子、沃素原子が挙げられ、低級アルキル基としては、
例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、ブチル基、ｔ−ブチル基等が挙げられ、低級アル
コキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基、ブトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブ
トキシ基等が挙げられ、低級ハロゲン化アルキル基とし
ては、例えば、モノクロロメチル基、ジクロロメチル
基、トリクロロメチル基、フルオロメチル基、トリフル
オロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基等が
挙げられる。尚、Ａ1のアルキル基、アラルキル基、ア
リール基を置換する置換基の数、位置については特に限
定されない。また、Ａ2のアルキル基、アラルキル基、
アリール基は、Ａ1について例示したものと同様のもの
を例示することができる。
【０００７】一般式（１）で示されるイミン化合物は、
例えば、Ｏｒｇ． Ｓｙｎｔｈ．，６６, ２０３（１
９８７）記載の方法に従い、アルデヒドとスルホンアミ
ドとから製造することができる。
例えば、Ｏｒｇ． Ｓｙｎｔｈ．，６６, ２０３（１
９８７）記載の方法に従い、アルデヒドとスルホンアミ
ドとから製造することができる。
【０００８】一般式（２）で示される有機スズ化合物に
おいて、Ａ3のアルキル基としては、例えば、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘ
キシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、イソプ
ロピル基、ｔ−ブチル基、イソアミル基、シクロペンチ
ル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等が挙げら
れ、これらのアルキル基を置換する置換基のハロゲン原
子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原
子が挙げられ、低級アルコキシ基としては、例えば、メ
トキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ｉ
−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基等が挙げられる。
おいて、Ａ3のアルキル基としては、例えば、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘ
キシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、イソプ
ロピル基、ｔ−ブチル基、イソアミル基、シクロペンチ
ル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等が挙げら
れ、これらのアルキル基を置換する置換基のハロゲン原
子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原
子が挙げられ、低級アルコキシ基としては、例えば、メ
トキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ｉ
−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基等が挙げられる。
【０００９】Ａ3のアリル基を置換する置換基のハロゲ
ン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃
素原子が挙げられ、低級アルキル基としては、例えば、
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブ
チル基、ｔ−ブチル基等が挙げられ、低級アルコキシ基
としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキ
シ基、ブトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基
等が挙げられ、低級ハロゲン化アルキル基としては、例
えば、モノクロロメチル基、ジクロロメチル基、トリク
ロロメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル
基、２，２，２−トリフルオロエチル基等が挙げられ
る。
ン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃
素原子が挙げられ、低級アルキル基としては、例えば、
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブ
チル基、ｔ−ブチル基等が挙げられ、低級アルコキシ基
としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキ
シ基、ブトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基
等が挙げられ、低級ハロゲン化アルキル基としては、例
えば、モノクロロメチル基、ジクロロメチル基、トリク
ロロメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル
基、２，２，２−トリフルオロエチル基等が挙げられ
る。
【００１０】Ａ3のアラルキル基としては、ベンジル
基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、α−ナフチ
ルメチル基、β−ナフチルメチル基等が挙げられ、これ
らのアラルキル基を置換する置換基のハロゲン原子とし
ては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子が挙
げられ、低級アルキル基としては、例えば、メチル基、
エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔ
−ブチル基等が挙げられ、低級アルコキシ基としては、
例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基等が挙げら
れ、低級ハロゲン化アルキル基としては、例えば、モノ
クロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメチル
基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、２，
２，２−トリフルオロエチル基等が挙げられる
基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、α−ナフチ
ルメチル基、β−ナフチルメチル基等が挙げられ、これ
らのアラルキル基を置換する置換基のハロゲン原子とし
ては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子が挙
げられ、低級アルキル基としては、例えば、メチル基、
エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔ
−ブチル基等が挙げられ、低級アルコキシ基としては、
例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基等が挙げら
れ、低級ハロゲン化アルキル基としては、例えば、モノ
クロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメチル
基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、２，
２，２−トリフルオロエチル基等が挙げられる
【００１１】Ａ3のアリール基としては、フェニル基、
ナフチル基、アントラニル基、フェナントリル基等が挙
げられ、これらのアリール基を置換する置換基のハロゲ
ン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃
素原子が挙げられ、低級アルキル基としては、例えば、
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブ
チル基、ｔ−ブチル基等が挙げられ、低級アルコキシ基
としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキ
シ基、ブトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基
等が挙げられ、低級ハロゲン化アルキル基としては、例
えば、モノクロロメチル基、ジクロロメチル基、トリク
ロロメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル
基、２，２，２−トリフルオロエチル基等が挙げられ
る。尚、Ａ3のアルキル基、アリル基、アラルキル基、
アリール基を置換する置換基の数、位置については特に
限定されない。
ナフチル基、アントラニル基、フェナントリル基等が挙
げられ、これらのアリール基を置換する置換基のハロゲ
ン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃
素原子が挙げられ、低級アルキル基としては、例えば、
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブ
チル基、ｔ−ブチル基等が挙げられ、低級アルコキシ基
としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキ
シ基、ブトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基
等が挙げられ、低級ハロゲン化アルキル基としては、例
えば、モノクロロメチル基、ジクロロメチル基、トリク
ロロメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル
基、２，２，２−トリフルオロエチル基等が挙げられ
る。尚、Ａ3のアルキル基、アリル基、アラルキル基、
アリール基を置換する置換基の数、位置については特に
限定されない。
【００１２】Ｒ1のアルキル基としては、例えば、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、
ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、イソ
プロピル基、ｔ−ブチル基、イソアミル基、シクロペン
チル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等が挙げ
られ、アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エ
トキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ
基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基等が挙げられる。また、Ｒ2、
Ｒ3のアルキル基またはアルコキシ基は、Ｒ1について例
示したものと同様のものを例示することができる。
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、
ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、イソ
プロピル基、ｔ−ブチル基、イソアミル基、シクロペン
チル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等が挙げ
られ、アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エ
トキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ
基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基等が挙げられる。また、Ｒ2、
Ｒ3のアルキル基またはアルコキシ基は、Ｒ1について例
示したものと同様のものを例示することができる。
【００１３】一般式（３）で示される光学活性３級ホス
フィン化合物において、Ａ4のアルキル基としては、例
えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペ
ンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニ
ル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、イソアミル基、
シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル
基等が挙げられ、これらのアルキル基を置換する置換基
のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素
原子、沃素原子が挙げられ、低級アルコキシ基として
は、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、
ブトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基等が挙
げられる。
フィン化合物において、Ａ4のアルキル基としては、例
えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペ
ンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニ
ル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、イソアミル基、
シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル
基等が挙げられ、これらのアルキル基を置換する置換基
のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素
原子、沃素原子が挙げられ、低級アルコキシ基として
は、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、
ブトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基等が挙
げられる。
【００１４】Ａ4のアラルキル基としては、ベンジル
基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、α−ナフチ
ルメチル基、β−ナフチルメチル基等が挙げられ、これ
らのアラルキル基を置換する置換基のハロゲン原子とし
ては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子が挙
げられ、低級アルキル基としては、例えば、メチル基、
エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔ
−ブチル基等が挙げられ、低級アルコキシ基としては、
例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基等が挙げら
れ、低級ハロゲン化アルキル基としては、例えば、モノ
クロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメチル
基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、２，
２，２−トリフルオロエチル基等が挙げられる。
基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、α−ナフチ
ルメチル基、β−ナフチルメチル基等が挙げられ、これ
らのアラルキル基を置換する置換基のハロゲン原子とし
ては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子が挙
げられ、低級アルキル基としては、例えば、メチル基、
エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔ
−ブチル基等が挙げられ、低級アルコキシ基としては、
例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基等が挙げら
れ、低級ハロゲン化アルキル基としては、例えば、モノ
クロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメチル
基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、２，
２，２−トリフルオロエチル基等が挙げられる。
【００１５】Ａ4のアリール基としては、フェニル基、
ナフチル基、アントラニル基、フェナントリル基等が挙
げられ、これらのアリール基を置換する置換基のハロゲ
ン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃
素原子が挙げられ、低級アルキル基としては、例えば、
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブ
チル基、ｔ−ブチル基等が挙げられ、低級アルコキシ基
としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキ
シ基、ブトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基
等が挙げられ、低級ハロゲン化アルキル基としては、例
えば、モノクロロメチル基、ジクロロメチル基、トリク
ロロメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル
基、２，２，２−トリフルオロエチル基等が挙げられ
る。尚、Ａ4のアルキル基、アラルキル基、アリール基
を置換する置換基の数、位置については特に限定されな
い。
ナフチル基、アントラニル基、フェナントリル基等が挙
げられ、これらのアリール基を置換する置換基のハロゲ
ン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃
素原子が挙げられ、低級アルキル基としては、例えば、
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブ
チル基、ｔ−ブチル基等が挙げられ、低級アルコキシ基
としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキ
シ基、ブトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基
等が挙げられ、低級ハロゲン化アルキル基としては、例
えば、モノクロロメチル基、ジクロロメチル基、トリク
ロロメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル
基、２，２，２−トリフルオロエチル基等が挙げられ
る。尚、Ａ4のアルキル基、アラルキル基、アリール基
を置換する置換基の数、位置については特に限定されな
い。
【００１６】Ａ5のアルキル基としては、例えば、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、
ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、イソ
プロピル基、ｔ−ブチル基、イソアミル基、シクロペン
チル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等が挙げ
られ、これらのアルキル基を置換する置換基のハロゲン
原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素
原子が挙げられ、低級アルコキシ基としては、例えば、
メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、
ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基等が挙げられる。
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、
ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、イソ
プロピル基、ｔ−ブチル基、イソアミル基、シクロペン
チル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等が挙げ
られ、これらのアルキル基を置換する置換基のハロゲン
原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素
原子が挙げられ、低級アルコキシ基としては、例えば、
メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、
ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基等が挙げられる。
【００１７】Ａ5のアラルキル基としては、ベンジル
基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、α−ナフチ
ルメチル基、β−ナフチルメチル基等が挙げられ、これ
らのアラルキル基を置換する置換基のハロゲン原子とし
ては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子が挙
げられ、低級アルキル基としては、例えば、メチル基、
エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔ
−ブチル基等が挙げられ、低級アルコキシ基としては、
例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基等が挙げら
れ、低級ハロゲン化アルキル基としては、例えば、モノ
クロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメチル
基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、２，
２，２−トリフルオロエチル基等が挙げられる。
基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、α−ナフチ
ルメチル基、β−ナフチルメチル基等が挙げられ、これ
らのアラルキル基を置換する置換基のハロゲン原子とし
ては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子が挙
げられ、低級アルキル基としては、例えば、メチル基、
エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔ
−ブチル基等が挙げられ、低級アルコキシ基としては、
例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基等が挙げら
れ、低級ハロゲン化アルキル基としては、例えば、モノ
クロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメチル
基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、２，
２，２−トリフルオロエチル基等が挙げられる。
【００１８】Ａ5のアリール基としては、フェニル基、
ナフチル基、アントラニル基、フェナントリル基等が挙
げられ、これらのアリール基を置換する置換基のハロゲ
ン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃
素原子が挙げられ、低級アルキル基としては、例えば、
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブ
チル基、ｔ−ブチル基等が挙げられ、低級アルコキシ基
としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキ
シ基、ブトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基
等が挙げられ、低級ハロゲン化アルキル基としては、例
えば、モノクロロメチル基、ジクロロメチル基、トリク
ロロメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル
基、２，２，２−トリフルオロエチル基等が挙げられ
る。
ナフチル基、アントラニル基、フェナントリル基等が挙
げられ、これらのアリール基を置換する置換基のハロゲ
ン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃
素原子が挙げられ、低級アルキル基としては、例えば、
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブ
チル基、ｔ−ブチル基等が挙げられ、低級アルコキシ基
としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキ
シ基、ブトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基
等が挙げられ、低級ハロゲン化アルキル基としては、例
えば、モノクロロメチル基、ジクロロメチル基、トリク
ロロメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル
基、２，２，２−トリフルオロエチル基等が挙げられ
る。
【００１９】Ａ5のアルコキシ基としては、例えば、メ
トキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペ
ンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ
基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基等が挙げられ、
これらのアルコキシ基を置換する置換基のハロゲン原子
としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子
が挙げられ、低級アルキル基としては、例えば、メチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル
基、ｔ−ブチル基等が挙げられ、低級アルコキシ基とし
ては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基等
が挙げられ、低級ハロゲン化アルキル基としては、例え
ば、モノクロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロ
ロメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル
基、２，２，２−トリフルオロエチル基等が挙げられ
る。尚、Ａ5のアルキル基、アラルキル基、アリール
基、アルコキシ基を置換する置換基の数、位置について
は特に限定されない。
トキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペ
ンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ
基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基等が挙げられ、
これらのアルコキシ基を置換する置換基のハロゲン原子
としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子
が挙げられ、低級アルキル基としては、例えば、メチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル
基、ｔ−ブチル基等が挙げられ、低級アルコキシ基とし
ては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基等
が挙げられ、低級ハロゲン化アルキル基としては、例え
ば、モノクロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロ
ロメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル
基、２，２，２−トリフルオロエチル基等が挙げられ
る。尚、Ａ5のアルキル基、アラルキル基、アリール
基、アルコキシ基を置換する置換基の数、位置について
は特に限定されない。
【００２０】また、本発明に使用する３級ホスフィン化
合物（３）には、光学活性体である（＋）体および
（−）体が存在し、本発明はこれらの（＋）体、（−）
体のいずれをも含むものであるが、（＋）体を使用して
反応を行った場合の生成物と、（−）体を使用して反応
を行った場合の生成物とは鏡像異性体の関係になる。従
って、目的とするアミン化合物の立体配置に合わせて、
ホスフィン化合物（３）の（＋）体、（−）体のいずれ
かを選択して使用することができる。
合物（３）には、光学活性体である（＋）体および
（−）体が存在し、本発明はこれらの（＋）体、（−）
体のいずれをも含むものであるが、（＋）体を使用して
反応を行った場合の生成物と、（−）体を使用して反応
を行った場合の生成物とは鏡像異性体の関係になる。従
って、目的とするアミン化合物の立体配置に合わせて、
ホスフィン化合物（３）の（＋）体、（−）体のいずれ
かを選択して使用することができる。
【００２１】この光学活性３級ホスフィン化合物（３）
を配位させて用いる遷移金属としては、パラジウム、ロ
ジウム、ルテニウム、イリジウム、白金等が挙げられる
が、ロジウムを用いた場合に、特に高い反応性で反応が
進行する。本発明に用いる遷移金属錯体のうち、例えば
ロジウム錯体を製造する方法の例としては、日本化学会
編「第４版 実験化学講座」、第１８巻、有機金属錯
体、１９９１年 丸善 Ｐ．３４１に記載の方法に従
い、１，５−シクロオクタジエンロジウム（Ｉ）２，４
−ペンタンジオナートと光学活性３級ホスフィン化合物
（３）を反応させて製造することができる。さらに他の
遷移金属錯体は以下の公知文献に準じて製造することが
できる。 Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．９３，２３９７（１９７
１） Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．９２
２（１９８５） Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅｍ．３１，２２７７（１９８８） 特開昭６１−６３６９０号公報等。
を配位させて用いる遷移金属としては、パラジウム、ロ
ジウム、ルテニウム、イリジウム、白金等が挙げられる
が、ロジウムを用いた場合に、特に高い反応性で反応が
進行する。本発明に用いる遷移金属錯体のうち、例えば
ロジウム錯体を製造する方法の例としては、日本化学会
編「第４版 実験化学講座」、第１８巻、有機金属錯
体、１９９１年 丸善 Ｐ．３４１に記載の方法に従
い、１，５−シクロオクタジエンロジウム（Ｉ）２，４
−ペンタンジオナートと光学活性３級ホスフィン化合物
（３）を反応させて製造することができる。さらに他の
遷移金属錯体は以下の公知文献に準じて製造することが
できる。 Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．９３，２３９７（１９７
１） Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．９２
２（１９８５） Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅｍ．３１，２２７７（１９８８） 特開昭６１−６３６９０号公報等。
【００２２】金属錯体としては、例えば下記に示すよう
な金属のゼロ価あるいはカチオンの錯体を使用すること
ができる。かかる金属錯体の具体例は、たとえば以下の
ようなものが挙げられる。［Ｒｈ（ＣＯＤ）（ホスフィ
ン化合物（３））］ＣｌＯ4、Ｒｈ（ＣＯＤ）（ホスフ
ィン化合物（３））Ｃｌ、［Ｒｈ（ＮＢＤ）（ホスフィ
ン化合物（３））］Ｃｌ、Ｒｈ（ＣＯ）Ｃｌ（ホスフィ
ン化合物（３））、ＰｄＣｌ2（ホスフィン化合物
（３））、ＲｕＣｌ4（ホスフィン化合物（３））2（Ｎ
（Ｃ2Ｈ5）3）、Ｒｕ（ａｃａｃ）2（ホスフィン化合物
（３））、［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（ホスフィン化合
物（３））］Ｃｌ、（式中、ＣＯＤは１，５−シクロオ
クタジエンを、ＮＢＤはノルボルナジエンを、ａｃａｃ
は２，４−ペンタンジオナートを示す。）
な金属のゼロ価あるいはカチオンの錯体を使用すること
ができる。かかる金属錯体の具体例は、たとえば以下の
ようなものが挙げられる。［Ｒｈ（ＣＯＤ）（ホスフィ
ン化合物（３））］ＣｌＯ4、Ｒｈ（ＣＯＤ）（ホスフ
ィン化合物（３））Ｃｌ、［Ｒｈ（ＮＢＤ）（ホスフィ
ン化合物（３））］Ｃｌ、Ｒｈ（ＣＯ）Ｃｌ（ホスフィ
ン化合物（３））、ＰｄＣｌ2（ホスフィン化合物
（３））、ＲｕＣｌ4（ホスフィン化合物（３））2（Ｎ
（Ｃ2Ｈ5）3）、Ｒｕ（ａｃａｃ）2（ホスフィン化合物
（３））、［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（ホスフィン化合
物（３））］Ｃｌ、（式中、ＣＯＤは１，５−シクロオ
クタジエンを、ＮＢＤはノルボルナジエンを、ａｃａｃ
は２，４−ペンタンジオナートを示す。）
【００２３】遷移金属錯体の製造に用いられる金属化合
物は、例えば下記に示すような金属のゼロ価あるいはカ
チオン化合物であればよく、以下のものが例示される。
Ｒｈ（ａｃａｃ）（ＮＢＤ）、Ｒｈ（ａｃａｃ）（ＣＯ
Ｄ）、Ｒｈ（ａｃａｃ）（Ｃ2Ｈ4）2、Ｒｈ（ａｃａ
ｃ）2、［Ｒｈ（ＣＯＤ）Ｃｌ］2、［Ｒｈ（ＮＢＤ）Ｃ
ｌ］2、［Ｒｈ（Ｃ2Ｈ4）2Ｃｌ］2、［Ｒｈ（ＯＣＯＣ
Ｈ3）2Ｃｌ］2、［Ｒｈ（１，５−ヘキサジエン）2Ｃ
ｌ］2、Ｒｕ（ａｃａｃ）3。
物は、例えば下記に示すような金属のゼロ価あるいはカ
チオン化合物であればよく、以下のものが例示される。
Ｒｈ（ａｃａｃ）（ＮＢＤ）、Ｒｈ（ａｃａｃ）（ＣＯ
Ｄ）、Ｒｈ（ａｃａｃ）（Ｃ2Ｈ4）2、Ｒｈ（ａｃａ
ｃ）2、［Ｒｈ（ＣＯＤ）Ｃｌ］2、［Ｒｈ（ＮＢＤ）Ｃ
ｌ］2、［Ｒｈ（Ｃ2Ｈ4）2Ｃｌ］2、［Ｒｈ（ＯＣＯＣ
Ｈ3）2Ｃｌ］2、［Ｒｈ（１，５−ヘキサジエン）2Ｃ
ｌ］2、Ｒｕ（ａｃａｃ）3。
【００２４】また、光学活性３級ホスフィン化合物
（３）のうち、とくに一般式（５）で示される光学活性
３級ホスフィン化合物を用いた場合に優れた化学収率お
よび優れた鏡像異性体過剰率で目的とする光学活性アミ
ン化合物（４）を得ることができる。一般式（５）で示
される光学活性３級ホスフィン化合物において、Ａ6の
アラルキル基としては、ベンジル基、１−フェネチル
基、２−フェネチル基、α−ナフチルメチル基、β−ナ
フチルメチル基等が挙げられ、これらのアラルキル基を
置換する置換基のハロゲン原子としては、フッ素原子、
塩素原子、臭素原子、沃素原子が挙げられ、低級アルキ
ル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基等が挙げ
られ、低級アルコキシ基としては、例えば、メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ｉ−プロ
ポキシ基、ｔ−ブトキシ基等が挙げられ、低級ハロゲン
化アルキル基としては、例えば、モノクロロメチル基、
ジクロロメチル基、トリクロロメチル基、フルオロメチ
ル基、トリフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオ
ロエチル基等が挙げられる。
（３）のうち、とくに一般式（５）で示される光学活性
３級ホスフィン化合物を用いた場合に優れた化学収率お
よび優れた鏡像異性体過剰率で目的とする光学活性アミ
ン化合物（４）を得ることができる。一般式（５）で示
される光学活性３級ホスフィン化合物において、Ａ6の
アラルキル基としては、ベンジル基、１−フェネチル
基、２−フェネチル基、α−ナフチルメチル基、β−ナ
フチルメチル基等が挙げられ、これらのアラルキル基を
置換する置換基のハロゲン原子としては、フッ素原子、
塩素原子、臭素原子、沃素原子が挙げられ、低級アルキ
ル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基等が挙げ
られ、低級アルコキシ基としては、例えば、メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ｉ−プロ
ポキシ基、ｔ−ブトキシ基等が挙げられ、低級ハロゲン
化アルキル基としては、例えば、モノクロロメチル基、
ジクロロメチル基、トリクロロメチル基、フルオロメチ
ル基、トリフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオ
ロエチル基等が挙げられる。
【００２５】Ａ6のアリール基としては、フェニル基、
ナフチル基、アントラニル基、フェナントリル基等が挙
げられ、これらのアリール基を置換する置換基のハロゲ
ン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃
素原子が挙げられ、低級アルキル基としては、例えば、
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブ
チル基、ｔ−ブチル基等が挙げられ、低級アルコキシ基
としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキ
シ基、ブトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基
等が挙げられ、低級ハロゲン化アルキル基としては、例
えば、モノクロロメチル基、ジクロロメチル基、トリク
ロロメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル
基、２，２，２−トリフルオロエチル基等が挙げられ
る。尚、Ａ6のアラルキル基、アリール基を置換する置
換基の数、位置については特に限定されない。
ナフチル基、アントラニル基、フェナントリル基等が挙
げられ、これらのアリール基を置換する置換基のハロゲ
ン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃
素原子が挙げられ、低級アルキル基としては、例えば、
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブ
チル基、ｔ−ブチル基等が挙げられ、低級アルコキシ基
としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキ
シ基、ブトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基
等が挙げられ、低級ハロゲン化アルキル基としては、例
えば、モノクロロメチル基、ジクロロメチル基、トリク
ロロメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル
基、２，２，２−トリフルオロエチル基等が挙げられ
る。尚、Ａ6のアラルキル基、アリール基を置換する置
換基の数、位置については特に限定されない。
【００２６】一般式（３）または一般式（５）で示され
る光学活性３級ホスフィン化合物は、例えば次の製造方
法に従って製造することができる。 （式中、Ａ4、Ａ6は前記と同じ意味を表わす。）
る光学活性３級ホスフィン化合物は、例えば次の製造方
法に従って製造することができる。 （式中、Ａ4、Ａ6は前記と同じ意味を表わす。）
【００２７】すなわち、化合物（６）に対し、ジメチル
スルホキシド等の極性溶媒中、１〜２０モル倍好ましく
は５〜１０モル倍の３級アミン等の塩基および０．０１
〜２モル倍好ましくは０．１〜１モル倍のパラジウム−
ホスフィン触媒存在下、１〜１０モル倍好ましくは２〜
４モル倍のホスフィンオキシド（７）を−８０〜２００
℃好ましくは０℃〜１５０℃で作用させることにより、
化合物（８）を合成することができる。
スルホキシド等の極性溶媒中、１〜２０モル倍好ましく
は５〜１０モル倍の３級アミン等の塩基および０．０１
〜２モル倍好ましくは０．１〜１モル倍のパラジウム−
ホスフィン触媒存在下、１〜１０モル倍好ましくは２〜
４モル倍のホスフィンオキシド（７）を−８０〜２００
℃好ましくは０℃〜１５０℃で作用させることにより、
化合物（８）を合成することができる。
【００２８】得られた化合物（８）に対し、炭化水素、
ハロゲン化炭化水素、エーテル類等の溶媒中、１〜１０
０モル倍程度、好ましくは４０〜６０モル倍程度の３級
アミン等の塩基存在下、１〜５０モル倍程度、好ましく
は１０〜２０モル倍程度のトリクロロシラン等の還元剤
を作用させ、−８０〜１５０℃程度で反応させることに
より化合物（９）とする。
ハロゲン化炭化水素、エーテル類等の溶媒中、１〜１０
０モル倍程度、好ましくは４０〜６０モル倍程度の３級
アミン等の塩基存在下、１〜５０モル倍程度、好ましく
は１０〜２０モル倍程度のトリクロロシラン等の還元剤
を作用させ、−８０〜１５０℃程度で反応させることに
より化合物（９）とする。
【００２９】この化合物（９）に対し、炭化水素、エー
テル類等の溶媒中、１〜５０モル倍程度、好ましくは１
〜２０モル倍程度のグリニャール試薬（１０）等の、ア
ラルキル化剤またはアリール化剤を−８０〜１５０℃程
度、好ましくは−２０〜１００℃で程度、作用させ、化
合物（５）が合成される。反応を促進させるため、ジク
ロロ［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］
ニッケル等の遷移金属触媒を通常０．１〜２００ｍｏｌ
％程度、好ましくは１〜５０ｍｏｌ％程度共存させて反
応を実施してもよい。
テル類等の溶媒中、１〜５０モル倍程度、好ましくは１
〜２０モル倍程度のグリニャール試薬（１０）等の、ア
ラルキル化剤またはアリール化剤を−８０〜１５０℃程
度、好ましくは−２０〜１００℃で程度、作用させ、化
合物（５）が合成される。反応を促進させるため、ジク
ロロ［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］
ニッケル等の遷移金属触媒を通常０．１〜２００ｍｏｌ
％程度、好ましくは１〜５０ｍｏｌ％程度共存させて反
応を実施してもよい。
【００３０】本反応のイミン化合物（１）と有機スズ化
合物（２）とを光学活性３級ホスフィン化合物（３）の
存在下に反応させ光学活性アミン化合物（４）を得る反
応は、溶媒の存在または不存在下に行われる。用いられ
る溶媒としては、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、エー
テル類等が挙げられる。
合物（２）とを光学活性３級ホスフィン化合物（３）の
存在下に反応させ光学活性アミン化合物（４）を得る反
応は、溶媒の存在または不存在下に行われる。用いられ
る溶媒としては、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、エー
テル類等が挙げられる。
【００３１】２，４−ペンタジオナートビス（エチレ
ン）ロジウム（Ｉ）等の金属化合物の使用量は、イミン
化合物（１）に対し、通常、０．００１〜５０モル％程
度、好ましくは０．０１〜１０モル％程度である。光学
活性３級ホスフィン化合物（３）の使用量は、２，４−
ペンタジオナートビス（エチレン）ロジウム（Ｉ）等の
金属化合物に対して、通常、１〜３モル倍程度、好まし
くは２モル倍程度である。光学活性３級ホスフィン化合
物（３）と金属化合物とから遷移金属錯体が生成する
が、この遷移金属錯体を単離して反応に使用してもよ
く、また、反応系中で生成させ、そのまま使用すること
もできる。光学活性３級ホスフィン化合物として化合物
（５）を使用した場合にはより優れた不斉収率で反応が
進行し、特に２−ジフェニルホスフィニル−２’−
（３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル）−１，
１’−ビナフチルを使用した場合には更に優れた不斉収
率で目的とするアミン化合物（４）を得ることができ
る。
ン）ロジウム（Ｉ）等の金属化合物の使用量は、イミン
化合物（１）に対し、通常、０．００１〜５０モル％程
度、好ましくは０．０１〜１０モル％程度である。光学
活性３級ホスフィン化合物（３）の使用量は、２，４−
ペンタジオナートビス（エチレン）ロジウム（Ｉ）等の
金属化合物に対して、通常、１〜３モル倍程度、好まし
くは２モル倍程度である。光学活性３級ホスフィン化合
物（３）と金属化合物とから遷移金属錯体が生成する
が、この遷移金属錯体を単離して反応に使用してもよ
く、また、反応系中で生成させ、そのまま使用すること
もできる。光学活性３級ホスフィン化合物として化合物
（５）を使用した場合にはより優れた不斉収率で反応が
進行し、特に２−ジフェニルホスフィニル−２’−
（３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル）−１，
１’−ビナフチルを使用した場合には更に優れた不斉収
率で目的とするアミン化合物（４）を得ることができ
る。
【００３２】有機スズ化合物（２）の使用量は、イミン
化合物（１）に対して、通常、１〜１０モル倍程度、好
ましくは１〜３モル倍程度である。反応温度は、通常、
−８０〜２００℃程度であり、好ましくは０〜１５０℃
程度である。なお、イミン化合物（１）、有機スズ化合
物（２）、光学活性３級ホスフィン化合物（３）および
金属化合物を加える順序は特に限定されず、また、４者
を同時に加えてることも可能である。また、反応系中に
フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、
フッ化セシウム、フッ化カルシウム、フッ化テトラブチ
ルアンモニウム等の含フッ素化合物を加えて実施しても
よい。反応後は、通常の後処理操作を行い目的物を得る
ことができる。また、生成物を蒸留、再結晶、クロマト
グラフィー等の操作により精製することもできる。
化合物（１）に対して、通常、１〜１０モル倍程度、好
ましくは１〜３モル倍程度である。反応温度は、通常、
−８０〜２００℃程度であり、好ましくは０〜１５０℃
程度である。なお、イミン化合物（１）、有機スズ化合
物（２）、光学活性３級ホスフィン化合物（３）および
金属化合物を加える順序は特に限定されず、また、４者
を同時に加えてることも可能である。また、反応系中に
フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、
フッ化セシウム、フッ化カルシウム、フッ化テトラブチ
ルアンモニウム等の含フッ素化合物を加えて実施しても
よい。反応後は、通常の後処理操作を行い目的物を得る
ことができる。また、生成物を蒸留、再結晶、クロマト
グラフィー等の操作により精製することもできる。
【００３３】一方、このようにして得られる光学活性ア
ミン化合物（４）は、その立体配置を維持したまま容易
に１級アミン類へ誘導できる。例えば、液体アンモニア
中、金属リチウムあるいは金属ナトリウムを作用させる
ことによりスルホンアミド基がアミノ基へ変換される。
ミン化合物（４）は、その立体配置を維持したまま容易
に１級アミン類へ誘導できる。例えば、液体アンモニア
中、金属リチウムあるいは金属ナトリウムを作用させる
ことによりスルホンアミド基がアミノ基へ変換される。
【００３４】
【発明の効果】本発明の製造法に於いては、アルデヒド
とスルホンアミドという工業的に入手容易な化合物より
製造しうるイミン化合物を原料とし、様々な光学活性化
合物の重要な中間体となり得る光学活性アミノ化合物
を、優れた収率、光学純度で得ることができる。
とスルホンアミドという工業的に入手容易な化合物より
製造しうるイミン化合物を原料とし、様々な光学活性化
合物の重要な中間体となり得る光学活性アミノ化合物
を、優れた収率、光学純度で得ることができる。
【００３５】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明は、これに限定されるものではない。 〔参考例１〕Ｊ． Ｏｒｇ． Ｃｈｅｍ．， ５８,
１９４５（１９９３）記載の方法に従い合成した（Ｒ）
−２−（ジフェニルホスフィニル）−２’−［（トリフ
ルオロメタンスルホニル）オキシ］−１，１’−ビナフ
チルを、通常の方法でトリクロロシランにより還元し、
（Ｒ）−２−（ジフェニルホスフィノ）−２’−［（ト
リフルオロメタンスルホニル）オキシ］−１，１’−ビ
ナフチルを合成した。
明するが、本発明は、これに限定されるものではない。 〔参考例１〕Ｊ． Ｏｒｇ． Ｃｈｅｍ．， ５８,
１９４５（１９９３）記載の方法に従い合成した（Ｒ）
−２−（ジフェニルホスフィニル）−２’−［（トリフ
ルオロメタンスルホニル）オキシ］−１，１’−ビナフ
チルを、通常の方法でトリクロロシランにより還元し、
（Ｒ）−２−（ジフェニルホスフィノ）−２’−［（ト
リフルオロメタンスルホニル）オキシ］−１，１’−ビ
ナフチルを合成した。
【００３６】実施例１ （Ｒ）−２−（ジフェニルホスフィノ）−２’−［（ト
リフルオロメタンスルホニル）オキシ］−１，１’−ビ
ナフチル１．１２ｇ（１．９０ｍｍｏｌ）、ジクロロ
[１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン]ニッケ
ル０．２０２ｇ（０．３８ｍｍｏｌ）、３，５−ジメチ
ル−４−メトキシフェニルマグネシウムブロミドＴＨＦ
溶液（１．５Ｍ）９ｍｌ（１３．５ｍｍｏｌ）の混合物
を窒素下で２４時間還流する。室温まで冷却し、反応混
合物を氷浴上で飽和塩化アンモニウム水溶液２０ｍｌに
加えて反応停止する。水層をジエチルエーテル３０ｍｌ
で３回抽出し、無水硫酸マグネシウム上で乾燥・濾過
後、溶媒を減圧下留去する。残さを分取薄層クロマトグ
ラフィー（移動相：酢酸エチル／ヘキサン＝１／５）に
より精製し、目的とする（Ｒ）−２−（ジフェニルホス
フィノ）−２’−（３，５−ジメチル−４−メトキシフ
ェニル）−１，１’−ビナフチル０．５７７ｇを白色固
体として得た。収率５３％。 Rf(EtOAc:Hexane=1:5)=0.63 [α]D 20 +183 (c 1.00, CHCl3)1 H-NMR(CDCl3)δ(ppm): 8.03(d, J=8.3Hz, 1H), 7.91
(d, J=8.3Hz, 1H), 7.86(d, J=8.3Hz, 1H), 7.44(d, J=
8.8Hz, 1H), 7.63(d, J=8.3Hz, 1H), 7.50(t, J=6.8Hz,
1H), 7.45(d, J=8.8Hz, 1H), 7.36(t, J=3.9Hz, 1H),
7.35(t, J=8.3Hz, 1H), 7.22(dd, J=8.8, 2.9Hz, 1H),
7.17(t, J=7.3Hz, 1H), 7.12(t, J=7.8Hz, 1H), 7.09
(t, J=6.8Hz, 2H), 7.04(t, J=7.3Hz, 2H), 7.00(t, J=
7.3Hz, 1H), 6.90(t, J=6.8Hz, 2H), 6.83(d, J=8.3Hz,
1H), 6.65(t, J=6.8Hz, 2H), 6.61(s,2H), 3.61(s, 3
H), 1.83(s, 6H)31 P{1H}-NMRδ(ppm): -19.54(s)
リフルオロメタンスルホニル）オキシ］−１，１’−ビ
ナフチル１．１２ｇ（１．９０ｍｍｏｌ）、ジクロロ
[１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン]ニッケ
ル０．２０２ｇ（０．３８ｍｍｏｌ）、３，５−ジメチ
ル−４−メトキシフェニルマグネシウムブロミドＴＨＦ
溶液（１．５Ｍ）９ｍｌ（１３．５ｍｍｏｌ）の混合物
を窒素下で２４時間還流する。室温まで冷却し、反応混
合物を氷浴上で飽和塩化アンモニウム水溶液２０ｍｌに
加えて反応停止する。水層をジエチルエーテル３０ｍｌ
で３回抽出し、無水硫酸マグネシウム上で乾燥・濾過
後、溶媒を減圧下留去する。残さを分取薄層クロマトグ
ラフィー（移動相：酢酸エチル／ヘキサン＝１／５）に
より精製し、目的とする（Ｒ）−２−（ジフェニルホス
フィノ）−２’−（３，５−ジメチル−４−メトキシフ
ェニル）−１，１’−ビナフチル０．５７７ｇを白色固
体として得た。収率５３％。 Rf(EtOAc:Hexane=1:5)=0.63 [α]D 20 +183 (c 1.00, CHCl3)1 H-NMR(CDCl3)δ(ppm): 8.03(d, J=8.3Hz, 1H), 7.91
(d, J=8.3Hz, 1H), 7.86(d, J=8.3Hz, 1H), 7.44(d, J=
8.8Hz, 1H), 7.63(d, J=8.3Hz, 1H), 7.50(t, J=6.8Hz,
1H), 7.45(d, J=8.8Hz, 1H), 7.36(t, J=3.9Hz, 1H),
7.35(t, J=8.3Hz, 1H), 7.22(dd, J=8.8, 2.9Hz, 1H),
7.17(t, J=7.3Hz, 1H), 7.12(t, J=7.8Hz, 1H), 7.09
(t, J=6.8Hz, 2H), 7.04(t, J=7.3Hz, 2H), 7.00(t, J=
7.3Hz, 1H), 6.90(t, J=6.8Hz, 2H), 6.83(d, J=8.3Hz,
1H), 6.65(t, J=6.8Hz, 2H), 6.61(s,2H), 3.61(s, 3
H), 1.83(s, 6H)31 P{1H}-NMRδ(ppm): -19.54(s)
【００３７】実施例２ 乾燥させたフッ化リチウム５２．０ｍｇ（２．０ｍｍｏ
ｌ）、４−ニトロ−Ｎ−（４−トリフルオロメチル−ベ
ンジリデン）−ベンゼンスルホンアミド７１．７ｍｇ
（０．２０ｍｍｏｌ）、２，４−ペンタンジオナートビ
ス（エチレン）ロジウム（Ｉ）１．６ｍｇ（０．００６
ｍｍｏｌ）および（Ｒ）−２−（ジフェニルホスフィ
ノ）−２’−（３，５−ジメチル−４−メトキシ）−
１，１’−ビナフチル７．６ｍｇ（０．０１３ｍｍｏ
ｌ）の混合物に、窒素雰囲気下、１，４−ジオキサン
０．３ｍｌおよびトリメチルフェニルスズ９６．５ｍｇ
（０．４０ｍｍｏｌ）を加える。窒素雰囲気下密栓し、
１１０℃で１２時間加熱する。室温にまで冷却し、反応
混合物を水に加え、水層をジエチルエーテル２０ｍｌで
３回抽出し、無水硫酸マグネシウム上で乾燥・濾過後、
溶媒を減圧下留去する。残さを分取薄層クロマトグラフ
ィー（移動相：ジエチルエーテル／ベンゼン＝１／５）
により精製し、目的とする［（４−ニトロフェニル）ス
ルホニル］｛フェニル［４−（トリフルオロメチル）フ
ェニル］メチル｝アミン６０．７ｍｇを白色固体として
得た。収率７０％。この生成物の鏡像異性体過剰率を光
学活性ＨＰＬＣ（ダイセル化学製ＣＨＩＲＡＬＣＥＬョ
ＯＤ−Ｈ）にて測定したところ９６％であった。 Rf(Et2O:C6H6=1:5)=0.40 [α]D 20 +8.15 (c 1.00, CHCl3)1 H-NMR(CDCl3)δ(ppm): 8.15(d, J=8.8Hz, 2H), 7.79
(d, J=8.8Hz, 2H), 7.51(d, J=8.3Hz, 2H), 7.30(d, J=
8.3Hz, 2H), 7.24(t, J=6.4Hz, 3H), 7.04(d, J=7.8Hz,
2H), 5.76(d, J=7.3Hz, 1H), 5.28(d, J=6.8Hz, 1H)
ｌ）、４−ニトロ−Ｎ−（４−トリフルオロメチル−ベ
ンジリデン）−ベンゼンスルホンアミド７１．７ｍｇ
（０．２０ｍｍｏｌ）、２，４−ペンタンジオナートビ
ス（エチレン）ロジウム（Ｉ）１．６ｍｇ（０．００６
ｍｍｏｌ）および（Ｒ）−２−（ジフェニルホスフィ
ノ）−２’−（３，５−ジメチル−４−メトキシ）−
１，１’−ビナフチル７．６ｍｇ（０．０１３ｍｍｏ
ｌ）の混合物に、窒素雰囲気下、１，４−ジオキサン
０．３ｍｌおよびトリメチルフェニルスズ９６．５ｍｇ
（０．４０ｍｍｏｌ）を加える。窒素雰囲気下密栓し、
１１０℃で１２時間加熱する。室温にまで冷却し、反応
混合物を水に加え、水層をジエチルエーテル２０ｍｌで
３回抽出し、無水硫酸マグネシウム上で乾燥・濾過後、
溶媒を減圧下留去する。残さを分取薄層クロマトグラフ
ィー（移動相：ジエチルエーテル／ベンゼン＝１／５）
により精製し、目的とする［（４−ニトロフェニル）ス
ルホニル］｛フェニル［４−（トリフルオロメチル）フ
ェニル］メチル｝アミン６０．７ｍｇを白色固体として
得た。収率７０％。この生成物の鏡像異性体過剰率を光
学活性ＨＰＬＣ（ダイセル化学製ＣＨＩＲＡＬＣＥＬョ
ＯＤ−Ｈ）にて測定したところ９６％であった。 Rf(Et2O:C6H6=1:5)=0.40 [α]D 20 +8.15 (c 1.00, CHCl3)1 H-NMR(CDCl3)δ(ppm): 8.15(d, J=8.8Hz, 2H), 7.79
(d, J=8.8Hz, 2H), 7.51(d, J=8.3Hz, 2H), 7.30(d, J=
8.3Hz, 2H), 7.24(t, J=6.4Hz, 3H), 7.04(d, J=7.8Hz,
2H), 5.76(d, J=7.3Hz, 1H), 5.28(d, J=6.8Hz, 1H)
【００３８】実施例３ 実施例２において（Ｒ）−２−（ジフェニルホスフィ
ノ）−２’−（３，５−ジメチル−４−メトキシ）−
１，１’−ビナフチルにかえ、（Ｓ）−２−（ジフェニ
ルホスフィノ）−２’−メトキシ−１，１’−ビナフチ
ルを使用する以外は実施例２と同様に反応を実施し、目
的とする（Ｎ）−（４−ニトロベンゼンスルホニル）−
α−（４−トリフルオロメチルフェニル）−フェニルメ
チルアミンを化学収率６２％、鏡像異性体過剰率９０％
で得た。
ノ）−２’−（３，５−ジメチル−４−メトキシ）−
１，１’−ビナフチルにかえ、（Ｓ）−２−（ジフェニ
ルホスフィノ）−２’−メトキシ−１，１’−ビナフチ
ルを使用する以外は実施例２と同様に反応を実施し、目
的とする（Ｎ）−（４−ニトロベンゼンスルホニル）−
α−（４−トリフルオロメチルフェニル）−フェニルメ
チルアミンを化学収率６２％、鏡像異性体過剰率９０％
で得た。
【００３９】実施例４ 実施例２においてトリメチルフェニルスズにかえ、４−
メトキシフェニルトリメチルスズを使用する以外は実施
例２と同様に反応を実施し、目的とする｛（４−メトキ
シフェニル）［４−（トリフルオロメチル）フェニル］
メチル｝［（４−ニトロフェニル）スルホニル］アミン
を化学収率７１％、鏡像異性体過剰率９６％で得た。
メトキシフェニルトリメチルスズを使用する以外は実施
例２と同様に反応を実施し、目的とする｛（４−メトキ
シフェニル）［４−（トリフルオロメチル）フェニル］
メチル｝［（４−ニトロフェニル）スルホニル］アミン
を化学収率７１％、鏡像異性体過剰率９６％で得た。
【００４０】実施例５ 実施例４において（Ｒ）−２−（ジフェニルホスフィ
ノ）−２’−（３，５−ジメチル−４−メトキシ）−
１，１’−ビナフチルにかえ、（Ｓ）−２−（ジフェニ
ルホスフィノ）−２’−メトキシ−１，１’−ビナフチ
ルを使用する以外は実施例４と同様に反応を実施し、目
的とする｛（４−メトキシフェニル）［４−（トリフル
オロメチル）フェニル］メチル｝［（４−ニトロフェニ
ル）スルホニル］アミンを化学収率６７％、鏡像異性体
過剰率９２％で得た。
ノ）−２’−（３，５−ジメチル−４−メトキシ）−
１，１’−ビナフチルにかえ、（Ｓ）−２−（ジフェニ
ルホスフィノ）−２’−メトキシ−１，１’−ビナフチ
ルを使用する以外は実施例４と同様に反応を実施し、目
的とする｛（４−メトキシフェニル）［４−（トリフル
オロメチル）フェニル］メチル｝［（４−ニトロフェニ
ル）スルホニル］アミンを化学収率６７％、鏡像異性体
過剰率９２％で得た。
【００４１】実施例６ 実施例２において４−ニトロ−Ｎ−（４−トリフルオロ
メチル−ベンジリデン）−ベンゼンスルホンアミドにか
え、４−ニトロ−Ｎ−（４−フルオロベンジリデン）−
ベンゼンスルホンアミドを使用する以外は実施例２と同
様に反応を実施し、目的とする［（４−フルオロフェニ
ル）フェニルメチル］［（４−ニトロフェニル）スルホ
ニル］アミンを化学収率４５％、鏡像異性体過剰率９２
％で得た。
メチル−ベンジリデン）−ベンゼンスルホンアミドにか
え、４−ニトロ−Ｎ−（４−フルオロベンジリデン）−
ベンゼンスルホンアミドを使用する以外は実施例２と同
様に反応を実施し、目的とする［（４−フルオロフェニ
ル）フェニルメチル］［（４−ニトロフェニル）スルホ
ニル］アミンを化学収率４５％、鏡像異性体過剰率９２
％で得た。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｍ 7:00 Ｆターム(参考） 4G069 AA06 BA21A BA21B BA27A BA27B BC22A BC22B BC29A BC29B BC68A BC68B BC71A BC71B BE13A BE13B BE20A BE20B BE26A BE26B CB57 DA02 4H006 AA02 AC21 AC61 AC81 BA17 BA24 BA48 4H039 CA41 CA80 CF40 4H050 AA01 AA03 AB40 AB84 WB16 WB19 WB20 WB21
Claims (8)
- 【請求項１】一般式（１） （式中、Ａ1およびＡ2は、それぞれ独立に、ハロゲン原
子、低級アルコキシ基もしくはニトロ基で置換されてい
てもよいアルキル基；ハロゲン原子、低級アルキル基、
低級アルコキシ基、ニトロ基もしくは低級ハロゲン化ア
ルキル基で置換されていてもよいアラルキル基；また
は、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ニトロ基もしくは低級ハロゲン化アルキル基で置換
されていてもよいアリール基を示す。）で示されるイミ
ン化合物と、一般式（２） （式中、Ａ3はハロゲン原子、低級アルコキシ基もしく
はニトロ基で置換されていてもよいアルキル基；ハロゲ
ン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ニトロ基
もしくは低級ハロゲン化アルキル基で置換されていても
よいアリル基；ハロゲン原子、低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基、ニトロ基もしくは低級ハロゲン化アルキル
基で置換されていてもよいアラルキル基；または、ハロ
ゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ニトロ
基もしくは低級ハロゲン化アルキル基で置換されていて
もよいアリール基を示す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は、同一また
は相異なり、水素原子、アルキル基またはアルコキシ基
を示す。）で示される有機スズ化合物とを、一般式
（３） （式中、Ａ4は、ハロゲン原子もしくは低級アルコキシ
基で置換されていてもよいアルキル基；ハロゲン原子、
低級アルキル基、低級アルコキシ基もしくは低級ハロゲ
ン化アルキル基で置換されていてもよいアラルキル基；
または、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキ
シ基もしくは低級ハロゲン化アルキル基で置換されてい
てもよいアリール基を示す。Ａ5はハロゲン原子もしく
は低級アルコキシ基で置換されていてもよいアルキル
基；ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基
もしくは低級ハロゲン化アルキル基で置換されていても
よいアラルキル基；ハロゲン原子、低級アルキル基、低
級アルコキシ基もしくは低級ハロゲン化アルキル基で置
換されていてもよいアリール基；または、ハロゲン原
子、低級アルキル基、低級アルコキシ基もしくは低級ハ
ロゲン化アルキル基で置換されていてもよいアルコキシ
基を示す。）で示される光学活性３級ホスフィン化合物
を配位子とする遷移金属錯体の存在下に、反応させるこ
とを特徴とする一般式（４） （式中、Ａ1、Ａ2、Ａ3は前記と同じ意味を表わし、＊
は不斉炭素であることをを表わす。）で示される光学活
性アミン化合物の製造法。 - 【請求項２】遷移金属錯体の遷移金属化合物がロジウム
化合物である請求項１記載の製造法。 - 【請求項３】一般式（２）で示される有機スズ化合物が
トリメチルアリールスズである請求項１または２に記載
の製造法。 - 【請求項４】一般式（１）で示されるイミン化合物のＡ
2が４−ニトロフェニル基である請求項１、２または３
に記載の製造法。 - 【請求項５】一般式（５） （式中、Ａ6がハロゲン原子、低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基もしくは低級ハロゲン化アルキル基で置換さ
れていてもよいアラルキル基；または、ハロゲン原子、
低級アルキル基、低級アルコキシ基もしくは低級ハロゲ
ン化アルキル基で置換されていてもよいアリール基を示
す。Ａ4は前記と同じ意味を表わす。）で示される光学
活性３級ホスフィン化合物。 - 【請求項６】一般式（５）において、Ａ6が３，５−ジ
メチル−４−メトキシフェニル基である請求項５記載の
光学活性３級ホスフィン化合物。 - 【請求項７】一般式（５）において、Ａ4がフェニル基
である請求項５または６記載の光学活性３級ホスフィン
化合物。 - 【請求項８】光学活性３級ホスフィン化合物が、請求項
５、６または７に記載の光学活性３級ホスフィン化合物
である請求項１、２、３または４に記載の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11063214A JP2000256305A (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | 光学活性アミン化合物の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11063214A JP2000256305A (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | 光学活性アミン化合物の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000256305A true JP2000256305A (ja) | 2000-09-19 |
Family
ID=13222738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11063214A Pending JP2000256305A (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | 光学活性アミン化合物の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000256305A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012147897A1 (ja) * | 2011-04-25 | 2012-11-01 | 住友化学株式会社 | アミン化合物の製造方法 |
| JP2015527381A (ja) * | 2012-09-06 | 2015-09-17 | デクスレチェム ジーエムビーエイチ | ニトロ誘導体からアミンへの還元方法 |
-
1999
- 1999-03-10 JP JP11063214A patent/JP2000256305A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012147897A1 (ja) * | 2011-04-25 | 2012-11-01 | 住友化学株式会社 | アミン化合物の製造方法 |
| JP2015527381A (ja) * | 2012-09-06 | 2015-09-17 | デクスレチェム ジーエムビーエイチ | ニトロ誘導体からアミンへの還元方法 |
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