JP2000251737A

JP2000251737A - 画像形成装置及びその製造方法

Info

Publication number: JP2000251737A
Application number: JP5122299A
Authority: JP
Inventors: Yoichi Ando; 洋一安藤
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1999-02-26
Filing date: 1999-02-26
Publication date: 2000-09-14

Abstract

(57)【要約】【課題】画像表示時の放電を防止し、良好な表示画像
を得る為の画像形成装置の製造方法を提供する。【解決手段】電子ビーム源を形成したリアプレート
と、電子ビームの照射により発光する蛍光体を形成した
フェースプレートと、前記リアプレートと前記フェース
プレートとに挟まれたスペーサを備えた画像形成装置の
製造方法において、電極の間に前記スペーサを配置して
該電極間に高電圧を印加する工程（Ｓ１０３）、または
導電部が露出している前記スペーサと他の電極との間に
高電圧を印加する工程（Ｓ１０３）、を有することを特
徴とする画像形成装置の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子線装置および
その応用である形成装置等の画像形成装置の製造方法に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、電子放出素子として熱陰極素
子と冷陰極素子の２種類が知られている。このうち冷陰
極素子では、たとえば表面伝導型放出素子や、電界放出
型素子（以下ＦＥ型と記す）や、金属／絶縁層／金属型
放出素子（以下ＭＩＭ型と記す）、などが知られてい
る。

【０００３】表面伝導型放出素子としては、たとえば、
Ｍ．Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ，ＲａｄｉｏＥｎｇ．Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎＰｈｙｓ．，１０，１２９０，（１９６
５）や、後述する他の例が知られている。

【０００４】表面伝導型放出素子は、基板上に形成され
た小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより
電子放出が生ずる現象を利用するものである。この表面
伝導型放出素子としては、前記エリンソン等によるＳｎ
Ｏ₂薄膜を用いたものの他に、Ａｕ薄膜によるもの
［Ｇ．Ｄｉｔｔｍｅｒ：”ＴｈｉｎＳｏｌｉｄＦｉｌ
ｍｓ”，９，３１７（１９７２）］や、Ｉｎ₂Ｏ₃／Ｓｎ
Ｏ₂薄膜によるもの［Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌａｎｄ
Ｃ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔａｄ：”ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅ
ＤＣｏｎｆ．”，５１９（１９７５）］や、カ−ボン
薄膜によるもの［荒木久他：真空、第２６巻、第１
号、２２（１９８３）］等が報告されている。

【０００５】これらの表面伝導型放出素子の素子構成の
典型的な例として、図１２に前述のＭ．Ｈａｒｔｗｅｌ
ｌらによる素子の平面図を示す。同図において、３０
０１は基板で、３００４はスパッタで形成された金属酸
化物よりなる導電性薄膜である。導電性薄膜３００４は
図示のようにＨ字形の平面形状に形成されている。該導
電性薄膜３００４に後述の通電フォ−ミングと呼ばれる
通電処理を施すことにより、電子放出部３００５が形成
される。図中の間隔Ｌは、０．５〜１［ｍｍ］，Ｗは、
０．１［ｍｍ］で設定されている。尚、図示の便宜か
ら、電子放出部３００５は導電性薄膜３００４の中央に
矩形の形状で示したが、これは模式的なものであり、実
際の電子放出部の位置や形状を忠実に表現しているわけ
ではない。Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌらによる素子をはじめ
として上述の表面伝導型放出素子においては、電子放出
を行う前に導電性薄膜３００４に通電フォ−ミングと呼
ばれる通電処理を施すことにより電子放出部３００５を
形成するのが一般的であった。すなわち、通電フォ−ミ
ングとは、前記導電性薄膜３００４の両端に一定の直流
電圧、もしくは、例えば１Ｖ／分程度の非常にゆっくり
としたレ−トで昇圧する直流電圧を印加して通電し、導
電性薄膜３００４を局所的に破壊もしくは変形もしくは
変質せしめ、電気的に高抵抗な状態の電子放出部３００
５を形成することである。尚、局所的に破壊もしくは変
形もしくは変質した導電性薄膜３００４の一部には、亀
裂が発生する。前記通電フォ−ミング後に導電性薄膜３
００４に適宜の電圧を印加した場合には、前記亀裂付近
において電子放出が行われる。また、ＦＥ型の例は、た
とえば、Ｗ．Ｐ．Ｄｙｋｅ＆Ｗ．Ｗ．Ｄｏｌａｎ，”Ｆ
ｉｅｌｄｅｍｉｓｓｉｏｎ”，Ａｄｖａｎｃｅｉｎ
ＥｌｅｃｔｒｏｎＰｈｙｓｉｃｓ，８，８９（１９５
６）や、あるいは、Ｃ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ，”Ｐｈｙｓ
ｉｃａｌｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｔｈｉｎ−ｆｉ
ｌｍｆｉｅ−ｌｄｅｍｉｓｓｉｏｎｃａｔｈｏｄｅｓ
ｗｉｔｈｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍｃｏｎｅｓ”，Ｊ．
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，４７，５２４８（１９７６）な
どが知られている。

【０００６】ＦＥ型の素子構成の典型的な例として、図
１３に前述のＣ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔらによる素子の断面
図を示す。同図において、３０１０は基板で、３０１１
は導電材料よりなるエミッタ配線、３０１２はエミッタ
コ−ン、３０１３は絶縁層、３０１４はゲ−ト電極であ
る。本素子は、エミッタコ−ン３０１２とゲ−ト電極３
０１４の間に適宜の電圧を印加することにより、エミッ
タコ−ン３０１２の先端部より電界放出を起こさせるも
のである。

【０００７】また、ＦＥ型の他の素子構成として、図１
３のような積層構造ではなく、基板上に基板平面とほぼ
平行にエミッタとゲ−ト電極を配置した例もある。

【０００８】また、ＭＩＭ型の例としては、たとえば、
Ｃ．Ａ．Ｍｅａｄ，”Ｏｐｅｒａｔｉｏｎｏｆｔｕｎ
ｎｅｌ−ｅｍｉｓｓｉｏｎＤｅｖｉｃｅｓ，Ｊ．Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３２，６４６（１９６１）などが知
られている。ＭＩＭ型の素子構成の典型的な例を図１４
に示す。同図は断面図であり、図において、３０２０は
基板で、３０２１は金属よりなる下電極、３０２２は厚
さ１００オングストロ−ム程度の薄い絶縁層、３０２３
は厚さ８０〜３００オングストロ−ム程度の金属よりな
る上電極である。ＭＩＭ型においては、上電極３０２３
と下電極３０２１の間に適宜の電圧を印加することによ
り、上電極３０２３の表面より電子放出を起こさせるも
のである。

【０００９】上述の冷陰極素子は、熱陰極素子と比較し
て低温で電子放出を得ることができるため、加熱用ヒ−
タ−を必要としない。したがって、熱陰極素子よりも構
造が単純であり、微細な素子を作成可能である。また、
基板上に多数の素子を高い密度で配置しても、基板の熱
溶融などの問題が発生しにくい。また、熱陰極素子がヒ
−タ−の加熱により動作するため応答速度が遅いのとは
異なり、冷陰極素子の場合には応答速度が速いという利
点もある。このため、冷陰極素子を応用するための研究
が盛んに行われてきている。

【００１０】たとえば、表面伝導型放出素子は、冷陰極
素子のなかでも特に構造が単純で製造も容易であること
から、大面積にわたり多数の素子を形成できる利点があ
る。そこで、たとえば本出願人による特開昭６４−３１
３３２号において開示されるように、多数の素子を配列
して駆動するための方法が研究されている。

【００１１】また、表面伝導型放出素子の応用について
は、たとえば、画像形成装置、画像記録装置などの画像
形成装置や、荷電ビ−ム源、等が研究されている。

【００１２】特に、画像形成装置への応用としては、た
とえば本出願人によるＵＳＰ５，０６６，８８３や特
開平２−２５７５５１号や特開平４−２８１３７号にお
いて開示されているように、表面伝導型放出素子と電子
ビ−ムの照射により発光する蛍光体とを組み合わせて用
いた画像形成装置が研究されている。表面伝導型放出素
子と蛍光体とを組み合わせて用いた画像形成装置は、従
来の他の方式の画像形成装置よりも優れた特性が期待さ
れている。たとえば、近年普及してきた液晶形成装置と
比較しても、自発光型であるためバックライトを必要と
しない点や、視野角が広い点が優れていると言える。

【００１３】また、ＦＥ型を多数個ならべて駆動する方
法は、たとえば本出願人によるＵＳＰ４，９０４，８９
５に開示されている。また、ＦＥ型を画像形成装置に応
用した例として、たとえば、Ｒ．Ｍｅｙｅｒらにより
報告された平板型形成装置が知られている［Ｒ．Ｍｅｙ
ｅｒ：”ＲｅｃｅｎｔＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｎＭ
ｉｃｒｏ−ｔｉｐｓＤｉｓｐｌａｙａｔＬＥＴ
Ｉ”，Ｔｅｃｈ．Ｄｉｇｅｓｔｏｆ４ｔｈＩｎｔ．
ＶａｃｕｕｍＭｉｃｒｏｅｌｅ−ｃｔｒｏｎｉｃｓＣ
ｏｎｆ．，Ｎａｇａｈａｍａ，ｐｐ．６〜９（１９９
１）］。

【００１４】また、ＭＩＭ型を多数個並べて画像形成装
置に応用した例は、たとえば本出願人による特開平３−
５５７３８号に開示されている。

【００１５】上記のような電子放出素子を用いた画像形
成装置のうちで、奥行きの薄い平面型形成装置は省スペ
ースかつ軽量であることから、ブラウン管型の形成装置
に置き換わるものとして注目されている。

【００１６】図１５は、平面型の画像形成装置をなす表
示パネル部の一例を示す斜視図であり、内部構造を示す
ためにパネルの一部を切り欠いて示している。

【００１７】図中、３１１５はリアプレート、３１１６
は側壁、３１１７はフェースプレートであり、リアプレ
ート３１１５、側壁３１１６およびフュースプレート３
１１７により、表示パネルの内部を真空に維持するため
の外囲器（気密容器）を形成している。

【００１８】リアプレート３１１５には基板３１１１が
固定されているが、この基板３１１１上には冷陰極素子
３１１２が、ＮＸＭ個形成されている（Ｎ、Ｍは２以上
の正の整数であり、目的とする表示画素数に応じて適宜
設定される。）。また、前記ＮＸＭ個の冷陰極素子３１
１２は、図１５に示すとおり、Ｍ本の行方向配線３１１
３とＮ本の列方向配線３１１４により配線されている。
これら基板３１１１、冷陰極素子３１１２、行方向配線
３１１３および列方向配線３１１４によって構成される
部分をマルチ電子ビーム源と呼ぶ。また、行方向配線３
１１３と列方向配線３１１４の少なくとも交差する部分
には、両配線間に絶縁層(不図示)が形成されており、電
気的な絶縁が保たれている。

【００１９】フェースプレート３１１７の下面には、蛍
光体からなる蛍光膜３１１８が形成されており、赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、育（Ｂ）の３原色の蛍光体（不図
示）が塗り分けられている。また、蛍光膜３１１８をな
す上記各色蛍光体の間には黒色体（不図示）が設けてあ
り、さらに蛍光膜３１１８のリアプレート３１１５側の
面には、Ａｌ等からなるメタルバック３１１９が形成さ
れている。

【００２０】Ｄｘ１〜ＤｘｍおよびＤｙ１〜Ｄｙｎおよ
びＨｖは、当該表示パネルと不図示の電気回路とを電気
的に接続するために設けた気密構造の電気接続用端子で
ある。Ｄｘ１〜Ｄｘｍはマルチ電子ビーム源の行方向配
線３１１３と、Ｄｙ１〜Ｄｙｎはマルチ電子ビーム源の
列方向配線３１１４と、Ｈｖはメタルバック３１１９と
各々電気的に接続している。

【００２１】また、上記気密容器の内部は１０のマイナ
ス６乗Ｔｏｒｒ程度の真空に保持されており、画像形成
装置の表示面積が大きくなるにしたがい、気密容器内部
と外部の気圧差によるリアプレート３１１５およびフェ
ースプレート３１１７の変形あるいは破壊を防止する手
段が必要となる。リアプレート３１１５およびフェース
プレート３１１６を厚くすることによる方法は、画像形
成装置の重量を増加させるのみならず、斜め方向から見
たときに画像のゆがみや視差を生ずる。これに対し、図
１５においては、比較的薄いガラス板からなり大気圧を
支えるための構造支持体（スペーサあるいはリブと呼ば
れる）３１２０が設けられている。このようにして、マ
ルチビーム電子源が形成された基板３１１１と蛍光膜３
１１８が形成されたフェースプレート３１１６間は通常
サブミリないし数ミリに保たれ、前述したように気密容
器内部は高真空に保持されている。

【００２２】以上説明した表示パネルを用いた画像形成
装置は、容器外端子Ｄｘ１ないしＤｘｍ、Ｄｙ１ないし
Ｄｙｎを通じて各冷陰極素子３１１２に電圧を印加する
と、各冷陰極素子３１１２から電子が放出される。それ
と同時にメタルバック３１１９に容器外端子Ｈｖを通じ
て数百［Ｖ］ないし数［ｋＶ］の高圧を印加して、上記
放出された電子を加速し、フェースプレート３１１７の
内面に衝突させる。これにより、蛍光膜３１１８をなす
各色の蛍光体が励起されて発光し、画像が表示される。

【００２３】

【発明が解決しようとする課題】以上説明した画像形成
装置の表示パネルにおいては、以下のような問題点があ
った。

【００２４】冷陰極素子３１１２からの放出電子を加速
するためにマルチビーム電子源とフェースプレート３１
１７との間には数百Ｖ以上の高電圧（即ち１ｋＶ／ｍｍ
以上の高電界）が印加されるため、スペーサ３１２０表
面での沿面放電が懸念される。

【００２５】この沿面放電は、スペーサ表面の汚れ、異
物の付着や、基板３１１１及び蛍光膜３１１８とのコン
タクト不良などが原因と考えられる。これらの対策とし
て、有機溶剤による化学的洗浄さらにはＵＶオゾン洗浄
などで処理しても、完全には除去しきれない場合があ
り、以下のような問題が発生していた。

【００２６】これらの放電は、画像表示中に突発的に起
こり、画像を乱すだけでなく、放電個所近傍の冷陰極素
子３１１２を著しく劣化させ、その後の表示が正常にで
きなくなるという問題が有った。

【００２７】また、スペーサ３１２０の近傍から放出さ
れた電子の一部がスペーサ３１２０に当たることによ
り、あるいは放電電子の作用でイオン化したイオンがス
ペーサに付着することにより、スペーサ帯電を引き起こ
している場合は、スペーサ近傍の電界が乱れ、電子ビー
ム軌道に影響を与え、正常な画像表示ができなくなると
いう問題が有った。

【００２８】この問題点を解決する為に、スペーサに微
小電流が流れるようにして帯電を除去する提案がなされ
ている（特開昭５７−１１８３５５号、特開昭６１−１
２４０３１号）。そこでは絶縁性のスペーサの表面に高
抵抗薄膜を形成することにより、スペーサ表面に微小電
流が流れるようにしている。ここで用いられている帯電
防止膜は酸化スズ、あるいは酸化スズと酸化インジウム
混晶薄膜や金属膜である。

【００２９】帯電防止膜の機能をさらに強化するため
に、スペーサ３１２０が基板３１１１、あるいは蛍光膜
３１１８と接触する面、ならびにその近傍に導電性の低
抵抗膜を配置している。これにより帯電防止膜と基板３
１１１、及び蛍光膜３１１８の間の電気的接続が確保さ
れる。

【００３０】半面、基板３１１１と蛍光膜３１１８の間
に高電圧を印加するときには前記低抵抗膜が放電の原因
となりやすい。

【００３１】本発明は、上記従来スペーサの欠点を克服
するためになされたもであり、画像表示時の放電を防止
し、良好な表示画像を得る為の画像形成装置の製造方法
およびその方法により製造される画像系形成装置を提供
することを目的とする。

【００３２】

【課題を解決するための手段】本発明は、電子ビーム源
を形成したリアプレートと、電子ビームの照射により発
光する蛍光体を形成したフェースプレートと、前記リア
プレートと前記フェースプレートとに挟まれたスペーサ
を備えた画像形成装置の製造方法において、電極の間に
前記スペーサを配置して該電極間に高電圧を印加する工
程を有することを特徴とする画像形成装置の製造方法で
ある。

【００３３】さらに本発明は、電子ビーム源を形成した
リアプレートと、電子ビームの照射により発光する蛍光
体を形成したフェースプレートと、前記リアプレートと
前記フェースプレートとに挟まれたスペーサを備えた画
像形成装置の製造方法において、導電部が露出している
前記スペーサと他の電極との間に高電圧を印加する工程
を有することを特徴とする画像形成装置の製造方法であ
る。

【００３４】本発明においては、例えば、高電圧を印加
する工程の前にスペーサに成膜する工程を行ってもよい
し、成膜していないスペーサ基板自体に高電圧を印加し
てもよい。また、このスペーサに成膜する工程は、例え
ば、スペーサとフェースプレートあるいはリアプレート
との当接面の少なくとも一方に導電性の低抵抗膜を成膜
する工程、あるいはスペーサの真空中に露出する少なく
とも一部に帯電防止膜を成膜する工程である。

【００３５】スペーサに高電圧を印加する工程は真空中
または気体中で行う。高電圧は、低圧から徐々に昇圧し
ていく直流、低圧から徐々に昇圧していく交流、低圧か
ら徐々に昇圧していくパルス電圧などを用いる。

【００３６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態
を、具体的なデータと共に説明する。

【００３７】＜実施形態１＞以下、本実施形態の画像形
成装置について、スペーサの製法の流れコンディショニング工程の詳細パネルの製法スペーサ近傍の構成と成膜法詳細の順で詳細に説明する。

【００３８】（スペーサの製法の流れ）始めに、本発明
のスペーサの製造方法の工程の流れを図１を用いて簡単
に説明する。

【００３９】まず、スペーサに高抵抗膜を真空中に露出
する少なくとも一部分に成膜する（ステップＳ１０
１）。この工程について詳しくは後述する。

【００４０】次にスペーサの当接面にスペーサ電極を成
膜する工程を行う（ステップＳ１０２）。この工程につ
いて詳しくは後述する。

【００４１】次に、スペーサを真空チャンバにセット
し、高電圧を印加する工程（コンディショニング工程）
を行う（ステップＳ１０３）。この工程について詳しく
は後述する。

【００４２】以上の工程で、本発明の画像形成装置の製
造に用いるスペーサを製作した。なお、ステップＳ１０
１とステップＳ１０２は反対の順序でもよい。

【００４３】（コンディショニング工程の詳細）次に、
コンディショニング工程（図１：ステップＳ１０３）に
ついて詳細に述べる。

【００４４】本発明の特徴であるスペーサに高電圧を印
加する工程の目的としては以下の２点があげられる。

【００４５】第１に、重大な欠陥品をいち早く発見し、
製品歩留まりを向上させることである。従来の製法で
は、スペーサに画像表示と同等の高電圧を印加するの
は、パネルを封止した後であった。これに対し高電圧を
印加する工程をより前に持ってくることで、高電圧印加
不可である欠陥品を発見し、その後のプロセスを中断す
ることが可能となる。高電圧印加不可とは、スペーサへ
のごみ付着や形状的欠陥等の理由で放電が連続的に頻発
し、耐圧向上がみられないような状態が考えられる。

【００４６】第２に、いわゆるコンディショニング効果
により、スペーサに起因する放電源を取り除き、絶縁耐
圧、放電耐圧の向上を図ることである。

【００４７】図２の模式図を用い、コンディショニング
効果について説明する。図２において、横軸は放電回
数、縦軸はその時の放電電圧である。放電回数とともに
放電電圧は上昇し、耐圧が向上していくことが分かる。

【００４８】このように放電を重ねることによって耐圧
が向上することを、一般にコンディショニング効果と呼
んでいる。コンディショニング効果をもたらす要因とし
ては、吸着ガスや付着物の除去、微小突起の平滑化によ
る電界放出電子電流の減少、熱融解による表面形状改善
等がいわれているが、詳細は現在も不明である。

【００４９】従来の表面伝導型放出素子を用いた画像形
成装置の製法、すなわち、パネルを封止した後に高電圧
を印加した場合でも、このコンディショニング効果はみ
られる。しかし前述したとおり、コンディショニングに
伴う放電による表面伝導型放出素子へのダメージが大き
く、放電個所周辺の素子が著しく劣化する場合があり、
歩留まりを落とす原因となっていた。

【００５０】本発明の方法によれば、スペーサ単体でコ
ンディショニングを行う為、表面伝導型放出素子に影響
はなく、高耐圧で良好な画像表示が可能な画像形成装置
を提供することができる。

【００５１】また、本発明の特徴として、スペーサに成
膜後に上記コンディショニング工程を行うことがあげら
れる。これは以下の理由により採用されている。

【００５２】本例においては、詳しくは後述するが、表
面全体に帯電防止を目的とした高抵抗膜（図１：Ｓ１０
１）、スペーサと上下プレートとの当接面に、主に電気
的コンタクトを目的とした低抵抗膜（図１：Ｓ１０２）
の２種類の膜を形成する。

【００５３】このように成膜することで、成膜前のスペ
ーサに比べ耐圧が下がる、すなわち放電しやすくなる場
合があることが発明者らの研究により、実験的に確かめ
られている。

【００５４】これは、成膜した膜に発生する各種欠陥
（剥がれ、浮き、むら、バリ）への電界集中により、引
き起こされると考えられている。このため、成膜前のス
ペーサをコンディショニング処理して耐圧を向上させて
も、次の成膜工程で再び放電要因が生成される可能性が
あり、必ずしも当初の耐圧が保存するわけではない。つ
まり、成膜後にコンディショニング処理を行うことで、
より効果的で確実な耐圧向上が期待できる。

【００５５】次に、本発明の特徴であるスペーサに高電
圧を印加する工程について具体的に説明する。

【００５６】図３に、本例の概略構成を示す。ここで
は、上述のように、このスペーサは既に高抵抗膜と低抵
抗膜が成膜されている。

【００５７】図３に、本例の概略構成を示す。

【００５８】まず、スペーサ１０２０を上電極３０２と
下電極３０３に挟む格好で治具３０４にセットする。治
具３０４はセラミック製で上板が上電極３０２と、下板
が下電極３０３と固定されており、それぞれ図示の取り
出し配線を通じ給電される。上板と下板は、図のように
支柱とネジで連結されている。

【００５９】スペーサのセットは、上電極上に不図示の
補助治具によってスペーサ１０２０を垂直に保持し、上
電極（上板）をかぶせネジでスペーサと上下電極を固定
した後、補助治具を除去することで行った。

【００６０】この治具３０４を真空チャンバー３０５に
セットし、真空排気後、スペーサに高電圧を印加する工
程を行う。

【００６１】本例においては、真空容器中は、１０のマ
イナス７乗［Ｔｏｒｒ］程度の真空に保たれる。下電極
は、チャンバに取り付けられた不図示の電流導入端子を
通しＧＮＤ電位になっている。上電極は、不図示の電流
導入端子、電流制限抵抗３０６を介し、高圧直流電源発
生装置（高圧電源１０１）に接続される。

【００６２】図４は、時間に対する印加電圧と放電回数
を示す模式図である。

【００６３】印加電圧は、直流電圧であり、図のように
７ＫＶから１５ＫＶまで５００Ｖ／５分の割合で昇圧
し、１５ＫＶで、１５分間保持した。本例では一定レー
トで昇圧したが、階段状に昇圧してもよい。

【００６４】放電は８ＫＶを少し超えたところからが観
察されはじめ、１４ＫＶ付近まで増加するが、その後減
少に転じ、１５ＫＶに保持すると、まもなく０になる。
これは、前述のコンディショニング効果によるものであ
る。

【００６５】また、上記電圧や昇圧レート、保持時間な
どは、本発明に好適な値であり、スペーサの設計が変わ
れば条件を適宜変更するのが望ましい。ただし、その場
合でも画像表示に必要な加速電圧以上の電圧において、
放電が観察されなくなって十分時間が経つまで保持する
ことが必要である。

【００６６】以上のようにして、本例で用いるスペーサ
１０２０を作成した。

【００６７】（パネルの製法）次に、上述したスペーサ
１０２０を用いた、本発明の表示パネルの製造方法を詳
述する。

【００６８】図１０は、本実施形態に用いた表示パネル
１０１の外観斜視図であり、その内部構造を示すために
表示パネル１０１の一部を切り欠いて示している。

【００６９】まず、予め基板１０１１上に行方向配線電
極１０１３、列方向配線電極１０１４、電極間絶縁層
（不図示）、及び表面伝導型放出素子の素子電極１１０
２，１１０３と導電性薄膜１１０４を形成した基板１０
１１を、リアプレート１０１５に固定した。次に、前述
した方法で作成されたスペーサ１０２０を基板１０１１
の行方向配線１０１３上に等間隔で、行方向配線１０１
３と平行に固定した。その後、基板１０１１の約５ｍｍ
上方に、内面に蛍光膜１０１８とメタルバック１０１９
が付設されたフェースプレート１０１７を側壁１０１６
を介して配置し、リアプレート１０１５、フェースプレ
ート１０１７、側壁１０１６およびスペーサ１０２０の
各接合部を固定した。基板１０１１とリアプレート１０
１５の接合部、リアプレート１０１５と側壁１０１６の
接合部、およびフェースプレート１０１７と１０側壁１
０１６の接合部は、フリットガラス（不図示）を塗布
し、大気中で４００℃乃至５００℃で１０分以上焼成す
ることで封着した。また、スペーサ１０２０は、基板１
０１１側では行方向配線１０１３（線幅約３００［マイ
クロメートル］）上に、フェースプレート１０１７側で
はメタルバック１０１９面上に、導電性のフィラー或は
金属等の導電材を混合した導電性フリットガラス（不図
示）を介して配置し、上記気密容器の封着と同時に、大
気中で４００℃乃至５００℃で１０分以上焼成すること
で接着し、かつ電気的な接続も行った。

【００７０】以上のようにして完成した気密容器内を排
気管（不図示）を通じ真空ポンプにて排気し、十分な真
空度に達した後、容器外端子Ｄx1〜ＤxMとＤy1〜ＤyNを
通じ、行方向配線電極１０１３および列方向配線電極１
０１４を介して各素子に給電して前述の通電フォーミン
グ処理を行うことによりマルチ電子源を製造した。次
に、１０のマイナス６乗［torr］程度の真空度で、不図
示の排気管をガスバーナで熱することで溶着し外囲器
（気密容器）の封止を行った。そして最後に、封止後の
真空度を維持するために、ゲッター処理を行った。

【００７１】以上の表示パネルでは、前述した、電極間
の導電性微粒子膜に電子放出部を有する表面伝導型放出
素子をＮ×Ｍ個（Ｎ＝３０７２、Ｍ＝１０２４）、Ｍ本
の行方向配線とＮ本の列方向配線とによりマトリクス状
に配線（図１０参照）したマルチ電子源を用いた。

【００７２】（スペーサ近傍の構成と成膜法詳細）次に
スペーサ近傍の構成を図１１を用いて詳細に説明する。

【００７３】図１１は図１０のＡ−Ａ’の断面模式図で
あり、各部の番号は図１０に対応している。

【００７４】スペーサ１０２０は、上述の通り、スペー
サ基板２０１の表面に帯電防止を目的とした高抵抗膜１
１を成膜し、かつフェースプレート１０１７の内側（メ
タルバック１０１９等）及び基板１０１１の表面（行方
向配線１０１３または列方向配線１０１４）に面したス
ペーサの当接面３及び側面５に後述の方法で低抵抗膜２
１を成膜した部材であり、耐大気圧構造を達成するのに
必要な数だけ、かつ必要な間隔をおいて配置され、フェ
ースプレート１０１７の内側及び基板１０１１の表面に
接合材１０４１により固定される。また高抵抗膜１１
は、スペーサ基板２０１の表面のうち、少なくとも気密
容器内の真空中に露出している面に成膜されており、ス
ペーサ１０２０上の低抵抗膜２１および接合材１０４１
を介して、フェースプレート１０１７の内側（メタルバ
ック１０１９等）及び基板１０１１の表面（行方向配線
１０１３または列方向配線１０１４）に電気的に接続さ
れる。

【００７５】ここで説明される態様においては、スペー
サ１０２０の形状は薄板状であり、行方向配線１０１３
に平行に配置され、行方向配線１０１３に電気的に接続
されている。スペーサ１０２０としては、基板１０１１
上の行方向配線１０１３および列方向配線１０１４とフ
ェースプレート１０１７内面のメタルバック１０１９と
の間に印加される高電圧に耐えるだけの絶縁性を有し、
かつスペーサ１０２０の表面への帯電を防止する程度の
導電性を有する必要がある。

【００７６】本例では図５に示すように、スペーサ基板
２０１として、４０ｍｍ×３ｍｍ、厚み０．２ｍｍの薄
板矩形上のソーダライムガラスを用いた。３ｍｍは、表
示パネルの厚みに相当する。またスペーサ基板は、厚さ
０．２ｍｍのソーダライム板ガラスを切り出すことで作
製した。なお、板ガラスからの切り出しに限らず、例え
ば加熱延伸法等により所望の形に加工してもよい。

【００７７】スペーサ基板２０１としては、ソーダライ
ムガラスに限らず、例えば石英ガラス、Ｎａ等の不純物
含有量を減少したガラス、アルミナ等のセラミックス部
材等が挙げられる。なお、スペーサ基板２０１はその熱
膨張率が気密容器および基板１０１１を成す部材と近い
ものが好ましい。

【００７８】次に、高抵抗膜１１の製法について詳述す
る。

【００７９】スペーサ基板２０１の表面に高抵抗膜１１
として、ＣｒおよびＡｌのターゲットを高周波電源で同
時スパッタすることにより、Ｃｒ-Ａｌ合金窒化膜を膜
厚２００ｎｍを形成した。このときのスパッタガスは、
Ａｒ：Ｎ₂が１：２の混合ガスで、全圧力は１ｍ［tor
r］である。上記条件で同時成膜した膜の表面抵抗Ｒは
２×１０の１１乗［Ω／□］であった。

【００８０】高抵抗膜は、この方法に限らず、以下の観
点より種々選択される。

【００８１】スペーサ１０２０の高抵抗膜１１には、高
電位側のフェースプレート１０１７（メタルバック１０
１９等）に印加される加速電圧Ｖａを帯電防止膜である
高抵抗膜１１の抵抗値Ｒｓで除した電流が流される。そ
こで、スペーサ１０２０の抵抗値Ｒｓは帯電防止及び消
費電力から、その望ましい範囲に設定される。帯電防止
の観点から表面抵抗は１０の１４乗［Ω／□］以下であ
ることが好ましい。更には、十分な帯電防止効果を得る
ためには１０の１２乗［Ω／□］以下が好ましい。尚、
この表面抵抗の下限はスペーサ１０２０の形状とスペー
サ１０２０間に印加される電圧により左右されるが、１
０の７乗［Ω／□］以上であることが好ましい。

【００８２】スペーサ基板上２０１に形成された高抵抗
膜高抵抗膜１１の厚みｔは、１０ｎｍ〜１μｍの範囲が
望ましい。このスペーサ基板上２０１の材料の表面エネ
ルギーおよび基板との密着性や基板温度によっても異な
るが、一般的に１０ｎｍ以下の薄膜は島状に形成され、
抵抗が不安定で再現性に乏しい。一方、膜厚ｔが１μｍ
以上では膜応力が大きくなって膜はがれの危険性が高ま
り、かつ成膜時間が長くなるため生産性が悪い。

【００８３】従って、膜厚は５０〜５００ｎｍであるこ
とが望ましい。表面抵抗は、ρ／ｔであり、以上に述べ
た表面抵抗と膜厚ｔとの好ましい範囲から、帯電防止膜
の比抵抗ρは１０［Ω・ｃｍ］乃至１０の８乗［Ω・ｃ
ｍ］が好ましい。更に表面抵抗と膜厚ｔのより好ましい
範囲を実現するためには、ρは１０の４乗乃至１０の６
乗［Ω・ｃｍ］とするのが良い。

【００８４】スペーサ１０２０は上述したように、その
上に形成した帯電防止膜を電流が流れることにより、或
いは表示パネル１０１全体が動作中に発熱することによ
り、その温度が上昇する。この帯電防止膜の抵抗温度係
数が大きな負の値であると温度が上昇した時に抵抗値が
減少し、スペーサ１０２０に流れる電流が増加し、更に
温度上昇をもたらす。そして電流は電源の限界を越える
まで増加し続ける。このような電流の暴走が発生する抵
抗温度係数の値は経験的に負の値で絶対値が１％以上で
ある。即ち、帯電防止膜の抵抗温度係数は−１％未満で
あることが望ましい。

【００８５】このような帯電防止特性を有する高抵抗膜
１１の材料としては、例えば金属酸化物を用いることが
できる。金属酸化物の中でも、クロム、ニッケル、銅の
酸化物が好ましい材料である。その理由はこれらの酸化
物は二次電子放出効率が比較的小さく、電子放出素子１
０１２から放出された電子がスペーサ１０２０に当たっ
た場合においても帯電しにくいためと考えられる。金属
酸化物以外にも炭素は二次電子放出効率が小さく好まし
い材料である。特に、非晶質カーボンは高抵抗であるた
め、スペーサ１０２０の抵抗を所望の値に制御しやす
い。

【００８６】帯電防止特性を有する高抵抗膜１１の他の
材料として、アルミニウムと遷移金属合金の窒化物は遷
移金属の組成を調整することにより、良伝導体から絶縁
体まで広い範囲に抵抗値を制御できるので好適な材料で
ある。更には後述する形成装置の作製工程において抵抗
値の変化が少なく安定な材料である。かつ、その抵抗温
度係数が−１％未満であり、実用的に使いやすい材料で
ある。遷移金属元素としてはＴｉ，Ｃｒ，Ｔａ等があげ
られる。

【００８７】合金窒化膜はスパッタ、窒素ガス雰囲気中
での反応性スパッタ、電子ビーム蒸着、イオンプレーテ
ィング、イオンアシスト蒸着法等の薄膜形成手段により
絶縁性部材上に形成される。金属酸化膜も同様の薄膜形
成法で作製することができるが、この場合窒素ガスに代
えて酸素ガスを使用する。その他、ＣＶＤ法、アルコキ
シド塗布法でも金属酸化膜を形成できる。カーボン膜は
蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法で作
製され、特に非晶質カーボンを作製する場合には、成膜
中の雰囲気に水素が含まれるようにするか、成膜ガスに
炭化水素ガスを使用する。

【００８８】次に低抵抗膜２１の製法について詳述す
る。

【００８９】本例では、低抵抗膜２１として、フェース
プレート１０１９、リアプレート１０１５との接続部
に、接続部と平行に、高さ２．８ｍｍ、幅４２ｍｍ、奥
行き１．１ｔの直方体ガラス製固定治具２０１２を図６
（ａ）（ｂ）のように、高さ３ｍｍのスペーサ基板２０
１と交互に配置し、更に同図（ｃ）に示すように、約２
００μｍの帯状に１０ｎｍ厚のＴｉ膜２０１３を形成し
た。その後２００ｎｍ厚のＰｔ膜をどちらもスパッタに
より気相形成した。なお、上記スパッタ成膜工程を上下
底面側に２回行い、同図（ｄ）のように形成した。この
際、Ｔｉ膜２０１３は、Ｐｔ膜の膜密着性を補強する下
地層として必要であった。

【００９０】低抵抗膜は、この方法に限らず、以下の観
点より種々選択される。

【００９１】スペーサ１０２０を構成する低抵抗膜２１
は、高抵抗膜１１を高電位側のフェースプレート１０１
７（メタルバック１０１９等）及び低電位側の基板１０
１１（配線１０１３、１０１４等）と電気的に接続する
ために設けられたものである。

【００９２】低抵抗膜は以下に列挙する複数の機能を有
することが出来る。

【００９３】高抵抗膜１１をフェースプレート１０
１７及び基板１０１１と電気的に接続する。

【００９４】既に記載したように、高抵抗膜１１はスペ
ーサ１０２０表面での帯電を防止する目的で設けられた
ものであるが、高抵抗膜１１をフェースプレート１０１
７（メタルバック１０１９等）及び基板１０１１（配線
１０１３、１０１４等）と直接或いは当接材１０４１を
介して接続した場合、接続部界面に大きな接触抵抗が発
生し、スペーサ１０２０の表面に発生した電荷を速やか
に除去できなくなる可能性がある。これを避けるため
に、フェースプレート１０１７、基板１０１１及び当接
材１０４１と接触するスペーサ１０２０の当接面２０３
に低抵抗の低抵抗膜を設けた。

【００９５】高抵抗膜１１の電位分布を均一化す
る。

【００９６】電子放出素子１０１２より放出された電子
は、フェースプレート１０１７と基板１０１１の間に形
成された電位分布に従って電子軌道を成す。スペーサ１
０２０の近傍で電子軌道に乱れが生じないようにするた
めには、高抵抗膜１１の電位分布を全域に亙って制御す
る必要がある。高抵抗膜１１をフェースプレート１０１
７（メタルバック１０１９等）及び基板１０１１（配線
１０１３、１０１４等）と直接或いは当接材１０４１を
介して接続した場合、接続部界面の接触抵抗のために接
続状態のむらが発生し、高抵抗膜１１の電位分布が所望
の値からずれてしまう可能性がある。これを避けるため
に、スペーサ１０２０がフェースプレート１０１７及び
基板１０１１と当接するスペーサ端部（当接面２０３）
の全長域に低抵抗の低抵抗膜を設け、この低抵抗膜部に
所望の電位を印加することによって、高抵抗膜１１全体
の電位を制御可能とした。

【００９７】放出電子の軌道を制御する。

【００９８】冷陰極素子１０１２より放出された電子
は、フェースプレート１０１７と基板１０１１の間に形
成された電位分布に従って電子軌道を成す。スペーサ近
傍の冷陰極素子から放出された電子に関しては、スペー
サを設置することに伴う制約（配線、素子位置の変更
等）が生じる場合がある。このような場合、歪みやむら
の無い画像を形成する為には、放出された電子の軌道を
制御してフェースプレート１０１７上の所望の位置に電
子を照射する必要がある。フェースプレート１０１７及
び基板１０１１と当接する面の側面部５に低抵抗の中間
層を設けることにより、スペーサ１０２０近傍の電位分
布に所望の特性を持たせ、放出された電子の軌道を制御
することが出来る。

【００９９】低抵抗膜２１は、高抵抗膜１１に比べ十分
に低い抵抗値を有する材料を選択すればよく、Ｎｉ，Ｃ
ｒ，Ａｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｐｄ等
の金属、あるいは合金、及びＰｄ，Ａｇ，Ａｕ，ＲｕＯ
₂，Ｐｄ−Ａｇ等の金属や金属酸化物とガラス等から構
成される印刷導体、あるいはＩｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂等の透
明導体及びポリシリコン等の半導体材料等より適宜選択
される。

【０１００】以上のように完成した、図１０に示される
ような表示パネル１０１を用いた画像形成装置におい
て、各冷陰極素子（表面伝導型放出素子）１０１２に
は、容器外端子Ｄx1〜ＤxM、Ｄy1〜ＤyNを通じ、走査信
号及び変調信号をそれぞれ印加することにより電子を放
出させ、メタルバック１０１９には、高圧端子Ｈｖを通
じて高圧を印加することにより放出電子ビームを加速し
て蛍光膜１０１８に電子を衝突させ、各色蛍光体（Ｒ、
Ｇ、Ｂ）を励起・発光させることで画像を表示した。な
お、高圧端子Ｈｖへの印加電圧Ｖａは１０［ｋＶ］、各
配線１０１３、１０１４間への印加電圧Ｖfは１４
［Ｖ］とした。

【０１０１】本例では上記駆動条件で、放電がない良好
な表示画像を得る事ができた。

【０１０２】＜実施形態２＞本実施形態が実施形態１と
違う点は、印加波形に交流を用いる点である。本例で
は、６０Ｈｚのサイン波高電圧を、片側ピーク値が図４
と同様になるように徐々に昇圧させて印加した。

【０１０３】交流にすることで、スペーサに正負両極性
の電位を与えることができ、また１サイクル毎に昇圧工
程を経ることで、より効果的にコンディショニング効果
を得ることが可能となる。

【０１０４】本例では印加波形に交流を用いたが、正負
両極の直流を交互に、あるいは２度に分けて印加しても
よい。また、印加波形にパルス電圧、より好ましくはイ
ンパルス電圧を用いてもよい。この場合、コンディショ
ニング工程でのスペーサへのダメージをより小さくで
き、高電圧印加不可品を減らすことで歩留まりを向上さ
せる効果がある。

【０１０５】このようにして製造された画像形成装置に
より、放電がない良好な表示画像を得る事ができた。

【０１０６】＜実施形態３＞本実施形態が実施形態１と
違う点は、高電圧を印加する際の雰囲気である。実施形
態１では真空雰囲気中で行ったが、本例では、窒素雰囲
気中で行う。

【０１０７】具体的には真空装置内を排気後、乾燥窒素
ガスを約３Torrの圧力になるように導入する。その後，
高電圧を印加する工程に移る。図７は、時間に対する印
加電圧と放電回数を示す模式図である。印加電圧は、図
のように１００Ｖから３００Ｖまで５０Ｖ／２０分の割
合で昇圧し、３００Ｖで、１５分間保持した。本例では
一定レートで昇圧したが、階段状に昇圧してもよい。放
電は１５０Ｖを少し超えたところから観察されはじめ、
２５０Ｖ付近まで増加するが、徐々に減少に転じ３００
Ｖに保持すると、まもなく０になる。

【０１０８】このように真空雰囲気中で高圧印加した場
合と比べ、窒素導入雰囲気中では、非常に低い電圧から
放電がはじまることが分かる。また本例の窒素雰囲気中
３００Ｖまでの高圧印加によって、真空雰囲気中１５Ｋ
Ｖの場合とほぼ同様のコンディショニング効果が得られ
ることを、実験的に確かめている。

【０１０９】本例によれば、真空装置や高圧電源等の装
置の小型化を図ることができる。

【０１１０】導入ガスとしては、窒素の他、ヘリウム、
ネオン、アルゴン、水素、酸素、二酸化炭素、空気など
から適宜選択されうる。

【０１１１】また上記圧力は、本発明の画像形成装置に
好適な値であり、設計が変われば適宜変更するのが望ま
しい。好ましくは、数百ｍｍTorrから数十Torrの圧力で
ある。印加電圧は、実施形態１と同様直流を用いたが、
実施形態２のように交流、パルス等でもよい。

【０１１２】このようにして製造された画像形成装置
は、放電がない良好な表示画像を得る事ができた。

【０１１３】＜実施形態４＞本実施形態が実施形態１と
違う点は、工程の流れである。実施形態１では高抵抗
膜、低抵抗膜共に成膜した後に、コンディショニング工
程を行ったが、本例では、低抵抗膜を成膜後、コンディ
ショニング工程を行って、その後、高抵抗膜を成膜す
る。

【０１１４】本例のスペーサの製造方法の工程の流れを
図８を用いて簡単に説明する。

【０１１５】まずスペーサに高抵抗膜を少なくても真空
中に露出する部分に成膜する（ステップＳ２０１）。次
にスペーサを真空チャンバにセットし、高電圧を印加す
る工程（コンディショニング工程）を行う。（ステップ
Ｓ２０２）。次にスペーサの当接面にスペーサ電極を成
膜する工程を行う（ステップＳ２０３）。

【０１１６】以上の工程で、本発明の画像形成装置の製
造に用いるスペーサを制作した。

【０１１７】図９に本例で作成したパネルのスペーサ近
傍の構成を示す。図から分かるとおり、本例において
は、低抵抗膜の上に高抵抗膜を成膜する構成になってい
る。各部の番号は図１１に対応している。

【０１１８】ステップＳ２０２のコンディショニング工
程は、実施形態１中の図３とほぼ同様な結果を示した。

【０１１９】また、このようにして製造された画像形成
装置は、放電がない良好な表示画像を得る事ができた。
これは以下のように理解できる。

【０１２０】すなわち低抵抗膜は、抵抗が低く部分
的に成膜しているのでエッジ部を持つため欠陥がある
と、容易に放電源となり得る。逆に高抵抗膜は、抵抗
が高く（誘電体：電界緩和）、全面に成膜している
為、多少の欠陥は放電源となり得ない。

【０１２１】このように本例によれば、低抵抗膜のみ成
膜の段階で、重大な欠陥品を更に早く発見し、製品歩留
まりを向上させる事ができる。

【０１２２】印加電圧は、実施形態１と同様直流を用い
たが、実施形態２のように交流、パルス等でもよい。ま
た実施形態３のように、気体中で行ってもよい。

【０１２３】＜実施形態５＞本実施形態が実施形態１と
違う点は、第１点はスペーサの作製法であり、本実施形
態においてはコンディショニング工程のみでスペーサに
成膜を行わず、第２点はスペーサの高さであり、実施形
態１〜４では３ｍｍであったが、本実施形態においては
１ｍｍとした。すなわち、フェースプレートとリアプレ
ート間のギャップは１ｍｍである。

【０１２４】本実施形態のコンディショニング工程の方
法は実施形態１に準ずるが、高電圧印加は５ＫＶまでと
した。また、コンディショニング工程において、実施形
態１中の図３とほぼ同様な傾向を示した場合から、ほと
んど５ＫＶまで放電しない場合までみられた。また、こ
のようにして製造された画像形成装置は、放電が無い良
好な表示画像を得る事ができた。これは以下のように理
解できる。

【０１２５】実施形態１中の図３とほぼ同様な傾向を示
したスペーサ、すなわちコンディショニング工程におい
て放電が多いスペーサは、本発明者らの研究により、コ
ンディショニング前のスペーサ表面に、汚れや異物など
の付着が多いものであることが分かった。

【０１２６】すなわち、コンディショニング工程によ
り、スペーサ表面がクリーニングされ、耐圧が向上した
と考えられる。また、前述したスペーサ表面の帯電によ
るビーム軌道の異常も認められなかった。これは、フェ
ースプレートとリアプレート間のギャップを１ｍｍにし
たことで、ビームのずれ量が実質的に画像表示に問題の
無いレベルに抑えられたことによる。

【０１２７】このように本実施形態によれば、スペーサ
に成膜工程を必要とせず、コンディショニング工程のみ
で耐圧向上に効果が有ることから、コスト的に有利であ
る。なお、コンディショニング工程後、実施形態１〜４
のように、スペーサに低抵抗膜や高抵抗膜を成膜しても
よい。この場合、放電源となる欠陥が生じないような成
膜方法にする必要が有る。

【０１２８】印加電圧は、実施形態１と同様直流を用い
たが、実施形態２のように交流、パルス等でもよい。ま
た実施形態３のように、気体中で行ってもよい。

【０１２９】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、歩
留まりを向上させ、スペーサに起因する放電が防止さ
れ、高輝度で良好な画像形成が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態１によるスペーサの製造方法
の工程の流れを示す図である。

【図２】本発明のコンディショニング効果を説明する図
である。

【図３】本発明の画像形成装置の製造方法を実施する為
の装置概略図である。

【図４】本発明の実施形態１によるスペーサの製造方法
における印加電圧と放電回数を示す図である。

【図５】本発明の実施形態のスペーサの形状を説明する
図である。

【図６】本発明の実施形態１の低抵抗膜の製法を説明す
る図である。

【図７】本発明の実施形態１によるスペーサの製造方法
における印加電圧と放電回数を示す図である。

【図８】本発明の実施形態４によるスペーサの製造方法
の工程の流れを示す図である。

【図９】実施形態４における、図１０の表示パネルのＡ
−Ａ’断面図である。

【図１０】本発明の実施形態の画像形成装置の表示パネ
ルの一部を切り欠いて示した斜視図である。

【図１１】図１０の表示パネルのＡ−Ａ’断面図であ
る。

【図１２】従来知られた表面伝導型放出素子の一例を示
す図である。

【図１３】従来知られたＦＥ型素子の一例を示す図であ
る。

【図１４】従来知られたＭＩＭ型素子の一例を示す図で
ある。

【図１５】画像形成装置の表示パネルの一部を切り欠い
て示した斜視図である。

【符号の説明】

１０１高圧電源２０１スペーサ基板３０３下電極３０４治具３０５真空チャンバー１０２０スペーサ２０１２直方体ガラス製固定治具２０１３Ｔｉ膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電子ビーム源を形成したリアプレート
と、電子ビームの照射により発光する蛍光体を形成した
フェースプレートと、前記リアプレートと前記フェース
プレートとに挟まれたスペーサを備えた画像形成装置の
製造方法において、電極の間に前記スペーサを配置して
該電極間に高電圧を印加する工程を有することを特徴と
する画像形成装置の製造方法。
【請求項２】電子ビーム源を形成したリアプレート
と、電子ビームの照射により発光する蛍光体を形成した
フェースプレートと、前記リアプレートと前記フェース
プレートとに挟まれたスペーサを備えた画像形成装置の
製造方法において、導電部が露出している前記スペーサ
と他の電極との間に高電圧を印加する工程を有すること
を特徴とする画像形成装置の製造方法。
【請求項３】高電圧を印加する工程の前に、スペーサ
に成膜する工程を有する請求項１または２記載の画像形
成装置の製造方法。
【請求項４】スペーサに成膜する工程は、導電性の低
抵抗膜を成膜する工程である請求項３記載の画像形成装
置の製造方法。
【請求項５】スペーサに成膜する工程は、該スペーサ
とフェースプレートあるいはリアプレートとの当接面の
少なくとも一方に導電性の低抵抗膜を成膜する工程であ
る請求項４記載の画像形成装置の製造方法。
【請求項６】スペーサに成膜する工程は、帯電防止膜
を成膜する工程である請求項３記載の画像形成装置の製
造方法。
【請求項７】スペーサに成膜する工程は、該スペーサ
の真空中に露出する少なくとも一部に帯電防止膜を成膜
する工程である請求項６記載の画像形成装置の製造方
法。
【請求項８】スペーサに高電圧を印加する工程を、真
空中で行う請求項１乃至７の何れか一項記載の画像形成
装置の製造方法。
【請求項９】スペーサに高電圧を印加する工程を、気
体中で行う請求項１乃至７の何れか一項記載の画像形成
装置の製造方法。
【請求項１０】高電圧は、低圧から徐々に昇圧してい
く直流である請求項１乃至７の何れか一項記載の画像形
成装置の製造方法。
【請求項１１】高電圧は、低圧から徐々に昇圧してい
く交流である請求項１乃至１０の何れか一項記載の画像
形成装置の製造方法。
【請求項１２】高電圧は、低圧から徐々に昇圧してい
くパルス電圧である請求項１乃至１０の何れか一項記載
の画像形成装置の製造方法。
【請求項１３】電子ビーム源は、冷陰極素子である請
求項１乃至１２の何れか一項記載の画像形成装置の製造
方法。
【請求項１４】電子ビーム源は、表面伝導型放出素子
である請求項１乃至１２の何れか一項記載の画像形成装
置の製造方法。
【請求項１５】請求項１乃至１４の何れか一項に記載
の方法により製造されたことを特徴とする画像形成装
置。