JP2000244825A - 固体検出器の欠陥判定方法および装置 - Google Patents
固体検出器の欠陥判定方法および装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 放射線固体検出器を構成する素子の欠陥を判
定する欠陥判定装置において、簡易且つ適正に欠陥を判
定できるようにする。 【解決手段】 ヒストグラム作成手段２２が、暗（明）
状態で読み出した各検出素子の画像データＤ（ｐ，ｉ）
のヒストグラムを作成する。欠陥判定値決定手段２３
が、ヒストグラムの度数が最大度数Hmaxとなる検出信号
の値Dmaxを基準にして、ヒストグラムの度数が最大度数
Hmaxから最初に所定の度数（例えば０）以下となる下側
欠陥判定値Ｄｃ１および上側欠陥判定値Ｄｃ２を決定す
る。判定手段２４が、下側欠陥判定値Ｄｃ１以下および
上側欠陥判定値Ｄｃ２以上を欠陥範囲とし、この欠陥範
囲の検出信号を出力する全検出素子を暗（明）状態にお
ける欠陥素子と判定する。
定する欠陥判定装置において、簡易且つ適正に欠陥を判
定できるようにする。 【解決手段】 ヒストグラム作成手段２２が、暗（明）
状態で読み出した各検出素子の画像データＤ（ｐ，ｉ）
のヒストグラムを作成する。欠陥判定値決定手段２３
が、ヒストグラムの度数が最大度数Hmaxとなる検出信号
の値Dmaxを基準にして、ヒストグラムの度数が最大度数
Hmaxから最初に所定の度数（例えば０）以下となる下側
欠陥判定値Ｄｃ１および上側欠陥判定値Ｄｃ２を決定す
る。判定手段２４が、下側欠陥判定値Ｄｃ１以下および
上側欠陥判定値Ｄｃ２以上を欠陥範囲とし、この欠陥範
囲の検出信号を出力する全検出素子を暗（明）状態にお
ける欠陥素子と判定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体検出器を構成
する検出素子の欠陥を判定する方法および装置に関し、
より詳細には、光を検出して画像信号を出力するＣＣＤ
撮像素子等の固体撮像素子や放射線を検出して画像信号
を出力する放射線固体検出器等を構成する多数の検出素
子の中の欠陥素子を判定する欠陥判定方法および欠陥判
定装置に関するものである。
する検出素子の欠陥を判定する方法および装置に関し、
より詳細には、光を検出して画像信号を出力するＣＣＤ
撮像素子等の固体撮像素子や放射線を検出して画像信号
を出力する放射線固体検出器等を構成する多数の検出素
子の中の欠陥素子を判定する欠陥判定方法および欠陥判
定装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、可視光を検出して画像信号を
出力するＣＣＤ撮像素子等の固体撮像素子が、ビデオカ
メラやデジタルスチルカメラ等に広く利用されている。
この固体撮像素子は、光電変換素子が行列状に多数配置
され、カラー用の場合にはさらに各光電変換素子上に色
フィルタが重ねられたもので、可視画像情報を担持する
画像信号を２次元マトリクス情報として出力するもので
ある。
出力するＣＣＤ撮像素子等の固体撮像素子が、ビデオカ
メラやデジタルスチルカメラ等に広く利用されている。
この固体撮像素子は、光電変換素子が行列状に多数配置
され、カラー用の場合にはさらに各光電変換素子上に色
フィルタが重ねられたもので、可視画像情報を担持する
画像信号を２次元マトリクス情報として出力するもので
ある。
【０００３】また今日では、医療診断を目的とする放射
線撮影において、放射線を検出して画像信号を出力する
放射線固体検出器（半導体を主要部とするもの）が各種
提案、実用化されている。この放射線固体検出器として
は、種々のタイプのものが提案されているが、代表的な
ものとしては、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）により画像
情報を担持する蓄積電荷（「潜像電荷」ともいう）を読
み出す光変換方式の放射線固体検出器（特開昭59-21126
3 号、特開平2-164067号、ＰＣＴ国際公開番号ＷＯ92/0
6501号、SPIE Vol.1443 Medical Imaging V;Image Phys
ics(1991) ，p.108-119 等）或いは直接変換方式の放射
線固体検出器（MATERIAL PARAMETERS INTHICK HYDROGEN
ATED AMORPHOUS SILICON RADIATION DETECTORS,Lawrenc
e Berkeley Laboratory.University of California,Ber
keley.CA 94720 Xerox Parc.Palo Alto.CA 94304、Meta
l/Amorphous Silicon Multilayer Radiation Detector
s,IEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE.VOL.36.NO.2.
APRIL 1989、特開平1-216290号等）、並びに直接変換方
式の一つであって、読取光を走査して読み出す改良型直
接変換方式（「光読出し方式」ともいう）の放射線固体
検出器がある。
線撮影において、放射線を検出して画像信号を出力する
放射線固体検出器（半導体を主要部とするもの）が各種
提案、実用化されている。この放射線固体検出器として
は、種々のタイプのものが提案されているが、代表的な
ものとしては、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）により画像
情報を担持する蓄積電荷（「潜像電荷」ともいう）を読
み出す光変換方式の放射線固体検出器（特開昭59-21126
3 号、特開平2-164067号、ＰＣＴ国際公開番号ＷＯ92/0
6501号、SPIE Vol.1443 Medical Imaging V;Image Phys
ics(1991) ，p.108-119 等）或いは直接変換方式の放射
線固体検出器（MATERIAL PARAMETERS INTHICK HYDROGEN
ATED AMORPHOUS SILICON RADIATION DETECTORS,Lawrenc
e Berkeley Laboratory.University of California,Ber
keley.CA 94720 Xerox Parc.Palo Alto.CA 94304、Meta
l/Amorphous Silicon Multilayer Radiation Detector
s,IEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE.VOL.36.NO.2.
APRIL 1989、特開平1-216290号等）、並びに直接変換方
式の一つであって、読取光を走査して読み出す改良型直
接変換方式（「光読出し方式」ともいう）の放射線固体
検出器がある。
【０００４】ここで改良型直接変換方式の放射線固体検
出器とは、本願出願人が特願平10-232824号 において提
案したもの、すなわち直接変換方式の一つであって読取
用の電磁波（例えば可視光等）を走査して読み出す方式
のもので、記録用の放射線に対して透過性を有する第１
の導電体層、該第１の導電体層を透過した記録用の放射
線の照射を受けることにより光導電性（正確には放射線
導電性）を呈する記録用光導電層、第１の導電体層に帯
電される電荷と同極性の電荷に対しては略絶縁体として
作用し、かつ、該電荷と逆極性の電荷に対しては略導電
体として作用する電荷輸送層、読取用の電磁波の照射を
受けることにより光導電性（正確には電磁波導電性）を
呈する読取用光導電層、読取用の電磁波に対して透過性
を有する第２の導電体層を、この順に積層して成るもの
であり、記録用光導電層と電荷輸送層との界面に、画像
情報を担持する潜像電荷を蓄積するものである。第１の
導電体層および第２の導電体層は電極として機能するも
のである。また、この方式における検出素子は、記録用
光導電層、電荷輸送層および読取用光導電層を主要部と
するものである。
出器とは、本願出願人が特願平10-232824号 において提
案したもの、すなわち直接変換方式の一つであって読取
用の電磁波（例えば可視光等）を走査して読み出す方式
のもので、記録用の放射線に対して透過性を有する第１
の導電体層、該第１の導電体層を透過した記録用の放射
線の照射を受けることにより光導電性（正確には放射線
導電性）を呈する記録用光導電層、第１の導電体層に帯
電される電荷と同極性の電荷に対しては略絶縁体として
作用し、かつ、該電荷と逆極性の電荷に対しては略導電
体として作用する電荷輸送層、読取用の電磁波の照射を
受けることにより光導電性（正確には電磁波導電性）を
呈する読取用光導電層、読取用の電磁波に対して透過性
を有する第２の導電体層を、この順に積層して成るもの
であり、記録用光導電層と電荷輸送層との界面に、画像
情報を担持する潜像電荷を蓄積するものである。第１の
導電体層および第２の導電体層は電極として機能するも
のである。また、この方式における検出素子は、記録用
光導電層、電荷輸送層および読取用光導電層を主要部と
するものである。
【０００５】なお、この改良型直接変換方式の放射線固
体検出器において潜像電荷を読み出す、すなわち潜像電
荷が担持する静電潜像を読み出す方式としては、第２の
導電体層（以下「読取電極」という）を平板状のものと
し、この読取電極側にレーザ等のスポット状の読取光を
走査して潜像電荷を検出する方式と、読取電極をクシ歯
状のストライプ状電極とし、ストライプ状電極の長手方
向と略直角な方向に延びたライン光源を該ストライプ状
電極の長手方向に走査して潜像電荷を検出する方式があ
る。そして、何れの読出方式を採るものであっても、該
放射線固体検出器は、夫々が画素に対応する複数個の検
出素子が実質的に行列状に配列された２次元の放射線固
体検出器となっている。ここで「実質的」とは、検出器
自体としては個別の検出素子を行列状に配列して成るも
のとは言えないが、潜像電荷を読み出して得た画像信号
を処理する過程においては、例えばサンプリング点が画
素に対応することになるので、このように称しているも
のである。なお、ストライプ状電極としたものは、その
並び方向については、ストライプ状電極によって画素点
が規定される。
体検出器において潜像電荷を読み出す、すなわち潜像電
荷が担持する静電潜像を読み出す方式としては、第２の
導電体層（以下「読取電極」という）を平板状のものと
し、この読取電極側にレーザ等のスポット状の読取光を
走査して潜像電荷を検出する方式と、読取電極をクシ歯
状のストライプ状電極とし、ストライプ状電極の長手方
向と略直角な方向に延びたライン光源を該ストライプ状
電極の長手方向に走査して潜像電荷を検出する方式があ
る。そして、何れの読出方式を採るものであっても、該
放射線固体検出器は、夫々が画素に対応する複数個の検
出素子が実質的に行列状に配列された２次元の放射線固
体検出器となっている。ここで「実質的」とは、検出器
自体としては個別の検出素子を行列状に配列して成るも
のとは言えないが、潜像電荷を読み出して得た画像信号
を処理する過程においては、例えばサンプリング点が画
素に対応することになるので、このように称しているも
のである。なお、ストライプ状電極としたものは、その
並び方向については、ストライプ状電極によって画素点
が規定される。
【０００６】上述した各種方式の放射線固体検出器は、
何れも、固体検出素子が行列状に配列されて成り、放射
線画像情報を担持する画像信号を２次元マトリクス情報
として出力するものである。
何れも、固体検出素子が行列状に配列されて成り、放射
線画像情報を担持する画像信号を２次元マトリクス情報
として出力するものである。
【０００７】以下、可視光を検出して可視画像情報を担
持する画像信号を出力する固体撮像素子、および放射線
を検出して放射線画像情報を担持する画像信号を出力す
る放射線固体検出器を、まとめて「固体検出器」とい
う。なお、この固体検出器は、、２次元状のものだけで
なく、１次元状のものでもよい。
持する画像信号を出力する固体撮像素子、および放射線
を検出して放射線画像情報を担持する画像信号を出力す
る放射線固体検出器を、まとめて「固体検出器」とい
う。なお、この固体検出器は、、２次元状のものだけで
なく、１次元状のものでもよい。
【０００８】また、固体撮像素子を構成する光電変換素
子および放射線固体検出器を構成する固体検出素子（後
述する）等の各種素子を、まとめて「検出素子」とい
う。
子および放射線固体検出器を構成する固体検出素子（後
述する）等の各種素子を、まとめて「検出素子」とい
う。
【０００９】ところで、上述した固体検出器は、製造工
程中のゴミ付着や使用過程における損傷によるひっかき
キズ等によって、該固体検出器を構成する特定の検出素
子から検出信号が正常に出力されないという現象、いわ
ゆる画素欠陥が生じることがある。
程中のゴミ付着や使用過程における損傷によるひっかき
キズ等によって、該固体検出器を構成する特定の検出素
子から検出信号が正常に出力されないという現象、いわ
ゆる画素欠陥が生じることがある。
【００１０】この画素欠陥は、上述の如くゴミ等によっ
て生ずるもので、微細なものであるため、目視検査によ
って画素欠陥を判定するのは非常に困難である。そのた
め、、デジタル画像処理を利用して該画素欠陥を自動判
定する方法が各種提案されている（例えば、特開平１０
−１３３３０９号）。
て生ずるもので、微細なものであるため、目視検査によ
って画素欠陥を判定するのは非常に困難である。そのた
め、、デジタル画像処理を利用して該画素欠陥を自動判
定する方法が各種提案されている（例えば、特開平１０
−１３３３０９号）。
【００１１】この引例に記載されている欠陥判定方法
は、記録部材（本願の固体検出器に相当する）を平坦場
露光にさらした状態で平坦場画像を読み取り、滑らかな
背景画像を生成し、これに対応する値を平坦場画像のピ
クセル値から除外することにより残留画像を得（ローパ
スフィルタに相当する）、雑音分布の分散によって規定
される閾値で前記残留画像の絶対値をしきい化すること
により、残留画像の絶対値が閾値よりも大であるときに
は欠陥であるとするものである。
は、記録部材（本願の固体検出器に相当する）を平坦場
露光にさらした状態で平坦場画像を読み取り、滑らかな
背景画像を生成し、これに対応する値を平坦場画像のピ
クセル値から除外することにより残留画像を得（ローパ
スフィルタに相当する）、雑音分布の分散によって規定
される閾値で前記残留画像の絶対値をしきい化すること
により、残留画像の絶対値が閾値よりも大であるときに
は欠陥であるとするものである。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記欠
陥判定方法は、雑音分布の分散によって規定される閾値
（３σ〜５σ）で残留画像の絶対値をしきい化するの
で、たとえ正常画素であっても閾値（３σ〜５σ）から
はずれるものを欠陥と判定するという問題がある。例え
ば、残留画像がゴミ等によるものではなくバラツキの範
囲内のものであったときには、正常画素であるにも拘わ
らず欠陥画素として判定してしまうということになる。
また、残留画像を得るのに複雑な演算処理を必要とする
ため処理が面倒であるという問題もある。
陥判定方法は、雑音分布の分散によって規定される閾値
（３σ〜５σ）で残留画像の絶対値をしきい化するの
で、たとえ正常画素であっても閾値（３σ〜５σ）から
はずれるものを欠陥と判定するという問題がある。例え
ば、残留画像がゴミ等によるものではなくバラツキの範
囲内のものであったときには、正常画素であるにも拘わ
らず欠陥画素として判定してしまうということになる。
また、残留画像を得るのに複雑な演算処理を必要とする
ため処理が面倒であるという問題もある。
【００１３】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、検出素子の欠陥を簡易に判定することができ、ま
た適正に判定することができる欠陥素子判定方法および
装置を提供することを目的とするものである。
あり、検出素子の欠陥を簡易に判定することができ、ま
た適正に判定することができる欠陥素子判定方法および
装置を提供することを目的とするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明による第１の欠陥
判定方法は、可視光または放射線を検出する検出素子が
多数配列されて成る固体検出器の欠陥素子を判定する欠
陥判定方法であって、暗状態の各検出素子から出力され
た各検出信号のヒストグラムおよび／または一定量の光
または放射線を被写体を介さずに各検出素子に照射した
明状態の各検出素子から出力された各検出信号のヒスト
グラムを取得し、各検出信号のうち、正常と思われる画
素の代表値を求め、ヒストグラムの度数が前記代表値の
度数から最初に所定の度数以下となる検出信号の値を欠
陥判定値とし、各検出素子のうち、欠陥判定値を外れる
検出信号を出力する検出素子を欠陥素子と判定すること
を特徴とするものである。
判定方法は、可視光または放射線を検出する検出素子が
多数配列されて成る固体検出器の欠陥素子を判定する欠
陥判定方法であって、暗状態の各検出素子から出力され
た各検出信号のヒストグラムおよび／または一定量の光
または放射線を被写体を介さずに各検出素子に照射した
明状態の各検出素子から出力された各検出信号のヒスト
グラムを取得し、各検出信号のうち、正常と思われる画
素の代表値を求め、ヒストグラムの度数が前記代表値の
度数から最初に所定の度数以下となる検出信号の値を欠
陥判定値とし、各検出素子のうち、欠陥判定値を外れる
検出信号を出力する検出素子を欠陥素子と判定すること
を特徴とするものである。
【００１５】「暗状態」とは、可視光または放射線を全
く照射しない状態および一定且つ微小量の可視光または
放射線を被写体を介することなく各検出素子に照射した
状態の何れをも含む。「明状態」における一定量が暗状
態における一定量よりも大であるのは言うまでもない。
く照射しない状態および一定且つ微小量の可視光または
放射線を被写体を介することなく各検出素子に照射した
状態の何れをも含む。「明状態」における一定量が暗状
態における一定量よりも大であるのは言うまでもない。
【００１６】「暗状態の検出素子」とは、暗状態におい
て放射線画像情報が記録された検出器、つまり実質的に
は放射線画像情報が記録されていない検出器を構成する
検出素子を意味し、「明状態の検出素子」とは、明状態
において放射線画像情報が記録された検出器、つまり一
様の放射線画像情報が記録された検出器を構成する検出
素子を意味する。なお、両検出器が同じ検出器であるの
は言うまでもない。
て放射線画像情報が記録された検出器、つまり実質的に
は放射線画像情報が記録されていない検出器を構成する
検出素子を意味し、「明状態の検出素子」とは、明状態
において放射線画像情報が記録された検出器、つまり一
様の放射線画像情報が記録された検出器を構成する検出
素子を意味する。なお、両検出器が同じ検出器であるの
は言うまでもない。
【００１７】この第１の欠陥判定方法においては、検出
素子の感度を表す指標に応じて「所定の度数」を設定す
ることにより、検出素子の感度バラツキが考慮された欠
陥判定値とするのが望ましい。ここで「検出素子の感度
バラツキ」とは、検出素子の変換ゲイン或いは電荷読出
用の出力アンプのゲインバラツキやオフセット等によっ
て生じる、検出素子の出力レベルのバラツキを意味す
る。「検出素子の感度を表す指標」とは、前記「検出素
子の感度バラツキ」を表し得る指標であって、例えば、
各検出素子の明状態の検出信号値から暗状態の検出信号
値を引いた値の分散、または簡易的には明状態の検出信
号値の分散値を用いることができる。なお、この分散値
を求める処理は「所定の度数」を設定するときに行なえ
ばよく欠陥判定の都度に行なう必要はない。
素子の感度を表す指標に応じて「所定の度数」を設定す
ることにより、検出素子の感度バラツキが考慮された欠
陥判定値とするのが望ましい。ここで「検出素子の感度
バラツキ」とは、検出素子の変換ゲイン或いは電荷読出
用の出力アンプのゲインバラツキやオフセット等によっ
て生じる、検出素子の出力レベルのバラツキを意味す
る。「検出素子の感度を表す指標」とは、前記「検出素
子の感度バラツキ」を表し得る指標であって、例えば、
各検出素子の明状態の検出信号値から暗状態の検出信号
値を引いた値の分散、または簡易的には明状態の検出信
号値の分散値を用いることができる。なお、この分散値
を求める処理は「所定の度数」を設定するときに行なえ
ばよく欠陥判定の都度に行なう必要はない。
【００１８】本発明による第１の欠陥判定方法において
は、前記正常と思われる画素の代表値として、ヒストグ
ラムの最大（最大近傍も含む）度数を与える検出信号の
値、あるいは、前記各検出信号の平均値を用いることが
望ましい（後述する第２の欠陥判定方法においても同様
である）。
は、前記正常と思われる画素の代表値として、ヒストグ
ラムの最大（最大近傍も含む）度数を与える検出信号の
値、あるいは、前記各検出信号の平均値を用いることが
望ましい（後述する第２の欠陥判定方法においても同様
である）。
【００１９】この場合において「ヒストグラムの度数が
最大度数から最初に所定の度数以下となる検出信号の
値」とは、ヒストグラムの度数が最大となる検出信号の
値を基準にして、検出信号の値が小さくなる方向にヒス
トグラム度数を見ていき、度数が予め決められた所定の
度数以下となる初めての値および検出信号の値が大きく
なる方向にヒストグラム度数を見ていき、度数が予め決
められた所定の度数以下となる初めての値の少なくとも
一方を意味する。以下、前者（後者）によって決定され
る欠陥判定値を第１の欠陥判定方法における下側（上
側）欠陥判定値という。
最大度数から最初に所定の度数以下となる検出信号の
値」とは、ヒストグラムの度数が最大となる検出信号の
値を基準にして、検出信号の値が小さくなる方向にヒス
トグラム度数を見ていき、度数が予め決められた所定の
度数以下となる初めての値および検出信号の値が大きく
なる方向にヒストグラム度数を見ていき、度数が予め決
められた所定の度数以下となる初めての値の少なくとも
一方を意味する。以下、前者（後者）によって決定され
る欠陥判定値を第１の欠陥判定方法における下側（上
側）欠陥判定値という。
【００２０】「欠陥判定値を外れる検出信号」とは、欠
陥判定値を下側欠陥判定値とする場合には下側欠陥判定
値以下の検出信号を意味し、欠陥判定値を上側欠陥判定
値とする場合には上側欠陥判定値以上の検出信号を意味
する。
陥判定値を下側欠陥判定値とする場合には下側欠陥判定
値以下の検出信号を意味し、欠陥判定値を上側欠陥判定
値とする場合には上側欠陥判定値以上の検出信号を意味
する。
【００２１】なお、欠陥判定値として下側および上側欠
陥判定値の両方を使用するのが好ましく、この場合に
は、「欠陥判定値を外れる検出信号」とは、下側欠陥判
定値以下の検出信号および上側欠陥判定値以上の検出信
号の両方を含むのは言うまでもない。
陥判定値の両方を使用するのが好ましく、この場合に
は、「欠陥判定値を外れる検出信号」とは、下側欠陥判
定値以下の検出信号および上側欠陥判定値以上の検出信
号の両方を含むのは言うまでもない。
【００２２】本発明による第２の欠陥判定方法は、可視
光または放射線を検出する検出素子が多数配列されて成
る固体検出器の欠陥素子を判定する欠陥判定方法であっ
て、暗状態の各検出素子から出力された各検出信号のヒ
ストグラムおよび／または一定量の光または放射線を被
写体を介さずに各検出素子に照射した明状態の各検出素
子から出力された各検出信号のヒストグラムを取得し、
各検出信号のうち正常と思われる画素の代表値を求め、
該代表値に対して所定の係数を掛けた値または所定の値
を加算若しくは減算した値を欠陥判定値とし、各検出素
子のうち、欠陥判定値を外れる検出信号を出力する検出
素子を欠陥素子と判定することを特徴とするものであ
る。
光または放射線を検出する検出素子が多数配列されて成
る固体検出器の欠陥素子を判定する欠陥判定方法であっ
て、暗状態の各検出素子から出力された各検出信号のヒ
ストグラムおよび／または一定量の光または放射線を被
写体を介さずに各検出素子に照射した明状態の各検出素
子から出力された各検出信号のヒストグラムを取得し、
各検出信号のうち正常と思われる画素の代表値を求め、
該代表値に対して所定の係数を掛けた値または所定の値
を加算若しくは減算した値を欠陥判定値とし、各検出素
子のうち、欠陥判定値を外れる検出信号を出力する検出
素子を欠陥素子と判定することを特徴とするものであ
る。
【００２３】ここで「所定の係数」は１以上若しくは１
以下の値である。
以下の値である。
【００２４】この第２の欠陥判定方法においては、検出
素子の感度を表す指標に応じて「所定の係数」や「所定
の値」を設定することにより、検出素子の感度バラツキ
が考慮された欠陥判定値とするのが望ましい。以下、最
大となる検出信号の値より小さい（大きい）方の欠陥判
定値を第２の欠陥判定方法における下側（上側）欠陥判
定値という。
素子の感度を表す指標に応じて「所定の係数」や「所定
の値」を設定することにより、検出素子の感度バラツキ
が考慮された欠陥判定値とするのが望ましい。以下、最
大となる検出信号の値より小さい（大きい）方の欠陥判
定値を第２の欠陥判定方法における下側（上側）欠陥判
定値という。
【００２５】この第２の欠陥判定方法においても「欠陥
判定値を外れる検出信号」とは、欠陥判定値を下側欠陥
判定値とする場合には下側欠陥判定値以下の検出信号を
意味し、欠陥判定値を上側欠陥判定値とする場合には上
側欠陥判定値以上の検出信号を意味する。さらに、欠陥
判定値として下側および上側欠陥判定値の両方を使用す
るのが好ましく、この場合には、「欠陥判定値を外れる
検出信号」とは、下側欠陥判定値以下の検出信号および
上側欠陥判定値以上の検出信号の両方を含むのは勿論で
ある。
判定値を外れる検出信号」とは、欠陥判定値を下側欠陥
判定値とする場合には下側欠陥判定値以下の検出信号を
意味し、欠陥判定値を上側欠陥判定値とする場合には上
側欠陥判定値以上の検出信号を意味する。さらに、欠陥
判定値として下側および上側欠陥判定値の両方を使用す
るのが好ましく、この場合には、「欠陥判定値を外れる
検出信号」とは、下側欠陥判定値以下の検出信号および
上側欠陥判定値以上の検出信号の両方を含むのは勿論で
ある。
【００２６】本発明による第１の欠陥判定装置は、上記
第１の欠陥判定方法を実現する装置、すなわち、可視光
または放射線を検出する検出素子が多数配列されて成る
固体検出器の欠陥素子を判定する欠陥判定装置であっ
て、暗状態の各検出素子から出力された各検出信号のヒ
ストグラムおよび／または一定量の光または放射線を被
写体を介さずに各検出素子に照射した明状態の各検出素
子から出力された各検出信号のヒストグラムを取得する
ヒストグラム取得手段と、各検出信号のうち、正常と思
われる画素の代表値を求め、ヒストグラムの度数が前記
代表値の度数から最初に所定の度数以下となる検出信号
の値を欠陥判定値とする欠陥判定値決定手段と、各検出
素子のうち、欠陥判定値を外れる検出信号を出力する検
出素子を欠陥素子と判定する判定手段とを備えたことを
特徴とするものである。
第１の欠陥判定方法を実現する装置、すなわち、可視光
または放射線を検出する検出素子が多数配列されて成る
固体検出器の欠陥素子を判定する欠陥判定装置であっ
て、暗状態の各検出素子から出力された各検出信号のヒ
ストグラムおよび／または一定量の光または放射線を被
写体を介さずに各検出素子に照射した明状態の各検出素
子から出力された各検出信号のヒストグラムを取得する
ヒストグラム取得手段と、各検出信号のうち、正常と思
われる画素の代表値を求め、ヒストグラムの度数が前記
代表値の度数から最初に所定の度数以下となる検出信号
の値を欠陥判定値とする欠陥判定値決定手段と、各検出
素子のうち、欠陥判定値を外れる検出信号を出力する検
出素子を欠陥素子と判定する判定手段とを備えたことを
特徴とするものである。
【００２７】この第１の欠陥判定装置の欠陥判定値決定
手段は、検出素子の感度を表す指標に応じて所定の度数
を決定するものであるのが望ましい。
手段は、検出素子の感度を表す指標に応じて所定の度数
を決定するものであるのが望ましい。
【００２８】本発明による第２の欠陥判定装置は、上記
第２の欠陥判定方法を実現する装置、すなわち、可視光
または放射線を検出する検出素子が多数配列されて成る
固体検出器の欠陥素子を判定する欠陥判定装置であっ
て、暗状態の各検出素子から出力された各検出信号のヒ
ストグラムおよび／または一定量の光または放射線を被
写体を介さずに各検出素子に照射した明状態の各検出素
子から出力された各検出信号のヒストグラムを取得する
ヒストグラム取得手段と、各検出信号のうち正常と思わ
れる画素の代表値を求め、該代表値に対して、所定の係
数を掛けた値または所定の値を加算若しくは減算した値
を欠陥判定値とする欠陥判定値決定手段と、各検出素子
のうち、欠陥判定値を外れる検出信号を出力する検出素
子を欠陥素子と判定する判定手段とを備えたことを特徴
とするものである。
第２の欠陥判定方法を実現する装置、すなわち、可視光
または放射線を検出する検出素子が多数配列されて成る
固体検出器の欠陥素子を判定する欠陥判定装置であっ
て、暗状態の各検出素子から出力された各検出信号のヒ
ストグラムおよび／または一定量の光または放射線を被
写体を介さずに各検出素子に照射した明状態の各検出素
子から出力された各検出信号のヒストグラムを取得する
ヒストグラム取得手段と、各検出信号のうち正常と思わ
れる画素の代表値を求め、該代表値に対して、所定の係
数を掛けた値または所定の値を加算若しくは減算した値
を欠陥判定値とする欠陥判定値決定手段と、各検出素子
のうち、欠陥判定値を外れる検出信号を出力する検出素
子を欠陥素子と判定する判定手段とを備えたことを特徴
とするものである。
【００２９】この第２の欠陥判定装置の欠陥判定値決定
手段は、検出素子の感度を表す指標に応じて「所定の係
数」や「所定の値」を設定するものであるのが望まし
い。
手段は、検出素子の感度を表す指標に応じて「所定の係
数」や「所定の値」を設定するものであるのが望まし
い。
【００３０】上記第１および第２の欠陥判定装置におい
ては、前記欠陥判定値決定手段を、前記正常と思われる
画素の代表値として、ヒストグラムの最大度数を与える
検出信号の値を用いるもの、あるいは、各検出信号の平
均値を用いるものとするのが望ましい。
ては、前記欠陥判定値決定手段を、前記正常と思われる
画素の代表値として、ヒストグラムの最大度数を与える
検出信号の値を用いるもの、あるいは、各検出信号の平
均値を用いるものとするのが望ましい。
【００３１】
【発明の効果】本発明による第１の欠陥判定方法および
装置によれば、暗状態における各検出信号のヒストグラ
ムおよび／または明状態における各検出信号のヒストグ
ラムを取得し、各検出信号のうち、正常と思われる画素
の代表値（例えば最大度数を与える検出信号の値や各検
出信号の平均値）を求め、ヒストグラムの度数が前記代
表値の度数から最初に所定の度数以下となる検出信号の
値を欠陥判定値とし、この欠陥判定値を外れる検出信号
を出力する検出素子を欠陥素子と判定するようにしたの
で、ヒストグラムを取得するという簡単な演算処理によ
って欠陥を判定することができ、欠陥の自動判別にも好
適である。また検出信号の画素位置と対応付けて処理す
れば、欠陥素子の画素位置を特定することもできる。
装置によれば、暗状態における各検出信号のヒストグラ
ムおよび／または明状態における各検出信号のヒストグ
ラムを取得し、各検出信号のうち、正常と思われる画素
の代表値（例えば最大度数を与える検出信号の値や各検
出信号の平均値）を求め、ヒストグラムの度数が前記代
表値の度数から最初に所定の度数以下となる検出信号の
値を欠陥判定値とし、この欠陥判定値を外れる検出信号
を出力する検出素子を欠陥素子と判定するようにしたの
で、ヒストグラムを取得するという簡単な演算処理によ
って欠陥を判定することができ、欠陥の自動判別にも好
適である。また検出信号の画素位置と対応付けて処理す
れば、欠陥素子の画素位置を特定することもできる。
【００３２】また、ヒストグラムを取得して判定するの
で、光量等の影響を受けないため、明状態における光量
等が変化しても、欠陥を正確に判定することができる。
で、光量等の影響を受けないため、明状態における光量
等が変化しても、欠陥を正確に判定することができる。
【００３３】また、所定の度数を０とすれば、検出素子
の感度バラツキがあっても、正常な分布から外れる欠陥
素子による異常値のみを正確に抽出することができ、正
常画素を欠陥と判定することがない。
の感度バラツキがあっても、正常な分布から外れる欠陥
素子による異常値のみを正確に抽出することができ、正
常画素を欠陥と判定することがない。
【００３４】また、検出素子の感度を表す指標に応じて
所定の度数を設定すれば、感度バラツキを考慮した欠陥
の判定を行うことができるようになり、例えば、感度異
常の素子を抽出して欠陥と判定することができる。
所定の度数を設定すれば、感度バラツキを考慮した欠陥
の判定を行うことができるようになり、例えば、感度異
常の素子を抽出して欠陥と判定することができる。
【００３５】一方、本発明による第２の欠陥判定方法お
よび装置によれば、暗状態における各検出信号のヒスト
グラムおよび／または明状態における各検出信号のヒス
トグラムを取得し、各検出信号のうち、正常と思われる
画素の代表値（例えば最大度数を与える検出信号の値や
各検出信号の平均値）を求め、求めた代表値に対して、
所定の係数を掛けた値または所定の値を加算若しくは減
算した値を欠陥判定値とし、この欠陥判定値を外れる検
出信号を出力する検出素子を欠陥素子と判定するように
したので、上述同様に、簡単な演算処理によって欠陥を
判定することができ、欠陥の自動判別にも好適であり、
欠陥素子の画素位置を特定することもできる。
よび装置によれば、暗状態における各検出信号のヒスト
グラムおよび／または明状態における各検出信号のヒス
トグラムを取得し、各検出信号のうち、正常と思われる
画素の代表値（例えば最大度数を与える検出信号の値や
各検出信号の平均値）を求め、求めた代表値に対して、
所定の係数を掛けた値または所定の値を加算若しくは減
算した値を欠陥判定値とし、この欠陥判定値を外れる検
出信号を出力する検出素子を欠陥素子と判定するように
したので、上述同様に、簡単な演算処理によって欠陥を
判定することができ、欠陥の自動判別にも好適であり、
欠陥素子の画素位置を特定することもできる。
【００３６】また、第１の欠陥判定方法と同様に、ヒス
トグラムを取得して判定するので、光量等の影響を受け
ないため、明状態における光量等が変化しても、欠陥を
正確に判定することができる。
トグラムを取得して判定するので、光量等の影響を受け
ないため、明状態における光量等が変化しても、欠陥を
正確に判定することができる。
【００３７】また、検出素子の感度を表す指標に応じて
所定の係数や値を設定すれば、第１の欠陥判定方法と同
様に、感度バラツキを考慮した欠陥の判定を行うことが
できるようになり、感度異常の素子を抽出して欠陥と判
定することができる。
所定の係数や値を設定すれば、第１の欠陥判定方法と同
様に、感度バラツキを考慮した欠陥の判定を行うことが
できるようになり、感度異常の素子を抽出して欠陥と判
定することができる。
【００３８】なお、上記の方法および装置において適用
される放射線固体検出器としては、上述した３つの方式
の放射線固体検出器に限らず、半導体を主要部として成
り、可視光や放射線を検出する素子を多数配列すること
により構成された固体検出器であればどのようなもので
も適用可能である。例えば放射線を検出して画像信号を
出力する他の方式の放射線固体検出器や、可視光を検出
して画像信号を出力するＣＣＤ撮像素子等の固体撮像素
子等にも適用可能である。またこの固体検出器は１次元
状のものであってもよいし２次元状のものであってもよ
い。
される放射線固体検出器としては、上述した３つの方式
の放射線固体検出器に限らず、半導体を主要部として成
り、可視光や放射線を検出する素子を多数配列すること
により構成された固体検出器であればどのようなもので
も適用可能である。例えば放射線を検出して画像信号を
出力する他の方式の放射線固体検出器や、可視光を検出
して画像信号を出力するＣＣＤ撮像素子等の固体撮像素
子等にも適用可能である。またこの固体検出器は１次元
状のものであってもよいし２次元状のものであってもよ
い。
【００３９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明によ
る欠陥判定方法および該方法を実現する欠陥判定装置の
第１の実施の形態について説明する。
る欠陥判定方法および該方法を実現する欠陥判定装置の
第１の実施の形態について説明する。
【００４０】図１は本発明の実施の形態による欠陥判定
装置に適用される放射線固体検出器の概略構成を示す断
面図である。
装置に適用される放射線固体検出器の概略構成を示す断
面図である。
【００４１】この放射線固体検出器１０は、上述した改
良型直接変換方式のものであって、図１に示すように、
記録用光導電層１２，ホール輸送層１３および読取用光
導電層１４が、固体検出素子１６の主要部を成してお
り、画素に対応する複数個の固体検出素子１６が実質的
に行列状（Ｎ行×Ｍ列）に配列された２次元の放射線固
体検出器となっているこの放射線固体検出器１０の読取
側電極１５はクシ歯状に形成されたストライプ状電極で
あり、このストライプ状電極の長手方向と略直角な方向
に延びたライン光源１９を該ストライプ状電極すなわち
読取側電極１５の長手方向に走査することにより潜像電
荷をライン毎に検出することができる。
良型直接変換方式のものであって、図１に示すように、
記録用光導電層１２，ホール輸送層１３および読取用光
導電層１４が、固体検出素子１６の主要部を成してお
り、画素に対応する複数個の固体検出素子１６が実質的
に行列状（Ｎ行×Ｍ列）に配列された２次元の放射線固
体検出器となっているこの放射線固体検出器１０の読取
側電極１５はクシ歯状に形成されたストライプ状電極で
あり、このストライプ状電極の長手方向と略直角な方向
に延びたライン光源１９を該ストライプ状電極すなわち
読取側電極１５の長手方向に走査することにより潜像電
荷をライン毎に検出することができる。
【００４２】図２は放射線固体検出器１０の検出素子の
画素位置（ｐ，ｉ）と検出信号である画像データＤ
（ｐ，ｉ）との対応関係を示す図である。ｐは検出素子
の副走査方向のアドレス番号、ｉは主走査方向のアドレ
ス番号である。
画素位置（ｐ，ｉ）と検出信号である画像データＤ
（ｐ，ｉ）との対応関係を示す図である。ｐは検出素子
の副走査方向のアドレス番号、ｉは主走査方向のアドレ
ス番号である。
【００４３】図３は、本発明による欠陥判定装置２０
を、放射線固体検出器１０とともに示したブロック図で
ある。
を、放射線固体検出器１０とともに示したブロック図で
ある。
【００４４】欠陥判定装置２０は、読出回路２１と、ヒ
ストグラム取得手段２２と、欠陥判定値決定手段２３
と、判定手段２４とを備えている。
ストグラム取得手段２２と、欠陥判定値決定手段２３
と、判定手段２４とを備えている。
【００４５】読出回路２１は、放射線固体検出器１０に
記録されている静電潜像を読み出して、該検出器１０を
構成する画素位置（ｐ，ｉ）の検出素子の画像データＤ
（ｐ，ｉ）を出力するものである。
記録されている静電潜像を読み出して、該検出器１０を
構成する画素位置（ｐ，ｉ）の検出素子の画像データＤ
（ｐ，ｉ）を出力するものである。
【００４６】ヒストグラム取得手段２２は、暗状態およ
び明状態における、全ての検出素子から出力された画像
データを使用して、ヒストグラムを取得するものであ
る。
び明状態における、全ての検出素子から出力された画像
データを使用して、ヒストグラムを取得するものであ
る。
【００４７】欠陥判定値決定手段２３は、ヒストグラム
取得手段２１によって取得されたヒストグラムを使用し
て、所定の方法（後述する）に従って欠陥判定値を決定
するものである。
取得手段２１によって取得されたヒストグラムを使用し
て、所定の方法（後述する）に従って欠陥判定値を決定
するものである。
【００４８】判定手段２４は、欠陥判定値決定手段２３
によって決定された欠陥判定値を外れる画像データＤ
（ｐ，ｉ）を出力する検出素子を欠陥素子と判定するも
のである。この判定手段２４は、欠陥判定テーブルDefe
ct（ｐ，ｉ）を用意し、欠陥と判定された素子の画素番
号に対応する欠陥判定テーブルDefect（ｐ，ｉ）の値を
偽から真に変更する。この欠陥判定テーブルDefect
（ｐ，ｉ）は、不図示の欠陥補正手段等における欠陥補
正に利用される。
によって決定された欠陥判定値を外れる画像データＤ
（ｐ，ｉ）を出力する検出素子を欠陥素子と判定するも
のである。この判定手段２４は、欠陥判定テーブルDefe
ct（ｐ，ｉ）を用意し、欠陥と判定された素子の画素番
号に対応する欠陥判定テーブルDefect（ｐ，ｉ）の値を
偽から真に変更する。この欠陥判定テーブルDefect
（ｐ，ｉ）は、不図示の欠陥補正手段等における欠陥補
正に利用される。
【００４９】以下、上記欠陥判定装置２０の作用につい
て説明する。
て説明する。
【００５０】最初に、判定手段２４が、検出器１０を構
成する全検出素子に対応するように欠陥判定テーブルDe
fect（ｐ，ｉ）を用意し、Defect（ｐ，ｉ）の全てを偽
とする。
成する全検出素子に対応するように欠陥判定テーブルDe
fect（ｐ，ｉ）を用意し、Defect（ｐ，ｉ）の全てを偽
とする。
【００５１】次いで、読出手段２１が、暗状態、すなわ
ち可視光または放射線を全く照射しない状態または一定
且つ微小量の可視光または放射線を被写体を介さずに各
検出素子に照射した状態における各検出素子、すなわち
暗状態で記録された検出器１０の各検出素子の検出信号
である画像データＤ（ｐ，ｉ）を読み出す。次いで、ヒ
ストグラム作成手段２２が、全画像データのヒストグラ
ムを取得する。取得されたヒストグラムの例を図４
（Ａ）に示す。
ち可視光または放射線を全く照射しない状態または一定
且つ微小量の可視光または放射線を被写体を介さずに各
検出素子に照射した状態における各検出素子、すなわち
暗状態で記録された検出器１０の各検出素子の検出信号
である画像データＤ（ｐ，ｉ）を読み出す。次いで、ヒ
ストグラム作成手段２２が、全画像データのヒストグラ
ムを取得する。取得されたヒストグラムの例を図４
（Ａ）に示す。
【００５２】次いで、欠陥判定値決定手段２３が、正常
と思われる画素の代表値としての、ヒストグラムの度数
が最大度数Hmaxとなるデータ値Dmaxを基準にして、ヒス
トグラムの度数が最大度数Hmaxから最初に所定の度数以
下となる下側欠陥判定値Ｄｃ １および上側欠陥判定値Ｄ
ｃ２を決定する。具体的には、両欠陥判定値Ｄｃ１，Ｄ
ｃ２を以下のように求める（本例を第１例という）。
と思われる画素の代表値としての、ヒストグラムの度数
が最大度数Hmaxとなるデータ値Dmaxを基準にして、ヒス
トグラムの度数が最大度数Hmaxから最初に所定の度数以
下となる下側欠陥判定値Ｄｃ １および上側欠陥判定値Ｄ
ｃ２を決定する。具体的には、両欠陥判定値Ｄｃ１，Ｄ
ｃ２を以下のように求める（本例を第１例という）。
【００５３】画像データＤ（ｐ，ｉ）の内、最大度数Hm
axとなるデータ値Dmaxを基準にして、データ値が小さく
なる方向にヒストグラム度数を見ていき度数が予め決め
られた所定の度数H0以下となる初めての値D1、およびデ
ータ値が大きくなる方向にヒストグラム度数を見ていき
所定の度数H0以下となる初めての値D2を求め、D1を下側
欠陥判定値Ｄｃ１とし、D2を上側欠陥判定値Ｄｃ２とす
る。
axとなるデータ値Dmaxを基準にして、データ値が小さく
なる方向にヒストグラム度数を見ていき度数が予め決め
られた所定の度数H0以下となる初めての値D1、およびデ
ータ値が大きくなる方向にヒストグラム度数を見ていき
所定の度数H0以下となる初めての値D2を求め、D1を下側
欠陥判定値Ｄｃ１とし、D2を上側欠陥判定値Ｄｃ２とす
る。
【００５４】ここで欠陥素子から出力されるデータ値
は、素子の感度バラツキによるデータ値のバラツキ範囲
外の異常値として出力されるのが一般的であり、ヒスト
グラム分布として見れば、この異常値は正常な素子から
の画像データが成す分布と離れたところに分布するのが
一般的である。例えば図４（Ａ）に示すように、正常画
素による分布の度数が一旦０となる部分が生じ、異常値
はｎで矢視する部分に現れる。したがって、欠陥素子か
ら出力されたデータ値と正常素子から出力されたデータ
値とを忠実に分離するには、「所定の度数H0」を０とす
ればよい。
は、素子の感度バラツキによるデータ値のバラツキ範囲
外の異常値として出力されるのが一般的であり、ヒスト
グラム分布として見れば、この異常値は正常な素子から
の画像データが成す分布と離れたところに分布するのが
一般的である。例えば図４（Ａ）に示すように、正常画
素による分布の度数が一旦０となる部分が生じ、異常値
はｎで矢視する部分に現れる。したがって、欠陥素子か
ら出力されたデータ値と正常素子から出力されたデータ
値とを忠実に分離するには、「所定の度数H0」を０とす
ればよい。
【００５５】次いで、判定手段２４が、各検出素子のう
ち、欠陥判定値Ｄｃ１，Ｄｃ２を外れるデータ範囲、す
なわち下側欠陥判定値Ｄｃ１以下および上側欠陥判定値
Ｄｃ ２以上を欠陥範囲とし、この欠陥範囲のデータ値を
出力する全検出素子を暗状態における欠陥素子と判定す
る。そしてこの欠陥と判定された素子のアドレス位置に
対応する欠陥判定テーブルDefect（ｐ，ｉ）を真とす
る。このような処理を、欠陥素子と判定されたアドレス
全てについて行い、暗状態での欠陥判定テーブルDefect
（ｐ，ｉ）を完成させる。
ち、欠陥判定値Ｄｃ１，Ｄｃ２を外れるデータ範囲、す
なわち下側欠陥判定値Ｄｃ１以下および上側欠陥判定値
Ｄｃ ２以上を欠陥範囲とし、この欠陥範囲のデータ値を
出力する全検出素子を暗状態における欠陥素子と判定す
る。そしてこの欠陥と判定された素子のアドレス位置に
対応する欠陥判定テーブルDefect（ｐ，ｉ）を真とす
る。このような処理を、欠陥素子と判定されたアドレス
全てについて行い、暗状態での欠陥判定テーブルDefect
（ｐ，ｉ）を完成させる。
【００５６】なお、欠陥によるデータ値がどのような値
の方向となるのかが予め判っているとき、例えば下側欠
陥判定値Ｄｃ１以下若しくは上側欠陥判定値Ｄｃ２以上
となることが予め判っているときには、両欠陥判定値Ｄ
ｃ１，Ｄｃ２の何れか一方のみに基づいて前記判定を行
ってもよい。
の方向となるのかが予め判っているとき、例えば下側欠
陥判定値Ｄｃ１以下若しくは上側欠陥判定値Ｄｃ２以上
となることが予め判っているときには、両欠陥判定値Ｄ
ｃ１，Ｄｃ２の何れか一方のみに基づいて前記判定を行
ってもよい。
【００５７】上述の例は、所定の度数H0を０としたもの
であるが、H0を０以外の値にしてもよいのは勿論であ
る。この場合、検出素子の感度を表す指標に応じてH0を
設定することにより、感度バラツキが考慮された欠陥判
定値とするのが望ましい。
であるが、H0を０以外の値にしてもよいのは勿論であ
る。この場合、検出素子の感度を表す指標に応じてH0を
設定することにより、感度バラツキが考慮された欠陥判
定値とするのが望ましい。
【００５８】次に、明状態、すなわち暗状態より大であ
る一定量の可視光または放射線を被写体を介さずに各検
出素子に照射した状態の各検出素子の画像データＤ
（ｐ，ｉ）を読み出して、明状態における各画像データ
Ｄ（ｐ，ｉ）のヒストグラムを取得する。取得されたヒ
ストグラムの例を図４（Ｂ）に示す。図４（Ｂ）中にお
ける最大度数等、図４（Ａ）と同様の要素は同一記号を
付して示す。
る一定量の可視光または放射線を被写体を介さずに各検
出素子に照射した状態の各検出素子の画像データＤ
（ｐ，ｉ）を読み出して、明状態における各画像データ
Ｄ（ｐ，ｉ）のヒストグラムを取得する。取得されたヒ
ストグラムの例を図４（Ｂ）に示す。図４（Ｂ）中にお
ける最大度数等、図４（Ａ）と同様の要素は同一記号を
付して示す。
【００５９】以下、上述した暗状態における処理に倣っ
て、明状態における欠陥素子の判定を行い、欠陥素子の
アドレス位置に対応する欠陥判定テーブルDefect（ｐ，
ｉ）を真とする。このような処理を、欠陥素子と判定さ
れたアドレス全てについて行い、明状態の判定結果を含
む欠陥判定テーブルDefect（ｐ，ｉ）を完成させる。
て、明状態における欠陥素子の判定を行い、欠陥素子の
アドレス位置に対応する欠陥判定テーブルDefect（ｐ，
ｉ）を真とする。このような処理を、欠陥素子と判定さ
れたアドレス全てについて行い、明状態の判定結果を含
む欠陥判定テーブルDefect（ｐ，ｉ）を完成させる。
【００６０】暗状態だけでの判定では死滅素子や感度異
常（ゲイン等の異常）の素子を除去できず、また、明状
態だけでの判定では常に一定のデータ値を出力する素子
を除去できないが、上述のように、暗状態および明状態
の両方において欠陥素子を判定するようにすれば、これ
らの欠陥素子を完全に抽出することができる。暗状態お
よび明状態の何れか一方のみでは上述の問題を有する
が、それを許容する場合には、一方のみの判定としても
よいのは勿論である。
常（ゲイン等の異常）の素子を除去できず、また、明状
態だけでの判定では常に一定のデータ値を出力する素子
を除去できないが、上述のように、暗状態および明状態
の両方において欠陥素子を判定するようにすれば、これ
らの欠陥素子を完全に抽出することができる。暗状態お
よび明状態の何れか一方のみでは上述の問題を有する
が、それを許容する場合には、一方のみの判定としても
よいのは勿論である。
【００６１】不図示の欠陥補正手段が、欠陥判定テーブ
ルDefect（ｐ，ｉ）が真であるアドレスに対応する画素
番号の画像データＤ（ｐ，ｉ）を、所定の方法により補
正することにより欠陥補正を行う。例えば、その周囲の
欠陥判定テーブルDefect（ｐ，ｉ）が偽である画素のデ
ータ値の平均値を補正値とするなどである。
ルDefect（ｐ，ｉ）が真であるアドレスに対応する画素
番号の画像データＤ（ｐ，ｉ）を、所定の方法により補
正することにより欠陥補正を行う。例えば、その周囲の
欠陥判定テーブルDefect（ｐ，ｉ）が偽である画素のデ
ータ値の平均値を補正値とするなどである。
【００６２】次に欠陥判定値Ｄｃ１，Ｄｃ２の決定方法
の第２例について説明する。
の第２例について説明する。
【００６３】上述の第１例は、ヒストグラムの度数が最
大度数Hmaxから最初に所定の度数以下となるデータ値を
欠陥判定値とするもの、換言すれば、最大度数Hmaxと所
定の関係にあるヒストグラムの度数となるデータ値を欠
陥判定値とするものである。これに対して、本例の欠陥
判定値を決定する方法は、ヒストグラムの度数が最大度
数Hmaxとなるデータ値Dmaxと所定の関係にあるデータ値
を欠陥判定値とするものである。この場合における欠陥
判定値の決定方法としては種々の方法がある。以下、そ
の一例について具体的に説明する。以下に示す例以外の
方法を使用してもよいのは勿論である。
大度数Hmaxから最初に所定の度数以下となるデータ値を
欠陥判定値とするもの、換言すれば、最大度数Hmaxと所
定の関係にあるヒストグラムの度数となるデータ値を欠
陥判定値とするものである。これに対して、本例の欠陥
判定値を決定する方法は、ヒストグラムの度数が最大度
数Hmaxとなるデータ値Dmaxと所定の関係にあるデータ値
を欠陥判定値とするものである。この場合における欠陥
判定値の決定方法としては種々の方法がある。以下、そ
の一例について具体的に説明する。以下に示す例以外の
方法を使用してもよいのは勿論である。
【００６４】第１の方法は、ヒストグラムの度数が最大
度数Hmaxとなるデータ値Dmaxに対して所定の係数を掛け
た値を欠陥判定値とするものである。所定の係数として
１以下の値、例えば０．８を設定し、データ値Dmaxに対
して０．８を掛けた値を下側欠陥判定値Ｄｃ１とし、ま
た、所定の係数として１以上の値、例えば１．２を設定
し、データ値Dmaxに対して１．２を掛けた値を上側欠陥
判定値Ｄｃ２とする、つまりデータ値Dmaxに対して±２
０％の値を欠陥判定値とするが如くである。
度数Hmaxとなるデータ値Dmaxに対して所定の係数を掛け
た値を欠陥判定値とするものである。所定の係数として
１以下の値、例えば０．８を設定し、データ値Dmaxに対
して０．８を掛けた値を下側欠陥判定値Ｄｃ１とし、ま
た、所定の係数として１以上の値、例えば１．２を設定
し、データ値Dmaxに対して１．２を掛けた値を上側欠陥
判定値Ｄｃ２とする、つまりデータ値Dmaxに対して±２
０％の値を欠陥判定値とするが如くである。
【００６５】第２の方法は、ヒストグラムの度数が最大
度数Hmaxとなるデータ値Dmaxに対して所定の値を差し引
いた値若しくは足した値を欠陥判定値とするものであ
る。例えば、データ値Dmaxから所定の値αを差し引いた
値を下側欠陥判定値Ｄｃ１とし、データ値Dmaxにαを加
えた値を上側欠陥判定値Ｄｃ２とするが如くである。
度数Hmaxとなるデータ値Dmaxに対して所定の値を差し引
いた値若しくは足した値を欠陥判定値とするものであ
る。例えば、データ値Dmaxから所定の値αを差し引いた
値を下側欠陥判定値Ｄｃ１とし、データ値Dmaxにαを加
えた値を上側欠陥判定値Ｄｃ２とするが如くである。
【００６６】上記において「所定の係数」や「所定の
値」を設定するに際しては、検出素子の感度を表す指標
に応じてそれらを設定することにより、感度バラツキが
考慮された欠陥判定値とするのが望ましい。例えば、第
２の方法においては以下のようにするとよい。
値」を設定するに際しては、検出素子の感度を表す指標
に応じてそれらを設定することにより、感度バラツキが
考慮された欠陥判定値とするのが望ましい。例えば、第
２の方法においては以下のようにするとよい。
【００６７】先ず暗状態および明状態それぞれにおいて
上述のようにしてヒストグラムを取得する。
上述のようにしてヒストグラムを取得する。
【００６８】次に明状態のヒストグラムの最大度数HLma
x となるデータ値DLmax と暗状態のヒストグラムの最大
度数HDmax となるデータ値DDmax の差Δに対して予め感
度バラツキを考慮して決められた値αを掛けて得た値α
Δを、明状態におけるデータ値DLmax から差し引いた値
（DLmax −αΔ）を下側欠陥判定値Ｄｃ１とし、データ
値DLmax にαΔを足した値（DLmax ＋αΔ）を上側欠陥
判定値Ｄｃ２とする。感度を表す指標に応じて決める値
αは、感度バラツキの幅を規定するものであるのは言う
までもない。
x となるデータ値DLmax と暗状態のヒストグラムの最大
度数HDmax となるデータ値DDmax の差Δに対して予め感
度バラツキを考慮して決められた値αを掛けて得た値α
Δを、明状態におけるデータ値DLmax から差し引いた値
（DLmax −αΔ）を下側欠陥判定値Ｄｃ１とし、データ
値DLmax にαΔを足した値（DLmax ＋αΔ）を上側欠陥
判定値Ｄｃ２とする。感度を表す指標に応じて決める値
αは、感度バラツキの幅を規定するものであるのは言う
までもない。
【００６９】なお、この第２例によって求めた両欠陥判
定値Ｄｃ１，Ｄｃ２と、上述した第１例によって求めた
両欠陥判定値Ｄｃ１，Ｄｃ２とは一般に異なる。そこ
で、これら２つの方法を組み合わせて欠陥判定値を定め
ることにより、より精度の良い判定を行うことも可能と
なる。特に、明状態における欠陥判定値を決定する場合
には、効果的である。
定値Ｄｃ１，Ｄｃ２と、上述した第１例によって求めた
両欠陥判定値Ｄｃ１，Ｄｃ２とは一般に異なる。そこ
で、これら２つの方法を組み合わせて欠陥判定値を定め
ることにより、より精度の良い判定を行うことも可能と
なる。特に、明状態における欠陥判定値を決定する場合
には、効果的である。
【００７０】例えば、上述した第１例によって求めた両
欠陥判定値Ｄｃ１，Ｄｃ２によって決まるデータ幅Δ１
＝Ｄｃ２−Ｄｃ１と、上述した第２例の第２の方法にお
ける感度バラツキを考慮した方法によって求めた両欠陥
判定値Ｄｃ１，Ｄｃ２によって決まるデータ幅Δ２＝Ｄ
ｃ２−Ｄｃ１のうち、その幅がより狭くなる方の値を欠
陥判定値とし、この欠陥判定値を外れる範囲を欠陥範囲
とし、この欠陥範囲の画像データを出力する全検出素子
を明状態における欠陥素子と判定するとよい。
欠陥判定値Ｄｃ１，Ｄｃ２によって決まるデータ幅Δ１
＝Ｄｃ２−Ｄｃ１と、上述した第２例の第２の方法にお
ける感度バラツキを考慮した方法によって求めた両欠陥
判定値Ｄｃ１，Ｄｃ２によって決まるデータ幅Δ２＝Ｄ
ｃ２−Ｄｃ１のうち、その幅がより狭くなる方の値を欠
陥判定値とし、この欠陥判定値を外れる範囲を欠陥範囲
とし、この欠陥範囲の画像データを出力する全検出素子
を明状態における欠陥素子と判定するとよい。
【００７１】以上述べたように、本発明によれば、暗状
態および／または明状態における各検出信号のヒストグ
ラムを取得し、該ヒストグラムを利用して欠陥判定値を
決定し、この欠陥判定値を外れる検出信号を出力する検
出素子を欠陥素子と判定するようにしたので、ヒストグ
ラムを取得するという簡単な演算処理によって欠陥を判
定することができ、欠陥の自動判別にも好適であり、ま
た欠陥素子の画素位置を特定することもできる。
態および／または明状態における各検出信号のヒストグ
ラムを取得し、該ヒストグラムを利用して欠陥判定値を
決定し、この欠陥判定値を外れる検出信号を出力する検
出素子を欠陥素子と判定するようにしたので、ヒストグ
ラムを取得するという簡単な演算処理によって欠陥を判
定することができ、欠陥の自動判別にも好適であり、ま
た欠陥素子の画素位置を特定することもできる。
【００７２】また、検出素子の感度を表す指標に応じて
所定の度数或いは所定の係数や値を設定するようにすれ
ば、より適切な判定を行うこともできる。
所定の度数或いは所定の係数や値を設定するようにすれ
ば、より適切な判定を行うこともできる。
【００７３】なお、上述の説明では、欠陥判定値決定手
段２３が、正常と思われる画素の代表値として、ヒスト
グラムの度数が最大度数Hmaxとなるデータ値Dmaxを使用
するものとして説明したが、これに限らず、「正常と思
われる画素の代表値」として、各検出素子の画像データ
Ｄ（ｐ，ｉ）の平均値を用いることもできる。
段２３が、正常と思われる画素の代表値として、ヒスト
グラムの度数が最大度数Hmaxとなるデータ値Dmaxを使用
するものとして説明したが、これに限らず、「正常と思
われる画素の代表値」として、各検出素子の画像データ
Ｄ（ｐ，ｉ）の平均値を用いることもできる。
【図１】本発明の実施の形態による欠陥判定装置に適用
される放射線固体検出器の概略構成を示す断面図
される放射線固体検出器の概略構成を示す断面図
【図２】放射線固体検出器の画素位置と画像信号との対
応関係を示す図
応関係を示す図
【図３】本発明の実施の形態による欠陥判定装置を放射
線固体検出器と共に示したブロック図
線固体検出器と共に示したブロック図
【図４】ヒストグラム作成手段により作成されたヒスト
グラムの例を示す図；暗状態（Ａ）および明状態（Ｂ）
グラムの例を示す図；暗状態（Ａ）および明状態（Ｂ）
１０ 放射線固体検出器 １６ 固体検出素子 ２０ 欠陥判定装置 ２１ 読出回路 ２２ ヒストグラム取得手段 ２３ 欠陥判定値決定手段 ２４ 判定手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 17/00 Ｈ０４Ｎ 1/04 １０２
Claims (12)
- 【請求項１】 可視光または放射線を検出する検出素子
が多数配列されて成る固体検出器の欠陥素子を判定する
欠陥判定方法において、 暗状態の前記各検出素子から出力された各検出信号のヒ
ストグラムおよび／または一定量の光または放射線を前
記各検出素子に照射した明状態の前記各検出素子から出
力された各検出信号のヒストグラムを取得し、 前記各検出信号のうち、正常と思われる画素の代表値を
求め、前記ヒストグラムの度数が前記代表値の度数から
最初に所定の度数以下となる検出信号の値を欠陥判定値
とし、 前記各検出素子のうち、前記欠陥判定値を外れる検出信
号を出力する検出素子を欠陥素子と判定することを特徴
とする欠陥判定方法。 - 【請求項２】 前記所定の度数が、前記検出素子の感度
を表す指標に応じて決定されるものであることを特徴と
する請求項１記載の欠陥判定方法。 - 【請求項３】 可視光または放射線を検出する検出素子
が多数配列されて成る固体検出器の欠陥素子を判定する
欠陥判定方法において、 暗状態の前記各検出素子から出力された各検出信号のヒ
ストグラムおよび／または一定量の光または放射線を前
記各検出素子に照射した明状態の前記各検出素子から出
力された各検出信号のヒストグラムを取得し、 前記各検出信号のうち、正常と思われる画素の代表値を
求め、 該代表値に対して、所定の係数を掛けた値または所定の
値を加算若しくは減算した値を欠陥判定値とし、 前記各検出素子のうち、前記欠陥判定値を外れる検出信
号を出力する検出素子を欠陥素子と判定することを特徴
とする欠陥判定方法。 - 【請求項４】 前記所定の係数および前記所定の値が、
前記検出素子の感度を表す指標に応じて決定されるもの
であることを特徴とする請求項３記載の欠陥判定方法。 - 【請求項５】 前記正常と思われる画素の代表値とし
て、前記ヒストグラムの最大度数を与える検出信号の値
を用いることを特徴とする請求項１から４いずれか１項
記載の欠陥判定方法。 - 【請求項６】 前記正常と思われる画素の代表値とし
て、前記各検出信号の平均値を用いることを特徴とする
請求項１から３いずれか１項記載の欠陥判定方法。 - 【請求項７】 可視光または放射線を検出する検出素子
が多数配列されて成る固体検出器の欠陥素子を判定する
欠陥判定装置において、 暗状態の前記各検出素子から出力された各検出信号のヒ
ストグラムおよび／または一定量の光または放射線を前
記各検出素子に照射した明状態の前記各検出素子から出
力された各検出信号のヒストグラムを取得するヒストグ
ラム取得手段と、 前記各検出信号のうち、正常と思われる画素の代表値を
求め、前記ヒストグラムの度数が前記代表値の度数から
最初に所定の度数以下となる検出信号の値を欠陥判定値
とする欠陥判定値決定手段と、 前記各検出素子のうち、前記欠陥判定値を外れる検出信
号を出力する検出素子を欠陥素子と判定する判定手段と
を備えたことを特徴とする欠陥判定装置。 - 【請求項８】 前記欠陥判定値決定手段が、前記検出素
子の感度を表す指標に応じて前記所定の度数を決定する
ものであることを特徴とする請求項７記載の欠陥判定装
置。 - 【請求項９】 可視光または放射線を検出する検出素子
が多数配列されて成る固体検出器の欠陥素子を判定する
欠陥判定装置において、 暗状態の前記各検出素子から出力された各検出信号のヒ
ストグラムおよび／または一定量の光または放射線を前
記各検出素子に照射した明状態の前記各検出素子から出
力された各検出信号のヒストグラムを取得するヒストグ
ラム取得手段と、 前記各検出信号のうち正常と思われる画素の代表値を求
め、該代表値に対して所定の係数を掛けた値または所定
の値を加算若しくは減算した値を欠陥判定値とする欠陥
判定値決定手段と、 前記各検出素子のうち、前記欠陥判定値を外れる検出信
号を出力する検出素子を欠陥素子と判定する判定手段と
を備えたことを特徴とする欠陥判定装置。 - 【請求項１０】 前記欠陥判定値決定手段が、前記検出
素子の感度を表す指標に応じて前記所定の係数または前
記所定の値を決定するものであることを特徴とする請求
項９記載の欠陥判定装置。 - 【請求項１１】 前記欠陥判定値決定手段が、前記正常
と思われる画素の代表値として、前記ヒストグラムの最
大度数を与える検出信号の値を用いるものであることを
特徴とする請求項７から１０いずれか１項記載の欠陥判
定装置。 - 【請求項１２】 前記欠陥判定値決定手段が、前記正常
と思われる画素の代表値として、前記各検出信号の平均
値を用いるものであることを特徴とする請求項７から１
０いずれか１項記載の欠陥判定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11339690A JP2000244825A (ja) | 1998-12-25 | 1999-11-30 | 固体検出器の欠陥判定方法および装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37089598 | 1998-12-25 | ||
| JP10-370895 | 1998-12-25 | ||
| JP11339690A JP2000244825A (ja) | 1998-12-25 | 1999-11-30 | 固体検出器の欠陥判定方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000244825A true JP2000244825A (ja) | 2000-09-08 |
Family
ID=26576498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11339690A Pending JP2000244825A (ja) | 1998-12-25 | 1999-11-30 | 固体検出器の欠陥判定方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000244825A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008252564A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Fujifilm Corp | 画像処理装置、方法及びプログラム |
| JP2010012105A (ja) * | 2008-07-04 | 2010-01-21 | Shimadzu Corp | 放射線撮像装置 |
| JP2012165457A (ja) * | 2012-04-27 | 2012-08-30 | Toshiba Corp | 半導体検出器の補間装置及びその方法 |
-
1999
- 1999-11-30 JP JP11339690A patent/JP2000244825A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008252564A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Fujifilm Corp | 画像処理装置、方法及びプログラム |
| JP2010012105A (ja) * | 2008-07-04 | 2010-01-21 | Shimadzu Corp | 放射線撮像装置 |
| JP2012165457A (ja) * | 2012-04-27 | 2012-08-30 | Toshiba Corp | 半導体検出器の補間装置及びその方法 |
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