JP2000243272A - Ｘ線像増強管の製造方法 - Google Patents
Ｘ線像増強管の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光材料層においてより高いひび割れ頻度が
実現されるＸ線像増強管の製造方法を提供することを目
的とする。 【課題】 発光材料層及びホトカソードを配設する支持
部材を有する入口スクリーンを具えるＸ線像増強管の製
造方法において、前記発光材料層を、前記スクリーンに
垂直な中心線に対し斜めに蒸着することによって堆積
し、前記発光材料層の堆積中、前記支持部材の温度を室
温から最高温度まで上昇させることを特徴とする。
実現されるＸ線像増強管の製造方法を提供することを目
的とする。 【課題】 発光材料層及びホトカソードを配設する支持
部材を有する入口スクリーンを具えるＸ線像増強管の製
造方法において、前記発光材料層を、前記スクリーンに
垂直な中心線に対し斜めに蒸着することによって堆積
し、前記発光材料層の堆積中、前記支持部材の温度を室
温から最高温度まで上昇させることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光材料層及びホ
トカソードを配設する支持部材を有する入口スクリーン
を具えるＸ線像増強管の製造方法に関する。
トカソードを配設する支持部材を有する入口スクリーン
を具えるＸ線像増強管の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】斯様な方法は、米国特許第3821763号明
細書から既知である。これには、CsIから成るを可とす
る発光材料層を有し、該発光材料層において構体が形成
されるＸ線像増強管が記載されている。一方において、
構体は、この米国特許明細書に記載のCsIの層におい
て、基板の温度、蒸着速度等のこの目的に適用された蒸
着パラメータに起因して形成される。他方において、こ
の米国特許明細書に記載されるように、発光材料層の熱
処理により付加的な構造を形成することが可能である。
斯様な構造を有する層は、ひび割れ（クラックルド(cra
ckled)）構造を有する層として既知である。斯様な構造
を有する発光材料層が設けられたＸ線像増強管は満足な
動作を行うことが証明されているが、特にＸ線像増強管
の解像度に対する要求が著しく高くなってきているた
め、前記構造をこの目的に最適化することが必要になっ
てきている。実際上、これは、発光材料層においてより
高いひび割れ頻度が実現されることを意味する。
細書から既知である。これには、CsIから成るを可とす
る発光材料層を有し、該発光材料層において構体が形成
されるＸ線像増強管が記載されている。一方において、
構体は、この米国特許明細書に記載のCsIの層におい
て、基板の温度、蒸着速度等のこの目的に適用された蒸
着パラメータに起因して形成される。他方において、こ
の米国特許明細書に記載されるように、発光材料層の熱
処理により付加的な構造を形成することが可能である。
斯様な構造を有する層は、ひび割れ（クラックルド(cra
ckled)）構造を有する層として既知である。斯様な構造
を有する発光材料層が設けられたＸ線像増強管は満足な
動作を行うことが証明されているが、特にＸ線像増強管
の解像度に対する要求が著しく高くなってきているた
め、前記構造をこの目的に最適化することが必要になっ
てきている。実際上、これは、発光材料層においてより
高いひび割れ頻度が実現されることを意味する。
【０００３】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、これら
の要求を満足するＸ線像増強管の製造方法を提供するこ
とにあり、斯かる目的を達成するため、冒頭段落に記載
の方法が、前記スクリーンに垂直な中心線に対し斜めに
蒸着することによって前記発光材料層を堆積することを
特徴とする。
の要求を満足するＸ線像増強管の製造方法を提供するこ
とにあり、斯かる目的を達成するため、冒頭段落に記載
の方法が、前記スクリーンに垂直な中心線に対し斜めに
蒸着することによって前記発光材料層を堆積することを
特徴とする。
【０００４】発光材料を支持部材に垂直な中心線に対し
斜めに蒸着する事実に起因して、当該層にわたって延在
し、例えば数μm乃至数十μmの断面を持つ、即ち言うな
らば、例えば１μmに対し10,000ライン／cm及び例えば5
0μmに対し200ライン／cmの間のひび割れ（クラック）
頻度を有するCsIの極微細カラムの構造が得られる。発
光材料層の上記構造は、スクリーン上の像ピクセル寸法
の現実的な小部分を呈す平均断面を持つカラムを構築す
ることにより所望の解像度に適応させることが可能であ
る。現実的な小部分は、許容可能な縁部解像度を伴って
結像するためにピクセルの直径当たり約５及び20カラム
直径の間にある。カラム間の間隔は、約0.25μm以上が
好適であり、その理由は、その値がより小さくなると光
学的分離が劣化するようになるからである。また、カラ
ム間の間隔は、約２μm以下が好適であり、その理由
は、それ以上の値になると発光材料層の阻止能力が低下
するからである。
斜めに蒸着する事実に起因して、当該層にわたって延在
し、例えば数μm乃至数十μmの断面を持つ、即ち言うな
らば、例えば１μmに対し10,000ライン／cm及び例えば5
0μmに対し200ライン／cmの間のひび割れ（クラック）
頻度を有するCsIの極微細カラムの構造が得られる。発
光材料層の上記構造は、スクリーン上の像ピクセル寸法
の現実的な小部分を呈す平均断面を持つカラムを構築す
ることにより所望の解像度に適応させることが可能であ
る。現実的な小部分は、許容可能な縁部解像度を伴って
結像するためにピクセルの直径当たり約５及び20カラム
直径の間にある。カラム間の間隔は、約0.25μm以上が
好適であり、その理由は、その値がより小さくなると光
学的分離が劣化するようになるからである。また、カラ
ム間の間隔は、約２μm以下が好適であり、その理由
は、それ以上の値になると発光材料層の阻止能力が低下
するからである。
【０００５】好ましい実施例においては、発光材料を堆
積すべき方向とスクリーンに垂直な中心線との間の角度
を意味する入射角が約30°以上である。発光材料層は、
例えば、発光材料が充填された加熱されるべきるつぼか
らの蒸着により得ると好ましい。蒸着された発光材料層
の均一性は、蒸着るつぼ及び支持部材を互いに関して回
転することにより促進され、該蒸着るつぼが該支持部材
の中心に対する円錐面上で円を描くようにすると好適で
ある。その場合、発光材料層の蒸着に当たり数回転させ
ると好適である。
積すべき方向とスクリーンに垂直な中心線との間の角度
を意味する入射角が約30°以上である。発光材料層は、
例えば、発光材料が充填された加熱されるべきるつぼか
らの蒸着により得ると好ましい。蒸着された発光材料層
の均一性は、蒸着るつぼ及び支持部材を互いに関して回
転することにより促進され、該蒸着るつぼが該支持部材
の中心に対する円錐面上で円を描くようにすると好適で
ある。その場合、発光材料層の蒸着に当たり数回転させ
ると好適である。
【０００６】本発明によって製造されたＸ線像増強管
は、発光材料層がカラム構造を有し、このカラム構造の
カラムが最大で約25μmの平均横断寸法を有し、これら
カラムを0.5μm乃至３μmの間の範囲の幅を有する空所
によって離間し、多くても少数のカラムがかなり大きい
横断寸法を有することを特徴とする。カラム間の空所
（これ以降単に間隙と称す）について、この場合におい
ては、従来技術によるひび割れに対応する間隙の形式を
明瞭に意味しないことに注意されたい。間隙は、大体細
長いバブルの形態における一連のバブルによってしばし
ば形成され、好都合なことに、前記大体細長いバブルの
長手方向は、一連のバブルの方向に延びる。バブル間に
おいて、カラムは互いに接触することができるが、これ
は比較的小さな光学接触しかもたらさない。長手方向に
計測した場合、バブルは、大体において、直列長さの90
％をかなり越えるように占有し、一方、バブル間のノー
ドはまた、他の手段を講じなければ良好な光学接触を形
成せず、状況はむしろ逆である。本発明による斜めの蒸
着は、バブル形成に対し良好な影響を呈する。斯くして
得られた間隙は、ひび割れと、例えば原則的には個々の
結晶である蒸着鉱柱間の分離部との間の中間形態を多か
れ少なかれ示す。
は、発光材料層がカラム構造を有し、このカラム構造の
カラムが最大で約25μmの平均横断寸法を有し、これら
カラムを0.5μm乃至３μmの間の範囲の幅を有する空所
によって離間し、多くても少数のカラムがかなり大きい
横断寸法を有することを特徴とする。カラム間の空所
（これ以降単に間隙と称す）について、この場合におい
ては、従来技術によるひび割れに対応する間隙の形式を
明瞭に意味しないことに注意されたい。間隙は、大体細
長いバブルの形態における一連のバブルによってしばし
ば形成され、好都合なことに、前記大体細長いバブルの
長手方向は、一連のバブルの方向に延びる。バブル間に
おいて、カラムは互いに接触することができるが、これ
は比較的小さな光学接触しかもたらさない。長手方向に
計測した場合、バブルは、大体において、直列長さの90
％をかなり越えるように占有し、一方、バブル間のノー
ドはまた、他の手段を講じなければ良好な光学接触を形
成せず、状況はむしろ逆である。本発明による斜めの蒸
着は、バブル形成に対し良好な影響を呈する。斯くして
得られた間隙は、ひび割れと、例えば原則的には個々の
結晶である蒸着鉱柱間の分離部との間の中間形態を多か
れ少なかれ示す。
【０００７】高解像度を得るべく良好に適合されたスク
リーン構造は、例えば、良好に選定した蒸着速度及びス
クリーンからの熱移動により実現される、約20°Ｃの基
板温度で開始し約200°Ｃを余り越えない最大温度に到
達させる本発明による蒸着により実現することが可能で
ある。
リーン構造は、例えば、良好に選定した蒸着速度及びス
クリーンからの熱移動により実現される、約20°Ｃの基
板温度で開始し約200°Ｃを余り越えない最大温度に到
達させる本発明による蒸着により実現することが可能で
ある。
【０００８】図面につき本発明の実施例を説明する。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１には、入口窓２、出口窓４及
び鞘部６を有する外囲器内に収容される、本発明による
Ｘ線像増強管１の入口スクリーン８と、出口スクリーン
10と、第１電極14、第２電極16及び最終電極１６を有す
る電子光学系１２とが示されている。入口スクリーン８
は、本例の場合当該像増強管において別個のスクリーン
として配設されているが、入口窓上に直接設けられても
良い。入口スクリーン８は、例えば0.5μmの厚さを有す
る、例えば、アルミ箔から成る支持部材即ち基板20を具
え、その上にCsI(Na)又はCsI(Ti)から成るを可とする発
光層22が設けられ、その上にホトカソード21が分離層
（図示せず）を所要に応じて介して設けられる。入口窓
に入射したＸ線像25は、発光層において光・光学像に変
換され、その結果として、ホトカソードにおいて光電子
像26が生成される。光電子像26は、光電子を著しく加速
する電子光学系12により出口スクリーン上に結像され、
光・光学像28に変換される。光・光学像28は、当該像増
強管の外部から観察することが可能である。
び鞘部６を有する外囲器内に収容される、本発明による
Ｘ線像増強管１の入口スクリーン８と、出口スクリーン
10と、第１電極14、第２電極16及び最終電極１６を有す
る電子光学系１２とが示されている。入口スクリーン８
は、本例の場合当該像増強管において別個のスクリーン
として配設されているが、入口窓上に直接設けられても
良い。入口スクリーン８は、例えば0.5μmの厚さを有す
る、例えば、アルミ箔から成る支持部材即ち基板20を具
え、その上にCsI(Na)又はCsI(Ti)から成るを可とする発
光層22が設けられ、その上にホトカソード21が分離層
（図示せず）を所要に応じて介して設けられる。入口窓
に入射したＸ線像25は、発光層において光・光学像に変
換され、その結果として、ホトカソードにおいて光電子
像26が生成される。光電子像26は、光電子を著しく加速
する電子光学系12により出口スクリーン上に結像され、
光・光学像28に変換される。光・光学像28は、当該像増
強管の外部から観察することが可能である。
【００１０】満足な動作のため及び患者の線量を低減す
るために、発光層は比較的高いＸ線吸収度を有すること
が望ましい。発光スクリーンによって捕捉されないＸ線
は、像形成に寄与せず、患者に対する放射線負荷を形成
する。従って、発光スクリーンは、比較的厚く、例え
ば、200乃至400μmとなる必要があろう。一例として、3
00μmの厚さは、Ｘ線放射線の75％を確実に捕捉する。
相当に透明度が高いCsIの“通常”の蒸着層において
は、発光した光が、特に該層の入射側において発光中心
から著しく拡散するであろう。この状況は、構造化され
た層が得られるような蒸着条件を選択することにより改
善される。そのため、特に、基板温度、とりわけ、蒸着
の初めにおける支持部材の温度が重要である。前記層の
断面の（走査型電子顕微鏡により好ましくは撮像され
た）写真は、この構造が柱状結晶により形成され、その
長手方向が該層の厚さ方向と略々一致することを示して
いる。この構造に起因して、発光した光の拡散は低減さ
れるが、その程度は不十分である。なぜなら、種々の柱
間の遷移部における光学分離が不十分だからである。こ
れは、中断部の幅が不十分であり、発光した光の波長
（大まかに0.5μm）よりも平均してかなり小さい、と言
う事実に起因する。米国特許第3825763号明細書に記載
されるようにひび割れ構造が前記層に設けられる場合か
なりの改善が達成される。例えば、適応サーマル法によ
り、多数の柱毎を合体させカラムを形成する。このカラ
ムは、内部に明確な光学分離壁を持たないが、カラム間
では明確に作用する光学分離壁が存する。ひび割れ構造
の微細度は、熱処理の性質によりかなり影響を及ぼすこ
とができ、場合によっては、支持部材の表面において構
造化をなすことにより影響を及ぼすことができる。この
目的のために種々の方法が既知である。
るために、発光層は比較的高いＸ線吸収度を有すること
が望ましい。発光スクリーンによって捕捉されないＸ線
は、像形成に寄与せず、患者に対する放射線負荷を形成
する。従って、発光スクリーンは、比較的厚く、例え
ば、200乃至400μmとなる必要があろう。一例として、3
00μmの厚さは、Ｘ線放射線の75％を確実に捕捉する。
相当に透明度が高いCsIの“通常”の蒸着層において
は、発光した光が、特に該層の入射側において発光中心
から著しく拡散するであろう。この状況は、構造化され
た層が得られるような蒸着条件を選択することにより改
善される。そのため、特に、基板温度、とりわけ、蒸着
の初めにおける支持部材の温度が重要である。前記層の
断面の（走査型電子顕微鏡により好ましくは撮像され
た）写真は、この構造が柱状結晶により形成され、その
長手方向が該層の厚さ方向と略々一致することを示して
いる。この構造に起因して、発光した光の拡散は低減さ
れるが、その程度は不十分である。なぜなら、種々の柱
間の遷移部における光学分離が不十分だからである。こ
れは、中断部の幅が不十分であり、発光した光の波長
（大まかに0.5μm）よりも平均してかなり小さい、と言
う事実に起因する。米国特許第3825763号明細書に記載
されるようにひび割れ構造が前記層に設けられる場合か
なりの改善が達成される。例えば、適応サーマル法によ
り、多数の柱毎を合体させカラムを形成する。このカラ
ムは、内部に明確な光学分離壁を持たないが、カラム間
では明確に作用する光学分離壁が存する。ひび割れ構造
の微細度は、熱処理の性質によりかなり影響を及ぼすこ
とができ、場合によっては、支持部材の表面において構
造化をなすことにより影響を及ぼすことができる。この
目的のために種々の方法が既知である。
【００１１】本発明によるＸ線像増強管のための入口ス
クリーンの製造に当たり、出発材料は、意図的に構造化
されていない支持部材であっても良い。図２は、本発明
による蒸着方法を実施する装置を非常に図的に示してい
る。排気されるべき空間30内に、支持部材即ち基板34
と、発光材料を含み且つ加熱素子38を具える蒸着るつぼ
36とを、本例では軸32を中心として回転自在に配設す
る。支持部材34は、挿通部材40を介して軸32を中心に回
転させることが可能である。また、代案として、蒸着る
つぼ36を、ブラケット44及び挿通部材46を介して軸32を
中心に回転させることが可能である。軸32は、支持部材
に垂直な中心線と一致すると好ましく、本例では、該支
持部材は、中心50を有する部分的球面である球面セグメ
ントである。斯かる支持部材の少なくとも中心点０にお
ける垂直蒸着のためには、蒸着るつぼはライン32上に配
設されるが、全スクリーンにわたる垂直蒸着のために
は、該蒸着るつぼは、点50に配設されなければならな
い。
クリーンの製造に当たり、出発材料は、意図的に構造化
されていない支持部材であっても良い。図２は、本発明
による蒸着方法を実施する装置を非常に図的に示してい
る。排気されるべき空間30内に、支持部材即ち基板34
と、発光材料を含み且つ加熱素子38を具える蒸着るつぼ
36とを、本例では軸32を中心として回転自在に配設す
る。支持部材34は、挿通部材40を介して軸32を中心に回
転させることが可能である。また、代案として、蒸着る
つぼ36を、ブラケット44及び挿通部材46を介して軸32を
中心に回転させることが可能である。軸32は、支持部材
に垂直な中心線と一致すると好ましく、本例では、該支
持部材は、中心50を有する部分的球面である球面セグメ
ントである。斯かる支持部材の少なくとも中心点０にお
ける垂直蒸着のためには、蒸着るつぼはライン32上に配
設されるが、全スクリーンにわたる垂直蒸着のために
は、該蒸着るつぼは、点50に配設されなければならな
い。
【００１２】本発明による蒸着処理においては、蒸着る
つぼが、軸32の側方に配設される。図示の蒸着るつぼ36
の位置により、蒸着角θ°が得られる。記号θ°は、こ
の角度がスクリーンの中心点０に適合することを示すた
めに使用されている。入射角が支持部材上の位置と共に
変化することは、図から明らかであろう。回転に当た
り、蒸着は、支持部材全体にわたって角度を変化しなが
ら行われる。しかしながら、正しく述べると、中心点０
を除いて、二つの蒸着角が関連する、即ち、傾斜、つま
り中心点０について回転に際し一定である局所主ライン
（ローカルメインライン）に対する角度と、360°にわ
たる回転に当たり中心点０について変化する方位角とが
関連する、と言うことを考慮されたい。
つぼが、軸32の側方に配設される。図示の蒸着るつぼ36
の位置により、蒸着角θ°が得られる。記号θ°は、こ
の角度がスクリーンの中心点０に適合することを示すた
めに使用されている。入射角が支持部材上の位置と共に
変化することは、図から明らかであろう。回転に当た
り、蒸着は、支持部材全体にわたって角度を変化しなが
ら行われる。しかしながら、正しく述べると、中心点０
を除いて、二つの蒸着角が関連する、即ち、傾斜、つま
り中心点０について回転に際し一定である局所主ライン
（ローカルメインライン）に対する角度と、360°にわ
たる回転に当たり中心点０について変化する方位角とが
関連する、と言うことを考慮されたい。
【００１３】発光層全体の蒸着に際しては、支持部材
が、多数回、例えば、数十乃至数千回転するようにする
と好適である。
が、多数回、例えば、数十乃至数千回転するようにする
と好適である。
【００１４】その場合、蒸着るつぼは、常に一定位置を
占めることができるが、蒸着るつぼを、例えば、ブラケ
ット44を介して円運動させることにより相対運動を実現
しても良い。蒸着るつぼ及び点０間の結線は、中心法線
32と共に蒸着角θ°を囲む。蒸着るつぼが線52上に位置
し続ける限り、たとえ支持部材の残りの全ての点につい
ての蒸着角が変化しても、蒸着角θ°が関連する。好適
な蒸着角θ°は、例えば、約45°であるが、これはま
た、支持部材の温度、回転速度及び蒸着速度等の他の蒸
着パラメータに依存する。
占めることができるが、蒸着るつぼを、例えば、ブラケ
ット44を介して円運動させることにより相対運動を実現
しても良い。蒸着るつぼ及び点０間の結線は、中心法線
32と共に蒸着角θ°を囲む。蒸着るつぼが線52上に位置
し続ける限り、たとえ支持部材の残りの全ての点につい
ての蒸着角が変化しても、蒸着角θ°が関連する。好適
な蒸着角θ°は、例えば、約45°であるが、これはま
た、支持部材の温度、回転速度及び蒸着速度等の他の蒸
着パラメータに依存する。
【００１５】支持部材の温度の好適値は、ほぼ室温から
開始し、蒸着速度を支持部材からの所定の熱流と適応さ
せてスクリーン温度が約200°Ｃを越えないようにこと
である。所要に応じて、蒸着は、複数のるつぼから順次
行うことができる。例えば、中心点50を通る軸32に直角
な平面54から測定した蒸着るつぼの高さは、支持部材の
中心外の蒸着角、更には、支持部材及び蒸着るつぼ間の
局所距離を決定する。また、斯様にして、一定蒸着角と
共に、スクリーン上の発光層の厚さの変化に影響を及ぼ
すことができる。別の見地から、スクリーンに対する蒸
着るつぼの最適位置を斯様にして決定することができる
と共に、最適位置を際だたせる場合は、蒸着に当たり支
持部材を蒸着るつぼに対して更に傾けることができる。
斯様にして、例えば、蒸着角度とスクリーンの縁点Ａ及
びＢとの間の距離を常に互いに等しくすることができ
る。その場合、蒸着角θ°は変化するが、最適入射角に
対する公称値は、十分に大きいならばそれ程厳密ではな
く、従って、ある程度の変化は許容することができ、ま
して、好適でさえあるかもしれないことが分かった。事
実、蒸着時の蒸着角の変化も発光層における構造の最適
化に少なくとも部分的に寄与する、と言うことは除外さ
れない。この仮定は、スクリーン中で測定される蒸着角
において比較的大きな差があるにも関わらず、（それが
重要である限り）満足の行く一様な構造を持つ発光層が
得られる、と言う事実により支援される。
開始し、蒸着速度を支持部材からの所定の熱流と適応さ
せてスクリーン温度が約200°Ｃを越えないようにこと
である。所要に応じて、蒸着は、複数のるつぼから順次
行うことができる。例えば、中心点50を通る軸32に直角
な平面54から測定した蒸着るつぼの高さは、支持部材の
中心外の蒸着角、更には、支持部材及び蒸着るつぼ間の
局所距離を決定する。また、斯様にして、一定蒸着角と
共に、スクリーン上の発光層の厚さの変化に影響を及ぼ
すことができる。別の見地から、スクリーンに対する蒸
着るつぼの最適位置を斯様にして決定することができる
と共に、最適位置を際だたせる場合は、蒸着に当たり支
持部材を蒸着るつぼに対して更に傾けることができる。
斯様にして、例えば、蒸着角度とスクリーンの縁点Ａ及
びＢとの間の距離を常に互いに等しくすることができ
る。その場合、蒸着角θ°は変化するが、最適入射角に
対する公称値は、十分に大きいならばそれ程厳密ではな
く、従って、ある程度の変化は許容することができ、ま
して、好適でさえあるかもしれないことが分かった。事
実、蒸着時の蒸着角の変化も発光層における構造の最適
化に少なくとも部分的に寄与する、と言うことは除外さ
れない。この仮定は、スクリーン中で測定される蒸着角
において比較的大きな差があるにも関わらず、（それが
重要である限り）満足の行く一様な構造を持つ発光層が
得られる、と言う事実により支援される。
【００１６】上述のことから明らかであるように、種々
のパラメータが発光層の構造に影響を及ぼし、技術的余
裕条件も蒸着における一要因をなすことは明らかであ
る。蒸着角の値は十分に大きいならばそれ程厳密ではな
いため、スクリーンにわたる層の厚さ及びその変化に対
する種々の要求及び支持部材の種々の幾何学的構成に対
し満足の行く妥協点を常に見出すことができる。本発明
による適応技術の付加的な利点は、層全体を単一操作で
被着できることであり、その結果、厚さ方向における小
さい中断も防止される。蒸着角が比較的小さい場合、ス
クリーンの構造は既知のスクリーンの構造に極めて近い
ものになり、これに対し、蒸着角が比較的大きくなる
と、CsIのカラムは互いに大きく離間して配設されると
共に、例えば、スクリーンの充填係数（フィリングファ
クタ）、故に、Ｘ線吸収度が減少する。更に、より大き
な角度での蒸着の場合には、CsIが効率良く用いられな
い等一層実用性に劣るであろう。
のパラメータが発光層の構造に影響を及ぼし、技術的余
裕条件も蒸着における一要因をなすことは明らかであ
る。蒸着角の値は十分に大きいならばそれ程厳密ではな
いため、スクリーンにわたる層の厚さ及びその変化に対
する種々の要求及び支持部材の種々の幾何学的構成に対
し満足の行く妥協点を常に見出すことができる。本発明
による適応技術の付加的な利点は、層全体を単一操作で
被着できることであり、その結果、厚さ方向における小
さい中断も防止される。蒸着角が比較的小さい場合、ス
クリーンの構造は既知のスクリーンの構造に極めて近い
ものになり、これに対し、蒸着角が比較的大きくなる
と、CsIのカラムは互いに大きく離間して配設されると
共に、例えば、スクリーンの充填係数（フィリングファ
クタ）、故に、Ｘ線吸収度が減少する。更に、より大き
な角度での蒸着の場合には、CsIが効率良く用いられな
い等一層実用性に劣るであろう。
【００１７】特殊な場合、例えば、特に非常に高い解像
度が要求される場合には、実質的に別個のカラムを含む
構造を用いることができる。その場合、光学的クロスト
ークは完全に防止される。間隙は、原理的には、Ｘ線吸
収非発光材料で充填することができる。
度が要求される場合には、実質的に別個のカラムを含む
構造を用いることができる。その場合、光学的クロスト
ークは完全に防止される。間隙は、原理的には、Ｘ線吸
収非発光材料で充填することができる。
【００１８】相対的位置決め等に対し許容できる妥協点
を得ることができないような幾何学的構成の場合には、
例えば、発光材料の火炎溶射又はプラズマスプレーによ
って解決策を見出すことができる。比較的小さいノズル
で支持部材を効果的に走査する（両者の相対運動）一
方、支持部材からの距離を広い限界値内で自由に選択
し、かつ例えば、ノズルを傾斜することによりいずれか
の所望角度を局所的に調整することができる。更に、発
光材料の大部分が効果的に使用されるような手順を施す
ことができる。火炎溶射又はプラズマスプレーの場合、
支持部材の温度、堆積速度、堆積中の材料の性質等の如
き残りの要件は、蒸着中に用いられる値からのずれが過
大にならないようにする必要があり、その理由は、そう
しないと所望の鉱柱構造を有する層を得ることができな
いからである。
を得ることができないような幾何学的構成の場合には、
例えば、発光材料の火炎溶射又はプラズマスプレーによ
って解決策を見出すことができる。比較的小さいノズル
で支持部材を効果的に走査する（両者の相対運動）一
方、支持部材からの距離を広い限界値内で自由に選択
し、かつ例えば、ノズルを傾斜することによりいずれか
の所望角度を局所的に調整することができる。更に、発
光材料の大部分が効果的に使用されるような手順を施す
ことができる。火炎溶射又はプラズマスプレーの場合、
支持部材の温度、堆積速度、堆積中の材料の性質等の如
き残りの要件は、蒸着中に用いられる値からのずれが過
大にならないようにする必要があり、その理由は、そう
しないと所望の鉱柱構造を有する層を得ることができな
いからである。
【００１９】比較のため、図３に既知の構造の層及び本
発明による試験層を走査型電子顕微鏡によって撮影した
写真を示す。これらはいずれも平面図、即ち、支持部材
から離れた方向から見た写真である。図3aに示される既
知の層は、比較的広い亀裂（クラック）60を明瞭に示し
（特に図3a１）参照）、従って、図3a３）から明らかな
ように、比較的大きいキャビティ62も示す。図3bに示さ
れる本発明により作製された層は、図3b１）から明らか
なように、極小さい幅の亀裂64を有し、従って、図3b
３）から明らかなように、比較的小さいキャビティ66を
有する。適応技術全体の最適化により、例えば、明らか
に0.5〜１μｍを超える幅を有する亀裂は完全に防止す
ることができる。図3b１）及び図3b２）は、既知の層に
おいて生ずる広い間隙又はキャビティが存在しないこと
に起因する、極めて規則的な構造及び比較的大きい充填
係数を明瞭に示している。改善された構造に起因して、
所望の場合には、本発明による層は、解像度の低下を伴
うことなくより一層厚く、例えば、400〜500μｍにする
ことができる。規則的構造であることにより、中間層を
付加するか又は付加することなく、層上により連続的な
ホトカソードを配設することができる。その結果、この
層の部分も、厳しい制限を斯様に導く広い間隙又はキャ
ビティを持つ粗い構造を伴うことなく最適化できる。
発明による試験層を走査型電子顕微鏡によって撮影した
写真を示す。これらはいずれも平面図、即ち、支持部材
から離れた方向から見た写真である。図3aに示される既
知の層は、比較的広い亀裂（クラック）60を明瞭に示し
（特に図3a１）参照）、従って、図3a３）から明らかな
ように、比較的大きいキャビティ62も示す。図3bに示さ
れる本発明により作製された層は、図3b１）から明らか
なように、極小さい幅の亀裂64を有し、従って、図3b
３）から明らかなように、比較的小さいキャビティ66を
有する。適応技術全体の最適化により、例えば、明らか
に0.5〜１μｍを超える幅を有する亀裂は完全に防止す
ることができる。図3b１）及び図3b２）は、既知の層に
おいて生ずる広い間隙又はキャビティが存在しないこと
に起因する、極めて規則的な構造及び比較的大きい充填
係数を明瞭に示している。改善された構造に起因して、
所望の場合には、本発明による層は、解像度の低下を伴
うことなくより一層厚く、例えば、400〜500μｍにする
ことができる。規則的構造であることにより、中間層を
付加するか又は付加することなく、層上により連続的な
ホトカソードを配設することができる。その結果、この
層の部分も、厳しい制限を斯様に導く広い間隙又はキャ
ビティを持つ粗い構造を伴うことなく最適化できる。
【図１】 本発明によるＸ線像増強管を示す。
【図２】 本発明による方法を実施する装置を図的に示
す。
す。
【図３】 図3aは従来の発光層の平面の３つの異なる倍
率における粒子構造を示し、図3bは本発明による発光層
の平面の３つの異なる倍率における粒子構造を示す。
率における粒子構造を示し、図3bは本発明による発光層
の平面の３つの異なる倍率における粒子構造を示す。
１：Ｘ線像増強管 ８：入口スクリーン 20、34：支持部材 22：発光材料層 21：ホトカソード 32：軸 36：蒸着るつぼ 38：加熱素子 ０：中心点 θ°：蒸着角
フロントページの続き (71)出願人 590000248 Ｇｒｏｅｎｅｗｏｕｄｓｅｗｅｇ １, 5621 ＢＡ Ｅｉｎｄｈｏｖｅｎ， Ｔｈ ｅ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ (72)発明者 オフノト レオナルド ヘルマン シモン ス オランダ国 ヘールレン イェー カンペ ルトストラート５
Claims (6)
- 【請求項１】 発光材料層及びホトカソードを配設する
支持部材を有する入口スクリーンを具えるＸ線像増強管
の製造方法において、前記発光材料層を、前記スクリー
ンに垂直な中心線に対し斜めに蒸着することによって堆
積し、前記発光材料層の堆積中、前記支持部材の温度を
室温から最高温度まで上昇させることを特徴とするＸ線
像増強管の製造方法。 - 【請求項２】 前記最高温度を２００°Ｃ未満とするこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＸ線像増強
管の製造方法。 - 【請求項３】 前記発光材料層を、前記スクリーンに垂
直な中心線に対し約40°〜50°の角度で蒸着することに
よって堆積することを特徴とする特許請求の範囲第１項
または第２項に記載のＸ線像増強管の製造方法。 - 【請求項４】 前記発光材料層の被着過程に当たり、前
記支持部材が、発光材料源に対し、該支持部材に垂直な
中心線の周りで回転することを特徴とする特許請求の範
囲第１項、第２項または第３項に記載のＸ線像増強管の
製造方法。 - 【請求項５】 前記発光材料源が、前記支持部材に垂直
な中心線の周りで円運動を行うことを特徴とする特許請
求の範囲第１項乃至第４項の何れか一項に記載のＸ線像
増強管の製造方法。 - 【請求項６】 前記発光材料層の被着過程に当たり、前
記支持部材が、前記発光材料源に対し、傾斜運動を行う
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第５項の何
れか一項に記載のＸ線像増強管の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8502570A NL8502570A (nl) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | Roentgenbeeldversterkerbuis met geoeptimaliseerde microstructuur. |
| NL8502570 | 1985-09-20 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61219852A Division JPH0773031B2 (ja) | 1985-09-20 | 1986-09-19 | Ｘ線像増強管の製造方法及びｘ線像増強管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000243272A true JP2000243272A (ja) | 2000-09-08 |
| JP3182414B2 JP3182414B2 (ja) | 2001-07-03 |
Family
ID=19846585
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61219852A Expired - Fee Related JPH0773031B2 (ja) | 1985-09-20 | 1986-09-19 | Ｘ線像増強管の製造方法及びｘ線像増強管 |
| JP2000040013A Expired - Fee Related JP3182414B2 (ja) | 1985-09-20 | 2000-02-17 | Ｘ線像増強管の製造方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61219852A Expired - Fee Related JPH0773031B2 (ja) | 1985-09-20 | 1986-09-19 | Ｘ線像増強管の製造方法及びｘ線像増強管 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0219153B1 (ja) |
| JP (2) | JPH0773031B2 (ja) |
| KR (1) | KR870003534A (ja) |
| CN (1) | CN1009037B (ja) |
| AU (1) | AU6292186A (ja) |
| BR (1) | BR8604460A (ja) |
| DE (1) | DE3674133D1 (ja) |
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| NL9000267A (nl) * | 1990-02-05 | 1991-09-02 | Philips Nv | Proximity roentgenbeeldversterkerbuis. |
| US5171996A (en) * | 1991-07-31 | 1992-12-15 | Regents Of The University Of California | Particle detector spatial resolution |
| DE4219347C2 (de) * | 1992-06-12 | 1996-05-02 | Siemens Ag | Verfahren zum Erzeugen einer strukturierten Alkalihalogenidschicht und damit hergestellte Leuchtstoffschicht |
| DE19519775A1 (de) * | 1995-05-30 | 1996-12-12 | Siemens Ag | Verfahren zum Erzeugen dotierter Alkalihalogenidaufdampfschichten |
| US5904781A (en) * | 1997-06-23 | 1999-05-18 | Goodman; Claude | Processing and apparatus for manufacturing auto-collimating phosphors |
| US6620252B2 (en) * | 2001-10-29 | 2003-09-16 | Thomson Licensing S.A. | Metallization module for cathode-ray tube (CRT) applications |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3652323A (en) * | 1969-12-22 | 1972-03-28 | Rca Corp | Process for coating flatlike surfaces |
| US4011454A (en) * | 1975-04-28 | 1977-03-08 | General Electric Company | Structured X-ray phosphor screen |
| US4052519A (en) * | 1975-07-02 | 1977-10-04 | Zenith Radio Corporation | Non-settling process for coating a phosphor slurry on the inner surface of a cathode ray tube faceplate |
| US4035524A (en) * | 1976-04-01 | 1977-07-12 | Zenith Radio Corporation | Process for coating a phosphor slurry on the inner surface of a color cathode ray tube faceplate |
| JPS5478074A (en) * | 1977-12-05 | 1979-06-21 | Toshiba Corp | Production of input screen for image increasing tube |
| US4254160A (en) * | 1979-12-17 | 1981-03-03 | Rca Corporation | Method for slurry coating a faceplate panel having a peripheral sidewall |
| US4437011A (en) * | 1980-06-16 | 1984-03-13 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Radiation excited phosphor screen and method for manufacturing the same |
| US4528210A (en) * | 1980-06-16 | 1985-07-09 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a radiation excited input phosphor screen |
| US4529885A (en) * | 1981-12-04 | 1985-07-16 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Direct current electroluminescent devices |
| FR2530367A1 (fr) * | 1982-07-13 | 1984-01-20 | Thomson Csf | Ecran scintillateur convertisseur de rayonnement et procede de fabrication d'un tel ecran |
| JPS60207229A (ja) * | 1984-03-30 | 1985-10-18 | Toshiba Corp | 陰極線管螢光面の形成方法 |
-
1985
- 1985-09-20 NL NL8502570A patent/NL8502570A/nl not_active Application Discontinuation
-
1986
- 1986-09-12 US US06/906,476 patent/US4842894A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-09-17 BR BR8604460A patent/BR8604460A/pt unknown
- 1986-09-17 KR KR1019860007860A patent/KR870003534A/ko not_active Application Discontinuation
- 1986-09-17 CN CN86106387A patent/CN1009037B/zh not_active Expired
- 1986-09-17 DE DE8686201614T patent/DE3674133D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-09-17 EP EP86201614A patent/EP0219153B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-09-17 ES ES8601949A patent/ES2000982A6/es not_active Expired
- 1986-09-18 AU AU62921/86A patent/AU6292186A/en not_active Abandoned
- 1986-09-19 JP JP61219852A patent/JPH0773031B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-02-17 JP JP2000040013A patent/JP3182414B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
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| BR8604460A (pt) | 1987-05-19 |
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| KR870003534A (ko) | 1987-04-18 |
| JPH0773031B2 (ja) | 1995-08-02 |
| JP3182414B2 (ja) | 2001-07-03 |
| AU6292186A (en) | 1987-03-26 |
| EP0219153B1 (en) | 1990-09-12 |
| NL8502570A (nl) | 1987-04-16 |
| DE3674133D1 (de) | 1990-10-18 |
| JPS62176024A (ja) | 1987-08-01 |
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