JP2000234866A - 熱処理装置 - Google Patents

熱処理装置

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JP2000234866A
JP2000234866A JP3882999A JP3882999A JP2000234866A JP 2000234866 A JP2000234866 A JP 2000234866A JP 3882999 A JP3882999 A JP 3882999A JP 3882999 A JP3882999 A JP 3882999A JP 2000234866 A JP2000234866 A JP 2000234866A
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Japan
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support
port
discharge
processed
workpiece
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Pending
Application number
JP3882999A
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English (en)
Inventor
Hiroshi Kitamura
寛 北村
Kazuyoshi Yamaguchi
和嘉 山口
Akira Kuritani
彰 栗谷
Hironobu Arii
宏信 有井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JTEKT Thermo Systems Corp
Original Assignee
Koyo Thermo Systems Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】処理効率、スループット、品質、熱効率を向上
でき、不良品発生時の被害を小さくし、生産量調整を柔
軟にでき、炉体設置面積を小さくでき、被処理材を直接
に搬送できる熱処理装置を提供する。 【解決手段】プロセスチューブ内の気密空間で被処理材
を直接かつ相対摺動することなく支持し上下に間欠的に
搬送する。その炉体3に被処理材の導入口21と排出口22
が上下間隔をおいて形成される。その導入口21との接続
口と被処理材の取り込み口を有する導入側パージ部と、
その排出口22との接続口と被処理材の送り出し口を有す
る排出側パージ部を備え、その導入口21と接続口と取り
込み口と排出口22と接続口と送り出し口は開閉される。
被処理材は取り込み口を介して導入側パージ部内に取り
込まれ、導入口21を介して前記搬送機構32に供給され、
その搬送機構32から排出口22を介して排出側パージ部内
に取り込まれ、送り出し口を介して排出側パージ部外に
送り出される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ等の
被処理材を、水素等の雰囲気ガス下において熱処理する
のに適した熱処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、半導体ウェハ上に形成したマス
クをエッチングした後にアルミニウムを蒸着し、しかる
後にポーラス構造を緻密化するため、水素ガス雰囲気中
で加熱還元することで半導体ウェハを熱処理することが
行われている。
【0003】従来、その半導体ウエハの熱処理において
はバッチ処理が採用されていた。すなわち、複数の半導
体ウエハを、熱処理ボートやサセプタ等に収納して縦型
炉あるいは横型炉により一挙に熱処理を行っていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、バッチ処理で
は被処理材の熱処理ボートやサセプタ等の治具からの出
し入れや、その治具の清掃が必要になり、さらに治具の
熱容量分だけ熱効率が低下する。また、熱処理以外の半
導体ウエハの処理は、通常は枚葉式であり、半導体ウエ
ハはインライン化されて搬送される。そのため、熱処理
工程と他の工程とを連続して行うことができず、処理効
率が悪くスループットが低下する。また、バッチ処理の
場合、半導体ウエハが熱処理される前に大気に曝露され
る時間が長くなるので品質に悪影響を及ぼす。さらに、
熱処理不良が発生した場合は1バッチ分の被処理材が全
て不良品になったり、生産量の調整が1バッチ単位でし
か行なえないという問題もある。すなわち、半導体ウエ
ハを水素等の爆発性ガスを含有する雰囲気中で連続的に
搬送しつつ熱処理できる装置は従来なかった。そこで連
続炉を用いることが考えられるが、従来の連続炉は設備
設置面積が大きくなるという問題がある。
【0005】本発明は、上記問題を解決することのでき
る熱処理装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、炉体を構成す
るプロセスチューブを有し、そのプロセスチューブ内の
気密空間において被処理材を加熱する熱処理装置であっ
て、少なくともそのプロセスチューブ内において被処理
材を直接かつ相対摺動することなく支持すると共に上下
方向に沿って間欠的に搬送する搬送機構と、その炉体に
形成される被処理材の導入口と、その導入口に対して上
下間隔をおいた位置で炉体に形成される被処理材の排出
口と、その導入口との接続口および被処理材の取り込み
口を有する導入側パージ部と、その導入側パージ部内の
パージ手段と、その導入口と導入側パージ部の接続口と
を開閉する第1導入側開閉機構と、その取り込み口を開
閉する第2導入側開閉機構と、被処理材を取り込み口を
介して導入側パージ部内に取り込むと共に導入口を介し
て前記搬送機構に供給可能な被処理材導入機構と、その
排出口との接続口および被処理材の送り出し口を有する
排出側パージ部と、その排出側パージ部内のパージ手段
と、その排出口と排出側パージ部の接続口とを開閉する
第1排出側開閉機構と、その送り出し口を開閉する第2
排出側開閉機構と、被処理材を前記搬送機構から排出口
を介して排出側パージ部内に取り込むと共に送り出し口
を介して排出側パージ部外に送り出し可能な被処理材排
出機構とを備える。
【0007】本発明の熱処理装置によれば、複数の被処
理材を炉体内に順次導入し、プロセスチューブ内に導入
された被処理材を上下方向に沿って間欠的に搬送しつつ
加熱し、その加熱された被処理材を炉体内から導入順に
順次排出できる。これにより、複数の被処理材を一つず
つ順次熱処理でき、熱処理以外の処理工程と連続して被
処理材をインライン化して搬送でき、また、被処理材が
熱処理される前に大気に曝露される時間を可及的に短く
できる。また、被処理材を上下方向に沿って搬送するこ
とで、炉体の設置面積を可及的に小さくできる。また、
被処理材は搬送機構により直接に支持されて搬送される
ので、熱処理用ボートやサセプタ等の治具が不要にな
る。さらに本発明の熱処理装置によれば、被処理材を取
り込み口を介して導入側パージ部内に取り込み、その取
り込み口と導入口と接続口とを閉鎖した状態で導入側パ
ージ部内をパージすることで、その導入側パージ部から
大気を除去し、しかる後に導入口と接続口を開いて被処
理材を搬送機構に供給することができる。よって、炉体
内に被処理材を導入する際に大気が侵入するのを防止で
き、炉体内の水素等の雰囲気ガスと酸素との反応による
爆発や被処理材の酸化を防止できる。また、排出側パー
ジ部内の気体は、排出口と接続口を開くと炉体内からの
輻射熱により膨張するため、排出側パージ部外に吹き出
し、その後に排出口と接続口が閉鎖されると温度下降に
より収縮するため、排出側パージ部は負圧になる。この
負圧状態を放置すると排出側パージ部内に大気に吸引さ
れるため、炉体内から入り込んだ水素等の雰囲気ガスと
酸素との反応により爆発が生じるおそれがある。上記構
成によれば、被処理材を排出口と接続口を介して搬送機
構から排出側パージ部内に取り込み、その排出口と接続
口と送り出し口とを閉鎖した状態で排出側パージ部内を
パージすることで、排出側パージ部内の雰囲気ガスを除
去すると共に室内を正圧にして爆発を防止できる。ま
た、搬送機構は被処理材を相対摺動することなく支持し
て搬送するので、発塵を防止できる。
【0008】本発明においては、その被処理材を炉体内
において上から下に向かい搬送するのが好ましい。これ
により、炉体内は上方の方が下方よりも温度が高いた
め、被処理材を迅速に加熱して効率を向上できる。
【0009】その搬送機構は、複数の被処理材を上下間
隔をおいた複数位置で支持可能な第1支持機構と、複数
の被処理材を上下間隔をおいた複数位置で支持可能な第
2支持機構とを有し、その第1支持機構は、上下方向軸
中心に回転駆動される複数の第1支柱と、各被処理材の
支持位置において各第1支柱から横方向に突出する複数
の第1支持片とを有し、各第1支持片は、第1支柱の回
転により、被処理材を直接に載置可能な支持位置と被処
理材の上下方向移動を許容する支持解除位置との間で変
位可能とされ、その第2支持機構は、上下方向軸中心に
回転駆動される複数の第2支柱と、各被処理材の支持位
置において各第2支柱から横方向に突出する複数の第2
支持片とを有し、各第2支持片は、第2支柱の回転によ
り、被処理材を直接に載置可能な支持位置と被処理材の
上下方向移動を許容する支持解除位置との間で変位可能
とされ、第1支柱と第2支柱が互いに対して相対的に上
下方向に沿って直線移動するように、両支柱の中の少な
くとも一方は上下に駆動され、その第2支柱の第1支柱
に対する相対的な下方移動により、第2支持片に載置さ
れた被処理材は支持位置の第1支持片に載せ替え可能と
され、第2支柱の第1支柱に対する相対的な上方移動に
より、第1支持片に載置された被処理材は支持位置の第
2支持片に載せ替え可能とされているのが好ましい。こ
の構成によれば、被処理材を支持位置の上部側第1支持
片に載置し、第2支持片を支持解除位置に配置した状態
で、第2支持片を第2支柱の回転により支持位置に変位
させ、次に、第2支柱の第1支柱に対する相対的な上方
移動により、第1支持片に載置された被処理材を支持位
置の第2支持片に載せ替え、次に、第1支持片を第1支
柱の回転により支持解除位置に変位させ、次に、第2支
柱を第1支柱に対して相対的に下方移動させ、各第1支
持片を支持位置に変位した時に第2支持片に載置された
被処理材と干渉することがなく、且つ、それまで載置し
ていた被処理材の上方位置に配置させ、次に、第1支持
片を第1支柱の回転により支持位置に変位させ、次に、
第2支柱の第1支柱に対する相対的な下方移動により、
第2支持片に載置された被処理材を支持位置の下部側第
1支持片に載せ替えるができる。しかる後に、第2支持
片を第2支柱の回転により支持解除位置に配置し、第2
支柱を第1支柱に対して相対的に上方移動させ、第2支
持片が支持位置に変位した時に第1支持片に載置された
被処理材と干渉することがない位置に配置する。上記動
作を繰り返すことで、被処理材を間欠的に上から下に向
かい搬送できる。また、被処理材を支持位置の上部側第
1支持片に載置し、第2支持片を支持解除位置に配置し
た状態で、第2支持片を第2支柱の回転により支持位置
に変位させ、次に、第2支柱の第1支柱に対する相対的
な上方移動により、第1支持片に載置された被処理材を
支持位置の第2支持片に載せ替え、次に、第1支持片を
第1支柱の回転により支持解除位置に変位させ、次に、
第2支柱を第1支柱に対して相対的に上方移動させ、各
第1支持片を支持位置に変位した時に第2支持片に載置
された被処理材と干渉することがなく、且つ、それまで
載置していた被処理材の下方位置に配置させ、次に、第
1支持片を第1支柱の回転により支持位置に変位させ、
次に、第2支柱の第1支柱に対する相対的な下方移動に
より、第2支持片に載置された被処理材を支持位置の上
部側第1支持片に載せ替えることができる。しかる後
に、第2支持片を第2支柱の回転により支持解除位置に
配置し、第2支柱を第1支柱に対して相対的に下方移動
させ、第2支持片が支持位置に変位した時に第1支持片
に載置された被処理材と干渉することがない位置に配置
する。上記動作を繰り返すことで、被処理材を間欠的に
下から上に向かい搬送できる。この搬送機構によれば、
熱処理ボートやサセプタ等の治具を用いることなく被処
理材を直接に搬送する場合でも、被処理材が支持片に対
して摺動することはないので品質低下を防止できる。
【0010】前記第1支柱と第2支柱は、炉体外部にシ
ールを介して突出され、その突出部に接続される駆動装
置により上下方向軸中心に回転駆動されると共に少なく
とも一方は上下に駆動されるのが好ましい。これによ
り、炉体内で被処理材を搬送する際に水素等の雰囲気ガ
スが炉体外に漏れるのを防止できる。
【0011】
【発明の実施の形態】図1〜図3に示す熱処理装置1
は、筐体2と、この筐体2内に設けられた炉体3と、こ
の炉体3内の半導体ウェハ等の被処理材を加熱する加熱
装置4と、その炉体3に接続される導入側パージ部5お
よび排出側パージ部6と、その筐体2内に出入り口2a
から搬入される被処理材を導入側パージ部5と排出側パ
ージ部6との間で昇降させる送り装置7とを備える。
【0012】図4に示すように、その炉体3は、上下方
向軸心の円筒形石英製プロセスチューブ11と、このチ
ューブ11の上部を保持する上部ホルダー12と、その
チューブ11の下部を保持する下部ホルダー13とを有
し、筐体2により支持される。その上部ホルダー12
は、チューブ11にシール14を介して嵌め合わされる
と共にボルト15により固定されるリング16に一体化
される。その下部ホルダー13は、チューブ11にシー
ル17を介して嵌め合わされると共にボルト18により
固定されるリング19に一体化される。その上部ホルダ
ー12の側面から横方向に突出する筒状部12aが設け
られ、その筒状部12aの先端に、被処理材の導入口2
1が横向きに開口するように形成される。その下部ホル
ダー13の側面から横方向に突出する筒状部13aが設
けられ、その筒状部13aの先端に被処理材の排出口2
2が横向きに開口するように形成されている。これによ
り、その導入口21と排出口22は互いに対して上下間
隔をおいて配置され、本実施形態では導入口21は排出
口22の上方に配置される。
【0013】そのチューブ11を含む炉体3内において
被処理材を直接かつ相対摺動することなく支持すると共
に上下方向に沿って間欠的に搬送する搬送機構32が設
けられている。その搬送機構32は、複数の被処理材を
上下間隔をおいた複数位置で支持可能な第1支持機構3
3と、複数の被処理材を上下間隔をおいた複数位置で支
持可能な第2支持機構34とを有する。
【0014】その第1支持機構33は、上下方向軸中心
に回転駆動される複数の第1支柱35と、各被処理材の
支持位置において各第1支柱35から横方向に突出する
複数の第1支持片36とを有する。各第1支柱35にお
いて、各第1支持片36は等間隔で並列される。図5に
示すように、本実施形態では第1支柱35は4本とさ
れ、支持される被処理材Wを囲むように配置される。各
第1支持片36は、第1支柱35の回転により、被処理
材Wを直接に載置可能な支持位置と、被処理材Wの上下
方向移動を許容する支持解除位置(図5において2点鎖
線で示す)との間で変位可能とされている。各第1支柱
35は、上下部ホルダー12、13に嵌め合わされた筒
状ベローズ37により軸受38とシール39とを介して
支持され、そのシール39を介して炉体3の外部に突出
され、その突出部に炉体3の下方において筐体2に取り
付けられた第1回転駆動装置41が接続される。その第
1回転駆動装置41により各第1支柱35は上下方向軸
中心に互いに同期して回転駆動される。
【0015】その第2支持機構34は、上下方向軸中心
に回転駆動されると共に上下駆動される複数の第2支柱
42と、各被処理材の支持位置において各第2支柱42
から横方向に突出する複数の第2支持片43とを有す
る。各第2支柱42において、各第2支持片43は各第
1支持片36の並列間隔と等しい等間隔で並列される。
図5に示すように、本実施形態では第2支柱42は4本
とされ、支持される被処理材Wを囲むように配置され、
被処理材Wの周方向に沿って第1支柱35と第2支持片
43は間隔をおいて交互に並列する。各第2支持片43
は、第2支柱42の回転により、被処理材Wを直接に載
置可能な支持位置と、被処理材Wの上下方向移動を許容
する支持解除位置(図5において2点鎖線で示す)との
間で変位可能とされている。各第2支柱42は、上下部
ホルダー12、13に嵌め合わされた筒状ベローズ44
により軸受46とシール47とを介して支持され、その
シール47を介して炉体3の外部に突出され、その突出
部に炉体3の下方において筐体2に取り付けられた第2
回転駆動装置49と昇降駆動装置48が接続される。そ
の第2回転駆動装置49により各第2支柱42は上下方
向軸中心に互いに同期して回転駆動される。なお、各支
柱35、42や各支持片36、43はセラミック製とす
るのが好ましい。その第1、第2回転駆動装置41、4
9は例えばACサーボモータと減速ギヤ機構とを有する
サーボアクチュエータから構成できる。
【0016】その昇降駆動装置48は、その第2回転駆
動装置49を支持する支持部材50と一体のナット保持
部材51により保持されるボールナット52と、このボ
ールナット52にねじ合わされると共に筐体2により支
持されるボールスクリュー53とを有する。そのボール
スクリュー53は筐体2に取り付けられるサーボアクチ
ュエータ54により回転駆動され、その支持部材50は
筐体2に取り付けられた回り止め(図示省略)によりボ
ールスクリュー53との連れ回りが防止される。これに
より、そのボールスクリュー53を回転駆動すること
で、第2支柱42を第2回転駆動装置49と共に上下駆
動させることができるので、第1支柱35と第2支柱4
2は互いに対して相対的に上下方向に沿って直線移動す
る。
【0017】その第2支柱42の第1支柱35に対する
相対的な下方移動により、第2支持片43に載置された
被処理材Wは支持位置の第1支持片36に載せ替え可能
とされ、第2支柱42の第1支柱35に対する相対的な
上方移動により、第1支持片36に載置された被処理材
Wは支持位置の第2支持片43に載せ替え可能とされて
いる。
【0018】その炉体3の内部には、水素等の雰囲気ガ
スが被処理材Wの搬送方向と逆方向に流動するように、
炉体3の下部から配管61を介して供給される。また、
その炉体3の内部は、上下邪魔板62、63により、各
支柱35、42の上部支持領域Aと、被処理材Wの搬送
領域Bと、各支柱35、42の下部支持領域Cとに区画
される。各支柱35、42は両邪魔板62、63に形成
された通孔に隙間を介して挿通される。各支持領域A、
Cと搬送領域Bは配管64a、64bを介して接続さ
れ、その配管64a、64b途中にブロアー66a、6
6bとフィルター67a、67bとが設けられている。
これにより、搬送領域B内の雰囲気ガスはブロアー66
a、66bにより吸引されることで、支柱35、42と
邪魔板62、63との間の隙間から支持領域A、Cに至
り、フィルター67a、67bを介して搬送領域Bに還
流し、クリーン度が保持される。
【0019】本実施形態では、上記搬送機構32により
被処理材Wは炉体3内において上方から下方に向かい間
欠的に搬送される。図6〜図13を参照して、被処理材
Wを上部側の第1支持片36から下部側の第1支持片3
6へ載せ替えることによる被処理材Wの搬送作用を説明
する。
【0020】図6は被処理材Wを支持位置の上部側第1
支持片36に載置し、第2支持片43を支持解除位置に
配置した状態を示す。この状態から、図7に示すように
第2支柱42を第1支柱35に対して相対的に上方移動
させる。この相対的上方移動量は、第2支持片43が支
持位置に変位した時に第1支持片36に載置された被処
理材Wと干渉することがないように定められる。次に、
図8に示すように第2支持片43を第2支柱42の回転
により支持位置に変位させる。次に、図9に示すように
第2支柱42の第1支柱35に対する相対的な上方移動
により、第1支持片36に載置された被処理材Wを支持
位置の第2支持片43に載せ替える。次に、図10に示
すように第1支持片36を第1支柱35の回転により支
持解除位置1変位させる。次に、図11に示すように第
2支柱42を第1支柱35に対して相対的に下方移動さ
せる。この相対的下方移動量は、各第1支持片36を支
持位置に変位した時に第2支持片43に載置された被処
理材Wと干渉することがなく、且つ、それまで載置して
いた被処理材Wの上方位置に配置させるように定められ
る。次に、図12に示すように第1支持片36を第1支
柱35の回転により支持位置に変位させる。次に、図1
3に示すように第2支柱42の第1支柱35に対する相
対的な下方移動により、第2支持片43に載置された被
処理材Wを支持位置の下部側第1支持片36に載せ替え
る。これを繰り返すことで、被処理材Wを間欠的に上か
ら下に向かい搬送できる。
【0021】図14に示すように、上記加熱装置4は、
上記チューブ11を囲むように筐体2により支持される
筒状ヒータホルダー71と、このヒータホルダー71に
より上下間隔をおいた3位置で保持されるヒータ72
a、72b、72cとを有する。各ヒータ72a、72
b、72cは、それぞれ熱電対、温度調節計、電力制御
器に接続され、互いに独立して発熱量の制御が可能とさ
れている。これにより、チューブ11内の上方領域、下
方領域、上下間中間領域の温度を個別に制御し、温度分
布を良好にすることが図られ、例えばチューブ11内に
400℃程度の均熱領域を形成できる。
【0022】図15、図16に示すように、上記導入側
パージ部5と排出側パージ部6は同様の構造を有する。
すなわち、導入側パージ部5と排出側パージ部6は、そ
れぞれ円筒状のハウジング75を有し、このハウジング
75の側面から横方向に突出する第1筒状部75aと第
2筒状部75bとが設けられる。その導入側パージ部5
のハウジング75における第1筒状部75aの先端にお
ける横向き開口75cは、被処理材Wの取り込み口とさ
れ、第2筒状部75bの先端における横向き開口75d
は炉体3の導入口21との接続口とされる。その排出側
パージ部6のハウジング75における第1筒状部75a
の先端における横向き開口75cは、被処理材Wの送り
出し口とされ、第2筒状部75bの先端における横向き
開口75dは、炉体3の排出口22との接続口とされ
る。
【0023】その導入口21と導入側パージ部5の接続
口とは、第1導入側開閉機構78の駆動用流体圧シリン
ダ78aにより駆動されるゲート78bにより開閉さ
れ、その取り込み口は、第2導入側開閉機構79の駆動
用流体圧シリンダ79aにより駆動されるゲート79b
により開閉される。その排出口22と排出側パージ部6
の接続口とは、第1排出側開閉機構80の駆動用流体圧
シリンダ80aにより駆動されるゲート80bにより開
閉され、その送り出し口は、第2排出側開閉機構81の
駆動用流体圧シリンダ81aにより駆動されるゲート8
1bにより開閉される。
【0024】その導入側パージ部5内と排出側パージ部
6内とは、窒素ガス等の不活性ガスが配管82を介して
送り込まれる共に配管83を介して排出されることでガ
スパージされる。本実施形態では、両パージ部5、6に
熱処理装置1の稼働中は常時パージガスを供給する。な
お、ガスパージに代えてパージ部5、6内を真空引きす
る真空パージを行ってもよい。
【0025】その導入側パージ部5内に被処理材導入機
構85が設けられ、その排出側パージ部6内に被処理材
排出機構86が設けられている。その被処理材Wの導入
機構85と排出機構86とは同様の構成を有する。すな
わち両機構85、86は、それぞれ第1アーム87と第
2アーム88と第3アーム89と駆動機構90とをす
る。その第1アーム87の一端側はハウジング75によ
り上下直線移動可能および上下方向軸中心に揺動可能に
支持され、その第2アーム88の一端側は第1アーム8
7の他端側により上下方向軸中心に揺動可能に支持さ
れ、その第3アーム89の一端側は第2アーム88の他
端側により上下方向軸中心に揺動可能に支持される。そ
の第3アーム89の他端は被処理材Wを載置可能な二股
状載置部89aとされている。各アーム87、88、8
9が駆動機構90により駆動されることで、その第3ア
ーム89の他端は上下動し、また、取り込み口、送り出
し口を通ってハウジング75の内外間を移動し、接続口
を通ってハウジング75と炉体3の間を移動する。その
導入機構85により、被処理材Wを取り込み口を介して
導入側パージ部5内に取り込むと共に導入口21を介し
て上記搬送機構32に供給できる。その排出機構86に
より、被処理材Wを上記搬送機構32から排出口22を
介して排出側パージ部6内に取り込むと共に送り出し口
を介して排出側パージ部6外に送り出すことができる。
【0026】図17に示すように、上記送り装置7は、
筐体2により支持される支持部91により支持されると
共にサーボアクチュエータ92により回転駆動されるボ
ールスクリュー93と、このボールスクリュー93にね
じ合わされるボールナット94と、このボールナット9
4に取り付けられるステージ95とを有し、そのステー
ジ95に被処理材Wが載置される。そのボールナット9
4は筐体2に取り付けられた回り止め(図示省略)によ
りボールスクリュー93との連れ回りが防止される。こ
れにより、そのステージ95は、ボールスクリュー93
の回転駆動により上下方向に沿って直線的に駆動され、
筐体2の出入り口2a、導入側パージ部5の取り込み
口、および排出側パージ部6の送り出し口に対向する位
置に配置可能とされている。
【0027】その筐体2内における送り装置7の配置領
域の空気清浄装置96が設けられている。その空気清浄
装置96は、配管97と、この配管97途中に設けられ
たブロワ98およびフィルタ99を有し、その配管97
の一端の吸引部97aと他端の排出部97bとが送り装
置7を挟むように配置されている。これにより、図中矢
印で示すように、その吸引部97aからブロワ98によ
り吸引された空気がフィルタ99により清浄化されて排
出部97bから送り出され、送り装置7の配置領域にお
けるクリーン度が向上される。
【0028】上記構成により熱処理の行うため、被処理
材Wを筐体2内に一定時間間隔(例えば3分)毎に出入
り口2aから例えばロボットにより搬入し、ステージ9
5上に載置する。次に、そのステージ95の上昇により
被処理材Wを導入側パージ部5の取り込み口との対向位
置に配置する。次に、第2導入側開閉機構79により取
り込み口を開き、その被処理材Wを導入機構85により
導入側パージ部5内に取り込む。次に、取り込み口を閉
鎖して導入側パージ部5内をガスパージする。次に、第
1導入側開閉機構78により接続口と導入口21とを開
き、導入機構85により被処理材Wを炉体3内に導入
し、搬送機構32の第1支持片36上に載置する。次
に、接続口と導入口21とを閉鎖し、その炉体3内に導
入された被処理材Wを、搬送機構32により上記のよう
に下方に向かって間欠的に搬送しつつ、チューブ11内
の気密空間において加熱装置4により加熱する。その被
処理材Wが排出口22との対向位置まで搬送されたなら
ば、第1排出側開閉機構80により排出口22と排出側
パージ部6の接続口とを開き、その被処理材Wを排出機
構86により排出側パージ部6内に取り込む。次に、排
出口22と接続口を閉鎖して排出側パージ部6内をガス
パージする。次に、第2排出側開閉機構81により送り
出し口を開き、排出機構86により被処理材Wを排出側
パージ部6から送り出し、送り出し口に対向する位置に
下降されたステージ95上に載置する。次に、その送り
出し口を閉鎖し、ステージ95を筐体2の出入り口2a
との対向位置まで上昇させ、その出入り口2aから例え
ばロボットにより被処理材Wを筐体2外に搬出する。こ
れを繰り返すことで、複数の被処理材Wを炉体3内に順
次導入し、その炉体3内に導入された被処理材Wを上下
方向に沿って間欠的に搬送しつつチューブ11内で加熱
し、その加熱された被処理材Wを炉体3内から導入順に
順次排出する。
【0029】上記構成によれば、複数の被処理材Wを一
つずつ順次熱処理でき、熱処理以外の処理工程と連続し
て被処理材Wをインライン化して搬送でき、また、被処
理材Wが熱処理される前に大気に曝露される時間を可及
的に短くできる。その被処理材Wを上下方向に沿って搬
送することで、炉体3の設置面積を可及的に小さくでき
る。その被処理材Wを炉体3内において上から下に向か
い搬送することで、炉体3内は上方の方が下方よりも温
度が高いため、被処理材Wを迅速に加熱して効率を向上
できる。その被処理材Wを導入側パージ部5を介して炉
体3に導入することで、炉体3内に大気が侵入するのを
防止でき、炉体3内の水素等の雰囲気ガスと酸素との反
応による爆発や被処理材Wの酸化を防止できる。その被
処理材Wを排出側パージ部6を介して搬出することで、
その排出側パージ部6内に炉体3から吹き出した雰囲気
ガスを除去すると共に室内を正圧に保持できるので、大
気が排出側パージ部6内に吸引されて爆発が生じるのを
防止できる。また、被処理材Wは搬送機構32により直
接に支持されて搬送されるので、熱処理用ボートやサセ
プタ等の治具が不要になり、そのような治具の熱容量分
だけ熱効率を向上できる。さらに、炉体3内において搬
送機構32は被処理材Wを支持片36、43に対して摺
動させることなく搬送でき、被処理材Wを熱処理ボート
やサセプタ等の治具を用いることなく直接に搬送する場
合でも品質低下を防止できる。さらに、その搬送に際し
て水素等の雰囲気ガスが炉体3外に漏れるのを防止でき
る。
【0030】本発明は上記実施形態に限定されない。例
えば、第2支柱に代えて第1支柱を上下駆動してもよい
し、両支柱を上下駆動してもよく、両支柱が互いに対し
て相対的に上下方向に沿って直線移動すればよい。ま
た、搬送機構により被処理材を上方に向かって間欠的に
搬送してもよく、要は上下方向に沿って間欠的に搬送す
ればよい。
【0031】
【発明の効果】本発明によれば、処理効率、スループッ
ト、品質を向上でき、不良品発生時の被害を小さくし、
生産量の調整も柔軟にでき、炉体の設置面積を小さくで
き、被処理材を炉体内で治具を用いることなく直接に搬
送しつつ熱処理できる熱効率の良い熱処理装置を提供で
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態の熱処理装置の側面図
【図2】本発明の実施形態の熱処理装置の正面図
【図3】本発明の実施形態の熱処理装置の平面図
【図4】本発明の実施形態の熱処理装置の要部の断面図
【図5】本発明の実施形態の搬送機構の平面図
【図6】本発明の実施形態の搬送機構の作用説明図
【図7】本発明の実施形態の搬送機構の作用説明図
【図8】本発明の実施形態の搬送機構の作用説明図
【図9】本発明の実施形態の搬送機構の作用説明図
【図10】本発明の実施形態の搬送機構の作用説明図
【図11】本発明の実施形態の搬送機構の作用説明図
【図12】本発明の実施形態の搬送機構の作用説明図
【図13】本発明の実施形態の搬送機構の作用説明図
【図14】本発明の実施形態の加熱装置の断面図
【図15】本発明の実施形態のパージ部の側断面図
【図16】本発明の実施形態のパージ部の平断面図
【図17】本発明の実施形態の送り装置の側面図
【符号の説明】
1 熱処理装置 3 炉体 5 導入側パージ部 6 排出側パージ部 11 プロセスチューブ 21 導入口 22 排出口 32 搬送機構 33 第1支持機構 34 第2支持機構 35 第1支柱 36 第1支持片 42 第2支柱 43 第2支持片 78 第1導入側開閉機構 79 第2導入側開閉機構 80 第1排出側開閉機構 81 第2排出側開閉機構 85 被処理材導入機構 86 被処理材排出機構 W 被処理材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/324 H01L 21/324 S 21/68 21/68 N (72)発明者 栗谷 彰 奈良県天理市嘉幡町229番地光洋リンドバ ーグ株式会社内 (72)発明者 有井 宏信 奈良県天理市嘉幡町229番地光洋リンドバ ーグ株式会社内 Fターム(参考) 4K050 AA02 BA16 CA04 CA09 CA15 CC07 CC08 CC09 CD08 CD12 CD15 CD17 CF02 CF04 CF12 CF14 CG01 4K063 AA05 AA12 BA12 CA01 CA03 DA07 DA13 DA15 DA22 DA23 DA26 5F031 CA02 GA43 GA47 GA49 HA65

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】炉体を構成するプロセスチューブを有し、
    そのプロセスチューブ内の気密空間において被処理材を
    加熱する熱処理装置であって、少なくともそのプロセス
    チューブ内において、被処理材を直接かつ相対摺動する
    ことなく支持すると共に上下方向に沿って間欠的に搬送
    する搬送機構と、その炉体に形成される被処理材の導入
    口と、その導入口に対して上下間隔をおいた位置で炉体
    に形成される被処理材の排出口と、その導入口との接続
    口および被処理材の取り込み口を有する導入側パージ部
    と、その導入側パージ部内のパージ手段と、その導入口
    と導入側パージ部の接続口とを開閉する第1導入側開閉
    機構と、その取り込み口を開閉する第2導入側開閉機構
    と、被処理材を取り込み口を介して導入側パージ部内に
    取り込むと共に導入口を介して前記搬送機構に供給可能
    な被処理材導入機構と、その排出口との接続口および被
    処理材の送り出し口を有する排出側パージ部と、その排
    出側パージ部内のパージ手段と、その排出口と排出側パ
    ージ部の接続口とを開閉する第1排出側開閉機構と、そ
    の送り出し口を開閉する第2排出側開閉機構と、被処理
    材を前記搬送機構から排出口を介して排出側パージ部内
    に取り込むと共に送り出し口を介して排出側パージ部外
    に送り出し可能な被処理材排出機構とを備える熱処理装
    置。
  2. 【請求項2】その搬送機構は、複数の被処理材を上下間
    隔をおいた複数位置で支持可能な第1支持機構と、複数
    の被処理材を上下間隔をおいた複数位置で支持可能な第
    2支持機構とを有し、その第1支持機構は、上下方向軸
    中心に回転駆動される複数の第1支柱と、各被処理材の
    支持位置において各第1支柱から横方向に突出する複数
    の第1支持片とを有し、各第1支持片は、第1支柱の回
    転により、被処理材を直接に載置可能な支持位置と被処
    理材の上下方向移動を許容する支持解除位置との間で変
    位可能とされ、その第2支持機構は、上下方向軸中心に
    回転駆動される複数の第2支柱と、各被処理材の支持位
    置において各第2支柱から横方向に突出する複数の第2
    支持片とを有し、各第2支持片は、第2支柱の回転によ
    り、被処理材を直接に載置可能な支持位置と被処理材の
    上下方向移動を許容する支持解除位置との間で変位可能
    とされ、第1支柱と第2支柱が互いに対して相対的に上
    下方向に沿って直線移動するように、両支柱の中の少な
    くとも一方は上下に駆動され、その第2支柱の第1支柱
    に対する相対的な下方移動により、第2支持片に載置さ
    れた被処理材は支持位置の第1支持片に載せ替え可能と
    され、第2支柱の第1支柱に対する相対的な上方移動に
    より、第1支持片に載置された被処理材は支持位置の第
    2支持片に載せ替え可能とされている請求項1に記載の
    熱処理装置。
  3. 【請求項3】前記第1支柱と第2支柱は、炉体外部にシ
    ールを介して突出され、その突出部に接続される駆動装
    置により上下方向軸中心に回転駆動されると共に少なく
    とも一方は上下に駆動される請求項2に記載の熱処理装
    置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100732472B1 (ko) * 2005-09-01 2007-06-27 주식회사 에피온 디스플레이 패널 봉착장치 및 봉착방법
CN111926164A (zh) * 2020-08-11 2020-11-13 山东国炬炉业有限公司 一种生物质电双能源热处理炉

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CN111926164A (zh) * 2020-08-11 2020-11-13 山东国炬炉业有限公司 一种生物质电双能源热处理炉
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