JP2000229917A - 不飽和第４級アンモニウム塩の製造方法 - Google Patents
不飽和第４級アンモニウム塩の製造方法Info
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- JP2000229917A JP2000229917A JP11034097A JP3409799A JP2000229917A JP 2000229917 A JP2000229917 A JP 2000229917A JP 11034097 A JP11034097 A JP 11034097A JP 3409799 A JP3409799 A JP 3409799A JP 2000229917 A JP2000229917 A JP 2000229917A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ハロゲン化メチルスチレンとトリアルキルア
ミンとを反応させ不飽和第４級アンモニウム塩の結晶を
高収率で製造する方法を提供する。 【解決手段】 ハロゲン化メチルスチレンとトリアルキ
ルアミンをエステル系溶媒、ケトン系溶媒、芳香族系溶
媒、エーテル系溶媒、セロソルブ系溶媒、塩素系溶媒、
ニトリル系溶媒、アミド系溶媒又は炭化水素系溶媒等の
有機溶媒中で反応させることにより高純度の第４級アン
モニウム塩の結晶を高収率で得る。
ミンとを反応させ不飽和第４級アンモニウム塩の結晶を
高収率で製造する方法を提供する。 【解決手段】 ハロゲン化メチルスチレンとトリアルキ
ルアミンをエステル系溶媒、ケトン系溶媒、芳香族系溶
媒、エーテル系溶媒、セロソルブ系溶媒、塩素系溶媒、
ニトリル系溶媒、アミド系溶媒又は炭化水素系溶媒等の
有機溶媒中で反応させることにより高純度の第４級アン
モニウム塩の結晶を高収率で得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、下記一般式 [I]
【化４】 （式中、ＸはＣｌ、ＢｒまたはＩを示す）で表されるハ
ロゲン化メチルスチレンと、下記一般式[II]
ロゲン化メチルスチレンと、下記一般式[II]
【化５】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 はメチル基またはエチル基を
示す）で表されるトリアルキルアミンとを有機溶媒の存
在下に反応させ、下記一般式 ［ＩＩＩ］
示す）で表されるトリアルキルアミンとを有機溶媒の存
在下に反応させ、下記一般式 ［ＩＩＩ］
【化６】 （式中、ＸはＣｌ、ＢｒまたはＩを示し、Ｒ１ 、
Ｒ2 、Ｒ3 はメチル基またはエチル基を示す）で表され
る不飽和第４級アンモニウム塩の結晶を高収率で製造す
る方法に関する。本発明の方法で得られる不飽和第４級
アンモニウム塩は、特殊樹脂、塗料、帯電防止剤、染色
改良剤、凝集剤、紙力増強剤などに用いられるカチオン
性重合体の製造原料となる有用なモノマーである。
Ｒ2 、Ｒ3 はメチル基またはエチル基を示す）で表され
る不飽和第４級アンモニウム塩の結晶を高収率で製造す
る方法に関する。本発明の方法で得られる不飽和第４級
アンモニウム塩は、特殊樹脂、塗料、帯電防止剤、染色
改良剤、凝集剤、紙力増強剤などに用いられるカチオン
性重合体の製造原料となる有用なモノマーである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ハロゲン化メチルスチレンのトリ
アルキルアミンによる不飽和第４級アンモニウム塩の製
造方法としては、種々の方法が提案されている。例え
ば、特公昭５９−１７７４４号公報には、耐圧容器内
で、クロルメチルスチレンと大過剰のトリエチルアミン
を常温下、２４時間反応させる方法が提案されている。
アルキルアミンによる不飽和第４級アンモニウム塩の製
造方法としては、種々の方法が提案されている。例え
ば、特公昭５９−１７７４４号公報には、耐圧容器内
で、クロルメチルスチレンと大過剰のトリエチルアミン
を常温下、２４時間反応させる方法が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこの方法
では、耐圧反応容器を用いるため、設備面からの対応に
は一般的に多大なコスト、工期を要すること。トリエチ
ルアミンを４級化剤兼反応溶媒として使用するため、過
剰トリエチルアミンの回収、リサイクルなど煩雑な操作
工程を必要とすること。さらに、反応完結に２４時間と
長時間を要するなどの問題点を有している。これらの問
題点から、常圧反応設備で温和な反応条件による高純度
製品を得ることのできる工業的に有利な製造方法が望ま
れていた。また、従来、ハロゲン化メチル基を有する化
合物とトリメチルアミンとを反応させ４級アンモニウム
塩を製造する方法において、極性の高い溶媒、例えば
水、アルコールなどの溶媒中で反応させることが反応速
度的に有利とされてきた。しかしながら、不飽和第４級
アンモニウム塩は水あるいはアルコールのようなプロト
ン性極性溶媒に対する溶解性が高く、その結晶を得るた
めには反応後、反応液から溶媒を留去しなければなら
ず、操作が煩雑となるなどの問題点を有している。
では、耐圧反応容器を用いるため、設備面からの対応に
は一般的に多大なコスト、工期を要すること。トリエチ
ルアミンを４級化剤兼反応溶媒として使用するため、過
剰トリエチルアミンの回収、リサイクルなど煩雑な操作
工程を必要とすること。さらに、反応完結に２４時間と
長時間を要するなどの問題点を有している。これらの問
題点から、常圧反応設備で温和な反応条件による高純度
製品を得ることのできる工業的に有利な製造方法が望ま
れていた。また、従来、ハロゲン化メチル基を有する化
合物とトリメチルアミンとを反応させ４級アンモニウム
塩を製造する方法において、極性の高い溶媒、例えば
水、アルコールなどの溶媒中で反応させることが反応速
度的に有利とされてきた。しかしながら、不飽和第４級
アンモニウム塩は水あるいはアルコールのようなプロト
ン性極性溶媒に対する溶解性が高く、その結晶を得るた
めには反応後、反応液から溶媒を留去しなければなら
ず、操作が煩雑となるなどの問題点を有している。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記課題に
ついて鋭意検討の結果、適切な溶媒中でハロゲン化メチ
ルスチレンとトリアルキルアミンを反応させることによ
り、従来の製造方法の問題点である加圧反応容器を用い
ることなく、工業的にかつ簡易に高純度な不飽和第４級
アンモニウム塩が得られる方法として、上記ハロゲン化
メチルスチレン[I]とトリアルキルアミン[II]を有機溶
媒中で反応させて、不飽和第４級アンモニウム塩 [III]
の結晶を得るに当たり、高純度結晶を高収率で晶出させ
る有機溶媒として、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、芳
香族系溶媒、エーテル系溶媒、セロソルブ系溶媒、塩素
系溶媒、ニトリル系溶媒、アミド系溶媒及び炭化水素系
溶媒が優れた溶媒であることを見出し、本発明に到達し
た。
ついて鋭意検討の結果、適切な溶媒中でハロゲン化メチ
ルスチレンとトリアルキルアミンを反応させることによ
り、従来の製造方法の問題点である加圧反応容器を用い
ることなく、工業的にかつ簡易に高純度な不飽和第４級
アンモニウム塩が得られる方法として、上記ハロゲン化
メチルスチレン[I]とトリアルキルアミン[II]を有機溶
媒中で反応させて、不飽和第４級アンモニウム塩 [III]
の結晶を得るに当たり、高純度結晶を高収率で晶出させ
る有機溶媒として、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、芳
香族系溶媒、エーテル系溶媒、セロソルブ系溶媒、塩素
系溶媒、ニトリル系溶媒、アミド系溶媒及び炭化水素系
溶媒が優れた溶媒であることを見出し、本発明に到達し
た。
【０００５】すなわち、本発明は、下記一般式 [I]
【化７】 （式中、ＸはＣｌ、ＢｒまたはＩを示す）で表されるハ
ロゲン化メチルスチレンと、下記一般式［ＩＩ］
ロゲン化メチルスチレンと、下記一般式［ＩＩ］
【化８】 （式中、Ｒ１ 、Ｒ2 、Ｒ3 はメチル基またはエチル基
を示す）で表されるトリアルキルアミンとを有機溶媒の
存在下に反応させ、下記一般式 [III]
を示す）で表されるトリアルキルアミンとを有機溶媒の
存在下に反応させ、下記一般式 [III]
【化９】 （式中、ＸはＣｌ、ＢｒまたはＩを示し、Ｒ1 、Ｒ2 、
Ｒ3 はメチル基またはエチル基を示す）で表される不飽
和第４級アンモニウム塩の結晶を高収率で製造する方法
である。
Ｒ3 はメチル基またはエチル基を示す）で表される不飽
和第４級アンモニウム塩の結晶を高収率で製造する方法
である。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下に本発明の方法について詳細
に説明する。
に説明する。
【０００７】本発明に用いることのできるハロゲン化メ
チルスチレンとしては、ｍ−クロロメチルスチレン、ｍ
−ブロモメチルスチレン、ｍ−ヨウ化メチルスチレン、
ｐ−クロロメチルスチレン、ｐ−ブロモメチルスチレ
ン、ｐ−ヨウ化メチルスチレン、ｏ−クロロメチルスチ
レン、ｏ−ブロモメチルスチレン及びｏ−ヨウ化メチル
スチレンなどが挙げられる。これらハロゲン化メチルス
チレンは工業的に得られるものであればいかなる純度の
ものでも良いが、不飽和第４級アンモニウム塩結晶の純
度向上の観点から高純度のものが好ましい。
チルスチレンとしては、ｍ−クロロメチルスチレン、ｍ
−ブロモメチルスチレン、ｍ−ヨウ化メチルスチレン、
ｐ−クロロメチルスチレン、ｐ−ブロモメチルスチレ
ン、ｐ−ヨウ化メチルスチレン、ｏ−クロロメチルスチ
レン、ｏ−ブロモメチルスチレン及びｏ−ヨウ化メチル
スチレンなどが挙げられる。これらハロゲン化メチルス
チレンは工業的に得られるものであればいかなる純度の
ものでも良いが、不飽和第４級アンモニウム塩結晶の純
度向上の観点から高純度のものが好ましい。
【０００８】本発明に用いることのできるトリアルキル
アミンとしては、トリメチルアミンあるいはトリエチル
アミンなどが挙げられる。
アミンとしては、トリメチルアミンあるいはトリエチル
アミンなどが挙げられる。
【０００９】本発明において反応溶媒として用いること
のできる溶媒としてはエステル系溶媒、ケトン系溶媒、
芳香族系溶媒、エーテル系溶媒、セロソルブ系溶媒、塩
素系溶媒、ニトリル系溶媒、アミド系溶媒及び炭化水素
系溶媒エステル系溶媒等をあげることができる。エステ
ル系溶媒としては、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸イソ
プロピル、プロピオン酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸
アミル、乳酸メチル、乳酸エチル、炭酸ジメチル及び炭
酸ジエチルなどが挙げられる。ケトン系溶媒としては、
メチルエチルケトン、ジエチルケトン、イソブチルメチ
ルケトン、メシチルオキサイド、ジプロピルケトン、シ
クロヘキサノン、メチルプロピルケトン及びメチル−ｎ
−ブチルケトンなどが挙げられる。芳香族系溶媒として
は、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロルベンゼン、
ｏ−ジクロルベンゼン、ニトロベンゼンなどが挙げられ
る。エーテル系溶媒としては、ジエチルエーテル、ジイ
ソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、エチレングリコールジメチルエーテル及びエチレン
グリコールジエチルエーテルなどが挙げられる。セロソ
ルブ系溶媒としては、酢酸メチルセロソルブ、酢酸セロ
ソルブ及びジエチルセロソルブなどが挙げられる。塩素
系溶媒としては、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタ
ン、クロロホルム、１，１，２−トリクロロエタン、ト
リクロロエチレン、四塩化炭素、テトラクロロエチレン
及びテトラクロロエタンなどが挙げられる。ニトリル系
溶媒としては、アセトニトリル、プロピオニトロル、ア
クリロニトリル、メタクリロニトリル、イソブチロニト
リル。クロトンニトリル、ビニルアセトニトリル、ベン
ゾニトリル、β−メトキシプロピオニトリル及びベンゾ
ニトリル等が挙げられる。アミド系溶媒としては、ジメ
チルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ホルムアミ
ド、Ｎ−メチルピロリドン及び１，３−ジメチル−２−
イミダゾリジノンなどが挙げられる。炭化水素系溶媒と
しては、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン
及びｎ−ペンタンなどが挙げられる。上記の溶媒は、各
々単独で使用しても、混合して使用しても良く、その混
合割合は、混合可能な範囲で任意に定めることができ
る。また、反応の結果析出する不飽和第４級アンモニウ
ム塩の結晶取得量向上の観点から、これら溶媒中の水分
は可能な限り少ないことが好ましい。
のできる溶媒としてはエステル系溶媒、ケトン系溶媒、
芳香族系溶媒、エーテル系溶媒、セロソルブ系溶媒、塩
素系溶媒、ニトリル系溶媒、アミド系溶媒及び炭化水素
系溶媒エステル系溶媒等をあげることができる。エステ
ル系溶媒としては、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸イソ
プロピル、プロピオン酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸
アミル、乳酸メチル、乳酸エチル、炭酸ジメチル及び炭
酸ジエチルなどが挙げられる。ケトン系溶媒としては、
メチルエチルケトン、ジエチルケトン、イソブチルメチ
ルケトン、メシチルオキサイド、ジプロピルケトン、シ
クロヘキサノン、メチルプロピルケトン及びメチル−ｎ
−ブチルケトンなどが挙げられる。芳香族系溶媒として
は、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロルベンゼン、
ｏ−ジクロルベンゼン、ニトロベンゼンなどが挙げられ
る。エーテル系溶媒としては、ジエチルエーテル、ジイ
ソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、エチレングリコールジメチルエーテル及びエチレン
グリコールジエチルエーテルなどが挙げられる。セロソ
ルブ系溶媒としては、酢酸メチルセロソルブ、酢酸セロ
ソルブ及びジエチルセロソルブなどが挙げられる。塩素
系溶媒としては、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタ
ン、クロロホルム、１，１，２−トリクロロエタン、ト
リクロロエチレン、四塩化炭素、テトラクロロエチレン
及びテトラクロロエタンなどが挙げられる。ニトリル系
溶媒としては、アセトニトリル、プロピオニトロル、ア
クリロニトリル、メタクリロニトリル、イソブチロニト
リル。クロトンニトリル、ビニルアセトニトリル、ベン
ゾニトリル、β−メトキシプロピオニトリル及びベンゾ
ニトリル等が挙げられる。アミド系溶媒としては、ジメ
チルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ホルムアミ
ド、Ｎ−メチルピロリドン及び１，３−ジメチル−２−
イミダゾリジノンなどが挙げられる。炭化水素系溶媒と
しては、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン
及びｎ−ペンタンなどが挙げられる。上記の溶媒は、各
々単独で使用しても、混合して使用しても良く、その混
合割合は、混合可能な範囲で任意に定めることができ
る。また、反応の結果析出する不飽和第４級アンモニウ
ム塩の結晶取得量向上の観点から、これら溶媒中の水分
は可能な限り少ないことが好ましい。
【００１０】本発明の方法において、ハロゲン化メチル
スチレンとトリアルキルアミンの反応モル比は、等モル
あるいはトリアルキルアミンをやや過剰量用いることが
良く、好ましくはハロゲン化メチルスチレン１モルに対
し、トリアルキルアミンを１．０〜１．３倍モル用い
る。本発明の方法において用いる有機溶媒の使用量は特
に限定しないが、ハロゲン化メチルスチレン１モルに対
して少なくとも３００〜５００ｍｌ用いることが反応生
成物の取り扱い上好ましい。
スチレンとトリアルキルアミンの反応モル比は、等モル
あるいはトリアルキルアミンをやや過剰量用いることが
良く、好ましくはハロゲン化メチルスチレン１モルに対
し、トリアルキルアミンを１．０〜１．３倍モル用い
る。本発明の方法において用いる有機溶媒の使用量は特
に限定しないが、ハロゲン化メチルスチレン１モルに対
して少なくとも３００〜５００ｍｌ用いることが反応生
成物の取り扱い上好ましい。
【００１１】本発明の方法における反応は、低温でも進
行するが、反応速度をより早くする観点から常温以上で
行い、溶媒及び原料の沸点までの範囲で可能である。通
常の反応温度としては０℃〜１００℃の範囲、好ましく
は３０℃〜６０℃の範囲が良い。
行するが、反応速度をより早くする観点から常温以上で
行い、溶媒及び原料の沸点までの範囲で可能である。通
常の反応温度としては０℃〜１００℃の範囲、好ましく
は３０℃〜６０℃の範囲が良い。
【００１２】本発明の方法において、必要に応じて重合
禁止剤を添加することができる。重合禁止剤としては、
ハイドロキノン、ハイドロキノンモノメチルエーテル、
クペロン、フェノチアジン及びカテコールなどが用いら
れる。
禁止剤を添加することができる。重合禁止剤としては、
ハイドロキノン、ハイドロキノンモノメチルエーテル、
クペロン、フェノチアジン及びカテコールなどが用いら
れる。
【００１３】本発明の方法における反応方法としては、
ハロゲン化メチルスチレンを溶媒に溶解し、必要に応じ
て適当量禁止剤を添加した後、トリアルキルアミンを添
加することで可能である。例えばトリアルキルアミンの
中で、トリメチルアミンは常温で気体であるため、反応
方法としては適宜の反応容器にハロゲン化メチルスチレ
ンと溶媒及び適当量の重合禁止剤を仕込み、この溶液に
トリメチルアミンガスを少量ずつ気相または液相のいず
れかに導入し、常圧あるいはやや加圧の状態で反応させ
ることができる。トリアルキルアミンがトリメチルアミ
ンのような気体の場合、上記のようにやや加圧状態で反
応を行うことが良く、反応の圧力としては０〜３kg/cm
2 、好ましくは０〜１kg/cm2 が良い。一方、トリエチ
ルアミンのような常温で液体の場合は通常の滴下方法で
反応させる。
ハロゲン化メチルスチレンを溶媒に溶解し、必要に応じ
て適当量禁止剤を添加した後、トリアルキルアミンを添
加することで可能である。例えばトリアルキルアミンの
中で、トリメチルアミンは常温で気体であるため、反応
方法としては適宜の反応容器にハロゲン化メチルスチレ
ンと溶媒及び適当量の重合禁止剤を仕込み、この溶液に
トリメチルアミンガスを少量ずつ気相または液相のいず
れかに導入し、常圧あるいはやや加圧の状態で反応させ
ることができる。トリアルキルアミンがトリメチルアミ
ンのような気体の場合、上記のようにやや加圧状態で反
応を行うことが良く、反応の圧力としては０〜３kg/cm
2 、好ましくは０〜１kg/cm2 が良い。一方、トリエチ
ルアミンのような常温で液体の場合は通常の滴下方法で
反応させる。
【００１４】本発明の方法における反応時間は、反応温
度、トリアルキルアミンの添加速度などに応じて変動す
るが、３〜１６時間の範囲、好ましくは６〜１２時間の
範囲が良い。
度、トリアルキルアミンの添加速度などに応じて変動す
るが、３〜１６時間の範囲、好ましくは６〜１２時間の
範囲が良い。
【００１５】反応後の熟成時間は特に限定しないが反応
時間と同等程度まで必要である。本発明の方法におい
て、反応方法は回分式でも複数の反応器を直列に連結
し、原料であるトリアルキルアミンを各反応器に分割供
給しながら連続的に反応させる方法または細長い円筒形
の反応器内にハロゲン化メチルスチレンとトリアルキル
アミンを向流あるいは併流で接触させながら行う方法な
どの連続反応法でも可能である。
時間と同等程度まで必要である。本発明の方法におい
て、反応方法は回分式でも複数の反応器を直列に連結
し、原料であるトリアルキルアミンを各反応器に分割供
給しながら連続的に反応させる方法または細長い円筒形
の反応器内にハロゲン化メチルスチレンとトリアルキル
アミンを向流あるいは併流で接触させながら行う方法な
どの連続反応法でも可能である。
【００１６】本発明の方法では、適当量の種結晶を添加
することにより、反応溶液内で生成した不飽和第４級ア
ンモニウム塩をより効率良く晶析させることができる。
種結晶の添加は、反応仕込み時あるいは反応途中のいず
れの時期でも良く、その使用量は使用する有機溶媒に対
する不飽和第４級アンモニウム塩の溶解度に合わせて任
意に定めることができる。
することにより、反応溶液内で生成した不飽和第４級ア
ンモニウム塩をより効率良く晶析させることができる。
種結晶の添加は、反応仕込み時あるいは反応途中のいず
れの時期でも良く、その使用量は使用する有機溶媒に対
する不飽和第４級アンモニウム塩の溶解度に合わせて任
意に定めることができる。
【００１７】反応、熟成終了後、反応生成物は、ろ過、
遠心分離などの方法により分離することができる。本発
明の方法で得られる不飽和第４級アンモニウム塩の結晶
は吸湿性が極めて強いため、結晶分離の際は、湿気が混
入しないように乾燥空気あるいは窒素ガスなどの気流下
でろ過あるいは遠心分離の操作ができる密閉型のろ過器
を用いることが好ましい。上記の方法で得られた不飽和
第４級アンモニウム塩の結晶は、真空乾燥、送風乾燥な
ど方法で乾燥することができる。
遠心分離などの方法により分離することができる。本発
明の方法で得られる不飽和第４級アンモニウム塩の結晶
は吸湿性が極めて強いため、結晶分離の際は、湿気が混
入しないように乾燥空気あるいは窒素ガスなどの気流下
でろ過あるいは遠心分離の操作ができる密閉型のろ過器
を用いることが好ましい。上記の方法で得られた不飽和
第４級アンモニウム塩の結晶は、真空乾燥、送風乾燥な
ど方法で乾燥することができる。
【００１８】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例になんら限定されるもの
ではない。
るが、本発明はこれらの実施例になんら限定されるもの
ではない。
【００１９】実施例１ 還流冷却器、撹拌機、温度計及びガス吹込み管を付した
１Ｌガラス反応器にｐ−クロロメチルスチレン２００
ｇ、酢酸エチル５５０ｇを仕込み、湿気を遮断した。反
応容器を外部より冷却し、内温を２５℃に保ちながらト
リメチルアミンガス１００ｇを１０時間かけて吹込み反
応させた。トリメチルアミンガス吹き込み終了後、２０
〜２５℃の温度を維持しながら５時間撹拌し熟成させ
た。析出した反応生成物を窒素気流中でろ過し、減圧下
４０℃で５時間乾燥し、無色粉状結晶として４‐ビニル
ベンジルトリメチルアンモニウムクロライド２５１．１
ｇを得た。収率は９０．５％であった。
１Ｌガラス反応器にｐ−クロロメチルスチレン２００
ｇ、酢酸エチル５５０ｇを仕込み、湿気を遮断した。反
応容器を外部より冷却し、内温を２５℃に保ちながらト
リメチルアミンガス１００ｇを１０時間かけて吹込み反
応させた。トリメチルアミンガス吹き込み終了後、２０
〜２５℃の温度を維持しながら５時間撹拌し熟成させ
た。析出した反応生成物を窒素気流中でろ過し、減圧下
４０℃で５時間乾燥し、無色粉状結晶として４‐ビニル
ベンジルトリメチルアンモニウムクロライド２５１．１
ｇを得た。収率は９０．５％であった。
【００２０】実施例２〜３ 酢酸エチルの代わりに乳酸エチル及び炭酸ジメチルを用
いたほかは、実施例１と同様の反応を行い４−ビニルベ
ンジルアンモニウム塩を合成した。結果を表１に示す。
いたほかは、実施例１と同様の反応を行い４−ビニルベ
ンジルアンモニウム塩を合成した。結果を表１に示す。
【表１】
【００２１】実施例４ 実施例１と同じ反応装置を用いて、ｐ−クロロメチルス
チレン２００ｇ、アセトン５５０ｇを仕込んだ。反応容
器を外部より冷却し、内温を２５℃に保ちながらトリメ
チルアミンガス１００ｇを８時間かけて吹込み反応させ
た。トリメチルアミンガス吹き込み終了後、２０〜２５
℃の温度を維持しながら５時間撹拌し熟成させた。析出
した反応生成物を窒素気流中でろ過し、減圧下４０℃で
５時間乾燥し、無色粉状結晶として４−ビニルベンジル
トリメチルアンモニウムクロライド２９２．１ｇを得
た。収率は９５．０％であった。
チレン２００ｇ、アセトン５５０ｇを仕込んだ。反応容
器を外部より冷却し、内温を２５℃に保ちながらトリメ
チルアミンガス１００ｇを８時間かけて吹込み反応させ
た。トリメチルアミンガス吹き込み終了後、２０〜２５
℃の温度を維持しながら５時間撹拌し熟成させた。析出
した反応生成物を窒素気流中でろ過し、減圧下４０℃で
５時間乾燥し、無色粉状結晶として４−ビニルベンジル
トリメチルアンモニウムクロライド２９２．１ｇを得
た。収率は９５．０％であった。
【００２２】実施例５〜７ アセトンの代わりにイソブチルケトン及びシクロヘキサ
ノンを用いたほかは、実施例４と同様の反応を行い４−
ビニルベンジルアンモニウム塩を合成した。結果を表２
に示す。
ノンを用いたほかは、実施例４と同様の反応を行い４−
ビニルベンジルアンモニウム塩を合成した。結果を表２
に示す。
【表２】
【００２３】実施例８ 実施例１と同じ反応装置を用いて、ｐ−クロロメチルス
チレン２００ｇ、トルエン５５０ｇを仕込んだ。反応容
器を外部より冷却し、内温を２５℃に保ちながらトリメ
チルアミンガス１００ｇを８時間かけて吹込み反応させ
た。トリメチルアミンガス吹き込み終了後、２０〜２５
℃の温度を維持しながら５時間撹拌し熟成させた。析出
した反応生成物を窒素気流中でろ過し、減圧下４０℃で
５時間乾燥し、無色粉状結晶として４−ビニルベンジル
トリメチルアンモニウムクロライド２６３ｇを得た。収
率は９４．８％であった。
チレン２００ｇ、トルエン５５０ｇを仕込んだ。反応容
器を外部より冷却し、内温を２５℃に保ちながらトリメ
チルアミンガス１００ｇを８時間かけて吹込み反応させ
た。トリメチルアミンガス吹き込み終了後、２０〜２５
℃の温度を維持しながら５時間撹拌し熟成させた。析出
した反応生成物を窒素気流中でろ過し、減圧下４０℃で
５時間乾燥し、無色粉状結晶として４−ビニルベンジル
トリメチルアンモニウムクロライド２６３ｇを得た。収
率は９４．８％であった。
【００２４】実施例９〜１０ トルエンの代わりにクロルベンゼン及びニトロベンゼン
を用いたほかは、実施例８と同様の反応を行い４−ビニ
ルベンジルトリメチルアンモニウムクロライドを合成し
た。結果を表３に示す。
を用いたほかは、実施例８と同様の反応を行い４−ビニ
ルベンジルトリメチルアンモニウムクロライドを合成し
た。結果を表３に示す。
【表３】
【００２５】実施例１１ 実施例１と同じ反応装置を用いて、ｐ−クロロメチルス
チレン２００ｇ、ジオキサン５５０ｇを仕込んだ。反応
容器を外部より冷却し、内温を２５℃に保ちながらトリ
メチルアミンガス１００ｇを１０時間かけて吹込み反応
させた。トリメチルアミンガス吹き込み終了後、２０〜
２５℃の温度を維持しながら５時間撹拌し熟成させた。
析出した反応生成物を窒素気流中でろ過し、減圧下４０
℃で５時間乾燥し、無色粉状結晶として４−ビニルベン
ジルトリメチルアンモニウムクロライド２６６．６ｇを
得た。収率は９６．１％であった。
チレン２００ｇ、ジオキサン５５０ｇを仕込んだ。反応
容器を外部より冷却し、内温を２５℃に保ちながらトリ
メチルアミンガス１００ｇを１０時間かけて吹込み反応
させた。トリメチルアミンガス吹き込み終了後、２０〜
２５℃の温度を維持しながら５時間撹拌し熟成させた。
析出した反応生成物を窒素気流中でろ過し、減圧下４０
℃で５時間乾燥し、無色粉状結晶として４−ビニルベン
ジルトリメチルアンモニウムクロライド２６６．６ｇを
得た。収率は９６．１％であった。
【００２６】実施例１２〜１３ ジオキサンの代わりにテトラヒドロフラン及びエチレン
グリコールジメチルエーテルを用いたほかは、実施例１
１と同様の反応を行い4-ビニルベンジルアンモニウム塩
を合成した。結果を表４に示す。
グリコールジメチルエーテルを用いたほかは、実施例１
１と同様の反応を行い4-ビニルベンジルアンモニウム塩
を合成した。結果を表４に示す。
【表４】
【００２７】実施例１４ 実施例１と同じ反応装置を用いて、ｐ−クロロメチルス
チレン２００ｇ、酢酸セロソルブ５５０ｇを仕込んだ。
反応容器を外部より冷却し、内温を２５℃に保ちながら
トリメチルアミンガス１００ｇを６時間かけて吹込み反
応させた。トリメチルアミンガス吹き込み終了後、２０
〜２５℃の温度を維持しながら５時間撹拌し熟成させ
た。析出した反応生成物を窒素気流中でろ過し、減圧下
４０℃で５時間乾燥し、無色粉状結晶として４‐ビニル
ベンジルトリメチルアンモニウムクロライド２５８．６
ｇを得た。収率は９３．２％であった。
チレン２００ｇ、酢酸セロソルブ５５０ｇを仕込んだ。
反応容器を外部より冷却し、内温を２５℃に保ちながら
トリメチルアミンガス１００ｇを６時間かけて吹込み反
応させた。トリメチルアミンガス吹き込み終了後、２０
〜２５℃の温度を維持しながら５時間撹拌し熟成させ
た。析出した反応生成物を窒素気流中でろ過し、減圧下
４０℃で５時間乾燥し、無色粉状結晶として４‐ビニル
ベンジルトリメチルアンモニウムクロライド２５８．６
ｇを得た。収率は９３．２％であった。
【００２８】実施例１５〜１６ 酢酸セロソルブの代わりに酢酸メチルセロソルブ及びジ
エチルセロソルブを用いたほかは、実施例１４と同様の
反応を行い４−ビニルベンジルトリメチルアンモニウム
クロライドを合成した。結果を表５に示す。
エチルセロソルブを用いたほかは、実施例１４と同様の
反応を行い４−ビニルベンジルトリメチルアンモニウム
クロライドを合成した。結果を表５に示す。
【表５】
【００２９】実施例１７ 実施例１と同じ反応装置を用いて、ｐ−クロロメチルス
チレン２００ｇ、１，２−ジクロロエタン５５０ｇを仕
込んだ。反応容器を外部より冷却し、内温を２５℃に保
ちながらトリメチルアミンガス１００ｇを５．５時間か
けて吹込み反応させた。トリメチルアミンガス吹き込み
終了後、２０から２５℃の温度を維持しながら５時間撹
拌し熟成させた。析出した反応生成物を窒素気流中でろ
過し、減圧下４０℃で５時間乾燥し、無色粉状結晶とし
て４−ビニルベンジルトリメチルアンモニウムクロライ
ド２６３．０ｇを得た。収率は９４．８％であった。
チレン２００ｇ、１，２−ジクロロエタン５５０ｇを仕
込んだ。反応容器を外部より冷却し、内温を２５℃に保
ちながらトリメチルアミンガス１００ｇを５．５時間か
けて吹込み反応させた。トリメチルアミンガス吹き込み
終了後、２０から２５℃の温度を維持しながら５時間撹
拌し熟成させた。析出した反応生成物を窒素気流中でろ
過し、減圧下４０℃で５時間乾燥し、無色粉状結晶とし
て４−ビニルベンジルトリメチルアンモニウムクロライ
ド２６３．０ｇを得た。収率は９４．８％であった。
【００３０】実施例１８〜１９ １，２−ジクロロエタンの代わりにクロロホルム及び
１，１，２−トリクロロエタンを用いたほかは、実施例
１７と同様の反応を行い４−ビニルベンジルアンモニウ
ム塩を合成した。結果を表６に示す。
１，１，２−トリクロロエタンを用いたほかは、実施例
１７と同様の反応を行い４−ビニルベンジルアンモニウ
ム塩を合成した。結果を表６に示す。
【表６】
【００３１】実施例２０ 実施例１と同じ反応装置を用いて、ｐ−クロロメチルス
チレン２００ｇ、アセトニトリル５５０ｇ及び種晶とし
て４−ビニルトリメチルアンモニウム塩結晶３ｇを仕込
んだ。反応容器を外部より冷却し、内温を２５℃に保ち
ながらトリメチルアミンガス１００ｇを５．５時間かけ
て吹込み反応させた。トリメチルアミンガス吹き込み終
了後、２０〜２５℃の温度を維持しながら５時間撹拌し
熟成させた。析出した反応生成物を窒素気流中でろ過
し、減圧下４０℃で５時間乾燥し、無色針状結晶として
４‐ビニルベンジルトリメチルアンモニウムクロライド
２５３．９ｇを得た。収率は９１．５％であった。
チレン２００ｇ、アセトニトリル５５０ｇ及び種晶とし
て４−ビニルトリメチルアンモニウム塩結晶３ｇを仕込
んだ。反応容器を外部より冷却し、内温を２５℃に保ち
ながらトリメチルアミンガス１００ｇを５．５時間かけ
て吹込み反応させた。トリメチルアミンガス吹き込み終
了後、２０〜２５℃の温度を維持しながら５時間撹拌し
熟成させた。析出した反応生成物を窒素気流中でろ過
し、減圧下４０℃で５時間乾燥し、無色針状結晶として
４‐ビニルベンジルトリメチルアンモニウムクロライド
２５３．９ｇを得た。収率は９１．５％であった。
【００３２】実施例２１〜２２ アセトニトリルの代わりにベンゾニトリル及びイソブチ
ロニトリルを用いた外は、実施例２０と同様の反応を行
い４−ビニルベンジルトリメチルアンモニウムクロライ
ドを合成した。結果を表７に示す。
ロニトリルを用いた外は、実施例２０と同様の反応を行
い４−ビニルベンジルトリメチルアンモニウムクロライ
ドを合成した。結果を表７に示す。
【表７】
【００３３】実施例２３ 実施例１と同じ反応装置を用いて、ｐ−クロロメチルス
チレン２００ｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５５０
ｇ及び種晶として４−ビニルベンジルトリメチルアンモ
ニウムクロライド結晶３ｇを仕込んだ。反応容器を外部
より冷却し、内温を２５℃に保ちながらトリメチルアミ
ンガス１００ｇを５．５時間かけて吹込み反応させた。
トリメチルアミンガス吹き込み終了後、２０〜２５℃の
温度を維持しながら５時間撹拌し熟成させた。析出した
反応生成物を窒素気流中でろ過し、減圧下４０℃で５時
間乾燥し、無色針状結晶として４−ビニルベンジルトリ
メチルアンモニウムクロライド２５３．９ｇを得た。収
率は９１．５％であった。
チレン２００ｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５５０
ｇ及び種晶として４−ビニルベンジルトリメチルアンモ
ニウムクロライド結晶３ｇを仕込んだ。反応容器を外部
より冷却し、内温を２５℃に保ちながらトリメチルアミ
ンガス１００ｇを５．５時間かけて吹込み反応させた。
トリメチルアミンガス吹き込み終了後、２０〜２５℃の
温度を維持しながら５時間撹拌し熟成させた。析出した
反応生成物を窒素気流中でろ過し、減圧下４０℃で５時
間乾燥し、無色針状結晶として４−ビニルベンジルトリ
メチルアンモニウムクロライド２５３．９ｇを得た。収
率は９１．５％であった。
【００３４】実施例２４〜２５ Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドの代わりにＮ−メチルピ
ロリドン及び１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン
を用いたほかは、実施例２３と同様の反応を行い４−ビ
ニルベンジルトリメチルアンモニウムクロライドを合成
した。結果を表８に示す。
ロリドン及び１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン
を用いたほかは、実施例２３と同様の反応を行い４−ビ
ニルベンジルトリメチルアンモニウムクロライドを合成
した。結果を表８に示す。
【表８】
【００３５】実施例２６ 実施例１と同じ反応装置を用いて、ｐ−クロロメチルス
チレン２００ｇ、ｎ−ヘキサン５５０ｇを仕込んだ。反
応容器を外部より冷却し、内温を２５℃に保ちながらト
リメチルアミンガス１００ｇを５．５時間かけて吹込み
反応させた。トリメチルアミンガス吹き込み終了後、２
０〜２５℃の温度を維持しながら５時間撹拌し熟成させ
た。析出した反応生成物を窒素気流中でろ過し、減圧下
４０℃で５時間乾燥し、無色針状結晶として４−ニルベ
ンジルトリメチルアンモニウムクロライド２６６．４ｇ
を得た。収率は９６．０％であった。
チレン２００ｇ、ｎ−ヘキサン５５０ｇを仕込んだ。反
応容器を外部より冷却し、内温を２５℃に保ちながらト
リメチルアミンガス１００ｇを５．５時間かけて吹込み
反応させた。トリメチルアミンガス吹き込み終了後、２
０〜２５℃の温度を維持しながら５時間撹拌し熟成させ
た。析出した反応生成物を窒素気流中でろ過し、減圧下
４０℃で５時間乾燥し、無色針状結晶として４−ニルベ
ンジルトリメチルアンモニウムクロライド２６６．４ｇ
を得た。収率は９６．０％であった。
【００３６】実施例２７〜２８ ｎ−ヘキサンの代わりにｎ−ヘプタン及びシクロヘキサ
ンを用いたほかは、実施例２６と同様の反応を行い４−
ビニルベンジルトリメチルアンモニウムクロライドを合
成した。結果を表９に示す。
ンを用いたほかは、実施例２６と同様の反応を行い４−
ビニルベンジルトリメチルアンモニウムクロライドを合
成した。結果を表９に示す。
【表９】
【００３７】
【発明の効果】本発明の方法によれば、高純度の不飽和
第４級アンモニウム塩の結晶を高収率で効率よく製造す
ることができる。
第４級アンモニウム塩の結晶を高収率で効率よく製造す
ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中濱 哲朗 福島県いわき市常磐関船町宮下２−２ 日 東理研工業株式会社内 Ｆターム(参考） 4H006 AA02 AC52 BB11 BB12 BB15 BB16 BB17 BB20 BB21
Claims (2)
- 【請求項１】下記一般式 [I] 【化１】 （式中、ＸはＣｌ、ＢｒまたはＩを示す）で表されるハ
ロゲン化メチルスチレンと下記一般式[II] 【化２】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 はメチル基またはエチル基を
示す）で表されるトリアルキルアミンとを有機溶媒の存
在下に反応させ、下記一般式 [III] 【化３】 （式中、ＸはＣｌ、ＢｒまたはＩを示し、Ｒ1 、Ｒ2 、
Ｒ3 はメチル基またはエチル基を示す）で表される不飽
和第４級アンモニウム塩結晶の製造方法。 - 【請求項２】 有機溶媒が、エステル系溶媒、ケトン系
溶媒、芳香族系溶媒、エーテル系溶媒、セロソルブ系溶
媒、塩素系溶媒、ニトリル系溶媒、アミド系溶媒又は炭
化水素系溶媒である請求項１記載の不飽和第４級アンモ
ニウム塩結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11034097A JP2000229917A (ja) | 1999-02-12 | 1999-02-12 | 不飽和第４級アンモニウム塩の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11034097A JP2000229917A (ja) | 1999-02-12 | 1999-02-12 | 不飽和第４級アンモニウム塩の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000229917A true JP2000229917A (ja) | 2000-08-22 |
Family
ID=12404785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11034097A Pending JP2000229917A (ja) | 1999-02-12 | 1999-02-12 | 不飽和第４級アンモニウム塩の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000229917A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002030044A (ja) * | 2000-07-12 | 2002-01-29 | Sakai Chem Ind Co Ltd | テトラアルキルアンモニウムハライドの製造方法 |
| KR100534014B1 (ko) * | 2002-11-05 | 2005-12-07 | 한국화학연구원 | 층간거리가 확대된 무기 층상 화합물과 이를 이용하여 제조된 투명성이 향상된 디엔 중합체의 나노복합재 |
| WO2011052604A1 (ja) * | 2009-10-26 | 2011-05-05 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 光応答性イオン性有機化合物及びその製法、並びに該イオン性有機化合物からなる光応答性カーボンナノチューブ分散剤 |
| WO2014157195A1 (ja) | 2013-03-26 | 2014-10-02 | 富士フイルム株式会社 | 高分子機能性膜及びその製造方法 |
| WO2015030070A1 (ja) | 2013-08-30 | 2015-03-05 | 富士フイルム株式会社 | イオン交換膜、イオン交換膜形成用組成物およびイオン交換膜の製造方法 |
| CN110835383A (zh) * | 2018-08-15 | 2020-02-25 | 漯河医学高等专科学校 | 一种具有核壳结构和超顺磁性的阳离子型复合微球及其制备方法 |
| WO2020058665A1 (en) | 2018-09-21 | 2020-03-26 | Fujifilm Manufacturing Europe Bv | Membranes formed from cationic monomers suitable for detecting, filtering and/or purifying biomolecules |
| WO2020201714A1 (en) | 2019-04-02 | 2020-10-08 | Fujifilm Manufacturing Europe Bv | Membranes and processes for their preparation and use |
-
1999
- 1999-02-12 JP JP11034097A patent/JP2000229917A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002030044A (ja) * | 2000-07-12 | 2002-01-29 | Sakai Chem Ind Co Ltd | テトラアルキルアンモニウムハライドの製造方法 |
| KR100534014B1 (ko) * | 2002-11-05 | 2005-12-07 | 한국화학연구원 | 층간거리가 확대된 무기 층상 화합물과 이를 이용하여 제조된 투명성이 향상된 디엔 중합체의 나노복합재 |
| WO2011052604A1 (ja) * | 2009-10-26 | 2011-05-05 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 光応答性イオン性有機化合物及びその製法、並びに該イオン性有機化合物からなる光応答性カーボンナノチューブ分散剤 |
| US8729307B2 (en) | 2009-10-26 | 2014-05-20 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Photoresponsive ionic organic compound, method of producing the same, and photoresponsive carbon nanotube dispersant comprising said ionic organic compound |
| JP5552641B2 (ja) * | 2009-10-26 | 2014-07-16 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 光応答性イオン性有機化合物及びその製法、並びに該イオン性有機化合物からなる光応答性カーボンナノチューブ分散剤 |
| WO2014157195A1 (ja) | 2013-03-26 | 2014-10-02 | 富士フイルム株式会社 | 高分子機能性膜及びその製造方法 |
| WO2015030070A1 (ja) | 2013-08-30 | 2015-03-05 | 富士フイルム株式会社 | イオン交換膜、イオン交換膜形成用組成物およびイオン交換膜の製造方法 |
| CN110835383A (zh) * | 2018-08-15 | 2020-02-25 | 漯河医学高等专科学校 | 一种具有核壳结构和超顺磁性的阳离子型复合微球及其制备方法 |
| WO2020058665A1 (en) | 2018-09-21 | 2020-03-26 | Fujifilm Manufacturing Europe Bv | Membranes formed from cationic monomers suitable for detecting, filtering and/or purifying biomolecules |
| WO2020201714A1 (en) | 2019-04-02 | 2020-10-08 | Fujifilm Manufacturing Europe Bv | Membranes and processes for their preparation and use |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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