JP2000228421A - ウェッジボンディング用ツール - Google Patents
ウェッジボンディング用ツールInfo
- Publication number
- JP2000228421A JP2000228421A JP2924199A JP2924199A JP2000228421A JP 2000228421 A JP2000228421 A JP 2000228421A JP 2924199 A JP2924199 A JP 2924199A JP 2924199 A JP2924199 A JP 2924199A JP 2000228421 A JP2000228421 A JP 2000228421A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- width
- groove
- tool
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4501—Shape
- H01L2224/45012—Cross-sectional shape
- H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
- H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48617—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
- H01L2224/48624—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
- H01L2224/487—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48717—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
- H01L2224/48724—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78313—Wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78313—Wedge
- H01L2224/78314—Shape
- H01L2224/78317—Shape of other portions
- H01L2224/78318—Shape of other portions inside the capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子上の電極と外部リードを接続する
ために行うウエッジボンディングにおいて、より狭ピッ
チのボンディングを行うのに好適な接合ツールを提供す
ることを課題とする。 【解決手段】 平坦なツール底面にワイヤと平行方向に
溝を有し、当該溝の幅と深さが、ワイヤ線径に対して一
定の割合であることを特徴とする接合ツール。
ために行うウエッジボンディングにおいて、より狭ピッ
チのボンディングを行うのに好適な接合ツールを提供す
ることを課題とする。 【解決手段】 平坦なツール底面にワイヤと平行方向に
溝を有し、当該溝の幅と深さが、ワイヤ線径に対して一
定の割合であることを特徴とする接合ツール。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子上の電極
と外部リードを接続するために行うウェッジボンディン
グに用いる接合ツールに関する。
と外部リードを接続するために行うウェッジボンディン
グに用いる接合ツールに関する。
【0002】
【従来の技術】IC、LSIなどの半導体素子(チッ
プ)の電極と外部リードとを接続するために金属ワイヤ
を用いて行われているワイヤボンディングには、接合ツ
ールを使用して、直接、ワイヤを接合するウェッジボン
ディングと、ワイヤ先端を溶融して作成したボールによ
って接合を行うボールボンディングの2つの種類があ
る。
プ)の電極と外部リードとを接続するために金属ワイヤ
を用いて行われているワイヤボンディングには、接合ツ
ールを使用して、直接、ワイヤを接合するウェッジボン
ディングと、ワイヤ先端を溶融して作成したボールによ
って接合を行うボールボンディングの2つの種類があ
る。
【0003】その内のウェッジボンディングでは、従来
はワイヤとしては、主としてAlワイヤが用いられてき
たが、近年では樹脂を用いた半導体パッケージが低コス
ト化を図るために多用されてきているため、樹脂中にお
いて劣化しないAu系ワイヤが用いられるようになって
きている。
はワイヤとしては、主としてAlワイヤが用いられてき
たが、近年では樹脂を用いた半導体パッケージが低コス
ト化を図るために多用されてきているため、樹脂中にお
いて劣化しないAu系ワイヤが用いられるようになって
きている。
【0004】また、ウェッジボンディングには、接合ツ
ールとして超硬合金製のものが用いられているが、形状
は使用するワイヤの種類によって異なり、Alワイヤを
用いる場合にはワイヤを接合させる底部が平たいツール
が、Au系ワイヤを用いる場合には底部にワイヤと垂直
方向に溝を有するツールが用いられている。
ールとして超硬合金製のものが用いられているが、形状
は使用するワイヤの種類によって異なり、Alワイヤを
用いる場合にはワイヤを接合させる底部が平たいツール
が、Au系ワイヤを用いる場合には底部にワイヤと垂直
方向に溝を有するツールが用いられている。
【0005】最近の半導体デバイスの機能の進歩は半導
体パッケージの多ピン化をもたらし、そのため、より狭
いピッチでワイヤボンディングを行う必要性が増してき
ている。
体パッケージの多ピン化をもたらし、そのため、より狭
いピッチでワイヤボンディングを行う必要性が増してき
ている。
【0006】こうした要求に対し、ボールボンディング
においては、用いるワイヤを細線化することによって対
応がなされてきたが、ワイヤ先端を溶融してボールを作
成し接合するため、ワイヤ潰れ幅が最小でもワイヤ線径
の約2倍になってしまい、幅を取ってしまうばかりでな
く、ワイヤを細線化すると半導体素子の組立中でのワイ
ヤ変形不良が多くなるという傾向にあった。
においては、用いるワイヤを細線化することによって対
応がなされてきたが、ワイヤ先端を溶融してボールを作
成し接合するため、ワイヤ潰れ幅が最小でもワイヤ線径
の約2倍になってしまい、幅を取ってしまうばかりでな
く、ワイヤを細線化すると半導体素子の組立中でのワイ
ヤ変形不良が多くなるという傾向にあった。
【0007】一方、ウェッジボンディングにおいては、
ボールを作らずに、接合ツールを使用して直接ワイヤを
接合するために、同じワイヤ線径を用いても、より狭い
ピッチでボンディングすることが可能であるが、従来の
接合ツールでは、ワイヤ潰れ幅は、ワイヤ線径の約1.
5倍が最小であった。
ボールを作らずに、接合ツールを使用して直接ワイヤを
接合するために、同じワイヤ線径を用いても、より狭い
ピッチでボンディングすることが可能であるが、従来の
接合ツールでは、ワイヤ潰れ幅は、ワイヤ線径の約1.
5倍が最小であった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ウェッジボンディング
によって、ボールボンディングよりも狭ピッチ化が可能
ではあるが、現在の接合用ツールでは、接合の際のワイ
ヤの潰れ幅を制御することができず、また、潰れ幅その
ものを、これ以上小さくすることが困難であり、近年要
求されてきている狭ピッチのボンディングを達成するた
めには不十分であった。本発明の目的は、かかる点に鑑
み、狭ピッチのウェッジボンディングを行うのに好適な
ウェッジボンディング用の接合ツールを提供することに
ある。
によって、ボールボンディングよりも狭ピッチ化が可能
ではあるが、現在の接合用ツールでは、接合の際のワイ
ヤの潰れ幅を制御することができず、また、潰れ幅その
ものを、これ以上小さくすることが困難であり、近年要
求されてきている狭ピッチのボンディングを達成するた
めには不十分であった。本発明の目的は、かかる点に鑑
み、狭ピッチのウェッジボンディングを行うのに好適な
ウェッジボンディング用の接合ツールを提供することに
ある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決し、狭
ピッチなウェッジボンディングを実現するためには、細
いワイヤを使用し、しかも接合時のワイヤ潰れ幅を小さ
くすることが必要である。
ピッチなウェッジボンディングを実現するためには、細
いワイヤを使用し、しかも接合時のワイヤ潰れ幅を小さ
くすることが必要である。
【0010】このために、平坦なツール底面にワイヤと
平行方向に溝を設け、その溝の幅がワイヤ線径に対し8
0%〜120%、深さがワイヤ線径に対し20%〜60
%である点に特徴があるウェッジボンディング用の接合
ツールを提供する。
平行方向に溝を設け、その溝の幅がワイヤ線径に対し8
0%〜120%、深さがワイヤ線径に対し20%〜60
%である点に特徴があるウェッジボンディング用の接合
ツールを提供する。
【0011】
【発明の実施の形態】以下に本発明の構成の詳細につい
て説明する。
て説明する。
【0012】ウェッジボンディング用の接合ツールにお
いて、平坦なツール底面にワイヤと平行方向に溝を設
け、その溝の幅をワイヤ線径に対し80%〜120%に
し、かつ、溝の深さをワイヤ線径に対し20%〜60%
にする。
いて、平坦なツール底面にワイヤと平行方向に溝を設
け、その溝の幅をワイヤ線径に対し80%〜120%に
し、かつ、溝の深さをワイヤ線径に対し20%〜60%
にする。
【0013】このような接合ツールを用いることによ
り、ワイヤ潰れ幅をワイヤ線径の約1.2〜約1.3倍
まで小さく抑えることが可能となる。
り、ワイヤ潰れ幅をワイヤ線径の約1.2〜約1.3倍
まで小さく抑えることが可能となる。
【0014】溝の幅と深さを限定するのは、溝の幅がワ
イヤ線径に対し120%を超え、かつ、深さがワイヤ線
径に対し60%を超えると、ワイヤの接合性が確保され
なくなり、また溝の幅がワイヤ線径に対し80%を割
り、かつ、深さがワイヤ線径に対し20%を割ると、ワ
イヤ潰れ幅を所望の大きさ以下に抑えることができなく
なるからである。
イヤ線径に対し120%を超え、かつ、深さがワイヤ線
径に対し60%を超えると、ワイヤの接合性が確保され
なくなり、また溝の幅がワイヤ線径に対し80%を割
り、かつ、深さがワイヤ線径に対し20%を割ると、ワ
イヤ潰れ幅を所望の大きさ以下に抑えることができなく
なるからである。
【0015】なお、溝は完全な矩形である必要はなく、
四角の角の部分がRを有するような楕円に近い形状でも
良い。
四角の角の部分がRを有するような楕円に近い形状でも
良い。
【0016】
【実施例】市販のAlワイヤをウェッジボンディングす
るための接合ツールを用いて、図1に示すような形状
で、幅および深さを下の表1の実施例1から実施例4の
寸法の溝を形成したツールを作製した。
るための接合ツールを用いて、図1に示すような形状
で、幅および深さを下の表1の実施例1から実施例4の
寸法の溝を形成したツールを作製した。
【0017】本発明品と比較するために、市販のAlワ
イヤ用の接合ツール、Auワイヤ用の接合ツール、溝の
幅および深さを下の表1の比較例1から比較例4とした
接合ツールを用いて、ウェッジボンディング試験を行っ
た。
イヤ用の接合ツール、Auワイヤ用の接合ツール、溝の
幅および深さを下の表1の比較例1から比較例4とした
接合ツールを用いて、ウェッジボンディング試験を行っ
た。
【0018】この試験には、接合機器として市販のウェ
ッジボンダー(DELVOTEC社6230)を用い、
材料として市販の20μmφおよび25μmφのAuワ
イヤを用い、ダミーチップとしてのAl-Si-Cu合金薄膜
と、ポリイミド基板上のAuめっき面の間のワイヤボンデ
ィングをウェッジボンディングの方法で、ボンディング
条件は、温度を150℃とした他は適切な条件にて行っ
た。
ッジボンダー(DELVOTEC社6230)を用い、
材料として市販の20μmφおよび25μmφのAuワ
イヤを用い、ダミーチップとしてのAl-Si-Cu合金薄膜
と、ポリイミド基板上のAuめっき面の間のワイヤボンデ
ィングをウェッジボンディングの方法で、ボンディング
条件は、温度を150℃とした他は適切な条件にて行っ
た。
【0019】試験結果の評価のために、得られる最小の
ワイヤ潰れ幅と、その時のワイヤのセンタープル強度を
求めた。これは、この値により、狭ピッチボンディング
が可能かどうかを判断できるためである。
ワイヤ潰れ幅と、その時のワイヤのセンタープル強度を
求めた。これは、この値により、狭ピッチボンディング
が可能かどうかを判断できるためである。
【0020】表1に、この評価の結果を示した。
【0021】
【表1】
【0022】この表1において明らかなように、本発明
による接合ツールを用いることにより、ワイヤ潰れ幅を
従来の接合ツールを用いた場合より小さく、ワイヤ線径
の約1.2倍から約1.3倍程度に抑えることができる
とともに、センタープル強度についても市販品より優れ
た値が得られている。
による接合ツールを用いることにより、ワイヤ潰れ幅を
従来の接合ツールを用いた場合より小さく、ワイヤ線径
の約1.2倍から約1.3倍程度に抑えることができる
とともに、センタープル強度についても市販品より優れ
た値が得られている。
【0023】一方、比較例から、溝の幅および深さが、
所定の範囲を逸脱すると、ワイヤ潰れ幅が、所望の大き
さに抑えられない、あるいはセンタープル強度の点で、
市販品よりも劣る値となる場合があるということがわか
り、溝の幅および深さを所定の範囲内にする必要がある
ことがわかる。
所定の範囲を逸脱すると、ワイヤ潰れ幅が、所望の大き
さに抑えられない、あるいはセンタープル強度の点で、
市販品よりも劣る値となる場合があるということがわか
り、溝の幅および深さを所定の範囲内にする必要がある
ことがわかる。
【0024】また、本実施例における可能な最小ピッチ
は、ワイヤ径に応じて、各々次のとおりであり、本発明
により、従来よりも狭ピッチのウエッジボンディングが
なされることがわかる。
は、ワイヤ径に応じて、各々次のとおりであり、本発明
により、従来よりも狭ピッチのウエッジボンディングが
なされることがわかる。
【0025】 ワイヤ径 本発明ツール 市販品(Au系ワイヤ用) 市販品(Alワイ ヤ用) 20μmφ 40μmピッチ 50μmピッチ 55μmピッチ 25μmφ 45μmピッチ 65μmピッチ 75μmピッチ
【0026】
【発明の効果】本発明により、十分なセンタープル強度
を保持しながら、接合部のワイヤ潰れ幅を従来の方法よ
り小さくすることができ、狭ピッチなウェッジボンディ
ングを行うことができる。
を保持しながら、接合部のワイヤ潰れ幅を従来の方法よ
り小さくすることができ、狭ピッチなウェッジボンディ
ングを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明の接合ツールの溝形状の模式図を
示す接合ツールの正面図、側面図および底面図である。
示す接合ツールの正面図、側面図および底面図である。
1溝 2接合ツール本体 3ワイヤ
Claims (1)
- 【請求項1】 平坦なツール底面にワイヤと平行方向に
溝を有し、当該溝の幅がワイヤ線径に対し80%〜12
0%の範囲、かつ溝の深さがワイヤ線径に対し20%〜
60%の範囲であることを特徴とするウェッジボンディ
ング用の接合ツール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2924199A JP2000228421A (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | ウェッジボンディング用ツール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2924199A JP2000228421A (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | ウェッジボンディング用ツール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000228421A true JP2000228421A (ja) | 2000-08-15 |
Family
ID=12270761
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2924199A Pending JP2000228421A (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | ウェッジボンディング用ツール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000228421A (ja) |
-
1999
- 1999-02-05 JP JP2924199A patent/JP2000228421A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7500590B2 (en) | Multi-part capillary | |
JPH04174527A (ja) | 半導体材料の接続方法,それに用いる接続材料及び半導体装置 | |
JPH0951011A (ja) | 半導体チップのワイヤボンディング方法 | |
JPS6238414B2 (ja) | ||
EP0791955A2 (en) | Improvements in or relating to integrated circuit interconnections | |
WO2005018864A2 (en) | Capillary with contained inner chamfer | |
US6270000B1 (en) | Wire bonding method | |
JP2000228421A (ja) | ウェッジボンディング用ツール | |
JP3085090B2 (ja) | ボンディングワイヤ | |
JPH04255237A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6223454B2 (ja) | ||
JP3358295B2 (ja) | ボンディングワイヤ | |
JP2976947B2 (ja) | バンプ形成方法 | |
JP3202193B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JP3586909B2 (ja) | ボンディングワイヤ | |
JP2003086621A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH08236575A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPH08148496A (ja) | 半導体装置及び半導体装置用バンプ | |
JP2000106381A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH07122562A (ja) | バンプ形成方法及びワイヤボンディング方法並びにバンプ構造及びワイヤボンディング構造 | |
JPH088308A (ja) | ボンディング方法及び半導体装置 | |
JP2002043491A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
JPH10242192A (ja) | ボール押圧方法及び半導体装置の製造方法 | |
JPH07122564A (ja) | バンプ形成方法 | |
JPH02180060A (ja) | 半導体パッケージの製造方法 |