JP2000221937A - 画像表示装置 - Google Patents
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- JP2000221937A JP2000221937A JP11024732A JP2473299A JP2000221937A JP 2000221937 A JP2000221937 A JP 2000221937A JP 11024732 A JP11024732 A JP 11024732A JP 2473299 A JP2473299 A JP 2473299A JP 2000221937 A JP2000221937 A JP 2000221937A
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- light
- emitting cell
- light emitting
- subfield
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- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of Gas Discharge Display Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 表現可能な階調数を減少させることなく、発
光輝度を向上させながら動画擬似輪郭の発生をも少なく
することが可能な画像表示装置を提供することを目的と
する。 【解決手段】 1TVフィールドを、所定の輝度重みを
持った期間(サブフィールドSF1、SF2、SF3、
及びSF4)で構成し、当該発光期間において発光セル
A、発光セルBの点灯及び非点灯の組み合わせで、入力
映像信号の所定の階調値を表現する。
光輝度を向上させながら動画擬似輪郭の発生をも少なく
することが可能な画像表示装置を提供することを目的と
する。 【解決手段】 1TVフィールドを、所定の輝度重みを
持った期間(サブフィールドSF1、SF2、SF3、
及びSF4)で構成し、当該発光期間において発光セル
A、発光セルBの点灯及び非点灯の組み合わせで、入力
映像信号の所定の階調値を表現する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、画像の1TVフィ
ールドを、サブフィールドに分割して表示することによ
り多階調表示を行うプラズマディスプレイパネルなどの
表示パネルを用いた画像表示装置に関し、輝度の向上及
び画質向上の技術に関する。
ールドを、サブフィールドに分割して表示することによ
り多階調表示を行うプラズマディスプレイパネルなどの
表示パネルを用いた画像表示装置に関し、輝度の向上及
び画質向上の技術に関する。
【0002】
【従来の技術】プラズマディスプレイパネル(plasma d
isplay panel, 以下、単に「PDP」という。)に代表
される2値的に発光を行う表示パネルを用いた画像表示
装置は、例えば、アドレス表示期間分割サブフィールド
方式(address display periodseparated sub-field me
thod)と呼ばれる表示方法によって階調表示を実現す
る。この方式は、1TVフィールドを、PDP画面の1
ライン毎に点灯・非点灯データの書き込みを行うアドレ
ス期間と、所定の画素を一斉に発光させる放電維持期間
とからなる数個のサブフィールドに時間分割して画像表
示を行うものである。
isplay panel, 以下、単に「PDP」という。)に代表
される2値的に発光を行う表示パネルを用いた画像表示
装置は、例えば、アドレス表示期間分割サブフィールド
方式(address display periodseparated sub-field me
thod)と呼ばれる表示方法によって階調表示を実現す
る。この方式は、1TVフィールドを、PDP画面の1
ライン毎に点灯・非点灯データの書き込みを行うアドレ
ス期間と、所定の画素を一斉に発光させる放電維持期間
とからなる数個のサブフィールドに時間分割して画像表
示を行うものである。
【0003】具体的に、図16、図17を用いて説明す
る。図16は、63と64という近接した階調値を隣接
した画素間で有する4つの画素からなる画像パターンP
A1を表示する場合を例示している。また、図17は、
横軸は画面上での各画素の相対的な位置を表し、又縦軸
は便宜上1TVフィールドに相当する時間のみを表して
いる。ここでは8ビット階調すなわち256階調を、8
つのサブフィールドの点灯及び非点灯の8ビットデータ
に変換し、当該8ビットデータに基づいて該当する階調
表示を行う。具体的には、サブフィールドにおける輝度
の重み付を1、2、4、8、16、32、64、128
に設定してこの順(昇順)に1TVフィールドをサブフ
ィールドSF1〜SF8に時間分割した場合について説
明する。
る。図16は、63と64という近接した階調値を隣接
した画素間で有する4つの画素からなる画像パターンP
A1を表示する場合を例示している。また、図17は、
横軸は画面上での各画素の相対的な位置を表し、又縦軸
は便宜上1TVフィールドに相当する時間のみを表して
いる。ここでは8ビット階調すなわち256階調を、8
つのサブフィールドの点灯及び非点灯の8ビットデータ
に変換し、当該8ビットデータに基づいて該当する階調
表示を行う。具体的には、サブフィールドにおける輝度
の重み付を1、2、4、8、16、32、64、128
に設定してこの順(昇順)に1TVフィールドをサブフ
ィールドSF1〜SF8に時間分割した場合について説
明する。
【0004】この場合、階調値63を表示するには、サ
ブフィールドSF1〜サブフィールドSF6を点灯(図
17中の斜線部)、サブフィールドSF7、及びサブフ
ィールドSF8を非点灯とすることにより当該階調値の
表示を行う。また、階調値64は、サブフィールドSF
7を点灯(図17中の斜線部)、その他のサブフィール
ドを非点灯とすることにより表示を行う。
ブフィールドSF1〜サブフィールドSF6を点灯(図
17中の斜線部)、サブフィールドSF7、及びサブフ
ィールドSF8を非点灯とすることにより当該階調値の
表示を行う。また、階調値64は、サブフィールドSF
7を点灯(図17中の斜線部)、その他のサブフィール
ドを非点灯とすることにより表示を行う。
【0005】このような階調表示において、1TVフィ
ールドという時間を複数のサブフィールドに時間分割
し、各サブフィールドの重み付けに対応した発光によっ
て、該当する階調値をそれぞれのサブフィールドにおけ
る発光量の時間的な加算によっ表現する。このような方
法では、各サブフィールドにおいて、実際に発光セルを
発光させるのに先立って、一般に発光セル内に残存して
いる電荷を消去するための初期化という処理を行う。こ
れに続いて、何れの発光セルを発光させるのかを指定す
るアドレッシングを行う。その後に初めて、実際のアド
レッシングで指定があった発光セルが予め定められた輝
度重みに対応した輝度で発光されることになる。
ールドという時間を複数のサブフィールドに時間分割
し、各サブフィールドの重み付けに対応した発光によっ
て、該当する階調値をそれぞれのサブフィールドにおけ
る発光量の時間的な加算によっ表現する。このような方
法では、各サブフィールドにおいて、実際に発光セルを
発光させるのに先立って、一般に発光セル内に残存して
いる電荷を消去するための初期化という処理を行う。こ
れに続いて、何れの発光セルを発光させるのかを指定す
るアドレッシングを行う。その後に初めて、実際のアド
レッシングで指定があった発光セルが予め定められた輝
度重みに対応した輝度で発光されることになる。
【0006】このような各サブフィールドは、初期化、
アドレッシング、及び発光期間という3つの時間帯で構
成されている。従って、発光期間をできるだけ長時間に
して発光輝度の向上を図ろうとすると、初期化、及びア
ドレッシングに費やす時間を如何に短縮できるかが律速
となる。
アドレッシング、及び発光期間という3つの時間帯で構
成されている。従って、発光期間をできるだけ長時間に
して発光輝度の向上を図ろうとすると、初期化、及びア
ドレッシングに費やす時間を如何に短縮できるかが律速
となる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来から、
このように画像の1TVフィールド分を、複数のサブフ
ィールドの画像に分割して階調表示を行う場合、動画像
表示においていわゆる擬似輪郭状の階調乱れが発生する
ことが知られている。静止画像を表示した場合、観測さ
れる画像の1TVフィールドの平均輝度は図17の矢印
Y1上の発光の時間積分で表わされ、正しく階調表示が
なされる。これに対して動画像を表示した場合、視線の
移動の方向により網膜上には図17の矢印Y2上または
矢印Y3上の発光が時間的に加算された値が観測され
る。矢印Y2では各サブフィールドを合成した値は約0
で、矢印Y3上の各サブフィールドの合計は約127に
なる。このように階調値63および階調値64というよ
うな値の近い階調値が隣接した画像パターンが移動する
のを観測した場合、階調値の変化部分では図17に示す
ように観測される階調値が画像の動きによって著しく乱
れる場合がある。
このように画像の1TVフィールド分を、複数のサブフ
ィールドの画像に分割して階調表示を行う場合、動画像
表示においていわゆる擬似輪郭状の階調乱れが発生する
ことが知られている。静止画像を表示した場合、観測さ
れる画像の1TVフィールドの平均輝度は図17の矢印
Y1上の発光の時間積分で表わされ、正しく階調表示が
なされる。これに対して動画像を表示した場合、視線の
移動の方向により網膜上には図17の矢印Y2上または
矢印Y3上の発光が時間的に加算された値が観測され
る。矢印Y2では各サブフィールドを合成した値は約0
で、矢印Y3上の各サブフィールドの合計は約127に
なる。このように階調値63および階調値64というよ
うな値の近い階調値が隣接した画像パターンが移動する
のを観測した場合、階調値の変化部分では図17に示す
ように観測される階調値が画像の動きによって著しく乱
れる場合がある。
【0008】つまり、各サブフィールドの輝度の時間方
向の積分で階調表現しようとしているため、動画像など
で視線が移動した場合は、時間の経過とともに本来の画
素位置とは異なる位置の画像のそれぞれのサブフィール
ドの輝度重みを加算することになり、階調表示が大きく
乱れることになる。なお、この階調の乱れは画像に偽の
輪郭が現れるように認識させるため、一般的に「動画擬
似輪郭」と呼ばれる。このような動画表示における擬似
輪郭の発生のメカニズムについては、文献、1997年
5月1日発行,プラズマディスプレイのすべて,165
頁〜177頁(工業調査会出版,内池 平樹・御子柴
茂 共著)に詳しく説明されているところである。
向の積分で階調表現しようとしているため、動画像など
で視線が移動した場合は、時間の経過とともに本来の画
素位置とは異なる位置の画像のそれぞれのサブフィール
ドの輝度重みを加算することになり、階調表示が大きく
乱れることになる。なお、この階調の乱れは画像に偽の
輪郭が現れるように認識させるため、一般的に「動画擬
似輪郭」と呼ばれる。このような動画表示における擬似
輪郭の発生のメカニズムについては、文献、1997年
5月1日発行,プラズマディスプレイのすべて,165
頁〜177頁(工業調査会出版,内池 平樹・御子柴
茂 共著)に詳しく説明されているところである。
【0009】動画擬似輪郭を解消するため従来の画像表
示装置において、1TVフィールドの時間内での後半よ
りに位置するサブフィールドに対応する上記サブフィー
ルドSF7及びサブフィールドSF8の輝度重みを分割
し、さらにこれらをフィールド内の前半部、後半部とに
分散することによって動画像表示における階調表示の乱
れを軽減しようとする試みがなされている。
示装置において、1TVフィールドの時間内での後半よ
りに位置するサブフィールドに対応する上記サブフィー
ルドSF7及びサブフィールドSF8の輝度重みを分割
し、さらにこれらをフィールド内の前半部、後半部とに
分散することによって動画像表示における階調表示の乱
れを軽減しようとする試みがなされている。
【0010】図18はこの従来の方法による動画擬似輪
郭の軽減方法におけるサブフィールド構成であり、10
個のサブフィールドを用いて8ビット階調レベルすなわ
ち256階調レベルを表示しようとするものである。各
サブフィールドの輝度重み付けは時間順に、48、4
8、1、2、4、8、16、32、48、48となって
いる。つまり、上記8つのサブフィールドにおけるサブ
フィールドSF7及びサブフィールドSF8の輝度重み
64、128を4つの輝度重みに分割((64+12
8)=192=48×4)して、これらを1TVフィー
ルド内の前半部、後半部に分散しており、後半よりに位
置するサブフィールドに割り当てられた輝度重みを小さ
くして階調の乱れの発生をできるだけ抑えようとする技
術である。
郭の軽減方法におけるサブフィールド構成であり、10
個のサブフィールドを用いて8ビット階調レベルすなわ
ち256階調レベルを表示しようとするものである。各
サブフィールドの輝度重み付けは時間順に、48、4
8、1、2、4、8、16、32、48、48となって
いる。つまり、上記8つのサブフィールドにおけるサブ
フィールドSF7及びサブフィールドSF8の輝度重み
64、128を4つの輝度重みに分割((64+12
8)=192=48×4)して、これらを1TVフィー
ルド内の前半部、後半部に分散しており、後半よりに位
置するサブフィールドに割り当てられた輝度重みを小さ
くして階調の乱れの発生をできるだけ抑えようとする技
術である。
【0011】この技術によれば上記した階調値63及び
階調値64の境界部分では、階調の乱れはほとんど観測
されず、その部分での動画擬似輪郭の発生はほぼ抑えら
れる。しかしながら、この技術では、サブフィールド数
を8から10個に増やすため、初期化の処理も10回行
わなければならない。従って、発光期間はサブフィール
ドの数が増加したぶん圧縮され短くせざるを得ない。従
って、動画擬似輪郭の低減を図れたとしても、発光輝度
が低下してしまう。
階調値64の境界部分では、階調の乱れはほとんど観測
されず、その部分での動画擬似輪郭の発生はほぼ抑えら
れる。しかしながら、この技術では、サブフィールド数
を8から10個に増やすため、初期化の処理も10回行
わなければならない。従って、発光期間はサブフィール
ドの数が増加したぶん圧縮され短くせざるを得ない。従
って、動画擬似輪郭の低減を図れたとしても、発光輝度
が低下してしまう。
【0012】このように一般には、動画擬似輪郭の発生
を低減させるには、サブフィールド数を増やすことが望
ましいとされている。しかし、サブフィールド数を増や
すと、発光期間を短くしなければならないので、動画擬
似輪郭の発生を抑えるための技術は、発光期間を増やし
て発光輝度を高めるという目的を達成するのに適切とは
言えなかった。
を低減させるには、サブフィールド数を増やすことが望
ましいとされている。しかし、サブフィールド数を増や
すと、発光期間を短くしなければならないので、動画擬
似輪郭の発生を抑えるための技術は、発光期間を増やし
て発光輝度を高めるという目的を達成するのに適切とは
言えなかった。
【0013】一方、表現可能な階調数を減少させれば、
そのぶん発光期間を長くとれるので発光輝度を向上させ
ることができるがこれは望ましくない。そこで、本発明
は、表現可能な階調数を減少させることなく、発光輝度
を向上させながら動画擬似輪郭の発生をも少なくするこ
とが可能な画像表示装置を提供することを目的としてな
されたものである。
そのぶん発光期間を長くとれるので発光輝度を向上させ
ることができるがこれは望ましくない。そこで、本発明
は、表現可能な階調数を減少させることなく、発光輝度
を向上させながら動画擬似輪郭の発生をも少なくするこ
とが可能な画像表示装置を提供することを目的としてな
されたものである。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の画像表示装置は、各色の画素が複数の近接
した発光セルから構成され、1フレーム(以下の実施の
形態においては1TVフィールドを意味する。)に相当
する期間が1又は複数の点灯可能期間からなり、前記各
発光セルが、所望の点灯可能期間点灯駆動されて、それ
ら発光セルの点灯の組み合わせで、各色の画素が階調表
現されることを特徴とする。
に、本発明の画像表示装置は、各色の画素が複数の近接
した発光セルから構成され、1フレーム(以下の実施の
形態においては1TVフィールドを意味する。)に相当
する期間が1又は複数の点灯可能期間からなり、前記各
発光セルが、所望の点灯可能期間点灯駆動されて、それ
ら発光セルの点灯の組み合わせで、各色の画素が階調表
現されることを特徴とする。
【0015】ここで、各色の1画素を構成する発光セル
を、次の第一の発光セルと第二の発光セルとすることが
できる。前記第一の発光セルは、第一の間隙を置いて配
された第一の電極対を含み、前記第二の発光セルは、第
二の間隙を置いて配された第二の電極対を含んでいる。
更に、各色の1画素を構成する発光セルとして、前記第
一及び第二の発光セルに加え、第三の間隙を置いて配さ
れた第三の電極対を含む第三の発光セルとすることもで
きる。
を、次の第一の発光セルと第二の発光セルとすることが
できる。前記第一の発光セルは、第一の間隙を置いて配
された第一の電極対を含み、前記第二の発光セルは、第
二の間隙を置いて配された第二の電極対を含んでいる。
更に、各色の1画素を構成する発光セルとして、前記第
一及び第二の発光セルに加え、第三の間隙を置いて配さ
れた第三の電極対を含む第三の発光セルとすることもで
きる。
【0016】また、前記発光セルを、電気的に同極性の
電極対と、当該電極対の間隙に設けられた、当該電極対
と電気的に異なる極性の電極とで構成することもでき
る。また、上記目的を達成するために、本発明の画像表
示装置は、発光セルがマトリックス状に配されたディス
プレイパネルと、入力映像信号を基に、各色の1画素を
構成する発光セル毎のN(1以上の整数)個のサブフィ
ールドのオン、オフ情報を生成するサブフィールド情報
生成手段と、サブフィールド情報生成手段で生成された
オン、オフ情報の1フレーム分をサブフィールド別に分
配すると共に、サブフィールドを順次切り換えて、各発
光セルをオン、オフすることにより、ディスプレイの発
光セルにおける該当する階調値の表示の制御を行う表示
制御手段とを備えることを特徴とする。
電極対と、当該電極対の間隙に設けられた、当該電極対
と電気的に異なる極性の電極とで構成することもでき
る。また、上記目的を達成するために、本発明の画像表
示装置は、発光セルがマトリックス状に配されたディス
プレイパネルと、入力映像信号を基に、各色の1画素を
構成する発光セル毎のN(1以上の整数)個のサブフィ
ールドのオン、オフ情報を生成するサブフィールド情報
生成手段と、サブフィールド情報生成手段で生成された
オン、オフ情報の1フレーム分をサブフィールド別に分
配すると共に、サブフィールドを順次切り換えて、各発
光セルをオン、オフすることにより、ディスプレイの発
光セルにおける該当する階調値の表示の制御を行う表示
制御手段とを備えることを特徴とする。
【0017】前記サブフィールド情報生成手段は、入力
映像信号を、当該映像信号で表される階調値に対応さ
せ、所定の画素を構成する発光セルを点灯させるのか、
或いは点灯させないのかを示す点灯、或いは非点灯の情
報に変換する変換部と、当該変換することにより生成し
た情報を記憶するメモリとで構成することができる。こ
こで、前記変換部は、入力映像信号の画素に対応した発
光セルを点灯させるのか、或いは点灯させないのかを示
す点灯、或いは非点灯に関する組み合わせが並べられた
テーブルを備えた構成とすることができる。
映像信号を、当該映像信号で表される階調値に対応さ
せ、所定の画素を構成する発光セルを点灯させるのか、
或いは点灯させないのかを示す点灯、或いは非点灯の情
報に変換する変換部と、当該変換することにより生成し
た情報を記憶するメモリとで構成することができる。こ
こで、前記変換部は、入力映像信号の画素に対応した発
光セルを点灯させるのか、或いは点灯させないのかを示
す点灯、或いは非点灯に関する組み合わせが並べられた
テーブルを備えた構成とすることができる。
【0018】
【発明の実施の形態】以下に実施の形態に係る画像表示
装置について図面を参照にしながら具体的に説明する。 [実施の形態1]図1は、本実施の形態に係る画像表示装
置の構成を示すブロック図である。
装置について図面を参照にしながら具体的に説明する。 [実施の形態1]図1は、本実施の形態に係る画像表示装
置の構成を示すブロック図である。
【0019】図1に示すように本実施の形態の画像表示
装置は、AD変換部1と、サブフィールド情報生成部2
と、表示制御部3と、ガス放電パネルの一例としてのP
DP4とから構成されている。図2は、PDP4の構成
を示す斜視図であり、ここでは、AC型を例に挙げて説
明するが、DC型でも同様に適応できる。
装置は、AD変換部1と、サブフィールド情報生成部2
と、表示制御部3と、ガス放電パネルの一例としてのP
DP4とから構成されている。図2は、PDP4の構成
を示す斜視図であり、ここでは、AC型を例に挙げて説
明するが、DC型でも同様に適応できる。
【0020】この図に示す41は、フロート法による硼
硅酸ナトリウム系ガラスよりなる前面ガラス基板であ
り、この前面ガラス基板41上に銀電極から成る走査放
電維持電極対42が存在し、この上をコンデンサの働き
をする誘電体ガラス層43と、これをプラズマから保護
する酸化マグネシウム(MgO)誘電体保護層44が覆
っている。45は背面ガラス基板であり、この背面ガラ
ス基板45上にアドレス電極46、誘電体ガラス層47
が設けられ、その上に隔壁48、蛍光体層49が設けら
れており、隔壁48間が放電ガスを封入する放電空間5
0となっている。なお、本実施の形態では説明を簡単に
行うために、単色により表示を行うPDPについて説明
するが、以下説明する技術は、R(赤),G(緑),B
(青)三色により画素を形成しカラー表示を行うPDP
においても、各色に対して同様に適用することができ
る。
硅酸ナトリウム系ガラスよりなる前面ガラス基板であ
り、この前面ガラス基板41上に銀電極から成る走査放
電維持電極対42が存在し、この上をコンデンサの働き
をする誘電体ガラス層43と、これをプラズマから保護
する酸化マグネシウム(MgO)誘電体保護層44が覆
っている。45は背面ガラス基板であり、この背面ガラ
ス基板45上にアドレス電極46、誘電体ガラス層47
が設けられ、その上に隔壁48、蛍光体層49が設けら
れており、隔壁48間が放電ガスを封入する放電空間5
0となっている。なお、本実施の形態では説明を簡単に
行うために、単色により表示を行うPDPについて説明
するが、以下説明する技術は、R(赤),G(緑),B
(青)三色により画素を形成しカラー表示を行うPDP
においても、各色に対して同様に適用することができ
る。
【0021】図3は、上記PDP4の各電極の配置を示
す平面図である。走査放電維持電極対42は、第一走査
放電維持電極対42aと、第二走査放電維持電極対42
bとからなり、これらが互いに交互に平行に配されたも
のである。なお、各電極は、前面ガラス基板上に例えば
感光性の銀ペーストを全面に形成後、フォトリソグラフ
法にて、銀(Ag)を所定温度で焼成することによって
形成する。
す平面図である。走査放電維持電極対42は、第一走査
放電維持電極対42aと、第二走査放電維持電極対42
bとからなり、これらが互いに交互に平行に配されたも
のである。なお、各電極は、前面ガラス基板上に例えば
感光性の銀ペーストを全面に形成後、フォトリソグラフ
法にて、銀(Ag)を所定温度で焼成することによって
形成する。
【0022】第一走査放電維持電極対42aは、間隙値
aの間隙で平行に配設されており、第二走査放電維持電
極対42bは、間隙値bの間隙で平行に配設されてい
る。ここで、間隙値bは間隙値aの2倍に設定してあ
る。そして、ここでは第一走査放電維持電極対42aの
上側(図3で図面上方を意味する。)の電極と、第二走
査放電維持電極対42bの上側とが、走査電極となりア
ドレッシング時には走査パルスが印加される。
aの間隙で平行に配設されており、第二走査放電維持電
極対42bは、間隙値bの間隙で平行に配設されてい
る。ここで、間隙値bは間隙値aの2倍に設定してあ
る。そして、ここでは第一走査放電維持電極対42aの
上側(図3で図面上方を意味する。)の電極と、第二走
査放電維持電極対42bの上側とが、走査電極となりア
ドレッシング時には走査パルスが印加される。
【0023】次に、アドレス電極46の一本一本がこの
走査放電維持電極に対して直交する方向に互いがマトリ
ックス状の配置関係となるように配されている。このよ
うに走査放電維持電極及びアドレス電極を配することに
より、第一走査放電維持電極対電極対42aとアドレス
電極46とが交叉したところに対応する放電空間及び蛍
光体層により1つの発光セルAが構成され、第二走査放
電維持電極対電極対42bとアドレス電極46とが交叉
したところに対応する放電空間及び蛍光体層により1つ
の発光セルBが構成されることになる。そして、1画素
はこの発光セルAと発光セルBとで構成される。発光に
際しては、第一走査放電維持電極対42a、及び第二走
査放電維持電極対42bの互いの電極が電気的に逆極性
となるように放電維持パルスが印加され、ここでは、第
一走査放電維持電極対42aの上側(図3で図面上方を
意味する。)の電極と、第二走査放電維持電極対42b
の上側とが、第一走査放電維持電極対42aの下側(図
3で図面下方を意味する。)の電極と、第二走査放電維
持電極対42bの下側とが電気的に同極性となるように
放電維持パルスが印加される。
走査放電維持電極に対して直交する方向に互いがマトリ
ックス状の配置関係となるように配されている。このよ
うに走査放電維持電極及びアドレス電極を配することに
より、第一走査放電維持電極対電極対42aとアドレス
電極46とが交叉したところに対応する放電空間及び蛍
光体層により1つの発光セルAが構成され、第二走査放
電維持電極対電極対42bとアドレス電極46とが交叉
したところに対応する放電空間及び蛍光体層により1つ
の発光セルBが構成されることになる。そして、1画素
はこの発光セルAと発光セルBとで構成される。発光に
際しては、第一走査放電維持電極対42a、及び第二走
査放電維持電極対42bの互いの電極が電気的に逆極性
となるように放電維持パルスが印加され、ここでは、第
一走査放電維持電極対42aの上側(図3で図面上方を
意味する。)の電極と、第二走査放電維持電極対42b
の上側とが、第一走査放電維持電極対42aの下側(図
3で図面下方を意味する。)の電極と、第二走査放電維
持電極対42bの下側とが電気的に同極性となるように
放電維持パルスが印加される。
【0024】なお、第一走査放電維持電極対42aと第
二走査放電維持電極対42bの間隙値αを調整すること
により、誤放電しないようにしてある。ここでは、第一
走査放電維持電極対42a及び第二走査放電維持電極対
42bそれぞれが480対で、アドレス電極46が64
0本に設定し、後述するように画像表示することによ
り、PDP画面は640画素×480個の画素から構成
されることになる。
二走査放電維持電極対42bの間隙値αを調整すること
により、誤放電しないようにしてある。ここでは、第一
走査放電維持電極対42a及び第二走査放電維持電極対
42bそれぞれが480対で、アドレス電極46が64
0本に設定し、後述するように画像表示することによ
り、PDP画面は640画素×480個の画素から構成
されることになる。
【0025】AD変換部1は、アナログ映像信号をここ
では8ビット映像信号に変換する回路である。なお、こ
こで用いるアナログ映像信号にはCRTに表示すること
を前提として元の映像信号に対してγ(通常γ=2.
2)特性がかかっているので、これを補正し表示信号と
もとの入力信号とを直線的(γ=1)な入出力関係にす
るための処理を行う回路であるγ逆補正回路(不図示)
がAD変換部1の上流側には設けてある。
では8ビット映像信号に変換する回路である。なお、こ
こで用いるアナログ映像信号にはCRTに表示すること
を前提として元の映像信号に対してγ(通常γ=2.
2)特性がかかっているので、これを補正し表示信号と
もとの入力信号とを直線的(γ=1)な入出力関係にす
るための処理を行う回路であるγ逆補正回路(不図示)
がAD変換部1の上流側には設けてある。
【0026】図4は、サブフィールド情報生成部2の構
成を示すブロック図である。この図に示すようにサブフ
ィールド情報生成部2は、信号変換部21と、書込アド
レス制御部22と、フレームメモリ23とから構成され
ている。書込アドレス制御部22は、入力デジタル映像
信号から分離された水平同期信号、垂直同期信号に基づ
いてフレームメモリ23へ書込むアドレスを指定するた
めのアドレス指定信号S1を生成するものである。
成を示すブロック図である。この図に示すようにサブフ
ィールド情報生成部2は、信号変換部21と、書込アド
レス制御部22と、フレームメモリ23とから構成され
ている。書込アドレス制御部22は、入力デジタル映像
信号から分離された水平同期信号、垂直同期信号に基づ
いてフレームメモリ23へ書込むアドレスを指定するた
めのアドレス指定信号S1を生成するものである。
【0027】信号変換部21は、各画素に対応する入力
ディジタル映像信号を、予め決められた所定の輝度重み
付けを有するここでは4ビットのサブフィールド情報に
変換する回路である。このサブフィールド情報とは、1
TVフィールド内の何れの時間帯つまり何れのサブフィ
ールドを点灯又は点灯させないのか(非点灯)という1
ビット情報の集合である。ここでは、入力されるデジタ
ル映像信号の階調値に応じて作成された、予め記憶させ
てあるサブフィールド変換テーブル21Aを参照して、
各画素に対応する8ビット映像信号が所定の数のサブフ
ィールドに分割される。1画素毎の分割処理は、図示し
ないPLL回路により発生された画素クロックCLKに
同期して行われる。このようにして生成された各画素に
対応するサブフィールド情報は、書込アドレス制御部2
2からのアドレス指定信号S1によりアドレスが指定さ
れてフレームメモリ23に行毎、画素毎、サブフィール
ド毎、画面毎に書き込まれる。
ディジタル映像信号を、予め決められた所定の輝度重み
付けを有するここでは4ビットのサブフィールド情報に
変換する回路である。このサブフィールド情報とは、1
TVフィールド内の何れの時間帯つまり何れのサブフィ
ールドを点灯又は点灯させないのか(非点灯)という1
ビット情報の集合である。ここでは、入力されるデジタ
ル映像信号の階調値に応じて作成された、予め記憶させ
てあるサブフィールド変換テーブル21Aを参照して、
各画素に対応する8ビット映像信号が所定の数のサブフ
ィールドに分割される。1画素毎の分割処理は、図示し
ないPLL回路により発生された画素クロックCLKに
同期して行われる。このようにして生成された各画素に
対応するサブフィールド情報は、書込アドレス制御部2
2からのアドレス指定信号S1によりアドレスが指定さ
れてフレームメモリ23に行毎、画素毎、サブフィール
ド毎、画面毎に書き込まれる。
【0028】前記サブフィールド変換テーブル21Aの
一例を、図5に示す。この図に示すように、当該サブフ
ィールド変換テーブル21Aは、各デジタル映像信号を
時間順に3、12、48、192という輝度重み(最上
欄のカッコ内の数値)からなる4ビットのサブフィール
ドSF1、サブフィールドSF2、サブフィールドSF
3、サブフィールドSF4の点灯(発光、オン)、非点
灯(非発光、オフ)情報に変換するための入力映像信号
と変換後のサブフィールドの組み合わせとの対応を示す
もので、このテーブルの縦の欄は、入力デジタル映像信
号の階調値を示しており、横の欄は、当該入力デジタル
映像信号を変換すべき4ビットのサブフィールド情報を
示している。
一例を、図5に示す。この図に示すように、当該サブフ
ィールド変換テーブル21Aは、各デジタル映像信号を
時間順に3、12、48、192という輝度重み(最上
欄のカッコ内の数値)からなる4ビットのサブフィール
ドSF1、サブフィールドSF2、サブフィールドSF
3、サブフィールドSF4の点灯(発光、オン)、非点
灯(非発光、オフ)情報に変換するための入力映像信号
と変換後のサブフィールドの組み合わせとの対応を示す
もので、このテーブルの縦の欄は、入力デジタル映像信
号の階調値を示しており、横の欄は、当該入力デジタル
映像信号を変換すべき4ビットのサブフィールド情報を
示している。
【0029】なお、この図で、「1」と記したサブフィ
ールドは「点灯(発光、オン)」となり、「0」と記し
たサブフィールドはその期間が「非点灯(非発光、オ
フ)」とされることを意味する(以下、同様)。更に、
各サブフィールドの輝度重みは、前記発光セルAと、そ
の直下の行の発光セルBとに1:2の比率に分配され
る。
ールドは「点灯(発光、オン)」となり、「0」と記し
たサブフィールドはその期間が「非点灯(非発光、オ
フ)」とされることを意味する(以下、同様)。更に、
各サブフィールドの輝度重みは、前記発光セルAと、そ
の直下の行の発光セルBとに1:2の比率に分配され
る。
【0030】例えば、信号変換部21は、値が63(図
中*を付記)のデジタル映像信号が入力されると、当該
映像信号は、サブフィールド変換テーブル21Aの表に
基づき、「0111」、「0111」という2つの4ビ
ットデータに変換して出力する。なお、ここでのビット
表現は、サブフィールドの番号とビット表現における桁
を対応させた表記にしている。
中*を付記)のデジタル映像信号が入力されると、当該
映像信号は、サブフィールド変換テーブル21Aの表に
基づき、「0111」、「0111」という2つの4ビ
ットデータに変換して出力する。なお、ここでのビット
表現は、サブフィールドの番号とビット表現における桁
を対応させた表記にしている。
【0031】更に、幾つかを例示すれば、値が64(図
中**を付記)のデジタル映像信号が入力されると、
「1000」、「0000」という2つの4ビットデー
タ、値が65(図中***を付記)のデジタル映像信号
が入力されると、「1001」、「0000」という2
つの4ビットデータ、値が66(図中****を付記)
のデジタル映像信号が入力されると、「1000」、
「0001」という2つの4ビットデータが出力され
る。
中**を付記)のデジタル映像信号が入力されると、
「1000」、「0000」という2つの4ビットデー
タ、値が65(図中***を付記)のデジタル映像信号
が入力されると、「1001」、「0000」という2
つの4ビットデータ、値が66(図中****を付記)
のデジタル映像信号が入力されると、「1000」、
「0001」という2つの4ビットデータが出力され
る。
【0032】フレームメモリ23は、図6に示すような
内部構造をしている。つまり、一の画面に相当するサブ
フィールド情報を格納するメモリ領域23a及び別な一
の画面に相当するサブフィールド情報を格納するメモリ
領域23bとから構成されている。メモリ領域23a
は、一の画面における該当するサブフィールド毎に該当
する発光セルを点灯させるのか、非点灯とするのかを表
す情報を格納するサブフィールドメモリSFM1、サブ
フィールドメモリSFM2、サブフィールドメモリSF
M3、及びサブフィールドメモリSFM4を備えてい
る。同様にメモリ領域23bも、他の一の画面における
該当するサブフィールド毎に該当する発光セルを点灯さ
せるのか、非点灯とするのかを表す情報を格納するサブ
フィールドメモリSFM’1、サブフィールドメモリS
FM’2、サブフィールドメモリSFM’3、及びサブ
フィールドメモリSFM’4を備えている。本実施の形
態では、サブフィールドメモリSFM1、サブフィール
ドメモリSFM2、サブフィールドメモリSFM3、サ
ブフィールドメモリSFM4、サブフィールドメモリS
FM’1、サブフィールドメモリSFM’2、サブフィ
ールドメモリSFM’3、及びサブフィールドメモリS
FM’4は、1ビット入力で1ビット出力の半導体メモ
リを用いてある。また、このフレームメモリ23は、サ
ブフィールド情報を書き込むと同時に、PDP4への読
み出しも同時に可能な2ポートフレームメモリである。
内部構造をしている。つまり、一の画面に相当するサブ
フィールド情報を格納するメモリ領域23a及び別な一
の画面に相当するサブフィールド情報を格納するメモリ
領域23bとから構成されている。メモリ領域23a
は、一の画面における該当するサブフィールド毎に該当
する発光セルを点灯させるのか、非点灯とするのかを表
す情報を格納するサブフィールドメモリSFM1、サブ
フィールドメモリSFM2、サブフィールドメモリSF
M3、及びサブフィールドメモリSFM4を備えてい
る。同様にメモリ領域23bも、他の一の画面における
該当するサブフィールド毎に該当する発光セルを点灯さ
せるのか、非点灯とするのかを表す情報を格納するサブ
フィールドメモリSFM’1、サブフィールドメモリS
FM’2、サブフィールドメモリSFM’3、及びサブ
フィールドメモリSFM’4を備えている。本実施の形
態では、サブフィールドメモリSFM1、サブフィール
ドメモリSFM2、サブフィールドメモリSFM3、サ
ブフィールドメモリSFM4、サブフィールドメモリS
FM’1、サブフィールドメモリSFM’2、サブフィ
ールドメモリSFM’3、及びサブフィールドメモリS
FM’4は、1ビット入力で1ビット出力の半導体メモ
リを用いてある。また、このフレームメモリ23は、サ
ブフィールド情報を書き込むと同時に、PDP4への読
み出しも同時に可能な2ポートフレームメモリである。
【0033】フレームメモリ23へのサブフィールド情
報の書き込みは、信号変換部21から画素クロックCL
Kに同期して出力される2つの4ビットデータを一のメ
モリ領域を構成する4つのサブフィールドメモリSFM
1〜SFM4、或いはサブフィールドメモリSFM’1
〜SFM’4に1ビットづつに分配して書き込むという
方法で実行される。4ビットデータのどのビットをどの
サブフィールドメモリSFM1〜SFM4、或いはサブ
フィールドメモリSFM’1〜SFM’4に格納するか
は予め定められている。
報の書き込みは、信号変換部21から画素クロックCL
Kに同期して出力される2つの4ビットデータを一のメ
モリ領域を構成する4つのサブフィールドメモリSFM
1〜SFM4、或いはサブフィールドメモリSFM’1
〜SFM’4に1ビットづつに分配して書き込むという
方法で実行される。4ビットデータのどのビットをどの
サブフィールドメモリSFM1〜SFM4、或いはサブ
フィールドメモリSFM’1〜SFM’4に格納するか
は予め定められている。
【0034】詳しくは、サブフィールド変換テーブル2
1Aのサブフィールドの番号1〜4と同一番号のサブフ
ィールドメモリである、サブフィールドメモリSFM1
〜SFM4、或いはサブフィールドメモリSFM’1〜
SFM’4が論理的に対応付けられていて、4ビットデ
ータのビットがどのサブフィールド番号に相当するもの
であるかによって該当するサブフィールドメモリSFM
1〜SFM4、或いはサブフィールドメモリSFM’1
〜SFM’4に書き込まれる。
1Aのサブフィールドの番号1〜4と同一番号のサブフ
ィールドメモリである、サブフィールドメモリSFM1
〜SFM4、或いはサブフィールドメモリSFM’1〜
SFM’4が論理的に対応付けられていて、4ビットデ
ータのビットがどのサブフィールド番号に相当するもの
であるかによって該当するサブフィールドメモリSFM
1〜SFM4、或いはサブフィールドメモリSFM’1
〜SFM’4に書き込まれる。
【0035】4ビットデータのサブフィールドメモリS
FM1〜SFM4、或いはサブフィールドメモリSF
M’1〜SFM’4への書き込み位置は、書込アドレス
制御部22からのアドレス指定信号S1に基づいて指定
される。一般的に、4ビットデータに変換される前の画
素信号の画面上での位置と同一位置に書き込まれる。図
7は、表示制御部3の構成を示すブロック図である。
FM1〜SFM4、或いはサブフィールドメモリSF
M’1〜SFM’4への書き込み位置は、書込アドレス
制御部22からのアドレス指定信号S1に基づいて指定
される。一般的に、4ビットデータに変換される前の画
素信号の画面上での位置と同一位置に書き込まれる。図
7は、表示制御部3の構成を示すブロック図である。
【0036】表示制御部3は、図7に示すように表示ラ
イン制御部31と、アドレスドライバ32と、ラインド
ライバ33とから構成されている。表示ライン制御部3
1は、フレームメモリ23にPDP4に読み出すべきメ
モリ領域、行、サブフィールドを指定し、又、PDP4
の何れの行を走査するのかの指示を出すものである。
イン制御部31と、アドレスドライバ32と、ラインド
ライバ33とから構成されている。表示ライン制御部3
1は、フレームメモリ23にPDP4に読み出すべきメ
モリ領域、行、サブフィールドを指定し、又、PDP4
の何れの行を走査するのかの指示を出すものである。
【0037】この表示ライン制御部31の動作は前記サ
ブフィールド情報生成部2におけるフレームメモリ23
への書込動作と画面単位の順序では同期がとられてい
る。即ち、表示ライン制御部31は4ビットデータを書
込中のメモリ領域23a、或いは23bからは読み出し
は行わず、既に書込完了したメモリ領域23a、或いは
23bから読み出しを行う。
ブフィールド情報生成部2におけるフレームメモリ23
への書込動作と画面単位の順序では同期がとられてい
る。即ち、表示ライン制御部31は4ビットデータを書
込中のメモリ領域23a、或いは23bからは読み出し
は行わず、既に書込完了したメモリ領域23a、或いは
23bから読み出しを行う。
【0038】アドレスドライバ32は、表示ライン制御
部31のメモリ領域指定、読出ライン指定及びサブフィ
ールド指定に基づいて1ビットづづシリアルに入力され
たサブフィールド情報を、1行分の画素数に対応したビ
ット(ここでは、640ビット)を並列的に、アドレス
パルスに変換して行毎に出力するものである。ラインド
ライバ33は、サブフィールド情報をPDP4の何れの
行に書き込むのか走査パルスにより書き込むべき行を指
定するものである。
部31のメモリ領域指定、読出ライン指定及びサブフィ
ールド指定に基づいて1ビットづづシリアルに入力され
たサブフィールド情報を、1行分の画素数に対応したビ
ット(ここでは、640ビット)を並列的に、アドレス
パルスに変換して行毎に出力するものである。ラインド
ライバ33は、サブフィールド情報をPDP4の何れの
行に書き込むのか走査パルスにより書き込むべき行を指
定するものである。
【0039】このような表示制御部3の構成により、次
のようにフレームメモリ23からPDP4へのサブフィ
ールド情報の読み出しが行われる。フレームメモリ23
に書き込まれた1画面分のサブフィールド情報の読み出
しは、メモリ領域23a、或いはメモリ領域23bから
発光セル毎にサブフィールド情報がサブフィールドメモ
リSFM1、サブフィールドメモリSFM2、サブフィ
ールドメモリSFM3、サブフィールドメモリSFM
4、或いはサブフィールドメモリSFM’1、サブフィ
ールドメモリSFM’2、サブフィールドメモリSF
M’3、サブフィールドメモリSFM’4から順次読み
出されることにより行われる。
のようにフレームメモリ23からPDP4へのサブフィ
ールド情報の読み出しが行われる。フレームメモリ23
に書き込まれた1画面分のサブフィールド情報の読み出
しは、メモリ領域23a、或いはメモリ領域23bから
発光セル毎にサブフィールド情報がサブフィールドメモ
リSFM1、サブフィールドメモリSFM2、サブフィ
ールドメモリSFM3、サブフィールドメモリSFM
4、或いはサブフィールドメモリSFM’1、サブフィ
ールドメモリSFM’2、サブフィールドメモリSF
M’3、サブフィールドメモリSFM’4から順次読み
出されることにより行われる。
【0040】より具体的には、まず、メモリ領域23
a、或いはメモリ領域23bのサブフィールドメモリS
FM1、或いはサブフィールドメモリSFM’1から1
行目の各画素を構成する各発光セルAに対応するサブフ
ィールド情報が1ビットづつ順次読み出される。そし
て、ラインドライバ33による行指定を待って1行目に
あるすべての発光セルAにおいて静電潜像を形成し(ア
ドレッシング)、次いで、同じサブフィールドメモリS
FM1、或いはサブフィールドメモリSFM’1から2
行目の各発光セルBに対応するサブフィールド情報を順
次読み出して同じようにアドレスドライバ31に入力
し、2行目の発光セルBの数に相当するビットここでは
640ビットのサブフィールド情報が並列的にPDP4
に出力されアドレッシングが行われる。このような読み
出し(PDP4側からいうと書き込み。)が表示する画
面の最終行まで終了すれば、一斉に各画素が発光され
る。
a、或いはメモリ領域23bのサブフィールドメモリS
FM1、或いはサブフィールドメモリSFM’1から1
行目の各画素を構成する各発光セルAに対応するサブフ
ィールド情報が1ビットづつ順次読み出される。そし
て、ラインドライバ33による行指定を待って1行目に
あるすべての発光セルAにおいて静電潜像を形成し(ア
ドレッシング)、次いで、同じサブフィールドメモリS
FM1、或いはサブフィールドメモリSFM’1から2
行目の各発光セルBに対応するサブフィールド情報を順
次読み出して同じようにアドレスドライバ31に入力
し、2行目の発光セルBの数に相当するビットここでは
640ビットのサブフィールド情報が並列的にPDP4
に出力されアドレッシングが行われる。このような読み
出し(PDP4側からいうと書き込み。)が表示する画
面の最終行まで終了すれば、一斉に各画素が発光され
る。
【0041】次のサブフィールドSF2の点灯、或いは
非点灯に関するサブフィールド情報が上記同様に1行づ
づ読み出されてアドレッシングが行われた後、次いで順
次、サブフィールドSF4までこの動作を繰り返すと、
1画面分のサブフィールド情報の読み出し(書き込み)
が終了する。このようなPDPの作動方式を図示すると
図8に示すようになる。この図8において、横軸は時
間、縦軸はPDPの横方向に延びる走査放電維持電極対
42の配列順に付した番号を示し、太線一本斜線枠の部
分で発光させる画素のアドレスを指定し、斜線枠の部分
で画素を発光させる。なお、奇数番号の走査放電維持電
極対に対応して形成される発光セルは前記発光セルAで
あり、偶数番号の走査放電維持電極対に対応して形成さ
れる発光セルは前記発光セルBである。
非点灯に関するサブフィールド情報が上記同様に1行づ
づ読み出されてアドレッシングが行われた後、次いで順
次、サブフィールドSF4までこの動作を繰り返すと、
1画面分のサブフィールド情報の読み出し(書き込み)
が終了する。このようなPDPの作動方式を図示すると
図8に示すようになる。この図8において、横軸は時
間、縦軸はPDPの横方向に延びる走査放電維持電極対
42の配列順に付した番号を示し、太線一本斜線枠の部
分で発光させる画素のアドレスを指定し、斜線枠の部分
で画素を発光させる。なお、奇数番号の走査放電維持電
極対に対応して形成される発光セルは前記発光セルAで
あり、偶数番号の走査放電維持電極対に対応して形成さ
れる発光セルは前記発光セルBである。
【0042】画面の1行目の第一走査放電維持電極対4
2a上の全ての横方向発光セルAに対し、サブフィール
ドSF1が始まるタイミングに合わせて縦方向に走るア
ドレス電極にアドレスパルスを印加することによりアド
レッシングを行う。走査放電維持電極対の1行目のアド
レッシングが終了したら、二行目の第二走査放電維持電
極対42bの全ての横方向発光セルBに対し、アドレス
電極にアドレスパルスを印加することによりアドレッシ
ングを行う。それ以降の第一走査放電維持電極対42
a、第二走査放電維持電極対42b、・・・に次々と、
同様な操作を繰り返す。最後の第二走査放電維持電極対
42bのアドレッシングが終了したら、時刻t1から時
刻t2の時間帯の放電維持期間に移る。
2a上の全ての横方向発光セルAに対し、サブフィール
ドSF1が始まるタイミングに合わせて縦方向に走るア
ドレス電極にアドレスパルスを印加することによりアド
レッシングを行う。走査放電維持電極対の1行目のアド
レッシングが終了したら、二行目の第二走査放電維持電
極対42bの全ての横方向発光セルBに対し、アドレス
電極にアドレスパルスを印加することによりアドレッシ
ングを行う。それ以降の第一走査放電維持電極対42
a、第二走査放電維持電極対42b、・・・に次々と、
同様な操作を繰り返す。最後の第二走査放電維持電極対
42bのアドレッシングが終了したら、時刻t1から時
刻t2の時間帯の放電維持期間に移る。
【0043】この時刻t1から時刻t2の時間帯では、発
光セルAの重みを基準とし、該当するサブフィールドで
割り当てられた輝度が表現されるように放電維持パルス
が各走査放電維持電極対に印加される。実際に発光する
のは、アドレス指定により発光の指示があった発光セル
のみである。そして、以上述べたようなサブフィールド
におけるアドレッシングと全発光セルの一斉点灯(時刻
t3から時刻t4、時刻t5から時刻t6、時刻t7から時
刻t8の時間帯における発光)という動作が繰り返され
ることにより、1TVフィールド分の階調表示が完了す
る。上記アドレッシングは、全画素の壁電荷を消去する
初期化期間(図面では網点で記載した時間帯)を経た後
に行われる。なお、第二走査放電維持電極対42bの間
隙値bは、第一走査放電維持電極対42aの間隙値aの
2倍であるので、放電開始電圧については前者は後者に
比べて大きくなる。従って、維持パルスの電圧値は前者
の電極間42bで放電が開始される程度の電圧に揃え
て、後者の走査放電維持電極対42aにも印加する。
光セルAの重みを基準とし、該当するサブフィールドで
割り当てられた輝度が表現されるように放電維持パルス
が各走査放電維持電極対に印加される。実際に発光する
のは、アドレス指定により発光の指示があった発光セル
のみである。そして、以上述べたようなサブフィールド
におけるアドレッシングと全発光セルの一斉点灯(時刻
t3から時刻t4、時刻t5から時刻t6、時刻t7から時
刻t8の時間帯における発光)という動作が繰り返され
ることにより、1TVフィールド分の階調表示が完了す
る。上記アドレッシングは、全画素の壁電荷を消去する
初期化期間(図面では網点で記載した時間帯)を経た後
に行われる。なお、第二走査放電維持電極対42bの間
隙値bは、第一走査放電維持電極対42aの間隙値aの
2倍であるので、放電開始電圧については前者は後者に
比べて大きくなる。従って、維持パルスの電圧値は前者
の電極間42bで放電が開始される程度の電圧に揃え
て、後者の走査放電維持電極対42aにも印加する。
【0044】更に詳細に上記画像表示装置における、階
調表示について説明する。上記サブフィールド変換テー
ブル21Aにおいて、サブフィールド数は、4であり、
図5に示したように、時間順に3,12,48,192
という重み付けを施してあった。また、1画素を走査放
電維持電極対42aで構成される発光セルAと、走査放
電維持電極対42bで構成される発光セルBとで構成し
てある。後者の発光セルBは、第二走査放電維持電極対
42bの電極間の距離を第一走査放電維持電極対42a
の電極間の距離の2倍に設定していることから、前者A
の2倍の輝度で発光される。つまり、各サブフィールド
に割り当てられた輝度重みは、この2つの発光セルA及
びBの発光量が加算されることによって表現される。
調表示について説明する。上記サブフィールド変換テー
ブル21Aにおいて、サブフィールド数は、4であり、
図5に示したように、時間順に3,12,48,192
という重み付けを施してあった。また、1画素を走査放
電維持電極対42aで構成される発光セルAと、走査放
電維持電極対42bで構成される発光セルBとで構成し
てある。後者の発光セルBは、第二走査放電維持電極対
42bの電極間の距離を第一走査放電維持電極対42a
の電極間の距離の2倍に設定していることから、前者A
の2倍の輝度で発光される。つまり、各サブフィールド
に割り当てられた輝度重みは、この2つの発光セルA及
びBの発光量が加算されることによって表現される。
【0045】詳しくは、階調値「63」の入力デジタル
映像信号を例にとれば、サブフィールドSF1〜サブフ
ィールドSF3まで発光セルA及びB双方ともに「オ
ン」にすることにより、3つのサブフィールドで表現さ
れる。サブフィールドSF1の輝度重み「3」は、発光
セルAで「1」が、発光セルBで「2」が表現され、サ
ブフィールドSF2の輝度重み「12」は、発光セルA
で「4」が、発光セルBで「8」が表現され、サブフィ
ールドSF3の輝度重み「48」は、発光セルAで「1
6」が、発光セルBで「32」が表現される。これによ
り、合計「63」となり、入力映像信号の階調値が表現
されることになる。
映像信号を例にとれば、サブフィールドSF1〜サブフ
ィールドSF3まで発光セルA及びB双方ともに「オ
ン」にすることにより、3つのサブフィールドで表現さ
れる。サブフィールドSF1の輝度重み「3」は、発光
セルAで「1」が、発光セルBで「2」が表現され、サ
ブフィールドSF2の輝度重み「12」は、発光セルA
で「4」が、発光セルBで「8」が表現され、サブフィ
ールドSF3の輝度重み「48」は、発光セルAで「1
6」が、発光セルBで「32」が表現される。これによ
り、合計「63」となり、入力映像信号の階調値が表現
されることになる。
【0046】また、階調値「64」の入力デジタル映像信
号を例にとれば、当該階調値はサブフィールドSF1〜
サブフィールドSF3まで発光セルA及びB双方ともに
「オフ」とし、サブフィールドSF4において発光セルA
のみを「オン」とすることで表現される。階調値「65」
は、サブフィールドSF2、及びサブフィールドSF3
は発光セルA及びB双方ともに「オフ」とし、サブフィー
ルドSF1、及びサブフィールドSF4において発光セ
ルAのみを「オン」とすることで表現される。
号を例にとれば、当該階調値はサブフィールドSF1〜
サブフィールドSF3まで発光セルA及びB双方ともに
「オフ」とし、サブフィールドSF4において発光セルA
のみを「オン」とすることで表現される。階調値「65」
は、サブフィールドSF2、及びサブフィールドSF3
は発光セルA及びB双方ともに「オフ」とし、サブフィー
ルドSF1、及びサブフィールドSF4において発光セ
ルAのみを「オン」とすることで表現される。
【0047】更に、階調値「66」は、サブフィールドS
F2、及びサブフィールドSF3は発光セルA及びB双
方ともに「オフ」とし、サブフィールドSF1において発
光セルBのみを「オン」、サブフィールドSF4において
発光セルAのみを「オン」とすることで表現される。発光
セルが表現すべき輝度重みは、印加する放電維持パルス
の数に比例して設定される。例えば、サブフィールドS
F1における発光セルAの輝度重み1を、P個の数のパ
ルスで表せば、サブフィールドSF2における発光セル
Aの輝度重み4は4P個、サブフィールドSF3におけ
る同セルAの輝度重み16は16P個、サブフィールド
SF4における同セルAの輝度重み64は64P個のパ
ルスで表される。一方、発光セルBの輝度重みは、当該
発光セルBの発光輝度が発光セルAの発光輝度の2倍で
あるので、発光セルAに印加したと同じ数のパルスを印
加すれば、該当する輝度重みは表現される。
F2、及びサブフィールドSF3は発光セルA及びB双
方ともに「オフ」とし、サブフィールドSF1において発
光セルBのみを「オン」、サブフィールドSF4において
発光セルAのみを「オン」とすることで表現される。発光
セルが表現すべき輝度重みは、印加する放電維持パルス
の数に比例して設定される。例えば、サブフィールドS
F1における発光セルAの輝度重み1を、P個の数のパ
ルスで表せば、サブフィールドSF2における発光セル
Aの輝度重み4は4P個、サブフィールドSF3におけ
る同セルAの輝度重み16は16P個、サブフィールド
SF4における同セルAの輝度重み64は64P個のパ
ルスで表される。一方、発光セルBの輝度重みは、当該
発光セルBの発光輝度が発光セルAの発光輝度の2倍で
あるので、発光セルAに印加したと同じ数のパルスを印
加すれば、該当する輝度重みは表現される。
【0048】このように、2つの発光セルA及びBを組
み合せて各画素の階調値を表現することにより、同じサ
ブフィールド内で複数の階調値を表現することができ
る。従って、従来のように時間的に発光セルの発光量を
加算して、階調表現する手法に比べ、表現可能な階調数
を減少させることなくサブフィールド数(本実施の形態
では4つ)を減少させられる。
み合せて各画素の階調値を表現することにより、同じサ
ブフィールド内で複数の階調値を表現することができ
る。従って、従来のように時間的に発光セルの発光量を
加算して、階調表現する手法に比べ、表現可能な階調数
を減少させることなくサブフィールド数(本実施の形態
では4つ)を減少させられる。
【0049】即ち、初期化の回数、アドレッシングの回
数も減少させることができ、発光セルを実際に発光させ
る表示期間をより長く確保できる。従って、そのぶん走
査放電維持電極対42に印加する放電維持パルス数を増
やすことができ、輝度を向上させることができる。ま
た、別な観点からみると、1画素に着目した場合、最大
で発光セルA及び発光セルB双方が発光することになる
ので、画素あたりの発光面積が従来のパネル構造と比べ
て大きく確保される。従って、発光輝度が向上する効果
が得られる。
数も減少させることができ、発光セルを実際に発光させ
る表示期間をより長く確保できる。従って、そのぶん走
査放電維持電極対42に印加する放電維持パルス数を増
やすことができ、輝度を向上させることができる。ま
た、別な観点からみると、1画素に着目した場合、最大
で発光セルA及び発光セルB双方が発光することになる
ので、画素あたりの発光面積が従来のパネル構造と比べ
て大きく確保される。従って、発光輝度が向上する効果
が得られる。
【0050】図15は、従来一般的なPDPのセル構成
を示す平面図である。この図に示すように、発光セル
は、走査放電維持電極対400とアドレス電極500と
が交叉する部位に対応する比較的狭い範囲(図中破線四
角枠で表した範囲)であり、非発光領域(図中太線四角
枠で表した範囲)が、発光セル間に比較的広い範囲に渡
って存在することになる。
を示す平面図である。この図に示すように、発光セル
は、走査放電維持電極対400とアドレス電極500と
が交叉する部位に対応する比較的狭い範囲(図中破線四
角枠で表した範囲)であり、非発光領域(図中太線四角
枠で表した範囲)が、発光セル間に比較的広い範囲に渡
って存在することになる。
【0051】これに対して、本実施の形態のPDPで
は、図3に示すように、発光セルA及び発光セルBで画
素を構成するので、発光領域が従来のPDPに比べて拡
大される。このような理由から、本実施の形態によれば
発光輝度の向上を図ることができるのである。更に、同
じサブフィールドにおいて同時に異なる輝度重みを表現
するので、階調値が時間的に大きく変化する時間帯は減
少し、サブフィールドSF1からサブフィールドSF2
に移行する瞬間、サブフィールドSF2からサブフィー
ルドSF3に移行する瞬間、及びサブフィールドSF3
からサブフィールドSF4に移行する瞬間である。この
中でも、動画擬似輪郭の発生に寄与するのは、輝度重み
の相対的に大きな変化のあるサブフィールドSF3から
サブフィールドSF4に移行する瞬間である。
は、図3に示すように、発光セルA及び発光セルBで画
素を構成するので、発光領域が従来のPDPに比べて拡
大される。このような理由から、本実施の形態によれば
発光輝度の向上を図ることができるのである。更に、同
じサブフィールドにおいて同時に異なる輝度重みを表現
するので、階調値が時間的に大きく変化する時間帯は減
少し、サブフィールドSF1からサブフィールドSF2
に移行する瞬間、サブフィールドSF2からサブフィー
ルドSF3に移行する瞬間、及びサブフィールドSF3
からサブフィールドSF4に移行する瞬間である。この
中でも、動画擬似輪郭の発生に寄与するのは、輝度重み
の相対的に大きな変化のあるサブフィールドSF3から
サブフィールドSF4に移行する瞬間である。
【0052】つまり、動画擬似輪郭の発生に大きな影響
のある輝度変化が予想されるのは、1TVフィールド内
で1個所だけであるので、本実施の形態の画像表示装置
によれば、動画擬似輪郭の発生頻度は極めて低いと言え
る。このように本実施の形態に係る画像表示装置では、
サブフィールド数を減らすことで、動画擬似輪郭の発生
を抑えるので、発光輝度の向上と動画擬似輪郭の発生を
抑制するという相反する課題を同時に達成する非常に有
意義な技術であると言える。
のある輝度変化が予想されるのは、1TVフィールド内
で1個所だけであるので、本実施の形態の画像表示装置
によれば、動画擬似輪郭の発生頻度は極めて低いと言え
る。このように本実施の形態に係る画像表示装置では、
サブフィールド数を減らすことで、動画擬似輪郭の発生
を抑えるので、発光輝度の向上と動画擬似輪郭の発生を
抑制するという相反する課題を同時に達成する非常に有
意義な技術であると言える。
【0053】なお、上記説明の初期化では、発光セルの
全電荷を単に消去するのみの場合について説明したが、
消去するだけでなく若干電荷を蓄積させるという初期化
も行うことができる(US Patent Number 574508
6の公報参照)。この初期化を、本実施の形態に適用す
ればより有効である。何故なら、この初期化は、電荷を
消去するだけの初期化にくらべやや時間が長くかかり、
従来の表示方法では、そのぶん発光期間が圧縮され発光
輝度は低下せざるをえなかったが、本実施の形態の表示
方法によれば、サブフィールド数を減らせられるぶん、
発光期間の圧縮という問題を回避できるからである。
全電荷を単に消去するのみの場合について説明したが、
消去するだけでなく若干電荷を蓄積させるという初期化
も行うことができる(US Patent Number 574508
6の公報参照)。この初期化を、本実施の形態に適用す
ればより有効である。何故なら、この初期化は、電荷を
消去するだけの初期化にくらべやや時間が長くかかり、
従来の表示方法では、そのぶん発光期間が圧縮され発光
輝度は低下せざるをえなかったが、本実施の形態の表示
方法によれば、サブフィールド数を減らせられるぶん、
発光期間の圧縮という問題を回避できるからである。
【0054】[実施の形態2]本実施の形態に係る画像表
示装置は、PDP4を構成する走査放電維持電極対42
の構造が前記PDP4と異にしている以外は、同様の構
成である。差分につき説明する。図9は、当該実施の形
態に係るPDPの電極の配置を示す平面図である。な
お、同一番号は同一の構成要素を示す。
示装置は、PDP4を構成する走査放電維持電極対42
の構造が前記PDP4と異にしている以外は、同様の構
成である。差分につき説明する。図9は、当該実施の形
態に係るPDPの電極の配置を示す平面図である。な
お、同一番号は同一の構成要素を示す。
【0055】図9に示すように本実施の形態でのPDP
を構成する走査放電維持電極対102は、間隙値a’の
間隙で平行に配設された電極である。なお、走査放電維
持電極対の間隙値を一律にa’に設定しているので、こ
の間隙値a’により規定される放電維持パルスを全ての
走査放電維持電極対に対して印加する。第一走査放電維
持電極対100は、各電極1本は、ITOやSnO2の
透明電極100b上にAg、或いはCr−Cu−Crの
バス電極100aが設けられた構成であり、透明電極1
00bの間隙値がa’に設定され、バス電極100aの
間隙値がb’に設定されている。
を構成する走査放電維持電極対102は、間隙値a’の
間隙で平行に配設された電極である。なお、走査放電維
持電極対の間隙値を一律にa’に設定しているので、こ
の間隙値a’により規定される放電維持パルスを全ての
走査放電維持電極対に対して印加する。第一走査放電維
持電極対100は、各電極1本は、ITOやSnO2の
透明電極100b上にAg、或いはCr−Cu−Crの
バス電極100aが設けられた構成であり、透明電極1
00bの間隙値がa’に設定され、バス電極100aの
間隙値がb’に設定されている。
【0056】第二走査放電維持電極対101は、各電極
1本は、ITOやSnO2の透明電極101b上にA
g、或いはCr−Cu−Crのバス電極101aが設け
られた構成であり、透明電極101bの間隙値は前記第
一走査放電維持電極対100と同様にa’に設定され、
バス電極101aの間隙値は、前記第一走査放電維持電
極対100の間隙値b’の2倍の2b’に設定されてい
る。
1本は、ITOやSnO2の透明電極101b上にA
g、或いはCr−Cu−Crのバス電極101aが設け
られた構成であり、透明電極101bの間隙値は前記第
一走査放電維持電極対100と同様にa’に設定され、
バス電極101aの間隙値は、前記第一走査放電維持電
極対100の間隙値b’の2倍の2b’に設定されてい
る。
【0057】これにより第一走査放電維持電極対100
とアドレス電極46とが交叉したところに対応する放電
空間及び蛍光体層により1つの発光セルCが構成され、
第二走査放電維持電極対101とアドレス電極46とが
交叉したところに対応する放電空間及び蛍光体層により
1つの発光セルDが構成されることになる。そして、1
画素はこの発光セルC及び発光セルDで構成される。
とアドレス電極46とが交叉したところに対応する放電
空間及び蛍光体層により1つの発光セルCが構成され、
第二走査放電維持電極対101とアドレス電極46とが
交叉したところに対応する放電空間及び蛍光体層により
1つの発光セルDが構成されることになる。そして、1
画素はこの発光セルC及び発光セルDで構成される。
【0058】そして、上記のように走査放電維持電極対
のバス電極の間隙値を設定してあることによって、発光
セルC、及び発光セルDの発光面積の比率は、1:2と
いう比率になり、画像表示は実施の形態1で詳述したと
おりに行える。 [実施の形態3]前記実施の形態では、1画素を2つの発
光セルの点灯及び非点灯の組み合わせによって構成し
た。ここでは、3つの発光セルの点灯及び非点灯の組み
合わせによって構成する例について説明する。
のバス電極の間隙値を設定してあることによって、発光
セルC、及び発光セルDの発光面積の比率は、1:2と
いう比率になり、画像表示は実施の形態1で詳述したと
おりに行える。 [実施の形態3]前記実施の形態では、1画素を2つの発
光セルの点灯及び非点灯の組み合わせによって構成し
た。ここでは、3つの発光セルの点灯及び非点灯の組み
合わせによって構成する例について説明する。
【0059】図10は、本実施の形態に係る画像形成装
置におけるPDP4の電極構成を示す図である。この図
10に示すように、本実施の形態でのPDPを構成する
走査放電維持電極対203は、間隙値a’’の間隙で平
行に配設された電極である。第一走査放電維持電極対2
00は、各電極1本は、ITOやSnO2の透明電極2
00b上にAg、或いはCr−Cu−Crのバス電極2
00aが設けられた構成であり、透明電極200bの間
隙値がa’’に設定され、バス電極200aの間隙値が
b’’に設定されている。
置におけるPDP4の電極構成を示す図である。この図
10に示すように、本実施の形態でのPDPを構成する
走査放電維持電極対203は、間隙値a’’の間隙で平
行に配設された電極である。第一走査放電維持電極対2
00は、各電極1本は、ITOやSnO2の透明電極2
00b上にAg、或いはCr−Cu−Crのバス電極2
00aが設けられた構成であり、透明電極200bの間
隙値がa’’に設定され、バス電極200aの間隙値が
b’’に設定されている。
【0060】第二走査放電維持電極対201は、各電極
1本は、ITOやSnO2の透明電極201b上にA
g、或いはCr−Cu−Crのバス電極201aが設け
られた構成であり、透明電極201bの間隙値は前記第
一走査放電維持電極対200と同様にa’’に設定さ
れ、バス電極201aの間隙値は、前記第一走査放電維
持電極対200の間隙値b’’の4倍の4b’’に設定
されている。
1本は、ITOやSnO2の透明電極201b上にA
g、或いはCr−Cu−Crのバス電極201aが設け
られた構成であり、透明電極201bの間隙値は前記第
一走査放電維持電極対200と同様にa’’に設定さ
れ、バス電極201aの間隙値は、前記第一走査放電維
持電極対200の間隙値b’’の4倍の4b’’に設定
されている。
【0061】第三走査放電維持電極対202は、各電極
1本は、ITOやSnO2の透明電極202b上にA
g、或いはCr−Cu−Crのバス電極202aが設け
られた構成であり、透明電極202bの間隙値は前記第
一走査放電維持電極対200と同様にa’’に設定さ
れ、バス電極202aの間隙値は、前記第一走査放電維
持電極対200の間隙値b’’の2倍の2b’’に設定
されている。
1本は、ITOやSnO2の透明電極202b上にA
g、或いはCr−Cu−Crのバス電極202aが設け
られた構成であり、透明電極202bの間隙値は前記第
一走査放電維持電極対200と同様にa’’に設定さ
れ、バス電極202aの間隙値は、前記第一走査放電維
持電極対200の間隙値b’’の2倍の2b’’に設定
されている。
【0062】これにより第一走査放電維持電極対200
とアドレス電極46とが交叉したところに対応する放電
空間及び蛍光体層が1つの発光セルEを構成し、第二走
査放電維持電極対201とアドレス電極46とが交叉し
たところに対応する放電空間及び蛍光体層により1つの
発光セルFが構成され、及び第三走査放電維持電極対2
02とアドレス電極46とが交叉したところに対応する
放電空間及び蛍光体層により1つの発光セルGが構成さ
れることになる。そして、この発光セルE、F、及びG
により1画素が構成される。
とアドレス電極46とが交叉したところに対応する放電
空間及び蛍光体層が1つの発光セルEを構成し、第二走
査放電維持電極対201とアドレス電極46とが交叉し
たところに対応する放電空間及び蛍光体層により1つの
発光セルFが構成され、及び第三走査放電維持電極対2
02とアドレス電極46とが交叉したところに対応する
放電空間及び蛍光体層により1つの発光セルGが構成さ
れることになる。そして、この発光セルE、F、及びG
により1画素が構成される。
【0063】ここで、上記のように走査放電維持電極対
のバス電極の間隙値を設定してあることによって、発光
セルE、発光セルF、及び発光セルGの発光面積の比率
は、1:4:2という比率になる。このような構成のP
DP4において、画像表示の手法は基本的には実施の形
態1で詳述したとおりであるが、ここでは、前記3つの
発光セルE、F、及びGの点灯及び非点灯を組み合せて
1画素を構成するように画像表示を行う。
のバス電極の間隙値を設定してあることによって、発光
セルE、発光セルF、及び発光セルGの発光面積の比率
は、1:4:2という比率になる。このような構成のP
DP4において、画像表示の手法は基本的には実施の形
態1で詳述したとおりであるが、ここでは、前記3つの
発光セルE、F、及びGの点灯及び非点灯を組み合せて
1画素を構成するように画像表示を行う。
【0064】具体的には、上記サブフィールド変換テー
ブル21Aにおいて、サブフィールド数は、3であり、
図11に示したように、時間順に7,56,448とい
う輝度の重み付けを施す。そして、各サブフィールドS
F1、サブフィールドSF2、及びサブフィールドSF
3に割り当てられた輝度重み7、56、及び448は、
前記3つの発光セルE、F、及びGの発光量が加算され
ることによって表現される。
ブル21Aにおいて、サブフィールド数は、3であり、
図11に示したように、時間順に7,56,448とい
う輝度の重み付けを施す。そして、各サブフィールドS
F1、サブフィールドSF2、及びサブフィールドSF
3に割り当てられた輝度重み7、56、及び448は、
前記3つの発光セルE、F、及びGの発光量が加算され
ることによって表現される。
【0065】詳しくは、階調値「63」の入力デジタル
映像信号を例にとれば(図中*1で表示)、サブフィー
ルドSF1及びサブフィールドSF2まで発光セルE、
F、及びGすべて「オン」にすることにより、2つのサ
ブフィールドで表現される。サブフィールドSF1の輝
度重み「7」は、発光セルEで「1」が、発光セルFで
「4」が表現され、発光セルGで「2」が表現され、サ
ブフィールドSF2の輝度重み「56」は、発光セルE
で「8」が、発光セルFで「32」が表現され、発光セ
ルGで「16」が表現される。これにより、合計「6
3」となり、入力映像信号の階調値が表現されることに
なる。
映像信号を例にとれば(図中*1で表示)、サブフィー
ルドSF1及びサブフィールドSF2まで発光セルE、
F、及びGすべて「オン」にすることにより、2つのサ
ブフィールドで表現される。サブフィールドSF1の輝
度重み「7」は、発光セルEで「1」が、発光セルFで
「4」が表現され、発光セルGで「2」が表現され、サ
ブフィールドSF2の輝度重み「56」は、発光セルE
で「8」が、発光セルFで「32」が表現され、発光セ
ルGで「16」が表現される。これにより、合計「6
3」となり、入力映像信号の階調値が表現されることに
なる。
【0066】更に、上述した各実施の形態では8ビット
データ、つまり256階調を表現していたが、ここで
は、9ビットデータ、つまり512階調で表現できる。
具体的に言えば、サブフィールドSF1、サブフィール
ドSF2、及びサブフィールドSF3において発光セル
E、F、及びGをすべてを「オン」とすれば図中*2で表
示した欄に示したように階調値511が表現でき、即
ち、0から511までの階調値、512階調を表現でき
ることになる。
データ、つまり256階調を表現していたが、ここで
は、9ビットデータ、つまり512階調で表現できる。
具体的に言えば、サブフィールドSF1、サブフィール
ドSF2、及びサブフィールドSF3において発光セル
E、F、及びGをすべてを「オン」とすれば図中*2で表
示した欄に示したように階調値511が表現でき、即
ち、0から511までの階調値、512階調を表現でき
ることになる。
【0067】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
るものではなく、次のような変形例が考えられる。 (1) まず、図12(a)は、走査放電維持電極対の
変形例を示す図である。この図に示すように、当該走査
放電維持電極対は、電極対301aの間に、一本の電極
301bを介在されて構成された第一走査放電維持電極
対301と、電極対302aの間に、一本の電極302
bを介在されて構成された第二走査放電維持電極対30
2と、電極対303aの間に、一本の電極303bを介
在されて構成された第一走査放電維持電極対303とで
構成される。
るものではなく、次のような変形例が考えられる。 (1) まず、図12(a)は、走査放電維持電極対の
変形例を示す図である。この図に示すように、当該走査
放電維持電極対は、電極対301aの間に、一本の電極
301bを介在されて構成された第一走査放電維持電極
対301と、電極対302aの間に、一本の電極302
bを介在されて構成された第二走査放電維持電極対30
2と、電極対303aの間に、一本の電極303bを介
在されて構成された第一走査放電維持電極対303とで
構成される。
【0068】電極対301aと電極301bの間隙値は
a’’’に設定されている。電極対302aは、各電極
1本は、ITOやSnO2の透明電極302a2上にA
g、或いはCr−Cu−Crのバス電極302a1が設
けられた構成であり、透明電極302a2と電極302
bの間隙値はa’’’に設定され、バス電極302a1
と電極302bとの間隙値は4a’’’に設定されてい
る。
a’’’に設定されている。電極対302aは、各電極
1本は、ITOやSnO2の透明電極302a2上にA
g、或いはCr−Cu−Crのバス電極302a1が設
けられた構成であり、透明電極302a2と電極302
bの間隙値はa’’’に設定され、バス電極302a1
と電極302bとの間隙値は4a’’’に設定されてい
る。
【0069】電極対303aは、各電極1本は、ITO
やSnO2の透明電極303a2上にAg、或いはCr−
Cu−Crのバス電極303a1が設けられた構成であ
り、透明電極303a2と電極303bの間隙値は
a’’’に設定され、バス電極303a1と電極303
bとの間隙値が2a’’’に設定されている。電極30
1b、電極302b、及び電極303bに走査パルスが
印加される。そして、電極対301aと、電極対302
aと、電極対303aとが電気的に同極性となるように
放電維持パルスが印加される。
やSnO2の透明電極303a2上にAg、或いはCr−
Cu−Crのバス電極303a1が設けられた構成であ
り、透明電極303a2と電極303bの間隙値は
a’’’に設定され、バス電極303a1と電極303
bとの間隙値が2a’’’に設定されている。電極30
1b、電極302b、及び電極303bに走査パルスが
印加される。そして、電極対301aと、電極対302
aと、電極対303aとが電気的に同極性となるように
放電維持パルスが印加される。
【0070】これにより第一走査放電維持電極対301
とアドレス電極46とが交叉したところに対応する放電
空間及び蛍光体層により1つの発光セルが構成され、第
二走査放電維持電極対302とアドレス電極46とが交
叉したところに対応する放電空間及び蛍光体層によりさ
らに1つの発光セルが構成され、また第三走査放電維持
電極対303とアドレス電極46とが交叉したところに
対応する放電空間及び蛍光体層により別な1つの発光セ
ルが構成されることになる。
とアドレス電極46とが交叉したところに対応する放電
空間及び蛍光体層により1つの発光セルが構成され、第
二走査放電維持電極対302とアドレス電極46とが交
叉したところに対応する放電空間及び蛍光体層によりさ
らに1つの発光セルが構成され、また第三走査放電維持
電極対303とアドレス電極46とが交叉したところに
対応する放電空間及び蛍光体層により別な1つの発光セ
ルが構成されることになる。
【0071】そして、上記のように走査放電維持電極対
のバス電極の間隙値を設定してあることによって、各発
光セルの発光面積の比率は、1:4:2という比率にな
る。以上のように隣接する走査放電維持電極対を、電気
的に同極性とすれば、放電維持のときの誤放電を効果的
に防止することができる。また、隣り合う電極対301
a、302a、及び303aにおいて、向かい合う電極
(電極対301aの下方の電極と電極対302aの上方
の電極、及び電極対302aの下方の電極と電極対30
3aの上方の電極)を同一電極とし、図12(b)に示
すように3つの電極対301a、302a、及び303
aが一体化した構成とすることもできる。
のバス電極の間隙値を設定してあることによって、各発
光セルの発光面積の比率は、1:4:2という比率にな
る。以上のように隣接する走査放電維持電極対を、電気
的に同極性とすれば、放電維持のときの誤放電を効果的
に防止することができる。また、隣り合う電極対301
a、302a、及び303aにおいて、向かい合う電極
(電極対301aの下方の電極と電極対302aの上方
の電極、及び電極対302aの下方の電極と電極対30
3aの上方の電極)を同一電極とし、図12(b)に示
すように3つの電極対301a、302a、及び303
aが一体化した構成とすることもできる。
【0072】なお、走査電極となる電極301b、30
2b、及び303bの幅は比較的、広めに設定する方
が、アドレッシングのときに各発光セルに均一に静電潜
像が形成されることから、誤放電を防止する上で望まし
い。この場合、ITOなどの透明性の材料で幅広に形成
することが好ましい。 (2) 次に、前記実施の形態では、発光セルA及び発
光セルB、或いは発光セルC及びD、発光セルE、発光
セルF、及び発光セルG等それぞれの発光面積を変える
ことにより、それぞれの発光セルに分配する輝度重みを
変えたけれども、このようにすることなく、例えば、発
光面積は同一に構成し、走査放電維持電極対間に印加す
る放電維持パルスの電圧値をセル間で発光量が所定の比
率となるように調整することもできる。また、発光面積
と放電維持パルスを変える技術を組み合せることもでき
る。
2b、及び303bの幅は比較的、広めに設定する方
が、アドレッシングのときに各発光セルに均一に静電潜
像が形成されることから、誤放電を防止する上で望まし
い。この場合、ITOなどの透明性の材料で幅広に形成
することが好ましい。 (2) 次に、前記実施の形態では、発光セルA及び発
光セルB、或いは発光セルC及びD、発光セルE、発光
セルF、及び発光セルG等それぞれの発光面積を変える
ことにより、それぞれの発光セルに分配する輝度重みを
変えたけれども、このようにすることなく、例えば、発
光面積は同一に構成し、走査放電維持電極対間に印加す
る放電維持パルスの電圧値をセル間で発光量が所定の比
率となるように調整することもできる。また、発光面積
と放電維持パルスを変える技術を組み合せることもでき
る。
【0073】また、発光面積を変えて発光量を変えたけ
れども、蛍光体の充填率を変えたりすることにより、発
光セルの発光量を変えることも可能である。 (3) また、上記した実施の形態では、1画素を発光
量の異なる複数個の発光セルで構成したけれども、発光
面積をすべて同一にし発光量が同じ複数個、例えば3つ
の発光セルH、I、及びJで構成することもできる。
れども、蛍光体の充填率を変えたりすることにより、発
光セルの発光量を変えることも可能である。 (3) また、上記した実施の形態では、1画素を発光
量の異なる複数個の発光セルで構成したけれども、発光
面積をすべて同一にし発光量が同じ複数個、例えば3つ
の発光セルH、I、及びJで構成することもできる。
【0074】この場合の各サブフィールドへの輝度の重
み付けの一例を図13に示す。図13は、サブフィール
ド変換テーブルの内容を示した図である。この図に示す
ように各サブフィールドに割り当てられる輝度重みは、
上記した実施の形態1と同様であるが、ここでは、各サ
ブフィールドに割り当てられた輝度重みを発光セルH、
I、及びJの組み合わせで表現する。
み付けの一例を図13に示す。図13は、サブフィール
ド変換テーブルの内容を示した図である。この図に示す
ように各サブフィールドに割り当てられる輝度重みは、
上記した実施の形態1と同様であるが、ここでは、各サ
ブフィールドに割り当てられた輝度重みを発光セルH、
I、及びJの組み合わせで表現する。
【0075】更に、実施の形態1において発光セルの発
光面積の比率を、1:2:4:8:16:32:64:
128という比率で構成すれば、実質的にサブフィール
ドは1個になる。この場合のサブフィールド変換テーブ
ルの内容を示した図14に示す。この図に示すように入
力映像信号の該当する階調値は8個の発光セルK〜Rの
点灯及び非点灯の組み合わせで表現される。
光面積の比率を、1:2:4:8:16:32:64:
128という比率で構成すれば、実質的にサブフィール
ドは1個になる。この場合のサブフィールド変換テーブ
ルの内容を示した図14に示す。この図に示すように入
力映像信号の該当する階調値は8個の発光セルK〜Rの
点灯及び非点灯の組み合わせで表現される。
【0076】この場合には、初期化、及びアドレッシン
グの処理は1回でよいので、輝度を著しく向上させるこ
とができる。また、サブフィールドにおける発光量の時
間的な加算によって、該当する階調値を表現するという
ものではないので、1TVフィールドの表示において時
間的に輝度が変化しない。従って、極めて高い頻度で動
画擬似輪郭の発生を回避できることが期待される。
グの処理は1回でよいので、輝度を著しく向上させるこ
とができる。また、サブフィールドにおける発光量の時
間的な加算によって、該当する階調値を表現するという
ものではないので、1TVフィールドの表示において時
間的に輝度が変化しない。従って、極めて高い頻度で動
画擬似輪郭の発生を回避できることが期待される。
【0077】〔効果の検討〕次に、従来の階調表示の手
法と比べてどれくらい輝度の向上を図れるのか定量的な
検討結果について説明する。ここで、PDPとしては、
640×480画素構成で、256階調を表現するPD
Pを想定する。
法と比べてどれくらい輝度の向上を図れるのか定量的な
検討結果について説明する。ここで、PDPとしては、
640×480画素構成で、256階調を表現するPD
Pを想定する。
【0078】1TVフィールドの間の表示期間は、25
6×放電維持パルス周期×モード数(ここで、「モード
数」とは、輝度重み1を表現するときに印加されるパル
ス数をいう。)で表され、従って、モード数を大きくと
ることができれば、表示期間を長くでき、輝度を向上さ
せられる。8サブフィールドで256階調を表現する従
来のもっとも一般的な手法では、初期化に要する時間や
アドレスに要する時間を考慮すると、モード数5、つま
り、輝度重み1を表現するのに5つのパルスまでは印加
することができる。
6×放電維持パルス周期×モード数(ここで、「モード
数」とは、輝度重み1を表現するときに印加されるパル
ス数をいう。)で表され、従って、モード数を大きくと
ることができれば、表示期間を長くでき、輝度を向上さ
せられる。8サブフィールドで256階調を表現する従
来のもっとも一般的な手法では、初期化に要する時間や
アドレスに要する時間を考慮すると、モード数5、つま
り、輝度重み1を表現するのに5つのパルスまでは印加
することができる。
【0079】これに対して、本発明の例えば実施の形態
1の場合では、モード数を6〜7、つまり、輝度重み1
を表現するのに6〜7つのパルスを印加することができ
る。このように、実施の形態1の手法により階調表示す
ることにより、1のサブフィールドにおける表示期間を
長くでき、印加できる放電維持パルス数を従来の1.2
〜1.4倍にすることができるので、輝度の向上を図る
ことが可能となることがはっきりと分かる。
1の場合では、モード数を6〜7、つまり、輝度重み1
を表現するのに6〜7つのパルスを印加することができ
る。このように、実施の形態1の手法により階調表示す
ることにより、1のサブフィールドにおける表示期間を
長くでき、印加できる放電維持パルス数を従来の1.2
〜1.4倍にすることができるので、輝度の向上を図る
ことが可能となることがはっきりと分かる。
【0080】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明の画像
表示装置によれば、各色の画素が複数の近接した発光セ
ルから構成され、1フレームに相当する期間が1又は複
数の点灯可能期間からなり、前記各発光セルが、所望の
点灯可能期間点灯駆動されて、それら発光セルの点灯の
組み合わせで、各色の画素が階調表現されるので、表現
可能な階調数を減少させることなくサブフィールド数を
減少させられる。
表示装置によれば、各色の画素が複数の近接した発光セ
ルから構成され、1フレームに相当する期間が1又は複
数の点灯可能期間からなり、前記各発光セルが、所望の
点灯可能期間点灯駆動されて、それら発光セルの点灯の
組み合わせで、各色の画素が階調表現されるので、表現
可能な階調数を減少させることなくサブフィールド数を
減少させられる。
【0081】即ち、初期化、及びアドレッシングの回数
も減少させることができ、発光セルを実際に発光させる
表示期間をより長く確保できる。従って、そのぶん走査
放電維持電極対に印加する放電維持パルス数を増やすこ
とができ、輝度を向上させることができる。また、画素
あたりの発光面積が従来のパネル構造と比べて大きく確
保されるので、発光輝度が向上する効果が得られるとも
言える。
も減少させることができ、発光セルを実際に発光させる
表示期間をより長く確保できる。従って、そのぶん走査
放電維持電極対に印加する放電維持パルス数を増やすこ
とができ、輝度を向上させることができる。また、画素
あたりの発光面積が従来のパネル構造と比べて大きく確
保されるので、発光輝度が向上する効果が得られるとも
言える。
【0082】更に、同じ時間帯において同時に異なる輝
度重みを表現するので、階調値が時間的に大きく変化す
る時間帯がそれだけ少なくなり、動画擬似輪郭の発生頻
度を低減することができる。
度重みを表現するので、階調値が時間的に大きく変化す
る時間帯がそれだけ少なくなり、動画擬似輪郭の発生頻
度を低減することができる。
【図1】一の実施の形態に係る画像表示装置の構成を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図2】前記画像表示装置に適用されるプラズマディス
プレイパネルの構成を示す斜視図である。
プレイパネルの構成を示す斜視図である。
【図3】前記プラズマディスプレイパネルの電極の配置
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図4】前記画像表示装置におけるサブフィールド情報
生成部の構成を示すブロック図である。
生成部の構成を示すブロック図である。
【図5】前記画像表示装置におけるサブフィールド情報
生成部における変換テーブルの一例を示す図である。
生成部における変換テーブルの一例を示す図である。
【図6】前記画像表示装置の一のフレームメモリの構成
を示す図である。
を示す図である。
【図7】前記画像表示装置の表示制御部の構成を示すブ
ロック図である。
ロック図である。
【図8】前記画像表示装置におけるPDPの発光方式を
説明するタイムチャートである。
説明するタイムチャートである。
【図9】別な実施の形態に係る前記プラズマディスプレ
イパネルの電極の配置を示す平面図である。
イパネルの電極の配置を示す平面図である。
【図10】更に、別な実施の形態に係る前記プラズマデ
ィスプレイパネルの電極の配置を示す平面図である。
ィスプレイパネルの電極の配置を示す平面図である。
【図11】前記画像表示装置のサブフィールド情報生成
部における変換テーブルの一例を示す図である。
部における変換テーブルの一例を示す図である。
【図12】(a)、(b)はそれぞれ別な変形例に係る
プラズマディスプレイパネルの電極の配置を示す平面図
である。
プラズマディスプレイパネルの電極の配置を示す平面図
である。
【図13】画像表示装置のサブフィールド情報生成部に
おける変換テーブルの別な一例を示す図である。
おける変換テーブルの別な一例を示す図である。
【図14】画像表示装置のサブフィールド情報生成部に
おける変換テーブルの別な一例を示す図である。
おける変換テーブルの別な一例を示す図である。
【図15】従来のプラズマディスプレイパネルにおける
セル構成を示す平面図である。
セル構成を示す平面図である。
【図16】従来の画像表示装置を説明するための図であ
り、所定の画像パターンが、平行移動する様子を表す図
である。
り、所定の画像パターンが、平行移動する様子を表す図
である。
【図17】上記画像パターンが平行移動する様子を観測
者が追従した時に観られる様子を示している。
者が追従した時に観られる様子を示している。
【図18】更に別な従来の画像表示装置を説明するため
の図であり、図17に相当する図である。
の図であり、図17に相当する図である。
1 AD変換部 2 サブフィールド情報生成部 3 表示制御部 4 PDP 21 信号変換部 21A サブフィールド変換テーブル 22 書込アドレス制御部 23 フレームメモリ 31 表示ライン制御部 32 アドレスドライバ 33 ラインドライバ 42a 第一走査放電維持電極対 42b 第二走査放電維持電極対
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01J 17/49 H01J 17/49 H H04N 5/66 H04N 5/66 A (72)発明者 高田 祐助 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 田中 博由 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 5C040 FA01 FA02 FA04 GB03 GB14 GC11 LA02 LA08 LA10 LA12 LA14 LA18 MA02 MA03 5C058 AA11 BA07 BA35 BB04 BB08 BB13 BB14 BB17 BB21 BB25 5C080 AA05 BB05 DD03 DD05 EE19 EE29 FF09 HH02 HH05 JJ02 JJ05 JJ06
Claims (11)
- 【請求項1】 各色の画素が複数の近接した発光セルに
より構成され、 1フレームに相当する期間が1又は複数の点灯可能期間
からなり、 前記各発光セルが、所望の点灯可能期間点灯駆動され
て、それら発光セルの点灯の組み合わせで、各色の画素
が階調表現されることを特徴とする画像表示装置。 - 【請求項2】 各色の1画素を構成する複数の発光セル
は第一の発光セルと第二の発光セルであり、 前記第一の発光セルは、第一の間隙を置いて配された放
電を維持するための第一の電極対を含み、 前記第二の発光セルは、第二の間隙を置いて配された放
電を維持するための第二の電極を含むことを特徴とする
請求項1記載の画像表示装置。 - 【請求項3】 各色の1画素を構成する発光セルとし
て、更に、第三の発光セルを備え、 当該第三の発光セルは、第三の間隙を置いて配された放
電を維持するための第三の電極対を含むことを特徴とす
る請求項2記載の画像表示装置。 - 【請求項4】 前記発光セルは、 電気的に同極性の電極対と、当該電極対の間隙に設けら
れた、当該電極対と電気的に異なる極性の電極とで構成
されていることを特徴とする請求項1記載の画像表示装
置。 - 【請求項5】 発光セルがマトリックス状に配されたデ
ィスプレイパネルと、 入力映像信号を基に、各色の画素を構成する発光セル毎
のN(1以上の整数)個のサブフィールドのオン、オフ
情報を生成するサブフィールド情報生成手段と、 サブフィールド情報生成手段で生成されたオン、オフ情
報の1フレーム分をサブフィールド別に分配すると共
に、サブフィールドを順次切り換えて、各発光セルをオ
ン、オフすることにより、ディスプレイの発光セルにお
ける該当する階調値の表示の制御を行う表示制御手段と
を備えることを特徴とする画像表示装置。 - 【請求項6】 各色の1画素を構成する複数の発光セル
は第一の発光セルと第二の発光セルであり、 前記第一の発光セルは、第一の間隙を置いて配された放
電を維持するための第一の電極対を含み、 前記第二の発光セルは、第二の間隙を置いて配された放
電を維持するための第二の電極を含むことを特徴とする
請求項5記載の画像表示装置。 - 【請求項7】 各色の1画素を構成する発光セルとし
て、更に、第三の発光セルを備え、 当該第三の発光セルは、第三の間隙を置いて配された放
電を維持するための第三の電極対を含むことを特徴とす
る請求項6記載の画像表示装置。 - 【請求項8】 前記発光セルは、 電気的に同極性の電極対と、当該電極対の間隙に設けら
れた、当該電極対と電気的に異なる極性の電極とで構成
されていることを特徴とする請求項5記載の画像表示装
置。 - 【請求項9】 前記サブフィールド情報生成手段は、 入力映像信号を、当該映像信号で表される階調値に対応
させ、所定の画素を構成する発光セルを点灯させるの
か、或いは点灯させないのかを示す点灯、或いは非点灯
の情報に変換する変換部と、 当該変換することにより生成した情報を記憶するメモリ
とを備えることを特徴とする請求項5から8に記載の画
像表示装置。 - 【請求項10】 前記変換部は、入力映像信号の画素に
対応した発光セルを点灯させるのか、或いは点灯させな
いのかを示す点灯、或いは非点灯に関する組み合わせが
並べられたテーブルを備えることを特徴とする請求項9
記載の画像表示装置。 - 【請求項11】 前記ディスプレイパネルは、ガス放電
パネルであることを特徴とする請求項5から10に記載
の画像表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11024732A JP2000221937A (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | 画像表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11024732A JP2000221937A (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | 画像表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000221937A true JP2000221937A (ja) | 2000-08-11 |
Family
ID=12146335
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11024732A Pending JP2000221937A (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | 画像表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000221937A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100389025B1 (ko) * | 2001-07-18 | 2003-06-25 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
KR20030078297A (ko) * | 2002-03-29 | 2003-10-08 | 정주영 | 플라즈마 디스플레이 패널의 계조 구현 방법 |
EP1355338A2 (en) * | 2002-04-15 | 2003-10-22 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited | Display device and plasma display apparatus |
KR100404847B1 (ko) * | 2001-07-18 | 2003-11-07 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
KR100465547B1 (ko) * | 2001-04-24 | 2005-01-13 | 파이오니아 플라즈마 디스플레이 가부시키가이샤 | 플라즈마 디스플레이패널의 구동방법 및 플라즈마디스플레이 장치 |
-
1999
- 1999-02-02 JP JP11024732A patent/JP2000221937A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100465547B1 (ko) * | 2001-04-24 | 2005-01-13 | 파이오니아 플라즈마 디스플레이 가부시키가이샤 | 플라즈마 디스플레이패널의 구동방법 및 플라즈마디스플레이 장치 |
KR100389025B1 (ko) * | 2001-07-18 | 2003-06-25 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
KR100404847B1 (ko) * | 2001-07-18 | 2003-11-07 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
KR20030078297A (ko) * | 2002-03-29 | 2003-10-08 | 정주영 | 플라즈마 디스플레이 패널의 계조 구현 방법 |
EP1355338A2 (en) * | 2002-04-15 | 2003-10-22 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited | Display device and plasma display apparatus |
EP1355338A3 (en) * | 2002-04-15 | 2006-07-12 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited | Display device and plasma display apparatus |
KR100825344B1 (ko) | 2002-04-15 | 2008-04-28 | 후지츠 히다찌 플라즈마 디스플레이 리미티드 | 표시 디바이스 및 플라즈마 표시 장치 |
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