JP2000219593A - シリコン単結晶引き上げ用大口径石英ガラスるつぼ - Google Patents
シリコン単結晶引き上げ用大口径石英ガラスるつぼInfo
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- JP2000219593A JP2000219593A JP2288399A JP2288399A JP2000219593A JP 2000219593 A JP2000219593 A JP 2000219593A JP 2288399 A JP2288399 A JP 2288399A JP 2288399 A JP2288399 A JP 2288399A JP 2000219593 A JP2000219593 A JP 2000219593A
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/09—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould
- C03B19/095—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould by centrifuging, e.g. arc discharge in rotating mould
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】シリコン単結晶の引き上げを行なう場合に、シ
リコンメルトへの種付け、シリコン単結晶の引き上げ中
にシリコンメルトの振動は発生せず、安定してシリコン
単結晶の引き上げを行うことができるようにしたシリコ
ン単結晶引き上げ用大口径石英ガラスるつぼを提供す
る。 【解決手段】半透明石英ガラス層のるつぼ基体と、該る
つぼ基体の内壁面に形成された透明石英ガラス層からな
るシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼであり、
該石英ガラスるつぼを用いて、シリコン単結晶を引き上
げた際に、シリコンメルト湯面の振動が発生しないよう
にした。
リコンメルトへの種付け、シリコン単結晶の引き上げ中
にシリコンメルトの振動は発生せず、安定してシリコン
単結晶の引き上げを行うことができるようにしたシリコ
ン単結晶引き上げ用大口径石英ガラスるつぼを提供す
る。 【解決手段】半透明石英ガラス層のるつぼ基体と、該る
つぼ基体の内壁面に形成された透明石英ガラス層からな
るシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼであり、
該石英ガラスるつぼを用いて、シリコン単結晶を引き上
げた際に、シリコンメルト湯面の振動が発生しないよう
にした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン単結晶の
引き上げに使用される大口径の石英ガラスるつぼに関す
る。
引き上げに使用される大口径の石英ガラスるつぼに関す
る。
【０００２】
【関連技術】従来、単結晶半導体材料のような単結晶物
質の製造には、いわゆるチョクラルスキー法と呼ばれる
方法が広く採用されている。この方法は多結晶シリコン
を容器内で溶融させ、この溶融浴内に種結晶の端部を浸
けて回転させながら引き上げるもので、種結晶上に同一
の結晶方位を持つ単結晶が成長する。この単結晶引き上
げ容器には石英ガラスるつぼが一般的に使用されてい
る。
質の製造には、いわゆるチョクラルスキー法と呼ばれる
方法が広く採用されている。この方法は多結晶シリコン
を容器内で溶融させ、この溶融浴内に種結晶の端部を浸
けて回転させながら引き上げるもので、種結晶上に同一
の結晶方位を持つ単結晶が成長する。この単結晶引き上
げ容器には石英ガラスるつぼが一般的に使用されてい
る。
【０００３】ポリシリコンを石英ガラスるつぼ中で溶か
し、シリコン単結晶を引き上げる際、シリコンメルト表
面に周期的な振動波面が発生し、シリコン種結晶がシリ
コンメルトに接合できなかったり、シリコン単結晶の結
晶性が乱れる問題は、通常よく発生する現象である。
し、シリコン単結晶を引き上げる際、シリコンメルト表
面に周期的な振動波面が発生し、シリコン種結晶がシリ
コンメルトに接合できなかったり、シリコン単結晶の結
晶性が乱れる問題は、通常よく発生する現象である。
【０００４】この原因のひとつとして、引き上げ時供給
する加熱エネルギーが大きかったり、引き上げチャンバ
ー内の減圧度が大きかったりする場合、石英ガラス表面
とシリコンメルト液上面の接触部分の反応が活性化し、
ＳｉＯガスの発生が増大し、シリコンメルト液は石英ガ
ラス表面からはじかれ易くなり、湯面振動が強く発生し
て、シリコンメルト液中央の状態が不安定になることが
考えられている。
する加熱エネルギーが大きかったり、引き上げチャンバ
ー内の減圧度が大きかったりする場合、石英ガラス表面
とシリコンメルト液上面の接触部分の反応が活性化し、
ＳｉＯガスの発生が増大し、シリコンメルト液は石英ガ
ラス表面からはじかれ易くなり、湯面振動が強く発生し
て、シリコンメルト液中央の状態が不安定になることが
考えられている。
【０００５】特に、近年、シリコン単結晶が８”以上に
なり、るつぼも大口径になるに従って、上記加熱エネル
ギーと減圧度が増大する傾向にあり、湯面振動の問題
は、重要になってきた。
なり、るつぼも大口径になるに従って、上記加熱エネル
ギーと減圧度が増大する傾向にあり、湯面振動の問題
は、重要になってきた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、上記のよ
うなシリコンメルト液面の湯面振動に影響を及ぼす石英
ガラスるつぼの特性の一つとして、石英ガラスるつぼ壁
のＩＲ透過率に着目した。
うなシリコンメルト液面の湯面振動に影響を及ぼす石英
ガラスるつぼの特性の一つとして、石英ガラスるつぼ壁
のＩＲ透過率に着目した。
【０００７】つまり、シリコン単結晶の引き上げ時、外
周部に設置されたヒーターによって加熱されたカーボン
サセプタから石英ガラスるつぼは、熱伝導と熱輻射によ
る加熱を受けるが、石英るつぼのＩＲ透過率が大きい
と、熱輻射は、石英ガラスるつぼを素通りして、シリコ
ンメルトに到達する為、石英ガラスるつぼ自身の温度上
昇は小さくなることを確認した。
周部に設置されたヒーターによって加熱されたカーボン
サセプタから石英ガラスるつぼは、熱伝導と熱輻射によ
る加熱を受けるが、石英るつぼのＩＲ透過率が大きい
と、熱輻射は、石英ガラスるつぼを素通りして、シリコ
ンメルトに到達する為、石英ガラスるつぼ自身の温度上
昇は小さくなることを確認した。
【０００８】この為、石英ガラスるつぼ内表面の温度も
低温になり、結果的に上記反応が抑制され、湯面振動が
減少することを見出した。
低温になり、結果的に上記反応が抑制され、湯面振動が
減少することを見出した。
【０００９】本発明は、シリコン単結晶の引き上げを行
なう場合に、シリコンメルトへの種付け、シリコン単結
晶の引き上げ中にシリコンメルトの振動は発生せず、安
定してシリコン単結晶の引き上げを行うことができるよ
うにしたシリコン単結晶引き上げ用大口径石英ガラスる
つぼを提供することを目的とする。
なう場合に、シリコンメルトへの種付け、シリコン単結
晶の引き上げ中にシリコンメルトの振動は発生せず、安
定してシリコン単結晶の引き上げを行うことができるよ
うにしたシリコン単結晶引き上げ用大口径石英ガラスる
つぼを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明のシリコン単結晶引き上げ用大口径石英ガラ
スるつぼは、半透明石英ガラス層のるつぼ基体と、該る
つぼ基体の内壁面に形成された透明石英ガラス層からな
るシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼであり、
該石英ガラスるつぼを用いて、シリコン単結晶を引き上
げた際に、シリコンメルト湯面の振動が発生しないこと
を特徴とする。
に、本発明のシリコン単結晶引き上げ用大口径石英ガラ
スるつぼは、半透明石英ガラス層のるつぼ基体と、該る
つぼ基体の内壁面に形成された透明石英ガラス層からな
るシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼであり、
該石英ガラスるつぼを用いて、シリコン単結晶を引き上
げた際に、シリコンメルト湯面の振動が発生しないこと
を特徴とする。
【００１１】本発明の石英ガラスるつぼを用いてシリコ
ン単結晶の引き上げを行うと、シリコンメルトへの種付
け、シリコン単結晶の引き上げ中にシリコンメルトの振
動は発生せず、安定してシリコン単結晶の引き上げを行
うことができるものである。
ン単結晶の引き上げを行うと、シリコンメルトへの種付
け、シリコン単結晶の引き上げ中にシリコンメルトの振
動は発生せず、安定してシリコン単結晶の引き上げを行
うことができるものである。
【００１２】上記石英ガラスるつぼの壁体のＩＲ透過率
を３〜３０％の範囲に設定するのが好適である。
を３〜３０％の範囲に設定するのが好適である。
【００１３】上記石英ガラスるつぼの壁体の１３００℃
における熱伝導度は３．０〜１２．０×１０-3cal/cm・
s ・℃が好ましい。
における熱伝導度は３．０〜１２．０×１０-3cal/cm・
s ・℃が好ましい。
【００１４】上記石英ガラスるつぼの壁体の外表面の面
荒さＲａは、２〜２０μｍが好適である。
荒さＲａは、２〜２０μｍが好適である。
【００１５】上記石英ガラスるつぼの壁体の泡層の気泡
面積は、０．５〜５％が好ましい。
面積は、０．５〜５％が好ましい。
【００１６】石英ガラスるつぼ壁のＩＲ透過率を大きく
する為には、構造的にはるつぼ肉厚が薄く、特に断面内
の泡層が薄く、あるいは泡層中の泡数、泡の大きさが小
さいこと、或いは、るつぼ外壁の形成状態が滑らかで熱
線の散乱が抑制され、透過が容易になることなどが挙げ
られる。
する為には、構造的にはるつぼ肉厚が薄く、特に断面内
の泡層が薄く、あるいは泡層中の泡数、泡の大きさが小
さいこと、或いは、るつぼ外壁の形成状態が滑らかで熱
線の散乱が抑制され、透過が容易になることなどが挙げ
られる。
【００１７】また、石英ガラスるつぼ壁の加熱を増大さ
せる要因として、光の吸収がある。光には、紫外線から
可視光及び可視光から赤外線まで含まれるが、石英ガラ
スの本質的吸収を除くと、可視光から紫外線の吸収は金
属不純物に起因し、赤外線の吸収は、ＯＨ濃度に起因す
る。この為、石英ガラスるつぼの加熱を減少させるに
は、金属不純物とＯＨ濃度を低減することが効果的であ
る。
せる要因として、光の吸収がある。光には、紫外線から
可視光及び可視光から赤外線まで含まれるが、石英ガラ
スの本質的吸収を除くと、可視光から紫外線の吸収は金
属不純物に起因し、赤外線の吸収は、ＯＨ濃度に起因す
る。この為、石英ガラスるつぼの加熱を減少させるに
は、金属不純物とＯＨ濃度を低減することが効果的であ
る。
【００１８】以上のような、ＩＲ透過率と光吸収の効果
をまとめて、熱伝導度の大きさによっても本発明の石英
ガラスるつぼの特徴的構成を定義することも可能であ
る。
をまとめて、熱伝導度の大きさによっても本発明の石英
ガラスるつぼの特徴的構成を定義することも可能であ
る。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一つの実施の形態
を添付図面に基づいて説明するが、これらの説明は例示
的に示されるもので限定的に解釈すべきものでないこと
はいうまでもない。図１は本発明方法の実施に使用され
る装置と該装置を使用する石英ガラスるつぼ製造方法を
示す断面説明図である。図２は本発明の方法により得ら
れたシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼの一部
断面図である。
を添付図面に基づいて説明するが、これらの説明は例示
的に示されるもので限定的に解釈すべきものでないこと
はいうまでもない。図１は本発明方法の実施に使用され
る装置と該装置を使用する石英ガラスるつぼ製造方法を
示す断面説明図である。図２は本発明の方法により得ら
れたシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼの一部
断面図である。
【００２０】図１において、回転型１は回転軸２を備え
る。型１にはキャビティ１ａが形成され、この型キャビ
ティ１ａ内に二酸化珪素粉末、例えば天然石英粉末から
形成される半透明石英ガラス、すなわち外層を構成する
石英ガラスるつぼの基体３が配置されている。
る。型１にはキャビティ１ａが形成され、この型キャビ
ティ１ａ内に二酸化珪素粉末、例えば天然石英粉末から
形成される半透明石英ガラス、すなわち外層を構成する
石英ガラスるつぼの基体３が配置されている。
【００２１】該基体３は、二酸化珪素粉末を回転する型
１の中に投入し、該型１の内壁に沿って形成して所要の
るつぼ形状の前成型体とし、この前成型体を内面から加
熱して二酸化珪素粉末を溶融させたのち、冷却すること
により製造される。
１の中に投入し、該型１の内壁に沿って形成して所要の
るつぼ形状の前成型体とし、この前成型体を内面から加
熱して二酸化珪素粉末を溶融させたのち、冷却すること
により製造される。
【００２２】内面からの加熱のために、図１に示すよう
に電源１０に接続されたカーボン電極５１、５２を備え
るアーク放電装置５を使用することができる。アーク放
電装置５の代わりにプラズマ放電装置を用いてもよい。
この基体３の製造については、特公平４−２２８６１号
公報に詳細な記載がある。
に電源１０に接続されたカーボン電極５１、５２を備え
るアーク放電装置５を使用することができる。アーク放
電装置５の代わりにプラズマ放電装置を用いてもよい。
この基体３の製造については、特公平４−２２８６１号
公報に詳細な記載がある。
【００２３】図１に示す装置は、内層４を形成するため
に、型１の上方に合成石英粉末６を収容する石英粉末供
給槽９を備える。この供給槽９には計量フィーダ９２が
設けられた吐出パイプ９３に接続されている。供給槽９
内には攪拌羽根９１が配置される。型の上部は、スリッ
ト開口７５を残して蓋７１により覆われる。
に、型１の上方に合成石英粉末６を収容する石英粉末供
給槽９を備える。この供給槽９には計量フィーダ９２が
設けられた吐出パイプ９３に接続されている。供給槽９
内には攪拌羽根９１が配置される。型の上部は、スリッ
ト開口７５を残して蓋７１により覆われる。
【００２４】基体３が形成された後、又は基体３の形成
の途中において、アーク放電装置５のカーボン電極５
１、５２からの放電による加熱を継続しながら、二酸化
珪素粉末、例えば、合成石英粉末６供給のための計量フ
ィーダ９２を調整した開度に開いて、吐出パイプ９３か
ら合成石英粉末を基体３の内部に供給する。アーク放電
装置５の作動により、基体３内には高温ガス雰囲気８が
形成されている。したがって、合成石英粉末は、この高
温ガス雰囲気８中に供給されることとなる。
の途中において、アーク放電装置５のカーボン電極５
１、５２からの放電による加熱を継続しながら、二酸化
珪素粉末、例えば、合成石英粉末６供給のための計量フ
ィーダ９２を調整した開度に開いて、吐出パイプ９３か
ら合成石英粉末を基体３の内部に供給する。アーク放電
装置５の作動により、基体３内には高温ガス雰囲気８が
形成されている。したがって、合成石英粉末は、この高
温ガス雰囲気８中に供給されることとなる。
【００２５】なお、高温ガス雰囲気とは、カーボン電極
５１、５２を用いたアーク放電によりその周囲に形成さ
れた雰囲気を指し、石英ガラスを溶かすに十分な温度、
つまり２千数百度の高温になっている。
５１、５２を用いたアーク放電によりその周囲に形成さ
れた雰囲気を指し、石英ガラスを溶かすに十分な温度、
つまり２千数百度の高温になっている。
【００２６】高温ガス雰囲気８中に供給された合成石英
粉末は、高温ガス雰囲気８内の熱により少なくとも一部
が溶融され、同時に基体３の内壁面に向けて飛散させら
れて、該基体３の内壁面に付着し、基体３と一体融合的
に基体３の内面に実質的に無気泡の石英ガラス層すなわ
ち内層４を形成する。この内層４の形成方法について
は、上述した特公平４−２２８６１号公報に詳細な記載
がある。
粉末は、高温ガス雰囲気８内の熱により少なくとも一部
が溶融され、同時に基体３の内壁面に向けて飛散させら
れて、該基体３の内壁面に付着し、基体３と一体融合的
に基体３の内面に実質的に無気泡の石英ガラス層すなわ
ち内層４を形成する。この内層４の形成方法について
は、上述した特公平４−２２８６１号公報に詳細な記載
がある。
【００２７】図２に、この方法により得られる石英ガラ
スるつぼの断面を示す。本発明による石英ガラスるつぼ
は、二酸化珪素粉末、例えば天然石英粉末を内面から加
熱溶融して形成された外層すなわち基体３と、二酸化珪
素粉末、例えば、合成石英粉末を高温ガス雰囲気中に放
出して、溶融飛散させ、基体３の内壁面に付着させて形
成した内層４とを有しているものである。
スるつぼの断面を示す。本発明による石英ガラスるつぼ
は、二酸化珪素粉末、例えば天然石英粉末を内面から加
熱溶融して形成された外層すなわち基体３と、二酸化珪
素粉末、例えば、合成石英粉末を高温ガス雰囲気中に放
出して、溶融飛散させ、基体３の内壁面に付着させて形
成した内層４とを有しているものである。
【００２８】
【実施例】以下に、本発明を実施例を用いて説明する
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
く、本発明の技術思想から逸脱しない限り種々の変形が
可能であることは勿論である。。
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
く、本発明の技術思想から逸脱しない限り種々の変形が
可能であることは勿論である。。
【００２９】（実施例１）粒径が５０ミクロンから５０
０ミクロンの天然石英ガラス粉を、１００ｒｐｍで回転
する内径７３０ｍｍの成形型中に３０ｍｍの均一な厚さ
で堆積させ、アーク放電により内部から加熱溶融させる
と同時に、上方向からＯＨ濃度が１００ｐｐｍの合成石
英ガラス粉を、１００ｇ／ｍｉｎの割合で供給し、泡の
ない透明ガラス層を全内面領域にわたり、３ｍｍの厚さ
で形成する。溶融が終了し、冷却したるつぼを、成形型
から取り出した。作成された石英ガラスるつぼは、外径
７２０ｍｍ、肉厚１３ｍｍ、透明層厚３ｍｍ、泡層１０
ｍｍであった。また、作成された石英ガラスるつぼの特
徴は表１に示した通りであった。
０ミクロンの天然石英ガラス粉を、１００ｒｐｍで回転
する内径７３０ｍｍの成形型中に３０ｍｍの均一な厚さ
で堆積させ、アーク放電により内部から加熱溶融させる
と同時に、上方向からＯＨ濃度が１００ｐｐｍの合成石
英ガラス粉を、１００ｇ／ｍｉｎの割合で供給し、泡の
ない透明ガラス層を全内面領域にわたり、３ｍｍの厚さ
で形成する。溶融が終了し、冷却したるつぼを、成形型
から取り出した。作成された石英ガラスるつぼは、外径
７２０ｍｍ、肉厚１３ｍｍ、透明層厚３ｍｍ、泡層１０
ｍｍであった。また、作成された石英ガラスるつぼの特
徴は表１に示した通りであった。
【００３０】この石英ガラスるつぼにポリシリコンを充
填し溶融し、シリコン単結晶の引き上げを行った。シリ
コンメルトへの種付け、単結晶の引き上げ中にシリコン
メルトの振動は確認されず、安定して引き上げが終了し
た。
填し溶融し、シリコン単結晶の引き上げを行った。シリ
コンメルトへの種付け、単結晶の引き上げ中にシリコン
メルトの振動は確認されず、安定して引き上げが終了し
た。
【００３１】（実施例２〜８）実施例１と同様の手順に
より、表１に示したように本発明の構成に含まれる各特
性値を有する７個の石英ガラスるつぼを製造した。これ
らの石英ガラスるつぼにポリシリコンを充填し溶融し、
それぞれシリコン単結晶の引き上げを行った。シリコン
メルトへの種付け、単結晶の引き上げ中にシリコンメル
トの振動は、いずれも確認されず、安定して引き上げが
終了した。
より、表１に示したように本発明の構成に含まれる各特
性値を有する７個の石英ガラスるつぼを製造した。これ
らの石英ガラスるつぼにポリシリコンを充填し溶融し、
それぞれシリコン単結晶の引き上げを行った。シリコン
メルトへの種付け、単結晶の引き上げ中にシリコンメル
トの振動は、いずれも確認されず、安定して引き上げが
終了した。
【００３２】（比較例１）実施例１と同様の手順によ
り、表１に示したように本発明の構成に含まれる各特性
値を有する１個の石英ガラスるつぼを製造した。この石
英ガラスるつぼにポリシリコンを充填し溶融し、シリコ
ン単結晶の引き上げを行った。シリコンメルトの振動
は、強く確認された。
り、表１に示したように本発明の構成に含まれる各特性
値を有する１個の石英ガラスるつぼを製造した。この石
英ガラスるつぼにポリシリコンを充填し溶融し、シリコ
ン単結晶の引き上げを行った。シリコンメルトの振動
は、強く確認された。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明のシリコン単
結晶引き上げ用大口径石英ガラスるつぼによれば、シリ
コン単結晶の引き上げを行う場合に、シリコンメルトへ
の種付け、シリコン単結晶の引き上げ中にシリコンメル
トの振動は発生せず、安定してシリコン単結晶の引き上
げを行うことができるという効果を奏する。
結晶引き上げ用大口径石英ガラスるつぼによれば、シリ
コン単結晶の引き上げを行う場合に、シリコンメルトへ
の種付け、シリコン単結晶の引き上げ中にシリコンメル
トの振動は発生せず、安定してシリコン単結晶の引き上
げを行うことができるという効果を奏する。
【図１】 本発明のシリコン単結晶引き上げ用石英ガラ
スるつぼを製造するために使用される装置の概略断面説
明図である。
スるつぼを製造するために使用される装置の概略断面説
明図である。
【図２】 本発明のシリコン単結晶引き上げ用石英ガラ
スるつぼの一部の断面図である。
スるつぼの一部の断面図である。
１：回転型、１ａ：キャビティ、２：回転軸、３：基
体、４：内層、５：アーク放電装置、６：合成石英粉
末、８：高温ガス雰囲気、９：石英粉末供給槽、１０：
電源、５１、５２：カーボン電極、７１：蓋、７５：ス
リット開口、９１：攪拌羽根、９２：計量フィーダ、９
３：吐出パイプ。
体、４：内層、５：アーク放電装置、６：合成石英粉
末、８：高温ガス雰囲気、９：石英粉末供給槽、１０：
電源、５１、５２：カーボン電極、７１：蓋、７５：ス
リット開口、９１：攪拌羽根、９２：計量フィーダ、９
３：吐出パイプ。
Claims (5)
- 【請求項１】 半透明石英ガラス層のるつぼ基体と、該
るつぼ基体の内壁面に形成された透明石英ガラス層から
なるシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼであ
り、該石英ガラスるつぼを用いて、シリコン単結晶を引
き上げた際に、シリコンメルト湯面の振動が発生しない
ことを特徴とするシリコン単結晶引き上げ用大口径石英
ガラスるつぼ。 - 【請求項２】 前記石英ガラスるつぼの壁体のＩＲ透過
率が、３〜３０％であることを特徴とする請求項１記載
のシリコン単結晶引き上げ用大口径石英ガラスるつぼ。 - 【請求項３】 前記石英ガラスるつぼの壁体の１３００
℃における熱伝導度が、３．０〜１２．０×１０-3cal/
cm・s ・℃であることを特徴とする請求項１又は２記載
のシリコン単結晶引き上げ用大口径石英ガラスるつぼ。 - 【請求項４】 前記石英ガラスるつぼの壁体の外表面の
面荒さＲａが、２〜２０μｍであることを特徴とする請
求項１〜３のいずれか１項記載のシリコン単結晶引き上
げ用大口径石英ガラスるつぼ。 - 【請求項５】 前記石英ガラスるつぼの壁体の泡層の気
泡面積が、０．５〜５％であることを特徴とする請求項
１〜４のいずれか１項記載のシリコン単結晶引き上げ用
大口径石英ガラスるつぼ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02288399A JP4454059B2 (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | シリコン単結晶引き上げ用大口径石英ガラスるつぼ |
| EP00101801A EP1024118A3 (en) | 1999-01-29 | 2000-01-28 | Large diameter quartz glass crucible for pulling up single crystalline silicon |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02288399A JP4454059B2 (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | シリコン単結晶引き上げ用大口径石英ガラスるつぼ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000219593A true JP2000219593A (ja) | 2000-08-08 |
| JP4454059B2 JP4454059B2 (ja) | 2010-04-21 |
Family
ID=12095092
Family Applications (1)
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