JP2000216080A - マスクパタ―ン転写方法、マスクパタ―ン転写装置、デバイス製造方法及び転写マスク - Google Patents
マスクパタ―ン転写方法、マスクパタ―ン転写装置、デバイス製造方法及び転写マスクInfo
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
Abstract
(57)【要約】
【課題】 転写マスク上の部分転写パターンの位置を定
める関数を決定し、その関数に基づいて部分転写パター
ンの像を転写することで被転写物上の転写パターンの繋
ぎ精度を向上させる。 【解決手段】 転写マスク上の部分転写パターンのアラ
イメントマークを計測し（ステップ２３）、これらを基
にアライメントマークの位置を定める関数及び相対走査
方向のスケール倍率を算出する（ステップ２５）。次
に、被転写物への部分転写パターンの転写の開始位置及
び終了位置を算出し（ステップ２７、２８）、マスクス
テージの移動のためにスケール倍率を補正する（ステッ
プ２９）。以降、マスクステージとウエハステージとを
駆動させて、順次露光を行う（ステップ３２〜３９）。
める関数を決定し、その関数に基づいて部分転写パター
ンの像を転写することで被転写物上の転写パターンの繋
ぎ精度を向上させる。 【解決手段】 転写マスク上の部分転写パターンのアラ
イメントマークを計測し（ステップ２３）、これらを基
にアライメントマークの位置を定める関数及び相対走査
方向のスケール倍率を算出する（ステップ２５）。次
に、被転写物への部分転写パターンの転写の開始位置及
び終了位置を算出し（ステップ２７、２８）、マスクス
テージの移動のためにスケール倍率を補正する（ステッ
プ２９）。以降、マスクステージとウエハステージとを
駆動させて、順次露光を行う（ステップ３２〜３９）。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスク上の微細な
パターンをウエハやガラス等の基板上に転写してデバイ
スを製造する際の、転写方法に関する。
パターンをウエハやガラス等の基板上に転写してデバイ
スを製造する際の、転写方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの集積度が上がり、性能
や機能が向上するのに伴い、リソグラフィ装置の高解像
度化と大画角化が進み、転写方式もウエハ一括方式、ス
テップ・アンド・リピート方式、を経てステップ・アン
ド・スキャン方式へと変化している。そのようななか
で、更なる高解像が期待できる、電子線等の荷電ビーム
を用いた露光装置においても、転写マスクを用いたスキ
ャン方式の縮小転写系が提案されている。
や機能が向上するのに伴い、リソグラフィ装置の高解像
度化と大画角化が進み、転写方式もウエハ一括方式、ス
テップ・アンド・リピート方式、を経てステップ・アン
ド・スキャン方式へと変化している。そのようななか
で、更なる高解像が期待できる、電子線等の荷電ビーム
を用いた露光装置においても、転写マスクを用いたスキ
ャン方式の縮小転写系が提案されている。
【０００３】しかしながら、この種の装置は画角を広げ
ると像性能が著しく低下することや、使用するマスクの
構造上の制約などから、転写パターンを複数のパターン
に分割した分割マスクを用いて、それら分割されたパタ
ーンを順次繋ぎ合わせて転写することで、所望のパター
ンを得ている。
ると像性能が著しく低下することや、使用するマスクの
構造上の制約などから、転写パターンを複数のパターン
に分割した分割マスクを用いて、それら分割されたパタ
ーンを順次繋ぎ合わせて転写することで、所望のパター
ンを得ている。
【０００４】分割マスクは、一枚のマスク基板上に分割
した転写パターンを所定の位置に配列したものである。
した転写パターンを所定の位置に配列したものである。
【０００５】この分割マスクを用いた転写方法では、隣
接する転写パターンとの繋ぎ精度が重要であるため、分
割した転写パターンはマスク上の所定の位置に非常に高
い精度で配列されている必要がある。しかしながら、例
えばこの分割マスクを電子線描画装置を用いて作成した
場合、その描画方法によっては、これらの分割マスクの
転写パターン及びその配列が湾曲したり、各パターンの
大きさが設計値通りにならなかったりする。更に、分割
マスクの温度変化による歪、機械的応力による歪、経時
変化による歪なども誤差の発生要因となる。これらの誤
差は先述した繋ぎ精度を悪化させ、その結果、チップに
欠陥が生じることになる。
接する転写パターンとの繋ぎ精度が重要であるため、分
割した転写パターンはマスク上の所定の位置に非常に高
い精度で配列されている必要がある。しかしながら、例
えばこの分割マスクを電子線描画装置を用いて作成した
場合、その描画方法によっては、これらの分割マスクの
転写パターン及びその配列が湾曲したり、各パターンの
大きさが設計値通りにならなかったりする。更に、分割
マスクの温度変化による歪、機械的応力による歪、経時
変化による歪なども誤差の発生要因となる。これらの誤
差は先述した繋ぎ精度を悪化させ、その結果、チップに
欠陥が生じることになる。
【０００６】このような問題を解決するには例えば、特
開昭６３−７３５２０号公報に開示されているように、
マスク全体の位置を専用のマークを使用して求め、その
データをもとにした仮の座標系を用いて、次に露光すべ
き分割パターンを露光位置に駆動し、その後、各分割パ
ターン専用のアライメントマークを用いて、逐次分割転
写パターン毎にアライメントを行うといった方法が知ら
れている。この方法はダイ・バイ・ダイ方式と呼ばれ、
各分割パターン毎にアライメントを行うので正確な位置
合わせが可能である。
開昭６３−７３５２０号公報に開示されているように、
マスク全体の位置を専用のマークを使用して求め、その
データをもとにした仮の座標系を用いて、次に露光すべ
き分割パターンを露光位置に駆動し、その後、各分割パ
ターン専用のアライメントマークを用いて、逐次分割転
写パターン毎にアライメントを行うといった方法が知ら
れている。この方法はダイ・バイ・ダイ方式と呼ばれ、
各分割パターン毎にアライメントを行うので正確な位置
合わせが可能である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
ような方法では、各分割パターンを一旦、仮の座標系を
用いて駆動し、その後、その分割パターン専用のアライ
メントマークを用いて、逐次分割転写パターン毎にアラ
イメントを行うため、分割パターンの転写毎にアライメ
ントのための計測と駆動が必要となり、その計測時間と
駆動時間が装置全体のスループットを低下させてしまう
という問題がある。この間題はマスクの分割数が増大す
るほどスループットに対する影響が大きい。
ような方法では、各分割パターンを一旦、仮の座標系を
用いて駆動し、その後、その分割パターン専用のアライ
メントマークを用いて、逐次分割転写パターン毎にアラ
イメントを行うため、分割パターンの転写毎にアライメ
ントのための計測と駆動が必要となり、その計測時間と
駆動時間が装置全体のスループットを低下させてしまう
という問題がある。この間題はマスクの分割数が増大す
るほどスループットに対する影響が大きい。
【０００８】また、特開昭６３−７３５２０号公報に開
示されている方法では、先述した分割マスクを作成する
過程で用いる電子線描画装置の描画方法に起因する分割
パターン自身の湾曲を補正することはできない。
示されている方法では、先述した分割マスクを作成する
過程で用いる電子線描画装置の描画方法に起因する分割
パターン自身の湾曲を補正することはできない。
【０００９】さらに、従来の転写方法では少なくとも１
ショットでひとつのチップの転写が可能であったのに比
べて、このような分割マスクを用いた転写方法ではひと
つのチップの転写にかかる時間がマスクの分割数ととも
に増えてしまう。例えば、ひとつのチップを５×１０の
マトリックス状配列に分割してマスク上に配置させ、各
々の分割パターンを順次転写して繋ぎ合わせ、５０個全
ての分割パターンを転写して、ようやくひとつのチップ
の露光が完了する。単純にステップ・アンド・スキャン
を繰り返すと、スキャン回数で５０倍、露光時間で５倍
以上の負荷になる。
ショットでひとつのチップの転写が可能であったのに比
べて、このような分割マスクを用いた転写方法ではひと
つのチップの転写にかかる時間がマスクの分割数ととも
に増えてしまう。例えば、ひとつのチップを５×１０の
マトリックス状配列に分割してマスク上に配置させ、各
々の分割パターンを順次転写して繋ぎ合わせ、５０個全
ての分割パターンを転写して、ようやくひとつのチップ
の露光が完了する。単純にステップ・アンド・スキャン
を繰り返すと、スキャン回数で５０倍、露光時間で５倍
以上の負荷になる。
【００１０】そこで、ウエハやマスクを載置したステー
ジの極端な加減速や停止などにかかる時間を省くため、
ステージを止めることなく、ひとつの分割パターンから
他の分割パターンヘと連続移動させて、より高速な転写
を可能とするシステムが考えられる。
ジの極端な加減速や停止などにかかる時間を省くため、
ステージを止めることなく、ひとつの分割パターンから
他の分割パターンヘと連続移動させて、より高速な転写
を可能とするシステムが考えられる。
【００１１】ところが、マスクやウエハを連続移動させ
ながら転写しようとすると前述のダイ・バイ・ダイ方式
のアライメント方法を用いることができない。なぜな
ら、先述したように各分割パターンを一旦、仮の座標系
を用いて位置決めして、その後、その分割パターン専用
のアライメントマークを用いて、逐次分割転写パターン
毎にアライメントを行う必要があるからである。
ながら転写しようとすると前述のダイ・バイ・ダイ方式
のアライメント方法を用いることができない。なぜな
ら、先述したように各分割パターンを一旦、仮の座標系
を用いて位置決めして、その後、その分割パターン専用
のアライメントマークを用いて、逐次分割転写パターン
毎にアライメントを行う必要があるからである。
【００１２】そこで、本発明は、分割された複数の部分
転写パターンを被転写物に順次転写して所望のパターン
を得る際に、スループットを向上させつつ各部分転写パ
ターンの繋ぎ精度を向上させるマスクパターン転写方法
や装置、デバイス製造方法、更には転写マスクを提供す
ることを目的とする。
転写パターンを被転写物に順次転写して所望のパターン
を得る際に、スループットを向上させつつ各部分転写パ
ターンの繋ぎ精度を向上させるマスクパターン転写方法
や装置、デバイス製造方法、更には転写マスクを提供す
ることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明のマスクパターン転写方法は、所定の方向及び前
記所定の方向に交差する方向に分割され、かつ、配列さ
れた、区別可能な複数の部分転写パターンを有する転写
マスクを用い、前記転写マスクを介して被転写物に転写
ビームを照射し、前記各部分転写パターンを前記被転写
物に順次転写することで前記被転写物に前記各部分転写
パターンの繋ぎ合わせられた所望のパターンを形成する
ために、前記転写マスクに、前記各部分転写パターンの
それぞれに関連づけられた複数のアライメントマークを
設けておき、前記被転写物と前記各アライメントマーク
との相対位置を補正し、前記各部分転写パターンを前記
被転写物に順次転写するマスクパターン転写方法であっ
て、前記相対位置の補正は、前記各アライメントマーク
を指定する転写マスクマーク指定工程と、前記転写マス
クマーク指定工程により指定された前記各アライメント
マークの位置を計測し、計測された位置を基に、前記所
定の方向に配列された前記各部分転写パターンの位置を
定める関数を決定する工程と、前記転写ビームに対して
前記転写マスクと前記被転写物とを前記所定の方向に相
対走査させて、前記部分転写パターンを前記被転写物に
走査露光する走査露光工程と、前記部分転写パターンを
前記被転写物に走査露光する際、前記関数に基づいて前
記被転写物に対し前記部分転写パターンの像を相対移動
させる相対移動工程と、を含むことを特徴とする。
本発明のマスクパターン転写方法は、所定の方向及び前
記所定の方向に交差する方向に分割され、かつ、配列さ
れた、区別可能な複数の部分転写パターンを有する転写
マスクを用い、前記転写マスクを介して被転写物に転写
ビームを照射し、前記各部分転写パターンを前記被転写
物に順次転写することで前記被転写物に前記各部分転写
パターンの繋ぎ合わせられた所望のパターンを形成する
ために、前記転写マスクに、前記各部分転写パターンの
それぞれに関連づけられた複数のアライメントマークを
設けておき、前記被転写物と前記各アライメントマーク
との相対位置を補正し、前記各部分転写パターンを前記
被転写物に順次転写するマスクパターン転写方法であっ
て、前記相対位置の補正は、前記各アライメントマーク
を指定する転写マスクマーク指定工程と、前記転写マス
クマーク指定工程により指定された前記各アライメント
マークの位置を計測し、計測された位置を基に、前記所
定の方向に配列された前記各部分転写パターンの位置を
定める関数を決定する工程と、前記転写ビームに対して
前記転写マスクと前記被転写物とを前記所定の方向に相
対走査させて、前記部分転写パターンを前記被転写物に
走査露光する走査露光工程と、前記部分転写パターンを
前記被転写物に走査露光する際、前記関数に基づいて前
記被転写物に対し前記部分転写パターンの像を相対移動
させる相対移動工程と、を含むことを特徴とする。
【００１４】上記の通りの本発明のマスクパターン転写
方法は、あらかじめ、所望の部分転写マスクのアライメ
ントマークを指定し、指定された部分転写パターンの各
アライメントマークの位置を計測し、これを基に各部分
転写パターンの位置を定める関数を定めておく。この関
数を基に転写位置を補正するとともに、走査露光時に被
転写物に対し部分転写パターンの像を相対移動させる。
このため、各分割パターンを被転写物へと転写する毎に
アライメントマークを測定し、転写位置を求める必要が
なくなる。
方法は、あらかじめ、所望の部分転写マスクのアライメ
ントマークを指定し、指定された部分転写パターンの各
アライメントマークの位置を計測し、これを基に各部分
転写パターンの位置を定める関数を定めておく。この関
数を基に転写位置を補正するとともに、走査露光時に被
転写物に対し部分転写パターンの像を相対移動させる。
このため、各分割パターンを被転写物へと転写する毎に
アライメントマークを測定し、転写位置を求める必要が
なくなる。
【００１５】本発明のマスクパターン転写装置は、露光
のための荷電ビームを放射するビーム放射手段と、前記
荷電ビームを円弧形状に整形する整形手段と、被転写物
に転写するための、所定の方向及び前記所定の方向に交
差する方向に分割され、かつ、配列された、区別可能な
複数の部分転写パターン及び前記各部分転写パターンの
それぞれに関連づけられた複数のアライメントマークが
形成された転写マスクが載置される、移動可能な第１の
載置手段と、前記転写マスクの前記各部分転写パターン
からなる被転写パターンが転写される被転写物が載置さ
れる、移動可能な第２の載置手段と、前記転写マスクを
透過した前記荷電ビームの投影倍率を補正して前記被転
写物に照射させる倍率補正手段と、前記転写マスクの前
記各部分転写パターン及び前記各アライメントマークの
位置を測定する第１の測定手段と、前記被転写物に転写
された、前記各部分転写パターンを繋ぎ合わせることで
形成される被転写パターンと前記各アライメントマーク
との位置を測定する第２の測定手段と、前記転写マスク
の前記各部分転写パターンの像を相対移動させる像相対
移動手段と、前記第１の測定手段及び前記第２の測定手
段からの出力信号を基に、前記第１の載置手段の移動速
度を規定する駆動倍率、前記第２の載置手段の移動速度
を規定する駆動倍率、前記倍率補正手段の投影倍率、及
び前記相対移動手段の像相対移動量のそれぞれを算出
し、前記第１の載置手段、前記第２の載置手段、前記倍
率補正手段及び前記相対移動手段を制御する制御手段と
を有する。
のための荷電ビームを放射するビーム放射手段と、前記
荷電ビームを円弧形状に整形する整形手段と、被転写物
に転写するための、所定の方向及び前記所定の方向に交
差する方向に分割され、かつ、配列された、区別可能な
複数の部分転写パターン及び前記各部分転写パターンの
それぞれに関連づけられた複数のアライメントマークが
形成された転写マスクが載置される、移動可能な第１の
載置手段と、前記転写マスクの前記各部分転写パターン
からなる被転写パターンが転写される被転写物が載置さ
れる、移動可能な第２の載置手段と、前記転写マスクを
透過した前記荷電ビームの投影倍率を補正して前記被転
写物に照射させる倍率補正手段と、前記転写マスクの前
記各部分転写パターン及び前記各アライメントマークの
位置を測定する第１の測定手段と、前記被転写物に転写
された、前記各部分転写パターンを繋ぎ合わせることで
形成される被転写パターンと前記各アライメントマーク
との位置を測定する第２の測定手段と、前記転写マスク
の前記各部分転写パターンの像を相対移動させる像相対
移動手段と、前記第１の測定手段及び前記第２の測定手
段からの出力信号を基に、前記第１の載置手段の移動速
度を規定する駆動倍率、前記第２の載置手段の移動速度
を規定する駆動倍率、前記倍率補正手段の投影倍率、及
び前記相対移動手段の像相対移動量のそれぞれを算出
し、前記第１の載置手段、前記第２の載置手段、前記倍
率補正手段及び前記相対移動手段を制御する制御手段と
を有する。
【００１６】本発明のデバイス製造方法は、本発明のマ
スクパターン転写方法を含む工程によってデバイスを製
造することを特徴とする。
スクパターン転写方法を含む工程によってデバイスを製
造することを特徴とする。
【００１７】また、本発明のデバイス製造方法は、本発
明のマスクパターン転写装置を用いることによってデバ
イスを製造することを特徴とする。
明のマスクパターン転写装置を用いることによってデバ
イスを製造することを特徴とする。
【００１８】本発明の転写マスクは、分割され、かつ、
区別可能な複数の部分転写パターンを有し、前記各部分
転写パターンを被転写物に順次転写することで、前記被
転写物に前記各部分転写パターンを繋ぎ合わせた所望の
パターンを得るためのマスクであって、前記各部分転写
パターンのそれぞれに関連づけられた複数のアライメン
トマークを設けたことを特徴とする。
区別可能な複数の部分転写パターンを有し、前記各部分
転写パターンを被転写物に順次転写することで、前記被
転写物に前記各部分転写パターンを繋ぎ合わせた所望の
パターンを得るためのマスクであって、前記各部分転写
パターンのそれぞれに関連づけられた複数のアライメン
トマークを設けたことを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。 （第１の実施形態）第８図は本発明の転写方法を適用可
能な半導体デバイス製造用露光装置の一例の概略構成図
である。なお、後述する第２ないし第３の実施形態も同
様の装置を用いるものとする。
て図面を参照して説明する。 （第１の実施形態）第８図は本発明の転写方法を適用可
能な半導体デバイス製造用露光装置の一例の概略構成図
である。なお、後述する第２ないし第３の実施形態も同
様の装置を用いるものとする。
【００２０】この半導体デバイス製造用露光装置の制御
は、ビーム源１から放射されたビーム１２のドーズ量を
制御するビーム制御部２ａと、マスクステージ６を移動
させるマスクステージ制御部６ａと、偏向器１５を制御
する偏向器制御部１５ａと、ウエハ１０へ照射される転
写マスク３のパターンの倍率を補正する倍率補正系８を
制御する倍率補正制御部８ａと、ウエハステージ１１を
移動させるウエハステージ制御部１１ａとを有する装置
制御部１６によりなされる。
は、ビーム源１から放射されたビーム１２のドーズ量を
制御するビーム制御部２ａと、マスクステージ６を移動
させるマスクステージ制御部６ａと、偏向器１５を制御
する偏向器制御部１５ａと、ウエハ１０へ照射される転
写マスク３のパターンの倍率を補正する倍率補正系８を
制御する倍率補正制御部８ａと、ウエハステージ１１を
移動させるウエハステージ制御部１１ａとを有する装置
制御部１６によりなされる。
【００２１】まずビーム源１から放射される電子ビーム
もしくはイオンビーム等、荷電粒子線である荷電ビーム
１２は、ビーム制御部２ａによるビーム制御系２のｏｎ
／ｏｆｆを行うことでドーズ量が制御されて照明系４に
入射し、これによりマスクステージ６上の転写マスク３
に照射される。
もしくはイオンビーム等、荷電粒子線である荷電ビーム
１２は、ビーム制御部２ａによるビーム制御系２のｏｎ
／ｏｆｆを行うことでドーズ量が制御されて照明系４に
入射し、これによりマスクステージ６上の転写マスク３
に照射される。
【００２２】ここで照明系４内には、円弧形状のスリッ
トが形成されたスリット板１３が設けられており、照明
系４を通った荷電ビーム１２は光軸と垂直な平面内で円
弧形状に成形される。このようにビーム形状を円弧形状
にすることで、結像位置は光軸から離れた荷電ビーム１
２の外周付近となる。これにより、像面湾曲を無視でき
るほどに抑制しつつ、露光領域の拡大を図ることが可能
となる。本実施形態では、荷電ビーム１２は円弧形状の
ビーム形状を用いているが、ビーム形状はそれ以外の形
状でもかまわない。
トが形成されたスリット板１３が設けられており、照明
系４を通った荷電ビーム１２は光軸と垂直な平面内で円
弧形状に成形される。このようにビーム形状を円弧形状
にすることで、結像位置は光軸から離れた荷電ビーム１
２の外周付近となる。これにより、像面湾曲を無視でき
るほどに抑制しつつ、露光領域の拡大を図ることが可能
となる。本実施形態では、荷電ビーム１２は円弧形状の
ビーム形状を用いているが、ビーム形状はそれ以外の形
状でもかまわない。
【００２３】マスクステージ６はマスクアライメント系
５により測定、演算処理された補正値に基づき、マスク
ステージ制御部６ａにより駆動されることで、転写マス
ク３と転写ビーム１２との位置合わせを行う。
５により測定、演算処理された補正値に基づき、マスク
ステージ制御部６ａにより駆動されることで、転写マス
ク３と転写ビーム１２との位置合わせを行う。
【００２４】転写マスク３に照射された荷電ビーム１２
は、転写マスク３上のパターンを偏向器１５により偏向
後、投影系７に投影され、さらに倍率補正系８により投
影倍率が補正された後、ウエハステージ１１上のウエハ
１０に照射され、これにより転写マスク３のパターンが
転写される。
は、転写マスク３上のパターンを偏向器１５により偏向
後、投影系７に投影され、さらに倍率補正系８により投
影倍率が補正された後、ウエハステージ１１上のウエハ
１０に照射され、これにより転写マスク３のパターンが
転写される。
【００２５】なお、ウエハステージ制御部１１ａにより
制御されるウエハステージ１１は、ウエハライメント系
１４により測定、演算処理された値に基づき、ウエハ１
０の位置合わせを行う。転写の際にはあらかじめ、マス
クステージ６とウエハステージ１１は互いのステージの
走査移動方向や直交度、相対走査方向のパターン倍率等
を合わせ、その座標系を基準座標系として以後の全ての
工程の基準とする。
制御されるウエハステージ１１は、ウエハライメント系
１４により測定、演算処理された値に基づき、ウエハ１
０の位置合わせを行う。転写の際にはあらかじめ、マス
クステージ６とウエハステージ１１は互いのステージの
走査移動方向や直交度、相対走査方向のパターン倍率等
を合わせ、その座標系を基準座標系として以後の全ての
工程の基準とする。
【００２６】次に、図５の転写マスク３をいわゆる１ｓ
ｔマスクとしてウエハ１０に焼きつける工程で本発明の
転写方法を説明する。
ｔマスクとしてウエハ１０に焼きつける工程で本発明の
転写方法を説明する。
【００２７】図５は、５×５の配列に分割された部分転
写パターンをもつ、転写マスク３と、転写マスク３上の
部分転写パターンであるマスクショット３ａ〜３ｙをウ
エハ１０上に焼きつけた転写像１０１をそれぞれ表して
いる。
写パターンをもつ、転写マスク３と、転写マスク３上の
部分転写パターンであるマスクショット３ａ〜３ｙをウ
エハ１０上に焼きつけた転写像１０１をそれぞれ表して
いる。
【００２８】各マスクショット３ａ〜３ｙは転写像１０
１を複数に分割したものである。転写マスク３上の各マ
スクショット３ａ〜３ｙの周囲には、各マスクショット
３ａ〜３ｙの転写マスク３上での位置を規定するための
マークであるアライメントマーク３ａ１〜３ｙ６が配置
されている。
１を複数に分割したものである。転写マスク３上の各マ
スクショット３ａ〜３ｙの周囲には、各マスクショット
３ａ〜３ｙの転写マスク３上での位置を規定するための
マークであるアライメントマーク３ａ１〜３ｙ６が配置
されている。
【００２９】たとえばマスクショット３ａの位置は、ア
ライメントマーク３ａ１〜３ａ６で定義されることとな
る。これら転写マスク３上の各マスクショット３ａ〜３
ｙは、マスクショット３ａがウエハ１０上のショットで
あるウエハショット１０ａに、マスクショット３ｂがウ
エハショット１０ｂに、といった具合に順次隙間なくウ
エハ１０上に転写され、所望の転写像１０１が得られ
る。この際にマスクショット３ａ〜３ｅ、３ｆ、３ｊ、
３ｋ、３ｏ、３ｐ、３ｔ、３ｕ〜３ｙ、のアライメント
マークのうち転写像の外周部にある、例えば３ａ１、３
ａ２、３ａ５、３ａ６等もウエハ１０上に転写され、２
ｎｄレイヤ以降のアライメントに用いられる。
ライメントマーク３ａ１〜３ａ６で定義されることとな
る。これら転写マスク３上の各マスクショット３ａ〜３
ｙは、マスクショット３ａがウエハ１０上のショットで
あるウエハショット１０ａに、マスクショット３ｂがウ
エハショット１０ｂに、といった具合に順次隙間なくウ
エハ１０上に転写され、所望の転写像１０１が得られ
る。この際にマスクショット３ａ〜３ｅ、３ｆ、３ｊ、
３ｋ、３ｏ、３ｐ、３ｔ、３ｕ〜３ｙ、のアライメント
マークのうち転写像の外周部にある、例えば３ａ１、３
ａ２、３ａ５、３ａ６等もウエハ１０上に転写され、２
ｎｄレイヤ以降のアライメントに用いられる。
【００３０】図１は上記の工程の詳細をフローチャート
にしたものであり、本発明の基本フローである。
にしたものであり、本発明の基本フローである。
【００３１】以下、図５及び図１のフローを追って順に
説明する。なお、ここではウエハ１０は既に装置内にロ
ードされているものとしている。
説明する。なお、ここではウエハ１０は既に装置内にロ
ードされているものとしている。
【００３２】まず、転写マスク３をマスクステージ６上
にロードし（ステップ２０）、次にマスクアライメント
系５で転写マスク３の位置を計測し、マスクステージ６
を駆動して基準位置合わせを行う（ステップ２１）。こ
のときの基準は先述した基準座標系で、この基準座標系
に荷電ビーム１２の基準軸や別に設けられた装置基準が
合致している。したがって、この基準位置合わせは転写
マスク３を荷電ビーム１２の基準軸や別に設けられた装
置基準に対して位置合わせをすることに他ならない。
にロードし（ステップ２０）、次にマスクアライメント
系５で転写マスク３の位置を計測し、マスクステージ６
を駆動して基準位置合わせを行う（ステップ２１）。こ
のときの基準は先述した基準座標系で、この基準座標系
に荷電ビーム１２の基準軸や別に設けられた装置基準が
合致している。したがって、この基準位置合わせは転写
マスク３を荷電ビーム１２の基準軸や別に設けられた装
置基準に対して位置合わせをすることに他ならない。
【００３３】転写マスク３が基準位置に配置されると、
アライメントで計測に用いるアライメントマークを指定
する（ステップ２２）。ここでは、マスクショット３
ａ、３ｃ、３ｅ、３ｆ、３ｈ、３ｊ、３ｋ、３ｍ、３
ｏ、３ｐ、３ｒ、３ｔ、３ｕ、３ｗ、３ｙに対応する各
アライメントマーク３ａ１〜３ａ４、３ｃ１〜３ｃ４、
３ｅ１〜３ｅ４、３ｆ１〜３ｆ４、３ｈ１〜３ｈ４、３
ｊ１〜３ｊ４、３ｋ１〜３ｋ４、３ｍ１〜３ｍ４、３ｏ
１〜３ｏ４、３ｐ１〜３ｐ４、３ｒ１〜３ｒ４、３ｔ１
〜３ｔ４、３ｕ１〜３ｕ４、３ｗ１〜３ｗ４、３ｙ１〜
３ｙ４、を指定する。このステップで全てのマスクショ
ットのアライメントマークを指定してもよいが、計測す
るマークの数が多いはど計測時間が長くなるので、装置
のスループットが低下することに留意する必要がある。
アライメントで計測に用いるアライメントマークを指定
する（ステップ２２）。ここでは、マスクショット３
ａ、３ｃ、３ｅ、３ｆ、３ｈ、３ｊ、３ｋ、３ｍ、３
ｏ、３ｐ、３ｒ、３ｔ、３ｕ、３ｗ、３ｙに対応する各
アライメントマーク３ａ１〜３ａ４、３ｃ１〜３ｃ４、
３ｅ１〜３ｅ４、３ｆ１〜３ｆ４、３ｈ１〜３ｈ４、３
ｊ１〜３ｊ４、３ｋ１〜３ｋ４、３ｍ１〜３ｍ４、３ｏ
１〜３ｏ４、３ｐ１〜３ｐ４、３ｒ１〜３ｒ４、３ｔ１
〜３ｔ４、３ｕ１〜３ｕ４、３ｗ１〜３ｗ４、３ｙ１〜
３ｙ４、を指定する。このステップで全てのマスクショ
ットのアライメントマークを指定してもよいが、計測す
るマークの数が多いはど計測時間が長くなるので、装置
のスループットが低下することに留意する必要がある。
【００３４】次に、ステップ２２で指定された転写マス
ク３上の各マスクショット３ａ、３ｃ、３ｅ、３ｆ、３
ｈ、３ｊ、３ｋ、３ｍ、３ｏ、３ｐ、３ｒ、３ｔ、３
ｕ、３ｗ、３ｙに各々対応するアライメントマーク３ａ
１〜３ａ４、３ｃ１〜３ｃ４、３ｅ１〜３ｅ４、３ｆ１
〜３ｆ４、３ｈ１〜３ｈ４、３ｊ１〜３ｊ４、３ｋ１〜
３ｋ４、３ｍ１〜３ｍ４、３ｏ１〜３ｏ４、３ｐ１〜３
ｐ４、３ｒ１〜３ｒ４、３ｔ１〜３ｔ４、３ｕ１〜３ｕ
４、３ｗ１〜３ｗ４、３ｙ１〜３ｙ４の位置をマスクア
ライメント系５で計測する（ステップ２３）。
ク３上の各マスクショット３ａ、３ｃ、３ｅ、３ｆ、３
ｈ、３ｊ、３ｋ、３ｍ、３ｏ、３ｐ、３ｒ、３ｔ、３
ｕ、３ｗ、３ｙに各々対応するアライメントマーク３ａ
１〜３ａ４、３ｃ１〜３ｃ４、３ｅ１〜３ｅ４、３ｆ１
〜３ｆ４、３ｈ１〜３ｈ４、３ｊ１〜３ｊ４、３ｋ１〜
３ｋ４、３ｍ１〜３ｍ４、３ｏ１〜３ｏ４、３ｐ１〜３
ｐ４、３ｒ１〜３ｒ４、３ｔ１〜３ｔ４、３ｕ１〜３ｕ
４、３ｗ１〜３ｗ４、３ｙ１〜３ｙ４の位置をマスクア
ライメント系５で計測する（ステップ２３）。
【００３５】すなわち、マスクショット３ａでは、アラ
イメントマーク３ａ１、３ａ２、３ａ３、３ａ４の位置
が計測される。ここでアライメントマーク３ａ５、３ａ
６を指定してもかまわないが、アライメントマーク３ａ
１〜３ａ４の位置が分かればマスクショット３ａの位置
を特定することができるので敢えて指定はしなくてもよ
い。
イメントマーク３ａ１、３ａ２、３ａ３、３ａ４の位置
が計測される。ここでアライメントマーク３ａ５、３ａ
６を指定してもかまわないが、アライメントマーク３ａ
１〜３ａ４の位置が分かればマスクショット３ａの位置
を特定することができるので敢えて指定はしなくてもよ
い。
【００３６】マスクショット３ａ、３ｃ、３ｅ、３ｆ、
３ｈ、３ｊ、３ｋ、３ｍ、３ｏ、３ｐ、３ｒ、３ｔ、３
ｕ、３ｗ、３ｙの各アライメントマークの位置を計測し
た後、各アライメントマーク３ａ１〜３ａ４、３ｃ１〜
３ｃ４、３ｅ１〜３ｅ４、３ｆ１〜３ｆ４、３ｈ１〜３
ｈ４、３ｊ１〜３ｊ４、３ｋ１〜３ｋ４、３ｍ１〜３ｍ
４、３ｏ１〜３ｏ４、３ｐ１〜３ｐ４、３ｒ１〜３ｒ
４、３ｔ１〜３ｔ４、３ｕ１〜３ｕ４、３ｗ１〜３ｗ
４、３ｙ１〜３ｙ４の位置をマーク毎に記憶しておく
（ステップ２４）。
３ｈ、３ｊ、３ｋ、３ｍ、３ｏ、３ｐ、３ｒ、３ｔ、３
ｕ、３ｗ、３ｙの各アライメントマークの位置を計測し
た後、各アライメントマーク３ａ１〜３ａ４、３ｃ１〜
３ｃ４、３ｅ１〜３ｅ４、３ｆ１〜３ｆ４、３ｈ１〜３
ｈ４、３ｊ１〜３ｊ４、３ｋ１〜３ｋ４、３ｍ１〜３ｍ
４、３ｏ１〜３ｏ４、３ｐ１〜３ｐ４、３ｒ１〜３ｒ
４、３ｔ１〜３ｔ４、３ｕ１〜３ｕ４、３ｗ１〜３ｗ
４、３ｙ１〜３ｙ４の位置をマーク毎に記憶しておく
（ステップ２４）。
【００３７】次に、ステップ２４で記憶した各アライメ
ントマーク３ａ１〜３ａ４、３ｃ１〜３ｃ４、３ｅ１〜
３ｅ４、３ｆ１〜３ｆ４、３ｈ１〜３ｈ４、３ｊ１〜３
ｊ４、３ｋ１〜３ｋ４、３ｍ１〜３ｍ４、３ｏ１〜３ｏ
４、３ｐ１〜３ｐ４、３ｒ１〜３ｒ４、３ｔ１〜３ｔ
４、３ｕ１〜３ｕ４、３ｗ１〜３ｗ４、３ｙ１〜３ｙ４
の位置を読み出してマスクショット３ａ〜３ｙの位置を
定める関数を算出する（ステップ２５）。
ントマーク３ａ１〜３ａ４、３ｃ１〜３ｃ４、３ｅ１〜
３ｅ４、３ｆ１〜３ｆ４、３ｈ１〜３ｈ４、３ｊ１〜３
ｊ４、３ｋ１〜３ｋ４、３ｍ１〜３ｍ４、３ｏ１〜３ｏ
４、３ｐ１〜３ｐ４、３ｒ１〜３ｒ４、３ｔ１〜３ｔ
４、３ｕ１〜３ｕ４、３ｗ１〜３ｗ４、３ｙ１〜３ｙ４
の位置を読み出してマスクショット３ａ〜３ｙの位置を
定める関数を算出する（ステップ２５）。
【００３８】図６はアライメントマークの位置データか
ら得られた関数を表す図である。関数の算出はストライ
プ毎に行い、例えばマスクショット３ａ〜３ｅで構成さ
れるストライプの関数は３ｓ１の様になる。同様にマス
クショット３ｆ〜３ｊに対して３ｓ２、マスクショット
３ｋ〜３ｏに対して３ｓ２、マスクショット３ｐ〜３ｔ
に対して３ｓ４、マスクショット３ｕ〜３ｙに対して３
ｓ５を算出する。
ら得られた関数を表す図である。関数の算出はストライ
プ毎に行い、例えばマスクショット３ａ〜３ｅで構成さ
れるストライプの関数は３ｓ１の様になる。同様にマス
クショット３ｆ〜３ｊに対して３ｓ２、マスクショット
３ｋ〜３ｏに対して３ｓ２、マスクショット３ｐ〜３ｔ
に対して３ｓ４、マスクショット３ｕ〜３ｙに対して３
ｓ５を算出する。
【００３９】関数の求め方としては、Ｎ次関数近似、累
乗関数近似、多項式関数近似、スプライン補完等、一般
に知られている種々の方法を用いることができる。更
に、これらの関数と実際のマーク位置との距離を誤差最
小自乗法などで評価して、実際のマーク位置に対して最
もよくフィットするものを採用してもよい。
乗関数近似、多項式関数近似、スプライン補完等、一般
に知られている種々の方法を用いることができる。更
に、これらの関数と実際のマーク位置との距離を誤差最
小自乗法などで評価して、実際のマーク位置に対して最
もよくフィットするものを採用してもよい。
【００４０】次に相対走査方向のパターン倍率を求める
為にマスクストライプ長を算出する。例えばマスクショ
ット３ａのアライメントマーク３ａ１とマスクショット
３ｅのアライメントマーク３ｅ４との相対走査方向の距
離と、マスクショット３ａのアライメントマーク３ａ２
とマスクショット３ｅのアライメントマーク３ｅ３の相
対走査方向の距離との平均値をこのマスクストライプの
マスクストライプ長ｄｓ１として算出する。同様にして
各マスクストライプのマスクストライプ長ｄｓ２〜ｄｓ
５を算出する。これらマスクストライプ長ｄｓ１〜ｄｓ
５の平均値ｄｓｍを転写マスク３の設計上のマスクスト
ライプ長ｄｓで除した値ｄｓｍ／ｄｓを第１のパターン
倍率である相対走査方向のパターン倍率Ｓｍｍとする。
為にマスクストライプ長を算出する。例えばマスクショ
ット３ａのアライメントマーク３ａ１とマスクショット
３ｅのアライメントマーク３ｅ４との相対走査方向の距
離と、マスクショット３ａのアライメントマーク３ａ２
とマスクショット３ｅのアライメントマーク３ｅ３の相
対走査方向の距離との平均値をこのマスクストライプの
マスクストライプ長ｄｓ１として算出する。同様にして
各マスクストライプのマスクストライプ長ｄｓ２〜ｄｓ
５を算出する。これらマスクストライプ長ｄｓ１〜ｄｓ
５の平均値ｄｓｍを転写マスク３の設計上のマスクスト
ライプ長ｄｓで除した値ｄｓｍ／ｄｓを第１のパターン
倍率である相対走査方向のパターン倍率Ｓｍｍとする。
【００４１】以上のようにして得られた各ストライプの
関数３ｓ１〜３ｓ５と相対走査方向のパターン倍率Ｓｍ
ｍを記憶しておく（ステップ２６）。
関数３ｓ１〜３ｓ５と相対走査方向のパターン倍率Ｓｍ
ｍを記憶しておく（ステップ２６）。
【００４２】ここまでのステップで各マスクストライプ
に対する関数と転写マスク３の相対走査方向のパターン
倍率が決定され記憶されたことになる。以降のステップ
ではステップ２５で求めた関数をもとに各マスクショッ
トの転写開始位置を決定して実際の露光処理へ移ってゆ
く。
に対する関数と転写マスク３の相対走査方向のパターン
倍率が決定され記憶されたことになる。以降のステップ
ではステップ２５で求めた関数をもとに各マスクショッ
トの転写開始位置を決定して実際の露光処理へ移ってゆ
く。
【００４３】ステップ２４で記憶しておいた各マスクシ
ョットのアライメントマーク位置とステップ２５で算出
した関数から各マスクショットの転写開始位置を算出す
る（ステップ２７）。
ョットのアライメントマーク位置とステップ２５で算出
した関数から各マスクショットの転写開始位置を算出す
る（ステップ２７）。
【００４４】各マスクショットの転写開始位置の算出に
は種々の方法が考えられるが、例えばマスクショット３
ａに対しては、アライメントマーク３ａ１とアライメン
トマーク３ａ２の相対走査方向、すなわち、ｘ座標の平
均値に、アライメントマークから転写開始位置までの設
計上のオフセット値にステップ２５で算出した相対走査
方向のパターン倍率Ｓｍｍを乗じたもの、を加えた値を
転写開始位置のｘ座標とし、同様に転写終了位置のｘ座
標も算出することができる。
は種々の方法が考えられるが、例えばマスクショット３
ａに対しては、アライメントマーク３ａ１とアライメン
トマーク３ａ２の相対走査方向、すなわち、ｘ座標の平
均値に、アライメントマークから転写開始位置までの設
計上のオフセット値にステップ２５で算出した相対走査
方向のパターン倍率Ｓｍｍを乗じたもの、を加えた値を
転写開始位置のｘ座標とし、同様に転写終了位置のｘ座
標も算出することができる。
【００４５】ここでステップ２２で全てのマスクショッ
トを指定している場合には、前述の処理を全てのマスク
ショットに対して行い各マスクショットの転写開始位置
を求めればよい。ステップ２２で全てのマスクショット
を指定していない場合、例えば本実施形態のような場合
にマスクショット３ｂの転写開始位置と転写終了位置を
求めるには、まず先述の手順でマスクショット３ａの転
写開始位置と転写終了位置を求め、同様にしてマスクシ
ョット３ｃの転写位置と転写終了位置を求めた後、マス
クショット３ａの転写開始位置のｘ座標とマスクショッ
ト３ｃの転写開始位置のｘ座標との中点を算出すればよ
い。また転写終了位置についても同様に算出すればよ
い。ここで中点を用いたのはマスクショット３ｂの設計
上の位置がマスクショット３ａとマスクショット３ｃの
中央に配置されているためであり、ステップ２２での計
測マスクショットの指定の仕方と各マスクショットの設
計上の配置から決定されることはいうまでもない。
トを指定している場合には、前述の処理を全てのマスク
ショットに対して行い各マスクショットの転写開始位置
を求めればよい。ステップ２２で全てのマスクショット
を指定していない場合、例えば本実施形態のような場合
にマスクショット３ｂの転写開始位置と転写終了位置を
求めるには、まず先述の手順でマスクショット３ａの転
写開始位置と転写終了位置を求め、同様にしてマスクシ
ョット３ｃの転写位置と転写終了位置を求めた後、マス
クショット３ａの転写開始位置のｘ座標とマスクショッ
ト３ｃの転写開始位置のｘ座標との中点を算出すればよ
い。また転写終了位置についても同様に算出すればよ
い。ここで中点を用いたのはマスクショット３ｂの設計
上の位置がマスクショット３ａとマスクショット３ｃの
中央に配置されているためであり、ステップ２２での計
測マスクショットの指定の仕方と各マスクショットの設
計上の配置から決定されることはいうまでもない。
【００４６】このようにして算出した各マスクショット
の転写開始位置と転写終了位置を記憶しておく（ステッ
プ２８）。
の転写開始位置と転写終了位置を記憶しておく（ステッ
プ２８）。
【００４７】次に、ステップ２６で記憶しておいた相対
走査方向のパターン倍率Ｓｍｍを読み出して、マスクス
テージ６のｘ方向の駆動速度の倍率である駆動倍率とし
て設定する（ステップ２９）。
走査方向のパターン倍率Ｓｍｍを読み出して、マスクス
テージ６のｘ方向の駆動速度の倍率である駆動倍率とし
て設定する（ステップ２９）。
【００４８】露光処理が開始されると（ステップ３
０）、マスクショット番号ｎが１に初期化され（ステッ
プ３１）、以降のショット露光のループに進む。
０）、マスクショット番号ｎが１に初期化され（ステッ
プ３１）、以降のショット露光のループに進む。
【００４９】ｎ＝１のとき、マスクショット３ａとな
る。このループの最初は、まずステップ２８で記憶した
１番目のマスクショット３ａの転写開始位置を読み出す
（ステップ３２）。
る。このループの最初は、まずステップ２８で記憶した
１番目のマスクショット３ａの転写開始位置を読み出す
（ステップ３２）。
【００５０】次に、ｘ、ｙ、θ軸を有するマスクステー
ジ６を駆動して、読み出した転写位置にマスクショット
３ａを移動させる（ステップ３３）。この動作と同時に
ウエハステージ１１を駆動し（ステップ３４）、ウエハ
１０を１番目のマスクショット３ａが転写されるべき位
置に移動する。これらステップ３３及びステップ３４で
駆動された各ステージの位置は相対走査の開始位置であ
る。
ジ６を駆動して、読み出した転写位置にマスクショット
３ａを移動させる（ステップ３３）。この動作と同時に
ウエハステージ１１を駆動し（ステップ３４）、ウエハ
１０を１番目のマスクショット３ａが転写されるべき位
置に移動する。これらステップ３３及びステップ３４で
駆動された各ステージの位置は相対走査の開始位置であ
る。
【００５１】次に、ステップ２６で記憶しておいた関数
のうち当該マスクショット、この場合マスクショット３
ａが含まれるマスクストライプの関数３ｓ１を読み出す
（ステップ３５）。この段階でこのショットに対する、
露光準備ができたことになる。
のうち当該マスクショット、この場合マスクショット３
ａが含まれるマスクストライプの関数３ｓ１を読み出す
（ステップ３５）。この段階でこのショットに対する、
露光準備ができたことになる。
【００５２】次に、ビーム制御系２を駆動して荷電ビー
ム１２をマスクショット３ａに照射してウエハ１０上の
ウエハショット１０ａとして転写を開始し、マスクステ
ージ６とウエハステージ１１とを荷電ビーム１２に対し
て相対走査しながらマスクショット３ａの全域をウエハ
１０上に転写する（ステップ３６）。このときマスクス
テージ６はステップ３５で読み出した関数３ｓ１上をト
レースするように駆動する。この関数上をトレースする
ということが本発明の最大の特徴であり、このことによ
って各マスクショットがもっている湾曲や歪みの補正を
可能にしているのである。
ム１２をマスクショット３ａに照射してウエハ１０上の
ウエハショット１０ａとして転写を開始し、マスクステ
ージ６とウエハステージ１１とを荷電ビーム１２に対し
て相対走査しながらマスクショット３ａの全域をウエハ
１０上に転写する（ステップ３６）。このときマスクス
テージ６はステップ３５で読み出した関数３ｓ１上をト
レースするように駆動する。この関数上をトレースする
ということが本発明の最大の特徴であり、このことによ
って各マスクショットがもっている湾曲や歪みの補正を
可能にしているのである。
【００５３】このショットに対する露光が完了すると、
全てのショットの露光が完了したかどうかを判別する
（ステップ３７）。まだ全てのショットの露光が完了せ
ず、次のショットの露光を行うなら、マスクショット番
号ｎに１を加え（ステップ３８）、ステップ３２に戻
る。
全てのショットの露光が完了したかどうかを判別する
（ステップ３７）。まだ全てのショットの露光が完了せ
ず、次のショットの露光を行うなら、マスクショット番
号ｎに１を加え（ステップ３８）、ステップ３２に戻
る。
【００５４】このステップ３２〜ステップ３８のループ
を繰り返し、マスクショット３ｂ〜３ｙについても同様
の処理を行う。全てのマスクショット３ａ〜３ｙに対す
る処理が完了すると、このループから抜け出し、次のチ
ップ処理工程へ進む（ステップ３９）。これでウエハ１
０上に所望のチップないしパターン１個が転写されたこ
とになる。なお、ウエハ１０上に複数のチップを転写す
るためには、上記フローのステップ３１〜ステップ３９
までをチップの数だけ繰り返せばよい。
を繰り返し、マスクショット３ｂ〜３ｙについても同様
の処理を行う。全てのマスクショット３ａ〜３ｙに対す
る処理が完了すると、このループから抜け出し、次のチ
ップ処理工程へ進む（ステップ３９）。これでウエハ１
０上に所望のチップないしパターン１個が転写されたこ
とになる。なお、ウエハ１０上に複数のチップを転写す
るためには、上記フローのステップ３１〜ステップ３９
までをチップの数だけ繰り返せばよい。
【００５５】以上の通り、転写マスク３上の部分転写パ
ターンに対応するアライメントマークのうちの幾つかを
指定して、それらの位置から各マスクストライプ毎の関
数を求め、転写に際してはそれらの関数上をトレースし
ながら各マスクショットを相対走査することで、各部分
転写パターンの湾曲や歪みを補正することができ、アラ
イメントに要する時間を短縮しつつ繋ぎ精度の高い転写
像１０１を得ることができる。 （第２の実施形態）本実施形態では、マスクショットの
相対走査方向に直交する方向、すなわち、ｙ軸方向のパ
ターン倍率にも着目し補正を可能にすることで、部分転
写パターンの繋ぎ精度をさらに改善している。この方法
は、マスクショットの相対走査方向のパターン倍率とそ
れに直交する方向のパターン倍率に差がある場合に有効
である。以降、第１の実施形態の説明で用いた図５のマ
スクショットレイアウト、図２及び図３に示すフローチ
ャートを用いて、本実施形態の転写方法を説明する。
ターンに対応するアライメントマークのうちの幾つかを
指定して、それらの位置から各マスクストライプ毎の関
数を求め、転写に際してはそれらの関数上をトレースし
ながら各マスクショットを相対走査することで、各部分
転写パターンの湾曲や歪みを補正することができ、アラ
イメントに要する時間を短縮しつつ繋ぎ精度の高い転写
像１０１を得ることができる。 （第２の実施形態）本実施形態では、マスクショットの
相対走査方向に直交する方向、すなわち、ｙ軸方向のパ
ターン倍率にも着目し補正を可能にすることで、部分転
写パターンの繋ぎ精度をさらに改善している。この方法
は、マスクショットの相対走査方向のパターン倍率とそ
れに直交する方向のパターン倍率に差がある場合に有効
である。以降、第１の実施形態の説明で用いた図５のマ
スクショットレイアウト、図２及び図３に示すフローチ
ャートを用いて、本実施形態の転写方法を説明する。
【００５６】まず、図２のフローチャートのステップ２
０〜ステップ２６は先述の第１の実施形態と同様で、図
５の転写マスクを装置にロードして基準合わせを行った
後、指定されたアライメントマークの計測を行う。指定
するアライメントマークは第１の実施形態と同じである
が、全てのマークを指定してもよく、本実施形態では後
述するように、全てのマークを指定すると最大の効果が
得られる。アライメントマークの計測から各マークの位
置を求めて、各マスクストライプに対応する関数と転写
マスク３の相対走査方向のパターン倍率Ｓｍｍを算出し
記憶しておく（ステップ２６）。
０〜ステップ２６は先述の第１の実施形態と同様で、図
５の転写マスクを装置にロードして基準合わせを行った
後、指定されたアライメントマークの計測を行う。指定
するアライメントマークは第１の実施形態と同じである
が、全てのマークを指定してもよく、本実施形態では後
述するように、全てのマークを指定すると最大の効果が
得られる。アライメントマークの計測から各マークの位
置を求めて、各マスクストライプに対応する関数と転写
マスク３の相対走査方向のパターン倍率Ｓｍｍを算出し
記憶しておく（ステップ２６）。
【００５７】次に、ステップ２４で記憶した各アライメ
ントマークの位置を読み出して各マスクショットの相対
走査方向と直交する方向のパターン倍率Ｍｖｎを算出す
る（ステップ２００）。
ントマークの位置を読み出して各マスクショットの相対
走査方向と直交する方向のパターン倍率Ｍｖｎを算出す
る（ステップ２００）。
【００５８】ここでの処理は、図７に示すように例えば
マスクショット３ａに関して、アライメントマーク３ａ
１と３ａ２の実際のマーク位置の間隔をｄｖａ１とし、
同様にアライメントマーク３ａ３と３ａ４の実際のマー
ク位置間隔をｄｖａ３とするとき、それらの平均値を設
計上のマーク間隔Ｄｖｆで除した値、（ｄｖａ１＋ｄｖ
ａ３）／２Ｄｖｆを相対走査方向と直交する方向のパタ
ーン倍率Ｍｖ１として算出する。ここでステップ２２で
全てのマスクショットを指定していない場合は、指定し
た各マスクショットの相対走査方向と直交する方向のパ
ターン倍率Ｍｖｎの平均値を求め、第３のパターン倍率
である各マスクショットの相対走査方向と直交する方向
の平均パターン倍率をＭｍとして記憶しておく（ステッ
プ２０１）。また、ステップ２２で全てのマスクショッ
トが指定されている場合は、第２のパターン倍率である
全てのマスクショットの相対走査方向と直交する方向の
パターン倍率Ｍｖｎを各マスクショット毎にステップ２
０１で記憶しておく。
マスクショット３ａに関して、アライメントマーク３ａ
１と３ａ２の実際のマーク位置の間隔をｄｖａ１とし、
同様にアライメントマーク３ａ３と３ａ４の実際のマー
ク位置間隔をｄｖａ３とするとき、それらの平均値を設
計上のマーク間隔Ｄｖｆで除した値、（ｄｖａ１＋ｄｖ
ａ３）／２Ｄｖｆを相対走査方向と直交する方向のパタ
ーン倍率Ｍｖ１として算出する。ここでステップ２２で
全てのマスクショットを指定していない場合は、指定し
た各マスクショットの相対走査方向と直交する方向のパ
ターン倍率Ｍｖｎの平均値を求め、第３のパターン倍率
である各マスクショットの相対走査方向と直交する方向
の平均パターン倍率をＭｍとして記憶しておく（ステッ
プ２０１）。また、ステップ２２で全てのマスクショッ
トが指定されている場合は、第２のパターン倍率である
全てのマスクショットの相対走査方向と直交する方向の
パターン倍率Ｍｖｎを各マスクショット毎にステップ２
０１で記憶しておく。
【００５９】次に、ステップ２２の計測マーク指定が全
てのマスクショットに対して為されているかどうかを判
別し（ステップ２０２）、全てに対して為されていれ
ば、ステップ２０３〜ステップ２０５をスキップし、そ
うでなければステップ２０３を実行するように分岐させ
る。この理由は各マスクショットの相対走査方向と直交
する方向の平均パターン倍率Ｍｍを用いる場合には、あ
らかじめ倍率補正系８を駆動して（ステップ２０４）、
全てのマスクショットに対して同じ量の補正を行うこと
が可能だからである。
てのマスクショットに対して為されているかどうかを判
別し（ステップ２０２）、全てに対して為されていれ
ば、ステップ２０３〜ステップ２０５をスキップし、そ
うでなければステップ２０３を実行するように分岐させ
る。この理由は各マスクショットの相対走査方向と直交
する方向の平均パターン倍率Ｍｍを用いる場合には、あ
らかじめ倍率補正系８を駆動して（ステップ２０４）、
全てのマスクショットに対して同じ量の補正を行うこと
が可能だからである。
【００６０】これに対してステップ２２で全てのマスク
ショットが指定されていれば、各々のマスクショットに
対して、各々に最適な個別の相対走査方向と直交する方
向のパターン倍率Ｍｖｂでの補正が可能となる。この場
合は後述するショット露光のループのなかで各ショット
毎に倍率補正系８を駆動して補正を行う必要がある。こ
のため、全てのマスクショットが指定されている場合
は、ステップ２０３〜ステップ２０５をスキップする。
ショットが指定されていれば、各々のマスクショットに
対して、各々に最適な個別の相対走査方向と直交する方
向のパターン倍率Ｍｖｂでの補正が可能となる。この場
合は後述するショット露光のループのなかで各ショット
毎に倍率補正系８を駆動して補正を行う必要がある。こ
のため、全てのマスクショットが指定されている場合
は、ステップ２０３〜ステップ２０５をスキップする。
【００６１】ここでステップ２２で全てのマスクショッ
トが指定されていれば、ステップ２０１で記憶しておい
た各マスクショットの相対走査方向と直交する方向の平
均パターン倍率Ｍｍを読み出し（ステップ２０３）、倍
率補正系８を駆動してマスクショットに対する倍率補正
を行う（ステップ２０４）。
トが指定されていれば、ステップ２０１で記憶しておい
た各マスクショットの相対走査方向と直交する方向の平
均パターン倍率Ｍｍを読み出し（ステップ２０３）、倍
率補正系８を駆動してマスクショットに対する倍率補正
を行う（ステップ２０４）。
【００６２】次に、ステップ２６で記憶しておいた相対
走査方向のパターン倍率Ｓｍｍと各マスクショットの相
対走査方向と直交する方向の平均パターン倍率Ｍｍから
マスクステージ６の駆動速度の倍率である駆動倍率を求
め設定する（ステップ２０５）。この理由は本実施形態
における倍率補正系８の補正形態が、荷電ビーム１２の
光軸に軸対称に作用するように構成されているためで、
この場合の相対走査方向のパターン倍率はＳｍｍを倍率
補正系８に与えた補正値Ｍｍで除した値Ｓｍｍ／Ｍｍと
なる。ここで倍率補正系８の補正形態が相対走査方向と
直交する方向のみに作用するような構成であれば、相対
走査方向のパターン倍率Ｓｍｍをそのまま用いればよ
い。
走査方向のパターン倍率Ｓｍｍと各マスクショットの相
対走査方向と直交する方向の平均パターン倍率Ｍｍから
マスクステージ６の駆動速度の倍率である駆動倍率を求
め設定する（ステップ２０５）。この理由は本実施形態
における倍率補正系８の補正形態が、荷電ビーム１２の
光軸に軸対称に作用するように構成されているためで、
この場合の相対走査方向のパターン倍率はＳｍｍを倍率
補正系８に与えた補正値Ｍｍで除した値Ｓｍｍ／Ｍｍと
なる。ここで倍率補正系８の補正形態が相対走査方向と
直交する方向のみに作用するような構成であれば、相対
走査方向のパターン倍率Ｓｍｍをそのまま用いればよ
い。
【００６３】以降、第１の実施形態と同様に、各マスク
ショットの転写開始位置と転写終了位置を算出し（ステ
ップ２０６）、記憶した後（ステップ２０７）、一連の
露光処理が開始する（ステップ２０８）。
ショットの転写開始位置と転写終了位置を算出し（ステ
ップ２０６）、記憶した後（ステップ２０７）、一連の
露光処理が開始する（ステップ２０８）。
【００６４】次に、図３において、第１の実施形態と同
様にマスクショット番号ｎが１に初期化されて（ステッ
プ２０９）、ショット露光のループであるステップ２１
０〜ステップ２２０へ進む。
様にマスクショット番号ｎが１に初期化されて（ステッ
プ２０９）、ショット露光のループであるステップ２１
０〜ステップ２２０へ進む。
【００６５】次に、計測マーク指定が全てのマスクショ
ットに対して為されているかどうかを判別する（ステッ
プ２１０）。
ットに対して為されているかどうかを判別する（ステッ
プ２１０）。
【００６６】ステップ２２で全てのマスクショットを指
定している場合、すなわち、パターン倍率の補正を各マ
スクショット毎に行うのであれば、ステップ２０１で記
憶しておいた当該マスクショットの相対走査方向と直交
する方向のパターン倍率Ｍｖｎを読み出して（ステップ
２１１）、倍率補正系８を駆動して相対走査方向と直交
する方向のパターン倍率を補正し（ステップ２１２）、
同時に当該ショットの相対走査方向のパターン倍率とし
て、Ｓｍｍ／Ｍｖｎをマスクステージ６の駆動倍率とし
て設定する。
定している場合、すなわち、パターン倍率の補正を各マ
スクショット毎に行うのであれば、ステップ２０１で記
憶しておいた当該マスクショットの相対走査方向と直交
する方向のパターン倍率Ｍｖｎを読み出して（ステップ
２１１）、倍率補正系８を駆動して相対走査方向と直交
する方向のパターン倍率を補正し（ステップ２１２）、
同時に当該ショットの相対走査方向のパターン倍率とし
て、Ｓｍｍ／Ｍｖｎをマスクステージ６の駆動倍率とし
て設定する。
【００６７】ステップ２２で全てのマスクショットを指
定していない場合、すなわち、各マスクショットの相対
走査方向と直交する方向の平均パターン倍率Ｍｍを用い
て、全てのマスクショットに対して同じ量の補正を与え
るならば、すでにステップ２０４で倍率補正系８を各マ
スクショットの相対走査方向と直交する方向の平均パタ
ーン倍率Ｍｍに基づいて駆動してあるので、ステップ２
１１〜ステップ２１３をスキップする。
定していない場合、すなわち、各マスクショットの相対
走査方向と直交する方向の平均パターン倍率Ｍｍを用い
て、全てのマスクショットに対して同じ量の補正を与え
るならば、すでにステップ２０４で倍率補正系８を各マ
スクショットの相対走査方向と直交する方向の平均パタ
ーン倍率Ｍｍに基づいて駆動してあるので、ステップ２
１１〜ステップ２１３をスキップする。
【００６８】ステップ２１４〜ステップ２１７は第１の
実施形態と同様で、当該マスクショットの転写開始位置
を読み出して（ステップ２１４）、マスクステージ６を
駆動し（ステップ２１５）、そのマスクショットの転写
像がウエハ１０上の転写されるべき位置にくるようにウ
エハステージ１１を駆動し（ステップ２１６）、当該マ
スクショットに対応するマスクストライプの関数を読み
出し（ステップ２１７）、相対走査露光の開始に備え
る。
実施形態と同様で、当該マスクショットの転写開始位置
を読み出して（ステップ２１４）、マスクステージ６を
駆動し（ステップ２１５）、そのマスクショットの転写
像がウエハ１０上の転写されるべき位置にくるようにウ
エハステージ１１を駆動し（ステップ２１６）、当該マ
スクショットに対応するマスクストライプの関数を読み
出し（ステップ２１７）、相対走査露光の開始に備え
る。
【００６９】以降、そのショットに対してマスクステー
ジ６を関数上をトレースするように駆動しながら相対走
査露光を行い（ステップ２１８）、ショットひとつ分の
処理が終了する。
ジ６を関数上をトレースするように駆動しながら相対走
査露光を行い（ステップ２１８）、ショットひとつ分の
処理が終了する。
【００７０】これ以降の各ステップは第１の実施形態と
同様で、ショットの数だけステップ２１０〜ステップ２
２０のループを繰り返し、全てのショットの露光が完了
したかどうかを判別し（ステップ２１９）、全てのショ
ットの露光が完了しておらず、次のショットの露光を行
うなら、マスクショット番号ｎに１を加え（ステップ２
２０）、ステップ２１０へ戻り、全てのショットの露光
が完了したなら、次のチップ処理工程へ進む（ステップ
２２１）。
同様で、ショットの数だけステップ２１０〜ステップ２
２０のループを繰り返し、全てのショットの露光が完了
したかどうかを判別し（ステップ２１９）、全てのショ
ットの露光が完了しておらず、次のショットの露光を行
うなら、マスクショット番号ｎに１を加え（ステップ２
２０）、ステップ２１０へ戻り、全てのショットの露光
が完了したなら、次のチップ処理工程へ進む（ステップ
２２１）。
【００７１】以上の通り、本実施形態では各ショットの
相対走査方向と直交する方向のパターン倍率にも着目し
補正することで、更に繋ぎ精度の高い転写像１０１を得
ることができる。
相対走査方向と直交する方向のパターン倍率にも着目し
補正することで、更に繋ぎ精度の高い転写像１０１を得
ることができる。
【００７２】以上の通り、第１の実施形態に加えて、部
分転写パターンの相対走査方向に直交する方向のパター
ン倍率を補正することでさらに繋ぎ精度の高い転写像１
０１を得ることができる。 （第３の実施形態）第１ないし第２の実施形態では、部
分転写パターンの露光に際して、各部分転写パターンの
転写開始位置にウエハを移動してその後相対走査によっ
て露光する、いわゆるステップ・アンド・スキャン方式
に本発明を適用した例について説明した。これに対して
本実施形態では、各部分転写パターンを転写する際に、
各マスクストライプ毎に、ひとつのマスクショットから
次のマスクショットヘマスクステージ６とウエハステー
ジ１１を停止させることなく連続移動させながら、転写
するように構成してある。こうすることで応答速度の遅
い機械式ステージの急激な加減速や停止による時間のロ
スを抑えて、装置全体のスループットを更に向上させて
いる。また本実施形態では、相対走査方向と直交する方
向のパターン倍率と相対走査方向のパターン倍率を各マ
スクストライプ毎に補正する方式を採用しており、繋ぎ
合わせ精度の向上をも図っている。
分転写パターンの相対走査方向に直交する方向のパター
ン倍率を補正することでさらに繋ぎ精度の高い転写像１
０１を得ることができる。 （第３の実施形態）第１ないし第２の実施形態では、部
分転写パターンの露光に際して、各部分転写パターンの
転写開始位置にウエハを移動してその後相対走査によっ
て露光する、いわゆるステップ・アンド・スキャン方式
に本発明を適用した例について説明した。これに対して
本実施形態では、各部分転写パターンを転写する際に、
各マスクストライプ毎に、ひとつのマスクショットから
次のマスクショットヘマスクステージ６とウエハステー
ジ１１を停止させることなく連続移動させながら、転写
するように構成してある。こうすることで応答速度の遅
い機械式ステージの急激な加減速や停止による時間のロ
スを抑えて、装置全体のスループットを更に向上させて
いる。また本実施形態では、相対走査方向と直交する方
向のパターン倍率と相対走査方向のパターン倍率を各マ
スクストライプ毎に補正する方式を採用しており、繋ぎ
合わせ精度の向上をも図っている。
【００７３】以降、図５のマスクショットレイアウト及
び図４に示すフローチャートを用いて、本実施形態の転
写方法を説明する。
び図４に示すフローチャートを用いて、本実施形態の転
写方法を説明する。
【００７４】まず、図４のフローチャートのステップ２
０〜ステップ２６は先述の第１の実施形態と同様で、図
５の転写マスク３を装置にロードして基準合わせを行っ
た後、指定されたアライメントマークの計測を行う。指
定するアライメントマークは第１の実施形態と同じであ
るが、全てのマークを指定してもよい。アライメントマ
ークの計測から各マークの位置を求めて、各マスクスト
ライプに対応する関数３ｓ１〜３ｓ５を求める。また本
実施形態では第４のパターン倍率である各マスクストラ
イプ毎の相対走査方向のパターン倍率Ｓｍ１〜Ｓｍ５を
算出し関数３ｓ１〜３ｓ５とともに記憶しておく（ステ
ップ２６）。なお、ここでの相対走査方向のパターン倍
率は、先述の第１の実施形態と同じ方法で求めた、各マ
スクストライプの相対走査方向のパターン倍率を平均す
ることなく、そのまま用いればよい。
０〜ステップ２６は先述の第１の実施形態と同様で、図
５の転写マスク３を装置にロードして基準合わせを行っ
た後、指定されたアライメントマークの計測を行う。指
定するアライメントマークは第１の実施形態と同じであ
るが、全てのマークを指定してもよい。アライメントマ
ークの計測から各マークの位置を求めて、各マスクスト
ライプに対応する関数３ｓ１〜３ｓ５を求める。また本
実施形態では第４のパターン倍率である各マスクストラ
イプ毎の相対走査方向のパターン倍率Ｓｍ１〜Ｓｍ５を
算出し関数３ｓ１〜３ｓ５とともに記憶しておく（ステ
ップ２６）。なお、ここでの相対走査方向のパターン倍
率は、先述の第１の実施形態と同じ方法で求めた、各マ
スクストライプの相対走査方向のパターン倍率を平均す
ることなく、そのまま用いればよい。
【００７５】次に、ステップ２４で記憶した各アライメ
ントマークの位置を読み出して各マスクストライプ毎の
平均パターン倍率Ｍｍ１〜Ｍｍ５を算出し（ステップ３
００）、各マスクストライプ毎に記憶しておく（ステッ
プ３０１）。各マスクショットのパターン倍率を算出す
る方法は第２の実施形態と同じであり、それらをマスク
ストライプ毎に平均してＭｍ１〜Ｍｍ５を得ている。
ントマークの位置を読み出して各マスクストライプ毎の
平均パターン倍率Ｍｍ１〜Ｍｍ５を算出し（ステップ３
００）、各マスクストライプ毎に記憶しておく（ステッ
プ３０１）。各マスクショットのパターン倍率を算出す
る方法は第２の実施形態と同じであり、それらをマスク
ストライプ毎に平均してＭｍ１〜Ｍｍ５を得ている。
【００７６】次に、各マスクストライプの転写開始位置
を算出する（ステップ３０２）が、例えばマスクショッ
ト３ａ〜マスクショット３ｅに対応するマスクストライ
プの転写開始位置として第１の実施形態におけるマスク
ショット３ａの転写開始位置を、転写終了位置としてマ
スクショット３ｅの転写終了位置を、各々採用すればよ
い。このようにして、全てのマスクストライプの転写開
始位置と転写終了位置を算出して記憶する（ステップ３
０３）。
を算出する（ステップ３０２）が、例えばマスクショッ
ト３ａ〜マスクショット３ｅに対応するマスクストライ
プの転写開始位置として第１の実施形態におけるマスク
ショット３ａの転写開始位置を、転写終了位置としてマ
スクショット３ｅの転写終了位置を、各々採用すればよ
い。このようにして、全てのマスクストライプの転写開
始位置と転写終了位置を算出して記憶する（ステップ３
０３）。
【００７７】以降、一連の露光処理が開始されると（ス
テップ３０４）、マスクストライプ番号Ｎが１に初期化
されて（ステップ３０５）、ストライプ露光のループで
あるステップ３０６〜ステップ３１５へ進む。
テップ３０４）、マスクストライプ番号Ｎが１に初期化
されて（ステップ３０５）、ストライプ露光のループで
あるステップ３０６〜ステップ３１５へ進む。
【００７８】次に、ステップ３０１で記憶しておいたマ
スクストライプＮに対応する平均パターン倍率ＭｍＮを
読み出して（ステップ３０６）、倍率補正系８を駆動し
て相対走査の方向に直交する方向のパターン倍率を補正
する（ステップ３０７）。
スクストライプＮに対応する平均パターン倍率ＭｍＮを
読み出して（ステップ３０６）、倍率補正系８を駆動し
て相対走査の方向に直交する方向のパターン倍率を補正
する（ステップ３０７）。
【００７９】さらに、ステップ２６で記憶しておいた当
該マスクストライプＮの相対走査方向のパターン倍率Ｓ
ｍＮを読み出し、先述の第２の実施形態と同じ理由から
ＳｍＮ／ＭｍＮをもってマスクステージ６の駆動速度の
倍率である駆動倍率として設定する（ステップ３０
８）。
該マスクストライプＮの相対走査方向のパターン倍率Ｓ
ｍＮを読み出し、先述の第２の実施形態と同じ理由から
ＳｍＮ／ＭｍＮをもってマスクステージ６の駆動速度の
倍率である駆動倍率として設定する（ステップ３０
８）。
【００８０】次にステップ３０３で記憶しておいた、当
該マスクストライプＮの転写開始位置を読み出し（ステ
ップ３０９）、マスクステージ６を移動させる（ステッ
プ３１０）と同時に、ウエハステージ１１を駆動して
（ステップ３１１）、ウエハ１０を当該マスクストライ
プＮが転写されるべき位置に移動させる。さらにステッ
プ２６で記憶しておいた当該マスクストライプＮの関数
３ｓＮを読み出し（ステップ３１２）、当該マスクスト
ライプＮに対する走査露光の準備が完了する。
該マスクストライプＮの転写開始位置を読み出し（ステ
ップ３０９）、マスクステージ６を移動させる（ステッ
プ３１０）と同時に、ウエハステージ１１を駆動して
（ステップ３１１）、ウエハ１０を当該マスクストライ
プＮが転写されるべき位置に移動させる。さらにステッ
プ２６で記憶しておいた当該マスクストライプＮの関数
３ｓＮを読み出し（ステップ３１２）、当該マスクスト
ライプＮに対する走査露光の準備が完了する。
【００８１】以降、マスクストライプＮに対して荷電ビ
ーム１２が関数３ｓＮ上をトレースするように相対走査
露光を行う（ステップ３１３）。本実施形態では相対走
査工程をマスクステージ６と、ウエハステージ１１と、
偏向器１５とを用いて行っている。すなわち、マスクス
テージ６とウエハステージ１１を各々の転写開始位置か
ら直線状に相対駆動させておいて、関数３ｓ１のトレー
スは偏向器１５を駆動することで実現している。この理
由は、転写マスク３及びウエハ１０の連続移動中に各マ
スクショット間に存在する梁状の領域を関数３ｓ１に沿
ってスキップさせる必要があるからである。
ーム１２が関数３ｓＮ上をトレースするように相対走査
露光を行う（ステップ３１３）。本実施形態では相対走
査工程をマスクステージ６と、ウエハステージ１１と、
偏向器１５とを用いて行っている。すなわち、マスクス
テージ６とウエハステージ１１を各々の転写開始位置か
ら直線状に相対駆動させておいて、関数３ｓ１のトレー
スは偏向器１５を駆動することで実現している。この理
由は、転写マスク３及びウエハ１０の連続移動中に各マ
スクショット間に存在する梁状の領域を関数３ｓ１に沿
ってスキップさせる必要があるからである。
【００８２】本発明の主眼はマスクストライプ毎の関数
上をトレースさせて各マスクストライプの部分転写パタ
ーンの湾曲や歪みを補正することにあるので詳述しない
が、各マスクショット間に存在する梁状の領域をスキッ
プさせるには以下のように転写を行う。
上をトレースさせて各マスクストライプの部分転写パタ
ーンの湾曲や歪みを補正することにあるので詳述しない
が、各マスクショット間に存在する梁状の領域をスキッ
プさせるには以下のように転写を行う。
【００８３】例えば、マスクショット３ａの相対走査に
よる転写が終了し、荷電ビーム１２が次に転写するべき
マスクショット３ｂの転写開始位置に到達した時点でマ
スクショット３ｂの転写像を偏向器１５を用いて関数３
ｓ１に沿ってウエハ１０に対して移動させて、ウエハ１
０上に既に転写されているマスクショット３ａの転写パ
ターンに繋ぎ合わせるようにすればよい。
よる転写が終了し、荷電ビーム１２が次に転写するべき
マスクショット３ｂの転写開始位置に到達した時点でマ
スクショット３ｂの転写像を偏向器１５を用いて関数３
ｓ１に沿ってウエハ１０に対して移動させて、ウエハ１
０上に既に転写されているマスクショット３ａの転写パ
ターンに繋ぎ合わせるようにすればよい。
【００８４】また、偏向器１５の数や配置によって様々
な方法が考えられるが、どのような手法を用いても各マ
スクショットを関数上をトレースしながら相対走査して
露光することの効果に変わりはない。以上のようにして
ストライプひとつ分の処理が終了する。
な方法が考えられるが、どのような手法を用いても各マ
スクショットを関数上をトレースしながら相対走査して
露光することの効果に変わりはない。以上のようにして
ストライプひとつ分の処理が終了する。
【００８５】これ以降の各ステップは、ステップ３０６
〜ステップ３１５のループを繰り返し、全てのストライ
プの露光が完了したかどうかを判別し（ステップ３１
４）、まだ全てのストライプの露光が完了せず、次のス
トライプの露光を行うなら、ストライプ番号Ｎに１を加
え（ステップ３１５）、ステップ３０６に戻る。全ての
ストライプに対する処理が完了すると、このループから
抜け出し、次のチップ処理工程へ進む（ステップ３１
６）。
〜ステップ３１５のループを繰り返し、全てのストライ
プの露光が完了したかどうかを判別し（ステップ３１
４）、まだ全てのストライプの露光が完了せず、次のス
トライプの露光を行うなら、ストライプ番号Ｎに１を加
え（ステップ３１５）、ステップ３０６に戻る。全ての
ストライプに対する処理が完了すると、このループから
抜け出し、次のチップ処理工程へ進む（ステップ３１
６）。
【００８６】以上、述べたように、各マスクストライプ
毎に、ひとつのマスクショットから次のマスクショット
ヘマスクステージ６とウエハステージ１１を停止させる
ことなく連続移動させながら、転写するように構成する
ことで、各ステージの急激な加減速や停止による時間の
ロスを抑えて、装置全体のスループットを更に向上させ
ると同時に、相対走査方向と直交する方向のパターン倍
率と相対走査方向のパターン倍率を各マスクストライプ
毎に補正して、繋ぎ合わせ精度の向上を図ることができ
る。
毎に、ひとつのマスクショットから次のマスクショット
ヘマスクステージ６とウエハステージ１１を停止させる
ことなく連続移動させながら、転写するように構成する
ことで、各ステージの急激な加減速や停止による時間の
ロスを抑えて、装置全体のスループットを更に向上させ
ると同時に、相対走査方向と直交する方向のパターン倍
率と相対走査方向のパターン倍率を各マスクストライプ
毎に補正して、繋ぎ合わせ精度の向上を図ることができ
る。
【００８７】以上説明した、第１ないし第３の実施形態
からわかるように、マスクショットの補正曲線による補
正は、マスクステージで実行している。しかしながら、
マスクとウエハは転写系によって決まる一定の相対関係
があるため、マスクステージのかわりにウエハステージ
によっても同様な補正が可能である。この様な配慮は、
各々のステージの機能や性能、駆動精度等によって選択
することで、ショットの繋ぎ合わせ精度を一段と向上さ
せることができる。また、本発明はあらゆる転写方式、
たとえば等倍投影転写系、縮小投影転写系、近接転写
系、密着転写系等の方式に適用ができる。また、第１な
いし第３の実施形態はいわゆる１ｓｔレイヤに本発明を
適用しているが、いわゆる２ｎｄレイヤ以降のレイヤで
あってもその効果は何ら変わるものではない。その場
合、ウエハ上のチップのアライメント方法は従来の光露
光装置などで採用されている種々の方法を用いることが
でき、例えばグローバルアライメント方式では、ウエハ
上のチップの並び方を計測して、その並び方を理論上の
並び方と比較してチップの並び方に関する座標系を補正
する。この補正された座標系を用いてウエハステージを
駆動するようにしておいて、その上で更に本実施形態を
適用すればよいのである。
からわかるように、マスクショットの補正曲線による補
正は、マスクステージで実行している。しかしながら、
マスクとウエハは転写系によって決まる一定の相対関係
があるため、マスクステージのかわりにウエハステージ
によっても同様な補正が可能である。この様な配慮は、
各々のステージの機能や性能、駆動精度等によって選択
することで、ショットの繋ぎ合わせ精度を一段と向上さ
せることができる。また、本発明はあらゆる転写方式、
たとえば等倍投影転写系、縮小投影転写系、近接転写
系、密着転写系等の方式に適用ができる。また、第１な
いし第３の実施形態はいわゆる１ｓｔレイヤに本発明を
適用しているが、いわゆる２ｎｄレイヤ以降のレイヤで
あってもその効果は何ら変わるものではない。その場
合、ウエハ上のチップのアライメント方法は従来の光露
光装置などで採用されている種々の方法を用いることが
でき、例えばグローバルアライメント方式では、ウエハ
上のチップの並び方を計測して、その並び方を理論上の
並び方と比較してチップの並び方に関する座標系を補正
する。この補正された座標系を用いてウエハステージを
駆動するようにしておいて、その上で更に本実施形態を
適用すればよいのである。
【００８８】次に上記説明したマスクパターン転写方法
を利用したデバイス製造方法の実施形態を説明する。図
９は微小デバイス（ＩＣや１ＳＩ等の半導体チップ、液
晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン
等）の製造フローを示す。ステップ１０１０（回路設
計）ではデバイスのパターン設計を行う。ステップ１０
２０（マスク製作）では設計したパターンを形成したマ
スクを製作する。一方、ステップ１０３０（ウエハ製
造）ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製
造する。ステップ１０４０（ウエハプロセス）は前工程
と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソ
グラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成す
る。次のステップ１０５０（組み立て）は後工程と呼ば
れ、ステップ１０４０によって作製されたウエハを用い
て半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程
（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程
（チップ封入）等の工程を含む。ステップ１０６０（検
査）ではステップ１０５０で作製された半導体デバイス
の動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こう
した工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷
（ステップ１０７０）される。図１０は上記ウエハプロ
セスの詳細なフローを示す。ステップ１１１０（酸化）
ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１１２０（Ｃ
ＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１
１３０（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって
形成する。ステップ１１４０（イオン打込み）ではウエ
ハにイオンを打ち込む。ステップ１１５０（レジスト処
理）ではウエハにレジストを塗布する。ステップ１１６
０（露光）では上記説明した露光装置または露光方法に
よってマスクの回路パターンをウエハの複数ショット領
域にならべて焼付露光する。ステップ１１７０（現像）
では露光したウエハを現像する。ステップ１１８０（エ
ッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取
る。ステップ１１９０（レジスト剥離）ではエッチング
が済んで不要になったレジストを取り除く。これらのス
テップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に
回路パターンが形成される。本実施形態の生産方法を用
いれば、従来は製造が難しかった大型のデバイスを低コ
ストに製造することができる。
を利用したデバイス製造方法の実施形態を説明する。図
９は微小デバイス（ＩＣや１ＳＩ等の半導体チップ、液
晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン
等）の製造フローを示す。ステップ１０１０（回路設
計）ではデバイスのパターン設計を行う。ステップ１０
２０（マスク製作）では設計したパターンを形成したマ
スクを製作する。一方、ステップ１０３０（ウエハ製
造）ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製
造する。ステップ１０４０（ウエハプロセス）は前工程
と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソ
グラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成す
る。次のステップ１０５０（組み立て）は後工程と呼ば
れ、ステップ１０４０によって作製されたウエハを用い
て半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程
（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程
（チップ封入）等の工程を含む。ステップ１０６０（検
査）ではステップ１０５０で作製された半導体デバイス
の動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こう
した工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷
（ステップ１０７０）される。図１０は上記ウエハプロ
セスの詳細なフローを示す。ステップ１１１０（酸化）
ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１１２０（Ｃ
ＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１
１３０（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって
形成する。ステップ１１４０（イオン打込み）ではウエ
ハにイオンを打ち込む。ステップ１１５０（レジスト処
理）ではウエハにレジストを塗布する。ステップ１１６
０（露光）では上記説明した露光装置または露光方法に
よってマスクの回路パターンをウエハの複数ショット領
域にならべて焼付露光する。ステップ１１７０（現像）
では露光したウエハを現像する。ステップ１１８０（エ
ッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取
る。ステップ１１９０（レジスト剥離）ではエッチング
が済んで不要になったレジストを取り除く。これらのス
テップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に
回路パターンが形成される。本実施形態の生産方法を用
いれば、従来は製造が難しかった大型のデバイスを低コ
ストに製造することができる。
【００８９】
【発明の効果】以上説明したように、あらかじめ、所望
の部分転写マスクのアライメントマークを指定し、指定
された部分転写パターンの各アライメントマークの位置
を計測し、これを基に各部分転写パターンの位置を定め
る関数を定めておき、さらに各アライメントマークの位
置を基に転写の倍率を求めておき、これら関数及び転写
の倍率を用いて被転写物に部分転写パターンを転写する
ことで、高いスループットを維持しつつ、高精度な繋ぎ
合わせが可能となった。さらに、走査露光工程で、転写
マスクと被転写物とを連続して相対走査させることによ
りさらに、スループットの向上を図ることができた。
の部分転写マスクのアライメントマークを指定し、指定
された部分転写パターンの各アライメントマークの位置
を計測し、これを基に各部分転写パターンの位置を定め
る関数を定めておき、さらに各アライメントマークの位
置を基に転写の倍率を求めておき、これら関数及び転写
の倍率を用いて被転写物に部分転写パターンを転写する
ことで、高いスループットを維持しつつ、高精度な繋ぎ
合わせが可能となった。さらに、走査露光工程で、転写
マスクと被転写物とを連続して相対走査させることによ
りさらに、スループットの向上を図ることができた。
【図１】本発明の第１の実施形態でのマスクショットの
転写方法を説明するフローチャートである。
転写方法を説明するフローチャートである。
【図２】本発明の第２の実施形態でのマスクショットの
転写方法を説明するフローチャートである。
転写方法を説明するフローチャートである。
【図３】本発明の第２の実施形態でのマスクショットの
転写方法を説明するフローチャートである。
転写方法を説明するフローチャートである。
【図４】本発明の第３の実施形態でのマスクショットの
転写方法を説明するフローチャートである。
転写方法を説明するフローチャートである。
【図５】第１ないし第３の実施形態でのマスクショット
及びウエハショットを説明する概略図である。
及びウエハショットを説明する概略図である。
【図６】本発明におけるマスクショットの位置を定める
関数を説明する概略図である。
関数を説明する概略図である。
【図７】本発明におけるマスクショット３ａのパターン
倍率を説明する概略図である。
倍率を説明する概略図である。
【図８】本発明の転写方法を適用可能な半導体デバイス
製造用露光装置の一例の概略構成図である。
製造用露光装置の一例の概略構成図である。
【図９】デバイス製造工程を示すフローチャートであ
る。
る。
【図１０】図９に示したウエハプロセスの詳細な工程を
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
１ ビーム源 ２ ビーム制御系 ２ａ ビーム制御部 ３ 転写マスク ３ａ１〜３ｙ６ アライメントマーク ３ａ〜３ｅ マスクショット ３ｓ１〜３ｓ５ 部分転写パターンの位置を定める関
数 ４ 照明系 ５ マスクアライメント系 ６ マスクステージ ６ａ マスクステージ制御部 ７ 投影系 ８ 倍率補正系 ８ａ 倍率補正制御部 １０ ウエハ １１ ウエハステージ １１ａ ウエハステージ制御部 １２ 荷電ビーム １３ スリット １４ ウエハライメント系 １５ 偏向器 １６ 装置制御部 １０１ 転写像
数 ４ 照明系 ５ マスクアライメント系 ６ マスクステージ ６ａ マスクステージ制御部 ７ 投影系 ８ 倍率補正系 ８ａ 倍率補正制御部 １０ ウエハ １１ ウエハステージ １１ａ ウエハステージ制御部 １２ 荷電ビーム １３ スリット １４ ウエハライメント系 １５ 偏向器 １６ 装置制御部 １０１ 転写像
Claims (21)
- 【請求項１】 所定の方向及び前記所定の方向に交差す
る方向に分割され、かつ、配列された、区別可能な複数
の部分転写パターンを有する転写マスクを用い、前記転
写マスクを介して被転写物に転写ビームを照射し、前記
各部分転写パターンを前記被転写物に順次転写すること
で前記被転写物に前記各部分転写パターンの繋ぎ合わせ
られた所望のパターンを形成するために、前記転写マス
クに、前記各部分転写パターンのそれぞれに関連づけら
れた複数のアライメントマークを設けておき、前記被転
写物と前記各アライメントマークとの相対位置を補正
し、前記各部分転写パターンを前記被転写物に順次転写
するマスクパターン転写方法であって、 前記相対位置の補正は、前記各アライメントマークを指
定する転写マスクマーク指定工程と、 前記転写マスクマーク指定工程により指定された前記各
アライメントマークの位置を計測し、計測された位置を
基に、前記所定の方向に配列された前記各部分転写パタ
ーンの位置を定める関数を決定する工程と、 前記転写ビームに対して前記転写マスクと前記被転写物
とを前記所定の方向に相対走査させて、前記部分転写パ
ターンを前記被転写物に走査露光する走査露光工程と、 前記部分転写パターンを前記被転写物に走査露光する
際、前記関数に基づいて前記被転写物に対し前記部分転
写パターンの像を相対移動させる相対移動工程と、を含
むことを特徴とするマスクパターン転写方法。 - 【請求項２】 前記所定の方向に配列された前記各部分
転写パターンにより形成される前記各部分転写パターン
の列である複数のマスクストライプの前記各アライメン
トマークの計測された位置を基に、前記所定の方向の前
記各マスクストライプの実際の長さを算出し、算出され
た前記実際の長さの平均値と前記所定の方向の前記マス
クストライプの設計上の長さとの比で表される、第１の
パターン倍率を算出する工程を含む請求項１に記載のマ
スクパターン転写方法。 - 【請求項３】 前記転写マスクマーク指定工程により、
全てのアライメントマークを指定することで全ての部分
転写パターンを指定した場合、前記各部分転写パターン
に対応する、前記相対走査の方向と略直交する方向に配
列された、前記各アライメントマークの実際の間隔と前
記各アライメントマークの設計上の間隔との比で表され
る第２のパターン倍率を算出する工程を含む請求項１ま
たは２に記載のマスクパターン転写方法。 - 【請求項４】 前記転写マスクマーク指定工程により、
一部のアライメントマークを指定することで一部の部分
転写パターンを指定した場合、前記各部分転写パターン
に対応する、前記相対走査の方向と略直交する方向に配
列された、前記各アライメントマークの実際の間隔の平
均値と前記各アライメントマークの設計上の間隔との比
で表される第３のパターン倍率を算出する工程を含む請
求項１または２に記載のマスクパターン転写方法。 - 【請求項５】 前記相対移動工程は、前記各部分転写パ
ターンの配列ピッチよりも短いピッチ毎に実行される請
求項１ないし４のいずれか１項に記載のマスクパターン
転写方法。 - 【請求項６】 前記所定の方向に配列された前記各部分
転写パターンにより形成される前記各部分転写パターン
の列である複数のマスクストライプの前記各アライメン
トマークの計測された位置を基に、前記所定の方向の前
記各マスクストライプの実際の長さと前記所定の方向の
前記マスクストライプの設計上の長さとの比で表され
る、第４のパターン倍率を算出する工程を含む請求項１
または４のいずれか１項に記載のマスクパターン転写方
法。 - 【請求項７】 前記走査露光工程は、前記所定の方向と
交差する方向に分割された、前記所定の方向に配列され
た少なくとも２つ以上の前記部分転写パターンを走査露
光する間、前記転写マスク及び前記被転写物を連続して
相対移動させる請求項６に記載のマスクパターン転写方
法。 - 【請求項８】 露光のための荷電ビームを放射するビー
ム放射手段と、 前記荷電ビームを円弧形状に整形する整形手段と、 被転写物に転写するための、所定の方向及び前記所定の
方向に交差する方向に分割され、かつ、配列された、区
別可能な複数の部分転写パターン及び前記各部分転写パ
ターンのそれぞれに関連づけられた複数のアライメント
マークが形成された転写マスクが載置される、移動可能
な第１の載置手段と、 前記転写マスクの前記各部分転写パターンからなる被転
写パターンが転写される被転写物が載置される、移動可
能な第２の載置手段と、 前記転写マスクを透過した前記荷電ビームの投影倍率を
補正して前記被転写物に照射させる倍率補正手段と、 前記転写マスクの前記各部分転写パターン及び前記各ア
ライメントマークの位置を測定する第１の測定手段と、 前記被転写物に転写された、前記各部分転写パターンを
繋ぎ合わせることで形成される被転写パターンと前記各
アライメントマークとの位置を測定する第２の測定手段
と、 前記転写マスクの前記各部分転写パターンの像を相対移
動させる像相対移動手段と、 前記第１の測定手段及び前記第２の測定手段からの出力
信号を基に、前記第１の載置手段の移動速度を規定する
駆動倍率、前記第２の載置手段の移動速度を規定する駆
動倍率、前記倍率補正手段の投影倍率、及び前記相対移
動手段の像相対移動量のそれぞれを算出し、前記第１の
載置手段、前記第２の載置手段、前記倍率補正手段及び
前記相対移動手段を制御する制御手段とを有するマスク
パターン転写装置。 - 【請求項９】 前記制御手段は、前記第１の測定手段に
対して、前記転写マスクの測定すべき各アライメントマ
ークを指定し、前記第１の測定手段からの出力である各
アライメントマークの位置を基に、前記所定の方向に配
列された前記各部分転写パターンの位置を定める関数を
決定する請求項８に記載のマスクパターン転写装置。 - 【請求項１０】 前記制御手段は、前記第１の測定手段
に対して、前記転写マスクの測定すべき各アライメント
マークを指定し、前記所定の方向に配列された前記各部
分転写パターンにより形成される前記各部分転写パター
ンの列である複数のマスクストライプの前記各アライメ
ントマークの計測された位置を基に前記所定の方向の前
記各マスクストライプの実際の長さを算出し、算出され
た前記実際の長さの平均値と前記所定の方向の前記マス
クストライプの設計上の長さとの比で表される第１のパ
ターン倍率を算出する請求項８または９に記載のマスク
パターン転写装置。 - 【請求項１１】 前記制御手段は、前記第１の測定手段
に対して、前記転写マスクの測定すべき各アライメント
マークを指定し、全てのアライメントマークを指定する
ことで全ての部分転写パターンを指定した場合、前記各
部分転写パターンに対応する、前記相対走査の方向と略
直交する方向に配列された、前記各アライメントマーク
の実際の間隔と前記各アライメントマークの設計上の間
隔との比で表される第２のパターン倍率を算出する請求
項８ないし１０のいずれか１項に記載のマスクパターン
転写装置。 - 【請求項１２】 前記制御手段は、前記第１の測定手段
に対して、前記転写マスクの測定すべき各アライメント
マークを指定し、一部のアライメントマークを指定する
ことで一部の部分転写パターンを指定した場合、前記各
部分転写パターンに対応する、前記相対走査の方向と略
直交する方向に配列された、前記各アライメントマーク
の実際の間隔の平均値と前記各アライメントマークの設
計上の間隔との比で表される第３のパターン倍率を算出
する請求項８ないし１０のいずれか１項に記載のマスク
パターン転写装置。 - 【請求項１３】 前記制御手段は、前記像相対移動手段
による像の相対移動量を前記各部分転写パターンの所定
の方向に配列された配列ピッチよりも短いピッチ毎に算
出し、前記相対移動手段へと出力する請求項８ないし１
２のいずれか１項に記載のマスクパターン転写装置。 - 【請求項１４】 前記制御手段は、前記第１の測定手段
に対して、前記転写マスクの測定すべき各アライメント
マークを指定し、前記所定の方向に配列された前記各部
分転写パターンにより形成される前記各部分転写パター
ンの列である複数のマスクストライプの前記各アライメ
ントマークの計測された位置を基に前記所定の方向の前
記各マスクストライプの実際の長さと前記所定の方向の
前記マスクストライプの設計上の長さとの比で表される
第４のパターン倍率を算出する請求項８または１２に記
載のマスクパターン転写装置。 - 【請求項１５】 前記制御手段は、前記各アライメント
マークの計測された位置を基に前記転写の開始位置を算
出し、前記第１の載置手段及び前記第２の載置手段へと
出力する請求項８ないし１４のいずれか１項に記載のマ
スクパターン転写装置。 - 【請求項１６】 前記制御手段は、前記各アライメント
マークの計測された位置を基に前記転写の終了位置を算
出し、前記第１の載置手段及び前記第２の載置手段へと
出力する請求項８ないし１５のいずれか１項に記載のマ
スクパターン転写装置。 - 【請求項１７】 前記制御手段は、前記転写の際、前記
第１の載置手段及び前記第２の載置手段を相対走査させ
る請求項８ないし１６のいずれか１項に記載のマスクパ
ターン転写装置。 - 【請求項１８】 前記制御手段は、前記所定の方向と交
差する方向に分割された、前記所定の方向に配列された
少なくとも２つ以上の前記部分転写パターンを前記被転
写物に転写する間、前記第１の載置手段及び前記第２の
載置手段を連続して相対走査させる請求項８、９、１４
ないし１７のいずれか１項に記載のマスクパターン転写
装置。 - 【請求項１９】 請求項１ないし７のいずれか１項に記
載のマスクパターン転写方法を含む工程によってデバイ
スを製造することを特徴とするデバイス製造方法。 - 【請求項２０】 請求項８ないし１９のいずれか１項に
記載のマスクパターン転写装置を用いることによってデ
バイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。 - 【請求項２１】 分割され、かつ、区別可能な複数の部
分転写パターンを有し、前記各部分転写パターンを被転
写物に順次転写することで、前記被転写物に前記各部分
転写パターンを繋ぎ合わせた所望のパターンを得るため
のマスクであって、前記各部分転写パターンのそれぞれ
に関連づけられた複数のアライメントマークを設けたこ
とを特徴とする転写マスク。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01590299A JP4100799B2 (ja) | 1999-01-25 | 1999-01-25 | マスクパターン転写方法、マスクパターン転写装置、デバイス製造方法及び転写マスク |
| US09/487,314 US6466301B1 (en) | 1999-01-25 | 2000-01-19 | Transfer apparatus and transfer method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01590299A JP4100799B2 (ja) | 1999-01-25 | 1999-01-25 | マスクパターン転写方法、マスクパターン転写装置、デバイス製造方法及び転写マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000216080A true JP2000216080A (ja) | 2000-08-04 |
| JP4100799B2 JP4100799B2 (ja) | 2008-06-11 |
Family
ID=11901718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01590299A Expired - Fee Related JP4100799B2 (ja) | 1999-01-25 | 1999-01-25 | マスクパターン転写方法、マスクパターン転写装置、デバイス製造方法及び転写マスク |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6466301B1 (ja) |
| JP (1) | JP4100799B2 (ja) |
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| EP1546804A1 (en) * | 2002-08-27 | 2005-06-29 | Obducat AB | Device for transferring a pattern to an object |
| US6953938B2 (en) * | 2002-10-03 | 2005-10-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Deflector, method of manufacturing deflector, and charged particle beam exposure apparatus |
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| US20090008579A1 (en) * | 2003-10-07 | 2009-01-08 | Tokyo Electron Limited | Electron beam lithography apparatus and design method of patterned beam-defining aperture |
| US7928404B2 (en) * | 2003-10-07 | 2011-04-19 | Multibeam Corporation | Variable-ratio double-deflection beam blanker |
| US8432548B2 (en) * | 2008-11-04 | 2013-04-30 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment for edge field nano-imprinting |
| JP2013502729A (ja) * | 2009-08-21 | 2013-01-24 | ディー・ツー・エス・インコーポレイテッド | キャラクタプロジェクションリソグラフィを用いて可変倍率で表面を製造するための方法および装置 |
| JP2015015318A (ja) * | 2013-07-03 | 2015-01-22 | キヤノン株式会社 | 処理方法、処理装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2647835B2 (ja) | 1986-09-16 | 1997-08-27 | 日本電気株式会社 | ウェハーの露光方法 |
| US5331371A (en) * | 1990-09-26 | 1994-07-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment and exposure method |
| US5808910A (en) * | 1993-04-06 | 1998-09-15 | Nikon Corporation | Alignment method |
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| US5546319A (en) * | 1994-01-28 | 1996-08-13 | Fujitsu Limited | Method of and system for charged particle beam exposure |
| KR100471461B1 (ko) * | 1996-05-16 | 2005-07-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광방법및노광장치 |
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-
1999
- 1999-01-25 JP JP01590299A patent/JP4100799B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-01-19 US US09/487,314 patent/US6466301B1/en not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|---|
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Also Published As
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|---|---|
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| US6466301B1 (en) | 2002-10-15 |
| JP4100799B2 (ja) | 2008-06-11 |
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