JP2000215499A - 光ヘッド - Google Patents
光ヘッドInfo
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- JP2000215499A JP2000215499A JP11010238A JP1023899A JP2000215499A JP 2000215499 A JP2000215499 A JP 2000215499A JP 11010238 A JP11010238 A JP 11010238A JP 1023899 A JP1023899 A JP 1023899A JP 2000215499 A JP2000215499 A JP 2000215499A
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- recording
- light
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/13—Optical detectors therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/122—Flying-type heads, e.g. analogous to Winchester type in magnetic recording
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 近接場光を利用した高密度光メモリにおい
て、読取り用の反射光を効率よく検出することのできる
光ヘッドを得る。 【解決手段】 シリコン基板９に形成された微小開口１
５から近接場光を発生させ、記録媒体１の記録層３に情
報を記録し、読取り時には記録層３からの反射光をフォ
トダイオード１０で検出する光ヘッド５。フォトダイオ
ード１０は、シリコン基板９の微小開口１５の周囲にボ
ロン注入層１４を設けることで形成され、反射光の検出
信号は電極１１，１２から取り出される。
て、読取り用の反射光を効率よく検出することのできる
光ヘッドを得る。 【解決手段】 シリコン基板９に形成された微小開口１
５から近接場光を発生させ、記録媒体１の記録層３に情
報を記録し、読取り時には記録層３からの反射光をフォ
トダイオード１０で検出する光ヘッド５。フォトダイオ
ード１０は、シリコン基板９の微小開口１５の周囲にボ
ロン注入層１４を設けることで形成され、反射光の検出
信号は電極１１，１２から取り出される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ヘッド、特に、
光記録媒体への高密度光記録／読取りに用いられる光ヘ
ッドに関する。
光記録媒体への高密度光記録／読取りに用いられる光ヘ
ッドに関する。
【０００２】
【発明の背景】近年、光学的に情報を記録／読取りする
光メモリの分野においては、コンピュータの高速化やマ
ルチメディアの発達に伴い、より大容量の情報を記録で
きる、即ち、記録密度の著しく向上した光ヘッドが望ま
れ、近接場光記録技術が提案されている。レーザ光を用
いた従来の光メモリにおいて、記録密度は光の回折限界
で上限が決まり、光の波長程度（約数１００ｎｍ）のマ
ークしか記録／読取りができなかった。近年提案されて
いる光の近接場光現象を用いた光メモリでは、光の波長
以下の微小開口を有するプローブやSolid Immersion
Lens（固浸レンズ）を用いて記録媒体（光ディスク）に
対して光ヘッドと記録媒体との間隔を数１０ｎｍまで近
づけた状態で記録／読取り用の光を照射することで、光
の回折限界を超えて数１０ｎｍという小さなマークを信
号として書き込み、読み取ることが可能である。
光メモリの分野においては、コンピュータの高速化やマ
ルチメディアの発達に伴い、より大容量の情報を記録で
きる、即ち、記録密度の著しく向上した光ヘッドが望ま
れ、近接場光記録技術が提案されている。レーザ光を用
いた従来の光メモリにおいて、記録密度は光の回折限界
で上限が決まり、光の波長程度（約数１００ｎｍ）のマ
ークしか記録／読取りができなかった。近年提案されて
いる光の近接場光現象を用いた光メモリでは、光の波長
以下の微小開口を有するプローブやSolid Immersion
Lens（固浸レンズ）を用いて記録媒体（光ディスク）に
対して光ヘッドと記録媒体との間隔を数１０ｎｍまで近
づけた状態で記録／読取り用の光を照射することで、光
の回折限界を超えて数１０ｎｍという小さなマークを信
号として書き込み、読み取ることが可能である。
【０００３】
【従来の技術と課題】ところで、近接場光を用いて記録
媒体上の情報を読み取る場合は、記録層で伝搬光に変換
された反射光を検出するのであるが、近接場光は本来的
に光の利用効率がかなり低く、効率よく反射光を検出す
る必要がある。
媒体上の情報を読み取る場合は、記録層で伝搬光に変換
された反射光を検出するのであるが、近接場光は本来的
に光の利用効率がかなり低く、効率よく反射光を検出す
る必要がある。
【０００４】読取り用の反射光の検出技術としては、特
開平５−１６４９６８号公報に、微小開口アレイと光電
アレイを一体的に形成したニアフィールド顕微鏡が記載
されている。また、Applied Physics Letter No．６
８，p５７９（１９９６）に、光検出器を一体的に組み
込んだ集積化プローブが記載されている。しかしなが
ら、これらの検出技術をもってしても、必ずしも好まし
い検出効率を得ることができていないのが現状である。
開平５−１６４９６８号公報に、微小開口アレイと光電
アレイを一体的に形成したニアフィールド顕微鏡が記載
されている。また、Applied Physics Letter No．６
８，p５７９（１９９６）に、光検出器を一体的に組み
込んだ集積化プローブが記載されている。しかしなが
ら、これらの検出技術をもってしても、必ずしも好まし
い検出効率を得ることができていないのが現状である。
【０００５】そこで、本発明の目的は、読取り用の反射
光を効率よく検出することのできる近接場光現象を利用
した光ヘッドを提供することにある。
光を効率よく検出することのできる近接場光現象を利用
した光ヘッドを提供することにある。
【０００６】
【発明の構成、作用及び効果】以上の目的を達成するた
め、本発明に係る光ヘッドは、近接場領域又はその近傍
に位置する半導体基板に、記録層からの反射光を検出す
る光検出素子を形成した。近接場光発生手段としては、
例えば、微小開口や固浸レンズを用いることができる。
微小開口は半導体基板に形成され、この場合、光検出素
子は該微小開口の周囲に形成される。固浸レンズは半導
体基板に保持され、この場合、光検出素子は該保持部に
形成される。
め、本発明に係る光ヘッドは、近接場領域又はその近傍
に位置する半導体基板に、記録層からの反射光を検出す
る光検出素子を形成した。近接場光発生手段としては、
例えば、微小開口や固浸レンズを用いることができる。
微小開口は半導体基板に形成され、この場合、光検出素
子は該微小開口の周囲に形成される。固浸レンズは半導
体基板に保持され、この場合、光検出素子は該保持部に
形成される。
【０００７】本発明において、記録層の情報を読み取る
には、記録層で伝搬光に変換された反射光を光検出素子
で読み取る。光検出素子は近接場領域又はその近傍に形
成されているために記録層に極めて近く、従来よりも効
率的に反射光を検出することができる。しかも、光検出
素子は半導体材料からなる基板に一体的に形成したた
め、スペース効率がよく、光ヘッドの軽量化に大きく寄
与することになる。
には、記録層で伝搬光に変換された反射光を光検出素子
で読み取る。光検出素子は近接場領域又はその近傍に形
成されているために記録層に極めて近く、従来よりも効
率的に反射光を検出することができる。しかも、光検出
素子は半導体材料からなる基板に一体的に形成したた
め、スペース効率がよく、光ヘッドの軽量化に大きく寄
与することになる。
【０００８】さらに、光検出素子は通常の半導体プロセ
スで製作することができ、量産性に優れている。この点
で、光検出素子としては、半導体基板にフォトダイオー
ドを形成することが好ましい。
スで製作することができ、量産性に優れている。この点
で、光検出素子としては、半導体基板にフォトダイオー
ドを形成することが好ましい。
【０００９】
【発明の実施形態】以下、本発明に係る光ヘッドの実施
形態について、添付図面を参照して説明する。
形態について、添付図面を参照して説明する。
【００１０】（第１実施形態、図１〜図４参照）図１に
おいて、１は記録媒体、５は光ヘッドを示す。記録媒体
１は基板２上に記録層３を形成したもので、回転駆動軸
４を中心に回転駆動可能とされている。なお、記録媒体
１の構成は任意である。
おいて、１は記録媒体、５は光ヘッドを示す。記録媒体
１は基板２上に記録層３を形成したもので、回転駆動軸
４を中心に回転駆動可能とされている。なお、記録媒体
１の構成は任意である。
【００１１】光ヘッド５は、シリコン基板９に微小開口
１５を形成して近接場光発生手段としたものである。図
示しない光源（レーザダイオード、発光ダイオード等が
用いられる）から放射されて平行光にコリメートされた
波長λの光が、ミラー７を介して結像レンズ６に入射す
る。この入射光は、図２に示すように、角度θ１で微小
開口１５に集光される。
１５を形成して近接場光発生手段としたものである。図
示しない光源（レーザダイオード、発光ダイオード等が
用いられる）から放射されて平行光にコリメートされた
波長λの光が、ミラー７を介して結像レンズ６に入射す
る。この入射光は、図２に示すように、角度θ１で微小
開口１５に集光される。
【００１２】微小開口１５の開口径は波長λ以下に形成
されているため、近接場光が記録媒体１側に浸み出る。
記録媒体１と微小開口１５は、その間隔が波長λ以下
（０．０５〜０．１μｍ程度）とされ、近接場光が浸み
出る領域に近接されている。従って、近接場光が微小開
口１５の開口径とほぼ同じスポットで記録層３を照射
し、記録ピット３ａを形成する。微小開口１５の開口径
が０．１μｍの場合、近接場光のスポット径（記録ピッ
ト３ａの径）は約０．１μｍであり、このときの記録密
度は約５０ＧBit／inch2となり、非常に高密度での記録
が達成される。
されているため、近接場光が記録媒体１側に浸み出る。
記録媒体１と微小開口１５は、その間隔が波長λ以下
（０．０５〜０．１μｍ程度）とされ、近接場光が浸み
出る領域に近接されている。従って、近接場光が微小開
口１５の開口径とほぼ同じスポットで記録層３を照射
し、記録ピット３ａを形成する。微小開口１５の開口径
が０．１μｍの場合、近接場光のスポット径（記録ピッ
ト３ａの径）は約０．１μｍであり、このときの記録密
度は約５０ＧBit／inch2となり、非常に高密度での記録
が達成される。
【００１３】一方、読取り時には、前記記録時と同様
に、近接場光が微小開口１５から記録層３に照射され、
記録層３で伝搬光に変換されて反射する。この反射光を
以下に詳述するフォトダイオード１０で検出し、記録ピ
ット３ａに対応する再生信号を得る。この読取り時にお
いて、フォトダイオード１０は反射面、即ち、記録層３
に極めて近接しているため、光量の損失が少なく、ＳＮ
比の高い良好な再生信号が得られる。
に、近接場光が微小開口１５から記録層３に照射され、
記録層３で伝搬光に変換されて反射する。この反射光を
以下に詳述するフォトダイオード１０で検出し、記録ピ
ット３ａに対応する再生信号を得る。この読取り時にお
いて、フォトダイオード１０は反射面、即ち、記録層３
に極めて近接しているため、光量の損失が少なく、ＳＮ
比の高い良好な再生信号が得られる。
【００１４】以下、フォトダイオード１０の構成及び製
作プロセスについて説明する。このフォトダイオード１
０は、図２に示すように、シリコン基板９とボロン注入
層１４とで構成されるｐｎ接合型であり、シリコン基板
９には電極１１，１２が形成されている。
作プロセスについて説明する。このフォトダイオード１
０は、図２に示すように、シリコン基板９とボロン注入
層１４とで構成されるｐｎ接合型であり、シリコン基板
９には電極１１，１２が形成されている。
【００１５】製作プロセスは図４に示すとおりである。
まず、厚さ２００μｍのｎ型シリコン基板９に異方性エ
ッチングによって角度θ２（図２参照）が約６０°、開
口径が０．１μｍの微小開口１５を形成する。
まず、厚さ２００μｍのｎ型シリコン基板９に異方性エ
ッチングによって角度θ２（図２参照）が約６０°、開
口径が０．１μｍの微小開口１５を形成する。
【００１６】次に、基板９の裏面に熱酸化法によってＳ
ｉＯ2の絶縁膜１３を０．０２μｍの厚さに形成し、こ
の絶縁膜１３に微小開口１５を中心とする円環状の凹部
１３ａをパターニングする。凹部１３ａは内径が２μ
ｍ、外径が１０μｍである。さらに、凹部１３ａにイオ
ン注入法によってボロンを深さ０．２μｍまで注入し、
ボロン注入層１４を形成する。これにて、ｐｎ接合型の
フォトダイオード１０が形成されたことになる。
ｉＯ2の絶縁膜１３を０．０２μｍの厚さに形成し、こ
の絶縁膜１３に微小開口１５を中心とする円環状の凹部
１３ａをパターニングする。凹部１３ａは内径が２μ
ｍ、外径が１０μｍである。さらに、凹部１３ａにイオ
ン注入法によってボロンを深さ０．２μｍまで注入し、
ボロン注入層１４を形成する。これにて、ｐｎ接合型の
フォトダイオード１０が形成されたことになる。
【００１７】電極１１は、アルミニウムを厚さ０．０３
μｍでパターニングしたもので、ボロン注入層１４上に
形成された円環部１１ａと、絶縁膜１３上に形成された
引出し部１１ｂとからなる（図３参照）。いま一つの電
極１２は、基板９上にアルミニウムで０．０３μｍの厚
さにスパッタリングで形成する。この電極１２は基板９
の上面から微小開口１５の先端部にまで延在されてい
る。
μｍでパターニングしたもので、ボロン注入層１４上に
形成された円環部１１ａと、絶縁膜１３上に形成された
引出し部１１ｂとからなる（図３参照）。いま一つの電
極１２は、基板９上にアルミニウムで０．０３μｍの厚
さにスパッタリングで形成する。この電極１２は基板９
の上面から微小開口１５の先端部にまで延在されてい
る。
【００１８】最後に、基板９の裏面側にＳｉＯ2を０．
０１μｍの厚さにＣＶＤ法によって成膜し、保護膜１７
を形成する。
０１μｍの厚さにＣＶＤ法によって成膜し、保護膜１７
を形成する。
【００１９】（第２実施形態、図５〜図７参照）本第２
実施形態である光ヘッド２５は、図１に示した第１実施
形態の光ヘッド５と基本的には同様の構成を有し、フォ
トダイオード３０の電極３１，３２の形状が前記電極１
１，１２とは異なっている。従って、図５〜図７におい
ては第１実施形態と同じ部材に同じ符号を付し、その説
明は省略する。
実施形態である光ヘッド２５は、図１に示した第１実施
形態の光ヘッド５と基本的には同様の構成を有し、フォ
トダイオード３０の電極３１，３２の形状が前記電極１
１，１２とは異なっている。従って、図５〜図７におい
ては第１実施形態と同じ部材に同じ符号を付し、その説
明は省略する。
【００２０】図５、図６に示すように、電極３１はボロ
ン注入層１４から絶縁膜１３上をストレートに延在して
いる。電極３２は、ボロン注入層１４の外側にシリコン
基板９に接して形成された略円環部３２ａと、絶縁膜１
３上に形成された引出し部３２ｂとからなる。
ン注入層１４から絶縁膜１３上をストレートに延在して
いる。電極３２は、ボロン注入層１４の外側にシリコン
基板９に接して形成された略円環部３２ａと、絶縁膜１
３上に形成された引出し部３２ｂとからなる。
【００２１】その製作プロセスは図７に示すとおりであ
る。ｎ型のシリコン基板９に微小開口１５を形成する工
程、基板９の裏面に絶縁膜１３を形成し、凹部１３ａを
パターニングする工程、凹部１３ａにボロン注入層１４
を形成してｐｎ接合型のフォトダイオード３０とする工
程は数値を含めて前記第１実施形態と同様である。但
し、第２実施形態において、凹部１３ａの外径は５μｍ
とされている。内径は第１実施形態と同様に２μｍであ
る。
る。ｎ型のシリコン基板９に微小開口１５を形成する工
程、基板９の裏面に絶縁膜１３を形成し、凹部１３ａを
パターニングする工程、凹部１３ａにボロン注入層１４
を形成してｐｎ接合型のフォトダイオード３０とする工
程は数値を含めて前記第１実施形態と同様である。但
し、第２実施形態において、凹部１３ａの外径は５μｍ
とされている。内径は第１実施形態と同様に２μｍであ
る。
【００２２】さらに、前記絶縁膜１３をパターニングし
て、内径が６μｍで外径が１０μｍの凹部１３ｂを形成
する。この凹部１３ｂは図６に示すように電極３１の近
くで欠損した略円環状とされている。
て、内径が６μｍで外径が１０μｍの凹部１３ｂを形成
する。この凹部１３ｂは図６に示すように電極３１の近
くで欠損した略円環状とされている。
【００２３】電極３１はアルミニウムを用いてボロン注
入層１４から絶縁膜１３上をストレートにパターニング
する。電極３２は、前記凹部１３ｂから絶縁膜１３上を
アルミニウムを用いてパターニングし、略円環部３２ａ
及び引出し部３２ｂを形成する。最後に、基板９の裏面
側に保護膜１７を成膜する。
入層１４から絶縁膜１３上をストレートにパターニング
する。電極３２は、前記凹部１３ｂから絶縁膜１３上を
アルミニウムを用いてパターニングし、略円環部３２ａ
及び引出し部３２ｂを形成する。最後に、基板９の裏面
側に保護膜１７を成膜する。
【００２４】なお、本第２実施形態における近接場光に
よる記録／読取りは前記第１実施形態と同様であり、フ
ォトダイオード３０によって読取り時の反射光を効率的
に検出できる作用効果も同様である。特に、第２実施形
態においては、電極３１，３２を同一工程で形成できる
利点を有している。
よる記録／読取りは前記第１実施形態と同様であり、フ
ォトダイオード３０によって読取り時の反射光を効率的
に検出できる作用効果も同様である。特に、第２実施形
態においては、電極３１，３２を同一工程で形成できる
利点を有している。
【００２５】（第３実施形態、図８〜図１０参照）本第
３実施形態である光ヘッド４５は、近接場光発生手段と
して固浸レンズ５５を用いたものであり、固浸レンズ５
５はシリコン基板９の開口５６に装着されている。
３実施形態である光ヘッド４５は、近接場光発生手段と
して固浸レンズ５５を用いたものであり、固浸レンズ５
５はシリコン基板９の開口５６に装着されている。
【００２６】固浸レンズ５５は、高屈折率物質からなる
周知のもので、略半球面から入射した光が底の平面に集
光され、近接場光として浸み出る。近接場光が浸み出る
領域は、入射光の波長λの１／４以下の領域であり、記
録媒体１と固浸レンズ５５は近接場領域に近接されてい
る。
周知のもので、略半球面から入射した光が底の平面に集
光され、近接場光として浸み出る。近接場光が浸み出る
領域は、入射光の波長λの１／４以下の領域であり、記
録媒体１と固浸レンズ５５は近接場領域に近接されてい
る。
【００２７】固浸レンズ５５の屈折率をｎとすると、レ
ンズ５５中で入射光の波長は１／ｎとなり、結果的に結
像レンズ６の開口数ＮＡがｎ倍されたことになる。即
ち、入射光の波長λが０．６３μｍ、固浸レンズ５５の
屈折率ｎが１．８、入射角度θ１が３７°の場合、近接
場光のスポット径（記録ピット３ａの径）は約０．２９
μｍであり、このときの記録密度は約６Ｇbit／inch2と
非常に高密度になる。
ンズ５５中で入射光の波長は１／ｎとなり、結果的に結
像レンズ６の開口数ＮＡがｎ倍されたことになる。即
ち、入射光の波長λが０．６３μｍ、固浸レンズ５５の
屈折率ｎが１．８、入射角度θ１が３７°の場合、近接
場光のスポット径（記録ピット３ａの径）は約０．２９
μｍであり、このときの記録密度は約６Ｇbit／inch2と
非常に高密度になる。
【００２８】一方、本第３実施形態において、シリコン
基板９は固浸レンズ５５のホルダとして機能するが、そ
の構成は図２、図３に示した第１実施形態の基板９と同
一であり、製作プロセスも図４に示したとおりである。
従って、フォトダイオード１０の作用効果も第１実施形
態と同様である。
基板９は固浸レンズ５５のホルダとして機能するが、そ
の構成は図２、図３に示した第１実施形態の基板９と同
一であり、製作プロセスも図４に示したとおりである。
従って、フォトダイオード１０の作用効果も第１実施形
態と同様である。
【００２９】（他の実施形態）なお、本発明に係る光ヘ
ッドは前記各実施形態に限定するものではなく、その要
旨の範囲内で種々に変更することができる。
ッドは前記各実施形態に限定するものではなく、その要
旨の範囲内で種々に変更することができる。
【００３０】特に、各実施形態で示したｐｎ接合型のフ
ォトダイオードは円形以外にも角形等種々の形状に製作
することができる。微小開口の形状も同様に角形である
必要はなく、円形であってもよいことは勿論である。
ォトダイオードは円形以外にも角形等種々の形状に製作
することができる。微小開口の形状も同様に角形である
必要はなく、円形であってもよいことは勿論である。
【００３１】また、製作プロセスとしては、基板にフォ
トダイオードを製作した後に、電子ビームやレーザビー
ムを用いて開口を形成してもよい。この場合は、開口形
成時にフォトダイオードが短絡しないように考慮する必
要がある。さらに、光検出素子は必ずしもフォトダイオ
ードである必要はなく、開口の近傍に素子材料を設けて
製作した光電変換素子であってもよい。
トダイオードを製作した後に、電子ビームやレーザビー
ムを用いて開口を形成してもよい。この場合は、開口形
成時にフォトダイオードが短絡しないように考慮する必
要がある。さらに、光検出素子は必ずしもフォトダイオ
ードである必要はなく、開口の近傍に素子材料を設けて
製作した光電変換素子であってもよい。
【図１】本発明の第１実施形態である光ヘッドの概略構
成図。
成図。
【図２】第１実施形態である光ヘッドの詳細を示す断面
図。
図。
【図３】第１実施形態である光ヘッドの底面図、保護膜
は省略されている。
は省略されている。
【図４】第１実施形態でのフォトダイオードの製作プロ
セスを示す説明図。
セスを示す説明図。
【図５】本発明の第２実施形態である光ヘッドの詳細を
示す断面図。
示す断面図。
【図６】第２実施形態である光ヘッドの底面図、保護膜
は省略されている。
は省略されている。
【図７】第２実施形態でのフォトダイオードの製作プロ
セスを示す説明図。
セスを示す説明図。
【図８】本発明の第３実施形態である光ヘッドの概略構
成図。
成図。
【図９】第３実施形態である光ヘッドの詳細を示す断面
図。
図。
【図１０】第３実施形態である光ヘッドの底面図、保護
膜は省略されている。
膜は省略されている。
１…記録媒体 ５，２５，４５…光ヘッド ９…シリコン基板 １０，３０…フォトダイオード １１，１２，３１，３２…電極 １５…微小開口 ５５…固浸レンズ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5D119 AA11 AA22 AA38 BA01 CA06 CA10 DA01 DA05 JA44 KA02 KA07 5F049 MA02 MB03 MB12 NA01 NB08 PA10 PA11 PA14 QA20 SE05 SZ13 SZ20
Claims (4)
- 【請求項１】 近接場光発生手段を備え、記録媒体に対
して情報の記録／読取りを行う光ヘッドにおいて、 近接場領域又はその近傍に位置する半導体基板に、記録
層からの反射光を検出する光検出素子が形成されている
ことを特徴とする光ヘッド。 - 【請求項２】 近接場光発生手段である微小開口が前記
半導体基板に形成されており、前記光検出素子は該微小
開口の周囲に形成されていることを特徴とする請求項１
記載の光ヘッド。 - 【請求項３】 近接場光発生手段である固浸レンズが前
記半導体基板に保持されており、前記光検出素子は該保
持部に形成されていることを特徴とする請求項１記載の
光ヘッド。 - 【請求項４】 前記光検出素子は、前記半導体基板に形
成されたフォトダイオードであることを特徴とする請求
項１、請求項２又は請求項３記載の光ヘッド。
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| JP01023899A JP4211111B2 (ja) | 1999-01-19 | 1999-01-19 | 光ヘッド |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01023899A JP4211111B2 (ja) | 1999-01-19 | 1999-01-19 | 光ヘッド |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP01023899A Expired - Fee Related JP4211111B2 (ja) | 1999-01-19 | 1999-01-19 | 光ヘッド |
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|---|---|---|---|---|
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2000
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