JP2000214483A5 - - Google Patents

Description

【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明は、複数の走査線と、複数のデータ線と、各前記走査線と各前記データ線に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に電気的に接続された画素電極とを有する電気光学装置であって、前記スイッチング素子は、当該スイッチング素子上に形成されている第１層間絶縁膜等の第１絶縁膜に形成された第１コンタクトホールを介して当該第１絶縁膜上に形成されている金属電極等の第１電極に接続されていると共に、当該第１電極は、前記第１絶縁膜及び当該第１電極上に形成された第２層間絶縁膜等の第２絶縁膜に形成された第２コンタクトホールを介して当該第２絶縁膜上に形成された前記画素電極に接続され、更に前記第２コンタクトホールが前記第１コンタクトホールよりも前記画素電極の中心から離れた位置に配置されていることを特徴とする。

Claims (5)

1. 複数の走査線と、複数のデータ線と、各前記走査線と各前記データ線に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に電気的に接続された画素電極とを有する電気光学装置であって、
   前記スイッチング素子は、当該スイッチング素子上に形成されている第１絶縁膜に形成された第１コンタクトホールを介して当該第１絶縁膜上に形成されている第１電極に接続されていると共に、
   当該第１電極は、前記第１絶縁膜及び当該第１電極上に形成された第２絶縁膜に形成された第２コンタクトホールを介して当該第２絶縁膜上に形成された前記画素電極に接続され、
   更に前記第２コンタクトホールが前記第１コンタクトホールよりも前記画素電極の中心から離れた位置に配置されていることを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１に記載の電気光学装置において、
   前記第２コンタクトホールは、前記第１電極における平坦部分上に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項１又は２に記載の電気光学装置において、
   前記電気光学素子は液晶素子であると共に、
   前記スイッチング素子は薄膜化されたトランジスタ素子であり、
   当該トランジスタ素子のドレイン領域が前記第１コンタクトホールを介して前記第１電極に接続されていることを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項３に記載の電気光学装置において、
   前記トランジスタ素子に含まれる半導体層が前記走査線と絶縁され且つ当該走査線と複数回交差することにより複数個のトランジスタが直列接続されて当該トランジスタ素子が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項３から請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置において、
   少なくとも、前記走査線、前記データ線、前記スイッチング素子、前記第１コンタクトホール及び前記第２コンタクトホールが不透明体により形成されていると共に、
   当該各不透明体により前記電気光学装置に外部から入射する光を遮光する遮光領域が形成されており、
   更に前記液晶素子における液晶の非連続面を示す非連続面線が当該遮光領域内に形成されていることを特徴とする電気光学装置。