JP2000208942A - 多層回路基板及びその製造方法 - Google Patents

多層回路基板及びその製造方法

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JP2000208942A
JP2000208942A JP11005628A JP562899A JP2000208942A JP 2000208942 A JP2000208942 A JP 2000208942A JP 11005628 A JP11005628 A JP 11005628A JP 562899 A JP562899 A JP 562899A JP 2000208942 A JP2000208942 A JP 2000208942A
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conductive
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JP11005628A
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Koji Azuma
紘二 東
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Hokuriku Electric Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 水熱合成法により形成したコンデンサを表面
に有する第1の回路基板の回路パターン部分とその上に
積層される第2の回路基板の絶縁層との接合強度を高め
ることができる多層回路基板を提供する。 【解決手段】 コンデンサ9の上部電極パターン19が
接続される電極パターン7Bの表面を耐強アルカリ性を
有する金属のメッキ層21によって覆う。第1の回路パ
ターン7のうち第2の回路基板3の絶縁層31によって
覆われる回路パターン部分を導電膜15Aと同じ材質の
導電膜15B〜15Fによって覆い且つその上に強誘電
体膜17Aと同じ材質の強誘電体膜17B〜17Fを形
成する。第1の回路基板1の表面に形成される複数の印
刷電気素子9〜13間の接続回路の大部分を第2の回路
基板3の第2の回路パターン33に含ませるように、第
2の回路パターン33に含まれる接続回路33A〜33
Dと複数の印刷電気素子9〜13とをスルーホール導電
部35A〜35Fによって電気的に接続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、内層に水熱合成法
により形成したコンデンサを備えた多層回路基板及びそ
の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】本願発明者は、平成10年1月6日に出
願した先の出願(特願平10−13403号)で、水熱
合成法により形成したチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)
等のチタンを含有する結晶性の強誘電体膜を誘電層とし
て用いる薄形コンデンサを備えた回路基板を提案した。
この回路基板は、次のようにして製造する。まず、絶縁
性基板の表面に銅箔,アルミニウム箔等の金属箔を貼り
付け、これにエッチング処理を施して回路パターンを形
成する。次に回路パターンに含まれる下部電極の表面に
スパッタリングや溶射により、チタンを主成分とする導
電膜を形成する。この導電膜は、水熱合成法により強誘
電体膜を形成する際の結晶生成の下地層となる役割を果
たしている。したがって、この導電膜の上にのみ水熱合
成法によって結晶性の強誘電体膜からなる誘電層が形成
される。例えば、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)の強
誘電体膜を形成するには、Pb化合物,Zr化合物,T
i化合物を含む強アルカリ溶液中に絶縁性基板を浸し、
高温、高圧に設定されたオートクレーブに溶液と共に入
れて強誘電体膜を形成する。次に強誘電体膜と回路パタ
ーンの一部である接続用電極とを電気的に接続する上部
電極をスパッタリングまたは導電性ペーストの印刷によ
り形成してコンデンサ部を完成する。
【0003】このような回路基板を用いて多層回路基板
を形成することもできる。例えば、このような回路基板
を第1の回路基板として、この第1の回路基板上にプリ
プレグを用いて形成された絶縁層及び該絶縁層の上に形
成された第2の回路パターンを有する第2の回路基板を
積層し、両者を接合して多層回路基板を形成する。この
場合、第1の回路パターンのうち第2の回路基板の絶縁
層によって覆われる回路パターン部分が後の工程におい
て強強誘電体膜を形成する際にアルカリ溶液に浸食され
るおそれがある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】そこで、発明者は、こ
の回路パターン部分を耐強アルカリ性を有する金属のメ
ッキ層で覆うことを考えた。このような構造は、単層構
造で使用する場合には、極めて効果的である。しかしな
がら、このような構造を多層回路基板の特に内層基板に
採用すると、金属のメッキ層の表面が滑らかなために、
メッキ層と第2の回路基板の絶縁層との間の接合強度が
低くくなり、第1の回路基板と第2の回路基板との間で
部分的に剥離を発生させるおそれがあり、これが電気的
な絶縁性の低下及び信頼性の低下をまねく可能性があ
る。
【0005】本発明の目的は、水熱合成法により形成し
たコンデンサを表面に有する第1の回路基板の回路パタ
ーン部分とその上に積層される第2の回路基板の絶縁層
との接合強度を高めることができる多層回路基板及びそ
の製造方法を提供することにある。
【0006】本発明の他の目的は、上記目的に加えて、
高周波特性に優れた多層回路基板及びその製造方法を提
供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明が対象とする多層
回路基板は、絶縁性基板の表面に形成された金属箔から
なる第1の回路パターン、並びに第1の回路パターンに
含まれる下部電極、下部電極の上に形成されたチタンを
主成分とする導電膜、導電膜の上に水熱合成法により形
成された結晶性のチタンを含む強誘電体膜及び強誘電体
膜の上に形成されて回路パターンに含まれる接続用電極
と電気的に接続された上部電極からなるコンデンサを含
む複数の印刷電気素子(印刷コンデンサの他、印刷抵抗
体、インダクタ等)が表面上に形成された第1の回路基
板と、この第1の回路基板の表面上にプリプレグを用い
て形成された絶縁層及びこの絶縁層の上に形成された第
2の回路パターンを有する第2の回路基板とを少くとも
具備している。第1の回路基板の下に更に1以上の回路
基板が積層されていてもよく、また第2の回路基板の上
に更に1以上の回路基板が積層されていてもよいのは勿
論である。なおここでいう水熱合成法とは、被形成部材
(絶縁性基板)を強誘電体膜を形成する材料を含有する
強アルカリ溶液中に浸した状態で、高温、高圧中に放置
して強誘電体膜を形成する方法をいう。水熱合成法に
は、被形成部材に通電を行う電解式と被形成部材に通電
を行わない無電解式とがある。この水熱合成法について
は、特開平8−133733号等に詳しく述べられてい
る。本発明では、上部電極が接続される接続用電極の表
面に耐強アルカリ性を有する金属のメッキ層または導電
性厚膜を覆う。そして第1の回路パターンのうち第2の
回路基板の絶縁層によって覆われる回路パターン部分
(コンデンサ以外の他の印刷電気素子がコンデンサの形
成前に形成されている場合には、接続用電極及び予め形
成されている印刷電気素子等によって覆われていない第
1の回路パターンの部分;コンデンサ以外の他の印刷電
気素子がコンデンサの形成後に形成される場合には、コ
ンデンサの接続用電極及びその他の電気部品素子のため
の接続用電極を含む第1の回路パターンのすべての部
分)[以下、単に回路パターン部分と言う]をチタンを
主成分とする導電膜と同じ材質の導電膜によって覆い、
且つその上に水熱合成法により形成された結晶性のチタ
ンを含む強誘電体膜と同じ材質の強誘電体膜を形成す
る。強誘電体膜は表面に凹凸があるため、本発明のよう
に、回路パターン部分上に強誘電体膜を形成すると、回
路パターン部分上の強誘電体膜と第2の回路基板の絶縁
層との接着性または接合性が高くなる。そのため、回路
パターン部分の存在により第1の回路基板と第2の回路
基板との接合強度が低下するのを防ぐことができる。ま
た、回路パターン部分を覆う導電膜及び強誘電体膜は、
第1の回路基板の表面上にコンデンサを形成する際に形
成する導電膜及び強誘電体膜の形成工程と同じ工程で形
成できるので、簡単に形成することができる。
【0008】しかしながら、第1の回路基板の回路パタ
ーン部分を強誘電体膜で覆う場合に、回路パターン部分
の面積が大きくなると、第1の回路パターン上に形成さ
れる容量成分が多くなるために第1の回路基板上に形成
される回路の高周波特性が悪くなる。そこで、第1の回
路基板の表面に形成される回路パターン部分の面積を少
なくするために、複数の印刷電気素子間の接続回路の大
部分を第2の回路基板の第2の回路パターンに含ませ、
第2の回路パターンに含まれる接続回路と複数の印刷電
気素子とをスルーホール導電部によって電気的に接続す
るのが好ましい。このようにすれば、複数の印刷電気素
子とスルーホール導電部とを接続する僅かな部分だけが
強誘電体膜で覆われることになるだけで、複数の印刷電
気素子間の接続回路の大部分は、強誘電体膜で覆われる
ことがない。そのため第1の回路パターン上に形成され
る回路の高周波特性が大きく低下するのを防ぐことがで
きる。
【0009】メッキ層を形成する耐強アルカリ性を有す
る金属としては、Ni、Ni−B、Ni−P、Ni−W
B、Ni−Ag、Ag、Au等のいずれかを用いること
ができる。また、導電性厚膜は、耐強アルカリ性を有す
る樹脂ペースト中に耐強アルカリ性を有する金属粉体が
混練された導電性ペーストを用いて形成することができ
る。
【0010】本発明の多層回路基板を製造方法は次の工
程からなる。まず、絶縁性基板の表面に形成された金属
箔からなる第1の回路パターンを形成する工程と、第1
の回路パターンに含まれる下部電極上にチタンを主成分
とする導電膜を形成する工程と、導電膜の上に水熱合成
法により結晶性のチタンを含む強誘電体膜を形成する工
程と、強誘電体膜の上に回路パターンに含まれる接続用
電極と電気的に接続される上部電極を形成する工程とに
よりコンデンサ形成し、このコンデンサの形成の前また
は後にその他の印刷電気素子を表面上に形成して第1の
回路基板を作る工程を実施する。次に、第1の回路基板
の表面上にプリプレグを用いて形成された絶縁層を形成
するとともにこの絶縁層の上に第2の回路パターンを形
成して第2の回路基板を作って多層回路基板を製造す
る。本発明においては、上部電極が接続される接続用電
極の表面を耐強アルカリ性を有する金属のメッキ層また
は導電性厚膜によって覆う。また第1の回路パターンの
うち第2の回路基板の絶縁層によって覆われる回路パタ
ーン部分を導電膜を形成するときに一緒に導電膜と同じ
材質の別の導電膜によって覆う。そして強誘電体膜を形
成するときに一緒に強誘電体膜と同じ材質の別の強誘電
体膜によって別の導電膜を覆う。
【0011】このようにして多層回路基板を製造すれ
ば、従来のように、回路パターン部分上の広い範囲に亘
ってメッキ層を形成する必要がなく、第1の回路基板と
第2の回路基板との接合強度が高い多層回路基板を簡単
に製造することができる。
【0012】また、第1の回路基板の表面に形成される
複数の印刷電気素子間の接続回路の大部分を第2の回路
基板の第2の回路パターンに含ませる場合には、第2の
回路パターンに含まれる接続回路と複数の印刷電気素子
とを第2の回路パターン、絶縁層、別の強誘電体膜、第
1の回路パターン及び絶縁性基板を貫通するスルーホー
ル導電部によって電気的に接続する。
【0013】
【発明の実施の形態】次に本発明の多層回路基板の実施
の形態の一例を図面を参照しながら詳細に説明する。図
1は本実施の形態の多層回路基板の断面図である。本図
に示すように、多層回路基板は、第1の回路基板1と第
2の回路基板3とが積層されて構成されている。第1の
回路基板1は、第1の絶縁性基板5の表面に第1の回路
パターン7が形成されて構成されている。絶縁性基板5
は、後に説明する強誘電体膜17A〜17Fを形成する
ために用いる強アルカリ溶液によって、絶縁性基板5の
表面の性質が変化することのない基板である。このよう
な絶縁性基板5としては、例えばガラスエポキシを用い
る。またフェノール樹脂、ポリイミド、ポリフェニレン
エーテル(PPE)、ポリフェニレンオキサイド(PP
O)を主材料として形成された基板を用いることができ
る。絶縁性基板5の上に形成された回路パターン7は、
絶縁性基板5の上に銅箔が積層された銅張積層板の銅箔
をエッチングすることにより形成されている。なお回路
パターン7をアルミ箔で形成する場合もある。そして、
絶縁性基板5の表面には、第1の回路パターン7を利用
してコンデンサ9,インダクタ11及び抵抗体13を含
む複数の印刷電気素子が形成されている。例えば絶縁性
基板5の上に形成されている回路の一部は、図2に示す
ようにコンデンサ9,インダクタ11及び抵抗体13
が、図2に示すように電気的に直列接続されているもの
を含むものとする。コンデンサ9は、第1の回路パター
ン7に含まれる下部電極7Aと、チタンを主成分とする
導電膜15Aと、強誘電体膜17Aと、上部電極19と
を有している。導電膜15Aは、蒸着等の薄膜形成技術
により形成するのが一般的であるが、この例ではチタン
を主成分とする導電ペーストを用いて形成されており、
約20μmの厚みを有している。この導電膜15Aは、
水熱合成法により強誘電体膜17Aを形成する際の結晶
生成の下地層となる役割を果たしている。この例では導
電膜15Aを、フッ素系樹脂の樹脂ペーストにチタン粉
末が混練された導電性ペーストから形成している。フッ
素系樹脂は、強誘電体膜17Aを形成する水熱合成法で
用いるアルカリ溶液によって性質が変化しない合成樹脂
である。このような合成樹脂としては、フッ素系樹脂の
ほか6−6ナイロン,ポリフェニレンサルファイド,ポ
リプロピレン,ポリフェニレン等を用いることができ
る。また金属粉末にはチタン粉末のほかに酸化チタン粉
末、チタンウイスカーを使用することができる。
【0014】強誘電体膜17Aは、導電膜15Aの上に
形成されており、無電解式の水熱合成法によって形成さ
れたチタン酸ジルコン酸鉛結晶膜(PZT結晶膜)によ
って構成されている。この強誘電体膜17Aは、厚みが
10μmであり、誘電率は800〜1200であり、容
量は約1000PF/mm2 である。強誘電体膜17A
としては、このほかチタン酸ストロンチウム結晶膜(S
TO結晶膜)、チタン酸バリウム結晶膜(BTO結晶
膜)の組成を採用してもよい。STO結晶膜、BTO結
晶膜は、通常、電解式の水熱合成法により形成されるも
のである。
【0015】上部電極19は、強誘電体膜17A上のほ
ぼ中央部から回路パターン7の接続用電極7Bのほぼ中
央部に亘って形成されている。この上部電極19は、銀
・パラジウム合金、ニッケル、銅等の導電性ペーストを
用いて形成されている。上部電極19が接続される接続
用電極7Bの表面(上部電極19と接続用電極7Bとの
間)は、耐強アルカリ性を有するNi、Ni−B、Ni
−P、Ni−WB、Ni−Ag、Ag、Au等の金属の
メッキ層21によって覆われている。またはメッキ層の
代りに、耐強アルカリ性を有するフッ素系樹脂、エポキ
シ系樹脂等の樹脂ペースト中に耐強アルカリ性を有する
Ag、Au、Ni等の金属粉体を混練した導電性ペース
トを用いて導電性厚膜を形成してもよい。
【0016】電極パターン7Bのうち、上部電極19に
よって覆われる部分が接続用電極となる。そして電極パ
ターン7Bのうちの上部電極19によって覆われない部
分または接続用電極を除いた部分(電極パターン7Bの
うち第2の回路基板3の絶縁層31によって覆われる部
分)には、導電膜15Bが形成されており、導電膜15
B上には強誘電体膜17Bが形成されている。これら導
電膜15B及び強誘電体膜17Bは、コンデンサを形成
するための導電膜15A及び強誘電体膜17Aを形成す
るときに同じ材料を用いて、同じ工程で形成されたもの
である。
【0017】インダクタ11は、第1の回路パターン7
に含まれる一対の電極パターン7C,7D間に跨がって
インダクタを形成するためのパターン23を導電性ペー
ストを用いて形成して構成する。なおこのパターン23
は、第1の回路パターンを形成する際にエッチングによ
り電極パターン7C,7Dと一体に形成してもよいのは
勿論である。パターン23上には耐強アルカリ性を有す
る合成樹脂製のオーバコート25が形成されている。電
極パターン7C,7Dのうちパターン23及びオーバコ
ート25によって覆われていない部分(電極パターン7
C,7Dのうち第2の回路基板3を構成する絶縁層31
によって覆われる部分)の上には、導電膜15C,15
Dがそれぞれ形成されており、さらに導電膜15C,1
5D上には強誘電体膜17C,17Dが形成されてい
る。導電膜15C,15D及び強誘電体膜17C,17
Dは、導電膜15A及び強誘電体膜17Aを形成する際
に、同じ材料を用いて同時に形成される。なおこのパタ
ーン23を、第1の回路パターンを形成する際にエッチ
ングにより電極パターン7C,7Dと一体に形成する場
合には、これらのパターンの上全体に導電膜と強誘電体
膜とを形成すればよい。
【0018】抵抗体13は、第1の回路パターン7に含
まれる一対の電極パターン7E,7F間に跨がって抵抗
体パターン27が形成されて構成されている。抵抗体パ
ターン27は、抵抗体ペーストを用いて形成されてい
る。そして抵抗体パターン27上には耐強アルカリ性を
有する合成樹脂製のオーバコート29が形成されてい
る。電極パターン7E,7Fのうち抵抗体パターン及び
オーバコート29によって覆われていない部分(電極パ
ターン7E,7Fのうち第2の回路基板3の絶縁層31
によって覆われる部分)には、導電膜15E,15Fが
それぞれ形成されており、導電膜15E,15F上には
強誘電体膜17E,17Fが形成されている。導電膜1
5E,15F及び強誘電体膜17E,17Fも、導電膜
15A及び強誘電体膜17Aを形成する際に同じ材料で
同時に形成される。
【0019】第2の回路基板3は、絶縁層31の表面に
第2の回路パターン33が形成されて構成されている。
第2の回路パターン33に含まれるパターン部(接続回
路)33Aとコンデンサ9の接続用電極7Bとはスルー
ホール導電部35Aにより電気的に接続されている。ス
ルーホール導電部35Aは、スルーホール37A内に銀
ペーストからなる導電性ペーストが充填されて形成され
ている。このスルーホール37Aは、接続用電極7B上
の強誘電体膜17Bが形成された部分において第1及び
第2の回路基板1,3を貫通している。
【0020】第2の回路パターン33に含まれるパター
ン部33Bは、コンデンサ9の下部電極7A及びインダ
クタ11の電極7Dにスルーホール導電部35B,35
Cを介してそれぞれ接続されている。スルーホール導電
部35B,35Cは、スルーホール37B,37C内に
銀ペーストからなる導電性ペーストが充填されて形成さ
れている。スルーホール37Bは、下部電極7A上の上
部電極19が形成されていない部分において第1及び第
2の回路基板1,3を貫通している。スルーホール37
Cは、電極7D上の強誘電体膜17Dが形成された部分
において第1及び第2の回路基板1,3を貫通してい
る。これにより、コンデンサ9及びインダクタ11は、
パターン部33Bを介して電気的に接続される。
【0021】第2の回路パターン33に含まれる接続回
路33Cは、インダクタ11の電極パターン7C及び抵
抗体13の電極パターン7Fとスルーホール導電部35
D,35Eを介してそれぞれ接続されている。スルーホ
ール導電部35D,35Eは、スルーホール37D,3
7E内に銀ペースト等の導電性ペーストが充填されて形
成されている。スルーホール37Dは、電極パターン7
C上の強誘電体膜17Cが形成された部分を貫通し、且
つ第1及び第2の回路基板1,3を貫通するように形成
されている。スルーホール37Eは、電極7F上の強誘
電体膜17Fが形成された部分を貫通し且つ第1及び第
2の回路基板1,3を貫通するように形成されている。
これにより、インダクタ11及び抵抗体13は、接続回
路33Cを介して電気的に接続されている。
【0022】第2の回路パターン33に含まれる接続回
路33Dと抵抗体13の電極パターン7Eとはスルーホ
ール導電部35Fにより電気的に接続されている。スル
ーホール導電部35Fが形成されるスルーホール37F
は、接続用電極7E上の強誘電体膜17Eが形成された
部分を貫通し且つ第1及び第2の回路基板1,3を貫通
するように形成されている。
【0023】本実施の形態の多層回路基板は次のように
製造する。まず、図3(A)に示すように、絶縁性基板
5の上に銅箔が積層された銅張積層板の銅箔をエッチン
グして絶縁性基板5の表面に第1の回路パターン7を形
成する。次に回路パターン7の一対の電極パターン7
C,7D間に跨がってインダクタパターン23を形成
し、第1の回路パターン7に含まれる一対の電極パター
ン7E,7F間に跨がって抵抗体パターン27を形成す
る。次にインダクタパターン23上に保護用の合成樹脂
製のオーバコート25を形成し、抵抗体パターン27上
に保護用の合成樹脂製のオーバコート29を形成する。
次に後の工程で上部電極パターン19が接続される接続
用電極パターン7Bの表面上に耐強アルカリ性を有する
Ni、Ni−B、Ni−P、Ni−WB、Ni−Ag、
Ag、Au等の金属のメッキ層21を電解または無電解
メッキ法により形成する。
【0024】次に、図3(B)に示すように、回路パタ
ーン7に含まれる電極パターン7A〜7Fの露出面上
に、フッ素樹脂等の合成樹脂にチタン粉末、酸化チタン
粉末またはチタンウイスカーの金属粉末を混練した導電
性ペーストを塗布して厚み30〜40μmの導電膜15
A〜15Fを一緒に形成する。本例では、導電性ペース
トの合成樹脂として、旭硝子株式会社からルミフロンの
商品名で販売されているフッ素樹脂を用い、また金属粉
末として、チタン粉末を用いた。導電性ペーストが回路
パターン7に塗布されて導電性ぺーストの層が形成され
た後時間の経過と共に、チタン粉末,酸化チタン粉末ま
たはチタンウイスカー等の比重の大きい成分が導電性ペ
ーストの層内で沈降する。その結果、チタン粉末,酸化
チタン粉末またはチタンウイスカーを多く含む下層と、
チタン粉末,酸化チタン粉末またはチタンウイスカーを
ほとんど含まず、その大部分が合成樹脂からなる上層と
に分れる。その後、この塗布された導電性ペーストを、
加圧してもパターン形状を維持できる硬度が得られるま
で150〜200℃の温度で加熱する。次いで、加熱さ
れた導電性ペーストに絶縁性基板5の鉛直方向(厚み方
向)に10〜50kg/cm2 の加圧力を加えながらさ
らに加熱して、厚み約20μmの導電膜を形成する。こ
れにより、導電膜の上層の樹脂が導電膜の面方向の周囲
に押しやられる。その後導電膜の表面を削る。そのた
め、チタン粉末,酸化チタン粉末またはチタンウイスカ
ーが導電膜の表面に露出して厚み方向に導電性が高くな
った導電膜15A〜15Fが得られる。なおこの例で
は、導電膜に加圧力を加えながら加熱した後に、その表
面を削って導電膜15A〜15Fを形成したが、導電膜
を加圧力を加えずに加熱した後に、その表面を削って導
電膜を形成しても構わない。
【0025】次に、導電膜15A〜15F上にいわゆる
水熱合成法により結晶性の強誘電体膜(PZT結晶膜)
17A〜17Fを一緒に形成する。本例では次のように
強誘電体膜17A〜17Fを形成する。まず、Pb(N
3 2 16mmol/l、ZrOCl2 8mmol/
l、TiCl4 0.08mmol/l及びKOH0.3
mmol/lの強アルカリの混合溶水液中に導電膜15
A〜15F等を形成した絶縁性基板5を浸漬する。その
後、180℃、10気圧中で12時間の無電解式の水熱
処理を行い、Pb(ZrTi)O3 の結晶核を生成す
る。次いで、Pb(NO3 2 16mmol/l、Zr
OCl2 8.32mmol/l、TiCl4 7.68m
mol/l及びKOH2.24mmol/lの強アルカ
リの混合水溶液(溶液合計640ml)中に既に表面に
結晶核が形成された絶縁性基板5を浸漬し、160℃中
で10時間の無電解式の水熱処理を行ってKを含有する
Pb(ZrTi)O3 の膜を形成した。そして、純水中
で3分間の超音波洗浄を2回行い、さらに1mol/l
の酢酸水溶液中で3分間の超音波洗浄を2回行って、再
び純水中で3分間の超音波洗浄を2回行う。これを10
0℃で12時間の乾燥を行いPZT結晶膜の形成を終え
る。なお、本例では強誘電体膜17A〜17Fを形成す
る際に用いるPb化合物,Zr化合物,Ti化合物とし
て無機化合物を用いたが、これらの化合物として有機化
合物を用いても構わない。また、上記例では、チタン酸
ジルコン酸鉛結晶膜(PZT結晶膜)により強誘電体膜
を形成したが、チタン酸ストロンチウム結晶膜(STO
結晶膜)、チタン酸バリウム結晶膜(BTO結晶膜)等
によっても強誘電体膜を形成することができる。
【0026】次に、強誘電体膜17A〜17F等を形成
した絶縁性基板5を取り出し、これを酢酸等の有機酸か
らなる中和処理液に浸漬し中和処理を施して、絶縁性基
板1の表面に付着した中和処理液を洗浄除去する。
【0027】次に、強誘電体膜17A上から回路パター
ン7に含まれる接続用電極パターン7B上のメッキ層2
1に亘って銀・パラジウム合金、ニッケル、銅等の導電
性ペーストを印刷して上部電極パターン19を形成して
コンデンサ9を完成する。この上部電極パターン19
は、スパッタリングにより薄膜で形成することもでき
る。
【0028】次に、第1の回路基板1の上にプリプレグ
からなる絶縁層31を重ね、更にその上に第2の回路パ
ターン33を形成するための銅箔を重ね、加熱工程と加
圧工程を経て多層板を製造する。そしてこの多層板の表
面の銅箔をエッチングして第2の回路パターン33を形
成する。なお図3(C)では、図示を簡略化するために
第1の回路基板1の上に第2の回路基板3を重ねるよう
図示している。
【0029】次に図1に示すように、第2の回路パター
ン33及び第1の回路パターン7の所定部分を通すよう
に、第1及び第2の回路基板1,3を貫通するスルーホ
ール37A〜37Fをドリルにより形成する。次にスル
ーホール37A〜37F内に導電性ペーストが充填して
から乾燥してスルーホール導電部35A〜35Fを形成
して多層回路基板を完成する。
【0030】なお、本例では、第1の回路基板1上にイ
ンダクタ,抵抗体等を形成した後に導電膜15A〜15
F及び強誘電体膜17A〜17Fを形成したが、インダ
クタのパターン23,抵抗体パターン27を形成する前
に導電膜15A〜15F及び強誘電体膜17A〜17F
を形成してもよい。その場合、電極パターン7のインダ
クタのパターン23及び抵抗体パターン27と接合する
部分に予め耐強アルカリ性を有する金属のメッキ層を形
成しておけばよい。
【0031】
【発明の効果】本発明のように、回路パターン部分上に
強誘電体膜を形成すると、強誘電体膜は表面に凹凸があ
るため、回路パターン部分上の強誘電体膜と第2の回路
基板の絶縁層との接着性または接合性が高くなる。その
ため、回路パターン部分の存在により第1の回路基板と
第2の回路基板との接合強度が低下するのを防ぐことが
できる。また、回路パターン部分を覆う導電膜及び強誘
電体膜は、第1の回路基板の表面上にコンデンサを形成
する際に形成する導電膜及び強誘電体膜の形成工程と同
じ工程で形成できるので、簡単に形成することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の一例の多層回路基板の要
部の断面図である。
【図2】図1の多層回路基板の要部に含まれる回路部分
の回路図である。
【図3】(A)〜(C)は、本発明の実施の形態の多層
回路基板の製造方法を説明するために用いる図である。
【符号の説明】
1 第1の回路基板 3 第2の回路基板 5 絶縁性基板 7 第1の回路パターン 7A 下部電極 7B 電極パターン 9 コンデンサ 11 インダクタ 13 抵抗体 15A〜15F 導電膜 17A〜17F 強誘電体膜 19 上部電極 21 メッキ層 31 絶縁層 33 第2の回路パターン 35A〜35F スルーホール導電部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4E351 AA03 AA04 BB01 BB03 BB05 BB09 BB31 BB33 BB35 CC06 CC11 DD04 DD05 DD06 DD10 DD11 DD19 DD42 GG01 5E346 AA42 CC08 CC21 CC32 CC37 CC38 CC39 DD17 DD22 EE05 EE09 EE13 FF15 GG08 GG15 GG17 GG22 GG28 HH07

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁性基板の表面に形成された金属箔か
    らなる第1の回路パターン、並びに前記第1の回路パタ
    ーンに含まれる下部電極、前記下部電極の上に形成され
    たチタンを主成分とする導電膜、前記導電膜の上に水熱
    合成法により形成された結晶性のチタンを含む強誘電体
    膜及び前記強誘電体膜の上に形成されて前記回路パター
    ンに含まれる接続用電極と電気的に接続された上部電極
    からなるコンデンサを含む複数の印刷電気素子が前記表
    面上に形成された第1の回路基板と、 前記第1の回路基板の前記表面上にプリプレグを用いて
    形成された絶縁層及び前記絶縁層の上に形成された第2
    の回路パターンを有する第2の回路基板とを少くとも具
    備する多層回路基板であって、 前記上部電極が接続される前記接続用電極の表面が耐強
    アルカリ性を有する金属のメッキ層または導電性厚膜に
    よって覆われており、 前記第1の回路パターンのうち前記第2の回路基板の前
    記絶縁層によって覆われる回路パターン部分が前記導電
    膜と同じ材質の導電膜によって覆われ且つその上に前記
    強誘電体膜と同じ材質の強誘電体膜が形成されているこ
    とを特徴とする多層回路基板。
  2. 【請求項2】 前記第1の回路基板の前記表面に形成さ
    れる複数の前記印刷電気素子間の接続回路の大部分が前
    記第2の回路基板の前記第2の回路パターンに含まれて
    おり、 前記第2の回路パターンに含まれる前記接続回路と前記
    複数の印刷電気素子とがスルーホール導電部によって電
    気的に接続されている請求項1に記載の多層回路基板。
  3. 【請求項3】 前記メッキ層を形成する前記金属が、N
    i、Ni−B、Ni−P、Ni−WB、Ni−Ag、A
    g、Auのいずれかである請求項1に記載の多層回路基
    板。
  4. 【請求項4】 前記導電性厚膜は、耐強アルカリ性を有
    する樹脂ペースト中に耐強アルカリ性を有する金属粉体
    が混練された導電性ペーストを用いて形成されている請
    求項1に記載の多層回路基板。
  5. 【請求項5】 絶縁性基板の表面に形成された金属箔か
    らなる第1の回路パターンを形成する工程と、前記第1
    の回路パターンに含まれる下部電極上にチタンを主成分
    とする導電膜を形成する工程と、前記導電膜の上に水熱
    合成法により結晶性のチタンを含む強誘電体膜を形成す
    る工程と、前記強誘電体膜の上に前記回路パターンに含
    まれる接続用電極と電気的に接続される上部電極を形成
    する工程とによりコンデンサ形成し、前記コンデンサの
    形成の前または後にその他の印刷電気素子を前記表面上
    に形成して第1の回路基板を作り、 前記第1の回路基板の前記表面上にプリプレグを用いて
    形成された絶縁層を形成するとともに前記絶縁層の上に
    第2の回路パターンを形成して第2の回路基板を作って
    多層回路基板を製造する方法であって、 前記上部電極が接続される前記接続用電極の表面を耐強
    アルカリ性を有する金属のメッキ層または導電性厚膜に
    よって覆う工程と、 前記第1の回路パターンのうち前記第2の回路基板の前
    記絶縁層によって覆われる回路パターン部分を前記導電
    膜を形成するときに一緒に前記導電膜と同じ材質の別の
    導電膜によって覆う工程と、 前記強誘電体膜を形成するときに一緒に前記強誘電体膜
    と同じ材質の別の強誘電体膜によって前記別の導電膜を
    覆う工程とを具備する多層回路基板の製造方法。
  6. 【請求項6】 前記第1の回路基板の前記表面に形成さ
    れる複数の前記印刷電気素子間の接続回路の大部分が前
    記第2の回路基板の前記第2の回路パターンに含まれて
    おり、 前記第2の回路パターンに含まれる前記接続回路と前記
    複数の印刷電気素子とを前記第2の回路パターン、前記
    絶縁層、前記別の強誘電体膜、前記第1の回路パターン
    及び前記絶縁性基板を貫通するスルーホール導電部によ
    って電気的に接続することを特徴とする請求項5に記載
    の多層回路基板の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100668273B1 (ko) 2004-08-20 2007-01-12 세이코 엡슨 가부시키가이샤 다층 구조 형성 방법, 배선 기판 및 전자 기기의 제조 방법

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