JP2000208942A - 多層回路基板及びその製造方法 - Google Patents
多層回路基板及びその製造方法Info
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- JP2000208942A JP2000208942A JP11005628A JP562899A JP2000208942A JP 2000208942 A JP2000208942 A JP 2000208942A JP 11005628 A JP11005628 A JP 11005628A JP 562899 A JP562899 A JP 562899A JP 2000208942 A JP2000208942 A JP 2000208942A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 水熱合成法により形成したコンデンサを表面
に有する第１の回路基板の回路パターン部分とその上に
積層される第２の回路基板の絶縁層との接合強度を高め
ることができる多層回路基板を提供する。 【解決手段】 コンデンサ９の上部電極パターン１９が
接続される電極パターン７Ｂの表面を耐強アルカリ性を
有する金属のメッキ層２１によって覆う。第１の回路パ
ターン７のうち第２の回路基板３の絶縁層３１によって
覆われる回路パターン部分を導電膜１５Ａと同じ材質の
導電膜１５Ｂ〜１５Ｆによって覆い且つその上に強誘電
体膜１７Ａと同じ材質の強誘電体膜１７Ｂ〜１７Ｆを形
成する。第１の回路基板１の表面に形成される複数の印
刷電気素子９〜１３間の接続回路の大部分を第２の回路
基板３の第２の回路パターン３３に含ませるように、第
２の回路パターン３３に含まれる接続回路３３Ａ〜３３
Ｄと複数の印刷電気素子９〜１３とをスルーホール導電
部３５Ａ〜３５Ｆによって電気的に接続する。
に有する第１の回路基板の回路パターン部分とその上に
積層される第２の回路基板の絶縁層との接合強度を高め
ることができる多層回路基板を提供する。 【解決手段】 コンデンサ９の上部電極パターン１９が
接続される電極パターン７Ｂの表面を耐強アルカリ性を
有する金属のメッキ層２１によって覆う。第１の回路パ
ターン７のうち第２の回路基板３の絶縁層３１によって
覆われる回路パターン部分を導電膜１５Ａと同じ材質の
導電膜１５Ｂ〜１５Ｆによって覆い且つその上に強誘電
体膜１７Ａと同じ材質の強誘電体膜１７Ｂ〜１７Ｆを形
成する。第１の回路基板１の表面に形成される複数の印
刷電気素子９〜１３間の接続回路の大部分を第２の回路
基板３の第２の回路パターン３３に含ませるように、第
２の回路パターン３３に含まれる接続回路３３Ａ〜３３
Ｄと複数の印刷電気素子９〜１３とをスルーホール導電
部３５Ａ〜３５Ｆによって電気的に接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、内層に水熱合成法
により形成したコンデンサを備えた多層回路基板及びそ
の製造方法に関するものである。
により形成したコンデンサを備えた多層回路基板及びそ
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】本願発明者は、平成１０年１月６日に出
願した先の出願（特願平１０−１３４０３号）で、水熱
合成法により形成したチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）
等のチタンを含有する結晶性の強誘電体膜を誘電層とし
て用いる薄形コンデンサを備えた回路基板を提案した。
この回路基板は、次のようにして製造する。まず、絶縁
性基板の表面に銅箔，アルミニウム箔等の金属箔を貼り
付け、これにエッチング処理を施して回路パターンを形
成する。次に回路パターンに含まれる下部電極の表面に
スパッタリングや溶射により、チタンを主成分とする導
電膜を形成する。この導電膜は、水熱合成法により強誘
電体膜を形成する際の結晶生成の下地層となる役割を果
たしている。したがって、この導電膜の上にのみ水熱合
成法によって結晶性の強誘電体膜からなる誘電層が形成
される。例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）の強
誘電体膜を形成するには、Ｐｂ化合物，Ｚｒ化合物，Ｔ
ｉ化合物を含む強アルカリ溶液中に絶縁性基板を浸し、
高温、高圧に設定されたオートクレーブに溶液と共に入
れて強誘電体膜を形成する。次に強誘電体膜と回路パタ
ーンの一部である接続用電極とを電気的に接続する上部
電極をスパッタリングまたは導電性ペーストの印刷によ
り形成してコンデンサ部を完成する。
願した先の出願（特願平１０−１３４０３号）で、水熱
合成法により形成したチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）
等のチタンを含有する結晶性の強誘電体膜を誘電層とし
て用いる薄形コンデンサを備えた回路基板を提案した。
この回路基板は、次のようにして製造する。まず、絶縁
性基板の表面に銅箔，アルミニウム箔等の金属箔を貼り
付け、これにエッチング処理を施して回路パターンを形
成する。次に回路パターンに含まれる下部電極の表面に
スパッタリングや溶射により、チタンを主成分とする導
電膜を形成する。この導電膜は、水熱合成法により強誘
電体膜を形成する際の結晶生成の下地層となる役割を果
たしている。したがって、この導電膜の上にのみ水熱合
成法によって結晶性の強誘電体膜からなる誘電層が形成
される。例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）の強
誘電体膜を形成するには、Ｐｂ化合物，Ｚｒ化合物，Ｔ
ｉ化合物を含む強アルカリ溶液中に絶縁性基板を浸し、
高温、高圧に設定されたオートクレーブに溶液と共に入
れて強誘電体膜を形成する。次に強誘電体膜と回路パタ
ーンの一部である接続用電極とを電気的に接続する上部
電極をスパッタリングまたは導電性ペーストの印刷によ
り形成してコンデンサ部を完成する。
【０００３】このような回路基板を用いて多層回路基板
を形成することもできる。例えば、このような回路基板
を第１の回路基板として、この第１の回路基板上にプリ
プレグを用いて形成された絶縁層及び該絶縁層の上に形
成された第２の回路パターンを有する第２の回路基板を
積層し、両者を接合して多層回路基板を形成する。この
場合、第１の回路パターンのうち第２の回路基板の絶縁
層によって覆われる回路パターン部分が後の工程におい
て強強誘電体膜を形成する際にアルカリ溶液に浸食され
るおそれがある。
を形成することもできる。例えば、このような回路基板
を第１の回路基板として、この第１の回路基板上にプリ
プレグを用いて形成された絶縁層及び該絶縁層の上に形
成された第２の回路パターンを有する第２の回路基板を
積層し、両者を接合して多層回路基板を形成する。この
場合、第１の回路パターンのうち第２の回路基板の絶縁
層によって覆われる回路パターン部分が後の工程におい
て強強誘電体膜を形成する際にアルカリ溶液に浸食され
るおそれがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで、発明者は、こ
の回路パターン部分を耐強アルカリ性を有する金属のメ
ッキ層で覆うことを考えた。このような構造は、単層構
造で使用する場合には、極めて効果的である。しかしな
がら、このような構造を多層回路基板の特に内層基板に
採用すると、金属のメッキ層の表面が滑らかなために、
メッキ層と第２の回路基板の絶縁層との間の接合強度が
低くくなり、第１の回路基板と第２の回路基板との間で
部分的に剥離を発生させるおそれがあり、これが電気的
な絶縁性の低下及び信頼性の低下をまねく可能性があ
る。
の回路パターン部分を耐強アルカリ性を有する金属のメ
ッキ層で覆うことを考えた。このような構造は、単層構
造で使用する場合には、極めて効果的である。しかしな
がら、このような構造を多層回路基板の特に内層基板に
採用すると、金属のメッキ層の表面が滑らかなために、
メッキ層と第２の回路基板の絶縁層との間の接合強度が
低くくなり、第１の回路基板と第２の回路基板との間で
部分的に剥離を発生させるおそれがあり、これが電気的
な絶縁性の低下及び信頼性の低下をまねく可能性があ
る。
【０００５】本発明の目的は、水熱合成法により形成し
たコンデンサを表面に有する第１の回路基板の回路パタ
ーン部分とその上に積層される第２の回路基板の絶縁層
との接合強度を高めることができる多層回路基板及びそ
の製造方法を提供することにある。
たコンデンサを表面に有する第１の回路基板の回路パタ
ーン部分とその上に積層される第２の回路基板の絶縁層
との接合強度を高めることができる多層回路基板及びそ
の製造方法を提供することにある。
【０００６】本発明の他の目的は、上記目的に加えて、
高周波特性に優れた多層回路基板及びその製造方法を提
供することにある。
高周波特性に優れた多層回路基板及びその製造方法を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明が対象とする多層
回路基板は、絶縁性基板の表面に形成された金属箔から
なる第１の回路パターン、並びに第１の回路パターンに
含まれる下部電極、下部電極の上に形成されたチタンを
主成分とする導電膜、導電膜の上に水熱合成法により形
成された結晶性のチタンを含む強誘電体膜及び強誘電体
膜の上に形成されて回路パターンに含まれる接続用電極
と電気的に接続された上部電極からなるコンデンサを含
む複数の印刷電気素子（印刷コンデンサの他、印刷抵抗
体、インダクタ等）が表面上に形成された第１の回路基
板と、この第１の回路基板の表面上にプリプレグを用い
て形成された絶縁層及びこの絶縁層の上に形成された第
２の回路パターンを有する第２の回路基板とを少くとも
具備している。第１の回路基板の下に更に１以上の回路
基板が積層されていてもよく、また第２の回路基板の上
に更に１以上の回路基板が積層されていてもよいのは勿
論である。なおここでいう水熱合成法とは、被形成部材
（絶縁性基板）を強誘電体膜を形成する材料を含有する
強アルカリ溶液中に浸した状態で、高温、高圧中に放置
して強誘電体膜を形成する方法をいう。水熱合成法に
は、被形成部材に通電を行う電解式と被形成部材に通電
を行わない無電解式とがある。この水熱合成法について
は、特開平８−１３３７３３号等に詳しく述べられてい
る。本発明では、上部電極が接続される接続用電極の表
面に耐強アルカリ性を有する金属のメッキ層または導電
性厚膜を覆う。そして第１の回路パターンのうち第２の
回路基板の絶縁層によって覆われる回路パターン部分
（コンデンサ以外の他の印刷電気素子がコンデンサの形
成前に形成されている場合には、接続用電極及び予め形
成されている印刷電気素子等によって覆われていない第
１の回路パターンの部分；コンデンサ以外の他の印刷電
気素子がコンデンサの形成後に形成される場合には、コ
ンデンサの接続用電極及びその他の電気部品素子のため
の接続用電極を含む第１の回路パターンのすべての部
分）［以下、単に回路パターン部分と言う］をチタンを
主成分とする導電膜と同じ材質の導電膜によって覆い、
且つその上に水熱合成法により形成された結晶性のチタ
ンを含む強誘電体膜と同じ材質の強誘電体膜を形成す
る。強誘電体膜は表面に凹凸があるため、本発明のよう
に、回路パターン部分上に強誘電体膜を形成すると、回
路パターン部分上の強誘電体膜と第２の回路基板の絶縁
層との接着性または接合性が高くなる。そのため、回路
パターン部分の存在により第１の回路基板と第２の回路
基板との接合強度が低下するのを防ぐことができる。ま
た、回路パターン部分を覆う導電膜及び強誘電体膜は、
第１の回路基板の表面上にコンデンサを形成する際に形
成する導電膜及び強誘電体膜の形成工程と同じ工程で形
成できるので、簡単に形成することができる。
回路基板は、絶縁性基板の表面に形成された金属箔から
なる第１の回路パターン、並びに第１の回路パターンに
含まれる下部電極、下部電極の上に形成されたチタンを
主成分とする導電膜、導電膜の上に水熱合成法により形
成された結晶性のチタンを含む強誘電体膜及び強誘電体
膜の上に形成されて回路パターンに含まれる接続用電極
と電気的に接続された上部電極からなるコンデンサを含
む複数の印刷電気素子（印刷コンデンサの他、印刷抵抗
体、インダクタ等）が表面上に形成された第１の回路基
板と、この第１の回路基板の表面上にプリプレグを用い
て形成された絶縁層及びこの絶縁層の上に形成された第
２の回路パターンを有する第２の回路基板とを少くとも
具備している。第１の回路基板の下に更に１以上の回路
基板が積層されていてもよく、また第２の回路基板の上
に更に１以上の回路基板が積層されていてもよいのは勿
論である。なおここでいう水熱合成法とは、被形成部材
（絶縁性基板）を強誘電体膜を形成する材料を含有する
強アルカリ溶液中に浸した状態で、高温、高圧中に放置
して強誘電体膜を形成する方法をいう。水熱合成法に
は、被形成部材に通電を行う電解式と被形成部材に通電
を行わない無電解式とがある。この水熱合成法について
は、特開平８−１３３７３３号等に詳しく述べられてい
る。本発明では、上部電極が接続される接続用電極の表
面に耐強アルカリ性を有する金属のメッキ層または導電
性厚膜を覆う。そして第１の回路パターンのうち第２の
回路基板の絶縁層によって覆われる回路パターン部分
（コンデンサ以外の他の印刷電気素子がコンデンサの形
成前に形成されている場合には、接続用電極及び予め形
成されている印刷電気素子等によって覆われていない第
１の回路パターンの部分；コンデンサ以外の他の印刷電
気素子がコンデンサの形成後に形成される場合には、コ
ンデンサの接続用電極及びその他の電気部品素子のため
の接続用電極を含む第１の回路パターンのすべての部
分）［以下、単に回路パターン部分と言う］をチタンを
主成分とする導電膜と同じ材質の導電膜によって覆い、
且つその上に水熱合成法により形成された結晶性のチタ
ンを含む強誘電体膜と同じ材質の強誘電体膜を形成す
る。強誘電体膜は表面に凹凸があるため、本発明のよう
に、回路パターン部分上に強誘電体膜を形成すると、回
路パターン部分上の強誘電体膜と第２の回路基板の絶縁
層との接着性または接合性が高くなる。そのため、回路
パターン部分の存在により第１の回路基板と第２の回路
基板との接合強度が低下するのを防ぐことができる。ま
た、回路パターン部分を覆う導電膜及び強誘電体膜は、
第１の回路基板の表面上にコンデンサを形成する際に形
成する導電膜及び強誘電体膜の形成工程と同じ工程で形
成できるので、簡単に形成することができる。
【０００８】しかしながら、第１の回路基板の回路パタ
ーン部分を強誘電体膜で覆う場合に、回路パターン部分
の面積が大きくなると、第１の回路パターン上に形成さ
れる容量成分が多くなるために第１の回路基板上に形成
される回路の高周波特性が悪くなる。そこで、第１の回
路基板の表面に形成される回路パターン部分の面積を少
なくするために、複数の印刷電気素子間の接続回路の大
部分を第２の回路基板の第２の回路パターンに含ませ、
第２の回路パターンに含まれる接続回路と複数の印刷電
気素子とをスルーホール導電部によって電気的に接続す
るのが好ましい。このようにすれば、複数の印刷電気素
子とスルーホール導電部とを接続する僅かな部分だけが
強誘電体膜で覆われることになるだけで、複数の印刷電
気素子間の接続回路の大部分は、強誘電体膜で覆われる
ことがない。そのため第１の回路パターン上に形成され
る回路の高周波特性が大きく低下するのを防ぐことがで
きる。
ーン部分を強誘電体膜で覆う場合に、回路パターン部分
の面積が大きくなると、第１の回路パターン上に形成さ
れる容量成分が多くなるために第１の回路基板上に形成
される回路の高周波特性が悪くなる。そこで、第１の回
路基板の表面に形成される回路パターン部分の面積を少
なくするために、複数の印刷電気素子間の接続回路の大
部分を第２の回路基板の第２の回路パターンに含ませ、
第２の回路パターンに含まれる接続回路と複数の印刷電
気素子とをスルーホール導電部によって電気的に接続す
るのが好ましい。このようにすれば、複数の印刷電気素
子とスルーホール導電部とを接続する僅かな部分だけが
強誘電体膜で覆われることになるだけで、複数の印刷電
気素子間の接続回路の大部分は、強誘電体膜で覆われる
ことがない。そのため第１の回路パターン上に形成され
る回路の高周波特性が大きく低下するのを防ぐことがで
きる。
【０００９】メッキ層を形成する耐強アルカリ性を有す
る金属としては、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｂ、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｗ
Ｂ、Ｎｉ−Ａｇ、Ａｇ、Ａｕ等のいずれかを用いること
ができる。また、導電性厚膜は、耐強アルカリ性を有す
る樹脂ペースト中に耐強アルカリ性を有する金属粉体が
混練された導電性ペーストを用いて形成することができ
る。
る金属としては、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｂ、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｗ
Ｂ、Ｎｉ−Ａｇ、Ａｇ、Ａｕ等のいずれかを用いること
ができる。また、導電性厚膜は、耐強アルカリ性を有す
る樹脂ペースト中に耐強アルカリ性を有する金属粉体が
混練された導電性ペーストを用いて形成することができ
る。
【００１０】本発明の多層回路基板を製造方法は次の工
程からなる。まず、絶縁性基板の表面に形成された金属
箔からなる第１の回路パターンを形成する工程と、第１
の回路パターンに含まれる下部電極上にチタンを主成分
とする導電膜を形成する工程と、導電膜の上に水熱合成
法により結晶性のチタンを含む強誘電体膜を形成する工
程と、強誘電体膜の上に回路パターンに含まれる接続用
電極と電気的に接続される上部電極を形成する工程とに
よりコンデンサ形成し、このコンデンサの形成の前また
は後にその他の印刷電気素子を表面上に形成して第１の
回路基板を作る工程を実施する。次に、第１の回路基板
の表面上にプリプレグを用いて形成された絶縁層を形成
するとともにこの絶縁層の上に第２の回路パターンを形
成して第２の回路基板を作って多層回路基板を製造す
る。本発明においては、上部電極が接続される接続用電
極の表面を耐強アルカリ性を有する金属のメッキ層また
は導電性厚膜によって覆う。また第１の回路パターンの
うち第２の回路基板の絶縁層によって覆われる回路パタ
ーン部分を導電膜を形成するときに一緒に導電膜と同じ
材質の別の導電膜によって覆う。そして強誘電体膜を形
成するときに一緒に強誘電体膜と同じ材質の別の強誘電
体膜によって別の導電膜を覆う。
程からなる。まず、絶縁性基板の表面に形成された金属
箔からなる第１の回路パターンを形成する工程と、第１
の回路パターンに含まれる下部電極上にチタンを主成分
とする導電膜を形成する工程と、導電膜の上に水熱合成
法により結晶性のチタンを含む強誘電体膜を形成する工
程と、強誘電体膜の上に回路パターンに含まれる接続用
電極と電気的に接続される上部電極を形成する工程とに
よりコンデンサ形成し、このコンデンサの形成の前また
は後にその他の印刷電気素子を表面上に形成して第１の
回路基板を作る工程を実施する。次に、第１の回路基板
の表面上にプリプレグを用いて形成された絶縁層を形成
するとともにこの絶縁層の上に第２の回路パターンを形
成して第２の回路基板を作って多層回路基板を製造す
る。本発明においては、上部電極が接続される接続用電
極の表面を耐強アルカリ性を有する金属のメッキ層また
は導電性厚膜によって覆う。また第１の回路パターンの
うち第２の回路基板の絶縁層によって覆われる回路パタ
ーン部分を導電膜を形成するときに一緒に導電膜と同じ
材質の別の導電膜によって覆う。そして強誘電体膜を形
成するときに一緒に強誘電体膜と同じ材質の別の強誘電
体膜によって別の導電膜を覆う。
【００１１】このようにして多層回路基板を製造すれ
ば、従来のように、回路パターン部分上の広い範囲に亘
ってメッキ層を形成する必要がなく、第１の回路基板と
第２の回路基板との接合強度が高い多層回路基板を簡単
に製造することができる。
ば、従来のように、回路パターン部分上の広い範囲に亘
ってメッキ層を形成する必要がなく、第１の回路基板と
第２の回路基板との接合強度が高い多層回路基板を簡単
に製造することができる。
【００１２】また、第１の回路基板の表面に形成される
複数の印刷電気素子間の接続回路の大部分を第２の回路
基板の第２の回路パターンに含ませる場合には、第２の
回路パターンに含まれる接続回路と複数の印刷電気素子
とを第２の回路パターン、絶縁層、別の強誘電体膜、第
１の回路パターン及び絶縁性基板を貫通するスルーホー
ル導電部によって電気的に接続する。
複数の印刷電気素子間の接続回路の大部分を第２の回路
基板の第２の回路パターンに含ませる場合には、第２の
回路パターンに含まれる接続回路と複数の印刷電気素子
とを第２の回路パターン、絶縁層、別の強誘電体膜、第
１の回路パターン及び絶縁性基板を貫通するスルーホー
ル導電部によって電気的に接続する。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に本発明の多層回路基板の実施
の形態の一例を図面を参照しながら詳細に説明する。図
１は本実施の形態の多層回路基板の断面図である。本図
に示すように、多層回路基板は、第１の回路基板１と第
２の回路基板３とが積層されて構成されている。第１の
回路基板１は、第１の絶縁性基板５の表面に第１の回路
パターン７が形成されて構成されている。絶縁性基板５
は、後に説明する強誘電体膜１７Ａ〜１７Ｆを形成する
ために用いる強アルカリ溶液によって、絶縁性基板５の
表面の性質が変化することのない基板である。このよう
な絶縁性基板５としては、例えばガラスエポキシを用い
る。またフェノール樹脂、ポリイミド、ポリフェニレン
エーテル（ＰＰＥ）、ポリフェニレンオキサイド（ＰＰ
Ｏ）を主材料として形成された基板を用いることができ
る。絶縁性基板５の上に形成された回路パターン７は、
絶縁性基板５の上に銅箔が積層された銅張積層板の銅箔
をエッチングすることにより形成されている。なお回路
パターン７をアルミ箔で形成する場合もある。そして、
絶縁性基板５の表面には、第１の回路パターン７を利用
してコンデンサ９，インダクタ１１及び抵抗体１３を含
む複数の印刷電気素子が形成されている。例えば絶縁性
基板５の上に形成されている回路の一部は、図２に示す
ようにコンデンサ９，インダクタ１１及び抵抗体１３
が、図２に示すように電気的に直列接続されているもの
を含むものとする。コンデンサ９は、第１の回路パター
ン７に含まれる下部電極７Ａと、チタンを主成分とする
導電膜１５Ａと、強誘電体膜１７Ａと、上部電極１９と
を有している。導電膜１５Ａは、蒸着等の薄膜形成技術
により形成するのが一般的であるが、この例ではチタン
を主成分とする導電ペーストを用いて形成されており、
約２０μｍの厚みを有している。この導電膜１５Ａは、
水熱合成法により強誘電体膜１７Ａを形成する際の結晶
生成の下地層となる役割を果たしている。この例では導
電膜１５Ａを、フッ素系樹脂の樹脂ペーストにチタン粉
末が混練された導電性ペーストから形成している。フッ
素系樹脂は、強誘電体膜１７Ａを形成する水熱合成法で
用いるアルカリ溶液によって性質が変化しない合成樹脂
である。このような合成樹脂としては、フッ素系樹脂の
ほか６−６ナイロン，ポリフェニレンサルファイド，ポ
リプロピレン，ポリフェニレン等を用いることができ
る。また金属粉末にはチタン粉末のほかに酸化チタン粉
末、チタンウイスカーを使用することができる。
の形態の一例を図面を参照しながら詳細に説明する。図
１は本実施の形態の多層回路基板の断面図である。本図
に示すように、多層回路基板は、第１の回路基板１と第
２の回路基板３とが積層されて構成されている。第１の
回路基板１は、第１の絶縁性基板５の表面に第１の回路
パターン７が形成されて構成されている。絶縁性基板５
は、後に説明する強誘電体膜１７Ａ〜１７Ｆを形成する
ために用いる強アルカリ溶液によって、絶縁性基板５の
表面の性質が変化することのない基板である。このよう
な絶縁性基板５としては、例えばガラスエポキシを用い
る。またフェノール樹脂、ポリイミド、ポリフェニレン
エーテル（ＰＰＥ）、ポリフェニレンオキサイド（ＰＰ
Ｏ）を主材料として形成された基板を用いることができ
る。絶縁性基板５の上に形成された回路パターン７は、
絶縁性基板５の上に銅箔が積層された銅張積層板の銅箔
をエッチングすることにより形成されている。なお回路
パターン７をアルミ箔で形成する場合もある。そして、
絶縁性基板５の表面には、第１の回路パターン７を利用
してコンデンサ９，インダクタ１１及び抵抗体１３を含
む複数の印刷電気素子が形成されている。例えば絶縁性
基板５の上に形成されている回路の一部は、図２に示す
ようにコンデンサ９，インダクタ１１及び抵抗体１３
が、図２に示すように電気的に直列接続されているもの
を含むものとする。コンデンサ９は、第１の回路パター
ン７に含まれる下部電極７Ａと、チタンを主成分とする
導電膜１５Ａと、強誘電体膜１７Ａと、上部電極１９と
を有している。導電膜１５Ａは、蒸着等の薄膜形成技術
により形成するのが一般的であるが、この例ではチタン
を主成分とする導電ペーストを用いて形成されており、
約２０μｍの厚みを有している。この導電膜１５Ａは、
水熱合成法により強誘電体膜１７Ａを形成する際の結晶
生成の下地層となる役割を果たしている。この例では導
電膜１５Ａを、フッ素系樹脂の樹脂ペーストにチタン粉
末が混練された導電性ペーストから形成している。フッ
素系樹脂は、強誘電体膜１７Ａを形成する水熱合成法で
用いるアルカリ溶液によって性質が変化しない合成樹脂
である。このような合成樹脂としては、フッ素系樹脂の
ほか６−６ナイロン，ポリフェニレンサルファイド，ポ
リプロピレン，ポリフェニレン等を用いることができ
る。また金属粉末にはチタン粉末のほかに酸化チタン粉
末、チタンウイスカーを使用することができる。
【００１４】強誘電体膜１７Ａは、導電膜１５Ａの上に
形成されており、無電解式の水熱合成法によって形成さ
れたチタン酸ジルコン酸鉛結晶膜（ＰＺＴ結晶膜）によ
って構成されている。この強誘電体膜１７Ａは、厚みが
１０μｍであり、誘電率は８００〜１２００であり、容
量は約１０００ＰＦ／ｍｍ2 である。強誘電体膜１７Ａ
としては、このほかチタン酸ストロンチウム結晶膜（Ｓ
ＴＯ結晶膜）、チタン酸バリウム結晶膜（ＢＴＯ結晶
膜）の組成を採用してもよい。ＳＴＯ結晶膜、ＢＴＯ結
晶膜は、通常、電解式の水熱合成法により形成されるも
のである。
形成されており、無電解式の水熱合成法によって形成さ
れたチタン酸ジルコン酸鉛結晶膜（ＰＺＴ結晶膜）によ
って構成されている。この強誘電体膜１７Ａは、厚みが
１０μｍであり、誘電率は８００〜１２００であり、容
量は約１０００ＰＦ／ｍｍ2 である。強誘電体膜１７Ａ
としては、このほかチタン酸ストロンチウム結晶膜（Ｓ
ＴＯ結晶膜）、チタン酸バリウム結晶膜（ＢＴＯ結晶
膜）の組成を採用してもよい。ＳＴＯ結晶膜、ＢＴＯ結
晶膜は、通常、電解式の水熱合成法により形成されるも
のである。
【００１５】上部電極１９は、強誘電体膜１７Ａ上のほ
ぼ中央部から回路パターン７の接続用電極７Ｂのほぼ中
央部に亘って形成されている。この上部電極１９は、銀
・パラジウム合金、ニッケル、銅等の導電性ペーストを
用いて形成されている。上部電極１９が接続される接続
用電極７Ｂの表面（上部電極１９と接続用電極７Ｂとの
間）は、耐強アルカリ性を有するＮｉ、Ｎｉ−Ｂ、Ｎｉ
−Ｐ、Ｎｉ−ＷＢ、Ｎｉ−Ａｇ、Ａｇ、Ａｕ等の金属の
メッキ層２１によって覆われている。またはメッキ層の
代りに、耐強アルカリ性を有するフッ素系樹脂、エポキ
シ系樹脂等の樹脂ペースト中に耐強アルカリ性を有する
Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ等の金属粉体を混練した導電性ペース
トを用いて導電性厚膜を形成してもよい。
ぼ中央部から回路パターン７の接続用電極７Ｂのほぼ中
央部に亘って形成されている。この上部電極１９は、銀
・パラジウム合金、ニッケル、銅等の導電性ペーストを
用いて形成されている。上部電極１９が接続される接続
用電極７Ｂの表面（上部電極１９と接続用電極７Ｂとの
間）は、耐強アルカリ性を有するＮｉ、Ｎｉ−Ｂ、Ｎｉ
−Ｐ、Ｎｉ−ＷＢ、Ｎｉ−Ａｇ、Ａｇ、Ａｕ等の金属の
メッキ層２１によって覆われている。またはメッキ層の
代りに、耐強アルカリ性を有するフッ素系樹脂、エポキ
シ系樹脂等の樹脂ペースト中に耐強アルカリ性を有する
Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ等の金属粉体を混練した導電性ペース
トを用いて導電性厚膜を形成してもよい。
【００１６】電極パターン７Ｂのうち、上部電極１９に
よって覆われる部分が接続用電極となる。そして電極パ
ターン７Ｂのうちの上部電極１９によって覆われない部
分または接続用電極を除いた部分（電極パターン７Ｂの
うち第２の回路基板３の絶縁層３１によって覆われる部
分）には、導電膜１５Ｂが形成されており、導電膜１５
Ｂ上には強誘電体膜１７Ｂが形成されている。これら導
電膜１５Ｂ及び強誘電体膜１７Ｂは、コンデンサを形成
するための導電膜１５Ａ及び強誘電体膜１７Ａを形成す
るときに同じ材料を用いて、同じ工程で形成されたもの
である。
よって覆われる部分が接続用電極となる。そして電極パ
ターン７Ｂのうちの上部電極１９によって覆われない部
分または接続用電極を除いた部分（電極パターン７Ｂの
うち第２の回路基板３の絶縁層３１によって覆われる部
分）には、導電膜１５Ｂが形成されており、導電膜１５
Ｂ上には強誘電体膜１７Ｂが形成されている。これら導
電膜１５Ｂ及び強誘電体膜１７Ｂは、コンデンサを形成
するための導電膜１５Ａ及び強誘電体膜１７Ａを形成す
るときに同じ材料を用いて、同じ工程で形成されたもの
である。
【００１７】インダクタ１１は、第１の回路パターン７
に含まれる一対の電極パターン７Ｃ，７Ｄ間に跨がって
インダクタを形成するためのパターン２３を導電性ペー
ストを用いて形成して構成する。なおこのパターン２３
は、第１の回路パターンを形成する際にエッチングによ
り電極パターン７Ｃ，７Ｄと一体に形成してもよいのは
勿論である。パターン２３上には耐強アルカリ性を有す
る合成樹脂製のオーバコート２５が形成されている。電
極パターン７Ｃ，７Ｄのうちパターン２３及びオーバコ
ート２５によって覆われていない部分（電極パターン７
Ｃ，７Ｄのうち第２の回路基板３を構成する絶縁層３１
によって覆われる部分）の上には、導電膜１５Ｃ，１５
Ｄがそれぞれ形成されており、さらに導電膜１５Ｃ，１
５Ｄ上には強誘電体膜１７Ｃ，１７Ｄが形成されてい
る。導電膜１５Ｃ，１５Ｄ及び強誘電体膜１７Ｃ，１７
Ｄは、導電膜１５Ａ及び強誘電体膜１７Ａを形成する際
に、同じ材料を用いて同時に形成される。なおこのパタ
ーン２３を、第１の回路パターンを形成する際にエッチ
ングにより電極パターン７Ｃ，７Ｄと一体に形成する場
合には、これらのパターンの上全体に導電膜と強誘電体
膜とを形成すればよい。
に含まれる一対の電極パターン７Ｃ，７Ｄ間に跨がって
インダクタを形成するためのパターン２３を導電性ペー
ストを用いて形成して構成する。なおこのパターン２３
は、第１の回路パターンを形成する際にエッチングによ
り電極パターン７Ｃ，７Ｄと一体に形成してもよいのは
勿論である。パターン２３上には耐強アルカリ性を有す
る合成樹脂製のオーバコート２５が形成されている。電
極パターン７Ｃ，７Ｄのうちパターン２３及びオーバコ
ート２５によって覆われていない部分（電極パターン７
Ｃ，７Ｄのうち第２の回路基板３を構成する絶縁層３１
によって覆われる部分）の上には、導電膜１５Ｃ，１５
Ｄがそれぞれ形成されており、さらに導電膜１５Ｃ，１
５Ｄ上には強誘電体膜１７Ｃ，１７Ｄが形成されてい
る。導電膜１５Ｃ，１５Ｄ及び強誘電体膜１７Ｃ，１７
Ｄは、導電膜１５Ａ及び強誘電体膜１７Ａを形成する際
に、同じ材料を用いて同時に形成される。なおこのパタ
ーン２３を、第１の回路パターンを形成する際にエッチ
ングにより電極パターン７Ｃ，７Ｄと一体に形成する場
合には、これらのパターンの上全体に導電膜と強誘電体
膜とを形成すればよい。
【００１８】抵抗体１３は、第１の回路パターン７に含
まれる一対の電極パターン７Ｅ，７Ｆ間に跨がって抵抗
体パターン２７が形成されて構成されている。抵抗体パ
ターン２７は、抵抗体ペーストを用いて形成されてい
る。そして抵抗体パターン２７上には耐強アルカリ性を
有する合成樹脂製のオーバコート２９が形成されてい
る。電極パターン７Ｅ，７Ｆのうち抵抗体パターン及び
オーバコート２９によって覆われていない部分（電極パ
ターン７Ｅ，７Ｆのうち第２の回路基板３の絶縁層３１
によって覆われる部分）には、導電膜１５Ｅ，１５Ｆが
それぞれ形成されており、導電膜１５Ｅ，１５Ｆ上には
強誘電体膜１７Ｅ，１７Ｆが形成されている。導電膜１
５Ｅ，１５Ｆ及び強誘電体膜１７Ｅ，１７Ｆも、導電膜
１５Ａ及び強誘電体膜１７Ａを形成する際に同じ材料で
同時に形成される。
まれる一対の電極パターン７Ｅ，７Ｆ間に跨がって抵抗
体パターン２７が形成されて構成されている。抵抗体パ
ターン２７は、抵抗体ペーストを用いて形成されてい
る。そして抵抗体パターン２７上には耐強アルカリ性を
有する合成樹脂製のオーバコート２９が形成されてい
る。電極パターン７Ｅ，７Ｆのうち抵抗体パターン及び
オーバコート２９によって覆われていない部分（電極パ
ターン７Ｅ，７Ｆのうち第２の回路基板３の絶縁層３１
によって覆われる部分）には、導電膜１５Ｅ，１５Ｆが
それぞれ形成されており、導電膜１５Ｅ，１５Ｆ上には
強誘電体膜１７Ｅ，１７Ｆが形成されている。導電膜１
５Ｅ，１５Ｆ及び強誘電体膜１７Ｅ，１７Ｆも、導電膜
１５Ａ及び強誘電体膜１７Ａを形成する際に同じ材料で
同時に形成される。
【００１９】第２の回路基板３は、絶縁層３１の表面に
第２の回路パターン３３が形成されて構成されている。
第２の回路パターン３３に含まれるパターン部（接続回
路）３３Ａとコンデンサ９の接続用電極７Ｂとはスルー
ホール導電部３５Ａにより電気的に接続されている。ス
ルーホール導電部３５Ａは、スルーホール３７Ａ内に銀
ペーストからなる導電性ペーストが充填されて形成され
ている。このスルーホール３７Ａは、接続用電極７Ｂ上
の強誘電体膜１７Ｂが形成された部分において第１及び
第２の回路基板１，３を貫通している。
第２の回路パターン３３が形成されて構成されている。
第２の回路パターン３３に含まれるパターン部（接続回
路）３３Ａとコンデンサ９の接続用電極７Ｂとはスルー
ホール導電部３５Ａにより電気的に接続されている。ス
ルーホール導電部３５Ａは、スルーホール３７Ａ内に銀
ペーストからなる導電性ペーストが充填されて形成され
ている。このスルーホール３７Ａは、接続用電極７Ｂ上
の強誘電体膜１７Ｂが形成された部分において第１及び
第２の回路基板１，３を貫通している。
【００２０】第２の回路パターン３３に含まれるパター
ン部３３Ｂは、コンデンサ９の下部電極７Ａ及びインダ
クタ１１の電極７Ｄにスルーホール導電部３５Ｂ，３５
Ｃを介してそれぞれ接続されている。スルーホール導電
部３５Ｂ，３５Ｃは、スルーホール３７Ｂ，３７Ｃ内に
銀ペーストからなる導電性ペーストが充填されて形成さ
れている。スルーホール３７Ｂは、下部電極７Ａ上の上
部電極１９が形成されていない部分において第１及び第
２の回路基板１，３を貫通している。スルーホール３７
Ｃは、電極７Ｄ上の強誘電体膜１７Ｄが形成された部分
において第１及び第２の回路基板１，３を貫通してい
る。これにより、コンデンサ９及びインダクタ１１は、
パターン部３３Ｂを介して電気的に接続される。
ン部３３Ｂは、コンデンサ９の下部電極７Ａ及びインダ
クタ１１の電極７Ｄにスルーホール導電部３５Ｂ，３５
Ｃを介してそれぞれ接続されている。スルーホール導電
部３５Ｂ，３５Ｃは、スルーホール３７Ｂ，３７Ｃ内に
銀ペーストからなる導電性ペーストが充填されて形成さ
れている。スルーホール３７Ｂは、下部電極７Ａ上の上
部電極１９が形成されていない部分において第１及び第
２の回路基板１，３を貫通している。スルーホール３７
Ｃは、電極７Ｄ上の強誘電体膜１７Ｄが形成された部分
において第１及び第２の回路基板１，３を貫通してい
る。これにより、コンデンサ９及びインダクタ１１は、
パターン部３３Ｂを介して電気的に接続される。
【００２１】第２の回路パターン３３に含まれる接続回
路３３Ｃは、インダクタ１１の電極パターン７Ｃ及び抵
抗体１３の電極パターン７Ｆとスルーホール導電部３５
Ｄ，３５Ｅを介してそれぞれ接続されている。スルーホ
ール導電部３５Ｄ，３５Ｅは、スルーホール３７Ｄ，３
７Ｅ内に銀ペースト等の導電性ペーストが充填されて形
成されている。スルーホール３７Ｄは、電極パターン７
Ｃ上の強誘電体膜１７Ｃが形成された部分を貫通し、且
つ第１及び第２の回路基板１，３を貫通するように形成
されている。スルーホール３７Ｅは、電極７Ｆ上の強誘
電体膜１７Ｆが形成された部分を貫通し且つ第１及び第
２の回路基板１，３を貫通するように形成されている。
これにより、インダクタ１１及び抵抗体１３は、接続回
路３３Ｃを介して電気的に接続されている。
路３３Ｃは、インダクタ１１の電極パターン７Ｃ及び抵
抗体１３の電極パターン７Ｆとスルーホール導電部３５
Ｄ，３５Ｅを介してそれぞれ接続されている。スルーホ
ール導電部３５Ｄ，３５Ｅは、スルーホール３７Ｄ，３
７Ｅ内に銀ペースト等の導電性ペーストが充填されて形
成されている。スルーホール３７Ｄは、電極パターン７
Ｃ上の強誘電体膜１７Ｃが形成された部分を貫通し、且
つ第１及び第２の回路基板１，３を貫通するように形成
されている。スルーホール３７Ｅは、電極７Ｆ上の強誘
電体膜１７Ｆが形成された部分を貫通し且つ第１及び第
２の回路基板１，３を貫通するように形成されている。
これにより、インダクタ１１及び抵抗体１３は、接続回
路３３Ｃを介して電気的に接続されている。
【００２２】第２の回路パターン３３に含まれる接続回
路３３Ｄと抵抗体１３の電極パターン７Ｅとはスルーホ
ール導電部３５Ｆにより電気的に接続されている。スル
ーホール導電部３５Ｆが形成されるスルーホール３７Ｆ
は、接続用電極７Ｅ上の強誘電体膜１７Ｅが形成された
部分を貫通し且つ第１及び第２の回路基板１，３を貫通
するように形成されている。
路３３Ｄと抵抗体１３の電極パターン７Ｅとはスルーホ
ール導電部３５Ｆにより電気的に接続されている。スル
ーホール導電部３５Ｆが形成されるスルーホール３７Ｆ
は、接続用電極７Ｅ上の強誘電体膜１７Ｅが形成された
部分を貫通し且つ第１及び第２の回路基板１，３を貫通
するように形成されている。
【００２３】本実施の形態の多層回路基板は次のように
製造する。まず、図３（Ａ）に示すように、絶縁性基板
５の上に銅箔が積層された銅張積層板の銅箔をエッチン
グして絶縁性基板５の表面に第１の回路パターン７を形
成する。次に回路パターン７の一対の電極パターン７
Ｃ，７Ｄ間に跨がってインダクタパターン２３を形成
し、第１の回路パターン７に含まれる一対の電極パター
ン７Ｅ，７Ｆ間に跨がって抵抗体パターン２７を形成す
る。次にインダクタパターン２３上に保護用の合成樹脂
製のオーバコート２５を形成し、抵抗体パターン２７上
に保護用の合成樹脂製のオーバコート２９を形成する。
次に後の工程で上部電極パターン１９が接続される接続
用電極パターン７Ｂの表面上に耐強アルカリ性を有する
Ｎｉ、Ｎｉ−Ｂ、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−ＷＢ、Ｎｉ−Ａｇ、
Ａｇ、Ａｕ等の金属のメッキ層２１を電解または無電解
メッキ法により形成する。
製造する。まず、図３（Ａ）に示すように、絶縁性基板
５の上に銅箔が積層された銅張積層板の銅箔をエッチン
グして絶縁性基板５の表面に第１の回路パターン７を形
成する。次に回路パターン７の一対の電極パターン７
Ｃ，７Ｄ間に跨がってインダクタパターン２３を形成
し、第１の回路パターン７に含まれる一対の電極パター
ン７Ｅ，７Ｆ間に跨がって抵抗体パターン２７を形成す
る。次にインダクタパターン２３上に保護用の合成樹脂
製のオーバコート２５を形成し、抵抗体パターン２７上
に保護用の合成樹脂製のオーバコート２９を形成する。
次に後の工程で上部電極パターン１９が接続される接続
用電極パターン７Ｂの表面上に耐強アルカリ性を有する
Ｎｉ、Ｎｉ−Ｂ、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−ＷＢ、Ｎｉ−Ａｇ、
Ａｇ、Ａｕ等の金属のメッキ層２１を電解または無電解
メッキ法により形成する。
【００２４】次に、図３（Ｂ）に示すように、回路パタ
ーン７に含まれる電極パターン７Ａ〜７Ｆの露出面上
に、フッ素樹脂等の合成樹脂にチタン粉末、酸化チタン
粉末またはチタンウイスカーの金属粉末を混練した導電
性ペーストを塗布して厚み３０〜４０μｍの導電膜１５
Ａ〜１５Ｆを一緒に形成する。本例では、導電性ペース
トの合成樹脂として、旭硝子株式会社からルミフロンの
商品名で販売されているフッ素樹脂を用い、また金属粉
末として、チタン粉末を用いた。導電性ペーストが回路
パターン７に塗布されて導電性ぺーストの層が形成され
た後時間の経過と共に、チタン粉末，酸化チタン粉末ま
たはチタンウイスカー等の比重の大きい成分が導電性ペ
ーストの層内で沈降する。その結果、チタン粉末，酸化
チタン粉末またはチタンウイスカーを多く含む下層と、
チタン粉末，酸化チタン粉末またはチタンウイスカーを
ほとんど含まず、その大部分が合成樹脂からなる上層と
に分れる。その後、この塗布された導電性ペーストを、
加圧してもパターン形状を維持できる硬度が得られるま
で１５０〜２００℃の温度で加熱する。次いで、加熱さ
れた導電性ペーストに絶縁性基板５の鉛直方向（厚み方
向）に１０〜５０ｋｇ／ｃｍ2 の加圧力を加えながらさ
らに加熱して、厚み約２０μｍの導電膜を形成する。こ
れにより、導電膜の上層の樹脂が導電膜の面方向の周囲
に押しやられる。その後導電膜の表面を削る。そのた
め、チタン粉末，酸化チタン粉末またはチタンウイスカ
ーが導電膜の表面に露出して厚み方向に導電性が高くな
った導電膜１５Ａ〜１５Ｆが得られる。なおこの例で
は、導電膜に加圧力を加えながら加熱した後に、その表
面を削って導電膜１５Ａ〜１５Ｆを形成したが、導電膜
を加圧力を加えずに加熱した後に、その表面を削って導
電膜を形成しても構わない。
ーン７に含まれる電極パターン７Ａ〜７Ｆの露出面上
に、フッ素樹脂等の合成樹脂にチタン粉末、酸化チタン
粉末またはチタンウイスカーの金属粉末を混練した導電
性ペーストを塗布して厚み３０〜４０μｍの導電膜１５
Ａ〜１５Ｆを一緒に形成する。本例では、導電性ペース
トの合成樹脂として、旭硝子株式会社からルミフロンの
商品名で販売されているフッ素樹脂を用い、また金属粉
末として、チタン粉末を用いた。導電性ペーストが回路
パターン７に塗布されて導電性ぺーストの層が形成され
た後時間の経過と共に、チタン粉末，酸化チタン粉末ま
たはチタンウイスカー等の比重の大きい成分が導電性ペ
ーストの層内で沈降する。その結果、チタン粉末，酸化
チタン粉末またはチタンウイスカーを多く含む下層と、
チタン粉末，酸化チタン粉末またはチタンウイスカーを
ほとんど含まず、その大部分が合成樹脂からなる上層と
に分れる。その後、この塗布された導電性ペーストを、
加圧してもパターン形状を維持できる硬度が得られるま
で１５０〜２００℃の温度で加熱する。次いで、加熱さ
れた導電性ペーストに絶縁性基板５の鉛直方向（厚み方
向）に１０〜５０ｋｇ／ｃｍ2 の加圧力を加えながらさ
らに加熱して、厚み約２０μｍの導電膜を形成する。こ
れにより、導電膜の上層の樹脂が導電膜の面方向の周囲
に押しやられる。その後導電膜の表面を削る。そのた
め、チタン粉末，酸化チタン粉末またはチタンウイスカ
ーが導電膜の表面に露出して厚み方向に導電性が高くな
った導電膜１５Ａ〜１５Ｆが得られる。なおこの例で
は、導電膜に加圧力を加えながら加熱した後に、その表
面を削って導電膜１５Ａ〜１５Ｆを形成したが、導電膜
を加圧力を加えずに加熱した後に、その表面を削って導
電膜を形成しても構わない。
【００２５】次に、導電膜１５Ａ〜１５Ｆ上にいわゆる
水熱合成法により結晶性の強誘電体膜（ＰＺＴ結晶膜）
１７Ａ〜１７Ｆを一緒に形成する。本例では次のように
強誘電体膜１７Ａ〜１７Ｆを形成する。まず、Ｐｂ（Ｎ
Ｏ3 ）2 １６ｍｍｏｌ／ｌ、ＺｒＯＣｌ2 ８ｍｍｏｌ／
ｌ、ＴｉＣｌ4 ０．０８ｍｍｏｌ／ｌ及びＫＯＨ０．３
ｍｍｏｌ／ｌの強アルカリの混合溶水液中に導電膜１５
Ａ〜１５Ｆ等を形成した絶縁性基板５を浸漬する。その
後、１８０℃、１０気圧中で１２時間の無電解式の水熱
処理を行い、Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 の結晶核を生成す
る。次いで、Ｐｂ（ＮＯ3 ）2 １６ｍｍｏｌ／ｌ、Ｚｒ
ＯＣｌ2 ８．３２ｍｍｏｌ／ｌ、ＴｉＣｌ4 ７．６８ｍ
ｍｏｌ／ｌ及びＫＯＨ２．２４ｍｍｏｌ／ｌの強アルカ
リの混合水溶液（溶液合計６４０ｍｌ）中に既に表面に
結晶核が形成された絶縁性基板５を浸漬し、１６０℃中
で１０時間の無電解式の水熱処理を行ってＫを含有する
Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 の膜を形成した。そして、純水中
で３分間の超音波洗浄を２回行い、さらに１ｍｏｌ／ｌ
の酢酸水溶液中で３分間の超音波洗浄を２回行って、再
び純水中で３分間の超音波洗浄を２回行う。これを１０
０℃で１２時間の乾燥を行いＰＺＴ結晶膜の形成を終え
る。なお、本例では強誘電体膜１７Ａ〜１７Ｆを形成す
る際に用いるＰｂ化合物，Ｚｒ化合物，Ｔｉ化合物とし
て無機化合物を用いたが、これらの化合物として有機化
合物を用いても構わない。また、上記例では、チタン酸
ジルコン酸鉛結晶膜（ＰＺＴ結晶膜）により強誘電体膜
を形成したが、チタン酸ストロンチウム結晶膜（ＳＴＯ
結晶膜）、チタン酸バリウム結晶膜（ＢＴＯ結晶膜）等
によっても強誘電体膜を形成することができる。
水熱合成法により結晶性の強誘電体膜（ＰＺＴ結晶膜）
１７Ａ〜１７Ｆを一緒に形成する。本例では次のように
強誘電体膜１７Ａ〜１７Ｆを形成する。まず、Ｐｂ（Ｎ
Ｏ3 ）2 １６ｍｍｏｌ／ｌ、ＺｒＯＣｌ2 ８ｍｍｏｌ／
ｌ、ＴｉＣｌ4 ０．０８ｍｍｏｌ／ｌ及びＫＯＨ０．３
ｍｍｏｌ／ｌの強アルカリの混合溶水液中に導電膜１５
Ａ〜１５Ｆ等を形成した絶縁性基板５を浸漬する。その
後、１８０℃、１０気圧中で１２時間の無電解式の水熱
処理を行い、Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 の結晶核を生成す
る。次いで、Ｐｂ（ＮＯ3 ）2 １６ｍｍｏｌ／ｌ、Ｚｒ
ＯＣｌ2 ８．３２ｍｍｏｌ／ｌ、ＴｉＣｌ4 ７．６８ｍ
ｍｏｌ／ｌ及びＫＯＨ２．２４ｍｍｏｌ／ｌの強アルカ
リの混合水溶液（溶液合計６４０ｍｌ）中に既に表面に
結晶核が形成された絶縁性基板５を浸漬し、１６０℃中
で１０時間の無電解式の水熱処理を行ってＫを含有する
Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 の膜を形成した。そして、純水中
で３分間の超音波洗浄を２回行い、さらに１ｍｏｌ／ｌ
の酢酸水溶液中で３分間の超音波洗浄を２回行って、再
び純水中で３分間の超音波洗浄を２回行う。これを１０
０℃で１２時間の乾燥を行いＰＺＴ結晶膜の形成を終え
る。なお、本例では強誘電体膜１７Ａ〜１７Ｆを形成す
る際に用いるＰｂ化合物，Ｚｒ化合物，Ｔｉ化合物とし
て無機化合物を用いたが、これらの化合物として有機化
合物を用いても構わない。また、上記例では、チタン酸
ジルコン酸鉛結晶膜（ＰＺＴ結晶膜）により強誘電体膜
を形成したが、チタン酸ストロンチウム結晶膜（ＳＴＯ
結晶膜）、チタン酸バリウム結晶膜（ＢＴＯ結晶膜）等
によっても強誘電体膜を形成することができる。
【００２６】次に、強誘電体膜１７Ａ〜１７Ｆ等を形成
した絶縁性基板５を取り出し、これを酢酸等の有機酸か
らなる中和処理液に浸漬し中和処理を施して、絶縁性基
板１の表面に付着した中和処理液を洗浄除去する。
した絶縁性基板５を取り出し、これを酢酸等の有機酸か
らなる中和処理液に浸漬し中和処理を施して、絶縁性基
板１の表面に付着した中和処理液を洗浄除去する。
【００２７】次に、強誘電体膜１７Ａ上から回路パター
ン７に含まれる接続用電極パターン７Ｂ上のメッキ層２
１に亘って銀・パラジウム合金、ニッケル、銅等の導電
性ペーストを印刷して上部電極パターン１９を形成して
コンデンサ９を完成する。この上部電極パターン１９
は、スパッタリングにより薄膜で形成することもでき
る。
ン７に含まれる接続用電極パターン７Ｂ上のメッキ層２
１に亘って銀・パラジウム合金、ニッケル、銅等の導電
性ペーストを印刷して上部電極パターン１９を形成して
コンデンサ９を完成する。この上部電極パターン１９
は、スパッタリングにより薄膜で形成することもでき
る。
【００２８】次に、第１の回路基板１の上にプリプレグ
からなる絶縁層３１を重ね、更にその上に第２の回路パ
ターン３３を形成するための銅箔を重ね、加熱工程と加
圧工程を経て多層板を製造する。そしてこの多層板の表
面の銅箔をエッチングして第２の回路パターン３３を形
成する。なお図３（Ｃ）では、図示を簡略化するために
第１の回路基板１の上に第２の回路基板３を重ねるよう
図示している。
からなる絶縁層３１を重ね、更にその上に第２の回路パ
ターン３３を形成するための銅箔を重ね、加熱工程と加
圧工程を経て多層板を製造する。そしてこの多層板の表
面の銅箔をエッチングして第２の回路パターン３３を形
成する。なお図３（Ｃ）では、図示を簡略化するために
第１の回路基板１の上に第２の回路基板３を重ねるよう
図示している。
【００２９】次に図１に示すように、第２の回路パター
ン３３及び第１の回路パターン７の所定部分を通すよう
に、第１及び第２の回路基板１，３を貫通するスルーホ
ール３７Ａ〜３７Ｆをドリルにより形成する。次にスル
ーホール３７Ａ〜３７Ｆ内に導電性ペーストが充填して
から乾燥してスルーホール導電部３５Ａ〜３５Ｆを形成
して多層回路基板を完成する。
ン３３及び第１の回路パターン７の所定部分を通すよう
に、第１及び第２の回路基板１，３を貫通するスルーホ
ール３７Ａ〜３７Ｆをドリルにより形成する。次にスル
ーホール３７Ａ〜３７Ｆ内に導電性ペーストが充填して
から乾燥してスルーホール導電部３５Ａ〜３５Ｆを形成
して多層回路基板を完成する。
【００３０】なお、本例では、第１の回路基板１上にイ
ンダクタ，抵抗体等を形成した後に導電膜１５Ａ〜１５
Ｆ及び強誘電体膜１７Ａ〜１７Ｆを形成したが、インダ
クタのパターン２３，抵抗体パターン２７を形成する前
に導電膜１５Ａ〜１５Ｆ及び強誘電体膜１７Ａ〜１７Ｆ
を形成してもよい。その場合、電極パターン７のインダ
クタのパターン２３及び抵抗体パターン２７と接合する
部分に予め耐強アルカリ性を有する金属のメッキ層を形
成しておけばよい。
ンダクタ，抵抗体等を形成した後に導電膜１５Ａ〜１５
Ｆ及び強誘電体膜１７Ａ〜１７Ｆを形成したが、インダ
クタのパターン２３，抵抗体パターン２７を形成する前
に導電膜１５Ａ〜１５Ｆ及び強誘電体膜１７Ａ〜１７Ｆ
を形成してもよい。その場合、電極パターン７のインダ
クタのパターン２３及び抵抗体パターン２７と接合する
部分に予め耐強アルカリ性を有する金属のメッキ層を形
成しておけばよい。
【００３１】
【発明の効果】本発明のように、回路パターン部分上に
強誘電体膜を形成すると、強誘電体膜は表面に凹凸があ
るため、回路パターン部分上の強誘電体膜と第２の回路
基板の絶縁層との接着性または接合性が高くなる。その
ため、回路パターン部分の存在により第１の回路基板と
第２の回路基板との接合強度が低下するのを防ぐことが
できる。また、回路パターン部分を覆う導電膜及び強誘
電体膜は、第１の回路基板の表面上にコンデンサを形成
する際に形成する導電膜及び強誘電体膜の形成工程と同
じ工程で形成できるので、簡単に形成することができ
る。
強誘電体膜を形成すると、強誘電体膜は表面に凹凸があ
るため、回路パターン部分上の強誘電体膜と第２の回路
基板の絶縁層との接着性または接合性が高くなる。その
ため、回路パターン部分の存在により第１の回路基板と
第２の回路基板との接合強度が低下するのを防ぐことが
できる。また、回路パターン部分を覆う導電膜及び強誘
電体膜は、第１の回路基板の表面上にコンデンサを形成
する際に形成する導電膜及び強誘電体膜の形成工程と同
じ工程で形成できるので、簡単に形成することができ
る。
【図１】本発明の実施の形態の一例の多層回路基板の要
部の断面図である。
部の断面図である。
【図２】図１の多層回路基板の要部に含まれる回路部分
の回路図である。
の回路図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の実施の形態の多層
回路基板の製造方法を説明するために用いる図である。
回路基板の製造方法を説明するために用いる図である。
１ 第１の回路基板 ３ 第２の回路基板 ５ 絶縁性基板 ７ 第１の回路パターン ７Ａ 下部電極 ７Ｂ 電極パターン ９ コンデンサ １１ インダクタ １３ 抵抗体 １５Ａ〜１５Ｆ 導電膜 １７Ａ〜１７Ｆ 強誘電体膜 １９ 上部電極 ２１ メッキ層 ３１ 絶縁層 ３３ 第２の回路パターン ３５Ａ〜３５Ｆ スルーホール導電部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4E351 AA03 AA04 BB01 BB03 BB05 BB09 BB31 BB33 BB35 CC06 CC11 DD04 DD05 DD06 DD10 DD11 DD19 DD42 GG01 5E346 AA42 CC08 CC21 CC32 CC37 CC38 CC39 DD17 DD22 EE05 EE09 EE13 FF15 GG08 GG15 GG17 GG22 GG28 HH07
Claims (6)
- 【請求項１】 絶縁性基板の表面に形成された金属箔か
らなる第１の回路パターン、並びに前記第１の回路パタ
ーンに含まれる下部電極、前記下部電極の上に形成され
たチタンを主成分とする導電膜、前記導電膜の上に水熱
合成法により形成された結晶性のチタンを含む強誘電体
膜及び前記強誘電体膜の上に形成されて前記回路パター
ンに含まれる接続用電極と電気的に接続された上部電極
からなるコンデンサを含む複数の印刷電気素子が前記表
面上に形成された第１の回路基板と、 前記第１の回路基板の前記表面上にプリプレグを用いて
形成された絶縁層及び前記絶縁層の上に形成された第２
の回路パターンを有する第２の回路基板とを少くとも具
備する多層回路基板であって、 前記上部電極が接続される前記接続用電極の表面が耐強
アルカリ性を有する金属のメッキ層または導電性厚膜に
よって覆われており、 前記第１の回路パターンのうち前記第２の回路基板の前
記絶縁層によって覆われる回路パターン部分が前記導電
膜と同じ材質の導電膜によって覆われ且つその上に前記
強誘電体膜と同じ材質の強誘電体膜が形成されているこ
とを特徴とする多層回路基板。 - 【請求項２】 前記第１の回路基板の前記表面に形成さ
れる複数の前記印刷電気素子間の接続回路の大部分が前
記第２の回路基板の前記第２の回路パターンに含まれて
おり、 前記第２の回路パターンに含まれる前記接続回路と前記
複数の印刷電気素子とがスルーホール導電部によって電
気的に接続されている請求項１に記載の多層回路基板。 - 【請求項３】 前記メッキ層を形成する前記金属が、Ｎ
ｉ、Ｎｉ−Ｂ、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−ＷＢ、Ｎｉ−Ａｇ、Ａ
ｇ、Ａｕのいずれかである請求項１に記載の多層回路基
板。 - 【請求項４】 前記導電性厚膜は、耐強アルカリ性を有
する樹脂ペースト中に耐強アルカリ性を有する金属粉体
が混練された導電性ペーストを用いて形成されている請
求項１に記載の多層回路基板。 - 【請求項５】 絶縁性基板の表面に形成された金属箔か
らなる第１の回路パターンを形成する工程と、前記第１
の回路パターンに含まれる下部電極上にチタンを主成分
とする導電膜を形成する工程と、前記導電膜の上に水熱
合成法により結晶性のチタンを含む強誘電体膜を形成す
る工程と、前記強誘電体膜の上に前記回路パターンに含
まれる接続用電極と電気的に接続される上部電極を形成
する工程とによりコンデンサ形成し、前記コンデンサの
形成の前または後にその他の印刷電気素子を前記表面上
に形成して第１の回路基板を作り、 前記第１の回路基板の前記表面上にプリプレグを用いて
形成された絶縁層を形成するとともに前記絶縁層の上に
第２の回路パターンを形成して第２の回路基板を作って
多層回路基板を製造する方法であって、 前記上部電極が接続される前記接続用電極の表面を耐強
アルカリ性を有する金属のメッキ層または導電性厚膜に
よって覆う工程と、 前記第１の回路パターンのうち前記第２の回路基板の前
記絶縁層によって覆われる回路パターン部分を前記導電
膜を形成するときに一緒に前記導電膜と同じ材質の別の
導電膜によって覆う工程と、 前記強誘電体膜を形成するときに一緒に前記強誘電体膜
と同じ材質の別の強誘電体膜によって前記別の導電膜を
覆う工程とを具備する多層回路基板の製造方法。 - 【請求項６】 前記第１の回路基板の前記表面に形成さ
れる複数の前記印刷電気素子間の接続回路の大部分が前
記第２の回路基板の前記第２の回路パターンに含まれて
おり、 前記第２の回路パターンに含まれる前記接続回路と前記
複数の印刷電気素子とを前記第２の回路パターン、前記
絶縁層、前記別の強誘電体膜、前記第１の回路パターン
及び前記絶縁性基板を貫通するスルーホール導電部によ
って電気的に接続することを特徴とする請求項５に記載
の多層回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11005628A JP2000208942A (ja) | 1999-01-12 | 1999-01-12 | 多層回路基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11005628A JP2000208942A (ja) | 1999-01-12 | 1999-01-12 | 多層回路基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000208942A true JP2000208942A (ja) | 2000-07-28 |
Family
ID=11616429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11005628A Withdrawn JP2000208942A (ja) | 1999-01-12 | 1999-01-12 | 多層回路基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000208942A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100668273B1 (ko) | 2004-08-20 | 2007-01-12 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 다층 구조 형성 방법, 배선 기판 및 전자 기기의 제조 방법 |
-
1999
- 1999-01-12 JP JP11005628A patent/JP2000208942A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100668273B1 (ko) | 2004-08-20 | 2007-01-12 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 다층 구조 형성 방법, 배선 기판 및 전자 기기의 제조 방법 |
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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