JP2004134421A - コンデンサ内蔵配線基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】樹脂系の誘電体粉末コンポジットタイプのコンデンサ内蔵配線基板の特長である柔軟性を保持したまま、従来品に比べ格段に静電容量を増加できるコンデンサ内蔵配線基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】金属層11、樹脂単独の誘電体層13、セラミック薄膜の誘電体層14、樹脂単独の誘電体層15、金属層12の順に積層されてなるコンデンサ内蔵配線基板とする。また、金属層11及び12は、白金、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、チタンのうちの少なくとも1つからなる単体金属または合金からなる。
【選択図】 図1
【解決手段】金属層11、樹脂単独の誘電体層13、セラミック薄膜の誘電体層14、樹脂単独の誘電体層15、金属層12の順に積層されてなるコンデンサ内蔵配線基板とする。また、金属層11及び12は、白金、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、チタンのうちの少なくとも1つからなる単体金属または合金からなる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板内でコンデンサが形成されたコンデンサ内蔵配線基板及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、電気回路用のコンデンサとしては、セラミック、タンタル等のチップコンデンサや樹脂フィルム等によるフィルムコンデンサ等が使用されてきた。
【0003】
近年、電子機器の高性能化、小型化の要求が加速し、さらに信号の高速化や大容量化に伴うノイズ発生の問題とも重なり、配線基板内にコンデンサを内蔵することによる実装密度の増大、内蔵することでの配線距離の短縮によるノイズの低減が行われてきた。
【0004】
このことは、特にセラミック基板において、従来より行われており、高温での焼成によってコンデンサが形成される。
【0005】
一方、樹脂系基板に関しても、最近、コンデンサ内蔵化が行われてきており、誘電体層として誘電体粉末と樹脂を混合した層を誘電体層として使用することが一般化している。例えば、第1の金属層、樹脂中に誘電体粉末を混合した誘電体層、第2の金属層の順に積層して形成されたコンデンサ内蔵配線基板がある。
【0006】
このようなコンデンサ内蔵配線基板の例は、次の特許文献1に開示されている。
【0007】
【特許文献1】特開平5−7063号公報
【0008】
この構造のコンデンサ内蔵配線基板は、曲げに強く、折れや割れが発生しにくいという特長を有するが、大容量のコンデンサを得ることが難しいという問題点も有する。
【0009】
また、次の特許文献2には、固体電解コンデンサを内蔵したコンデンサ内蔵型配線基板が開示されている。
【0010】
【特許文献2】特開2002−246272号公報
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、チップコンデンサでは実装時、ハンダ接合等に工数がかかり、しかも多層基板では表面実装しか行えず、高密度実装やノイズ低減に関して問題がある。
【0012】
また、チップコンデンサやフィルムコンデンサは必要に応じた容量のものを状況に応じて選べるが、その厚さは、通常0.5mm以上あるため、ICカード等の薄い製品内に組み込むことは難しく、また柔軟性が無いため、曲げに弱く、折れや割れが発生しやすい等の問題がある。
【0013】
また、固体電解コンデンサを内蔵した配線基板については、コンデンサの構造が複雑となる。
【0014】
また、セラミック基板に内蔵されるコンデンサは、積層構成で基板内配線技術を使用することにより、高密度実装やノイズ低減には効果的である。しかし、柔軟性に欠けているため、曲げに弱く、折れや割れが発生しやすい等の問題がある。また、焼成工程が入っているため生産性やコスト面での問題がある。
【0015】
さらに、樹脂系の誘電体粉末コンポジットタイプの基板内蔵コンデンサに関しては、積層構成で基板内配線技術を使用することにより、高密度実装やノイズ低減には効果的である。しかも、樹脂を選択することにより柔軟性があり、折れや割れに強いコンデンサを製造でき、樹脂の硬化温度も樹脂種によって、まちまちながら、セラミックスに比べれば、はるかに低温で処理できるため、生産性やコスト面でも有利である。
【0016】
しかし、樹脂系の誘電体粉末コンポジットタイプの基板内蔵コンデンサでは、静電容量の選択幅が狭いという問題がある。現状で達成されている実使用に足りるものは、比誘電率で、せいぜい50程度が最大であり、厚さに関してもピンホールの問題あるいは絶縁抵抗の問題等から1μm以下の厚みは望めず、信頼性の確保のためには、5μm以上の厚みが必要と考えられる。
【0017】
本発明は、樹脂系の誘電体粉末コンポジットタイプのコンデンサ内蔵配線基板の優れた特徴を保持したまま、従来品に比べ格段に比誘電率を増加できる、つまり静電容量が格段に増加できるコンデンサ内蔵配線基板を提供することを課題とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】
本発明のコンデンサ内蔵配線基板は、第1の金属層、複数の誘電体層、第2の金属層の順に積層されてなるコンデンサ内蔵配線基板において、前記複数の誘電体層は、少なくとも2層の異なる誘電体層を含んで積層されていることを特徴とする。
【0019】
また、前記誘電体層のうち、少なくとも1層は樹脂層であり、他の少なくとも1層は誘電体セラミック層とすることができる。
【0020】
このときの樹脂層としては、熱硬化性樹脂またはガラス転移温度(Tg)が80℃以上の熟可塑性樹脂を使用することが好ましい。その熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、BT(ビスマレイミドトリアジン)、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フェノール樹脂等が1種または2種以上組み合わされて使用される。また、熱可塑性樹脂としては飽和ポリエステル樹脂、アクリル樹脂等が1種または2種以上組み合わされて使用される。さらに、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂を組み合わせて使用しても構わない。
【0021】
このときの誘電体セラミック層としては、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ジルコン酸カルシウム、チタン酸ビスマス等が使用できる。
【0022】
また、前記誘電体層のうち、少なくとも1層が樹脂と誘電体粉末とを混合してなるコンポジット層であり、他の少なくとも1層は誘電体セラミック層とすることができる。
【0023】
このコンポジット層の樹脂としては、前述の樹脂層と同等のものが使用できる。また、コンポジット層の誘電体粉末としては、前述の誘電体セラミック層に用いたのと同等のセラミックバルクを粉砕した粉末が使用できる。
【0024】
このとき、バルクでの比誘電率が高い粉末を選択すれば、最終的に本発明のコンデンサ内蔵配線板の比誘電率を高くすることが可能である。なお、樹脂を単独で使用した場合に対して大きな差別化をするためには、バルクでの比誘電率が100以上、好ましくは1000以上の粉末を使用するとよい。
【0025】
このときに用いる誘電体セラミック層については、前述のものと同様である。
【0026】
また、前記第1または第2の金属層と接する誘電体層は、樹脂層、または樹脂と誘電体粉末とを混合してなるコンポジット層のいずれかからなる層とすることができる。
【0027】
このように構成することにより、第1または第2の金属層と直接に接する層が樹脂層または樹脂と誘電体粉末とのコンポジット層となるため、セラミック薄膜の誘電体セラミック層が直接、金属層に積層されているものに比べ、曲げに強く剥がれにくい状況が作り出せる。
【0028】
また、セラミック薄膜の誘電体セラミック層は、樹脂層、または樹脂と誘電体粉末とのコンポジット層で挟まれた構成であるため、これもセラミック薄膜の単独使用に対して、曲げに強く、折れや割れに強い状況を作り出すことができる。
【0029】
さらには、樹脂層、または樹脂と誘電体粉末とのコンポジット層が1μm以下の薄い状態で、若干のピンホール等の不連続部分があったとしても、間に挟まれているセラミック薄膜の誘電体セラミック層は、製造上、ピンホール等の不連続部分が発生しにくいため、信頼性の高いコンデンサが得られる。
【0030】
また、前記第1及び第2の金属層は、白金、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、チタンのうちの少なくとも1つからなる単体金属または合金の層とすることができる。
【0031】
また、本発明のコンデンサ内蔵配線基板の第1の製造方法は、第1の金属層、誘電体セラミック層を含む複数の誘電体層、第2の金属層の順に積層されてなるコンデンサ内蔵配線基板の製造方法であって、前記誘電体セラミック層をゾルゲル法、電気泳動法、化学気相蒸着法(CVD法)、物理蒸着法(PVD法)、レーザーアブレーション法、ジェットプリンティング法、イオンプレーティング法、溶射法、スパッタ法、化学溶液法のうちの少なくとも1つから選択された方法で形成することを特徴とする。
【0032】
これらの方法は、いずれもセラミック焼成工程による成膜に比べ、はるかに低温工程で成膜が可能なため、樹脂層上に成膜することも可能である。但し、ある程度の高温は避けられない場合もあるため、適宜、樹脂種とセラミック種とセラミック成膜方法を選択する必要がある。
【0033】
すなわち、樹脂層上または樹脂と誘電体粉末とのコンポジット層上に成膜するセラミック層のセラミック種と樹脂種との組み合わせにより、適宜、有効な方法を選択し、実施するとよい。上記のいずれの方法もセラミック層を低温工程で作製できる方法であり、樹脂層または樹脂と誘電体粉末とのコンポジット層がセラミック層の通常の高温焼成に耐えることは不可能なため低温工程での方法を実施する必要がある。
【0034】
また、本発明のコンデンサ内蔵配線基板の第2の製造方法は、第1の金属層、誘電体セラミック層を含む複数の誘電体層、第2の金属層の順に積層されてなるコンデンサ内蔵配線基板の製造方法であって、前記第1及び第2の金属層を、白金、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、チタンのうちの少なくとも1つからなる単体金属または合金を含む導電性ペーストを用いて形成することを特徴とする。
【0035】
第1及び第2の金属層は、めっき法や蒸着法で析出させても、あるいは始めから金属箔を使用しても良いが、導電性ぺ一ストを使用することもできる。この場合には、樹脂を含んでいるものでも、含まないものでも問題はない。但し、樹脂を含まないものを使用する場合は、一般に高温焼成用が多いため、誘電体層の樹脂に影響が出ないような低温硬化品を選択する必要がある。
【0036】
ところで、本発明のコンデンサ内蔵配線基板について、金属層をエッチング等によりパターン化するか、もしくは導電性ぺ一ストをパターン状に印刷等で形成することによりコンデンサ内蔵配線基板として使用できる。当然、金属層の外表面にさらに通常の多層基板製造技術による多層配線層を形成して、多層配線基板として使用することもできる。
【0037】
このようにして、セラミック系の優位点である、比誘電率が高い(容量が大きい)コンデンサが形成されることと、樹脂系の優位点である、柔軟性があり、取り扱いが容易であるということを同時に達成したコンデンサ内蔵配線基板が得られる。
【0038】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【0039】
図1及び図2に、本発明の実施の形態に係るコンデンサ内蔵配線基板の部分断面図を示す。いずれの構成においても、後述の図3に示す構成に比べ、曲げに強く、折れや割れが発生し難い状態となり、また後述の図4に示す構成に比べ、大容量のコンデンサを得ることが可能となる。
【0040】
(実施の形態1)図1に示す本発明の実施の形態1について詳細に説明する。図1において、11及び12は金属層、13及び15は樹脂単独の誘電体層(樹脂層)、14はセラミック薄膜の誘電体層を示す。
【0041】
まず、使用する原料、資材は次のようである。金属層:片面電解銅箔(18μm)。樹脂:ビスフェノールA型エポキシ樹脂と柔軟性のあるビスフェノールA型フェノキシ樹脂を重量比で1:1で混合したもの。硬化剤:フェノールノボラック型硬化剤。溶剤:MEK(メチルエチルケトン)。セラミック層:チタン酸バリウム(バルクでの誘電率3000)。
【0042】
次に、このコンデンサ内蔵配線基板の製造方法について説明する。
【0043】
▲1▼:エポキシ樹脂と硬化剤及びフェノキシ樹脂を規定量混合し、MEKにて粘度調整後、スピンコーターにて銅箔の電解側に溶剤除去後1μm厚になるように調整し塗布する。
【0044】
▲2▼:120℃で30分程度加熱乾燥し、MEKを除去し、樹脂層を半硬化状態にする。
【0045】
▲3▼:ゾルゲル法により、半硬化状態の樹脂層上にチタン酸バリウムの層を析出させ3μm厚の薄膜を形成する。
【0046】
▲4▼:薄膜チタン酸バリウム層上に▲1▼→▲2▼の工程を繰り返し半硬化状態の樹脂層を1μm厚で形成する。
【0047】
▲5▼: ▲4▼での半硬化状態の樹脂層上に、銅箔の電解側を樹脂層と接するように配置し、真空ラミネートにより積層する。
【0048】
▲6▼:200℃で1時間プレス加熱硬化を行い、本発明の実施の形態1のコンデンサ内蔵配線基板を得る。
【0049】
なお、本実施の形態1においては、チタン酸バリウムの誘電体セラミック層をゾルゲル法により作製したが、他に、電気泳動法、化学気相蒸着法(CVD法)、物理蒸着法(PVD法)、レーザーアブレーション法、ジェットプリンティング法、イオンプレーティング法、溶射法、スパッタ法、化学溶液法によっても、樹脂層を劣化させることなく、誘電体セラミック層を成膜することができる。
【0050】
(実施の形態2)次に、図2に示す本発明の実施の形態2について詳細に説明する。21及び22は金属層、23及び25は樹脂と誘電体粉末の混合品である誘電体層(コンポジット層)、24はセラミック薄膜からなる誘電体層(誘電体セラミック層)を示す。
【0051】
まず、使用する原料、資材は次のとおりである。金属層:片面電解銅箔(18μm)。樹脂:ビスフェノールA型エポキシ樹脂と柔軟性のあるビスフェノールA型フェノキシ樹脂を重量比で1:1で混合したもの。硬化剤:フェノールノボラック型硬化剤。誘電体粉末:チタン酸バリウム(粒径0.3μm、バルクでの誘電率3000)。溶剤:MEK。セラミック層:チタン酸バリウム(バルクでの誘電率3000)。
【0052】
このコンデンサ内蔵配線基板の製造方法に関しては、実施の形態1とほぼ同等である。異なる点は、樹脂中に誘電体粉末が分散されている点のみである。樹脂と誘電体粉末(0.3μm径チタン酸バリウム)の混合比は体積分率で1:1とした。
【0053】
また、図3に、比較例1として作製したコンデンサ内蔵配線基板の部分断面図を示す。31及び32は金属層、33はセラミック薄膜からなる誘電体層を示す。
【0054】
この構成のコンデンサ内蔵配線基板は、大きな容量のコンデンサを得ることができるが、曲げに弱く、折れや割れが発生し易いという問題を内在している。
【0055】
また、図4に、比較例2として作製したコンデンサ内蔵配線基板の部分断面図を示す。41及び42は金属層、43は樹脂と誘電体粉末の混合品である誘電体層を示す。
【0056】
この構成のコンデンサ内蔵配線基板は、曲げに強く、折れや割れが発生しにくいが、大きな容量のコンデンサを得ることが難しいという問題を内在している。
【0057】
このように作製した4種のコンデンサ内蔵配線基板の比誘電率と曲げ特性(柔軟性)に関して評価した結果を次の表1に示す。誘電体層の全厚が5μm厚で比較した。
【0058】
【表1】
【0059】
実施例1及び2の試料については、曲げ特性(柔軟性)が良好で、比誘電率も230〜580と、従来の樹脂系のコンデンサ内蔵配線基板の場合よりも格段に高い値が得られた。
【0060】
【発明の効果】
上記のように、本発明のコンデンサ内蔵配線板を使用することにより、従来の、誘電体層がセラミックスであるものより耐折り曲げ性に優れ、柔軟性が高く、従来の、誘電体層が樹脂と誘電体粉末のコンポジット品であるものに比べ、比誘電率を格段に大きくすることが可能となった。
【0061】
また、誘電体粉末コンポジットタイプの数10倍程度まで比誘電率の調整が可能と考えられ、各誘電体層の厚さでも比誘電率を調整できることから、従来に比べ汎用性の高いコンデンサ内蔵配線板の提供が可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1のコンデンサ内蔵配線基板を示す部分断面図。
【図2】本発明の実施の形態2のコンデンサ内蔵配線基板を示す部分断面図。
【図3】比較例1のコンデンサ内蔵配線基板を示す部分断面図。
【図4】比較例2のコンデンサ内蔵配線基板を示す部分断面図。
【符号の説明】
11,12,21,22 金属層
13,14,15,23,24,25 誘電体層
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板内でコンデンサが形成されたコンデンサ内蔵配線基板及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、電気回路用のコンデンサとしては、セラミック、タンタル等のチップコンデンサや樹脂フィルム等によるフィルムコンデンサ等が使用されてきた。
【0003】
近年、電子機器の高性能化、小型化の要求が加速し、さらに信号の高速化や大容量化に伴うノイズ発生の問題とも重なり、配線基板内にコンデンサを内蔵することによる実装密度の増大、内蔵することでの配線距離の短縮によるノイズの低減が行われてきた。
【0004】
このことは、特にセラミック基板において、従来より行われており、高温での焼成によってコンデンサが形成される。
【0005】
一方、樹脂系基板に関しても、最近、コンデンサ内蔵化が行われてきており、誘電体層として誘電体粉末と樹脂を混合した層を誘電体層として使用することが一般化している。例えば、第1の金属層、樹脂中に誘電体粉末を混合した誘電体層、第2の金属層の順に積層して形成されたコンデンサ内蔵配線基板がある。
【0006】
このようなコンデンサ内蔵配線基板の例は、次の特許文献1に開示されている。
【0007】
【特許文献1】特開平5−7063号公報
【0008】
この構造のコンデンサ内蔵配線基板は、曲げに強く、折れや割れが発生しにくいという特長を有するが、大容量のコンデンサを得ることが難しいという問題点も有する。
【0009】
また、次の特許文献2には、固体電解コンデンサを内蔵したコンデンサ内蔵型配線基板が開示されている。
【0010】
【特許文献2】特開2002−246272号公報
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、チップコンデンサでは実装時、ハンダ接合等に工数がかかり、しかも多層基板では表面実装しか行えず、高密度実装やノイズ低減に関して問題がある。
【0012】
また、チップコンデンサやフィルムコンデンサは必要に応じた容量のものを状況に応じて選べるが、その厚さは、通常0.5mm以上あるため、ICカード等の薄い製品内に組み込むことは難しく、また柔軟性が無いため、曲げに弱く、折れや割れが発生しやすい等の問題がある。
【0013】
また、固体電解コンデンサを内蔵した配線基板については、コンデンサの構造が複雑となる。
【0014】
また、セラミック基板に内蔵されるコンデンサは、積層構成で基板内配線技術を使用することにより、高密度実装やノイズ低減には効果的である。しかし、柔軟性に欠けているため、曲げに弱く、折れや割れが発生しやすい等の問題がある。また、焼成工程が入っているため生産性やコスト面での問題がある。
【0015】
さらに、樹脂系の誘電体粉末コンポジットタイプの基板内蔵コンデンサに関しては、積層構成で基板内配線技術を使用することにより、高密度実装やノイズ低減には効果的である。しかも、樹脂を選択することにより柔軟性があり、折れや割れに強いコンデンサを製造でき、樹脂の硬化温度も樹脂種によって、まちまちながら、セラミックスに比べれば、はるかに低温で処理できるため、生産性やコスト面でも有利である。
【0016】
しかし、樹脂系の誘電体粉末コンポジットタイプの基板内蔵コンデンサでは、静電容量の選択幅が狭いという問題がある。現状で達成されている実使用に足りるものは、比誘電率で、せいぜい50程度が最大であり、厚さに関してもピンホールの問題あるいは絶縁抵抗の問題等から1μm以下の厚みは望めず、信頼性の確保のためには、5μm以上の厚みが必要と考えられる。
【0017】
本発明は、樹脂系の誘電体粉末コンポジットタイプのコンデンサ内蔵配線基板の優れた特徴を保持したまま、従来品に比べ格段に比誘電率を増加できる、つまり静電容量が格段に増加できるコンデンサ内蔵配線基板を提供することを課題とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】
本発明のコンデンサ内蔵配線基板は、第1の金属層、複数の誘電体層、第2の金属層の順に積層されてなるコンデンサ内蔵配線基板において、前記複数の誘電体層は、少なくとも2層の異なる誘電体層を含んで積層されていることを特徴とする。
【0019】
また、前記誘電体層のうち、少なくとも1層は樹脂層であり、他の少なくとも1層は誘電体セラミック層とすることができる。
【0020】
このときの樹脂層としては、熱硬化性樹脂またはガラス転移温度(Tg)が80℃以上の熟可塑性樹脂を使用することが好ましい。その熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、BT(ビスマレイミドトリアジン)、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フェノール樹脂等が1種または2種以上組み合わされて使用される。また、熱可塑性樹脂としては飽和ポリエステル樹脂、アクリル樹脂等が1種または2種以上組み合わされて使用される。さらに、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂を組み合わせて使用しても構わない。
【0021】
このときの誘電体セラミック層としては、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ジルコン酸カルシウム、チタン酸ビスマス等が使用できる。
【0022】
また、前記誘電体層のうち、少なくとも1層が樹脂と誘電体粉末とを混合してなるコンポジット層であり、他の少なくとも1層は誘電体セラミック層とすることができる。
【0023】
このコンポジット層の樹脂としては、前述の樹脂層と同等のものが使用できる。また、コンポジット層の誘電体粉末としては、前述の誘電体セラミック層に用いたのと同等のセラミックバルクを粉砕した粉末が使用できる。
【0024】
このとき、バルクでの比誘電率が高い粉末を選択すれば、最終的に本発明のコンデンサ内蔵配線板の比誘電率を高くすることが可能である。なお、樹脂を単独で使用した場合に対して大きな差別化をするためには、バルクでの比誘電率が100以上、好ましくは1000以上の粉末を使用するとよい。
【0025】
このときに用いる誘電体セラミック層については、前述のものと同様である。
【0026】
また、前記第1または第2の金属層と接する誘電体層は、樹脂層、または樹脂と誘電体粉末とを混合してなるコンポジット層のいずれかからなる層とすることができる。
【0027】
このように構成することにより、第1または第2の金属層と直接に接する層が樹脂層または樹脂と誘電体粉末とのコンポジット層となるため、セラミック薄膜の誘電体セラミック層が直接、金属層に積層されているものに比べ、曲げに強く剥がれにくい状況が作り出せる。
【0028】
また、セラミック薄膜の誘電体セラミック層は、樹脂層、または樹脂と誘電体粉末とのコンポジット層で挟まれた構成であるため、これもセラミック薄膜の単独使用に対して、曲げに強く、折れや割れに強い状況を作り出すことができる。
【0029】
さらには、樹脂層、または樹脂と誘電体粉末とのコンポジット層が1μm以下の薄い状態で、若干のピンホール等の不連続部分があったとしても、間に挟まれているセラミック薄膜の誘電体セラミック層は、製造上、ピンホール等の不連続部分が発生しにくいため、信頼性の高いコンデンサが得られる。
【0030】
また、前記第1及び第2の金属層は、白金、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、チタンのうちの少なくとも1つからなる単体金属または合金の層とすることができる。
【0031】
また、本発明のコンデンサ内蔵配線基板の第1の製造方法は、第1の金属層、誘電体セラミック層を含む複数の誘電体層、第2の金属層の順に積層されてなるコンデンサ内蔵配線基板の製造方法であって、前記誘電体セラミック層をゾルゲル法、電気泳動法、化学気相蒸着法(CVD法)、物理蒸着法(PVD法)、レーザーアブレーション法、ジェットプリンティング法、イオンプレーティング法、溶射法、スパッタ法、化学溶液法のうちの少なくとも1つから選択された方法で形成することを特徴とする。
【0032】
これらの方法は、いずれもセラミック焼成工程による成膜に比べ、はるかに低温工程で成膜が可能なため、樹脂層上に成膜することも可能である。但し、ある程度の高温は避けられない場合もあるため、適宜、樹脂種とセラミック種とセラミック成膜方法を選択する必要がある。
【0033】
すなわち、樹脂層上または樹脂と誘電体粉末とのコンポジット層上に成膜するセラミック層のセラミック種と樹脂種との組み合わせにより、適宜、有効な方法を選択し、実施するとよい。上記のいずれの方法もセラミック層を低温工程で作製できる方法であり、樹脂層または樹脂と誘電体粉末とのコンポジット層がセラミック層の通常の高温焼成に耐えることは不可能なため低温工程での方法を実施する必要がある。
【0034】
また、本発明のコンデンサ内蔵配線基板の第2の製造方法は、第1の金属層、誘電体セラミック層を含む複数の誘電体層、第2の金属層の順に積層されてなるコンデンサ内蔵配線基板の製造方法であって、前記第1及び第2の金属層を、白金、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、チタンのうちの少なくとも1つからなる単体金属または合金を含む導電性ペーストを用いて形成することを特徴とする。
【0035】
第1及び第2の金属層は、めっき法や蒸着法で析出させても、あるいは始めから金属箔を使用しても良いが、導電性ぺ一ストを使用することもできる。この場合には、樹脂を含んでいるものでも、含まないものでも問題はない。但し、樹脂を含まないものを使用する場合は、一般に高温焼成用が多いため、誘電体層の樹脂に影響が出ないような低温硬化品を選択する必要がある。
【0036】
ところで、本発明のコンデンサ内蔵配線基板について、金属層をエッチング等によりパターン化するか、もしくは導電性ぺ一ストをパターン状に印刷等で形成することによりコンデンサ内蔵配線基板として使用できる。当然、金属層の外表面にさらに通常の多層基板製造技術による多層配線層を形成して、多層配線基板として使用することもできる。
【0037】
このようにして、セラミック系の優位点である、比誘電率が高い(容量が大きい)コンデンサが形成されることと、樹脂系の優位点である、柔軟性があり、取り扱いが容易であるということを同時に達成したコンデンサ内蔵配線基板が得られる。
【0038】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【0039】
図1及び図2に、本発明の実施の形態に係るコンデンサ内蔵配線基板の部分断面図を示す。いずれの構成においても、後述の図3に示す構成に比べ、曲げに強く、折れや割れが発生し難い状態となり、また後述の図4に示す構成に比べ、大容量のコンデンサを得ることが可能となる。
【0040】
(実施の形態1)図1に示す本発明の実施の形態1について詳細に説明する。図1において、11及び12は金属層、13及び15は樹脂単独の誘電体層(樹脂層)、14はセラミック薄膜の誘電体層を示す。
【0041】
まず、使用する原料、資材は次のようである。金属層:片面電解銅箔(18μm)。樹脂:ビスフェノールA型エポキシ樹脂と柔軟性のあるビスフェノールA型フェノキシ樹脂を重量比で1:1で混合したもの。硬化剤:フェノールノボラック型硬化剤。溶剤:MEK(メチルエチルケトン)。セラミック層:チタン酸バリウム(バルクでの誘電率3000)。
【0042】
次に、このコンデンサ内蔵配線基板の製造方法について説明する。
【0043】
▲1▼:エポキシ樹脂と硬化剤及びフェノキシ樹脂を規定量混合し、MEKにて粘度調整後、スピンコーターにて銅箔の電解側に溶剤除去後1μm厚になるように調整し塗布する。
【0044】
▲2▼:120℃で30分程度加熱乾燥し、MEKを除去し、樹脂層を半硬化状態にする。
【0045】
▲3▼:ゾルゲル法により、半硬化状態の樹脂層上にチタン酸バリウムの層を析出させ3μm厚の薄膜を形成する。
【0046】
▲4▼:薄膜チタン酸バリウム層上に▲1▼→▲2▼の工程を繰り返し半硬化状態の樹脂層を1μm厚で形成する。
【0047】
▲5▼: ▲4▼での半硬化状態の樹脂層上に、銅箔の電解側を樹脂層と接するように配置し、真空ラミネートにより積層する。
【0048】
▲6▼:200℃で1時間プレス加熱硬化を行い、本発明の実施の形態1のコンデンサ内蔵配線基板を得る。
【0049】
なお、本実施の形態1においては、チタン酸バリウムの誘電体セラミック層をゾルゲル法により作製したが、他に、電気泳動法、化学気相蒸着法(CVD法)、物理蒸着法(PVD法)、レーザーアブレーション法、ジェットプリンティング法、イオンプレーティング法、溶射法、スパッタ法、化学溶液法によっても、樹脂層を劣化させることなく、誘電体セラミック層を成膜することができる。
【0050】
(実施の形態2)次に、図2に示す本発明の実施の形態2について詳細に説明する。21及び22は金属層、23及び25は樹脂と誘電体粉末の混合品である誘電体層(コンポジット層)、24はセラミック薄膜からなる誘電体層(誘電体セラミック層)を示す。
【0051】
まず、使用する原料、資材は次のとおりである。金属層:片面電解銅箔(18μm)。樹脂:ビスフェノールA型エポキシ樹脂と柔軟性のあるビスフェノールA型フェノキシ樹脂を重量比で1:1で混合したもの。硬化剤:フェノールノボラック型硬化剤。誘電体粉末:チタン酸バリウム(粒径0.3μm、バルクでの誘電率3000)。溶剤:MEK。セラミック層:チタン酸バリウム(バルクでの誘電率3000)。
【0052】
このコンデンサ内蔵配線基板の製造方法に関しては、実施の形態1とほぼ同等である。異なる点は、樹脂中に誘電体粉末が分散されている点のみである。樹脂と誘電体粉末(0.3μm径チタン酸バリウム)の混合比は体積分率で1:1とした。
【0053】
また、図3に、比較例1として作製したコンデンサ内蔵配線基板の部分断面図を示す。31及び32は金属層、33はセラミック薄膜からなる誘電体層を示す。
【0054】
この構成のコンデンサ内蔵配線基板は、大きな容量のコンデンサを得ることができるが、曲げに弱く、折れや割れが発生し易いという問題を内在している。
【0055】
また、図4に、比較例2として作製したコンデンサ内蔵配線基板の部分断面図を示す。41及び42は金属層、43は樹脂と誘電体粉末の混合品である誘電体層を示す。
【0056】
この構成のコンデンサ内蔵配線基板は、曲げに強く、折れや割れが発生しにくいが、大きな容量のコンデンサを得ることが難しいという問題を内在している。
【0057】
このように作製した4種のコンデンサ内蔵配線基板の比誘電率と曲げ特性(柔軟性)に関して評価した結果を次の表1に示す。誘電体層の全厚が5μm厚で比較した。
【0058】
【表1】
【0059】
実施例1及び2の試料については、曲げ特性(柔軟性)が良好で、比誘電率も230〜580と、従来の樹脂系のコンデンサ内蔵配線基板の場合よりも格段に高い値が得られた。
【0060】
【発明の効果】
上記のように、本発明のコンデンサ内蔵配線板を使用することにより、従来の、誘電体層がセラミックスであるものより耐折り曲げ性に優れ、柔軟性が高く、従来の、誘電体層が樹脂と誘電体粉末のコンポジット品であるものに比べ、比誘電率を格段に大きくすることが可能となった。
【0061】
また、誘電体粉末コンポジットタイプの数10倍程度まで比誘電率の調整が可能と考えられ、各誘電体層の厚さでも比誘電率を調整できることから、従来に比べ汎用性の高いコンデンサ内蔵配線板の提供が可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1のコンデンサ内蔵配線基板を示す部分断面図。
【図2】本発明の実施の形態2のコンデンサ内蔵配線基板を示す部分断面図。
【図3】比較例1のコンデンサ内蔵配線基板を示す部分断面図。
【図4】比較例2のコンデンサ内蔵配線基板を示す部分断面図。
【符号の説明】
11,12,21,22 金属層
13,14,15,23,24,25 誘電体層
Claims (7)
- 第1の金属層、複数の誘電体層、第2の金属層の順に積層されてなるコンデンサ内蔵配線基板において、前記複数の誘電体層は、少なくとも2層の異なる誘電体層を含んで積層されていることを特徴とするコンデンサ内蔵配線基板。
- 前記誘電体層のうち、少なくとも1層が樹脂層であり、他の少なくとも1層が誘電体セラミック層であることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサ内蔵配線基板。
- 前記誘電体層のうち、少なくとも1層が樹脂と誘電体粉末とを混合してなるコンポジット層であり、他の少なくとも1層が誘電体セラミック層であることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサ内蔵配線基板。
- 前記第1または第2の金属層と接する誘電体層は、樹脂層、または樹脂と誘電体粉末とを混合してなるコンポジット層のいずれかからなることを特徴とする請求項1、2または3に記載のコンデンサ内蔵配線基板。
- 前記第1及び第2の金属層は、白金、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、チタンのうちの少なくとも1つからなる単体金属または合金からなることを特徴とする請求項1、2、3または4に記載のコンデンサ内蔵配線基板。
- 第1の金属層、誘電体セラミック層を含む複数の誘電体層、第2の金属層の順に積層されてなるコンデンサ内蔵配線基板の製造方法であって、前記誘電体セラミック層をゾルゲル法、電気泳動法、化学気相蒸着法(CVD法)、物理蒸着法(PVD法)、レーザーアブレーション法、ジェットプリンティング法、イオンプレーティング法、溶射法、スパッタ法、化学溶液法のうちの少なくとも1つから選択された方法で形成することを特徴とするコンデンサ内蔵配線基板の製造方法。
- 第1の金属層、誘電体セラミック層を含む複数の誘電体層、第2の金属層の順に積層されてなるコンデンサ内蔵配線基板の製造方法であって、前記第1及び第2の金属層を、白金、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、チタンのうちの少なくとも1つからなる単体金属または合金を含む導電性ペーストを用いて形成することを特徴とするコンデンサ内蔵配線基板の製造方法。
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