JP2000204149A - コポリカ―ボネ―ト重合体を用いた電子写真感光体 - Google Patents
コポリカ―ボネ―ト重合体を用いた電子写真感光体Info
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- JP2000204149A JP2000204149A JP11008180A JP818099A JP2000204149A JP 2000204149 A JP2000204149 A JP 2000204149A JP 11008180 A JP11008180 A JP 11008180A JP 818099 A JP818099 A JP 818099A JP 2000204149 A JP2000204149 A JP 2000204149A
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- carbon
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐摩耗および低残留電位性に優れたコポリカ
ーボネート重合体を用いた電子写真感光体を提供する。 【解決手段】 （Ａ）２個の一価フェノール類がトリシ
クロペンタンで結ばれたビスフェノールと、（Ｂ）その
他のビスフェノールとから誘導されたコポリカーボネー
トであって、（Ａ）から誘導された炭酸エステル構造が
全構造単位中５〜６０mol%であり、かつ極限粘度が0.30
〜2.00dl/gであるコポリカーボネート重合体を用いた電
子写真感光体。
ーボネート重合体を用いた電子写真感光体を提供する。 【解決手段】 （Ａ）２個の一価フェノール類がトリシ
クロペンタンで結ばれたビスフェノールと、（Ｂ）その
他のビスフェノールとから誘導されたコポリカーボネー
トであって、（Ａ）から誘導された炭酸エステル構造が
全構造単位中５〜６０mol%であり、かつ極限粘度が0.30
〜2.00dl/gであるコポリカーボネート重合体を用いた電
子写真感光体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規コポリカーボ
ネート重合体に係わり、更に詳細には特定のビスフェノ
ール類より誘導された構造を有し、耐摩耗性、電子写真
特性等に優れた電子写真感光体バインダー樹脂および電
子写真感光体に関する。
ネート重合体に係わり、更に詳細には特定のビスフェノ
ール類より誘導された構造を有し、耐摩耗性、電子写真
特性等に優れた電子写真感光体バインダー樹脂および電
子写真感光体に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、電子写真技術は、その高速性、高
画質である事等により、複写機、レーザープリンター、
ファックス等に広く応用されている。この電子写真技術
における電子写真感光体としては、従来は、セレン、セ
レン／テルル合金、セレン／砒素合金、硫化カドミウム
等の無機系光導電性物質が主に用いられてきた。
画質である事等により、複写機、レーザープリンター、
ファックス等に広く応用されている。この電子写真技術
における電子写真感光体としては、従来は、セレン、セ
レン／テルル合金、セレン／砒素合金、硫化カドミウム
等の無機系光導電性物質が主に用いられてきた。
【０００３】しかし、毒性、安全性、価格、生産性等の
点から、最近では、有機系光導電性物質を使用した電子
写真感光体が開発されている。この有機系光導電性物質
が低分子物質の場合、バインダー樹脂と混合して塗膜を
形成する事が通常行われている。バインダー樹脂として
はポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化
ビニル等のビニル重合体、及びその共重合体、ポリカー
ボネート、ポリエステル、ポリスルフォン、フェノキシ
樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の各種の熱可塑
性樹脂や熱硬化性樹脂が用いられてきている。これら各
種樹脂の内、ポリカーボネート樹脂が比較的優れた特性
を有しており、良く用いられている。
点から、最近では、有機系光導電性物質を使用した電子
写真感光体が開発されている。この有機系光導電性物質
が低分子物質の場合、バインダー樹脂と混合して塗膜を
形成する事が通常行われている。バインダー樹脂として
はポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化
ビニル等のビニル重合体、及びその共重合体、ポリカー
ボネート、ポリエステル、ポリスルフォン、フェノキシ
樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の各種の熱可塑
性樹脂や熱硬化性樹脂が用いられてきている。これら各
種樹脂の内、ポリカーボネート樹脂が比較的優れた特性
を有しており、良く用いられている。
【０００４】バインダー樹脂として各種のポリカーボネ
ート樹脂を用いる事が報告されており、例えば特開昭６
０−１７２０４４には1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキサン（ビスフェノールＺ）からのポリカ
ーボネート樹脂が、特開昭６３−１７０６４７にはビス
フェノールＡからのポリカーボネート樹脂が、特開昭６
３−１４８２６３にはジメチルビスフェノールＡからの
ポリカーボネート樹脂が、特開平４−４４０４８には1,
1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）−1-フェニルエタン
（ビスフェノールＡＰ）からのポリカーボネート樹脂
が、それぞれバインダー樹脂として使用する事が開示さ
れている。中でもビスフェノールＡ型ポリカーボネート
は経済的である事から、ビスフェノールＺ型ポリカーボ
ネートは溶媒溶解性が良好であることから、それぞれバ
インダー樹脂に最も多く使用されている。
ート樹脂を用いる事が報告されており、例えば特開昭６
０−１７２０４４には1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキサン（ビスフェノールＺ）からのポリカ
ーボネート樹脂が、特開昭６３−１７０６４７にはビス
フェノールＡからのポリカーボネート樹脂が、特開昭６
３−１４８２６３にはジメチルビスフェノールＡからの
ポリカーボネート樹脂が、特開平４−４４０４８には1,
1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）−1-フェニルエタン
（ビスフェノールＡＰ）からのポリカーボネート樹脂
が、それぞれバインダー樹脂として使用する事が開示さ
れている。中でもビスフェノールＡ型ポリカーボネート
は経済的である事から、ビスフェノールＺ型ポリカーボ
ネートは溶媒溶解性が良好であることから、それぞれバ
インダー樹脂に最も多く使用されている。
【０００５】これらの公知有機系光導電性物質（以下Ｏ
ＰＣと略称）と各種バインダー樹脂とを使用する電子写
真感光体（ＯＰＣ感光体）においては、感度等の点では
無機系光導電性物質を使用した電子写真感光体に匹敵す
るものが得られている。これらＯＰＣ感光体は、キャス
ト製膜法等により容易に薄膜とする事が可能で、大量生
産に向いており、価格も比較的安価である。ＯＰＣ感光
体はこのように優れた面がある反面、従来のポリカーボ
ネートを主体とするバインダー樹脂では耐摩耗性や帯電
特性などがかならずしも十分でない場合があり、バイン
ダー樹脂としては改善の余地があった。
ＰＣと略称）と各種バインダー樹脂とを使用する電子写
真感光体（ＯＰＣ感光体）においては、感度等の点では
無機系光導電性物質を使用した電子写真感光体に匹敵す
るものが得られている。これらＯＰＣ感光体は、キャス
ト製膜法等により容易に薄膜とする事が可能で、大量生
産に向いており、価格も比較的安価である。ＯＰＣ感光
体はこのように優れた面がある反面、従来のポリカーボ
ネートを主体とするバインダー樹脂では耐摩耗性や帯電
特性などがかならずしも十分でない場合があり、バイン
ダー樹脂としては改善の余地があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のポリカーボネー
トに比較して、耐摩耗性および帯電特性に優れた電子感
光体のバインダー樹脂を提供することである。
トに比較して、耐摩耗性および帯電特性に優れた電子感
光体のバインダー樹脂を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来の課
題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、ジシクロペンタ
ン構造を有するビスフェノール化合物と他の少なくとも
１種類以上のビスフェノール化合物より誘導されたコポ
リカーボネート重合体は従来の電子写真感光体用バイン
ダー樹脂に比して、耐摩耗性や帯電特性に優れることを
見いだし、この知見に基づいて本発明を完成するに至っ
た。
題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、ジシクロペンタ
ン構造を有するビスフェノール化合物と他の少なくとも
１種類以上のビスフェノール化合物より誘導されたコポ
リカーボネート重合体は従来の電子写真感光体用バイン
ダー樹脂に比して、耐摩耗性や帯電特性に優れることを
見いだし、この知見に基づいて本発明を完成するに至っ
た。
【０００８】
【発明の実施の形態】即ち、本発明は一般式（Ａ）およ
び一般式（Ｂ）で表される構造単位を有し、一般式
（Ａ）の構造単位が全構造中 5〜60mol%であり、かつ極
限粘度が 0.3〜2.0dl/g であるコポリカーボネート重合
体を用いた電子写真感光体である。
び一般式（Ｂ）で表される構造単位を有し、一般式
（Ａ）の構造単位が全構造中 5〜60mol%であり、かつ極
限粘度が 0.3〜2.0dl/g であるコポリカーボネート重合
体を用いた電子写真感光体である。
【０００９】
【化９】 （式中のＲ1 〜Ｒ4 は、各々独立して、水素、フッ素、
塩素、臭素、ヨウ素、炭素数１〜５のアルキル基、炭素
数６〜１２のアリール基、炭素数２〜５のアルケニル
基、炭素数１〜６のアルコキシ基または炭素数７〜１７
のアラルキル基を示す。なお、Ｒ1 〜Ｒ4 が炭素原子を
有する場合は、該炭素原子に、炭素数１〜５のアルキル
基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアル
コキシ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ジメチルポリ
シロキシ基及びアルキルアリールポリシロキシ基から選
ばれた置換基を有することも可能である。）
塩素、臭素、ヨウ素、炭素数１〜５のアルキル基、炭素
数６〜１２のアリール基、炭素数２〜５のアルケニル
基、炭素数１〜６のアルコキシ基または炭素数７〜１７
のアラルキル基を示す。なお、Ｒ1 〜Ｒ4 が炭素原子を
有する場合は、該炭素原子に、炭素数１〜５のアルキル
基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアル
コキシ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ジメチルポリ
シロキシ基及びアルキルアリールポリシロキシ基から選
ばれた置換基を有することも可能である。）
【００１０】
【化１０】 （式中ｗは、
【化１１】 であり、Ｒ5 〜Ｒ8 は、各々独立して、水素、フッ素、
塩素、臭素、ヨウ素、炭素数１〜５のアルキル基、炭素
数６〜１２のアリール基、炭素数２〜５のアルケニル
基、炭素数１〜５のアルコキシ基または炭素数７〜１７
のアラルキル基である。なお、Ｒ5 〜Ｒ8 が炭素原子を
有する場合は、該炭素原子に、炭素数１〜５のアルキル
基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアル
コキシ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ジメチルポリ
シロキシ基及びアルキルアリールポリシロキシ基から選
ばれた置換基を有することも可能である。Ｙは、
塩素、臭素、ヨウ素、炭素数１〜５のアルキル基、炭素
数６〜１２のアリール基、炭素数２〜５のアルケニル
基、炭素数１〜５のアルコキシ基または炭素数７〜１７
のアラルキル基である。なお、Ｒ5 〜Ｒ8 が炭素原子を
有する場合は、該炭素原子に、炭素数１〜５のアルキル
基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアル
コキシ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ジメチルポリ
シロキシ基及びアルキルアリールポリシロキシ基から選
ばれた置換基を有することも可能である。Ｙは、
【化１２】 であり、ここにＲ9 ，Ｒ10はそれぞれ、水素、炭素数１
〜５のアルキル基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素
数１〜５のアルコキシ基又は炭素数６〜１２のアリール
基を表すか、Ｒ9 ，Ｒ10が一緒に結合して、炭素環また
は複素環を形成する基を表す。なお、Ｒ9 およびＲ10が
炭素原子を有する場合は、該炭素原子に、炭素数１〜５
のアルキル基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１
〜５のアルコキシ基、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素
を有することも可能である。a は０〜２０の整数、b は
１〜１００の整数を表す。）
〜５のアルキル基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素
数１〜５のアルコキシ基又は炭素数６〜１２のアリール
基を表すか、Ｒ9 ，Ｒ10が一緒に結合して、炭素環また
は複素環を形成する基を表す。なお、Ｒ9 およびＲ10が
炭素原子を有する場合は、該炭素原子に、炭素数１〜５
のアルキル基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１
〜５のアルコキシ基、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素
を有することも可能である。a は０〜２０の整数、b は
１〜１００の整数を表す。）
【００１１】以下、本発明の構成について説明する。本
発明の前記一般式（Ａ）の構造単位を有するコポリカー
ボネートは、下記一般式（Ｃ）で表されるビスフェノー
ル化合物と
発明の前記一般式（Ａ）の構造単位を有するコポリカー
ボネートは、下記一般式（Ｃ）で表されるビスフェノー
ル化合物と
【００１２】
【化１３】 （式中のＲ1 〜Ｒ4 は、各々独立して、水素、フッ素、
塩素、臭素、ヨウ素、炭素数１〜５のアルキル基、炭素
数６〜１２のアリール基、炭素数２〜５のアルケニル
基、炭素数１〜６のアルコキシ基または炭素数７〜１７
のアラルキル基を示す。なお、Ｒ1 〜Ｒ4 が炭素原子を
有する場合は、該炭素原子に、炭素数１〜５のアルキル
基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアル
コキシ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ジメチルポリ
シロキシ基及びアルキルアリールポリシロキシ基から選
ばれた置換基を有することも可能である。）
塩素、臭素、ヨウ素、炭素数１〜５のアルキル基、炭素
数６〜１２のアリール基、炭素数２〜５のアルケニル
基、炭素数１〜６のアルコキシ基または炭素数７〜１７
のアラルキル基を示す。なお、Ｒ1 〜Ｒ4 が炭素原子を
有する場合は、該炭素原子に、炭素数１〜５のアルキル
基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアル
コキシ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ジメチルポリ
シロキシ基及びアルキルアリールポリシロキシ基から選
ばれた置換基を有することも可能である。）
【００１３】下記一般式（Ｄ）で表されるビスフェノー
ル化合物とを
ル化合物とを
【００１４】
【化１４】 （式中Ｗは、
【化１５】 であり、Ｒ5 〜Ｒ8 は、各々独立して、水素、フッ素、
塩素、臭素、ヨウ素、炭素数１〜５のアルキル基、炭素
数６〜１２のアリール基、炭素数２〜５のアルケニル
基、炭素数１〜５のアルコキシ基または炭素数７〜１７
のアラルキル基である。なお、Ｒ5 〜Ｒ8 が炭素原子を
有する場合は、該炭素原子に、炭素数１〜５のアルキル
基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアル
コキシ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ジメチルポリ
シロキシ基及びアルキルアリールポリシロキシ基から選
ばれた置換基を有することも可能である。Ｙは、
塩素、臭素、ヨウ素、炭素数１〜５のアルキル基、炭素
数６〜１２のアリール基、炭素数２〜５のアルケニル
基、炭素数１〜５のアルコキシ基または炭素数７〜１７
のアラルキル基である。なお、Ｒ5 〜Ｒ8 が炭素原子を
有する場合は、該炭素原子に、炭素数１〜５のアルキル
基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアル
コキシ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ジメチルポリ
シロキシ基及びアルキルアリールポリシロキシ基から選
ばれた置換基を有することも可能である。Ｙは、
【化１６】 であり、ここにＲ9 ，Ｒ10はそれぞれ、水素、炭素数１
〜５のアルキル基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素
数１〜５のアルコキシ基又は炭素数６〜１２のアリール
基を表すか、Ｒ9 ，Ｒ10が一緒に結合して、炭素環また
は複素環を形成する基を表す。なお、Ｒ9 およびＲ10が
炭素原子を有する場合は、該炭素原子に、炭素数１〜５
のアルキル基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１
〜５のアルコキシ基、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素
を有することも可能である。a は０〜２０の整数、b は
１〜１００の整数を表す。）
〜５のアルキル基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素
数１〜５のアルコキシ基又は炭素数６〜１２のアリール
基を表すか、Ｒ9 ，Ｒ10が一緒に結合して、炭素環また
は複素環を形成する基を表す。なお、Ｒ9 およびＲ10が
炭素原子を有する場合は、該炭素原子に、炭素数１〜５
のアルキル基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１
〜５のアルコキシ基、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素
を有することも可能である。a は０〜２０の整数、b は
１〜１００の整数を表す。）
【００１５】炭酸エステル形成性化合物と反応させて製
造することができる。
造することができる。
【００１６】前記一般式（Ｃ）で表されるビスフェノー
ル化合物は、ジシクロペンタン構造を有するビスフェノ
ール化合物であり、例えばジシクロペンタジエンとフェ
ノール類とを反応させることで製造することができる。
一般式（Ｃ）のビスフェノール化合物は、具体的には、
ル化合物は、ジシクロペンタン構造を有するビスフェノ
ール化合物であり、例えばジシクロペンタジエンとフェ
ノール類とを反応させることで製造することができる。
一般式（Ｃ）のビスフェノール化合物は、具体的には、
【００１７】
【化１７】
【００１８】が挙げられる。これらのビスフェノール化
合物は２種類以上組み合わせて用いてもよい。
合物は２種類以上組み合わせて用いてもよい。
【００１９】前記一般式（Ｄ）で表されるビスフェノー
ル化合物としては、具体的には、4,4'−ビフェニルジオ
ール、ビス（4-ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（4-
ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（4-ヒドロキシフ
ェニル）スルホン、ビス（4-ヒドロキシフェニル）スル
ホキシド、ビス（4-ヒドロキシフェニル）スルファイ
ド、ビス（4-ヒドロキシフェニル）ケトン、1,1-ビス
（4-ヒドロキシフェニル）エタン、2,2-ビス（4-ヒドロ
キシフェニル）プロパン（ビスフェノ−ルＡ；BPA）、
2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）ブタン、1,1-ビス
（4-ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン（ビスフェノ
−ルＺ；BPZ ）、2,2-ビス（4-ヒドロキシ−3,5-ジブロ
モフェニル）プロパン、2,2-ビス（4-ヒドロキシ−3,5-
ジクロロフェニル）プロパン、2,2-ビス（4-ヒドロキシ
−3-ブロモフェニル）プロパン、2,2-ビス（4-ヒドロキ
シ−3-クロロフェニル）プロパン、2,2-ビス（4-ヒドロ
キシ−3-メチルフェニル）プロパン（ジメチルビスフェ
ノールＡ；DMBPA ）、2,2-ビス（4-ヒドロキシ−3,5-ジ
メチルフェニル）プロパン、1,1-ビス（4-ヒドロキシフ
ェニル）−1-フェニルエタン（ビスフェノールＡＰ；BP
AP）、ビス（4-ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタ
ン、2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロ
プロパン、2,2-ビス（4-ヒドロキシ−3-アリルフェニ
ル）プロパン、α，ω−ビス［2-（p-ヒドロキシフェニ
ル）エチル］ポリジメチルシロキサン、α，ω−ビス
［3-（o-ヒドロキシフェニル）プロピル］ポリジメチル
シロキサン、9,9-ビス（3-メチル−4-ヒドロキシフェニ
ル）フルオレン、2,2-ビス（4-ヒドロキシ−3-アリルフ
ェニル）プロパン、4,4'-[1,4-フェニレンビス（1-メチ
ルエチリデン）］ビスフェノール、4,4'-[1,3-フェニレ
ンビス（1-メチルエチリデン）］ビスフェノール、3,3,
5-トリメチル−1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）シク
ロヘキサン、1,1'−ビ-2−ナフトール、6,6'−ジヒドロ
キシ-3,3,3',3'−テトラメチル-1,1'-スピロビインダ
ン、1,1,3-トリメチル-3−（4-ヒドロキシフェニル）−
インダン−5-オール、6,6'−ジヒドロキシ-4,4,4',4'7,
7'−ヘキサメチル-2,2'-スピロビクロマンなどが例示さ
れる。これらは、２種類以上併用することも可能であ
る。
ル化合物としては、具体的には、4,4'−ビフェニルジオ
ール、ビス（4-ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（4-
ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（4-ヒドロキシフ
ェニル）スルホン、ビス（4-ヒドロキシフェニル）スル
ホキシド、ビス（4-ヒドロキシフェニル）スルファイ
ド、ビス（4-ヒドロキシフェニル）ケトン、1,1-ビス
（4-ヒドロキシフェニル）エタン、2,2-ビス（4-ヒドロ
キシフェニル）プロパン（ビスフェノ−ルＡ；BPA）、
2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）ブタン、1,1-ビス
（4-ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン（ビスフェノ
−ルＺ；BPZ ）、2,2-ビス（4-ヒドロキシ−3,5-ジブロ
モフェニル）プロパン、2,2-ビス（4-ヒドロキシ−3,5-
ジクロロフェニル）プロパン、2,2-ビス（4-ヒドロキシ
−3-ブロモフェニル）プロパン、2,2-ビス（4-ヒドロキ
シ−3-クロロフェニル）プロパン、2,2-ビス（4-ヒドロ
キシ−3-メチルフェニル）プロパン（ジメチルビスフェ
ノールＡ；DMBPA ）、2,2-ビス（4-ヒドロキシ−3,5-ジ
メチルフェニル）プロパン、1,1-ビス（4-ヒドロキシフ
ェニル）−1-フェニルエタン（ビスフェノールＡＰ；BP
AP）、ビス（4-ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタ
ン、2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロ
プロパン、2,2-ビス（4-ヒドロキシ−3-アリルフェニ
ル）プロパン、α，ω−ビス［2-（p-ヒドロキシフェニ
ル）エチル］ポリジメチルシロキサン、α，ω−ビス
［3-（o-ヒドロキシフェニル）プロピル］ポリジメチル
シロキサン、9,9-ビス（3-メチル−4-ヒドロキシフェニ
ル）フルオレン、2,2-ビス（4-ヒドロキシ−3-アリルフ
ェニル）プロパン、4,4'-[1,4-フェニレンビス（1-メチ
ルエチリデン）］ビスフェノール、4,4'-[1,3-フェニレ
ンビス（1-メチルエチリデン）］ビスフェノール、3,3,
5-トリメチル−1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）シク
ロヘキサン、1,1'−ビ-2−ナフトール、6,6'−ジヒドロ
キシ-3,3,3',3'−テトラメチル-1,1'-スピロビインダ
ン、1,1,3-トリメチル-3−（4-ヒドロキシフェニル）−
インダン−5-オール、6,6'−ジヒドロキシ-4,4,4',4'7,
7'−ヘキサメチル-2,2'-スピロビクロマンなどが例示さ
れる。これらは、２種類以上併用することも可能であ
る。
【００２０】また、これらの中でも特に2,2-ビス（4-ヒ
ドロキシフェニル）プロパン、1,1-ビス（4-ヒドロキシ
フェニル）シクロヘキサン、2,2-ビス（4-ヒドロキシ−
3-メチルフェニル）プロパン、ビス（4-ヒドロキシフェ
ニル）ジフェニルメタン、ビス（4-ヒドロキシフェニ
ル）エーテル、ビス（4-ヒドロキシフェニル）スルファ
イド、4,4'-[1,3-フェニレンビス（1-メチルエチリデ
ン）］ビスフェノール、1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニ
ル）−1-フェニルエタン、9,9-ビス（3-メチル−4-ヒド
ロキシフェニル）フルオレンから選ばれることが好まし
い。
ドロキシフェニル）プロパン、1,1-ビス（4-ヒドロキシ
フェニル）シクロヘキサン、2,2-ビス（4-ヒドロキシ−
3-メチルフェニル）プロパン、ビス（4-ヒドロキシフェ
ニル）ジフェニルメタン、ビス（4-ヒドロキシフェニ
ル）エーテル、ビス（4-ヒドロキシフェニル）スルファ
イド、4,4'-[1,3-フェニレンビス（1-メチルエチリデ
ン）］ビスフェノール、1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニ
ル）−1-フェニルエタン、9,9-ビス（3-メチル−4-ヒド
ロキシフェニル）フルオレンから選ばれることが好まし
い。
【００２１】一方、炭酸エステル形成性化合物として
は、例えばホスゲンやオキザリルクロライドまたはジフ
ェニルカーボネート、ジ−ｐ−トリルカーボネート、フ
ェニル−ｐ−トリルカーボネート、ジ−ｐ−クロロフェ
ニルカーボネート、ジナフチルカーボネートなどのビス
アリルカーボネートが挙げられる。
は、例えばホスゲンやオキザリルクロライドまたはジフ
ェニルカーボネート、ジ−ｐ−トリルカーボネート、フ
ェニル−ｐ−トリルカーボネート、ジ−ｐ−クロロフェ
ニルカーボネート、ジナフチルカーボネートなどのビス
アリルカーボネートが挙げられる。
【００２２】本発明のコポリカーボネート重合体の製法
としては、ビスフェノールＡからポリカーボネートを製
造する際に用いられている公知の方法、例えば二価フェ
ノールとホスゲンとの直接反応（ホスゲン法）、あるい
は二価フェノールとビスアリールカーボネートとのエス
テル交換反応（エステル交換法）などの方法を採用する
ことができる。
としては、ビスフェノールＡからポリカーボネートを製
造する際に用いられている公知の方法、例えば二価フェ
ノールとホスゲンとの直接反応（ホスゲン法）、あるい
は二価フェノールとビスアリールカーボネートとのエス
テル交換反応（エステル交換法）などの方法を採用する
ことができる。
【００２３】ホスゲン法とエステル交換法では、一般式
（Ｃ）のビスフェノール化合物の反応性を考慮した場
合、ホスゲン法の方が好ましい。また、反応性と物性の
観点から、一般式（Ｃ）のビスフェノール化合物は全原
料ビスフェノール中５〜６０mol%であることが好まし
く、さらには１０〜５０mol%がより好ましい。
（Ｃ）のビスフェノール化合物の反応性を考慮した場
合、ホスゲン法の方が好ましい。また、反応性と物性の
観点から、一般式（Ｃ）のビスフェノール化合物は全原
料ビスフェノール中５〜６０mol%であることが好まし
く、さらには１０〜５０mol%がより好ましい。
【００２４】前者のホスゲン法においては、通常酸結合
剤および溶媒の存在下において、前記ビスフェノール化
合物とホスゲンを反応させる。
剤および溶媒の存在下において、前記ビスフェノール化
合物とホスゲンを反応させる。
【００２５】酸結合剤としては、例えばピリジンや、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属の
水酸化物などが用いらる。本発明では、さらに塩化ベン
ジルトリエチルアンモニウム等の４級アンモニウム塩を
酸結合助触媒として添加することが好ましい。
酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属の
水酸化物などが用いらる。本発明では、さらに塩化ベン
ジルトリエチルアンモニウム等の４級アンモニウム塩を
酸結合助触媒として添加することが好ましい。
【００２６】また溶媒としては、例えば塩化メチレン、
クロロホルム、クロロベンゼン、キシレンなどが用いら
れる。さらに、縮重合反応を促進するために、トリエチ
ルアミンのような第三級アミンまたは第四級アンモニウ
ム塩などの触媒、助触媒を加えることが好ましい。
クロロホルム、クロロベンゼン、キシレンなどが用いら
れる。さらに、縮重合反応を促進するために、トリエチ
ルアミンのような第三級アミンまたは第四級アンモニウ
ム塩などの触媒、助触媒を加えることが好ましい。
【００２７】また重合度を調節するために、従来から使
用されているフェノール、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、
ｐ−クミルフェノール、長鎖アルキル置換フェノール等
一官能基化合物が分子量調節剤として使用される。さら
に、所望に応じ亜硫酸ナトリウム、ハイドロサルファイ
トなどの酸化防止剤や、フロログルシン、イサチンビス
フェノールなど分岐化剤を小量添加してもよい。
用されているフェノール、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、
ｐ−クミルフェノール、長鎖アルキル置換フェノール等
一官能基化合物が分子量調節剤として使用される。さら
に、所望に応じ亜硫酸ナトリウム、ハイドロサルファイ
トなどの酸化防止剤や、フロログルシン、イサチンビス
フェノールなど分岐化剤を小量添加してもよい。
【００２８】反応は通常０〜１５０℃、好ましくは５〜
４０℃の範囲とするのが適当である。反応時間は反応温
度によって左右されるが、通常０．５分〜１０時間、好
ましくは１分〜２時間である。また、反応中は、反応系
のpHを１０以上に保持することが望ましい。
４０℃の範囲とするのが適当である。反応時間は反応温
度によって左右されるが、通常０．５分〜１０時間、好
ましくは１分〜２時間である。また、反応中は、反応系
のpHを１０以上に保持することが望ましい。
【００２９】一方後者のエステル交換法においては、前
記ビスフェノール化合物とビスアリールカーボネートと
を混合し、減圧下で高温において反応させる。反応は通
常１５０〜３５０℃、好ましくは２００〜３００℃の範
囲の温度において行われ、また減圧度は最終で好ましく
は１mmHg以下にして、エステル交換反応により生成した
該ビスアリールカーボネートから由来するフェノール類
を系外へ留去させる。
記ビスフェノール化合物とビスアリールカーボネートと
を混合し、減圧下で高温において反応させる。反応は通
常１５０〜３５０℃、好ましくは２００〜３００℃の範
囲の温度において行われ、また減圧度は最終で好ましく
は１mmHg以下にして、エステル交換反応により生成した
該ビスアリールカーボネートから由来するフェノール類
を系外へ留去させる。
【００３０】反応時間は反応温度や減圧度などによって
左右されるが、通常１〜４時間程度である。反応は窒素
やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で行うことが好ま
しく。また、所望に応じ、前記の分子量調節剤、酸化防
止剤や分岐化剤を添加して反応を行ってもよい。
左右されるが、通常１〜４時間程度である。反応は窒素
やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で行うことが好ま
しく。また、所望に応じ、前記の分子量調節剤、酸化防
止剤や分岐化剤を添加して反応を行ってもよい。
【００３１】本コポリカーボネート重合体は、電子写真
感光体製造で使用される溶液流延法、キャスト法、スプ
レー法、浸漬塗布法（ディップ法）等公知の湿式成形法
で成形が可能で、特にディップ法による成形に好適な重
合体の粘度は極限粘度で 0.3〜2.0(dl／g)である。極限
粘度が0.3dl/g より小さくなると湿式成形によって得ら
れるフィルムの強度が低下し、2.0dl/g 以上では湿式成
形による生産性が低下する場合が多く、また重合後の処
理が困難な場合が多い。
感光体製造で使用される溶液流延法、キャスト法、スプ
レー法、浸漬塗布法（ディップ法）等公知の湿式成形法
で成形が可能で、特にディップ法による成形に好適な重
合体の粘度は極限粘度で 0.3〜2.0(dl／g)である。極限
粘度が0.3dl/g より小さくなると湿式成形によって得ら
れるフィルムの強度が低下し、2.0dl/g 以上では湿式成
形による生産性が低下する場合が多く、また重合後の処
理が困難な場合が多い。
【００３２】また、本コポリカーボネート重合体におけ
る一般式（Ａ）の構造単位は、一般式（Ｃ）のモノマー
の反応性の観点から、全構成中 5〜60mol%であることが
好ましく、60mol%を越えると合成時の未反応モノマーが
増加し、分子量制御が著しく低下する。5mol% 未満では
従来のビスフェノールＡ型ポリカーボネートと物性や溶
媒溶解性ではほとんど差がなくなる。さらに、良好な反
応性、物性、溶媒溶解性のバランスを考慮した場合、10
〜50mol%が好適である。
る一般式（Ａ）の構造単位は、一般式（Ｃ）のモノマー
の反応性の観点から、全構成中 5〜60mol%であることが
好ましく、60mol%を越えると合成時の未反応モノマーが
増加し、分子量制御が著しく低下する。5mol% 未満では
従来のビスフェノールＡ型ポリカーボネートと物性や溶
媒溶解性ではほとんど差がなくなる。さらに、良好な反
応性、物性、溶媒溶解性のバランスを考慮した場合、10
〜50mol%が好適である。
【００３３】本発明で用いるコポリカーボネート重合体
には所望に応じて、従来、ポリカーボネート樹脂に用い
られた公知の種々の添加剤類が配合可能であり、これら
としては安定剤、紫外線吸収剤、帯電防止剤、滑剤、離
型剤、染料、顔料、難燃剤などが挙げられる。例えば、
安定剤としては特に亜リン酸、又はホスファイトが好適
である。又、離型剤としては飽和脂肪酸のモノ−或いは
多価アルコールのエステルが挙げられ、ステアリルステ
アレート、ベヘニルベヘネート、ペンタエリスリトール
テトラステアレート、ジペンタエリスリトールヘキサオ
クトエートなどが好適なものとして例示される。さらに
通常のポリカーボネートのほかに、ポリエステルカーボ
ネート、ポリアリレートなどの樹脂類も当然に目的に応
じて適宜添加する事も可能である。
には所望に応じて、従来、ポリカーボネート樹脂に用い
られた公知の種々の添加剤類が配合可能であり、これら
としては安定剤、紫外線吸収剤、帯電防止剤、滑剤、離
型剤、染料、顔料、難燃剤などが挙げられる。例えば、
安定剤としては特に亜リン酸、又はホスファイトが好適
である。又、離型剤としては飽和脂肪酸のモノ−或いは
多価アルコールのエステルが挙げられ、ステアリルステ
アレート、ベヘニルベヘネート、ペンタエリスリトール
テトラステアレート、ジペンタエリスリトールヘキサオ
クトエートなどが好適なものとして例示される。さらに
通常のポリカーボネートのほかに、ポリエステルカーボ
ネート、ポリアリレートなどの樹脂類も当然に目的に応
じて適宜添加する事も可能である。
【００３４】本発明中のコポリカーボネート重合体がバ
インダー樹脂として用いられる電子写真感光体は、導電
性支持体上に単一層の光導電層を有するものでも、機能
分離した積層型のものでも良い。最近は、露光により電
荷を発生する電荷発生層と、電荷を輸送する電荷輸送層
との二層からなる積層型の電子写真感光体が主流となっ
ている。又、必要に応じて下引き層、保護層、接着層等
を設けても良い。
インダー樹脂として用いられる電子写真感光体は、導電
性支持体上に単一層の光導電層を有するものでも、機能
分離した積層型のものでも良い。最近は、露光により電
荷を発生する電荷発生層と、電荷を輸送する電荷輸送層
との二層からなる積層型の電子写真感光体が主流となっ
ている。又、必要に応じて下引き層、保護層、接着層等
を設けても良い。
【００３５】導電性支持体には、アルミニウム、ステン
レス鋼、ニッケル等の金属材料や、又、表面にアルミニ
ウム、パラジウム、酸化スズ、酸化インジウム等の導電
性層を設けたポリエステルフィルム、フェノール樹脂、
紙等が使用される。
レス鋼、ニッケル等の金属材料や、又、表面にアルミニ
ウム、パラジウム、酸化スズ、酸化インジウム等の導電
性層を設けたポリエステルフィルム、フェノール樹脂、
紙等が使用される。
【００３６】前記電荷発生層は、たとえば浸漬法、スプ
レー法、塗布などの公知の方法により、導電性支持体上
に形成される。電荷発生物質としては、例えば、アゾキ
シベンゼン系、ジスアゾ系、トリスアゾ系、ベンズイミ
ダゾール系、多環式キノリン系、インジゴイド系、キナ
クリドン系、フタロシアニン系、ペリレン系、メチン系
等の有機顔料が使用できる。これらの電荷発生物質は、
その微粒子をポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホ
ルマール樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリ
エステル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ポリビニルアセテート樹脂、ポリウレタン樹脂、フ
ェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、各種セルロース等のバイ
ンダー樹脂に分散させた形で使用される。
レー法、塗布などの公知の方法により、導電性支持体上
に形成される。電荷発生物質としては、例えば、アゾキ
シベンゼン系、ジスアゾ系、トリスアゾ系、ベンズイミ
ダゾール系、多環式キノリン系、インジゴイド系、キナ
クリドン系、フタロシアニン系、ペリレン系、メチン系
等の有機顔料が使用できる。これらの電荷発生物質は、
その微粒子をポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホ
ルマール樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリ
エステル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ポリビニルアセテート樹脂、ポリウレタン樹脂、フ
ェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、各種セルロース等のバイ
ンダー樹脂に分散させた形で使用される。
【００３７】又、前記電荷輸送層は、電荷発生層上にた
とえば浸漬法、スプレー法、塗布公知の方法により、本
発明のコポリカーボネート重合体をバインダー樹脂とし
て、電荷輸送物質（ＣＴ剤）を分散させる事により形成
される。ＣＴ剤としては、例えば、ポリテトラシアノエ
チレン；２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン等
のフルオレノン系化合物；ジニトロアントラセン等のニ
トロ化合物；無水コハク酸；無水マレイン酸；ジブロモ
無水マレイン酸；トリフェニルメタン系化合物；２，５
−ジ（４−ジメチルアミノフェニル）−１，３，４−オ
キサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；９−
（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセン等のスチ
リル系化合物；ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール等のカル
バゾール系化合物；１−フェニル−３−（ｐ−ジメチル
アミノフェニル）ピラゾリン等のピラゾリン系化合物；
４，４’，４”−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）
トリフェニルアミン等のアミン誘導体；１、１ービス
（４−ジエチルアミノフェニル）−４，４−ジフェニル
−１，３−ブタジエン等の共役不飽和化合物；４−
（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）ベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ
−ジフェニルヒドラゾン等のヒドラゾン系化合物；イン
ドール系化合物、オキサゾール系化合物、イソオキサゾ
ール系化合物、チアゾール系化合物、チアジアゾール系
化合物、イミダゾール系化合物、ピラゾール系化合物、
ピラゾリン系化合物、トリアゾール系化合物等の含窒素
環式化合物；縮合多環式化合物等が挙げられる。上記Ｃ
Ｔ剤は単独で使用しても、複数種併用しても良い。
とえば浸漬法、スプレー法、塗布公知の方法により、本
発明のコポリカーボネート重合体をバインダー樹脂とし
て、電荷輸送物質（ＣＴ剤）を分散させる事により形成
される。ＣＴ剤としては、例えば、ポリテトラシアノエ
チレン；２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン等
のフルオレノン系化合物；ジニトロアントラセン等のニ
トロ化合物；無水コハク酸；無水マレイン酸；ジブロモ
無水マレイン酸；トリフェニルメタン系化合物；２，５
−ジ（４−ジメチルアミノフェニル）−１，３，４−オ
キサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；９−
（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセン等のスチ
リル系化合物；ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール等のカル
バゾール系化合物；１−フェニル−３−（ｐ−ジメチル
アミノフェニル）ピラゾリン等のピラゾリン系化合物；
４，４’，４”−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）
トリフェニルアミン等のアミン誘導体；１、１ービス
（４−ジエチルアミノフェニル）−４，４−ジフェニル
−１，３−ブタジエン等の共役不飽和化合物；４−
（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）ベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ
−ジフェニルヒドラゾン等のヒドラゾン系化合物；イン
ドール系化合物、オキサゾール系化合物、イソオキサゾ
ール系化合物、チアゾール系化合物、チアジアゾール系
化合物、イミダゾール系化合物、ピラゾール系化合物、
ピラゾリン系化合物、トリアゾール系化合物等の含窒素
環式化合物；縮合多環式化合物等が挙げられる。上記Ｃ
Ｔ剤は単独で使用しても、複数種併用しても良い。
【００３８】電荷発生層及び電荷輸送層は、上記の電荷
発生物質、又は、電荷輸送物質を、それぞれバインダー
樹脂と、適当な溶媒に溶解させ、その溶液を浸漬塗布
（ディップ）法やスプレー法等により塗布し、乾燥させ
る事により形成できる。この溶媒としては、ハロゲン系
有機溶媒と非ハロゲン系溶媒の２種類に大別できるが、
一般的に可燃性が少ないハロゲン系溶媒が多用される。
近年は、安全性や環境保全の観点から、非ハロゲン系溶
媒が使用される比率が大きくなっており、本発明で用い
られるコポリカーボネート重合体も非ハロゲン系溶媒の
多くに良溶である。
発生物質、又は、電荷輸送物質を、それぞれバインダー
樹脂と、適当な溶媒に溶解させ、その溶液を浸漬塗布
（ディップ）法やスプレー法等により塗布し、乾燥させ
る事により形成できる。この溶媒としては、ハロゲン系
有機溶媒と非ハロゲン系溶媒の２種類に大別できるが、
一般的に可燃性が少ないハロゲン系溶媒が多用される。
近年は、安全性や環境保全の観点から、非ハロゲン系溶
媒が使用される比率が大きくなっており、本発明で用い
られるコポリカーボネート重合体も非ハロゲン系溶媒の
多くに良溶である。
【００３９】非ハロゲン系溶媒ではベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族系溶媒、アセトン、メチルエチ
ルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジエチ
ルエーテル等のエーテル系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチ
ル、エチルセロソルブ等のエステル系溶媒、メタノー
ル、エタノール、イソプロパノール等のアルコール系溶
媒、その他ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、ジエチルホルムアミド等が挙げられる。またハロゲ
ン系溶媒としては塩化メチレン、クロロホルム、四塩化
炭素、塩化エチレン、テトラクロロエタン、クロロベン
ゼン等が挙げられ、これらの溶媒は非ハロゲン、ハロゲ
ンを問わず単独で使用しても良く、又は、２種以上を併
用し混合用溶媒として使用しても良い。
ン、キシレン等の芳香族系溶媒、アセトン、メチルエチ
ルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジエチ
ルエーテル等のエーテル系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチ
ル、エチルセロソルブ等のエステル系溶媒、メタノー
ル、エタノール、イソプロパノール等のアルコール系溶
媒、その他ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、ジエチルホルムアミド等が挙げられる。またハロゲ
ン系溶媒としては塩化メチレン、クロロホルム、四塩化
炭素、塩化エチレン、テトラクロロエタン、クロロベン
ゼン等が挙げられ、これらの溶媒は非ハロゲン、ハロゲ
ンを問わず単独で使用しても良く、又は、２種以上を併
用し混合用溶媒として使用しても良い。
【００４０】溶液の濃度は通常 1〜30重量％、好ましく
は 5〜20重量％である。本発明のコポリカーボネート重
合体は一般的なビスフェノールＡ型ポリカーボネート樹
脂とは異なり、トルエンなどの非ハロゲン系溶剤に対し
ても高い溶解性を示し、溶液の安定性が高いという利点
を有する。
は 5〜20重量％である。本発明のコポリカーボネート重
合体は一般的なビスフェノールＡ型ポリカーボネート樹
脂とは異なり、トルエンなどの非ハロゲン系溶剤に対し
ても高い溶解性を示し、溶液の安定性が高いという利点
を有する。
【００４１】本発明中のコポリカーボネート重合体をバ
インダー樹脂として用いる場合、電荷発生物質とバイン
ダー樹脂の混合比は、１０：１〜１：２０の範囲内が好
ましい。この電荷発生層の厚さは、０．０１〜２０μ
ｍ、好ましくは０．１〜２μｍが好適である。また、電
荷輸送物質とバインダー樹脂との混合比は、１０：１〜
１：１０の範囲内が好ましい。この電荷輸送層の厚さ
は、２〜１００μｍ、好ましくは５〜３０μｍが好適で
ある。
インダー樹脂として用いる場合、電荷発生物質とバイン
ダー樹脂の混合比は、１０：１〜１：２０の範囲内が好
ましい。この電荷発生層の厚さは、０．０１〜２０μ
ｍ、好ましくは０．１〜２μｍが好適である。また、電
荷輸送物質とバインダー樹脂との混合比は、１０：１〜
１：１０の範囲内が好ましい。この電荷輸送層の厚さ
は、２〜１００μｍ、好ましくは５〜３０μｍが好適で
ある。
【００４２】本発明の新規コポリカーボネート重合体
は、電荷輸送物質のバインダー樹脂として用いた場合、
従来のビスフェノールＡ型やビスフェノールＺ型ポリカ
ーボネートをバインダ−樹脂として用いた場合に比べ、
耐摩耗性に優れるとともに残留電位が低い利点を有す
る。
は、電荷輸送物質のバインダー樹脂として用いた場合、
従来のビスフェノールＡ型やビスフェノールＺ型ポリカ
ーボネートをバインダ−樹脂として用いた場合に比べ、
耐摩耗性に優れるとともに残留電位が低い利点を有す
る。
【００４３】
【実施例】次に 実施例により、本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定さ
れるものではない。
説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定さ
れるものではない。
【００４４】実施例１ 8.8%(w/v) の水酸化ナトリウム水溶液600ml に、下記構
造のビスフェノール化合物
造のビスフェノール化合物
【００４５】
【化１８】
【００４６】32.1g （以下 DCPと略記する。0.1mol）と
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以
下 BPAと略記する。0.3mol）68.4g 及びハイドロサルフ
ァイト0.1gを加え溶解した。これにメチレンクロライド
400ml を加え、15℃に保ちながら撹拌しつつ、塩化ベン
ジルトリエチルアンモニウム0.05g を加え、ついでホス
ゲン50g を50分かけて吹き込んだ。吹き込み終了後、p-
ターシャルブチルフェノール（以下PTBPと略記する。）
0.8g加え激しく撹拌して、反応液を乳化させ、乳化後0.
2ml のトリエチルアミン（TEA）を加え、約１時間撹拌
し重合させた。重合液を水相と有機相に分離し、有機相
をリン酸で中和し、洗液のpHを中性になるまで水洗を繰
り返した。得られた重合樹脂液を、４５℃に保った温水
に滴下し、溶媒を蒸発除去しながら重合物を粒状化し
た。得られた白色粉末状重合物を濾過後、１０５℃、６
時間乾燥して粉末状樹脂を得た。この重合体は、塩化メ
チレンを溶媒とする濃度0.5g／dlの溶液の温度20℃にお
ける極限粘度［η］は0.82dl／g であった。得られた上
記重合体を赤外線吸収スペクトルより分析した結果、17
70cm-1近の位置にカルボニル基による吸収、1240cm-1付
近の位置にエーテル結合による吸収が認められ、カーボ
ネート結合を有することが確認された。このポリカーボ
ネート中のモノマーをＧＰＣ分析で測定した場合、DCP
及びBPAはいずれも100ppm以下であった。
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以
下 BPAと略記する。0.3mol）68.4g 及びハイドロサルフ
ァイト0.1gを加え溶解した。これにメチレンクロライド
400ml を加え、15℃に保ちながら撹拌しつつ、塩化ベン
ジルトリエチルアンモニウム0.05g を加え、ついでホス
ゲン50g を50分かけて吹き込んだ。吹き込み終了後、p-
ターシャルブチルフェノール（以下PTBPと略記する。）
0.8g加え激しく撹拌して、反応液を乳化させ、乳化後0.
2ml のトリエチルアミン（TEA）を加え、約１時間撹拌
し重合させた。重合液を水相と有機相に分離し、有機相
をリン酸で中和し、洗液のpHを中性になるまで水洗を繰
り返した。得られた重合樹脂液を、４５℃に保った温水
に滴下し、溶媒を蒸発除去しながら重合物を粒状化し
た。得られた白色粉末状重合物を濾過後、１０５℃、６
時間乾燥して粉末状樹脂を得た。この重合体は、塩化メ
チレンを溶媒とする濃度0.5g／dlの溶液の温度20℃にお
ける極限粘度［η］は0.82dl／g であった。得られた上
記重合体を赤外線吸収スペクトルより分析した結果、17
70cm-1近の位置にカルボニル基による吸収、1240cm-1付
近の位置にエーテル結合による吸収が認められ、カーボ
ネート結合を有することが確認された。このポリカーボ
ネート中のモノマーをＧＰＣ分析で測定した場合、DCP
及びBPAはいずれも100ppm以下であった。
【００４７】次に、アルミニウムを厚さ約５０ｎｍ蒸着
したポリエチレンテレフタレートフィルム上に、τ型銅
フタロシアニン１０部とフェノキシ樹脂５部、ポリビニ
ルブチラール樹脂５部、ジメトキシエタン１００部とを
混合し、サンドグラインドミルにて粉砕分散処理を行っ
た塗布液を用いて塗布し、乾燥し、厚さ約０．５μｍの
電荷発生層を設けた。次に、４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルア
ミノ）ベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒドラゾ
ン（ＣＴＢ）を５０部、実施例１で得られたコポリカー
ボネート重合体を５０部、テトラヒドロフランを３５０
部使用した塗布液を作製し、上記電荷発生層上に塗布
し、風乾後１００℃、８時間乾燥し、厚さ約３０μｍの
電荷輸送層を設けて、積層型電子写真感光体を作製し
た。 この電子写真感光体の評価を、(株)川口電気製作
所製ＥＰＡ−８１００静電気帯電試験装置にて帯電特性
を、スガ試験機(株)製テーバ摩耗試験機により耐摩耗性
を調べた。
したポリエチレンテレフタレートフィルム上に、τ型銅
フタロシアニン１０部とフェノキシ樹脂５部、ポリビニ
ルブチラール樹脂５部、ジメトキシエタン１００部とを
混合し、サンドグラインドミルにて粉砕分散処理を行っ
た塗布液を用いて塗布し、乾燥し、厚さ約０．５μｍの
電荷発生層を設けた。次に、４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルア
ミノ）ベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒドラゾ
ン（ＣＴＢ）を５０部、実施例１で得られたコポリカー
ボネート重合体を５０部、テトラヒドロフランを３５０
部使用した塗布液を作製し、上記電荷発生層上に塗布
し、風乾後１００℃、８時間乾燥し、厚さ約３０μｍの
電荷輸送層を設けて、積層型電子写真感光体を作製し
た。 この電子写真感光体の評価を、(株)川口電気製作
所製ＥＰＡ−８１００静電気帯電試験装置にて帯電特性
を、スガ試験機(株)製テーバ摩耗試験機により耐摩耗性
を調べた。
【００４８】実施例２ DCP を64.2g（0.2mol）、BPA を45.6g （0.2mol）に変
更した以外は、実施例１と同様に行った。得られた重合
体の極限粘度［η］は0.79dl／g で、赤外吸収スペクト
ル分析等よりこの重合体は共重合比以外は実施例１と同
等のコポリカーボネート重合体と認められた。
更した以外は、実施例１と同様に行った。得られた重合
体の極限粘度［η］は0.79dl／g で、赤外吸収スペクト
ル分析等よりこの重合体は共重合比以外は実施例１と同
等のコポリカーボネート重合体と認められた。
【００４９】実施例３ BPA の代わりに、ビス（4-ヒドロキシフェニル）ジフェ
ニルメタン（以下BPBPと略記する。0.2mol）70.4gと4,
4'-[1,3-フェニレンビス（1-メチルエチリデン）］ビス
フェノール（以下BPM と略記する。0.16mol ）55.4g を
用い、DCP を12.8g （0.04mol ）に変更した以外は実施
例１と同様に行った。得られた重合体の極限粘度［η］
は0.78dl／gであった。
ニルメタン（以下BPBPと略記する。0.2mol）70.4gと4,
4'-[1,3-フェニレンビス（1-メチルエチリデン）］ビス
フェノール（以下BPM と略記する。0.16mol ）55.4g を
用い、DCP を12.8g （0.04mol ）に変更した以外は実施
例１と同様に行った。得られた重合体の極限粘度［η］
は0.78dl／gであった。
【００５０】実施例４ BPA の代わりに、1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）シ
クロヘキサン80.4g （以下BPZ と略記する。0.3mol）を
用いた以外は実施例１と同様に行った。得られた重合体
の極限粘度［η］は0.77dl／g であった。
クロヘキサン80.4g （以下BPZ と略記する。0.3mol）を
用いた以外は実施例１と同様に行った。得られた重合体
の極限粘度［η］は0.77dl／g であった。
【００５１】実施例５ BPA の代わりに、2,2-ビス（4-ヒドロキシ−3-メチルフ
ェニル）プロパン76.8g （以下DMBPA と略記する。0.3m
ol）を用い、PTBPを1.5gに変更した以外は実施例１と同
様に行った。得られた重合体の極限粘度［η］は0.46dl
／g であった。
ェニル）プロパン76.8g （以下DMBPA と略記する。0.3m
ol）を用い、PTBPを1.5gに変更した以外は実施例１と同
様に行った。得られた重合体の極限粘度［η］は0.46dl
／g であった。
【００５２】実施例６ BPAを45.6g （0.2mol）に変更し、更にビス（4-ヒドロ
キシフェニル）エーテル20.2g （以下DHPEと略記する。
0.1mol）を用いた以外は実施例１と同様に行った。得ら
れた重合体の極限粘度［η］は0.81dl／g であった。
キシフェニル）エーテル20.2g （以下DHPEと略記する。
0.1mol）を用いた以外は実施例１と同様に行った。得ら
れた重合体の極限粘度［η］は0.81dl／g であった。
【００５３】実施例７ PTBP 0.45gに変更した以外は実施例１と同様に行った。
得られた重合体の極限粘度［η］は1.22dl／g であっ
た。
得られた重合体の極限粘度［η］は1.22dl／g であっ
た。
【００５４】比較例１ 実施例１のポリカーボネート重合体の代わりに、市販の
BPZ型ホモポリカーボネート（三菱ガス化学（株）製ユ
ーピロンＰＣＺ、極限粘度［η］0.78dl/g）を用いて、
実施例１と同等の評価試験を行った。
BPZ型ホモポリカーボネート（三菱ガス化学（株）製ユ
ーピロンＰＣＺ、極限粘度［η］0.78dl/g）を用いて、
実施例１と同等の評価試験を行った。
【００５５】比較例２ 実施例１のポリカーボネート重合体の代わりに、市販の
BPA型ホモポリカーボネート（三菱ガス化学（株）製ユ
ーピロンE-1000、極限粘度［η］0.61dl/g）を用いて、
実施例１と同等の評価試験を行った。なお、ＣＴＢおよ
びバインダー樹脂溶解時にはテトラヒドロフランへの溶
解が不十分であったため、ジクロロメタン３５０部を用
いた。
BPA型ホモポリカーボネート（三菱ガス化学（株）製ユ
ーピロンE-1000、極限粘度［η］0.61dl/g）を用いて、
実施例１と同等の評価試験を行った。なお、ＣＴＢおよ
びバインダー樹脂溶解時にはテトラヒドロフランへの溶
解が不十分であったため、ジクロロメタン３５０部を用
いた。
【００５６】実施例１〜７および比較例１〜２のポリカ
ーボネートの帯電特性、耐摩耗性について測定を行った
結果を表１に示す。
ーボネートの帯電特性、耐摩耗性について測定を行った
結果を表１に示す。
【００５７】
【表１】 バインダー樹脂組成 電子写真感光体特性 実施例及 原料モノマー 極限粘度 初期電位 残留電位 摩耗量 び比較例 （モル比） dl/g -V -V mg ────────────────────────────────── 実施例１ DCP:BPA 0.82 613 15 2.8 (25:75) 実施例２ DCP:BPA 0.79 614 12 2.3 (50:50) 実施例３ DCP:BPBP:BPM 0.78 625 14 2.1 (10:50:40) 実施例４ DCP:BPZ 0.77 620 11 2.0 (25:75) 実施例５ DCP:DMBPA 0.46 618 15 2.6 (25:75) 実施例６ DCP:BPA:DHPE 0.81 608 16 2.0 (25:50:25) 実施例７ DCP:BPA 1.22 622 17 2.4 (25:75) 比較例１ BPZ 0.78 613 18 3.1 (100) 比較例２ BPA 0.61 621 26 3.5 (100)
【００５８】（記号の説明） DCP :2,6-ヒ゛ス(4-ヒト゛ロキシフェニル)シ゛シクロヘ゜ンタンとその異性体 BPA :2,2-ヒ゛ス(4ーヒト゛ロキシフェニル)フ゜ロハ゜ン BPZ :1,1-ヒ゛ス(4ーヒト゛ロキシフェニル)シクロヘキサン DMBPA:2,2-ヒ゛ス(4ーヒト゛ロキシ-3-メチルフェニル)フ゜ロハ゜ン DHPE :ヒ゛ス(4-ヒト゛ロキシフェニル)エーテル BPBP :ヒ゛ス(4-ヒト゛ロキシフェニル)シ゛フェニルメタン BPM :4,4'-[1,3-フェニレンヒ゛ス(1-メチルエチリテ゛ン)]ヒ゛スフェノール 極限粘度:0.5g/100cc ジクロロメタン樹脂溶液を20℃
で、ハギンズ定数0.45で極限粘度 [η] （dl/g）を求め
た。 初期帯電:50 μＡ電流がアルミニウムに流入するように設定
し、100回帯電露光後の初期帯電量(-V) 残留電位:100回帯電露光ののち、初期電位測定後、露光
（除電10Lux ）した４秒後の残留電位(-V) 耐摩耗性: 帯電露光試験終了後の試験片をテーバ摩耗試
験（荷重300Kg,CS-17輪）1000回往復後摩耗量を測定。
で、ハギンズ定数0.45で極限粘度 [η] （dl/g）を求め
た。 初期帯電:50 μＡ電流がアルミニウムに流入するように設定
し、100回帯電露光後の初期帯電量(-V) 残留電位:100回帯電露光ののち、初期電位測定後、露光
（除電10Lux ）した４秒後の残留電位(-V) 耐摩耗性: 帯電露光試験終了後の試験片をテーバ摩耗試
験（荷重300Kg,CS-17輪）1000回往復後摩耗量を測定。
【００５９】
【発明の効果】本発明に係る新規コポリカーボネート重
合体は、電子写真感光体バインダー樹脂として用いる場
合に優れた耐摩耗性、低残留電位性等の電子写真感光体
として要求される特性を発揮する。そのため複写機、フ
ァクシミリ、レーザービームプリンタバインダー樹脂な
どの電子写真感光体が用いられる分野に好適である。
合体は、電子写真感光体バインダー樹脂として用いる場
合に優れた耐摩耗性、低残留電位性等の電子写真感光体
として要求される特性を発揮する。そのため複写機、フ
ァクシミリ、レーザービームプリンタバインダー樹脂な
どの電子写真感光体が用いられる分野に好適である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 増本 光彦 大阪府豊中市神州町２丁目12番地 三菱瓦 斯化学株式会社大阪工場内 Ｆターム(参考） 4J029 AA09 AB07 AC02 AD01 AE18 BB10A BB11A BB12A BB13A BD09A BD10 BE05A BF14A BG08X BH02 BH04 DB07 DB11 DB13 HC01 HC05A JA091 JC091 JF031 JF041 KB02 KD01 KD02 KD07 KD09 KD15 KE02 KE09
Claims (8)
- 【請求項１】 一般式（Ａ）および一般式（Ｂ）で表さ
れる構造単位を有し、一般式（Ａ）の構造単位が全構造
中 5〜60.0mol%であり、かつ極限粘度が 0.3〜2.0dl/g
であるコポリカーボネート重合体を用いることを特徴と
した電子写真感光体。 【化１】 （式中のＲ1 〜Ｒ4 は、各々独立して、水素、フッ素、
塩素、臭素、ヨウ素、炭素数１〜５のアルキル基、炭素
数６〜１２のアリール基、炭素数２〜５のアルケニル
基、炭素数１〜６のアルコキシ基または炭素数７〜１７
のアラルキル基を示す。なお、Ｒ1 〜Ｒ4 が炭素原子を
有する場合は、該炭素原子に、炭素数１〜５のアルキル
基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアル
コキシ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ジメチルポリ
シロキシ基及びアルキルアリールポリシロキシ基から選
ばれた置換基を有することも可能である。） 【化２】 （式中Ｗは、 【化３】 であり、Ｒ5 〜Ｒ8 は、各々独立して、水素、フッ素、
塩素、臭素、ヨウ素、炭素数１〜５のアルキル基、炭素
数６〜１２のアリール基、炭素数２〜５のアルケニル
基、炭素数１〜５のアルコキシ基または炭素数７〜１７
のアラルキル基である。なお、Ｒ5 〜Ｒ8 が炭素原子を
有する場合は、該炭素原子に、炭素数１〜５のアルキル
基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアル
コキシ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ジメチルポリ
シロキシ基及びアルキルアリールポリシロキシ基から選
ばれた置換基を有することも可能である。Ｙは、 【化４】 であり、ここにＲ9 ，Ｒ10はそれぞれ、水素、炭素数１
〜５のアルキル基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素
数１〜５のアルコキシ基又は炭素数６〜１２のアリール
基を表すか、Ｒ9 ，Ｒ10が一緒に結合して、炭素環また
は複素環を形成する基を表す。なお、Ｒ9 およびＲ10が
炭素原子を有する場合は、該炭素原子に、炭素数１〜５
のアルキル基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１
〜５のアルコキシ基、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素
を有することも可能である。a は０〜２０の整数、b は
１〜１００の整数を表す。） - 【請求項２】 一般式（Ａ）で表される構造単位のＲ1
〜Ｒ4 が水素である請求項１に記載のコポリカーボネー
ト重合体を用いた電子写真感光体。 - 【請求項３】 一般式（Ｂ）で表される構造単位が、2,
2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）プロパン、1,1-ビス
（4-ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、2,2-ビス
（4-ヒドロキシ−3-メチルフェニル）プロパン、ビス
（4-ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタン、ビス（4-
ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（4-ヒドロキシフ
ェニル）スルファイド、4,4'-[1,3-フェニレンビス（1-
メチルエチリデン）］ビスフェノール、1,1-ビス（4-ヒ
ドロキシフェニル）−1-フェニルエタン及び9,9-ビス
（3-メチル−4-ヒドロキシフェニル）フルオレンより誘
導された請求項1 に記載のコポリカーボネート重合体を
用いた電子写真感光体。 - 【請求項４】 一般式（Ａ）で表される構造単位が全構
成中10〜50mol ％である請求項１に記載のコポリカーボ
ネート重合体を用いた電子写真感光体。 - 【請求項５】 一般式（Ｃ）で表されるビスフェノール
化合物と下記一般式（Ｄ）で表されるビスフェノール化
合物とを炭酸エステル形成性化合物と反応させて請求項
１に記載のコポリカーボネート重合体を得ることを特徴
とするコポリカーボネート重合体の製造法。 【化５】 （式中のＲ1 〜Ｒ4 は、各々独立して、水素、フッ素、
塩素、臭素、ヨウ素、炭素数１〜５のアルキル基、炭素
数６〜１２のアリール基、炭素数２〜５のアルケニル
基、炭素数１〜６のアルコキシ基または炭素数７〜１７
のアラルキル基を示す。なお、Ｒ1 〜Ｒ4 が炭素原子を
有する場合は、該炭素原子に、炭素数１〜５のアルキル
基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアル
コキシ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ジメチルポリ
シロキシ基及びアルキルアリールポリシロキシ基から選
ばれた置換基を有することも可能である。） 【化６】 （式中ｗは 【化７】 であり、Ｒ5 〜Ｒ8 は、各々独立して、水素、フッ素、
塩素、臭素、ヨウ素、炭素数１〜５のアルキル基、炭素
数６〜１２のアリール基、炭素数２〜５のアルケニル
基、炭素数１〜５のアルコキシ基または炭素数７〜１７
のアラルキル基である。なお、Ｒ5 〜Ｒ8 が炭素原子を
有する場合は、該炭素原子に、炭素数１〜５のアルキル
基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアル
コキシ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ジメチルポリ
シロキシ基及びアルキルアリールポリシロキシ基から選
ばれた置換基を有することも可能である。Ｙは、 【化８】 であり、ここにＲ9 ，Ｒ10はそれぞれ、水素、炭素数１
〜５のアルキル基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素
数１〜５のアルコキシ基又は炭素数６〜１２のアリール
基を表すか、Ｒ9 ，Ｒ10が一緒に結合して、炭素環また
は複素環を形成する基を表す。なお、Ｒ9 およびＲ10が
炭素原子を有する場合は、該炭素原子に、炭素数１〜５
のアルキル基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１
〜５のアルコキシ基、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素
を有することも可能である。a は０〜２０の整数、b は
１〜１００の整数を表す。） - 【請求項６】 ホスゲンを炭酸エステル形成物として用
いる溶液重合法を用い、かつ酸結合助触媒として４級ア
ンモニウム塩を用いることを特徴とした請求項５に記載
のコポリカーボネート重合体の製造法。 - 【請求項７】 導電性基体上に、感光層を有する電子写
真感光体のバインダーとして請求項１に記載のコポリカ
ーボネート重合体を用いた電子写真感光体。 - 【請求項８】 電荷発生層上に電荷輸送層が形成された
負帯電方式による２層型電子写真感光体の電荷輸送層バ
インダーとして請求項１のコポリカーボネート重合体を
用いた電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11008180A JP2000204149A (ja) | 1999-01-14 | 1999-01-14 | コポリカ―ボネ―ト重合体を用いた電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11008180A JP2000204149A (ja) | 1999-01-14 | 1999-01-14 | コポリカ―ボネ―ト重合体を用いた電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000204149A true JP2000204149A (ja) | 2000-07-25 |
Family
ID=11686124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11008180A Pending JP2000204149A (ja) | 1999-01-14 | 1999-01-14 | コポリカ―ボネ―ト重合体を用いた電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000204149A (ja) |
-
1999
- 1999-01-14 JP JP11008180A patent/JP2000204149A/ja active Pending
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