JP2000191082A

JP2000191082A - 電子部品収納用トレ―

Info

Publication number: JP2000191082A
Application number: JP10371739A
Authority: JP
Inventors: Koichi Iwasaki; 浩一岩崎
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1998-12-28
Filing date: 1998-12-28
Publication date: 2000-07-11

Abstract

(57)【要約】【課題】収納する電子部品に静電気によるショックを与
ず、その結果電子部品が静電気により破壊されず、また
耐熱性、耐久性等に優れたものとする。【解決手段】ジルコニアセラミックス等から成る、体積
固有抵抗値が１×１０⁹Ωｃｍ以下且つ残留磁束密度が
１４ガウス以下のセラミックスによって、電子部品収納
用トレー１を構成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁気ヘッドの洗浄工
程、成膜工程、搬送時及び保管時、またＩＣチップ，チ
ップコンデンサ，チップ抵抗器等の各種電子部品を収
納、搬送及び保管する際に使用する電子部品収納用トレ
ーであって、磁気ヘッドやＩＣチップ等の電子部品を静
電気のショックから保護し、また高温下でのエージング
テストに用いるのに適したものに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、磁気記録装置に使用する磁気ヘッ
ドとしては、チタニア系セラミックスからなるスライダ
ーにコアを備えたもの、あるいはＡｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ系
セラミックスからなる基板上に薄膜で磁気ヘッドを形成
した薄膜磁気ヘッド、この薄膜磁気ヘッドの一種である
ＭＲ(Magneto-Resistive) ヘッド等ある。

【０００３】磁気ヘッドやＩＣチップは、その構造によ
り、大電流ショック、とりわけ静電気のショックにより
簡単にその機能が破壊されてしまうため、磁気ヘッドや
ＩＣチップが直接接触する搬送用及び保管用の容器であ
る電子部品収納用トレー（以下、トレーと略す）には何
らかの静電気対策が施されていた。搬送及び保管の用途
には導電性樹脂が使用されることが多い。樹脂に導電性
を付与する方法として、もっぱら導電性のカーボンブラ
ックをＡＢＳ樹脂や塩化ビニル樹脂等に練り込む方法が
提案されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】磁気ヘッドやＩＣチッ
プ等を収納するトレーは、これらの電子部品の高集積化
に伴う製造工程の増加を抑制し、工程簡略化すると共に
歩留まり向上の目的で、電子部品をトレーに載せたまま
の状態で雰囲気温度１２０℃程度の加熱炉に入れ、電子
部品に残った微量の水分を除去する加熱工程に耐える耐
熱性が要求される。

【０００５】しかしながら、従来の導電性樹脂では耐熱
性や耐衝撃性、磁気ヘッドやＩＣチップに悪影響を及ぼ
すコンタミの発生等の点で上記要求を満足するものでは
なかった。

【０００６】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は所望の導電性を有すること
により、磁気ヘッドやＩＣチップ等に静電気によるショ
ックを与ず、また耐熱性や耐衝撃性に優れ、電子部品に
悪影響を及ぼすコンタミの発生がないものとすることに
ある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の電子部品収納用
トレーは、体積固有抵抗値が１×１０⁴Ωｃｍ〜１×１
０⁹Ωｃｍであり且つ残留磁束密度が１４ガウス以下の
材料からなることを特徴とする。

【０００８】本発明は、このような構成により、電子部
品に静電気によるショックを与ず、耐熱性や耐衝撃性に
優れ、また電子部品に悪影響を及ぼすコンタミの発生が
ないものとなる。本発明は体積固有抵抗値が１×１０⁴
Ωｃｍ〜１×１０⁹Ωｃｍであり、１×１０⁹Ωｃｍよ
り大きいとトレーの周側面に導体、例えば人が接触した
ような場合、トレーの周側面に帯電した静電気が人を通
じて流れる際に磁気ヘッドやＩＣチップ等に過剰電流が
流れ、これらを破壊するおそれがあるからである。１×
１０⁴Ωｃｍより小さいと、逆に電流が流れ易くなり、
トレーが帯電した誘電体に接触すると静電気による過剰
電流が流れ、電子部品を破壊するおそれがある。より好
ましくは、１×１０⁶Ωｃｍ〜１×１０⁹Ωｃｍであ
る。また、本発明は残留磁束密度が１４ガウス以下であ
り、１４ガウスを超えると磁気ヘッドやＩＣチップが磁
化され、磁気を帯びることによりその機能が損なわれ易
い。

【０００９】また、本発明において、好ましくは前記材
料が、ジルコニアセラミックス，フォルステライト系セ
ラミックス，Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ系セラミックス，アル
ミナセラミックス，炭化珪素系セラミックス，チタニア
系セラミックスのいずれかである。更に好ましくは、底
板と、該底板の主面上に突設され且つ電子部品を収納す
る区画部を形成する複数条のリブとを有する。

【００１０】このような構成により、平面形状が正方
形，長方形，円形等のトレーを、段積み可能なものとし
て構成できる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明のトレーについて詳
細に説明する。図１は本発明によるトレーの一部切欠斜
視図である。同図において、１はトレー、２は底板、３
は周側面、４は底板２の主面上に突設され且つ電子部品
を収納する区画部を形成する複数条のリブ、５は磁気ヘ
ッドやＩＣチップ等の電子部品が載置され収納される凹
部、６はトレー１を複数積層させる際に他のトレー１を
上側に積層させるために設けられた上面周縁の段差部、
７はトレー１を複数積層させる際に他のトレー１を下側
に積層させるために設けられた下面周縁の段差部であ
る。上記リブ４によって形成される区画部は、個々の電
子部品を収納する、又は一区画に複数の電子部品を収納
するようにしても良い。

【００１２】また、本発明のトレー１は、底板と、該底
板の主面上に突設され且つ電子部品を収納する区画部を
形成する複数条のリブとを有するものに限らず、底板の
主面に直接複数の凹部を形成し、その凹部に電子部品を
収納するようにしても良い。また、複数のトレー１を積
層した所謂段積みタイプとして使用することもできる。

【００１３】本発明のトレーは全体が体積固有抵抗（比
抵抗又は抵抗率ともいう）値が１×１０⁹Ωｃｍ以下且
つ残留磁束密度が１４ガウス以下である必要はなく、少
なくとも電子部品が接触する部位を上記セラミックスで
形成しておけば良く、他の材質と組み合わせてトレーを
構成することもできる。

【００１４】本発明のトレーとして好ましい、体積固有
抵抗値が１×１０⁹Ωｃｍ以下且つ残留磁束密度が１４
ガウス以下のセラミックスとしては、ジルコニアセラミ
ックス、フォルステライト系セラミックス、Ａｌ₂Ｏ₃
−ＴｉＣ系セラミックス、アルミナセラミックス、炭化
珪素系セラミックス、チタニア系セラミックスがある。

【００１５】本発明のジルコニアセラミックスとして
は、導電性付与剤として、Ｆｅ₂Ｏ₃，ＮｉＯ，Ｃｏ₃
Ｏ₄，Ｃｒ₂Ｏ₃のうち一種以上を１０〜３５重量％の
範囲で含有する、又はＴｉＣ，ＷＣ，ＴａＣ等の炭化物
のうち一種以上を１０〜２５重量％の範囲で含有し、残
部がＹ₂Ｏ₃，ＣａＯ，ＭｇＯ，ＣｅＯ₂等の安定化剤
により部分安定化されたジルコニアからなり、焼結体中
における全ジルコニア量に対し、単斜晶以外のジルコニ
ア量が９０％以上、好ましくは９５％以上であるものが
良い。

【００１６】即ち、ジルコニアの結晶状態には立方晶、
正方晶、単斜晶の３つの状態があり、特に正方晶ジルコ
ニアは外部応力により応力誘軌変態を受けて単斜晶ジル
コニアに相変態し、この時に生じる体積膨張によって単
斜晶ジルコニアの周囲にマイクロクラックを形成して外
部応力の進行を阻止できるため、ジルコニアセラミック
スの強度を高めることができる。そして、単斜晶以外の
ジルコニア量が９０％未満であると、導電性付与剤を含
有することによる強度劣化が生じる。

【００１７】また、ジルコニアの平均結晶粒径が０．５
μｍより大きくなると、曲げ強度や硬度等の機械的特性
が大きく低下し、一方０．２μｍ未満の場合成形性が著
しく劣化し、所望の形状に成形することができなくな
る。従って、ジルコニアの平均結晶粒径は０．２〜０．
５μｍが良い。

【００１８】また、導電性付与剤として、Ｆｅ₂Ｏ₃，
ＮｉＯ，Ｃｏ₃Ｏ₄，Ｃｒ₂Ｏ₃等の酸化物のうち一種
以上を用いる場合、これらの含有量を１０〜３５重量％
としたのは、１０重量％未満では体積固有抵抗値を下げ
る効果が小さく、１×１０⁹Ωｃｍ以下とすることがで
きないからであり、逆に３５重量％より多くなると強度
が極端に低下するとともに、磁性を生じる恐れがあるか
らである。

【００１９】また、導電性付与剤として、ＴｉＣ，Ｗ
Ｃ，ＴａＣ等の炭化物のうち一種以上を用いる場合、こ
れらの含有量を１０〜２５重量％の範囲としたのは、１
０重量％未満では電気抵抗値を１×１０⁹Ωｃｍ以下と
することができず、逆に２５重量％より多くなると磁性
を生じる恐れがあるからである。

【００２０】尚、上記酸化物及び炭化物の導電性付与剤
の平均結晶粒径が大きすぎるとジルコニアセラミックス
の曲げ強度や硬度等の機械的特性が低下するため、平均
結晶粒径を５μｍ以下、好ましくは３μｍ以下とするの
が良い。

【００２１】更に、上記ジルコニア及び導電性付与剤以
外に、焼成温度抑制剤を３重量％以下含有させても良
い。焼成温度抑制剤としては、導電性付与剤としてＦｅ
₂Ｏ₃，ＮｉＯ，Ｃｏ₃Ｏ₄，Ｃｒ₂Ｏ₃を用いる場
合、Ｃａ，Ｋ，Ｎａ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓｃ等の酸化物を含
有すれば良く、導電性付与剤としてＴｉＣ，ＷＣ，Ｔａ
Ｃ等の炭化物を用いる場合、Ａｌ₂Ｏ₃，ＴｉＯ₂を含
有すればよい。

【００２２】これらの焼成温度抑制剤を３重量％以下の
範囲で含有させれば、焼成温度を下げてジルコニア及び
導電性付与剤の粒成長を抑えることができるため、曲げ
強度や硬度等の機械的特性を高めることができる。

【００２３】このような本発明のジルコニアセラミック
スは高硬度のものとなり、ビッカース硬度１０〜１３Ｇ
Ｐａ（ギガパスカル）、３点曲げ強度６５０〜１４００
ＭＰａ（メガパスカル）とすることができる。

【００２４】本発明のフォルステライト系セラミックス
は、ＭｇＯとＳｉＯ₂の複合酸化物を４０〜８０重量％
と、酸化鉄を２０〜６０重量％の範囲でそれぞれ含有す
る焼結体である。この導電性を有するフォルステライト
系セラミックスは、上記組成の原料粉末を所定形状に成
形した後、１２００℃から１３００℃で焼成することに
よって得ることができ、焼結体をＸ線回折により測定し
た時に、２ＭｇＯ・ＳｉＯ₂、ＭｇＯ・ＳｉＯ₃の結晶
を有し、かつＭｇＦｅ₂Ｏ₃、Ｆｅ₃Ｏ₄の少なくとも
一種以上の結晶を有するものである。上記フォルステラ
イト系セラミックスは高硬度のものとなり、ビッカース
硬度５．４〜８．３ＧＰａ、３点曲げ強度１２５〜２２
５ＭＰａとすることができる。

【００２５】本発明のＡｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ系セラミック
スとしては、Ａｌ₂Ｏ₃を６０〜８０重量％と、ＴｉＣ
を２０〜４０重量％の範囲で添加混合して所定形状に成
形した後、真空中または不活性ガス雰囲気中で焼成した
ものがよい。尚、焼結性を高めるために、Ａｌ₂Ｏ₃と
ＴｉＣの合計１００重量％に対し、焼結助剤としてＴｉ
Ｏ₂，ＭｇＯ，ＳｉＯ₂，ＣａＯ，ＺｒＯ₂，Ｙｂ₂Ｏ
₃のうち一種以上を１０重量％以下の範囲で含有しても
よく、更には上記成分以外に希土類酸化物や不可避不純
物を合計５重量％以下の範囲で含有してもよい。このＡ
ｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ系セラミックスは、ビッカース硬度１
６．５〜２０ＧＰａ、３点曲げ強度５００〜１１００Ｍ
Ｐａとすることができる。

【００２６】また、本発明のアルミナセラミックスとし
ては、６５〜８５重量％のＡｌ₂Ｏ₃を主成分とし、導
電性付与剤としてＦｅ₂Ｏ₃，ＮｉＯ，Ｃｏ₃Ｏ₄，Ｃ
ｒ₂Ｏ₃のうち一種以上を１５〜３５重量％の範囲で含
有し、残部をＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｉＯ₂等の焼結助剤と
し、大気雰囲気中にて焼成したものを使用する。このア
ルミナセラミックスは、ビッカース硬度１０．５〜１８
ＧＰａ、３点曲げ強度２００〜４５０ＭＰａとすること
ができる。

【００２７】さらに、本発明の炭化珪素系セラミックス
としては、９０〜９８重量％のＳｉＣを主成分とし、焼
結助剤としてＡｌ₂Ｏ₃を１〜７重量％とＹ₂Ｏ₃，Ｃ
ｅＯ₂を合計で１〜５重量％の範囲でそれぞれ添加し、
真空中又は不活性ガス雰囲気中で焼成したものが良い。
上記範囲で焼結助剤をそれぞれ添加することにより、焼
結性を高め破壊靱性が向上する。

【００２８】また、本発明のチタニア系セラミックスと
しては、ＴｉＯ₂が５０〜９９重量％で、残部がＢａ
Ｏ，ＣａＯ，ＳｒＯ，Ａｌ₂Ｏ₃，ＺｒＯ₂，Ｓｉ
Ｏ₂，ＭｇＯのうち一種以上からなる原料粉末を所定形
状に成形し焼成した後、還元雰囲気、不活性雰囲気又は
真空中等の非酸化雰囲気中で、９００〜１２００℃で加
熱処理したものが良い。このチタニア系セラミックス
は、ビッカース硬度６．５〜９ＧＰａ、３点曲げ強度１
７０〜３００ＭＰａとすることができる。

【００２９】そして、以上の各種セラミックスにおい
て、磁気ヘッドやＩＣチップ等に悪影響を及ぼさないた
めに非磁性とする。ここで、非磁性であるとは、残留磁
束密度が１４ガウス以下であることを言い、上述した導
電性付与剤の含有量を調整することによって、この範囲
内となるようにするとができる。

【００３０】また、本発明のトレーを製造する方法とし
ては、上記各種セラミックの原料を調合し、所定のバイ
ンダー成分と混合した後、プレス成形，射出成形，鋳込
成形等の方法で所定形状に成形した後、各原料に応じた
条件で焼成し、必要に応じ研削加工，ブラスト加工，放
電加工，エッチング加工等を施す方法が好ましく用いら
れる。

【００３１】更に付言すると、本発明のトレーは上記セ
ラミックス材料以外に、アクリル系樹脂，ウレタン系樹
脂，エポキシ系樹脂等の各種紫外線硬化型樹脂及び熱硬
化型樹脂等の樹脂材料から構成することもできる。その
場合、体積固有抵抗値及び残留磁束密度を調整するため
に、Ａｌ，Ｃｕ，ＳＵＳ，Ａｇ，Ａｕ等の導電性微粒子
を混入させることもできる。

【００３２】かくして、本発明は、電子部品に静電気に
よるショックを与ず、その結果電子部品が静電気により
破壊されず、また耐熱性や耐衝撃性に優れ、電子部品に
悪影響を及ぼすコンタミの発生がないという作用効果を
有する。

【００３３】尚、本発明は上記実施形態に限定されず、
本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更は何等差
し支えない。

【００３４】

【実施例】本発明の実施例を以下に説明する。

【００３５】（実施例）図１に示すトレー１を、ジルコ
ニアセラミックス，フォルステライト系セラミックス，
Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ系セラミックス，アルミナセラミッ
クス，炭化珪素系セラミックス又はチタニア系セラミッ
クスで作製した。

【００３６】ジルコニアセラミックス，フォルステライ
ト系セラミックス及びアルミナセラミックスは導電性付
与剤の含有量を変化させて体積固有抵抗値を変化させ
た。Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ系セラミックスは、Ａｌ₂Ｏ₃
とＴｉＣ及び焼結助剤の比率を変化させて体積固有抵抗
値を変化させ、炭化珪素系セラミックスはＳｉＣと焼結
助剤の比率を変化させて体積固有抵抗値を変化させ、チ
タニア系セラミックスは焼成後の熱処理条件を変化させ
て体積固有抵抗値を変化させた。

【００３７】これらについて、体積固有抵抗値及び非磁
性であるかどうかを測定した。体積固有抵抗値はＪＩＳ
−Ｃ２１４１に規定する超絶縁抵抗計により測定し、非
磁性であるかどうかは、振動試料型磁力計により残留磁
束密度を測定し、１４ガウス以下であったものを非磁性
として評価した。

【００３８】トレー１をジルコニアセラミックスで構成
したものについて、その組成は表１に、その測定結果は
表２に示す通りである。前記ジルコニアセラミックス
は、いずれもＺｒＯ₂に対しＹ₂Ｏ₃を３ｍｏｌ％添加
して部分安定化したものであり、導電性付与剤にはＦｅ
₂Ｏ₃，ＮｉＯ，Ｃｏ₃Ｏ₄，Ｃｒ₂Ｏ₃，ＴｉＣ，Ｗ
Ｃ，ＴａＣのいずれか一種を使用した。

【００３９】また、フォルステライト系セラミックスの
組成及びその測定結果は表３に示し、Ａｌ₂Ｏ₃−Ｔｉ
Ｃ系セラミックスの組成及びその測定結果は表４に示す
通りである。また、アルミナセラミックスの組成及びそ
の測定結果は表５に、炭化珪素系セラミックスの組成及
びその測定結果は表６に、チタニア系セラミックスの組
成、熱処理条件及びその測定結果は表７に示す通りであ
る。尚、これらの表において、ｗｔ％は重量％を意味
し、導電剤は導電性付与剤を示し、残留磁束密度の欄で
磁性は残留磁束密度が１４ガウスを超えること、非磁性
は１４ガウス以下であることを示す。また、体積固有抵
抗値について、例えば１×１０⁹Ωｃｍを１０⁹Ωｃｍ
と略記した。

【００４０】

【表１】

【００４１】

【表２】

【００４２】

【表３】

【００４３】

【表４】

【００４４】

【表５】

【００４５】

【表６】

【００４６】

【表７】

【００４７】この結果、ジルコニアセラミックスに関し
て、試料ＮＯ．１〜７は導電性付与剤としてＦｅ₂Ｏ₃
を含有したものであるが、試料ＮＯ．１はＦｅ₂Ｏ₃の
含有量が１０重量％未満であるため体積固有抵抗値が１
０⁹Ωｃｍより大きく、その結果静電気除去効果が得ら
れなかった。また、試料ＮＯ．６，７はＦｅ₂Ｏ₃の含
有量が３５重量％より多いため磁性を有していた。

【００４８】試料ＮＯ．２〜５は、Ｆｅ₂Ｏ₃の含有量
が１０〜３５重量％の範囲にあり、そのため非磁性で、
体積固有抵抗値が１０⁶〜１０⁹Ωｃｍの範囲にあるた
め適度な静電気減衰速度で静電気を除去できることが判
った。また、試料ＮＯ．８〜１３は導電性付与剤として
ＮｉＯ，Ｃｏ₃Ｏ₄，Ｃｒ₂Ｏ₃をそれぞれ用いたもの
であるが、いずれもその含有量は１０〜３５重量％の範
囲にあり、その結果体積固有抵抗値が１０⁶〜１０⁹Ω
ｃｍの範囲であった。そのため、適度な静電気減衰速度
で静電気を除去できることができた。

【００４９】試料ＮＯ．１４〜１７は、導電性付与剤と
してＴｉＣを含有したものであるが、このうち試料Ｎ
Ｏ．１４はＴｉＣの含有量が１０重量％未満であるた
め、体積固有抵抗値が１０⁹Ωｃｍより大きく、十分な
静電気除去効果が得られなかった。試料ＮＯ．１７はＴ
ｉＣの含有量が２５重量％よりも多いため、磁性を有し
ていた。これに対し、試料ＮＯ．１５，１６はＴｉＣの
含有量が１０〜２５重量％の範囲内にあるので、体積固
有抵抗値を１０⁶〜１０⁹Ωｃｍとすることができた。
その結果、適度な静電気減衰速度で静電気を除去できる
ことが判った。

【００５０】試料ＮＯ．１８〜２１は、導電性付与剤と
してＷＣ，ＴａＣを用いたものであるが、いずれもその
含有量が１０〜２５重量％の範囲内にあり、そのため体
積固有抵抗値は１０⁶〜１０⁹Ωｃｍの範囲であり、適
度な静電気減衰速度で静電気を除去できた。

【００５１】また、フォルステライト系セラミックス，
Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ系セラミックス，アルミナセラミッ
クス，炭化珪素系セラミックス，チタニア系セラミック
スの場合も同様に、試料ＮＯ．２３〜２７，２８，２
９，３２，３３，３５，３６，３８〜４１，４４〜４８
は、体積固有抵抗値が１０⁹Ωｃｍ以下となり、適度な
静電気減衰速度で静電気を除去できた。

【００５２】以上から、体積固有抵抗値が１０⁹Ωｃｍ
以下且つ非磁性とするには、ジルコニアセラミックスに
おいて、導電性付与剤としてＦｅ₂Ｏ₃，ＮｉＯ，Ｃｏ
₃Ｏ₄，Ｃｒ₂Ｏ₃を用いる場合、その含有量を１０〜
３５重量％とし、導電性付与剤としてＴｉＣ，ＷＣ，Ｔ
ａＣを用いる場合、その含有量を１０〜２５重量％とす
れば良いことが判った。

【００５３】また、フォルステライト系セラミックスに
あっては、ＭｇＯとＳｉＯ₂の複合酸化物を４０〜８０
重量％と、酸化鉄を２０〜６０重量％の範囲でそれぞれ
含有すればよいことが判った。

【００５４】Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ系セラミックスの場
合、Ａｌ₂Ｏ₃を６０〜８０重量％と、ＴｉＣを２０〜
４０重量％の範囲でそれぞれ含有し、焼結助剤としてＴ
ｉＯ₂，ＭｇＯ，ＳｉＯ₂，ＣａＯ，ＺｒＯ₂，Ｙｂ₂
Ｏ₃のうち一種以上を１０重量％以下の範囲でそれぞれ
含有すれば良い。

【００５５】アルミナセラミックスにおいては、導電性
付与剤としてＦｅ₂Ｏ₃，ＮｉＯ，Ｃｏ₃Ｏ₄，Ｃｒ₂
Ｏ₃を用いる場合、その含有量を１５〜３５重量％とす
れば良い。

【００５６】炭化珪素系セラミックスの場合、９０〜９
８重量％のＳｉＣに対し、焼結助剤としてＡｌ₂Ｏ₃を
１〜７重量％と、Ｙ₂Ｏ₃，ＣｅＯ₂を合計で１〜５重
量％とすれば良い。

【００５７】チタニア系セラミックスの場合、ＴｉＯ₂
を５０〜９９重量％含み、残部がＢａＯ，ＣａＯ，Ｓｒ
Ｏ，Ａｌ₂Ｏ₃，ＺｒＯ₂，ＳｉＯ₂，ＭｇＯのうち一
種以上からなるものとし、焼成後に還元雰囲気、不活性
雰囲気又は真空等の非酸化雰囲気中で９００〜１２００
℃で加熱処理を行えば良いことが判った。

【００５８】

【発明の効果】本発明は、体積固有抵抗値が１×１０⁹
Ωｃｍ以下且つ残留磁束密度が１４ガウス以下の材料か
ら成ることにより、帯電防止性に優れ、電子部品に静電
気によるショックを与ず、その結果電子部品が静電気に
より破壊されないという効果を有する。また耐熱性、耐
久性、断熱性及び耐衝撃性に優れ、電子部品に悪影響を
及ぼすコンタミの発生がない。更には、電子部品を本発
明のトレーに収納した状態のままで、洗浄工程、高温下
でのエージング工程にも使用でき、その後の保管、運搬
等の用途にも利用できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のトレーの一部切欠斜視図である。

【符号の説明】

１：トレー２：底面３：周側面４：リブ５：凹部６：上面周縁の段差部７：下面周縁の段差部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】体積固有抵抗値が１×１０⁴〜１×１０⁹
Ωｃｍであり且つ残留磁束密度が１４ガウス以下の材料
から成ることを特徴とする電子部品収納用トレー。
【請求項２】前記材料が、ジルコニアセラミックス，フ
ォルステライト系セラミックス，Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ系
セラミックス，アルミナセラミックス，炭化珪素系セラ
ミックス，チタニア系セラミックスのいずれかである請
求項１記載の電子部品収納用トレー。
【請求項３】底板と、該底板の主面上に突設され且つ電
子部品を収納する区画部を形成する複数条のリブとを有
する請求項１又は２記載の電子部品収納用トレー。