JP2000187242A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

液晶表示装置およびその製造方法

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JP2000187242A JP10364333A JP36433398A JP2000187242A JP 2000187242 A JP2000187242 A JP 2000187242A JP 10364333 A JP10364333 A JP 10364333A JP 36433398 A JP36433398 A JP 36433398A JP 2000187242 A JP2000187242 A JP 2000187242A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 画素電極にクラックが発生するにしても開口
率の低下なく画素欠陥領域を生じないようにする。 【構成】 上層の画素電極８が、これの下の層間絶縁膜
７に設けられたコンタクトホール７ａを通じ層間絶縁膜
７の下のアクティブ素子ＴＦＴに接続したアクティブ素
子基板Ａを有し、前記コンタクトホール７ａがほぼ楕円
形状であり、前記画素電極８の前記コンタクトホール７
ａ部分からコンタクトホール７ａのほぼ長軸方向に近傍
のエッジ８ｂまで延びる長軸方向部分８ｄが、アクティ
ブ素子基板Ａの遮光領域内に位置するようにして、上記
の目的を達成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、情報処理端末や映
像機器に用いられる液晶表示装置およびその製造方法に
関し、更に詳しくは前記液晶表示装置の開口率を高める
ため、前記液晶表示装置に利用されるアクティブ素子基
板の最上層への画素電極形成に係わるものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、アクティブ素子基板の開口率を高
めるため最上層に画素電極を形成した液晶表示装置およ
びその製造方法としては、キム氏等の共著、超高開口率
ＴＦＴ−ＬＣＤ構造、1996年アクティブ マトリックス
液晶表示装置国際学会（AM-LCD96 ）予稿集、第149 頁
〜第152 頁 （J.H.Kim et al.,Super-High-Aperture-R
atio TFT-LCD Structure, Digest of Technical Papers
1996 International Workshop on Active-Matrix Liqu
id Crystal Displays （AM-LCD96）,pp.149 〜pp.152）
に記載されたものが知られている。
【０００３】この知られた液晶表示装置をその一画素分
につき平面より透視的に見て図５（ａ）に示してあり、
図５（ａ）中の点線Ａ−Ｂにおける断面を図５の（ｂ）
に示してある。図５の（ａ）、（ｂ）に示す液晶表示装
置は、アクティブ素子を担持する基板ａに、薄膜トラン
ジスタＴＦＴ（Thin Film Transistor）のゲート電極
ｂ、ゲート絶縁膜ｃチャネル層ｄ、ソース電極配線ｅな
らびにドレイン電極ｆ、およびＴＦＴ上の層間絶縁膜ｇ
を有し、層間絶縁膜ｇには前記ドレイン電極ｆと画素電
極ｈとを接続するためのコンタクトホールｇ１が形成さ
れている。基板ａとの間に液晶ｋを挟持するための対向
基板ｉは遮光膜（ブラックマトリックスとも呼ばれる）
ｊを有し、この遮光膜ｊによって画素電極ｈによる液晶
ｋの電気的制御が不完全な部分を遮光する。
【０００４】このような液晶表示装置を製造するには、
まず、ガラスからなる基板ａ上にゲート電極ｂを形成し
た後、ＳｉＮならびにａ−Ｓｉからなるそれぞれゲート
絶縁膜ｃおよびチャネル層ｄを形成する。次にソース電
極配線ｅならびにドレイン電極ｆを形成後、低誘電率
（比誘電率＝２．６〜２．７）の有機材料であるベンゾ
シクロブテンからなり、前記ドレイン電極ｆ上にほぼ円
形のコンタクトホールｇ１を有する層間絶縁膜ｇを形成
する。次に前記コンタクトホールｇ１を通じて前記ドレ
イン電極ｆと接続した画素電極ｈを前記層間絶縁膜ｇを
介し前記ソース電極配線ｅ上に一部重ねて形成する。さ
らに、基板ａとの間に液晶ｋを挟持するとともに前記遮
光膜ｊを有した対向基板ｉを形成する。
【０００５】以上のように設けた層間絶縁膜ｇは、基板
ａの最上層の画素電極ｈを図５の（ａ）、（ｂ）に示す
ようにソース電極配線ｅ上にまでそれとの絶縁を保って
拡張できるようにする。これにより、前記画素電極ｈの
液晶駆動面積を大きくできる。さらに、前記層間絶縁膜
ｇを低誘電率の有機材料で形成することにより、前記画
素電極ｈと前記ソース電極配線ｅとの間の寄生容量が低
減される。よって、クロストークの発生を抑制した開口
率の大きな液晶表示装置を得ることが可能となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の液晶表示装置の構造では、画素電極ｈにコンタクト
ホールｇ１を起点としたクラックが発生し液晶表示装置
の画素欠陥を生じることがある。これにつき、本発明者
等が種々に実験をし研究を重ねた。その結果、クラック
の発生は有機材料からなる層間絶縁膜ｇの上に画素電極
ｈを形成したことが原因と思われる。また、図６に示す
ようにクラックｌは、画素電極ｈのコンタクトホールｇ
１に沿った窪み部のコーナー部を起点として発生し、直
線部から発生することはまずない。また、画素電極ｈの
コンタクトホールｇ１部分からエッジまでの距離が短い
方向に発生しやすい傾向がある。つまりコンタクトホー
ルｇ１部分直近のエッジに向けて発生しやすい。さら
に、画素電極ｈの形成において加熱工程があることか
ら、クラックｌの発生は下地である層間絶縁膜ｇと画素
電極ｈとの応力差により生じると考えられるが、詳細は
不明である。
【０００７】ドレイン電極ｆ上のコンタクトホールｇ１
は、図５の従来例でも見られるように、一般的にほぼ円
形に形成される。これは、開口率を大きくするためドレ
イン電極ｆにおける画素電極ｈとの接続部すなわちコン
タクトホールｇ１を設ける面積を最小限とする必要があ
るためで、コンタクトホールｇ１の大きさは前記画素電
極ｈと前記ドレイン電極ｆとを電気的に接続できる最小
の形状（円形）とされる。従って、コンタクトホールｇ
１の開口縁の曲率半径が必然的に小さくなる。
【０００８】このためコンタクトホールｇ１に沿った画
素電極ｈの窪み部からのクラックはあらゆる方向に発生
する可能性がある。例えば、図６中に欠陥誘因クラック
ｌa として示したように、起点をほぼ同一とし画素電極
ｈのエッジにまで達する複数のクラックｌａが発生する
と、画素電極ｈに複数のクラックｌａによってドレイン
電極ｆとの接続部から切り離されて、ドレイン電極ｆと
の電気的接続に異常を来した欠陥電極域ｈ１を生じる。
この欠陥電極域ｈ１のうちの実質的な遮光部、つまり遮
光膜ｊ、ドレイン電極ｆおよびソース電極配線ｅなどに
より遮光される部分を除いた部分が、欠陥電極域ｈ１に
斜線を施して示した画素欠陥領域ｈ２として液晶表示装
置の駆動状態で視認されてしまう。
【０００９】本発明の目的は、画素電極にクラックが発
生するにしても開口率が特に低下せず画素欠陥領域を生
じないようにできる液晶表示装置およびその製造方法を
提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記のような目的を達成
するため、本発明の液晶表示装置は、上層の画素電極
を、これの下の層間絶縁膜に設けられたコンタクトホー
ルを通じ層間絶縁膜の下のアクティブ素子に接続したア
クティブ素子基板を有するものにおいて、前記コンタク
トホールがほぼ楕円形状であり、前記画素電極の前記コ
ンタクトホール部分からコンタクトホールのほぼ長軸方
向に近傍のエッジまで延びる長軸方向部分が、遮光領域
内に位置することを１つの特徴としている。
【００１１】このように、層間絶縁膜のコンタクトホー
ルがほぼ楕円形状であると、その開口縁の曲率半径が小
さくなるのは楕円形状のほぼ長軸方向の２か所になり、
層間絶縁膜の上の画素電極がコンタクトホールを通じて
層間絶縁膜の下のアクティブ素子と接続されたコンタク
トホールの形状に沿った窪み部から外方へのクラックが
発生するとしても、クラックは窪み部の曲率半径が小さ
くなる部分からこれの近傍のエッジ部に向いて成長する
ように、クラック発生の方向をコンタクトホールの長軸
の方向に規定することができる。
【００１２】一方、画素電極の、コンタクトホール部分
からコンタクトホールのほぼ長軸方向に近傍のエッジま
で延びる長軸方向部分は、前記規定されたクラックの発
生方向と一致し、この長軸方向部分にしかクラックは発
生せず、クラックが発生して欠陥電極域ができたとして
もこの部分は遮光領域内に位置していて液晶駆動状態で
も外部から視認されず画素欠陥領域にはならない。
【００１３】しかも、画素電極の前記コンタクトホール
部分からコンタクトホールのほぼ長軸方向に近傍のエッ
ジまで延びる長軸方向部分は、画素電極のほぼ通常領域
内で設けることができ、この部分を遮光領域に設定して
も、アクティブ素子基板の開口率を特に低下させるよう
なことはない。
【００１４】コンタクトホールが、画素電極のアクティ
ブ素子近傍に位置するコーナ部に、長軸方向がコーナ部
の両エッジと交差する向きに配置され、さらに、コンタ
クトホールの長軸方向が画素電極のコーナ部の２等分線
にほぼ直角であると、長軸方向部分をコンパクトな形態
で設けて、開口率が低減するのを防止するのに好適であ
る。
【００１５】遮光領域が、遮光膜と、アクティブ素子の
電極類の少なくとも１つとで遮光される領域であると、
遮光膜のアライメント余裕度確保のための開口率の低下
を低減し、もって高開口率化が得られる。
【００１６】アクティブ素子が薄膜トランジスタであ
り、画素電極と接続する所定の電極類がドレイン電極で
あると、クロストークがより低減化される。
【００１７】層間絶縁膜が有機膜であると、厚く誘電率
の低い層間絶縁膜形成が可能になる。
【００１８】画素電極がインジュウム錫酸化物である
と、アクティブ素子および層間絶縁膜にダメージを与え
ずに低抵抗・高透過率な電極が形成できる。
【００１９】本発明の液晶表示装置の製造方法は、基板
上に、アクティブ素子に必要な電極や配線などの電極類
を形成する工程と、前記アクティブ素子上に、その所定
の電極類上にほぼ楕円型のコンタクトホールを有した層
間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上に、前記
コンタクトホールを通じ前記所定の電極類に接続した画
素電極を、前記コンタクトホール部分からそのほぼ長軸
方向に近傍のエッジまで延びた長軸方向部分が遮光領域
に位置するように形成する工程と、を含んで液晶表示装
置を製造することを１つの特徴としている。
【００２０】本発明の液晶表示装置の製造方法はまた、
上記の工程に、前記画素電極の、前記コンタクトホール
からそのほぼ長軸方向に近傍のエッジまで延びた長軸方
向部分の上に重畳する遮光領域をなすように遮光膜を形
成する工程を含むことを別の特徴としている。
【００２１】これらにより、コンタクトホールの形状お
よび画素電極とコンタクトホールとの位置関係を変更す
るだけで、ほぼ従来通りに上記特徴のある液晶表示装置
を製造することができる。
【００２２】本発明の液晶表示装置の製造方法はさら
に、上記製造方法の層間絶縁膜上に画素電極および遮光
膜を形成する工程に代えて、前記層間絶縁膜上に、前記
コンタクトホールを通じ前記アクティブ素子の所定の電
極類と接続した画素電極を形成する工程と、この画素電
極の、前記コンタクトホールからそのほぼ長軸方向に近
傍のエッジまで延びた長軸方向部分の上に重畳する遮光
領域をなすように遮光膜を形成する工程とを含むことを
特徴とし、遮光領域を、遮光膜と、アクティブ素子の電
極類の少なくとも１つとで遮光される領域とした上記液
晶表示装置が得られる。
【００２３】これら各製造方法においても、上記装置の
ように、アクティブ素子が薄膜トランジスタで、所定の
電極類がドレイン電極であるようにしたり、層間絶縁膜
が有機膜であるようにしたり、画素電極がインジュウム
錫酸化物であるようにしたりするのが好適である。
【００２４】本発明のそれ以上の特徴は、以下の詳細な
説明および図面の記載によって明らかになる。本発明の
各特徴は、可能な限りにおいてそれ単独で、あるいは種
々な組み合わせで複合して用いることができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図１〜図４を用いて詳細に説明し、本発明の理解に
供する。
【００２６】本実施の形態は図１〜図４に示すように、
最上層の画素電極８を、これの下の層間絶縁膜７に設け
られたコンタクトホール７ａを通じ層間絶縁膜７の下の
アクティブ素子の一例である薄膜トランジスタＴＦＴに
接続したアクティブ素子基板Ａを有した液晶表示装置の
場合の一例であり、対向基板９との間に液晶１１を図示
しないボール状のスペーサを介し挟持して封入し、対向
基板９の内面に画素電極によっては液晶を制御し切れな
い領域などを覆って遮光する遮光膜１０を設けて液晶表
示装置としたものである。しかし、これに限られること
はなく、上層の画素電極８を、これの下の層間絶縁膜７
に設けられたコンタクトホール７ａを通じ層間絶縁膜７
の下のアクティブ素子に接続したアクティブ素子基板Ａ
を有した液晶表示装置であれば具体的な構成の違いは特
に問わない。
【００２７】本実施の形態では図１〜図４に示す各実施
例で共通しているように、前記コンタクトホール７ａが
ほぼ楕円形状である。これによって、前記画素電極８の
前記コンタクトホール７ａの部分から、つまりコンタク
トホール７ａを通じて画素電極８が薄膜トランジスタＴ
ＦＴと電気的に接続されるためにコンタクトホール７ａ
の内周に沿った形状で窪む窪み部８ａから、コンタクト
ホール７ａのほぼ長軸方向に近傍のエッジ８ｂ、８ｂま
で延びる長軸方向部分８ｄ、８ｄが、アクティブ素子基
板Ａの遮光膜１０などによる遮光領域内に位置してい
る。
【００２８】このように、層間絶縁膜７のコンタクトホ
ール７ａがほぼ楕円形状であると、その開口縁の曲率半
径がクラックの発生を見る程度に小さくなるのがほぼ楕
円形状の長軸方向の端部７ａ１、７ａ２の２か所にな
る。一方、画素電極８がコンタクトホール７ａを通じて
薄膜トランジスタＴＦＴの所定の電極と接続されたコン
タクトホールの形状に沿った窪み部８ａから図２の
（ｃ）、図３の（ｂ）、図４の（ｂ）に示すようにクラ
ック１２が発生するとしても、クラック１２は窪み部８
ａのコンタクトホール７ａの両端部７ａ１、７ａ２に対
応して曲率半径が小さくなる部分から近傍の、さらにい
うと直近のエッジ８ｂ、８ｂに向く外方へ成長するよう
に、クラック発生の方向をコンタクトホール７ａのほぼ
長軸方向に規定することができる。このようにクラック
１２の発生方向を規定するほぼ楕円形状は、図に示すよ
うな長円形状や楕円形状を含むし、ほぼ楕円形状の両端
部７ａ１、７ａ２の曲率半径をもっと小さく設定し、そ
れを比較的大きな曲率半径の曲線で結んだ偏平なほぼ楕
円形状などを含むこともできる。
【００２９】ここに、画素電極８のコンタクトホール７
ａの部分からコンタクトホール７ａのほぼ長軸方向に近
傍のエッジ８ｂ、８ｂまで延びる長軸方向部分８ｄは、
前記規定されたクラック１２の発生方向に一致し、この
長軸方向部分８ｄにしかクラック１２は発生しないこと
になる。従って、クラック１２が発生して欠陥電極域８
ｅができたとしても、この欠陥電極域８ｅの部分はアク
ティブ素子基板Ａの遮光膜１０などからなる遮光領域内
に位置していて、液晶表示装置を駆動状態にしても外部
から視認されず画素欠陥領域にはならない。
【００３０】しかも、画素電極８の前記長軸方向部分８
ｄは、画素電極８のほぼ通常領域内で設けることがで
き、この部分をアクティブ素子基板Ａの遮光膜１０など
による遮光領域に設定しても、アクティブ素子基板Ａの
開口率を特に低下させるようなことはない。
【００３１】コンタクトホール７ａが図１〜図４の各実
施例に示すように、画素電極８の薄膜トランジスタＴＦ
Ｔ近傍に位置するコーナ部８ｃに、長軸方向がコーナ部
８ｃの両エッジ８ｂ、８ｂと交差する向きに配置され、
さらに、コンタクトホール７ａの長軸方向が画素電極８
のコーナ部８ｃの２等分線にほぼ直角である。しかも、
画素電極８のコーナ部８ｃが角部をコンタクトホール７
ａの長軸方向にほぼ平行に切り取られている。これらの
特徴によると、画素電極８の前記長軸方向部分８ｄ、８
ｄをコンパクト形態で設けることができ、アクティブ素
子基板Ａの開口率が低減するのを防止するのに好適であ
る。
【００３２】また、図１〜図４の各実施例に示すよう
に、アクティブ素子が薄膜トランジスタＴＦＴで、画素
電極８と接続する所定の電極類がドレイン電極６として
あることにより、クロストークがより低減される。さら
に、層間絶縁膜７が有機膜としてあることにより、厚く
誘電率の低い層間絶縁膜７の形成が可能になる。
【００３３】図１の（ａ）、（ｂ）に示す第１の実施例
の液晶表示装置は、図２の（ａ）に示すように、ガラス
からなる基板１上に薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電
極２を成膜して形成し、ゲート電極２を担持した基板１
上の全面にゲート絶縁膜３であるＳｉＮチャネル層とし
てのａ−Ｓｉ層を成膜して形成し、さらに後工程でチャ
ネル保護層４に加工されるＳｉＮ層を成膜により形成
し、合計３層を成膜する。続いて成膜した３層の最上層
にあるＳｉＮ層をチャネル保護層４の形状に加工後、全
面にコンタクト層となる低抵抗ａ−Ｓｉと、ソース・ド
レイン電極５、６となるＴｉおよびＡｌを成膜する。次
に成膜した前記ａ−Ｓｉ、低抵抗ａ−Ｓｉ、Ｔｉおよび
Ａｌを加工し、ソース電極配線５およびドレイン電極６
を形成する。次に、全面に感光性有機材料（ＪＳＲ社
製；ＰＣ−３０２）をスピン塗布し、フォトマスクを利
用した露光、現像によりほぼ楕円形状をしたコンタクト
ホール７ａを有する層間絶縁膜７を形成する。次にイン
ジュウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄ
ｅ）からなり、前記コンタクトホール７ａを通じて前記
ドレイン電極６と接続し、前記層間絶縁膜７を介し前記
ソース電極配線５上に一部重畳した画素電極８を形成す
る。ここで、前記ドレイン電極６と前記コンタクトホー
ル７ａと前記画素電極８の形状および位置関係は、前記
コンタクトホール７ａの長軸上であって前記コンタクト
ホール７ａの部分から近傍のエッジ８ｂ、８ｂまで連続
している長軸方向部分８ｄ、８ｄの全体が、前記遮光膜
１０と電極類の１つであるドレイン電極６との組み合わ
せによる遮光領域に重畳するように形成して、アクティ
ブ素子基板Ａを得る。
【００３４】最後に図２の（ｂ）に示すように、アクテ
ィブ素子基板Ａとの間に液晶１１を挟持して封入すると
ともに（図１の（ｂ））、前記画素電極８による前記液
晶１１の電気的制御が不完全な部分および前記長軸方向
部分８ｄ、８ｄのほぼ全てと、ドレイン電極６との組み
合わせにより重畳して、ドレイン電極６とともに遮光す
る遮光膜１０を有した対向基板９を形成して液晶表示装
置を得る。
【００３５】この第１の実施例では、クラック１２が発
生した場合でも、図２の（ｃ）に示すように、コンタク
トホール７ａの両端部７ａ１、７ａ２を起点とし、前記
画素電極８の最近エッジ８ｂ、８ｂに到達したものばか
りであった。よって、画素電極８の起点をほぼ同じくし
た複数のクラック１２に挟まれてドレイン電極６との接
続部から仕切られた部分で、正しい電位の供給が困難と
考えられる欠陥電極域８ｅが生じても、遮光領域である
遮光膜１０およびドレイン電極６との重畳によって遮光
され、液晶表示装置の駆動状態でも視認されることはな
く、実質的な画素欠陥領域となるのを防止することがで
きる。
【００３６】また、欠陥電極域８ｅを画素欠陥領域とな
らないようにする遮光領域は、遮光膜１０や薄膜トラン
ジスタＴＦＴなどのアクティブ素子の電極類の少なくと
も１つによって設定することはできる。しかし、本実施
例のように遮光膜１０とアクティブ素子の電極類の少な
くとも１つとによって形成すれば、長軸方向部分８ｄの
基部がドレイン電極６と重畳し、長軸方向部分８ｄの外
端側部分が遮光膜１０と重畳していて、長軸方向部分８
ｄを遮光する遮光領域を形成するのに、ドレイン電極６
および遮光膜１０の双方が最小サイズになる。要するに
遮光膜１０のアライメント余裕度確保のための開口率の
低下を低減することができる。この意味で、長軸方向部
分８ｄがアクティブ素子の１つでも多くの電極類と重畳
して遮光されるようにするのが好適である。
【００３７】図３の（ａ）、（ｂ）に示す第２の実施例
は、図３の（ａ）に示すように、第１の実施例の場合同
様にアクティブ素子基板Ａを得た後、これと対向基板９
との間に液晶１１を挟持して封入し遮光膜１０を形成す
るのに、前記画素電極８の前記コンタクトホール７ａの
部分からコンタクトホール７ａのほぼ長軸方向に近傍の
エッジ８ｂ、８ｂまで延びる長軸方向部分８ｄ、８ｄの
全体と遮光膜１０が重畳してそれを覆い遮光するように
形成した点で、第１の実施例と異なる。他の構造および
製造方法は第１の実施例と特に変わるところはなく、同
じ部材には同一の符号を付し重複する説明は省略する。
【００３８】このようにすると、前記長軸方向部分８
ｄ、８ｄにクラック１２による欠陥電極域８ｅが生じて
も、その全体に遮光膜１０が図３の（ｂ）に示すように
重畳して覆っていて、液晶表示装置の駆動状態でも外部
からは全く視認されないようにするので、画素欠陥領域
となるのを確実に防止することができ、ドレイン電極６
は画素電極８との接続に必要な大きさだけのものでよく
なる。
【００３９】図４の（ａ）〜（ｃ）に示す第３の実施例
では、第１の実施例の場合とほぼ同様にアクティブ素子
基板Ａを得て、遮光膜１０を持った対向基板９との間に
液晶１１を挟持して封入し液晶表示装置とするが、ドレ
イン電極６とコンタクトホール７ａのほぼ長軸方向上で
あってコンタクトホール７ａの部分から連続している画
素電極８の長軸方向部分８ｄ、８ｄとの関係において、
この長軸方向部分８ｄの全体がドレン電極６と重畳して
遮光されるようにした点で第１、第２の実施例の場合と
異なる。それ以外は特に変わるところはなく、同じ部材
には同一の符号を付し重複する説明は省略する。
【００４０】このようにすると、遮光膜１０は長軸方向
部分８ｄを遮光する領域を形成しなくてよくなり、通常
通りの設計による範囲にだけ設ければよい。
【００４１】なお、以上の説明では層間絶縁膜７を感光
性有機膜としたが、非感光の低誘電率膜として成膜後、
フォトレジストをマスクとしてエッチング加工したもの
によるものとしてもよい。さらに、アクティブ素子を薄
膜トランジスタＴＦＴからなるものとしたが、ＭＩＭ等
の非線形２端子素子など、液晶駆動機能を発揮する他の
素子としてもよいことは明らかである。
【００４２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、たとえ画
素電極にクラックが発生し欠陥電極域を生じたとして
も、実質的に画素欠陥領域となるのを開口率を特に低下
させることなく防止できるという有利な効果がもたらさ
れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態における液晶表示装置を
示し、その（ａ）は１つの画素につき透視して見た平面
図、その（ｂ）は断面図である。
【図２】図１の液晶表示装置の製造手順を示し、その
（ａ）はアクティブ素子基板の製造段階を示す透視平面
図、その（ｂ）はアクティブ素子基板と対向基板とで液
晶表示装置とする段階を示す透視平面図、その（ｃ）は
（ｂ）で得た液晶表示装置での画素電極のクラック発生
状態とその遮光状態を示す説明図である。
【図３】本発明の一実施の形態における第２の実施例の
液晶表示装置を示し、その（ａ）は液晶表示装置および
その製造状態を示す透視平面図、その（ｂ）は（ａ）で
得た液晶表示装置での画像電極のクラック発生状態とそ
の遮光状態を示す説明図である。
【図４】本発明の一実施の形態における第３の液晶表示
装置を示し、その（ａ）はアクティブ素子基板の製造段
階を示す透視平面図、その（ｂ）アクティブ素子基板と
対向基板とで液晶表示装置とする段階の透視平面図、そ
の（ｃ）は（ｂ）で得た液晶表示装置での画像電極のク
ラック発生状態とその遮光状態を示す説明図である。
【図５】従来の液晶表示装置およびその製造方法を示
し、その（ａ）は透視平面図、その（ｂ）は断面図であ
る。
【図６】図５の液晶表示装置でのクラックの発生状態お
よびその遮光状態を示す説明図である。
【符号の説明】
１ 基板 ２ ゲート電極 ３ ゲート絶縁膜 ４ チャネル層 ５ ソース電極配線 ６ ドレイン電極 ７ 層間絶縁膜 ７ａ コンタクトホール ８ 画素電極 ８ａ 窪み部 ８ｂ エッジ ８ｃ コーナ部 ８ｄ 長軸方向部分 ８ｅ 欠陥電極域 ９ 対向基板 １０ 遮光膜 １１ 液晶 １２ クラック Ａ アクティブ素子基板
フロントページの続き (72)発明者 脇本 竜也 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H092 JA26 JA29 JA38 JA42 JA44 JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 JB54 JB57 JB63 JB69 KA05 KA07 KB14 KB25 MA05 MA08 MA14 MA15 MA16 MA18 MA19 MA20 MA27 MA35 MA37 MA41 NA07 NA13 NA25 PA09 QA07

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 上層の画素電極を、これの下の層間絶縁
    膜に設けられたコンタクトホールを通じ層間絶縁膜の下
    のアクティブ素子に接続したアクティブ素子基板を有す
    る液晶表示装置において、 前記コンタクトホールがほぼ楕円形状であり、前記画素
    電極の前記コンタクトホール部分からコンタクトホール
    のほぼ長軸方向に近傍のエッジまで延びる長軸方向部分
    が、遮光領域内に位置することを特徴とする液晶表示装
    置。
  2. 【請求項２】 コンタクトホールは、画素電極のアクテ
    ィブ素子近傍に位置するコーナ部に、長軸方向がコーナ
    部の両エッジと交差する向きに配置されている請求項１
    に記載の液晶表示装置。
  3. 【請求項３】 コンタクトホールの長軸方向が画素電極
    のコーナ部の２等分線にほぼ直角である請求項２に記載
    の液晶表示装置。
  4. 【請求項４】 遮光領域が、遮光膜と、アクティブ素子
    の電極類の少なくとも１つと、により遮光される領域で
    ある請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶表示装
    置。
  5. 【請求項５】 アクティブ素子は薄膜トランジスタであ
    り、画素電極と接続する所定の電極類がドレイン電極で
    ある請求項１〜４のいずれか一項に記載の液晶表示装
    置。
  6. 【請求項６】 層間絶縁膜は有機膜である請求項１〜５
    のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
  7. 【請求項７】 画素電極はインジュウム錫酸化物である
    請求項１〜６のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
  8. 【請求項８】 基板上に、アクティブ素子に必要な電極
    や配線などの電極類を形成する工程と、 前記アクティブ素子上に、その所定の電極類上にほぼ楕
    円型のコンタクトホールを有した層間絶縁膜を形成する
    工程と、 前記層間絶縁膜上に、前記コンタクトホールを通じ前記
    所定の電極類に接続した画素電極を、前記コンタクトホ
    ール部分からそのほぼ長軸方向に近傍のエッジまで延び
    た長軸方向部分が遮光領域に位置するように形成する工
    程と、 を含んで液晶表示装置を製造することを特徴とする液晶
    表示装置の製造方法。
  9. 【請求項９】 アクティブ素子は薄膜トランジスタであ
    り、画素電極と接続する所定の電極類がドレイン電極で
    ある請求項８に記載の液晶表示装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 層間絶縁膜は有機材料で形成する請求
    項８、９のいずれか一項に記載の液晶表示装置の製造方
    法。
  11. 【請求項１１】 画素電極をインジュウム錫酸化物で形
    成する請求項８〜１０のいずれか一項に記載の液晶表示
    装置の製造方法。
  12. 【請求項１２】 基板上に、アクティブ素子の必要な電
    極や配線などの電極類を形成する工程と、 前記アクティブ素子上に、その所定の電極類上にほぼ楕
    円型のコンタクトホールを有した層間絶縁膜を形成する
    工程と、 前記層間絶縁膜上に、前記コンタクトホールを通じ前記
    アクティブ素子の所定の電極類と接続した画素電極を形
    成する工程と、 この画素電極の、前記コンタクトホールからそのほぼ長
    軸方向に近傍のエッジまで延びた長軸方向部分の上に重
    畳する遮光領域をなすように遮光膜を形成する工程と、 を含んで液晶表示装置を製造することを特徴とする液晶
    表示装置の製造方法。
  13. 【請求項１３】 アクティブ素子は薄膜トランジスタで
    あり、画素電極と接続する所定の電極類がドレイン電極
    である請求項１２に記載の液晶表示装置の製造方法。
  14. 【請求項１４】 層間絶縁膜が有機膜である請求項１
    ２、１３のいずれか一項に記載の液晶表示装置の製造方
    法。
  15. 【請求項１５】 画素電極がインジュウム錫酸化物であ
    る請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の液晶表示装
    置の製造方法。
  16. 【請求項１６】 基板上に、アクティブ素子の必要な電
    極や配線などの電極類を形成する工程と、 前記アクティブ素子上に、その所定の電極類上にほぼ楕
    円型のコンタクトホールを有した層間絶縁膜を形成する
    工程と、 層間絶縁膜上に、前記コンタクトホールを通じて前記所
    定の電極に接続した画素電極を形成する工程と、 この画素電極の、前記コンタクトホールからそのほぼ長
    軸方向に近傍のエッジまで延びた長軸方向部分の上に重
    畳する遮光領域を形成するように遮光膜を形成する工程
    と、 を含んで液晶表示装置を製造することを特徴とする液晶
    表示装置の製造方法。
  17. 【請求項１７】 アクティブ素子は薄膜トランジスタで
    あり、画素電極と接続する所定の電極類がドレイン電極
    である請求項１６に記載の液晶表示装置の製造方法。
  18. 【請求項１８】 層間絶縁膜は有機材料で形成する請求
    項１６、１７のいずれか一項に記載の液晶表示装置の製
    造方法。
  19. 【請求項１９】 画素電極をインジュウム錫酸化物で形
    成する請求項１６〜１８のいずれか一項に記載の液晶表
    示装置の製造方法。
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