JP2000187236A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JP2000187236A JP2000187236A JP10365829A JP36582998A JP2000187236A JP 2000187236 A JP2000187236 A JP 2000187236A JP 10365829 A JP10365829 A JP 10365829A JP 36582998 A JP36582998 A JP 36582998A JP 2000187236 A JP2000187236 A JP 2000187236A
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- crystal display
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シール材領域については、駆動ＩＣ取り付け
用配線の引き回しパターンや対向電極端子等によりラン
ダムで大きなピッチの凹凸形状が形成されるため、その
上の層間絶縁膜表面の凹凸が激しくなって、セル厚分布
不良が発生し易い。 【解決手段】 図１の液晶表示素子では、ソース信号線
２が形成されていない領域にダミーパターン５を設ける
が、ダミーパターン５は、ソース信号線２と同一材料で
同一形状で設けることにより、層間絶縁膜として用いる
アクリル樹脂のコーティングの平坦度を同一とすること
ができ、より一掃のセル厚の均一化を行うものである。
用配線の引き回しパターンや対向電極端子等によりラン
ダムで大きなピッチの凹凸形状が形成されるため、その
上の層間絶縁膜表面の凹凸が激しくなって、セル厚分布
不良が発生し易い。 【解決手段】 図１の液晶表示素子では、ソース信号線
２が形成されていない領域にダミーパターン５を設ける
が、ダミーパターン５は、ソース信号線２と同一材料で
同一形状で設けることにより、層間絶縁膜として用いる
アクリル樹脂のコーティングの平坦度を同一とすること
ができ、より一掃のセル厚の均一化を行うものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばコンピュー
タやワードプロセッサなどに用いられる液晶表示素子に
関するものである。
タやワードプロセッサなどに用いられる液晶表示素子に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示素子として、アクティブ
マトリクス型のものが知られている。このアクティブマ
トリクス型液晶表示素子は、薄膜トランジスタ（以下Ｔ
ＦＴと称する）等のスイッチング素子や画素電極がマト
リクス状に設けられたアクティブマトリクス基板と、カ
ラーフィルタ（以下ＣＦと称する）や対向電極が設けら
れた対向基板とを備えており、表示媒体としての液晶層
を間に挟んで対向配置された両基板が、その周囲をシー
ル材により所定の間隙で貼り合わせられた構成を有す
る。
マトリクス型のものが知られている。このアクティブマ
トリクス型液晶表示素子は、薄膜トランジスタ（以下Ｔ
ＦＴと称する）等のスイッチング素子や画素電極がマト
リクス状に設けられたアクティブマトリクス基板と、カ
ラーフィルタ（以下ＣＦと称する）や対向電極が設けら
れた対向基板とを備えており、表示媒体としての液晶層
を間に挟んで対向配置された両基板が、その周囲をシー
ル材により所定の間隙で貼り合わせられた構成を有す
る。
【０００３】従来、このアクティブマトリクス基板とし
て、ＴＦＴ、ＴＦＴを制御する走査信号を与えるゲート
信号線および表示信号を与えるためのソース信号線を覆
うように層間絶縁膜を設けて、その層間絶縁膜の上に画
素電極を設けることにより、画素電極とＴＦＴ、画素電
極とゲート信号線、および画素電極とソース信号線を重
畳させた構成のものが知られている。この構成によれ
ば、ＴＦＴ、ゲート信号線およびソース信号線を除く部
分を全て表示開口部とすることができるので、非常に明
るい表示状態を得ることができる。
て、ＴＦＴ、ＴＦＴを制御する走査信号を与えるゲート
信号線および表示信号を与えるためのソース信号線を覆
うように層間絶縁膜を設けて、その層間絶縁膜の上に画
素電極を設けることにより、画素電極とＴＦＴ、画素電
極とゲート信号線、および画素電極とソース信号線を重
畳させた構成のものが知られている。この構成によれ
ば、ＴＦＴ、ゲート信号線およびソース信号線を除く部
分を全て表示開口部とすることができるので、非常に明
るい表示状態を得ることができる。
【０００４】この層間絶縁膜は、膜厚０．３μｍ程度の
ゲート信号線、膜厚０．３μｍ程度のソース信号緑およ
び高さ１μｍ程度のＴＦＴの表面を平坦化し、かつ、画
素電極とゲート信号線との寄生容量および画素電極とソ
ース信号緑との寄生容量を小さくする必要がある。この
層間絶縁膜は、通常、誘電率ε＝４前後のアクリル系感
光樹脂をスピンコート法で基板に塗布することにより形
成され、上記条件を満足させるためには、層間絶縁膜の
膜厚を３μｍ以上にする必要がある。
ゲート信号線、膜厚０．３μｍ程度のソース信号緑およ
び高さ１μｍ程度のＴＦＴの表面を平坦化し、かつ、画
素電極とゲート信号線との寄生容量および画素電極とソ
ース信号緑との寄生容量を小さくする必要がある。この
層間絶縁膜は、通常、誘電率ε＝４前後のアクリル系感
光樹脂をスピンコート法で基板に塗布することにより形
成され、上記条件を満足させるためには、層間絶縁膜の
膜厚を３μｍ以上にする必要がある。
【０００５】一方、スピンコート法による膜厚の制御は
通常±５％程度が限界であるので、平均３μｍの膜厚に
設定したときには最大で０．３μｍの膜厚ばらつきが生
じる。ここで、シール材に接する部分（以下シール材領
域と称する）の層間絶縁膜を除去すると直接０．３μｍ
のセル厚異常につながり、この０．３μｍという値は液
晶表示素子の製造工程におけるセル厚分布の工程マージ
ン０．５μｍに対して６割にも相当するので、工程管理
が困難になる。このため、通常はシール材領域にも層間
絶縁膜を残しておく。この場合、上記層間絶縁膜の膜厚
ばらつきは層間絶縁膜の面内でブロードに発生している
ため、アクティブマトリクス基板と対向基板との間にス
ペーサーを介して均一なセル厚を得ることができる。
通常±５％程度が限界であるので、平均３μｍの膜厚に
設定したときには最大で０．３μｍの膜厚ばらつきが生
じる。ここで、シール材に接する部分（以下シール材領
域と称する）の層間絶縁膜を除去すると直接０．３μｍ
のセル厚異常につながり、この０．３μｍという値は液
晶表示素子の製造工程におけるセル厚分布の工程マージ
ン０．５μｍに対して６割にも相当するので、工程管理
が困難になる。このため、通常はシール材領域にも層間
絶縁膜を残しておく。この場合、上記層間絶縁膜の膜厚
ばらつきは層間絶縁膜の面内でブロードに発生している
ため、アクティブマトリクス基板と対向基板との間にス
ペーサーを介して均一なセル厚を得ることができる。
【０００６】特開平７−１２８６７０号公報では表示領
域内の層間絶縁膜をシール材領域にも設けることにより
平坦度を改善することが記載されてる。
域内の層間絶縁膜をシール材領域にも設けることにより
平坦度を改善することが記載されてる。
【０００７】また、特開平６−３０８５１０号公報では
シール材領域にダミーパターンを設けてシール材部のセ
ル厚を均一化することが記載されている。
シール材領域にダミーパターンを設けてシール材部のセ
ル厚を均一化することが記載されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の液晶
表示素子において、アクティブマトリクス基板または対
向基板上のＴＦＴ、電極、配線、ＣＦ等により基板表面
に凹凸が生じ、これを覆う平坦化膜を設けない構成では
セル厚分布不良を招くことがある。ここで、これらの凹
凸形状を最適化することによりセル厚分布不良を回避で
きることは従来良く知られており、一般に、規則性のあ
る配線パターンや画素パターン、ＴＦＴパターン等によ
る数μｍ程度の段差ではセル厚分布不良は発生しない。
しかし、駆動ＩＣ取り付け用配線の引き回しパターンや
対向電極端子等のように、規則性のないランダムな形状
でピッチが数ｍｍ程度の大きなものでは、その凹凸形状
に追従変形しようとしてガラス基板が歪むため、セル厚
分布不良が発生してしまう。上述の層間絶縁膜を用いて
開口部を広くすると共にアクティブマトリクス基板表面
を平坦化した液晶表示素子においても、基板表面の凹凸
形状を完全に平坦化することはできていない。すなわ
ち、ガラス基板表面を基準とした層間絶縁膜の表面の高
さは、その層間絶縁膜の下にある凸部によりほぼ決定さ
れるので、最終的に得られる層間絶縁膜表面の凹凸形状
は、その層間絶縁膜の下にある凹部が層間絶縁膜で埋め
られるか否かによって決定される。特に、シール材領域
については、駆動ＩＣ取り付け用配線の引き回しパター
ンや対向電極端子等によりランダムで大きなピッチの凹
凸形状が形成されるため、その上の層間絶縁膜表面の凹
凸が激しくなって、セル厚分布不良が発生し易い。さら
に、シール材領域において、シール材の辺に垂直な方向
に数μｍ程度の段差があっても、シール材領域全体にほ
ぼ同様の凹凸形状があればセル厚分布不良は生じない
が、シール材の辺に沿う方向に凹凸形状があると、ほぼ
必ずセル厚分布不良が生じてしまう。
表示素子において、アクティブマトリクス基板または対
向基板上のＴＦＴ、電極、配線、ＣＦ等により基板表面
に凹凸が生じ、これを覆う平坦化膜を設けない構成では
セル厚分布不良を招くことがある。ここで、これらの凹
凸形状を最適化することによりセル厚分布不良を回避で
きることは従来良く知られており、一般に、規則性のあ
る配線パターンや画素パターン、ＴＦＴパターン等によ
る数μｍ程度の段差ではセル厚分布不良は発生しない。
しかし、駆動ＩＣ取り付け用配線の引き回しパターンや
対向電極端子等のように、規則性のないランダムな形状
でピッチが数ｍｍ程度の大きなものでは、その凹凸形状
に追従変形しようとしてガラス基板が歪むため、セル厚
分布不良が発生してしまう。上述の層間絶縁膜を用いて
開口部を広くすると共にアクティブマトリクス基板表面
を平坦化した液晶表示素子においても、基板表面の凹凸
形状を完全に平坦化することはできていない。すなわ
ち、ガラス基板表面を基準とした層間絶縁膜の表面の高
さは、その層間絶縁膜の下にある凸部によりほぼ決定さ
れるので、最終的に得られる層間絶縁膜表面の凹凸形状
は、その層間絶縁膜の下にある凹部が層間絶縁膜で埋め
られるか否かによって決定される。特に、シール材領域
については、駆動ＩＣ取り付け用配線の引き回しパター
ンや対向電極端子等によりランダムで大きなピッチの凹
凸形状が形成されるため、その上の層間絶縁膜表面の凹
凸が激しくなって、セル厚分布不良が発生し易い。さら
に、シール材領域において、シール材の辺に垂直な方向
に数μｍ程度の段差があっても、シール材領域全体にほ
ぼ同様の凹凸形状があればセル厚分布不良は生じない
が、シール材の辺に沿う方向に凹凸形状があると、ほぼ
必ずセル厚分布不良が生じてしまう。
【０００９】図４に液晶表示素子の平面図を示す。図４
は液晶表示素子のゲート信号線１と、ソース信号線２
と、シール材３とを示しており、ＴＦＴ等の構成は省略
している。図５に図４のＡ部であるソース信号線２とシ
ール材３の交差部の拡大図を示す。図６に図５のＢ−Ｂ
断面を示す。図５に示すようにソース信号線２はドライ
バーＩＣを搭載したＴＡＢ等の外部配線と接続するため
に、ある一定本数ずつ信号線を集約させて液晶表示素子
の周辺部に引き出されている。これはドライバーＩＣの
取り付け領域をできる限り小さくするためと、ドライバ
ーＩＣのチップサイズの制約によるものである。
は液晶表示素子のゲート信号線１と、ソース信号線２
と、シール材３とを示しており、ＴＦＴ等の構成は省略
している。図５に図４のＡ部であるソース信号線２とシ
ール材３の交差部の拡大図を示す。図６に図５のＢ−Ｂ
断面を示す。図５に示すようにソース信号線２はドライ
バーＩＣを搭載したＴＡＢ等の外部配線と接続するため
に、ある一定本数ずつ信号線を集約させて液晶表示素子
の周辺部に引き出されている。これはドライバーＩＣの
取り付け領域をできる限り小さくするためと、ドライバ
ーＩＣのチップサイズの制約によるものである。
【００１０】従って、シール材３が信号線のある領域と
ない領域を跨いでおり、シール部の下に信号線が配置さ
れていない領域が大きくなるため、図６に示すように層
間絶縁膜４によって十分に平坦にできない領域が発生
し、セル厚分布の不良となる。
ない領域を跨いでおり、シール部の下に信号線が配置さ
れていない領域が大きくなるため、図６に示すように層
間絶縁膜４によって十分に平坦にできない領域が発生
し、セル厚分布の不良となる。
【００１１】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、セル厚分布不良を防ぐこ
とができる液晶表示素子を提供することを目的とする。
決すべくなされたものであり、セル厚分布不良を防ぐこ
とができる液晶表示素子を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、液晶層を間に挟んで対向配設される一対の基板と、
該一対の基板のうちの一方の基板上に形成され基板端部
へ引き出された複数の信号線と、該信号線上に形成され
た層間絶縁膜と、該一対の基板の周囲に形成され該一対
の基板を所定の間隙で貼り合わせるシール材とを備えた
液晶表示素子において、前記シール部下の前記信号線と
隣接するシール下の前記信号線との間に前記信号線と同
一工程、同一幅、同一ピッチでダミー部材が形成されて
いることを特徴とする。
は、液晶層を間に挟んで対向配設される一対の基板と、
該一対の基板のうちの一方の基板上に形成され基板端部
へ引き出された複数の信号線と、該信号線上に形成され
た層間絶縁膜と、該一対の基板の周囲に形成され該一対
の基板を所定の間隙で貼り合わせるシール材とを備えた
液晶表示素子において、前記シール部下の前記信号線と
隣接するシール下の前記信号線との間に前記信号線と同
一工程、同一幅、同一ピッチでダミー部材が形成されて
いることを特徴とする。
【００１３】請求項２に記載の発明は、前記ダミー部材
の延伸方向は隣接する信号線の延伸方向と同一方向に配
置されていることを特徴とする。
の延伸方向は隣接する信号線の延伸方向と同一方向に配
置されていることを特徴とする。
【００１４】以下に本発明の作用について説明する。本
発明の請求項１に記載の液晶表示素子によれば、ダミー
部材は信号線と同一工程、同一幅及び同一ピッチで形成
されており、シール材領域全体にほぼ同等の凹凸形状が
あるため、セル厚むらが目立ちにくく、セル厚分布不良
が生じない。
発明の請求項１に記載の液晶表示素子によれば、ダミー
部材は信号線と同一工程、同一幅及び同一ピッチで形成
されており、シール材領域全体にほぼ同等の凹凸形状が
あるため、セル厚むらが目立ちにくく、セル厚分布不良
が生じない。
【００１５】本発明の請求項２に記載の液晶表示素子に
よれば、ダミー部材の延伸方向と隣接する信号線の延伸
方向とを同一方向に配置しているため、シール材したの
凹凸の形状がほぼ均等になるため、さらにセル厚むらが
目立ちにくく、セル厚分布不良が生じない。
よれば、ダミー部材の延伸方向と隣接する信号線の延伸
方向とを同一方向に配置しているため、シール材したの
凹凸の形状がほぼ均等になるため、さらにセル厚むらが
目立ちにくく、セル厚分布不良が生じない。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。液晶表示素子においてセル厚分布不良を防
ぐためには、基板上の配線や電極等の部材による凹凸を
層間絶縁膜により平坦化して、層間絶縁膜表面の凹凸の
段差をセル厚の管理基準である０．５μｍ以下にする必
要がある。ここで、厚み数μｍ程度の樹脂材料からなる
層間絶縁膜を用いて凹部を埋められるかどうかは、凹部
の探さと広さとに依存している。
て説明する。液晶表示素子においてセル厚分布不良を防
ぐためには、基板上の配線や電極等の部材による凹凸を
層間絶縁膜により平坦化して、層間絶縁膜表面の凹凸の
段差をセル厚の管理基準である０．５μｍ以下にする必
要がある。ここで、厚み数μｍ程度の樹脂材料からなる
層間絶縁膜を用いて凹部を埋められるかどうかは、凹部
の探さと広さとに依存している。
【００１７】層間絶縁膜の下の凹凸の段差と層間絶縁膜
下の凹部の幅とを変化させた場合について、層間絶縁膜
表面の凹凸の段差を調べた結果を下記表１に示す。な
お、ここでは、層間絶縁膜として感光性アクリル樹脂を
スピンコート法によリ３μｍの膜厚で形成した。また、
凹凸の最大段差は例えばＴＦＴ部分の高さである約１μ
ｍとした。
下の凹部の幅とを変化させた場合について、層間絶縁膜
表面の凹凸の段差を調べた結果を下記表１に示す。な
お、ここでは、層間絶縁膜として感光性アクリル樹脂を
スピンコート法によリ３μｍの膜厚で形成した。また、
凹凸の最大段差は例えばＴＦＴ部分の高さである約１μ
ｍとした。
【００１８】
【表１】
【００１９】この表１に示すように、凹部の幅が約１０
０μｍ以上の場合には凹部を埋めて平坦化することがで
きず、層間絶縁膜表面に凹部の形状が反映されて現れる
が、凹凸の段差を０．５μｍ以下にすることにより層間
絶縁膜表面の凹凸の段差を０．５μｍ以下にすることが
できる。また、凹部の幅が１００μｍより小さい場合に
は凹部を埋めて平坦化することができるので、凹凸の段
差が０．５μｍ以上でも層間絶縁膜表面の段差を平坦化
することができる。
０μｍ以上の場合には凹部を埋めて平坦化することがで
きず、層間絶縁膜表面に凹部の形状が反映されて現れる
が、凹凸の段差を０．５μｍ以下にすることにより層間
絶縁膜表面の凹凸の段差を０．５μｍ以下にすることが
できる。また、凹部の幅が１００μｍより小さい場合に
は凹部を埋めて平坦化することができるので、凹凸の段
差が０．５μｍ以上でも層間絶縁膜表面の段差を平坦化
することができる。
【００２０】従って、本発明にあっては、シール材領域
の層間絶縁膜の下の凹凸の段差を０．５μｍ以下にする
ために、シール材領域において層間絶縁膜の下にある部
材の表面に発生する凹凸形状（段差）を０．５μｍ以下
にしてある。また、他の例にあっては、シール材領域の
層間絶縁膜の下の凹凸の凹部の幅を１００μｍより小さ
くするために、シール材領域において層間絶縁膜の下に
ある部材のうち、シール材の辺に沿う方向に隣接するも
の同士の間隔を１００μｍより小さくしてある。また、
他の例にあっては、シール材領域の層間絶縁膜の下の凹
凸の凹部の幅が１００μｍ以上である場合に凹凸の段差
を０．５μｍ以下にするために、シール材領域において
層間絶縁膜の下にある部材のうち、シール材の辺に沿う
方向に隣接する部材との間隔が１００μｍ以上のものの
段差を０．５μｍ以下にしてある。これにより、層間絶
縁膜表面の凹凸の段差をセル厚の管理基準である０．５
μｍ以下にすることができる。
の層間絶縁膜の下の凹凸の段差を０．５μｍ以下にする
ために、シール材領域において層間絶縁膜の下にある部
材の表面に発生する凹凸形状（段差）を０．５μｍ以下
にしてある。また、他の例にあっては、シール材領域の
層間絶縁膜の下の凹凸の凹部の幅を１００μｍより小さ
くするために、シール材領域において層間絶縁膜の下に
ある部材のうち、シール材の辺に沿う方向に隣接するも
の同士の間隔を１００μｍより小さくしてある。また、
他の例にあっては、シール材領域の層間絶縁膜の下の凹
凸の凹部の幅が１００μｍ以上である場合に凹凸の段差
を０．５μｍ以下にするために、シール材領域において
層間絶縁膜の下にある部材のうち、シール材の辺に沿う
方向に隣接する部材との間隔が１００μｍ以上のものの
段差を０．５μｍ以下にしてある。これにより、層間絶
縁膜表面の凹凸の段差をセル厚の管理基準である０．５
μｍ以下にすることができる。
【００２１】なお、シール材領域において層間絶縁膜の
下にある部材と、シール材の辺に沿う方向に隣接するも
のとの間隔が１００μｍ以上である場合には、両者の段
差が０．５μｍ以下であればダミー部材を設けなくても
層間絶縁膜表面の凹凸の段差を０．５μｍ以下にできる
が、この部分にダミー部材を設けることにより凹部を埋
めてさらに表面を平坦化することができる。
下にある部材と、シール材の辺に沿う方向に隣接するも
のとの間隔が１００μｍ以上である場合には、両者の段
差が０．５μｍ以下であればダミー部材を設けなくても
層間絶縁膜表面の凹凸の段差を０．５μｍ以下にできる
が、この部分にダミー部材を設けることにより凹部を埋
めてさらに表面を平坦化することができる。
【００２２】このダミー部材は信号入力に関係のない部
材であり、層間絶縁膜よりも先に形成されるゲート信号
線、ソース信号線、駆動ＩＣ取り付け用配線の引き回し
パターンや対向電極端子等の各種部材と同時に形成して
もよく、別途形成してもよい以下に本発明の実施の形態
について、図面を参照しながら説明する。この液晶表示
素子は、液晶層を間に挟んでアクティブマトリクス基板
とＣＦ基板とが対向配設され、両基板の周囲がシール材
により貼り合わせられている。
材であり、層間絶縁膜よりも先に形成されるゲート信号
線、ソース信号線、駆動ＩＣ取り付け用配線の引き回し
パターンや対向電極端子等の各種部材と同時に形成して
もよく、別途形成してもよい以下に本発明の実施の形態
について、図面を参照しながら説明する。この液晶表示
素子は、液晶層を間に挟んでアクティブマトリクス基板
とＣＦ基板とが対向配設され、両基板の周囲がシール材
により貼り合わせられている。
【００２３】図１（ａ）に液晶表示素子の周辺部の拡大
図を示す。図３は、図１のＣ−Ｃ断面を示す断面図であ
る。ダミーパターン５の形状を替えたものを図１（ｂ）
に示す。
図を示す。図３は、図１のＣ−Ｃ断面を示す断面図であ
る。ダミーパターン５の形状を替えたものを図１（ｂ）
に示す。
【００２４】図１の液晶表示素子では、ソース信号線２
が形成されていない領域にダミーパターン５を設ける
が、ダミーパターン５は、ソース信号線２と同一形状、
同一ピッチで設けることにより、層間絶縁膜４として用
いるアクリル樹脂のコーティングの平坦度を同一とする
ことができ、より一掃のセル厚の均一化を行うものであ
る。更にダミーパターン５をソース信号線２と同一工程
で作成し、ダミーパターン５とソース信号線２との高さ
を同じにすることにより、層間絶縁膜４の表面が平坦に
なりセル厚むらが目立ちにくく、セル厚分布不良が生じ
ない。
が形成されていない領域にダミーパターン５を設ける
が、ダミーパターン５は、ソース信号線２と同一形状、
同一ピッチで設けることにより、層間絶縁膜４として用
いるアクリル樹脂のコーティングの平坦度を同一とする
ことができ、より一掃のセル厚の均一化を行うものであ
る。更にダミーパターン５をソース信号線２と同一工程
で作成し、ダミーパターン５とソース信号線２との高さ
を同じにすることにより、層間絶縁膜４の表面が平坦に
なりセル厚むらが目立ちにくく、セル厚分布不良が生じ
ない。
【００２５】ソース信号線２がシール材３の延伸方向に
対して斜めであるため、ダミーパターン５も同様に斜め
に設けてある。
対して斜めであるため、ダミーパターン５も同様に斜め
に設けてある。
【００２６】ダミーパターン５群は左右で延伸方向が異
なるため、ダミーパターン５群の中心に近づくほど急激
なパターンの変化を抑えるため、徐々に縦方向に傾いて
いるが、ダミーパターン群の中心付近でセル厚分布不良
が問題にならない場合は、左及び右のダミーパターンは
それぞれ信号線と同じ延伸方向に配置してもよい。
なるため、ダミーパターン５群の中心に近づくほど急激
なパターンの変化を抑えるため、徐々に縦方向に傾いて
いるが、ダミーパターン群の中心付近でセル厚分布不良
が問題にならない場合は、左及び右のダミーパターンは
それぞれ信号線と同じ延伸方向に配置してもよい。
【００２７】層間絶縁膜４として膜厚３μｍの感光性ア
クリル樹脂をスピンコート法により形成している。
クリル樹脂をスピンコート法により形成している。
【００２８】これを実際の液晶生産工程にて４６５ｍｍ
×３６０ｍｍのガラス基板に表示サイズが１２．１型の
液晶表示素子を２面取れるサンプルを用いて、シール部
近傍（シール部端面より１ｍｍ）でのセル厚分布を評価
した。貼合せ工程ではシール樹脂に熱硬化型樹脂（ＸＮ
−２１Ｓ：三井東圧化学（株））を、表示部内のスペー
サー８には４．５μｍ径のプラスチックスペーサー（Ｓ
Ｐ−２０４５：積水ファインケミカル（株））を、シー
ル内スペーサー９には５．５μｍ径のガラスファイバー
（ＰＦ−５５：日本電気硝子（株））を使用した。ここ
でシール内と表示部のスペーサー径が異なっているの
は、図７に示すようにシール材３はＣＦ基板上の厚さ約
３０００ÅのＣｒパターン７上にあり、対して表示部の
プラスチックスペーサー８は膜厚は約１．３μｍのＲＧ
Ｂの色層の上となる構造であるため、膜厚差分の１μｍ
をシール樹脂部に上乗せする必要がある。実際の工程フ
ローとしては、ＣＦ基板にシール樹脂と仮止め用の紫外
線硬化掛脂を塗布し、ＴＦＴ基板にはコモン転移用導電
樹脂を塗布した上でプラスチックビーズを散布する。次
にＴＦＴ基板とＣＦ基板をアライメントし、仮止め用紫
外線硬化樹脂を硬化させて固定し、加熱とプレスを同時
に行いシール樹脂をセル厚までプレスしそのまま硬化さ
せる。最後にパネルを切り出し液晶を真空注入法にて注
入し液晶表示素子は完成する。
×３６０ｍｍのガラス基板に表示サイズが１２．１型の
液晶表示素子を２面取れるサンプルを用いて、シール部
近傍（シール部端面より１ｍｍ）でのセル厚分布を評価
した。貼合せ工程ではシール樹脂に熱硬化型樹脂（ＸＮ
−２１Ｓ：三井東圧化学（株））を、表示部内のスペー
サー８には４．５μｍ径のプラスチックスペーサー（Ｓ
Ｐ−２０４５：積水ファインケミカル（株））を、シー
ル内スペーサー９には５．５μｍ径のガラスファイバー
（ＰＦ−５５：日本電気硝子（株））を使用した。ここ
でシール内と表示部のスペーサー径が異なっているの
は、図７に示すようにシール材３はＣＦ基板上の厚さ約
３０００ÅのＣｒパターン７上にあり、対して表示部の
プラスチックスペーサー８は膜厚は約１．３μｍのＲＧ
Ｂの色層の上となる構造であるため、膜厚差分の１μｍ
をシール樹脂部に上乗せする必要がある。実際の工程フ
ローとしては、ＣＦ基板にシール樹脂と仮止め用の紫外
線硬化掛脂を塗布し、ＴＦＴ基板にはコモン転移用導電
樹脂を塗布した上でプラスチックビーズを散布する。次
にＴＦＴ基板とＣＦ基板をアライメントし、仮止め用紫
外線硬化樹脂を硬化させて固定し、加熱とプレスを同時
に行いシール樹脂をセル厚までプレスしそのまま硬化さ
せる。最後にパネルを切り出し液晶を真空注入法にて注
入し液晶表示素子は完成する。
【００２９】以上の条件で各４０パネル（２０基板）の
サンプルにてセル厚分布を測定したところ、本実施の形
態の場合はセル厚の平均が４．５０μｍで、標準偏差が
０．０３μｍであり、以上によりセル厚分布による透過
率むらの小さい表示品位の優れた液晶表示素子が作成で
きた。
サンプルにてセル厚分布を測定したところ、本実施の形
態の場合はセル厚の平均が４．５０μｍで、標準偏差が
０．０３μｍであり、以上によりセル厚分布による透過
率むらの小さい表示品位の優れた液晶表示素子が作成で
きた。
【００３０】更に、図２にダミーパターン５をシール材
の辺に沿う方向に対して垂直方向に延伸した配線とし、
ソース信号線２と同一材料で同一のライン幅、ピッチで
作成した例を示す。この場合パターン設計時の手間をか
けることなく簡単にダミーパターン５を設計でき、セル
厚分布を測定すると、セル厚の平均が４．５０μｍで、
標準偏差が０．０５μｍであり、ほとんど図９の実施例
と同一の結果を得ることができた。
の辺に沿う方向に対して垂直方向に延伸した配線とし、
ソース信号線２と同一材料で同一のライン幅、ピッチで
作成した例を示す。この場合パターン設計時の手間をか
けることなく簡単にダミーパターン５を設計でき、セル
厚分布を測定すると、セル厚の平均が４．５０μｍで、
標準偏差が０．０５μｍであり、ほとんど図９の実施例
と同一の結果を得ることができた。
【００３１】本実施の形態では、ソース信号線２を用い
て説明したが、ゲート信号線１や、他の配線でもよい。
て説明したが、ゲート信号線１や、他の配線でもよい。
【００３２】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、ダミーパター
ンは、信号線と同一工程、同一幅、同一ピッチで形成さ
れており、シール材領域全体にほぼ同等の凹凸形状があ
るため、セル厚むらが目立ちにくく、セル厚分布不良が
生じない液晶表示素子が得られる。
ンは、信号線と同一工程、同一幅、同一ピッチで形成さ
れており、シール材領域全体にほぼ同等の凹凸形状があ
るため、セル厚むらが目立ちにくく、セル厚分布不良が
生じない液晶表示素子が得られる。
【００３３】請求項２の発明によれば、ダミー部材の延
伸方向と隣接する信号線の延伸方向とを同一方向に配置
しているため、シール材したの凹凸の形状がほぼ均等に
なるため、さらにセル厚むらが目立ちにくく、セル厚分
布不良が生じない液晶表示素子が得られる。
伸方向と隣接する信号線の延伸方向とを同一方向に配置
しているため、シール材したの凹凸の形状がほぼ均等に
なるため、さらにセル厚むらが目立ちにくく、セル厚分
布不良が生じない液晶表示素子が得られる。
【図１】本実施の形態の液晶表示素子の周辺部の拡大図
を示す。
を示す。
【図２】他の液晶表示素子の周辺部の拡大図を示す。
【図３】本実施の形態の液晶表示素子の断面図を示す。
【図４】液晶表示素子の平面図を示す。
【図５】従来技術の液晶表示素子の周辺部の拡大図を示
す。
す。
【図６】図５の液晶表示素子の断面図を示す。
【図７】液晶表示素子の断面図を示す。
１ ゲート信号線 ２ ソース信号線 ３ シール材 ４ 層間絶縁膜 ５ ダミーパターン ６ ガラス基板 ７ ブラックマトリクス（Ｃｒパターン） ８ 表示部内スペーサー ９ シール内スペーサー １０ カラーフィルタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H089 LA07 LA08 LA13 LA19 NA09 NA24 NA39 NA44 NA45 NA48 NA51 QA14 SA01 TA03 TA05 TA09 2H092 GA33 GA34 JB58 KB22 MA10 NA25 PA03 PA04
Claims (2)
- 【請求項１】 液晶層を間に挟んで対向配設される一対
の基板と、該一対の基板のうちの一方の基板上に形成さ
れ基板端部へ引き出された複数の信号線と、該信号線上
に形成された層間絶縁膜と、該一対の基板の周囲に形成
され該一対の基板を所定の間隙で貼り合わせるシール材
とを備えた液晶表示素子において、 前記シール部下の前記信号線と隣接するシール下の前記
信号線との間に前記信号線と同一工程、同一幅、同一ピ
ッチでダミー部材が形成されていることを特徴とする液
晶表示素子。 - 【請求項２】 前記ダミー部材の延伸方向は隣接する信
号線の延伸方向と同一方向に配置されていることを特徴
とする請求項１に記載の液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36582998A JP3770525B2 (ja) | 1998-12-24 | 1998-12-24 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36582998A JP3770525B2 (ja) | 1998-12-24 | 1998-12-24 | 液晶表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000187236A true JP2000187236A (ja) | 2000-07-04 |
| JP3770525B2 JP3770525B2 (ja) | 2006-04-26 |
Family
ID=18485221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36582998A Expired - Fee Related JP3770525B2 (ja) | 1998-12-24 | 1998-12-24 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3770525B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005049738A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-02-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示パネル |
| US7088416B2 (en) | 2000-09-14 | 2006-08-08 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device having pronged dummy electrodes and electronic device |
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| US8570478B2 (en) | 2009-07-22 | 2013-10-29 | Chimei Innolux Corporation | Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof |
| JP6625310B1 (ja) * | 2019-06-24 | 2019-12-25 | 三菱電機株式会社 | 湾曲型の液晶表示装置 |
-
1998
- 1998-12-24 JP JP36582998A patent/JP3770525B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP6625310B1 (ja) * | 2019-06-24 | 2019-12-25 | 三菱電機株式会社 | 湾曲型の液晶表示装置 |
| WO2020261315A1 (ja) * | 2019-06-24 | 2020-12-30 | 三菱電機株式会社 | 湾曲型の液晶表示装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3770525B2 (ja) | 2006-04-26 |
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