JP2000183606A - 誘電体デュプレクサ装置 - Google Patents

誘電体デュプレクサ装置

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JP2000183606A
JP2000183606A JP10360123A JP36012398A JP2000183606A JP 2000183606 A JP2000183606 A JP 2000183606A JP 10360123 A JP10360123 A JP 10360123A JP 36012398 A JP36012398 A JP 36012398A JP 2000183606 A JP2000183606 A JP 2000183606A
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JP
Japan
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circuit
capacitor
dielectric duplexer
antenna terminal
dielectric
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JP10360123A
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English (en)
Inventor
Seigo Hino
聖吾 日野
Masaki Shibata
正樹 柴田
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Niterra Co Ltd
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NGK Spark Plug Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高調波によるスプリアスを低減し得る構成を
備えた誘電体デュプレクサ装置を提供する。 【解決手段】共振器を複数個一方向に並設した誘電体デ
ュプレクサ本体1に、外部電路と接続する送波端子2
0,受波端子21及びアンテナ端子22を備えた回路積
層体10を結合してなる誘電体デュプレクサ装置におい
て、前記結合回路のアンテナ端子22に至るアンテナ電
路25に、所定高調波を通過させる通過コンデンサ31
を接続したものであるから、通過コンデンサ31の静電
容量Cを、スプリアスとなる高調波に対応して設定する
ことにより、該スプリアスをアース側に逃がすことがで
き、該スプリアスを抑制することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、自動車電話、携帯
電話等の移動体通信機器に用いられる、共振器を複数並
設してなる誘電体デュプレクサ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】共振器を複数個一方向に並設し、かつ貫
通孔が開口する開放端面を除く所要外周面にアース導体
を被覆してなる誘電体デュプレクサ本体を、基板上に載
置し、基板上に結合回路を付設して、所要共振器に結合
するようにし、さらに金属ケース内に誘電体磁器ブロッ
クと結合回路とを覆うようにした誘電体デュプレクサ装
置は、特開昭63−311801号等種々提案されてい
る。
【0003】これらのものは、各共振器間をLC結合す
る結合用コンデンサ等の回路部材を基板上に実装した
り、該基板上の所要回路を構成するための電路を形成し
ており、これらをシールドケースとなる金属ケースで覆
い、さらに該基板に外部電路と接続する入出力電極を形
成することによりユニット状としてなる。そして、この
ようにユニット状とすることにより、取扱いが容易とな
る。また、この構成にあっては、結合用コンデンサ等を
基板上に別途実装するものであるから、適宜に回路定数
等を設定でき、設計に自由度が与えられる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
誘電体デュプレクサ本体にあって、アンテナ端子からの
出力波形を観ると、図9で示すように、高域側で大きな
出力の3倍波が、スプリアスxとして発生し、出力特性
が不良となることが認められた。このように、種々の回
路構成の結合回路を誘電体磁器ブロックと接続すること
により、スプリアスxが発生し易くなることが予想さ
れ、その対策が求められている。本発明は、かかる高調
波によるスプリアスを低減し得る構成を備えた誘電体デ
ュプレクサ装置を提供することを目的とするものであ
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、共振器を複数
個一方向に並設し、該共振器群を二つに区分して、片側
区分群を送波部とし、他側区分群を受波部としてなる誘
電体デュプレクサ本体を備え、該誘電体デュプレクサ本
体に、外部電路と接続する送波端子,受波端子及びアン
テナ端子を備えた結合回路を結合してなる誘電体デュプ
レクサ装置において、前記結合回路のアンテナ端子に至
るアンテナ電路に、所定高調波を通過させる通過コンデ
ンサを、アンテナ端子に対して並列となるように接続
し、かつ通過コンデンサの他端をアース接続したことを
特徴とする誘電体デュプレクサ装置である。
【0006】この結合回路として、複数の誘電体層を積
層してなる回路積層体を用い、その積層方向に沿った側
面を誘電体デュプレクサ本体の開放端面に接合すること
により、その結合回路を誘電体デュプレクサ本体と結合
して、所要送受波回路を構成することができる。
【0007】かかる構成にあって、通過コンデンサの静
電容量Cを、例えばスプリアスとして発生する3倍波の
周波数に対応して設定する。これにより、スプリアスと
なる当該高調波を通過コンデンサからアース側へ逃がす
ことができ、該3倍波が抑制され、送波特性が向上する
こととなる。
【0008】この通過コンデンサの適用手段として、上
述の回路積層体の外側面に、外部電路と接続する送波端
子,受波端子及びアンテナ端子を形成し、該回路積層体
の表面及び/又は裏面に形成したシールド電極層と、ア
ンテナ端子との間に、通過コンデンサを配設した構成が
提案される。
【0009】この構成として、通過コンデンサを、アン
テナ端子にシールド電極層から延成した容量形成電極を
絶縁間隔を介して対置することにより、該アンテナ端子
と容量形成電極との間に形成するようにした手段が提案
される。
【0010】また、前記通過コンデンサを、アンテナ端
子とシールド電極層との間に介装したコンデンサ素子に
より形成した手段が提案される。
【0011】さらには、前記通過コンデンサを、アンテ
ナ端子とシールド電極層との間に介装したチップコンデ
ンサにより形成した手段が提案される。
【0012】
【発明の実施の形態】添付図面に従って、本発明の各実
施例を説明する。尚、各実施例は、いずれも図3で示す
送受波回路を構成するものである。
【0013】図1は、本発明の一実施例の誘電体デュプ
レク装置を示し、単一の誘電体磁器ブロック20により
構成される六個の同軸型共振器3A,3B,4A〜4D
を形成してこれを二つに区分して、二つの共振器3A,
3Bからなる片側区分群を送波部Tとし、四つの共振器
4A〜4Dからなる他側区分群を受波部Rとし、これら
を隣接方向で相互に接合することにより誘電体デュプレ
クサ本体1を構成し、各同軸型共振器3A,3B,4A
〜4Dの全開放端面8を覆うように回路積層体10を接
合してなるものである。この誘電体デュプレク装置の大
きさは、例えば、厚さ2mm以下,縦11mm,横11
mm(設計例)である。この送波部T及び受波部Rの共
振器数、さらには区分比は種々提案され得る。
【0014】ここで誘電体デュプレクサ本体1にあっ
て、共振器3A,3B,4A〜4Dは、図2で示すよう
に、酸化チタン系,酸化バリウム系等の誘電体セラミッ
ク材料を焼結してなる誘電体磁器ブロック2に貫通孔5
を形成し、該貫通孔5の内周面に内導体6を塗着形成し
てなり、さらに、その貫通孔5が開口する開放端面8を
除く所要外周面にアース導体7を被覆している。この共
振器3A,3B,4A〜4Dは、共振周波数のλ/4に
相当する共振長寸法にほぼ一致させている。そして、こ
の各共振器3A,3B,4A〜4Dにより、図3で示す
共振器回路Xが構成される。
【0015】また回路積層体10は、ガラスセラミッ
ク,ガラスと誘電体セラミック材料の複合材料、あるい
は低融点酸化物等からなり、長方形状の複数の誘電体層
11を積層して、これを一体焼結することにより形成さ
れる。この回路積層体10の積層方向に沿った側面(積
層面)は、誘電体デュプレクサ本体1の開放端面8を整
一に覆う長方形状としている。
【0016】この回路積層体10の各誘電体層11は、
その上面及び周縁に所要のパターン導体を印刷形成して
なるものであり、その積層のみにより、図3で示すよう
に、ローパスフィルタ回路部F とバンドパスフィル
タ回路部F とを備える結合回路Yを構成している。
そして、その外側面に、送波端子20,受波端子21及
びアンテナ端子22を露出形成し、この各端子に外部電
路が接続されることとなる。このように、この回路積層
体10は誘電体層11を一体焼結して、1チップ化され
ているため、誘電体デュプレクサ本体1の開放端面8上
への接合により、全体が一様な直方体をなす、整一な誘
電体デュプレクサ装置を容易に構成し得ることとなる。
【0017】而して、複数の誘電体層11を積層してな
る回路積層体10の積層方向に沿った側面(積層面)
を、誘電体磁器ブロック2の開放端面8に接合するだけ
で、送波部Tの共振器3A,3Bに、コンデンサC
〜C ,インダクタL ,L からなるローパスフ
ィルタ回路部F が結合し、受波部Rの共振器4A〜
4DにコンデンサC 〜C からなるバンドパスフィ
ルタ回路部F が結合して、結合回路Yが構成され、
該結合回路Yと、送波部Tの共振器3A,3B,受波部
Rの共振器4A〜4Dからなる共振器回路Xとで、図3
で示す送受波回路が構成されることとなる。
【0018】而して、該誘電体デュプレクサ装置はユニ
ット化され、送波端子20,アンテナ端子22,受波端
子21に外部電路が接続されて、携帯電話等の移動体通
信機器等に、簡易に適用され得ることとなる。
【0019】上述の構成にあっては、前記誘電体デュプ
レクサ本体1は、単一の誘電体磁器ブロック30によ
り、各同軸共振器を構成したものであるが、夫々別個に
形成した同軸型共振器3A,3B,4A〜4Dを並設し
て構成しても良い。
【0020】次に本発明の要部につき説明する。図3で
示すように、上述した結合回路Yのアンテナ端子に至る
アンテナ電路25に、所定高調波を通過させる通過コン
デンサ31が介装され、他端をアース接続してなる漏出
電路30が接続される。
【0021】すなわち、通過コンデンサ31を備えた漏
出電路30を設けない構成にあっては、図9で示すよう
に、アンテナ端子22から発生する送波信号に、3倍波
によるスプリアスx’が生じ、送波特性が悪くなる。そ
こで、上述の通過コンデンサ31の静電容量Cを3倍波
が通過するように設定し、該高調波を逃がす。これによ
り、図8で示すように、3倍波の出力が低下し、スプリ
アスxが抑止される。尚、2倍波など、他の高調波が問
題になるときは、かかる周波数に対応して、通過コンデ
ンサ31の静電容量Cを設定すればよい。
【0022】次に前記漏出電路30,通過コンデンサ3
1の形成手段につき説明する。図4〜6は、外部電路と
接続する送波端子20,受波端子21及びアンテナ端子
22を外側面に形成された回路積層体10にあって、回
路積層体10の表面及び/又は裏面に形成したシールド
電極層23と、アンテナ端子22との間に、通過コンデ
ンサ31を配設したものである。
【0023】ここで図4は通過コンデンサ31の第一実
施例を示し、前記通過コンデンサ31を、アンテナ端子
22にシールド電極層23から延成した容量形成電極2
5を絶縁間隔gを介して対置することにより、該アンテ
ナ端子23と容量形成電極25との間に形成したもので
ある。かかる構成にあっては、シールド電極層23を他
の各端子と共に、スクリーン印刷などの手段で形成する
だけで良いから、通過コンデンサ31を容易に構成し得
ることとなる。
【0024】次に、図5は通過コンデンサ31の第二実
施例を示し、前記通過コンデンサ31を、アンテナ端子
22とシールド電極層23との間に介装したコンデンサ
素子40により形成したものである。このコンデンサ素
子40として、種々の電子部品が用いられ、静電容量を
生じるものであれば良い。
【0025】さらに、図6は通過コンデンサ31の第三
実施例を示し、前記通過コンデンサ31を、アンテナ端
子22とシールド電極層23との間に介装したチップコ
ンデンサ41により形成したものである。ここで、チッ
プコンデンサ41は図7で示すように、複数の誘電体セ
ラミック層42を電極層43を介して積層してなり、各
電極層間に静電容量を生じる。なおこのチップコンデン
サ41もコンデンサ素子の概念に含まれる。
【0026】
【発明の効果】本発明は、共振器を複数個一方向に並設
した誘電体デュプレクサ本体に、外部電路と接続する送
波端子,受波端子及びアンテナ端子を備えた結合回路を
結合してなる誘電体デュプレクサ装置において、前記結
合回路のアンテナ端子に至るアンテナ電路に、所定高調
波を通過させる通過コンデンサを接続したものであるか
ら、通過コンデンサの静電容量Cを、スプリアスとなる
高調波に対応して設定することにより、該スプリアスを
アース側に逃がすことができ、該スプリアスを抑制する
ことができる。このため、誘電体デュプレクサ本体に、
外部電路と接続する送波端子,受波端子及びアンテナ端
子を備えた結合回路を結合してなる誘電体デュプレクサ
装置にあって、その送波特性を向上させることができる
優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る誘電体デュプレクサ装
置の分離斜視図である。
【図2】同軸型共振器3A,3B,4A〜4Dの縦断側
面図である。
【図3】本発明の等価回路図である。
【図4】通過コンデンサ31の第一実施例を示す誘電体
デュプレクサ装置の斜視図である。
【図5】通過コンデンサ31の第二実施例を示す誘電体
デュプレクサ装置の斜視図である。
【図6】通過コンデンサ31の第三実施例を示す誘電体
デュプレクサ装置の斜視図である。
【図7】チップコンデンサ41の縦断側面図である。
【図8】本発明による送波信号の波形図である。
【図9】通過コンデンサ31を用い無い比較例の送波信
号の波形図である。
【符号の説明】
1 誘電体デュプレクサ本体 2 誘電体磁器ブロック 3A,3B,4A〜4D 共振器 6 内導体 7 アース導体 8 開放端面 10 回路積層体 11 誘電体層 20 送波端子 21 受波端子 22 アンテナ端子 23 シールド電極層 25 アンテナ電路 30 漏出電路 31 通過コンデンサ T 送波部 R 受波部 F ローパスフィルタ回路部 F バンドパスフィルタ回路部 X 共振器回路 Y 結合回路

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】共振器を複数個一方向に並設し、該共振器
    群を二つに区分して、片側区分群を送波部とし、他側区
    分群を受波部としてなる誘電体デュプレクサ本体を備
    え、該誘電体デュプレクサ本体に、外部電路と接続する
    送波端子,受波端子及びアンテナ端子を備えた結合回路
    を結合してなる誘電体デュプレクサ装置において、 前記結合回路のアンテナ端子に至るアンテナ電路に、所
    定高調波を通過させる通過コンデンサを、アンテナ端子
    に対して並列となるように接続し、かつ通過コンデンサ
    の他端をアース接続したことを特徴とする誘電体デュプ
    レクサ装置。
  2. 【請求項2】複数の誘電体層を積層することにより結合
    回路を構成してなる回路積層体を、その積層方向に沿っ
    た側面を誘電体デュプレクサ本体の開放端面に接合する
    ことにより、その結合回路を誘電体デュプレクサ本体と
    結合して、所要送受波回路を構成するとともに、 回路積層体の外側面に、外部電路と接続する送波端子,
    受波端子及びアンテナ端子を形成し、該回路積層体の表
    面及び/又は裏面に形成したシールド電極層と、アンテ
    ナ端子との間に、通過コンデンサを配設したことを特徴
    とする請求項1記載の誘電体デュプレクサ装置。
  3. 【請求項3】前記通過コンデンサを、アンテナ端子にシ
    ールド電極層から延成した容量形成電極を絶縁間隔を介
    して対置することにより、該アンテナ端子と容量形成電
    極との間に形成したことを特徴とする請求項2記載の誘
    電体デュプレクサ装置。
  4. 【請求項4】前記通過コンデンサを、アンテナ端子とシ
    ールド電極層との間に介装したコンデンサ素子により構
    成したことを特徴とする請求項2記載の誘電体デュプレ
    クサ装置。
  5. 【請求項5】前記通過コンデンサを、アンテナ端子とシ
    ールド電極層との間に介装したチップコンデンサにより
    構成したことを特徴とする請求項2記載の誘電体デュプ
    レクサ装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013048448A (ja) * 2006-07-03 2013-03-07 Hitachi Metals Ltd 分波回路、高周波回路及び高周波モジュール
US8558644B2 (en) 2009-12-14 2013-10-15 Samsung Electronics Co., Ltd. High efficiency resonator for wireless power transmission

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