JP2000183241A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 応力や入射光の散乱を嫌う素子と通常の半導
体素子を電気的に接続した状態で１パッケージ化したも
ので、樹脂封止部材から発生する応力を極力防止するも
のである。 【解決手段】 アイランド１６上には、絶縁性基板１０
が設けられ、この上には第１の半導体素子１４と第２の
半導体素子１５が固着されている。またアイランド１６
と絶縁性基板１０には凹み部ＨＢが設けられ、ここに第
１のリード１８が延在されている。第２の樹脂封止部材
２２が第２の半導体素子１５と金属細線１９に塗布さ
れ、この状態で金型Ｋ１、Ｋ２に組み込み、第２の樹脂
封止部材が金型Ｋ１に当接するようにして第１の樹脂封
止部材２３を注入する。
体素子を電気的に接続した状態で１パッケージ化したも
ので、樹脂封止部材から発生する応力を極力防止するも
のである。 【解決手段】 アイランド１６上には、絶縁性基板１０
が設けられ、この上には第１の半導体素子１４と第２の
半導体素子１５が固着されている。またアイランド１６
と絶縁性基板１０には凹み部ＨＢが設けられ、ここに第
１のリード１８が延在されている。第２の樹脂封止部材
２２が第２の半導体素子１５と金属細線１９に塗布さ
れ、この状態で金型Ｋ１、Ｋ２に組み込み、第２の樹脂
封止部材が金型Ｋ１に当接するようにして第１の樹脂封
止部材２３を注入する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の半導体素子
がアイランドに平面的に配列された半導体装置に関す
る。
がアイランドに平面的に配列された半導体装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、モールド型半導体素子が高機能に
成っており、複数の半導体素子を１パッケージ化するも
のが開発されている。
成っており、複数の半導体素子を１パッケージ化するも
のが開発されている。
【０００３】この技術として例えば、特開平５−１２１
６４５号公報の従来例がある。これは、図８に示すよう
に、第１の半導体素子１および第２の半導体素子２が一
つのアイランド３に固着されている。第１および第２の
半導体素子１，２のボンディングパッド４、５とリード
６の先端が金属細線７により実現され、全体が樹脂で封
止されている。そして第１の半導体素子１と第２の半導
体素子２との間の接続は、ボンディングパッド７、８の
間を金属細線９により接続されている。
６４５号公報の従来例がある。これは、図８に示すよう
に、第１の半導体素子１および第２の半導体素子２が一
つのアイランド３に固着されている。第１および第２の
半導体素子１，２のボンディングパッド４、５とリード
６の先端が金属細線７により実現され、全体が樹脂で封
止されている。そして第１の半導体素子１と第２の半導
体素子２との間の接続は、ボンディングパッド７、８の
間を金属細線９により接続されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし前記第１の半導
体素子と第２の半導体素子に於いて、前記第２の半導体
素子が、例えば発光ダイオードや半導体レーザ等の発光
素子、ホトダイオードや光ＩＣ、磁気センサ、表面弾性
波素子または光書き込み型のメモリ素子等で構成される
場合、実際には同一材料でモールドすることが困難であ
り、個別にモールドしていた。
体素子と第２の半導体素子に於いて、前記第２の半導体
素子が、例えば発光ダイオードや半導体レーザ等の発光
素子、ホトダイオードや光ＩＣ、磁気センサ、表面弾性
波素子または光書き込み型のメモリ素子等で構成される
場合、実際には同一材料でモールドすることが困難であ
り、個別にモールドしていた。
【０００５】またＩＣカード、タグ、光を使った送受信
モジュール等は、複数の半導体素子やチップ抵抗等の受
動素子を使用するが、実際は樹脂の応力、光素子の場合
は光透過性樹脂で覆わなければ成らず、プリント基板上
にはモールドされたディスクリートを実装しているのが
現実であった。
モジュール等は、複数の半導体素子やチップ抵抗等の受
動素子を使用するが、実際は樹脂の応力、光素子の場合
は光透過性樹脂で覆わなければ成らず、プリント基板上
にはモールドされたディスクリートを実装しているのが
現実であった。
【０００６】従って、安価なモジュールを提供できない
問題があった。
問題があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の課題に
鑑みてなされ、絶縁性基板を採用するものに於いては、
第２の半導体素子下層に配置されたアイランドと第１の
リードは、前記第２の半導体素子を封止する第２の樹脂
封止部材が硬化前にその間に配置できる間隔を有し、前
記第２の樹脂封止部は、金属細線もカバーする事で解決
するものである。
鑑みてなされ、絶縁性基板を採用するものに於いては、
第２の半導体素子下層に配置されたアイランドと第１の
リードは、前記第２の半導体素子を封止する第２の樹脂
封止部材が硬化前にその間に配置できる間隔を有し、前
記第２の樹脂封止部は、金属細線もカバーする事で解決
するものである。
【０００８】第２の半導体素子と前記第１のリードを接
続する金属細線の一部が第１の樹脂で覆われると、この
二つの樹脂封止部材の熱膨張係数の違いにより断線を発
生させる。しかしアイランドとリードとのクリアランス
が調整されていれば、第２の半導体素子およびこれとリ
ードを接続する金属細線全体も封止できる。
続する金属細線の一部が第１の樹脂で覆われると、この
二つの樹脂封止部材の熱膨張係数の違いにより断線を発
生させる。しかしアイランドとリードとのクリアランス
が調整されていれば、第２の半導体素子およびこれとリ
ードを接続する金属細線全体も封止できる。
【０００９】またアイランドに、第２の半導体素子に向
かって凹み部を設け、この凹み部に第１のリードを延在
させる事で解決するものである。
かって凹み部を設け、この凹み部に第１のリードを延在
させる事で解決するものである。
【００１０】アイランドに凹み部を設け、ここに第１の
リードを挿入すれば、第２の樹脂封止部は、第１のリー
ドと凹み部に相当するアイランド上にのみ載置できる。
従って隣接する他のリードと第１のリードとのクリアラ
ンスを同等にする必要が無く、広げることができるため
他のリードとの耐電圧特性に影響を与えることがない。
リードを挿入すれば、第２の樹脂封止部は、第１のリー
ドと凹み部に相当するアイランド上にのみ載置できる。
従って隣接する他のリードと第１のリードとのクリアラ
ンスを同等にする必要が無く、広げることができるため
他のリードとの耐電圧特性に影響を与えることがない。
【００１１】また第２の樹脂封止部を、前記第１の樹脂
封止部から露出させ、その露出面と前記第１の樹脂封止
部を同一面とすることで解決するものである。
封止部から露出させ、その露出面と前記第１の樹脂封止
部を同一面とすることで解決するものである。
【００１２】一般の樹脂封止部材は、樹脂の応力緩和を
目的としてフィラーを混入している。しかしこのフィラ
ーは、光素子にとっては不要なものである。ところが、
フィラーの混入率を少なくしたもの、全くなくしたもの
で封止すると、今度は、樹脂応力が発生し、特性の変動
やチップ自身が欠けたりする。しかし本発明は、部分的
にポッティングし、このポッティング樹脂を金型に当接
させてフィラー入りの封止部材でモールドするので、光
素子は、効率の良い受発光が可能に、また他の素子は、
前記フィラー入りの樹脂封止部材で素子の特性変化、欠
けを防止することができる。しかも後述する金型で形成
すれば、第１の樹脂封止部、第２の樹脂封止部ともに同
一面で構成できるので、光素子を第２の半導体素子とし
て採用した場合、光の入射・射出が精度高くできる。ま
た磁気センサを採用した場合、被検出体との離間距離も
精度よく維持できるので、検出精度を維持できるメリッ
トを有する。
目的としてフィラーを混入している。しかしこのフィラ
ーは、光素子にとっては不要なものである。ところが、
フィラーの混入率を少なくしたもの、全くなくしたもの
で封止すると、今度は、樹脂応力が発生し、特性の変動
やチップ自身が欠けたりする。しかし本発明は、部分的
にポッティングし、このポッティング樹脂を金型に当接
させてフィラー入りの封止部材でモールドするので、光
素子は、効率の良い受発光が可能に、また他の素子は、
前記フィラー入りの樹脂封止部材で素子の特性変化、欠
けを防止することができる。しかも後述する金型で形成
すれば、第１の樹脂封止部、第２の樹脂封止部ともに同
一面で構成できるので、光素子を第２の半導体素子とし
て採用した場合、光の入射・射出が精度高くできる。ま
た磁気センサを採用した場合、被検出体との離間距離も
精度よく維持できるので、検出精度を維持できるメリッ
トを有する。
【００１３】またリードフレームのみを採用した場合に
於いて、第２の半導体素子下層に配置されたアイランド
と第１のリードには、前記第２の半導体素子を封止する
第２の樹脂封止部の材料が硬化前にその間に配置できる
間隔を設け、第２の樹脂封止部は、金属細線もカバーさ
せる事で解決するものである。
於いて、第２の半導体素子下層に配置されたアイランド
と第１のリードには、前記第２の半導体素子を封止する
第２の樹脂封止部の材料が硬化前にその間に配置できる
間隔を設け、第２の樹脂封止部は、金属細線もカバーさ
せる事で解決するものである。
【００１４】第２の半導体素子と前記第１のリードを接
続する金属細線の一部が第１の樹脂で覆われると、この
二つの樹脂封止部材の熱膨張係数の違いにより断線を発
生させる。しかしアイランドとリードとのクリアランス
が調整されていれば、第２の半導体素子およびこれとリ
ードを接続する金属細線全体も封止できる。
続する金属細線の一部が第１の樹脂で覆われると、この
二つの樹脂封止部材の熱膨張係数の違いにより断線を発
生させる。しかしアイランドとリードとのクリアランス
が調整されていれば、第２の半導体素子およびこれとリ
ードを接続する金属細線全体も封止できる。
【００１５】またリード間にチップ状の受動素子を固着
することで解決するものである。
することで解決するものである。
【００１６】絶縁性基板を用いない代わりにリード間に
受動素子を取り付けることで簡単な回路も含めて一体で
構成できる。
受動素子を取り付けることで簡単な回路も含めて一体で
構成できる。
【００１７】またアイランドは、前記第２の半導体素子
に向かって凹み部を有し、この凹み部に前記第１のリー
ドを延在させる事で解決するものである。
に向かって凹み部を有し、この凹み部に前記第１のリー
ドを延在させる事で解決するものである。
【００１８】アイランドに凹み部を設け、ここに第１の
リードを挿入すれば、第２の樹脂封止部は、第１のリー
ドと凹み部に相当するアイランド上にのみ載置できる。
従って隣接する他のリードと第１のリードとのクリアラ
ンスを同等にする必要が無く、広げることができるため
他のリードとの耐電圧特性に影響を与えることがない。
リードを挿入すれば、第２の樹脂封止部は、第１のリー
ドと凹み部に相当するアイランド上にのみ載置できる。
従って隣接する他のリードと第１のリードとのクリアラ
ンスを同等にする必要が無く、広げることができるため
他のリードとの耐電圧特性に影響を与えることがない。
【００１９】更には前もって第１のリードとアイランド
とのクリアランスが所定の間隔に成って用意されていれ
ば、第２の樹脂封止部材が滴下せず、第２の樹脂封止部
の高さ、露出面積を一定に保てる。また金型内にこの第
２の樹脂封止部材が落下する事もない。従って完成品の
表面に落下した樹脂封止部が固まりとなって形成される
こともない。
とのクリアランスが所定の間隔に成って用意されていれ
ば、第２の樹脂封止部材が滴下せず、第２の樹脂封止部
の高さ、露出面積を一定に保てる。また金型内にこの第
２の樹脂封止部材が落下する事もない。従って完成品の
表面に落下した樹脂封止部が固まりとなって形成される
こともない。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下に本発明の第１の実施の形態
を図１を参照しながら詳細に説明する。
を図１を参照しながら詳細に説明する。
【００２１】まず絶縁性基板１０があり、この上には接
着剤等によりＣｕ箔パターンが形成されている。このパ
ターンは、半導体素子が実装されるランド１１、回路を
構成するための配線、この配線の端部に形成されるボン
ディング用パッド１２、チップコンデンサ等をロウ材で
固着するための電極１３等で成る。
着剤等によりＣｕ箔パターンが形成されている。このパ
ターンは、半導体素子が実装されるランド１１、回路を
構成するための配線、この配線の端部に形成されるボン
ディング用パッド１２、チップコンデンサ等をロウ材で
固着するための電極１３等で成る。
【００２２】また前述した絶縁性基板１０は、ここでは
プリント基板を採用したが、フレキシブルシート、ガラ
ス基板、セラミック基板等でも良い。
プリント基板を採用したが、フレキシブルシート、ガラ
ス基板、セラミック基板等でも良い。
【００２３】このパターンには、第１の半導体素子１
４、第２の半導体素子１５、チップコンデンサ、チップ
抵抗等の受動素子ＲＣが固着され、ロウ材や金属細線Ｗ
で電気的に接続されている。
４、第２の半導体素子１５、チップコンデンサ、チップ
抵抗等の受動素子ＲＣが固着され、ロウ材や金属細線Ｗ
で電気的に接続されている。
【００２４】またＣｕを主材料とするリードフレームが
用意され、このリードフレームの構成要素であるアイラ
ンド１６に前記絶縁性基板１０が固着される。そして、
第１のリード１８と第２の半導体素子１５が金属細線１
９を介して接続されている。
用意され、このリードフレームの構成要素であるアイラ
ンド１６に前記絶縁性基板１０が固着される。そして、
第１のリード１８と第２の半導体素子１５が金属細線１
９を介して接続されている。
【００２５】また第２のリード２０と例えばパッド１２
が金属細線２１で接続されている。
が金属細線２１で接続されている。
【００２６】更には、第２の半導体素子１５は、透明な
エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の第２の樹脂封止部材
２２でポッティングされ、全体が第１の樹脂封止部材２
３で封止されている。
エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の第２の樹脂封止部材
２２でポッティングされ、全体が第１の樹脂封止部材２
３で封止されている。
【００２７】本発明の特徴は、第１の樹脂封止部２３で
実質全体を封止すると共に、第２の半導体素子１５を第
２の樹脂封止部２２で封止したことにある。
実質全体を封止すると共に、第２の半導体素子１５を第
２の樹脂封止部２２で封止したことにある。
【００２８】前記第１の半導体素子１５が光素子である
場合は、第２の樹脂封止部は、透明なエポキシ樹脂等で
なり、後述する金型で封止されるため第１の樹脂封止部
２３と一緒につらいちに形成されている。第２の樹脂封
止部材のフィラー混入率は、第１の樹脂封止部材よりも
少ないか、全く入っていないため、樹脂に発生する応力
が大きくなるが、実質第１の半導体素子のみ封止してい
るので、他の素子への影響は抑制される。
場合は、第２の樹脂封止部は、透明なエポキシ樹脂等で
なり、後述する金型で封止されるため第１の樹脂封止部
２３と一緒につらいちに形成されている。第２の樹脂封
止部材のフィラー混入率は、第１の樹脂封止部材よりも
少ないか、全く入っていないため、樹脂に発生する応力
が大きくなるが、実質第１の半導体素子のみ封止してい
るので、他の素子への影響は抑制される。
【００２９】また第１の半導体素子が磁気センサ等の場
合、応力が少ないシリコーン樹脂で覆われ、やはりつら
いちで形成される。
合、応力が少ないシリコーン樹脂で覆われ、やはりつら
いちで形成される。
【００３０】従って製品としての表面形状、光素子や磁
気センサに必要なその表面のフラット性が維持でき、光
素子では、光の発光受光が良好にでき、磁気センサで
は、その検出媒体との間隔を一定に保つことができる。
気センサに必要なその表面のフラット性が維持でき、光
素子では、光の発光受光が良好にでき、磁気センサで
は、その検出媒体との間隔を一定に保つことができる。
【００３１】また第２の樹脂封止部は、第２半導体素子
のみ覆うのではなく、第１の金属細線１９も完全に覆う
必要がある。例えば第２の半導体素子１５側の金属細線
１９は、第２の樹脂封止部で、第１のリード１８側の金
属細線１９が第１の樹脂封止部２３で覆われると、熱膨
張係数の違いにより断線が発生する。
のみ覆うのではなく、第１の金属細線１９も完全に覆う
必要がある。例えば第２の半導体素子１５側の金属細線
１９は、第２の樹脂封止部で、第１のリード１８側の金
属細線１９が第１の樹脂封止部２３で覆われると、熱膨
張係数の違いにより断線が発生する。
【００３２】従って第２の樹脂封止部２２は、第１のリ
ード１８の接続部も含めて金属細線１９全体を覆わなけ
ればならない。図１に於いて、第２の半導体素子１５の
右側にある金属細線１９は、絶縁性基板１０上であるの
でカバーすることは簡単であるが、左側の金属細線は、
アイランドとリードとの間に隙間を有するため問題とな
る。
ード１８の接続部も含めて金属細線１９全体を覆わなけ
ればならない。図１に於いて、第２の半導体素子１５の
右側にある金属細線１９は、絶縁性基板１０上であるの
でカバーすることは簡単であるが、左側の金属細線は、
アイランドとリードとの間に隙間を有するため問題とな
る。
【００３３】本発明は、この隙間を前もって計算し、第
２の樹脂封止部材が落下しないように設定されているこ
とにある。第２の樹脂封止部材は、後述する製造方法か
らも明らかなように、ある粘度を持ち、ディスペンサ等
でポッテングされる。従って硬化前までは、できるだけ
流動しなく、またリードの下方に垂れたり落下すること
もしない様にしなければならない。
２の樹脂封止部材が落下しないように設定されているこ
とにある。第２の樹脂封止部材は、後述する製造方法か
らも明らかなように、ある粘度を持ち、ディスペンサ等
でポッテングされる。従って硬化前までは、できるだけ
流動しなく、またリードの下方に垂れたり落下すること
もしない様にしなければならない。
【００３４】本発明は、少なくとも第１のリード１８と
アイランド１６との隙間が狭く形成され、樹脂はその粘
性と表面張力によりこの隙間から流れ出ないので、完全
に金属細線１９をカバーする事ができる。
アイランド１６との隙間が狭く形成され、樹脂はその粘
性と表面張力によりこの隙間から流れ出ないので、完全
に金属細線１９をカバーする事ができる。
【００３５】尚符号２４は、アイランドのつりリードで
あり、２５は、リード１８の隣に配置されたリードであ
る。第２の樹脂封止部の塗布量によっては、これらのク
リアランスも狭くする必要がある。
あり、２５は、リード１８の隣に配置されたリードであ
る。第２の樹脂封止部の塗布量によっては、これらのク
リアランスも狭くする必要がある。
【００３６】例えばアイランドの厚みが０．１２５ｍｍ
であると、プレスで打ち抜けるクリアランスは、０．１
ｍｍ程度である。従って好ましくは、隙間０．２〜０．
１ｍｍ程度でも滴下のない粘度に樹脂封止部材を調整す
る必要がある。
であると、プレスで打ち抜けるクリアランスは、０．１
ｍｍ程度である。従って好ましくは、隙間０．２〜０．
１ｍｍ程度でも滴下のない粘度に樹脂封止部材を調整す
る必要がある。
【００３７】続いて第２の実施の形態について図２を参
照して説明する。
照して説明する。
【００３８】一番上の図は、図１に凹み部ＨＢを設けた
ものである。真ん中の図面は、第１のリードに沿った断
面図であり、下の図面は、リード２５に沿った断面図で
ある。
ものである。真ん中の図面は、第１のリードに沿った断
面図であり、下の図面は、リード２５に沿った断面図で
ある。
【００３９】また構造は前記凹み部ＨＢのみ異なるた
め、ここの説明だけにとどめる。つまり第１のリード１
８、ここでは金属細線１９が接続されている第１のリー
ド１８の部分がアイランドの中に入り込むように、アイ
ランド１６、絶縁性基板１０に凹み部ＨＢを設ける。そ
して、この部分とアイランド１６との隙間は、第２の樹
脂封止部材が硬化前に落下しないような間隔に設定され
る事に特徴を有する。
め、ここの説明だけにとどめる。つまり第１のリード１
８、ここでは金属細線１９が接続されている第１のリー
ド１８の部分がアイランドの中に入り込むように、アイ
ランド１６、絶縁性基板１０に凹み部ＨＢを設ける。そ
して、この部分とアイランド１６との隙間は、第２の樹
脂封止部材が硬化前に落下しないような間隔に設定され
る事に特徴を有する。
【００４０】つまり図１では、第１のリードや他の隣接
しているリードにもそのクリアランスが必要であるが、
本実施の形態では、第１のリード１８とアイランド１６
のみのクリアランスを狭めるだけですむ。つまり他のリ
ードは、回路の都合からくる電圧の高いものと接続が可
能となる。
しているリードにもそのクリアランスが必要であるが、
本実施の形態では、第１のリード１８とアイランド１６
のみのクリアランスを狭めるだけですむ。つまり他のリ
ードは、回路の都合からくる電圧の高いものと接続が可
能となる。
【００４１】また樹脂で成るダム３０を黒い太丸の様に
囲むと、第２の樹脂封止部材をポッテングした際、流れ
が抑制され、金型との完全な当接が可能となり、また当
接して第１の樹脂封止部から露出する露出面積もそのバ
ラツキを抑制することができる。
囲むと、第２の樹脂封止部材をポッテングした際、流れ
が抑制され、金型との完全な当接が可能となり、また当
接して第１の樹脂封止部から露出する露出面積もそのバ
ラツキを抑制することができる。
【００４２】続いて第３の実施の形態を図３を用いて説
明する。本実施の形態は、図３の構造において、前記絶
縁性基板１０を省略したものである。本発明は、絶縁性
基板１０上のＣｕパターンの代わりにリードを活用して
受動素子ＲＣを接続したものである。
明する。本実施の形態は、図３の構造において、前記絶
縁性基板１０を省略したものである。本発明は、絶縁性
基板１０上のＣｕパターンの代わりにリードを活用して
受動素子ＲＣを接続したものである。
【００４３】前記絶縁性基板１０は、厚みが有るため、
パッケージ後の半導体装置としてはその厚みが大きくな
るが、リードに受動素子ＲＣが接続されているので、そ
の厚みを小さくできる特徴を有する。
パッケージ後の半導体装置としてはその厚みが大きくな
るが、リードに受動素子ＲＣが接続されているので、そ
の厚みを小さくできる特徴を有する。
【００４４】では簡単に説明する。アイランド１６に
は、第１の半導体素子１４と第２の半導体素子１５が実
装されている。この第２の半導体素子１５の周りには、
ライン状の樹脂（ダム）３０で樹脂のストッパーが形成
され、ここに第２の樹脂封止部材２２が塗布されてい
る。またリード間には受動素子ＲＣであるチップコンデ
ンサ、チップ抵抗等がロウ材で電気的に接続固着されて
いる。そして例えば封止部材の中で所定の回路機能を構
成している。また封止部材から導出するリードに外付け
部品を取り付けることで、所定の回路機能を実現しても
良い。
は、第１の半導体素子１４と第２の半導体素子１５が実
装されている。この第２の半導体素子１５の周りには、
ライン状の樹脂（ダム）３０で樹脂のストッパーが形成
され、ここに第２の樹脂封止部材２２が塗布されてい
る。またリード間には受動素子ＲＣであるチップコンデ
ンサ、チップ抵抗等がロウ材で電気的に接続固着されて
いる。そして例えば封止部材の中で所定の回路機能を構
成している。また封止部材から導出するリードに外付け
部品を取り付けることで、所定の回路機能を実現しても
良い。
【００４５】更に第１および第２の実施の形態と同様
に、第１の樹脂封止部２３、第２の樹脂封止部２２が形
成される。
に、第１の樹脂封止部２３、第２の樹脂封止部２２が形
成される。
【００４６】全実施例において、例えば光ＩＣモジュー
ル、ＩｒＤＡ等の応用すれば、これらは受動素子が少な
いため、これらも一緒に一体ができ、コストを低下でき
ると共に、これを用いたセットも組立等の作業を簡略に
できる。
ル、ＩｒＤＡ等の応用すれば、これらは受動素子が少な
いため、これらも一緒に一体ができ、コストを低下でき
ると共に、これを用いたセットも組立等の作業を簡略に
できる。
【００４７】またタグ等に採用した場合、コイルだけを
外部に導出したリードに外付けするだけで製品化が可能
となる。
外部に導出したリードに外付けするだけで製品化が可能
となる。
【００４８】また図３は、図２の構造と同様に凹み部Ｈ
Ｂが設けられており、前述同様に第１のリード１８とア
イランド１６の隙間のみ考慮するだけで第２の樹脂封止
部材を落下させることなくポッティングすることができ
る。
Ｂが設けられており、前述同様に第１のリード１８とア
イランド１６の隙間のみ考慮するだけで第２の樹脂封止
部材を落下させることなくポッティングすることができ
る。
【００４９】ここでリード間には、他に２端子構造の半
導体素子（例えばダイオード）等も接続可能である。
導体素子（例えばダイオード）等も接続可能である。
【００５０】続いて第４の実施の形態について図４、図
５を参照して説明する。
５を参照して説明する。
【００５１】これは図３の構造において、アイランド１
６の表裏にそれぞれ半導体素子１４、１５を実装したも
のである。例えば少なくとも一方が輻射ノイズを嫌った
り、またＩＣ基板を同一電位にすることを嫌ったりする
場合に有効である。
６の表裏にそれぞれ半導体素子１４、１５を実装したも
のである。例えば少なくとも一方が輻射ノイズを嫌った
り、またＩＣ基板を同一電位にすることを嫌ったりする
場合に有効である。
【００５２】後者の場合、どちらか一方の半導体素子
は、絶縁シート、絶縁接着剤等で絶縁処理される。
は、絶縁シート、絶縁接着剤等で絶縁処理される。
【００５３】ここでタブ３０は、一方のアイランド面と
第１のリード１８間に設けられ、この中に第２の樹脂封
止部が設けられる。この場合、両面実装であるため、図
３に比べさらにそのサイズは小さくなる。
第１のリード１８間に設けられ、この中に第２の樹脂封
止部が設けられる。この場合、両面実装であるため、図
３に比べさらにそのサイズは小さくなる。
【００５４】続いて、第２の樹脂封止部２２と第１の樹
脂封止部２３とのつらいちの仕方について簡単に説明す
る。ここでは図１の第１の実施の形態を使って説明す
る。また第２および第３の実施の形態については、実質
同じ方法で形成されるので、省略する。
脂封止部２３とのつらいちの仕方について簡単に説明す
る。ここでは図１の第１の実施の形態を使って説明す
る。また第２および第３の実施の形態については、実質
同じ方法で形成されるので、省略する。
【００５５】まず図６のように、半導体素子１４、１
５、受動素子ＲＣが実装された絶縁性基板１０を用意
し、金属細線を接続した後、前記絶縁性基板をリードフ
レームのアイランド１６に固着し、第２の樹脂封止部材
をポッティングする。この樹脂は、周りに流れ出なく、
金型Ｋ１またはＫ２に当接できるある高さを維持できる
粘性を有している。
５、受動素子ＲＣが実装された絶縁性基板１０を用意
し、金属細線を接続した後、前記絶縁性基板をリードフ
レームのアイランド１６に固着し、第２の樹脂封止部材
をポッティングする。この樹脂は、周りに流れ出なく、
金型Ｋ１またはＫ２に当接できるある高さを維持できる
粘性を有している。
【００５６】続いて、前記リードフレームを金型Ｋ１、
Ｋ２に組み込み、第１の樹脂封止部材を流し込む。当然
図４、図５の構造では、第２の樹脂封止部が設けられる
側が上になって金型に配置される。また前記第２の樹脂
封止部材２２は、金型に組み込んでからポッティングし
ても良い。
Ｋ２に組み込み、第１の樹脂封止部材を流し込む。当然
図４、図５の構造では、第２の樹脂封止部が設けられる
側が上になって金型に配置される。また前記第２の樹脂
封止部材２２は、金型に組み込んでからポッティングし
ても良い。
【００５７】ここでは第２の樹脂封止部材が上金型Ｋ１
に当接するため、第１の樹脂封止部２３と同一面を構成
できる。
に当接するため、第１の樹脂封止部２３と同一面を構成
できる。
【００５８】ここで前記第２の樹脂封止部材は、第１の
樹脂封止部材２３を注入する前に、前記金型の熱で硬化
した方が良い。これは注入圧力で第２の樹脂封止部材が
変形する恐れがあるからである。また図１、図２のよう
に絶縁性基板を採用する比較的サイズの大きいもの、ま
たは絶縁基板を採用しなくてもアイランドが大きい場合
（図３の構造を金型に配置した場合）、金型に当接した
後、アイランド１６裏面を支持する手段を設ける必要が
ある。これはアイランドの上下変動により、注入時の樹
脂圧力で樹脂漏れが発生したり、アイランド上の半導体
素子が欠けたりする問題があるからである。
樹脂封止部材２３を注入する前に、前記金型の熱で硬化
した方が良い。これは注入圧力で第２の樹脂封止部材が
変形する恐れがあるからである。また図１、図２のよう
に絶縁性基板を採用する比較的サイズの大きいもの、ま
たは絶縁基板を採用しなくてもアイランドが大きい場合
（図３の構造を金型に配置した場合）、金型に当接した
後、アイランド１６裏面を支持する手段を設ける必要が
ある。これはアイランドの上下変動により、注入時の樹
脂圧力で樹脂漏れが発生したり、アイランド上の半導体
素子が欠けたりする問題があるからである。
【００５９】また図３のようにダム３０を用い、粘度と
突出量を制御すれば、前記第１の樹脂封止部から露出す
る第２の樹脂封止部の領域を制御できる。
突出量を制御すれば、前記第１の樹脂封止部から露出す
る第２の樹脂封止部の領域を制御できる。
【００６０】つまり光素子では、第２の樹脂封止部２２
で一定面積の透過性の窓を実現できるメリットも有す
る。
で一定面積の透過性の窓を実現できるメリットも有す
る。
【００６１】
【発明の効果】以上に説明した通り、本発明によれば、
通常の半導体素子と特殊な半導体素子（例えば光素子、
磁気センサ等）を一体モールドできる。特に金型でモー
ルドする際、第２の樹脂封止部材を金型に当接させた後
に第１の樹脂封止部材を注入するので、第２の樹脂封止
部の露出面を第１の樹脂封止部とつらいちにできる。
通常の半導体素子と特殊な半導体素子（例えば光素子、
磁気センサ等）を一体モールドできる。特に金型でモー
ルドする際、第２の樹脂封止部材を金型に当接させた後
に第１の樹脂封止部材を注入するので、第２の樹脂封止
部の露出面を第１の樹脂封止部とつらいちにできる。
【００６２】また第１のリードとアイランドのクリアラ
ンスを設定することで、硬化前の第２の樹脂封止部材が
隙間から流れ出ることを防止することができる。
ンスを設定することで、硬化前の第２の樹脂封止部材が
隙間から流れ出ることを防止することができる。
【００６３】更には、絶縁性基板を用いたフルモール
ド、受動素子をリードに固着したフルモールドが可能で
あるため、光モジュール、タグ、ＩＣカード等の構成部
品として好適である。
ド、受動素子をリードに固着したフルモールドが可能で
あるため、光モジュール、タグ、ＩＣカード等の構成部
品として好適である。
【図１】本発明の第１の実施の形態を説明する半導体装
置の平面図である。
置の平面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態を説明する半導体装
置の図である。
置の図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態を説明する半導体装
置の平面図である。
置の平面図である。
【図４】本発明の第４の実施の形態を説明する半導体装
置の平面図である。
置の平面図である。
【図５】図４の裏面を説明する図である。
【図６】本半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図７】本半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図８】従来例の半導体装置を説明するための平面図で
ある。
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井野口 浩 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 4M109 AA02 BA01 BA03 CA05 CA21 DB16 EA03 EA10 EC11 EE02 EE12 FA04 GA01 GA02
Claims (9)
- 【請求項１】 アイランドと、前記アイランドの少なく
とも一側辺の近傍から外に向かい配置された複数のリー
ドと、前記アイランドに固着された絶縁性基板と、前記
絶縁性基板に貼着された導電性パターンと、前記絶縁性
基板に固着され、前記導電パターンと電気的に接続され
た複数のベアチップ状の半導体素子と、前記絶縁性基板
に固着され、前記導電パターンと電気的に接続されたチ
ップ状の受動素子と、前記リード、前記導電パターン、
前記複数の半導体素子または前記受動素子を電気的に接
続する金属細線と、前記リード、前記複数の半導体素
子、前記受動素子および金属細線を封止する樹脂封止部
とを有する半導体装置に於いて、 前記半導体素子の中の第１の半導体素子は、実質全域を
封止する第１の樹脂封止部でカバーされ、 前記半導体素子の中の第２の半導体素子は、その近傍に
配置された第１のリードと金属細線を介して接続され、 前記第２の半導体素子下層に配置された前記アイランド
と前記第１のリードは、前記第２の半導体素子を封止す
る第２の樹脂封止部の材料が硬化前にその間に配置でき
る間隔を有し、前記第２の樹脂封止部は、前記金属細線
もカバーする事を特徴とした半導体装置。 - 【請求項２】 前記アイランドは、前記第２の半導体素
子に向かって凹み部を有し、この凹み部に前記第１のリ
ードが延在される請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記第２の樹脂封止部は、前記第１の樹
脂封止部から露出し、その露出面と前記第１の樹脂封止
部は同一面を構成する請求項１または請求項２記載の半
導体装置。 - 【請求項４】 アイランドと、前記アイランドの少なく
とも一側辺近傍から外に向かい配置された複数のリード
と、前記アイランドに固着された複数のベアチップ状の
半導体素子および前記リードを封止する樹脂封止部とを
有する半導体装置に於いて、 前記半導体素子および前記リードは、実質全域を封止す
る第１の樹脂封止部で封止され、 前記半導体素子の中の第２の半導体素子は、その近傍に
配置された第１のリードと金属細線を介して接続され、 前記第２の半導体素子下層に配置された前記アイランド
と前記第１のリードは、前記第２の半導体素子を封止す
る第２の樹脂封止部の材料が硬化前にその間に配置でき
る間隔を有し、前記第２の樹脂封止部は、前記金属細線
もカバーする事を特徴とした半導体装置。 - 【請求項５】 前記リード間にチップ状の受動素子が固
着される請求項４記載の半導体装置。 - 【請求項６】 前記アイランドは、前記第２の半導体素
子に向かって凹み部を有し、この凹み部に前記第１のリ
ードが延在される請求項４または請求項５記載の半導体
装置。 - 【請求項７】 前記第２の樹脂封止部は、前記第１の樹
脂封止部から露出し、その露出面と前記第１の樹脂封止
部は同一面を構成する請求項４、請求項５または請求項
６記載の半導体装置。 - 【請求項８】 リードフレームを構成するアイランドま
たはこのアイランドに載置された絶縁性基板に複数の半
導体素子を実装し、 前記半導体素子の中の第１の半導体素子と前記リードフ
レームを構成する第１のリード、前記半導体素子の中の
第２の半導体素子と前記リードフレームを構成する第２
のリードを第１の金属細線および第２の金属細線で接続
し、 前記第２の半導体素子、前記第２の金属細線および前記
第２の金属細線が接続された前記第２のリードを封止す
る所定の粘度を持った封止樹脂を設け、 前記リードフレームを金型に配置し、前記封止樹脂を前
記金型に接触させた状態で、前記封止樹脂とは異なる樹
脂で封止する半導体装置の製造方法であり、 前記第２の半導体素子を封止する封止樹脂の材料が硬化
前に間に配置できる間隔を有する前記アイランドと前記
第１のリードを持った前記リードフレームを前もって用
意する事を特徴とした半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記封止樹脂は、前記リードフレームを
金型に配置した後に設ける請求項８記載の半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36250498A JP3378816B2 (ja) | 1998-12-21 | 1998-12-21 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36250498A JP3378816B2 (ja) | 1998-12-21 | 1998-12-21 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000183241A true JP2000183241A (ja) | 2000-06-30 |
| JP3378816B2 JP3378816B2 (ja) | 2003-02-17 |
Family
ID=18477023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36250498A Expired - Fee Related JP3378816B2 (ja) | 1998-12-21 | 1998-12-21 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3378816B2 (ja) |
Cited By (44)
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