JP2000182509A - エミッタ及びその製造方法 - Google Patents
エミッタ及びその製造方法Info
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Abstract
し、カーボンナノチューブ等の導電性を持つ粉末状の材
料をエミッタティップの先端部に形成して、より低電圧
で安定した電子放出を可能とするエミッタを製造するこ
と。 【解決手段】 この発明は、エミッタティップを形成す
るための所定パターンの凹部表面を有する母型を使用
し、少なくともその凹部表面の先端部に導電性を持つ粉
末状の材料を付着させる工程と、さらに凹部を埋設する
ようにエミッタ用材料を積層してエミッタを形成する工
程と、形成されたエミッタを母型から剥離させる工程と
を備えることを特徴とする。
Description
の製造方法に関し、特に、マイクロ真空管、マイクロウ
ェーブ素子、超高速演算素子、放射線環境(宇宙、原子
炉等)や高温環境での表示素子等に応用される微小冷陰
極の一つである電界放出陰極に利用されるエミッタ及び
その製造方法に関する。
子と比較し、電子の移動度が大きく、高速、高温動作、
放射損傷に強い。したがって今日、高輝度、低消費電力
が要求される表示素子として利用されつつある。
出陰極の一部分の構造の斜視図を示す。電界放出陰極
は、先端が尖ったエミッタティップ101と、エミッタ
ティップに負電圧を与えるエミッタ電極102と、電子
引出し用のゲート電極103とから構成される。図12
に示すように、エミッタティップ101とゲート電極1
02との間に電圧を印加すると、エミッタティップの先
端に大きな電界が加わり、電子放出が起こる。
示装置の概略構成図を示す。陰極板109では、ガラス
基板105上に、ストライプ状のエミッタ電極102が
形成され、絶縁層104を介して、エミッタ電極102
と直交する方向に、ゲート電極103が形成される。エ
ミッタ電極102とゲート電極103の交差部分である
画素106に、複数の電界放出陰極からなる微小陰極ア
レイ(FEA)が形成される。上方の陽極基板107の
表面に赤(R)、緑(G)、青(B)の3種の蛍光体1
08が形成され、電界放出陰極から出た放出電子が蛍光
体108に当たることによって発光を生じる。
トらが開発した製造方法が用いられる。図14に、スピ
ントらが開発した電界放出陰極(陰極板)の製造工程図
を示す。まず、図14の1)において、ガラスなどの絶
縁性基板116上に、エミッタ給電膜117を成膜し、
2)において、パターニングしてエミッタ電極102を
形成する。この後、3)において、プラズマCVD等に
より、絶縁膜118とゲート給電膜119をこの順に成
膜する。4)において、円径のゲート開孔部レジストパ
ターンを用いて、ゲート給電膜119と絶縁膜118を
それぞれエッチングして、口径が約1μmの円筒形のゲ
ート開口部120を形成する。
牲層材料を、ゲート開口部120の中のエミッタ給電膜
117には付着しないように、絶縁性基板116に対し
て斜め方向から蒸着し、犠牲層膜121を形成する。さ
らに、6)において、モリブデンなどのエミッタ用金属
材料122を絶縁性基板116に垂直に蒸着する。この
とき、時間が経つにつれて、エミッタ用金属材料の堆積
に伴い、ゲート開口部120は徐々に塞がり、完全に塞
がった時には図の6)のようにゲート開口部120内に
は円錐状のエミッタティップ101が形成されている。
酸水溶液などで選択的に溶解してエミッタティップ10
1以外のエミッタ用金属材料122を除去する。最後
に、図の8)のように、ゲート給電膜119を、所望の
形状にパターニングすれば微小な電界放出陰極が完成す
る。
れる電界放出陰極は、ディスプレイへ応用する場合に、
一画素あたりの電流強度が時間的に安定であることが必
要とされる。すなわち、先端から電子が放出されるエミ
ッタティップは、ディスプレイパネル内に存在するガス
等によって品質劣化の影響を受けない化学的に安定な材
料で形成する必要がある。
つ粉末状の材料や導電性を持つ酸化物等が考えられる
が、現在、このような材料を用いたコーン形状のエミッ
タティップはまだ提案されていない。
つ酸化物を用いた場合、スピント法による酸化物の蒸着
では、蒸着中に酸化物の分解が起こり、その結果酸化物
の組成が変化する可能性があり、安定した電子放出がで
きない。
慮してなされたものであり、エミッタティップの先端部
にカーボンナノチューブ等の導電性を持つ粉末状の材料
を形成して、より低電圧で安定した電子放出を可能とす
る構造を有するエミッタ及びエミッタの製造方法を提供
することを課題とする。
するための円筒形状の凸部を複数個備え、少なくとも前
記凸部の先端の表面部分に、導電性を持つ粉末状の材料
が多数付着していることを特徴とするエミッタを提供す
るものである。また、この発明は、エミッタティップを
形成するための所定パターンの凹部表面を有する母型を
使用し、少なくともその凹部表面の先端部に導電性を持
つ粉末状の材料を付着させる工程と、さらに凹部を埋設
するようにエミッタ用材料を積層してエミッタを形成す
る工程と、形成されたエミッタを母型から剥離させる工
程とを備えることを特徴とするエミッタの製造方法を提
供するものである。ここで、エミッタとは、電界放出陰
極のうち、負電圧が印加されるエミッタティップ及びエ
ミッタ電極からなる部分をいう。
る工程は、前記母型を所定の速度で回転させながら前記
導電性を持つ粉末状の材料を含む溶液を前記母型の凹部
表面に塗布し、その後乾燥させることから構成してもよ
い。また、前記導電性を持つ粉末状の材料を付着させる
工程は、導電性を持つ粉末状の材料を含む溶液を前記母
型の凹部表面に噴霧し、その後乾燥させることから構成
してもよい。
しては、カーボンナノチューブやハードカーボンのよう
な炭素化合物の粉末,酸化ジルコニウム等の酸化物の粉
末のいずれかを用いることができるが、特にカーボンナ
ノチューブを用いることが好ましい。前記エミッタ用材
料は、ニッケルなどの金属またはエポキシ系樹脂を用い
ることができる。前記母型は、シリコーンゴム形成用組
成物を材料とする樹脂またはニッケル等の金属で形成さ
れる。
ブを凹部表面から突き出した形状で形成するために、多
数の微小な気泡からなる多孔質状の凹部表面を備えてい
ることが好ましい。ここで、前記カーボンナノチューブ
を前記多孔質状の凹部表面を備えた母型に付着した後、
エミッタ用材料を積層する前に、より多くのカーボンナ
ノチューブが微小な気泡の中に突き出した形で入るよう
に、前記母型の凹部表面とは異なる側から真空吸引する
ことが好ましい。
形状の凸部を持つエミッタ元型の表面に樹脂形成用組成
物を充填し、硬化させた後、母型となる硬化させた樹脂
形成用組成物とエミッタ元型とを剥離させることによっ
て形成され、前記エミッタ元型は、エミッタティップと
同形状の凹部を持つシリコン凹型基板に所定強度のイオ
ンビームを照射し、イオンビームの照射によって凹部に
形成された微小な凹凸を覆うように樹脂を充填しかつ硬
化させ、エミッタ元型となる硬化された樹脂とシリコン
凹型基板とを分離することによって形成されるようにし
てもよい。
形状の凸部表面を持ちかつその凸部表面がポーラス化さ
れたエミッタ元型の表面に樹脂形成用組成物を充填し、
硬化させた後、母型となる硬化させた樹脂形成用組成物
とエミッタ元型とを剥離させることによって形成される
ようにしてもよい。また、前記母型が電鋳によって作成
された金属型である場合、前記カーボンナノチューブを
付着する工程は、CVD法によって母型の凹部表面上に
カーボンナノチューブを蒸着させる工程を用いてもよ
い。
の発明を詳述する。なお、これによってこの発明が限定
されるものではない。この発明の製造方法で作成される
電界放出陰極は、図12に示したものと同様に、エミッ
タティップ、エミッタ電極及びゲート電極とから構成さ
れる。また、特に、エミッタティップ及びエミッタ電極
からなる部分を「エミッタ」と呼ぶことにする。
タの製造工程の概略フローチャートを示す。まず、表面
にエミッタティップとほぼ同形状の凸部を持つ「エミッ
タ元型」を形成する(ステップS1)。エミッタ元型の
形成方法は、従来から種々のものが提案されているが、
たとえば、IVMC’95,Tech,Digest,
186頁(1995)に示された方法を用いることがで
きる。エミッタ元型の材料としては、たとえばシリコン
を用いることができる。
表面全体をおおうように、樹脂を充填し、硬化させる
(ステップS2)。これによってエミッタティップを製
造するための樹脂製の母型(凹型スタンパ)が形成され
る。樹脂としては、剥離のしやすさの点から、シリコー
ンゴム形成用組成物を用いることが好ましい。この後、
硬化させた樹脂製の母型をエミッタ元型から剥離する
(ステップS3)。
の導電性を持つ粉末状の材料を樹脂製の母型の凹部に付
着後、樹脂製の母型の凹部を完全に埋設し、かつ樹脂製
の母型の表面に薄膜状のエミッタを形成するようにエミ
ッタ用金属材料(たとえばニッケル)を形成する(ステ
ップS4)。さらに、薄膜状のエミッタの上に、エミッ
タティップへの給電ライン(エミッタ電極)となるべき
陰極配線金属膜(たとえば銅、ニッケル)を形成する
(ステップS5)。以上により、電界放出陰極のエミッ
タが樹脂製の母型上に形成される。この後、電界放出陰
極のエミッタを樹脂製の母型から剥離する(ステップS
6)。
の製造工程の概要フローであるが、特に製造工程のうち
ステップS4において、薄膜状のエミッタを形成する前
に、導電性を持つ粉末状の材料を樹脂製の母型の凹部に
付着させることが、この発明の特徴である。以下に、こ
の導電性を持つ粉末状の材料として、カーボンナノチュ
ーブを用いた、電界放出陰極の製造工程の実施例につい
て説明する。
放出陰極の製造工程を示す。図2(a)において、シリ
コン基板からなるエミッタ元型1を形成する。フラット
なシリコン基板の表面の所定の位置をマスクして、CF
4ガスを用いてエッチングすることにより、コーン形状
の表面を形成する。さらに、この表面を熱酸化させるこ
とにより、非常に強固で尖った先端を持つエミッタティ
ップと同形状の表面を形成することができる。
るべき樹脂を、エミッタ元型の表面全体に充填し、加熱
することにより硬化させる。ここで樹脂としては、シリ
コーンゴム形成用組成物を用いればよく、たとえば信越
シリコーンゴム製のKE−12を用いることができる。
ゴム製の母型2をエッチング等を利用してエミッタ元型
1から離型する。これによって、シリコーンゴム製の母
型2の表面には、エミッタティップと反対の凹部の表面
形状が形成される。
ンナノチューブの付着を行う。この付着のために、ま
ず、図5に示すスピンコート法により、カーボンナノチ
ューブを添加したイソプロピルアルコール(IPA)の
混濁液15を、一定速度で回転させた母型2の凹型形状
の表面に滴下して塗布する。
せ、IPAのみを蒸発させる。この蒸発により、カーボ
ンナノチューブのみが母型2の凹型形状の表面に残る。
さらに、蒸着あるいはめっき法を用いて、エミッタ用金
属材料3を、カーボンナノチューブが形成された凹型形
状表面に薄膜状に形成する(図2(d))。エミッタ用
金属材料3としては、ニッケルを用いる。
エミッタティップへの給電ラインとなる陰極配線材料の
膜4を形成する。陰極配線材料としては、エミッタ用金
属材料3と同じ材料を用いればよいが、銅を用いてもよ
い。この陰極配線膜4は厚膜として形成する必要がある
ために、電解めっき法を用いることが好ましい。以上に
よって、薄膜3と陰極配線膜4とからなるエミッタが形
成される。
ーンゴム製の母型2とエミッタとを分離する。この剥離
は、前記したように、母型2がシリコーンゴムでできて
いるために、特殊な作業、材料は必要とせず、手作業で
も容易にできる。剥離されたエミッタの凸型表面である
エミッタティップの先端部分9には、図4に示すよう
に、カーボンナノチューブ8が多数付着している。陰極
配線膜4に負電圧をかけると、この多数のカーボンナノ
チューブ8から電子が放出される。
より、ゲート電極を含む電界放出陰極が完成する。図2
(g)において、エミッタティップが形成された表面全
体を覆うように、図のように絶縁膜5を形成する。絶縁
膜5としては、SiO2を用いればよい。絶縁膜5の形
成は、プラズマCVD法による他、スパッタ法やSOG
等を用いてもよい。
薄いゲート電極膜6を形成する。ゲート電極膜6の材料
は、モノブデンシリサイドを用いることができる。ゲー
ト電極膜6の形成は、スパッタ法、真空蒸着法等を用い
ればよい。
上方部にゲート口7を形成するために、エミッタティッ
プ上方のゲート電極膜6の一部分を除去する。ゲート電
極膜6の除去は、マスクパターンを用いて残したいゲー
ト電極膜6の部分にレジストを塗布し、レジストのない
部分をエッチング又は研磨することによって行う。
7の下部にある絶縁膜5を除去する。絶縁膜5の除去
は、CF4ガスによるリアクティブイオンエッチング
(RIE)あるいはフッ酸によるウエットエッチングを
用いればよい。このようなエッチングを所定の条件(時
間及び温度)のもとで行えば、図2(j)に示すような
開口が形成でき、エミッタティップを露出させることが
できる。以上によって、ゲート電極も含んだ電界放出陰
極が作成される。
陰極は、エミッタティップの先端部分9に、多数のカー
ボンナノチューブ8が付着しているので、封入されるガ
ス等によって影響を受けることがなく比較的低電圧で安
定した電子放出が可能である。
スピンコート法により混濁液15を塗布する方法を示し
たが、図6に示すように、カーボンナノチューブを含む
IPA混濁液15をスプレーに入れ、母型2の凹型形状
表面に噴霧してもよい。その後、同様に、120℃での
乾燥工程を行ってIPAのみを蒸発させれば、カーボン
ナノチューブ8のみが凹型形状表面に残る。
母型2としては、シリコーンゴム製のものを用いる例を
示したが、ニッケル電鋳により作成した金属型を用いて
もよい。金属型を用いれば、耐熱性,耐久性を増加させ
ることができる。
す。図3(a)は、図2(a)と同じエミッタ元型1を
示している。図3(b)において、エミッタ元型1の凸
型表面上に、シリコーンゴム製の樹脂10を充填した
後、加熱して硬化させる。
型10を、エッチング等を利用してエミッタ元型1から
剥離する。図3(d)において、樹脂製母型10の凹型
表面全体に、塩ビペーストレジン11を注入し、真空脱
泡を行い加熱硬化させる。この樹脂11によって形成さ
れた型(以下、樹脂エミッタ型という)は、その表面に
エミッタティップの凸型形状を有するものである。
ら、樹脂エミッタ型11を剥離する。次に、図3(f)
において、この樹脂エミッタ型11の凸型表面に、導電
性を付与するために無電解めっきあるいは乾式めっきに
より薄くめっきを行う。この後、スルファミン酸浴を用
いた普通濃度浴から高濃度浴の高電流密度で電鋳し、ニ
ッケル12を形成する。そして、ニッケル12を樹脂エ
ミッタ型11から剥離すれば、母型2となる金属型12
が完成する。
タを形成する工程の説明図を示す。図7(a)におい
て、金属型12の凹型表面上に、カーボンナノチューブ
を含む混合樹脂13を印刷等の方法により塗布する。こ
こで、混合樹脂13は、エチルセルロース5gとテルピ
ネオール100gとを6時間程度、乳鉢によって混合し
た樹脂にカーボンナノチューブを所定量混合したもので
ある。
気雰囲気中で焼成して、樹脂成分を蒸発させると、カー
ボンナノチューブのみの膜14が金属型12の凹型表面
上に残る。そして、図7(c)において、カーボンナノ
チューブの膜14の上にニッケルなどのエミッタ用金属
材料3を充填し、薄膜状のエミッタ3を形成する。この
後、前記した図2(e)から図2(j)に示したのと同
じ工程を行えば、電界放出陰極が完成する。
て、多数の気泡を有する樹脂母型を用いてもよい。多数
の気泡を有する樹脂母型を用いれば、その表面が微小な
凹部を有する多孔質状となるので、この微小な凹部にカ
ーボンナノチューブが立った形で入り込み、エミッタテ
ィップの先端部分の表面からカーボンナノチューブが突
き出た構造となりやすい。すなわち、カーボンナノチュ
ーブがエミッタティップ表面から突き出た構造であるた
め、より低電圧で安定した電子放出が可能となる。
(b)において、空気を十分取りこむようにして樹脂の
主剤と硬化剤とを混合したものをエミッタ元型1の表面
全体に充填することによって形成できる。この充填後、
樹脂母型2を加熱によって硬化させれば、樹脂母型2の
表面及び内部が多数の気泡を有する多孔質状となる。
前記したようにスピンコート法やスプレー等によってカ
ーボンナノチューブ8を塗布すれば、表面の微小な気泡
にカーボンナノチューブ8が入り込み、カーボンナノチ
ューブ8はエミッタティップ表面から突き出た形で形成
される。この後、前記したのと同様に、エミッタティッ
プ材料3の形成(図2(d))から絶縁膜の除去(図2
(j))までの処理を行えば電界放出陰極が作成でき
る。
8を、エミッタティップの表面から突き出た形で形成す
る方法としては、樹脂母型2の凹型表面の反対側から真
空吸引する方法もある。
す。図8(a)は、前記したように、表面及び内部に多
数の気泡を有する多孔質状の樹脂母型2を示している。
図8(b)に示すように、この母型2の凹型表面に、カ
ーボンナノチューブ8を含む混濁液15を塗布する。こ
の状態でも、ある程度は、カーボンナノチューブ8が、
気泡の中に入って突き出た形状となっている。
表面の反対側、すなわち紙面の下方から真空吸引する。
この真空吸引により、母型内部の気泡を通して、カーボ
ンナノチューブ8が下方へ吸引され、より多くのカーボ
ンナノチューブを気泡の中に入り込ませることが可能と
なる。この後、前記したように図2(d)以降の処理を
行えば、電界放出陰極が作成できる。このような真空吸
引により、より多くのカーボンナノチューブを気泡中に
突き出させた構造とすれば、さらに低電圧での電子放出
が可能となる。
成するために、エミッタ元型1の表面がポーラス状にな
るように化成処理して、エミッタ元型1を作成してもよ
い。図9に、この発明のエミッタ元型1の表面をポーラ
ス状にする化成処理の説明図を示す。図9において、エ
ミッタ元型1がn型シリコンで作成されている場合、H
F:H2O:C2H5OH(=1:1:2)溶液中に、エ
ミッタ元型1と対向電極としてのPt電極とを浸漬し、
エミッタ元型1に正電圧、Pt電極に負電圧を印加す
る。
マーランプを照射し、エミッタ元型とPt電極間に電流
密度40mA/cm2 の電流を30秒間流す。これによ
り、エミッタ元型1の表面は酸化され、470nm程度
の膜厚のポーラス層ができる。このエミッタ元型1を用
いて、図2(b)及び図2(c)の処理を行えば、表面
に多数の気泡を有する樹脂母型2を作成することがで
き、カーボンナノチューブが気泡の中に入り込んで突き
出た形のエミッタティップが形成される。
を作成するために、シリコン凹型基板を用い、このシリ
コン凹型基板の凹型表面にイオンビームを照射してもよ
い。イオンビームの照射によりシリコン凹型基板の凹型
表面に微小な凹凸ができる。図10に、この発明のエミ
ッタ元型1の製造工程の説明図を示す。
上のエミッタティップを形成しない領域に、マスクパタ
ーンを用いて、熱酸化膜22(SiO2)を形成する。
図10(b)において、CF4等を用いた異方性エッチ
ングを行う。これにより、熱酸化されていないシリコン
基板21の表面に逆ピラミッド形状のくぼみが形成され
る。
に対して熱酸化を行う。符号23が、熱酸化部分であ
る。これにより、図10(c)に示すように、くぼみの
表面が酸化され、逆ピラミッド形状の側面が盛り上が
り、エミッタティップ形状に相当するくぼみが形成され
る。すなわち逆ピラミッド形状の先端がより先鋭化され
る。
21のくぼみの表面に、イオンビームを照射すると、表
面に微小な凹凸が形成される(図10(e))。イオン
ビームは、たとえば2kV程度に加速された電流値1μ
A程度のArイオンビームを用いればよい。図10
(f)において、シリコーンゴム形成用組成物等の樹脂
24をくぼみが形成された表面全体に埋め込み硬化させ
る。図10(g)において、埋め込まれた樹脂24を、
剥離によってシリコン基板21から離型する。このよう
にして離型された樹脂24を、エミッタ元型1として用
いる。くぼみの表面には微小な凹凸が形成されているの
で、樹脂24の凸型表面にも微小な凹凸が形成されてい
る。
した図2(b)及び図2(c)の処理を行えば、表面に
多数の気泡を有する樹脂母型2を作成することができ
る。イオンビームを用いて表面に凹凸を有するエミッタ
元型1を作成する場合には、イオンビームのエネルギー
を調整することにより、エミッタ元型の表面上の微小な
凹凸の形状をきめ細かく制御することができる。したが
って、イオンビームのエネルギーの微調整により、より
多くのカーボンナノチューブをエミッタティップ表面か
ら突き出させることが可能である。
金属型12を用いてエミッタを形成する実施例を示した
が、図7(a),(b)に示したような塗布、焼成工程
のかわりに、図11に示すようなCVD法(chemical v
apor deposition)を用いて、金属型12をカーボンナ
ノチューブ生成雰囲気中にさらす(図11(a))こと
により、金属型12の凹型表面にカーボンナノチューブ
の膜14を形成することもできる(図11(b)参
照)。
ーブの膜14上に、エミッタ用金属材料3を充填すれ
ば、表面にカーボンナノチューブが形成された薄膜状の
エミッタが作成できる。このCVD法によれば、カーボ
ンナノチューブの膜厚を微調整できるので、より適切な
量のカーボンナノチューブをエミッタティップの先端部
に付着させることができる。
の物質をエミッタティップの先端部に形成しているの
で、ガス等の影響を受けず、より低電圧で化学的に安定
した電子放出が可能となる電界放出陰極を提供すること
ができる。
ーチャートである。
の説明図である。
にカーボンナノチューブが多数付着した状態を示す説明
図である。
ボンナノチューブを含む混濁液を塗布する場合の説明図
である。
ナノチューブを含む混濁液を母型の凹型形状表面に噴霧
する場合の説明図である。
工程の説明図である。
する化成処理の説明図である。
である。
法を用いた製造工程の説明図である。
る。
図である。
工程図である。
Claims (13)
- 【請求項1】 電子を放出するための円筒形状の凸部を
複数個備え、少なくとも前記凸部の先端の表面部分に、
導電性を持つ粉末状の材料が多数付着していることを特
徴とするエミッタ。 - 【請求項2】 前記導電性を持つ粉末状の材料が、カー
ボンナノチューブ,ハードカーボンまたは酸化物の粉末
のいずれかであることを特徴とする請求項1記載のエミ
ッタ。 - 【請求項3】 前記凸部が、金属またはエポキシ系樹脂
で形成されていることを特徴とする請求項1または2記
載のエミッタ。 - 【請求項4】 エミッタティップを形成するための所定
パターンの凹部表面を有する母型を使用し、少なくとも
その凹部表面の先端部に導電性を持つ粉末状の材料を付
着させる工程と、さらに凹部を埋設するようにエミッタ
用材料を積層してエミッタを形成する工程と、形成され
たエミッタを母型から剥離させる工程とを備えることを
特徴とするエミッタの製造方法。 - 【請求項5】 前記導電性を持つ粉末状の材料を付着さ
せる工程が、前記母型を所定の速度で回転させながら前
記導電性を持つ粉末状の材料を含む溶液を前記母型の凹
部表面に塗布し、その後乾燥させることからなることを
特徴とする請求項4記載のエミッタの製造方法。 - 【請求項6】 前記導電性を持つ粉末状の材料を付着す
る工程が、導電性を持つ粉末状の材料を含む溶液を前記
母型の凹部表面に噴霧し、その後乾燥させることからな
ることを特徴とする請求項4記載のエミッタの製造方
法。 - 【請求項7】 前記導電性を持つ粉末状の材料が、カー
ボンナノチューブ,ハードカーボンまたは酸化物の粉末
のいずれかであることを特徴とする請求項4,5または
6記載のエミッタの製造方法。 - 【請求項8】 前記母型が、シリコーンゴム形成用組成
物を材料とする樹脂または金属で形成されていることを
特徴とする請求項7記載のエミッタの製造方法。 - 【請求項9】 前記母型が、多数の微小な気泡からなる
多孔質状の凹部表面を備えていることを特徴とする請求
項7記載のエミッタの製造方法。 - 【請求項10】 前記導電性を持つ粉末状の材料を前記
多孔質状の凹部表面を備えた母型に付着させた後、エミ
ッタ用材料を積層する前に、導電性を持つ粉末状の材料
が微小な気泡の中に突き出した形で入るように、前記母
型の凹部表面とは異なる側から真空吸引することを特徴
とする請求項9記載のエミッタの製造方法。 - 【請求項11】 前記母型が、エミッタティップと同
形状の凸部表面を持ちかつその凸部表面がポーラス化さ
れたエミッタ元型の表面に樹脂形成用組成物を充填し、
硬化させた後、母型となる硬化させた樹脂形成用組成物
とエミッタ元型とを剥離させることによって形成される
ことを特徴とする請求項9記載のエミッタの製造方法。 - 【請求項12】 前記母型が、エミッタティップと同形
状の凸部を持つエミッタ元型の表面に樹脂形成用組成物
を充填し、硬化させた後、母型となる硬化させた樹脂形
成用組成物とエミッタ元型とを剥離させることによって
形成され、前記エミッタ元型が、エミッタティップと同
形状の凹部を持つシリコン凹型基板に所定強度のイオン
ビームを照射し、イオンビームの照射によって凹部に形
成された微小な凹凸を覆うように樹脂を充填しかつ硬化
させ、エミッタ元型となる硬化された樹脂とシリコン凹
型基板とを分離することによって形成されることを特徴
とする請求項9記載のエミッタの製造方法。 - 【請求項13】 前記母型が電鋳によって作成された金
属型であって、かつ導電性を持つ粉末状の材料がカーボ
ンナノチューブである場合、前記導電性を持つ粉末状の
材料を付着させる工程が、CVD法によって母型の凹部
表面上にカーボンナノチューブを蒸着させる工程からな
ることを特徴とする請求項8記載のエミッタの製造方
法。
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