JP2000180837A - 液晶装置およびこれを用いた液晶表示装置 - Google Patents

液晶装置およびこれを用いた液晶表示装置

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JP2000180837A
JP2000180837A JP11268719A JP26871999A JP2000180837A JP 2000180837 A JP2000180837 A JP 2000180837A JP 11268719 A JP11268719 A JP 11268719A JP 26871999 A JP26871999 A JP 26871999A JP 2000180837 A JP2000180837 A JP 2000180837A
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light
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Takeshi Ichikawa
武史 市川
Katsumi Kurematsu
榑松  克巳
Osamu Koyama
理 小山
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Canon Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶装置の構成において、ディスクリネーシ
ョンなどの配向が乱れている部分(領域)を回避し、良
質な画質を確保できる液晶装置およびこれを用いた液晶
表示装置を提供する。 【解決手段】 画素電極上に封入された液晶と前記液晶
に電圧を印加する駆動部及びマイクロレンズを備えた液
晶装置において、前記マイクロレンズが液晶に集光する
光軸と、画素電極もしくは画素電極の開口部の重心と
を、少なくともプレチルト方向に対応して発生している
ディスクリネーションを避けるように、相対的に位置設
定していることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロレンズ付
の液晶装置およびこれを用いた液晶表示装置に関し、特
に、フルカラー液晶表示装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】今日のマルチメディア時代においては、
画像情報でコミュニケーションを図る機器の重要性が、
ますます高まりつつある。中でも、液晶表示装置は、薄
型で消費電力が小さいため、衆目を集めており、既に、
半導体に並ぶ基幹産業にまで成長している。この液晶表
示装置は、現在、10インチサイズなどの、画面を持っ
たノート型パソコンに、主に使用されているが、将来
は、パソコンのみならず、ワークステーションや家庭用
のテレビとして、さらに、大きい画面サイズのものにも
採用されると考えられる。
【0003】しかし、画面の大型化に伴い、その製造装
置が大規模化し、高価になるばかりでなく、大画面を駆
動するためには、これに伴う電気的に厳しい特性が要求
されるので、画面の大型化と共に、製造コストが画面サ
イズの2〜3乗に比例して急激に増加するという問題が
ある。
【0004】そこで、最近、小型の液晶表示パネルを作
成しておき、これによって表示される液晶画像を、光学
的に拡大して表示するプロジェクション(投影)方式が
注目されている。これは、半導体装置の高密度化、微細
化に伴い、性能向上やコスト低減についてのスケーリン
グ則と同様に、サイズを小さくして、特性を向上させ、
同時に、低コスト化も図ることができるからである。
【0005】これらの点から、液晶表示パネルをTFT
型とした時、十分な駆動力を有する小型のTFTが要求
され、また、このTFTも、アモルファスSiを用いた
ものから多結晶Si、更には、単結晶Si基板を用いた
ものへと移行しつつある。
【0006】しかし、通常のテレビに使われるNTSC
規格などの解像度レベルの映像信号は、あまり高速の処
理を必要としない。このため、TFTのみでなく、シフ
トレジスタもしくはデコーダといった周辺駆動回路ま
で、多結晶Siもしくは単結晶Siで製造して、表示領
域と周辺駆動回路とを一体構造にした液晶表示装置がで
きるようになった。
【0007】このような構造の液晶装置を用いた液晶表
示装置の例として、投射型液晶表示装置が知られている
が、この液晶表示装置では、偏向光を入射し、表示画像
に対応して変調された出射光を出射し、拡大投影する方
法が一般に採用されている。また、ここでは、マイクロ
レンズを用いて、液晶装置の開口率(画素電極の開口部
の領域)を上げる構成も提案されている。
【0008】この構成を図20〜23を用いて説明す
る。図において、符号201は光源、202は赤(R)
のダイクロイックミラー、203は緑(G)のダイクロ
イックミラー、204は青(B)のダイクロイックミラ
ー、205は液晶装置、206はフレネルレンズ、20
7は投影レンズ、208はスクリーンである。
【0009】光源201から出た平行光線は、各ダイク
ロイックミラーによりRGBのそれぞれの光線に分離さ
れ、液晶装置205に入射される。液晶装置205内で
は、各RGBの画素に対応する液晶にかかる電圧を制御
し、出射光を画像に対応する輝度に変調し、光束を集光
するためのフレネルレンズ206、投影レンズ207を
通して、スクリーン208上に拡大する。
【0010】図21の(a)には、マイクロレンズ付の
液晶装置(上述の205に対応)の画素配列の例が示さ
れている。ここで、符号211はマイクロレンズ、21
2はRGBに対応する画素電極、213はその開口部で
ある。この図のA−A′部の断面図は、図22に示され
ている。ダイクロイックミラーで分離、反射されたG光
は、マイクロレンズ211の上方から垂直に入射し、G
の画素(電極)面において集光する。一方、R、B光
は、それぞれ、ある角度を持って、マイクロレンズ21
1に入射し、各々、R、Bの画素(電極)面で集光す
る。このような構造するために、画素電極の基板につい
ては、例えば、図23で示すTFT型の構成を用いるこ
とができるが、特に、その構成に限定されることはな
い。
【0011】ここでは、ゲート106、信号線と接続す
るソース領域150、ドレイン領域103(なお、10
7はライトリードープのドレイン領域である)、ドレイ
ン電極108a、108bおよび、液晶に印加する電圧
を与えている画素電極508で形成されるTFTが、ガ
ラス基板101上に形成されている。
【0012】なお、符号621は対向基板(図にはマイ
クロレンズが省略されている)であり、また、622は
ブラックマトリクス、623は対向基板621にある透
明対向電極、401、221は配向膜で、その間に液晶
611が封入されている。一般に、この配向膜401、
221は、ラビング方法により封入される液晶が、ある
角度θ(プレチルト角)を持って若干の傾きを持つよう
に、形成される。その原理は、特開平8−334770
号公報に記載されている。例えば、液晶が垂直配向する
ようなものの場合、配向膜によって、液晶が垂直方向か
らθ傾いて(本願ではプレチルト方向と呼ぶ)、並ぶよ
うになる。そして、この液晶に電圧が印加されると、液
晶はそれぞれ、このプレチルト方向に沿って傾くことに
なる。また、符号110は層間絶縁膜である。
【0013】液晶に電圧を印加するアクティブマトリク
スの等価回路図は、例えば、図24に示す構成になる。
ここで、符号121、122は水平シフトレジスタ、1
23は垂直シフトレジスタ、124〜129、121
0、1211はビデオ信号用のビデオ線、1212〜1
221はビデオ信号を水平シフトレジスタ121、12
2からの走査パルスに応じてサンプリングするためのサ
ンプリングMOSトランジスタ、1224〜1235は
ビデオ信号が供給される信号線、1236は画素部のス
イッチングMOSトランジスタ、1237は画素電極と
共通電極との間に挟持されている液晶、1238は画素
電極に付随する付加容量である。
【0014】また、符号1239〜1241は垂直シフ
トレジスタ123の水平走査出力用駆動線、1242〜
1245は水平シフトレジスタ121、122からの垂
直走査用の出力線である。
【0015】この等価回路では、入力されたビデオ信号
が、サンプリングMOSトランジスタ1212〜122
3を通して、水平シフトレジスタ121、122の垂直
走査制御信号1242〜1245により、サンプリング
される。この時、垂直シフトレジスタ123の水平走査
制御信号1239が出力状態であると、画素部のスイッ
チングMOSトランジスタ1236がオン動作し、サン
プリングされた信号線電位が画素に書き込まれる。
【0016】一方において、従来から、この種のマイク
ロレンズ付液晶パネルとそれを用いた液晶表示装置につ
いては、既に特開平8−114780号公報に開示され
ているが、この場合のマイクロレンズ付液晶パネルとし
ては、透過型のものを使うのが一般的であった。
【0017】その構成は図25に示したように画素18
とマイクロレンズ16との間に液晶17が位置するもの
で、RGBの各原色照明光を、それぞれ異なる角度から
液晶パネルに当てて、マイクロレンズ16の集光作用に
より、各色光がそれぞれ異なる画素18に当たるように
し、カラーフィルターを除くと共に高い光利用率を可能
にしている。このような投写型表示装置は、単板液晶パ
ネルにても、明るいフルカラー映像を投写表示すること
が可能であり、製品として徐々に市場にも出始めてい
る。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では、近年、画質向上が必要とされ、より微細画素
が要求されるため、隣接する画素電極同士の電界によ
り、ディスクリネーションと呼ばれる液晶の配向制御の
乱れが生ずる領域が存在し、画質の低下をもたらすとい
う課題がある。
【0019】このことを、図21の(b)に示す画素付
近の拡大図を参照して説明する。ディスクリネーション
は、プレチルトの方向に対応して発生するものであり、
この例では、配向膜で、45°の方向にプレチルトさせ
た場合のディスクリネーションを符号214で示す。ま
た、マイクロレンズ211の集光スポットを符号215
で示す。本来、この集光スポット215内にディスクリ
ネーション214が存在するのは好ましいことでなく、
コントラストの低下(画質低下)の原因となる。一方、
ディスクリネーション214を避けるには集光スポット
を小さくするか、個々の画素を大きくして、実質の開口
率(画素電極212に対応する開口部213の割合)を
下げなくてはならない。しかし、一定の大きさ(面積)
の中で、画素数が増えると、画素サイズを小さくしなく
てはならず、そうなると、この問題は更に深刻なものと
なる。また、集光スポットを小さくすると、光学的制約
から収差や光源の大きさを変更できず、光束をカットし
なければならず暗くなってしまう。
【0020】また、従来のマイクロレンズ付の液晶素子
においては、例えば、上述のように(図25で示す従来
例)、その投写表示画像は、RGBの各画素18がスク
リーン上に拡大投影されたものとなるため、図26に示
したように、RGBのモザイク構造が目立ってしまい、
これが表示画像の品位を著しく低下してしまうという欠
点を有していた。
【0021】本発明は、上記事情に基づいてなされたも
ので、その第1の目的とするところは、液晶装置の構成
において、ディスクリネーションなどの配向が乱れてい
る部分(領域)を回避し、良質な画質を確保できる液晶
装置およびこれを用いた液晶表示装置を提供するにあ
る。
【0022】また、本発明の第2の目的とするところ
は、特に、図27の如く、1つ1つの画素がRGBに別
れている単板式投写型の液晶表示装置において、モザイ
クの無い、同画素混色されたフルカラー投影像の表示を
可能にした液晶装置を提供するにある。
【0023】
【課題を解決するための手段】このため、本発明では、
複数の画素電極をマトリックス状に備えたマトリックス
基板と、前記画素電極に対向する対向電極を備えた対向
基板と、の間に液晶材料を配して構成される液晶表示装
置において、マイクロレンズが液晶に集光する光軸と、
画素電極もしくは画素電極の開口部の重心とを、少なく
ともプレチルト方向に対応して発生しているディスクリ
ネーションを避けるように、相対的に位置設定されてい
ることを特徴とする。
【0024】この場合、マイクロレンズの光軸に対し
て、ディスクリネーションを避けるように配向制御のさ
れた画素電極もしくは画素開口部の重心位置を合わせる
ように位置設定しているのがよい。
【0025】また、本発明の液晶装置では、RGBの各
基本画素の配列において、第1の方向とこれと異なる第
2の方向に、これら3原色画素の内、それぞれ異なる2
色の組み合わせの色画素が、交互に並ぶように配列する
とともに、該画素配列に対して、2画素ピッチになるよ
うに、2次元マイクロレンズアレイを備えていることを
特徴とする。
【0026】これにより、1つの絵素を構成する1組の
RGB画素からの液晶による変調後の反射光が同一のマ
イクロレンズを通じて出射するので、RGBモザイクの
無い質感の高い良好なカラー画像投写表示が可能とな
る。また、各画素からの光束はマイクロレンズを2回通
過してほぼ並行化されるので、開口数の小さい安価な投
影レンズを用いてもスクリーン上で明るい投影画像を得
ることが可能になる。
【0027】そして、前記液晶装置を用いて、液晶表示
装置を構成する場合、高開口率で明るい反射型液晶装置
を高画質で提供するために、前記液晶装置が反射電極を
有していること、あるいは、透過型であることが好まし
い。
【0028】本願で用いられているマイクロレンズは、
色分離、集光、偏光分離の各機能を有している。
【0029】
【発明の実施の形態】(第1の実施の形態)本発明の好
ましい実施の形態を、図1および図2を参照して、具体
的に説明する。図2に上基板621側のラビング方向を
実線で示し、下基板101側のラビング方向を点線で示
す。ラビングの押し込み量は0.5mmである。なお、
これは、先述の従来例で示した図21の構成に対応す
る。ここでは、マイクロレンズ211の光軸を画素開口
部の重心に位置させず、ディスクリネーション214な
どの、配向が乱れている部分(領域)を避けるように位
置規定されている。この実施の形態では、その光学的構
成が、従来例で示した図20と同様であり、マイクロレ
ンズ付の単板式の液晶装置で、対向基板と画素電極基板
との位置関係を、少なくともプレチルト方向に対応して
発生しているディスクリネーションを避けるように、相
対的に位置設定すればよい。
【0030】しかし、逆にマイクロレンズ付の液晶装置
で、対向基板と画素電極の位置関係が従来と同様でも、
光学的に、マイクロレンズ211に入れる入射光の角度
を調整して、マイクロレンズ211による集光スポット
215を画素の中心からずらしても、同様な効果が得ら
れることはいうまでもない。
【0031】要するに、ここで重要なのは、画素電極面
でのマイクロレンズ211の集光スポット215、即ち
マイクロレンズ211の中心とスポット215の中心を
結ぶ光軸がディスクリネーション214などの配向の乱
れている部分(領域)に掛からないように、画素電極の
中心からずれていることが、ポイントなのである。
【0032】次に、本発明に係わる液晶装置を用いた投
射型液晶表示装置の一般的構成について説明する。その
光学システムは、前述した図20と同様であるが、ここ
では、更に詳細に説明することとする。ここでの光源2
01には、メタルハライドやハロゲンランプを用いてお
り、そのアーク長は短かい方がより好ましく、リフレク
ターにより平行光にする。また、ここでは、フライアイ
レンズを用いて、高効率の集光システムとしている。た
だし、本質的には、これに限定されることなく、例え
ば、楕円リフレクターを用い、ロットインテグレータを
用いて、光をスクランブルして、均一照明を可能とする
システムを採用しても構わない。
【0033】そして、各ダイクロイックミラー202〜
204により色分解を行い、液晶装置205に入射する
が、ここでは、液晶に垂直配向液晶(誘電異方性:負)
を用い、複屈折性を利用したECB(Electric
ally Controlled Birefring
ence)モードで、光の変調を行う方式を採用した。
従って、液晶装置205の前後に偏光板を挿入し(クロ
スニコル方式)、電圧が掛からない状態では黒表示(ノ
ーマリーブラック)が、また、電圧が掛かると、その電
圧に応じて、白表示がアナログ階調で出力できる構成の
液晶装置とした。次いで、液晶装置から出射した光は、
フレネルレンズ206、投影レンズ207を透過し、ス
クリーン208に投影される。
【0034】本実施例では、液晶材料として、MLC6
608(メルク社)製を用いる。液晶厚は3μmであ
る。
【0035】次に、この液晶装置の画素電極を構成する
基板について、具体的に説明する。ここでは、前述した
従来例と同様な、アクティブマトリクス型n型TFTを
用いた(以下、図23を参照)。しかし、特にこれに限
定されることはなく、単純マトリクス型であっても、ま
た、p型、CMOS型を用いても問題はなく、裏面をエ
ッチングで抜いた半導体基板やSOI(silicon
On Insulator)基板を用いても問題ない
ことはいうまでもない。
【0036】ここで採用するTFTの形成法として、低
温Poly−SiTFTを用いた場合のプロセスについ
て説明する。まず、ガラス基板101をバッファー酸化
し、ついで、約50nmのa−Siを、通常のLPCV
D(Low Pressure Chemical V
apor Deposition)で425℃のSi2
6 ガスで堆積し、その後に、KrFエキシマレーザー
により多結晶化させ150,170,103の層を形成
する。次に、10〜100nmの酸化膜105を成膜
し、ゲート酸化膜とした。
【0037】そして、ゲート電極106を形成した後、
ソースドレインがイオンドーピング法で形成される。不
純物の活性化は、窒素雰囲気中で、300℃〜400℃
にて、1〜3時間を掛けて行い、SiO2からなる50
0nmの厚さの絶縁膜110を形成した後に、コンタク
トホールのパターニングを行い、ついで、配線層を形成
する(これを形成する際に、ドレイン電極108a、1
08bが構成される)。例えば、ここではバリアメタル
としてTiNを用い、シリコンが0.5〜2%ドープさ
れたAl配線を用いる。なお、電極材料としては、通常
の半導体やTFTプロセスで使用される材料である、他
のAl合金、W、Ta、Ti、Cu、Cr、Mo、また
は、これらのシリサイドなどでも構わないのであって、
適宜に使用される。
【0038】これにより、低温で且つ高性能なTFTが
形成できるため、大面積化や低価格化ができる。ここで
は、低温Poly−SiTFTについて記述したが、特
に、この方法に限定されることはなく、イオン注入や固
相成長法などを用いて、高性能Poly−SiTFTを
作成し、周辺まで含めた回路を一体形成しても構わない
し、特に、高性能Poly−SiTFTの液晶装置に限
らず、通常のPoly−SiTFTやa−SiTFTを
用いた液晶装置にしてもよい。この場合には、その性能
が低下するが、コストは低下するのであって、本発明の
応用の範囲にあることはいうまでもない。
【0039】電極層をパターニングした後、さらに層間
絶縁膜601を形成する。これは、SOGやTEOS、
もしくは、CMPを用いて、平坦化処理する。次に、遮
光膜である非透過性金属膜602を形成し、パターニン
グを行う(例えば、スパッタ法によりTiを堆積させ
る)。ついで、例えば、200〜400℃の温度で、シ
ランガスとアンモニアガス、または、シランガスとN2
Oの混合ガスを、プラズマ中で分解堆積することで、容
量膜としての絶縁膜109を形成し、その後に、350
〜500℃の温度において、水素ガス中、または、水素
ガスと窒素ガスなどの不活性ガスとの混合ガス中で、1
0〜240分間、熱処理して、多結晶シリコン150、
107を水素化する。
【0040】そして、再び、SiOのような絶縁膜60
5を堆積し、パターニングすると共に、そこで、スルー
ホールを開け、その後に、画素電極508を成膜する。
なお、この実施の形態では、この透明電極はITOを用
いたが、これに限定されない。その後に、CMP法によ
り、画素電極表面を平坦化する。このようにして形成し
た下地基板表面に、次の方法により、垂直配向膜401
を形成した。その後、対向基板621を貼り合わせ、そ
の後、負の誘電異方性を持つ液晶611を注入して、封
止する。
【0041】なお、この液晶装置の駆動系は、既に述べ
たアクティブマトリクス型を採用した(図3参照)。こ
こでの画素サイズは30μm角であり、開口部213は
20μm×15μmである。この時、ディスクリネーシ
ョン214が約2μmほどあり、開口部213の中心に
集光スポットがある場合(従来例での図21の(b)を
参照)、ディスクリネーション214にかかる集光スポ
ットは、直径:11μmまでに抑制しなければならない
が、本発明のように、画素電極212の中心から位置を
下に1μm、右に3.5μmずらして、集光スポット2
15を設定するように設計すると、直径:13μmまで
の大きさに集光スポットを拡大でき、表示輝度を向上で
きる。即ち、そこまでの集光でよいことになる。
【0042】実際の光学系では、例えば、集光スポット
を12μmに設定した設計仕様によって、コントラスト
値として、従来の200に対して、20%ほど向上し、
240に増加した、投射型液晶表示装置が実現できる。
【0043】上述の液晶装置以外の周辺電気回路につい
ては、図3を参照して具体的に説明する。図において、
符号385は電源で、主に、ランプ用電源とパネルや信
号処理回路駆動用のシステム電源とに分離されている。
また、符号386はプラグであり、また、符号387は
ランプ温度検出器であって、ランプの温度の異常があれ
ば、制御ボード388により、ランプを停止させるなど
の制御を行う。これは、ランプに限らず、フィルタ安全
スイッチ389でも、同様に制御される。例えば、高温
ランプハウスボックスを開けようとした場合、ボックス
が開かなくなるような、安全上の対策が施されている。
【0044】また、符号390はスピーカーであり、ま
た、符号391は音声ボードで、要求に応じて、3Dサ
ウンド、サラウンドサウンドなどのプロセッサも内蔵で
きる。また、符号392は拡張ボード1で、ビデオ信号
用S端子、ビデオ信号用コンポジット映像、音声などの
外部装置396からの入力端子、および、信号を選択す
るかの選択スイッチ395、チューナ394からなり、
デコーダ393を介して符号397で示す拡張ボード2
へ信号を送るようになっている。一方、拡張ボード2
は、主に、接続端子398、399を介して、別系列か
らのビデオ入力1やコンピュータ音声2を受け、コンピ
ュータのDsub 15ピン端子を有し、デコーダ393か
らのビデオ信号と切換えるスイッチ450を介して、A
/Dコンバータ451で、ディジタル信号に変換するの
である。
【0045】また、符号453は、主にビデオRAMな
どのメモリとCPUとからなるメインボードである。A
/Dコンバータ451にてA/D変換したNTSC信号
は、一度、メモリに蓄積され、高画素数へ巧く割り当て
るために、液晶素子数にマッチしていない空き素子の不
足の信号を、補間して作成したり、液晶表示素子に適し
たγ変換エッジ階調、ブライト調整バイアス調整などの
信号処理を行う。なお、NTSC信号だけでなく、コン
ピュータ信号も、例えば、VGAの信号がくれば、高解
像度のXGAパネルの場合、その解像度変換の処理も行
う。
【0046】このメインボード435は、一画像データ
だけでなく、複数の画像データのNTSC信号にコンピ
ュータ信号を合成させるなどの処理も行う。また、この
メインボード453の出力は、シリアル・パラレル変換
され、ノイズの影響を受けにくい形態で、ヘッドボード
454にあてられる。このヘッドボード454で、再
度、パラレル/シリアル変換した後、D/A変換し、パ
ネルのビデオ線数に応じて分割され、ドライブアンプを
介して、Gの液晶パネル455へ信号を書き込むのであ
る。
【0047】なお、符号452はリモコン操作パネル
で、コンピュータ画面も、TVと同様の感覚で、簡単に
操作できるようになっている。ここでは、単板パネル
(G)のみが示されているが、上述のように、実際には
ヘッドボードからRGBの3板の液晶パネルをつなげ
て、B、G、Rの各色の液晶パネルへ信号を書き込むの
である。即ち、ここでの本発明の実施の形態は、説明の
ための1例であり、他の実施の形態を含めて、複数種の
液晶パネルについても、適用可能で、相互の形態の技術
を組み合わせることによって、効果を増大することもで
きるのは、いうまでもない。
【0048】また、液晶パネル(液晶装置)の構造は、
半導体基板を用いたものについて、記述しているが、必
ずしも、半導体基板に限定されるものはなく、通常の透
明基板上に、以下に記述するような構造体を形成して、
用いてもよい。また、以下に記述する液晶パネルは、す
べて、MOSFETやTFT型であるが、ダイオード型
などの2端子型であってもいい。また、以下に記述する
液晶パネルは、家庭用テレビは勿論、プロジェクタ、ヘ
ッドマウントディスプレイ、3次元映像ゲーム機器、ラ
ップトップコンピュータ、電子手帳、テレビ会議システ
ム、カーナビゲーション、飛行機のパネルなどの表示装
置として、有効に適用できる。
【0049】また、図2では、開口部213の形状は、
対称な長方形であるが、本発明では、開口部213の形
状が矩形を変形させた六角形のような非対称形にも適用
できる。
【0050】(第2の実施の形態)次に、図4の(a)
および(b)を用いて、本発明の第2の実施の形態につ
いて説明する。図4の(a)では、画素電極構造とし
て、反射型の画素電極構造を持つ基板が用いられる。反
射型の画素電極においては、透過型のそれと比べて、開
口率が大きくとれるという利点があるが、その反面、開
口率が大きく隣接画素が近いため、隣接する画素による
横方向電界の影響を受けやすく、ディスクリネーション
が大きくなるという事情がある。一部、詳細に説明する
と、透過型は回路基板を通して光を当てなければならな
いので、回路のあるところはもちろん、それに加えて回
路の光リークの問題も有るので、さらにマージンを持っ
て開口率を小さくしなければならない。反射型はその制
約がないため開口率が大きくなる。反射型の光学システ
ムでは、図示のように、偏光ビームスプリッタ210を
用いている。ここでは、光源201からの光を、偏光ビ
ームスプリッタ210の偏光板により、互いに直交する
直線偏光成分に分離し、液晶装置205には、一方の偏
向光のみを入射させ、反射型の単板式の液晶装置205
では、その光を変調し、出射する。そして、偏光ビーム
スプリッタ206を透過した各色の光をフレネルレンズ
206で合成し、これを投影レンズ207で拡大してス
クリーン208に投影する。
【0051】図4の(b)は、この際のマイクロレンズ
211と画素電極212の平面図である。画素電極21
2と隣接画素電極212との間は1μmであり、横方向
電界の影響により、約4μmほどのディスクリネーショ
ン214を発生している。なお、この場合の画素サイズ
は16μm角である。
【0052】従来の方法では、画素電極212の中心に
光軸があるため、ディスクリネーション214を避ける
には、マイクロレンズ211による集光スポット215
は、8μmにまで、集光しなければならないが(図22
の(a)、(b)を参照)、本発明では光学軸を、ディ
スクリネーション214を避けるようにずらしているた
め、12μmの集光を行なえばよい。即ち、ディスクリ
ネーションを避けた、良質な画質を示す投射型液晶表示
装置を実現できるのである。
【0053】本発明の上述の構成により、画素サイズを
小さくすることが可能となる。因みに、12μmの集光
スポットを形成するための画素基板を構成するには、従
来例では、20μmまで大きくしなければならないので
ある。
【0054】なお、本発明の第1および第2の実施の形
態では、共にECBモードの垂直配向液晶を用いている
が、特に、これに限定されるものでなく、通常のTNモ
ード液晶や散乱型液晶などを用いても、同様な効果を期
待できることはいうまでもない。
【0055】また、本願の図5、7、10、12、18
等、の集光機能を有するマイクロレンズを例にして説明
したが、特開平10−300934号公報(特願平9−
124910)に述べられているレンズ作用を受けて、
集光入射するホログラムレンズのようなものも含まれ
る。
【0056】ホログラムカラーレンズで集光入射する時
の光軸と画素電極もしくは画素開口部の重心(中心)を
ずらして、ディスクリネーションを避けたりすることは
大きな効果があり、有効である。
【0057】(第3の実施の形態)図5ないし図7に
は、本発明に係わる液晶装置を用いた投写型液晶表示装
置の光学系の構成が立体座標系の各座標について、それ
ぞれ、示されている。ここで、符号1投影レンズ、2は
マイクロレンズ付液晶パネル(液晶装置)、3は偏光ビ
ームスプリッタ(PBS)であり、40はR(赤色光)
反射ダイクロイックミラー、41はB/G(青色&緑色
光)反射ダイクロイックミラー、42はB(青色光)反
射ダイクロイックミラー、43は全色光を反射する高反
射ミラー、50はフレネルレンズ、51は凸レンズ、6
はロッド型インテグレーター、7は楕円リフレクター、
8はメタルハライド、UHPなどのアークランプであ
る。
【0058】ここで、R(赤色光)反射ダイクロイック
ミラー40、B/G(青色&緑色光)反射ダイクロイッ
クミラー41、B(青色光)反射ダイクロイックミラー
42は、図8の(a)〜(c)に示したような、それぞ
れの分光反射特性を有している。そして、これらのダイ
クロイックミラーは、高反射ミラー43とともに、図9
の立体座標系で示したように、3次元的に配置されてお
り、後述するように、白色照明光をRGBに色分解する
とともに、各原色光が3次元的に異なる方向から液晶パ
ネル2を照明するようにしている。
【0059】ここで、光束の進行過程に従って、説明す
ると、先ず、ランプ8からの出射光束は白色光であり、
楕円リフレクター7により、その前方のインテグレータ
ー6の入り口に集光され、このインテグレーター6内
を、その胴部で反射を繰り返しながら進行し、この過程
で、光束の空間的強度分布を均一化される。そして、イ
ンテグレーター6を出射した光束は、凸レンズ51とフ
レネルレンズ50とにより、X軸の−方向(図6を基
準)に平行光束化されて、B反射ダイクロイックミラー
42に至る。
【0060】このB反射ダイクロイックミラー42で
は、B光(青色光)のみが反射され、次いで、Z軸の−
方向、つまり、下側(図6をb基準)にZ軸に対して所
定の角度で、R反射ダイクロイックミラー40に向か
う。一方、B光以外の色光(R/G光)は、このB反射
ダイクロイックミラー42を通過し、高反射ミラー43
により、直角にZ軸の−方向(下側)に反射され、矢張
り、R反射ダイクロイックミラー40に向かう。
【0061】ここで、B反射ダイクロイックミラー42
と高反射ミラー43とは、共に図5を基準にして、イン
テグレーター6からの光束(X軸の−方向)をZ軸の−
方向(下側)に反射するように、配置されており、ま
た、高反射ミラー43は、Y軸方向を回転軸に、XY平
面に対して、丁度、45°の傾きとなっている。それに
対して、B反射ダイクロイックミラー42は、矢張り、
Y軸方向を回転軸に、XY平面に対して、前述の45°
よりも浅い角度に位置設定されている。
【0062】従って、高反射ミラー43で反射されたR
/G光は、Z軸の−方向に直角に反射されるのに対し
て、B反射ダイクロイックミラー42で反射されたB光
は、Z軸に対して所定の角度(XZ面内でチルト)で、
下方向に向かうことになる。本発明では、ここで、B光
とR/G光との、液晶パネル2上の照明範囲を一致させ
るため、各色光の主光線が、液晶パネル2上で交差する
ように、高反射ミラー43とB反射ダイクロイックミラ
ー42のシフト量およびチルト量が選択される。
【0063】次に、前述のように、下方向(Z軸の−方
向)に向かったR/G/B光は、R反射ダイクロイック
ミラー40とB/G反射ダイクロイックミラー41とに
向う。この場合、これらダイクロイックミラー40、4
1は、B反射ダイクロイックミラー42と高反射ミラー
43の下側に位置しており、また、B/G反射ダイクロ
イックミラー41がX軸を回転軸に、XZ面に対して、
45°傾いて配置されており、R反射ダイクロイックミ
ラー40が、矢張り、X軸方向を回転軸にXZ平面に対
して、前述の45°よりも浅い角度に位置設定されてい
る。
【0064】従って、これらに入射するR/G/B光の
内、まず、B/G光は、R反射ダイクロイックミラー4
0を通過して、B/G反射ダイクロイックミラー41に
より直角にY軸の+方向に反射され、PBS3を通じ
て、偏光化された後、XZ面に水平に配置された液晶パ
ネル2を照明する。この内、B光は、前述したように、
既にX軸に対して所定の角度(XZ面内でチルト)で進
行しているため(図5および図6を参照)、B/G反射
ダイクロイックミラー41による反射後は、Y軸に対し
て所定の角度(XY面内でチルト)を維持し、その角度
を入射角(XY面方向)として、液晶パネル2を照明す
る。
【0065】G光については、B/G反射ダイクロイッ
クミラー41により直角に反射し、Y軸の+方向に進
み、PBS3を通じて偏光された後、入射角0°、つま
り、垂直に液晶パネル2を照明する。また、R光につい
ては、前述のように、B/G反射ダイクロイックミラー
41の手前に配置されたR反射ダイクロイックミラー4
0により、R反射ダイクロイックミラー40にてY軸+
方向に反射されるが、図7に示したように、Y軸に対し
て所定の角度(YZ面内のチルト)で、Y軸の+方向に
進み、PBS3を通じて偏光された後、液晶パネル2
を、このY軸に対する入射角(YZ面方向)で照明す
る。
【0066】また、前述と同様に、RGB各色光の液晶
パネル2上の照明範囲を一致させるため、各色光の主光
線が液晶パネル2上で交差するように、B/G反射ダイ
クロイックミラー41とR反射ダイクロイックミラー4
0のシフト量およびチルト量は、予め選択されている。
さらに、図8に示したように、B/G反射ダイクロイッ
クミラー41のカット波長は570nm、R反射ダイク
ロイックミラー40のカット波長は600nmであるか
ら、不要な橙色光は、B/G反射ダイクロイックミラー
41を透過して捨てられる。これにより、最適な色バラ
ンスを得ることができる。
【0067】そして、後述するように、各RGB光は、
液晶パネル2にて反射および偏光変調され、PBS3に
戻り、PBS3のPBS面3aにてX軸の+方向に反射
する光束が画像光となり、投影レンズ1を通じて、スク
リーン(図示せず)に拡大投影される。ところで、液晶
パネル2を照明する各RGB光は入射角が異なるため、
そこから反射されてくる各RGB光も、その出射角を異
にしているが、投影レンズ1としては、これらを全て取
り込むのに十分な大きさのレンズ径及び開口のものを用
いている。
【0068】ただし、投影レンズ1に入射する光束の傾
きは、各色光がマイクロレンズを2回通過することによ
り平行化され、液晶パネル2への入射光の傾きを所定値
に維持している。ところが、図26に示したように、従
来例の透過型の液晶表示装置では、液晶パネルを出射し
た光束は、マイクロレンズの集光作用分も加わって、よ
り大きく広がってしまうので、この光束を取り込むため
の投影レンズは、さらに大きな開口数を必要とし、高価
なレンズとなっていた。しかし、本発明の実施の形態に
おいては、液晶パネル2からの光束の広がりは、上述の
ように、比較的小さくなるので、より小さな開口数の投
影レンズでも、スクリーン上で十分に明るい投影画像を
得ることができる。即ち、より安価な投影レンズを用い
ることが可能になる。
【0069】次に、ここで用いる本発明の液晶パネル2
について、図10(図7に対応する断面)を参照して、
説明する。ここで、符号21はマイクロレンズ基板、2
2はマイクロレンズ、23はシートガラス、24は透明
対向電極、25は液晶層、26は画素電極、27はアク
ティブマトリクス駆動回路部、28はシリコン半導体基
板である。
【0070】マイクロレンズ22は、所謂、イオン交換
法によりガラス基板(アルカリ系ガラス)21の表面上
に形成されており、画素電極26のピッチの倍のピッチ
で、2次元的アレイ構造を成している。液晶層25は、
反射型に適応した、所謂、DAP、HANなどのECB
モードのネマチック液晶を採用しており、配向層(図示
せず)により、所定の配向が維持されている。
【0071】画素電極26はAlから成り、反射鏡を兼
ね、表面性を良くして、反射率を向上させるためにパタ
ーニング後の最終工程で、所謂、CMP法の処理を施し
ている。また、アクティブマトリクス駆動回路部27
は、所謂、シリコン半導体基板28上に設けられた半導
体回路であり、画素電極26をアクティブマトリクス駆
動するものであり、この回路マトリクスの周辺部には、
垂直レジスターなどのゲート線ドライバー(図示せず)
や水平レジスターなどの信号線ドライバー(図示せず)
が設けられている。これらの周辺ドライバーおよびアク
ティブマトリクス駆動回路は、RGBの各原色映像信号
を、所定の各RGB画素に書き込むために構成されてお
り、各画素電極26は、カラーフィルターを有していな
いものの、アクティブマトリクス駆動回路にて書き込ま
れる原色映像信号により、各RGB画素として区別さ
れ、後述する所定のRGB画素配列を形成している。
【0072】ここで、液晶パネル2に対して照明するG
光について見てみると、前述したように、G光は、PB
S3により偏光された後、液晶パネル2に対して垂直に
入射する。この光線の内、1つのマイクロレンズ22a
に入射する光線の例を、図中の矢印G(in/out)
にて示す。ここに図示されたように、G光線はマイクロ
レンズにより集光され、G画素電極26g上を照明す
る。そして、Alより成る画素電極26gにより反射さ
れ、再び、同じマイクロレンズ22aを通じて、パネル
外に出射して行く。
【0073】このように、液晶層25を往復通過する
際、偏光されたG光線は、画素電極26gに印加される
信号電圧により対向電極24との間に形成された電界で
液晶が動作することによって、変調を受けて、液晶パネ
ルを出射し、PBS3に戻る。そして、ここで、その変
調度合いにより、PBS面3aにて反射され、投影レン
ズ1に向かう光量が変化し、各画素の、所謂、濃淡階調
表示がなされることになる。
【0074】一方、上述したように、図中、断面(YZ
面)内の斜め方向から入射してくるR光については、や
はり、PBS3により偏光された後、例えば、マイクロ
レンズ22bに入射するR光線に注目すると、図中の矢
印R(in)にて示したように、マイクロレンズ22b
により集光されて、その真下よりも左側にシフトした位
置にあるR画素電極26r上を照明することになる。そ
して、画素電極26rにより反射され、図示したよう
に、今度は隣(−Z方向)のマイクロレンズ22aを通
じて、パネル外に出射して行く。これを矢印R(ou
t)で示す。この際に、偏光したR光線は、やはり、画
素電極26rに印加される信号電圧により対向電極24
との間に形成されたる電界で液晶が動作することによっ
て、変調を受けて、液晶パネルを出射し、PBS3に戻
る。そして、その後のプロセスでは、前述のG光の場合
と全く同じように、画像光の一部として投影される。
【0075】なお、図10に描写された状態では、画素
電極26g上および画素電極26r上の各G光およびR
光の色光が、一部が重なり合って、干渉しているように
みえるが、これは、模式的に、液晶層の厚さを拡大誇張
して描いているためであり、実際には、液晶層25の厚
さは5μm程度であり、シートガラス23の50〜10
0μmに比べて非常に薄く、画素サイズに関係なく、こ
のような干渉は起こらないのである。
【0076】図11には、画素サイズを10μmとした
時のマイクロレンズと画素電極の一般例を平面的に示
す。ここでは、先述の第2の実施の形態とは異なり、1
つの画素基板に対して、RGB全ての画素が含まれるよ
うに対応している。従って、画素数が多く、1画素のサ
イズを小さくする必要があるために、画素電極に対する
ディスクリネーションの占める割合が大きく、また、画
質の変化が確認されやすい全面同輝度の画像において
は、隣接画素が、同色でないために、そこには横方向の
電界の影響が生じ、そのディスクリネーションによる画
質低下に対しての、本発明の構成による効果は大きい。
【0077】即ち、図11に示すように、画素中心に対
して、XY方向のそれぞれに、2μmほどのプレチルト
方向への光軸の移動を行うことで、集光スポットを大き
めに採れるのである。例えば、ここでは、ディスクリネ
ーションを4μmとして、集光スポットを直径:6μm
としている。また、ここでは、完全に集光スポットがデ
ィスクリネーションを避けている図を描いているが、仮
に、ディスクリネーションに集光スポットの縁が、若
干、掛かっていたとしても、光軸をずらした効果はかな
り大きく、光軸をずらさない場合(従来)と比べて、コ
ントラストなどの画質に大きな効果があることが、実施
の上で確認されている。
【0078】次に、図12を参照して、この実施の形態
における色分解、色合成原理を説明する。ここで、
(a)は液晶パネル2を模式的に示す上面図であり、
(b)および(c)は、それぞれ、液晶パネル2につい
て、A−A′(X方向)の断面図、B−B′(Z方向)
の断面図を模式的に示す。この内、図12の(c)はY
Z断面を表すことになる図11に対応するものであり、
ここでは、各マイクロレンズ22に入射するG光とR光
の入出射の様子を表している。
【0079】これから判るように、各G画素電極は、各
マイクロレンズ中心の真下に配置され、各R画素電極
は、各マイクロレンズ間境界の真下に配置されている。
従って、R光の入射角は、そのtanθが画素ピッチ
(G&R画素):20μmとマイクロレンズ・画素電極
間の距離:100μmの比に等しくなるように設定する
のが好ましい。
【0080】一方、図12の(b)は、液晶パネル2の
XY断面に対応するものである。このXY断面について
は、B画素電極とG画素電極とが、図12の(c)と同
様に交互に配置されており、やはり、各G画素電極が各
マイクロレンズ中心の真下に配置され、各B画素電極が
各マイクロレンズ間境界の真下に配置されている。
【0081】ところで、液晶パネルを照明するB光につ
いては、前述したように、PBS3による偏光の後、図
中の断面(XY面)の斜め方向から入射してくるため、
R光の場合と全く同様に、各マイクロレンズから入射し
たB光線は、図示しているように、B画素電極により反
射され、入射したマイクロレンズに対して、X方向に隣
り合うところのマイクロレンズから出射する。なお、B
画素電極上の液晶による変調や液晶パネルからのB出射
光の投影については、前述のG光およびR光と同様であ
る。
【0082】また、各B画素電極は、各マイクロレンズ
間境界の真下に配置されており、B光の液晶パネルに対
する入射角についても、R光と同様に、そのtanθが
画素ピッチ(G&B画素):32μmとマイクロレンズ
・画素電極間の距離:100μmの比に等しくなるよう
に設定するのが好ましい。
【0083】本実施の形態における液晶パネルでは、以
上述べたように、各RGB画素の並びが、Z方向に対し
ては、RGRGRG・・・であり、X方向に対しては、
BGBGBG・・・となっている(図12の(a)は、
その平面的な並びを示している)。このように、各画素
サイズは、縦横共にマイクロレンズの約半分になってお
り、画素ピッチは、XZ両方向ともに、マイクロレンズ
のそれの半分になっている。また、G画素は、平面的に
もマイクロレンズ中心の真下に位置し、R画素は、Z方
向のG画素間かつマイクロレンズ境界に位置し、更に、
B画素は、X方向のG画素間かつマイクロレンズ境界に
位置している。更に、1つのマイクロレンズ単位の形状
は、矩形(画素の2倍サイズ)となっている。
【0084】図13には、この液晶パネルの部分が拡大
して示されている。ここで、図中の破線格子29は、1
つの絵素を構成するRGB画素のまとまり、つまり、図
10のアクティブマトリクス駆動回路部27により、各
RGB画素が駆動される際、破線格子29で示されるR
GB画素ユニットが同一画素位置に対応したRGB映像
信号にて駆動されることを示している。
【0085】ここで、R画素電極26r、G画素電極2
6g、B画素電極26bから成る1つの絵素に注目して
みると、まず、R画素電極26rは、矢印r1で示され
るように、マイクロレンズ22bから、前述したよう
に、斜めに入射するR光で照明され、そのR反射光が、
矢印r2で示すように、マイクロレンズ22aを通じて
出射する。また、B画素電極26bは、矢印b1で示さ
れるように、マイクロレンズ22cから、前述したよう
に、斜めに入射するB光で照明され、そのB反射光が、
矢印b2で示すように、やはりマイクロレンズ22aを
通じて出射する。更に、G画素電極26gは、正面、後
向きの矢印g12で示されるように、マイクロレンズ2
2aから、前述したように、垂直(紙面奥へ向かう方
向)に入射するG光で照明され、そのG反射光は、同じ
マイクロレンズ22aを通じて、垂直に(紙面手前に出
てくる方向)出射する。
【0086】このように、本液晶パネルにおいては、1
つの絵素を構成するRGB画素ユニットについて、各原
色照明光の入射照明位置は異なるものの、それらの出射
については、同じマイクロレンズ(この場合は22a)
から行われる。そして、このことは、その他の全ての絵
素(RGB画素ユニット)についても成り立っているの
である。
【0087】従って、図14に示すように、液晶パネル
からの全出射光を、PBS3および投影レンズ1を通じ
て、スクリーン9に投写するに際して、液晶パネル2内
のマイクロレンズ位置がスクリーン9上に結像・投影さ
れるように光学的に調整すると、その投影画像は、図1
5に示すようなマイクロレンズの格子内に各絵素を構成
するRGB画素ユニットからの出射光が混色した状態、
つまり、同画素の混色した状態の絵素を、その構成単位
としたものとなる。そして、前述した従来例のような、
所謂、RGBモザイクがあるものと異なり、それが無
い、質感の高い良好なカラー画像表示が可能となる。
【0088】次に、前述した各画素電極26、および、
それをアクティブ駆動するシリコン半導体基板28上に
設けられたアクティブマトリクス駆動回路部27につい
て、以下に詳述する。図16には、本発明に係わる液晶
装置を用いた投写型液晶表示装置の駆動回路系の構成が
ブロックで示されている。ここで、符号10はパネルド
ライバーであり、RGB映像信号を極性反転し、かつ、
所定の電圧増幅をした液晶駆動信号を形成すると共に、
対向電極24駆動信号、各種タイミング信号などを形成
している。また、符号12はインターフェースであり、
各種映像および制御伝送信号を、標準映像信号などにデ
コードしている。
【0089】更に、符号11はデコーダーであり、イン
ターフェース12からの標準映像信号を、RGB原色映
像信号及び同期信号にデコードしている。また、符号1
4はバラストであり、アークランプ8を駆動点灯する。
15は電源回路であり、各回路ブロックに対して電源を
供給している。なお、符号13は操作部(図示せず)を
内在したコントローラーであり、各回路ブロックを総合
的にコントロールするものである。
【0090】このように、ここでの投写型液晶表示装置
は、その駆動回路系が単板式プロジェクターとして、極
めて一般的な形式のものであり、特に、駆動回路系に負
担を掛けることなく、前述したような、RGBモザイク
の無い、良好な質感のカラー画像を表示することができ
るものである。
【0091】なお、本発明に係わる液晶パネル(液晶装
置)の別形態として、図17に示すような構成のものを
採用してもよい。ここでは、マイクロレンズ22の中心
真下位置にB画素を配列し、それに対して、左右方向に
G画素が交互に並ぶように、上下方向にR画素が交互に
並ぶように配列している。このように配列しても、絵素
を構成するRGB画素ユニット26r、26g、26b
からの反射光が、1つの共通マイクロレンズ22から出
射するように、B光を垂直入射、R/G光を斜め入射
(同角度で異方向)とすることにより、前例と全く同様
な効果を得ることができる。また、マイクロレンズ22
の中心真下位置にR画素を配列し、R画素に対して、そ
の他の色画素を、左右または上下方向に交互に並ぶよう
にしても良いことは勿論である。
【0092】(第4の実施の形態)次に、本発明に係る
液晶パネル(液晶装置)の第4の実施の形態について、
図18を参照して説明する。図18は、液晶パネルの拡
大断面模式図(図21のyz面に対応)を示す。ここ
で、符号21、21′はマイクロレンズ基板、22、2
2′はマイクロレンズ、23、23′はマイクロレンズ
と画素の距離を調整するためのシートガラス、24は透
明対向電極、225はDAP(Deformation
of Alighned phase)液晶層、22
6は透明画素電極、227はアクティブマトリクス駆動
回路部であり、更に、符号47,46はクロスニコル関
係の偏光板である。
【0093】マイクロレンズ22、22′は、所謂、イ
オン交換法により、ガラス基板(アルカリ系ガラス)2
1、21′の表面上に形成されており、画素電極226
のピッチの倍のピッチで、2次元的アレイ構造を成して
いる。そして、この各マイクロレンズ上にシートガラス
23、23′が接着されている。また、液晶層225
は、DAPモードのネマチック液晶を採用しており、配
向層(図示せず)により所定の配向が維持されている。
更に、画素電極226はITOから成り、シートガラス
23上に形成されている。
【0094】アクティブマトリクス駆動回路部227
は、所謂、アモルファスまたはポリシリコン薄膜をベー
スとしたTFT回路であり、画素電極226をアクティ
ブマトリクス駆動するものであり、シートガラス23′
上に形成されていて、図19に示すようなレイアウトに
なっている。
【0095】ここで、符号301、302、303は、
それぞれ、B、G、R信号映像ライン、310はゲート
ライン、321〜323はTFT、また、226r、2
26g、226bは、各R、G、B透明画素電極を表し
ている。また、回路マトリクスの周辺部には、垂直レジ
スターなどのゲート線ドライバー(図示せず)や水平レ
ジスターなどの信号線ドライバー(図示せず)が設けら
れている。
【0096】これらの周辺ドライバーおよびアクティブ
マトリクス駆動回路は、R、G、Bの各原色映像信号
を、所定の各R、G、B画素に書き込むために構成され
たもので、各画素電極226はカラーフィルターを備え
ないものの、アクティブマトリクス駆動回路にて書き込
まれる原色映像信号により、各R、G、B画素として、
区別され、後述する所定のR、G、B画素配列を形成し
ている。
【0097】ここで、液晶パネルに対して照明するG光
について考察すると、前述したように、G光は液晶パネ
ルに対して垂直に入射する。この光線の内、1つのマイ
クロレンズ22aに入射する光線を、図18中の矢印G
(in)に示す。ここに図示されたように、G光線はマ
イクロレンズにより集光され、G画素電極226g上を
照明する。そして、液晶層225を通過した後、今度は
TFT側のマイクロレンズ22′aを通じて液晶パネル
外に出射して行く。このように、液晶層225を通過す
る際、G光線(偏光板46にて偏光)は、画素電極22
6gに印加される信号電圧によって対向電極24との間
に電界が形成され、これにより液晶が動作することで、
変調を受けて、液晶パネルを出射する。この際の変調度
合いにより、偏光板47を通過して投影レンズ1に向う
光量が変化し、各画素の、所謂、濃淡階調表示がなされ
ることになる。
【0098】一方、上述したように、図中の断面(YZ
面)内の、斜め方向から入射してくるR光について考察
すると、矢張り、このR光は、偏光板46により偏光さ
れ、例えば、マイクロレンズ22bに入射する光線に注
目すると、図中の矢印R(in)で示したように、マイ
クロレンズ22bにより集光され、その真下よりも下側
にシフトした位置にあるR画素電極226r上を照明す
る。そして、R画素電極226rを通過し、図示したよ
うに、矢張り、TFT側のマイクロレンズ22′aを通
じて、パネル外に出射して行く(G/R(out)を参
照)。この際、R光線(偏光)も、R画素電極226r
に印加される信号電圧により対向電極24との間に電界
が形成され、これにより液晶が動作することで、変調を
受けて、液晶パネルを出射する。そして、その後のプロ
セスは、前述のG光の場合と全く同じように、画像光の
一部として投影される。
【0099】ところで、図18上では、G画素電極22
6g上とR画素電極226r上の、各G光、R光の色光
が一部重なって、干渉しているように描写されいるが、
これは、模式的に液晶層の厚さを拡大誇張しているため
であり、実際には、液晶層の厚さは5μ程度であり、シ
ートガラスの50〜100μに比べて非常に薄いのであ
って、画素サイズに関係なく、このような干渉は起こら
ない。
【0100】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
複数の画素電極をマトリックス状に備えたマトリックス
基板と、前記画素電極に対向する対向電極を備えた対向
基板と、の間に液晶材料を配して構成される液晶表示装
置において、マイクロレンズが液晶に集光する光軸と、
画素電極もしくは画素電極の開口部の重心とを、少なく
ともプレチルト方向に対応して発生しているディスクリ
ネーションを避けるように、相対的に位置設定されてい
る。従って、有効に画素電極を利用し、良質な画質を得
ることが可能となる。
【0101】この場合、前記マイクロレンズの光軸に対
して、ディスクリネーションを避けるように配向制御の
された画素電極もしくは画素開口部の重心位置を合わせ
るように位置設定していることにより、さらに、上述の
効果を高めることが可能となる。また、前記液晶装置に
反射電極を備えることによって、高開口率で、明るい反
射型液晶装置を、高画質で提供することが可能となる。
【0102】さらに、RGBの各基本画素の配列におい
て、第1の方向とこれと異なる第2の方向に、これら3
原色画素の内、それぞれ異なる2色の組み合わせの色画
素が、交互に並ぶように配列するとともに、該画素配列
に対して、2画素ピッチになるように、2次元マイクロ
レンズアレイを備えていることで、1つの絵素を構成す
る1組のRGB画素からの液晶による変調後の反射光が
同一のマイクロレンズを通じて出射するので、RGBモ
ザイクの無い質感の高い良好なカラー画像投写表示が可
能となる。また、各画素からの光束はマイクロレンズを
2回通過してほぼ並行化されるので、開口数の小さい安
価な投影レンズを用いてもスクリーン上で明るい投影画
像を得ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態を示す液晶装置の画素配列
とマイクロレンズの配置関係(重なり)を示す平面図で
ある。
【図2】同じく、部分拡大平面図である。
【図3】本発明の液晶装置を用いた液晶表示装置の周辺
電気回路の概略構成図である。
【図4】本発明に係わる第2の実施形態を示す反射型液
晶表示装置光学系(a)の概略構成図、および、その際
の液晶パネル(液晶装置)の画素配列とマイクロレンズ
の配置関係(b)を示す平面図である。
【図5】同じく、この液晶パネルを使用した投写型液晶
表示装置光学系の実施の形態を示すXY座標表示の全体
構成図である。
【図6】同じく、XZ座標表示の全体構成図である。
【図7】同じく、YZ座標表示の全体構成図である。
【図8】上述の液晶表示装置光学系でのダイクロイック
ミラーの分光反射特性を示すグラフである。
【図9】同じく、上述の液晶表示装置光学系を立体座標
表示で示す全体構成図である。
【図10】本発明に係わる液晶パネル(液晶装置)の一
つの実施形態を示す断面図である。
【図11】本発明に係わる第3の実施形態についての画
素配列とマイクロレンズの配置関係を示す平面図であ
る。
【図12】同じく、本発明に係わる液晶パネルでの色分
解、色合成の原理説明図である。
【図13】本発明に係わる第3の実施形態についての液
晶パネルの拡大平面図である。
【図14】同じく、この液晶パネルを用いた本発明に係
わる投写型液晶表示装置の一つの投影光学系を示す部分
的な構成図である。
【図15】同じく、スクリーン上投影像の部分拡大図で
ある。
【図16】本発明に係わる投写型液晶表示装置の一つの
駆動回路系を示すブロック図である。
【図17】本発明に係わる液晶パネルの別の実施形態の
部分的な拡大平面図である。
【図18】同じく、模式的な断面図である。
【図19】本発明に係わる液晶パネルにおけるアクティ
ブマトリクス駆動部の部分的な回路構成図である。
【図20】従来の液晶表示装置の概略構成図である。
【図21】同じく、従来例における液晶装置の画素配列
を示す模式的構成図である。
【図22】同じく、画素面でのRGBの集光状態を示す
模式的側面図である。
【図23】同じく、画素電極基板の積層構造を示す断面
図である。
【図24】同じく、アクティブマトリクス基板を示す概
略回路構成図である。
【図25】従来のマイクロレンズ付透過型液晶パネルの
部分的な拡大断面図である。
【図26】同じく、スクリーン上の投影像の模式的な拡
大平面図である。
【符号の説明】
(図1) 202〜204 ダイクロイックミラー (以下、図1、2、4、11、22) 211 マイクロレンズ 212 画素電極 213 開口部 214 ディスクリネーション 215 集光スポット (以下、図3) 385 電源 386 プラグ 387 ランプ温度検出器 388 制御ボード 389 安全スイッチ 390 スピーカー 391 音声ボード 392 拡張ボード 393 デコーダー 394 チューナー 395 選択スイッチ 396 外部装置 450 スイッチ 451 A/Dコンバーター 453 メインボード 454 ヘッドボード 455、456、457 液晶パネル (その他) 210 偏光ビームスプリッタ(図4) 1 投影レンズ(図5、14) 6 ロッド型インテグレーター(図5、6) 7 楕円リフレクター(図5、6、16) 8 アークランプ(図5、6、8、16) 42 B反射ダイクロイックミラー(図5、6、9) 43 高反射ミラー(図5〜7) 40 R反射ダイクロイックミラー(図6、7、9) 41 B/G反射ダイクロイックミラー(図6、7、
9) 2 マイクロレンズ付液晶パネル(図10、14) 21、21’ マイクロレンズガラス基板(図10) 22、22’ マイクロレンズ(図10、12、14、
17) 23、23’ シートガラス(図10) 24 対向透明電極(図10) 25 液晶層(図10、12、14) 252 周辺シール部(図10) 26 画素電極(図10、12) 26r、26g、26b R、G、B透明画素電極(図
10、13、17) 27 アクティブマトリクス駆動回路部(図10) 28 シリコン半導体基板(図10) 29 基本絵素単位(図13、17) 3 偏光ビームスプリッター(PBS)(図14) 9 スクリーン(図14) 10 パネルドライバー(図16) 11 デコーダー(図16) 12 インターフェース回路(図16) 13 コントローラ(図16) 14 バラスト(図16) 15 電源回路(図16) 226r、226g、226b R、G、B透明画素電
極(図18、19) 301、302、303 B、G、R信号映像ライン
(図19) 310 ゲートライン(図19) 321〜323 TFT(図19) (以下、図21) 201 光源 205 液晶装置 206 フレネルレンズ 207 投影レンズ 208 スクリーン (以下、図24) 101 ガラス基板 103 ドレイン領域 109、110 絶縁膜 105 絶縁膜 106 ゲート 107 ドレイン領域(ライトドープ層) 108a、108b ドレイン電極 150 ソース領域 401 配向膜 508 画素電極 601 絶縁膜 602 遮光膜 611 液晶 621 対向基板 622 ブラックマトリクス 623 透明対向電極 (以下、図25) 121、122 水平シフトレジスタ 123 垂直シフトレジスタ 124〜129、121、1211 ビデオ線 1212〜1221 サンプリングトランジスタ 1224〜1235 信号線 1236 画素部トランジスタ 1237 液晶 1238 付加容量 1239〜1241 水平走査出力用駆動線 1242〜1245 垂直走査用の出力線 (その他) 16 マイクロレンズ(図26) 17 液晶(図26) 18 画素(図26)

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の画素電極をマトリックス状に備え
    たマトリックス基板と、前記画素電極に対向する対向電
    極を備えた対向基板と、の間に液晶材料を配して構成さ
    れる液晶表示装置において、マイクロレンズが液晶に集
    光する光軸と、画素電極もしくは画素電極の開口部の重
    心とを、少なくともプレチルト方向に対応して発生して
    いるディスクリネーションを避けるように、相対的に位
    置設定されていることを特徴とする液晶装置。
  2. 【請求項2】 前記マイクロレンズの光軸に対して、デ
    ィスクリネーションを避けるように配向制御のされた画
    素電極もしくは画素開口部の重心位置を合わせるように
    位置設定されていることを特徴とする請求項1に記載の
    液晶装置。
  3. 【請求項3】 RGBの各基本画素の配列において、第
    1の方向とこれと異なる第2の方向に、これら3原色画
    素の内、それぞれ異なる2色の組み合わせの色画素が、
    交互に並ぶように配列するとともに、該画素配列に対し
    て、2画素ピッチになるように、2次元マイクロレンズ
    アレイを備えることにより1つの絵素を構成する3原色
    画素を通過した光を同一マイクロレンズから出射させる
    ことを特徴とする請求項1あるいは2に記載の液晶装
    置。
  4. 【請求項4】 請求項1〜3の何れかの前記液晶装置を
    用いたことを特徴とする液晶表示装置。
  5. 【請求項5】 前記液晶表示装置は、その液晶装置が反
    射電極を有していることを特徴とする請求項4に記載の
    液晶表示装置。
  6. 【請求項6】 前記液晶表示装置は、その液晶装置が透
    過型であることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示
    装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009081534A1 (ja) * 2007-12-21 2009-07-02 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示パネル、液晶表示装置、及び液晶表示パネルの製造方法

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