JP2000171846A - カメラの露出制御装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 より正確に逆光判定をして適正な露出ができ
るようにする。 【構成】 複数の測光エリア（１−１Ｌ〜６Ｌ）につい
て測光可能な測光ＩＣ５０と、複数の測距エリア（１Ｄ
〜３Ｄ）について測距可能なマルチＡＦセンサユニット
５１を備えたカメラにおいて、複数の測距エリア（１Ｄ
〜３Ｄ）のうち合焦に用いられる測距エリアとして選択
された測距エリア（例えば３Ｄ）に対応するセンサ領域
Ｓ２から得られた画像データに基づいて得た被写体輝度
から測距エリア（３Ｄ）の平均輝度を演算してサブ測光
値ＢＶａｆとし、一方、複数の測光エリア（１−１Ｌ〜
６Ｌ）のうち周辺部に位置する周辺測光エリア（１−１
Ｌ〜１−４Ｌ）の測光データの平均値を参照測光値ＢＶ
ｄとし、参照測光値ＢＶｄとサブ測光値ＢＶａｆとの差
（ＢＶｄ−ＢＶａｆ）が予め設定した設定値（例えば
２．０Ｅｖ）以上であれば逆光であると判定し、撮影時
にはストロボを発光するようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の技術分野】本発明は、焦点検出装置を備えたカ
メラにおいて、より正確に逆光判定をして適正な露出を
得ることができるようにしたカメラの露出制御装置に関
する。

【０００２】

【従来技術およびその問題点】従来、多点（マルチ）測
距装置を備えたカメラの場合、被写体への合焦は、複数
の測距エリアによってそれぞれ得られた被写体までの距
離内、たとえば最も近い距離を採用して行っている。一
方、被写体の輝度は、複数の測距エリアに一部の測光エ
リアが重ねて設定されている複数の分割測光エリア（通
常、測距エリアの数よりも多い）からそれぞれ得られた
測光値を利用して、平均、中央重点、スポット測光など
の測光方式に基づいたアルゴリズムによって演算してい
る。さらに、逆光であるかどうかの逆光判定は、中央の
測光エリアの測光値と他の測光エリアの測光値の差分を
演算し、この差分が予め設定されている一定値以上であ
るかどうかで行っている。つまり、被写体への合焦は複
数の測距エリアの中から合焦させるべく選択された一つ
の測距エリアの測距値によって行い、逆光判定は、選択
された測距エリアとは無関係に複数の測光エリアの測光
値に基づいて行っている。

【０００３】しかしながら、このような従来のカメラの
露出制御装置では、複数の測距エリアが複数の測光エリ
アの一部に重ねて設定されているのにもかかわらず、逆
光判定が、複数の測光エリアにより、合焦させるべく選
択された測距エリアとは無関係に行われているために、
被写体に対する逆光の判定が不正確になる場合があり、
適正な露出を得ることができない場合がある。たとえ
ば、測光エリアとして第１測光エリアから第６測光エリ
アが設定され、測距エリアとして第４測光エリアに第１
測距エリアが、第５測光エリアに第２測距エリアが、第
６測光エリアに第３測距エリアがそれぞれ重ねて設定さ
れていて、合焦エリアとして第１測距エリアの測距デー
タが選択されたとする。一方、被写体の主要測光値とし
て第６測光エリアの測光値が採用され、この第６測光エ
リアの主要測光値と他の測光エリア（たとえば第２測光
エリア）の測光値の差分が一定値以上であったときに
は、逆光であると判定されたとする。これでは、測距デ
ータが採用された第１測距エリアに対応する第４測光エ
リアの測光値は逆光の判定をする基準とはされていない
のであるから、第１測距エリア内に位置する主要被写体
（合焦される測距エリアに存在する被写体）にとって本
当に逆光であるのかどうかの判定ができないことにな
る。

【０００４】

【発明の目的】本発明は、このような従来の不具合を解
消するためになされたものであり、より正確に逆光判定
をして適正な露出を得ることができるようにしたカメラ
の露出制御装置を提供することを目的とする。

【０００５】

【発明の概要】本発明は、パッシブ焦点検出装置は被写
体輝度情報を利用しているので焦点検出装置から合焦さ
せる被写体の輝度情報を得られることに着目してなされ
てものである。この目的を達成する請求項１に記載の発
明は、被写体光を受光して測距する焦点検出手段と、複
数の測光エリアを有する測光手段と、前記焦点検出手段
が受光した被写体光に基づいて検出した逆光判定用基準
測光値と、前記測光手段が測光した測光値とに基づいて
逆光であるか否かを判定する逆光判定手段を備えたこと
に特徴を有する。請求項２記載の発明は、請求項１に記
載の露出制御装置において、前記焦点検出手段は、複数
の測距エリアを備え、この複数の測距エリアの内のいず
れか１個の測距エリア内の測距値を選択して合焦処理
し、前記逆光判定手段は、前記複数の測距エリアの内、
合焦に利用される焦点検出エリア内の被写体光に基づい
て検出した逆光判定用基準測光値を使用することに特徴
を有する。請求項３記載の発明は、請求項１または２記
載の露出制御装置において、前記測光手段が複数の測光
エリアを有し、前記逆光判定に利用される測光エリアが
周辺の測光エリアであることに特徴を有する。請求項４
記載の発明は、請求項２または３記載の露出制御装置に
おける前記測距手段が、一対の結像レンズによって一対
のラインセンサ上に形成された被写体像の間隔を前記ラ
インセンサの各受光素子が積分した積分値に基づいて検
出し、被写体までの距離を求めるパッシブ測距装置であ
って、前記ラインセンサ上に形成された被写体像の輝度
を前記各受光素子の積分値が所定値に達するまでの積分
時間として検出する量子化手段と、前記積分値が最初に
所定値に達した積分時間を基準積分時間とし、各受光素
子の積分時間を基準積分時間に対する相対積分時間とし
て演算して出力する演算手段を備え、前記判定手段は、
前記基準積分時間に対応する実際の被写体輝度を実基準
輝度として求め、この実基準輝度に基づいて、前記選択
された測距エリアに対応する各相対積分時間から実際の
被写体輝度を求め、求めた実際の被写体輝度の平均値を
逆光判定用基準測光値として逆光判定することに特徴を
有する。請求項５記載の発明は、請求項１から４のいず
れかに記載の発明において、測距手段が、一対の結像レ
ンズによって一対のラインセンサ上に形成された所定焦
点検出エリア内の被写体像の間隔を前記一対のラインセ
ンサの各受光素子が積分した積分値に基づいて検出し、
検出した被写体像の間隔から被写体までの距離を求める
パッシブ測距装置であって、前記一対のラインセンサ上
に形成された被写体像の輝度を前記各受光素子の積分値
が所定値に達するまでの積分時間として検出する量子化
手段と、前記積分値が最初に所定値に達した積分時間を
基準積分時間とし、各受光素子の積分時間を基準積分時
間に対する相対積分時間に換算して出力する演算手段を
備え、前記逆光判定手段は、前記基準積分時間に対応す
る実際の被写体輝度を実基準輝度として求め、この実基
準輝度に基づいて、前記選択された測距エリアに対応す
る各相対積分時間から実際の被写体輝度を演算し、演算
した実際の被写体輝度の平均値を演算して逆光判定用基
準測光値として逆光判定に使用することに特徴を有す
る。

【０００６】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態は、測距装置
により選択された合焦させる測距エリア内の被写体につ
いての逆光判定用基準測光値と、多点測光装置により得
られた測光値を使用して逆光判定するカメラの露出制御
装置である。以下、本発明のカメラの露出制御装置の実
施の形態について、図面に基づいて詳細に説明する。図
１は、本発明のカメラの露出制御装置が搭載されたカメ
ラの一実施の形態の外観図であり、（Ａ）はそのカメラ
の正面を、（Ｂ）はそのカメラの上面を、（Ｃ）はその
カメラの背面をそれぞれ示している。

【０００７】図１（Ａ）に示してあるように、このカメ
ラ１０正面側には、ほぼ中央下寄りにズームレンズ１１
が設けられている。ズームレンズ１１の上方にファイン
ダ窓１２が設けられ、その右隣に測光窓１３が設けら
れ、この測光窓１３から入射した被写体光が測光ＩＣ５
０（図３参照）に導かれて被写体の輝度が測定される。
測光ＩＣ５０は、撮影領域に対応するセンサ領域を複数
の測光エリアに分割して、各測光エリア毎に被写体輝度
を測る分割測光センサを備えている。本実施例の測光Ｉ
Ｃ５０は、周辺測光エリア１−１Ｌから１−４Ｌと、上
下測光エリア２Ｌ、３Ｌ、左右測光エリア４Ｌ、５Ｌ、
および中央測光エリア６Ｌの９個のエリアに分割され、
各分割測光センサの受光領域は、各測光エリアに対応し
ている。

【０００８】パッシブＡＦセンサ部１８は、いわゆる相
関法および三角測距法の原理に基づいてカメラ１０から
被写体までの距離（被写体距離または撮影距離）を測定
する測距センサであり、複数の測距エリア内の被写体ま
での距離を独立して測定可能なマルチＡＦセンサユニッ
ト５１（図４参照）を備えている。合焦に使用される測
距データは、本実施例では、複数の測距エリアから得ら
れた測距データの内、最も近距離に相当する測距データ
である。さらに本実施の形態では、この最も近距離に相
当する測距データが得られた測距エリア内の相対積分時
間と基準積分時間からその測距エリア内の被写体輝度
（逆光判定用基準測光値）を求め、この被写体輝度と、
測光ＩＣ５０によって得られた被写体輝度（参照に基づ
いて逆光判定を行う。つまり本実施の形態では、ＡＦセ
ンサユニット５１を、測距手段としてだけでなく、測光
手段としても機能させている。

【０００９】また、リモコン受光部１４は、リモコンか
ら赤外線で送られるレリーズ信号を図示しない赤外線セ
ンサによって検出する。セルフランプ１６は、セルフタ
イマー撮影時に点滅または点灯するインジケータとして
の機能を有しているランプである。ストロボ発光部２２
は、周囲が暗い場合、または逆光の場合に、撮影を補助
するためのストロボ光を投光する部分である。

【００１０】図１（Ｂ）に示すように、このカメラ１０
の上面には、レリーズボタン２４が設けられている。こ
のレリーズボタン２４は、半押しと全押しができるよう
になっており、半押しの状態では、測光、測距し、合焦
手段が焦点調節レンズ群を合焦位置まで移動させるなど
の撮影に必要な準備をする。一方、レリーズボタン２４
が全押しされると、絞り、シャッタが作動し、フィルム
に露光し、フィルムを巻き上げる。また、モードスイッ
チ２６は、カメラ１０を本発明の機能を用いた動作をさ
せるかその逆に本発明の機能を用いない動作をさせるか
の選択をするスイッチである。

【００１１】図１（Ｃ）に示すように、このカメラ１０
の背面部にはファインダアイピース２８が設けられてい
る。このファインダアイピース２８は、撮影の構図など
を決めるために覗かれる開口部である。ファインダアイ
ピース２８の右側に縦に並んで設けられている緑ランプ
３０および赤ランプ３２は、インジケータとして機能す
るランプであり、本実施の形態では、緑ランプ３０は、
測距エラーとなった場合に点滅させ、測距エラーとなら
なかった場合に点灯させ、赤ランプ３２は、ストロボの
充電が完了したときに点灯させている。

【００１２】図３は、本発明に係るカメラの露出制御装
置の具体的な構成を示すブロック図である。図中の電源
スイッチ５０は、カメラ１０を機能させるためのメイン
スイッチ（図１（Ｃ）のＯＮ、ＯＦＦスイッチ）であ
る。モードスイッチ２６は、図１（Ｂ）に示したスイッ
チである。測光スイッチＳＷＳとレリーズスイッチＳＷ
Ｒは、レリーズボタン２４に連動するスイッチであっ
て、レリーズボタン２４の半押しで測光スイッチＳＷＳ
がＯＮし、全押しでレリーズスイッチＳＷＲがＯＮす
る。

【００１３】測光ＩＣ５０は、カメラ１０の測光窓１３
（図１の（Ａ）参照）から入射した被写体光を受光し、
複数の測光エリアに対応する分割測光センサの測光デー
タから被写体の輝度を求める測光手段である。

【００１４】ＡＦセンサユニット５１は、複数に分割さ
れている測距エリア内の被写体について形成される像を
積分して画像データに変換し、ＣＰＵ１００に出力する
測距手段として機能する。

【００１５】ストロボ回路５８は、カメラ１０のストロ
ボ発光部２２（図１の（Ａ）参照）を発光させる回路で
あり、露光量不足と判定されたり、逆光と判定されたと
きなどに動作し、ストロボ発光手段として機能する回路
である。

【００１６】フォーカス駆動回路６０は、ＡＦセンサユ
ニット５１を介して測距した被写体までの距離に応じて
フォーカスモータ６２を回転させ、カメラ１０のレンズ
を駆動して被写体に合焦させる回路である。シャッタ駆
動回路６４は、カメラ１０のレリーズスイッチＳＷＲが
ＯＮしたとき（レリーズボタンが全押しされた状態）ま
たはリモコンのレリーズボタンが押されたときなどにシ
ャッタモータ６６を回転させ、シャッタを切る回路であ
る。

【００１７】緑ランプ３０および赤ランプ３２は、前記
したように、測距エラー（被写体までの距離が測距でき
ない状態）、充電完了状態を示すインジケータとして機
能するランプである。このランプはＣＰＵ１００からの
信号によって点灯される。

【００１８】図２は、測光窓１３、ＡＦセンサ部の奥に
設けられている測光ＩＣ５０およびＡＦセンサユニット
５１の受光面（センサ領域）の形態を示す図であり、撮
影画面に対する測光エリアと測距エリアとの位置関係を
示している。

【００１９】図２（Ａ）に示す実施例では、測光エリア
が、周辺測光エリア１−１Ｌから１−４Ｌと、上下測光
エリア２Ｌ、３Ｌ、左右測光エリア４Ｌ、５Ｌ、および
中央測光エリア６Ｌの９個のエリアに分割され、測距エ
リアが１Ｄ、２Ｄ、３Ｄの３個のエリアに分割されてい
る。ここで、測距エリア１Ｄは測光エリア４Ｌに重ねて
設けられ、測距エリア２Ｄは測光エリア５Ｌに重ねて設
けられ、測距エリア３Ｄは測光エリア６Ｌに重ねて設け
られている。

【００２０】図２（Ｂ）に示す実施例では、測光エリア
が、周辺測光エリア１−１Ｌから１−４Ｌと、上下測光
エリア２Ｌ、３Ｌ、左右測光エリア４Ｌ、５Ｌ、および
中央測光エリア６Ｌの９個のエリアに分割され、測距エ
リアが１Ｄ〜５Ｄの５個のエリアに分割されている。こ
こで、測距エリア１Ｄは測光エリア２Ｌに、測距エリア
２Ｄは測光エリア３Ｌに、測距エリア３Ｄは測光エリア
４Ｌに、測距エリア４Ｄは測光エリア５Ｌに、測距エリ
ア５Ｄは測光エリア６Ｌにそれぞれ重ねて設けられてい
る。

【００２１】なお、測距エリア１Ｄ〜５Ｄは、測光エリ
ア２Ｌ〜６Ｌのいずれか一つと一致する領域、またはい
ずれか一つに含まれる領域であるが、完全に重複する
か、あるいは複数の測光エリアに跨る領域とすることも
可能である。

【００２２】以上の各実施例において、測光ＩＣ５０
は、各測光エリアについて独立して測光可能な測光セン
サを備え、ＡＦセンサユニット５１は、各測距エリアに
ついて独立して測距可能な測距センサを備えている。な
お、本実施例では、測光ＩＣ５０の４個の周辺測光エリ
ア１−１Ｌから１−４Ｌを１個の周辺測光エリアとして
利用している。

【００２３】図４には、図２（Ａ）の形態に対応するＡ
Ｆセンサユニット５１のより詳細なブロック図を示して
ある。ＡＦセンサユニット５１は図４に示すように、
左、右結像（集光）レンズ５３Ｌ、５３Ｒ、左、右ライ
ンセンサ５４Ｌ、５４Ｒ、左、右量子化部５５Ｌ、５５
Ｒおよび演算部５６を備えている。左、右ラインセンサ
５４Ｌ、５４Ｒはそれぞれ光電変換素子として、同一ピ
ッチで一列に配置された多数のフォトダイオードを備え
ている。なお、左、右結像レンズ５３Ｌ、５３Ｒ、左、
右ラインセンサ５４Ｌ、５４Ｒ、および左、右量子化部
５５Ｌ、５５Ｒは、左右同様の構成であり、左右同様の
動作をする。

【００２４】被写体光束は、左、右結像レンズ５３Ｌ、
５３Ｒを透過して対応する左、右ラインセンサ５４Ｌ、
５４Ｒ上に入射し、被写体像を形成する。つまり、左、
右ラインセンサ５４Ｌ、５４Ｒ上には、同一の被写体の
像がそれぞれ、対応する左、右結像レンズ５３Ｌ、５３
Ｒによって形成される。この左、右結像レンズ５３Ｌ、
５３Ｒおよび左、右ラインセンサ５４Ｌ、５４Ｒは、測
距エリア１Ｄ〜３Ｄ内の被写体像を受光できるように形
成され、配置されている。なお、左、右結像レンズ５３
Ｌ、５３Ｒはパンフォーカスである。

【００２５】左、右ラインセンサ５４Ｌ、５４Ｒの各フ
ォトダイオードはそれぞれ、受光した被写体光を光電変
換し、明るさに応じた電気信号（電圧または電流）を
左、右量子化部５５Ｌ、５５Ｒに出力する。左、右量子
化部５５Ｌ、５５Ｒは、各フォトダイオードの受光光量
を積分時間データに変換する。つまり、入力した各電気
信号を積分し、その積分値が一定値に達するのに要する
積分時間を計測して、各積分時間をメモリする。この積
分時間は被写体輝度に反比例し、積分時間が短いほど被
写体輝度は高く、積分時間が長いほど被写体輝度は低
い。被写体輝度に対応する。なお、演算部５６は、最初
に所定値に達した積分時間を基準積分時間に変換する。
そして、この基準積分時間に基づいてその後出力される
積分時間を相対積分時間に変換し、この基準積分時間と
ともに全てメモリする。

【００２６】そして演算部５６は、すべてのフォトダイ
オードの電気信号が所定の積分値に達して全ての積分時
間をメモリしたら、メモリした積分時間を受光素子列の
順に画像データとしてＣＰＵ１００に出力する。なお、
一定時間が経過してもいずれかのフォトダイオードにつ
いて積分値が所定の積分値に達していない場合は、積分
未終了のフォトダイオードについては一定時間を相対積
分時間としてメモリし、画像データとしてＣＰＵ１００
に出力する。ＣＰＵ１００は、これらの画像データを内
部ＲＡＭ１０１にメモリし、測距演算および逆光判定に
利用する。

【００２７】測距、つまり位相差を検出するためには、
各受光素子が受光した被写体像の相対輝度が分かればよ
く、実際の被写体の輝度値は不要である。一方、測距精
度は、演算有効レンジ一杯になるような輝度値を得た方
が高くなる。そこで演算部５６は、左右量子化部５５
Ｌ、５５Ｒから得た最短積分時間を基準積分時間として
他の積分時間を相対積分時間に変換して画像データとし
て出力している。したがって、この最短積分時間と実際
の輝度が分かれば、基準積分時間および相対積分時間を
実際の輝度値に変換できる。

【００２８】そこでＣＰＵ１００は、演算部５６から画
像データとは別個に、最短積分時間を入力する。そして
ＣＰＵ１００は、積分終了後に演算部５６から出力され
た画像データを、この最短積分時間に基づいて各画像デ
ータを実際の被写体の輝度に変換して、逆光判定に用い
る被写体輝度を得ている。

【００２９】図５には、一方のラインセンサ５４Ｌの各
フォトダイオードと積分時間（相対積分時間）との関係
を示してある。この図は、横方向がフォトダイオードが
並ぶ方向であり、縦方向（棒グラフ）が各フォトダイオ
ードの積分時間である。つまり、棒グラフが高いほど受
光光量が少なく（輝度が低く）、棒グラフが低いほど受
光光量が多い（輝度が高い）ことを示している。言い替
えれば、この図５はラインセンサ上の被写体輝度分布
（位相）を表している。本実施例において、棒グラフの
明るさ（暗さ）に対応する高さは、最短積分終了のフォ
トダイオードに対する時間のカウント値（最も明るい被
写体光を受けて積分終了したフォトダイオードに対する
積分終了遅れ分のカウント値）である。なお、図５にお
いて、センサ領域１Ｓ〜３Ｓは、測距エリア１Ｄ〜３Ｄ
に対応する。また、他方のラインセンサ５４Ｒ上の被写
体像の輝度分布も同様になる。

【００３０】図示実施例では、一方のラインセンサ５４
Ｌを基準ラインセンサ、他方のラインセンサ５４Ｒを参
照ラインセンサとして、基準のラインセンサ５４Ｌ上の
測距エリア１Ｄ〜３Ｄの輝度分布と一致する輝度分布を
他方のラインセンサ５４Ｒの対応する測距エリア１Ｄ〜
３Ｄ内の輝度分布から検出して、その輝度分布の間隔、
（被写体像の位相差）を検出し、検出した間隔に基づい
て、その測距エリア１Ｄ〜３Ｄ内の被写体までの距離を
求める。そして、最も近距離の被写体を主要被写体と推
定し、最近距離を選択して、合焦処理に使用する。

【００３１】さらにＣＰＵ１００は、選択した距離が得
られた測距エリア１Ｄ〜３Ｄに対応するセンサ領域１Ｓ
〜３Ｓの一つから得られた画像データ、および最短積分
時間に基づいて、選択されたセンサ領域の平均輝度を演
算し、演算した平均輝度を逆光判定用基準測光値（サブ
測光値ＢＶａｆ）として逆光判定に利用する。例えば、
測光ＩＣ５０から得た周辺領域の参照測光値ＢＶｄと逆
光判定用基準測光値としてのサブ測光値ＢＶａｆの差と
設定値との大小を比較して逆光判定をする。そして逆光
と判定したときは、例えば露出値をオーバ補正し、また
はストロボを発光させる。このようにＣＰＵ１００は、
判定手段として機能する。

【００３２】なお、ＣＰＵ１００は、図３に示すよう
に、これに接続されている全ての入力機器（各種センサ
やスイッチなど）から信号を入力し、記憶されているプ
ログラムに基づいて、接続されている個々の出力機器
（各種回路やランプなど）の動作を制御するものであ
り、測距手段、測光手段、選択手段、逆光判定手段、制
御手段などとして機能する。逆光判定をするための設定
値は、予めＥＥＰＲＯＭ１０２に記憶させてある。

【００３３】本発明に係るカメラの露出制御装置の概略
の構成は以上の通りであるが、次に、その具体的な動作
をフローチャートに基づいて詳細に説明する。図６は、
本発明に係るカメラの露出制御装置のメインフローチャ
ートであり、図７、８および図９は、図６のメインフロ
ーチャートの内の測距処理および逆光判定処理のサブル
ーチンを示すフローチャートである。また、図１０は、
図７の測距処理フローチャート内のＡＦセンサリセット
処理のサブルーチンのフローチャートあり、図１１は、
図７の測距処理フローチャート内のサブ測光処理のサブ
ルーチンを示すフローチャートである。

【００３４】図６のメインフローチャートによって示さ
れた撮影処理は、レリーズボタン２４の半押し操作（測
光スイッチＳＷＳのオン）によってスタートする処理で
ある。撮影処理のフローチャートがスタートすると、カ
メラ１０の測光窓１３から入射した被写体光を受光した
測光ＩＣ５０からの信号に基づいてＣＰＵ１００は被写
体の輝度を演算する（Ｓ１）。たとえば図２（Ａ）に示
したような各測光エリアについて被写体の輝度を演算す
る。

【００３５】次に、被写体までの距離を測距する測距処
理をする（Ｓ２）。この測距処理の詳しい処理は図７の
フローチャートで説明するが、概略次のような処理がさ
れる。すなわち、複数の測距エリアによって測距された
被写体までの複数の測距データのうち、最も近い測距デ
ータを選択して被写体までの距離とする。

【００３６】Ｓ２のステップでの処理において、被写体
の測距がうまくできなかったなどの理由によって被写体
までの距離が確定できずに測距エラーとなってしまった
場合には（Ｓ３；Ｙ）、ＣＰＵ１００は緑ランプ３０を
点滅する（Ｓ４）。一方、測距エラーとならなかった場
合には、ＣＰＵ１００は緑ランプ３０を点灯する（Ｓ
５）。

【００３７】次に、ＡＥ演算処理をして被写体の露光量
（シャッタ速度、絞り値）を演算し（Ｓ６）、逆光かど
うかを判定する逆光判定処理をする（Ｓ７）。この逆光
判定処理は、図９に示すフローチャートに基づいて後で
詳しく説明する。

【００３８】レリーズボタン２４が半押しされていなけ
れば、測光スイッチＳＷＳがＯＮしていないので以降の
処理は行わず処理を抜ける（Ｓ８；Ｎ）。レリーズボタ
ン２４が半押しされ測光スイッチＳＷＳがＯＮしている
場合は（Ｓ８；Ｙ）、レリーズボタン２４が全押しされ
てレリーズスイッチＳＷＲがＯＮされるのを待って（Ｓ
９）、レリーズスイッチＳＷＲがＯＮされたら、ＣＰＵ
１００は緑ランプ３０と赤ランプ３２を消灯する（Ｓ
９；Ｙ、Ｓ１０）。

【００３９】前記Ｓ７のステップで行われた逆光判定処
理において、逆光であると判定されたとき（逆光発光フ
ラグｆ＝１）には（Ｓ１１；Ｙ）、ストロボ発光部２２
から発光されるストロボ光の発光量を演算するフラッシ
ュマチック（ＦＭ）演算処理（Ｓ１２）を実行してから
露出制御処理（Ｓ１３）に進む。ストロボ発光をさせる
ときには、この演算によって得られた発光量だけストロ
ボ光がストロボ発光部２２から発光されることになる。

【００４０】一方、逆光判定処理において逆光であると
判定されなかったとき、つまり逆光発光フラグｆ＝０の
ときには（Ｓ１１；Ｎ）、直ちに露出制御処理及び巻上
げ／巻き戻し処理をする（Ｓ１３、Ｓ１４）。すなわ
ち、ＣＰＵ１００は、シャッタ駆動回路６４を動作させ
シャッタモータ６６を動かしてシャッタを切り、フィル
ムを１枚巻き上げる。フィルムの残量がなければフィル
ムを全て巻き戻す。

【００４１】次に、図６のメインフローチャートの内の
測距処理を、図７のフローチャートに基づいて説明す
る。

【００４２】ＡＦセンサユニット５１を介して測距され
る測距領域は、例えば図２（Ａ）にも示したように３つ
の測距エリア１Ｄ〜３Ｄに分割され、被写体までの距離
はそれぞれの測距エリア１Ｄ〜３Ｄについて独自に認識
される。また、測光ＩＣ５０を介して検出される被写体
の輝度は、測光エリア１−１Ｌ〜４Ｌから６Ｌまでの６
個のエリアに分割された各測光エリアで検出される。上
記の測距エリア１Ｄは測光エリア４Ｌに重ねて設けら
れ、測距エリア２Ｄは測光エリア５Ｌに重ねて設けら
れ、測距エリア３Ｄは測光エリア６Ｌに重ねて設けられ
ている。

【００４３】ＣＰＵ１００は、まずＡＦセンサをリセッ
トする（Ｓ３６）。そしてＣＰＵ１００は、前記した複
数の測距エリア（センサ領域Ｓ１〜Ｓ３）の内、先ず第
１の測距エリア（１Ｄ）を設定し（Ｓ３７）、その測距
エリア（１Ｄ）に対応するセンサデータを入力してその
測距エリアにおける被写体までの距離を演算する（Ｓ３
８、Ｓ３９）。Ｓ３７からＳ３９までの処理を第１の測
距エリア（１Ｄ）から第３の測距エリア（３Ｄ）までの
全ての測距エリアについて行い（Ｓ４０）、３つの測距
エリアについて測距された被写体までの測距データのう
ち、最も近い測距データを選択する（Ｓ４１）。

【００４４】次に、ＣＰＵ１００は、いずれの測距エリ
アからも有効な測距値が得られなかったときには（Ｓ４
６；Ｙ）、測距エラー処理を実行し（Ｓ４７）、サブ測
光値ＢＶａｆに０を代入してメインルーチンに戻る（Ｓ
４８）。なお、測距エラー処理では、例えば主要被写体
が存在する確率の高い所定の距離（例えば２ｍ、近点）
に合焦するようにレンズ駆動データ（ＬＬデータ）を設
定する。

【００４５】一方、いずれかの測距エリアで被写体まで
の距離が求められたときには、Ｓ４１のステップで選択
された測距データをレンズ駆動データ（ＬＬデータ）に
変換する（Ｓ４９）。ＣＰＵ１００は、このレンズ駆動
データに基づいてフォーカス駆動回路６０を介してフォ
ーカスモータ６２を動かして被写体に合焦させる。そし
て、選択された測距エリアに対応する測距エリアのセン
サデータからサブ測光値ＢＶａｆを求めてリターンする
（Ｓ５０）。

【００４６】図８は、図７に示したフローチャートのＳ
４１のステップのサブルーチン処理を示すフローチャー
トである。Ｓ４１のステップで、３つの測距エリアによ
って測距された被写体までの測距データのうち、最も近
い測距データ（測距値）を選択する処理が行われるが、
この処理は、具体的には次のようにして行われる。

【００４７】まず、３つの測距エリアから得られた測距
値のうち、最も小さい測距値を認識して、その最も小さ
い測距値が得られた測距エリアを決定する。たとえば、
最も小さい測距値が図２（Ａ）に示した第３の測距エリ
ア（３Ｄ）から得られたとすれば、選択測距エリアｊは
３Ｄであると決定されることになる（Ｓ５１）。

【００４８】次に、この決定された選択測距エリアの番
号、すなわち、上記の例では３Ｄを変数ｊに設定する。
すなわち、ｊ＝３Ｄとなる（Ｓ５２）。そして、その選
択測距エリアｊで得られた測距値を測距データとしてリ
ターンする（Ｓ５３）。

【００４９】図９は、図６のメインフローチャートの内
の逆光判定処理を示すサブルーチンに関するフローチャ
ートである。この逆光判定処理では、有効な測距データ
が選択された場合は、そのＡＦ測距センサ５１から得た
サブ測光値ＢＶａｆと測光ＩＣ５０から得た参照測光値
とに基づいて逆光判定し、有効な測距データが得られな
かった場合は、測光ＩＣ５０から得た測光値のみに基づ
いて逆光判定する。

【００５０】逆光判定処理に入ると、まず、逆光である
と判定されたか、判定されなかったかを示す逆光発光フ
ラグｆを０に設定する（Ｓ６１）。つまり、逆光発光フ
ラグを初期化する。次に、露出方式がストロボオート発
光かどうかをチェックし、ストロボオート発光でない場
合はストロボを発光しないのでリターンする（Ｓ６２；
Ｙ）。

【００５１】ストロボオート発光の場合は（Ｓ６２；
Ｙ）、複数の測光エリアの中から所定番目、例えば２番
目に明るい測光データ（ＭＡＸ２）および２番目に暗い
測光データ（ＭＩＮ２）を見つける（Ｓ６３）。たとえ
ば、図２（Ａ）のような測光エリアに分割されている場
合には、測光エリア１−１Ｌ〜６Ｌまでの６個の測光エ
リアのそれぞれから得られた測光データを全て比較し、
その中で２番目に明るい測光データ（ＭＡＸ２）および
２番目に暗い測光データ（ＭＩＮ２）が得られた測光エ
リアを見つける。

【００５２】そして、現在のズームレンズ１１の焦点距
離が所定焦点距離Ａmm以下であるかどうかをチェックし
（Ｓ６４）、以下であれば全域測距エラーかどうかをチ
ェックし（Ｓ６５）、全域測距エラーでなかった場合、
つまり図６のフローチャートのＳ２のステップでの処理
において測距エラーにならなかった場合には（Ｓ６５；
Ｎ）、ＡＦセンサユニット５１から得た選択測距エリア
ｊ内のサブ測光値ＢＶａｆと、周辺に位置する測光エリ
ア１−１Ｌ〜１−４Ｌから得た平均の測光データである
参照測光値ＢＶｄとの差を求め、この差が例えば２．０
ＥＶ以上であれば逆光であると判定して逆光フラグｆに
１をセットし（Ｓ６６；Ｙ、Ｓ６７）、２．０ＥＶ以上
でなければ逆光ではないと判定してＳ６７をスキップす
る（Ｓ６６；Ｎ）。

【００５３】また、ズームレンズ１１の焦点距離が所定
焦点距離Ａmm以下でなかった場合（Ｓ６４；Ｎ）、以下
であっても有効な被写体の測距値が得られなかったなど
の理由によって被写体までの距離が確定できずに測距エ
ラーになっていた場合には（Ｓ６４；Ｙ、Ｓ６５；
Ｙ）、Ｓ６６、Ｓ６７の逆光判定処理をスキップする。
なお、ズームレンズ１１の所定焦点距離Ａmmは、撮影画
面の大部分が測光エリア６Ｌによって占められてしまう
焦点距離、言い換えれば、周辺測光エリア１-１Ｌ〜４
Ｌ、測光エリア２Ｌ〜５Ｌが撮影画面外になってしまう
焦点距離が設定される。ズームレンズ１１の焦点距離
は、ズームコード入力回路３５を介してＣＰＵ１００が
検知する。

【００５４】次に、測光エリアから得られ測光データの
中から２番目に明るい測光データ（ＭＡＸ２）と２番目
に暗い測光データ（ＭＩＮ２）の差を求め、この差が例
えば１．５Ｅｖ以上であれば、逆光であると判定して、
逆光発光フラグに１を設定してリターンする（Ｓ６８；
Ｙ、Ｓ６９）。焦点検出した測距エリア内の被写体につ
いて逆光と判定されなかった場合でも、撮影画面内に明
る被写体と暗い被写体の両方が存在する場合があるから
である。一方、この差が１．５Ｅｖ以上でなければ逆光
でないと判定してリターンする（Ｓ６８；Ｎ）。

【００５５】図１０は、図７の測距処理フローチャート
のＳ３６のステップで実行するＡＦセンサリセット処理
のサブルーチンを示したフローチャートである。本実施
の形態では、ＡＦセンサユニット５１に積分をスタート
させて、最初に積分が終了する時間（最短積分時間）を
計測し、計測時間に基づいて、基準輝度ＢＶｂｓを求め
る。

【００５６】ＡＦセンサリセット処理に入ると、まずタ
イマーをスタートさせ、ＡＦセンサユニット５１をリセ
ットして積分を開始させる（Ｓ７１、Ｓ７２）。そし
て、いずれかのフォトセンサの積分が終了するのを待つ
（Ｓ７３）。いずれかのフォトセンサの積分が終了した
らタイマーをストップさせて、最短の積分時間を計測す
る（Ｓ７３；Ｙ、Ｓ７４）。そして、この最短積分時間
に基づいて、基準輝度ＢＶｂｓを求める（Ｓ７５）。

【００５７】図１１は、図７の測距処理フローチャート
のＳ５０のステップで実行されるサブ測光処理に関する
フローチャートである。このサブ測光処理は、ＡＦセン
サユニット５１から入力した画像データに基づいて、選
択された測距エリアに対応する平均輝度ｐを演算し、基
準輝度ＢＶｂｓから平均輝度ｐを減算して、測距エリア
の絶対的な輝度、すなわちサブ測光値ＢＶａｆを求める
処理である。

【００５８】サブ測光処理に入ると、まず、ＡＦセンサ
ユニット５１から入力してＲＡＭ１０１に書き込んだ画
像データを読み込み（Ｓ８１）、選択した測距エリアに
対応する領域のデータに基づいて平均輝度ｐを求める
（Ｓ８２）。そして、平均輝度ｐおよび基準輝度ＢＶｂ
ｓからサブ測光値ＢＶａｆを求めて（Ｓ８３）リターン
する。

【００５９】このように、測距できた場合には、測距セ
ンサから得た合焦に使用する測距エリア内の被写体につ
いての逆光判定用基準測光値と、測光センサから得た周
辺の測光エリアの測光値（参照測光値）との差に基づい
て逆光であるかどうかを判定し、測距エラーの場合に
は、測光センサから得た２番目に大きい測光データと２
番目に小さい測光データとの差に基づいて逆光であるか
どうかを判定している。

【００６０】このようにこのカメラの露出制御装置によ
れば、逆光の判定をするときに、測距データが採用され
た測距エリアに対応するセンサ領域から得られた測光デ
ータを使用するので、測距した主要被写体についてより
正確な逆光判定が可能になり、より適正な露出を得るこ
とができる。また、測距エラーの場合に、測光センサか
ら得た２番目に大きい測光値と２番目に小さい測光値の
差を利用しているので、最大と最小の測光値とを比較し
て逆光の判定をするよりも主要被写体に対してより確率
の高い逆光判定が可能である。以上、本発明をレンズシ
ャッタカメラに適用した実施の形態について説明した
が、本発明は一眼レフカメラにも適用できる。

【００６１】

【発明の効果】以上の説明から明らかな通り請求項１に
記載の発明では、測距手段から合焦に利用する測距デー
タが得られた測距エリアに対応するセンサデータから得
た測光値と、マルチ測光手段から得られた測光値とに基
づいて逆光判定するので、合焦した主要被写体に対する
逆光判定を確実に、かつ正確にすることができる。請求
項２記載の発明は、複数の測距エリアの内のいずれか１
個の測距エリア内の測距値を選択して合焦処理し、逆光
判定に、複数の測距エリアの内、選択された焦点検出エ
リア内の被写体光に基づいて検出した測光値を使用する
ので、合焦した主要被写体に対する逆光判定を確実に、
かつ正確にすることができる。請求項４記載の発明は、
測距手段のラインセンサから得られる被写体輝度に関す
る画像データを使用するので、合焦に利用した測距エリ
ア内の被写体の画像データに基づいての逆光判定が可能
になり、合焦した主要被写体に対する逆光判定をさらに
確実に、正確にすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明のカメラの露出制御装置が搭載された
カメラの外観図であり、（Ａ）はそのカメラの正面を、
（Ｂ）はそのカメラの上面を、（Ｃ）はそのカメラの背
面をそれぞれ示す図である。

【図２】 測光エリアと測距エリアとの位置関係の説明
に供する図である。

【図３】 本発明に係るカメラの露出制御装置の具体的
な構成を示すブロック図である。

【図４】 同カメラに搭載されたＡＦセンサユニットの
より詳細なブロック図である。

【図５】 同ＡＦセンサユニットの一方のラインセンサ
の各受光素子と積分時間との関係をグラフで示す図であ
る。

【図６】 本発明に係るカメラの露出制御装置のメイン
フローチャートを示す図である。

【図７】 図６のメインフローチャート内の測距処理の
サブルーチンのフローチャートを示す図である。

【図８】 図７の測光処理フローチャート内の測距値選
択処理のサブルーチンのフローチャートを示す図であ
る。

【図９】 図８のメインフローチャート内の逆光判定処
理のサブルーチンのフローチャートを示す図である。

【図１０】 図７の測光処理フローチャート内のＡＦセ
ンサリセット処理のサブルーチンのフローチャートを示
す図である。

【図１１】 図７の測光処理フローチャート内のサブ測
光処理のサブルーチンのフローチャートを示す図であ
る。

【符号の説明】

１０ カメラ １３ 測光窓 １８ パッシブＡＦ部 ２０ ＡＦ補助投光部 ２２ ストロボ発光部 ２４ レリーズボタン ２６ モードスイッチ ３０ 緑ランプ ３２ 赤ランプ ５０ 測光ＩＣ ５１ マルチＡＦセンサユニット １００ ＣＰＵ １０１ ＲＡＭ １０２ ＥＥＰＲＯＭ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｂ 15/05 Ｇ０３Ｂ 3/00 Ａ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定の測距エリア内の被写体光を受光し
   て測距する焦点検出手段と、 複数の測光エリア内の被写体光を受光して測光する測光
   手段と、 前記焦点検出手段が受光した被写体光に基づいて逆光判
   定用基準測光値を求め、この逆光判定用基準測光値と、
   前記測光手段が測光した参照測光値とに基づいて逆光で
   あるか否かを判定する逆光判定手段を備えたことを特徴
   とする露出制御装置。
2. 【請求項２】 前記焦点検出手段は複数の測距エリアを
   備え、この複数の測距エリアの内のいずれか１個の測距
   エリア内の測距値を選択して合焦処理し、前記逆光判定
   手段は、前記逆光判定用基準測光値を、前記選択された
   測距エリア内の被写体光に基づいて検出する請求項１記
   載の露出制御装置。
3. 【請求項３】 前記逆光判定手段が逆光判定に利用する
   測光エリアは、撮影画面内において撮影画面の中央より
   も周辺寄りに位置する測光エリアである請求項１または
   ２記載の露出制御装置。
4. 【請求項４】 前記逆光判定手段が逆光判定に利用する
   測光エリアは、上記選択された測距エリアとは重複しな
   い測光エリアである請求項２記載の露出制御装置。
5. 【請求項５】 前記測距手段は、一対の結像レンズによ
   って一対のラインセンサ上に形成された、所定焦点検出
   エリア内の被写体像の間隔を前記一対のラインセンサの
   各受光素子が積分した積分値に基づいて検出し、検出し
   た被写体像の間隔から被写体までの距離を求めるパッシ
   ブ測距装置であって、 前記一対のラインセンサ上に形成された被写体像の輝度
   を前記各受光素子の積分値が所定値に達するまでの積分
   時間として検出する量子化手段と、 前記積分値が最初に所定値に達した積分時間を基準積分
   時間とし、各受光素子の積分時間を基準積分時間に対す
   る相対積分時間に換算して出力する演算手段を備え、 前記逆光判定手段は、前記基準積分時間に対応する実際
   の被写体輝度を実基準輝度として求め、この実基準輝度
   に基づいて、前記選択された測距エリアに対応する各相
   対積分時間から実際の被写体輝度を演算し、演算した実
   際の被写体輝度の平均値を演算して逆光判定用基準測光
   値として逆光判定に使用する請求項１から４のいずれか
   一項記載のカメラの露出制御装置。
6. 【請求項６】 前記カメラの露出制御装置は、前記逆光
   判定手段が逆光と判定したときには、露出時にストロボ
   を発光させるストロボ手段を備えている請求項１から５
   のいずれか一項記載のカメラの露出制御装置。
7. 【請求項７】 前記カメラの露出制御装置は、前記測光
   手段の測光値に基づいて適正露出値を演算する露出演算
   手段を備え、該露出演算手段は、前記逆光判定手段が逆
   光と判定したときは、その判定結果に基づいて露出値を
   オーバー補正する請求項１から５のいずれか一項記載の
   カメラの露出制御装置。