JP2000165073A - 埋込式ヒ―トスラグ - Google Patents
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- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ヒートスラグの放熱面にエポキシ成型コンパ
ウンドが溢れることを防止する。 【解決手段】 シリコンチップ２２の下側のダイパッド
１２の他の表面に取り付けられる第１の表面と、第２の
表面であって、前記シリコンチップ２２、ダイパッド１
２、前記リードフレーム１６ａの一部およびヒートスラ
グ４０の一部が、該第２の表面および前記リードフレー
ム１６ａの外側部分を除いて絶縁材料３０によって密封
されるように複数の同心状の溝４２ａ，４２ｂ，４２ｃ
を有する第２の表面とを具備する埋込式ヒートスラグ４
０を提供する。
ウンドが溢れることを防止する。 【解決手段】 シリコンチップ２２の下側のダイパッド
１２の他の表面に取り付けられる第１の表面と、第２の
表面であって、前記シリコンチップ２２、ダイパッド１
２、前記リードフレーム１６ａの一部およびヒートスラ
グ４０の一部が、該第２の表面および前記リードフレー
ム１６ａの外側部分を除いて絶縁材料３０によって密封
されるように複数の同心状の溝４２ａ，４２ｂ，４２ｃ
を有する第２の表面とを具備する埋込式ヒートスラグ４
０を提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、一種のヒートス
ラグ(heat slug)に関する。さらに詳細には、この発明
は、リードフレームに取り付けられかつ半導体集積回路
（ＩＣ）パッケージ内に埋め込まれ得る一種のヒートス
ラグに関するものである。
ラグ(heat slug)に関する。さらに詳細には、この発明
は、リードフレームに取り付けられかつ半導体集積回路
（ＩＣ）パッケージ内に埋め込まれ得る一種のヒートス
ラグに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】より先進の半導体製造技術は進歩し続け
ているので、集積レベルはより高くなっておりかつ、Ｉ
Ｃの計算速度はより速くなっている。ＩＣチップが動作
するときに、ＩＣパッケージの温度は急激に上昇する。
内部ＩＣ装置の動作速度が速ければ速いほど、発生する
熱量も大きくなる。ＩＣ装置が正常に機能する明確な温
度範囲がある。作動範囲を超えると、計算誤差が生ず
る。ときには、装置が焼けてしまうこともある。したが
って、動作しているＩＣの温度を許容し得る温度範囲に
いかにして制限するかが、ＩＣ設計技術者にとって重要
な課題である。
ているので、集積レベルはより高くなっておりかつ、Ｉ
Ｃの計算速度はより速くなっている。ＩＣチップが動作
するときに、ＩＣパッケージの温度は急激に上昇する。
内部ＩＣ装置の動作速度が速ければ速いほど、発生する
熱量も大きくなる。ＩＣ装置が正常に機能する明確な温
度範囲がある。作動範囲を超えると、計算誤差が生ず
る。ときには、装置が焼けてしまうこともある。したが
って、動作しているＩＣの温度を許容し得る温度範囲に
いかにして制限するかが、ＩＣ設計技術者にとって重要
な課題である。
【０００３】ＩＣ装置の動作温度を下げるための従来の
方法は、パッケージ本体にヒートスラグを取り付けるこ
とである。これに代えて、ヒートスラグの放熱面を除い
て、ヒートスラグがパッケージ材料内に埋め込まれるよ
うに、ヒートスラグがリードフレームの下部に取り付け
られる。両方の場合において、ＩＣパッケージ内部で生
じた熱は、ヒートスラグにより提供された追加の放熱面
を使用して持ち去られることができる。
方法は、パッケージ本体にヒートスラグを取り付けるこ
とである。これに代えて、ヒートスラグの放熱面を除い
て、ヒートスラグがパッケージ材料内に埋め込まれるよ
うに、ヒートスラグがリードフレームの下部に取り付け
られる。両方の場合において、ＩＣパッケージ内部で生
じた熱は、ヒートスラグにより提供された追加の放熱面
を使用して持ち去られることができる。
【０００４】図１は、埋込式ヒートスラグを有する従来
の半導体ＩＣパッケージを示す縦断面図である。図１に
示されるように、従来の半導体ＩＣパッケージ１０はリ
ードフレーム１６ａを有している。リードフレーム１６
ａは、ダイパッド１２と複数のリード１４とから構成さ
れている。各リード１４は、さらに、内部リード部１８
と外部リード部２０とに分割されている。パッケージン
グ作業は、シリコンチップ２２をリードフレーム１６ａ
のダイパッド１２上に取り付けた後に、ヒートスラグ２
４をダイパッド１２の下部に取り付けるステップを含ん
でいる。次に、チップ２２のボンディングパッドをリー
ド１４に連結するために金属製ワイヤ２６が形成される
ように、ワイヤボンディング作業が実施される。その
後、ヒートスラグ２４の下部放熱面２８および外部リー
ド部２０のみが露出させられるように、チップ２２、リ
ードフレームおよびヒートスラグ２４が、成形作業にお
いてエポキシ成形コンパウンド３０によって封入され
る。最後に、完成したＩＣパッケージを形成するために
外部リードが切り取られて曲げられる。
の半導体ＩＣパッケージを示す縦断面図である。図１に
示されるように、従来の半導体ＩＣパッケージ１０はリ
ードフレーム１６ａを有している。リードフレーム１６
ａは、ダイパッド１２と複数のリード１４とから構成さ
れている。各リード１４は、さらに、内部リード部１８
と外部リード部２０とに分割されている。パッケージン
グ作業は、シリコンチップ２２をリードフレーム１６ａ
のダイパッド１２上に取り付けた後に、ヒートスラグ２
４をダイパッド１２の下部に取り付けるステップを含ん
でいる。次に、チップ２２のボンディングパッドをリー
ド１４に連結するために金属製ワイヤ２６が形成される
ように、ワイヤボンディング作業が実施される。その
後、ヒートスラグ２４の下部放熱面２８および外部リー
ド部２０のみが露出させられるように、チップ２２、リ
ードフレームおよびヒートスラグ２４が、成形作業にお
いてエポキシ成形コンパウンド３０によって封入され
る。最後に、完成したＩＣパッケージを形成するために
外部リードが切り取られて曲げられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図２は、埋込式ヒート
スラグを有する半導体ＩＣパッケージを示す下面図であ
る。図２に示されるように、型とヒートスラグ２４との
間に存在する隙間によって、いくらかのエポキシ成形コ
ンパウンド３０がヒートスラグ２４の下部放熱面２８上
に漏れ出している。下部放熱面２８に残るエポキシ成形
コンパウンドの残留樹脂３２は、放熱を少なくしてしま
う。したがって、ヒートスラグ２４の放熱能力が大幅に
低減される。その結果、エポキシ成型コンパウンドの残
留樹脂３２を取り除くことを目的とした特別な作業が行
われなければならない。したがって、製造時間が長くな
るのみならず、製造コストも増加してしまうことにな
る。
スラグを有する半導体ＩＣパッケージを示す下面図であ
る。図２に示されるように、型とヒートスラグ２４との
間に存在する隙間によって、いくらかのエポキシ成形コ
ンパウンド３０がヒートスラグ２４の下部放熱面２８上
に漏れ出している。下部放熱面２８に残るエポキシ成形
コンパウンドの残留樹脂３２は、放熱を少なくしてしま
う。したがって、ヒートスラグ２４の放熱能力が大幅に
低減される。その結果、エポキシ成型コンパウンドの残
留樹脂３２を取り除くことを目的とした特別な作業が行
われなければならない。したがって、製造時間が長くな
るのみならず、製造コストも増加してしまうことにな
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記事項に鑑みて、埋込
式ヒートスラグの設計を改良することが必要である。し
たがって、この発明の目的は、半導体ＩＣパッケージの
品質を維持しかつ製造コストを低減することができるよ
うに、ヒートスラグの放熱面にエポキシ成型コンパウン
ドが溢れることを防止することができる埋込式ヒートス
ラグを提供することである。第２の側面において、この
発明は、より多くの熱を放散することができるように放
熱面積を増大させ得る埋込式ヒートスラグを提供するこ
とである。
式ヒートスラグの設計を改良することが必要である。し
たがって、この発明の目的は、半導体ＩＣパッケージの
品質を維持しかつ製造コストを低減することができるよ
うに、ヒートスラグの放熱面にエポキシ成型コンパウン
ドが溢れることを防止することができる埋込式ヒートス
ラグを提供することである。第２の側面において、この
発明は、より多くの熱を放散することができるように放
熱面積を増大させ得る埋込式ヒートスラグを提供するこ
とである。
【０００７】この発明の目的に従って、これらの利点お
よび他の利点を達成するために、この明細書に具現化さ
れかつ広く記載されているように、この発明は、半導体
ＩＣパッケージにおいて使用され得る埋込式ヒートスラ
グを提供する。半導体ＩＣパッケージは、シリコンチッ
プを保持するためのリードフレームを有している。該リ
ードフレームはさらに、ダイパッドと複数のリードとを
具備している。シリコンチップは、該シリコンチップが
導電性ワイヤを介してリードフレームのリードに電気的
に接続され得るように、ダイパッドの一側に取り付けら
れる。埋込式ヒートスラグは、その表面の一つを前記ダ
イパッドの他側に取り付けられている。反対側の他の表
面には、いくつかの同心状の溝を有している。さらに、
複数の固定フィンが、ヒートスラグの側に取り付けられ
ている。前記リードフレーム、シリコンチップおよびヒ
ートスラグは、溝を有するヒートスラグ表面および外部
リード部のみが露出されるような方法で、半導体パッケ
ージを形成するように、絶縁材料によって封入される。
よび他の利点を達成するために、この明細書に具現化さ
れかつ広く記載されているように、この発明は、半導体
ＩＣパッケージにおいて使用され得る埋込式ヒートスラ
グを提供する。半導体ＩＣパッケージは、シリコンチッ
プを保持するためのリードフレームを有している。該リ
ードフレームはさらに、ダイパッドと複数のリードとを
具備している。シリコンチップは、該シリコンチップが
導電性ワイヤを介してリードフレームのリードに電気的
に接続され得るように、ダイパッドの一側に取り付けら
れる。埋込式ヒートスラグは、その表面の一つを前記ダ
イパッドの他側に取り付けられている。反対側の他の表
面には、いくつかの同心状の溝を有している。さらに、
複数の固定フィンが、ヒートスラグの側に取り付けられ
ている。前記リードフレーム、シリコンチップおよびヒ
ートスラグは、溝を有するヒートスラグ表面および外部
リード部のみが露出されるような方法で、半導体パッケ
ージを形成するように、絶縁材料によって封入される。
【０００８】ヒートスラグの外側に向かう表面上の特殊
な溝の存在によって、エポキシ成形コンパウンドが漏れ
た場合に、パッケージング材料は最も外側の溝内にのみ
漏れる。したがって、エポキシ成形コンパウンドの残留
樹脂は、放熱面上に全く残されない。さらに、パネルの
放熱面上の溝は放熱面積を増加させ、したがって、ヒー
トスラグの放熱効率を増大させる。さらに、ヒートスラ
グの側の周囲の特殊な固定フィンは、不均衡の圧力によ
って、ヒートスラグが成型キャビティ内にずれることを
防止することができる。
な溝の存在によって、エポキシ成形コンパウンドが漏れ
た場合に、パッケージング材料は最も外側の溝内にのみ
漏れる。したがって、エポキシ成形コンパウンドの残留
樹脂は、放熱面上に全く残されない。さらに、パネルの
放熱面上の溝は放熱面積を増加させ、したがって、ヒー
トスラグの放熱効率を増大させる。さらに、ヒートスラ
グの側の周囲の特殊な固定フィンは、不均衡の圧力によ
って、ヒートスラグが成型キャビティ内にずれることを
防止することができる。
【０００９】上述した概略の説明および以下の詳細な説
明は、例示であり、かつ、特許請求の範囲に示された発
明のさらなる説明を提供しようとするものである。
明は、例示であり、かつ、特許請求の範囲に示された発
明のさらなる説明を提供しようとするものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】添付図面はこの発明のより深い理
解を提供するために含められるものであり、この明細書
の中に含められて、その一部を構成している。図面は、
この発明の実施形態を示しており、詳細な説明ととも
に、この発明の原理を説明するように機能している。
解を提供するために含められるものであり、この明細書
の中に含められて、その一部を構成している。図面は、
この発明の実施形態を示しており、詳細な説明ととも
に、この発明の原理を説明するように機能している。
【００１１】図１は、埋込式ヒートスラグを有する従来
の半導体ＩＣパッケージを示す、概略の縦断面図であ
る。図２は、埋込式ヒートスラグを有する半導体ＩＣパ
ッケージを示す概略の下面図である。図３の（ａ）は、
この発明の第１の好ましい実施形態に従うヒートスラグ
の底面を示す概略の下面図である。図３の（ｂ）は、
（ａ）に示されたヒートスラグの概略の縦断面図であ
る。図４の（ａ）は、この発明の第２の好ましい実施形
態に従うヒートスラグの底面を示す概略の下面図であ
る。図４の（ｂ）は、（ａ）に示されたヒートスラグの
概略の縦断面図である。図５は、この発明の第１の実施
形態に従うヒートスラグ構造を有する半導体パッケージ
の底面を示す概略の下面図である。図６は、図５に示さ
れた半導体パッケージの概略の縦断面図である。図７
は、この発明の第１の好ましい実施形態に従うヒートス
ラグ構造を有する他の半導体パッケージを示す概略の縦
断面図である。図８の（ａ）は、この発明の第２の好ま
しい実施形態に従うヒートスラグ構造を有する半導体パ
ッケージの概略の縦断面図である。図８の（ｂ）は、図
７と同様のパッケージレイアウトを有するが、この発明
の第２の好ましい実施形態に従うヒートスラグ構造を有
する半導体パッケージを示す概略の縦断面図である。
の半導体ＩＣパッケージを示す、概略の縦断面図であ
る。図２は、埋込式ヒートスラグを有する半導体ＩＣパ
ッケージを示す概略の下面図である。図３の（ａ）は、
この発明の第１の好ましい実施形態に従うヒートスラグ
の底面を示す概略の下面図である。図３の（ｂ）は、
（ａ）に示されたヒートスラグの概略の縦断面図であ
る。図４の（ａ）は、この発明の第２の好ましい実施形
態に従うヒートスラグの底面を示す概略の下面図であ
る。図４の（ｂ）は、（ａ）に示されたヒートスラグの
概略の縦断面図である。図５は、この発明の第１の実施
形態に従うヒートスラグ構造を有する半導体パッケージ
の底面を示す概略の下面図である。図６は、図５に示さ
れた半導体パッケージの概略の縦断面図である。図７
は、この発明の第１の好ましい実施形態に従うヒートス
ラグ構造を有する他の半導体パッケージを示す概略の縦
断面図である。図８の（ａ）は、この発明の第２の好ま
しい実施形態に従うヒートスラグ構造を有する半導体パ
ッケージの概略の縦断面図である。図８の（ｂ）は、図
７と同様のパッケージレイアウトを有するが、この発明
の第２の好ましい実施形態に従うヒートスラグ構造を有
する半導体パッケージを示す概略の縦断面図である。
【００１２】以下、この発明の現在の好ましい実施形態
に対して詳細な参照を行う。これらの実施形態は、図面
を伴って説明される。可能であればどこにでも、同じま
たは同様の部品を参照するために図面および明細書にお
いて同じ参照符号が用いられる。
に対して詳細な参照を行う。これらの実施形態は、図面
を伴って説明される。可能であればどこにでも、同じま
たは同様の部品を参照するために図面および明細書にお
いて同じ参照符号が用いられる。
【００１３】図３の（ａ）は、この発明の第１の好まし
い実施形態に従うヒートスラグの下面図である。図３の
（ｂ）は、図３の（ａ）に示されたヒートスラグの縦断
面図である。図３の（ａ），（ｂ）に示されるように、
符号４２ａ，４２ｂ，４２ｃのような複数の方形の溝
が、ヒートスラグ４０の下面に形成されている。これら
の溝４２ａ，４２ｂ，４２ｃは、エポキシ成形コンパウ
ンドが放熱面上に漏れ出すことを防止するために使用さ
れている。溝４２ａ，４２ｂ，４２ｃ、特に、溝４２ａ
は、侵入してくるエポキシ成形コンパウンドが、成形作
業中にヒートスラグ４０の放熱面上にそれ以上広がるこ
とを止めるための障壁として機能することができる。
い実施形態に従うヒートスラグの下面図である。図３の
（ｂ）は、図３の（ａ）に示されたヒートスラグの縦断
面図である。図３の（ａ），（ｂ）に示されるように、
符号４２ａ，４２ｂ，４２ｃのような複数の方形の溝
が、ヒートスラグ４０の下面に形成されている。これら
の溝４２ａ，４２ｂ，４２ｃは、エポキシ成形コンパウ
ンドが放熱面上に漏れ出すことを防止するために使用さ
れている。溝４２ａ，４２ｂ，４２ｃ、特に、溝４２ａ
は、侵入してくるエポキシ成形コンパウンドが、成形作
業中にヒートスラグ４０の放熱面上にそれ以上広がるこ
とを止めるための障壁として機能することができる。
【００１４】さらに、ヒートスラグ４０の放熱面上のこ
れらの方形の溝４２ａ，４２ｂ，４２ｃは、放熱面積を
増加させ、それによって、パネル４０の放熱能力を高め
ている。図４の（ａ）は、この発明の第２の好ましい実
施形態に従うヒートスラグの下面図である。図４の
（ｂ）は、図４の（ａ）に示されたヒートスラグの縦断
面図である。図４の（ａ），（ｂ）に示されるように、
複数の方形の溝５２ａ，５２ｂ，５２ｃがヒートスラグ
５０の下面５３に形成されている。さらに、ヒートスラ
グ５０の２つの反対側の側部には、固定フィン５４が形
成されている。溝５２ａ，５２ｂ，５２ｃは、エポキシ
成形コンパウンドが放熱面上に漏れて、ヒートスラグの
放熱能力を低下させることを防止するために使用され
る。固定フィン５４は、不均衡な射出圧力によってヒー
トスラグ５０の位置が、型のキャビティ内でずれること
を防止するために、型の側部を突く固定部材である。さ
らに、固定フィン５４はヒートスラグ５０の側面から一
定の角度で、下面５３に向かって下向きに傾斜してい
る。したがって、エポキシ成形コンパウンドが射出され
るときにフィン５４の上面と下面との間に圧力差が生じ
る。その結果、ヒートスラグ５０がよりしっかりと型の
表面に係合され、ヒートスラグ５０の下面５３にエポキ
シ成形コンパウンドが漏れ出すことになる隙間の発生を
一層防止する。
れらの方形の溝４２ａ，４２ｂ，４２ｃは、放熱面積を
増加させ、それによって、パネル４０の放熱能力を高め
ている。図４の（ａ）は、この発明の第２の好ましい実
施形態に従うヒートスラグの下面図である。図４の
（ｂ）は、図４の（ａ）に示されたヒートスラグの縦断
面図である。図４の（ａ），（ｂ）に示されるように、
複数の方形の溝５２ａ，５２ｂ，５２ｃがヒートスラグ
５０の下面５３に形成されている。さらに、ヒートスラ
グ５０の２つの反対側の側部には、固定フィン５４が形
成されている。溝５２ａ，５２ｂ，５２ｃは、エポキシ
成形コンパウンドが放熱面上に漏れて、ヒートスラグの
放熱能力を低下させることを防止するために使用され
る。固定フィン５４は、不均衡な射出圧力によってヒー
トスラグ５０の位置が、型のキャビティ内でずれること
を防止するために、型の側部を突く固定部材である。さ
らに、固定フィン５４はヒートスラグ５０の側面から一
定の角度で、下面５３に向かって下向きに傾斜してい
る。したがって、エポキシ成形コンパウンドが射出され
るときにフィン５４の上面と下面との間に圧力差が生じ
る。その結果、ヒートスラグ５０がよりしっかりと型の
表面に係合され、ヒートスラグ５０の下面５３にエポキ
シ成形コンパウンドが漏れ出すことになる隙間の発生を
一層防止する。
【００１５】図５は、この発明の第１の実施形態に係る
ヒートスラグ構造を有する半導体パッケージの下面図で
ある。図６は、図５に示された半導体パッケージの縦断
面図である。図５，６に示されるように、半導体パッケ
ージ６０内にはリードフレーム１６ａがある。このリー
ドフレーム１６ａは、ダイパッド１２と複数のリード１
４とを具備している。各リードは、さらに、内部リード
部１８と外部リード部２０とに分割されている。パッケ
ージング処理は、ダイパッド１２上にシリコンチップ２
２を取り付けた後に、該ダイパッド１２の下部にヒート
スラグ４０を取り付けるステップを含んでいる。次に、
金属製ワイヤ２６、例えば、金またはアルミニウムワイ
ヤが、チップ２２のボンディングパッド（図示せず）を
リード１４に連結するために形成されるように、ワイヤ
ボンディング処理が行われる。その後、成形処理におい
て、エポキシ成形コンパウンドのようなパッケージング
材料３０によって、チップ２２、リードフレーム１６ａ
およびヒートスラグ４０が封入される。該チップ２２、
リードフレーム１６ａおよびヒートスラグ４０は、ヒー
トスラグ４０の下部放熱面６２および外部リード部２０
を除いて封入される。下部放熱面６２はいくつかの溝４
２ａ，４２ｂ，４２ｃを有している。最後に、外部リー
ドが、完成したＩＣパッケージを形成するために、切り
取られかつ曲げられる。
ヒートスラグ構造を有する半導体パッケージの下面図で
ある。図６は、図５に示された半導体パッケージの縦断
面図である。図５，６に示されるように、半導体パッケ
ージ６０内にはリードフレーム１６ａがある。このリー
ドフレーム１６ａは、ダイパッド１２と複数のリード１
４とを具備している。各リードは、さらに、内部リード
部１８と外部リード部２０とに分割されている。パッケ
ージング処理は、ダイパッド１２上にシリコンチップ２
２を取り付けた後に、該ダイパッド１２の下部にヒート
スラグ４０を取り付けるステップを含んでいる。次に、
金属製ワイヤ２６、例えば、金またはアルミニウムワイ
ヤが、チップ２２のボンディングパッド（図示せず）を
リード１４に連結するために形成されるように、ワイヤ
ボンディング処理が行われる。その後、成形処理におい
て、エポキシ成形コンパウンドのようなパッケージング
材料３０によって、チップ２２、リードフレーム１６ａ
およびヒートスラグ４０が封入される。該チップ２２、
リードフレーム１６ａおよびヒートスラグ４０は、ヒー
トスラグ４０の下部放熱面６２および外部リード部２０
を除いて封入される。下部放熱面６２はいくつかの溝４
２ａ，４２ｂ，４２ｃを有している。最後に、外部リー
ドが、完成したＩＣパッケージを形成するために、切り
取られかつ曲げられる。
【００１６】ヒートスラグ４０の下面６２と型との間の
接合部に隙間が存在する場合には、パッキングエポキシ
が漏れ出る可能性があるが、最も外側の溝４２ａによっ
て収容されることになる。そのために、放熱面６２を横
切るエポキシ材料のそれ以上のいかなる広がりも防止さ
れることになる。したがって、ヒートスラグ４０の放熱
効率は維持されることになる。
接合部に隙間が存在する場合には、パッキングエポキシ
が漏れ出る可能性があるが、最も外側の溝４２ａによっ
て収容されることになる。そのために、放熱面６２を横
切るエポキシ材料のそれ以上のいかなる広がりも防止さ
れることになる。したがって、ヒートスラグ４０の放熱
効率は維持されることになる。
【００１７】ヒートスラグ４０を有することの目的は、
シリコンチップ２２からの熱がより容易に放散されかつ
一定した動作温度が維持され得るようにパッケージの放
熱面を増大させることである。したがって、ヒートスラ
グ４０は、好ましくは、アルミニウム（Ａｌ）または銅
（Ｃｕ）のような金属から製造される。ヒートスラグ４
０の下面６２の溝４２ａ，４２ｂ，４２ｃは、同心状の
一組の四角形として形成されていることも特筆してお
く。しかしながら、他の幾何学的形状の溝、例えば、同
心円も可能である。唯一の基準は、これらの溝が同心状
であるべきであるということである。
シリコンチップ２２からの熱がより容易に放散されかつ
一定した動作温度が維持され得るようにパッケージの放
熱面を増大させることである。したがって、ヒートスラ
グ４０は、好ましくは、アルミニウム（Ａｌ）または銅
（Ｃｕ）のような金属から製造される。ヒートスラグ４
０の下面６２の溝４２ａ，４２ｂ，４２ｃは、同心状の
一組の四角形として形成されていることも特筆してお
く。しかしながら、他の幾何学的形状の溝、例えば、同
心円も可能である。唯一の基準は、これらの溝が同心状
であるべきであるということである。
【００１８】図７は、この発明の第１の好ましい実施形
態に従うヒートスラグ構造を有する他の半導体パッケー
ジ構造を示す縦断面図である。図７に示されるように、
半導体パッケージ６４内には、リードフレーム１６ｂが
ある。このリードフレーム１６ｂは、複数のリード１４
を有するが、ダイパッドは有していない。各リードは、
さらに内部リード部１８と外部リード部２０とに分割さ
れている。パッケージング処理は、シリコンチップ２２
を、取付材料でヒートスラグ４０の上面に取り付けるス
テップを含んでいる。したがって、シリコンチップ２２
はパネル４０に直接取り付けられる。その後、チップ２
２をリードに接続するためのワイヤボンディング作業お
よびチップおよびリードフレームの領域を封入するため
の射出成形作業が行われる。これらの作業は上述したの
で、詳細についてはここでは省略する。
態に従うヒートスラグ構造を有する他の半導体パッケー
ジ構造を示す縦断面図である。図７に示されるように、
半導体パッケージ６４内には、リードフレーム１６ｂが
ある。このリードフレーム１６ｂは、複数のリード１４
を有するが、ダイパッドは有していない。各リードは、
さらに内部リード部１８と外部リード部２０とに分割さ
れている。パッケージング処理は、シリコンチップ２２
を、取付材料でヒートスラグ４０の上面に取り付けるス
テップを含んでいる。したがって、シリコンチップ２２
はパネル４０に直接取り付けられる。その後、チップ２
２をリードに接続するためのワイヤボンディング作業お
よびチップおよびリードフレームの領域を封入するため
の射出成形作業が行われる。これらの作業は上述したの
で、詳細についてはここでは省略する。
【００１９】図７に示されるような半導体パッケージ内
部のシリコンチップ２２は、リードフレームのいかなる
ダイパッドにも取り付けられていないが、ヒートスラグ
４０の一側に直接取り付けられている。その結果、より
直接的な熱伝導経路が形成され、したがって、熱は、シ
リコンチップ２２から、より迅速に運び去られる。
部のシリコンチップ２２は、リードフレームのいかなる
ダイパッドにも取り付けられていないが、ヒートスラグ
４０の一側に直接取り付けられている。その結果、より
直接的な熱伝導経路が形成され、したがって、熱は、シ
リコンチップ２２から、より迅速に運び去られる。
【００２０】図８の（ａ）は、この発明の第２の好まし
い実施形態に従うヒートスラグ構造を有する半導体パッ
ケージの縦断面図である。図８の（ａ）に示されるよう
に、半導体パッケージ７０内にリードフレーム１６ａが
ある。該リードフレーム１６ａは、ダイパッド１２と複
数のリード１４とを含んでいる。各リード１４は、さら
に内部リード部１８と外部リード部２０とに分割されて
いる。パッケージング処理は、ダイパッド１２上にシリ
コンチップ２２を取り付けた後に、ダイパッド１２の下
にヒートスラグ５０を取り付けるステップを含んでい
る。次に、金属製ワイヤ２６、例えば、金またはアルミ
ニウムワイヤが、チップ２２のボンディングパッド（図
示せず）をリード１４に連結するために形成されるよう
に、ワイヤボンディング作業が行われる。その後、成形
作業において、チップ２２、リードフレーム１６ａおよ
びヒートスラグ５０がエポキシ成形コンパウンド３０に
よって封入される。チップ２２、リードフレーム１６ａ
およびヒートスラグ５０は、ヒートスラグ５０の下部放
熱面７２および外部リード部２０を除いて封入される。
下部放熱面７２は、いくつかの溝５２ａ，５２ｂ，５２
ｃを有している。最後に、完成したＩＣパッケージを形
成するために、外部リードが切断されかつ曲げられる。
い実施形態に従うヒートスラグ構造を有する半導体パッ
ケージの縦断面図である。図８の（ａ）に示されるよう
に、半導体パッケージ７０内にリードフレーム１６ａが
ある。該リードフレーム１６ａは、ダイパッド１２と複
数のリード１４とを含んでいる。各リード１４は、さら
に内部リード部１８と外部リード部２０とに分割されて
いる。パッケージング処理は、ダイパッド１２上にシリ
コンチップ２２を取り付けた後に、ダイパッド１２の下
にヒートスラグ５０を取り付けるステップを含んでい
る。次に、金属製ワイヤ２６、例えば、金またはアルミ
ニウムワイヤが、チップ２２のボンディングパッド（図
示せず）をリード１４に連結するために形成されるよう
に、ワイヤボンディング作業が行われる。その後、成形
作業において、チップ２２、リードフレーム１６ａおよ
びヒートスラグ５０がエポキシ成形コンパウンド３０に
よって封入される。チップ２２、リードフレーム１６ａ
およびヒートスラグ５０は、ヒートスラグ５０の下部放
熱面７２および外部リード部２０を除いて封入される。
下部放熱面７２は、いくつかの溝５２ａ，５２ｂ，５２
ｃを有している。最後に、完成したＩＣパッケージを形
成するために、外部リードが切断されかつ曲げられる。
【００２１】ヒートスラグ５０の下面７２と型との間の
接合部に隙間が存在する場合には、エポキシ成形コンパ
ウンド３０が漏れ出る可能性があるが、それは最も外側
の溝５２ａ内に収容されることになる。したがって、放
熱面７２を横切るエポキシ成形コンパウンド３０のそれ
以上の広がりが防止される。したがって、ヒートスラグ
５０の放熱効率を維持することができる。さらに、固定
フィン５４が、ヒートスラグ５０の側部から下面７２に
向かって一定の角度で、下向きに傾斜している。したが
って、エポキシ成形コンパウンド３０が型のキャビティ
内に射出されるときにフィン５４の上面と下面との間に
圧力差が生成される。その結果、ヒートスラグ５０は、
よりしっかりと型の表面に係合され、ヒートスラグ５０
の下面７２にエポキシ成形コンパウンドを漏れ出させて
しまうことになるいかなる隙間をも防止することができ
る。
接合部に隙間が存在する場合には、エポキシ成形コンパ
ウンド３０が漏れ出る可能性があるが、それは最も外側
の溝５２ａ内に収容されることになる。したがって、放
熱面７２を横切るエポキシ成形コンパウンド３０のそれ
以上の広がりが防止される。したがって、ヒートスラグ
５０の放熱効率を維持することができる。さらに、固定
フィン５４が、ヒートスラグ５０の側部から下面７２に
向かって一定の角度で、下向きに傾斜している。したが
って、エポキシ成形コンパウンド３０が型のキャビティ
内に射出されるときにフィン５４の上面と下面との間に
圧力差が生成される。その結果、ヒートスラグ５０は、
よりしっかりと型の表面に係合され、ヒートスラグ５０
の下面７２にエポキシ成形コンパウンドを漏れ出させて
しまうことになるいかなる隙間をも防止することができ
る。
【００２２】さらに、固定フィン５４は、型に押しつけ
られる固定部材であり、したがって、型のキャビティ内
の不均衡な射出圧力により、ヒートスラグ５０の位置が
ずれることを防止することができる。
られる固定部材であり、したがって、型のキャビティ内
の不均衡な射出圧力により、ヒートスラグ５０の位置が
ずれることを防止することができる。
【００２３】図８の（ｂ）は、図７と同様のパッケージ
レイアウトを有するが、この発明の第２の好ましい実施
形態に係るヒートスラグ構造を有する半導体パッケージ
を示す縦断面図である。図８の（ｂ）に示されるよう
に、半導体パッケージ７４内にリードフレーム１６ｂが
存在する。リードフレーム１６ｂは複数のリード１４を
有するが、ダイパッドは有していない。各リード１４
は、さらに、内部リード部１８と外部リード部２０とに
分割されている。パッケージング処理は、取付材料を用
いてヒートスラグ５０の上面上にシリコンチップ２２を
取り付けるステップを含んでいる。その後、チップ２２
をリードに接続するためのワイヤボンディング作業と、
チップおよびリードフレームのパッケージング領域を封
入するための射出成形作業とが行われる。これらの作業
は上述されているので、ここでの詳細な説明は省略す
る。
レイアウトを有するが、この発明の第２の好ましい実施
形態に係るヒートスラグ構造を有する半導体パッケージ
を示す縦断面図である。図８の（ｂ）に示されるよう
に、半導体パッケージ７４内にリードフレーム１６ｂが
存在する。リードフレーム１６ｂは複数のリード１４を
有するが、ダイパッドは有していない。各リード１４
は、さらに、内部リード部１８と外部リード部２０とに
分割されている。パッケージング処理は、取付材料を用
いてヒートスラグ５０の上面上にシリコンチップ２２を
取り付けるステップを含んでいる。その後、チップ２２
をリードに接続するためのワイヤボンディング作業と、
チップおよびリードフレームのパッケージング領域を封
入するための射出成形作業とが行われる。これらの作業
は上述されているので、ここでの詳細な説明は省略す
る。
【００２４】図８の（ｂ）に示されたような半導体パッ
ケージ内部のシリコンチップ２２は、リードフレームの
いかなるダイパッドにも取り付けられていないが、ヒー
トスラグ５０の一側に直接取り付けられている。その結
果、より直接的な熱伝導経路が形成され、そのために、
熱がより迅速にシリコンチップ２２から運び去られるこ
とになる。
ケージ内部のシリコンチップ２２は、リードフレームの
いかなるダイパッドにも取り付けられていないが、ヒー
トスラグ５０の一側に直接取り付けられている。その結
果、より直接的な熱伝導経路が形成され、そのために、
熱がより迅速にシリコンチップ２２から運び去られるこ
とになる。
【００２５】要約すれば、この発明の好ましい実施形態
による利点は、以下の通りである。 １． ヒートスラグの放熱面上に溝を形成することによ
り、ヒートスラグ／型の全ての接合部からのエポキシ材
料のヒートスラグの放熱面上への広がりを阻止すること
ができる。したがって、効果的な放熱面を維持すること
ができる。 ２． ヒートスラグの放熱面上に溝を形成することによ
り、該放熱面上のエポキシ成型コンパウンドの残留樹脂
を取り除くための特別な作業を行う必要がない。したが
って、製造コストを低減することができる。 ３． ヒートスラグの放熱面上に溝を形成することによ
り、ヒートスラグの放熱面積を増加させることができ
る。したがって、ヒートスラグの放熱能力を向上するこ
とができる。 ４． ヒートスラグの側面上に固定フィンを形成するこ
とにより、型のキャビティ内部の異なる射出圧力による
ヒートスラグのずれを防止することができる。 ５． ヒートスラグの側面に取り付けられた固定フィン
をヒートスラグの放熱面の方向に一定角度で下がるよう
に曲げることにより、パッケージング材料が射出された
ときにフィンの上下面間で圧力差が生じる。したがっ
て、放熱面と型との間の接合がよりしっかり行われ、放
熱面上にわたるパッケージング材料の広がりをより困難
にすることができる。
による利点は、以下の通りである。 １． ヒートスラグの放熱面上に溝を形成することによ
り、ヒートスラグ／型の全ての接合部からのエポキシ材
料のヒートスラグの放熱面上への広がりを阻止すること
ができる。したがって、効果的な放熱面を維持すること
ができる。 ２． ヒートスラグの放熱面上に溝を形成することによ
り、該放熱面上のエポキシ成型コンパウンドの残留樹脂
を取り除くための特別な作業を行う必要がない。したが
って、製造コストを低減することができる。 ３． ヒートスラグの放熱面上に溝を形成することによ
り、ヒートスラグの放熱面積を増加させることができ
る。したがって、ヒートスラグの放熱能力を向上するこ
とができる。 ４． ヒートスラグの側面上に固定フィンを形成するこ
とにより、型のキャビティ内部の異なる射出圧力による
ヒートスラグのずれを防止することができる。 ５． ヒートスラグの側面に取り付けられた固定フィン
をヒートスラグの放熱面の方向に一定角度で下がるよう
に曲げることにより、パッケージング材料が射出された
ときにフィンの上下面間で圧力差が生じる。したがっ
て、放熱面と型との間の接合がよりしっかり行われ、放
熱面上にわたるパッケージング材料の広がりをより困難
にすることができる。
【００２６】この発明の構造に対して、この発明の範囲
または精神を逸脱することなく、種々の変更または変形
を行うことができることは、当業者にとっては明らかな
ことである。上述した観点から、この発明は、特許請求
の範囲およびそれらの均等の範囲内にあるこの発明の変
更および変形を包含することを意図するものである。
または精神を逸脱することなく、種々の変更または変形
を行うことができることは、当業者にとっては明らかな
ことである。上述した観点から、この発明は、特許請求
の範囲およびそれらの均等の範囲内にあるこの発明の変
更および変形を包含することを意図するものである。
【図１】 埋込式ヒートスラグを有する従来の半導体Ｉ
Ｃパッケージを示す、概略の縦断面図である。
Ｃパッケージを示す、概略の縦断面図である。
【図２】 埋込式ヒートスラグを有する半導体ＩＣパッ
ケージを示す概略の下面図である。
ケージを示す概略の下面図である。
【図３】 （ａ）は、この発明の第１の好ましい実施形
態に従うヒートスラグの底面を示す概略の下面図であ
り、（ｂ）は、（ａ）に示されたヒートスラグの概略の
縦断面図である。
態に従うヒートスラグの底面を示す概略の下面図であ
り、（ｂ）は、（ａ）に示されたヒートスラグの概略の
縦断面図である。
【図４】 （ａ）は、この発明の第２の好ましい実施形
態に従うヒートスラグの底面を示す概略の下面図であ
り、（ｂ）は、（ａ）に示されたヒートスラグの概略の
縦断面図である。
態に従うヒートスラグの底面を示す概略の下面図であ
り、（ｂ）は、（ａ）に示されたヒートスラグの概略の
縦断面図である。
【図５】 この発明の第１の実施形態に従うヒートスラ
グ構造を有する半導体パッケージの底面を示す概略の下
面図である。
グ構造を有する半導体パッケージの底面を示す概略の下
面図である。
【図６】 図５に示された半導体パッケージの概略の縦
断面図である。
断面図である。
【図７】 この発明の第１の好ましい実施形態に従うヒ
ートスラグ構造を有する他の半導体パッケージを示す概
略の縦断面図である。
ートスラグ構造を有する他の半導体パッケージを示す概
略の縦断面図である。
【図８】 （ａ）は、この発明の第２の好ましい実施形
態に従うヒートスラグ構造を有する半導体パッケージの
概略の縦断面図であり、（ｂ）は、図７と同様のパッケ
ージレイアウトを有するが、この発明の第２の好ましい
実施形態に従うヒートスラグ構造を有する半導体パッケ
ージを示す概略の縦断面図である。
態に従うヒートスラグ構造を有する半導体パッケージの
概略の縦断面図であり、（ｂ）は、図７と同様のパッケ
ージレイアウトを有するが、この発明の第２の好ましい
実施形態に従うヒートスラグ構造を有する半導体パッケ
ージを示す概略の縦断面図である。
１２ ダイパッド １４ リード １６ａ，１６ｂ リードフレーム １８ 内部リード部 ２０ 外部リード部 ２２ シリコンチップ ３０ エポキシ成形コンパウンド（絶縁材料） ４０，５０ 埋込式ヒートスラグ ４２ａ，４２ｂ，４２ｃ；５２ａ，５２ｂ，５２ｃ 溝 ５４ 固定フィン ６０，６４，７０，７４ 半導体集積回路パッケージ
Claims (48)
- 【請求項１】 シリコンチップと、リードフレームと、
絶縁材料とを有し、前記リードフレームがさらにシリコ
ンチップを取り付けるダイパッドを含む半導体集積回路
パッケージのための埋込式ヒートスラグであって、 前記シリコンチップの下側のダイパッドの他の表面に取
り付けられる第１の表面と、 第２の表面であって、前記シリコンチップ、ダイパッ
ド、前記リードフレームの一部および前記ヒートスラグ
の一部が、該第２の表面および前記リードフレームの外
側部分を除いて絶縁材料によって密封されるように複数
の同心状の溝を有する第２の表面とを具備することを特
徴とする埋込式ヒートスラグ。 - 【請求項２】 前記ヒートスラグが、金属製であること
を特徴とする請求項１記載の埋込式ヒートスラグ。 - 【請求項３】 前記全ての溝が方形かつ同心状であるこ
とを特徴とする請求項１記載の埋込式ヒートスラグ。 - 【請求項４】 前記全ての溝が円形かつ同心状であるこ
とを特徴とする請求項１記載の埋込式ヒートスラグ。 - 【請求項５】 パネルの側部に取り付けられ、かつ、前
記第１および第２の表面の間に配置されるように制限さ
れた複数の固定フィンをさらに含むことを特徴とする請
求項１記載の埋込式ヒートスラグ。 - 【請求項６】 前記固定フィンが、前記側部から前記第
２の表面に向かって、一定の角度で下方に傾斜している
ことを特徴とする請求項５記載の埋込式ヒートスラグ。 - 【請求項７】 シリコンチップと、 ダイパッドおよび該ダイパッドの周りの複数のリードを
含み、前記シリコンチップが前記ダイパッドの一側に取
り付けられ、各リードが内部リード部と外部リード部と
に分割されるとともに該リードが前記シリコンチップに
電気的に接続されたリードフレームと、 第１の表面および第２の表面を有し、前記第１の表面が
前記シリコンチップの下側のダイパッドの他側に取り付
けられ、前記第２の表面が複数の同心状の溝を有するヒ
ートスラグと、 前記第２の表面および前記リードの外部リード部が露出
されるように、前記シリコンチップ、前記ダイパッド、
前記リードの内部リード部および前記ヒートスラグの一
部を密封する絶縁材料とを具備することを特徴とする半
導体集積回路パッケージ。 - 【請求項８】 前記ヒートスラグが金属製であることを
特徴とする請求項７記載の半導体パッケージ。 - 【請求項９】 前記溝が方形かつ同心状であることを特
徴とする請求項７記載の半導体パッケージ。 - 【請求項１０】 前記溝が円形かつ同心状であることを
特徴とする請求項７記載の半導体パッケージ。 - 【請求項１１】 前記絶縁材料が、エポキシ成形コンパ
ウンドを含むことを特徴とする請求項７記載の半導体パ
ッケージ。 - 【請求項１２】 前記ヒートスラグが、パネルの側部に
取り付けられかつ前記第１および第２の表面の間に制限
される複数の固定フィンをさらに含むことを特徴とする
請求項７記載の半導体パッケージ。 - 【請求項１３】 前記固定フィンが、前記側部から前記
第２の表面に向かって、一定の角度で下方に傾斜してい
ることを特徴とする請求項１２記載の半導体パッケー
ジ。 - 【請求項１４】 シリコンチップと、リードフレーム
と、絶縁材料とを有し、前記リードフレームの中央部分
の周りに複数のリードが形成された半導体集積回路パッ
ケージのための埋込式ヒートスラグであって、 前記シリコンチップが前記リードフレーム内のリードと
電気的な接続を形成し得るように前記シリコンチップが
固定される第１の表面と、 第２の表面であって、該第２の表面および前記リードフ
レームの外側部分を除いて、前記シリコンチップ、前記
リードフレームの一部および前記ヒートスラグの一部が
絶縁材料によって密封されるように、複数の同心状の溝
を有する第２の表面とを具備することを特徴とする埋込
式ヒートスラグ。 - 【請求項１５】 前記ヒートスラグが金属製であること
を特徴とする請求項１４記載の埋込式ヒートスラグ。 - 【請求項１６】 前記全ての溝が、方形かつ同心状であ
ることを特徴とする請求項１４記載の埋込式ヒートスラ
グ。 - 【請求項１７】 前記全ての溝が、円形かつ同心状であ
ることを特徴とする請求項１４記載の埋込式ヒートスラ
グ。 - 【請求項１８】 前記ヒートスラグが、パネルの側部に
取り付けられかつ前記第１および第２の表面の間に制限
される複数の固定フィンをさらに含むことを特徴とする
請求項１４記載の埋込式ヒートスラグ。 - 【請求項１９】 前記固定フィンが、前記側部から前記
第２の表面に向かって、一定の角度で下方に傾斜してい
ることを特徴とする請求項１８記載の埋込式ヒートスラ
グ。 - 【請求項２０】 前記シリコンチップを前記ヒートスラ
グの第１の表面に取り付けるために、エポキシが使用さ
れることを特徴とする請求項１４記載の埋込式ヒートス
ラグ。 - 【請求項２１】 シリコンチップと、 その中央部分の周りの複数のリードを含み、各リードが
内部リード部と外部リード部とに分割されるとともに該
リードが前記シリコンチップに電気的に接続されたリー
ドフレームと、 第１の表面および第２の表面を有し、前記シリコンチッ
プが前記第１の表面に取り付けられ、前記シリコンチッ
プが前記リードに電気的に接続され、かつ、前記第２の
表面が複数の同心状の溝を有するヒートスラグと、 前記第２の表面および前記リードの外部リード部が露出
されるように、前記シリコンチップ、前記リードの内部
リード部および前記ヒートスラグの一部を密封する絶縁
材料とを具備することを特徴とする半導体集積回路パッ
ケージ。 - 【請求項２２】 前記ヒートスラグが金属製であること
を特徴とする請求項２１記載の半導体パッケージ。 - 【請求項２３】 前記溝が方形かつ同心状であることを
特徴とする請求項２１記載の半導体パッケージ。 - 【請求項２４】 前記溝が円形かつ同心状であることを
特徴とする請求項２１記載の半導体パッケージ。 - 【請求項２５】 前記絶縁材料がエポキシ成形コンパウ
ンドを含むことを特徴とする請求項２１記載の半導体パ
ッケージ。 - 【請求項２６】 前記ヒートスラグが、パネルの側部に
取り付けられかつ前記第１および第２の表面の間に配置
されるように制限された複数の固定フィンをさらに含む
ことを特徴とする請求項２１記載の半導体パッケージ。 - 【請求項２７】 前記固定フィンが、前記側部から前記
第２の表面に向かって一定の角度で下方に傾斜している
ことを特徴とする請求項２６記載の半導体パッケージ。 - 【請求項２８】 前記シリコンチップを前記ヒートスラ
グの第１の表面に取り付けるためにエポキシが使用され
ることを特徴とする請求項２１記載の半導体パッケー
ジ。 - 【請求項２９】 シリコンチップと、リードフレーム
と、絶縁材料とを有し、前記前記シリコンチップが取り
付けられるダイパッドを前記リードフレームがさらに含
む半導体集積回路パッケージのための埋込式ヒートスラ
グであって、 前記シリコンチップの下側のダイパッドの他の表面に取
り付けられる第１の表面と、 第２の表面であって、前記シリコンチップ、前記ダイパ
ッド、前記リードフレームの一部および前記ヒートスラ
グの一部が、前記第２の表面および前記リードフレーム
の外側部分を除いて絶縁材料により密封されるように、
複数の同心状の溝を有する第２の表面と、 複数の固定フィンであって、各フィンが第２の表面に向
かって一定の角度で下向きに傾斜するように、前記ヒー
トスラグの側部の周りに配置される固定フィンとを具備
することを特徴とする埋込式ヒートスラグ。 - 【請求項３０】 前記ヒートスラグが金属製であること
を特徴とする請求項２９記載の埋込式ヒートスラグ。 - 【請求項３１】 前記全ての溝が、矩形かつ同心状であ
ることを特徴とする請求項２９記載の埋込式ヒートスラ
グ。 - 【請求項３２】 前記全ての溝が、円形かつ同心状であ
ることを特徴とする請求項２９記載の埋込式ヒートスラ
グ。 - 【請求項３３】 シリコンチップと、 ダイパッドおよび該ダイパッドの周りの複数のリードを
含み、前記シリコンチップが前記ダイパッドの一側に取
り付けられ、各リードが内部リード部と外部リード部と
に分割されるとともに、前記リードが前記シリコンチッ
プに電気的に接続されるリードフレームと、 第１の表面、第２の表面および複数の固定フィンを有す
るヒートスラグと、 前記第２の表面および前記リードの外部リード部が露出
されるように、前記シリコンチップ、ダイパッド、前記
リードの内部リード部および前記ヒートスラグの一部を
密封する絶縁材料とを具備し、 前記第１の表面が前記シリコンチップの下側のダイパッ
ドの一側に取り付けられ、前記第２の表面が複数の同心
状の溝を有し、前記各固定フィンが、前記第２の表面に
向かって一定の角度で下向きに傾斜して、前記ヒートス
ラグの一側に取り付けられることを特徴とする半導体集
積回路パッケージ。 - 【請求項３４】 前記ヒートスラグが金属製であること
を特徴とする請求項３３記載の半導体パッケージ。 - 【請求項３５】 前記溝が、方形かつ同心状であること
を特徴とする請求項３３記載の半導体パッケージ。 - 【請求項３６】 前記溝が、円形かつ同心状であること
を特徴とする請求項３３記載の半導体パッケージ。 - 【請求項３７】 前記絶縁材料が、エポキシ成形コンパ
ウンドを含むことを特徴とする請求項３３記載の半導体
パッケージ。 - 【請求項３８】 シリコンチップとリードフレームと絶
縁材料とを有し、前記リードフレームの中央部分の周り
に複数のリードが形成された半導体集積回路パッケージ
のための埋込式ヒートスラグであって、 前記シリコンチップが、前記リードフレーム内のリード
と電気的な接続を形成することができるように前記シリ
コンチップが固定される第１の表面と、 第２の表面であって、該第２の表面およびリードフレー
ムの外側部分を除いて、前記シリコンチップ、前記リー
ドフレームの一部およびヒートスラグの一部が絶縁材料
により密封されるように、複数の同心状の溝を有する第
２の表面と、 各々が、前記ヒートスラグの側部の周りに前記第２の表
面に向かって一定の角度で下向きに傾斜する複数の固定
フィンとを具備することを特徴とする埋込式ヒートスラ
グ。 - 【請求項３９】 前記ヒートスラグが金属製であること
を特徴とする請求項３８記載の埋込式ヒートスラグ。 - 【請求項４０】 前記全ての溝が方形かつ同心状である
ことを特徴とする請求項３８記載の埋込式ヒートスラ
グ。 - 【請求項４１】 前記全ての溝が円形かつ同心状である
ことを特徴とする請求項３８記載の埋込式ヒートスラ
グ。 - 【請求項４２】 前記シリコンチップを前記ヒートスラ
グの第１の表面に取り付けるためにエポキシが使用され
ることを特徴とする請求項３８記載の埋込式ヒートスラ
グ。 - 【請求項４３】 シリコンチップと、 その中央部分の周りに複数のリードを含み、各リードが
内部リード部および外部リード部にさらに分割されると
ともに該リードが前記シリコンチップに電気的に接続さ
れたリードフレームと、 第１の表面と第２の表面と複数の固定フィンとを有する
ヒートスラグであって、前記シリコンチップが前記第１
の表面に取り付けられ、前記シリコンチップが前記リー
ドに電気的に接続され、前記第２の表面が複数の同心状
の溝を有し、前記フィンが前記第２の表面に向かって一
定の角度で下向きに傾斜するように前記固定フィンが前
記ヒートスラグの側部に取り付けられているヒートスラ
グと、 前記第２の表面および前記リードの外部リード部が露出
させられるように、前記シリコンチップ、前記リードの
内部リード部および前記ヒートスラグの一部を密封する
絶縁材料とを具備することを特徴とする半導体集積回路
パッケージ。 - 【請求項４４】 前記ヒートスラグが金属製であること
を特徴とする請求項４３記載の半導体パッケージ。 - 【請求項４５】 前記溝が、方形かつ同心状であること
を特徴とする請求項４３記載の半導体パッケージ。 - 【請求項４６】 前記溝が、円形かつ同心状であること
を特徴とする請求項４３記載の半導体パッケージ。 - 【請求項４７】 前記絶縁材料が、エポキシ樹脂を含む
ことを特徴とする請求項４３記載の半導体パッケージ。 - 【請求項４８】 前記シリコンチップを前記ヒートスラ
グの第１の表面に取り付けるためにエポキシが使用され
ることを特徴とする請求項４３記載の半導体パッケー
ジ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW87119251 | 1998-11-20 | ||
| TW87119251A TW396558B (en) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | Built-in type heat sink |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000165073A true JP2000165073A (ja) | 2000-06-16 |
Family
ID=21632036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5745199A Withdrawn JP2000165073A (ja) | 1998-11-20 | 1999-03-04 | 埋込式ヒ―トスラグ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000165073A (ja) |
| TW (1) | TW396558B (ja) |
-
1998
- 1998-11-20 TW TW87119251A patent/TW396558B/zh not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-03-04 JP JP5745199A patent/JP2000165073A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW396558B (en) | 2000-07-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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