JP2000159504A - 超純水の比抵抗調整装置及び調整方法 - Google Patents
超純水の比抵抗調整装置及び調整方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 超純水に気体透過膜を介して炭酸ガスまたは
アンモニアガスを付加し、比抵抗値の調整された超純水
を製造する際、従来は生成水の比抵抗値を測定しながら
供給水または供給ガスの流量を調整していたが、生成水
の消費量に変動がある場合に、一定範囲の比抵抗値の超
純水を安定して供給するのが困難で、それを達成するに
は装置の高機能化を要し容易でなく、コスト上も問題で
ある。 【解決手段】 消費量に応じて供給される超純水原水
を、分配装置によって流量に大小のある２流に一定比率
で分流し、一方の流れを気体分離膜モジュールに供給し
て、炭酸ガスまたはアンモニアガスを、そのガス圧と水
温によって決まる平衡濃度の９０％以上のほぼ一定濃度
まで溶解させ、その炭酸ガスまたはアンモニアガス付加
水を大流量に分けられた原水へ合流させて均一に混合さ
せる方法により、超純水原水に流量変動が存在しても、
比抵抗値を一定に保つことができる。特別な自動制御装
置を必要としない。装置の小型化、簡略化、運転コスト
の削減が可能。
アンモニアガスを付加し、比抵抗値の調整された超純水
を製造する際、従来は生成水の比抵抗値を測定しながら
供給水または供給ガスの流量を調整していたが、生成水
の消費量に変動がある場合に、一定範囲の比抵抗値の超
純水を安定して供給するのが困難で、それを達成するに
は装置の高機能化を要し容易でなく、コスト上も問題で
ある。 【解決手段】 消費量に応じて供給される超純水原水
を、分配装置によって流量に大小のある２流に一定比率
で分流し、一方の流れを気体分離膜モジュールに供給し
て、炭酸ガスまたはアンモニアガスを、そのガス圧と水
温によって決まる平衡濃度の９０％以上のほぼ一定濃度
まで溶解させ、その炭酸ガスまたはアンモニアガス付加
水を大流量に分けられた原水へ合流させて均一に混合さ
せる方法により、超純水原水に流量変動が存在しても、
比抵抗値を一定に保つことができる。特別な自動制御装
置を必要としない。装置の小型化、簡略化、運転コスト
の削減が可能。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に半導体分野や
液晶分野での洗浄用水に用いられる超純水の比抵抗を調
整する装置及び方法に関するものである。
液晶分野での洗浄用水に用いられる超純水の比抵抗を調
整する装置及び方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体や液晶の製造工程において、超純
水（比抵抗≧１８ＭΩ・ｃｍ）を使用してフォトマスク
基板、シリコンウェハー、ガラス板を洗浄する場合、ダ
イシングマシンによりウェハーを切断する場合に、超純
水の比抵抗が高いために静電気が発生し、そのために絶
縁破壊を起こしたり、或いは微粒子の吸着などが生じる
ことで、基板の製品歩留まりに著しく悪影響を及ぼす事
が広く知られている。そこでこのような悪影響を解消す
るために、超純水流路にマグネシウムのメッシュを装着
して超純水の比抵抗を低下させる方法が知られている。
水（比抵抗≧１８ＭΩ・ｃｍ）を使用してフォトマスク
基板、シリコンウェハー、ガラス板を洗浄する場合、ダ
イシングマシンによりウェハーを切断する場合に、超純
水の比抵抗が高いために静電気が発生し、そのために絶
縁破壊を起こしたり、或いは微粒子の吸着などが生じる
ことで、基板の製品歩留まりに著しく悪影響を及ぼす事
が広く知られている。そこでこのような悪影響を解消す
るために、超純水流路にマグネシウムのメッシュを装着
して超純水の比抵抗を低下させる方法が知られている。
【０００３】又、疎水性の多孔質中空糸膜モジュールを
用いて超純水に炭酸ガスを溶解させ、解離平行により発
生した炭酸イオンにより比抵抗を低下させる方法として
は、超純水の比抵抗調整装置（特公平５−２１８４１号
公報）、超純水の比抵抗調整方法及び装置（特開平７−
６００８２号公報）が提案されている。
用いて超純水に炭酸ガスを溶解させ、解離平行により発
生した炭酸イオンにより比抵抗を低下させる方法として
は、超純水の比抵抗調整装置（特公平５−２１８４１号
公報）、超純水の比抵抗調整方法及び装置（特開平７−
６００８２号公報）が提案されている。
【０００４】また、シリコンウェハーの洗浄、ダイシン
グ等の工程では、超純水の流量変動が激しく、流量が変
動しても比抵抗が変動しないことが要求される。極端な
場合には、数秒単位での流量変動が起こる。超純水の流
量が変動しても比抵抗を一定に制御する方法として、”
超純水の科学”（半導体基盤技術研究会編、株式会社リ
アライズ社発行）に、炭酸ガス溶解後の比抵抗を測定
し、炭酸ガス流量をフィードバック制御を行う方法（３
９２ページ）、超純水流量を測定し炭酸ガス流量をマス
フローコントローラーによりフィードフォワード制御す
る方法（４０１ページ）が記されている。
グ等の工程では、超純水の流量変動が激しく、流量が変
動しても比抵抗が変動しないことが要求される。極端な
場合には、数秒単位での流量変動が起こる。超純水の流
量が変動しても比抵抗を一定に制御する方法として、”
超純水の科学”（半導体基盤技術研究会編、株式会社リ
アライズ社発行）に、炭酸ガス溶解後の比抵抗を測定
し、炭酸ガス流量をフィードバック制御を行う方法（３
９２ページ）、超純水流量を測定し炭酸ガス流量をマス
フローコントローラーによりフィードフォワード制御す
る方法（４０１ページ）が記されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら特公平５
−２１８４１号公報に記載の炭酸ガスの流量を制御する
方法、”超純水の科学”に記載の方法の炭酸ガスの流量
をフィードバック制御する方法では、短時間の流量変動
には到底追従できない。また、”超純水の科学”に記載
の方法の超純水流量の測定値から炭酸ガスの流量をフィ
ードフォワード制御する方法では、高価なマイコン回
路、高価なマスフローコントローラーを必要とし、その
制御性も満足できるものではない。特開平７−６００８
２号公報には超純水流量が変動した際に比抵抗値を一定
値に制御するという考えが含まれていない。また、炭酸
ガス圧力を設定しただけでは超純水流量が変化した場合
の比抵抗値の変動は避けられない。
−２１８４１号公報に記載の炭酸ガスの流量を制御する
方法、”超純水の科学”に記載の方法の炭酸ガスの流量
をフィードバック制御する方法では、短時間の流量変動
には到底追従できない。また、”超純水の科学”に記載
の方法の超純水流量の測定値から炭酸ガスの流量をフィ
ードフォワード制御する方法では、高価なマイコン回
路、高価なマスフローコントローラーを必要とし、その
制御性も満足できるものではない。特開平７−６００８
２号公報には超純水流量が変動した際に比抵抗値を一定
値に制御するという考えが含まれていない。また、炭酸
ガス圧力を設定しただけでは超純水流量が変化した場合
の比抵抗値の変動は避けられない。
【０００６】本発明の目的は、これらの問題点を全て解
決し、制御機構の不要な簡便且つ、コンパクトな超純水
の比抵抗値を調整する装置及び方法を提供するところに
ある。
決し、制御機構の不要な簡便且つ、コンパクトな超純水
の比抵抗値を調整する装置及び方法を提供するところに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は以下であ
る。
る。
【０００８】（１） ハウジング内に気体透過膜が配設
され、それを境界として超純水通過部と炭酸ガスまたは
アンモニアガス通過部が形成されたハウジングを有する
膜モジュールを備え、前記超純水通過部と連絡する超純
水原水入口と、それらを連絡する中間部に設けられた分
配部を備え、前記超純水通過部と連絡する比抵抗調整超
純水出口と、それらを連絡する中間部に設けられた合流
部を備え、前記分配部と前記合流部とを連絡するバイパ
ス流路を備え、前記分配部が前記超純水原水入口から入
れられる超純水原水を前記超純水通過部とバイパス流路
とに定率流量比で分配し、前記気体透過膜が、前記超純
水通過部を通過する超純水原水に炭酸ガスまたはアンモ
ニアガスを、そのガス圧と水温によって定まる平衡濃度
の９０％以上のほぼ一定の濃度まで溶解させる能力を有
するものである、超純水の比抵抗調整装置。
され、それを境界として超純水通過部と炭酸ガスまたは
アンモニアガス通過部が形成されたハウジングを有する
膜モジュールを備え、前記超純水通過部と連絡する超純
水原水入口と、それらを連絡する中間部に設けられた分
配部を備え、前記超純水通過部と連絡する比抵抗調整超
純水出口と、それらを連絡する中間部に設けられた合流
部を備え、前記分配部と前記合流部とを連絡するバイパ
ス流路を備え、前記分配部が前記超純水原水入口から入
れられる超純水原水を前記超純水通過部とバイパス流路
とに定率流量比で分配し、前記気体透過膜が、前記超純
水通過部を通過する超純水原水に炭酸ガスまたはアンモ
ニアガスを、そのガス圧と水温によって定まる平衡濃度
の９０％以上のほぼ一定の濃度まで溶解させる能力を有
するものである、超純水の比抵抗調整装置。
【０００９】（２） 超純水の比抵抗を調整するため
に、超純水に気体透過膜を介して炭酸ガスまたはアンモ
ニアガスを接触させ、超純水に炭酸ガスまたはアンモニ
アガスを供給して所望の比抵抗値とする、所定比抵抗値
を有する超純水を製造するための装置であって、気体透
過膜を備えた膜モジュールとして、予め想定される変動
流量の超純水に炭酸ガスまたはアンモニアガスを、その
ガス圧と水温によって定まる平衡濃度の９０％以上のほ
ぼ一定の濃度まで溶解させる能力を有する膜モジュール
を備え、それによって、供給される超純水の流量が変動
してもほぼ一定の比抵抗値となる如く、炭酸ガスまたは
アンモニアガスが溶解された超純水を生成させる手段を
備え、超純水原水（炭酸ガスまたはアンモニアガス未溶
解超純水）側に分配部とバイパス流路を備え、超純水原
水を膜モジュールとバイパス流路とへ定率流量比で分配
させ、生成した炭酸ガスまたはアンモニアガス溶解超純
水とバイパス流路からの超純水原水とを合流させ均一混
合させる手段を備え、混合後の超純水が最終目標の比抵
抗値となる様に希釈する、超純水の比抵抗調整装置。
に、超純水に気体透過膜を介して炭酸ガスまたはアンモ
ニアガスを接触させ、超純水に炭酸ガスまたはアンモニ
アガスを供給して所望の比抵抗値とする、所定比抵抗値
を有する超純水を製造するための装置であって、気体透
過膜を備えた膜モジュールとして、予め想定される変動
流量の超純水に炭酸ガスまたはアンモニアガスを、その
ガス圧と水温によって定まる平衡濃度の９０％以上のほ
ぼ一定の濃度まで溶解させる能力を有する膜モジュール
を備え、それによって、供給される超純水の流量が変動
してもほぼ一定の比抵抗値となる如く、炭酸ガスまたは
アンモニアガスが溶解された超純水を生成させる手段を
備え、超純水原水（炭酸ガスまたはアンモニアガス未溶
解超純水）側に分配部とバイパス流路を備え、超純水原
水を膜モジュールとバイパス流路とへ定率流量比で分配
させ、生成した炭酸ガスまたはアンモニアガス溶解超純
水とバイパス流路からの超純水原水とを合流させ均一混
合させる手段を備え、混合後の超純水が最終目標の比抵
抗値となる様に希釈する、超純水の比抵抗調整装置。
【００１０】（３） 気体透過膜として中空糸膜を備
え、相対的に小流量の炭酸ガスまたはアンモニアガス溶
解超純水を生成させるための中空糸膜モジュールと、相
対的に大流量の超純水原水を通過させるバイパス管路
と、該膜モジュールとバイパス管路に超純水原水を定率
流量比で分配する分配装置と、生成した炭酸ガスまたは
アンモニアガス溶解超純水とバイパス管路を経た超純水
原水とを合流させ均一に混合させる合流混合装置と、膜
モジュールに供給される炭酸ガスまたはアンモニアガス
の圧力を一定に保持するための調圧弁とからなる前記
（２）記載の装置。
え、相対的に小流量の炭酸ガスまたはアンモニアガス溶
解超純水を生成させるための中空糸膜モジュールと、相
対的に大流量の超純水原水を通過させるバイパス管路
と、該膜モジュールとバイパス管路に超純水原水を定率
流量比で分配する分配装置と、生成した炭酸ガスまたは
アンモニアガス溶解超純水とバイパス管路を経た超純水
原水とを合流させ均一に混合させる合流混合装置と、膜
モジュールに供給される炭酸ガスまたはアンモニアガス
の圧力を一定に保持するための調圧弁とからなる前記
（２）記載の装置。
【００１１】（４） バイパス管路が中空糸膜モジュー
ル内に設けられた前記（３）記載の装置。
ル内に設けられた前記（３）記載の装置。
【００１２】（５） 中空糸膜モジュールが、中空糸膜
外側とハウジングの間の空間部に炭酸ガスまたはアンモ
ニアガスを給気し、中空糸膜の内側に超純水を流す内部
灌流型であって、組み込まれた中空糸膜が複数本収束さ
れた状態でハウジング内に配設されたものである前記
（３）又は（４）記載の装置。 （６） 中空糸膜モジュールが、中空糸膜の内側に炭酸
ガスまたはアンモニアガスを給気し、中空糸膜外側とハ
ウジングの間の空間部に超純水を流す外部灌流型であっ
て、組み込まれた中空糸膜が複数本収束された状態でハ
ウジング内に配設されたものである前記（３）又は
（４）記載の装置。 （７） バイパス管路が中空糸膜モジュール内に設けら
れ、当該バイパス管路が、管壁から炭酸ガスまたはアン
モニアガスを透過させない円筒管からなり、複数本の中
空糸膜と共に収束されハウジング内に配設された、前記
（５）記載の装置。 （８） 中空糸膜モジュールが、炭酸ガス透過速度が１
００×１０−６［cm３/cm２・sec・cmHg］以上またはア
ンモニアガス透過速度１００×１０−６［cm３/cm２・s
ec・cmHg］以上である疎水性の気体透過膜をハウジング
内に組み込んだものである前記（３）〜（７）のいずれ
か１に記載の装置。 （９） 中空糸膜がポリー４メチルペンテンー１を素材
とし、その内径が２０〜３５０μｍ、外径が５０〜１０
００μｍである前記（８）記載の装置。 （１０）炭酸ガスまたはアンモニアガス溶解超純水と超
純水原水とを合流させる手段と、その下流側に均一混合
手段としてスタティックミキサーを配設させたものであ
る前記（２）又は（３）記載の装置。 （１１）生成した比抵抗値調整済み超純水の比抵抗値を
見張るための比抵抗センサーを設け、それと応動する比
抵抗計、比抵抗センサーからの信号で炭酸ガスまたはア
ンモニアガスの供給を遮断する電磁弁を備える、装置に
異常が発生した場合のガス遮断装置が溶解された前記
（３）記載の装置。 （１２）超純水原水を２つの流れに定率流量比で分配す
る工程と、超純水の一方の流れに気体透過膜を介して、
供給する炭酸ガス圧またはアンモニアガス圧と水温によ
って定まる平衡濃度の９０％以上のほぼ一定の炭酸ガス
濃度またはアンモニアガス濃度まで炭酸ガスまたはアン
モニアガスを溶解して、比抵抗調整超純水を生成する工
程と、前記炭酸ガスまたはアンモニアガス溶解超純水と
他方の超純水原水の流れとを合流する工程とを備えた、
超純水の比抵抗調整方法。 （１３）変動する消費量に応じた量の比抵抗値調整済み
超純水を製造するための、超純水の比抵抗調整方法にお
いて、消費量に応じて供給される超純水原水を、分配装
置によって流量に相対的に大小のある２流に定率流量比
で分流し、膜を隔てて超純水と炭酸ガスまたはアンモニ
アガスを流すための中空糸膜モジュールに一方の流れを
供給して小流量の炭酸ガスまたはアンモニアガス溶解超
純水を、予め想定された変動流量の範囲内で生成させ、
且つ該炭酸ガスまたはアンモニアガス溶解超純水をその
際の炭酸ガス圧またはアンモニアガス圧と水温によって
定まる平衡濃度の９０％以上のほぼ一定の炭酸ガス濃度
またはアンモニアガス濃度とさせ、その炭酸ガスまたは
アンモニアガス溶解超純水を大流量に分けられた超純水
原水と合流させて均一に混合し、所定の比抵抗値に調整
した超純水とする、超純水の比抵抗調整方法。
外側とハウジングの間の空間部に炭酸ガスまたはアンモ
ニアガスを給気し、中空糸膜の内側に超純水を流す内部
灌流型であって、組み込まれた中空糸膜が複数本収束さ
れた状態でハウジング内に配設されたものである前記
（３）又は（４）記載の装置。 （６） 中空糸膜モジュールが、中空糸膜の内側に炭酸
ガスまたはアンモニアガスを給気し、中空糸膜外側とハ
ウジングの間の空間部に超純水を流す外部灌流型であっ
て、組み込まれた中空糸膜が複数本収束された状態でハ
ウジング内に配設されたものである前記（３）又は
（４）記載の装置。 （７） バイパス管路が中空糸膜モジュール内に設けら
れ、当該バイパス管路が、管壁から炭酸ガスまたはアン
モニアガスを透過させない円筒管からなり、複数本の中
空糸膜と共に収束されハウジング内に配設された、前記
（５）記載の装置。 （８） 中空糸膜モジュールが、炭酸ガス透過速度が１
００×１０−６［cm３/cm２・sec・cmHg］以上またはア
ンモニアガス透過速度１００×１０−６［cm３/cm２・s
ec・cmHg］以上である疎水性の気体透過膜をハウジング
内に組み込んだものである前記（３）〜（７）のいずれ
か１に記載の装置。 （９） 中空糸膜がポリー４メチルペンテンー１を素材
とし、その内径が２０〜３５０μｍ、外径が５０〜１０
００μｍである前記（８）記載の装置。 （１０）炭酸ガスまたはアンモニアガス溶解超純水と超
純水原水とを合流させる手段と、その下流側に均一混合
手段としてスタティックミキサーを配設させたものであ
る前記（２）又は（３）記載の装置。 （１１）生成した比抵抗値調整済み超純水の比抵抗値を
見張るための比抵抗センサーを設け、それと応動する比
抵抗計、比抵抗センサーからの信号で炭酸ガスまたはア
ンモニアガスの供給を遮断する電磁弁を備える、装置に
異常が発生した場合のガス遮断装置が溶解された前記
（３）記載の装置。 （１２）超純水原水を２つの流れに定率流量比で分配す
る工程と、超純水の一方の流れに気体透過膜を介して、
供給する炭酸ガス圧またはアンモニアガス圧と水温によ
って定まる平衡濃度の９０％以上のほぼ一定の炭酸ガス
濃度またはアンモニアガス濃度まで炭酸ガスまたはアン
モニアガスを溶解して、比抵抗調整超純水を生成する工
程と、前記炭酸ガスまたはアンモニアガス溶解超純水と
他方の超純水原水の流れとを合流する工程とを備えた、
超純水の比抵抗調整方法。 （１３）変動する消費量に応じた量の比抵抗値調整済み
超純水を製造するための、超純水の比抵抗調整方法にお
いて、消費量に応じて供給される超純水原水を、分配装
置によって流量に相対的に大小のある２流に定率流量比
で分流し、膜を隔てて超純水と炭酸ガスまたはアンモニ
アガスを流すための中空糸膜モジュールに一方の流れを
供給して小流量の炭酸ガスまたはアンモニアガス溶解超
純水を、予め想定された変動流量の範囲内で生成させ、
且つ該炭酸ガスまたはアンモニアガス溶解超純水をその
際の炭酸ガス圧またはアンモニアガス圧と水温によって
定まる平衡濃度の９０％以上のほぼ一定の炭酸ガス濃度
またはアンモニアガス濃度とさせ、その炭酸ガスまたは
アンモニアガス溶解超純水を大流量に分けられた超純水
原水と合流させて均一に混合し、所定の比抵抗値に調整
した超純水とする、超純水の比抵抗調整方法。
【００１３】（１４）大流量流に分けられた超純水原水
を、中空糸膜モジュール内に設けられたバイパス管路を
通じて流す前記（１３）記載の超純水の比抵抗調整方
法。 （１５）小流量流の炭酸ガスまたはアンモニアガス溶解
超純水の大流量流の超純水に対する流量の比率が１／５
０より小である前記（１３）又は（１４）記載の方法。
を、中空糸膜モジュール内に設けられたバイパス管路を
通じて流す前記（１３）記載の超純水の比抵抗調整方
法。 （１５）小流量流の炭酸ガスまたはアンモニアガス溶解
超純水の大流量流の超純水に対する流量の比率が１／５
０より小である前記（１３）又は（１４）記載の方法。
【００１４】（１６）炭酸ガスまたはアンモニアガス溶
解超純水の炭酸ガス濃度またはアンモニアガス濃度を維
持するため、調圧弁により中空糸膜に接する炭酸ガス圧
またはアンモニアガス圧を一定に保持させ、中空糸膜モ
ジュールに分流して流入する超純水原水の流量の変動に
応じて炭酸ガスまたはアンモニアガスの供給量を相対的
に変化させる前記（１３）記載の方法。
解超純水の炭酸ガス濃度またはアンモニアガス濃度を維
持するため、調圧弁により中空糸膜に接する炭酸ガス圧
またはアンモニアガス圧を一定に保持させ、中空糸膜モ
ジュールに分流して流入する超純水原水の流量の変動に
応じて炭酸ガスまたはアンモニアガスの供給量を相対的
に変化させる前記（１３）記載の方法。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態の典型的なも
の及び最良の状態は後記の実施例に具体的に示される
が、その概要を示すと以下の通りである。
の及び最良の状態は後記の実施例に具体的に示される
が、その概要を示すと以下の通りである。
【００１６】図１は本発明に適する装置の一例である。
【００１７】本発明は複雑な制御機構を持たない、簡便
且つコンパクトな超純水の比抵抗調整装置及び調整方法
を提案するものであり、具体的な方法としては比抵抗を
調整するべき超純水原水を２流に分け、その一方の流れ
にガスを付加して小流量の炭酸ガスまたはアンモニアガ
スが溶解された超純水を生成させ、それと大流量の超純
水原水とを合流させ、均一混合、希釈する事により比抵
抗調整を行う装置及び方法である。
且つコンパクトな超純水の比抵抗調整装置及び調整方法
を提案するものであり、具体的な方法としては比抵抗を
調整するべき超純水原水を２流に分け、その一方の流れ
にガスを付加して小流量の炭酸ガスまたはアンモニアガ
スが溶解された超純水を生成させ、それと大流量の超純
水原水とを合流させ、均一混合、希釈する事により比抵
抗調整を行う装置及び方法である。
【００１８】この炭酸ガスまたはアンモニアガス溶解効
率を高めるために当該装置の中に膜モジュールを配設さ
せ、この膜を介して炭酸ガスまたはアンモニアガスを超
純水中へ供給溶解させる事を更なる提案としている。
率を高めるために当該装置の中に膜モジュールを配設さ
せ、この膜を介して炭酸ガスまたはアンモニアガスを超
純水中へ供給溶解させる事を更なる提案としている。
【００１９】本発明に使用する気体透過膜は、炭酸ガス
またはアンモニアガス透過速度の大きなものであれば素
材及び構造及び形態等特に制限は無いが、膜素材は疎水
性の高い素材が好ましい。例えばポリエチレン系樹脂、
ポリプロピレン系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、
パーフルオロアルコキシフッ素樹脂、ポリヘキサフルオ
ロプロピレン等の各種フッ素樹脂、ポリブテン系樹脂、
シリコーン系樹脂、ポリ（４−メチルペンテン−１）系
樹脂等の素材が好適に挙げられる。また膜構造も、微多
孔膜、均質膜、不均質膜、複合膜、ポリプロピレン微多
孔膜等層でウレタン等の薄膜をサンドイッチ膜いわゆる
サンドイッチ膜等いずれも使用できる。膜の形態として
は平膜、中空糸膜が挙げられるが、ガスの溶解効率の面
では中空糸膜が好ましい。中空糸膜の炭酸ガス透過速度
またはアンモニアガス透過速度は、１×１０−６［cm３
/cm２・sec・cmHg］以上１０［cm３/cm２・sec・cmHg］
以下であることが好ましい。１×１０−６［cm３/cm２
・sec・cmHg］未満であると中空糸膜を透過する炭酸ガ
スまたはアンモニアガスの透過速度が遅く、目標とする
比抵抗値に到達しなかったり、超純水流量が変動した際
に比抵抗値が変動する。また、１０［cm３/cm２・sec・
cmHg］を越えるとゲージ圧で０．１ｋｇ／ｃｍ２以上で
炭酸ガスまたはアンモニアガスを供給すると炭酸ガスま
たはアンモニアガスが気泡となって超純水に混入した
り、逆に超純水が炭酸ガスまたはアンモニアガス側に透
過するという問題点がある。炭酸ガスまたはアンモニア
ガスが気泡となると比抵抗値を一定に調整することが困
難となる。
またはアンモニアガス透過速度の大きなものであれば素
材及び構造及び形態等特に制限は無いが、膜素材は疎水
性の高い素材が好ましい。例えばポリエチレン系樹脂、
ポリプロピレン系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、
パーフルオロアルコキシフッ素樹脂、ポリヘキサフルオ
ロプロピレン等の各種フッ素樹脂、ポリブテン系樹脂、
シリコーン系樹脂、ポリ（４−メチルペンテン−１）系
樹脂等の素材が好適に挙げられる。また膜構造も、微多
孔膜、均質膜、不均質膜、複合膜、ポリプロピレン微多
孔膜等層でウレタン等の薄膜をサンドイッチ膜いわゆる
サンドイッチ膜等いずれも使用できる。膜の形態として
は平膜、中空糸膜が挙げられるが、ガスの溶解効率の面
では中空糸膜が好ましい。中空糸膜の炭酸ガス透過速度
またはアンモニアガス透過速度は、１×１０−６［cm３
/cm２・sec・cmHg］以上１０［cm３/cm２・sec・cmHg］
以下であることが好ましい。１×１０−６［cm３/cm２
・sec・cmHg］未満であると中空糸膜を透過する炭酸ガ
スまたはアンモニアガスの透過速度が遅く、目標とする
比抵抗値に到達しなかったり、超純水流量が変動した際
に比抵抗値が変動する。また、１０［cm３/cm２・sec・
cmHg］を越えるとゲージ圧で０．１ｋｇ／ｃｍ２以上で
炭酸ガスまたはアンモニアガスを供給すると炭酸ガスま
たはアンモニアガスが気泡となって超純水に混入した
り、逆に超純水が炭酸ガスまたはアンモニアガス側に透
過するという問題点がある。炭酸ガスまたはアンモニア
ガスが気泡となると比抵抗値を一定に調整することが困
難となる。
【００２０】特にポリ（４−メチルペンテン−１）系樹
脂を素材とする中空糸不均質膜は炭酸ガスまたはアンモ
ニアガスの透過性に優れ且つ水蒸気バリヤー性が高く最
も好ましい。本不均質膜については、例えば特公平２−
３８２５０号公報、特公平２−５４３７７号公報、特公
平４−１５０１４号公報、特公平４−５００５３号公報
及び特開平５−６６５６号公報等に詳しく述べてある。
脂を素材とする中空糸不均質膜は炭酸ガスまたはアンモ
ニアガスの透過性に優れ且つ水蒸気バリヤー性が高く最
も好ましい。本不均質膜については、例えば特公平２−
３８２５０号公報、特公平２−５４３７７号公報、特公
平４−１５０１４号公報、特公平４−５００５３号公報
及び特開平５−６６５６号公報等に詳しく述べてある。
【００２１】ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹
脂及びポリフッ化ビニリデン系樹脂等のごとく素材のガ
ス透過性が低く、従って炭酸ガスまたはアンモニアガス
の溶解用途に適用するためには微多孔構造を取り、その
多孔部分により炭酸ガスまたはアンモニアガスを透過さ
せざる得ないこれら膜と比較し、ポリ（４−メチルペン
テン−１）系樹脂を素材とする本不均質膜は、素材自体
気体透過性が十分高く、また緻密層部の膜厚が十分に薄
く、膜表面全体が炭酸ガスまたはアンモニアガス透過に
寄与する事ができ、結果として実質的な膜面積が大きく
なり極めて好ましい。
脂及びポリフッ化ビニリデン系樹脂等のごとく素材のガ
ス透過性が低く、従って炭酸ガスまたはアンモニアガス
の溶解用途に適用するためには微多孔構造を取り、その
多孔部分により炭酸ガスまたはアンモニアガスを透過さ
せざる得ないこれら膜と比較し、ポリ（４−メチルペン
テン−１）系樹脂を素材とする本不均質膜は、素材自体
気体透過性が十分高く、また緻密層部の膜厚が十分に薄
く、膜表面全体が炭酸ガスまたはアンモニアガス透過に
寄与する事ができ、結果として実質的な膜面積が大きく
なり極めて好ましい。
【００２２】また、このポリ（４−メチルペンテン−
１）系樹脂からなる不均質膜は、高い気体透過性能を有
しつつ膜壁を貫く連通細孔の孔径及びその開孔面積が極
めて小さく、従ってＰＰやＰＥの微多孔膜に比べ水蒸気
のバリヤー性に極めて優れた性能を有する。
１）系樹脂からなる不均質膜は、高い気体透過性能を有
しつつ膜壁を貫く連通細孔の孔径及びその開孔面積が極
めて小さく、従ってＰＰやＰＥの微多孔膜に比べ水蒸気
のバリヤー性に極めて優れた性能を有する。
【００２３】中空糸膜を配設するハウジングについて
は、上述の超純水への不純物の溶出の無いものであれ
ば、何ら材質は一切問わない。
は、上述の超純水への不純物の溶出の無いものであれ
ば、何ら材質は一切問わない。
【００２４】具体的に例示すれば、ポリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリ４−メチルペンテン１などのポリオレ
フィン系、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロ
エチレンなどのフッ素系、ポリエーテルエーテルケト
ン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルフォン、ポ
リサルフォンなどのエンジニアリングプラスチック、或
いは低溶出の為超純水の配管素材として使用されてい
る、クリーン塩化ビニル系などが挙げられる。
プロピレン、ポリ４−メチルペンテン１などのポリオレ
フィン系、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロ
エチレンなどのフッ素系、ポリエーテルエーテルケト
ン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルフォン、ポ
リサルフォンなどのエンジニアリングプラスチック、或
いは低溶出の為超純水の配管素材として使用されてい
る、クリーン塩化ビニル系などが挙げられる。
【００２５】中空糸膜モジュール構造としては、中空糸
膜を複数本収束しハウジング内に配設し、中空糸膜外側
とハウジングの間の空間部に炭酸ガスまたはアンモニア
ガスを給気し中空糸膜の内側に超純水を流す内部灌流型
のみならず、それ以外にも特公平５−２１８４１号公報
にある中空糸の外側に超純水を流し、内側に炭酸ガスま
たはアンモニアガスを流す外部灌流型も考えられる。
膜を複数本収束しハウジング内に配設し、中空糸膜外側
とハウジングの間の空間部に炭酸ガスまたはアンモニア
ガスを給気し中空糸膜の内側に超純水を流す内部灌流型
のみならず、それ以外にも特公平５−２１８４１号公報
にある中空糸の外側に超純水を流し、内側に炭酸ガスま
たはアンモニアガスを流す外部灌流型も考えられる。
【００２６】外部灌流型の場合には、ハウジング内への
中空糸の充填むらなどの原因による水の偏流（チャンネ
リング）が生じるのを防ぐために、中空糸を、中空糸同
士又は他の糸条とによってシート状、例えば簾状に組織
されたシート状物とし、それから得られる重畳体、捲回
体、収束体の状態でハウジング内に組み込むことが効果
的である。また中空糸を筒状芯に綾巻きするなどした三
次元組織を組み込む等適宜の形状を採ることもできる。
中空糸の充填むらなどの原因による水の偏流（チャンネ
リング）が生じるのを防ぐために、中空糸を、中空糸同
士又は他の糸条とによってシート状、例えば簾状に組織
されたシート状物とし、それから得られる重畳体、捲回
体、収束体の状態でハウジング内に組み込むことが効果
的である。また中空糸を筒状芯に綾巻きするなどした三
次元組織を組み込む等適宜の形状を採ることもできる。
【００２７】内灌流、外灌流どちらの型を採るかは、超
純水に炭酸ガスまたはアンモニアガスを溶解する事によ
り比抵抗値を下げるという目的からすればどちらの構造
でも構わないが、製造する炭酸ガスまたはアンモニアガ
ス溶解水の流量の大幅な変動に追随させねばならない場
合に、設定比抵抗値への高速応答性・精度や再現性・安
定性などを考慮して超純水へ効率的に均等且つ均一に炭
酸ガスまたはアンモニアガスを溶解させる必要があり、
こういった点から内部灌流型の中空糸膜モジュールの方
が好ましい。
純水に炭酸ガスまたはアンモニアガスを溶解する事によ
り比抵抗値を下げるという目的からすればどちらの構造
でも構わないが、製造する炭酸ガスまたはアンモニアガ
ス溶解水の流量の大幅な変動に追随させねばならない場
合に、設定比抵抗値への高速応答性・精度や再現性・安
定性などを考慮して超純水へ効率的に均等且つ均一に炭
酸ガスまたはアンモニアガスを溶解させる必要があり、
こういった点から内部灌流型の中空糸膜モジュールの方
が好ましい。
【００２８】超純水原水を中空糸膜モジュールとバイパ
ス管路に分配する分配装置としては、分流される2流の
合計流量が変動しても2流の流量比率が常に一定性を保
った状態で２流に分流できるものであれば何ら規定する
べきものはなく、簡便的に配管用ティーズや分岐バルブ
などが使用できる。しかし、更にそれらの分配比率を精
密バルブ付き流量計や、規定水量しか流せないようなオ
リフィスによって制御する様にしたものでも良い。
ス管路に分配する分配装置としては、分流される2流の
合計流量が変動しても2流の流量比率が常に一定性を保
った状態で２流に分流できるものであれば何ら規定する
べきものはなく、簡便的に配管用ティーズや分岐バルブ
などが使用できる。しかし、更にそれらの分配比率を精
密バルブ付き流量計や、規定水量しか流せないようなオ
リフィスによって制御する様にしたものでも良い。
【００２９】但しその材質面では、超純水への不純物溶
出を考慮する必要があり、フッ素系ポリマーやクリーン
塩化ビニル、超純水対応のオーステナイト系ステンレ
ス、無機ガラスなどを使用しなくてはならない。
出を考慮する必要があり、フッ素系ポリマーやクリーン
塩化ビニル、超純水対応のオーステナイト系ステンレ
ス、無機ガラスなどを使用しなくてはならない。
【００３０】生成した炭酸ガスまたはアンモニアガス溶
解超純水とバイパス管路を経た原水を合流させる合流装
置としては２流を合流させる流入口があれば何ら規定す
るべきものはなく、簡便的には配管用ティーズで良い。
解超純水とバイパス管路を経た原水を合流させる合流装
置としては２流を合流させる流入口があれば何ら規定す
るべきものはなく、簡便的には配管用ティーズで良い。
【００３１】合流装置の下流側には、合流した２流を均
一に混合させる目的で、スタティックミキサーを配設さ
せればより一層好ましいが、適当な長さの屈曲管路を設
ける事によって、均一混合され希釈された超純水が得ら
れる。合流装置及びスタティックミキサーの材質も超純
水への不純物溶出には十分考慮し、フッ素系ポリマーや
クリーン塩化ビニル、超純水対応のオーステナイト系ス
テンレス、無機ガラスなどを使用しなくてはならない。
一に混合させる目的で、スタティックミキサーを配設さ
せればより一層好ましいが、適当な長さの屈曲管路を設
ける事によって、均一混合され希釈された超純水が得ら
れる。合流装置及びスタティックミキサーの材質も超純
水への不純物溶出には十分考慮し、フッ素系ポリマーや
クリーン塩化ビニル、超純水対応のオーステナイト系ス
テンレス、無機ガラスなどを使用しなくてはならない。
【００３２】従来技術では、炭酸ガスの流量または圧力
について精密な自動制御を行っていたが、本発明では炭
酸ガス濃度またはアンモニアガス濃度がある程度の一定
値に保たれれば良いので、バルブの高度な自動制御を必
要としない。必要とされる炭酸ガス濃度またはアンモニ
アガス濃度は、炭酸ガスまたはアンモニアガスが溶解さ
れる超純水の水温と、ヘンリーの法則によって供給炭酸
ガスまたはアンモニアガスの圧力に比例して定まる平衡
濃度の９０％以上の値で、ほぼ一定した値である。本発
明において適当な炭酸ガスまたはアンモニアガスの圧力
は０．１５〜１．５ｋｇｆ／ｃｍ２・Ｇである。
について精密な自動制御を行っていたが、本発明では炭
酸ガス濃度またはアンモニアガス濃度がある程度の一定
値に保たれれば良いので、バルブの高度な自動制御を必
要としない。必要とされる炭酸ガス濃度またはアンモニ
アガス濃度は、炭酸ガスまたはアンモニアガスが溶解さ
れる超純水の水温と、ヘンリーの法則によって供給炭酸
ガスまたはアンモニアガスの圧力に比例して定まる平衡
濃度の９０％以上の値で、ほぼ一定した値である。本発
明において適当な炭酸ガスまたはアンモニアガスの圧力
は０．１５〜１．５ｋｇｆ／ｃｍ２・Ｇである。
【００３３】炭酸ガスまたはアンモニアガスは調圧弁に
よって定圧的に供給する事により、膜モジュール内の超
純水の流量変動に応じた供給量が保持され、炭酸ガスま
たはアンモニアガスの定濃度性がが保たれる。
よって定圧的に供給する事により、膜モジュール内の超
純水の流量変動に応じた供給量が保持され、炭酸ガスま
たはアンモニアガスの定濃度性がが保たれる。
【００３４】炭酸ガスまたはアンモニアガス圧力調圧弁
については、供給元側（一時側）のガス中コンタミネー
ションが中空糸膜に付着しない様、事前にフィルタレー
ションを行ってさえおけば、何ら構造，材質，型式を規
定する必要はなく、半導体や液晶分野で一般的に使用さ
れているもので差し支えない。
については、供給元側（一時側）のガス中コンタミネー
ションが中空糸膜に付着しない様、事前にフィルタレー
ションを行ってさえおけば、何ら構造，材質，型式を規
定する必要はなく、半導体や液晶分野で一般的に使用さ
れているもので差し支えない。
【００３５】例示すれば、プレッシャーレギュレーティ
ングバルブ、ベローズプレッシャーバルブ、プレッシャ
ーレギュレータ、バックプレッシャーバルブ等の圧力制
御バルブ（レギュレータ）が挙げられる。
ングバルブ、ベローズプレッシャーバルブ、プレッシャ
ーレギュレータ、バックプレッシャーバルブ等の圧力制
御バルブ（レギュレータ）が挙げられる。
【００３６】バイパス管路は、超純水を流す管であって
その管壁が炭酸ガスまたはアンモニアガスを透過させな
い管であれば良く、２分流された超純水が所定比率で一
定に保たれておればその形状は問題とはならない。
その管壁が炭酸ガスまたはアンモニアガスを透過させな
い管であれば良く、２分流された超純水が所定比率で一
定に保たれておればその形状は問題とはならない。
【００３７】又、必ずしもバイパス管路数は１本に限定
されるものではない。
されるものではない。
【００３８】バイパス管路内を超純水が通ることから、
その管の材質は、前期同様の観点から、プラスチック
製、樹脂製よりも超純水対応のオーステナイト系ステン
レスや無機ガラスが好ましい。
その管の材質は、前期同様の観点から、プラスチック
製、樹脂製よりも超純水対応のオーステナイト系ステン
レスや無機ガラスが好ましい。
【００３９】本発明を更に説明する。
【００４０】これ迄に各種文献などで炭酸ガスまたはア
ンモニアガスの超純水への溶解メカニズム、超純水へ炭
酸ガスまたはアンモニアガスを直接溶解させる場合の炭
酸ガス濃度またはアンモニアガス濃度と比抵抗値の関係
は公知となっている。
ンモニアガスの超純水への溶解メカニズム、超純水へ炭
酸ガスまたはアンモニアガスを直接溶解させる場合の炭
酸ガス濃度またはアンモニアガス濃度と比抵抗値の関係
は公知となっている。
【００４１】従って超純水の比抵抗を調整する目的で、
中空糸膜を介して超純水に所定量の炭酸ガスを溶解する
事は特公平５−２１８４１、”超純水の科学”に記載の
フィードフォワード法、フィードバック法などでも提案
されてきた。しかしながら超純水量が瞬時に変動する場
合、それに応答させ所定の比抵抗値に追従、制御させる
事は実際には難しい。然るに本発明者らは超純水原水を
２流に分け、比抵抗所定値を与える炭酸ガス濃度または
アンモニアガス濃度より高い濃度で炭酸ガスまたはアン
モニアガスを溶解した超純水を、超純水原水で希釈し、
その一定比率を保持させ均一に混合させる方法により比
抵抗調整できる事を見いだした。
中空糸膜を介して超純水に所定量の炭酸ガスを溶解する
事は特公平５−２１８４１、”超純水の科学”に記載の
フィードフォワード法、フィードバック法などでも提案
されてきた。しかしながら超純水量が瞬時に変動する場
合、それに応答させ所定の比抵抗値に追従、制御させる
事は実際には難しい。然るに本発明者らは超純水原水を
２流に分け、比抵抗所定値を与える炭酸ガス濃度または
アンモニアガス濃度より高い濃度で炭酸ガスまたはアン
モニアガスを溶解した超純水を、超純水原水で希釈し、
その一定比率を保持させ均一に混合させる方法により比
抵抗調整できる事を見いだした。
【００４２】即ち本発明の重点は、消費量に応じて供給
される超純水原水を、分配装置によって流量に大小のあ
る２流に一定比率で分流し、膜を隔てて超純水と炭酸ガ
スまたはアンモニアガスを流すための中空糸膜モジュー
ルに一方の流れを供給して小流量の炭酸ガスまたはアン
モニアガス溶解水を高い炭酸ガス濃度またはアンモニア
ガス濃度で生成させ、その炭酸ガスまたはアンモニアガ
ス溶解水を大流量に分けられた原水へ合流させて均一に
混合させる方法により、容易に比抵抗調整超純水を得る
事にあるが、更には分流を当該装置内の配管系で実施す
るか、バイパス管路を中空糸膜モジュール内に設けて実
施するか、いくつかの方法で考えられる。尚炭酸ガスま
たはアンモニアガス溶解は常温水温下の前記好ましい炭
酸ガス圧力またはアンモニアガス圧下で行えば、その条
件における平衡濃度の炭酸ガスまたはアンモニアガスが
溶解してほぼ一定値となり、比抵抗調整は行いやすくな
る。
される超純水原水を、分配装置によって流量に大小のあ
る２流に一定比率で分流し、膜を隔てて超純水と炭酸ガ
スまたはアンモニアガスを流すための中空糸膜モジュー
ルに一方の流れを供給して小流量の炭酸ガスまたはアン
モニアガス溶解水を高い炭酸ガス濃度またはアンモニア
ガス濃度で生成させ、その炭酸ガスまたはアンモニアガ
ス溶解水を大流量に分けられた原水へ合流させて均一に
混合させる方法により、容易に比抵抗調整超純水を得る
事にあるが、更には分流を当該装置内の配管系で実施す
るか、バイパス管路を中空糸膜モジュール内に設けて実
施するか、いくつかの方法で考えられる。尚炭酸ガスま
たはアンモニアガス溶解は常温水温下の前記好ましい炭
酸ガス圧力またはアンモニアガス圧下で行えば、その条
件における平衡濃度の炭酸ガスまたはアンモニアガスが
溶解してほぼ一定値となり、比抵抗調整は行いやすくな
る。
【００４３】炭酸ガスまたはアンモニアガス溶解超純水
を生成させる為の超純水原水とバイパス管路に流す超純
水原水の分流比率は、所望とする比抵抗値により大きく
変わり、又比抵抗値をどの程度の範囲内にコントロール
すればよいのかは、超純水使用対象の半導体或いは液晶
分野でのデバイスの種類や使用する洗浄工程によって大
きく変わる。
を生成させる為の超純水原水とバイパス管路に流す超純
水原水の分流比率は、所望とする比抵抗値により大きく
変わり、又比抵抗値をどの程度の範囲内にコントロール
すればよいのかは、超純水使用対象の半導体或いは液晶
分野でのデバイスの種類や使用する洗浄工程によって大
きく変わる。
【００４４】従って比抵抗調整超純水の使用目的によっ
て、前記流量比の大小関係は適宜変更して対応すること
が極めて効果的である。
て、前記流量比の大小関係は適宜変更して対応すること
が極めて効果的である。
【００４５】近年の半導体や液晶分野でのウエハ洗浄工
程では、比抵抗値０．１［ＭΩ・ｃｍ］以上が特に望ま
れており、この場合小流量側の炭酸ガスまたはアンモニ
アガス溶解水の大流量側の超純水に対する比率が１／５
０より小さければ良い。
程では、比抵抗値０．１［ＭΩ・ｃｍ］以上が特に望ま
れており、この場合小流量側の炭酸ガスまたはアンモニ
アガス溶解水の大流量側の超純水に対する比率が１／５
０より小さければ良い。
【００４６】
【実施例】以下に本発明を実施例及び比較例によって更
に具体的に説明をする。 ただし、本発明はこれに限定
され制約されるものではない。
に具体的に説明をする。 ただし、本発明はこれに限定
され制約されるものではない。
【００４７】これらの例において超純水の比抵抗は、市
販の比抵抗測定器（ＴＨＯＲＮＴＯＮ社製２００ＣＲ及
び、ＣＯＳ社製ＣＥ−４８０Ｒ）を用いて測定した。
販の比抵抗測定器（ＴＨＯＲＮＴＯＮ社製２００ＣＲ及
び、ＣＯＳ社製ＣＥ−４８０Ｒ）を用いて測定した。
【００４８】原水としては２５［℃］にて１８．２［Ｍ
Ω・ｃｍ］の比抵抗を持つ超純水を用い、超純水の流量
は２〜８［リットル／ｍｉｎ．］の間で変動させた。そ
の流量維持時間は30秒で段階的に変動させた。その供給
水圧は２［ｋｇｆ／ｃｍ２・Ｇ］ とした。
Ω・ｃｍ］の比抵抗を持つ超純水を用い、超純水の流量
は２〜８［リットル／ｍｉｎ．］の間で変動させた。そ
の流量維持時間は30秒で段階的に変動させた。その供給
水圧は２［ｋｇｆ／ｃｍ２・Ｇ］ とした。
【００４９】炭酸ガス及びアンモニアガス源には７［ｍ
３］ の炭酸ガスボンベ及びアンモニアガスボンベを用
意し、二段式圧力調整器及びプレッシャーレギュレーテ
ィングバルブにて、膜モジュールへ給気すべき炭酸ガス
またはアンモニアガスの圧力を１［ｋｇｆ／ｃｍ２・
Ｇ］とした。
３］ の炭酸ガスボンベ及びアンモニアガスボンベを用
意し、二段式圧力調整器及びプレッシャーレギュレーテ
ィングバルブにて、膜モジュールへ給気すべき炭酸ガス
またはアンモニアガスの圧力を１［ｋｇｆ／ｃｍ２・
Ｇ］とした。
【００５０】実施例１ 中空糸膜モジュールとしてはポリー４−メチルペンテン
ー１を素材とし、内径２００［μｍ］，外径２５０［μ
ｍ］の糸を収束させ、クリーン塩化ビニル樹脂製のハウ
ジング内に糸の両端を樹脂で固めることにより、０．５
［ｍ２］の膜面積を持つ内部灌流型の気体給気用中空糸
モジュール１（大日本インキ化学工業（株）製ＳＥＰＡ
ＲＥＬ ＰＦ−００１）を得た。中空糸膜の炭酸ガス透
過速度は３．５×１０−５［cm３/cm２・sec・cmHg］で
あった。これは以下の実施例及び比較例において共通す
る。
ー１を素材とし、内径２００［μｍ］，外径２５０［μ
ｍ］の糸を収束させ、クリーン塩化ビニル樹脂製のハウ
ジング内に糸の両端を樹脂で固めることにより、０．５
［ｍ２］の膜面積を持つ内部灌流型の気体給気用中空糸
モジュール１（大日本インキ化学工業（株）製ＳＥＰＡ
ＲＥＬ ＰＦ−００１）を得た。中空糸膜の炭酸ガス透
過速度は３．５×１０−５［cm３/cm２・sec・cmHg］で
あった。これは以下の実施例及び比較例において共通す
る。
【００５１】図１は当該中空糸膜モジュール１を組み込
んだ実施例１の装置の模式図である。
んだ実施例１の装置の模式図である。
【００５２】実施例1の装置は、中空糸膜モジュール１
が炭酸ガス溶解流路２の途中に設けられている。中空糸
膜モジュール１の上流側では、バイパス管路３の一端が
分配装置５を介して炭酸ガス溶解流路２に接続してい
る。バイパス管路３の他端は、中空糸膜モジュール１の
下流側で合流装置６を介して炭酸ガス溶解回路２に接続
している。分配装置５の上流側には超純水原水入口７が
設けられている。合流装置６の下流側には比抵抗調整処
理を行った超純水の出口８が設けられている。中空糸膜
モジュール１と分配装置５との間の炭酸ガス溶解流路２
およびバイパス管路３にはそれぞれ流量計ＦＩ１、ＦＩ
２が設けられている。中空糸膜モジュール１の中央部に
は炭酸ガス給気口９が設けられ、ここに炭酸ガス流路４
が接続される。炭酸ガス流路４の途中には調圧弁１０が
設けられている。炭酸ガス給気口９と調圧弁１４との間
の炭酸ガス流路４には炭酸ガス圧力計ＰＩが設けられて
いる。
が炭酸ガス溶解流路２の途中に設けられている。中空糸
膜モジュール１の上流側では、バイパス管路３の一端が
分配装置５を介して炭酸ガス溶解流路２に接続してい
る。バイパス管路３の他端は、中空糸膜モジュール１の
下流側で合流装置６を介して炭酸ガス溶解回路２に接続
している。分配装置５の上流側には超純水原水入口７が
設けられている。合流装置６の下流側には比抵抗調整処
理を行った超純水の出口８が設けられている。中空糸膜
モジュール１と分配装置５との間の炭酸ガス溶解流路２
およびバイパス管路３にはそれぞれ流量計ＦＩ１、ＦＩ
２が設けられている。中空糸膜モジュール１の中央部に
は炭酸ガス給気口９が設けられ、ここに炭酸ガス流路４
が接続される。炭酸ガス流路４の途中には調圧弁１０が
設けられている。炭酸ガス給気口９と調圧弁１４との間
の炭酸ガス流路４には炭酸ガス圧力計ＰＩが設けられて
いる。
【００５３】実施例１の装置は次のように作動する。超
純水原水は超純水原水入口７から装置内に入れられる。
超純水原水は、分配装置５で比較的小流量の流れと比較
的大流量の流れとに分配される。比較的小流量の流れは
炭酸ガス溶解流路２に導かれ、さらに中空糸膜モジュー
ル１内の中空糸膜の内部に導かれる。比較的大流量の流
れはバイパス管路３に導かれる。炭酸ガスは炭酸ガス流
路４に導入される。この炭酸ガスは調圧弁１４で一定圧
力に調整された後に、炭酸ガス給気口９から中空糸膜モ
ジュール内に導かれ、中空糸膜を透過し、中空糸内の超
純水原水に溶解される。ここで中空糸膜内の超純水原水
は炭酸ガス付加超純水となる。この炭酸ガス溶解超純水
は、中空糸膜モジュール１の出口側の流路に導かれ、合
流装置６でバイパス管路３からの比較的大流量の流れと
合流し、目的とする比抵抗調整超純水が得られる。
純水原水は超純水原水入口７から装置内に入れられる。
超純水原水は、分配装置５で比較的小流量の流れと比較
的大流量の流れとに分配される。比較的小流量の流れは
炭酸ガス溶解流路２に導かれ、さらに中空糸膜モジュー
ル１内の中空糸膜の内部に導かれる。比較的大流量の流
れはバイパス管路３に導かれる。炭酸ガスは炭酸ガス流
路４に導入される。この炭酸ガスは調圧弁１４で一定圧
力に調整された後に、炭酸ガス給気口９から中空糸膜モ
ジュール内に導かれ、中空糸膜を透過し、中空糸内の超
純水原水に溶解される。ここで中空糸膜内の超純水原水
は炭酸ガス付加超純水となる。この炭酸ガス溶解超純水
は、中空糸膜モジュール１の出口側の流路に導かれ、合
流装置６でバイパス管路３からの比較的大流量の流れと
合流し、目的とする比抵抗調整超純水が得られる。
【００５４】図１の装置を用いて、超純水全体の流量を
変動させて比抵抗調整超純水の比抵抗値を測定した。表
１に本装置による比抵抗値変化の結果を示す。流量変動
に対する追従のずれはほとんど認められなかった。 実施例２ 本実施例では、バイパス管路を付加した内部潅流中空糸
膜モジュール１１（大日本インキ化学工業（株）製ＳＥ
ＰＡＲＥＬ ＰＦ−００１Ｒ５）を用いた。図２にこの
中空糸膜モジュール１１の断面図を示す。
変動させて比抵抗調整超純水の比抵抗値を測定した。表
１に本装置による比抵抗値変化の結果を示す。流量変動
に対する追従のずれはほとんど認められなかった。 実施例２ 本実施例では、バイパス管路を付加した内部潅流中空糸
膜モジュール１１（大日本インキ化学工業（株）製ＳＥ
ＰＡＲＥＬ ＰＦ−００１Ｒ５）を用いた。図２にこの
中空糸膜モジュール１１の断面図を示す。
【００５５】この中空糸膜モジュール１１は、バイパス
管路１９となる円筒部分と中空糸膜部分２０とをクリー
ン塩化ビニル樹脂製のハウジング内に組み込んだ、内部
潅流型のモジュールである。中空糸膜部分２０は、ポリ
−４−メチルペンテン−１を素材とし、内径２００［μ
ｍ］、外径２５０［μｍ］の中空糸膜を収束させて構成
され、０．５［ｍ２］の膜面積を有する。この中空糸膜
部分２０の両端は樹脂で固められ、中空糸膜とハウジン
グとを接着封止する接着封止部２３を形成している。バ
イパス管路１９は、超純水対応のＳＵＳ３１６製円筒で
ある。実施例２の装置において、中空糸膜部分２０に対
するバイパス管路１９への超純水原水の供給比率は５０
倍である。中空糸膜モジュール１１のハウジング中央部
には炭酸ガス給気口２２が設けられている。
管路１９となる円筒部分と中空糸膜部分２０とをクリー
ン塩化ビニル樹脂製のハウジング内に組み込んだ、内部
潅流型のモジュールである。中空糸膜部分２０は、ポリ
−４−メチルペンテン−１を素材とし、内径２００［μ
ｍ］、外径２５０［μｍ］の中空糸膜を収束させて構成
され、０．５［ｍ２］の膜面積を有する。この中空糸膜
部分２０の両端は樹脂で固められ、中空糸膜とハウジン
グとを接着封止する接着封止部２３を形成している。バ
イパス管路１９は、超純水対応のＳＵＳ３１６製円筒で
ある。実施例２の装置において、中空糸膜部分２０に対
するバイパス管路１９への超純水原水の供給比率は５０
倍である。中空糸膜モジュール１１のハウジング中央部
には炭酸ガス給気口２２が設けられている。
【００５６】この中空糸膜モジュール１１は、ハウジン
グの両端で中空糸膜部分２０の膜端開口部とバイパス管
路１９の開口とが並んで配置されている。ハウジングの
両端はそれぞれエンドキャップ２１で覆われている。こ
れによって、それぞれのエンドキャップ２１の内部に超
純水の分配部１５及び合流部１６が形成される。合流部
１６を形成するエンドキャップ２１には比抵抗調整処理
を行った超純水の出口１８が形成されている。従って、
本実施例の中空糸膜モジュール１１は、分配装置、中空
糸膜モジュール、バイパス管路及び合流装置等の全体が
一体化されたものとされている。超純水原水の中空膜部
分２０及びバイパス管路への前記供給比率は、分配部１
５側の中空糸膜部分２０の開口の総面積と、バイパス管
路１９の開口面積との比率に反映される。
グの両端で中空糸膜部分２０の膜端開口部とバイパス管
路１９の開口とが並んで配置されている。ハウジングの
両端はそれぞれエンドキャップ２１で覆われている。こ
れによって、それぞれのエンドキャップ２１の内部に超
純水の分配部１５及び合流部１６が形成される。合流部
１６を形成するエンドキャップ２１には比抵抗調整処理
を行った超純水の出口１８が形成されている。従って、
本実施例の中空糸膜モジュール１１は、分配装置、中空
糸膜モジュール、バイパス管路及び合流装置等の全体が
一体化されたものとされている。超純水原水の中空膜部
分２０及びバイパス管路への前記供給比率は、分配部１
５側の中空糸膜部分２０の開口の総面積と、バイパス管
路１９の開口面積との比率に反映される。
【００５７】実施例２の装置は次のように動作する。超
純水原水は超純水原水入口１７から装置内の分配部１５
に入れられる。超純水原水は、１：５０の割合で中空糸
膜部分２０の中空糸膜内とバイパス管路内とにそれぞれ
導入される。炭酸ガスは、炭酸ガス給気口２２から中空
糸膜モジュール１内に導かれ、中空糸膜の外表面に接す
る。炭酸ガスはさらに中空糸膜を透過し、中空糸膜内の
超純水原水に溶解される。ここで超純水原水は炭酸ガス
溶解水となる。この炭酸ガス溶解水は、合流部１６に導
かれ、ここでバイパス管路１９からの超純水原水と合流
する。こうして得られた目的とする比抵抗調整超純水
は、出口１８から取り出される。
純水原水は超純水原水入口１７から装置内の分配部１５
に入れられる。超純水原水は、１：５０の割合で中空糸
膜部分２０の中空糸膜内とバイパス管路内とにそれぞれ
導入される。炭酸ガスは、炭酸ガス給気口２２から中空
糸膜モジュール１内に導かれ、中空糸膜の外表面に接す
る。炭酸ガスはさらに中空糸膜を透過し、中空糸膜内の
超純水原水に溶解される。ここで超純水原水は炭酸ガス
溶解水となる。この炭酸ガス溶解水は、合流部１６に導
かれ、ここでバイパス管路１９からの超純水原水と合流
する。こうして得られた目的とする比抵抗調整超純水
は、出口１８から取り出される。
【００５８】図２の装置を用いて、超純水全体の流量を
変動させて比抵抗値調整超純水の比抵抗値を測定した。
表１に本装置による比抵抗値変化の結果を示す。流量変
動に対する追従のずれはほとんど認められなかった。 実施例３ 実施例３の中空糸膜モジュールは、中空糸膜部分に対す
るバイパス管路への超純水原水の供給比率を１５０倍と
した以外は、実施例２の中空糸膜モジュールと同様の構
成を有する内部潅流型モジュール（大日本インキ化学工
業（株）製ＳＥＰＡＲＥＬ ＰＦ−００１Ｒ１５）とし
た。
変動させて比抵抗値調整超純水の比抵抗値を測定した。
表１に本装置による比抵抗値変化の結果を示す。流量変
動に対する追従のずれはほとんど認められなかった。 実施例３ 実施例３の中空糸膜モジュールは、中空糸膜部分に対す
るバイパス管路への超純水原水の供給比率を１５０倍と
した以外は、実施例２の中空糸膜モジュールと同様の構
成を有する内部潅流型モジュール（大日本インキ化学工
業（株）製ＳＥＰＡＲＥＬ ＰＦ−００１Ｒ１５）とし
た。
【００５９】この装置を用いて、超純水全体の流量を変
動させて比抵抗調整超純水の比抵抗値を測定した。表１
に本装置による比抵抗値変化を示す。流量変動に対する
追従のずれはほとんど認められなかった。 実施例４ 実施例１の装置と同じ中空糸膜モジュールを用いて、こ
の中空糸膜モジュールへの炭酸ガスと超純水の流れる側
を実施例１とは反対にし、中空糸膜の中に炭酸ガスを又
中空糸膜の外側に超純水を流すようにして実施例４の装
置とした。この実施例４の装置を用いて、超純水全体の
流量を変動させて比抵抗調整超純水の比抵抗値を測定し
た。その結果を表１に示す。流量変動に対する追従のず
れはほとんど認められなかった。 実施例５ 炭酸ガスの代わりにアンモニアガスを用いること以外は
実施例１と同一にして実施例５の装置とした。実施例５
の装置を用いて、超純水全体の流量を変動させて比抵抗
調整超純水の比抵抗値を測定した。その結果を表１に示
す。流量変動に対する追従のずれはほとんど認められな
かった。 比較例 比較例として、実施例１の装置からバイパス管路を取り
外したものを装置として用いた。超純水原水が２［リッ
トル／ｍｉｎ］の時、設定比抵抗値が０．１［ＭΩ・ｃ
ｍ］となるように炭酸ガス圧力を調整しようとしたが、
炭酸ガス圧力を０．０１［ｋｇｆ／ｃｍ２・Ｇ］にして
も比抵抗値が０．０３［ＭΩ・ｃｍ］となってしまい、
比抵抗値の調整が不可能であった。そこで、炭酸ガスの
供給流路にニードルバルブを設け、ニードルバルブの開
度を変化させる事により比抵抗値を０．１［ＭΩ・ｃ
ｍ］に調整した。次いでニードルバルブの開度をそのま
まに維持し、超純水流量を２〜８［リットル／ｍｉｎ］
の間で変化させて比抵抗調整超純水の比抵抗値を測定し
た。その時の比抵抗値変化を表１に示す。
動させて比抵抗調整超純水の比抵抗値を測定した。表１
に本装置による比抵抗値変化を示す。流量変動に対する
追従のずれはほとんど認められなかった。 実施例４ 実施例１の装置と同じ中空糸膜モジュールを用いて、こ
の中空糸膜モジュールへの炭酸ガスと超純水の流れる側
を実施例１とは反対にし、中空糸膜の中に炭酸ガスを又
中空糸膜の外側に超純水を流すようにして実施例４の装
置とした。この実施例４の装置を用いて、超純水全体の
流量を変動させて比抵抗調整超純水の比抵抗値を測定し
た。その結果を表１に示す。流量変動に対する追従のず
れはほとんど認められなかった。 実施例５ 炭酸ガスの代わりにアンモニアガスを用いること以外は
実施例１と同一にして実施例５の装置とした。実施例５
の装置を用いて、超純水全体の流量を変動させて比抵抗
調整超純水の比抵抗値を測定した。その結果を表１に示
す。流量変動に対する追従のずれはほとんど認められな
かった。 比較例 比較例として、実施例１の装置からバイパス管路を取り
外したものを装置として用いた。超純水原水が２［リッ
トル／ｍｉｎ］の時、設定比抵抗値が０．１［ＭΩ・ｃ
ｍ］となるように炭酸ガス圧力を調整しようとしたが、
炭酸ガス圧力を０．０１［ｋｇｆ／ｃｍ２・Ｇ］にして
も比抵抗値が０．０３［ＭΩ・ｃｍ］となってしまい、
比抵抗値の調整が不可能であった。そこで、炭酸ガスの
供給流路にニードルバルブを設け、ニードルバルブの開
度を変化させる事により比抵抗値を０．１［ＭΩ・ｃ
ｍ］に調整した。次いでニードルバルブの開度をそのま
まに維持し、超純水流量を２〜８［リットル／ｍｉｎ］
の間で変化させて比抵抗調整超純水の比抵抗値を測定し
た。その時の比抵抗値変化を表１に示す。
【００６０】次に、超純水原水が２［リットル／ｍｉ
ｎ］の時、設定比抵抗値が０．２［ＭΩ・ｃｍ］となる
ようにニードルバルブの開度を調整し、超純水原水流量
を２〜８［リットル／ｍｉｎ］の間で変動させて比抵抗
調整超純水の比抵抗値を測定した。この結果も表１に示
す。
ｎ］の時、設定比抵抗値が０．２［ＭΩ・ｃｍ］となる
ようにニードルバルブの開度を調整し、超純水原水流量
を２〜８［リットル／ｍｉｎ］の間で変動させて比抵抗
調整超純水の比抵抗値を測定した。この結果も表１に示
す。
【００６１】本比較例では、いずれの設定比抵抗値にお
いても、流量変動に対する追従のずれが顕著に認められ
た。
いても、流量変動に対する追従のずれが顕著に認められ
た。
【００６２】
【表１】
【００６３】
【発明の効果】本発明では、消費量に応じて供給される
超純水原水を、分配装置によって流量に大小のある２流
に一定比率で分流し、中空糸モジュールに一方の流れを
供給して小流量の炭酸ガスまたはアンモニアガス溶解水
を生成させ、その炭酸ガスまたはアンモニアガス溶解水
を大流量に分けられていた原水へ合流させて均一に混合
させる事により、容易に比抵抗調整が可能となる。
超純水原水を、分配装置によって流量に大小のある２流
に一定比率で分流し、中空糸モジュールに一方の流れを
供給して小流量の炭酸ガスまたはアンモニアガス溶解水
を生成させ、その炭酸ガスまたはアンモニアガス溶解水
を大流量に分けられていた原水へ合流させて均一に混合
させる事により、容易に比抵抗調整が可能となる。
【００６４】当該装置の下流側のウエットプロセス洗浄
機で使用の際には、超純水使用量が瞬時に変動しても、
何ら制御機器を用いる事なく容易且つ安定して、所望の
比抵抗値を有する超純水を得ることができる。
機で使用の際には、超純水使用量が瞬時に変動しても、
何ら制御機器を用いる事なく容易且つ安定して、所望の
比抵抗値を有する超純水を得ることができる。
【図１】本発明による、比抵抗調整を目的とした超純水
の比抵抗調整装置の一例を示す模式図である。
の比抵抗調整装置の一例を示す模式図である。
【図２】本発明による、バイパス管路１９を中空糸膜２
０と共に収束、配設させた内部灌流型中空糸膜モジュー
ルの縦断面図である。
０と共に収束、配設させた内部灌流型中空糸膜モジュー
ルの縦断面図である。
ＰＩ 炭酸ガスまたはアンモニアガス圧力計 ＦＩ１ 超純水小流量側の、炭酸ガスまたはアンモニ
アガス溶解水流量計 ＦＩ２ 超純水大流量側のバイパス流量計 １ 炭酸ガスまたはアンモニアガス給気用の中空
糸膜モジュール ２ 炭酸ガスまたはアンモニアガス溶解流路 ３ バイパス管路 ４ 炭酸ガスまたはアンモニアガス流路 ５ 分配装置 ６ 合流装置 ７ 超純水原水入口 ８ 比抵抗調整超純水出口 ９ 炭酸ガスまたはアンモニアガス給気口 １０ 調圧弁 １１ 中空糸膜モジュール １２ 炭酸ガスまたはアンモニアガス給気口 １３ 中空糸膜とモジュールハウジングの接着封止
部 １４ 調圧弁 １５ 分配部 １６ 合流部 １７ 超純水原水入口 １８ 比抵抗調整超純水出口 １９ バイパス管路 ２０ 中空糸膜部分 ２１ エンドキャップ ２２ 炭酸ガスまたはアンモニアガス給気部 ２３ 接着封止部
アガス溶解水流量計 ＦＩ２ 超純水大流量側のバイパス流量計 １ 炭酸ガスまたはアンモニアガス給気用の中空
糸膜モジュール ２ 炭酸ガスまたはアンモニアガス溶解流路 ３ バイパス管路 ４ 炭酸ガスまたはアンモニアガス流路 ５ 分配装置 ６ 合流装置 ７ 超純水原水入口 ８ 比抵抗調整超純水出口 ９ 炭酸ガスまたはアンモニアガス給気口 １０ 調圧弁 １１ 中空糸膜モジュール １２ 炭酸ガスまたはアンモニアガス給気口 １３ 中空糸膜とモジュールハウジングの接着封止
部 １４ 調圧弁 １５ 分配部 １６ 合流部 １７ 超純水原水入口 １８ 比抵抗調整超純水出口 １９ バイパス管路 ２０ 中空糸膜部分 ２１ エンドキャップ ２２ 炭酸ガスまたはアンモニアガス給気部 ２３ 接着封止部
Claims (16)
- 【請求項１】 ハウジング内に気体透過膜が配設され、
それを境界として超純水通過部と炭酸ガスまたはアンモ
ニアガス通過部が形成されたハウジングを有する膜モジ
ュールを備え、前記超純水通過部と連絡する超純水原水
入口と、それらを連絡する中間部に設けられた分配部を
備え、前記超純水通過部と連絡する比抵抗調整超純水出
口と、それらを連絡する中間部に設けられた合流部を備
え、前記分配部と前記合流部とを連絡するバイパス流路
を備え、 前記分配部が前記超純水原水入口から入れられる超純水
原水を前記超純水通過部とバイパス流路とに定率流量比
で分配し、 前記気体透過膜が、前記超純水通過部を通過する超純水
原水に炭酸ガスまたはアンモニアガスを、そのガス圧と
水温によって定まる平衡濃度の９０％以上のほぼ一定の
濃度まで溶解させる能力を有するものである、超純水の
比抵抗調整装置。 - 【請求項２】 超純水の比抵抗を調整するために、超純
水に気体透過膜を介して炭酸ガスまたはアンモニアガス
を接触させ、超純水に炭酸ガスまたはアンモニアガスを
供給して所望の比抵抗値とする、所定比抵抗値を有する
超純水を製造するための装置であって、 気体透過膜を備えた膜モジュールとして、予め想定され
る変動流量の超純水に炭酸ガスまたはアンモニアガス
を、そのガス圧と水温によって定まる平衡濃度の９０％
以上のほぼ一定の濃度まで溶解させる能力を有する膜モ
ジュールを備え、それによって、供給される超純水の流
量が変動してもほぼ一定の比抵抗値となる如く、炭酸ガ
スまたはアンモニアガスが溶解された超純水を生成させ
る手段を備え、 超純水原水（炭酸ガスまたはアンモニアガス未溶解超純
水）側に分配部とバイパス流路を備え、超純水原水を膜
モジュールとバイパス流路とへ定率流量比で分配させ、 生成した炭酸ガスまたはアンモニアガス溶解超純水とバ
イパス流路からの超純水原水とを合流させ均一混合させ
る手段を備え、 混合後の超純水が最終目標の比抵抗値となる様に希釈す
る、超純水の比抵抗調整装置。 - 【請求項３】 気体透過膜として中空糸膜を備え、相対
的に小流量の炭酸ガスまたはアンモニアガス溶解超純水
を生成させるための中空糸膜モジュールと、相対的に大
流量の超純水原水を通過させるバイパス管路と、該膜モ
ジュールとバイパス管路に超純水原水を定率流量比で分
配する分配装置と、生成した炭酸ガスまたはアンモニア
ガス溶解超純水とバイパス管路を経た超純水原水とを合
流させ均一に混合させる合流混合装置と、膜モジュール
に供給される炭酸ガスまたはアンモニアガスの圧力を一
定に保持するための調圧弁とからなる請求項２記載の装
置。 - 【請求項４】 バイパス管路が中空糸膜モジュール内に
設けられた請求項３記載の装置。 - 【請求項５】 中空糸膜モジュールが、中空糸膜外側と
ハウジングの間の空間部に炭酸ガスまたはアンモニアガ
スを給気し、中空糸膜の内側に超純水を流す内部灌流型
であって、組み込まれた中空糸膜が複数本収束された状
態でハウジング内に配設されたものである請求項３又は
４記載の装置。 - 【請求項６】 中空糸膜モジュールが、中空糸膜の内側
に炭酸ガスまたはアンモニアガスを給気し、中空糸膜外
側とハウジングの間の空間部に超純水を流す外部灌流型
であって、組み込まれた中空糸膜が複数本収束された状
態でハウジング内に配設されたものである請求項３又は
４記載の装置。 - 【請求項７】 バイパス管路が中空糸膜モジュール内に
設けられ、当該バイパス管路が、管壁から炭酸ガスまた
はアンモニアガスを透過させない円筒管からなり、複数
本の中空糸膜と共に収束されハウジング内に配設され
た、請求項５記載の装置。 - 【請求項８】 中空糸膜モジュールが、炭酸ガス透過速
度が１×１０−６［cm３/cm２・sec・cmHg］以上１０
［cm３/cm２・sec・cmHg］以下またはアンモニアガス透
過速度が１×１０−６［cm３/cm２・sec・cmHg］以上１
０［cm３/cm２・sec・cmHg］以下である疎水性の気体透
過膜をハウジング内に組み込んだものである請求項３〜
７のいずれか１に記載の装置。 - 【請求項９】 中空糸膜がポリー４メチルペンテンー１
を素材とし、その内径が２０〜３５０μｍ、外径が５０
〜１０００μｍである請求項８記載の装置。 - 【請求項１０】 炭酸ガスまたはアンモニアガス溶解超
純水と超純水原水とを合流させる手段と、その下流側に
均一混合手段としてスタティックミキサーを配設させた
ものである請求項２又は３記載の装置。 - 【請求項１１】 生成した比抵抗値調整済み超純水の比
抵抗値を見張るための比抵抗センサーを設け、それと応
動する比抵抗計、比抵抗センサーからの信号で炭酸ガス
またはアンモニアガスの供給を遮断する電磁弁を備え
る、装置に異常が発生した場合のガス遮断装置が付加さ
れた請求項３記載の装置。 - 【請求項１２】 超純水原水を２つの流れに定率流量比
で分配する工程と、 超純水の一方の流れに気体透過膜を介して、供給する炭
酸ガス圧またはアンモニアガス圧と水温によって定まる
平衡濃度の９０％以上のほぼ一定の炭酸ガス濃度または
アンモニアガス濃度まで炭酸ガスまたはアンモニアガス
を溶解して、比抵抗調整超純水を生成する工程と、 前記炭酸ガスまたはアンモニアガス溶解超純水と他方の
超純水原水の流れとを合流する工程とを備えた、超純水
の比抵抗調整方法。 - 【請求項１３】 変動する消費量に応じた量の比抵抗値
調整済み超純水を製造するための、超純水の比抵抗調整
方法において、 消費量に応じて供給される超純水原水を、分配装置によ
って流量に相対的に大小のある２流に定率流量比で分流
し、 膜を隔てて超純水と炭酸ガスまたはアンモニアガスを流
すための中空糸膜モジュールに一方の流れを供給して小
流量の炭酸ガスまたはアンモニアガス溶解超純水を、予
め想定された変動流量の範囲内で生成させ、 且つ該炭酸ガスまたはアンモニアガス溶解超純水をその
際の炭酸ガス圧またはアンモニアガス圧と水温によって
定まる平衡濃度の９０％以上のほぼ一定の炭酸ガス濃度
またはアンモニアガス濃度とさせ、 その炭酸ガスまたはアンモニアガス溶解超純水を大流量
に分けられた超純水原水と合流させて均一に混合し、所
定の比抵抗値に調整した超純水とする、超純水の比抵抗
調整方法。 - 【請求項１４】 大流量流に分けられた超純水原水を、
中空糸膜モジュール内に設けられたバイパス管路を通じ
て流す請求項１３記載の超純水の比抵抗調整方法。 - 【請求項１５】 小流量流の炭酸ガスまたはアンモニア
ガス溶解超純水の大流量流の超純水に対する流量の比率
が１／５０より小である請求項１３又は１４記載の方
法。 - 【請求項１６】 炭酸ガスまたはアンモニアガス溶解超
純水の炭酸ガス濃度またはアンモニアガス濃度を維持す
るため、調圧弁により中空糸膜に接する炭酸ガス圧また
はアンモニアガス圧を一定に保持させ、中空糸膜モジュ
ールに分流して流入する超純水原水の流量の変動に応じ
て炭酸ガスまたはアンモニアガスの供給量を相対的に変
化させる請求項１３記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33094498A JP3690569B2 (ja) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | 超純水の比抵抗調整装置及び調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33094498A JP3690569B2 (ja) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | 超純水の比抵抗調整装置及び調整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000159504A true JP2000159504A (ja) | 2000-06-13 |
| JP3690569B2 JP3690569B2 (ja) | 2005-08-31 |
Family
ID=18238173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33094498A Expired - Lifetime JP3690569B2 (ja) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | 超純水の比抵抗調整装置及び調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3690569B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1195189A1 (en) * | 2000-09-27 | 2002-04-10 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Apparatus and method for controlling resistivity of ultra pure water |
| JP2002292362A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-08 | Kurita Water Ind Ltd | 比抵抗調整水製造装置 |
| JP2003010660A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-14 | Dainippon Ink & Chem Inc | 超純水の比抵抗調整装置及び調整方法 |
| EP1421988A1 (en) * | 2001-08-28 | 2004-05-26 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | Device and method for manufacturing carbonated spring and carbonic water, control method for gas density applied thereto, and membrane module |
| JP2008530789A (ja) * | 2005-02-10 | 2008-08-07 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 液浸液、露光装置および露光方法 |
| JP2008211096A (ja) * | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Ngk Insulators Ltd | 比抵抗制御装置 |
| JP2009219997A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Kurita Water Ind Ltd | ガス溶解水の製造方法及び装置 |
| US20110061683A1 (en) * | 2009-09-11 | 2011-03-17 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus for substrate, method for generating processing liquid, and computer readable recording medium storing program for generating processing liquid therein |
| JP2012223725A (ja) * | 2011-04-21 | 2012-11-15 | Dic Corp | ガス溶解液体製造装置及びガス溶解液体の製造方法 |
| EP2966670A1 (en) * | 2004-06-09 | 2016-01-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| WO2021251199A1 (ja) * | 2020-06-10 | 2021-12-16 | Dic株式会社 | 比抵抗値調整装置及び比抵抗値調整方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3560583A4 (en) | 2016-12-20 | 2020-07-01 | DIC Corporation | RESISTIVITY VALUE REGULATION DEVICE AND RESISTIVITY VALUE REGULATION METHOD |
-
1998
- 1998-11-20 JP JP33094498A patent/JP3690569B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6884359B2 (en) | 2000-09-27 | 2005-04-26 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Apparatus and method for controlling resistivity of ultra pure water |
| EP1195189A1 (en) * | 2000-09-27 | 2002-04-10 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Apparatus and method for controlling resistivity of ultra pure water |
| KR100783857B1 (ko) * | 2000-09-27 | 2007-12-10 | 다이닛뽄 잉크 앤드 케미칼즈, 인코포레이티드 | 초순수의 비저항 조정 장치 및 조정 방법 |
| JP4654526B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2011-03-23 | 栗田工業株式会社 | 比抵抗調整水製造装置 |
| JP2002292362A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-08 | Kurita Water Ind Ltd | 比抵抗調整水製造装置 |
| JP2003010660A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-14 | Dainippon Ink & Chem Inc | 超純水の比抵抗調整装置及び調整方法 |
| US7237767B2 (en) | 2001-08-28 | 2007-07-03 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | Device and method for manufacturing carbonated spring and carbonic water, control method for gas density applied thereto and membrane module |
| US8096532B2 (en) | 2001-08-28 | 2012-01-17 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | Device and method for manufacturing carbonated spring and carbonic water, control method for gas density applied thereto and membrane module |
| US7334780B2 (en) | 2001-08-28 | 2008-02-26 | Mitsubishi Rayon Company, Limited | Device and method for manufacturing carbonated spring and carbonic water, control method for gas density applied thereto and membrane module |
| US7407154B2 (en) | 2001-08-28 | 2008-08-05 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | Device and method for manufacturing carbonated spring and carbonic water, control method for gas density applied thereto and membrane module |
| EP1421988A1 (en) * | 2001-08-28 | 2004-05-26 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | Device and method for manufacturing carbonated spring and carbonic water, control method for gas density applied thereto, and membrane module |
| EP1837068A1 (en) * | 2001-08-28 | 2007-09-26 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | Device and method for manufacturing carbonated spring and carbonic water, control method for gas density applied thereto, and membrane module |
| JP2009075121A (ja) * | 2001-08-28 | 2009-04-09 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 溶解液中のガス濃度測定方法とそのガス溶解液製造装置 |
| EP1421988A4 (en) * | 2001-08-28 | 2006-10-04 | Mitsubishi Rayon Co | APPARATUS AND METHOD FOR PRODUCING CARBONATED SOUR WATER AND CARBONATED WATER, METHOD FOR CONTROLLING GAS DENSITY AND MEMBRANE MODULATED THEREFOR |
| EP2966670A1 (en) * | 2004-06-09 | 2016-01-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| JP2008530789A (ja) * | 2005-02-10 | 2008-08-07 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 液浸液、露光装置および露光方法 |
| US9772565B2 (en) | 2005-02-10 | 2017-09-26 | Asml Netherlands B.V. | Immersion liquid, exposure apparatus, and exposure process |
| JP2011142348A (ja) * | 2005-02-10 | 2011-07-21 | Asml Netherlands Bv | 液浸リソグラフィシステム及びデバイス製造方法 |
| US10712675B2 (en) | 2005-02-10 | 2020-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Immersion liquid, exposure apparatus, and exposure process |
| US9454088B2 (en) | 2005-02-10 | 2016-09-27 | Asml Netherlands B.V. | Immersion liquid, exposure apparatus, and exposure process |
| US9164391B2 (en) | 2005-02-10 | 2015-10-20 | Asml Netherlands B.V. | Immersion liquid, exposure apparatus, and exposure process |
| JP2012069981A (ja) * | 2005-02-10 | 2012-04-05 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| US8859188B2 (en) | 2005-02-10 | 2014-10-14 | Asml Netherlands B.V. | Immersion liquid, exposure apparatus, and exposure process |
| JP2008211096A (ja) * | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Ngk Insulators Ltd | 比抵抗制御装置 |
| JP2009219997A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Kurita Water Ind Ltd | ガス溶解水の製造方法及び装置 |
| US8590548B2 (en) | 2009-09-11 | 2013-11-26 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus for substrate, method for generating processing liquid, and computer readable recording medium storing program for generating processing liquid therein |
| JP2011082495A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-04-21 | Tokyo Electron Ltd | 基板液処理装置及び処理液生成方法並びに処理液生成プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
| CN102024693A (zh) * | 2009-09-11 | 2011-04-20 | 东京毅力科创株式会社 | 基板液处理装置以及处理液生成方法 |
| US20110061683A1 (en) * | 2009-09-11 | 2011-03-17 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus for substrate, method for generating processing liquid, and computer readable recording medium storing program for generating processing liquid therein |
| JP2012223725A (ja) * | 2011-04-21 | 2012-11-15 | Dic Corp | ガス溶解液体製造装置及びガス溶解液体の製造方法 |
| WO2021251199A1 (ja) * | 2020-06-10 | 2021-12-16 | Dic株式会社 | 比抵抗値調整装置及び比抵抗値調整方法 |
| JP7409500B2 (ja) | 2020-06-10 | 2024-01-09 | Dic株式会社 | 比抵抗値調整装置及び比抵抗値調整方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3690569B2 (ja) | 2005-08-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040802 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| RD01 | Notification of change of attorney |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080624 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090624 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090624 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100624 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100624 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110624 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110624 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120624 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130624 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130624 Year of fee payment: 8 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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