JP2000156362A - 基板処理方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 回転数や流量を工夫することにより汚染され
た部分を清浄化し、処理した基板が汚染されることを防
止することができる。 【解決手段】 ステップＳ１において基板の下面を離間
させた状態で支持するスピンベースにより基板を高速回
転させつつ、その下面に下部洗浄ノズルから洗浄液を大
流量で供給して洗浄処理を施した後、ステップＳ３，Ｓ
４においてステップＳ１での処理時よりも回転速度を低
くするとともに流量を低くして純水を供給する。これに
より純水は基板Ｗの下面に向けて勢い良く噴出されず、
下部洗浄ノズルからスピンベースの上面を周辺に向かっ
て流下する。したがって、これらに付着した薬液などの
液滴が洗い流される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示器の基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディス
ク用の基板等（以下、単に基板と称する）の下面を回転
支持手段より離間させた状態でノズルから処理液を供給
し、その下面に対して洗浄処理などの処理を施す基板処
理方法及びその装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種の基板処理装置として、例
えば、基板の周縁部を当接支持して、基板の下面を離間
させた状態で基板を支持するスピンベースと、スピンベ
ースの中心部から基板の下面に向けて、薬液を含む処理
液や純水のみを一定の流量で吐出するノズルを備えてい
るものが挙げられる。このような構成の装置では、スピ
ンベースを高速回転させつつノズルから一定の大流量で
処理液を供給させることにより、基板の下面中心部に供
給された処理液を遠心力で拡げて基板の下面全面を覆わ
せ、基板の下面に付着したパーティクルなどの汚れを洗
浄除去するようになっている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、ノズルから処理液を吐出させ始めた時
点や、吐出を停止させる時点などのように流量が大きく
変位するような際には、一時的にノズルからの処理液が
基板の下面に向けて適切に吐出されない事態が生じるた
め、ノズル自身やその周辺のスピンベースが処理液に含
まれる薬液によって汚染されることがある。このように
ノズル自身やスピンベースが薬液で汚染された状態で処
理を継続すると、その後のスピンドライ時には汚染雰囲
気中で乾燥処理を施すようなことになるため処理液によ
って清浄化した基板が汚染されてしまうという問題があ
る。

【０００４】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、回転数や流量を工夫することにより汚
染された部分を清浄化し、処理した基板が汚染されるこ
とを防止することができる基板処理方法及びその装置を
提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の方法発明は、基板の下面が回転支
持手段の上面から離間するように前記回転支持手段上に
基板を支持し、この基板を前記回転支持手段と一体に回
転させながら、基板の下面にノズルから処理液を供給す
る第１の過程と、前記第１の過程の後に、基板回転速度
が前記第１の過程時よりも遅い状態、および純水流量が
前記第１の過程時の処理液流量よりも少ない状態のうち
の少なくともいずれか一方の状態で、前記ノズルから純
水を吐出して前記回転支持手段および前記ノズルを洗浄
する第２の過程と、を備えたことを特徴とするものであ
る。

【０００６】また、請求項２に記載の方法発明は、請求
項１に記載の基板処理方法において、前記第２の過程の
後に、基板を前記回転支持手段と一体に回転させなが
ら、基板の下面に前記ノズルから純水を供給して基板の
下面を洗浄する第３の過程を実施するものである。

【０００７】また、請求項３に記載の装置発明は、基板
の下面を離間させた状態で回転自在に基板を支持する回
転支持手段と、前記回転支持手段に支持された基板の下
方から処理液および純水を順に供給するノズルと、前記
回転支持手段と基板とを一体に回転させつつ、前記ノズ
ルから所定量の処理液を供給して基板の下面を処理した
後に、回転速度および流量の少なくともいずれか一方を
前記処理よりも低くした状態で、前記ノズルから純水を
供給して、前記回転支持手段および前記ノズルを洗浄す
る処理を行うように制御する制御手段と、を備えている
ことを特徴とするものである。

【０００８】また、請求項４に記載の装置発明は、請求
項３に記載の基板処理装置において、前記ノズルに処理
液および純水を選択的に供給する供給手段をさらに備
え、前記供給手段は、前記ノズルに連通した配管と、前
記配管に純水を供給する第１の純水供給源と、前記第１
の処理液供給源から前記配管への純水の流量を調節する
第１の流量調節手段と、前記配管に純水を供給する第２
の純水供給源と、前記第２の純水供給源から前記配管へ
の純水の流量を前記第１の流量調節手段の流量よりも小
流量に調節する第２の流量調節手段と、前記第１の流量
調節手段および前記第２の流量調節手段よりも下流にあ
たる前記配管中に薬液を注入する薬液注入手段とを備
え、前記制御手段は、基板の下面を処理する際には、前
記第１の純水供給源及び前記第２の純水供給源から純水
を供給するとともに、前記薬液注入手段から薬液を注入
することにより、純水と薬液とが混合して得られた処理
液を供給し、前記ノズルを洗浄する際には、前記回転支
持手段を前記基板の下面を処理する際よりも低速で回転
させるとともに、前記第２の純水供給源から純水のみを
供給し、前記回転支持手段を洗浄する際には、前記回転
支持手段を前記基板の下面を処理する際よりも低速で回
転させるとともに、前記第１の純水供給源から純水のみ
を供給するように前記供給手段を制御することを特徴と
するものである。

【０００９】また、請求項５に記載の装置発明は、請求
項３に記載の基板処理装置において、前記ノズルに処理
液および純水を選択的に供給する供給手段をさらに備
え、前記供給手段は、前記ノズルに連通した配管と、前
記配管に純水を供給する純水供給源と、前記純水供給源
から前記配管への純水の流量を調節する流量調節手段
と、前記流量調節手段よりも下流にあたる前記配管中に
薬液を注入する薬液注入手段とを備え、前記制御手段
は、基板の下面を処理する際には、前記流量調節手段を
第１の純水流量に設定して純水を供給するとともに、前
記薬液注入手段から薬液を注入することにより、純水と
薬液とが混合して得られた処理液を供給し、前記ノズル
を洗浄する際には、前記回転支持手段を前記基板の下面
を処理する際よりも低速で回転させるとともに、前記流
量調節手段を前記第１の純水流量よりも少ない第２の純
水流量に設定して純水のみを供給し、前記回転支持手段
を洗浄する際には、前記流量調節手段を前記第１の純水
流量より少なくかつ前記第２の純水流量よりも多い第３
の純水流量に設定して純水のみを供給するように前記供
給手段を制御することを特徴とするものである。

【００１０】

【作用】請求項１に記載の方法発明の作用は次のとおり
である。基板の下面に処理液を供給する第１の過程の後
に、回転速度および流量の少なくともいずれか一方を基
板の処理時よりも低くした状態でノズルから純水のみを
供給する第２の過程を実施する。回転速度を低い速度
（停止を含む）にすれば、遠心力が非常に小さい状態で
あるためノズルから供給された純水が基板の下面に達し
ても基板の周縁部に向かって拡がる前に中心部でノズル
や回転支持手段の上に落下して周囲に流れ出る。また流
量を基板の処理時よりも低流量にすれば、純水がノズル
からほとんど上方に吐出されずにノズル自身や回転支持
手段を流れ落ちて周囲に流れ出る。したがって、基板の
処理時に薬液で汚れたノズルや回転支持手段を純水で清
浄にすることができる。

【００１１】また、請求項２に記載の方法発明によれ
ば、回転支持手段・ノズル洗浄という第２の過程の後に
基板の下面に純水を供給することにより、清浄な状態で
基板裏面の洗浄という第３の過程を行うことができる。

【００１２】また、請求項３に記載の装置発明の作用は
次のとおりである。制御手段は、基板の下面に処理液を
供給して処理を行った後に、回転速度および流量の少な
くともいずれか一方を先の処理よりも低くした状態でノ
ズルから純水のみを供給するように制御する。回転速度
を処理時より低くすると、ノズルから供給された純水が
基板の下面に達しても中心部でノズルや回転支持手段の
上に下して周囲に流れ出る。また流量を処理時よりも低
流量にすれば、純水がノズルからほとんど上方に吐出さ
れずにノズル自身や回転支持手段を流れ落ちて周囲に流
れ出る。したがって、基板の処理時に薬液で汚れたノズ
ルや回転支持手段を清浄にすることができる。

【００１３】また、請求項４に記載の装置発明によれ
ば、制御手段は、基板の下面を処理する際には、第１の
純水供給源及び第２の純水供給源から純水を供給すると
ともに、薬液注入手段から薬液を配管に注入して処理液
をノズルから基板に供給するように供給手段を制御す
る。したがって、このときの処理液の流量は、第１の純
水供給源および第２の純水供給源の流量を調節する第１
の流量調節手段および第２の流量調節手段による流量を
合わせたものであって基板の処理に適した最大の流量と
なる。

【００１４】また、ノズルを洗浄する際には、回転支持
手段を基板の処理時よりも低速で回転させるとともに、
第２の純水供給源から純水のみを供給するように供給手
段を制御する。したがって、このときの処理液の流量
は、第２の純水供給源の流量を調節する第２の流量調節
手段による流量だけであってノズル洗浄に適した最小の
流量となる。

【００１５】また、回転支持手段を洗浄する際には、回
転支持手段を基板の処理時よりも低速で回転させるとと
もに、第１の純水供給源から純水のみを供給するように
供給手段を制御する。したがって、このときの処理液の
流量は、第１の純水供給源の流量を調節する第１の流量
調節手段による流量だけであって回転支持手段に適した
中間の流量となる。

【００１６】したがって、制御手段が上記のように供給
手段を制御することにより、基板の処理を行った後に、
薬液で汚れたノズルや回転支持手段を清浄にすることが
できる。

【００１７】また、請求項５に記載の装置発明によれ
ば、制御手段は、基板の下面を処理する際には、流量調
節手段により純水の流量を基板処理に適した第１の純水
流量にして純水供給源から供給するとともに、薬液注入
手段から薬液を配管に注入して処理液をノズルから基板
に供給するように供給手段を制御する。

【００１８】また、ノズルを洗浄する際には、回転支持
手段を基板の処理時よりも低速で回転させるとともに、
流量調節手段で前記第１の純水流量よりも少ない第２の
流量に調節し、ノズル洗浄に適切な流量にして純水供給
源から純水のみを供給するように供給手段を制御する。

【００１９】また、回転支持手段を洗浄する際には、回
転支持手段を基板の処理時よりも低速で回転させるとと
もに、流量調節手段で第１の純水流量より小さくかつ第
２の純水流量よりも大きな第３の流量にして純水供給源
から純水のみを供給するように供給手段を制御する。

【００２０】したがって、制御手段が上記のように供給
手段を制御することにより、基板処理時に最大の第１の
純水流量、ノズルの洗浄時に最小の第２の純水流量、回
転支持手段の洗浄時に中間の第３の純水流量と、各処理
に適した流量にすることができ、基板の処理を行った後
に、薬液で汚れたノズルや回転支持手段を清浄にするこ
とができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施例を説明する。図１は、本発明に係る基板処理装置
の概略構成を示すブロック図であり、図２は、図１中の
供給機構の概略構成を示すブロック図である。

【００２２】中空の回転軸１は、電動モータ３によって
鉛直軸周りに回転可能に構成されている。この回転軸１
の上端部には、円板状のスピンベース５が一体的に連結
されている。スピンベース５の周縁部付近には、基板Ｗ
の外周端部を当接保持する支持ピン７が複数本立設され
ている。基板Ｗは、これらの支持ピン７によってスピン
ベース５の上面から浮いた状態で水平に支持されるよう
になっている。なお、スピンベース５は本発明の回転支
持手段に相当する。

【００２３】スピンベース５の上方には、基板Ｗの上面
の回転中心付近に向けて洗浄液を供給する上部洗浄ノズ
ル９と、窒素ガスなどの不活性ガスやドライエアなどの
気体を供給する上部ガスノズル１１が配備されている。
上部洗浄ノズル９は、開閉弁１３を介して洗浄液供給源
１５に連通接続されており、制御手段に相当する制御部
１７の開閉制御によって上部洗浄ノズル９から洗浄液が
供給される。また、上部ガスノズル１１は、開閉弁１９
を介して気体供給源２１に連通接続されており、制御部
１７の開閉制御に応じて上部ガスノズル１１から気体を
供給するように構成されている。

【００２４】回転軸１の中空部には、本発明のノズルに
相当する下部洗浄液ノズル２３が同軸に立設されてい
る。この下部洗浄液ノズル２３には、配管２５を介して
本発明の供給手段に相当する供給機構２７が連通されて
いる。

【００２５】この供給機構２７について図２を参照して
説明する。配管２５の一端側には、純水を供給するため
の第１の純水供給源２９が連通されており、その流量が
圧力調整器３１によって調整されるようになっている。
この圧力調節器３１の下流側には流量計３３が配設され
ており、予め設定してある流量（第１の流量ＦＶ１）と
の差分を制御部１７が求め、この差分に基づく指令電圧
に応じて圧力調節器３１への空気圧を調整するのが電空
変換器３５である。配管２５の他端側は、下部洗浄ノズ
ル２３に連通接続されている。なお、第１の純水供給源
２９が本発明の第１の純水供給源に相当し、圧力調整器
３１が第１の流量調節手段に相当する。

【００２６】流量計３３の下流には、本発明の薬液注入
手段に相当する薬液注入部３７が配設されている。この
薬液注入部３７は、開閉弁と流量調節弁の機能を兼ね備
えた流量調節弁３９，４１，４３により配管２５への各
流体の注入量を各々独立に調節することができるように
構成されているとともに、流量計３３の下流側で配管２
５を開閉するための開閉弁４５を備えている。

【００２７】流量調節弁３９は、第１の薬液供給源４７
に連通しており、配管２５に対する第１の薬液の注入量
を調節し、流量調節弁４１は、第２の薬液供給源４９に
連通しており、配管２５に対する第２の薬液の注入量を
調節する。また、流量調節弁４３（第２の流量調節手
段）は、第２の純水供給源５１に連通しており、純水の
配管２５への流量を調節する。

【００２８】なお、上述した流量調節弁３９，４１，４
３と開閉弁４５の開閉制御は、制御部１７によって統括
的に制御されるようになっている。なお、各流量調節弁
３９，４１，４３は、ある流量となるように予め設定さ
れており、特に、第２の流量調節弁４３の流量は、圧力
調節器３１によって予め設定されている第１の流量ＦＶ
１よりも少ない第２の流量ＦＶ２となるように予め調節
されている。

【００２９】詳細は後述するが、制御部１７は、基板Ｗ
の下面を洗浄処理する際には、開閉弁４５を開放し、電
空変換器３５を介して圧力調節器３１により第１の流量
ＦＶ１となるように調節された第１の純水供給源２９か
らの純水を配管２５に供給するとともに、流量調節弁４
３によって第１の流量ＦＶ１より少ない第２の流量ＦＶ
２となるように調節された第２の純水供給源５１からの
純水を配管２５に注入する。さらに流量調節弁３９，４
１を介して所要量の第１または／および第２の薬液を注
入する。したがって、第１の流量ＦＶ１と第２の流量Ｆ
Ｖ２を合わせた大流量の純水に所要の薬液が所要量だけ
混合された洗浄液（処理液）が基板Ｗの下面に供給され
るようになっている。

【００３０】また、洗浄液が付着した下部洗浄ノズル２
３の噴出部や遮蔽部材６３などを洗浄する際には、開閉
弁４５、流量調節弁３９，４１を閉止し、流量調節弁４
３により第１の流量ＦＶ１よりも小流量の第２の流量Ｆ
Ｖ２となるように調節された第２の純水供給源５１から
の純水のみを配管２５に注入する。

【００３１】さらに、洗浄液が付着したスピンベース５
の上面などを洗浄する際には、開閉弁４５を開放して流
量調節弁３９，４１，４３を閉止し、圧力調節器３１に
より第１の流量ＦＶ１（この例では、２．４リットル／
分）となるように調節された第１の純水供給源２９から
の純水のみを配管２５に供給するようになっている。つ
まり、基板の洗浄処理時と、下部洗浄ノズル２３の洗浄
時と、スピンベース５の洗浄時との３つの処理態様に応
じて、下部洗浄ノズル２３から供給する洗浄液や純水の
流量を可変できるようになっている。

【００３２】また、回転軸１の内周面と下部洗浄ノズル
２３との間の空間には、気体供給路５３が形成されてお
り、その先端部が気体噴出口５５として機能し、基板Ｗ
の下面とスピンベース５との間の空間に気体を供給す
る。気体噴出口５５は、制御部１７により制御されてい
る開閉弁５７と流量調節弁５９を介して気体供給源６１
に連通接続されている。

【００３３】また、上述した下部洗浄ノズル２３の上端
部には、傘型の遮断部材６３が取り付けられている。こ
の遮断部材６３は、気体噴出口５５の上方を覆うような
形状に形成されており、上面は噴出部６５から周縁部に
向けて下降するように傾斜されている。気体噴出口５５
から噴出された気体は、遮断部材６３の下面とスピンベ
ース５の上面の隙間から、基板Ｗの下面とスピンベース
５の上面との空間に供給されるとともに、図示省略して
いるが遮断部材６３に形成されている多数の小孔からも
基板Ｗの下面に向けて直接供給されるようになってい
る。

【００３４】上述したように構成されている装置の動作
について、図３のフローチャートと、図４の模式図を参
照しながら説明する。なお、上述した基板Ｗの上方に配
備されている上部洗浄ノズル９と上部ガスノズル１１の
動作説明については省略する。

【００３５】ステップＳ１（基板洗浄） 制御部１７は、モータ３を回転制御して基板Ｗを第１の
回転数で高速回転させる。このときの回転数（回転速
度）は、例えば、６００ｒｐｍ程度である。これととも
に開閉弁４５を開放し、電空変換器３５を介して圧力調
節器３１により第１の流量ＦＶ１（例えば、２．４リッ
トル／分）となるように調節された第１の純水供給源２
９からの純水を配管２５に供給するとともに、流量調節
弁４３により第２の流量ＦＶ２（例えば、０．５リット
ル／分）となるように調節された第２の純水供給源５１
からの純水を配管２５に注入する。さらに流量調節弁３
９，４１を介して所要の薬液を所定流量で注入し、第１
の流量ＦＶ１と第２の流量ＦＶ２を合わせた大流量（こ
の例では、２．９リットル／分）の純水に薬液が混合さ
れた洗浄液が基板Ｗの下面に供給される。

【００３６】したがって、大流量（２．９リットル／
分）で供給された洗浄液は、図４（ａ）に示すように、
洗浄液ＣＳが勢い良く噴出部６５から基板Ｗの下面に吐
出するとともに、強力な遠心力により基板Ｗの下面を周
縁部に向かって移動して周囲に飛散する。なお、このと
き薬液を含む洗浄液ＣＳの飛沫や、基板Ｗの下面に付着
していたパーティクルを含む液滴Ｐが下部洗浄ノズル２
３の遮断部材６３やスピンベース５の上面に付着する。

【００３７】なお、このステップＳ１は本発明の第１の
過程に相当する。

【００３８】ステップＳ２（基板純水リンス） 制御部１７は、上記ステップＳ１での第１の回転数を保
持したまま、流量調節弁３９，４１を閉止して両薬液の
注入を停止する。したがって、図４（ａ）に示すよう
に、基板Ｗには高速回転のまま純水ＤＩＷだけが下部洗
浄ノズル２３から大流量（２．９リットル／分）で供給
されるので、洗浄液に触れていた基板Ｗの下面だけが純
水でリンスされる。しかしながら、この時点では、図４
（ａ）に示すように、下部洗浄ノズル２３の遮断部材６
３やスピンベース５の上面に液滴Ｐが付着したままであ
る。

【００３９】ステップＳ３（ノズル純水リンス） 制御部１７は、モータ３の回転数を第１の回転数よりも
低い第２の回転数（例えば、２０ｒｐｍ）に減速し、さ
らに開閉弁４５を閉止するとともに、電空変換器３５の
制御を停止して流量調節弁４３を開放する。これにより
下部洗浄ノズル２３には、第１の流量ＦＶ１より少ない
第２の流量ＦＶ２（０．５リットル／分）で純水ＤＩＷ
だけが供給される。したがって、図４（ｂ）に示すよう
に、小流量で供給された純水ＤＩＷは、上方に向かうこ
となく下部洗浄ノズル２３の遮蔽部材６３を流下し、弱
い遠心力によってスピンベース５を周縁部に向かって流
下して周囲に飛散する。このとき主として下部洗浄ノズ
ル２３の噴出口６５や遮蔽部材６３に付着している液滴
Ｐが洗い流される。

【００４０】ステップＳ４（スピンベース純水リンス） モータ３の回転数を第２の回転数よりもさらに低い第３
の回転数（例えば、１０ｒｐｍ）に減速し、さらに流量
調節弁４３を閉止するとともに開閉弁４５を開放し、圧
力調節器３１の制御を再開する。これにより下部洗浄ノ
ズル２３には、第１の流量ＦＶ１（２．４リットル／
分）で純水ＤＩＷだけが供給される。したがって、図４
（ｃ）に示すように、下部洗浄ノズル２３の噴出部６５
から吐出された純水ＤＩＷは基板Ｗの下面に向かい、そ
の上方へと向かう勢いと弱い遠心力によって回転中心か
ら周辺部に向かって多少拡がるが、ある程度拡がった時
点でスピンベース５上に落下して周辺に流下する。これ
によりスピンベース５に付着していた液滴Ｐが洗い流さ
れることになる。

【００４１】なお、上記のステップＳ３とステップＳ４
は第２の過程に相当する。

【００４２】ステップＳ５（基板純水リンス） 回転数を第１の回転数（６００ｒｐｍ）に上げるととも
に、流量調節弁４３を開放する。したがって、図４
（ａ）に示すように、基板Ｗには高速で回転されつつ純
水ＤＩＷだけが下部洗浄ノズル２３から大流量（２．９
リットル／分）で供給されるので、再び基板Ｗの下面だ
けが純水でリンスされる。

【００４３】なお、このステップＳ５は本発明の第３の
過程に相当する。

【００４４】ステップＳ６（スピンドライ） 流量調節弁４３を閉止するとともに、圧力調節器３１の
制御を停止して開閉弁４５を閉止し、下部洗浄ノズル２
３からの純水の供給を停止する。そして、開閉弁５７を
開放するとともに、流量調節弁５９により適宜の流量に
調節した不活性ガスを気体供給路５３から基板Ｗの下面
に向けて供給する。そして、モータ３の回転を第１の回
転数よりも高速の第４の回転数（３，０００ｒｐｍ）に
設定する。これによって基板Ｗは高速で空回転されなが
ら不活性ガスが供給されることになり、液切り乾燥され
る。

【００４５】上述したように、基板の下面を処理する際
には（図４（ａ））、洗浄液ＣＳを最大の流量で供給
し、下部洗浄ノズル２３を洗浄する際には（図４
（ｂ））、低速回転させるとともに最小の流量で純水Ｄ
ＩＷを供給し、スピンベース５を洗浄する際には（図４
（ｃ））、低速回転させるとともに中間の流量で純水Ｄ
ＩＷを供給するようにしたので、モータ３と流量調節弁
３９，４１，４３、圧力調節器３１、開閉弁４５の作動
／非作動といった比較的簡単な制御だけで、下部洗浄ノ
ズル２３やスピンベース５も清浄にすることができる。
したがって、基板Ｗの処理時に薬液で汚れた下部洗浄ノ
ズル２３やスピンベース５を純水で清浄にすることがで
き、その後のスピンドライ処理時に、付着していた薬液
によって基板Ｗが汚染されるような不都合を防止するこ
とができる。

【００４６】＜変形例＞なお、上記の実施例では供給機
構２７を図２に示すように構成して、大流量（２．４リ
ットル／分）、小流量（０．５リットル／分）、中流量
（２．４リットル／分）の順に３段階で流量を調整する
ようにしたが、供給機構２７を図５に示すように構成し
てもよい。

【００４７】すなわち、純水の供給は配管２５に連通し
た純水供給源２９のみから行ない、純水の流量調節を配
管２５に配設された圧力調節器３１（流量調節手段）の
みによって行うように構成する。制御部１７は、第１な
いし第３（大中小）の３種類の純水流量に対応する指令
電圧を予め設定されており、処理態様に応じて指令電圧
を切り換え、純水の流量を３種類（大中小）に調節す
る。そして、洗浄処理時には流量調節弁３９，４１を調
節して大流量の純水に薬液を注入し、下部洗浄ノズル２
３に洗浄液を供給する。このような構成を採用するとと
もに、制御部１７がモータ３を制御して回転数を処理態
様に応じて可変することによって上述した実施例と同様
の効果を得ることができる。この変形例は、一つの圧力
調節器３１で流量調節動作を行わせるようにしたので、
他の純水供給源（５１）や流量調節弁（４３）が不要と
なり、比較的簡易な構成にすることができる。

【００４８】なお、上記の実施例装置では、下部洗浄ノ
ズル２３やスピンベース５のリンス時に、基板Ｗの回転
数と純水ＤＩＷの流量を共に基板Ｗの洗浄時よりも低く
するようにしたが、いずれか一方だけを低くするように
しても上述した処理と同様の効果を奏する。

【００４９】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に記載の方法発明によれば、基板の下面に処理液を供
給して処理を行った後に、回転速度および流量の少なく
ともいずれか一方を基板の処理時よりも低くした状態で
ノズルから純水のみを供給することにより、純水を基板
の下面の中心部でノズルや回転支持手段の上に落下させ
たり、純水をノズル自身や回転支持手段に流下させるこ
とができる。したがって、基板の処理時に薬液で汚れた
ノズルや回転支持手段を純水で清浄にすることができ、
その後のスピンドライ処理時に、付着していた薬液によ
って基板が汚染されるような不都合を防止することがで
きる。

【００５０】また、請求項２に記載の方法発明によれ
ば、回転支持手段・ノズル洗浄過程の後に基板の下面に
純水を供給することにより、清浄な状態で基板裏面の処
理を仕上げることができる。

【００５１】また、請求項３に記載の装置発明によれ
ば、請求項１に記載の基板処理方法を好適に実施するこ
とができる。

【００５２】また、請求項４に記載の装置発明によれ
ば、基板の下面を処理する際には、第１の流量調節手段
および第２の流量調節手段によって処理液を最大の流量
で供給し、ノズルを洗浄する際には、低速回転させると
ともに第２の流量調節手段によって最小の流量で純水を
供給し、回転支持手段を洗浄する際には、低速回転させ
るとともに第１の流量調節手段によって中間の流量で純
水を供給するようにしたので、基板支持手段の回転数と
第１および第２の流量調節手段の作動／非作動といった
比較的簡単な制御だけで、ノズルや回転支持手段も清浄
にすることができる。

【００５３】また、請求項５に記載の装置発明によれ
ば、基板の下面を処理する際には、流量調節手段で第１
の純水流量にして処理液を供給し、ノズルを洗浄する際
には、低速回転させるとともに流量調節手段で第１の純
水流量より少ない第２の純水流量にして純水のみを供給
し、回転支持手段を洗浄する際には、低速回転させると
ともに流量調節手段で前記第１の純水流量より小さくか
つ前記第２の純水流量よりも大きな流量にして純水のみ
を供給するように、一つの流量調節手段で流量調節動作
を行わせるようにしたので、比較的簡易な構成でノズル
や回転支持手段も清浄にすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る基板処理装置の概略構成を示す縦
断面図である。

【図２】供給機構の概略構成を示すブロック図である。

【図３】洗浄処理の流れを示すフローチャートである。

【図４】各処理時の状態を示す模式図である。

【図５】供給機構の変形例を示すブロック図である。

【符号の説明】

Ｗ … 基板 １ … 回転軸 ３ … モータ ５ … スピンベース（回転支持手段） ７ … 支持ピン １７ … 制御部（制御手段） ２３ … 下部洗浄ノズル（ノズル） ２５ … 配管 ２７ … 供給機構（供給手段） ２９ … 第１の純水供給源 ３１ … 圧力調節器（第１の流量調節手段） ３３ … 流量計 ３７ … 薬液注入部（薬液注入手段） ３９，４１ … 流量調節弁 ４３ … 流量調節弁（第２の流量調節手段） ４５ … 開閉弁

フロントページの続き (72)発明者 宮 勝彦 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 (72)発明者 安藤 幸嗣 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の下面が回転支持手段の上面から離
   間するように前記回転支持手段上に基板を支持し、この
   基板を前記回転支持手段と一体に回転させながら、基板
   の下面にノズルから処理液を供給する第１の過程と、 前記第１の過程の後に、基板回転速度が前記第１の過程
   時よりも遅い状態、および純水流量が前記第１の過程時
   の処理液流量よりも少ない状態のうちの少なくともいず
   れか一方の状態で、前記ノズルから純水を吐出して前記
   回転支持手段および前記ノズルを洗浄する第２の過程
   と、 を備えたことを特徴とする基板処理方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理方法におい
   て、 前記第２の過程の後に、基板を前記回転支持手段と一体
   に回転させながら、基板の下面に前記ノズルから純水を
   供給して基板の下面を洗浄する第３の過程を実施する基
   板洗浄方法。
3. 【請求項３】 基板の下面を離間させた状態で回転自在
   に基板を支持する回転支持手段と、 前記回転支持手段に支持された基板の下方から処理液お
   よび純水を順に供給するノズルと、 前記回転支持手段と基板とを一体に回転させつつ、前記
   ノズルから所定量の処理液を供給して基板の下面を処理
   した後に、回転速度および流量の少なくともいずれか一
   方を前記処理よりも低くした状態で、前記ノズルから純
   水を供給して、前記回転支持手段および前記ノズルを洗
   浄する処理を行うように制御する制御手段と、 を備えていることを特徴とする基板処理装置。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の基板処理装置におい
   て、 前記ノズルに処理液および純水を選択的に供給する供給
   手段をさらに備え、 前記供給手段は、 前記ノズルに連通した配管と、 前記配管に純水を供給する第１の純水供給源と、 前記第１の処理液供給源から前記配管への純水の流量を
   調節する第１の流量調節手段と、 前記配管に純水を供給する第２の純水供給源と、 前記第２の純水供給源から前記配管への純水の流量を前
   記第１の流量調節手段の流量よりも小流量に調節する第
   ２の流量調節手段と、 前記第１の流量調節手段および前記第２の流量調節手段
   よりも下流にあたる前記配管中に薬液を注入する薬液注
   入手段とを備え、 前記制御手段は、基板の下面を処理する際には、前記第
   １の純水供給源及び前記第２の純水供給源から純水を供
   給するとともに、前記薬液注入手段から薬液を注入する
   ことにより、純水と薬液とが混合して得られた処理液を
   供給し、前記ノズルを洗浄する際には、前記回転支持手
   段を前記基板の下面を処理する際よりも低速で回転させ
   るとともに、前記第２の純水供給源から純水のみを供給
   し、前記回転支持手段を洗浄する際には、前記回転支持
   手段を前記基板の下面を処理する際よりも低速で回転さ
   せるとともに、前記第１の純水供給源から純水のみを供
   給するように前記供給手段を制御することを特徴とする
   基板処理装置。
5. 【請求項５】 請求項３に記載の基板処理装置におい
   て、 前記ノズルに処理液および純水を選択的に供給する供給
   手段をさらに備え、 前記供給手段は、 前記ノズルに連通した配管と、 前記配管に純水を供給する純水供給源と、 前記純水供給源から前記配管への純水の流量を調節する
   流量調節手段と、 前記流量調節手段よりも下流にあたる前記配管中に薬液
   を注入する薬液注入手段とを備え、 前記制御手段は、基板の下面を処理する際には、前記流
   量調節手段を第１の純水流量に設定して純水を供給する
   とともに、前記薬液注入手段から薬液を注入することに
   より、純水と薬液とが混合して得られた処理液を供給
   し、前記ノズルを洗浄する際には、前記回転支持手段を
   前記基板の下面を処理する際よりも低速で回転させると
   ともに、前記流量調節手段を前記第１の純水流量よりも
   少ない第２の純水流量に設定して純水のみを供給し、前
   記回転支持手段を洗浄する際には、前記流量調節手段を
   前記第１の純水流量より少なくかつ前記第２の純水流量
   よりも多い第３の純水流量に設定して純水のみを供給す
   るように前記供給手段を制御することを特徴とする基板
   処理装置。