JP2000155972A - 光ピックアップ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体レーザ素子の共振器長の製造誤差のば
らつきが生じても、戻り光によるノイズの発生を抑制す
ることができる光ピックアップを提供する。 【解決手段】 半導体レーザ素子１より射出されたレー
ザ光Ｌをコリメータレンズ３で平行光に変換して対物レ
ンズ４に入射し、光スポットを光ディスク読み取り面に
形成して、この光スポットの反射光を受光センサ６によ
り受光することにより前記光ディスク上の情報を再生す
る光ピックアップにおいて、前記半導体レーザ素子の出
射端面と前記光ディスクとの間の光路長が、式［半導体
レーザ素子の実効共振器長×ｍ（ｍは整数）×（１＋
０．５）］で与えられる長さの場合であって、前記光路
長が前記半導体レーザ素子の共振器長の誤差に起因し
て、式［実効共振器長×（Ｎ±０．２５）（Ｎは正
数）］で与えられる範囲内の長さになるときは、屈折率
が１以上の光路長補正光学素子１１をコリメータレンズ
３と対物レンズ４との間の光路中に介在させる。これに
より、半導体レーザ素子の共振器長の製造誤差のばらつ
きが生じても、戻り光によるノイズの発生を抑制する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクに記録
された情報を読みとる光ピックアップに関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】一般に、光ピックアップでは半導体レー
ザ素子より出射された光ビームがレンズ系によりスポッ
トに集光されてディスク面の情報を読みとるとき、ディ
スク面からの反射光が、復路の光学系を通じて、半導体
レーザ素子に帰還すると、ディスク面が外部の共振器と
なって、半導体レーザ素子の発振波長の決定に作用し、
電流の増加や外部環境の変化で素子温度が変化して光発
生の利得変動で波長がジャンプし、いわゆる戻り光のモ
ードホップノイズが発生する。この結果、読み取りスポ
ットの光量変動や、ランダムな情報でないノイズが発生
してサーボ動作の不安定や読み取り信号のＣ／Ｎ劣化に
よりジッターが増加する等の問題があった。

【０００３】この点を図５を参照して説明する。半導体
レーザ素子１から出射されたレーザ光Ｌは分割線２Ａに
より３分割された周知のホログラム２を介してコリメー
タレンズ３に入射して平行光になされ、更に対物レンズ
４により集光されて光ディスクＤ上に読み取り用の光ス
ポット５を形成する。光ディスクＤからの反射光は、上
記とは逆の光路を通り、すなわち対物レンズ４、コリメ
ータレンズ３及びホログラム２を通ってここで回折さ
れ、受光センサ６にて検出される。この受光センサ６
は、複数、例えば６つに分割されて中心にフォーカス・
ＲＦ検出用素子６Ａを設け、この両側にトラッキング・
ＲＦ検出用素子６Ｂを設けている。

【０００４】ここで、光ディスクＤから情報を再生し、
フォーカスサーボを動作させながら、再生している光デ
ィスクＤの高さを±１ｍｍ程度の範囲内で変化したと
き、あるディスク高さで、再生信号のレベルが変動し、
再生信号にノイズが混入し、ジッターが劣化する。この
時の様子を図６に示す。ここでディスク高さの変化は光
路長の変化として表れ、ディスクの位置を横軸とし、縦
軸を再生信号のジッターとしている。ここでは、ディス
ク高さ位置の異なる２つの光ピックアップＡ、Ｂを用い
ており、光路長の変動により信号波形の片方のレベルが
変動する現象が観測され、またジッターが劣化してい
る。

【０００５】これは半導体レーザ素子１（出射端面１
ａ）から光ディスクＤまでの光路長が半導体レーザ素子
１の実効共振器長を光スペクトルアナイザで計測し、検
討した結果、実効共振器長の整数倍に光路長が近くなる
ディスク高さになった場合、戻り光で半導体レーザ素子
１の出力振幅が変動し、また、戻り光ノイズでノイズレ
ベルが上昇してジッターが劣化していると推定される。
換言すれば、ホログラム２の回折によって、０次光及び
±１次光が形成されるが、受光センサ６により光電変換
されるのは１次光であり、０次光は半導体レーザ素子１
の方へ戻るのでこの種のホログラムを用いた光ピックア
ップでは戻り光が多くなるる。このため、半導体レーザ
素子１に対して光ディスクＤの反射面は外部共振器とし
て強く作用することになる。

【０００６】図７（Ａ）はこの外部共振器の原理を示す
構成図であり、半導体レーザ素子１の共振器長Ｌ１に対
して、光ディスクＤの反射面に対応する外部反射鏡７が
半導体レーザ素子１の出射端面からＬ２の距離で存在す
る構成である。この状態での発振波長はレーザ素子自身
の共振器長Ｌ１で決まる内部モードと、外部反射鏡７に
よる外部共振器によって決まる外部モードがある。外部
共振器長は半導体レーザ素子１の共振器長Ｌ１より長い
ため、外部モードの波長間隔△λｅは内部モードで決ま
る波長間隔△λより小さい（図７（Ｂ）参照）。波長は
光利得分布と共振器長モードで決まる。波長の決定過程
での外部共振器の影響は、外部共振器長が実効共振器長
（後述）の整数倍であるか、非整数倍であるかで異な
る。また、光ディスクからの戻り光量の強さ（戻り光比
率）によって影響が異なることが種々の研究で解明され
ている。

【０００７】例えば、半導体レーザ素子の端面から光デ
ィスクの反射面までの実効距離ＬＲ（距離×屈折率）が
半導体レーザ素子の実効共振器長ＬＤ（共振器長×分散
を考慮した屈折率）の整数倍に近いとき（ＬR＝ｍ×Ｌ
D）ＣＷ動作のＩ−Ｌ特性には出力の鋭いうねり（出力
変動）が現れることが発表されている（反射光による半
導体レーザのＩ−Ｌ非直線化とスペクトル変化、昭和５
４年春 応物学会 複合共振器半導体レーザにおけるｍ
ｕｌｔｉ−ｓｔａｂｉｌｉｔｙ 昭和５４年春応物学
会）。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記問題点の対策とし
て、以下に示すような公報にて開示されているように高
周波重畳回路を用いてマルチモード化する方法が知られ
ている。特公昭５９−９０８６号公報や特公平６−６６
０５９号公報では半導体レーザ素子に高周波発振回路に
よる電圧を重畳してレーザ光をパルス化し、発光をマル
チモード化する方法が示されている。また、特開平５−
８９４６５号公報や特開平８−１３９４１８号公報では
光路長が変化するときについて記述されている。このよ
うな高周波重畳回路により、縦シングルモード発振の半
導体レーザ素子をマルチモード化し、重畳信号の周波数
を光路長に対して最適に設定することにより、戻り光に
よるモードホップノイズを低減できる。

【０００９】しかし、高周波重畳電圧の周波数は３５０
ＭＨｚ以上であるため、半導体レーザ素子の内部インピ
ーダンスが適当でないと半導体レーザ素子チップに電圧
が加わらない。即ち、半導体レーザ素子のリード線イン
ダクタンスが数ｎＨ（ヘンリー）で、レーザチップの抵
抗が数オームで並列容量が数十ｐＦであると、レーザチ
ップに流される電流の周波数特性が高周波帯域で低下す
る。このような場合は必要なＤＣ光パワーを出力する直
流電流に加算した高周波電流によって発光する光出力が
パルス化され難くなりマルチモード化して、コヒーレン
シーを低下する効果が少なくなる。このため、高周波印
加電圧のレベルを高くすることとなり、この結果、高周
波重畳回路で発振させた電流は通路のリードをアンテナ
として不要輻射される。

【００１０】不要輻射対策として、導電体でレーザ素子
部を囲うシールド対策を十分する必要が生じ、導通抵抗
の小さいシールドケースや導電路で不要輻射を抑圧させ
る貫通コンデンサーが必要となる。また、高周波重畳レ
ベルを高くするため高周波重畳発振回路のトランジスタ
ーに通電する電流が大きくなり、その結果、消費電流が
大きくなり、発熱が大きくなるなどの問題などが発生す
る。また、半導体レーザ素子の共振器長に関係した対策
を光路長に取り入れても、半導体レーザ素子の共振器長
が変化すると最適光路長からはずれてノイズの発生する
光路長となるため問題となる。

【００１１】このように、戻り光ノイズ対策は高周波重
畳回路による半導体レーザ素子のマルチモード化でコヒ
ーレンス長を短くすると共に、レーザ素子の実効共振器
長に対応した光路長での対策をとりつつ、レーザ素子の
の共振器長の変動にも対応した複合した対策が必要であ
るが、解決策が提案されていないのが実情である。すな
わち、光ピックアップの光路長は機構的に決まってしま
うが、もし、半導体レーザ素子の共振器長が製造過程に
おいてばらついて変動すると、光ディスク面を反射面と
する外部共振器長とした戻り光の影響が発生しにくい光
路長にある半導体レーザ素子を基本にピックアップの光
路長を設定しても、製造誤差により共振器長がばらつい
た別なレーザ素子に対しては、都合の悪い光路長にな
り、これにより戻り光によるノイズが発生するので、こ
のような状態を出来るだけ少ない追加の手段で防ぐこと
が必要である。本発明は、以上のような問題点に着目
し、これを有効に解決すべく創案されたものであり、そ
の目的は、半導体レーザ素子の共振器長の製造誤差のば
らつきが生じても、戻り光によるノイズの発生を抑制す
ることができる光ピックアップを提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明者は、半導体レー
ザ素子の共振器長のばらつきに応じて、光ピックアップ
の光路長を変えられるように構成することにより、再生
光ディスクが上下動してもジッターが劣化するような光
路長を避けるように構成することができる、という知見
を見い出すことにより本発明に至ったものである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、半導体レーザ
素子より射出されたレーザ光をコリメータレンズで平行
光に変換して対物レンズに入射し、光スポットを光ディ
スク読み取り面に形成して、この光スポットの反射光を
受光センサにより受光することにより前記光ディスク上
の情報を再生する光ピックアップにおいて、前記半導体
レーザ素子の出射端面と前記光ディスクとの間の光路長
が式［半導体レーザ素子の実効共振器長×ｍ（ｍは整
数）×（１＋０．５）］で与えられる長さの場合であっ
て、前記光路長が前記半導体レーザ素子の共振器長の誤
差に起因して式［実効共振器長×（Ｎ±０．２５）（Ｎ
は正数）］で与えられる範囲内の長さになるときは、屈
折率が１以上の光路長補正光学素子を光路中に介在させ
るようにしたものである。これにより、製造工程におい
て半導体レーザ素子の共振器長がばらついて、光路長と
の関係が大きくずれた時には、光路長補正光学素子を前
記コリメータレンズと前記対物レンズとの間の光路中に
設けることによって、光路長を修正して共振器長の誤差
を吸収し、これにより、戻り光によるノイズの混入を防
止し、ジッターの劣化を抑制する。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る光ピックア
ップの一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図１は
本発明の光ピックアップの光学系の一例を示す構成図、
図２は図１に示す光学系の主要部を示す構成図、図３は
半導体レーザ素子の共振器長のばらつき具合を示すグラ
フである。図示するように、この光ピックアップ１０の
構成は、コリメータレンズ３と対物レンズ４との間の光
路中に光路長補正光学素子１１を介在させた以外は、図
５に示す従来の光ピックアップと全く同様に構成されて
いる。すなわち、図中、１は読み取り用のレーザ光Ｌを
出力する半導体レーザ素子であり、１ａはレーザ素子１
の出射端面、２は分割線２Ａにより３分割された周知の
ホログラム、３はコリメータレンズ、４は対物レンズ、
６は反射光を受光する受光センサである。この受光セン
サ６は例えば６つに短冊状に分割されて、中心にフォー
カス・ＲＦ検出用素子６Ａを設け、両側にトラッキング
・ＲＦ検出用素子６Ｂを設けており、ＲＦ信号とフォー
カス及びトラッキング制御用のサーボ信号を得るように
なっている。

【００１５】そして、上記光路長補正光学素子１１は、
図示例ではコリメータレンズ３と対物レンズ４との間の
光路途中に介在されている。ここで重要な点は、半導体
レーザ素子１の共振器長が設計値に対してばらつきが非
常に少ない時には、上記光路長補正光学素子１１を設け
る必要がなく、製造過程で共振器長が設計値に対してば
らつきが大きくなった時に上記光路長補正光学素子１１
をコリメータレンズ３と対物レンズ４との間に介在させ
るという点である。光ディスクＤとしては、例えばＣＤ
やＤＶＤを用いることができ、光源である半導体レーザ
素子１から出射された楕円形のレーザ光Ｌの光束はホロ
グラム２を通じて、コリメータレンズ３で集光され平行
光にされる。平行光は光学素子１１を設けていない場合
には、対物レンズ４に入射され、光ディスクＤの透明媒
体を通して情報面にスポットを形成する。ＲＯＭディス
クの場合、情報面に形成されたピットで光スポット５が
回折作用で強度変調される。反射光は対物レンズ４、コ
リメータレンズ３（光学素子を設けていない場合）を通
じてホログラム２で分割され、受光センサ６に結像して
受光され、光電変換し、ＲＦ信号、サーボ信号が形成さ
れる。

【００１６】ホログラム２は反射光を分割するが、その
断面が矩形で鋸波状にブレーズされたものではないた
め、回折光に０次光、±１次光が形成される。光電変換
されるのは１次光であり、０次光は読み取りに使われる
のではなく、レーザ素子１の方へ戻る。このため、発光
源のレーザ素子１に対して、光ディスクの反射面（読み
取り面）ＤＡは外部共振器としての作用が強くなる。以
上の点は、先に説明した通りである。そして、半導体レ
ーザ素子１の共振器長が、製造過程において設計値より
も大きくずれている時には、上記した光路長補正光学素
子１１を介在させることによって、光路長をその分だけ
長くし、戻り光によるノイズの発生を抑制する。

【００１７】一般的に、光ピックアップの光路長は半導
体レーザ素子１の中心的な可干渉距離に基づいて決定す
る。そして、半導体レーザ素子１は共振器の形成を劈開
によっており、反射面を形成するため、結晶をある長さ
で折ってウエハより作成する。ウエハよりレーザ素子チ
ップに分割する工程には種々の方式が提案されている。
例えば、特開平６−３１８６３５号公報ではダイシング
手段としてダイヤモンド針によるカッター部でウエハ上
に切削傷を形成し、この傷により劈開でウエハをバー状
に分割している。この方式では切削傷の深さで分割の寸
法精度が変化することが説明されている。また、特開平
５−３０４３３９号公報では半導体レーザウエハに劈開
ラインに沿ってスクライブ傷を付け、粘着性シートでウ
エハを挟み込み、劈開ラインに垂直な方向に引っ張り力
を加えて劈開させる方法やある曲率面の金属治具で平面
部から押して劈開させる方法が示されている。また、半
導体レーザ素子の生産設備に関係して共振器長を４５０
μｍに設定しても、どの方法を採用してレーザ素子のブ
ロック片を形成したかにより±１０μｍ程度のばらつき
となる場合や±５０μｍ程度のばらつきになる場合が存
在する。

【００１８】図３はその時の共振器長のばらつきの具合
を示しており、ここでは６００μｍの目標共振器長に対
して５００個のサンプルを製造しており、このグラフか
ら明らかなように、現行の技術では最大±５０μｍ（±
１０％）程度の誤差が発生することは避けられない。こ
れに対して、光ピックアップの光路長はレーザ素子のあ
る中心的な共振器長を対象にして、機械的な寸法の設計
を行い、決定する。また、筐体は金型をおこし、これで
生産する。この場合、レーザ素子の共振器長のばらつき
に対応して光ピックアップの光路長の異なる複数の金型
を準備することになり、コストアップとなっていたが、
本発明では、光路長補正光学素子１１をレーザ素子の共
振器長のばらつきに応じて選択時に設けるようにしてい
るので、金型は例えば１つで済む。

【００１９】一般的に、レーザ素子１の射出面（出射端
面）１ａから光ディスク面に至る光路長は、式［実効共
振器長×ｍ（整数）×（１＋０．５）］で与えられる値
となるように設計される。ここで実効共振器長とは、半
導体レーザ素子の共振器長にこの実効屈折率を乗算した
値である。そして、レーザ素子の製造誤差に起因して、
上記光路長が、式［実効共振器長×（Ｎ±０．２５）
（Ｎは正数）］で与えられる範囲内の長さ、すなわち光
路長が、実効共振器長×（Ｎ−０．２５）〜実効共振器
長×（Ｎ＋０．２５）の範囲内になった時には、誤差が
大き過ぎるので、上記光路長補正光学素子１１を介在さ
せて光路長の調整を行なう。これに対して、レーザ素子
の製造誤差に起因して、上記光路長が、実効共振器長×
（Ｎ＋０．５±０．２５）の範囲になっている時、すな
わち実効共振器長×（Ｎ＋０．２５）〜実効共振器長×
（Ｎ＋０．７５）の範囲内になっている時には、許容範
囲内であるとして光学素子１１は設けず、光路長の調整
は行わない。これにより、いずれの場合にも、すなわち
レーザ素子の共振器長に種々のばらつきが生じても光路
長は略、実効共振器長×ｍ（整数）×（１＋０．５）の
長さとなり、戻り光によるノイズの発生を抑制すること
が可能となる。

【００２０】ここで図４も参照して半導体レーザ素子の
共振器長の変化の影響について検討する。図４はある光
路長に設定した光ピックアップで共振器長が変化したと
きの望ましい光路長を示すグラフである。例えば実効共
振器長（共振器長４５０μｍ）が２．１５ｍｍでこれの
２１．５倍の４６．２２５ｍｍに共振器長を設定したと
する。この光路長で実効共振器長の整数倍となる光路長
をもとめる。ここで中心の共振器長から、ばらついた場
合の光路長を計算する。ここでは実効共振器長の長さの
変動は共振器長の寸法のばらつきの変化のみで、分散を
考慮した屈折率は変化しないとする。

【００２１】まず、４５０μｍの中心共振器長で−１０
％、＋５％程度のばらつきでどのようになるか検討す
る。このレーザ素子でのコヒーレンスは約４．３／２ｍ
ｍであり、実効屈折率は４．７程度となる。光ピックア
ップの光路長を、レーザ素子の実効共振器長の整数倍を
避けて２１．５倍とする。この結果、光路長は上述のよ
うに４６．２２５ｍｍとなる。ここで、４５０μｍ（２
１．５倍）の中心共振器長に対して±４５μｍ程度共振
器長が変化し、±１０％程度の共振器長の変化があった
とする。この範囲内で共振器長のみ変化し、実効屈折率
は変化しないとして、レーザ素子の実効共振器長の整数
倍となる光路長を求め、これを図４に示すグラフにす
る。

【００２２】ここで光路長に対して、整数倍となる実効
共振器長が問題となる。４１１．７μｍ（２３．５倍）
（点Ｐ１）、４３０μｍ（２２．５倍）（点Ｐ２）、４
７１．９５μｍ（２０．５倍）（点Ｐ３）、４９６．１
５μｍ（１９．５倍）（点Ｐ４）の共振器長のときは非
整数倍である。また、４０３．１３μｍ（２４倍）（点
Ｑ１）、４２０．６５μｍ（２３倍）（点Ｑ２）、４３
９．７７μｍ（２２倍）（点Ｑ３）、４６０．７１μｍ
（２１倍）（点Ｑ４），４８３．７５μｍ（２０倍）
（点Ｑ５）の共振器長のとき光路長に対して、実効共振
器長は整数倍となる。このため、これを避けて非整数倍
となる光路長はどのようになるかを計算した。その結
果、上記共振器長に対して、４７．１８８ｍｍ（２４．
５倍）、４７．２３ｍｍ（２３．５倍），４７．２７６
ｍｍ（２２．５倍），４７．３２６ｍｍ（２１．５
倍），４７．３８１ｍｍ（２０．５倍）の光路長は非整
数倍となる。

【００２３】ここで中心値として４７．３ｍｍを第二の
光路長とすると仮定する。この光路長は、前記４６．２
２５ｍｍに設定した共振器長に対して実効共振器長の整
数倍となる共振器長のときに略良好な光路長である。こ
こで、この光路長に切り替える切り替え点を求める。共
振器長が４４４．８３μｍ（２１．７５倍）（点Ｒ１）
のとき光路長４６．７５６３ｍｍは２２倍であり、４
７．３ｍｍの光路長でディスク高さが０．５４３７ｍｍ
低くなった場合この条件になる。他方、光路長を４６．
２２５ｍｍとしたときは０．５３１３ｍｍ分ディスク高
さが高くなると整数倍となる。従って、この共振器長に
対しては４７．３ｍｍのほうがディスク高さの変化に対
して大きいため良い。これにより、［整数倍−０．２５
倍］の共振器長は４７．３ｍｍがよい。また、共振器長
が４５５．２９μｍ（２１．２５倍）（点Ｒ２）に対し
ては光路長４７．３ｍｍでは４７．８５６５ｍｍで０．
５５６５ｍｍ分ディスク高さが下がると問題となる。ま
た、光路長４６．２２５ｍｍに対しては４５．６８１２
ｍｍで＋０．５４３８ｍｍで問題となる。この２つのデ
ィスク高さ変化の大きい方をとるとすると０．２５倍か
ら正数倍までの共振器長は光路長の長い方を選択させ
る。

【００２４】このように光路長を可変させるために、屈
折率ｎが空気と異なってｎ＞１の材料による、例えば平
板ガラスよりなる上記した光路長補正光学素子１１を挿
入して介在させる構成をとる。いまこの光学素子１１
を、屈折率ｎ＝１．５５の材料で１．８７６ｍｍの厚み
とすると、これを挿入したときの光路長の変化は（１．
５５−１）×１．８７６＝１．０３１ｍｍとなり、光路
長は空気のときより長くなる。また、これが無いときは
１．８７６ｍｍの光路長となり、機械的な同一寸法で上
記光路長の差を得ることができ、１つの金型での筐体で
２種の光路長を得ることができる。

【００２５】また、この２つの光路長間である程度の共
振器長の変動範囲を確保して、光ピックアップの戻り光
によるノイズ発生に対してサーボ動作等を安定化させる
ことができる。これにより、空気の場合と同じ寸法で光
路長を屈折率にリンクして長くできるため、すべての範
囲で平等に最適化したものではないが、光路長を可変さ
せることができる。これにより光ピックアップの光路長
が半導体レーザ素子の実効共振器長の整数倍になること
を阻止して、戻り光ノイズが発生するのを防ぐことがで
きる。

【００２６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の光ピック
アップによれば、次のように優れた作用効果を発揮する
ことができる。半導体レーザ素子の共振器長が製造誤差
によるぱらつきで変化しても、ある程度、最適な光路長
になるように光路途中に光路長補正光学素子を挿入する
ことにより、光路長を１段階、可変し、これにより実効
共振器長の整数倍の光路長となることを阻止し、戻り光
による出力変化の発生を防止し、同時にノイズを発生す
る不安定な動作状態を避けることができる。これによ
り、低コストで不安定な戻り光ノイズ発生の状態を回避
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光ピックアップの光学系の一例を示す
構成図である。

【図２】図１に示す光学系の主要部を示す構成図であ
る。

【図３】半導体レーザ素子の共振器長のばらつき具合を
示すグラフである。

【図４】所定の光路長に設定した光ピックアップで共振
器長が変化したときの望ましい光路長を示すグラフであ
る。

【図５】従来の光ピックアップを示す構成図である。

【図６】光路長の変化に対するジッターの特性を示す図
である。

【図７】外部共振器の原理を示す構成図である。

【符号の説明】

１…半導体レーザ素子、２…ホログラム、３…コリメー
タレンズ、４…対物レンズ、６…受光センサ、１０…光
ピックアップ、１１…光路長補正光学素子、Ｄ…光ディ
スク、Ｌ…レーザ光。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体レーザ素子より射出されたレーザ
   光をコリメータレンズで平行光に変換して対物レンズに
   入射し、光スポットを光ディスク読み取り面に形成し
   て、この光スポットの反射光を受光センサにより受光す
   ることにより前記光ディスク上の情報を再生する光ピッ
   クアップにおいて、前記半導体レーザ素子の出射端面と
   前記光ディスクとの間の光路長が式［半導体レーザ素子
   の実効共振器長×ｍ（ｍは整数）×（１＋０．５）］で
   与えられる長さの場合であって、前記光路長が前記半導
   体レーザ素子の共振器長の誤差に起因して式［実効共振
   器長×（Ｎ±０．２５）（Ｎは正数）］で与えられる範
   囲内の長さになるときは、屈折率が１以上の光路長補正
   光学素子を前記コリメータレンズと前記対物レンズとの
   間の光路中に介在させるようにしたことを特徴とする光
   ピックアップ。