JP2000150144A - シミュレーテドインダクタを用いたｅｌインバータ - Google Patents
シミュレーテドインダクタを用いたｅｌインバータInfo
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- JP2000150144A JP2000150144A JP10335028A JP33502898A JP2000150144A JP 2000150144 A JP2000150144 A JP 2000150144A JP 10335028 A JP10335028 A JP 10335028A JP 33502898 A JP33502898 A JP 33502898A JP 2000150144 A JP2000150144 A JP 2000150144A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 巻線トランスとトランジスタとで構成された
発振式の従来のＥＬインバータでは、ＥＬ素子を効率良
く駆動できる負荷インピーダンスの位相を整合できず、
発光効率が悪くなり消費電力を低減できないという問題
があった。 【解決手段】 巻線トランス５５とトランジスタ５１と
で構成された発振器で、ＥＬ素子２０を駆動する負荷回
路の電圧の昇圧は巻線トランス５５で行い、負荷回路の
位相の最適化には、負荷容量となるＥＬ素子２０の容量
と直列にシミュレーテドインダクタ１０とを接続して共
振回路を構成して共振周波数に近い駆動周波数でＥＬ素
子２０を駆動する。
発振式の従来のＥＬインバータでは、ＥＬ素子を効率良
く駆動できる負荷インピーダンスの位相を整合できず、
発光効率が悪くなり消費電力を低減できないという問題
があった。 【解決手段】 巻線トランス５５とトランジスタ５１と
で構成された発振器で、ＥＬ素子２０を駆動する負荷回
路の電圧の昇圧は巻線トランス５５で行い、負荷回路の
位相の最適化には、負荷容量となるＥＬ素子２０の容量
と直列にシミュレーテドインダクタ１０とを接続して共
振回路を構成して共振周波数に近い駆動周波数でＥＬ素
子２０を駆動する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、車載用ＡＶ機器
や、携帯機器であるＰＤＡ、携帯電話、ＰＨＳ及びペジ
ャー等に用いられている液晶表示装置のバックライトと
なるＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を駆動する
インバータ回路に関し、特にトランジスタと巻線トラン
スとで構成されるインバータ回路の負荷インピーダンス
の位相の最適化を図る回路の構成方法に関する。
や、携帯機器であるＰＤＡ、携帯電話、ＰＨＳ及びペジ
ャー等に用いられている液晶表示装置のバックライトと
なるＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を駆動する
インバータ回路に関し、特にトランジスタと巻線トラン
スとで構成されるインバータ回路の負荷インピーダンス
の位相の最適化を図る回路の構成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】車載用ＡＶ機器や、携帯機器であるＰＤ
Ａ、携帯電話、ＰＨＳ及びペジャー等には、表示を見や
すくするために透過型の液晶表示装置が用いられること
が多く、その場合は液晶表示装置の裏側にバックライト
が用いられる。そして、前述のバックライトには、冷陰
極蛍光管やＥＬ素子が使用されることがあるが、最近で
は軽薄短小と厳しいコスト要求に答えるために、フィル
ムに印刷技術で製造された約０．５mm以下の厚みに形成
できる分散型のＥＬ素子が普及してきている。前記ＥＬ
素子は、駆動回路の負荷としては容量負荷であり、搭載
される機器によっては輝度約２０Ｃｄ／ｍ2 が必要であ
り、且つＥＬ素子の駆動の直流分による劣化を避けて更
に輝度を得るには、片振幅で約８０〜９０Ｖ以上の３０
０Ｈｚ前後の交流電圧での駆動が必要である。特に、車
載用ＡＶ機器のＥＬ素子には、約２００Ｃｄ／ｍ2 の輝
度が要求される場合が多い。そして、前記機器には、電
池が用いられており、従ってＥＬ素子を駆動するために
はＤＣーＡＣインバータ回路が必要となる。前述のＥＬ
素子を駆動するＤＣーＡＣインバータ回路の従来例とし
ては、トランジスタと巻線トランスとで構成された発振
器を応用したインバータ回路が知られている。
Ａ、携帯電話、ＰＨＳ及びペジャー等には、表示を見や
すくするために透過型の液晶表示装置が用いられること
が多く、その場合は液晶表示装置の裏側にバックライト
が用いられる。そして、前述のバックライトには、冷陰
極蛍光管やＥＬ素子が使用されることがあるが、最近で
は軽薄短小と厳しいコスト要求に答えるために、フィル
ムに印刷技術で製造された約０．５mm以下の厚みに形成
できる分散型のＥＬ素子が普及してきている。前記ＥＬ
素子は、駆動回路の負荷としては容量負荷であり、搭載
される機器によっては輝度約２０Ｃｄ／ｍ2 が必要であ
り、且つＥＬ素子の駆動の直流分による劣化を避けて更
に輝度を得るには、片振幅で約８０〜９０Ｖ以上の３０
０Ｈｚ前後の交流電圧での駆動が必要である。特に、車
載用ＡＶ機器のＥＬ素子には、約２００Ｃｄ／ｍ2 の輝
度が要求される場合が多い。そして、前記機器には、電
池が用いられており、従ってＥＬ素子を駆動するために
はＤＣーＡＣインバータ回路が必要となる。前述のＥＬ
素子を駆動するＤＣーＡＣインバータ回路の従来例とし
ては、トランジスタと巻線トランスとで構成された発振
器を応用したインバータ回路が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来例のＥＬインバー
タの一つとして、公開実用新案公報昭６２ー７１９８号
（以下文献Ａ）があり、その第１図に相当する図面の概
要を図５に示す。図５において、電界発光灯点灯装置と
称するインバータ回路は、バイポーラトランジスタ（以
下トランジスタ）５１と巻線トランス５５とその負荷と
なる電界発光灯５４とで構成されている。トランジスタ
５１のコレクタとエミッタは電源５２、５３に接続さ
れ、トランジスタ５１のベースと電源５２間に抵抗５６
（Ｒ1）と抵抗５７（Ｒ2）とコンデンサ５８（Ｃ2）が
並列に接続されてバイアスされる。巻線トランス５５に
は２個の中間タップ６０ａ、６０ｂがあって、夫々巻線
５５ａ、５５ｂ、５５Ｃを形成している。前記巻線トラ
ンス５５の一つの中間タップ６０ｂは第１の巻線５５ａ
（Ｎ1）の一端を構成して前記トランジスタ５１のエミ
ッタと電源５３間に接続される。前記巻線トランス５５
の中間タップ６０ａ、６０ｂによって第２の巻線５５ｂ
が形成されてコンデンサ５９（Ｃ1），抵抗５７を経由
して前記トランジスタ５１のベースとエミッタ間に接続
されて帰還回路（正帰還）を構成する。前記巻線トラン
ス５５の中間タップ６０ａは第３の巻線５５ｃの一端を
形成して、第１の巻線５５ａと第２の巻線５５ｂと第３
の巻線５５ｃとが直列に接続されて巻線Ｎ2を構成し
て、負荷となる電界発光灯５４に接続される。
タの一つとして、公開実用新案公報昭６２ー７１９８号
（以下文献Ａ）があり、その第１図に相当する図面の概
要を図５に示す。図５において、電界発光灯点灯装置と
称するインバータ回路は、バイポーラトランジスタ（以
下トランジスタ）５１と巻線トランス５５とその負荷と
なる電界発光灯５４とで構成されている。トランジスタ
５１のコレクタとエミッタは電源５２、５３に接続さ
れ、トランジスタ５１のベースと電源５２間に抵抗５６
（Ｒ1）と抵抗５７（Ｒ2）とコンデンサ５８（Ｃ2）が
並列に接続されてバイアスされる。巻線トランス５５に
は２個の中間タップ６０ａ、６０ｂがあって、夫々巻線
５５ａ、５５ｂ、５５Ｃを形成している。前記巻線トラ
ンス５５の一つの中間タップ６０ｂは第１の巻線５５ａ
（Ｎ1）の一端を構成して前記トランジスタ５１のエミ
ッタと電源５３間に接続される。前記巻線トランス５５
の中間タップ６０ａ、６０ｂによって第２の巻線５５ｂ
が形成されてコンデンサ５９（Ｃ1），抵抗５７を経由
して前記トランジスタ５１のベースとエミッタ間に接続
されて帰還回路（正帰還）を構成する。前記巻線トラン
ス５５の中間タップ６０ａは第３の巻線５５ｃの一端を
形成して、第１の巻線５５ａと第２の巻線５５ｂと第３
の巻線５５ｃとが直列に接続されて巻線Ｎ2を構成し
て、負荷となる電界発光灯５４に接続される。
【０００４】文献Ａでは、トランジスタ５１のバイアス
電流値と、巻線トランス５５の夫々の巻線５５ａ、５５
ｂ、５５Ｃの巻線比を適宜設定し、発振条件を満たせば
負荷となる電界発光灯５４に必要な交流電圧を供給する
ことができる。
電流値と、巻線トランス５５の夫々の巻線５５ａ、５５
ｂ、５５Ｃの巻線比を適宜設定し、発振条件を満たせば
負荷となる電界発光灯５４に必要な交流電圧を供給する
ことができる。
【０００５】しかしながら、文献Ａでは、電界発光灯５
４に限定されており、本発明の分散型ＥＬ素子に固有の
負荷インピーダンスの容量性による力率の低下の改善の
必要性には言及されていない。即ち、負荷として発光素
子にＥＬ素子を用いた場合は、ＥＬ素子は電気的に容量
特性であり、巻線トランス５５の巻線Ｎ2はインダクタ
特性であり、両者の直列共振の周波数を駆動周波数とす
るときにＥＬ素子を効率良く駆動できるのであるが、必
ずしも一致できず、駆動できる負荷インピーダンスの位
相を整合できない場合が多い。このために、発光効率が
悪くなり消費電力を低減できないという問題があった。
本発明の目的は、前述の欠点を除去して、ＥＬ素子を効
率良く駆動できる負荷インピーダンスの位相の整合を図
るための回路構成に係わるものである。
４に限定されており、本発明の分散型ＥＬ素子に固有の
負荷インピーダンスの容量性による力率の低下の改善の
必要性には言及されていない。即ち、負荷として発光素
子にＥＬ素子を用いた場合は、ＥＬ素子は電気的に容量
特性であり、巻線トランス５５の巻線Ｎ2はインダクタ
特性であり、両者の直列共振の周波数を駆動周波数とす
るときにＥＬ素子を効率良く駆動できるのであるが、必
ずしも一致できず、駆動できる負荷インピーダンスの位
相を整合できない場合が多い。このために、発光効率が
悪くなり消費電力を低減できないという問題があった。
本発明の目的は、前述の欠点を除去して、ＥＬ素子を効
率良く駆動できる負荷インピーダンスの位相の整合を図
るための回路構成に係わるものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】課題を解決するためにな
された本発明の請求項１のシミュレーテドインダクタを
用いたＥＬインバータは、能動素子と複数個の中間タッ
プのある巻線トランスで構成された発振器の出力側にＥ
Ｌ（エレクトロルミネッセンス）素子を接続してなるイ
ンバータ回路において、前記巻線トランスの２個の中間
タップを経由して形成される第１の巻線の出力を第１の
コンデンサを経由して前記能動素子の入力端子と供給高
電圧端子に接続して帰還回路を形成し、前記第１の巻線
と電源とに繋がる前記第２の巻線との間に第２のコンデ
ンサを接続し、前記能動素子の入力端子と供給高電圧端
子間を抵抗で接続し、前記能動素子の供給低電圧端子と
供給高電圧端子間に前記中間タップの一つを経由して第
２の巻線を接続して前記発振器の出力回路を形成し、前
記中間タップのもう一つを経由して第３の巻線を設け、
前記第１の巻線と前記第２の巻線と前記第３の巻線とシ
ミュレーテドインダクタとが直列に接続されて前記ＥＬ
素子の両電極に接続されたことを特徴とするものであ
る。
された本発明の請求項１のシミュレーテドインダクタを
用いたＥＬインバータは、能動素子と複数個の中間タッ
プのある巻線トランスで構成された発振器の出力側にＥ
Ｌ（エレクトロルミネッセンス）素子を接続してなるイ
ンバータ回路において、前記巻線トランスの２個の中間
タップを経由して形成される第１の巻線の出力を第１の
コンデンサを経由して前記能動素子の入力端子と供給高
電圧端子に接続して帰還回路を形成し、前記第１の巻線
と電源とに繋がる前記第２の巻線との間に第２のコンデ
ンサを接続し、前記能動素子の入力端子と供給高電圧端
子間を抵抗で接続し、前記能動素子の供給低電圧端子と
供給高電圧端子間に前記中間タップの一つを経由して第
２の巻線を接続して前記発振器の出力回路を形成し、前
記中間タップのもう一つを経由して第３の巻線を設け、
前記第１の巻線と前記第２の巻線と前記第３の巻線とシ
ミュレーテドインダクタとが直列に接続されて前記ＥＬ
素子の両電極に接続されたことを特徴とするものであ
る。
【０００７】課題を解決するためになされた本発明の請
求項１のシミュレーテドインダクタを用いたＥＬインバ
ータの前記能動素子は、ＴＦＴまたはトランジスタで構
成されたことを特徴とするものである。
求項１のシミュレーテドインダクタを用いたＥＬインバ
ータの前記能動素子は、ＴＦＴまたはトランジスタで構
成されたことを特徴とするものである。
【０００８】課題を解決するためになされた本発明の請
求項１または請求項２のＥＬインバータのシミュレーテ
ドインダクタは、抵抗とコンデンサを接続してオペアン
プの入力に帰還したことを特徴とするものである。
求項１または請求項２のＥＬインバータのシミュレーテ
ドインダクタは、抵抗とコンデンサを接続してオペアン
プの入力に帰還したことを特徴とするものである。
【０００９】課題を解決するためになされた本発明の請
求項３のシミュレーテドインダクタを用いたＥＬインバ
ータは、前記シミュレーテドインダクタと前記ＥＬ素子
とで形成される負荷インピーダンスのリアクタンス成分
をほぼ零とする共振回路を構成して前記共振周波数に近
い駆動周波数で、前記ＥＬ素子を駆動することを特徴と
するものである。
求項３のシミュレーテドインダクタを用いたＥＬインバ
ータは、前記シミュレーテドインダクタと前記ＥＬ素子
とで形成される負荷インピーダンスのリアクタンス成分
をほぼ零とする共振回路を構成して前記共振周波数に近
い駆動周波数で、前記ＥＬ素子を駆動することを特徴と
するものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下では、本発明の実施の形態を
図面に基づいて説明する。図１は、本発明のＥＬインバ
ータの回路構成のブロック図である。図２は、本発明の
シミュレーテドインダクタの回路構成図である。図３
（Ａ）は、本発明のシミュレーテドインダクタの等価回
路図である。図３（Ｂ）は、本発明のシミュレーテドイ
ンダクタの更に簡略化した等価回路図である。図４は、
本発明のＥＬ素子と本発明のシミュレーテドインダクタ
との共振回路の説明図である。また、説明を簡単にする
ために、従来例の説明に用いた符号を共通に使用するこ
とにする。なを、本発明に用いてる能動素子は、トラン
ジスタまたはＦＥＴいずれでも良いが、ここでは簡単の
ためにトランジスタを用いて説明する。
図面に基づいて説明する。図１は、本発明のＥＬインバ
ータの回路構成のブロック図である。図２は、本発明の
シミュレーテドインダクタの回路構成図である。図３
（Ａ）は、本発明のシミュレーテドインダクタの等価回
路図である。図３（Ｂ）は、本発明のシミュレーテドイ
ンダクタの更に簡略化した等価回路図である。図４は、
本発明のＥＬ素子と本発明のシミュレーテドインダクタ
との共振回路の説明図である。また、説明を簡単にする
ために、従来例の説明に用いた符号を共通に使用するこ
とにする。なを、本発明に用いてる能動素子は、トラン
ジスタまたはＦＥＴいずれでも良いが、ここでは簡単の
ためにトランジスタを用いて説明する。
【００１１】図１において、バイポーラトランジスタ
（以下トランジスタ）５１と巻線トランス５５とその負
荷となる分離型のＥＬ素子２０とで構成されている。ト
ランジスタ５１のコレクタ（供給高電圧端子）とエミッ
タ（供給低電圧端子）は電源５２、５３に接続され、ト
ランジスタ５１のベース（入力端子）と電源５２間に抵
抗５６（Ｒ1）と抵抗５７（Ｒ2）とコンデンサ５８（Ｃ
2）が並列に接続されてバイアスされる。巻線トランス
５５には２個の中間タップ６０ａ、６０ｂがあって、夫
々巻線５５ａ、５５ｂ、５５Ｃを形成している。前記巻
線トランス５５の一つの中間タップ６０ｂは第１の巻線
５５ａ（Ｎ1）の一端を構成して前記トランジスタ５１
のエミッタと電源５３間に接続される。前記巻線トラン
ス５５の中間タップ６０ａ、６０ｂによって第２の巻線
５５ｂが形成されてコンデンサ５９（Ｃ1），抵抗５７
を経由して前記トランジスタ５１のベースとエミッタ間
に接続されて帰還回路（正帰還）を構成する。前記巻線
トランス５５の中間タップ６０ａは第３の巻線５５ｃの
一端を形成して、第１の巻線５５ａと第２の巻線５５ｂ
と第３の巻線５５ｃとが直列に接続されて巻線Ｎ2を構
成して、負荷となる分散型のＥＬ素子２０に、後述する
シミュレーテドインダクタ１０が接続端子１０ａ、１０
ｂを経由して接続される。なを、能動素子をＦＥＴとす
るときは、ＦＥＴの入力インピーダンスが大きいので原
則として電流制限抵抗５７は不要である。
（以下トランジスタ）５１と巻線トランス５５とその負
荷となる分離型のＥＬ素子２０とで構成されている。ト
ランジスタ５１のコレクタ（供給高電圧端子）とエミッ
タ（供給低電圧端子）は電源５２、５３に接続され、ト
ランジスタ５１のベース（入力端子）と電源５２間に抵
抗５６（Ｒ1）と抵抗５７（Ｒ2）とコンデンサ５８（Ｃ
2）が並列に接続されてバイアスされる。巻線トランス
５５には２個の中間タップ６０ａ、６０ｂがあって、夫
々巻線５５ａ、５５ｂ、５５Ｃを形成している。前記巻
線トランス５５の一つの中間タップ６０ｂは第１の巻線
５５ａ（Ｎ1）の一端を構成して前記トランジスタ５１
のエミッタと電源５３間に接続される。前記巻線トラン
ス５５の中間タップ６０ａ、６０ｂによって第２の巻線
５５ｂが形成されてコンデンサ５９（Ｃ1），抵抗５７
を経由して前記トランジスタ５１のベースとエミッタ間
に接続されて帰還回路（正帰還）を構成する。前記巻線
トランス５５の中間タップ６０ａは第３の巻線５５ｃの
一端を形成して、第１の巻線５５ａと第２の巻線５５ｂ
と第３の巻線５５ｃとが直列に接続されて巻線Ｎ2を構
成して、負荷となる分散型のＥＬ素子２０に、後述する
シミュレーテドインダクタ１０が接続端子１０ａ、１０
ｂを経由して接続される。なを、能動素子をＦＥＴとす
るときは、ＦＥＴの入力インピーダンスが大きいので原
則として電流制限抵抗５７は不要である。
【００１２】図２において、シミュレーテドインダクタ
１０は、正負の電源Ｅc（＋）、（ー）が接続されたア
ンプ１１の出力端子１１ｃを抵抗１２を介して入力端子
１１ａに帰還するように接続し、同時にアンプ１１の出
力端子１１ｃは抵抗１３を介してシミュレーテドインダ
クタ１０の入力端子１０ａに接続される。シミュレーテ
ドインダクタ１０の入力端子１０ａは、コンデンサ１４
を介して、またシミュレーテドインダクタ１０の入力端
子１０ｂは抵抗１５を介してアンプ１１の入力端子１１
ｂに接続される。
１０は、正負の電源Ｅc（＋）、（ー）が接続されたア
ンプ１１の出力端子１１ｃを抵抗１２を介して入力端子
１１ａに帰還するように接続し、同時にアンプ１１の出
力端子１１ｃは抵抗１３を介してシミュレーテドインダ
クタ１０の入力端子１０ａに接続される。シミュレーテ
ドインダクタ１０の入力端子１０ａは、コンデンサ１４
を介して、またシミュレーテドインダクタ１０の入力端
子１０ｂは抵抗１５を介してアンプ１１の入力端子１１
ｂに接続される。
【００１３】図３（Ａ）において、シミュレーテドイン
ダクタ１０は、等価的には直列に接続されたインダクタ
１６と抵抗１７に抵抗１８が並列に接続されて構成され
る。シミュレーテドインダクタ１０は、設計によって数
ヘンリーに達する誘導性の高い等価回路とすることがで
きる。
ダクタ１０は、等価的には直列に接続されたインダクタ
１６と抵抗１７に抵抗１８が並列に接続されて構成され
る。シミュレーテドインダクタ１０は、設計によって数
ヘンリーに達する誘導性の高い等価回路とすることがで
きる。
【００１４】図３（Ａ）を更に簡略化した等価回路を示
す図３（Ｂ）において、シミュレーテドインダクタ１０
は、XＬ と表記した合成リアクタンス２２とｒと表記し
た合成抵抗２３の直列接続素子で表すことができる。
す図３（Ｂ）において、シミュレーテドインダクタ１０
は、XＬ と表記した合成リアクタンス２２とｒと表記し
た合成抵抗２３の直列接続素子で表すことができる。
【００１５】図４において、ＥＬ素子２０の容量２１
は、XＬ と表記した合成リアクタンス２２とｒと表記し
た合成抵抗２３と直列に接続されて巻線トランスの２次
側の負荷となる。
は、XＬ と表記した合成リアクタンス２２とｒと表記し
た合成抵抗２３と直列に接続されて巻線トランスの２次
側の負荷となる。
【００１６】ＥＬ素子２０を共振させて、その共振周波
数に近い駆動周波数でＥＬ素子２０を駆動することがで
きれば負荷回路のリアクタンス成分はほぼ零となるので
力率は最大になる。しかし、トランス５５の２次巻線５
５ｃのインダクタンスＬだけでＥＬ素子２０の容量２１
と共振させることは、種々の大きさのＥＬ素子に対応し
ようとすると、ＥＬ素子の容量がその面積に比例して変
化するために極めて困難となる。そこで、トランス５５
には、ＥＬ素子２０を駆動する電圧の昇圧のみを分担さ
せ、本発明の駆動回路では負荷回路の位相の最適化はシ
ミュレーテドインダクタ１０を用いて行うものである。
数に近い駆動周波数でＥＬ素子２０を駆動することがで
きれば負荷回路のリアクタンス成分はほぼ零となるので
力率は最大になる。しかし、トランス５５の２次巻線５
５ｃのインダクタンスＬだけでＥＬ素子２０の容量２１
と共振させることは、種々の大きさのＥＬ素子に対応し
ようとすると、ＥＬ素子の容量がその面積に比例して変
化するために極めて困難となる。そこで、トランス５５
には、ＥＬ素子２０を駆動する電圧の昇圧のみを分担さ
せ、本発明の駆動回路では負荷回路の位相の最適化はシ
ミュレーテドインダクタ１０を用いて行うものである。
【００１７】ＥＬ素子２０の共振周波数ｆ0 は次の式で
表される。 ｆ0 ＝１／２π［( Ｌ＋Ｌ´）Ｃ］1/2 …… （１） ここで、Ｌ；トランス５５の２次巻線５５ｃのインダク
タンス Ｌ´；シミュレーテドインダクタ Ｃ；ＥＬ素子の容量
表される。 ｆ0 ＝１／２π［( Ｌ＋Ｌ´）Ｃ］1/2 …… （１） ここで、Ｌ；トランス５５の２次巻線５５ｃのインダク
タンス Ｌ´；シミュレーテドインダクタ Ｃ；ＥＬ素子の容量
【００１８】例えば、ＥＬ素子の容量Ｃが８［ｎＦ］
で、トランス５５の２次巻線５５ｃのインダクタンスＬ
が１［Ｈ］のとき、シミュレーテドインダクタＬ´が
４．６［Ｈ］ならば、ｆ0 は７６０Ｈzとなる。このと
き、トランス５５の２次側の回路の力率はほぼ１００％
となる。
で、トランス５５の２次巻線５５ｃのインダクタンスＬ
が１［Ｈ］のとき、シミュレーテドインダクタＬ´が
４．６［Ｈ］ならば、ｆ0 は７６０Ｈzとなる。このと
き、トランス５５の２次側の回路の力率はほぼ１００％
となる。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、ＥＬ素子の駆動回路の
力率を、簡単な回路構成で最大にすることができるの
で、低消費電力化が図られることは明らかである。
力率を、簡単な回路構成で最大にすることができるの
で、低消費電力化が図られることは明らかである。
【００２０】また、本発明によれば、ＥＬ駆動に必要な
電圧をトランスによって得ること、負荷回路の位相はシ
ミュレーテドインダクタＬ´とトランス５５の２次巻線
５５ｃのインダクタンスＬの和によってＥＬ素子２０と
の共振を図って負荷回路のリアクタンス成分を零として
得られるので、設計に柔軟性があり実用効果は顕著であ
る。
電圧をトランスによって得ること、負荷回路の位相はシ
ミュレーテドインダクタＬ´とトランス５５の２次巻線
５５ｃのインダクタンスＬの和によってＥＬ素子２０と
の共振を図って負荷回路のリアクタンス成分を零として
得られるので、設計に柔軟性があり実用効果は顕著であ
る。
【図１】本発明のＥＬインバータの回路構成のブロック
図である。
図である。
【図２】本発明のシミュレーテドインダクタの回路構成
図である。
図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）は本発明のシミュレーテドイン
ダクタの等価回路図である。
ダクタの等価回路図である。
【図４】本発明のシミュレーテドインダクタとＥＬ素子
との共振回路の説明図である。
との共振回路の説明図である。
【図５】従来例のＥＬインバータの回路構成図である。
１０ シミュレーテドインダクタ １０ａ、１０ｂ 出力端子 １１ アンプ １１ａ、１１ｂ アンプ入力端子 １１ｃ アンプ出力端子 １２、１３、１５、５６、５７ 抵抗 １４、５８、５９ コンデンサ ２０ ＥＬ素子 ５１ トランジスタ ５２、５３ 電源 ５５ 巻線トランス ５５ａ 第１の巻線 ５５ｂ 第２の巻線 ５５ｃ 第３の巻線
Claims (4)
- 【請求項１】 能動素子と複数個の中間タップのある巻
線トランスで構成された発振器の出力側にＥＬ（エレク
トロルミネッセンス）素子を接続してなるインバータ回
路において、前記巻線トランスの２個の中間タップを経
由して形成される第１の巻線の出力を第１のコンデンサ
を経由して前記能動素子の入力端子と供給高電圧端子に
接続して帰還回路を形成し、前記第１の巻線と電源とに
繋がる前記第２の巻線との間に第２のコンデンサを接続
し、前記能動素子の入力端子と供給高電圧端子間を抵抗
で接続し、前記能動素子の供給低電圧端子と供給高電圧
端子間に前記中間タップの一つを経由して第２の巻線を
接続して前記発振器の出力回路を形成し、前記中間タッ
プのもう一つを経由して第３の巻線を設け、前記第１の
巻線と前記第２の巻線と前記第３の巻線とシミュレーテ
ドインダクタとが直列に接続されて前記ＥＬ素子の両電
極に接続されたことを特徴とするシミュレーテドインダ
クタを用いたＥＬインバータ。 - 【請求項２】 前記能動素子は、ＴＦＴまたはトランジ
スタで構成されたことを特徴とする請求項１に記載のシ
ミュレーテドインダクタを用いたＥＬインバータ。 - 【請求項３】 前記シミュレーテドインダクタは、抵抗
とコンデンサを接続してオペアンプの入力に帰還したこ
とを特徴とする請求項１または請求項２に記載のシミュ
レーテドインダクタを用いたＥＬインバータ。 - 【請求項４】 前記シミュレーテドインダクタと前記Ｅ
Ｌ素子とで形成される負荷インピーダンスのリアクタン
ス成分をほぼ零とする共振回路を構成して該共振周波数
に近い駆動周波数で、前記ＥＬ素子を駆動することを特
徴とする請求項３に記載のシミュレーテドインダクタを
用いたＥＬインバータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10335028A JP2000150144A (ja) | 1998-11-11 | 1998-11-11 | シミュレーテドインダクタを用いたｅｌインバータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10335028A JP2000150144A (ja) | 1998-11-11 | 1998-11-11 | シミュレーテドインダクタを用いたｅｌインバータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000150144A true JP2000150144A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=18283940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10335028A Pending JP2000150144A (ja) | 1998-11-11 | 1998-11-11 | シミュレーテドインダクタを用いたｅｌインバータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000150144A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009076237A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Mitsubishi Motors Corp | Ｅｌ発光式タッチスイッチ |
| US9318251B2 (en) | 2006-08-09 | 2016-04-19 | Coilcraft, Incorporated | Method of manufacturing an electronic component |
-
1998
- 1998-11-11 JP JP10335028A patent/JP2000150144A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9318251B2 (en) | 2006-08-09 | 2016-04-19 | Coilcraft, Incorporated | Method of manufacturing an electronic component |
| US10319507B2 (en) | 2006-08-09 | 2019-06-11 | Coilcraft, Incorporated | Method of manufacturing an electronic component |
| US11869696B2 (en) | 2006-08-09 | 2024-01-09 | Coilcraft, Incorporated | Electronic component |
| US12094633B2 (en) | 2006-08-09 | 2024-09-17 | Coilcraft, Incorporated | Method of manufacturing an electronic component |
| JP2009076237A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Mitsubishi Motors Corp | Ｅｌ発光式タッチスイッチ |
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