JP2000164352A - ジャイレータを用いたｅｌインバータ - Google Patents
ジャイレータを用いたｅｌインバータInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 巻線トランスとトランジスタとで構成された
発振式の従来のＥＬインバータでは、ＥＬ素子を効率良
く駆動できる負荷インピーダンスの位相を整合できず、
発光効率が悪くなり消費電力を低減できないという問題
があった。 【解決手段】 巻線トランス５５とトランジスタ５１と
で構成された発振器で、ＥＬ素子２０を駆動する負荷回
路の電圧の昇圧は巻線トランス５５で行い、負荷回路の
位相の最適化には、負荷容量となるＥＬ素子２０の容量
と直列にジャイレータ１０の等価インダクタとを接続し
て共振回路を構成して共振周波数に近い駆動周波数でＥ
Ｌ素子２０を駆動する。
発振式の従来のＥＬインバータでは、ＥＬ素子を効率良
く駆動できる負荷インピーダンスの位相を整合できず、
発光効率が悪くなり消費電力を低減できないという問題
があった。 【解決手段】 巻線トランス５５とトランジスタ５１と
で構成された発振器で、ＥＬ素子２０を駆動する負荷回
路の電圧の昇圧は巻線トランス５５で行い、負荷回路の
位相の最適化には、負荷容量となるＥＬ素子２０の容量
と直列にジャイレータ１０の等価インダクタとを接続し
て共振回路を構成して共振周波数に近い駆動周波数でＥ
Ｌ素子２０を駆動する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、車載用ＡＶ機器
や、携帯機器であるＰＤＡ、携帯電話、ＰＨＳ及びペジ
ャー等に用いられている液晶表示装置のバックライトと
なるＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を駆動する
インバータ回路に関し、特にトランジスタと巻線トラン
スとで構成されるインバータ回路の負荷インピーダンス
の位相の最適化を図る回路の構成方法に関する。
や、携帯機器であるＰＤＡ、携帯電話、ＰＨＳ及びペジ
ャー等に用いられている液晶表示装置のバックライトと
なるＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を駆動する
インバータ回路に関し、特にトランジスタと巻線トラン
スとで構成されるインバータ回路の負荷インピーダンス
の位相の最適化を図る回路の構成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】車載用ＡＶ機器や、携帯機器であるＰＤ
Ａ、携帯電話、ＰＨＳ及びペジャー等には、表示を見や
すくするために透過型の液晶表示装置が用いられること
が多く、その場合は液晶表示装置の裏側にバックライト
が用いられる。そして、前述のバックライトには、冷陰
極蛍光管やＥＬ素子が使用されることがあるが、最近で
は軽薄短小と厳しいコスト要求に答えるために、フィル
ムに印刷技術で製造された約０．５mm以下の厚みに形成
できる分散型のＥＬ素子が普及してきている。前記ＥＬ
素子は、駆動回路の負荷としては容量負荷であり、搭載
される機器によっては輝度約２０Ｃｄ／ｍ2 が必要で
あり、且つＥＬ素子の駆動の直流分による劣化を避けて
更に輝度を得るには、片振幅で約８０〜９０Ｖ以上の３
００Ｈｚ前後の交流電圧での駆動が必要である。特に、
車載用ＡＶ機器のＥＬ素子には、約２００Ｃｄ／ｍ2
の輝度が要求される場合が多い。そして、前記機器に
は、電池が用いられており、従ってＥＬ素子を駆動する
ためにはＤＣーＡＣインバータ回路が必要となる。前述
のＥＬ素子を駆動するＤＣーＡＣインバータ回路の従来
例としては、トランジスタと巻線トランスとで構成され
た発振器を応用したインバータ回路が知られている。
Ａ、携帯電話、ＰＨＳ及びペジャー等には、表示を見や
すくするために透過型の液晶表示装置が用いられること
が多く、その場合は液晶表示装置の裏側にバックライト
が用いられる。そして、前述のバックライトには、冷陰
極蛍光管やＥＬ素子が使用されることがあるが、最近で
は軽薄短小と厳しいコスト要求に答えるために、フィル
ムに印刷技術で製造された約０．５mm以下の厚みに形成
できる分散型のＥＬ素子が普及してきている。前記ＥＬ
素子は、駆動回路の負荷としては容量負荷であり、搭載
される機器によっては輝度約２０Ｃｄ／ｍ2 が必要で
あり、且つＥＬ素子の駆動の直流分による劣化を避けて
更に輝度を得るには、片振幅で約８０〜９０Ｖ以上の３
００Ｈｚ前後の交流電圧での駆動が必要である。特に、
車載用ＡＶ機器のＥＬ素子には、約２００Ｃｄ／ｍ2
の輝度が要求される場合が多い。そして、前記機器に
は、電池が用いられており、従ってＥＬ素子を駆動する
ためにはＤＣーＡＣインバータ回路が必要となる。前述
のＥＬ素子を駆動するＤＣーＡＣインバータ回路の従来
例としては、トランジスタと巻線トランスとで構成され
た発振器を応用したインバータ回路が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来例のＥＬインバー
タの一つとして、公開実用新案公報昭６２ー７１９８号
（以下文献Ａ）があり、その第１図に相当する図面の概
要を図５に示す。図５において、電界発光灯点灯装置と
称するインバータ回路は、バイポーラトランジスタ（以
下トランジスタ）５１と巻線トランス５５とその負荷と
なる電界発光灯５４とで構成されている。トランジスタ
５１のコレクタとエミッタは電源５２、５３に接続さ
れ、トランジスタ５１のベースと電源５２間に抵抗５６
（Ｒ1）と抵抗５７（Ｒ2）とコンデンサ５８（Ｃ2）が
並列に接続されてバイアスされる。巻線トランス５５に
は２個の中間タップ６０ａ、６０ｂがあって、夫々巻線
５５ａ、５５ｂ、５５Ｃを形成している。前記巻線トラ
ンス５５の一つの中間タップ６０ｂは第１の巻線５５ａ
（Ｎ1）の一端を構成して前記トランジスタ５１のエミ
ッタと電源５３間に接続される。前記巻線トランス５５
の中間タップ６０ａ、６０ｂによって第２の巻線５５ｂ
が形成されてコンデンサ５９（Ｃ1），抵抗５７を経由
して前記トランジスタ５１のベースとエミッタ間に接続
されて帰還回路（正帰還）を構成する。前記巻線トラン
ス５５の中間タップ６０ａは第３の巻線５５ｃの一端を
形成して、第１の巻線５５ａと第２の巻線５５ｂと第３
の巻線５５ｃとが直列に接続されて巻線Ｎ2を構成し
て、負荷となる電界発光灯５４に接続される。
タの一つとして、公開実用新案公報昭６２ー７１９８号
（以下文献Ａ）があり、その第１図に相当する図面の概
要を図５に示す。図５において、電界発光灯点灯装置と
称するインバータ回路は、バイポーラトランジスタ（以
下トランジスタ）５１と巻線トランス５５とその負荷と
なる電界発光灯５４とで構成されている。トランジスタ
５１のコレクタとエミッタは電源５２、５３に接続さ
れ、トランジスタ５１のベースと電源５２間に抵抗５６
（Ｒ1）と抵抗５７（Ｒ2）とコンデンサ５８（Ｃ2）が
並列に接続されてバイアスされる。巻線トランス５５に
は２個の中間タップ６０ａ、６０ｂがあって、夫々巻線
５５ａ、５５ｂ、５５Ｃを形成している。前記巻線トラ
ンス５５の一つの中間タップ６０ｂは第１の巻線５５ａ
（Ｎ1）の一端を構成して前記トランジスタ５１のエミ
ッタと電源５３間に接続される。前記巻線トランス５５
の中間タップ６０ａ、６０ｂによって第２の巻線５５ｂ
が形成されてコンデンサ５９（Ｃ1），抵抗５７を経由
して前記トランジスタ５１のベースとエミッタ間に接続
されて帰還回路（正帰還）を構成する。前記巻線トラン
ス５５の中間タップ６０ａは第３の巻線５５ｃの一端を
形成して、第１の巻線５５ａと第２の巻線５５ｂと第３
の巻線５５ｃとが直列に接続されて巻線Ｎ2を構成し
て、負荷となる電界発光灯５４に接続される。
【０００４】文献Ａでは、トランジスタ５１のバイアス
電流値と、巻線トランス５５の夫々の巻線５５ａ、５５
ｂ、５５Ｃの巻線比を適宜設定し、発振条件を満たせば
負荷となる電界発光灯５４に必要な交流電圧を供給する
ことができる。
電流値と、巻線トランス５５の夫々の巻線５５ａ、５５
ｂ、５５Ｃの巻線比を適宜設定し、発振条件を満たせば
負荷となる電界発光灯５４に必要な交流電圧を供給する
ことができる。
【０００５】しかしながら、文献Ａでは、電界発光灯５
４に限定されており、本発明の分散型ＥＬ素子に固有の
負荷インピーダンスの容量性による力率の低下の改善の
必要性には言及されていない。即ち、負荷として発光素
子にＥＬ素子を用いた場合は、ＥＬ素子は電気的に容量
特性であり、巻線トランス５５の巻線Ｎ2はインダクタ
特性であり、両者の直列共振の周波数を駆動周波数とす
るときにＥＬ素子を効率良く駆動できるのであるが、必
ずしも一致できず、駆動できる負荷インピーダンスの位
相を整合できない場合が多い。このために、発光効率が
悪くなり消費電力を低減できないという問題があった。
本発明の目的は、前述の欠点を除去して、ＥＬ素子を効
率良く駆動できる負荷インピーダンスの位相の整合を図
るための回路構成に係わるものである。
４に限定されており、本発明の分散型ＥＬ素子に固有の
負荷インピーダンスの容量性による力率の低下の改善の
必要性には言及されていない。即ち、負荷として発光素
子にＥＬ素子を用いた場合は、ＥＬ素子は電気的に容量
特性であり、巻線トランス５５の巻線Ｎ2はインダクタ
特性であり、両者の直列共振の周波数を駆動周波数とす
るときにＥＬ素子を効率良く駆動できるのであるが、必
ずしも一致できず、駆動できる負荷インピーダンスの位
相を整合できない場合が多い。このために、発光効率が
悪くなり消費電力を低減できないという問題があった。
本発明の目的は、前述の欠点を除去して、ＥＬ素子を効
率良く駆動できる負荷インピーダンスの位相の整合を図
るための回路構成に係わるものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】課題を解決するためにな
された本発明の請求項１のジャイレータを用いたＥＬイ
ンバータは、能動素子と複数個の中間タップのある巻線
トランスで構成された発振器の出力側にＥＬ（エレクト
ロルミネッセンス）素子を接続してなるインバータ回路
において、前記巻線トランスの２個の中間タップを経由
して形成される第１の巻線の出力を第１のコンデンサを
経由して前記能動素子の入力端子と供給高電圧端子に接
続して帰還回路を形成し、前記第１の巻線と電源とに繋
がる前記第２の巻線との間に第２のコンデンサを接続
し、前記能動素子の入力端子と供給高電圧端子間を抵抗
で接続し、前記能動素子の供給低電圧端子と供給高電圧
端子間に前記中間タップの一つを経由して第２の巻線を
接続して前記発振器の出力回路を形成し、前記中間タッ
プのもう一つを経由して第３の巻線を設け、前記第１の
巻線と前記第２の巻線と前記第３の巻線とジャイレータ
とが直列に接続されて前記ＥＬ素子の両電極に接続され
たことを特徴とするものである。
された本発明の請求項１のジャイレータを用いたＥＬイ
ンバータは、能動素子と複数個の中間タップのある巻線
トランスで構成された発振器の出力側にＥＬ（エレクト
ロルミネッセンス）素子を接続してなるインバータ回路
において、前記巻線トランスの２個の中間タップを経由
して形成される第１の巻線の出力を第１のコンデンサを
経由して前記能動素子の入力端子と供給高電圧端子に接
続して帰還回路を形成し、前記第１の巻線と電源とに繋
がる前記第２の巻線との間に第２のコンデンサを接続
し、前記能動素子の入力端子と供給高電圧端子間を抵抗
で接続し、前記能動素子の供給低電圧端子と供給高電圧
端子間に前記中間タップの一つを経由して第２の巻線を
接続して前記発振器の出力回路を形成し、前記中間タッ
プのもう一つを経由して第３の巻線を設け、前記第１の
巻線と前記第２の巻線と前記第３の巻線とジャイレータ
とが直列に接続されて前記ＥＬ素子の両電極に接続され
たことを特徴とするものである。
【０００７】課題を解決するためになされた本発明の請
求項２のジャイレータを用いたＥＬインバータの前記能
動素子は、ＦＥＴまたはトランジスタで構成されたこと
を特徴とするものである。
求項２のジャイレータを用いたＥＬインバータの前記能
動素子は、ＦＥＴまたはトランジスタで構成されたこと
を特徴とするものである。
【０００８】課題を解決するためになされた本発明の請
求項２のジャイレータを用いたＥＬインバータの前記ジ
ャイレータは、複数個の能動半導体と複数個の受動部品
によって構成されたことを特徴とするものである。
求項２のジャイレータを用いたＥＬインバータの前記ジ
ャイレータは、複数個の能動半導体と複数個の受動部品
によって構成されたことを特徴とするものである。
【０００９】課題を解決するためになされた本発明の請
求項２のジャイレータを用いたＥＬインバータは、前記
ジャイレータと前記ＥＬ素子とで形成される負荷インピ
ーダンスのリアクタンス成分をほぼ零とする共振回路を
構成して該共振周波数に近い駆動周波数で、前記ＥＬ素
子を駆動することを特徴とするものである。
求項２のジャイレータを用いたＥＬインバータは、前記
ジャイレータと前記ＥＬ素子とで形成される負荷インピ
ーダンスのリアクタンス成分をほぼ零とする共振回路を
構成して該共振周波数に近い駆動周波数で、前記ＥＬ素
子を駆動することを特徴とするものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下では、本発明の実施の形態を
図面に基づいて説明する。図１は、本発明のＥＬインバ
ータの回路構成のブロック図である。図２は、本発明の
ジャイレータの回路構成図である。図３は、本発明のジ
ャイレータの等価回路図である。図４は、本発明のＥＬ
素子と本発明のジャイレータとの共振回路の説明図であ
る。また、説明を簡単にするために、従来例の説明に用
いた符号を共通に使用することにする。なを、本発明で
用いる能動素子は、トランジスタまたはＦＥＴいずれで
も良いが、ここでは簡単のためにｎ型トランジスタを用
いて説明する。
図面に基づいて説明する。図１は、本発明のＥＬインバ
ータの回路構成のブロック図である。図２は、本発明の
ジャイレータの回路構成図である。図３は、本発明のジ
ャイレータの等価回路図である。図４は、本発明のＥＬ
素子と本発明のジャイレータとの共振回路の説明図であ
る。また、説明を簡単にするために、従来例の説明に用
いた符号を共通に使用することにする。なを、本発明で
用いる能動素子は、トランジスタまたはＦＥＴいずれで
も良いが、ここでは簡単のためにｎ型トランジスタを用
いて説明する。
【００１１】図１において、バイポーラトランジスタ
（以下トランジスタ）５１と巻線トランス５５とその負
荷となる分散型のＥＬ素子２０とで構成されている。ト
ランジスタ５１のコレクタ（供給高電圧端子）とエミッ
タ（供給低電圧端子）は電源５２、５３に接続され、ト
ランジスタ５１のベース（入力端子）と電源５２間に抵
抗５６（Ｒ1）と抵抗５７（Ｒ2）とコンデンサ５８（Ｃ
2）が並列に接続されてバイアスされる。巻線トランス
５５には２個の中間タップ６０ａ、６０ｂがあって、夫
々巻線５５ａ、５５ｂ、５５Ｃを形成している。前記巻
線トランス５５の一つの中間タップ６０ｂは第１の巻線
５５ａ（Ｎ1）の一端を構成して前記トランジスタ５１
のエミッタと電源５３間に接続される。前記巻線トラン
ス５５の中間タップ６０ａ、６０ｂによって第２の巻線
５５ｂが形成されてコンデンサ５９（Ｃ1），抵抗５７
を経由して前記トランジスタ５１のベースとエミッタ間
に接続されて帰還回路（正帰還）を構成する。前記巻線
トランス５５の中間タップ６０ａは第３の巻線５５ｃの
一端を形成して、第１の巻線５５ａと第２の巻線５５ｂ
と第３の巻線５５ｃとが直列に接続されて巻線Ｎ2を構
成して、負荷となる分散型のＥＬ素子２０に、後述する
ジャイレータ１０が接続端子１０ａ、１０ｂを経由して
接続される。なを、能動素子をＦＥＴとするときは、Ｆ
ＥＴは熱暴走が原理的に発生しないため電流制限抵抗５
７は不要である。
（以下トランジスタ）５１と巻線トランス５５とその負
荷となる分散型のＥＬ素子２０とで構成されている。ト
ランジスタ５１のコレクタ（供給高電圧端子）とエミッ
タ（供給低電圧端子）は電源５２、５３に接続され、ト
ランジスタ５１のベース（入力端子）と電源５２間に抵
抗５６（Ｒ1）と抵抗５７（Ｒ2）とコンデンサ５８（Ｃ
2）が並列に接続されてバイアスされる。巻線トランス
５５には２個の中間タップ６０ａ、６０ｂがあって、夫
々巻線５５ａ、５５ｂ、５５Ｃを形成している。前記巻
線トランス５５の一つの中間タップ６０ｂは第１の巻線
５５ａ（Ｎ1）の一端を構成して前記トランジスタ５１
のエミッタと電源５３間に接続される。前記巻線トラン
ス５５の中間タップ６０ａ、６０ｂによって第２の巻線
５５ｂが形成されてコンデンサ５９（Ｃ1），抵抗５７
を経由して前記トランジスタ５１のベースとエミッタ間
に接続されて帰還回路（正帰還）を構成する。前記巻線
トランス５５の中間タップ６０ａは第３の巻線５５ｃの
一端を形成して、第１の巻線５５ａと第２の巻線５５ｂ
と第３の巻線５５ｃとが直列に接続されて巻線Ｎ2を構
成して、負荷となる分散型のＥＬ素子２０に、後述する
ジャイレータ１０が接続端子１０ａ、１０ｂを経由して
接続される。なを、能動素子をＦＥＴとするときは、Ｆ
ＥＴは熱暴走が原理的に発生しないため電流制限抵抗５
７は不要である。
【００１２】図２において、抵抗をアドミッタンス表記
したジャイレータ１０には、正の電源Ｅc（＋）が、ト
ランジスタ１１のコレクタへ、またトランジスタ１２の
コレクタへアドミッタンスＧ4 を介して接続される。入
力端子１０ａは、トランジスタ１１のベースと、アドミ
ッタンスＧ3 を介してトランジスタ１１のコレクタへ接
続される。入力端子１０ｂは、アドミッタンスを介して
トランジスタ１１のエミッタへ、またアドミッタンスＧ
１ を介してトランジスタ１３に接続され、トランジス
タ１２のベースと負荷端子１５ｂに接続される。トラン
ジスタ１３のコレクタは入力端子１０ａに接続され、ト
ランジスタ１２のコレクタはトランジスタ１３のベース
へ接続されると同時に負荷端子１５ａに接続される。負
の電源Ｅｃ（−）は抵抗Ｒ１０を介してトランジスタ１
２のベースに接続される。負荷端子１５ａ、１５ｂ間に
例えばコンデンサ１６を接続すると、入力端子１０ａ、
１０ｂ間から見てインダクタに等価的に置き換えること
ができる。ジャイレータ１０の回路は、以下の式で入出
力関係が示される。
したジャイレータ１０には、正の電源Ｅc（＋）が、ト
ランジスタ１１のコレクタへ、またトランジスタ１２の
コレクタへアドミッタンスＧ4 を介して接続される。入
力端子１０ａは、トランジスタ１１のベースと、アドミ
ッタンスＧ3 を介してトランジスタ１１のコレクタへ接
続される。入力端子１０ｂは、アドミッタンスを介して
トランジスタ１１のエミッタへ、またアドミッタンスＧ
１ を介してトランジスタ１３に接続され、トランジス
タ１２のベースと負荷端子１５ｂに接続される。トラン
ジスタ１３のコレクタは入力端子１０ａに接続され、ト
ランジスタ１２のコレクタはトランジスタ１３のベース
へ接続されると同時に負荷端子１５ａに接続される。負
の電源Ｅｃ（−）は抵抗Ｒ１０を介してトランジスタ１
２のベースに接続される。負荷端子１５ａ、１５ｂ間に
例えばコンデンサ１６を接続すると、入力端子１０ａ、
１０ｂ間から見てインダクタに等価的に置き換えること
ができる。ジャイレータ１０の回路は、以下の式で入出
力関係が示される。
【００１３】
【数１】 ここで、v1、 i1は，入力端子１４ａ、１４ｂに印加さ
れる電圧、電流、v2 、 i2は負荷端子１５ａ、１５ｂの
電圧、電流である。
れる電圧、電流、v2 、 i2は負荷端子１５ａ、１５ｂの
電圧、電流である。
【００１４】（１）式で、回路定数を適宜選べば、
（１）式は次式の形式で表される。
（１）式は次式の形式で表される。
【数２】 （２）式で、２次側の負荷インピーダンスをＺとして、 ｖ2＝ーＺ i2 … （３） と置き、v1 ／ i1 を求めれば、 v1 ／ i1＝ー１／Ｇ2Ｚ … （４） （４）式が得られる。即ち、２次側の負荷インピーダン
スＺが容量性であれば、１次側から見たインピーダンス
は、誘導性となることが分かる。
スＺが容量性であれば、１次側から見たインピーダンス
は、誘導性となることが分かる。
【００１５】図３において、ジャイレータ１０は、等価
的には直列に接続されたインダクタ１７と抵抗１８に直
列に接続されて構成される。ジャイレータ１０は、設計
によって数ヘンリーに達する誘導性の高い等価回路とす
ることができる。
的には直列に接続されたインダクタ１７と抵抗１８に直
列に接続されて構成される。ジャイレータ１０は、設計
によって数ヘンリーに達する誘導性の高い等価回路とす
ることができる。
【００１６】図４において、ＥＬ素子２０の容量２１
は、Ｘと表記した合成リアクタンス２２とｒと表記した
合成抵抗２３と直列に接続されて巻線トランスの２次側
の負荷となる。
は、Ｘと表記した合成リアクタンス２２とｒと表記した
合成抵抗２３と直列に接続されて巻線トランスの２次側
の負荷となる。
【００１７】ＥＬ素子２０を共振させて、その共振周波
数に近い駆動周波数でＥＬ素子２０を駆動することがで
きれば負荷回路のリアクタンス成分はほぼ零となるので
力率は最大になる。しかし、トランス５５の２次巻線５
５ｃのインダクタンスＬだけでＥＬ素子２０の容量２１
と共振させることは、種々の大きさのＥＬ素子に対応し
ようとすると、ＥＬ素子の容量がその面積に比例して変
化するために極めて困難となる。そこで、トランス５５
には、ＥＬ素子２０を駆動する電圧の昇圧のみを分担さ
せ、本発明の駆動回路では負荷回路の位相の最適化はジ
ャイレータ１０を用いて行うものである。
数に近い駆動周波数でＥＬ素子２０を駆動することがで
きれば負荷回路のリアクタンス成分はほぼ零となるので
力率は最大になる。しかし、トランス５５の２次巻線５
５ｃのインダクタンスＬだけでＥＬ素子２０の容量２１
と共振させることは、種々の大きさのＥＬ素子に対応し
ようとすると、ＥＬ素子の容量がその面積に比例して変
化するために極めて困難となる。そこで、トランス５５
には、ＥＬ素子２０を駆動する電圧の昇圧のみを分担さ
せ、本発明の駆動回路では負荷回路の位相の最適化はジ
ャイレータ１０を用いて行うものである。
【００１８】ＥＬ素子２０の共振周波数ｆ0 は次の式で
表される。
表される。
【数３】 ｆ0 ＝１／２π［( Ｌ＋Ｌ´)Ｃ］1/2 …… （５） ここで、Ｌ ；トランス５５の２次巻線５５ｃのインダ
クタンス Ｌ´；ジャイレータの等価インダクタ Ｃ ；ＥＬ素子の容量
クタンス Ｌ´；ジャイレータの等価インダクタ Ｃ ；ＥＬ素子の容量
【００１９】例えば、ＥＬ素子の容量Ｃが８［ｎＦ］
で、トランス５５の２次巻線５５ｃのインダクタンスＬ
が１［Ｈ］のとき、ジャイレータの等価インダクタＬ´
が４．６［Ｈ］ならば、f0 は７６０Ｈzとなる。このと
き、トランス５５の２次側の回路の力率はほぼ１００％
となる。
で、トランス５５の２次巻線５５ｃのインダクタンスＬ
が１［Ｈ］のとき、ジャイレータの等価インダクタＬ´
が４．６［Ｈ］ならば、f0 は７６０Ｈzとなる。このと
き、トランス５５の２次側の回路の力率はほぼ１００％
となる。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、ＥＬ素子の駆動回路の
力率を、簡単な回路構成で最大にすることができるの
で、低消費電力化が図られることは明らかである。
力率を、簡単な回路構成で最大にすることができるの
で、低消費電力化が図られることは明らかである。
【００２１】また、本発明によれば、ＥＬ駆動に必要な
電圧をトランスによって得ること、負荷回路の位相はジ
ャイレータの等価インダクタＬ´とトランス５５の２次
巻線５５ｃのインダクタンスＬの和によってＥＬ素子２
０との共振を図って負荷回路のリアクタンス成分を零と
して得られるので、設計に柔軟性があり実用効果は顕著
である。
電圧をトランスによって得ること、負荷回路の位相はジ
ャイレータの等価インダクタＬ´とトランス５５の２次
巻線５５ｃのインダクタンスＬの和によってＥＬ素子２
０との共振を図って負荷回路のリアクタンス成分を零と
して得られるので、設計に柔軟性があり実用効果は顕著
である。
【図１】本発明のＥＬインバータの回路構成のブロック
図である。
図である。
【図２】本発明のジャイレータの回路構成図である。
【図３】本発明のジャイレータの等価回路図である。
【図４】本発明のジャイレータの等価インダクタとＥＬ
素子との共振回路の説明図である。
素子との共振回路の説明図である。
【図５】従来例のＥＬインバータの回路構成図である。
１０ ジャイレータ １０ａ、１０ｂ 出力端子 １１、１２、１３、５１ トランジスタ １４ａ，１４ｂ ジャイレータの入力端子 １５ａ、１５ｂ ジャイレータの負荷端子 １６ 負荷インピーダンス １７ ジャイレータの等価インダクタ １８ ジャイレータの等価抵抗 １４、５８、５９ コンデンサ ２０ ＥＬ素子 ５２、５３ 電源 ５５ 巻線トランス ５５ａ 第１の巻線 ５５ｂ 第２の巻線 ５５ｃ 第３の巻線 Ｅｃ（＋）、Ｅｃ（ー） ジャイレータの電源 G1 、G2 、G3 、G4 ジャイレータ回路のアドミッタン
ス
ス
Claims (4)
- 【請求項１】 能動素子と複数個の中間タップのある巻
線トランスで構成された発振器の出力側にＥＬ（エレク
トロルミネッセンス）素子を接続してなるインバータ回
路において、前記巻線トランスの２個の中間タップを経
由して形成される第１の巻線の出力を第１のコンデンサ
を経由して前記能動素子の入力端子と供給高電圧端子に
接続して帰還回路を形成し、前記第１の巻線と電源とに
繋がる前記第２の巻線との間に第２のコンデンサを接続
し、前記能動素子の入力端子と供給高電圧端子間を抵抗
で接続し、前記能動素子の供給低電圧端子と供給高電圧
端子間に前記中間タップの一つを経由して第２の巻線を
接続して前記発振器の出力回路を形成し、前記中間タッ
プのもう一つを経由して第３の巻線を設け、前記第１の
巻線と前記第２の巻線と前記第３の巻線とジャイレータ
とが直列に接続されて前記ＥＬ素子の両電極に接続され
たことを特徴とするジャイレータを用いたＥＬインバー
タ。 - 【請求項２】 前記能動素子は、ＦＥＴまたはトランジ
スタで構成されたことを特徴とする請求項１に記載のジ
ャイレータを用いたＥＬインバータ。 - 【請求項３】 前記ジャイレータは、複数個の能動半導
体と複数個の受動部品によって構成されたことを特徴と
する請求項１に記載のジャイレータを用いたＥＬインバ
ータ。 - 【請求項４】 前記ジャイレータと前記ＥＬ素子とで形
成される負荷インピーダンスのリアクタンス成分をほぼ
零とする共振回路を構成して該共振周波数に近い駆動周
波数で、前記ＥＬ素子を駆動することを特徴とする請求
項２に記載のジャイレータを用いたＥＬインバータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10352175A JP2000164352A (ja) | 1998-11-27 | 1998-11-27 | ジャイレータを用いたｅｌインバータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10352175A JP2000164352A (ja) | 1998-11-27 | 1998-11-27 | ジャイレータを用いたｅｌインバータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000164352A true JP2000164352A (ja) | 2000-06-16 |
Family
ID=18422299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10352175A Pending JP2000164352A (ja) | 1998-11-27 | 1998-11-27 | ジャイレータを用いたｅｌインバータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000164352A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9318251B2 (en) | 2006-08-09 | 2016-04-19 | Coilcraft, Incorporated | Method of manufacturing an electronic component |
-
1998
- 1998-11-27 JP JP10352175A patent/JP2000164352A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9318251B2 (en) | 2006-08-09 | 2016-04-19 | Coilcraft, Incorporated | Method of manufacturing an electronic component |
| US10319507B2 (en) | 2006-08-09 | 2019-06-11 | Coilcraft, Incorporated | Method of manufacturing an electronic component |
| US11869696B2 (en) | 2006-08-09 | 2024-01-09 | Coilcraft, Incorporated | Electronic component |
| US12094633B2 (en) | 2006-08-09 | 2024-09-17 | Coilcraft, Incorporated | Method of manufacturing an electronic component |
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