JP2000144110A - 磁気ディスク基盤用アルミニウム合金板用研削加工液及び研削加工方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 加工後のサブストレートの品質が良好である
と共に、生産性が高く、処理コストが低い磁気ディスク
基盤用アルミニウム合金板用研削加工液及び研削加工方
法の提供。 【解決手段】 下記一般式（１）で示される化合物（Ａ
１）と、炭素数８乃至３６の脂肪族カルボン酸又はその
塩（Ｂ）及び／又は脂肪族カルボン酸の炭素数が８乃至
３６の脂肪族カルボン酸アミド（Ｃ）を２０／８０乃至
９９／１の重量比で含有する。 Ｘ₁−Ｒ₁−Ｏ−｛（ＡＯ）_p1／（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_q1｝−
Ｑ₁ …（１） ［式中、Ｘ₁は水素原子又は−Ｏ−｛（ＡＯ）_p1／（Ｃ
Ｈ₂ＣＨ₂Ｏ）_q1｝−Ｑ₂、Ｑ₁は−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＭ）₂
−、Ｑ₂は水素原子又はＱ₁を表す。］Ｒ₁は炭素数１乃
至３０の２価の炭化水素基、Ａは炭素数３乃至４のアル
キレン基を表し、ｐ₁の合計は３２乃至３００の整数、
ｑ₁の合計は０又は１乃至４０の整数を表す。Ｍはカチ
オン成分を表す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は記録媒体としての磁
気ディスク基盤に使用されるアルミニウム合金板の研削
加工液及び研削加工方法に関し、更に詳述すれば、研削
加工後に製品となるサブストレートの表面粗度を小さく
し、スクラッチによる製品サブストレートの不良発生を
防止し、更に凝集沈殿法による排水処理性が優れた磁気
ディスク基盤用アルミニウム合金板用研削加工液及び研
削加工方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】コンピューターの記憶装置であるハード
ディスクドライブ（以下、ＨＤＤ）に使用される一般的
な磁気ディスクの製造方法を以下に示す。先ず、ＪＩＳ
５０８６系のアルミニウム合金の薄板をプレスでドーナ
ツ状に打ち抜く。打ち抜いたワークの平坦度を出すため
にワークを重ねて加圧焼鈍を行い、所謂ブランクを作成
する。

【０００３】焼鈍後のブランクは、疵防止のため、その
内縁部及び外縁部を切削除去する。この端面加工を経た
後、ブランクは砥石でグラインド加工して表面粗度を小
さくし、所謂サブストレートとする研削加工を行う。研
削加工にはＰＶＡ砥石に代表される多孔質の砥石を使用
する。そして、水平に固定されたブランクの両面に砥石
を押圧してブランクの研削面を砥石で加圧し、上側砥石
からグラインド加工用の水溶性研削液を一定量供給しな
がら、研削加工機を回転することによりブランク表面を
砥粒により研削除去し、目的の板厚まで加工する。

【０００４】サブストレート加工後はサブストレート表
面に膜厚５乃至２０μｍ程度のＮｉ−Ｐメッキを施し、
更に遊離砥粒を含んだ研磨液を供給しながらクロスポリ
ッシング加工を行ってメッキ面を研磨し、Ｎｉ−Ｐメッ
キ基盤を作成する。

【０００５】このＮｉ−Ｐメッキ基盤を作成した後、最
後に磁性膜をスパッタリングにて被着すると、磁気ディ
スクが完成する。

【０００６】近時、磁気ディスクの高記録密度化の要求
がますます高くなり、磁気ヘッドの浮上量を小さくする
傾向にある。このため、磁気ディスクの表面粗度を小さ
くする必要がある。その一環としてＮｉ−Ｐメッキ前の
サブストレート表面の粗度を低下させる要求が高まって
いる。その一方で、ＨＤＤの低価格化の影響により、サ
ブストレートの製造コストを低減するため、製品歩留り
を向上させるという要望がある。

【０００７】このような背景の下で、グラインド加工用
の研削液としては、従来、水溶性の脂肪酸塩、脂肪酸ア
ミド、アルキルリン酸エステル塩、アルカノールアミン
を主成分としたものを、水に希釈して使用していた。そ
して、加工が終わった研削液は排水処理槽へ運ばれ、硫
酸バンド等に代表される凝集剤及び凝集肋剤を添加さ
れ、排水の中に含まれる研削液の成分が凝集沈殿されて
液中から取り除かれ、法律等で定められた排水に関する
規制値を下回っていることを確認した後、排水処理され
る。

【０００８】しかし、これらのグラインド加工用の研削
液では磁気ディスクの高密度化の要求に伴い、サブスト
レート表面の粗度の低下に対して十分な性能を示すもの
ではなかった。そこで、潤滑性が高いノニオン系の界面
活性剤等の使用が試みられるようになり、これらのもの
はサブストレート表面の粗度の低下に対して効果が認め
られた。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ノニオン系の界面活性剤は、凝集処理による排水処理が
困難であり、処理後の排水が高ＣＯＤを示し、上述の方
法では排水処理できないという欠点を有している。

【００１０】サブストレート表面の粗度の低下 グラインド加工後、サブストレートの表面粗度が大きい
場合、Ｎｉ−Ｐメッキ後の粗度も大きくなることが分か
っている。粗度が高いサブストレートを使用することで
粗度が大きくなってしまったＮｉ−Ｐメッキ後の基盤
で、高記録密度化対応の低粗度磁気ディスクを製造する
には、ポリッシュ工程で、ポリッシュにかける時間を長
くする必要があり、磁気ディスクの生産性の低下を招
く。

【００１１】サブストレート表面の微小疵（以下、ス
クラッチという。）の低減 スクラッチはサブストレート加工中にアルミニウム合金
板の研削層、脱落した砥石の砥粒、及び研削機の錆びた
部分の鉄粉等が、加工中のサブストレートの表面を擦る
ことにより発生する。スクラッチのあるサブストレート
は不良品として捨てられるため、生産歩留りを低下さ
せ、生産性を低下させる原因になる。

【００１２】凝集沈殿法による排水処理性が良好 排水処理方法には、凝集沈殿方式のほか、バクテリアに
よる微生物分解の方法があり、これなら高ＣＯＤの廃液
でも排水処理が可能である。しかしながら、その方法は
処理コストがかかること、廃液処理の時間がかかり、単
位時間に限られた量の廃液しか処理できないこと等の問
題点があり、生産性及び処理コストの面で凝集沈殿法に
及ばない。

【００１３】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、加工後のサブストレートの品質が良好であ
ると共に、生産性が高く、処理コストが低い磁気ディス
ク基盤用アルミニウム合金板用研削加工液及び研削加工
方法を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明に係る磁気ディス
ク基盤用アルミニウム合金板用研削加工液は、下記一般
式（１）で示される化合物（Ａ１）と、炭素数８乃至３
６の脂肪族カルボン酸又はその塩（Ｂ）及び／又は脂肪
族カルボン酸の炭素数が８乃至３６の脂肪族カルボン酸
アミド（Ｃ）を２０／８０乃至９９／１の重量比で含有
することを特徴とする。 Ｘ₁−Ｒ₁−Ｏ−｛（ＡＯ）_p1／（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_q1｝−Ｑ₁ …（１） 但し、一般式中、Ｘ₁は水素原子又は−Ｏ−｛（ＡＯ）
_p1／（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_{q 1}｝−Ｑ₂である。Ｑ₁は下記一般
式（３）で示されるリン酸エステル（塩）基、Ｑ₂は水
素原子又はＱ₁を表す。

【００１５】Ｒ₁は炭素数１乃至３０の２価の炭化水素
基、Ａは炭素数３乃至４のアルキレン基、ｐ₁、ｑ₁は夫
々同じでも異なっていてもよい。ｐ₁の合計は３２乃至
３００の整数、ｑ₁の合計は０又は１乃至４０の整数を
表す。Ｍはカチオン成分を表す。但し、ｑ₁が１以上の
場合、｛（ＡＯ）_p1／（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_q1｝はランダム
付加及び／又はブロック付加を表し、付加順序は問わな
い。

【００１６】この場合、更に下記一般式（２）で表され
る化合物（Ａ２）を含有し、化合物（Ａ１）／化合物
（Ａ２）の重量比が１０／９０乃至９９／１であること
が好ましい。 Ｘ₂−Ｒ₂−Ｏ−｛（ＡＯ）_p2／（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_q2｝−Ｈ …（２） 但し、一般式中、Ｘ₂は水素原子又は下記一般式
（４）で示される。 −Ｏ−｛（ＡＯ）_p2／（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_q2｝−Ｈ …（４）

【００１７】Ｒ₂は炭素数１乃至３０の２価の炭化水素
基、Ａは炭素数３乃至４のアルキレン基、ｐ₂、ｑ₂は夫
々同じでも異なっていてもよい。ｐ₂の合計は３２乃至
３００の整数、ｑ₂の合計は０又は１乃至４０の整数を
表す。但し、ｑ₂が１以上の場合、｛（ＡＯ）_p2／（Ｃ
Ｈ₂ＣＨ₂Ｏ）_q2｝はランダム付加及び／又はブロック付
加を表し、付加順序は問わない。

【００１８】また、前記化合物（Ａ１）中のポリオキシ
アルキレン鎖及び前記化合物（Ａ２）中のポリオキシア
ルキレン鎖の数平均分子量が２０００乃至２００００で
あることが好ましい。

【００１９】本発明に係る磁気ディスク基盤用アルミニ
ウム合金板の研削加工方法は、磁気ディスク基盤用アル
ミニウム合金板を多孔質砥石で挟み込んで加圧し、請求
項１乃至３のいずれか１項に記載の研削加工液を前記磁
気ディスク基盤用アルミニウム合金板の研削加工面に供
給しつつ、前記磁気ディスク基盤用アルミニウム合金板
と前記多孔質砥石とを相対運動させることによって、前
記砥石で前記磁気ディスク基盤用アルミニウム合金板を
所定の板厚まで研削加工する工程を有し、使用時におけ
る研削加工液中の前記化合物［（Ａ１）＋（Ｂ）＋
（Ｃ）］、又は［（Ａ１）＋（Ａ２）＋（Ｂ）＋
（Ｃ）］の合計の含有量が０．０１乃至２重量％である
ことを特徴とする。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例に係る磁気
ディスク基盤用アルミニウム合金板用研削加工液及び研
削加工方法について詳細に説明する。

【００２１】本願発明者等は、前記目的を達成するため
磁気ディスク基盤用アルミニウム合金板用研削加工液に
ついて研究を重ねた結果、前述の一般式（１）で示され
るリン酸エステル（塩）基を有するポリエーテル化合物
（Ａ１）と、炭素数８乃至３６の脂肪族カルボン酸又は
その塩（Ｂ）及び／又は脂肪族カルボン酸の炭素数が８
乃至３６の脂肪族カルボン酸アミド（Ｃ）を２０／８０
乃至９９／１の重量比で含有する磁気ディスク基盤用ア
ルミニウム合金板用研削加工液により、本願発明の目的
を達成できることを見いだした。

【００２２】本発明の化合物（Ａ１）を示す一般式
（１）及び化合物（Ａ２）を示す一般式（２）におい
て、Ｒ₁、Ｒ₂は炭素数１乃至３０の２価の炭化水素基で
あり、炭化水素基としては、炭素数１乃至３０のアルキ
レン基、炭素数３乃至３０のアルケニレン基又は無置換
若しくはアルキル置換のアリーレン基が挙げられる。

【００２３】炭素数１乃至３０のアルキレン基として
は、直鎖又は分岐のいずれのアルキレン基でもよく、例
えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプ
ロビレン基、ｎ−ブチレン基、１,２−ブチレン基、イ
ソブチレン基、直鎖又は分岐のペンチレン基、ヘキシレ
ン基、へプチレン基、オクチレン基、ノネン基、デシレ
ン基、ウンデシレン基、ドデシレン基、トリデシレン
基、テトラデシレン基、ペンタデシレン基、ヘキサデシ
レン基、ヘプタデシレン基、オクタデシレン基、エイコ
シレン基、ヘンエイコシレン基、ドコシレン基、トリコ
シレン基、テトラコシレン基、ペンタコシレン基、ヘキ
サコシレン基、ヘプタコシレン基、オクタコシレン基、
ノナコシレン基及びトリアコンチレン基等が挙げられ
る。

【００２４】炭素数３乃至３０のアルケニレン基として
は、直鎖又は分岐のいずれのアルケニレン基でもよく、
例えば、プロペニレン基、直鎖又は分岐のブテニレン
基、ペンテニレン基、ヘキセニレン基、ヘプテニレン
基、オクテニレン基、ノネニレン基、デセニレン基、ウ
ンデセニレン基、ドデセニレン基、トリデセニレン基、
テトラデセニレン基、ペンタデセニレン基、ヘキサデセ
ニレン基、ヘプタデセニレン基、オクタデセニレン基、
エイコセニレン基、ヘンエイコセニレン基、ドコセセニ
レン基、トリコセニレン基、テトラコセニレン基、ペン
タコセニレン基、ヘキサコセニレン基、ヘプタコセニレ
ン基、オクタコセニレン基、ノナコセニレン基及びトリ
アコンテニレン基等が挙げられる。

【００２５】アリーレン基としては、炭素数６乃至３０
の無置換アリーレン基、炭素数１乃至２４の１乃至１２
個のアルキル基で置換された総炭素数が７乃至３０のア
リーレン基が挙げられる。例えば、無置換アリーレン基
である−ｐｈ−ｐｈ−、−ｐｈ−Ｃ（ＣＨ₃）₂−ｐｈ−
（但し、−ｐｈ−はフェニレン基を表す。）、ｏ，ｍ，
ｐ−フェニレン基；アルキル置換アリーレン基であるト
ルイレン基、クレジレン基、エチルフェニレン基、ｎ−
プロピルフェニレン基、イソプロピルフェニレン基、直
鎖又は分岐のブチルフェニレン基、直鎖又は分岐のペン
チルフェニレン基、直鎖又は分岐のヘキシルフェニレン
基、直鎖又は分岐のヘプチルフェニレン基、直鎖又は分
岐のオクチルフェニレン基、直鎖又は分岐のノニルフェ
ニレン基、直鎖又は分岐のデシルフェニレン基、直鎖又
は分岐のウンデシルフェニレン基、及び直鎖又は分岐の
ドデシルフェニレン基等が挙げられる。

【００２６】前記一般式（１）に示すＸ₁、又は前記一
般式（２）に示すＸ₂が水素原子の場合、これらのう
ち、好ましいのは、炭素数８乃至２２のアルキレン基及
び炭素数８乃至２２のアルケニレン基、更に好ましいの
は炭素数１２乃至１８のアルキレン基及び炭素数１２乃
至１８のアルケニレン基、特に好ましいのは炭素数１２
乃至１８のアルキレン基である。

【００２７】前記一般式中（１）のＸ₁が下記一般式
（５）である場合、これらのうち、好ましいのは、炭素
数２乃至１２のアルキレン基、炭素数２乃至１２のアル
ケニレン基、更に好ましいのはプロピレン基、１,２−
ブチレン基及び１,４−ブチレン基、特に好ましいのは
プロピレン基である。

【００２８】

【化１】 −Ｏ−{（ＡＯ）_p1／（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_q1}−Ｑ₂ …（５）

【００２９】前記一般式（２）中のＸ₂が前記一般式
（４）である場合、これらのうち、好ましいのは、炭素
数２乃至１２のアルキレン基、炭素数２乃至１２のアル
ケニレン基、更に好ましいのはプロピレン基、１,２−
ブチレン基及び１,４−ブチレン基、特に好ましいのは
プロピレン基である。

【００３０】Ｑ１は前記一般式（３）で表されるリン酸
エステル（塩）基であり、Ｍはカチオン成分を示し、具
体的には水素、アルカリ金属（リチウム、ナトリウム、
カリウム、ルビジウム、セシウム、フランシウム）、ア
ルカリ土類金属（ベリリウム、マグネシウム、カルシウ
ム、ストロンチウム、バリウム）、アンモニウム、モノ
−、ジ−及びトリ−アルキル（アルキル基の炭素数１乃
至２０）アミン、モノ−、ジ−及びトリ−アルカノール
（ヒドロキシアルキル基の炭素数１乃至２０）アミン等
が挙げられる。これらのうち、好ましいのはアルカリ金
属であり、特に好ましいのはナトリウム及びカリウムで
ある。

【００３１】ｐ₁の合計及びｐ₂の合計は炭素数３乃至４
のアルキレンオキサイドの付加モル数を表し、通常、３
２乃至３００の整数であり、好ましくは、３２乃至１０
０の整数である。ｐ₁及びｐ₂が３２未満であると、サブ
ストレートの研削加工性が悪くなり、生産性を低下さ
せ、また、ｐ₁及びｐ₂が３００を超えると、粘性が大き
くなり、取り扱いが難しくなる。

【００３２】ｑ₁の合計及びｑ₂の合計はエチレンオキサ
イドの付加モル数を表し、ｑ₁及びｑ₂は通常０又は１乃
至４０の整数である。好ましくは、ｑ₁及びｑ₂は０又は
１乃至１５の整数である。凝集沈殿処理性の観点から、
エチレンオキサイド付加モル数は４０以下が好ましい。

【００３３】ｑ₁及びｑ₂が１以上の場合のアルキレンオ
キサイドの付加形式は、エチレンオキサイド（ＥＯ）と
炭素数３乃至４のアルキレンオキサイドとの２種以上の
ランダム付加でもブロック付加でもよく、付加順序は問
わない。好ましくは、プロピレンオキサイド（ＰＯ）ブ
ロック付加物へのエチレンオキサイド（ＥＯ）のブロッ
ク付加物である。

【００３４】一般式（１）及び一般式（２）におけるＡ
は、炭素数３乃至４のアルキレン基であり、ＡＯは水酸
基含有化合物に付加させる炭素数３乃至４のアルキレン
オキサイドに由来するオキシアルキレン基を表してい
る。このようなアルキレンオキサイドとしては、プロピ
レンオキサイド（ＰＯ）、１,２−ブチレンオキサイド
（ＢＯ）、イソブチレンオキサイド、２,３−ブチレン
オキサイド、オキセタン、メチルオキセタン及びテトラ
ヒドロフラン（ＴＨＦ）等が挙げられ、好ましくはＰＯ
及びＢＯ、更に好ましくはＰＯである。

【００３５】本発明の化合物（Ａ１）としては、ＨＲ₁
ＯＨ又はＲ₁（ＯＨ）₂で表される水酸基を有する化合物
（ａ）のアルキレンオキサイド付加物に更にリン酸エス
テル化剤により、リン酸エステル（塩）としたものが挙
げられる。

【００３６】（Ａ１）におけるＲ₁の炭素数が１であ
り、Ｘ₁が水素原子でない場合は、例えば、前記アルキ
レンオキサイド付加物２モルと塩化メチレン１モルとの
脱塩酸反応性生物であるジオールのリン酸エステル
（塩）が挙げられる。

【００３７】（ａ）のアルキレンオキサイド付加物にお
いて、ＥＯと共に他のアルキレンオキサイドを使用する
場合の付加様式は、ランダム付加でもブロック付加でも
よい。また、２種類以上のアルキレンオキサイドを併用
してもよい。

【００３８】このようなアルキレンオキサイド付加物と
しては、例えば、下記乃至に示すものがある。 化合物（ａ）に、ＰＯ、ＢＯ又はＴＨＦを単独付加し
たもの 化合物（ａ）に、ＰＯとＢＯをランダム付加又はブロ
ック付加したもの 付加物又は付加物に更にＥＯをブロック付加した
もの 化合物（ａ）に、ＰＯとＢＯとＥＯをランダム付加し
たもの 化合物（ａ）に、ＴＨＦとＥＯをランダム付加したも
の

【００３９】化合物（ａ）としては、一価アルコール、
例えば、メタノール、エタノール、１−、２−プロパノ
ール、１−ブタノール、イソブタノール、ｎ−オクチル
アルコール、ラウリルアルコール、オレイルアルコー
ル、ステアリルアルコール、ドデシルフェノール、チー
グラー触媒を使用して合成されたアルコール、オキソ法
で合成されたアルコール及びｎ−パラフィンの酸化によ
り得られる２級アルコール等の天然又は合成の直鎖又は
分岐の一価アルコール；並びに二価アルコール、例え
ば、エチレングリコール、プロピレングリコール、１,
４−ブタンジオール、１,２−ブタンジオール等の天然
又は合成の直鎖又は分岐の二価アルコールが挙げられ
る。

【００４０】（Ａ１）としては、例えば、化合物（ａ）
のＰＯ−ＥＯブロック付加体（「ＰＯ−ＥＯ」はＰＯ付
加物にＥＯをブロック付加することを表す。）のリン酸
エステル（塩）、化合物（ａ）のＰＯ・ＥＯランダム付
加体（「ＰＯ・ＥＯ」はＰＯとＥＯをランダムに付加す
ることを表す。）のリン酸エステル（塩）、化合物
（ａ）のＴＨＦ−ＥＯブロック付加体のリン酸エステル
（塩）、化合物（ａ）のＴＨＦ・ＥＯランダム付加体の
リン酸エステル（塩）が挙げられ、より好ましくは化合
物（ａ）のＰＯ−ＥＯのブロック付加体のリン酸エステ
ル（塩）である。

【００４１】本発明の化合物（Ａ１）のポリオキシアル
キレン鎖の数平均分子量は、通常、２０００乃至２００
００であり、好ましくは２２００乃至１００００であ
り、更に好ましくは２３００乃至５０００である。化合
物（Ａ１）の数平均分子量が２０００以上ではサブスト
レートの研削加工性が良好となり、生産性を向上させ
る。一方、化合物（Ａ１）の数平均分子量が２００００
以下であると粘度が大きくならず、取り扱いが容易であ
る。

【００４２】本発明の研削加工液に必要により、含有さ
れる化合物（Ａ２）は前述の（ａ）のアルキレンオキサ
イド付加物に相当するポリエーテル化合物であり、化合
物（Ａ１）を構築するポリエーテル化合物と同じもので
も異なっていてもよい。同じものである場合、（Ｘ₁＝
Ｘ₂、Ｒ₁＝Ｒ₂、ｐ₁＝ｐ₂、ｑ₁＝ｑ₂）は、（Ａ２）を
部分リン酸エステル（塩）化して、（Ａ１）と（Ａ２）
の組成物を得ることもできる。

【００４３】化合物（Ａ１）と化合物（Ａ２）を併用す
る場合の（Ａ１）と（Ａ２）の割合はリン酸エステル化
の条件又は配合量により調節できるが、凝集沈殿処理性
の観点から、化合物（Ａ１）／化合物（Ａ２）が重量比
で１０／９０乃至９９／１が好ましく、更に好ましくは
２５／７５乃至９０／１０である。

【００４４】一般式（１）の化合物（Ａ１）の製造にお
いて、リン酸エステル化剤としては、無水リン酸、工業
用リン酸又はポリリン酸等の公知のものを使用できる。
リン酸エステル化反応において、これらのリン酸エステ
ル化剤を単独で用いてもよいし、２種以上のリン酸エス
テル化剤を併用することもできる。また、リン酸化反応
の開始時に水を加えてもよい。更に、リン酸エステル化
反応において必要に応じて溶剤を用いたり、リン酸エス
テル化の反応が進行するにつれて生成する水を減圧脱水
又は溶剤との共沸脱水によって除去して反応を円滑に進
行させてもよい。

【００４５】公知の方法でリン酸エステル化を行うと、
通常、リン酸モノエステル以外に、リン酸ジエステル、
リン酸トリエステル等も生成し、これらの混合物が得ら
れる。本発明の研削加工液中には、リン酸ジエステル又
はその塩及び／又はリン酸トリエステル等を含んでいて
もよく、これらの任意の混合物が使用できるが、リン酸
トリエステルの含有量が低く、リン酸モノエステル、リ
ン酸ジエステル、及びこれらの含有量の高い混合物が好
ましく、リン酸トリエステルの含有量は５重量％以下が
好ましい。より好ましくはリン酸モノエステルの含有率
の高い混合物、例えば、リン酸モノエステル、リン酸ジ
エステルの割合（重量比）が１００／０乃至５０／５０
の混合物である。更に好ましくはリン酸モノエステル、
リン酸ジエステルの割合が１００／０乃至７０／３０の
混合物である。

【００４６】リン酸エステル（塩）の具体的な製造方法
としては、例えば、ラウリルアルコールにＡＯ又はＡＯ
とＥＯを付加重合させたポリアルキレンオキサイド化合
物を、３０乃至１２０℃で無水リン酸と反応させること
によってリン酸エステルとし、塩基（水酸化カリウム
等）で中和することにより得られる。

【００４７】また、例えば、オレイルアルコールにＡＯ
又はＡＯとＥＯを付加重合させて得られるポリアルキレ
ンオキサイド化合物に、水を加えた後、無水リン酸と反
応させることによって、ポリアルキレンオキサイド化合
物の一部をリン酸エステルとし、塩基（水酸化カリウム
等）で中和することにより得られる。

【００４８】更に、例えば、１,４−ブタンジオールに
ＡＯ又はＡＯとＥＯを付加重合させて得られるポリアル
キレンオキサイド化合物に、工業リン酸と、溶剤として
キシレンを加え、生成する水をキシレンと共に共沸脱水
してリン酸エステルとし、キシレンを除去した後、塩基
（水酸化カリウム等）で中和することにより得られる。

【００４９】本発明においては、脂肪族カルボン酸又は
その塩（Ｂ）及び／又は脂肪族カルボン酸アミド（Ｃ）
を化合物（Ａ１）又は［（Ａ１）と（Ａ２）］と併用す
る。

【００５０】本発明の（Ｂ）として使用される脂肪族カ
ルボン酸としては、炭素数が通常８乃至３６、好ましく
は８乃至２０、より好ましくは８乃至１８の直鎖又は分
岐状の、飽和又は不飽和の脂肪族モノ−又はポリカルボ
ン酸である。例えば、飽和脂肪族カルボン酸である直
鎖又は分岐のオクタン酸、ノナン酸、デカン酸、ドデカ
ン酸又はステアリン酸等、不飽和脂肪族カルボン酸で
あるオレイン酸等、脂肪族ジカルボン酸であるセバシ
ン酸又はドデカン二酸等重合脂肪族カルボン酸である
ダイマー酸等が挙げられる。これらのうち、好ましく
は、分岐の飽和脂肪族カルボン酸、直鎖又は分岐の不飽
和脂肪族カルボン酸であり、更に好ましくは、分岐の飽
和脂肪族カルボン酸、直鎖の不飽和脂肪族カルボン酸で
あり、特に好ましくは、イソノナン酸又はオレイン酸で
ある。

【００５１】本発明の（Ｂ）として使用される脂肪族カ
ルボン酸塩には、例えば、アルカリ金属塩、アルカリ土
類金属塩、アンモニウム塩、アルキル（アルキル基の炭
素数１乃至２０）アミン塩又はアルカノール（ヒドロキ
シアルキル基の炭素数１乃至２０）アミン塩等が含ま
れ、その具体的なカチオン成分としては、前述のリン酸
塩と同様のものが挙げられる。

【００５２】本発明の（Ｃ）として使用される脂肪族カ
ルボン酸アミドとしては、脂肪族カルボン酸部分の炭素
数が通常、８乃至３６、好ましくは８乃至２０、更に好
ましくは８乃至１８の直鎖又は分岐状の、飽和又は不飽
和の脂肪族カルボン酸のアミド化合物である。脂肪族カ
ルボン酸部分としては、例えば、飽和脂肪族カルボン
酸である直鎖又は分岐のオクタン酸、ノナン酸、デカン
酸、ドデカン酸又はステアリン酸等；不飽和脂肪族カ
ルボン酸であるオレイン酸等；脂肪族ジカルボン酸で
あるセバシン酸、ドデカン二酸等；重合脂肪族カルボ
ン酸であるダイマー酸等；天然脂肪族カルボン酸であ
る椰子油脂肪酸等が挙げられ、アミン部分としてはモノ
アルキル（アルキル基の炭素数１乃至２０）アミン、ジ
アルキル（アルキル基の炭素数１乃至２０）アミン、モ
ノアルカノール（ヒドロキシアルキル基の炭素数１乃至
２０）アミン及びジアルカノール（ヒドロキシアルキル
基の炭素数１乃至２０）アミンが挙げられる。脂肪族カ
ルボン酸アミドの具体例としては、夫々直鎖又は分岐の
オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、ドデカン酸、ステア
リン酸、オレイン酸、セバシン酸、ドデカン二酸、ダイ
マー酸、椰子油脂肪酸等のモノアルカノールアミド、ジ
アルカノールアミド、モノアルキルアミド又はジアルキ
ルアミド及びこれらの混合物が挙げられる。これらのう
ち、好ましいのはモノアルカノールアミド、ジアルカノ
ールアミドであり、更に好ましくはモノエタノールアミ
ド、ジエタノールアミドである。

【００５３】本発明において、化合物（Ａ１）の量に対
する脂肪族カルボン酸又はその塩（Ｂ）及び／又は脂肪
族カルボン酸アミド（Ｃ）の量の重量比（Ａ１）／
［（Ｂ）＋（Ｃ）］は通常２０／８０乃至９９／１、好
ましくは５０／５０乃至９５／５である。（Ａ１）／
［（Ｂ）＋（Ｃ）］が２０／８０未満であると、潤滑性
が不足し、加工後のサブストレートの粗度が大きくな
る。また、（Ａ１）／［（Ｂ）＋（Ｃ）］が９９／１を
超えると、研削加工液の防錆性が悪く、錆が研削加工液
の中に入り、サブストレートのスクラッチの原因とな
る。

【００５４】脂肪族カルボン酸又はその塩（Ｂ）と脂肪
族カルボン酸アミド（Ｃ）との量の重量比（Ｂ）／
（Ｃ）は通常０／１００乃至１００／０であり、研削速
度の経時変化を抑制する点からは、０／１００乃至９０
／１０が好ましく、この点について更に好ましくは０／
１００乃至７０／３０である。

【００５５】一般式（１）の化合物（Ａ１）、一般式
（２）の化合物（Ａ２）及び副生するリン酸ジエステ
ル、リン酸トリエステル等の合計量に対する脂肪族カル
ボン酸又はその塩（Ｂ）及び／又は脂肪族カルボン酸ア
ミド（Ｃ）の量の重量比［（Ａ１）＋（Ａ２）＋{（Ａ
１）を除く副生した全リン酸エステル}］／［（Ｂ）＋
（Ｃ）］は通常２０／８０乃至９９／１であり、好まし
くは、５０／５０乃至９５／５である。［（Ａ１）＋
（Ａ２）＋{（Ａ１）を除く副生した全リン酸エステ
ル}］／［（Ｂ）＋（Ｃ）］は潤滑性の点、即ち、加工
後のサブストレートの粗度を小さくするという点から、
２０／８０以上が好ましく、研削加工液の防錆性を損な
わないという点で、９９／１以下が好ましい。

【００５６】以上の成分を含むアルミニウム合金板用研
削加工液は粗度の低減に効果があるポリエーテル系化合
物を使用しているのみならず、凝集沈殿法による廃液処
理が可能である。また、前記成分は研削加工中にアルミ
ニウム表面に吸着し易いため、表面に厚い油膜をつく
り、それが、スクラッチの原因となる砥石から脱落した
砥粒及びアルミニウムの研削層が、被加工中のサブスト
レートを傷つけることを防止する。なお、研削中に吸着
した研削液の成分は、サブストレート加工後の洗浄時に
除去することができるため、後で問題をおこすことはな
い。

【００５７】なお、本発明のアルミニウム合金板用研削
加工液はそれ自体で十分な性能を具備しているが、必要
により、本発明の成分以外に、防錆剤、防腐剤、消泡剤
及び分散性向上剤等を配合したり、ソリューション型の
アルミニウム合金板用研削加工液として、水等の溶媒に
希釈して使用することができる。また、水を含有する潤
滑剤に溶解又は分散させることによって使用することも
可能である。

【００５８】防錆剤としては、例えば、長鎖脂肪酸変性
物（マレイン化オレイン酸、ヒドロキシ脂肪酸アルキル
エステルのリン酸エステル、エポキシ化脂肪酸アルキル
エステルのリン酸エステル）等のアミン塩又はアルカリ
金属塩、有機アミン（モノエタノールアミン、トリエタ
ノールアミン、モルホリン、シクロヘキシルアミン、Ｎ
−ジメチルアミノエタノールアミン、イソプロパノール
アミン、ブチルアミン、オクチルアミン、ラウリルアミ
ン又はオレイルアミン等）、有機アミン誘導体（前記ア
ミンのアルキレンオキシド付加物）、シクロヘキシルア
ミンナイトライト及びベンゾトリアゾール等が挙げられ
る。

【００５９】防腐剤としては、芳香族カルボン酸（安息
香酸、パラターシャリーブチル安息香酸、ニトロ安息香
酸等）等のアミン塩又はアルカリ金属塩、トリアジン系
防腐剤及びチアゾリン系防腐剤等が挙げられる。

【００６０】消泡剤としては、エステル系消泡剤、ポリ
エーテル系消泡剤、鉱物油系消泡剤及びシリコン系消泡
剤が挙げられる。

【００６１】分散性向上剤としては、アルキルベンゼン
スルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、アルキル
ジフェニルエーテルスルホン酸、ナフタレンスルホン酸
のホルマリン縮合物、ポリオキシアルキレンアルキルエ
ーテルカルボン酸、炭素数４０以上のポリカルボン酸等
のアミン塩又はアルカリ金属塩等が挙げられる。

【００６２】次に、本願発明の磁気ディスク基盤用アル
ミニウム合金板用研削加工液を使用した研削加工方法に
ついて説明する。

【００６３】磁気ディスク基盤用アルミニウム合金板を
多孔質砥石で挟み込んで加圧し、本発明の研削加工液を
この磁気ディスク基盤用アルミニウム合金板の研削加工
面に供給しつつ、前記磁気ディスク基盤用アルミニウム
合金板と前記多孔質砥石とを相対運動させることによっ
て、砥石で前記磁気ディスク基盤用アルミニウム合金板
を所定の板厚まで研削する工程を有し、使用時における
研削加工液中の［（Ａ１）＋（Ａ２）＋（Ｂ）＋
（Ｃ）］の合計の含有量は０．０１乃至２重量％である
ことが必要であり、望ましくは０．０１２乃至１．８重
量％である。［（Ａ１）＋（Ａ２）＋（Ｂ）＋（Ｃ）］
の合計の含有量が０．０１重量％以上では、潤滑性が良
好で、製品サブストレートの粗度が低くなる。また、油
膜の形成が十分に行われ、スクラッチの低減効果が良好
である。一方、含有量が２重量％以下であれば、潤滑性
が向上しすぎないため、砥粒の加工中のサブストレート
表面への食い込みを阻害せず、研削速度が低下しない。

【００６４】

【実施例】次に、本願発明の実施例について本願発明の
範囲から外れる比較例と比較して説明する。なお、以下
に示す実施例において、部又は％は特記しない限り、夫
々重量部又は重量％を示す。

【００６５】［第１実施例］先ず、本願発明に係る研削
加工液の実施例について説明する。実施例１乃至１７及
び比較例１乃至９の組成物（配合液）を以下のようにし
て製造し、性能評価を行った。即ち、以下の（Ａ−１）
乃至（Ａ−８）のリン酸エステル（塩）基を有したポリ
エーテル組成物と脂肪族カルボン酸又はその塩を用いた
実施例１乃至８の組成物、（Ａ−１）乃至（Ａ−８）と
脂肪族カルボン酸アミド、又は脂肪族カルボン酸又はそ
の塩及び脂肪族カルボン酸アミドの両方を使用した実施
例９乃至１７の組成物を製造した。なお、同時に、ポリ
エーテル（Ｄ−１）乃至（Ｄ−４）と脂肪族カルボン酸
又はその塩を用いた比較例１乃至４、（Ｄ−１）乃至
（Ｄ−４）と脂肪族カルボン酸アミドを用いた比較例５
乃至８並びに脂肪族カルボン酸又はその塩及び脂肪族カ
ルボン酸アミドを併用しない比較例９の組成物を下記表
１及び表２の配合割合でアルミニウム合金基盤の研削加
工用の組成物として作成した。

【００６６】＜実施例のリン酸エステル基（塩）を有す
るポリエーテル＞ （Ａ−１）：ポリプロビレングリコール（数平均分子
量：２５００）にＥＯ１５モル付加させたポリエーテル
を部分リン酸エステル化したもののカリウム塩。（リン
酸モノエステル／リン酸ジエステル＝９０／１０、化合
物（Ａ１）に該当するリン酸モノエステル／化合物（Ａ
２）に該当するポリエーテル＝３５／６５） （Ａ−２）：ノルマルオクチルアルコールにＰＯ／ＥＯ
（重量比：９０／１０）をランダムに４５モル付加さ
せ、次いでＥＯを８モルブロック付加させたものを、部
分リン酸エステル化したもののカリウム塩。（リン酸モ
ノエステル／リン酸ジエステル＝７２／２８、（Ａ１）
／（Ａ２）＝８０／２０） （Ａ−３）：オレイルアルコールに先ずＰＯを４５モル
付加させた後に、更にＥＯを１０モルブロック付加させ
たものを、部分リン酸エステル化したもののカリウム
塩。（リン酸モノエステル／リン酸ジエステル＝９５／
５、（Ａ１）／（Ａ２）＝３０／７０） （Ａ−４）：ステアリルアルコールに、ＰＯを４０モル
付加させた後に、ＥＯを１０モルブロック付加させたも
のを、部分リン酸エステル化したもののカリウム塩。
（リン酸モノエステル／リン酸ジエステル＝９０／１
０、（Ａ１）／（Ａ２）＝４０／６０） （Ａ−５）：炭素数１０乃至１８の直鎖アルコールに、
先ずＰＯを３５モル付加させた後に、更にＥＯを１０モ
ルブロック付加させたものを、部分リン酸エステル化し
たもののカリウム塩。（リン酸モノエステル／リン酸ジ
エステル＝９５／５、（Ａ１）／（Ａ２）＝３０／７
０） （Ａ−６）：炭素数１２乃至１４の直鎖アルコールにＰ
Ｏを４０モル付加させた後に、更にＥＯを１０モルブロ
ック付加させたものを、部分リン酸エステル化したもの
のカリウム塩。（リン酸モノエステル／リン酸ジエステ
ル＝９５／５、（Ａ１）／（Ａ２）＝３５／６５） （Ａ−７）：ドデシルフェノールに、ＰＯ／ＥＯ（重量
比：８０／２０）をランダムに４５モル付加した後、部
分リン酸エステル化したもののカリウム塩。（リン酸モ
ノエステル／リン酸ジエステル＝７０／３０、（Ａ１）
／（Ａ２）＝９０／１０） （Ａ−８）：炭素数１２乃至１４の直鎖アルコールにＰ
Ｏを３５モル付加させたものを、部分リン酸エステル化
したもののカリウム塩。（リン酸モノエステル／リン酸
ジエステル＝９５／５、（Ａ１）／（Ａ２）＝３３／６
７）

【００６７】＜比較例のポリエーテル及びポリエーテル
組成物＞ （Ｄ−１）：ノルマルブタノールのＥＯ／ＰＯ（重量
比：５０／５０）ランダム付加物（数平均分子量：１４
００）。 （Ｄ−２）：ポリプロピレングリコール（数平均分子
量：８００）にＥＯを２０モル付加させたポリエーテ
ル。 （Ｄ−３）：ラウリルアルコールにＥＯを２０モル付加
させたポリエーテル。 （Ｄ−４）：炭素数１２の直鎖アルコールにＰＯを１８
モル付加させた後、ＥＯを１０モル付加させたものを、
部分リン酸エステル化したもののカリウム塩。（リン酸
モノエステル／リン酸ジエステル＝６７／３３、（Ａ
１）／（Ａ２）＝７５／２５）

【００６８】

【表１】

【００６９】

【表２】

【００７０】本発明で規定された化合物（Ａ１）と（Ａ
２）を含有する組成物（Ａ−１）乃至（Ａ−８）を使用
した実施例１乃至１７の組成物と比較例１乃至９の組成
物を夫々１％水溶液に希釈し、研削加工した後の製品サ
ブストレートの表面粗度とスクラッチ発生率及び凝集沈
殿による廃液処理性（ＣＯＤ）を測定した。

【００７１】特に、実施例９乃至１７の組成物と比較例
９の組成物は、更に砥石を繰り返し使用した場合の研削
速度の経時変化を測定した。なお、比較例１乃至８は当
初より研削速度が劣っているので測定しなかった。

【００７２】図１は本実施例で使用した研削機を示す模
式図、図２はそのＡ−Ａ方向にみた平面図である。研削
機１の下定盤３は、回転及び昇降可能に保持されてお
り、かつその上面にドーナツ状の砥石２が取り付けられ
ている。上定盤５は、下定盤３の上方位置に下定盤３と
同軸上で対向するように配置されている。また、この上
定盤５は回転及び昇降可能に保持されており、その下面
にドーナツ状の砥石４が取り付けられている。砥石２、
４の間には、その軸芯位置に太陽歯車７が配置されてお
り、太陽歯車７の径方向外方位置には、内歯歯車９が太
陽歯車７と同心状に配置されている。また、ワークキャ
リア６は内歯歯車９と太陽歯車７の両歯車に噛台された
状態で砥石２、４の間に保持されるようになっている。

【００７３】そして、ブランク８をワークキャリア６の
保持孔６ａに配置し、ブランク８を砥石２、４に押し当
てた状態で、実施例及び比較例の研削液を供給しなが
ら、太陽歯車７を回転駆動することにより、ワークキャ
リア６を自転させつつ、太陽歯車７の回りで公転させ、
更に定盤１、３を相互逆方向に回転駆動することによ
り、ブランク８の両面の研削加工を行う。なお、本試験
で用いた研削機では、１バッチの研削でサブストレート
を１６個製造することができる。なお、本発明の対象は
前記遊星歯車機構式の研削機に限定されるものではな
い。

【００７４】研削条件は以下に示すとおりである。研削条件 砥石 ；市販のＰＶＡ砥石、砥粒＃４０００ 研削液 ；表１の研削液を水道水で１％に希釈 加圧力 ；２０ｇ／ｃｍ²で１分間一次加工した後、
６０ｇ／ｃｍ²で所定の板厚まで二次加工を行う。 使用材料；ＪＩＳ５０８６ サイズ ；３．５インチのブランク 板厚 ；加工前０．８３ｍｍ、加工後０．７８ｍｍ 加工枚数；各条件に付き、８０枚（５バッチ）加工

【００７５】なお、１つの研削液のテストが終了する
と、次にテストする研削液を砥石に供給しながら、研削
装置を５分間ほど空回転させることにより、前回テスト
した研削液を砥石から除去してから試験した。

【００７６】研削速度の経時変化のテストは加工枚数を
８０枚（５バッチ）を行った後、更に、５バッチずつ繰
り返し、３２０枚目（２０バッチ目）まで続けて行っ
た。

【００７７】（１）粗度 研削試験にて製造されたサブストレートを各実施例及び
比較例について無作為に１０枚サンプリングし、市販の
触針式接触法による粗度計を使用してＲａを測定した。
評価はＲａの平均値により行い、平均が２００Å未満の
ものを合格（○）とした。

【００７８】（２）スクラッチ発生率 各条件につき製造したサブストレートを全て目視検査
し、スクラッチが発生しているサブストレートの数をカ
ウントした。評価はスクラッチの発生率で調査し、発生
率が１０％未満（８枚未満）のものを合格（○）とし
た。サブストレート表面のスクラッチの発生率を調査し
た。

【００７９】（３）凝集沈殿処理性 １％水溶液にポリ塩化アルミニウム（無機系凝集剤）を
３０００ｐｐｍ添加した。次に、水酸化カルシウムで希
釈液のｐＨを６乃至８に調整した後、高分子凝集剤（サ
ンフロックＡＨ−２００Ｐ（三洋化成工業（株）製））
を２ｐｐｍ添加した。最後に、沈殿物をろ別し、ろ過し
た液体をＪＩＳ Ｋ０１０２−１７に従ってＣＯＤ値を
測定し、１０００以下のものを合格（○）とした。

【００８０】（４）研削速度 研削加工前後の供試ブランクを１枚選択し、研削前後の
重量を夫々測定し、その重量差から研削速度を計算し
た。測定は１バッチ毎に５バッチについて行った。評価
は５バッチの平均により行い、評価の判定は以下のとお
りとした。 １５μｍ／分以上 ○ １５μｍ／分未満、１０μｍ／分以上 △ １０μｍ／分未満 ×

【００８１】化合物（Ａ１）と（Ａ２）を含有する組成
物（Ａ−１）乃至（Ａ−８）を使用した実施例１乃至１
７の研削加工液と比較例１乃至９の研削加工液による処
理後のＣＯＤ濃度、表面粗度、スクラッチ数、スクラッ
チ発生率及び凝集沈殿処理性の評価結果を表３に示し、
実施例９乃至１７と比較例９の研削速度の経時変化の評
価結果を表４に示す。

【００８２】

【表３】

【００８３】

【表４】

【００８４】この表３から明らかなように、実施例１乃
至１７の研削加工液の場合は、処理後のＣＯＤ濃度も低
く、表面粗度も十分に小さく、また、スクラッチも少な
いため、低粗度のサブストレートを低いスクラッチ発生
率で製造することができ、同時に凝集沈殿による排水処
理が容易であることがわかる。これに対し、比較例１乃
至９の研削加工液の場合は、少なくとも前記特性のいず
れかが劣るものであった。

【００８５】表４から明かなように、実施例９乃至１７
の研削加工液の場合は、研削速度の経時変化がほとんど
見られず、砥石を繰り返しての使用が可能であるので、
研削加工性が比較例９よりも更に良好であるといえる。
これに対して、比較例９の研削加工液の場合、最初の８
０枚（５バッチ）程度までは良好な研削速度を示すが、
バッチ数が増していくと、研削速度は経時変化により低
下し、砥石の交換が必要となる。

【００８６】［第２実施例］次に、使用時の研削加工液
中の含有量を変化させた場合の効果について、実施例ａ
乃至ｃと、それから外れる比較例ｄ及びｅを、「第１実
施例」の実施例３で配合した研削加工液を用いて評価し
た加工条件を下記表５に、評価結果を表６に示す。

【００８７】

【表５】

【００８８】

【表６】

【００８９】表５に示すように、５種類の加工条件でサ
ブストレートを加工し、各加工条件における製品サブス
トレートの粗度、研削速度、平坦度を夫々測定した。こ
の測定結果を表６に示した。

【００９０】（１）粗度 粗度の測定方法は第１実施例と同一である。つまり、研
削試験にて製造されたサブストレートを各実施例及び比
較例について、無作為に１０枚サンプリングし、市販の
触針式接触法による粗度計を使用して中心線平均粗さＲ
ａを測定した。評価はＲａの平均値により行い、評価の
判定は以下のとおりである。 １５０Å未満 ○ ２００Å未満、１５０Å以上 △ ２００Å以上 ×

【００９１】（２）研削速度 研削加工前後の供試ブランクを１枚選択し、研削前後の
重量を夫々測定し、その重量差から計算した。測定は１
バッチ毎に５バッチについて行った。評価は５バッチの
平均により行い、評価の判定は以下のとおりとした。 １５μｍ／分以上 ○ １５μｍ／分未満、１０μｍ／分以上 △ １０μｍ／分未満 ×

【００９２】（３）平坦度 市販のレーザー干渉計による平坦度測定器にて測定し
た。各実施例及び比較例について、無作為に１０枚のサ
ブストレートを抽出して測定した。評価は、１０枚の平
均値が５μｍ以下のものを合格とした。 ５μｍ未満 ○ ５μｍ以上、６μｍ未満 △ ６μｍ以上 ×

【００９３】前記表６に示すように、本発明の実施例に
係る研削加工方法の場合は、研削速度を低下させること
なく、サブストレートの品質（粗度・平坦度）を維持す
ることができることがわかる。これに対し、比較例の場
合は、粗度が悪いか、又は研削速度が低いものであっ
た。

【００９４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る磁気
ディスク基盤用アルミニウム合金板用研削加工液は、研
削加工後のアルミニウム合金板の粗度を低下させること
ができ、凝集沈殿による排水処理性が良好であり、か
つ、油性効果によるスクラッチの低減効果を有している
ため、磁気ディスク基盤用アルミニウム合金の研削加工
液として極めて優れた性能を有する。更に脂肪族カルボ
ン酸アミドを含有する研削加工液を使用して研削加工し
た場合には、研削速度の経時変化を抑制することが可能
である。

【００９５】また、この研削加工液を使用して本発明に
よりアルミニウム合金板を研削加工することにより、排
水処理性を向上させ、スクラッチを低減することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例にて使用した研削機を示す模式
図である。

【図２】同じくそのＡ−Ａ方向にみた平面図である。

【符号の説明】

１：研削機 ２、４：砥石 ３：下定盤 ５：上定盤 ６：ワークキャリア ７：太陽歯車 ８：ブランク ９：内歯歯車

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤本 日出男 栃木県真岡市鬼怒ヶ丘15番地 株式会社神 戸製鋼所真岡製造所内 (72)発明者 梅田 秀俊 栃木県真岡市鬼怒ヶ丘15番地 株式会社神 戸製鋼所真岡製造所内 (72)発明者 今井 堯一 京都府京都市東山区一橋野本町11番地の１ 三洋化成工業株式会社内 (72)発明者 成瀬 公一 京都府京都市東山区一橋野本町11番地の１ 三洋化成工業株式会社内 (72)発明者 田中 智 京都府京都市東山区一橋野本町11番地の１ 三洋化成工業株式会社内 (72)発明者 岡本 毅 京都府京都市東山区一橋野本町11番地の１ 三洋化成工業株式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（１）で示される化合物（Ａ
   １）と、炭素数８乃至３６の脂肪族カルボン酸又はその
   塩（Ｂ）及び／又は脂肪族カルボン酸の炭素数が８乃至
   ３６の脂肪族カルボン酸アミド（Ｃ）を２０／８０乃至
   ９９／１の重量比で含有することを特徴とする磁気ディ
   スク基盤用アルミニウム合金板用研削加工液。 Ｘ₁−Ｒ₁−Ｏ−｛（ＡＯ）_p1／（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_q1｝−Ｑ₁ …（１） ［但し、一般式中、Ｘ₁は水素原子又は−Ｏ−｛（Ａ
   Ｏ）_p1／（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_q1｝−Ｑ₂、 で表されるリン酸エステル（塩）基、Ｑ₂は水素原子又
   はＱ₁を表す。Ｒ₁は炭素数１乃至３０の２価の炭化水素
   基、Ａは炭素数３乃至４のアルキレン基、ｐ₁、ｑ₁は夫
   々同じでも異なっていてもよい。ｐ₁の合計は３２乃至
   ３００の整数、ｑ₁の合計は０又は１乃至４０の整数を
   表す。Ｍはカチオン成分を表す。但し、ｑ₁が１以上の
   場合、｛（ＡＯ）_p1／（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_q1｝はランダム
   付加及び／又はブロック付加を表し、付加順序は問わな
   い。］
2. 【請求項２】 更に下記一般式（２）で表される化合物
   （Ａ２）を含有し、化合物（Ａ１）／化合物（Ａ２）の
   重量比が１０／９０乃至９９／１であることを特徴とす
   る請求項１に記載の磁気ディスク基盤用アルミニウム合
   金板用研削加工液。 Ｘ₂−Ｒ₂−Ｏ−｛（ＡＯ）_p2／（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_q2｝−Ｈ …（２） ［但し、一般式中、Ｘ₂は水素原子又は−Ｏ−｛（Ａ
   Ｏ）_p2／（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_q2｝−Ｈ、Ｒ₂は炭素数１乃
   至３０の２価の炭化水素基、Ａは炭素数３乃至４のアル
   キレン基、ｐ₂、ｑ₂は夫々同じでも異なっていてもよ
   い。ｐ₂の合計は３２乃至３００の整数、ｑ₂の合計は０
   又は１乃至４０の整数を表す。但し、ｑ₂が１以上の場
   合、｛（ＡＯ）_p2／（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_q2｝はランダム付
   加及び／又はブロック付加を表し、付加順序は問わな
   い。］
3. 【請求項３】 前記化合物（Ａ１）中のポリオキシアル
   キレン鎖及び前記化合物（Ａ２）中のポリオキシアルキ
   レン鎖の数平均分子量が２０００乃至２００００である
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気ディスク
   基盤用アルミニウム合金板用研削加工液。
4. 【請求項４】 磁気ディスク基盤用アルミニウム合金板
   を多孔質砥石で挟み込んで加圧し、請求項１乃至３のい
   ずれか１項に記載の研削加工液を前記磁気ディスク基盤
   用アルミニウム合金板の研削加工面に供給しつつ、前記
   磁気ディスク基盤用アルミニウム合金板と前記多孔質砥
   石とを相対運動させることによって、前記砥石で前記磁
   気ディスク基盤用アルミニウム合金板を所定の板厚まで
   研削加工する工程を有し、使用時における研削加工液中
   の前記化合物［（Ａ１）＋（Ｂ）＋（Ｃ）］、又は
   ［（Ａ１）＋（Ａ２）＋（Ｂ）＋（Ｃ）］の合計の含有
   量が０．０１乃至２重量％であることを特徴とする磁気
   ディスク基盤用アルミニウム合金板の研削加工方法。